TW201539011A - 可操作以辨認偽反射及補償由偽反射所造成之錯誤的光電模組 - Google Patents
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Abstract
光電模組可操作以在指示來自一所關注物件之反射之信號與指示一偽反射之信號之間加以區分。各種模組可操作以辨認偽反射,且在一些情況中亦補償由偽反射所造成之錯誤。
Description
此申請案主張下列美國臨時專利申請案之優先權之權益:於2014年3月14日申請之第61/953,089號;於2014年4月18日申請之第61/981,235號;於2014年5月1日申請之第61/987,045號;於2014年5月22日申請之第61/001,858號;及於2014年6月3日申請之第62/006,989號。前述申請案之內容以引用之方式併入本文中。
本發明係關於提供光學信號偵測之模組。
一些手持式計算裝置(諸如智慧型電話)可提供各種不同之光學功能,諸如一維(1D)或三維(3D)手勢偵測、3D成像、飛行時間或鄰近度偵測、環境光感測、及/或面向前之二維(2D)相機成像。
飛行時間(TOF)感測器(舉例而言)可用於偵測至一物件之距離。一般言之,TOF系統係基於所發射之強度經調變光(由一場景反射)之相位量測技術。反射光經成像至一感測器上,且光產生之電子在感測器中解調變。基於相位資訊,藉由與感測器相關聯之處理電路判定針對各像素之至場景中之一點之距離。
另外,基於TOF之系統可經由一脈衝量測技術提供深度及/或距
離資訊。脈衝量測技術採用如上文之一發射器及感測器;然而,藉由結算發射光反射回至感測器上之時間判定距離。
然而,在一些情況中,主機裝置之透射窗(例如,蓋玻璃)上之一斑點(例如,一指印或污物)可產生偽信號,偽信號可損及距離計算之準確性。舉例而言,由蓋玻璃及/或斑點反射之光可入射於感測器上。此光通常將具有不同於由所關注物件反射之光之相移之一相移。不同相移可導致至物件之距離之一不準確判定。
本發明闡述可操作以在指示來自一所關注物件之反射之信號與指示一偽反射之信號之間加以區分之光電模組。特定言之,如下文闡述,各種模組可操作以辨認偽反射,且在一些情況中亦補償由偽反射所造成之錯誤。
舉例而言,在一項態樣中,一光電模組包含:一光發射器,其產生待自該模組發射之光;空間分佈式光敏元件,其等經配置以偵測由該模組外側之一物件反射之來自該發射器之光;及一或多個專用偽反射偵測像素。在一些實施方案中,光電模組進一步包含可操作以使用來自該一或多個專用偽反射偵測像素之一信號來校正一偽反射之電路。舉例而言,在一些情況中,該電路可使用來自該一或多個專用偽反射偵測像素之一信號自由該等空間分佈式光敏元件偵測之一光分量析出由存在於一透射蓋上之一斑點反射之一光分量。
在一些例項中,該等模組包含一反射器以將由一斑點、一透射蓋或其他組件反射之一偽光引導至該等專用偽反射偵測像素。同樣在一些情況中,該模組包含一光導以將來自一主機裝置(該模組經安置於其內)之一透射蓋之光引導至該等專用偽反射偵測像素。
根據另一態樣,一光電模組包含一光發射腔室及一光偵測腔室。一第一被動式光學元件經安置於該光發射腔室上方,且一第二被
動式光學元件經安置於該光偵測腔室上方。在該光發射腔室中之一光發射器可操作以向該第一被動式光學元件發射光。該光偵測腔室中之解調變像素經配置以偵測由該模組外側之一物件反射之來自該發射器之光。此外,一或多個偽反射偵測像素亦在該光偵測腔室中。一或多個吸光區經提供於該第二被動式光學元件中或其上,且對以由該光發射器發射之一波長之光係實質上非透通的。
在一些實施方案中,該等吸光區界定自一主機裝置之一透射蓋之一表面上之一預定區域至該一或多個偽反射偵測像素之一窄直路徑。在一些例項中,該等吸光區經配置以阻止自該透射蓋之一或多個預定區域反射之發射器光到達該等解調變像素。此外,在一些實施方案中,該第二被動式光學元件中或其上可存在一或多個光重新定向元件,其等經配置以將照射於該第二被動式光學元件上之至少一些光朝向該等偽反射偵測像素且遠離該等解調變像素重新定向。在一些情況中,該第一被動式光學元件中或其上可存在一或多個光重新定向元件,其等經配置以將照射於該第一被動式光學元件上之至少一些發射器光朝向一預定區域重新定向。
