TWM471626U - 窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構 - Google Patents

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TWM471626U
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Description

窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構
本創作係關於一種具有觸控板的顯示螢幕之結構,尤指一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構。
現代消費性電子裝置多配備觸控板做為其輸入裝置之一。觸控板根據感測原理的不同可分為電阻式、電容式、音波式及光學式等多種形式。
觸控面板的技術原理是當手指或其他介質接觸到螢幕時,依據不同感應方式,偵測電壓、電流、聲波或紅外線等,以此測出觸摸點的座標位置。例如電阻式即為利用上、下電極之間的電位差,計算施壓點位置,以檢測出觸摸點所在。電容式觸控面板是利用排列之透明電極與人體之間的靜電結合所產生之電容變化,從所產生之電流或電壓來檢測其座標。
隨著智慧型手機的普及化,多點觸控的技術需求與日俱增。目前,多點觸控主要是透過投射電容式(Projected Capacitive)觸控技術來實現。
投射電容式技術主要是透過雙層氧化銦錫材質(Indium Tin Oxide,ITO)形成行列交錯感測單元矩陣,以偵測得到精確的觸控位置。投射電容式觸控技術的基本原理是以電容感應為主,利用設計多個蝕刻後的氧化銦錫材質電極,增加數組存在不同平面、同時又相互垂直的透明導線,形成類似X、Y軸驅動線。這些導線皆由控制器所控制,其係依序輪流掃瞄偵測電容值變化至控制器。
圖1係習知之有機發光二極體顯示觸控面板結構100的示意圖。習知之有機發光二極體顯示觸控面板結構100上的感應導體線110,120係依第一方向(Y)及第二方向(X)設置。當感應導體線120執行觸控感應時要將感測到的訊號傳輸至一軟性電路板130上的控制電路131時,需經由面板140的側邊走線150方能連接至該軟性電路板130。此種設計將增加觸控面板邊框的寬度,並不適合窄邊框設計的趨勢。因此,習知的有機發光二極體顯示觸控結構仍有改善的空間。
本創作之主要目的係在提供一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,不僅顯著增加透光度,同時可大幅節省材料成本及加工成本,且較習知技術更適合設計在窄邊框的內嵌顯示觸控面板。
依據本創作之一特色,本創作提出一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,包括有一上基 板、一下基板、一遮光層、一第一感應電極層、一第二感應電極層、一有機發光二極體層及一薄膜電晶體層。該上基板及該下基板以平行成對之配置將該有機發光二極體層夾置於二基板之間。該遮光層位於該上基板之面對該有機發光二極體層之一側的表面,該遮光層係由複數條遮光線條所構成。該第一感應電極層位於該遮光層之面對該有機發光二極體層之一側,並具有位於一第一方向(Y)設置的M條第一導體線及N條連接線,做為觸控使用,其中,M、N為正整數。該第二感應電極層位於該第一感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面上,並具有位於一第二方向(X)設置的N條第二導體線,做為觸控使用,每一第二導體線以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊,i為正整數且1≦i≦N。該薄膜電晶體層位於該下基板之面對該有機發光二極體層之一側的表面;其中,該M條第一導體線、該N條連接線、及該N條第二導體線的位置係相對應於該遮光層之該複數條遮光線條的位置而設置。
100‧‧‧有機發光二極體顯示觸控面板結構
110,120‧‧‧感應導體線
130‧‧‧軟性電路板
131‧‧‧控制電路
140‧‧‧面板
150‧‧‧走線
200‧‧‧窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構
210‧‧‧上基板
220‧‧‧下基板
230‧‧‧有機發光二極體層
240‧‧‧遮光層
250‧‧‧第一感應電極層
260‧‧‧第二感應電極層
270‧‧‧彩色濾光層
280‧‧‧第一絕緣層
290‧‧‧陰極層
300‧‧‧薄膜電晶體層
310‧‧‧陽極層
311‧‧‧陽極畫素電極
301‧‧‧畫素驅動電路
3011‧‧‧閘極
3013、3015‧‧‧汲極/源極
231‧‧‧電洞傳輸子層
233‧‧‧發光層
235‧‧‧電子傳輸子層
241‧‧‧遮光線條
243‧‧‧區域
320‧‧‧第二絕緣層
40-1,40-2,...,40-M‧‧‧第一導體線
41-1,41-2,...,41-N‧‧‧連接線
50-1,50-2,...,50-N‧‧‧第二導體線
52‧‧‧貫孔
201‧‧‧側邊
600‧‧‧軟性電路板
610‧‧‧控制電路
B‧‧‧橢圓
800‧‧‧窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構
810‧‧‧陰極層
820‧‧‧陽極層
830‧‧‧有機發光二極體層
831‧‧‧電洞傳輸子層
