TW201440143A - 噴氣頭絕緣器及蝕刻室襯墊 - Google Patents

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Abstract

本發明大致包含一噴氣頭絕緣器，以將一噴氣頭組件與一處理腔室壁電絕緣；一腔室襯墊組件，以加襯墊於一處理腔室；一下部腔室襯墊，以加襯墊於一處理腔室之一排氣區；以及一均流篩，以確保一處理腔室的均勻排氣。當在蝕刻腔室內處理一基板時，噴氣頭需與地面電絕緣。噴氣頭絕緣器可將噴氣頭與地面絕緣，同時亦防止電漿進入其所佔據的容積。腔室襯墊可保護腔室避免於污染，並減少腔室清潔。均流篩能使處理氣體均勻地被牽引入排氣通道中，而非以一不均衡的流進入排氣通道中。下部襯墊可助於均勻地抽吸真空，並保護腔室避免於污染。

Description

噴氣頭絕緣器及蝕刻室襯墊
本發明實施例大致關於將半導體處理腔室(例如蝕刻腔室)中的製程條件維持一致。
積體電路已發展成於單一晶片上可包含數百萬個元件(例如電晶體、電容器、電阻器等)的複雜裝置。晶片設計的發展不斷地要求要有更快的電路系統與更大的電路密度。較大電路密度的需求必需得降低積體電路元件的尺寸。前述裝置之特徵結構的最小尺寸於習知技術中通常稱為關鍵尺寸。關鍵尺寸通常包含特徵結構(例如線、行、開口、線間距等)的最小寬度。
隨著這些關鍵尺寸縮小，基板上製程的一致性變得極為重要，以維持高產率。與用於製造積體電路之傳統電漿蝕刻處理相關的一問題為基板上蝕刻速度的不一致，其可能部份因為真空泵將蝕刻氣體抽向排氣口且抽離基板。由於氣體較容易地從最靠近排氣口的腔室區(即，基板周圍)汲出，因此蝕刻氣體會被牽引向排氣口並離開基板，進而造成放置於其中之基板上的不均勻蝕刻。此種不均勻性顯著影響效能，並增加了製造積體電路的成本。
因此，習知裝置仍待改善，以在製造積體電路期間均勻地蝕刻材料層。
本發明大致包含一噴氣頭絕緣器，以將噴氣頭組件與一處理腔室壁電絕緣；一腔室襯墊組件，以加襯墊於一處理腔室；一下部腔室襯墊，以加襯墊於一處理腔室之一排氣區；以及一均流篩，以確保一處理腔室的均勻排氣。
於一實施例中，一種噴氣頭絕緣環包含一環主體，其具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面平行於該第一表面並藉由一第三表面與一第四表面與該第一表面相隔，該第三表面相對於該第一與第二表面以一第一角度設置，該第四表面具有至少一梯部部份，且相對於該第一表面以一第二角度設置，以及相對於該第二表面以一第三角度設置。
於另一實施例中，一種腔室襯墊包含一主體，其具有一凸緣部份、一狹縫閥部份以及一突出部部份。該凸緣部份包含一第一頂表面、一第一外表面、一第一內表面以及一第一底表面，其中該第一內表面係大體上平行於該第一外表面，該第一底表面係大體上平行於該第一頂表面，以及該第一頂表面係藉由一第一斜向表面與該第一內表面耦接，該第一斜向表面相對於第一頂表面、該第一內表面、該第一外表面以及該第一底表面傾斜。該突出部部份包含一第二頂表面，其耦接至該凸緣部份的該第一內表面；一第二外表面平行於該凸緣部份的該第一外表面；一第二底表面；一第二內表面；一第三內表面以及一第三底表面，其中該第二內表面 係徑向地設置在該第三內表面的內部。該狹縫閥部份包含一第三外表面、一第四內表面以及一第四底表面，其中該第四內表面係藉由一第二斜向表面耦接至該第四底表面，其中該第二斜向表面相對於第三外表面、該第四內表面以及該第四底表面傾斜。
