TW201500189A - 可撓性玻璃基板之溫度輔助處理 - Google Patents

Abstract

一種處理可撓性玻璃基板之方法包括以下步驟：提供基板堆疊，該基板堆疊包含接合至載體基板之可撓性玻璃基板。使用將熱傳遞至可撓性玻璃基板之周邊部分的加熱工具將該周邊部分加熱至大於可撓性玻璃基板之裝置部分之溫度的溫度，從而在周邊部分與裝置部分之間形成熱梯度且將拉力引入周邊部分內。拉力沿劃痕線分離可撓性玻璃基板之裝置部分與周邊部分。

Description

可撓性玻璃基板之溫度輔助處理 【相關申請案之交叉引用】

本申請案主張2013年4月29日申請之美國臨時申請案第61/817039號之優先權權益，本文依賴該案之內容且該案內容全文以引用之方式併入本文中。

本發明係關於用於處理載體基板上之薄基板之設備及方法，且更具體言之，係關於載體基板上之可撓性玻璃之薄基板。

現今，可撓性塑膠膜常用於與光伏打(PV)、有機發光二極體(OLED)、液晶顯示器(LCD)、觸控感測器、可撓性電子產品及圖案化薄膜電晶體(TFT)應用相關聯之可撓性電子裝置中。

可撓性玻璃基板提供優於可撓性塑膠技術之多種技術優點。一種技術優點為玻璃用作濕氣或氣體障壁(OLED顯示器、OLED發光裝置及有機光伏打裝置中之主要降級機制)的能力。第二種優點為可撓性玻璃基板之經由減小或消除一或多個封裝基板層來減少總體封裝大小(厚度)及重量的可 能性。可撓性玻璃基板之其他優點包括光學透射、尺寸穩定性、熱性能及表面品質中之益處。

由於電子顯示行業對於較薄/可撓性玻璃基板(小於0.3mm厚)之需求，故面板製造商面臨處理及適應較薄/可撓性玻璃基板之許多挑戰。一種選項係處理較厚玻璃片，接著蝕刻或拋光面板成較薄總體淨厚度。此舉使得能夠基於0.3mm厚或更厚之基板而使用現有面板製造基礎設施，但在製程結束時添加處理成本，連同潛在產量減少。第二種方法係重造現有面板製程用於較薄基板。製程中之玻璃損耗係主要干擾，且將需要大量資金用於基於非支撐的可撓性玻璃基板最小化片至片製程中的處理損耗。第三種方法係利用捲軸式處理技術或基於用於薄可撓性玻璃基板之輥處理的技術。

需要的是載體方法，該載體方法基於0.3mm或更厚之剛性基板利用製造商之現有主要基礎設施且使得處理薄可撓性玻璃基板成為可能，亦即，具有不大於約0.3mm厚之厚度的玻璃。在載體方法中，可撓性玻璃或可撓性玻璃之部分必須自載體抽取。然而，在抽取時，電子裝置或其他結構已建立於可撓性玻璃上。因此，存在對在不損壞已建立於可撓性玻璃上之結構的情況下抽取所需部分的方法的需要。

本抽取概念涉及用加熱裝置經由載體基板僅加熱可撓性玻璃基板之一部分(例如，周邊)。加熱裝置在可撓性玻璃基板之裝置部分與可撓性玻璃基板之周邊部分之間形成足夠溫度梯度，而不使裝置部分過熱，以分離可撓性玻璃基板 之裝置部分與周邊部分。

本方法之一個商業優勢為製造商將能夠利用製造商之處理設備的現有資本投資，同時獲得用於例如PV、OLED、LCD、觸控感測器、可撓性電子產品及圖案化薄膜電晶體(TFT)電子產品之薄玻璃片的優勢。

根據第一態樣，一種處理可撓性玻璃基板之方法包含以下步驟：提供基板堆疊，該基板堆疊包含接合至載體基板之可撓性玻璃基板；及使用將熱傳遞至可撓性玻璃基板之周邊部分的加熱工具將該周邊部分加熱至大於可撓性玻璃基板之裝置部分之彼溫度的溫度，從而在周邊部分與裝置部分之間形成熱梯度且將拉力引入周邊部分內，拉力沿劃痕線分離可撓性玻璃基板之裝置部分與周邊部分，從而最小化裝置部分之邊緣由於周邊部分之熱膨脹導致的損壞。

