CN105018930A - 蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示装置的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。

Description

蚀刻剂和使用该蚀刻剂制造显示装置的方法
相关申请的交叉引用
本申请要求2014年4月28日递交的韩国专利申请KR 10-2014-0050924的权益，其通过整体引用而并入本申请中。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。
背景技术
一般情况下，薄膜晶体管(TFT)面板用作液晶显示装置或有机电致发光(EL)显示装置中独立驱动每个像素的电路板。TFT面板包括：扫描信号布线或栅布线，用于传输扫描信号；和图像信号布线或数据布线，用于传输图像信号。而且，它进一步包括：与栅布线和数据布线连接的TFT，以及与TFT连接的像素电极。
这样的TFT面板通过在基板上形成用于栅布线和数据布线的金属层并然后蚀刻上述金属层来制造。
栅布线和数据布线由导电性高且电阻低的铜制成。然而，铜在应用光刻胶和使其图案化的工艺中造成困难，因此，不使用铜单层膜而使用多层金属膜形成栅布线和数据布线。
通常用作多层金属膜的是钛/铜双层膜。当同时蚀刻该钛/铜双层膜时，蚀刻轮廓可能变差并且后续工艺难以进行。
发明内容
因此，本发明的示例性实施方式提供一种蚀刻剂和一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。
本发明的实施方式提供一种蚀刻剂，包含：0.5wt％～20wt％的过硫酸盐；0.01wt％～2wt％的氟化合物；1wt％～10wt％的无机酸；0.5wt％～5wt％的含氮原子(N)的杂环化合物；0.1wt％～5wt％的氯化合物；0.05wt％～3wt％的铜盐；0.1wt％～10wt％的有机酸或有机酸盐；0.1wt％～5wt％的供电子化合物；以及余量的溶剂。
本发明的另一个实施方式提供一种制造显示装置的方法，包括：在绝缘基板上形成栅金属层，所述栅金属层包括下部栅金属层和上部栅金属层；使用上述蚀刻剂来蚀刻所述栅金属层，从而形成包括栅电极的栅线；在所述栅线上形成栅绝缘膜；在所述栅绝缘膜上按序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下部数据金属层，和上部数据金属层；蚀刻所述第一非晶硅层、所述第二非晶硅层、所述下部数据金属层，和所述上部数据金属层，从而形成半导体层、欧姆接触层、包括源电极的数据线，和漏电极；在所述数据线、所述漏电极和所述栅绝缘膜上形成钝化层；以及在所述钝化层上形成像素电极以与所述漏电极连接。
根据本发明示例性实施方式，提供一种对钛/铜双层膜表现出优异的蚀刻轮廓并且不产生溶解性差的沉淀物的蚀刻剂，以及一种使用该蚀刻剂制造显示装置的方法。
附图说明
通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本发明的上述以及其它目的、特征和优点，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施方式的显示装置的横截面视图。
图2是沿图1的线II-II观看的横截面视图。
图3至图8是示出根据本发明的实施方式的制造显示装置的方法的视图；以及
图9是示出根据本发明的实施方式的蚀刻剂的作用机制的示意图。
具体实施方式
由于本发明的实施方式可以按许多不同的形式进行各种修改，现将详细参考本发明的多种实施方式，其具体实例示于附图中并描述在下文中。将理解的是，本描述并不将本发明限于那些实施方式，本发明包括在本发明的精神和范围内的各种修改、等同和替换。
在下文中，将参照附图给出本发明的实施方式的详细描述。在全部附图中，相同的附图标记指代相同或相似的元件，因此省略了冗余的描述。
除非上下文清楚地另外指明，如本文所用的单数形式也意在包括复数形式。
