TW201537426A - 觸控螢幕面板 - Google Patents

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Abstract

所揭內容是一種觸控螢幕面板，包含：一觸控感測電極；以及一畫素部分，設於該觸控感測電極的底部，其中該觸控感測電極包含：感測圖型，其包含形成於一第一方向中之第一圖型與形成於一第二方向中之第二圖型；橋接電極，其係電氣連接該第二圖型的分離單元圖型；及至少一個輔助圖型，其係設於該第一圖型與該第二圖型中至少其中一者的頂部或底部，該畫素部分包含複數個單元畫素，以及該輔助圖型分別滿足方程式1，藉此係因觸控螢幕面板的電阻顯著降低而具有絕佳的觸控靈敏度。

Description

觸控螢幕面板
本發明是關於一種觸控螢幕面板，其因顯著降低之觸控感測電極電阻而具有增進的觸控靈敏度。
通常，觸控螢幕是一種配備有特殊輸入裝置的螢幕，以接收因使用者的手指或觸控筆觸碰螢幕而產生之位置輸入。這類觸控螢幕並不使用鍵盤，但具有多層層積體之配置，其中，當使用者的手指或物體（例如觸碰筆或觸控筆）觸碰到螢幕上顯示的一特定字元或位置時，觸控螢幕即識別出該位置，並直接自螢幕接收資料，以由其中所儲存的軟體實際處理一特定位置處的資訊。
為了在不降低螢幕上顯示之影像的可視性下辨識出觸碰位置，需要使用透明的感測電極，其中感測圖型一般是形成為一預定圖型。
透明感測電極係由第一感測圖型與第二圖型所形成。第一與第二圖型是配置於彼此不同的方向中，以提供觸碰點的X與Y座標之資訊。具體而言，當使用者的手指或物體觸碰到一透明基板時，與接觸位置有關的電容變化即被偵測並經由第一與第二圖型以及一金屬走線（其係一位置偵測線路）而被傳送到一驅動電路。然後，電容變化即由X與Y輸入處理電路而轉換為一電氣訊號，以識別出該接觸位置。
目前，在電容式觸控螢幕面板中，係使用銦錫氧化物（ITO）、傳導性聚合物等作為透明觸控感測電極。然而，在以ITO、傳導性聚合物等製成的電極中，會發生高片狀電阻的問題。
此外，當使用橋接電極時，會存在觸控螢幕面板的透光率降低的問題。
舉例而言，韓國專利公開號第2013-0078065號揭露了一種觸控面板，其包含設於一透明基板的兩側上之第一與第二電極圖型、以及設於該透明基板上的一影像形成裝置。
因此，本發明的目的之一在於，提供一種觸控螢幕面板，其係因顯著降低之觸控感測電極電阻而具有增進的觸控靈敏度。
此外，本發明的另一目的在於，提供一種具有降低之透光率減少量的觸控螢幕面板。
本發明的上述目的將藉由下列特徵而實現：
（1）一種觸控螢幕面板，包含：一觸控感測電極；以及一畫素部分，設於該觸控感測電極的底部，其中該觸控感測電極包含：感測圖型，其包含形成於一第一方向中之第一圖型與形成於一第二方向中之第二圖型；橋接電極，其係電氣連接該第二圖型的分離單元圖型；及至少一個輔助圖型，其係設於該第一圖型與該第二圖型中至少其中一者的頂部或底部，該畫素部分包含複數個單元畫素，以及該輔助圖型分別滿足下列方程式1： [方程式1] 0.06 ≤ (P2/P1)* (P3/A) ≤ 0.135 （其中，P1表示該輔助圖型的線寬，其介於0.01至40mm的範圍內，P2表示該輔助圖型的厚度，其介於0.005至20mm的範圍內，P3表示該輔助圖型在該單元畫素的一上方區域中之長度，其介於5至500mm的範圍內，且A表示該單元畫素的長度）。
（2）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P1為1至30mm。
（3）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P2為0.05至1.5mm。
（4）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P3為5至400mm。
（5）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中A為20至500mm。
（6）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P1為1至10mm。
（7）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P2為0.1至1.5mm。
（8）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P3為10至300mm。
（9）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中A為20至400mm。