根據第二態樣，提供態樣1之方法，該方法進一步包含以下步驟：使用熱源加熱加熱工具，加熱工具將熱傳遞至載體基板。

根據第三態樣，提供態樣2之方法，其中傳遞熱之步驟係藉由對流。

根據第四態樣，提供態樣1至3中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：在周邊部分之加熱期間，使用隔熱護罩抑制裝置部分之加熱。

根據第五態樣，提供態樣1至4中任一態樣之方法， 該方法進一步包含以下步驟：沿周邊部分與裝置部分之間的邊界劃痕可撓性玻璃基板。

根據第六態樣，提供態樣1至5中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：將可撓性玻璃基板接合至載體基板。

根據第七態樣，提供態樣6之方法，該方法包含以下步驟：在周邊部分內將可撓性玻璃基板接合至載體基板，周邊部分中之可撓性玻璃基板與載體基板之間的接合強度大於裝置部分中之可撓性玻璃基板與載體基板之間的接合強度。

根據第八態樣，提供態樣1至7中任一態樣之方法，其中將可撓性玻璃基板之周邊部分加熱至大於裝置部分之彼溫度之溫度的步驟包括以下步驟：將周邊部分加熱至大於約100℃之溫度，裝置部分具有小於100℃之溫度。

根據第九態樣，一種處理可撓性玻璃基板之方法包含以下步驟：提供基板堆疊，該基板堆疊包含接合至載體基板之可撓性玻璃基板；沿劃痕線劃痕可撓性玻璃基板，劃痕線界定可撓性玻璃基板之周邊部分及裝置部分；將可撓性玻璃基板之周邊部分加熱至大於約100℃之溫度，裝置部分具有小於100℃之溫度，從而在周邊部分與裝置部分之間形成熱梯度；及 沿劃痕線分離可撓性玻璃基板之裝置部分與周邊部分。

根據第十態樣，提供態樣9之方法，其中加熱可撓性玻璃基板之周邊部分之步驟包含以下步驟：使用熱源加熱加熱工具，加熱工具將熱傳遞至載體基板。

根據第十一態樣，提供態樣9或態樣10之方法，其中加熱可撓性玻璃基板之周邊部分的步驟係藉由對流。

根據第十二態樣，提供態樣9至11中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：在加熱周邊部分期間，使用隔熱護罩抑制裝置部分之加熱。

根據第十三態樣，提供態樣9至12中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：將可撓性玻璃基板接合至載體基板。

根據第十四態樣，提供態樣13之方法，該方法包含以下步驟：在周邊部分內將可撓性玻璃基板接合至載體基板，周邊部分中之可撓性玻璃基板與載體基板之間的接合強度大於裝置部分中之可撓性玻璃基板與載體基板之間的接合強度。

根據第十五態樣，一種處理可撓性玻璃基板之方法包含以下步驟：將加熱工具定位於加熱板上，加熱工具包括至少一個壁部件，該至少一個壁部件具有與加熱板接觸之至少一個下支撐表面及至少一個上支撐表面；將基板堆疊定位於加熱工具之上支撐表面上，該基 板堆疊包含接合至載體基板之可撓性玻璃基板；及藉由使用加熱板加熱加熱工具以將可撓性玻璃基板之周邊部分加熱至大於可撓性玻璃基板之裝置部分之彼溫度的溫度，從而在周邊部分與裝置部分之間形成熱梯度且將拉力引入周邊部分內。

根據第十六態樣，提供態樣15之方法，其中加熱可撓性玻璃基板之周邊部分的步驟係藉由對流。

根據第十七態樣，提供態樣15或態樣16之方法，該方法進一步包含以下步驟：在加熱周邊部分期間，使用隔熱護罩抑制裝置部分之加熱。

根據第十八態樣，提供態樣15至17中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：沿周邊部分與裝置部分之間的邊界劃痕可撓性玻璃基板。

根據第十九態樣，提供態樣15至18中任一態樣之方法，該方法進一步包含以下步驟：將可撓性玻璃基板接合至載體基板。

根據第二十態樣，提供態樣19之方法，該方法包含以下步驟：在周邊部分內將可撓性玻璃基板接合至載體基板，周邊部分中之可撓性玻璃基板與載體基板之間的接合強度大於裝置部分中之可撓性玻璃基板與載體基板之間的接合強度。