在另一態樣中,一光電模組包含可操作以將光發射出該模組之一光發射器及經配置以偵測由該模組外側之一物件反射回至該模組中之發射器光之解調變像素。該模組進一步包含一或多個經組合之偽反射偵測參考像素,以及用以基於來自該一或多個經組合之偽反射偵測參考像素之信號校正偽反射且補償熱漂移之處理電路。舉例而言,在一些實施方案中,該處理電路經組態以至少部分基於來自該一或多個經組合之偽反射偵測參考像素之信號校正偽反射,且亦經組態以至少部分基於來自該一或多個經組合之偽反射偵測參考像素之該等信號中之相移補償熱漂移。
另一態樣闡述一種操作包括解調變像素之一光電模組之方法。
該方法包含:按一第一調變頻率自該模組向該模組外側之一物件發射光;在該等調變像素中偵測按該第一調變頻率自該物件反射之光;按一第二調變頻率自該模組向該模組外側之該物件發射光;且在該等解調變像素中偵測按該第二調變頻率自該物件反射之光。該方法進一步包含識別由該等解調變像素偵測之該等信號中之一分量,其中由來自一蓋玻璃上之一斑點之一反射(或來自該蓋玻璃、來自一濾光器或來自該光電模組或其中安置該光電模組之主機裝置中之另一光學或非光學元件之一反射)造成該分量。該方法包含減去該分量以便判定由於由該物件反射之光引起之一相移及振幅。
自下列實施方式、附圖及申請專利範圍將容易明瞭其他態樣、特徵及優點。
100‧‧‧光電模組/模組
102‧‧‧光發射通道/光發射腔室/通道/發射器腔室/發射腔室
104‧‧‧光偵測腔室/光偵測通道/通道/偵測通道/偵測腔室
106‧‧‧光發射器/發射器
108‧‧‧飛行時間感測器/感測器
110‧‧‧印刷電路板
114‧‧‧間隔件
115‧‧‧內壁
116‧‧‧光學部件
120A‧‧‧各別被動式光學元件/發射器通道透鏡/透鏡/被動式光學元件
120B‧‧‧各別被動式光學元件/光偵測通道透鏡/透鏡/偵測通道被動式光學元件/被動式光學元件/光學元件
124‧‧‧主動解調變偵測像素/解調變偵測像素/主動像素
126‧‧‧專用「偽反射偵測」像素/偽反射偵測像素/偽反射像素/像素
126A‧‧‧像素
128‧‧‧參考像素/專用參考像素
130‧‧‧斑點
132‧‧‧透射蓋/蓋/蓋玻璃
132A‧‧‧相對內表面/感測器側表面/表面
132B‧‧‧相對內表面/外表面/表面
133‧‧‧特定區
134‧‧‧光
135‧‧‧物件
136‧‧‧發射器光
140‧‧‧反射器
142‧‧‧內部反射/光/反射光/發射器光
144‧‧‧光
146‧‧‧光導
160‧‧‧斑點偵測區域/預指定斑點偵測區域
162‧‧‧物件側表面
164‧‧‧吸光區
166‧‧‧相對窄直路徑
170‧‧‧光
172‧‧‧光
174‧‧‧光學發射路徑/發射器光
176‧‧‧光學偵測路徑/路徑
178‧‧‧透明基板
180‧‧‧吸光區
182‧‧‧光之一些部分
190‧‧‧光重新定向元件/被動式光學元件
192‧‧‧光
194‧‧‧光
196‧‧‧光重新定向元件/光引導元件
198‧‧‧光
200‧‧‧方塊/光電模組/模組
202‧‧‧方塊/光電模組
204‧‧‧方塊/光電模組
206‧‧‧模組
300‧‧‧相量圖
302‧‧‧波分量/相量
304‧‧‧波分量/相量
306‧‧‧波分量/相量
308‧‧‧波分量/相量
310‧‧‧波分量/相量
d‧‧‧橫向距離
圖1圖解說明一TOF感測器模組之一實例。
圖2係展示補償偽反射之一方法之一流程圖。
圖3係一TOF感測器模組之另一實例。
圖4係一TOF感測器模組之又一實例。
圖5圖解說明一TOF感測器模組之一進一步實例。
圖6圖解說明一TOF感測器模組之一實例。
圖7圖解說明一TOF感測器模組之另一實例。
圖8圖解說明一TOF感測器模組之一進一步實例。
圖9圖解說明一TOF感測器模組之又一實例。
圖10圖解說明一TOF感測器模組之一進一步實例。
圖11係基於使用兩個不同調變頻率之TOF量測之一相量圖之一實例。
圖1圖解說明包含一光發射通道102及一光偵測通道104之一光電