（10）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P1為1至10mm，P2為0.1至1.5mm，P3為10至300mm，且A為20至400mm。
（11）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中P3具有與A相同的數值、或比A大的數值。
（12）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中該第一圖型設有形成於該第一方向中的一第一輔助圖型，且該第二圖型設有形成於該第二方向中之一第二輔助圖型。
（13）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中該第一與第二輔助圖型是由與該橋接電極相同材料所形成。
（14）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中該第一圖型與該第二圖型的該單元圖型具有介於50至500 Ω/□之一片狀電阻。
（15）如上述（12）所述之觸控螢幕面板，其中該第二輔助圖型是連接至該橋接電極。
（16）如上述（12）所述之觸控螢幕面板，其中該第二輔助圖型與該橋接電極是分隔開的。
（17）如上述（12）所述之觸控螢幕面板，其中該第一與第二輔助圖型分別包含一或多個分隔開的附加輔助圖型。
（18）如上述（12）所述之觸控螢幕面板，其中該第一輔助圖型在該第一圖型的該單元圖型的頂部或底部上是分隔開為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型其中兩個係設置以偏向該橋接電極。
（19）如上述（12）所述之觸控螢幕面板，其中該第二輔助圖型在該第二圖型的該單元圖型的頂部或底部上是分隔開為兩個或更多個單元圖型，且其中兩個分隔開的單元圖型係設置以偏向該橋接電極。
（20）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中該橋接電極具有之一線寬為1至30mm。
（21）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中該橋接電極具有之一厚度為0.05至1.5mm。
（22）如上述（1）所述之觸控螢幕面板，其中該橋接電極是由自下列選出的至少其中一種金屬所製成：鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫及鈦、或其合金。
（23）一種影像顯示裝置，其包含如上述（1）至（22）中任一所述之觸控螢幕面板。
本發明之觸控螢幕面板具有因顯著降低之觸控螢幕面板電阻而導致的絕佳觸控靈敏度，以及增進的透光率。
本發明揭示了一種觸控螢幕面板，其包含：一觸控感測電極；以及一畫素部分，設於該觸控感測電極的底部，其中該觸控感測電極包含：感測圖型，其包含形成於一第一方向中之第一圖型與形成於一第二方向中之第二圖型；橋接電極，其係電氣連接該第二圖型的分離單元圖型；及至少一個輔助圖型，其係設於該第一圖型與該第二圖型中至少其中一者的頂部或底部，該畫素部分包含複數個單元畫素，以及該輔助圖型分別滿足方程式1，藉此具有因觸控螢幕面板的電阻顯著降低所致之絕佳觸控靈敏度，以及增進的透光率。
在下文中，將參照如附圖式來詳細說明本發明的例示具體實施例。 ＜畫素部分＞
本發明的觸控螢幕面板包含在相關領域中常使用的畫素部分90。
畫素部分90是可實施紅、綠與藍色的部分，且畫素部分90的配置與位置並不受特別限制，其係包含相關領域中常用的配置，且是形成在相關領域中常形成的位置處。具體而言，畫素部分90係位於以觀看者側為基礎之觸控感測電極的底部上（亦即基於觸控感測電極而與觀看者側相對的一側）。
如第10圖所述，畫素部分90包括複數個單元畫素80。在本文中，單元畫素80包含R、G與B色之子畫素。
單元畫素80的長度A是指單元畫素80在橫向於R、G與B色之子畫素的方向中的長度，如第11圖所示。
單元畫素80的長度並不受特別限制，只要其滿足下述方程式1的範圍即可，且可為例如20至500mm。較佳為，單元畫素80具有介於20至400mm之間的長度，但不受限於此，且可根據所使用的影像形成裝置而加以變化。 ＜觸控感測電極＞ 感測圖型
感測圖型包含形成於一第一方向中的第一圖型10以及形成於一第二方向中的第二圖型20。
在本文中，第一圖型10與第二圖型20是設置在彼此不同的方向中。舉例而言，第一圖型10係設置在X方向（其係第一方向）中，且第二圖型20係設置在Y方向（其為與第一方向正交之第二方向）中，但不限於此。