将理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包含”、“包括”、“具有”等是指存在所陈述的要素或元件，但不排除存在或增加一个或多个其它要素或元件。
而且，将理解的是，当诸如膜、区域或片材被称为在另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上，或居间元件(intervening element)可以存在于其间。
为使附图清楚起见，元件的尺寸被描绘成大于或小于实际尺寸。例如，附图中各个元件的尺寸和厚度是任意描绘的，并且本发明不必限于此。
当实施任何实施方式时，具体的工艺顺序可以不同于所描述的顺序实施。例如，连续描述的两个工艺可以基本上同时执行，或者可以按相反的顺序进行。
下面是根据本发明实施方式的蚀刻剂的描述。
蚀刻剂用于蚀刻双层金属布线，该双层金属布线包括：钛(Ti)或含钛金属膜，和在钛或含钛金属膜上的铜(Cu)或含铜金属膜。
蚀刻剂包括：过硫酸盐、氟化合物、无机酸、含N的杂环化合物、氯化合物、铜盐、有机酸或有机酸盐、供电子化合物，以及余量的溶剂。
该蚀刻剂可以是无过氧化氢的蚀刻剂。如此，无过氧化氢的蚀刻剂是指不含过氧化氢的蚀刻剂。
过硫酸盐主要用于蚀刻铜或含铜金属膜，并且基于蚀刻剂的总量过硫酸盐含量可以为5wt％～20wt％。如果过硫酸盐在上述含量范围内，铜或含铜金属膜的蚀刻速率可以变得很高并且可以得以保持，使得蚀刻工艺得到适当地控制。
过硫酸盐可以包括但不限于选自过硫酸钾、过硫酸钠和过硫酸铵中的至少一种。
氟化合物主要用于蚀刻钛或含钛金属膜，并且在蚀刻工艺中起着除去残余物的作用。基于蚀刻剂的总量氟化合物的含量可以为0.01wt％～2wt％。如果氟化合物在上述含量范围内，钛或含钛金属膜的蚀刻速率可以增加，从而防止产生蚀刻残余物，并且防止损伤金属布线形成在其上的基板(诸如玻璃)和与金属布线一起形成的含硅绝缘膜。
氟化合物是指在溶液中离解成氟离子或多元氟离子的化合物。氟化合物可以包括但不限于选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟氢化铵、氟氢化钠和氟氢化钾中的至少一种。
无机酸用作用于蚀刻铜或含铜金属膜和钛或含钛金属膜的辅助氧化剂，并且基于蚀刻剂的总量无机酸的含量可以为1wt％～10wt％。如果无机酸在上述含量范围内，铜或含铜金属膜和钛或含钛金属膜的蚀刻速率可以增加，并因此蚀刻轮廓可以变得良好，并且不发生过度蚀刻和光刻胶开裂，且没有蚀刻残余物，从而防止布线由于化学物质的渗透而短路。
无机酸可以包括选自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一种。
含N的杂环化合物起到控制铜或含铜金属膜的蚀刻速率的作用。基于蚀刻剂的总量含N的杂环化合物的含量可以为0.5wt％～5wt％。如果含N的杂环化合物在上述含量范围内，铜的蚀刻速率可以被控制，从而防止过度蚀刻并且防止由于铜的低蚀刻速率所导致的加工时间增加，由此使得生产率增加。
含N的杂环化合物可以包括但不限于选自5-氨基四唑、3-氨基-1,2,4-***、4-氨基-4H-1,2,4-***、苯并***、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一种。
氯化合物起到用于蚀刻铜或含铜金属膜的辅助氧化剂的作用，并且起到调节锥角的作用。基于蚀刻剂的总量氯化合物的含量可以为0.1wt％～5wt％。如果氯化合物的含量小于0.1wt％，那么铜或含铜金属膜的蚀刻速率可能减小，不期望地使蚀刻轮廓变差。相反，如果其含量超过5wt％，那么金属布线可能由于过度蚀刻而损失。
氯化合物是指离解成氯离子的化合物，并且可以包括但不限于选自盐酸(HCl)、氯化钠(NaCl)、氯化钾(KCl)和氯化铵(NH4Cl)中的至少一种。
铜盐起到调节CD歪斜的作用，并且基于蚀刻剂的总量铜盐的含量可以为0.05wt％～3wt％。如果铜盐的量小于0.05wt％，那么每加工片材的CD歪斜变化的偏差可能会增加。相反，如果其含量超过3wt％，那么主氧化剂的氧化能力可能会变差，并因此加工片材的数目可能会降低。
