TW201507047A - 半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201507047A
TW201507047A TW103118900A TW103118900A TW201507047A TW 201507047 A TW201507047 A TW 201507047A TW 103118900 A TW103118900 A TW 103118900A TW 103118900 A TW103118900 A TW 103118900A TW 201507047 A TW201507047 A TW 201507047A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor wafer
semiconductor
wafer
semiconductor wafers
camera
Prior art date
Application number
TW103118900A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI570823B (zh
Inventor
Akira Urahashi
Yoshiyuki Ogata
Original Assignee
Shinkawa Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Kk filed Critical Shinkawa Kk
Publication of TW201507047A publication Critical patent/TW201507047A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI570823B publication Critical patent/TWI570823B/zh

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

本發明有效地抑制於半導體製造裝置中進行半導體晶片拾取時的半導體晶片殘留。本發明包括照相機22、夾頭19、夾頭驅動部20、頂出機構21、以及控制部30,控制部30包括:記憶體32,儲存半導體晶片15的各位置;檢測程式36,依序檢測一列上的各半導體晶片15的各絕對位置;拾取程式38,依序拾取已檢測的各半導體晶片15;預測位置計算儲存程式37,基於檢測出的一列上的半導體晶片15的各絕對位置,而計算下一列上的半導體晶片15的各預測絕對位置,並其儲存於記憶體32;以及視野移動程式39,以儲存於記憶體32的各預測絕對位置依序成為照相機22的視野的中心的方式使照相機的視野移動。

Description

半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法
本發明是有關於一種半導體製造裝置的構造以及半導體裝置的製造方法,尤其有關於一種進行半導體晶片的拾取的裝置的構造以及半導體晶片的拾取方法。
半導體晶片(semiconductor die)是將6英吋(inch)或8英吋大小的晶圓(wafer)切斷為規定的大小而製造成的。於切斷時,為了使切斷的半導體晶片不散亂,而於晶圓的背面黏貼黏著性的晶圓薄片(wafer sheet),利用切割鋸(dicing saw)等自正面側將晶圓切斷。此時,黏貼於晶圓的背面的晶圓薄片雖被少許切入但未被切斷而成為保持著各半導體晶片的狀態。而且,所切斷的各半導體晶片被逐一自晶圓薄片拾取(pick up)並傳送至黏晶(die bonding)等下一步驟。
於自晶圓薄片拾取半導體晶片時,例如使用以下方法等:藉由照相機而逐一獲取半導體晶片的圖像,並將該所獲取的 攝像信號輸出至圖像處理部,於圖像處理部對位於照相機的視野中的半導體晶片進行圖像處理來判定該半導體晶片是否為合格品,於該半導體晶片為合格品時,檢測該半導體晶片的位置,繼而,將夾頭(collet)或頂出銷(ejector needle)等拾取治具的位置對準於檢測出的半導體晶片的位置,利用頂出銷自晶圓薄片側將半導體晶片頂出,並且使半導體晶片真空吸附於夾頭的前端而自晶圓薄片拾取半導體晶片的方法;或於將晶圓配置於拾取裝置之前,預先藉由檢查裝置製作晶圓上的半導體晶片的位置資料(data),基於該位置資料而使晶圓平台(wafer table)移動來拾取半導體晶片的方法(例如參照專利文獻1)。
該等方法中存在如下問題,即於辨識、及位置檢測花費時間,或因晶圓薄片的變形而導致半導體晶片的位置變化,從而無法準確地拾取半導體晶片。因此,提出如下方法,即,利用視野較廣的照相機來拍攝拾取對象的半導體晶片的周邊圖像,確認周圍有無半導體晶片,並且將無壞標記(bad mark)的半導體晶片作為拾取候補的半導體晶片而加以記憶,利用高倍率的照相機進行拾取候捕的半導體晶片的位置檢測、及確認外觀不良的有無之後,使晶圓平台移動來進行該半導體晶片的拾取(例如參照專利文獻1)。
又,提出如下方法,即該方法構成為於將晶圓薄片上的半導體晶片的位置檢測按照規定順序逐一段地進行時,預先檢測鄰接的下一段的無半導體晶片的位置並記憶於記憶單元,於晶圓薄片上的半導體晶片的1段的位置檢測結束之後,基於自記憶單元取得的下一段的無半導體晶片的最近的位置而使拾取部移動, 從而可縮短晶片辨識時間而進行有效率的拾取作業(例如參照專利文獻2)。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-140084號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-231789號公報
此外,於拾取呈格子狀地排列於晶圓薄片上的半導體晶片時,如圖25所示使用如下方法:於將晶圓薄片12的周圍如箭頭51~箭頭53般向半徑方向外側拉伸,而成為將各半導體晶片15之間的切入間隙14擴大的狀態之後,藉由夾頭而如箭頭54~箭頭55般逐一列(逐一段)地拾取半導體晶片15。最初如圖25的虛線所示,半導體晶片15整齊地排列為格子狀,但當拾取上部的數列(數段)的半導體晶片15時,半導體晶片15已被拾取的區域的晶圓薄片12延伸,由此下部的半導體晶片15向較初始的位置靠下側(Y方向負側)移動。向下側的移動量於晶圓薄片12的X方向的中心附近大,越朝向周圍變得越小。因此,如圖25的實線所示,當拾取上部的數列(數段)的半導體晶片15時,晶圓薄片12上的半導體晶片15自初始的整齊的格子狀的位置,移動至以晶圓薄片12的X方向的中央為中心的向下凸出的曲線55上的位置。
半導體晶片的拾取裝置中,根據半導體晶片15的圖像辨識來檢測各半導體晶片15的中心相對於拾取裝置的基準點的絕對位置,並預先記憶該位置,藉此,例如如圖25所示的箭頭55般,使照相機的視野向右下方移動來辨識下一半導體晶片15,將 照相機的視野對準於該半導體晶片15的中心來檢測該半導體晶片15的絕對位置,並藉由夾頭拾取該半導體晶片15。
然而,有時於晶圓薄片12上存在未配置半導體晶片15的場所。例如存在如下情形,即:於進行晶圓薄片12整體的定位時,配置作為位置確認目標的測試元件組晶片(TEG(test element group)die)60等的情形;或於晶圓薄片12上僅再配置合格品的半導體晶片15,從而存在未配置半導體晶片15的場所的情形。測試元件組晶片60的形狀與半導體晶片15的形狀不同,於拾取裝置中該測試元件組晶片60不會被辨識為半導體晶片15,從而與未配置半導體晶片15之情況同樣地處理該測試元件組晶片60。
如圖25所示,於配置有測試元件組晶片60的場所或未配置半導體晶片15的場所處於晶圓薄片12的X方向的中央附近時,當如圖25的箭頭57所示使照相機的視野向左下方移動來對半導體晶片15進行辨識、及位置檢測時,例如即便於照相機的視野中捕捉到測試元件組晶片60b,亦進行該位置不存在任何物體的處理,拾取裝置依照此前的移動方向(向左下方)使照相機的視野如圖25的箭頭58所示向下方移動。於是,於照相機的視野中捕捉到目前正在拾取的列(段)的下一列(段)的半導體晶片15,將照相機的視野中心對準於該半導體晶片15的中心,拾取測試元件組晶片60b的一列(一段)下方的半導體晶片15。然後,拾取裝置如圖28的箭頭59所示,依序拾取配置於測試元件組晶片60b的一列(一段)下方的列的半導體晶片15。因此,拾取裝置於不拾取配置於測試元件組晶片60的列(段)的較測試元件組晶片60靠左側方向(拾取方向)的半導體晶片15的情況下結束拾取動作。
如以上般,於拾取裝置中,若於晶圓薄片12上配置有測試元件組晶片60,或存在未配置半導體晶片15的空間,則存在殘留半導體晶片的問題。
本發明之目的在於有效地抑制於半導體製造裝置中進行半導體晶片的拾取時的半導體晶片的殘留。
本發明的半導體製造裝置是將格子狀地排列於晶圓薄片上的多個半導體晶片逐一列地進行拾取,其特徵在於包括:照相機,拍攝各半導體晶片的圖像;拾取機構,自晶圓薄片拾取各半導體晶片;以及控制部,根據藉由照相機拍攝的各半導體晶片的圖像來檢測各半導體晶片的各位置,且控制部包括:記憶體,儲存各半導體晶片的各位置;檢測單元,以配置於一列上的多個第一半導體晶片依序成為照相機的視野的中心的方式使照相機的視野移動,而依序檢測一列上的各第一半導體晶片的相對於拾取裝置的基準點的各絕對位置;拾取單元,藉由拾取機構而依序拾取利用檢測單元檢測出各絕對位置的各第一半導體晶片;預測位置計算儲存單元,基於利用檢測單元檢測出的各第一半導體晶片的各絕對位置,而計算下一列上配置於與各第一半導體晶片對應的位置附近的各第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將該各預測絕對位置儲存於記憶體;以及視野移動單元,以儲存於記憶體的各第二半導體晶片的各預測絕對位置依序成為照相機的視野的中心的方式使照相機的視野移動。
於本發明的半導體製造裝置中,亦較佳為,照相機拍攝 配置於多列的各半導體晶片的圖像,且控制部包括辨識單元,辨識單元於使照相機的視野依序移動時,辨識於下一列上在對應於各第一半導體晶片的位置的附近是否存在各第二半導體晶片,預測位置計算儲存單元於藉由辨識單元無法辨識各第二半導體晶片的存在時,基於利用檢測單元檢測出的各第一半導體晶片的各絕對位置而計算各第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將該各預測絕對位置儲存於記憶體,於藉由辨識單元可辨識各第二半導體晶片的存在時,檢測各第二半導體晶片的相對於拾取裝置的基準點的各絕對位置,並將該各絕對位置作為各第二半導體晶片的各預測絕對位置而儲存於記憶體。