根據第二十一態樣，提供態樣15至20中任一態樣之方法，其中將可撓性玻璃基板之周邊部分加熱至大於裝置 部分之彼溫度之溫度的步驟包括以下步驟：將周邊部分加熱至大於約100℃之溫度，裝置部分具有小於100℃之溫度。

將在隨後的詳細描述中闡述額外特徵及優點，並且對於熟習此項技術者而言，額外特徵及優點將部分地自描述中顯而易見或藉由實踐書面描述及附圖中所例示且如隨附申請專利範圍中所界定之本發明來認識到。應理解，前文一般描述及下文詳細描述兩者僅為例示本發明且意在提供用於理解主張之本發明之性質與特性的概述或框架。

包括隨附圖式以提供本發明之原理之進一步理解，且隨附圖式併入本說明書中並構成本說明書的一部分。圖式圖示一或多個實施例，並與描述一起用以實例之方式解釋本發明的原理及操作。應理解，本說明書及圖式中揭示之本發明之各種特徵可以任何及所有組合使用。

10‧‧‧基板堆疊

12‧‧‧載體基板

14‧‧‧玻璃支撐表面

16‧‧‧支撐表面

18‧‧‧周邊

20‧‧‧可撓性玻璃基板

22‧‧‧第一寬表面

24‧‧‧第二寬表面

25‧‧‧組合厚度

26‧‧‧周邊

28‧‧‧厚度

30‧‧‧接合層

32‧‧‧周邊部分

34‧‧‧裝置部分

40‧‧‧接合及裝置部分抽取方法

42‧‧‧步驟

44‧‧‧步驟

46‧‧‧步驟

47‧‧‧能量輸入

48‧‧‧步驟

49‧‧‧遮熱組件

50‧‧‧步驟

52‧‧‧步驟

60‧‧‧破裂線

100‧‧‧加熱設備

102‧‧‧熱源

104‧‧‧熱板

106‧‧‧加熱工具

108‧‧‧加熱及支撐部件

110‧‧‧上支撐表面

112‧‧‧下支撐表面

114‧‧‧外周邊表面

116‧‧‧內周邊表面

118‧‧‧壁部件

120‧‧‧隔熱護罩

122‧‧‧支撐板

124‧‧‧第一隔熱層

126‧‧‧第二隔熱層

128‧‧‧表面

130‧‧‧表面

132‧‧‧間隙

134‧‧‧間隙

150‧‧‧基板堆疊

152‧‧‧箭頭

154‧‧‧載體基板

156‧‧‧可撓性玻璃基板

158‧‧‧周邊部分

160‧‧‧裝置部分

162‧‧‧裝置

164‧‧‧破裂線/劃痕線

170‧‧‧箭頭

172‧‧‧箭頭

第1圖為包括由載體基板承載之可撓性玻璃基板之基板堆疊的實施例的側視圖；第2圖為第1圖之基板堆疊之分解透視圖；第3圖圖示處理第1圖之可撓性玻璃基板及基板堆疊之方法的實施例；第4圖圖示加熱設備之示例性實施例；第5圖圖示第4圖之加熱設備的單獨透視圖；第6圖為第4圖之加熱設備之操作的示意圖；及第7圖圖示使用第4圖之加熱設備的示例性玻璃溫度分佈。

本文中所描述之實施例大體上係關於可撓性玻璃基板(在本文中有時稱為裝置基板)之處理。可撓性玻璃基板可為基板堆疊之一部分，基板堆疊大體上包括載體基板及接合至載體基板之可撓性玻璃基板。如下將更詳細所述，可撓性玻璃基板之一部分(例如，周邊)由加熱裝置經由載體基板加熱。加熱裝置在可撓性玻璃基板之裝置部分與可撓性玻璃基板之周邊部分之間形成足夠溫度梯度，而不使裝置部分過熱。可撓性玻璃基板之裝置部分經保護免受一定量之加熱且保持在相對低溫下，以避免損壞裝置部分，而可撓性玻璃基板之周邊部分經加熱以引起裝置部分周圍之膨脹且拉緊以自載體基板取出。僅為了方便且容易描述，在整個說明書及圖式中，任何一個特定可撓性玻璃片上僅圖示一個裝置部分及一個周邊。然而，可能存在任何適當數目之裝置部分，包括安置於可撓性玻璃片上之裝置部分陣列，其中裝置部分中之一或多者由周邊部分圍繞。換言之，周邊部分在可撓性玻璃片之外邊界處不必與周邊同延，雖然在一些情況下，可能如此。