铜盐可以包括但不限于选自硝酸铜(Cu(NO3)2)、硫酸铜(CuSO4)和磷酸铜铵(NH4CuPO4)中的至少一种。
有机酸或有机酸盐起到防止由于与所蚀刻的金属离子螯合而产生的对蚀刻剂的影响，最终增加加工片材的数目。基于蚀刻剂的总量有机酸或有机酸盐的含量可以为0.1wt％～10wt％。如果有机酸或有机酸盐的量小于1wt％，那么没有增加加工片材的数目的效果。相反，如果其含量超过10wt％，那么没有更多增加加工片材的数目的效果。
有机酸或有机酸盐可以包括但不限于选自如下化合物中的至少一种：乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸(EDTA)，以及它们的钠盐、钾盐和铵盐。
供电子化合物被添加以防止由于蚀刻组合物与蚀刻铜布线所生成的铜离子的结合而产生沉淀物，并由此负责阻碍沉淀物结合。如此，基于蚀刻剂的总量供电子化合物的含量可以为0.1wt％～5wt％。如果供电子化合物的含量小于0.1wt％，那么可能形成溶解性差的沉淀物。相反，如果其含量超过5wt％，那么难以保持起初的蚀刻性能。
供电子化合物是非环状有机化合物，并且可以包括但不限于选自如下化合物中的至少一种：L-异亮氨酸、草酸、己二酸、棕榈酸、乳酸、马来酸、二亚乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸、L-丝氨酸、L-甲硫氨酸，以及它们的钾盐、钠盐和铵盐。
供电子化合物可以例举为但不限于选自如下化合物中的至少一种：L-异亮氨酸、二亚乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸、L-丝氨酸、L-甲硫氨酸，以及它们的钾盐、钠盐和铵盐。
在使用包含过硫酸盐、氟化合物、有机酸、无机酸、氯化合物、铜盐、含N的杂环化合物和溶剂的蚀刻剂的蚀刻工艺中，所产生的铜离子可以与蚀刻剂的至少一种组分结合，从而形成溶解性差的沉淀物。溶解性差的沉淀物可以导致污染待蚀刻的基板和堵塞用于蚀刻的管道的问题。
下面的表1示出了评价基本上由过硫酸盐、氟化合物、有机酸、无机酸、铜盐和溶剂组成，选择性地包含氯化合物和/或含N的杂环化合物的蚀刻剂是否产生溶解性差的沉淀物的测试结果。在表1中，测试例1至3示出了包含溶解的3500ppm铜的蚀刻剂中的Cu浓度的变化。如此，Cu浓度的减小意味着沉淀物以对应于该减小的量的量产生。
[表1]
                                           (wt％)
※SPS：过硫酸钠
※ABF：氟氢化铵
※ATZ：5-氨基四唑
※AcOH：乙酸
从表1中明显看出，不包含含N的杂环化合物或不包含氯化合物的蚀刻剂(测试例1和2)几乎不引起Cu浓度的变化。然而，在同时使用含N的杂环化合物和氯化合物的测试例3中，Cu浓度急剧降低。因此，同时包含含N的杂环化合物和氯化合物的蚀刻剂可能产生溶解性差的沉淀物，并且由蚀刻工艺所产生的过量铜离子可以进一步加快这样的溶解性差的沉淀物的产生程度。
下面的表2示出了评价溶解性差的沉淀物的产生是否取决于氯化合物的含量的测试结果。
[表2]
                                             (wt％)
※SPS：过硫酸钠
※ABF：氟氢化铵
※ATZ：5-氨基四唑
※AcOH：乙酸
从表2中明显看出，当氯化合物的含量减小时，溶解性差的沉淀物以非常少的量产生。然而，在氯化合物的含量降低的情况下，不能保持所希望的蚀刻性能，因此不认为简单地减小氯化合物的含量是抑制溶解性差的沉淀物的产生的优选方案。
根据本发明的实施方式，蚀刻剂包括供电子化合物。该供电子化合物可以与铜离子结合，该铜离子与含N的杂环化合物螯合。因而，供电子化合物可以起到防止Cl-与螯合的化合物结合的作用。因此，包含供电子化合物的蚀刻剂不产生溶解性差的沉淀物。该机制示于图9中。
根据本发明的实施方式，蚀刻剂包括使蚀刻剂的总量为100wt％的余量的溶剂。溶剂可以是水，该水可以是指去离子水。例如，溶剂被例举为但不限于适合于半导体加工且具有18MΩ/cm以上的去离子水。基于蚀刻剂的总量，水的含量为使铜钛蚀刻剂的总量为100wt％的余量。
