TW201441393A - 用於在基板上沈積有機膜之設備 - Google Patents
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Abstract
一種薄膜沈積設備,包含:一處理室;一基板支撐件,包含一實質上平坦之表面,基板支撐件配置成支撐一基板於處理室中;一沈積源,配置成供應一用於沈積之有機材料至基板上;一沈積遮罩總成,包含一第一滾軸及一第二滾軸,第一滾軸與第二滾軸在處理室中設置成彼此間隔開;一薄膜遮罩卷,具有纏繞第一滾軸之一第一端以及纏繞第二滾軸之一第二端,其中一沈積遮罩界定於一第一平面上,且薄膜遮罩卷之一部分延伸於第一滾軸與第二滾軸之間;以及一基板運送機構,配置成於處理室內在實質上平行於第一平面之一第二平面上傳送基板支撐件。
Description
本發明概言之係關於一種用於沈積一有機薄膜之設備。詳細而言,本發明概言之係關於一種在一用於製造一有機電場發光元件之基板上沈積一有機薄膜之設備。
在顯示器裝置中,有機發光二極體顯示器具有寬的視角、優異的對比度、以及高的反應速度。因此,有機發光二極體顯示器作為下一代顯示器裝置正備受關注。
有機發光二極體(organic light emitting diode;OLED)顯示器係藉由以下方式製成:經由一光刻製程(photolithography process)在一基板上沈積並圖案化一透明導電材料,以形成一預定圖案之一正極(一陽極);利用一沈積遮罩及一蒸鍍沈積(evaporation deposition)技術在該正極上形成代表紅色、綠色及藍色之有機薄膜;以及在該有機薄膜上形成一預定圖案之一負極(一陰極)。
在此背景技術部分中所揭露之上述資訊僅用於增強對所述技術背景之理解,因此其可包含不形成在本國對於此項技術中之通常知識者而言所習知之先前技術之資訊。
一實例性實施例提供一種薄膜沈積設備,該薄膜沈積設備包含一利用薄膜之撓性材料之一「卷對卷」型沈積遮罩。
根據一實例性實施例之一種薄膜沈積設備包含:一處理室(process chamber);一基板支撐構件,該基板支撐構件被設置於該處理室中並支撐一基板;一沈積源,被設置成面對該基板支撐件並供應一有機材料至該基板;以及一沈積遮罩總成,包含一第一滾軸(roller)及一第二滾軸,該第一滾軸與該第二滾軸在平行於該基板之一方向上被設置成彼此間隔開;以及一撓性材料之薄膜遮罩,纏繞至該第一滾軸與該第二滾軸並被設置成鄰近該基板。
該薄膜遮罩可被設置成由一聚合物、金屬、或玻璃材料形成之撓性薄膜類型。
該沈積遮罩總成可更包含一移動單元,該移動單元移動該第一滾軸及該第二滾軸以使該薄膜遮罩相對於該基板之沈積表面而相對地移動。
該移動單元可包含:一滾軸支撐構件,具有一盒體(box)形狀並於其中容置沈積源,其中該盒體之一表面具有開口且該盒體設置有該第一滾軸及該第二滾軸;以及一驅動器,用於移動該滾軸支撐構件。
該移動單元可包含:一滾軸支撐構件,相對於該薄膜遮罩而位於該沈積源之一相對側處,並與該第一滾軸及該第二
滾軸相耦合;以及一驅動器,用於移動該滾軸支撐構件。
該驅動器可包含:一旋轉驅動器,圍繞垂直於該基板之該沈積表面之一旋轉軸線而旋轉該滾軸支撐構件;一第一線性驅動器,沿該旋轉軸線之一方向線性地移動該滾軸支撐構件;一第二線性驅動器,沿平行於該基板之該沈積表面之一第一方向線性地移動該滾軸支撐構件;以及一第三線性驅動器,沿垂直於該第一方向且平行於該基板之該沈積表面之一第二方向線性地移動該滾軸支撐構件。
該薄膜遮罩可沿該薄膜遮罩之一長度方向包含複數個沈積圖案,該等沈積圖案具有互不相同之形狀。
該基板支撐構件可加載有該基板,該基板中之沈積層係由該等沈積圖案中之一個沈積圖案形成,且該第一滾軸及該第二滾軸可被旋轉以使該薄膜遮罩之一沈積圖案面對該基板。