模組100之一實例。一光發射器106(即,一照明源)及一TOF感測器108經安裝於一印刷電路板(PCB)110之一第一側上,印刷電路板形成模組外殼之底部側。光發射器106可操作以產生相對於發射軸具有最小發散度(例如,在10度至20度之範圍中)之同調、指向性、光譜界定之光發射。光發射器106之實例係一雷射二極體或一垂直腔表面發光雷射(VCSEL)。
一間隔件114附接至PCB 110之第一側且將PCB 110與一光學部件116分離。間隔件114可由一材料(例如,環氧樹脂)構成,且具有一厚度使得其對可由TOF感測器108偵測之光之波長係實質上非透通的。間隔件114之一內壁115提供模組之兩個腔室(即,光發射腔室(通道)102與光偵測腔室(通道)104)之間的光學隔離。
光學部件116包含各通道102、104之一各別被動式光學元件(例如,一透鏡)120A、120B。來自發射器106之光經引導出模組100,且若由一物件向模組之偵測通道104往回反射,則該光可由TOF感測器108感測。
TOF感測器108包含空間分佈式光敏元件(例如,像素)之一陣列,以及用以讀取且處理像素信號之邏輯及其他電子器件。像素可在(舉例而言)一單一整合式半導體晶片(例如,一CCD或CMOS感測器)中實施。發射器106及TOF感測器108可(舉例而言)藉由導電墊或打線電連接至PCB 110。繼而,PCB 110可經電連接至一主機裝置(例如,一智慧型電話)內之其他組件。TOF感測器108可操作以基於已知光速藉由針對一物件之各點量測感測器與對象之間的一光信號之飛行時間而解析距離。TOF感測器108中之電路可使用來自像素之信號計算(舉例而言)光自發射器行進至一所關注物件且返回至焦平面陣列已花之時間。
TOF感測器108可經實施為(舉例而言)一整合式感測器晶片。如
在圖1中展示,TOF感測器108包含主動解調變偵測像素124、一或多個專用「偽反射偵測」像素126及一或多個參考像素128。儘管解調變偵測像素124之數量及配置可取決於實施方案而變化,但在一些實施方案中,解調變偵測像素係在一3x3陣列中。在一些情況中,偽反射偵測像素可稱為斑點偵測像素。各偽反射偵測像素126可經實施為(舉例而言)一CCD像素或一光電二極體。解調變偵測像素124提供用於判定模組外側之一物件之鄰近度之主要信號。解調變偵測像素124較佳地在光偵測通道透鏡120B下方居中。發射器106之中心光學發射軸較佳地與發射器通道透鏡120A對準。由(若干)偽反射偵測像素126感測之信號可用來校正諸如來自一主機裝置(例如,一智慧型電話或其他手持式計算裝置)之透射蓋(例如,一蓋玻璃)132上之一斑點(即,一模糊或污點標記,諸如一指印或污物)130之偽反射。在一些實施方案中,由(若干)偽反射偵測像素126感測之信號可用來校正由其他直接反射(諸如來自蓋玻璃、來自一濾光器或來自光電模組或主機裝置中之其他光學/非光學組件)引起之偽反射。若未執行此等校正,則TOF感測器可產生一偽輸出信號,其可損及所收集之鄰近度資料之準確性。來自發射器106之一小量光可(例如)由透鏡120A朝向(若干)參考像素128往回反射。來自(若干)參考像素128之信號可用於補償熱漂移及/或提供一零距離量測。
感測器之處理電路可經實施為(舉例而言)具有適當數位邏輯及/或其他硬體組件(例如,讀出暫存器;放大器;類比轉數位轉換器;時脈驅動器;時序邏輯;信號處理電路;及/或一微處理器)之一或多個半導體晶片中之一或多個積體電路。處理電路可駐留於與感測器108相同之半導體晶片中或駐留於一或多個其他半導體晶片中。
在圖1之實例中,間隔件114之一內壁115提供模組之兩個腔室(即,光發射通道102與光偵測通道104)之間的光學隔離。(若干)參考
像素128位於發射器腔室102中,而解調變偵測像素124及(若干)專用偽反射偵測像素126位於偵測腔室104中。內壁115防止(舉例而言)由透鏡120A反射回至發射腔室102中之發射器光照射於解調變偵測像素124上。
在此處闡述之一些實例中,假定可由主機裝置之蓋玻璃上之一斑點造成偽反射。然而,下文闡述之模組及技術亦可應用於由其他直接反射(諸如,來自蓋玻璃、來自一濾光器或來自光電模組或主機裝置中之其他光學/非光學組件)引起之偽反射。