於本發明的半導體製造裝置中,亦較佳為,預測位置計算儲存單元將自利用檢測單元檢測出的各第一半導體晶片的各絕對位置,僅偏移各第一半導體晶片與各第二半導體晶片之間的行方向間距(pitch)而得的位置作為各第二半導體晶片的各預測絕對位置。
本發明的半導體裝置的製造方法是將格子狀地排列於晶圓薄片上的多個半導體晶片逐一列地拾取的半導體裝置的製造方法,其特徵在於包括:準備半導體製造裝置的步驟,半導體製造裝置包括照相機、拾取機構及控制部,照相機拍攝各半導體晶片的圖像,拾取機構自晶圓薄片拾取各半導體晶片,控制部自藉由照相機拍攝的各半導體晶片的圖像來檢測各半導體晶片的各位置,且包含儲存各半導體晶片的各位置的記憶體;檢測步驟,以配置於一列上的多個第一半導體晶片依序成為照相機的視野的中心的方式使照相機的視野移動,而依序檢測一列上的各第一半導 體晶片的相對於拾取裝置的基準點的各絕對位置;拾取步驟,藉由拾取機構而依序拾取於檢測步驟中檢測出各絕對位置的各第一半導體晶片;預測位置計算儲存步驟,基於在檢測步驟中檢測出的各第一半導體晶片的各絕對位置,而計算下一列上配置於與各第一半導體晶片對應的位置附近的各第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將該各預測絕對位置儲存於記憶體;以及視野移動步驟,以儲存於記憶體的各第二半導體晶片的各預測絕對位置依序成為照相機的視野的中心的方式使照相機的視野移動。
於本發明的半導體裝置的製造方法中,亦較佳為,照相機拍攝配置於多列的各半導體晶片的圖像,且半導體裝置的製造方法包括辨識步驟,辨識步驟是於使照相機的視野依序移動時,辨識於下一列上在對應於各第一半導體晶片的位置的附近是否存在各第二半導體晶片,預測位置計算儲存步驟於在辨識步驟中無法辨識各第二半導體晶片的存在時,基於在檢測步驟中檢測出的各第一半導體晶片的各絕對位置而計算各第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將該各預測絕對位置儲存於記憶體,且於在辨識步驟中可辨識各第二半導體晶片的存在時,檢測各第二半導體晶片的相對於拾取裝置的基準點的各絕對位置,並將該各絕對位置作為各第二半導體晶片的各預測絕對位置而儲存於記憶體。
於本發明的半導體裝置的製造方法中,亦較佳為,預測位置計算儲存步驟將自於檢測步驟中檢測出的各第一半導體晶片的各絕對位置,僅偏移各第一半導體晶片與各第二半導體晶片之間的行方向間距而得的位置作為各第二半導體晶片的各預測絕對位置。
本發明發揮如下效果,即,可有效地抑制於半導體製造裝置中進行半導體晶片的拾取時的半導體晶片的殘留。
10‧‧‧晶圓固持器
11‧‧‧晶圓
12‧‧‧晶圓薄片
13‧‧‧環
14‧‧‧切入間隙
15、76、77、86~88、111~117、211~217、311、312~317‧‧‧半導體晶片
16‧‧‧延伸環
17‧‧‧環按壓件
18‧‧‧晶圓固持器驅動部
19‧‧‧夾頭
20‧‧‧夾頭驅動部
21‧‧‧頂出機構
22‧‧‧照相機
30‧‧‧控制部
31‧‧‧中央處理單元
32‧‧‧記憶體
33‧‧‧控制程式
34‧‧‧控制資料
35‧‧‧位置資料
36‧‧‧檢測程式
37‧‧‧預測位置計算儲存程式
38‧‧‧拾取程式
39‧‧‧視野移動程式
40‧‧‧辨識程式
41‧‧‧夾頭驅動部介面
42‧‧‧照相機介面
43‧‧‧頂出機構介面
44‧‧‧晶圓固持器驅動部介面
45‧‧‧資料匯流排
50~59、55a~55c‧‧‧箭頭
60、60a、60b‧‧‧測試元件組晶片
71、151~157、251~257、171~174、175、272~276‧‧‧視野
100‧‧‧半導體製造裝置
E0、E1、E2、E5、E6‧‧‧虛線箭頭
PX‧‧‧X方向間距
PY‧‧‧Y方向間距
X、Y、Z‧‧‧方向
S101~S122、S201~S223‧‧‧步驟
△PY1、△PY2‧‧‧距離
圖1是表示本發明的實施方式中的半導體製造裝置的系統構成的系統圖。
圖2是表示黏貼於晶圓薄片的晶圓的立剖面圖。
圖3是表示對黏貼於晶圓薄片的晶圓進行切割的狀態的立剖面圖。
圖4(a)、圖4(b)是表示經切割的晶圓向晶圓固持器的安裝的說明圖。
圖5是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的安裝於晶圓固持器的晶圓薄片與半導體晶片的配置的俯視圖。
圖6是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的晶圓薄片上的半導體晶片的拾取順序、及拾取半導體晶片後的晶圓薄片與半導體晶片的位置的變化的俯視圖。
圖7是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的流程圖。
圖8是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的流程圖。
圖9是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖10是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖11是表示本發明的實施方式的半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖12是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的流程圖。
圖13是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的流程圖。
圖14是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖15是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖16是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖17是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖18是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖19是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖20是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖21是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的說明圖。
圖22是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的另一說明圖。
圖23是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的另一說明圖。
圖24是表示本發明的實施方式的另一半導體製造裝置中的半導體晶片的拾取動作的另一說明圖。
圖25是表示習知技術的晶圓薄片上的半導體晶片的拾取順序、及拾取半導體晶片之後的晶圓薄片與半導體晶片的位置的變化的俯視圖。
以下,一面參照圖式,一面對本發明的實施方式進行說明。如圖1所示,本實施方式的半導體製造裝置100包括:晶圓固持器(wafer holder)10,固定正面黏貼有多個半導體晶片15的晶圓薄片12;晶圓固持器驅動部18,使晶圓固持器10於水平方向(XY方向)上移動;照相機22,拍攝晶圓薄片12上的半導體晶片15的圖像;夾頭19,自晶圓薄片12拾取半導體晶片15;夾頭驅動部20,使夾頭19於上下方向(Z方向)上移動;頂出機構21,將晶圓薄片12自下側的面(Z方向負側的面)朝向上方(Z方向正側)頂出;以及控制部30,對晶圓固持器驅動部18、夾頭驅動部20、以及頂出機構21的動作進行控制,並且對藉由照相機22拍攝的半導體晶片15的圖像進行處理,而進行半導體晶片15的辨識與位置檢測。夾頭19、夾頭驅動部20以及頂出機構21構成拾取半導體晶片15的拾取機構。再者,於圖1中,將紙面橫方 向設為X方向,將與紙面成直角的方向(與X方向成直角的方向)設為Y方向,且將上下方向設為Z方向來進行說明。再者,晶圓固持器10的詳細情況將於下文進行說明。
控制部30是電腦(computer),其包含:中央處理單元(Central Processing Unit,CPU)31,進行信號處理或運算;記憶體32,儲存控制程式(program)33、控制資料34、半導體晶片15的位置資料35、檢測程式36、預測位置計算儲存程式37、拾取程式38、視野移動程式39、及辨識程式40;及夾頭驅動部介面41、照相機介面42、頂出機構介面43、晶圓固持器驅動部介面44,其等與夾頭驅動部20、照相機22、頂出機構21、晶圓固持器驅動部18之間進行信號、資料的授受,且中央處理單元31、記憶體32以及各介面41~44之間藉由資料匯流排(data bus)45而連接。夾頭驅動部20、照相機22、頂出機構21、晶圓固持器驅動部18分別根據中央處理單元31的指令而進行驅動控制以及資料的授受。
其次,一面參照圖2至圖11,一面對在本實施方式的半導體製造裝置100中自晶圓薄片12拾取半導體晶片15的動作進行說明。於對整體動作進行說明之前,一面參照圖2至圖5,一面對將黏貼有半導體晶片15的晶圓薄片12固定於晶圓固持器10的步驟進行說明。
如圖2所示,晶圓11於背面黏貼有黏著性的晶圓薄片12,晶圓薄片12安裝於金屬製的環(ring)13。晶圓11是於如此般隔著晶圓薄片12而安裝於金屬製的環13的狀態下進行處理(handling)。而且,如圖3所示,晶圓11於切斷步驟中藉由切割 鋸等而自正面側切斷從而成為各半導體晶片15。於各半導體晶片15之間形成切割時所形成的切入間隙14。切入間隙14的深度自半導體晶片15到達晶圓薄片12的一部分,但不將晶圓薄片12切斷,各半導體晶片15藉由晶圓薄片12來保持。
安裝有晶圓薄片12與環13的半導體晶片15,如圖4(a)、圖4(b)所示安裝於晶圓固持器10。晶圓固持器10具備:圓環狀的延伸環(expand ring)16,具有凸緣(flange)部;以及環按壓件17,將環13固定於延伸環16的凸緣上。環按壓件17藉由未圖示的環按壓件驅動部而在朝向延伸環16的凸緣進退的方向上驅動。延伸環16的內徑較配置有半導體晶片15的晶圓的直徑大,延伸環16具有規定的厚度,且以自離開晶圓薄片12的方向的端面向外側突出的方式設置有凸緣。又,延伸環16的晶圓薄片12側的端面的外周成為曲面構成,以於將晶圓薄片12安裝於延伸環16時,可順利地拉伸晶圓薄片12。又,如圖1所示,晶圓固持器10構成為可藉由晶圓固持器驅動部18而向沿著晶圓薄片12的面的方向(XY方向)移動。