該基板支撐構件可加載有一大面積基板,該大面積基板中之一沈積層係以該等沈積圖案中之至少二沈積圖案形成,且該第一滾軸及該第二滾軸可隨該基板支撐構件、該第一滾軸及該第二滾軸、以及該沈積源之相對移動而旋轉,俾該薄膜遮罩之至少二沈積圖案依序面對該大面積基板上之不同區域。
該基板支撐構件可相對於該第一滾軸及該第二滾軸而沿平行於該薄膜遮罩之一方向移動。
該第一滾軸及該第二滾軸以及該沈積源可相對於該基板支撐構件而沿平行於該大面積基板之一方向移動。
本發明之一態樣提供一種薄膜沈積設備,該薄膜沈積設備可包含:一處理室;一基板支撐件,包含一實質上平坦之表面,該基板支撐件被配置成支撐一基板於該處理室中;一沈積源,被配置成供應一用於沈積之有機材料至該基板上;一沈積遮罩總成,包含一第一滾軸及一第二滾軸,該第一滾軸與該第二滾軸在該處理室中被設置成彼此間隔開;一薄膜遮罩卷(thin film mask roll),具有纏繞該第一滾軸之一第一端以及纏繞該第二滾軸之一第二端,其中一沈積遮罩界定於一第一平面上,且該薄膜遮罩卷之一部分延伸於該第一滾軸與該第二滾軸之間;以及一基板運送機構,被配置成於該處理室內在實質上平行於該第一平面之一第二平面上傳送該基板支撐件。
在上述設備中,該薄膜遮罩卷可包含選自由聚合物、金屬、或玻璃材料組成之群組中之一者。該沈積遮罩總成可更包含一移動單元,該移動單元被配置以相對於該基板支撐件來移動該第一滾軸及該第二滾軸。該移動單元可包含:一滾軸支撐構件,包含一盒體(box),該盒體包含一開放之頂部,該第一滾軸及該第二滾軸被定位成鄰近該開放之頂部,其中該沈積源位於該盒體內;以及一驅動器,被配置成移動該滾軸支撐構件。該移動單元可包含:一滾軸支撐構件,相對於該沈積遮罩而位於該沈積源之一相對側處,並與該第一滾軸及該第二滾軸相耦合;以及一驅動器,被配置成移動該滾軸支撐構件。該驅動器可包含:一旋轉驅動器,被配置成圍繞垂直於該第一平面之一旋轉軸線而旋轉該滾軸支撐構件;一第一線性驅動器,被配置成沿該旋轉軸線之一方向線性地移動該滾軸支撐構件;一第二線性驅動器,被配
置成沿平行於該第一平面之一第一方向線性地移動該滾軸支撐構件;以及一第三線性驅動器,被配置成沿垂直於該第一方向且平行於該第一平面之一第二方向線性地移動該滾軸支撐構件。
仍在上述設備中,該薄膜遮罩卷可包含一或多個附加沈積遮罩,該等沈積遮罩包含實質上互不相同之遮罩圖案且係沿該薄膜遮罩卷之一長度方向排列。該基板支撐件可被配置成加載一基板,該基板係利用選自該等沈積圖案中之一個沈積圖案而受到沈積;以及該第一滾軸及該第二滾軸可被配置成旋轉者,俾該薄膜遮罩之該所選沈積圖案被置於該第一滾軸與該第二滾軸之間。該基板支撐構件可被配置成加載一基板,該基板係利用選自該等沈積圖案中之至少二沈積圖案而受到沈積;以及其中該第一滾軸及該第二滾軸可被配置成隨該基板支撐件、該第一滾軸及該第二滾軸、以及該沈積源之相對移動而旋轉,俾該薄膜遮罩之該等所選沈積圖案被依序置於該第一滾軸與該第二滾軸之間,以於該基板上之不同區域進行沈積。該基板支撐件可被配置成相對於該第一滾軸及該第二滾軸而沿平行於該沈積遮罩之一方向移動。該第一滾軸及該第二滾軸以及該沈積源可被配置成相對於該基板支撐件而沿平行於該基板之一方向移動。
根據一實例性實施例,可提供利用薄膜撓性材料之「卷對卷」型沈積遮罩。
此外,根據一實例性實施例,可提供包含精確、精細圖案之沈積遮罩。
此外,根據一實例性實施例,可將因遮罩尺寸大而
引起之下垂降至最低。
此外,根據一實例性實施例,可達成一高解析度畫素。
10、10’‧‧‧有機薄膜沈積設備
100、100’‧‧‧處理室
110‧‧‧開口
120‧‧‧開口
200、200’‧‧‧基板支撐構件
210、210’‧‧‧移動導向件
300、300’‧‧‧沈積源
320‧‧‧容器
340‧‧‧加熱構件
360’‧‧‧驅動單元