參看第1圖及第2圖，基板堆疊10包括載體基板12及可撓性玻璃基板20。載體基板12具有玻璃支撐表面14、相對支撐表面16及周邊18。可撓性玻璃基板20具有第一寬表面22、相對之第二寬表面24及周邊26。可撓性玻璃基板20可為「極薄」，具有約0.3mm或更小之厚度28，包括(但不限於)以下厚度：例如，約0.01mm至0.05mm、約0.05mm 至0.1mm、約0.1mm至0.15mm及約0.15mm至0.3mm，或例如，0.3mm、0.29mm、0.28mm、0.275mm、0.27mm、0.26mm、0.25mm、0.24mm、0.23mm、0.225mm、0.20mm、0.21mm、0.20mm、0.19mm、0.18mm、0.17mm、0.16mm、0.15mm、0.14mm、0.13mm、0.12mm、0.11mm、0.10mm、0.09mm、0.08mm、0.07mm、0.06mm、0.05mm、0.04mm、0.03mm、0.02mm或0.01mm。

可撓性玻璃基板20在可撓性玻璃基板20之第一寬表面22處使用接合層30接合至載體基板12之玻璃支撐表面14。接合層可由任何適當接合材料形成，例如，有機接合材料或無機接合材料。如圖所示，接合層30之接合材料定位於載體基板12及可撓性玻璃基板20之周邊18及周邊26。接合材料之位置可界定可撓性玻璃基板20在接合材料上方之周邊部分32及位於周邊部分32內之中心或裝置部分34。當載體基板12及可撓性玻璃基板20藉由接合層30彼此接合時，單獨與可撓性玻璃基板20之厚度相比，基板堆疊10之組合厚度25可與具有增加之厚度的單一玻璃基板相同，此厚度可適用於與現有裝置處理基礎設施一起使用。例如，若裝置處理基礎設施之處理設備經設計用於0.7mm之片，且可撓性玻璃基板20具有0.3mm之厚度，則載體基板12之厚度可經選擇為某種程度上不大於0.4mm，例如，視接合層30之厚度而定。然而，在一些實施例中，可不使用接合層30。例如，可撓性玻璃基板20可使用靜電力、共價力或凡得瓦爾力直接接合至載體基板12。載體基板12可為表面改質(例如，蝕刻、 刻痕等)間隔物或其他材料，例如，各種塗層(例如，黏合劑或對可撓性玻璃基板20具有降低之黏附力的其他材料)可塗覆於所選位置處(例如，一或多個裝置部分32下方)，以在彼等區域中抑制可撓性玻璃基板20與載體基板12之間的接合。

載體基板12可具有任何適當材料(包括例如玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷)，並且可為透明的或可不為透明的。若載體基板12由玻璃製成，則載體基板12可具有任何適當組成物，包括鋁矽酸鹽、硼矽酸鹽、鋁硼矽酸鹽、鈉鈣矽酸鹽，且可視載體基板12之最終應用為含鹼或不含鹼的。載體基板12之厚度可為約0.2mm至3mm，例如，0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.65mm、0.7mm、1.0mm、2.0mm或3mm，且該厚度可視可撓性玻璃基板20之厚度28而定，如上所述。另外，載體基板12可由一個層(如圖所示)或接合在一起以形成基板堆疊10之一部分的多個層(包括多個薄片)製成。