如圖4(b)所示,黏貼有半導體晶片15的晶圓薄片12於設置(set)於延伸環16之前成為大致平面狀態。延伸環16的接觸於晶圓薄片12的上端面與凸緣面之間存在階差,故而如圖1所示,若使環按壓件17下降至環13上,使環13夾入至該環按壓件17與延伸環16的凸緣之間,則環13壓抵於凸緣面,晶圓薄片12沿著延伸環16上部的曲面而被拉伸有延伸環16的上端面與凸緣面的階差的程度。而且,對固定於延伸環16上的晶圓薄片12,產生如圖5箭頭50所示的自晶圓薄片12的中心朝向周圍的半徑 方向的拉伸力的作用。又,晶圓薄片12藉由該拉伸力而延伸,故而黏貼於晶圓薄片12上的各半導體晶片15間的切入間隙14擴大,於晶圓薄片12上,以X方向間距PX(列方向間距)、Y方向(行方向間距)間距PY而呈格子狀地排列半導體晶片15。又,於晶圓薄片12的大致中央,配置有兩個測試元件組晶片60a、測試元件組晶片60b。
於將晶圓薄片12固定為如圖5般的狀態之後,半導體製造裝置100開始拾取半導體晶片15。以下的說明中,以如下情形為例進行說明,即,將X方向的排列設為列,將Y方向的排列設為行,如圖6、圖9所示,自N=1、M=7(1列、7行)的半導體晶片77如圖6、圖9所示的箭頭54般向左(向X方向負側)拾取半導體晶片。於圖9中,圓圈包圍的數字1至7表示晶圓薄片12的中央部7行的半導體晶片的行編號,方框包圍的數字1至3表示配置有半導體晶片的列數。
如圖7的步驟S101所示,中央處理單元31將列數N、行數Mstart初始化為拾取開始位置的數值。此情形時,中央處理單元31設為N=1、M=7。其次,如圖7的步驟S102所示,中央處理單元31根據圖1所示的控制資料34,作為基準位置而讀入圖9所示的半導體晶片77的配置位置的資料。然後,如圖9、圖7的步驟S103所示,中央處理單元31輸出以如下方式驅動晶圓固持器驅動部18的指令,即,照相機22的視野71的中心,成為之前讀入的配置於N=1、M=7(1列、7行)的半導體晶片77、即配置於圖6所示的開始位置的半導體晶片的基準位置。該指令經由晶圓固持器驅動部介面44而作為控制信號被輸入至晶圓固持器驅 動部18。晶圓固持器驅動部18使晶圓固持器10於XY方向移動。
如圖7的步驟S104、步驟S105所示,中央處理單元31執行檢測程式36,經由照相機介面42而取得照相機22拍攝的圖像,根據該圖像檢測半導體晶片77的中心位置。然後,以使檢測出的半導體晶片77的中心位置與照相機22的視野71的中心一致的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置,於(1列、7行)的半導體晶片77的中心位置與照相機22的視野71的中心一致之後,作為(1列、7行)的半導體晶片77(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。
其次,如圖7的步驟S106所示,中央處理單元31執行拾取程式38,以圖1所示的頂出機構21與夾頭19來到(1列、7行)的半導體晶片77的絕對位置的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置,於位置調整結束之後,輸出拾取半導體晶片77的指令。藉由該指令,頂出機構21向上方移動而將(1列、7行)的半導體晶片77頂出,同時夾頭驅動部20使夾頭19下降而真空吸附半導體晶片77,自晶圓薄片12拾取半導體晶片77(拾取步驟)。
其次,如圖7的步驟S107、步驟S108所示,中央處理單元31執行預測位置計算儲存程式37,將自圖7的步驟S105中檢測出的(1列、7行)的半導體晶片77的絕對位置減去Y方向(行方向間距)間距PY而得的位置作為配置於(2列(N+1列)、7行(Mstart行)的半導體晶片87(下一列上處於半導體晶片77所對應的行(7行)的半導體晶片、第二半導體晶片)的預測絕對 位置,而儲存於記憶體32的位置資料35中(預測位置計算儲存步驟)。
其次,如圖7的步驟S109所示,中央處理單元31判斷已拾取的半導體晶片77是否為N列的最終行Mend。而且,於並非為最終行時,如圖7的步驟S110所示,中央處理單元31使晶圓固持器10向負側僅間距移動X方向間距PX(列方向間距),如圖7的步驟S111所示,使M僅減少1,使該照相機22的視野的中心位置移動至同一列上(1列)的下一行(1列、6行)的半導體晶片76(第一半導體晶片)的基準位置,重複圖7的步驟S103至步驟S108(檢測步驟、拾取步驟、預測位置計算儲存步驟),而如圖6、圖9的箭頭54所示般依序向X方向負側拾取配置於1列的M個半導體晶片(第一半導體晶片),且如虛線箭頭E0所示般依序預測配置於下一列(N=2)的各半導體晶片(第二半導體晶片)的絕對位置,並將該絕對位置作為各預測絕對位置而依序儲存於記憶體32的位置資料。然後,如圖7的步驟S109所示,於來到1列(N=1)的最終行Mend之後,移動至圖7所示的連接端子2(由圖中圓圈包圍的數字2表示,以下相同),跳躍(jump)至圖8所示的步驟S112,使晶圓固持器10僅移動Y方向間距PY(行方向間距),如圖8的步驟S113所示,使N僅遞增1,並且將M再設定為第2列(N=2)的Mstart,如圖6所示,向X方向正側拾取第2列的各半導體晶片。
第二列以後的半導體晶片的拾取,無論為哪一列均按照同樣的程序(routine)進行,故而,以下一面參照圖10、圖11,一面以第4列的半導體晶片111~半導體晶片117、及配置有測試 元件組晶片60a、測試元件組晶片60b的第5列的半導體晶片211~半導體晶片217的拾取程序為例進行說明。第二列以後的半導體晶片的拾取與之前說明的第一列的半導體晶片的拾取順序於如下方面不同,即,第一列的半導體晶片的拾取是自控制資料34讀入作為基準位置的半導體晶片的配置位置資料,並基於該資料而使照相機22的視野僅間距移動X方向間距PX(列方向間距)來於照相機22的視野中捕捉到半導體晶片,使照相機22的視野的中心對準於該半導體晶片的中心位置而依序檢測所拾取的半導體晶片的絕對位置,相對於此,第2列以後則是讀出預測絕對位置並使照相機22的視野向該預測絕對位置移動,該預測絕對位置是基於在前一列中位置檢測出的半導體晶片的絕對位置來計算、並儲存於記憶體32的位置資料35中。
於圖10、圖11中,圓圈包圍的數字1至7表示晶圓薄片12的中央部7行的半導體晶片的行編號,方框包圍的數字4至5表示配置半導體晶片的列數。第4列的各半導體晶片111至半導體晶片117的拾取,是沿圖6所示的向下凸出的曲線55自圖中的左側向右側(X方向正側)而依序進行。
以下,對依序拾取圖10所示的配置於4列1行的半導體晶片111至配置於4列7行的半導體晶片117的步驟進行說明。如圖8的步驟S113所示,中央處理單元31設置為N=4、M=1,如圖8的步驟S114所示,執行圖1所示的視野移動程式39。首先,中央處理單元31讀入於拾取N=3的列的半導體晶片時儲存於記憶體32的位置資料35的(4列、1行)的半導體晶片111的預測絕對位置。其次,中央處理單元31輸出以如下方式驅動晶圓固持器 驅動部18的指令,即,照相機22的視野151的中心,成為之前讀入的配置於N=4、M=1(4列、1行)的半導體晶片111的預測絕對位置。該指令經由晶圓固持器驅動部介面44而作為控制信號被輸入至晶圓固持器驅動部18,晶圓固持器驅動部18使晶圓固持器10於XY方向移動(視野移動步驟)。
如圖8的步驟S115、步驟S116所示,中央處理單元31執行圖1所示的檢測程式36,經由照相機介面42而取得照相機22拍攝的圖像,並根據該圖像來檢測(4列、1行)的半導體晶片111的中心位置。然後,以檢測出的半導體晶片111的中心位置與照相機22的視野151的中心一致的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置。而且,於(4列、1行)的半導體晶片111的中心位置與照相機22的視野151的中心一致之後,作為(4列、1行)的半導體晶片111(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。
其次,如圖8的步驟S117所示,中央處理單元31執行拾取程式38,以頂出機構21與夾頭19來到進行了位置檢測的(4列、1行)的半導體晶片111的絕對位置的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置,於位置調整結束之後,輸出拾取半導體晶片111的指令。藉由該指令,頂出機構21向上方移動而將(4列、1行)的半導體晶片111頂出,同時夾頭驅動部20使夾頭19下降而真空吸附半導體晶片111,自晶圓薄片12拾取半導體晶片111(拾取步驟)。
其次,如圖8的步驟S118、步驟S119所示,中央處理 單元31執行圖1所示的預測位置計算儲存程式37,將自於圖8的步驟S117中檢測出的(4列、1行)的半導體晶片111的絕對位置減去Y方向(行方向間距)間距PY而得的位置作為配置於(5列(N+1列)、1行(M行)的半導體晶片211(第二半導體晶片)的預測絕對位置,並將該預測絕對位置儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。
其次,如圖8的步驟S120所示,中央處理單元31會判斷所拾取到的半導體晶片111是否為4列的最終行Mend。而且,於並非為最終行時,如圖8的步驟S121所示,中央處理單元31使行數M僅遞增1而使行數M為2。
然後,返回至圖8的步驟S114,執行圖1所示的視野移動程式39,讀入於拾取N=3列的半導體晶片時儲存於記憶體32的位置資料35的(4列、2行)的半導體晶片112的預測絕對位置。然後,如圖10所示,自視野151的位置僅間距移動X方向間距PX(列方向間距),並且如圖10所示向Y方向僅移動△PY1,如圖10的箭頭55a所示,使該照相機22的視野152的中心位置移動至同一列上(4列)的下一行(4列、2行)的半導體晶片112(第一半導體晶片)的預測絕對位置(視野移動步驟)。
如圖8的步驟S115至步驟S119所示,中央處理單元31執行圖1所示的檢測程式36、拾取程式38、預測位置計算儲存程式37,計算下一列(5列)的半導體晶片212的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。