第一與第二圖型10與20提供了一觸碰點之X與Y座標之資訊。具體而言，當使用者的手指或物品觸碰一覆蓋窗基板時，與一接觸位置有關的電容變化即被偵測並經由第一與第二圖型10與20以及一位置偵測線路傳送至一驅動電路。然後，由X與Y輸入處理電路（未示）將電容變化轉換為一電氣訊號，以識別出接觸位置。
在此方面，第一與第二圖型10與20必須形成在基板的同一層中，而個別的圖型必須電氣連接於彼此以偵測出觸碰位置。然而，第一圖型10係經由連接部分而連接於彼此，而第二圖型20則以島狀形式彼此分隔開，因此需要額外的橋接電極30來使第二圖型20電氣連接於彼此。橋接電極30將於下文中說明。
感測圖型的厚度並不受特定限制，但可分別介於例如10至200nm的範圍。若感測圖型的厚度小於10nm，則電阻會增加而使觸控靈敏度衰減，而若該值超過200nm，則會提高反射率而使可視性變差。
相關領域中所使用的任何傳統材料都可適用於感測圖型，其不具有特定限制。舉例而言，銦錫氧化物（ITO）、銦鋅氧化物（IZO）、氧化鋅（ZnO）、銦鋅錫氧化物（IZTO）、鎘錫氧化物（CTO）、聚(3,4-乙烯二氧基噻吩)（PEDOT）、碳奈米管（CNT）、石墨烯、金屬細線等。其可單獨使用，或是以其兩個或更多個組合使用，且銦錫氧化物（ITO）可被使用。用於金屬細線中的金屬並不特別受限制，但可包含例如銀（Ag）、金、鋁、銅、鐵、鎳、鈦、碲、鉻等，其皆可單獨使用、或以其兩個或更多個組合使用。
感測圖型的單元圖型可具有50至500 Ω/□之片電阻。當片電阻低於50 Ω/□時，解析度會因低透光率而降低，而當該數值超過500 Ω/□時，觸控靈敏度會降低。
控制片電阻的方法係使用相關領域中已知的任何方法，其無特殊限制。舉例而言，可藉由改變感測圖型的材料、以另一材料與其混合、增加感測圖型的厚度等之方法來控制片電阻。 橋接電極
橋接電極30電氣連接了第二圖型20的分隔開的單元圖型。
在本文中，橋接電極30必須與感測圖型的第一圖型10電氣隔離。為此，需要形成額外的絕緣體，其將於下文中說明。
橋接電極30係形成於第二圖型20的頂部或底部上。
根據本發明之橋接電極30係由金屬材料所形成，且較佳是與金屬走線及位置偵測線路相同的材料。在此例中，由於橋接電極30是在形成金屬走線與位置偵測線路期間同時形成，因此可進一步簡化製程。
金屬材料並不特別受限，只要它具有絕佳的導電性、低電阻即可，但可包含例如鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫或鈦等，其可單獨使用、或以其兩個或更多個組合使用。
橋接電極30的線寬並不特別受限制，其可為例如1至30mm，且較佳為1至20mm，但不受限於此。若橋接電極30的線寬小於1mm，則電阻會過度增加，且若該數值超過30mm，則感測圖型則可為外部所見。
橋接電極30的厚度並不特別受限，其可為例如0.05至1.5mm，且較佳為0.1至1mm，但不受限於此。若橋接電極30的厚度小於0.05mm，則觸控靈敏度會因電阻未充分降低而降低；而若該數值超過1.5mm，則在後續製程中會發生厚度不均勻的問題。
此外，橋接電極30具有以兩種或更多種金屬層積而成之形狀。橋接電極30係由上述金屬材料中的兩種或更多種金屬所形成，其形成為一種多層結構（例如兩層或三層等）。舉例而言，橋接電極30係形成為一種鉬/鋁/鉬之三層結構，但並不受限於此。 輔助圖型
根據本發明之觸控感測電極具有至少一個輔助圖型，其係設於第一圖型與第二圖型中至少其一的頂部或底部上。
在本發明的一個具體實施例中，設於第一圖型的頂部或底部上之輔助圖型係稱為第一輔助圖型40，而設於第二圖型的頂部或底部上之輔助圖型則稱為第二輔助圖型50。
如上所述，當觸控感測電極的電阻增加時，觸控螢幕面板的觸控靈敏性就會降低。為了解決這個問題，係藉由形成輔助圖型來降低電阻，但當輔助圖型具有過大的尺寸時，透光率就會降低。
在本發明中，第一與第二輔助圖型40、50係滿足下列方程式1，因此可藉由顯著降低感測圖型的電阻、且無大幅降低透光率而解決上述問題。 [方程式1] 0.06 ≤ (P2/P1)* (P3/A) ≤ 0.135 （其中，P1表示輔助圖型的線寬，其介於0.01至40mm的範圍內，P2表示輔助圖型的厚度，其介於0.005至20mm的範圍內，P3表示輔助圖型在單元畫素的上方區域中之長度，其介於5至500mm的範圍內，而A表示單元畫素的長度）。
第10圖說明了觸控感測圖型（第一圖型10）、第一輔助圖型40、以及單元畫素80之間的示意配置關係，且第11圖說明了單位畫素的線寬P1與長度A之定義。
在本發明中，有兩個或更多個輔助圖型形成在一個單位畫素80的區域上。在此例中，P3是由將每一個輔助圖型的長度相加而得。
若方程式1中(P2/P1)* (P3/A)的數值Y值（在下文中，在本揭露中，(P2/P1)* (P3/A)即稱為Y值）小於0.06，則感測圖型的電阻即顯著增加，而若該數值超過0.135，則透光度會降低。如上文所述，當輔助圖型滿足方程式1時，即可顯著提昇觸控靈敏度，且透光率不會大幅降低。