833‧‧‧發光層
835‧‧‧電子傳輸子層
811‧‧‧陰極畫素電極
圖1係習知之觸控面板結構的示意圖。
圖2係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構的立體示意圖。
圖3係一般習知遮光層的示意圖。
圖4係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構的示意圖。
圖5係係本創作圖4中A-A'處的剖面圖。
圖6係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構的另一示意圖。
圖7係本創作第一導體線的示意圖。
圖8係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構的另一立體示意圖。
本創作是關於一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構。圖2係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200的立體示意圖,如圖所示,該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200包括有一上基板210、一下基板220、一有機發光二極體層230、一遮光層(black matrix)240、一第一感應電極層250、一第二感應電極層260、一彩色濾光層(color filter)270、一第一絕緣層280、一陰極層290、一薄膜電晶體層300、一陽極層310、及一第二絕緣層320。
該上基板210及該下基板220較佳為玻璃基板,該上基板210及該下基板220以平行成對之配置將該有機發光二極體層230夾置於二基板210,220之間。
該遮光層(black matrix)240係位於該上基板210之面對有機發光二極體層230之一側的表面,該遮光層240 係由複數條遮光線條所構成。
圖3係一般習知之遮光層240的示意圖。如圖3所示,習知之遮光層240係由不透光的黑色絕緣材質之線條構成複數條遮光線條241,該等黑色絕緣材質之複數條遮光線條241係互相垂直分佈於該習知遮光層240,故該習知遮光層240被稱為黑矩陣(black matrix)。在該等黑色絕緣材質之線條之間的區域243則分佈有彩色濾光層(color filter)270。
本創作係在習知之遮光層240之面對該有機發光二極體層之一側設置第一感應電極層250及第二感應電極層260,並在其上佈植感應觸控圖型結構。
該第一感應電極層250位於該遮光層240之面對該有機發光二極體層之一側,並具有位於一第一方向(Y)設置的M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及N條連接線41-1,41-2,...,41-N,做為觸控使用,其中,M、N為正整數。其中,該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條連接線41-1,41-2,...,41-N係由金屬導電材料所製成。
該第二感應電極層260位於該第一感應電極層250之面對該有機發光二極體層230之一側的表面上,並具有位於一第二方向(X)設置的N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N,做為觸控使用,每一第二導體線50-1,50-2,...,50-N以一對應之第i條連接線41-1,41-2,...,41-N延伸至該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200之一側邊201,i為整數且1≦i≦N。其中,該第一方向係垂直第二方向。該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接 線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N的位置係依據與該遮光層240之該複數條遮光線條241的位置相對應而設置。
如圖4所示,該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N的每一導體線係由複數條金屬感應線所構成。該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N之間並未電氣連接。其可在該第一感應電極層250及該第二感應電極層260之間設置一第一絕緣層280。亦可僅在該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N交叉處設置絕緣墊。
該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N的每一導體線的該複數條金屬感應線形成一個四邊型區域,在每一個四邊型區域中的金屬感應線係電氣連接在一起,而任兩個四邊型區域之間並未連接。其中,該四邊型區域係為下列形狀其中之一:矩形、正方形。
該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接線係設置於兩條第一導體線40-1,40-2,...,40-M之間。