較佳地,(若干)偽反射偵測像素126應相對於解調變偵測像素124定位,使得在主機裝置之蓋132上無一斑點的情況下,偽反射偵測像素126至多感測僅表示由模組100外側之一場景中之一物件反射之光之一相對低光學強度之一信號。相比而言,當主機裝置之蓋132之表面上存在一斑點130時,斑點可將由外部物件反射之一些光朝向(若干)偽反射偵測像素126重新定向,使得其等感測一明顯更高之光學強度。舉例而言,偽反射偵測像素126可經定位於感測器108上而與解調變偵測像素124相距一足夠之橫向距離(d),使得在主機裝置之蓋132上無斑點的情況下,偽反射偵測像素126至多僅感測由模組100外側之一場景中之一物件反射之光之一相對低光學強度。另一方面,主機裝置之蓋132之表面上之一斑點130可使由外部物件反射之一些光朝向偽反射偵測像素126重新定向,使得其感測一明顯更高之光學強度。
感測器之處理電路可使用由偽反射偵測像素126感測之光學強度來判定蓋玻璃132上是否存在一斑點且判定由主動像素124收集之多少光(即,振幅及相位)係歸因於斑點而非所關注物件。舉例而言,如由圖2圖解說明,各TOF圖框期間,感測器之控制電路可起始由偽反射偵測像素126感測之光之一強度(DC)量測(方塊200)。接著,至少部分基於偽反射偵測像素之輸出,感測器之處理電路可判定蓋玻璃132上
是否存在一斑點(方塊202)。特定言之,在一些實施方案中,與約零之一TOF感測器輸出(即,蓋玻璃位準)組合之由偽反射偵測像素126感測之一高強度指示蓋玻璃132之表面上存在一物件。另一方面,與大於零之一TOF量測組合之由偽反射偵測像素126感測之一高強度指示存在一斑點。此外,由偽反射偵測像素126感測之強度與斑點向量之量值成比例。由於斑點向量之相位對感測器之處理電路係可用的,故處理電路可使用向量減法來補償由斑點造成之距離錯誤(方塊204)。舉例而言,可由偽反射像素126量測由斑點130反射之光之強度。假定感測器之處理電路已知至斑點130之路徑長度,亦可判定相位(例如,作為一校準程序之部分)。若已知偽反射偵測像素126上之光之量值,則感測器之處理電路可推斷入射於主動像素124上之光分量之量值(其係自斑點130之反射之一結果)。光分量之相位(其係自斑點130之反射之一結果)可從自主動像素124獲得之經量測信號析出。
在一些實施方案中,如由圖3指示,光電模組包含一反射器140以將由一斑點130反射之光朝向(若干)偽反射偵測像素126引導。反射器140可經定位於(舉例而言)恰在主機裝置之透射蓋132下方之偽反射偵測像素126之附近。反射器140之存在可藉由控制以其偵測反射光之特定反射角度增強由偽反射偵測像素126之感測。因此,在無一斑點130的情況下,來自發射器106之光134可到達模組外側之一物件135,且可由物件135反射以用於由解調變偵測像素124感測。一斑點130之存在可使一些發射器光136反射回至模組中。反射器140可將該反射光之一些反射光朝向偽反射偵測像素126重新定向。感測器之處理電路可使用由偽反射偵測像素126感測之強度中之改變(即,增大)來判定透射蓋132上存在一斑點130及/或補償由斑點造成之一距離錯誤。
在一些情況中,如在圖4中展示,由透射蓋132上之一斑點130反射之發射器光導致離開蓋之相對內表面132A、132B之多個內部反射
142。此等光142可(舉例而言)由透射蓋132內之內部反射而反射。然而,一些反射光142將通過(舉例而言)蓋132之感測器側表面132A。此光144可由耦合於表面132A與像素126之間的一光導146引導至(若干)偽反射偵測像素126。因此,在無一斑點130的情況下,來自發射器106之光134可到達模組外側之一物件135且可由物件135反射以用於由解調變偵測像素124感測。一斑點130之存在可使一些發射器光136、142反射回至模組中。光導146可將此光144導引至偽反射偵測像素126。感測器之處理電路可使用由偽反射偵測像素126感測之強度中之改變(即,增大)來判定透射蓋132上存在一斑點130及/或補償由斑點造成之一距離錯誤。