於另一實施例中，一種襯墊組件，其包含一襯墊主體以及一環主體，該襯墊主體具有一凸緣部份、一狹縫閥部份以及一突出部部份，其中該狹縫閥部份係耦接至該突出部部份，且該突出部部份係耦接至該凸緣部份，其中該突出部部份包含：一第一頂表面，其耦接至該凸緣部份；一第一外表面；一第一底表面；一第一內表面；一第二內表面以及一第二底表面，其中該第一內表面係徑向地設置在該第二內表面的內部。該環主體係與該襯墊主體耦接，該環主體包含一第二頂表面；一第二外表面；一第三底表面以及一第三頂表面，其中該第二頂表面係藉由一第一斜向表面耦接至該第三頂表面，該第一斜向表面係相對於該第二頂表面、該第二外表面、該第三底表面以及該第三頂表面傾斜，其中該第二外表面係與該第二內表面耦接，且該第二頂表面係與該第一底表面耦接。
100‧‧‧腔室
102‧‧‧壁
104‧‧‧腔室底部
106‧‧‧基座
108‧‧‧基板
110‧‧‧擋板
112‧‧‧真空泵
114‧‧‧下部襯墊
116‧‧‧均流篩
118‧‧‧間隔
120‧‧‧狹縫閥開口
122A‧‧‧噴氣頭
122B‧‧‧噴氣頭
124A‧‧‧第一擴散板
124B‧‧‧第二擴散板
126A‧‧‧第一擴散板
126B‧‧‧第二擴散板
128‧‧‧加熱元件
130‧‧‧加熱元件
132‧‧‧氣室
134‧‧‧氣室
136‧‧‧氣源
138‧‧‧氣源
140‧‧‧閥
142‧‧‧閥
144‧‧‧導管
146‧‧‧導管
148‧‧‧加熱源
150‧‧‧加熱源
152‧‧‧RF功率源
154‧‧‧流阻件
156‧‧‧真空埠
158‧‧‧內部區域
160‧‧‧外部區域
200‧‧‧絕緣環
202‧‧‧環主體
204‧‧‧頂表面
206‧‧‧底表面
208‧‧‧內斜表面
210‧‧‧外表面
212‧‧‧梯部
214‧‧‧角
216‧‧‧頂部部份
218‧‧‧底部部份
250‧‧‧環
252‧‧‧頂部主體
254‧‧‧底部主體
300‧‧‧環
302‧‧‧環主體
304‧‧‧頂表面
306‧‧‧突出部
308‧‧‧第一內斜表面
310‧‧‧底表面
312‧‧‧第二斜向表面
314‧‧‧外表面
316‧‧‧第一斜向外部部份
318‧‧‧第二斜向外部部份
320‧‧‧第二斜向外部部份
322‧‧‧第一外梯部
324‧‧‧第二外梯部
350‧‧‧噴氣頭絕緣環
352‧‧‧噴氣頭主體
354‧‧‧噴氣頭主體
356‧‧‧噴氣頭主體
358‧‧‧噴氣頭主體
400‧‧‧腔室襯墊組件
402‧‧‧襯墊部份
404‧‧‧環部份
406‧‧‧狹縫閥開口
408‧‧‧頂表面
410‧‧‧第一外表面
412‧‧‧第一內表面
414‧‧‧第一底表面
416‧‧‧第一內斜表面
418‧‧‧突出部
420‧‧‧第二頂表面
422‧‧‧第二外表面
424‧‧‧第二底表面
426‧‧‧第二內表面
428‧‧‧第三內表面
430‧‧‧第三底表面
432‧‧‧第三外表面
434‧‧‧第四內表面
436‧‧‧第四底表面
438‧‧‧第二斜向表面
450‧‧‧頂表面
452‧‧‧外表面
456‧‧‧突出部表面
458‧‧‧第一內斜表面
470‧‧‧凸緣部份
480‧‧‧突出部部份
490‧‧‧狹縫閥部份
A‧‧‧箭頭
B‧‧‧箭頭
C‧‧‧箭頭
D‧‧‧箭頭
E‧‧‧箭頭
F‧‧‧箭頭
G‧‧‧箭頭
H‧‧‧箭頭
I‧‧‧箭頭
J‧‧‧箭頭
K‧‧‧箭頭
L‧‧‧箭頭
M‧‧‧箭頭
N‧‧‧箭頭
O‧‧‧箭頭
P‧‧‧箭頭
Q‧‧‧箭頭
R‧‧‧箭頭
S‧‧‧箭頭
T‧‧‧箭頭
U‧‧‧箭頭
α‧‧‧角度
β‧‧‧角度
γ‧‧‧角度
δ‧‧‧角度
ε‧‧‧角度
ζ‧‧‧角度
η‧‧‧角度
θ‧‧‧角度
因此，為了可以詳細理解本發明的以上所述特徵，下面將參照附圖中示出的實施例，對本發明的以上簡要敍述進行更具體的描述。然而，應該注意，附圖中只示出了本發明典型的實施例，因此不能認為其是對本發明範圍的限定， 本發明可以允許其他等同的有效實施例。
第1A圖為依據本發明之一實施例，蝕刻裝置的示意剖面圖。
第1B圖係第1A圖之蝕刻裝置的示意剖面圖，其中使用了較小的噴氣頭組件。
第2A圖為依據本發明之一實施例，噴氣頭絕緣環的剖面示意圖。