第一與第二輔助圖型40和50的線寬P1為1至30mm，且較佳為1至10mm。若輔助圖型的線寬小於1mm，電阻會過度增加，而若該數值超過30mm，感測圖型即為從外部可見。
第一與第二輔助圖型40及50的厚度P2為0.05至1.50mm，且較佳為0.1至1.5mm。若輔助圖型的厚度小於0.05mm，觸控靈敏度會因電阻未充分降低而降低，而若該數值超過1.5mm，則在後續製程中會發生厚度不均勻的問題。
第一與第二輔助圖型40與50的長度P3為5至400mm，且較佳為10至300mm。若輔助圖型的長度小於5mm，則電阻降低的效果會不顯著，而若該數值超過400mm，則會降低透光率。
在本發明的一個具體實施例中，當有兩個或更多個輔助圖型形成在單元畫素80的上方區域中且設有複數個單元畫素80時，在每一個單元畫素80的輔助圖型之間的間隔是相同的，且當有三個或更多個輔助圖型形成於單元畫素80的上方區域中時，輔助圖型之間的間隔是彼此相同的。
在本發明的一個具體實施例中，第一與第二輔助圖型40和50的線寬P1為1至10mm，第一與第二輔助圖型40和50的厚度P2為0.1至1.5mm，第一與第二輔助圖型40和50的長度P3為10至300mm，而單元畫素80的長度A為20至400mm，且在上述範圍內，輔助圖型具有絕佳的透光率與顯著降低的電阻。
在本發明的另一具體實施例中，第一與第二輔助圖型40和50的長度P3可與單元畫素80的長度相同或比較大。在此例中，輔助圖型會具有絕佳的透光率與顯著降低的電阻。
第一與第二輔助圖型40和50的方向不受特別限制，舉例而言，第一輔助圖型40與第二輔助圖型50係分別形成於第一方向中與第二方向中。第一圖型10係於第一方向中彼此連接以傳送一感測訊號，而第二圖型20係藉由橋接電極30而彼此連接以傳送感測訊號。因此，當第一與第二輔助圖型40和50是形成於個別方向中時，降低電阻及提昇觸控靈敏度的效果可達最大化。
較佳的是，在降低電阻與提昇觸控靈敏度方面，第一輔助圖型40係形成以通過第一圖型10的單元圖型的質量中心，且第二輔助圖型50係形成為使得其延長線通過單元橋接電極的質量中心。
第1圖是觸控感測電極的平面圖，其中根據本發明一具體實施例之第一與第二輔助圖型40和50係形成在感測圖型的頂部上，且第2圖與第3圖為根據本發明一具體實施例之觸控感測電極的垂直截面圖。如第1圖至第3圖所示，第一與第二輔助圖型40及50係形成於感測圖型的頂部上。或者是，如第2圖所示，橋接電極30與第二輔助圖型50是彼此分隔開的，及如第3圖所示，其是彼此連接的。
當第一與第二輔助圖型40和50形成在感測圖型上時，第一輔助圖型40係形成為與橋接電極30分隔開，且可選擇性地形成在與橋接電極30交錯的第一圖型10的單元圖型之間的連接部分上。
此外，第4圖是觸控感測電極的平面圖，其中第一與第二輔助圖型40和50是形成在感測圖型的底部上，且第5圖與第6圖為分別根據本發明之另一具體實施例的觸控感測電極的垂直截面圖。如第4圖至第6圖所示，第一與第二輔助圖型40和50是形成在感測圖型的底部上。或者是，如第5圖所示，橋接電極30與第二輔助圖型50係彼此分隔開，及如第6圖所示是連接於彼此的。
此外，第一輔助圖型40係於第一圖型10的單元圖型的頂部或底部上分為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型其中兩個係設置為偏向橋接電極30。
同樣地，第二輔助圖型50係於第二圖型20的單元圖型的頂部或底部上分為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型其中兩個係設置為偏向橋接電極30。
第一圖型10與第二圖型20藉由橋接電極30而彼此交錯通過絕緣體，其中橋接電極30係使第二圖型20於第二方向中電氣連接。由於在交錯處感測圖型的電阻會增加，因此當以上述結構來形成感測圖型時，可使降低電阻的效果達最大化。
第7圖為根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極的平面圖，其中第一與第二輔助圖型40和50是形成在第一圖型10與第二圖型20的底部上。第7圖說明了一種例示結構，其中第一輔助圖型40係於第一圖型10的單元圖型的底部上分為兩個單元圖型，而分隔開的單元圖型係設為偏向橋接電極30。
此外，第一與第二輔助圖型40和50係各分別進一步包含彼此分隔開的至少一個附加輔助圖型70。附加輔助圖型70是指不同於第一輔助圖型40的第一方向中所形成之圖型的圖型，以及不同於第二輔助圖型50的第二方向中所形成之圖型的圖型。