362’‧‧‧導向件構件
364’‧‧‧驅動器
400、400’‧‧‧沈積遮罩總成
410a、410a’‧‧‧第一滾軸
410b、410b’‧‧‧第二滾軸
412a’‧‧‧旋轉軸線
412b’‧‧‧旋轉軸線
420、420’‧‧‧薄膜遮罩
440、440’‧‧‧移動單元
442’‧‧‧滾軸支撐構件
443a’‧‧‧第一垂直負載
443b’‧‧‧第二垂直負載
444、444’‧‧‧驅動器
444a、444a’‧‧‧旋轉驅動器
444b、444b’‧‧‧第一線性驅動器
444c、444c’‧‧‧第二線性驅動器
444d、444d’‧‧‧第三線性驅動器
445、445’‧‧‧基座
445a’‧‧‧第一水平負載
447’‧‧‧連接負載
449’‧‧‧主負載
A‧‧‧箭頭方向
P‧‧‧沈積圖案
P1‧‧‧第一沈積圖案
P2‧‧‧第二沈積圖案
S‧‧‧基板
S1‧‧‧第一基板
S2‧‧‧第二基板
下文闡述之附圖僅用於例示本發明而並非旨在限制本發明之範圍。
第1圖係為根據一實例性實施例之一種有機薄膜沈積設備之剖視圖;第2A圖至第2C圖係為顯示利用第1圖所示有機薄膜沈積設備處理一小面積基板之一製程之圖式;第3A圖與第3B圖顯示利用第1圖所示有機薄膜沈積設備處理一大面積基板之製程之一實例;第4A圖與第4B圖顯示利用第1圖所示有機薄膜沈積設備處理一大面積基板之製程之另一實例;第5圖係為根據一實例性實施例之一種有機薄膜沈積設備之剖視圖;以及第6圖係為第5圖所示之沈積遮罩總成之立體圖。
現在,將詳細闡述本發明之各實施例。然而,應理解,該等實例性實施例並非旨在限制本發明,且在本發明之精神與範圍內可有各種變化、修改及等效形式。
在對各圖式之解釋中,相同之數字用於表示相同之構成元件。在附圖中,為使本發明之各實施例清晰起見,可能會誇大結構之尺寸。可使用用語「第一」、「第二」等來描述各種構成元件,然而該等構成元件不應受限於上述用語。該等用語僅係用於區分各個構成元件。舉例而言,在不背離本發明之範圍之條件下,「一第一構成元件」亦可被稱為「一第二構成元件」,類似地,「一第二構成元件」亦可被稱為「一第一構成元件」。除非明確進行相反之闡述,否則單數之表現形式亦包含複數表現形式。
在本申請案中,應理解,例如「包含」或「具有」等用語係用於指明本說明書中所闡述之特徵、數字、步驟、操作、構成元件、部分或其任意組合之存在,但並不排除其他特徵、數字、步驟、操作、構成元件、部分或其任意組合之一者或更多者之存在或添加之可能性。當闡述一層、膜、區域、或板等之一部分係位於另一部分「上」時,其可直接位於該另一部分上,抑或可存在中間部分。相比之下,當闡述一層、膜、區域、或板等之一部分係位於另一部分「下方」時,其可直接位於該另一部分下方,抑或可存在中間部分。
一般而言,有機發光二極體(OLED)顯示器係藉由利用沈積遮罩形成具有所需形狀及尺寸之圖案之有機薄膜及電極而製成。在實施例中,依據有機發光二極體(OLED)顯示器之大尺寸或畫素之微型化,沈積遮罩可具有一非常精細之狹槽圖案。此外,在有機發光二極體(OLED)顯示器具有一大尺寸時,使用大的沈積遮罩。若因由有機薄膜製成發光層而使畫素較小,則沈
積遮罩可被形成得極薄。
以下,將參照第1圖至第6圖詳細闡述一實例性實施例。
第1圖係為根據一實例性實施例之一種有機薄膜沈積設備10之剖視圖。參照第1圖,一有機薄膜沈積設備10包含:一處理室100、一基板支撐構件200、一沈積源或沈積材料供應器300、以及一沈積遮罩總成400。
處理室100提供一於其中執行一沈積製程之空間。舉例而言,該沈積製程可係一藉由供應有機材料至一下表面(其係基板S之一沈積表面)而沈積一有機發光層之製程。