該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N的每一導體線的該複數條金屬感應線所形成的每一個四邊型區域中的金屬感應線係由導電之金屬材料或合金材料所製成。其中,該導電之金屬材料或合金材料係為下列其中之一:鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、 鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)、及其合金。
如圖4所示,該每一第二導體線50-1,50-2,...,50-N在虛線橢圓處與對應之連接線41-1,41-2,...,41-N電氣連接,而該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的每一條連接線亦分別以對應之金屬走線延伸至該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200之同一側邊201,以進一步連接至一軟性電路板600。每一第一導體線40-1,40-2,...,40-M係分別以對應之金屬走線延伸至該面板之同一側邊201,以進一步連接至一軟性電路板600。
該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200之表面係用以接收至少一個觸控點。其更包含有一控制電路610,其係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N。
該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N係根據一手指或一外部物件觸碰該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200的至少一觸控點之位置而對應地產生一感應訊號。一控制電路610係經由該軟性電路板600電性連接至該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N,並依據感應訊號計算該至少一個觸控點的座標。
圖5係係本創作圖4中A-A'處的剖面圖。如圖5所示,該第二導體線50-N與該連接線41-1在圖4中的B橢 圓處電氣連接。如圖2及圖5所示,在該第一感應電極層250及該第二感應電極層260之間設有該第一絕緣層280,該第二導體線50-N經由貫孔(via)52穿過該第一絕緣層280而與該連接線41-1電氣連接,亦即,經由該連接線41-1,該第二導體線50-N可將其感測到的訊號傳輸至該控制電路610。
圖6係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構200的另一示意圖。其與圖4主要差別在於該N條連接線41-1,41-2,...,41-N的長度並非一致,而是逐漸減小。
圖7係本創作第一導體線40-M的示意圖,如圖6所示,該四邊型區域係由在第一方向上的3條金屬感應線L2及在第二方向上的2條金屬感應線L1所構成之長方形。於其他實施例,該金屬感應線的數目可依需要而改變。
線段L1及線段L2的寬度較佳與遮光層240的遮光線條241寬度相同或稍小於遮光線條241寬度。該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N的位置係相對應於該遮光層240之該複數條遮光線條241的位置而設置。亦即,由該上基板210往該下基板220方向看過去,該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N係設置在該複數條遮光線條241的位置正下方,因此會被該複數條遮光線條241遮住,使用者則看不到該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體 線50-1,50-2,...,50-N,因此並不影響透光率。
該彩色濾光層270位於該遮光層240之面對該有機發光二極體層230之一側的表面上。
該第一絕緣層280位於該彩色濾光層(color filter)260的表面。
薄膜電晶體層(TFT)300位於該下基板220之面對有機發光二極體層230之一側的表面。該薄膜電晶體層300具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線,依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號,以驅動對應之畫素電晶體及畫素電容,進而執行顯示操作,其中,K、L為正整數。K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置係相對應於該遮光層240之該複數條遮光線條241的位置而設置。
該薄膜電晶體層300除具有複數條閘極驅動線及複數條源極驅動線外,更包含多數個畫素驅動電路301。該薄膜電晶體層300依據一顯示像素訊號及一顯示驅動訊號,用以驅動對應之畫素驅動電路301,進而執行顯示操作。
依畫素驅動電路301設計的不同,例如2T1C係由2薄膜電晶體與1儲存電容設計而成畫素驅動電路301,6T2C係由6薄膜電晶體與2儲存電容設計而成畫素驅動電路301。畫素驅動電路301中最少有一薄膜電晶體的閘極3011連接至一條閘極驅動線(圖未示),依驅動電路設計的不同,控制電路中最少有一薄膜電晶體的汲極/源極3013連接至一條源極驅動線(圖未示),畫素驅動電路301中最少有一薄膜電晶體的汲極/源極3015連接至該陽極層310中的 一個對應的陽極畫素電極311。