本文中描述之可撓性玻璃基板20可具有約0.3mm或更小之厚度，包括(但不限於)以下厚度：例如，約0.01mm至0.05mm、約0.05mm至0.1mm、約0.1mm至0.15mm、約0.15mm至0.3mm，包括0.3mm、0.275mm、0.25mm、0.225mm、0.2mm、0.19mm、0.18mm、0.17mm、0.16mm、0.15mm、0.14mm、0.13mm、0.12mm、0.11mm、0.10mm、0.09mm、0.08mm、0.07mm、0.06mm、0.05mm、0.04mm、0.03mm、0.02mm或0.01mm。可撓性玻璃基板可由玻璃、 玻璃陶瓷、陶瓷材料或以上各者之複合物形成；僅為了方便參看，術語「可撓性玻璃基板」或「玻璃層」可用於整個說明書中，其中，作為替代，此基板或層可由任何該等其他材料製成。形成高品質可撓性玻璃基板之融合製程(例如，下拉製程)可用於形成可撓性玻璃基板。當與由其他方法產生之玻璃片相比時，融合製程中產生之可撓性玻璃基板可具有擁有優良平面度及光滑度之表面。美國專利第3,338,696號及第3,682,609號中描述融合製程。其他適當可撓性玻璃基板形成方法包括浮法製程、上拉製法及狹槽拉製法。可撓性玻璃基板20可具有與載體基板12相同之大小及/或形狀或具有不同之大小及/或形狀。

參看第3圖，接合及裝置部分抽取方法40圖示為可撓性玻璃基板20之處理的一部分。在步驟42處，載體基板12及可撓性玻璃基板20係基於例如載體基板12及可撓性玻璃基板20之大小、厚度、材料及/或最終使用而選擇。一旦選擇載體基板12及可撓性玻璃基板20，則在步驟44處，接合層30可塗覆至可撓性玻璃基板20之玻璃支撐表面14及第一寬表面22中之一者或兩者的周邊(及/或其他位置)。或者，可撓性基板20可直接接合至載體基板12，如上所述。任何適當方法可用於塗覆接合層30，例如，加壓塗覆中之一或多者，例如，經由噴嘴、擴散、熔化、旋轉澆鑄、噴塗、浸漬、真空或大氣沈積等。

在步驟46處，可撓性玻璃基板20使用接合層30黏附或以其他方式接合至載體基板12。為實現可撓性玻璃基板 20與載體基板12之間的所需接合強度，形成接合層30之接合材料可經加熱、冷卻、乾燥、與其他材料混合、反應誘發，例如，可施加壓力。為實現可撓性玻璃基板20之裝置部分處減少的接合強度，任何適當可釋放材料可用於表面改變載體基板12。如本文中所使用，「接合強度」係指動態剪切強度、動態剝離強度、靜態剪切強度、靜態剝離強度及以上各者之組合中的任何一或多者。例如，剝離強度為以剝離模式藉由施加至可撓性玻璃基板及載體基板中之一者或兩者的應力引發破裂(靜態)及/或保持特定破裂率(動態)所必需之每單位寬度力。剪切強度為以剪切模式藉由施加至可撓性玻璃基板及載體基板中之一者或兩者的應力引發破裂(靜態)及/或保持特定破裂率(動態)所必需之每單位寬度力。任何適當方法可用於決定接合強度，包括任何適當剝離及/或剪切強度測試。

步驟48及步驟50係關於自可撓性玻璃基板20抽取裝置及/或自載體基板12脫離裝置，以使得可撓性玻璃基板20之裝置部分可自載體基板12移除。在自載體基板12釋放可撓性玻璃基板20的裝置部分之前及/或之後，可撓性玻璃基板20可例如在形成顯示裝置時經處理，該顯示裝置例如LCD、OLED或TFT電子產品或其他電子裝置，例如，觸控感測器或光伏打。例如，電組件或濾色器可應用於可撓性玻璃基板20之第二寬表面24(第1圖及第2圖)。另外，最終電子組件可在自載體基板12釋放所需部分之前與可撓性玻璃基板20組裝或組合。例如，額外膜或玻璃基板可積層至可撓 性玻璃基板20之表面或電組件(例如，可撓性電路或IC)可經接合。一旦可撓性玻璃基板20經處理，則能量輸入47(熱能)可選擇性地應用於整個載體基板12，從而在步驟48處加熱可撓性玻璃基板20上之周邊部分32。遮熱組件49可用於限制可撓性玻璃基板20之裝置部分34的加熱。

在步驟50處，溫度梯度形成於裝置部分34與周邊部分32之間的可撓性玻璃基板20中，從而導致熱膨脹。劃痕線或破裂線60可在破裂位置處提供於可撓性玻璃基板20中。在步驟52處，裝置部分34可沿破裂線60自周邊部分32抽取。