開口110及開口120分別形成於處理室100之側壁上,且可由一閘閥(gate valve)(圖中未示出)開啟/關閉開口110及開口120。基板S經由一個開口110而加載至處理室100並經由另一開口120而自處理室100卸載。處理室100可連接至一真空幫浦(vacuum pump)(圖中未示出),以在執行該製程時在處理室100內部保持一真空狀態。
基板支撐構件或基板支撐件200係設置於處理室100內之一上部處並支撐經由開口110而加載至處理室100之基板S。基板支撐構件200可支撐基板S以使沈積表面朝下。此外,基板支撐構件200可於處理室100中沿一移動導向件210在一水平方向上移動。
沈積源300可設置於處理室100內之一下部處,以
面對基板支撐構件200,且一有機材料被供應至基板支撐構件200所支撐之基板S之沈積表面。由沈積源300所供應之有機材料經由一薄膜遮罩420(稍後將對其予以闡述)之一沈積圖案而沈積於基板S之沈積表面。
沈積源300包含一容器320及一加熱構件340。容器320接收沈積至基板S之有機材料,且加熱構件340對容器320加熱以自有機材料產生煙霧(fume),進而提供熱量至有機材料。
沈積遮罩總成400可被設置成一「卷對卷」類型。沈積遮罩總成400可包含第一滾軸410a及第二滾軸410b、呈卷形式之薄膜遮罩420、以及一移動單元440。
第一滾軸410a及第二滾軸410b可設置於由基板支撐構件200所支撐之基板S之下方並彼此間隔開。在實施例中,滾軸沿與基板S之移動方向平行之一方向排列。第一滾軸410a及第二滾軸410b中之一者可發揮一供應卷軸(supply reel)之功能,另一者可發揮一卷取卷軸(taking up reel)之功能。
薄膜遮罩420可係例如在有機發光二極體(OLED)顯示器之電極(陽極/陰極)及有機發光層之沈積製程中所用之一遮罩。薄膜遮罩420可被設置成一撓性材料之薄膜形狀。舉例而言,薄膜遮罩420可被設置成聚合物材料(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醯亞胺(PI))之一薄膜、金屬材料之一薄膜(例如金屬箔)、或玻璃材料之一薄膜。
若薄膜遮罩420被設置成撓性材料之薄膜形狀,則
在薄膜遮罩420中可形成一精確之精細圖案,進而可在基板S上沈積一高解析度畫素。
薄膜遮罩420可以一帶狀延伸,且薄膜遮罩420可包含複數個沿其一長度方向排列並具有不同形狀之沈積圖案P。薄膜遮罩420係纏繞至第一滾軸410a及第二滾軸410b,且複數個沈積圖案P中之一者可被定位成藉由第一滾軸410a及第二滾軸410b之旋轉而面對基板S。
此外,可藉由第一滾軸410a及第二滾軸410b之旋轉而控制薄膜遮罩420之張力。藉由對薄膜遮罩420之張力控制,最小化或避免薄膜遮罩420之下垂,俾薄膜遮罩420可被定位成靠近基板S,進而沈積高解析度畫素至基板S。
移動單元440包含一滾軸支撐構件442及一驅動器444以移動第一滾軸410a及第二滾軸410b,俾使薄膜遮罩420可相對於基板S之沈積表面而相對地移動。
滾軸支撐構件442可具有一盒體形狀及一開放之頂部。在鄰近該一個開放之頂部處,滾軸支撐構件442耦合至第一滾軸410a及第二滾軸410b以支撐第一滾軸410a及第二滾軸410b,且沈積源300可被容置於滾軸支撐構件442之內部。
驅動器444可包含一旋轉驅動器444a以及第一線性驅動器至第三線性驅動器444b、444c、及444d。旋轉驅動器444a圍繞垂直於基板S之沈積表面之一旋轉軸線而旋轉滾軸支撐構件442。第一線性驅動器444b沿旋轉軸線方向(亦即,高度方向)
線性地移動滾軸支撐構件442及旋轉驅動器444a。第二線性驅動器444c沿一平行於基板S之沈積表面之第一方向(亦即,垂直於基板S之移動方向之一方向)線性地移動滾軸支撐構件442、旋轉驅動器444a、及第一線性驅動器444b。第三線性驅動器444d沿垂直於第一方向之一第二方向(亦即,基板S之移動方向)線性地移動滾軸支撐構件442、旋轉驅動器444a、以及第一線性驅動器444b及第二線性驅動器444c。第三線性驅動器444d可安裝於沿基板S之移動方向延伸之一基座445上。