而且，根据本发明的实施方式的蚀刻剂可以进一步包括金属离子螯合剂和腐蚀抑制剂。
使用上述蚀刻剂对于蚀刻双层金属布线是有效的，该双层金属布线包括：钛或含钛金属膜和在该钛或含钛金属膜上的铜或含铜金属膜。
而且，根据本发明的实施方式的蚀刻剂不仅可用于制造平板显示器(诸如液晶显示装置)，而且可用于制造内存半导体面板。此外，它可被应用于制造其它包括双层金属布线的电子装置，该双层金属布线包括：钛或含钛金属膜和在该钛或含钛金属膜上的铜或含铜金属膜。
下面是使用上述蚀刻剂制造显示装置的方法。
图1示出根据本发明的实施方式的显示装置的TFT面板，而图2是沿图1的线II-II观看的横截面视图。
根据本发明的实施方式的显示装置的TFT面板被配置为包括栅电极124的多条栅线121；栅绝缘膜140；多个半导体层154；多个欧姆接触元件163、165；多条数据线171以及多个漏电极175按序形成在由绝缘材料(诸如玻璃或塑料)制成的基板110上。
每条栅线121起到传输栅信号的作用，并且主要在水平方向上延伸，并且栅电极124在栅线121的上方突出。
栅线121由下部膜124p(下部膜124p包括：钛或含钛金属)和上部膜124r(上部膜124r包括：铜或含铜金属)组成。
每条数据线171起到传输数据信号的作用，并且主要在竖直方向上延伸，从而贯穿栅线121。每条数据线171包括向栅电极124延伸的源电极173。漏电极175以独立于数据线171的方式形成，并且被设置为面对源电极173，且栅电极124介于其间。
数据线171、源电极173和漏电极175分别被配置为包括下部膜171p、173p、175p(下部膜171p、173p、175p包括：钛或含钛金属)和上部膜171r、173r、175r(上部膜171r、173r、175r包括：铜或含铜金属)。
每个半导体层154被设置在栅电极124上，并且其上的欧姆接触元件163、165仅被设置在半导体层154和数据线171/漏电极175之间，从而减少它们之间的接触电阻。
单个栅电极124、单个源电极173和单个漏电极175与半导体层154一起构成单个TFT，并且TFT的通道形成在源电极173和漏电极175之间的半导体层154上。
而且，由硅氮化物或硅氧化物制成的钝化层180形成在数据线171和漏电极175上。
钝化层180具有用于暴露漏电极175的接触孔185，并且像素电极191形成在钝化层180上并通过接触孔185与漏电极175连接。
此外，下面参照图3至图8和图2进行描述根据本发明的实施方式的制造用于显示装置的TFT面板的方法。
图3至图8是按序示出根据本发明的实施方式的制造用于显示装置的TFT面板的方法的横截面视图。
如图3所示，栅金属层120形成在透明绝缘基板110上，栅金属层120包括下部栅金属层120p(该下部栅金属层120p包括：钛或含钛金属)和上部栅金属层120r(该上部栅金属层120r包括：铜或含铜金属)。
接下来，如图4所示，使用上述蚀刻剂蚀刻栅金属层120，从而形成栅电极124，并且在包括栅电极124的绝缘基板110的整个表面上形成栅绝缘膜140。
栅电极124包括下部膜124p(该下部膜124p包括：钛或含钛金属)和上部膜124r(该上部膜124r包括：铜或含铜金属)。
接下来，如图5所示，在栅绝缘膜140上按序形成非晶硅层150、杂质掺杂的非晶硅层160和数据金属层170。如此，数据金属层170包括下部数据金属层170p(该下部数据金属层170p包括：钛或含钛金属)和上部数据金属层170r(该上部数据金属层170r包括：铜或含铜金属)。
接下来，如图6和图7所示，上述蚀刻剂被应用于蚀刻数据金属层170、非晶硅层150和杂质掺杂的非晶硅层160，从而形成包括源电极173的数据线171；漏电极175；欧姆接触层163、165；和半导体层154。
数据线171、源电极173和漏电极175分别包括下部膜171p、173p、175p(下部膜171p、173p、175p包括：钛或含钛金属)和上部膜171r、173r、175r(上部膜171r、173r、175r包括：铜或含铜金属)。