如圖8的步驟S121所示,中央處理單元31將行M僅 遞增1,並返回至圖8所示的步驟S114,繼續下一行(4列、3行)的半導體晶片113的拾取。中央處理單元31執行圖8所示的步驟S114至步驟S119,如圖10的箭頭55a所示,使照相機22的視野僅間距移動X方向間距PX(列方向間距),並且如圖10所示向Y方向僅移動△PY2而使照相機22的視野153的中心位置移動至同一列上(4列)的下一行(4列、3行)的位置的半導體晶片113的預測絕對位置(視野移動步驟),如圖8的步驟S115至步驟S119所示,進行半導體晶片113的位置檢測、拾取(檢測步驟、拾取步驟),計算下一列(5列)的半導體晶片213的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。於下一列(5列)未配置半導體晶片213而是配置有測試元件組晶片60a,但設為於下一列配置有半導體晶片213而計算其預測絕對位置並儲存於記憶體32的位置資料35。
然後,如圖8的步驟S121所示,中央處理單元31將行M僅遞增1,與之前相同地執行圖8所示的步驟S114至步驟S119,如圖10的箭頭55b所示,使照相機22的視野僅間距移動X方向間距PX(列方向間距),而使照相機22的視野154的中心位置移動至同一列上(4列)的下一行(4列、4行)的位置的半導體晶片114的預測絕對位置(視野移動步驟),如圖8的步驟S115至步驟S119所示,進行半導體晶片114的位置檢測、拾取(檢測步驟、拾取步驟),計算下一列(5列)的半導體晶片214的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。與3行相同,於下一列(5列)未配置半導體晶片214而是配置有測試元件組晶片60b,但設為於下一列配置有 半導體晶片214而計算其預測絕對位置並儲存於記憶體32的位置資料35。
以下,同樣地重複圖8所示的步驟S114至步驟S121,如圖10的箭頭55c所示,拾取半導體晶片115至半導體晶片117,並且計算配置於下一列(5列)的半導體晶片215至半導體晶片217的預測絕對位置並儲存於記憶體32的位置資料35。
藉由以上的拾取動作,如箭頭55a至箭頭55c所示拾取配置於4列上的半導體晶片111至半導體晶片117,並且如與圖10的箭頭55a~箭頭55c大致並行且於Y方向僅偏移Y方向間距PY(行方向間距)的虛線箭頭E1所示,將配置於下一列的5列的半導體晶片211至半導體晶片217的預測絕對位置儲存於記憶體32的位置資料35。
於將位於4列上的半導體晶片的全部拾取之後,中央處理單元31如圖8的步驟S122所示,判斷是否拾取至最後的列Nend。上述說明中為處於4列上的半導體晶片的拾取結束的狀態,故而尚未拾取至最終列,因此中央處理單元31如圖8的步驟S113所示,將N僅遞增1,並且將M設置為下一列的初始值Mstart。
以下,對如圖11所示拾取配置於(5列、7行)的半導體晶片217至配置於(5列、1行)的半導體晶片211的步驟進行說明。如之前參照圖10所說明般,配置於4列的半導體晶片111~半導體晶片117全部被拾取,故而以虛線表示。再者,關於與之前針對4列的半導體晶片111~半導體晶片117的拾取所說明的步驟相同的步驟,明示該步驟名並省略詳細的說明。與之前的4列上的半導體晶片111~半導體晶片117的拾取相同,中央處理單 元31執行圖8所示的步驟S114至步驟S119,如圖11的箭頭56所示,使照相機22的視野157的中心位置移動至拾取(4列、7行)的位置的半導體晶片117時儲存於記憶體32的位置資料35的半導體晶片217的預測絕對位置(視野移動步驟),如圖8的步驟S115至步驟S119所示,進行半導體晶片217的位置檢測、拾取(檢測步驟、拾取步驟),計算下一列(6列)的半導體晶片317的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。由於為朝向X方向負側的拾取動作,故而中央處理單元如圖8的步驟S121所示使M僅減少1而返回至圖8所示的步驟S114,與之前說明者相同,重複圖8的步驟S114至步驟S119,依序拾取配置於5列的半導體晶片216、半導體晶片215,如圖11的虛線箭頭E2所示,計算下一列(6列)的半導體晶片316、半導體晶片315的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35。
中央處理單元31執行圖8所示的步驟S114,如圖11的箭頭56所示,使照相機22的視野154的中心位置移動至拾取(4列、4行)的位置的半導體晶片114時儲存於記憶體32的位置資料35的半導體晶片214的預測絕對位置(視野移動步驟)。
如圖8的步驟S115、步驟S116所示,中央處理單元31經由照相機介面42而取得照相機22拍攝的圖像,自該圖像來檢測配置於(5列、4行)的半導體晶片214的中心位置。然而,由於在該位置未配置半導體晶片而是配置有測試元件組晶片60b,故而中央處理單元無法自照相機22拍攝的圖像檢測半導體晶片。此時,中央處理單元31不進行檢測步驟與拾取步驟,而是將自之前 位置檢測出的位於(4列、4行)的半導體晶片114的絕對位置減去Y方向(行方向間距)間距PY的2倍而得的位置作為配置於(6列、4行)的半導體晶片314(第二半導體晶片)的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟),如圖8的步驟S121所示使M僅減少1而返回至圖8的步驟S114,使照相機22的視野的中心位置移動至拾取(4列、3行)的位置的半導體晶片113時儲存於記憶體32的位置資料35的半導體晶片213的預測絕對位置(視野移動步驟)。
然而,亦與之前的半導體晶片214相同,該位置未配置半導體晶片而是配置有測試元件組晶片60a,故而中央處理單元無法自照相機22拍攝的圖像檢測半導體晶片。因此,與之前相同,中央處理單元31不進行檢測步驟與拾取步驟,而是將自之前位置檢測出的位於(4列、3行)的半導體晶片113的絕對位置減去Y方向(行方向間距)間距PY的2倍而得的位置作為配置於(6列、3行)的半導體晶片313(第二半導體晶片)的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟),如圖8的步驟S121所示使M僅減少1而返回至圖8的步驟S114,使照相機22的視野的中心位置移動至拾取(4列、2行)的位置的半導體晶片112時儲存於記憶體32的位置資料35的半導體晶片212的預測絕對位置(視野移動步驟)。
於該位置配置有半導體晶片212,故而中央處理單元31如圖8的步驟S115至步驟S119所示,進行半導體晶片212的位置檢測、拾取(檢測步驟、拾取步驟),計算下一列(6列)的半導體晶片312的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32 的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。又,同樣地進行半導體晶片211的拾取。
如以上所說明般,本實施方式的半導體製造裝置100中,於拾取一列上的半導體晶片(第一半導體晶片)時計算預想位於下一列上的半導體晶片(第二半導體晶片)的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體,且基於該儲存的預測絕對位置而使下一列的照相機22的視野移動來進行半導體晶片的拾取。即,基於實際上拾取的半導體晶片的位置而預測下一列的半導體晶片的位置,使照相機22的視野的中心位置朝向該位置移動,故而即便於未配置半導體晶片時,亦可有效地抑制視野跳轉至正在拾取的列的下一列而殘留正在拾取的列的半導體晶片。
其次,一面參照圖11~圖23,一面對本發明的半導體製造裝置100的另一實施方式中的拾取動作進行說明。本實形態的半導體製造裝置100如圖14~圖23所示,於照相機22的視野71、視野171~視野276為可包含(3列、3行)的半導體晶片(多個半導體晶片)的大小的方面與之前說明的實施方式不同。與之前的說明相同,表示圖14~圖2315的行編號,方框包圍的數字1~3、4~7表示配置有半導體晶片的列數。
如圖12的步驟S201所示,中央處理單元31將列數N、行數M分別初始化為拾取開始位置的資料。以下的說明中,如圖14所示,自配置於(1列、7行)的半導體晶片77如圖14的箭頭54般向左開始拾取,故而中央處理單元31設為N=1、M=7。其次,如圖12的步驟S202所示,中央處理單元31自控制資料34讀入(1列、7行)的半導體晶片77的配置位置的資料作為基準位置。 然後,如圖11的步驟S203所示,中央處理單元31輸出以如下方式驅動晶圓固持器驅動部18的指令,即,照相機22的視野71的中心,成為之前讀入的配置於N=1、M=7(1列、7行)的半導體晶片77、即圖6所示的配置於開始位置的半導體晶片的基準位置。該指令經由晶圓固持器驅動部介面44而作為控制信號被輸入至晶圓固持器驅動部18,晶圓固持器驅動部18使晶圓固持器10於XY方向移動。
如圖14所示,於照相機22的視野71中,除了對準於中心位置的半導體晶片77以外,還進入有1列上的半導體晶片76與第2列的半導體晶片88、半導體晶片87、半導體晶片86。首先,中央處理單元31如圖12的步驟S204所示,除了取得拍攝與視野71的中心對準的半導體晶片77以外,還取得拍攝圖14中箭頭54所示的拾取方向上所配置的半導體晶片76、及配置於半導體晶片77的下一列的(2列、7行)上的半導體晶片87的圖像。再者,亦可同時拍攝視野71中所包含的其他半導體晶片86、半導體晶片88的圖像,亦可不拍攝視野71中所包含的其他半導體晶片86、半導體晶片88的圖像。
其次,中央處理單元31如圖12的S205所示,執行圖1所示的檢測程式36,經由照相機介面42而自照相機22拍攝的圖像來檢測半導體晶片77的中心位置。然後,如圖14所示,以檢測出的半導體晶片77的中心位置與照相機22的視野71的中心一致的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置,於(1列、7行)的半導體晶片77的中心位置與照相機22的視野71的中心一致之後,作為(1列、7行)的半導體 晶片77(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝量100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S206所示,執行圖1所示的拾取程式38,以圖1所示的頂出機構21與夾頭19來到(1列、7行)的半導體晶片77的絕對位置的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置,於位置調整結束之後,輸出拾取半導體晶片77的指令。藉由該指令,頂出機構21向上方移動而將(1列、7行)的半導體晶片77頂出,同時夾頭驅動部20使夾頭19下降而真空吸附半導體晶片77,自晶圓薄片12拾取半導體晶片77(拾取步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S207、步驟S208所示,執行圖1所示的辨識程式40。中央處理單元31判斷位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片77的圖像的下側的圖像(位於2列上的圖像)是半導體晶片的圖像,或是例如如測試元件組晶片60般無法辨識為半導體晶片的圖像或僅為晶圓薄片12而未配置任何物體的圖像。然後,於可辨識半導體晶片77的圖像的下側的圖像(位於2列上的圖像)為半導體晶片的圖像時,如圖12的步驟S209所示,自該圖像檢測半導體晶片87(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示,將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(2列、7行)的半導體晶片87的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35。