薄膜遮罩420可藉由以旋轉驅動器444a以及第一線性驅動器至第三線性驅動器444b、444c、及444d帶動滾軸支撐構件442進行旋轉及線性移動而與基板S之沈積表面對準。此外,在實施例中,在沈積一具有大面積之大面積基板時,係依序沈積基板之二或多個區域。利用第三線性驅動器444d可相對地移動基板支撐構件200及薄膜遮罩420,以設置該等區域中之一者於遮罩420之上方。
以下,將闡述一種利用具有上述元件之有機薄膜沈積設備10沈積有機材料至基板S之方法。
第2A圖至第2C圖係為顯示利用第1圖所示之有機薄膜沈積設備處理一小面積基板之製程之圖式。
參照第1圖及第2A圖至第2C圖,第一基板S1經由開口110而加載至處理室100。第一基板S1係為其中沈積層係以薄膜遮罩420之該等沈積圖案中之一第一沈積圖案P1形成之一基板。
加載至處理室100之第一基板S1係由基板支撐構件200支撐並藉由基板支撐構件200沿移動導向件210之移動而被移動至薄膜遮罩420上之處理位置。
沈積遮罩總成400之第一滾軸410a及第二滾軸410b移動薄膜遮罩420,俾使沈積圖案中之第一沈積圖案P1位於處理位置,亦即面對第一基板S1之位置。
沈積源300加熱有機材料以產生煙霧,有機材料所產生之煙霧經由薄膜遮罩420之第一沈積圖案P1而沈積至第一基板S1之沈積表面。
若第一基板S1之沈積製程完成,則基板支撐構件200沿移動導向件210在朝向開口120之方向上移動,且第一基板S1經由開口120自處理室100卸載。
接下來,第二基板S2經由開口110而加載至處理室100。第二基板S2係為其中沈積層係以薄膜遮罩420之沈積圖案中之一第二沈積圖案P2形成之一基板。
加載至處理室100之第二基板S2由基板支撐構件200支撐並藉由基板支撐構件200沿移動導向件210之移動而被移動至薄膜遮罩420上之處理位置。
沈積遮罩總成400之第一滾軸410a及第二滾軸410b移動薄膜遮罩420,俾使沈積圖案中之第二沈積圖案P2位於處理位置,亦即面對第二基板S2之位置。
藉由沈積源300產生之有機材料之煙霧經由薄膜遮
罩420之第二沈積圖案P2而沈積至第二基板S2之沈積表面。
如上所述,根據一實例性實施例之有機薄膜沈積設備10對基板S1及S2之薄膜遮罩420之不同圖案P1及P2執行沈積製程,其中基板S1及S2中沈積有不同形狀之沈積層。
第3A圖及第3B圖顯示利用第1圖所示有機薄膜沈積設備處理一大面積基板之製程之一實例。
參照第1圖、第3A圖及第3B圖,大面積基板S經由開口110而加載至處理室100。在實施例中,大面積基板S係為需要利用薄膜遮罩420之沈積圖案中之二或多個沈積圖案而依序對二或多個預定區域進行沈積之一基板。
加載至處理室100之大面積基板S係由基板支撐構件200支撐並藉由基板支撐構件200沿移動導向件210之移動而被移動至薄膜遮罩420上之處理位置。
沈積遮罩總成400之第一滾軸410a及第二滾軸410b移動薄膜遮罩420,以使沈積圖案中之第一沈積圖案P1位於處理位置,俾使第一沈積圖案被置於沈積源與大面積基板之一第一區域間。
沈積源300使有機材料產生煙霧,該煙霧經由薄膜遮罩420之第一沈積圖案P1而沈積於大面積基板S之第一區域。
在完成對大面積基板S之第一區域之沈積製程時,大面積基板S之第二區域藉由基板支撐構件200沿移動導向件210之移動而被移動至處理位置。
沈積遮罩總成400之第一滾軸410a及第二滾軸410b移動薄膜遮罩420,以使沈積圖案之第二沈積圖案P2位於處理位置,俾使第二沈積圖案被置於沈積源與大面積基板S之第二區域之間。
