JP7024044B2 - 成膜装置、これを用いた成膜方法及び電子デバイスの製造方法 - Google Patents
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Description
図1は、電子デバイスの製造装置の一部の構成を模式的に示す平面図である。
図2は、成膜装置11の構成を示す模式図である。以下の説明においては、鉛直方向をZ方向とするXYZ直交座標系を用いる。成膜時に基板Sが水平面(XY平面)と平行となるよう固定された場合、基板Sの短手方向(短辺に平行な方向)をX方向、長手方向(長辺に平行な方向)をY方向とする。また、Z軸まわりの回転角をθで表す。
基板支持ユニット22は、基板の下面の周縁部を支持する支持部を含む。図3は、基板支持ユニット22を鉛直方向(Z方向)上方から見た平面図であり、理解の便宜のために、基板Sが基板支持ユニット22上に載置され支持される様子を示しており、その他、基板S上部に配置される静電チャック24や基板Zアクチュエータ26などの駆動機構などは図示を省略している。
以上では、基板Sを吸着するための吸着電圧を静電チャック24の全面に同時に印加することを説明したが、本発明はこれに限定されない。
以下、本実施形態による成膜装置を用いた成膜方法について説明する。
次に、本実施形態の成膜装置を用いた電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機EL表示装置の構成及び製造方法を例示する。
Claims (9)
- マスクを介して基板に成膜材料を成膜する成膜装置であって、
チャンバ内に配置され、前記基板の周縁部を支持する基板支持部と、
前記チャンバ内の前記基板支持部の上方に配置され、前記基板支持部によって支持された前記基板を吸着するための基板吸着手段と、
前記基板吸着手段に向かって前記基板支持部の昇降を制御する制御部とを含み、
前記基板支持部は、
前記基板の第1の角を介して隣り合う2辺それぞれの前記第1の角の近傍を支持する第1の支持部と、
前記基板の前記第1の角の対角である第2の角を介して隣り合う2辺それぞれの前記第2の角の近傍を支持する第2の支持部と、
前記基板の前記第1の角及び前記第2の角とは別の第3の角を介して隣り合う2辺の前記第3の角の近傍を支持する第3の支持部とを少なくとも含み、
前記基板吸着手段は、前記基板を吸着するための吸着電圧がそれぞれ印加される分割された複数の電極部を有する静電チャックであり、
前記基板支持部の昇降と前記基板吸着手段の制御として、
前記第1の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第1の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加される第1制御と、
前記第1制御の後に、前記第3の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第3の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加される第2制御と、
前記第2制御の後に、前記第2の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第2の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加される第3制御と、が実行されることを特徴とする成膜装置。 - 前記基板支持部は、前記基板の前記第3の角の対角である第4の角を介して隣り合う2辺それぞれの前記第4の角の近傍を支持する第4の支持部を含み、
前記第2制御では、前記第4の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第4の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加されることを特徴とする請求項1に記載の成膜装置。 - 前記第2制御では、前記第3および第4の支持部を共に上昇させることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 前記第2制御では、前記第3および第4の支持部を順次に上昇させることを特徴とする請求項2に記載の成膜装置。
- 成膜装置のチャンバ内で、マスクを介して基板の成膜面に成膜材料を成膜する成膜方法であって、
チャンバ内に搬入された前記基板の周縁部を基板支持部で支持するステップと、
前記チャンバ内の前記基板支持部の上方に配置された基板吸着手段に前記基板の前記成膜面と反対側の面を吸着させるステップと、
成膜源から放出される成膜材料を前記マスクを介して前記基板の前記成膜面に成膜するステップとを含み、
前記基板吸着手段は、前記基板を吸着するための吸着電圧がそれぞれ印加される分割された複数の電極部を有する静電チャックであり、
前記基板支持部は、
前記基板の第1の角を介して隣り合う2辺それぞれの前記第1の角の近傍を支持する第1の支持部と、
前記基板の前記第1の角の対角である第2の角を介して隣り合う2辺それぞれの前記第2の角の近傍を支持する第2の支持部と、
前記基板の前記第1の角及び前記第2の角とは別の第3の角を介して隣り合う2辺の前記第3の角の近傍を支持する第3の支持部とを少なくとも含み、
前記吸着させるステップは、
前記第1の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第1の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加される第1ステップと、
前記第1ステップの後に前記第3の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第3の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加される第2ステップと、
前記第2ステップの後に前記第2の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第2の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加される第3ステップと、を含むことを特徴とする成膜方法。 - 前記基板支持部は、前記基板の前記第3の角の対角である第4の角を介して隣り合う2辺それぞれの前記第4の角の近傍を支持する第4の支持部を含み、
前記第2ステップでは、
前記第4の支持部を上昇させて前記基板吸着手段に近接させたことに応じて前記複数の電極部のうち前記第4の角の近傍に対応する位置に配置された電極部に前記基板を吸着するための吸着電圧が印加されることを特徴とする請求項5に記載の成膜方法。 - 前記第2ステップでは、前記第3および第4の支持部を共に上昇させることを特徴とする請求項6に記載の成膜方法。
- 前記第2ステップでは、前記第3および第4の支持部を順次に上昇させることを特徴とする請求項6に記載の成膜方法。
- 請求項5~請求項8のいずれか一項に記載の成膜方法を用いて、電子デバイスを製造することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
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