又,於半導體晶片77的圖像的下側的圖像(位於2列上的圖像)例如為如無半導體晶片的特徵性的形狀、標記等的測 試元件組晶片60般無法辨識為半導體晶片的圖像時,或如僅為晶圓薄片12的表面的圖像而與半導體晶片的圖像完全區分開的圖像時般未辨識為半導體晶片的圖像時,將如圖12的步驟S210所示自於圖12的步驟S205中檢測出的(1列、7行)的半導體晶片77(第一半導體晶片)的絕對位置減去Y方向(行方向間距)間距PY而得的位置,如圖12的步驟S211所示作為配置於(2(N+1列)、7行(Mstart行)的半導體晶片87(第二半導體晶片)的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35。
如圖14所示,於(1列、7行)的半導體晶片77的下側的(2列、7行(於下一列中對應於半導體晶片77的行))配置有半導體晶片87,故而中央處理單元31將其圖像辨識為半導體晶片的圖像,如圖12的步驟S209所示,自該圖像檢測半導體晶片87(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示,將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(2列、7行)的半導體晶片87的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S212所示,判斷該列的最終列Mend的半導體晶片的拾取是否已結束,若未結束,則如自圖12的連接端子1(圖中以圓圈包圍的數字1表示,以下相同)至圖13的連接端子1所示,進入至圖13的步驟S213而執行圖1所示的辨識程式40。中央處理單元31判斷位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片77的圖像的拾取方向側的圖像(位於X方向負側的圖像)是半導體晶片的圖像,或是例如 如測試元件組晶片60般無法辨識為半導體晶片的圖像或僅為晶圓薄片12而未配置任何物體的圖像。中央處理單元31於辨識半導體晶片77的圖像的拾取方向側的圖像(位於X方向負側的圖像)為半導體晶片的圖像時,如圖13的步驟S214所示,自該圖像檢測半導體晶片的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S215所示使照相機22的視野71的中心位置移動至檢測出的絕對位置,如圖12的步驟S216所示,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3(圖中以圓圈包圍的數字3表示,以下相同)、圖12的連接端子3返回至圖12的S204,拍攝(1列、6行)的半導體晶片的圖像來檢測其絕對位置,並拾取半導體晶片。
又,於半導體晶片77的圖像的拾取方向側的圖像(位於X方向負側的圖像)例如為如無半導體晶片的特徵性的形狀、標記等的測試元件組晶片60般無法辨識為半導體晶片的圖像時,或如僅為晶圓薄片12的表面的圖像而與半導體晶片的圖像完全區分開的圖像時般未辨識為半導體晶片的圖像時,跳躍至圖12的步驟S217,判斷是否為第1列的半導體晶片的拾取。於第1列的半導體晶片的拾取時,由於無前一列的拾取時的資料,故而如圖13的步驟S219所示,使晶圓固持器10僅移動X方向(行方向間距)間距PX而使照相機22的視野移動之後,如圖12的步驟S220所示,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204,拍攝配置於(1列、6行)的半導體的周邊的圖像,且略過位置檢測步驟、拾取步驟而進入至圖12的步驟S207。
本實施方式中,如圖14所示,於(1列、7行)的半導體晶片77的拾取方向側(X方向負側)的(1列、6行)配置有半導體晶片76,故而中央處理單元31將半導體晶片77的圖像的拾取方向側的圖像(位於X方向負側的圖像)辨識為半導體晶片76的圖像,如圖13的步驟S214所示,自該圖像檢測半導體晶片76的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S215所示使照相機22的視野71的中心位置移動至檢測出的絕對位置,如圖12的步驟S216所示,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204,拍攝(1列、6行)的半導體晶片76的圖像來檢測其絕對位置,並拾取半導體晶片76。
以下,同樣地如圖14所示的箭頭54般向X方向負側依序拾取配置於1列上的半導體晶片,並且如圖14所示的虛線箭頭E0所示檢測或計算位於第2列的各半導體晶片的絕對位置,並將該絕對位置作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35中。然後,於在圖12的步驟S212中判斷出最終行Mend的半導體晶片的拾取已結束之後(M=Mend時),自圖12的連接端子2、圖13的連接端子2跳躍至圖13的步驟S221,判斷是否已拾取最終行Nend的半導體晶片。由於當前為N=1而並非為最終行Nend,故而中央處理單元31進入至圖13的步驟S222,使N僅遞增1而成為2,並且使M為2列的最初的行編號Mstart,使照相機22的視野的中心位置移動至在圖12的步驟S211中儲存於記憶體32的位置資料35的(2(N+1)列、Mstart)行)的半導體晶片的預測絕對位置,自圖13的連接端子4(圖中以圓圈包圍的數字4表 示,以下相同)、圖12的連接端子4移動至圖12的步驟S204。
再者,如圖6所示,第2列的行數較第1列的行數多,於在拾取第1列的半導體晶片時無法儲存第2列上的拾取開始位置(2(N+1)列、Mstart)行)的預測絕對位置的情況,亦可返回至圖12所示的步驟S203,自半導體晶片的配置資料讀入配置於拾取開始位置(2(N+1)列、Mstart)行)的半導體晶片的基準位置,並使照相機22的視野的中心位置移動至該位置。
第二列以後的半導體晶片的拾取,無論為哪一列均按照同樣的程序進行,故而,以下一面參照圖15~圖24,一面以第4列的半導體晶片111~半導體晶片115、及配置有測試元件組晶片60a、測試元件組晶片60b的第5列的半導體晶片212~半導體晶片216的拾取程序為例進行說明。第二列以後的半導體晶片的拾取與之前說明的第一列的半導體晶片的拾取順序於如下方面不同,即,第一列的半導體晶片的拾取是於無法辨識配置於拾取方向上的半導體晶片時,使半導體晶片的照相機22的視野僅間距移動X方向間距PX(列方向間距)來於照相機22的視野中捕捉到半導體晶片,使照相機22的視野的中心對準於該半導體晶片的中心位置而依序檢測拾取的半導體晶片的絕對位置,相對於此,第2列以後則是於無法辨識配置於拾取方向上的半導體晶片時,讀出預測絕對位置並使照相機22的視野向該預測絕對位置移動,該預測絕對位置是基於在前一列中位置檢測出的半導體晶片的絕對位置來計算、並儲存於記憶體32的位置資料35中。
以下,對依序拾取圖15~圖19所示的配置於(4列、1行)的半導體晶片111至配置於(4列、5行)的半導體晶片115 的步驟進行說明。該例中,N=4、Mstart=1,故而中央處理單元31於圖13的步驟S222中設置為N=4、M=1,如圖13的步驟S223所示,執行圖1所示的視野移動程式39。首先,中央處理單元31讀入於拾取N=3列的半導體晶片時儲存於記憶體32的位置資料35的(4列、1行)的半導體晶片111的預測絕對位置。其次,中央處理單元31輸出以如下方式驅動晶圓固持器驅動部18的指令,即,照相機22的視野151的中心成為之前讀入的配置於N=4、M=1(4列、1行)的半導體晶片111的預測絕對位置。該指令經由晶圓固持器驅動部介面44而作為控制信號被輸入至晶圓固持器驅動部18,晶圓固持器驅動部18使晶圓固持器10於XY方向移動(視野移動步驟)。然後,返回至圖12的步驟S204。
如圖12步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31執行圖1所示的檢測程式36,經由照相機介面42而藉由照相機22拍攝視野171的範圍內所包含的半導體晶片111、半導體晶片112、半導體晶片211,並自其圖像檢測(4列、1行)的半導體晶片111的中心位置。然後,以檢測出的半導體晶片111的中心位置與照相機22的視野171的中心一致的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置。而且,於(4列、1行)的半導體晶片111的中心位置與照相機22的視野171的中心一致之後,作為(4列、1行)的半導體晶片111(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S206所示,執行圖1所示的拾取程式38,以頂出機構21與夾頭19來到進行了 位置檢測的(4列、1行)的半導體晶片111的絕對位置的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置,於位置調整結束之後,輸出拾取半導體晶片111的指令。藉由該指令,頂出機構21向上方移動而將(4列、1行)的半導體晶片111頂出,同時夾頭驅動部20使夾頭19下降而真空吸附半導體晶片111,自晶圓薄片12拾取半導體晶片111(拾取步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S207、步驟S208所示,執行圖1所示的辨識程式40。