該陰極層290位於該上基板210之面向該有機發光二極體層230之一側。同時,該陰極層290位於該上基板210與該有機發光二極體層230之間。該陰極層290與該第二感應電極層260之間有一第二絕緣層320,該陰極層290係由金屬導電材料所形成。較佳地,該陰極層290係由厚度小於50奈米(nm)的金屬材料所形成,該金屬材料係選自下列群組其中之一:鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In),及其合金或使用氟化鋰(LiF)、氟化鎂(MgF2)、氧化鋰(LiO)與Al組合而成。由於該陰極層290的厚度小於50nm,因此該有機發光二極體層230所產生的光仍可穿透該陰極層290,而可於上基板210上顯示影像。該陰極層290係整片電氣連接著,因此可作為遮罩(shielding)之用。同時,該陰極層290亦接收由陽極畫素電極311來的電流。
該陽極層310位於該薄膜電晶體層300之面對該有機發光二極體層230之一側。該陽極層310具有複數個陽極畫素電極311。每一個陽極畫素電極311係與該薄膜電晶體層300的該畫素驅動電路301之一個畫素電晶體對應,亦即該複數個陽極畫素電極的每一個陽極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路301之該畫素電晶體之源極/汲極3015連接,以形成一特定顏色的畫素電極,例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極或本案中使用的白色畫素電極。
該有機發光二極體層230包含一電洞傳輸子層 (hole transporting layer,HTL)231、一發光層(emitting layer)233、及一電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)235。該有機發光二極體層230較佳產生白光,並使用該彩色濾光層(color filter)270過濾而產生紅、藍、綠三原色。
圖8係本創作之一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構800的另一立體示意圖。其與圖2的主要區別在於該陰極層810與該陽極層820的位置對調。該陰極層810具有複數個陰極畫素電極811。每一個陰極畫素電極811係與該薄膜電晶體層300的該畫素驅動電路301之一個畫素驅動電晶體對應,亦即該複數個陰極畫素電極的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路301之該畫素驅動電晶體之源極/汲極3015連接,以形成一特定顏色的畫素電極,例如紅色畫素電極、綠色畫素電極、或藍色畫素電極或本案中使用的白色畫素電極。
圖8的該陰極層810與該陽極層820的位置對調,同時為了配合該陰極層810與該陽極層820,該有機發光二極體層830的電洞傳輸子層(hole transporting layer,HTL)831與電子傳輸子層(electron transporting layer,HTL)835的位置亦對調。該陰極層810具有複數個陰極畫素電極811,該複數個陰極畫素電極811的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路之畫素驅動電晶體之源極/汲極連接。
習知氧化銦錫材質(ITO)所做的電極點其平均透光率僅約為90%,而本創作的該M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M、該N條連接線41-1,41-2,...,41-N、及該N條第二導體 線50-1,50-2,...,50-N係設置在該複數條遮光線條241的位置的下方,因此並不影響透光率,故本創作的平均透光率遠較習知技術為佳。當本創作的技術與有機發光二極體顯示面板結合時,可使有機發光二極體顯示面板的亮度較習知技術更亮。
由前述說明可知,圖1習知技術的設計將增加觸控面板邊框的寬度,並不適合窄邊框設計的趨勢。當本創作的窄邊框之觸控面板結構與有機發光二極體顯示面板結合時,可使有機發光二極體顯示面板的亮度較習知技術更亮。
而本創作不論是M條第一導體線40-1,40-2,...,40-M及N條第二導體線50-1,50-2,...,50-N或是走線均為金屬材質,較習知技術之透明導電材料有較佳的較高的傳導性,容易將導體線的感應訊號傳輸至該控制電路,使該控制電路計算出的座標更準確。本創作不但較習知技術有較佳的透光率,又可避免使用昂貴的氧化銦錫材質,據此降低成本,且較習知技術更適合設計在窄邊框的觸控面板。
上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已,本創作所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準,而非僅限於上述實施例。
200‧‧‧窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構
210‧‧‧上基板
220‧‧‧下基板
230‧‧‧有機發光二極體層
240‧‧‧遮光層
250‧‧‧第一感應電極層
260‧‧‧第二感應電極層
270‧‧‧彩色濾光層
280‧‧‧第一絕緣層
290‧‧‧陰極層
300‧‧‧薄膜電晶體層
310‧‧‧陽極層
311‧‧‧陽極畫素電極
301‧‧‧畫素驅動電路
3011‧‧‧閘極
3013、3015‧‧‧汲極/源極