由沈積源300產生之有機材料之煙霧經由薄膜遮罩420之第二沈積圖案P2而沈積至大面積基板S之第二區域。
如上所述,在第一滾軸410a及第二滾軸410b之位置被固定之階段中移動大面積基板S之同時,根據一實例性實施例之有機薄膜沈積設備10可對大面積基板S之預定區域執行薄膜遮罩420之不同圖案P1及P2之沈積製程。
第4A圖及第4B圖顯示利用第1圖所示有機薄膜沈積設備處理一大面積基板之製程之另一實例。
參照第1圖、第4A圖及第4B圖,大面積基板S經由開口110而加載至處理室100。在實施例中,大面積基板S係為需要利用薄膜遮罩420之沈積圖案中之二或多個沈積圖案對二或多個預定區域進行依序沈積之一基板。
加載至處理室100之大面積基板S係由基板支撐構件200支撐並藉由基板支撐構件200沿移動導向件210之移動而被移動至薄膜遮罩420上之處理位置。
沈積遮罩總成400之第一滾軸410a及第二滾軸410b移動薄膜遮罩420以使沈積圖案中之第一沈積圖案P1位於處理位置,俾使第一沈積圖案被置於沈積源與大面積基板之一第一區域
之間。
沈積源300產生有機材料之煙霧,該煙霧經由薄膜遮罩420之第一沈積圖案P1而沈積至大面積基板S之第一區域。
當完成對大面積基板S之第一區域之沈積製程時,在大面積基板S之位置被固定之狀態下,第三線性驅動器444d沿基板S之移動方向移動滾軸支撐構件442,俾使第一滾軸410a及第二滾軸410b被移動至與大面積基板S之第二區域相對應之處理位置。此時,位於滾軸支撐構件442內部之沈積源300藉由滾軸支撐構件442之移動而移動至與大面積基板S之第二區域相對應之處理位置。
接下來,第一滾軸410a及第二滾軸410b移動薄膜遮罩420以使沈積圖案中之第二沈積圖案P2位於處理位置,俾使第二沈積圖案被置於沈積源與大面積基板S之第二區域之間。
沈積源300產生有機材料之煙霧,該煙霧經由薄膜遮罩420之第二沈積圖案P2而沈積至大面積基板S之第二區域。
如上所述,在大面積基板S之位置被固定之狀態下移動第一滾軸410a及第二滾軸410b至與大面積基板S之預定區域相對應的位置之同時,根據一實例性實施例之有機薄膜沈積設備10可對大面積基板S之預定區域執行薄膜遮罩420之不同圖案P1及P2之沈積製程。
第5圖係為根據一實例性實施例之一有機薄膜沈積設備之剖視圖,以及第6圖係為第5圖所示之沈積遮罩總成之立
體圖。
參照第5圖及第6圖,有機薄膜沈積設備10’包含一處理室100’、一基板支撐構件200’、一沈積源300’、以及一沈積遮罩總成400’。
基板支撐構件200’設置於處理室100’內部,且基板支撐構件200’支撐被加載至處理室100’之基板S。基板支撐構件200’可支撐基板S以使沈積表面朝下。此外,基板支撐構件200’可於處理室100’中沿一移動導向件210’在一水平方向上移動。基板支撐構件200’藉由移動導向件210’而進行移動之方向係為第6圖所示之一箭頭方向A或與其相反之一方向。
沈積源300’可設置於處理室100’內之一下部處以面對基板支撐構件200’,且一有機材料被供應至由基板支撐構件200’支撐之基板S之沈積表面。
沈積源300’可藉由一驅動單元360’沿箭頭方向A或相反方向而平行於基板S線性地移動。驅動單元360’可包含一導向構件362’及一驅動器364’。導向構件362’沿箭頭方向A延長,且例如可係一線性馬達(linear motor;LM)導向件。驅動器364’可係一線性馬達。驅動器364’耦合至導向構件362’以沿導向構件362’線性地移動,且沈積源300’耦合至驅動器364’。亦即,沈積源300’可沿導向構件362’之長度方向線性地移動。
沈積遮罩總成400’可被設置成一「卷對卷」類型。沈積遮罩總成400’可包含第一滾軸410a’及第二滾軸410b’、一薄
膜遮罩420’、以及一移動單元440’。