圖5圖解說明一光電模組之另一實施方案,其可促進(舉例而言)主機裝置之蓋玻璃132上之一斑點130之增強偵測。在此實例中,在蓋玻璃132之物件側(即,外)表面162上界定一斑點偵測區域160。預指定斑點偵測區域160在於(舉例而言)靠近光發射器106(例如,一VCSEL)之照明場(FOI)之邊緣,且在TOF之解調變偵測像素124之視域(FOV)外側。如在圖5中進一步圖解說明,在偵測通道被動式光學元件120B之材料中或其上提供一或多個吸光區164以便僅留下自蓋玻璃132之斑點偵測區域160至(若干)偽反射偵測像素126之一相對窄直路徑166。吸光區域對以由光發射器發射之一波長之光係實質上非透通的(即,不透的)。儘管圖5之實例展示兩個此等吸光區164,但其他實施方案可僅包含一單一吸光區,而一些實施方案可在偵測通道被動式光學元件120B之材料中具有兩個以上吸光區。若光發射器106發射(舉例而言)紅外線(IR)範圍中之光,則各吸光區164可(舉例而言)藉由雷射黑化被動式光學元件120B之指定區或藉由將一黑鉻薄塗層沈積於被動式光學元件120B之指定區上而形成為一IR吸收區。
圖6圖解說明一光電模組200,其可有助於阻擋由主機裝置之蓋
玻璃132上之一斑點130反射之至少一些光170或由蓋玻璃自身反射之光172,且防止反射光照射於解調變偵測像素124上。模組200包含與光學發射路徑174交叉之一被動式光學元件(例如,一透鏡)120A,及與光學偵測路徑176交叉之一被動式光學元件120B(例如,一透鏡)。在所圖解說明之實例中,兩個被動式光學元件120A、120B皆安置於一透明基板178之表面上。在其他實施方案中,被動式光學元件120A、120B可係一光學部件之部分,如(舉例而言)在圖1中展示。
如在圖6中進一步圖解說明,偵測通道之被動式光學元件120B包含吸收以由發射器106發射之(若干)波長之光之一或多個吸光區180。在一些例項中,各吸光區180(舉例而言)藉由雷射黑化被動式光學元件120B之指定區或藉由將一黑鉻薄塗層沈積於被動式光學元件120B之指定區域上而形成為一IR吸收區。吸光區180可經定位於被動式光學元件120B上以便與另將照射於解調變偵測像素124上之由斑點反射之光170及/或由蓋玻璃132反射之光172交叉且有效阻擋該等光。另一方面,被動式光學元件120B可將由斑點130反射之光之一些部分182朝向偽反射偵測像素126引導。同樣地,由在模組200外側之一場景中之一物件135反射之光可沿通過被動式光學元件120B且照射於解調變偵測像素124上之路徑(例如,路徑176)而反射。
圖7圖解說明包含一或多個光重新定向元件190之一光電模組202,光重新定向元件190可將照射於偵測通道之被動式光學元件120B上之一些光192、194朝向偽反射偵測像素126且遠離感測器108(即,遠離解調變偵測像素124)重新定向。特定言之,如在圖7中展示,偵測通道之光學元件120B之表面可具有一或多個光重新定向元件190(諸如折射或繞射透鏡),該等元件將光192、194朝向偽反射偵測像素126重新定向。在一些實施方案中,光重新定向元件190經整合於光學元件120B內。光重新定向元件190可經定位於被動式光學元件
120B上以便與另將照射於解調變偵測像素124上之由斑點反射之光192及/或由蓋玻璃132反射之光194交叉。另一方面,由在模組200外側之一場景中之一物件135反射之光可沿通過被動式光學元件120B且照射於感測器之解調變偵測像素124上之路徑(例如,路徑176)而反射。