參看第4圖，圖示加熱設備100之示例性實施例。加熱設備100包括例如由熱板104提供之熱源102及靠在熱板104上之加熱工具106。亦參看單獨圖示加熱工具106之第5圖，加熱工具106包括具有上支撐表面110及下支撐表面112之加熱及支撐部件108。上支撐表面110將上支撐表面110上之基板堆疊10支撐在支撐表面16處。下支撐表面112可與熱板104接觸。外周邊表面114及內周邊表面116在上支撐表面110與下支撐表面112之間延伸。類似於可撓性玻璃基板上之裝置部分的數目，可能存在任何適當數目，包括內周邊表面與圍繞任何給定可撓性玻璃片上之裝置部分的熱周邊部分匹配的數目。

再次參看第4圖，加熱工具106包括加熱及支撐部件108，該加熱及支撐部件108包括壁部件118。在第4圖及第5圖圖示之實施例中，存在形成略呈矩形或方形加熱及支 撐部件108之四個壁部件118；然而，其他形狀係可能的，例如，圓形或環形。例如，連續環形或橢圓形壁部件可用於形成加熱及支撐部件的上支撐表面。進一步，壁部件118可界定任何數目之形狀，例如，形狀陣列。換言之，第5圖中之配置可在較大區域中重複，視待製造之裝置的大小及可撓性玻璃基板的大小而定。另外，雖然壁部件118為互連且連續的，但可能存在大於或小於四個壁部件，且該等壁部件可不直接連接以形成不連續上支撐表面。

隔熱護罩120在壁部件118之間延伸。隔熱護罩120包括：支撐板122，該支撐板122在壁部件118之間延伸且整體連接至壁部件118；第一隔熱層124，該第一隔熱層124面向可撓性玻璃基板120；及第二隔熱層126，該第二隔熱層126面向熱板104。第一隔熱層124及第二隔熱層126可在支撐板122之整個相對表面128及表面130上方延伸且各自可具有防導電、防對流及/或防輻射性質。如可見，隔熱護罩120可垂直定位在上支撐表面110與下支撐表面112之間。此設置可在隔熱護罩120與熱板104之間及在隔熱護罩120與載體基板12(或在一些情況下，或者，可撓性玻璃基板20)之間提供間隙132及間隙134，該等間隙可用於進一步隔離可撓性玻璃基板120之裝置部分34與熱板104。

加熱工具106可藉由任何適當方法及由任何適當材料形成。例如，加熱及支撐部件108及支撐板122可例如經由澆鑄、衝壓及/或機械加工由相同(例如，鋁)或不同材料一起形成。第一隔熱層126可由任何適當絕緣材料或例如玻 璃、聚合物、泡沫、箔等之材料的組合形成。

參看第6圖，示意性圖示加熱設備100自載體基板12抽取可撓性玻璃基板20之至少一部分的操作。加熱工具106圖示為靠在熱源102之熱板104上。加熱工具106可在熱板104上支撐於下支撐表面112之上，該下支撐表面112由加熱支撐部件108及壁部件118提供。基板堆疊150可定位於由包括壁部件118之加熱及支撐部件108提供的上支撐表面110上。隔熱護罩120在壁部件118中之每一者之間延伸，且定位在上支撐表面110與下支撐表面112之間且與上支撐表面110及下支撐表面112兩者垂直間隔，從而在隔熱護罩上方及下方提供間隙132及間隙134。

加熱熱板104使加熱及支撐部件108受熱。加熱及支撐部件108之加熱可主要經由壁部件118與熱板104之間的接觸(亦即，傳導)發生。然而，加熱及支撐部件108之加熱可使用對流及/或輻射發生，視使用之熱源的類型及製造壁部件118之材料而定。由導熱材料(例如，鋁)製成之壁部件118沿由箭頭152表示之路徑將熱朝向基板堆疊150之載體基板154傳導。熱經進一步傳導穿過載體基板154至可撓性玻璃基板156。在此實施例中，可撓性玻璃基板156在可撓性玻璃基板156之周邊部分158處直接接合至載體基板154(例如，使用，凡得瓦爾或靜電接合)。可撓性玻璃基板156之裝置部分160可相對不接合至載體基板154，以使得裝置部分160之間的可撓性玻璃基板156與可撓性玻璃基板156之周邊部分158的分離可允許自載體基板154抽取裝置部分 158。