中央處理單元31判斷位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片111的圖像的下側的圖像(位於5列上的圖像)是半導體晶片的圖像,或是例如如測試元件組晶片60般無法辨識為半導體晶片的圖像或僅為晶圓薄片12而未配置任何物體的圖像。如圖15所示,於半導體晶片111的圖像的下側(位於5列上的圖像)配置有半導體晶片211,故而中央處理單元31辨識半導體晶片的圖像,如圖12的步驟S209所示執行預測位置計算儲存程式37,自該圖像檢測半導體晶片211(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(5列、1行)的半導體晶片211的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S212所示,判斷該列的最終行Mend的半導體晶片的拾取是否已結束,若未結束,則如自圖12的連接端子1至圖13的連接端子1所示,進入至圖13的步驟S213而執行辨識程式40。中央處理單元31判斷位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片111的圖像的拾取 方向側的圖像(位於X方向正側的圖像)是半導體晶片的圖像,或是例如如測試元件組晶片60般無法辨識為半導體晶片的圖像、或僅為晶圓薄片12而未配置任何物體的圖像。如圖15所示,於半導體晶片111的拾取方向側(X方向正側)配置有半導體晶片112,故而中央處理單元31如圖13的步驟S214所示,自其圖像檢測半導體晶片112的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S215所示使圖16所示的照相機22的視野172的中心位置移動至檢測出的半導體晶片112的絕對位置,如圖12的步驟S216所示,使行M僅遞增1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
如圖12的步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31執行圖1所示的檢測程式36,經由照相機介面42而藉由照相機22拍攝圖16所示的視野172的範圍內所包含的半導體晶片112、半導體晶片212、半導體晶片113,並自其圖像檢測(4列、2行)的半導體晶片112的中心位置。然後,以檢測出的半導體晶片112的中心位置與照相機22的視野172的中心一致的方式,藉由晶圓固持器驅動部18而調整晶圓固持器10的XY方向的位置。而且,於(4列、2行)的半導體晶片112的中心位置與照相機22的視野172的中心一致之後,作為(4列、2行)的半導體晶片112(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。
其次,中央處理單元31與之前說明的內容相同,如圖12的步驟S206所示執行拾取程式38,拾取進行了位置檢測的(4列、2行)的半導體晶片112。(拾取步驟)。
其次,中央處理單元31與之前說明的內容相同,如圖12的步驟S207、步驟S208所示,執行辨識程式40,如圖12的步驟S209所示,執行預測位置計算儲存程式37而檢測半導體晶片212(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(5列、2行)的半導體晶片212的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31與之前的說明相同,自圖12的步驟S212進入至圖13的步驟S213,執行辨識程式40,如圖13的步驟S214所示,檢測半導體晶片113的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S215所示,使圖17所示的視野173的中心位置移動至檢測出的半導體晶片113的絕對位置,使行M僅遞增1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
與之前說明的內容相同,如圖12的步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31執行圖1所示的檢測程式36,經由照相機介面42而藉由照相機22拍攝圖17所示的視野173的範圍內所包含的半導體晶片113、半導體晶片114、測試元件組晶片60a,自其圖像檢測(4列、3行)的半導體晶片113的中心位置,使(4列、3行)的半導體晶片113的中心位置與照相機22的視野173的中心一致,作為(4列、3行)的半導體晶片113(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。
其次,中央處理單元31與之前說明的內容相同,如圖12的步驟S206所示,執行圖1所示的拾取程式38,拾取進行了位置檢測的(4列、3行)的半導體晶片113。(拾取步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S207至步驟S211所示,執行圖1所示的辨識程式40、預測位置計算儲存程式37。如圖17所示,於半導體晶片113的圖像的下側(第5列)配置有無半導體晶片的特徵性的形狀、標記等的測試元件組晶片60a,故而中央處理單元31將其圖像判斷為無法辨識為半導體晶片的圖像。而且,中央處理單元31將如圖12的步驟S210所示自圖12的步驟S205中檢測出的(4列、3行)的半導體晶片113(第一半導體晶片)的絕對位置減去Y方向(行方向間距)間距PY而得的位置,如圖12的步驟S211所示作為配置於(5列(N+1列)、3行)的半導體晶片213(第二半導體晶片)的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31與之前的說明相同,自圖12的步驟S212進入至圖13的步驟S213而執行辨識程式40,如圖13的步驟S214所示,檢測半導體晶片114的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S215所示使圖18所示的視野174的中心位置移動至檢測出的半導體晶片114的絕對位置,如圖12的步驟S216所示,使行M僅遞增1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
以下同樣地,如圖18、圖19所示般執行辨識程式40、預測位置計算儲存程式37、檢測程式36、拾取程式38、視野移動程式39來依序拾取半導體晶片114、半導體晶片115,並且將配 置於(5列、4行)的半導體晶片214(第二半導體晶片)的預測絕對位置及配置於(5列、5行)的半導體晶片215的絕對位置作為各自的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
如此,將配置於4列上的半導體晶片如圖15~圖19所示的箭頭55般向X方向正側依序拾取,並且如圖15~圖19所示的虛線箭頭E5所示,檢測或計算位於5列上的各半導體晶片的絕對位置並作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35中。
於將位於4列上的半導體晶片的全部拾取之後,中央處理單元31如圖13的步驟S221所示,判斷是否已拾取至最後的列Nend。於上述說明中,尚未拾取至最終列,故而中央處理單元31如圖8的步驟S223所示,使N僅遞增1,並且將M設置為下一列的初始值Mstart。
以下,如圖20~圖24所示,說明對配置於(5列、6行)的半導體晶片216至配置於(5列、2行)的半導體晶片212進行拾取的步驟。如之前參照圖15~圖19所說明般,配置於4列的半導體晶片的全部被拾取,故而以虛線表示。再者,關於與之前對4列的半導體晶片111~半導體晶片115的拾取進行說明的步驟相同的步驟,明示其步驟名並省略詳細的說明。
如圖12的步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31執行圖1所示的檢測程式36,拍攝視野276的範圍內所包含的半導體晶片216、半導體晶片316、半導體晶片215,自其圖像檢測(5列、6行)的半導體晶片216的中心位置。然後,使檢測出的半導體晶片216的中心位置與照相機22的視野276的中心一 致,作為(5列、6行)的半導體晶片216(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟),如圖12的步驟S206所示,執行圖1所示的拾取程式38,自晶圓薄片12拾取進行了位置檢測的(5列、6行)的半導體晶片216(拾取步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S207、步驟S208所示,執行圖1所示的辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片216的下側配置有半導體晶片316,故而中央處理單元31辨識半導體晶片的圖像,如圖12的步驟S209所示執行預測位置計算儲存程式37,自該圖像檢測半導體晶片316(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(6列、6行)的半導體晶片316的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31進入至圖13的步驟S213,執行圖1所示的辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片216的圖像的拾取方向側(X方向負側)配置有半導體晶片215,故而如圖13的步驟S214所示,自其圖像檢測半導體晶片215的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S215所示,使視野275的中心位置如圖21所示移動至檢測出的半導體晶片215的絕對位置,如圖12的步驟S216所示,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
如圖12的步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元 31拍攝圖21所示的視野275的範圍內所包含的半導體晶片215、半導體晶片315、測試元件組晶片60b,自其圖像檢測(5列、5行)的半導體晶片215的中心位置。然後,使檢測出的半導體晶片215的中心位置與照相機22的視野275的中心一致,作為(5列、5行)的半導體晶片215(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置(檢測步驟)。其次,與之前說明的內容相同,中央處理單元31如圖12的步驟S206所示執行拾取程式38,拾取進行了位置檢測的(5列、5行)的半導體晶片215(拾取步驟)。