第8圖與第9圖說明除了在第一方向中形成有第一輔助圖型40的圖型以外、還進一步包含形成於第二方向中之附加輔助圖型70的例子。如上所述，輔助圖型進一步包含附加輔助圖型70，而第8圖與第9圖是說明進一步包含形成於第二方向中之附加輔助圖型70的例子，但這僅為例示，且其方向不受特別限定。
附加輔助圖型70係以各種形狀與方向而形成。
關於形狀，附加輔助圖型可形成為各種形狀，包含多邊形，如圓形、橢圓形、三角形、正方形、五邊形等，其無特別限制。
此外，除了形成有橋接電極30的部分以外，第一輔助圖型40係形成於第一方向中，以不接觸於橋接電極30，而第二輔助圖型50係藉由與橋接電極30連接而形成。
第一與第二輔助圖型40和50係由例示作為橋接電極30的材料之金屬所形成，且較佳為，係由與橋接電極30相同的材料所形成。在此例中，由於第一與第二輔助圖型40和50是在形成橋接電極30期間同時形成，因此可顯著提昇製程效率。 絕緣體
絕緣體60是形成在第一圖型10與橋接電極30之間，以避免第一圖型10與橋接電極30之間的電氣連接。
絕緣體60係局部形成於第一圖型10與橋接電極30之間，且特別是，僅以圖型形狀形成在第一圖型10的單元圖型的連接部分上。
相關領域中習知的任何傳統絕緣材料都可使用作為絕緣體60，其無特殊限制。舉例而言，絕緣體60係利用金屬氧化物（如矽氧化物）、含有聚丙酸樹脂之透明感光性樹脂組成物、或熱固性樹脂組成物而形成為一所需圖型。 基板
本發明的觸控感測電極係形成於基板1上。
基板1係由相關領域中習知的任何材料製備而成，其無任何特定限制。舉例而言，可使用玻璃、聚醚碸（PES）、聚丙烯酸酯（PAR）、聚醚醯亞胺（PEI）、聚萘二甲酸（PEN）、聚對苯二甲酸乙二酯（PET）、聚苯硫醚（PPS）、聚芳酯、聚醯亞胺、聚碳酸酯（PC）、三乙酸纖維素（TAC）乙酸丙酸纖維素（CAP）等。
基板1是配置作為一覆蓋窗基板的其中一面，其形成觸控螢幕面板或顯示面板的一最外表面。 ＜觸控感測電極的製作方法＞
此外，本發明提供了一種觸控感測電極的製作方法。
在下文中，將說明根據本發明一具體實施例之觸控感測電極的製作方法。
首先，形成感測圖型，其包含藉由於連接部分處連接而形成之單元圖型，並且形成第二圖型，其中單元圖型是基於連接部分而於第二方向中分隔開地形成。
第一圖型10與第二圖型20係設於彼此不同的方向中。舉例而言，第一圖型10係設於X方向（其即第一方向）中，且第二圖型20係設於Y方向（即與第一方向正交之第二方向）中，但不限於此。
第一圖型10與第二圖型20是形成於同一層中，且第一圖型10的單元圖型係經由連接部分而彼此連接，而第二圖型20是以島狀形式彼此分隔開。
感測圖型可藉由各種薄膜沉積技術而形成，例如物理氣相沉積（PVD）方法、化學氣相沉積（CVD）方法等。舉例而言，感測圖型是藉由反應性濺鍍方法（其為PVD方法的例子）而形成。
此外，感測圖型可由印刷製程形成。為了印出感測圖型，可於印刷製程中使用各種印刷方法，例如凹版轉印、反向平版印刷、噴墨印刷、網版印刷、凹版印刷等。特別是，當感測圖型是由印刷製程所形成時，其係由可印刷之糊體材料所製成。作為一個實例，感測圖型可由碳奈米管（CNT）、傳導性聚合物、以及銀奈米線路油墨製成。
除了上述方法以外，感測圖型也可由微影技術形成。
感測圖型可藉由在上述材料與厚度範圍內適當地選擇而形成。
接著，絕緣體60係形成在第一圖型10的單元圖型的連接部分上。
絕緣體60作用是使第一圖型10與橋接電極30電氣隔離，如下文所述。
絕緣體60係由上述範圍內的材料所形成。
其次，於絕緣體60上形成橋接電極30，以電氣連接第二圖型20的單元圖型。
橋接電極30係於上述線寬、厚度與材料範圍中所形成。
接著，於第一圖型10上形成第一輔助圖型40，並於第二圖型20上形成第二輔助圖型50。
第一與第二輔助圖型40與50的方向並不受特別限制，且舉例而言，第一輔助圖型40與第二輔助圖型50係分別形成於第一方向與第二方向中。
第一圖型10係於第一方向中彼此連接，以傳送一感測訊號，且第二圖型20係藉由橋接電極30而彼此連接，以傳送該感測訊號。因此，就降低電阻及提昇觸控靈敏度的方面而言，較佳的是，第一與第二輔助圖型40和50是分別形成於第一與第二方向中，且更佳的是，第一輔助圖型40是形成為通過第一圖型10的單元圖型的質量中心，而第二輔助圖型50是形成為使得其延長線通過單元橋接電極的質量中心。
第一與第二輔助圖型40與50係在上述線寬、厚度、長度與材料範圍內所形成，且係由與橋接電極30相同的材料所製成。在此例中，可藉由在一個製程內使用相同設備來形成橋接電極30與第一輔助圖型40，而不需要分別使用個別的設備與製程來將其形成，因此可顯著提昇製程效率。