圖8圖解說明另一光電模組204,其中發射器通道之被動式光學元件120A具有一或多個光重新定向元件196,該等元件可將一些發射器光174朝向蓋玻璃132之外表面132B上之一特定區133重新定向。各光重新定向元件196可係(舉例而言)一被動式光學元件,諸如一折射或繞射元件。在一些實施方案中,光重新定向元件190經整合於光學元件120B內。若蓋玻璃132之表面132B上存在一斑點130,則在蓋玻璃表面之特定區133處由斑點130反射之光198通過被動式光學元件120B,被動式光學元件120B將光198朝向偽反射偵測像素126引導。較佳地,(若干)偽反射偵測像素126位於與感測器108相距一足夠大之橫向距離,使得入射於(若干)偽反射偵測像素126上之光僅(或至少主要)基於由斑點130反射之光而非由物件135反射之光。偵測通道之被動式光學元件120B應經設計以按適當角度引導來自斑點130之光198,使得光198照射於(若干)偽反射偵測像素126上。
在一些例項中,前述實例中闡述之特徵中之一或多者可經組合於一單一模組中。圖9圖解說明一模組206之一個此實例,其中發射器通道光學元件120A包含如結合圖8所闡述之一光引導元件196,且偵測通道光學元件120B包含如結合圖7所闡述之一吸光區180。模組包含在本發明中闡述之各種特徵之其他組合,其等可經提供以改良模組用以在指示來自一所關注物件之反射之信號與指示一偽反射之信號之間加以區分之能力。
如上文闡述,模組可包含與解調變偵測像素124分離之一或多個
專用偽反射偵測像素126。亦如闡述,模組亦可包含可用來補償熱漂移及/或提供一零距離量測(見,例如,圖1)之一或多個專用參考像素128。然而,在一些實施方案中,模組可包含充當經組合之參考及偽反射偵測像素之像素。在圖10中圖解說明一實例,其包含一或多個像素126A,該等像素126A之輸出可由感測器之處理電路使用來校正偽反射(諸如來自一斑點)且亦補償熱漂移及/或提供一零距離量測。舉例而言,來自像素126A之信號可用來在模組之校準期間判定振幅及相位兩者。在後續操作期間,像素126A之所偵測信號之振幅中之改變可指示斑點之存在,且可用來校正由斑點造成之偽反射。同樣地,像素126A之所偵測信號中之相移可用來補償熱漂移。
在一些實施方案中,替代專用斑點像素(或除其等外),自解調變偵測像素124獲得之信號可用來判定由自蓋玻璃132之表面上之一斑點130之反射造成之波分量(即,振幅、相位)。為此,可(舉例而言)由按兩個不同調變頻率之重複量測而估計由斑點反射造成之波分量。假定模組之處理電路已知斑點130與發射器106之間的距離(例如,基於先前儲存於記憶體中之一值及/或模組之校準),則可由處理電路判定由斑點130之存在引起之額外波分量。任何此額外波分量將係由解調變偵測像素124按兩個調變頻率偵測之信號所共有的。可透過已知向量操縱技術消除(即,減去)由斑點130造成之額外波分量,且可計算由於由模組外側之所關注物件反射之光引起之波分量。接著,所得相移可用來計算至物件135之距離。
圖11係圖解說明各種光分量之一相量圖300之一實例,其中如上文闡述使用兩個不同調變頻率。在圖11中,302係由自斑點之反射造成之波分量(即,表示振幅、相位之向量),304係由自物件按低調變頻率反射之光造成之波分量,306係表示由物件及由斑點兩者按低調變頻率反射之光之總和之波分量,308係由自物件按高調變頻率反射
之光造成之波分量,且310係表示由物件及由斑點兩者按高調變頻率反射之光之總和之波分量。在圖11中之波分量(即,相量)302、304、306、308及310旋轉對應於按各別調變頻率量測之斑點之已知距離之一相位。在相量圖300中,兩個相量306、310(分別表示按低解調變頻率及高解調變頻率之所接收光信號)位於其中心對應於斑點分量之振幅之一圓周上。因此,向量操縱可用來消除由斑點造成之波分量。
在一些實施方案中,增大所施加調變頻率之間的差可係有利的。此外,在一些情況中,較低頻率可由兩個DC量測(即,分別為打開及關閉照明)替換。
如先前闡述,前述模組及技術可應用於由由於來自蓋玻璃、來自一濾光器或來自光電模組或主機裝置中之其他光學/非光學組件之反射引起之偽反射造成之錯誤之校正。
此處闡述之模組可有利地整合至其中空間係極為珍貴之裝置(諸如智慧型電話、平板電腦及其他主機裝置)中。
可對前述實例做出各種修改。此外,在一些例項中,來自不同實例之特徵可經整合於相同模組中。其他實施方案係在申請專利範圍之範疇內。
100‧‧‧光電模組/模組
102‧‧‧光發射通道/光發射腔室/通道/發射器腔室/發射腔室
104‧‧‧光偵測腔室/光偵測通道/通道/偵測通道/偵測腔室