如可見，可撓性玻璃基板156可經處理以在抽取裝置部分160之前包括一或多個所需裝置162(例如，LCD、OLED或TFT電子產品)。破裂線或劃痕線164可提供在裝置部分160周圍(例如，使用劃線或劃痕輪，或經由鐳射劃線)，從而界定周邊部分158與裝置部分160之間的邊界以促進自周邊部分158移除裝置部分160。當可撓性玻璃基板156之周邊部分158加熱時，在裝置部分160與周邊部分158之間形成熱梯度。此熱梯度係由於增加之熱傳遞至可撓性玻璃基板156之周邊部分158及減少之熱傳遞至裝置部分160，此係由於隔熱護罩120及間隙132及間隙134之存在，該等間隙可由氣體(例如，空氣)填充。熱梯度導致箭頭170及箭頭172之方向上的熱拉緊，如此導致裝置部分160沿劃痕線164自周邊部分158分離。

第7圖圖示使用熱視覺攝影機(FLIR)所取之示例性玻璃溫度分佈，圖示了以類似於以上第6圖中描述之方式加熱之0.7mm的EAGLE XG^®玻璃基板的周邊部分的高溫周邊。具有隔熱護罩之鋁加熱工具在設置為350℃之熱板上加熱。如藉由第7圖可見，圖示約150℃之相對高溫周邊部分連同具有約64℃之相對低溫中心部分。

可撓性玻璃基板之上述溫度輔助處理利用誘發可撓性玻璃基板之周邊部分的熱膨脹之加熱設備抽取可撓性玻璃基板的裝置部分，如此可在抽取製程期間降低對裝置部分之邊緣損壞的可能性。包括加熱工具之加熱設備可藉由降低分 離可撓性玻璃基板之裝置部分與載體基板所需之力而簡化抽取製程。另外或或者，在切割之後及抽取期間，加熱設備及抽取製程減少由部分邊緣或者摩擦玻璃之相對邊緣造成的對抽取部分之邊緣損壞。因此，本文中描述之概念可最小化部分邊緣摩擦、保持邊緣強度及提高抽取製程可靠性。製造商可利用製造商之處理設備的現有資本投資，同時獲得使用可撓性玻璃基板之優勢。可撓性玻璃基板之裝置部分之提高的邊緣強度可由本文中描述之抽取製程造成。使用加熱工具可降低由於熱源之類型及設計而損壞可撓性玻璃基板之可能性。

在先前詳細描述中，出於解釋及非限制之目的，闡述揭示具體細節之示例性實施例以提供對本發明之各種原理的透徹理解。然而，將對受益於本揭示案之一般技術者顯而易見的是，可在脫離本文中揭示之具體細節之其他實施例中實踐本發明。此外，可省略對熟知裝置、方法及材料之描述，以免模糊對本發明之各種原理之描述。最後，在任何適用的情況下，相同元件符號係指相同元件。

在本文中，範圍可表示為「約」一個特定值及/或至「約」另一特定值。當表示此範圍時，另一實施例包括自一個特定值及/或至另一特定值。類似地，當藉由使用先行詞「約」將值表示為近似值時，將理解，特定值形成另一實施例。將進一步理解，範圍中之每一範圍的端點明顯與其他端點相關且與其他端點無關。

如本文中所使用之方向術語(例如，上、下、右、 左、前、後、頂部、底部)僅參考所制圖式作出且不意欲暗示絕對定向。

除非另行明確說明，否則本文中闡述之任何方法決不意欲解釋為要求以特定次序執行該方法之步驟。因此，在方法請求項實際上未敘述方法步驟將遵循之次序的情況下，或在申請專利範圍或描述中未以其他方式具體說明步驟限制於特定次序的情況下，在任何方面，決不意欲推論次序。此情況適用於解釋之任何可能之非闡釋基礎，包括：關於步驟設置或操作流程之邏輯問題；源自文法組織或標點之普通含義；說明書中描述之實施例的數目或類型。

如本文中所使用，除非上下文另有明確規定，否則單數形式「一」及「該」包括複數個指示物。因此，例如，除非上下文另有明確指示，否則參考「組件」包括具有兩個或兩個以上該等「組件」之態樣。