第2B圖為依據本發明之另一實施例，噴氣頭絕緣環的剖面示意圖。
第3A圖為依據本發明之另一實施例，噴氣頭絕緣環的示意剖面圖。
第3B圖為依據本發明之另一實施例，噴氣頭絕緣環的示意剖面圖。
第4A圖為依據本發明之一實施例，腔室襯墊組件的剖面圖。
第4B圖為第4A圖一部份的特寫視圖。
為了促進了解，已儘可能使用相同的元件符號代表圖中相同的元件。而於一實施例中所揭示的元件可利用在另一實施例上，而無特別詳述。
本發明實施例大致包含一噴氣頭絕緣器，以將一噴氣頭組件與一處理腔室壁電絕緣；一腔室襯墊組件，以加襯墊(lining)於一處理腔室；一下部腔室襯墊，以加襯墊於一處理腔室的一排氣區；以及一均流篩，以確保處理腔室的均勻 排氣。當在蝕刻腔室內處理一基板時，噴氣頭需與地面電絕緣。噴氣頭絕緣器可將噴氣頭與地面絕緣，同時亦防止電漿進入其所佔據的容積。腔室襯墊可保護腔室避免於污染，並減少腔室清潔。均流篩能使處理氣體均勻地被牽引入排氣通道中，而非以一不均衡的流進入排氣通道中。下部襯墊可助於均勻地抽吸真空，並保護腔室避免於污染。
本發明下述係關於蝕刻腔室。然而，各種電漿沈積與蝕刻腔室可自此所揭示之教示獲益，尤其是，介電蝕刻腔室，例如Enabler®蝕刻腔室，其可為部份半導體晶圓處理系統，前述半導體晶圓處理系統例如有CENTURA®系統、Producer®蝕刻腔室、eMax®蝕刻腔室，除了別的以外，皆可自加州Santa Clara應用材料公司獲得。可預期到可採用其他包含該些由別的製造商所製造的電漿反應器，以自本發明獲益。
第1A圖係依據本發明之一實施例，蝕刻裝置之示意剖面圖。第1B圖係第1A圖之蝕刻裝置的示意剖面圖，其中使用了較小的噴氣頭組件。該裝置包含腔室100，其具有數個自腔室底部104向上延伸的壁102。在腔室100內具有基座106，而基板108可支撐於基座106上以進行處理。基板108可經由狹縫閥開口120導入腔室100中。
腔室100可藉由經由真空埠156耦接至腔室壁102的真空泵112排氣。腔室100可藉由抽吸在擋板110周圍且通過擋板110之處理氣體來排氣，其中擋板110界定了基座 106與基板108。離真空泵112越遠，則偵測到越少的真空抽吸。相反地，離真空泵112越近，則可偵測到越大的真空抽吸。因此，為了彌補不平均的真空抽吸，可將均流篩116設置在腔室100內。均流篩116可界定基座106。與如箭頭“C”所示在最靠近真空埠156之位置處的均流篩116寬度相比，較遠離真空埠156位置處的均流篩116寬度較小，如箭頭“B”所示。被排出的氣體可於均流篩周圍流動，接著通過下部襯墊114。下部襯墊114具有一或多個孔洞穿過，以使處理氣體經其排出。間隔118位在下部襯墊114與腔室100的壁102之間，以使氣體流過下部襯墊114之後而至真空埠156。真空埠156可由流阻件154防堵，以防止處理氣體自靠近基板108的區域被直接吸入真空泵112中。被排出的氣體可沿著箭頭“A”所示之路徑流動。
處理氣體可經由噴氣頭122A、122B導入處理腔100中。噴氣頭122A、122B經由來自RF功率源152的RF電流偏壓，而噴氣頭122A、122B可包含第一擴散板126A、126B與第二擴散板124A、124B。於一實施例中，第一擴散板126A、126B可包含鋁。於另一實施例中，第二擴散板124A、124B可包含碳化矽。第一擴散板126A、126B與第二擴散板124A、124B可接合在一起。於一實施例中，第一擴散板126A、126B與第二擴散板124A、124B可焊接在一起。於另一實施例中，第一擴散板126A、126B與第二擴散板124A、124B可利用彈性體黏著劑接合在一起。噴氣頭122A、122B可分為內部區域158與外部區域160。內部區域158可具有加熱元件128。於 一實施例中，加熱元件128為環形。加熱元件128與加熱源148耦接。外部區域160亦包含與加熱源150耦接的加熱元件130。於一實施例中，加熱元件128、130包含環形導管，其充滿來自加熱源148、150的加熱流體。於另一實施例中，加熱元件128、130可包含由加熱源148、150提供動力的加熱線圈。儘管未顯示，熱電偶可提供即時溫度反饋至用以控制供至內部區域158與外部區域160熱量的控制器。