其次,中央處理單元31如圖12的步驟S207、步驟S208所示,執行圖1所示的辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片215的下側配置有半導體晶片315,故而中央處理單元31辨識半導體晶片的圖像,如圖12的步驟S209所示執行預測位置計算儲存程式37,自該圖像檢測半導體晶片315(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(6列、5行)的半導體晶片315的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31進入至圖13的步驟S213而執行辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的半導體晶片215的圖像的拾取方向側(X方向負側)未配置半導體晶片214,而配置有測試元件組晶片60b,故而無法將其圖像辨識為半導體晶片的圖像,故而自圖13的步驟S217進入至步驟S218,如圖13的步驟S218所示,讀出於拾取前一列(4列)的半導體晶片114 時儲存於記憶體32的位置資料35的半導體晶片214的預測絕對位置,使圖22所示的照相機22的視野274的中心位置移動至該預測絕對位置,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
如圖12步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31拍攝圖22所示的視野274的範圍內所包含的測試元件組晶片60a、測試元件組晶片60b、半導體晶片314。然而,由於在配置半導體晶片214的位置配置有測試元件組晶片60b,故而中央處理單元31跳過檢測步驟與拾取步驟。
然後,中央處理單元31如圖12的步驟S207、步驟S208所示執行辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的測試元件組晶片60b的下側配置有半導體晶片314,故而中央處理單元31辨識半導體晶片的圖像,如圖12的步驟S209所示執行預測位置計算儲存程式37,自該圖像檢測半導體晶片314(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示將檢測出的絕對位置作為配置下一列的(6列、4行)的半導體晶片314的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31進入至圖13的步驟S213而執行辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的測試元件組晶片60b的圖像的拾取方向側(X方向負側)未配置半導體晶片213,而配置有測試元件組晶片60a,故而無法將該圖像辨識為半導體晶片的圖像。因此,中央處理單元31自圖13的步驟S217進入至步驟S218,如圖13的步驟S218所示,讀出於拾取前一列 (4列)的半導體晶片113時儲存於記憶體32的位置資料35的半導體晶片213的預測絕對位置,使圖23所示的視野273的中心位置移動至該預測絕對位置,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
如圖12的步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31拍攝圖23所示的視野273的範圍內所包含的測試元件組晶片60a、半導體晶片212、半導體晶片313。然而,由於在配置半導體晶片213的位置配置有測試元件組晶片60a,故而中央處理單元31跳過檢測步驟與拾取步驟。
然後,中央處理單元31如圖12的步驟S207、步驟S208所示執行辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的測試元件組晶片60a的下側配置有半導體晶片313,故而中央處理單元31辨識半導體晶片的圖像,如圖12的步驟S209所示執行預測位置計算儲存程式37,自該圖像檢測半導體晶片313(第二半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如圖12的步驟S211所示將檢測出的絕對位置作為配置於下一列的(6列、3行)的半導體晶片313的預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35(預測絕對位置計算儲存步驟)。
其次,中央處理單元31進入至圖13的步驟S213而執行辨識程式40。於位於由照相機22拍攝的圖像的中心的測試元件組晶片60a的圖像的拾取方向側(X方向負側)配置有半導體晶片212,故而中央處理單元31將該圖像辨識為半導體晶片的圖像,如圖13的步驟S214所示,自該圖像檢測半導體晶片212的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置,如 圖12的步驟S215所示使圖24所示的視野274的中心位置移動至檢測出的絕對位置,如圖12的步驟S216所示,使行M僅減少1而自圖13的連接端子3、圖12的連接端子3返回至圖12的S204。
然後,如圖12的步驟S204、步驟S205所示,中央處理單元31拍攝圖24所示的視野272的範圍內所包含的半導體晶片212、半導體晶片211、半導體晶片312,自其圖像檢測(5列、2行)的半導體晶片212的中心位置。然後,使檢測出的半導體晶片212的中心位置與照相機22的視野272的中心一致,作為(5列、2行)的半導體晶片212(第一半導體晶片)的相對於半導體製造裝置100的基準點(未圖示)的絕對位置來檢測該位置檢測步驟),與之前說明的內容相同,如圖12的步驟S206所示執行拾取程式38,拾取進行了位置檢測的(5列、2行)的半導體晶片212(拾取步驟)。
如此,將配置於5列上的半導體晶片如圖20~圖24所示的箭頭56般向X方向負側依序拾取,並且如圖20~圖24所示的虛線箭頭E6所示般檢測或計算位於6列上的各半導體晶片的絕對位置,並將該絕對位置作為預測絕對位置而儲存於記憶體32的位置資料35中。
以上所說明的實施方式亦與之前參照圖1至圖11所說明的實施方式相同,於拾取一列上的半導體晶片(第一半導體晶片)時計算預想位於下一列上的半導體晶片(第二半導體晶片)的絕對位置,並將該絕對位置作為預測絕對位置而儲存於記憶體,基於該儲存的預測絕對位置而使下一列的照相機22的視野移動來進行半導體晶片的拾取。即,基於實際上拾取的半導體晶片 的位置而預測下一列的半導體晶片的位置,使照相機22的視野的中心位置朝向該位置移動,故而即便於未配置半導體晶片時,亦可有效地抑制視野跳轉至正在拾取的列的下一列而殘留正在拾取的列的半導體晶片。
以上所說明的各實施方式中,說明了利用頂出機構21將半導體晶片15自下方頂出並利用夾頭19真空吸附半導體晶片15而自晶圓薄片12拾取半導體晶片15,但拾取半導體晶片15的拾取機構並不限定於此,例如,亦可將開閉自如地安裝有頂面蓋的平台(stage)壓抵於晶圓薄片12的下表面,打開蓋而吸入晶圓薄片12並且利用夾頭19真空吸附半導體晶片15。
再者,以上所說明的各實施方式中,說明於圖式中沿水平方向逐一列地拾取半導體晶片15,但亦可沿行方向逐一行地拾取半導體晶片15。
10‧‧‧晶圓固持器
12‧‧‧晶圓薄片
13‧‧‧環
15‧‧‧半導體晶片
16‧‧‧延伸環
17‧‧‧環按壓件
18‧‧‧晶圓固持器驅動部
19‧‧‧夾頭
20‧‧‧夾頭驅動部
21‧‧‧頂出機構
22‧‧‧照相機
30‧‧‧控制部
31‧‧‧中央處理單元
32‧‧‧記憶體
33‧‧‧控制程式
34‧‧‧控制資料
35‧‧‧位置資料
36‧‧‧檢測程式
37‧‧‧預測位置計算儲存程式
38‧‧‧拾取程式
39‧‧‧視野移動程式
40‧‧‧辨識程式
41‧‧‧夾頭驅動部介面
42‧‧‧照相機介面
43‧‧‧頂出機構介面
44‧‧‧晶圓固持器驅動部介面
45‧‧‧資料匯流排
100‧‧‧半導體製造裝置
X、Y、Z‧‧‧方向

Claims (6)

  1. 一種半導體製造裝置,將格子狀地排列於晶圓薄片上的多個半導體晶片逐一列地進行拾取,其特徵在於包括:照相機,拍攝各上述半導體晶片的圖像;拾取機構,自晶圓薄片拾取各上述半導體晶片;以及控制部,自藉由上述照相機拍攝的各上述半導體晶片的圖像來檢測各上述半導體晶片的各位置,且上述控制部包括:記憶體,儲存各上述半導體晶片的各位置;檢測單元,以配置於一列上的多個第一半導體晶片依序成為上述照相機的視野的中心的方式使上述照相機的視野移動,而依序檢測一列上的各上述第一半導體晶片的相對於上述拾取裝置的基準點的各絕對位置;拾取單元,藉由上述拾取機構而依序拾取利用上述檢測單元檢測出各絕對位置的各上述第一半導體晶片;預測位置計算儲存單元,基於利用上述檢測單元檢測出的各上述第一半導體晶片的各上述絕對位置,而計算下一列上配置於與各上述第一半導體晶片對應的位置附近的各第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將各上述預測絕對位置儲存於上述記憶體;以及視野移動單元,以儲存於上述記憶體的各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置依序成為上述照相機的視野的中心的方式使上述照相機的視野移動。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的半導體製造裝置,其中上述 照相機拍攝配置於多列的各上述半導體晶片的圖像,且上述控制部包括:辨識單元,於使上述照相機的視野依序移動時,辨識於下一列上在對應於各上述第一半導體晶片的位置的附近是否存在各上述第二半導體晶片,上述預測位置計算儲存單元於藉由上述辨識單元無法辨識各上述第二半導體晶片的存在時,基於利用上述檢測單元檢測出的各上述第一半導體晶片的各絕對位置而計算各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將各上述預測絕對位置儲存於上述記憶體,於藉由上述辨識單元可辨識出各上述第二半導體晶片的存在時,檢測各上述第二半導體晶片的相對於上述拾取裝置的基準點的各絕對位置,並將各上述絕對位置作為各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置而儲存於上述記憶體。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的半導體製造裝置,其中上述預測位置計算儲存單元將自利用上述檢測單元檢測出的各上述第一半導體晶片的各絕對位置,僅偏移各上述第一半導體晶片與各上述第二半導體晶片之間的行方向間距而得的位置作為各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置。