應強調，本發明之上述實施例，特別是任何「較佳」實施例僅為實施之可能實例，僅提出用於清楚理解本發明之各種原理。在實質上不脫離本發明之精神及各種原理的情況下，可對本發明之上述實施例作出各種變化及修改。在本文中，所有此等修改及變化意欲包括於本揭示案及以下申請專利範圍之範疇內。

10‧‧‧基板堆疊

12‧‧‧載體基板

14‧‧‧玻璃支撐表面

16‧‧‧支撐表面

18‧‧‧周邊

20‧‧‧可撓性玻璃基板

22‧‧‧第一寬表面

24‧‧‧第二寬表面

25‧‧‧組合厚度

26‧‧‧周邊

28‧‧‧厚度

30‧‧‧接合層

32‧‧‧周邊部分

34‧‧‧裝置部分

Claims (10)

1. 一種處理一可撓性玻璃基板之方法，該方法包含以下步驟：提供一基板堆疊，該基板堆疊包含接合至一載體基板之該可撓性玻璃基板；及使用將熱傳遞至該可撓性玻璃基板之一周邊部分的一加熱工具將該周邊部分加熱至大於該可撓性玻璃基板之一裝置部分之彼溫度的一溫度，從而在該周邊部分與該裝置部分之間形成一熱梯度且將拉力引入該周邊部分內，該等拉力沿一劃痕線分離該可撓性玻璃基板之該裝置部分與該周邊部分。
2. 一種處理一可撓性玻璃基板之方法，該方法包含以下步驟：提供一基板堆疊，該基板堆疊包含接合至一載體基板之該可撓性玻璃基板；沿一劃痕線劃痕該可撓性玻璃基板，該劃痕線界定該可撓性玻璃基板之一周邊部分及一裝置部分；將該可撓性玻璃基板之該周邊部分加熱至大於100℃之一溫度，該裝置部分具有小於100℃之一溫度，從而在該周邊部分與該裝置部分之間形成一熱梯度；及沿該劃痕線分離該可撓性玻璃基板之該裝置部分與該周邊部分。
3. 如請求項2所述之方法，其中加熱該可撓性玻璃基板之 該周邊部分之該步驟包含以下步驟：使用一熱源加熱一加熱工具，該加熱工具將熱傳遞至該載體基板。
4. 一種處理一可撓性玻璃基板之方法，該方法包含以下步驟：將一加熱工具定位於一加熱板上，該加熱工具包括至少一個壁部件，該至少一個壁部件具有與該加熱板接觸之至少一個下支撐表面及至少一個上支撐表面；將一基板堆疊定位於該加熱工具之該上支撐表面上，該基板堆疊包含接合至一載體基板之該可撓性玻璃基板；及藉由使用該加熱板加熱該加熱工具以將該可撓性玻璃基板之一周邊部分加熱至大於該可撓性玻璃基板之一裝置部分之彼溫度的一溫度，從而在該周邊部分與該裝置部分之間形成一熱梯度且將拉力引入該周邊部分內。
5. 如請求項1至4中任一項所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：在加熱該周邊部分期間，使用一隔熱護罩抑制該裝置部分之加熱。
6. 如請求項1或請求項4所述之方法，該方法進一步包含以下步驟：沿該周邊部分與該裝置部分之間的一邊界劃痕該可撓性玻璃基板。
7. 如請求項1至4中任一項所述之方法，該方法進一步包 含以下步驟：將該可撓性玻璃基板接合至該載體基板。
8. 如請求項7所述之方法，該方法包含以下步驟：在該周邊部分內將該可撓性玻璃基板接合至該載體基板，該周邊部分中之該可撓性玻璃基板與該載體基板之間的一接合強度大於該裝置部分中之該可撓性玻璃基板與該載體基板之間的一接合強度。
9. 如請求項1或請求項4所述之方法，其中將該可撓性玻璃基板之該周邊部分加熱至大於該裝置部分之彼溫度之該溫度的該步驟包括以下步驟：將該周邊部分加熱至大於100℃之一溫度，該裝置部分具有小於100℃之一溫度。
10. 如請求項1至4中任一項所述之方法，其中加熱該可撓性玻璃基板之該周邊部分之該步驟係藉由對流。