此外，第一輔助圖型40係於第一圖型10的單元圖型的頂部或底部上分隔開為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型其中兩個係設置為偏向橋接電極30。
同樣地，第二輔助圖型50係於第二圖型20的單元圖型的頂部或底部上分隔開為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型其中兩個是設置為偏向橋接電極30。
第一圖型10與第二圖型20藉由橋接電極30而彼此交錯通過一絕緣體，該絕緣體係於第二方向中電氣連接第二圖型20。由於感測圖型的電阻在交錯處會增加，因此若以上述方式形成感測圖型，可使降低電阻的效果達到最大化。
第二輔助圖型50係藉由與橋接電極30分隔開而形成，且可形成在相同線路上以連接於彼此。
形成橋接電極30、第一與第二輔助圖型40和50、及絕緣體60的方法並不特別受限制，且舉例而言，可藉由依上述製作感測圖型的方法所例示範圍內之方法來形成。
此外，將說明一種根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極的製作方法。
首先，形成橋接電極30。
橋接電極30作用是使第二圖型20的分隔開的單元圖型電氣連接，如下文所述。下文將說明之第二圖型20的單元圖型係藉由在單元橋接電極的兩側上部分重疊而彼此電氣連接。因此，上述間隔係等於第二圖型20的單元圖型的寬度和在其兩側上與單元橋接電極之重疊長度之間的差異。
橋接電極30係於上述線寬、厚度與材料範圍內形成。
然後，於第一方向中形成第一輔助圖型40，並於第二方向（其與橋接電極30為相同方向）中形成第二輔助圖型50。
第一圖型10與第二圖型20係設置於彼此不同的方向。舉例而言，第一圖型10係設置在X方向（其為第一方向）中，而第二圖型20係設置在Y方向（其為與第一方向正交之第二方向）中，但並不限於此。
下述之第一圖型10係形成於第一輔助圖型40上，而第二圖型20係形成於第二輔助圖型50上。在本文中，由於第一圖型10係連接於第一方向中以傳送感測訊號，而第二圖型20係藉由橋接電極30而連接於第二方向中以傳送感測訊號，故當第一與第二輔助圖型40和50是形成於個別方向中時，可使降低電阻與增進觸控靈敏度的效果達到最大化。
第一與第二輔助圖型40和50係於上述線寬、厚度、長度與材料之範圍內形成，且係以與橋接電極30相同之材料所形成。在此例中，可於一個製程中使用相同的設備來形成橋接電極30與第一輔助圖型40，而不需使用個別的設備與製程來將其分別形成，因此可顯著提昇製程效率。
除此之外，第一輔助圖型40是在相鄰的兩個橋接電極30之間分隔開為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型的其中兩個係設置為偏向橋接電極30。第7圖是根據本發明另一具體實施例而製成的觸控感測電極的平面圖。
同樣地，第二輔助圖型50是在相鄰的兩個橋接電極30之間分隔開為兩個或更多個單元圖型，且分隔開的單元圖型的其中兩個係設置為偏向橋接電極30。
第一圖型10與第二圖型20藉由橋接電極30而彼此交錯通過絕緣體，其中橋接電極30係使第二圖型20電氣連接於第二方向。由於在交錯處感測圖型的電阻會增加，因此當以上述結構形成感測圖型時，可使降低電阻的效果達到最大化。
接著，絕緣體60係形成於橋接電極30上。
絕緣體60的作用是使第一圖型10與橋接電極30電氣隔離，如下文所述。
其次，形成第一圖型以覆蓋第一方向中的第一輔助圖型，並形成第二圖型以覆蓋第二方向中的第二輔助圖型。
由於第一圖型10應與橋接電極30絕緣，因此其形成的方式為使單元圖型的連接部分通過絕緣體60的頂部。
形成橋接電極30、第一與第二輔助圖型40和50、以及絕緣體60的方法並不特別受限制，且舉例而言，可藉由依上述製作感測圖型的方法所例示範圍內之方法來形成。 ＜觸控螢幕面板與影像顯示裝置＞
除此之外，本發明提供了一種觸控螢幕面板與包含畫素部分的影像顯示裝置。
除了觸控感測電極與畫素部分以外，本發明的觸控螢幕面板係進一步包含相關領域中傳統上使用的一替代架構。
此外，本發明提供了一種包含該觸控螢幕面板的影像顯示裝置。
在下文中，將參照實例與比較實例來說明較佳具體實施例，以更具體理解本發明。然而，熟習該領域技術之人士可知曉，這些具體實施例係僅為例示目的而提出，其並不限制所欲保護的標的為詳細說明內容及如附申請專利範圍中所揭露者。因此，熟習該領域技術之人士顯然可知，具體實施例的各種調整與修飾例皆可能落於本發明的範疇與精神內，並且應合理地包含在如附申請專利範圍所定義的範圍內。 實例 製備組1至7
第一圖型與第二圖型係使用ITO（折射率：1.8，消光係數：0）而形成在一玻璃基板（折射率：1.51，消光係數：0）上。