  4. 一種半導體裝置的製造方法,將格子狀地排列於晶圓薄片上的多個半導體晶片逐一列地拾取的半導體裝置的製造方法,其特徵在於包括:準備半導體製造裝置的步驟,上述半導體製造裝置包括照相機,拍攝各上述半導體晶片的圖像;拾取機構,自晶圓薄片拾取各上述半導體晶片;以及控制部,自藉由上述照相機拍攝的各上 述半導體晶片的圖像來檢測各上述半導體晶片的各位置,且包含儲存各上述半導體晶片的各位置的記憶體;檢測步驟,以配置於一列上的多個第一半導體晶片依序成為上述照相機的視野的中心的方式使上述照相機的視野移動,而依序檢測一列上的各上述第一半導體晶片的相對於上述拾取裝置的基準點的各絕對位置;拾取步驟,藉由上述拾取機構來依序拾取於上述檢測步驟中檢測出各絕對位置的各上述第一半導體晶片;預測位置計算儲存步驟,基於在上述檢測步驟中檢測出的各上述第一半導體晶片的各上述絕對位置,而計算下一列上配置於與各上述第一半導體晶片對應的位置附近的各第二半導體晶片的各預測絕對位置,並將各上述預測絕對位置儲存於上述記憶體;以及視野移動單元,以儲存於上述記憶體的各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置依序成為上述照相機的視野的中心的方式使上述照相機的視野移動。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的半導體裝置的製造方法,其中上述照相機拍攝配置於多列的各上述半導體晶片的圖像,且上述半導體裝置的製造方法包括辨識步驟,該辨識步驟於使上述照相機的視野依序移動時,辨識於下一列上在對應於各上述第一半導體晶片的位置的附近是否存在各上述第二半導體晶片,上述預測位置計算儲存步驟於在上述辨識步驟中無法辨識各上述第二半導體晶片的存在時,基於在上述檢測步驟中檢測出的各上述第一半導體晶片的各絕對位置而計算各上述第二半導體晶片的各預測 絕對位置,並將各上述預測絕對位置儲存於上述記憶體,且於在上述辨識步驟中可辨識各上述第二半導體晶片的存在時,檢測各上述第二半導體晶片的相對於上述拾取裝置的基準點的各絕對位置,並將各上述絕對位置作為各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置而儲存於上述記憶體。
  6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述的半導體裝置的製造方法,其中上述預測位置計算儲存步驟將自於上述檢測步驟中檢測出的各上述第一半導體晶片的各絕對位置,僅偏移各上述第一半導體晶片與各上述第二半導體晶片之間的行方向間距而得的位置作為各上述第二半導體晶片的各預測絕對位置。
TW103118900A 2013-08-14 2014-05-30 半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法 TWI570823B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013168437 2013-08-14

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201507047A true TW201507047A (zh) 2015-02-16
TWI570823B TWI570823B (zh) 2017-02-11

Family

ID=52468248

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103118900A TWI570823B (zh) 2013-08-14 2014-05-30 半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6159406B2 (zh)
KR (1) KR101780359B1 (zh)
CN (1) CN105229779B (zh)
SG (1) SG11201601727WA (zh)
TW (1) TWI570823B (zh)
WO (1) WO2015022861A1 (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107452641B (zh) * 2016-05-31 2020-10-23 细美事有限公司 从晶圆上拾取裸芯的方法
JP6623310B2 (ja) 2016-12-06 2019-12-18 株式会社Fuji ダイ部品供給装置
JP7010633B2 (ja) * 2017-09-19 2022-01-26 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102145848B1 (ko) * 2018-11-02 2020-08-19 세메스 주식회사 다이 이송 모듈 및 이를 포함하는 다이 본딩 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3822923B2 (ja) * 1995-06-27 2006-09-20 キヤノンマシナリー株式会社 ピックアップ装置及びチップ位置決め方法
US6506614B1 (en) * 2002-01-29 2003-01-14 Tyco Electronics Corporation Method of locating and placing eye point features of a semiconductor die on a substrate
JP4232511B2 (ja) * 2003-04-03 2009-03-04 日本電気株式会社 半導体製造装置
KR100833716B1 (ko) * 2007-03-30 2008-05-29 (주) 인텍플러스 반도체 소자 비전 검사 시스템
JP2009064937A (ja) * 2007-09-06 2009-03-26 Shinkawa Ltd 半導体ダイのピックアップ装置及びピックアップ方法
KR101032721B1 (ko) * 2008-01-03 2011-05-06 (주)제이티 반도체칩검사장치 및 그 방법
WO2011128981A1 (ja) 2010-04-13 2011-10-20 パイオニア株式会社 部品移送装置及び方法
CN103210483B (zh) 2010-09-15 2016-06-29 麦克罗尼克迈达塔有限责任公司 用于在工件上生成图案的设备
JP2013004794A (ja) * 2011-06-17 2013-01-07 Renesas Electronics Corp 半導体チップのピックアップ装置、ピックアップ方法、ダイボンディング装置、ダイボンディング方法、半導体装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015022861A1 (ja) 2017-03-02
CN105229779A (zh) 2016-01-06
CN105229779B (zh) 2018-01-02
KR20160043002A (ko) 2016-04-20
KR101780359B1 (ko) 2017-09-21
TWI570823B (zh) 2017-02-11
JP6159406B2 (ja) 2017-07-05
SG11201601727WA (en) 2016-04-28
WO2015022861A1 (ja) 2015-02-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101683576B1 (ko) 시각 시스템을 구비한 웨이퍼 핸들러
TWI570823B (zh) 半導體製造裝置以及半導體裝置的製造方法
JP2016195194A (ja) 半導体製造装置および半導体片の製造方法
CN110729210B (zh) 半导体制造装置以及半导体器件的制造方法
CN108364880B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
JP2016103574A (ja) 分類装置
JP6190201B2 (ja) チップ検出装置及びチップ検出方法
JP5761771B2 (ja) ウエハマップデータ照合システム
KR101732467B1 (ko) 본딩 장치 및 본딩 장치에 의한 반도체 다이의 파손 검출 방법
US11062925B2 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device
KR20160024753A (ko) 점착 테이프 박리 방법 및 점착 테이프 박리 장치
KR20180124585A (ko) 다이 픽업을 위한 정렬 좌표 설정 방법 및 이를 이용하는 다이 픽업 방법
JP4949937B2 (ja) 部品分割取り出し装置、及び部品分割取り出し方法
KR101362548B1 (ko) 다이 본딩 공정에서 다이를 검사하는 방법
CN108878315B (zh) 检查顶针的方法
KR20110069214A (ko) 웨이퍼의 위치 확인 방법 및 이를 이용한 반도체 칩 분리 방법
CN113252687B (zh) 一种电子元件邦定装置
JP5888464B1 (ja) 半導体製造装置および半導体片の製造方法
JP5924446B1 (ja) 半導体製造装置および半導体片の製造方法
KR20170036222A (ko) 다이 검사 방법
CN113252686B (zh) 一种电子元件邦定方法
KR101454666B1 (ko) 반도체 비전 검사장치 및 이를 갖는 반도체 검사 시스템
JP6073654B2 (ja) ピックアップ方法およびピックアップ装置
CN117524945B (zh) 一种扩膜后晶圆检查测试一体机及检查方法
KR102336913B1 (ko) 다이 이송 방법