接下来，如图8所示，钝化层180形成在数据线171、漏电极175和栅绝缘膜140的整个表面上，在此之后，如图2所示，形成用于暴露漏电极175的接触孔185，并且在钝化层180上形成像素电极191。
下面，通过下面的测试例描述根据本发明的实施方式的蚀刻剂的性能。
<实施例1>
如下面的表3中所示，制备了10kg的蚀刻剂，包含：10wt％的过硫酸钠、0.5wt％的氟氢化铵、3wt％的硝酸、1.5wt％的5-氨基四唑、1.5wt％的氯化钠、0.2wt％的硫酸铜、3wt％的乙酸、3wt％的二亚乙基三胺五乙酸和余量的水。
<实施例2>
如下面的表3中所示，制备了10kg的蚀刻剂，包含：10wt％的过硫酸钠、0.5wt％的氟氢化铵、3wt％的硝酸、1.5wt％的5-氨基四唑、1.5wt％的氯化钠、0.2wt％的硫酸铜、3wt％的乙酸、0.1wt％的N-乙酰-L-半胱氨酸和余量的水。
<实施例3>
如下面的表3中所示，制备了10kg的蚀刻剂，包含：10wt％的过硫酸钠、0.5wt％的氟氢化铵、3wt％的硝酸、1.5wt％的5-氨基四唑、1.5wt％的氯化钠、0.2wt％的硫酸铜、3wt％的乙酸、2wt％的L-甲硫氨酸和余量的水。
<比较例1>
如下面的表3中所示，制备了10kg的蚀刻剂，包含：10wt％的过硫酸钠、0.5wt％的氟氢化铵、3wt％的硝酸、1.5wt％的5-氨基四唑、1.5wt％的氯化钠、0.2wt％的硫酸铜、3wt％的乙酸和余量的水。
[表3]
                                             (wt％)
※SPS：过硫酸钠
※ABF：氟氢化铵
※ATZ：5-氨基四唑
※AcOH：乙酸
※A-1：二亚乙基三胺五乙酸
※A-2：％，N-乙酰-L-半胱氨酸
※A-3：L-甲硫氨酸
<测试例1-沉淀物的产生>
就沉淀物的产生对实施例1至3和比较例1的蚀刻剂进行了评价。
将3000ppm的Cu粉末添加至所制备的蚀刻剂中，并搅拌约30分钟，以使Cu粉末完全溶解。随后，当在-9℃以下将所得到的溶液贮存在聚乙烯瓶中时，实时观察沉淀物的产生。结果示于下面的表4中。
[表4]
从表4中明显看出，实施例1至3的蚀刻剂没有产生任何溶解性差的沉淀物，但比较例1的蚀刻剂产生了溶解性差的沉淀物，并且所产生的沉淀物的量随时间而增加。
<测试例2-蚀刻特性>
就蚀刻特性对实施例1至3和比较例1的蚀刻剂进行评价。
将SiNx层沉积在玻璃上，钛膜形成在SiNx层上，并且铜膜形成在钛膜上。进一步地，使用光刻胶使预定图案形成在铜膜上，并用金刚石刀将得到的基板切割成550mm×650mm，由此制造测试样品。
将实施例1至3和比较例1的各个蚀刻剂置于喷雾蚀刻机中并温热至25℃。此后，当加工温度达到30±0.1℃时，执行蚀刻工艺。如此，在总蚀刻时间的方面上，基于EPD以200％进行过度蚀刻。对置于喷雾蚀刻机中的每个测试样品喷洒蚀刻剂。在蚀刻完成后，将测试样品从蚀刻机中取出，用去离子水进行洗涤，并使用热风干燥机进行干燥，在此之后，使用光刻胶剥离剂从中除去光刻胶。在洗涤和干燥后，使用扫描电子显微镜评价蚀刻特性。结果示于下面的表5中。
[表5]
评价
实施例1 良好
实施例2 良好
实施例3 良好
从表5中明显看出，实施例1至3的蚀刻剂展示出良好的蚀刻特性。
虽然本发明的优选实施方式已被公开用于说明的目的，但本领域技术人员将理解不脱离所附权利要求中公开的本发明的范围和精神的各种修改、添加和替换都是可能的。例如，虽然这些实施方式公开了液晶显示装置，但是本发明可以应用至各种种类的包括TFT的显示装置。

Claims (14)

1.一种蚀刻剂，包含：
0.5wt％～20wt％的过硫酸盐；
0.01wt％～2wt％的氟化合物；
1wt％～10wt％的无机酸；
0.5wt％～5wt％的含氮原子的杂环化合物；
0.1wt％～5wt％的氯化合物；
0.05wt％～3wt％的铜盐；
0.1wt％～10wt％的有机酸或有机酸盐；
0.1wt％～5wt％的供电子化合物；以及
余量的溶剂。