231‧‧‧電洞傳輸子層
233‧‧‧發光層
235‧‧‧電子傳輸子層
320‧‧‧第二絕緣層

Claims (15)

  1. 一種窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,包括有:一上基板;一下基板,該上基板及該下基板以平行成對之配置將一有機發光二極體層夾置於二基板之間;一遮光層,位於該上基板之面對該有機發光二極體層之一側的表面,該遮光層係由複數條遮光線條所構成;一第一感應電極層,位於該遮光層之面對該有機發光二極體層之一側,並具有位於一第一方向(Y)設置的M條第一導體線及N條連接線,做為觸控使用,其中,M、N為正整數;一第二感應電極層,位於該第一感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面上,並具有位於一第二方向(X)設置的N條第二導體線,做為觸控使用,每一第二導體線以一對應之第i條連接線延伸至該窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構之一側邊,i為正整數且1≦i≦N;以及一薄膜電晶體層,位於該下基板之面對該有機發光二極體層之一側的表面;其中,該M條第一導體線、該N條連接線、及該N條第二導體線的位置係依據與該遮光層之該複數條遮光線條的位置相對應而設置。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,每一第一導體線係分別以對應之金屬走線延伸至該上基板之同一側邊,以進一步連接至一軟性電路板。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該N條連接線係由金屬導電材料所製成。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該M條第一導體線及該N條第二導體線的每一導體線係由複數條金屬感應線所構成。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該M條第一導體線及該N條第二導體線的每一導體線的該複數條金屬感應線形成一個四邊型區域,在每一個四邊型區域中的金屬感應線係電氣連接在一起,而任兩個四邊型區域之間並未連接。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該第一方向係垂直第二方向。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該N條連接線的每一條連接線係設置於兩條第一導體線之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該四邊型區域係為下列形狀其中之一:矩形、正方形。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該M條第一導體線及該N條第二導體線的每一導體線的該複數條金屬感應線所形成的該每一個四邊型區域中的金屬感應線係由導電之金屬材料或合金材料所製成。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該導電之金屬材料或合金 材料係為下列其中之一:鉻、鋇、鋁、銀、銅、鈦、鎳、鉭、鈷、鎢、鎂(Mg)、鈣(Ca)、鉀(K)、鋰(Li)、銦(In)。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,該薄膜電晶體層具有K條閘極驅動線及L條源極驅動線,依據一顯示驅動訊號及一顯示像素訊號,以驅動對應之畫素驅動電路之畫素驅動電晶體及畫素電容,進而執行顯示操作,當中,K、L為正整數。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其中,K條閘極驅動線及L條源極驅動線的位置係相對應於該遮光層之該複數條遮光線條的位置而設置。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其更包含:一彩色濾光層,位於該遮光層之面對於該有機發光二極體層之一側的表面上;以及一第一絕緣層,位於該彩色濾光層的表面。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其更包含:一陰極層,位於該第二感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側的表面;以及一陽極層,位於該薄膜電晶體層之面對該有機發光二極體層之一側,該陽極層具有複數個陽極畫素電極,該複數個陽極畫素電極的每一個陽極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路之畫素驅動電晶體之源極/汲極連接。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之窄邊框之內嵌式有機發光二極體顯示觸控結構,其更包含: 一陰極層,位於該薄膜電晶體層之面對該有機發光二極體層之一側的表面,該應陰極層具有複數個陰極畫素電極,該複數個陰極畫素電極的每一個陰極畫素電極係與對應的該畫素驅動電路之畫素驅動電晶體之源極/汲極連接;以及一陽極層,位於該第二感應電極層之面對該有機發光二極體層之一側。
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