絕緣體是利用丙烯酸樹脂絕緣材料（折射率：1.51，消光係數：0）形成在第一圖型的單元圖型的連接部分上，且橋接電極是利用鉬形成在絕緣體上，且具有線寬為8mm、及厚度為0.2mm。
然後，具有如下表1所示之線寬、厚度與長度之輔助圖型形成在第一與第二圖型上。
橋接電極與輔助圖型是在相同製程中同時形成。
輔助圖型係由鉬所製成，且觸控感測電極是製備為，使得第一圖型上的第一輔助圖型係形成以通過第一圖型的單元圖型的質量中心，而第二圖型上的第二輔助圖型係形成為使其延長線通過單元橋接電極的質量中心。
作為參考，折射率與消光係數是根據波長為550nm的光所決定。
觸控螢幕面板是藉由將製備之觸控感測電極接合於畫素部分（其具有如下表1所示之單元畫素長度）上而製得。 實驗性實例 （1）與Y值有關之單元電阻與透光率的測量
第12圖與第13圖說明了藉由替換方程式1中的P1、P2、P3與A值而計算出製備組的Y值，以及測量與Y值相關之單元電阻與透光率所得到的圖表。 1) 單元電阻的測量
利用電模擬器（Q3D, Ansys Co.）計算位於製備組的單元畫素中的感測電極的一端與另一端之間的線性電阻。
與Y值相關之單元電阻係說明於第12圖與第13圖中。 2) 透光率的測量
製備組的觸控感測電極的總透光率是利用霧度計（HM-150, Murakami Co.）進行測量，而透光率是相較於玻璃基板而加以計算。
與Y值相關之透光率係說明於第12圖與第13圖中。
參閱第12圖與第13圖，可知在所製得之製備組的觸控螢幕面板中，Y值係從0.06或更小處快速減少，且當Y值為0.06或更高時，單元電阻係顯著降低，因此可預期觸控靈敏度會顯著提昇，而當Y值在0.06至0.135的範圍內時，可得到絕佳的透光率（90%或更高）。當透光率為90%或更高時，顯示器亮度會是絕佳的，且在此方面是較佳的。
具體而言，參照第12圖，可知當Y值在0.06至0.135的範圍內時，在製備組1、2與3的序列中單元電阻是降低的，因此製備組3具有最小的單元電阻，同時，透光率在製備組1、2與3的序列中是降低的，因此製備組1具有最大的透光率。
具體而言，參照第13圖，當Y值是在0.06至0.135的範圍內時，在製備組4、5、6與7的序列中單元電阻是降低的，因此製備組7具有最小的單元電阻，同時，透光率在製備組4、5、6與7的序列中是降低的，因此製備組4具有最大的透光率。
然而，可知在本發明之範圍以外的製備組中，單元電阻是大的，且透光率並不絕佳。
1‧‧‧基板
10‧‧‧第一圖型
20‧‧‧第二圖型
30‧‧‧橋接電極
40‧‧‧第一輔助圖型
50‧‧‧第二輔助圖型
60‧‧‧絕緣體
70‧‧‧附加輔助圖型
80‧‧‧單元畫素
90‧‧‧畫素部分
從下列詳細說明，結合如附圖式，將可更清楚理解本發明的上述與其他目的、特徵和其他優點，其中： 第1圖為根據本發明一具體實施例之觸控感測電極的平面圖； 第2圖為沿著第1圖中線A-A’所示、根據本發明一具體實施例之觸控感測電極的垂直截面圖； 第3圖為根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極的垂直截面圖； 第4圖為根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極的平面圖； 第5圖為沿著第4圖中線A-A’所示、根據本發明一具體實施例之觸控感測電極的垂直截面圖； 第6圖為根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極的垂直截面圖； 第7圖為根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極的平面圖； 第8圖為一平面圖，其說明了形成於根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極中的一第一圖型的單元圖型； 第9圖為一平面圖，其說明了類似於第8圖、形成於根據本發明另一具體實施例之觸控感測電極中的第一圖型的單元圖型； 第10圖為一示意平面圖，其說明了形成於根據本發明另一具體實施例之一觸控螢幕面板中的一第一圖型、一第一輔助圖型、一附加輔助圖型以及一單元畫素； 第11圖為一示意平面圖，其說明了形成於根據本發明另一具體實施例之觸控螢幕面板中的輔助圖型的線寬與單元畫素的長度；以及 第12圖與第13圖為說明在每一個製備組中與Y值有關的電阻與透光率之圖表。
10‧‧‧第一圖型
20‧‧‧第二圖型
30‧‧‧橋接電極
40‧‧‧第一輔助圖型
50‧‧‧第二輔助圖型
60‧‧‧絕緣體

Claims (23)