2.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述过硫酸盐包括选自过硫酸钾、过硫酸钠和过硫酸铵中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述氟化合物包括选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟氢化铵、氟氢化钠和氟氢化钾中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述无机酸包括选自硝酸、硫酸、磷酸和高氯酸中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述含氮原子的杂环化合物包括选自5-氨基四唑、3-氨基-1,2,4-***、4-氨基-4H-1,2,4-***、苯并***、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷和吡咯啉中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述氯化合物包括选自盐酸、氯化钠、氯化钾和氯化铵中的至少一种。
7.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述铜盐包括选自硝酸铜、硫酸铜和磷酸铜铵中的至少一种。
8.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述有机酸或有机酸盐包括选自如下化合物中的至少一种：
乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸、乙二胺四乙酸；以及
乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基邻苯二甲酸、水杨酸、磺基水杨酸、苯甲酸、甘油酸、琥珀酸、苹果酸、酒石酸、异柠檬酸、丙烯酸、亚氨基二乙酸和乙二胺四乙酸的钾盐、钠盐和铵盐。
9.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述供电子化合物包括选自如下化合物中的至少一种：
L-异亮氨酸、草酸、己二酸、棕榈酸、乳酸、马来酸、二亚乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸、L-丝氨酸、L-甲硫氨酸，以及
L-异亮氨酸、草酸、己二酸、棕榈酸、乳酸、马来酸、二亚乙基三胺五乙酸、N-乙酰-L-半胱氨酸、L-丝氨酸和L-甲硫氨酸的钾盐、钠盐和铵盐。
10.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述溶剂包括去离子水。
11.根据权利要求1所述的蚀刻剂，其中，所述蚀刻剂不含过氧化氢。
12.一种制造显示装置的方法，包括：
在绝缘基板上形成栅金属层，所述栅金属层包括下部栅金属层和上部栅金属层；
使用权利要求1至11中任意一项所述的蚀刻剂来蚀刻所述栅金属层，从而形成包括栅电极的栅线；
在所述栅线上形成栅绝缘膜；
在所述栅绝缘膜上按序形成第一非晶硅层、第二非晶硅层、下部数据金属层，和上部数据金属层；
蚀刻所述第一非晶硅层、所述第二非晶硅层、所述下部数据金属层，和所述上部数据金属层，从而形成半导体层、欧姆接触层、包括源电极的数据线，和漏电极；
在所述数据线、所述漏电极和所述栅绝缘膜上形成钝化层；以及
在所述钝化层上形成像素电极以与所述漏电极连接。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述下部栅金属层和所述下部数据金属层由钛或含钛金属形成，并且
所述上部栅金属层和所述上部数据金属层由铜或含铜金属形成。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，使用所述蚀刻剂同时蚀刻所述上部金属层和所述下部金属层。
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