第一滾軸410’a及第二滾軸410’b可被對齊而使長度方向朝向箭頭方向A,且可被設置成與基板支撐構件200’之兩側間隔開。
薄膜遮罩420’可係例如在有機發光二極體(OLED)顯示器之電極(陽極/陰極)及有機發光層之沈積製程中所用之一遮罩。薄膜遮罩420’可被設置成一撓性材料之薄膜形狀。舉例而言,薄膜遮罩420’可被設置成聚合物材料(例如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醯亞胺(PI))之一薄膜、金屬材料之一薄膜(例如金屬箔)、或玻璃材料之一薄膜。
薄膜遮罩420’可以一帶狀延伸,且薄膜遮罩420’可包含複數個具有不同形狀並沿其一長度方向排列之沈積圖案P。薄膜遮罩420’被捲繞至第一滾軸410a’及第二滾軸410b’,且複數個沈積圖案P中之一者可被定位成藉由第一滾軸410a’及第二滾軸410b’之旋轉而面對基板S。此外,可藉由第一滾軸410a’及第二滾軸410b’之旋轉而控制薄膜遮罩420’之張力。
移動單元440’包含一滾軸支撐構件442’及一驅動器444’以移動第一滾軸410a’及第二滾軸410b’,俾使薄膜遮罩420’可相對於基板S之沈積表面而相對地移動。
滾軸支撐構件442’相對於薄膜遮罩420’而位於沈積源300’之相對側並支撐第一滾軸410a’及第二滾軸410b’。
舉例而言,滾軸支撐構件442’可包含第一垂直負載
443a’及第二垂直負載443b’、第一水平負載445a’及第二水平負載445b’、一連接負載447’、以及一主負載449’。
第一垂直負載443a’之下端耦合至第一滾軸410a’之一旋轉軸線412a’之兩端,且第二垂直負載443b’之下端耦合至第二滾軸410b’之一旋轉軸線412b’之兩端。第一水平負載445a’被連接至第一垂直負載443a’之上端,第二水平負載445b’被連接至第二垂直負載443b’之上端。連接負載447’被連接至第一水平負載445a’之中心部及第二水平負載445b’之中心部,而主負載449’係垂直耦合至連接負載447’之中心。
驅動器444’可包含一旋轉驅動器444a’以及第一線性驅動器至第三線性驅動器444b’、444c’、及444d’。旋轉驅動器444a’圍繞垂直於基板S之沈積表面之一旋轉軸線而旋轉滾軸支撐構件442’。第一線性驅動器444b’沿旋轉軸線方向(亦即,高度方向)線性地移動滾軸支撐構件442’及旋轉驅動器444a’。第二線性驅動器444c’沿一平行於基板S之沈積表面之第一方向(亦即,垂直於基板S之移動方向之一方向)線性地移動滾軸支撐構件442’、旋轉驅動器444a’、及第一線性驅動器444b’。第三線性驅動器444d’沿垂直於第一方向之一第二方向(亦即,基板S之移動方向)線性地移動滾軸支撐構件442’、旋轉驅動器444a’、以及第一線性驅動器444b’及第二線性驅動器444c’。第三線性驅動器444d’可安裝於沿箭頭方向A延伸之一基座445’上。
薄膜遮罩420’可藉由以旋轉驅動器444a’以及第一線性驅動器至第三線性驅動器444b’、444c’、及444d’帶動滾軸支
撐構件442’進行旋轉及線性移動而與基板S之沈積表面對準。此外,在加載大面積基板至基板支撐構件200’時,可藉由以第三線性驅動器444d’帶動滾軸支撐構件442’進行線性移動而使薄膜遮罩420’定位於大面積基板之一不同區域下方。
同時,根據一實例性實施例之有機薄膜沈積設備10’亦可對第2圖至第4圖所示之小面積基板及大面積基板執行處理製程。
儘管已闡述各實例性實施例,然而熟習此項技術者將理解,在不實質上背離該等新穎揭露內容及優點之條件下可作出多種潤飾。因此,該等實例性實施例之上述揭露內容係用於提供解釋而非用於限制本發明。本發明之範圍應由下文申請專利範圍解釋,且所有等效形式皆應落於本發明之範圍內。
10‧‧‧有機薄膜沈積設備