  1. 一種觸控螢幕面板，包含：     一觸控感測電極；及     一畫素部分，設於該觸控感測電極的一底部，     其中該觸控感測電極包含：感測圖型，其包含形成於一第一方向中之第一圖型與形成於一第二方向中之第二圖型；     橋接電極，其係電氣連接該第二圖型的分離單元圖型；及     至少一個輔助圖型，其係設於該第一圖型與該第二圖型中至少其中一者的一頂部或一底部，     該畫素部分包含複數個單元畫素，以及     該輔助圖型分別滿足下列方程式1：     [方程式1]     0.06 ≤ (P2/P1)* (P3/A) ≤ 0.135    （其中，P1表示該輔助圖型的一線寬，其介於0.01至40mm的一範圍內，P2表示該輔助圖型的一厚度，其介於0.005至20mm的一範圍內，P3表示該輔助圖型在該單元畫素的一上方區域中之一長度，其介於5至500mm的一範圍內，且A表示該單元畫素的一長度）。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P1為1至30mm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P2為0.05至1.5mm。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P3為5至400mm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該A為20至500mm。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P1為1至10mm。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P2為0.1至1.5mm。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P3為10至300mm。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該A為20至400mm。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P1為1至10mm，P2為0.1至1.5mm，P3為10至300mm，且A為20至400mm。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該P3具有與A相同的數值、或比A大的數值。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該第一圖型設有形成於該第一方向中的一第一輔助圖型，且該第二圖型設有形成於該第二方向中之一第二輔助圖型。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該第一與第二輔助圖型是由與該橋接電極相同材料所形成。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該第一圖型與該第二圖型的該單元圖型具有介於50至500 Ω/□之一片電阻。
  15. 如申請專利範圍第12項所述之觸控螢幕面板，其中該第二輔助圖型是連接至該橋接電極。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之觸控螢幕面板，其中該第二輔助圖型與該橋接電極是分隔開的。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之觸控螢幕面板，其中該第一與第二輔助圖型分別包含一或多個分隔開的附加輔助圖型。
  18. 如申請專利範圍第12項所述之觸控螢幕面板，其中該第一輔助圖型在該第一圖型的該單元圖型的一頂部或一底部上是分隔開為兩個或更多個單元圖型，且該分隔開的單元圖型的其中兩個係設置以偏向該橋接電極。
  19. 如申請專利範圍第12項所述之觸控螢幕面板，其中該第二輔助圖型在該第二圖型的該單元圖型的一頂部或一底部上是分隔開為兩個或更多個單元圖型，且該分隔開的單元圖型的其中兩個係設置以偏向該橋接電極。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該橋接電極具有之一線寬為1至30mm。
  21. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該橋接電極具有之一厚度為0.05至1.5mm。
  22. 如申請專利範圍第1項所述之觸控螢幕面板，其中該橋接電極是由自下列選出的至少其中一種金屬所製成：鉬、銀、鋁、銅、鈀、金、鉑、鋅、錫及鈦、或其一合金。
  23. 一種影像顯示裝置，其包含如申請專利範圍第1項至第22項中任一項所述之觸控螢幕面板。
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