106‧‧‧光發射器/發射器
108‧‧‧飛行時間感測器/感測器
110‧‧‧印刷電路板
114‧‧‧間隔件
115‧‧‧內壁
116‧‧‧光學部件
120A‧‧‧各別被動式光學元件/發射器通道透鏡/透鏡/被動式光學元件
120B‧‧‧各別被動式光學元件/光偵測通道透鏡/透鏡/偵測通道被動式光學元件/被動式光學元件/光學元件
124‧‧‧主動解調變偵測像素/解調變偵測像素/主動像素
126‧‧‧專用「偽反射偵測」像素/偽反射偵測像素/偽反射像素/像素
128‧‧‧參考像素/專用參考像素
130‧‧‧斑點/反射器
132‧‧‧透射蓋/蓋/蓋玻璃
d‧‧‧橫向距離
Claims (30)
- 一種光電模組,其包括:一光發射器,其產生待自該模組發射之光;複數個空間分佈式光敏元件,其等經配置以偵測由該模組外側之一物件反射之來自該發射器之光;及一或多個專用偽反射偵測像素。
- 如請求項1之光電模組,其中該光反射器經安置於該模組之一第一腔室中,且該等空間分佈式光敏元件及一或多個專用偽反射偵測像素經安置於該模組之一第二腔室中。
- 如請求項1之光電模組,其包含可操作以使用來自該一或多個專用偽反射偵測像素之一信號來校正一偽反射之電路。
- 如請求項3之光電模組,其包含可操作以使用來自該一或多個專用偽反射偵測像素之一信號來自由該等空間分佈式光敏元件偵測之一光分量析出由存在於一透射蓋上之一斑點反射之一光分量之電路。
- 如請求項1之光電模組,其包含可操作以使用來自該一或多個專用偽反射偵測像素之輸出信號來判定其中安置該模組之一主機裝置之一玻璃蓋上是否存在一斑點之電路。
- 如請求項1至5中任一項之光電模組,其中該等空間分佈式光敏元件係解調變像素,該模組進一步包含可操作以至少部分基於來自該等解調變像素之信號判定至該模組外側之一物件之一距離之處理電路。
- 如請求項1之光電模組,其進一步包含一反射器,該反射器將由一斑點、一透射蓋或其他組件反射之一偽光引導至該一或多個專用偽反射偵測像素。
- 如請求項7之光電模組,其中該模組經安置於包含一透射蓋之一主機裝置內,且其中該反射器經如此安置以將由該透射蓋上之一斑點反射之光引導至該一或多個專用偽反射偵測像素。
- 如請求項1之光電模組,其進一步包含一光導,該光導將來自該模組經安置於其內之一主機裝置之一透射蓋之光引導至該一或多個專用偽反射偵測像素。
- 如請求項9之光電模組,其中該光導經安置以接收由該透射蓋之一表面上之一斑點反射及在該透射蓋內內部反射之光,且將該經接收之光導引至該一或多個專用偽反射偵測像素。
- 一種光電模組,其包括:一光發射腔室及一光偵測腔室;一第一被動式光學元件,其經安置於該光發射腔室上方,及一第二被動式光學元件,其經安置於該光偵測腔室上方;一光發射器,其在該光發射腔室中,可操作以朝向該第一被動式光學元件發射光;複數個解調變像素,其等在該光偵測腔室中,經配置以偵測由該模組外側之一物件反射之來自該發射器之光;一或多個偽反射偵測像素,其等在該光偵測腔室中;及一或多個吸光區,其等在該第二被動式光學元件中或在其上以用於界定自一主機裝置之一透射蓋之一表面上之一預定區域至該一或多個偽反射偵測像素之一窄直路徑,其中該一或多個吸光區對以由該光發射器發射之一波長之光係實質上非透通的。
- 如請求項11之光電模組,其包含在該第二被動式光學元件中或其上之複數個該等吸光區。
- 如請求項12之光電模組,其中該等吸光區中之一第一者係在面 向該等解調變像素之該第二被動式光學元件之一表面上,且該等吸光區中之一第二者係在背對該等解調變像素之該第二被動式光學元件之一表面上。
- 如請求項11之光電模組,其中該光發射器可操作以發射紅外線光,且其中該一或多個吸光區對該紅外線光係實質上非透通的。
- 如請求項11之光電模組,其中該一或多個吸光區中之各者包括一黑鉻塗層。
- 如請求項11之光電模組,其中該一或多個吸光區中之各者係該第二被動式光學元件之一經雷射黑化區。