100‧‧‧處理室
110‧‧‧開口
120‧‧‧開口
200‧‧‧基板支撐構件
210‧‧‧移動導向件
300‧‧‧沈積源
320‧‧‧容器
340‧‧‧加熱構件
400‧‧‧沈積遮罩總成
410a‧‧‧第一滾軸
410b‧‧‧第二滾軸
440‧‧‧移動單元
444‧‧‧驅動器
444a‧‧‧旋轉驅動器
444b‧‧‧第一線性驅動器
444c‧‧‧第二線性驅動器
444d‧‧‧第三線性驅動器
445‧‧‧基座
S‧‧‧基板
Claims (11)
- 一種薄膜沈積設備,包含:一處理室(process chamber);一基板支撐件,包含一實質上平坦之表面,該基板支撐件被配置成支撐一基板於該處理室中;一沈積源,被配置成供應一用於沈積之有機材料至該基板上;一沈積遮罩總成,包含一第一滾軸(roller)及一第二滾軸,該第一滾軸與該第二滾軸在該處理室中被設置成彼此間隔開;一薄膜遮罩卷(thin film mask roll),具有纏繞該第一滾軸之一第一端以及纏繞該第二滾軸之一第二端,其中一沈積遮罩界定於一第一平面上,且該薄膜遮罩卷之一部分延伸於該第一滾軸與該第二滾軸之間;以及一基板運送機構,被配置成於該處理室內在實質上平行於該第一平面之一第二平面上傳送該基板支撐件。
- 如請求項1所述之薄膜沈積設備,其中該薄膜遮罩卷包含選自由聚合物、金屬、或玻璃材料組成之群組中之一者。
- 如請求項1所述之薄膜沈積設備,其中該沈積遮罩總成更包含一移動單元,該移動單元被配置以相對於該基板支撐件來移動該第一滾軸及該第二滾軸。
- 如請求項3所述之薄膜沈積設備,其中該移動單元包含:一滾軸支撐構件,包含一盒體(box),該盒體包含一開放之頂部,該第一滾軸及該第二滾軸被定位成鄰近該開放之頂部,其中該沈積源位於該盒體內;以及 一驅動器,被配置成移動該滾軸支撐構件。
- 如請求項3所述之薄膜沈積設備,其中該移動單元包含:一滾軸支撐構件,相對於該沈積遮罩而位於該沈積源之一相對側處,並與該第一滾軸及該第二滾軸相耦合;以及一驅動器,被配置成移動該滾軸支撐構件。
- 如請求項4所述之薄膜沈積設備,其中該驅動器包含:一旋轉驅動器,被配置成圍繞垂直於該第一平面之一旋轉軸線而旋轉該滾軸支撐構件;一第一線性驅動器,被配置成沿該旋轉軸線之一方向線性地移動該滾軸支撐構件;一第二線性驅動器,被配置成沿平行於該第一平面之一第一方向線性地移動該滾軸支撐構件;以及一第三線性驅動器,被配置成沿垂直於該第一方向且平行於該第一平面之一第二方向線性地移動該滾軸支撐構件。
- 如請求項1所述之薄膜沈積設備,其中該薄膜遮罩卷包含一或多個附加沈積遮罩,該等沈積遮罩包含實質上互不相同之遮罩圖案且係沿該薄膜遮罩卷之一長度方向排列。
- 如請求項7所述之薄膜沈積設備,其中該基板支撐件係被配置成加載一基板,該基板係利用選自該等沈積圖案中之一個沈積圖案而受到沈積;以及其中該第一滾軸及該第二滾軸係被配置成旋轉者,俾該薄膜遮罩之該所選沈積圖案被置於該第一滾軸與該第二滾軸之間。
- 如請求項7所述之薄膜沈積設備,其中該基板支撐件係被配置成加載一基板,該基板係利用選自該等沈積圖案中之至少二沈積圖案而受到沈積;以及其中該第一滾軸及該第二滾軸係被配置成隨該基板支撐件、該第一滾軸及該第二滾軸、以及該沈積源之相對移動而旋轉,俾該薄膜遮罩之該等所選沈積圖案被依序設置於該第一滾軸與該第二滾軸之間,以於該基板上之不同區域進行沈積。
- 如請求項9所述之薄膜沈積設備,其中該基板支撐件係被配置成相對於該第一滾軸及該第二滾軸而沿平行於該沈積遮罩之一方向移動。
- 如請求項9所述之薄膜沈積設備,其中該第一滾軸及該第二滾軸以及該沈積源係被配置成相對於該基板支撐件而沿平行於該基板之一方向移動。
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