- 一種光電模組,其包括:一光發射腔室及一光偵測腔室;一第一被動式光學元件,其經安置於該光發射腔室上方,及一第二被動式光學元件,其經安置於該光偵測腔室上方;一光發射器,其在該光發射腔室中,可操作以朝向該第一被動式光學元件發射光;複數個解調變像素,其等在該光偵測腔室中,經配置以偵測由該模組外側之一物件反射之來自該發射器之光;一或多個偽反射偵測像素,其等在該光偵測腔室中;及一或多個吸光區,其等在該第二被動式光學元件中或在其上,經配置以阻擋自一主機裝置之一透射蓋之一或多個預定區域反射之發射器光到達該等解調變像素。
- 如請求項17之光電模組,其中該一或多個吸光區經安置以便允許由該模組外側之一物件朝向該模組往回反射之發射器光通過該第二被動式光學元件而至該等解調變像素。
- 如請求項17之光電模組,其中該一或多個吸光區中之各者包括 一黑鉻塗層。
- 如請求項17之光電模組,其中該一或多個吸光區中之各者係該第二被動式光學元件之一經雷射黑化區。
- 一種光電模組,其包括:一光發射腔室及一光偵測腔室;一第一被動式光學元件,其經安置於該光發射腔室上方,及一第二被動式光學元件,其經安置於該光偵測腔室上方;一光發射器,其在該光發射腔室中,可操作以朝向該第一被動式光學元件發射光;複數個解調變像素,其等在該光偵測腔室中,經配置以偵測由該模組外側之一物件反射回至該模組中之發射器光;一或多個偽反射偵測像素,其等在該光偵測腔室中;及一或多個光重新定向元件,其等在該第二被動式光學元件中或在其上,經配置以將照射於該第二被動式光學元件上之至少一些光朝向該一或多個偽反射偵測像素且遠離該等解調變像素重新定向。
- 如請求項21之光電模組,其中該等光重新定向元件中之各者係一繞射或折射元件。
- 一種光電模組,其包括:一光發射腔室及一光偵測腔室;一第一被動式光學元件,其經安置於該光發射腔室上方,及一第二被動式光學元件,其經安置於該光偵測腔室上方;一光發射器,其在該光發射腔室中,可操作以朝向該第一被動式光學元件發射光;複數個解調變像素,其等在該光偵測腔室中,經配置以偵測由該模組外側之一物件反射回至該模組中之發射器光; 一或多個偽反射偵測像素,其等在該光偵測腔室中;及一或多個光重新定向元件,其等在該第一被動式光學元件中或在其上,經配置以將照射於該第一被動式光學元件上之至少一些發射器光朝向一預定區域重新定向。
- 如請求項23之光電模組,其中該等光重新定向元件中之各者經配置以將至少一些該發射器光朝向其中安置該模組之一主機裝置之一透射蓋之一特定各別區重新定向。
- 如請求項23之光電模組,其中該等光重新定向元件中之各者係一折射或繞射元件。
- 一種光電模組,其包括:一光發射器,其可操作以將光發射出該模組;複數個解調變像素,其等經配置以偵測由該模組外側之一物件反射回至該模組中之發射器光;一或多個經組合之偽反射偵測參考像素;及處理電路,其基於來自該一或多個經組合之偽反射偵測參考像素之信號校正偽反射且補償熱漂移。
- 如請求項26之光電模組,其中該處理電路經組態以:至少部分基於來自該一或多個經組合之偽反射偵測參考像素之信號校正偽反射;及至少部分基於來自該一或多個經組合之偽反射偵測參考像素之該等信號中之相移補償熱漂移。
- 一種操作包括解調變像素之一光電模組之方法,該方法包括:按一第一調變頻率自該模組朝向該模組外側之一物件發射光;在該等解調變像素中偵測按該第一調變頻率自該物件反射之光; 按一第二調變頻率自該模組朝向該模組外側之該物件發射光;在該等解調變像素中偵測按該第二調變頻率自該物件反射之光;識別由該等解調變像素偵測之該等信號中之一分量,其中由來自一蓋玻璃上之一斑點之一反射或來自該蓋玻璃、來自一濾光器或來自該光電模組或其中安置該光電模組之主機裝置中之另一光學或非光學元件之一反射造成該分量;及減去該分量以便判定由於由該物件反射之光引起之一相移及振幅。
- 如請求項28之方法,其包含使用向量操縱來減去由來自該斑點之該反射或由來自該蓋玻璃、來自該濾光器或來自該光電模組或其中安置該光電模組之主機裝置中之另一光學或非光學元件之該反射造成之該相移。
- 如請求項28之方法,其進一步包含至少部分基於由於由該物件反射之光引起之該相移判定至該物件之一距離。
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