內部區域158藉由導管146與氣源138耦接。來自氣源138的氣體可經由導管146流至設置在噴氣頭122A、122B之第一擴散板126A、126B後的氣室132。閥142可沿著導管146設置，以控制從氣源138流至氣室132的氣體量。一旦氣體進入氣室132，氣體接著可通過擴散板124A、124B、126A、126B。同樣地，外部區域160可藉由導管144與氣源138耦接。閥140可沿著導管144設置，以控制從氣源136流至氣室134的氣體量。
當理解的是，儘管在第1A與1B圖中顯示了個別的氣源136、138，但亦可使用單一共同的氣源。當使用單一共同的氣源時，個別的導管144、146可耦接至氣源，而閥140、142可控制到達氣室132、134的處理氣體量。
第2A圖為依據本發明之一實施例，噴氣頭絕緣環200的剖面示意圖。絕緣環200的功能為確保蝕刻裝置中的噴氣頭組件與地面電絕緣。另外，絕緣環200佔據間隔，因而防止電漿在蝕刻操作期間佔據間隔。絕緣環200包含具有頂表面204的環主體202。於一實施例中，環主體202包含石英。 於另一實施例中，環主體202包含一絕緣材料。
於一實施例中，頂表面204可具有約1英吋至約2英吋間的寬度。於另一實施例中，頂表面204可具有約1.25英吋至約1.75英吋間的寬度。於另一實施例中，頂表面204可具有約1.25英吋至約1.50英吋間的寬度。頂表面204可具有外部直徑，如箭頭“E”所示。於一實施例中，直徑“E”可在約18英吋至約19英吋之間。於另一實施例中，直徑“E”可在約18.25英吋至約18.75英吋之間。於另一實施例中，直徑“E”可在約18.50英吋至約18.65英吋之間。
頂表面204可大體上平行於底表面206。於一實施例中，底表面206可具有約1英吋至約2英吋之間的寬度。於另一實施例中，底表面206可具有約1英吋至約1.50英吋之間的寬度。於另一實施例中，底表面206具有約1英吋至約1.25英吋之間的寬度。於一實施例中，頂表面204具有較底表面206長的寬度。
頂表面204係藉由內斜表面208與底表面206耦接。於一實施例中，內斜表面208具有約1英吋至約2英吋之間的長度，如箭頭“J”所示。於另一實施例中，內斜表面208具有約1.25英吋至約1.50英吋之間的長度“J”。於另一實施例中，內斜表面208具有約1.35英吋至約1.45英吋之間的長度“J”。
內斜表面208在耦接至頂表面204的末端處具有比耦接至底表面206的末端處較大直徑。於一實施例中，在內斜表面208的頂部處之環主體202直徑係在約17英吋至約18 英吋之間，如箭頭“F”所示。於另一實施例中，直徑“F”可在17.25英吋至約17.75英吋之間。於另一實施例中，直徑“F”可在17.25英吋至約17.50英吋之間。於一實施例中，內斜表面208係耦接至頂表面204，如圓角214。
另一方面，內斜表面208耦接至底表面206之末端的直徑可具有較小的直徑如箭頭“G”所示。於一實施例中，直徑“G”可在約16英吋至約17英吋之間。於另一實施例中，直徑“G”可在約16.25英吋至約16.75英吋之間。於另一實施例中，直徑“G”可在約16.50英吋至約16.60英吋之間。
內斜表面208相對於頂表面204傾斜一角度，如角度“β”所示。於一實施例中，角度“β”可在約75度至約80度之間。於另一實施例中，角度“β”可在約72度至約76度之間。於另一實施例中，角度“β”可在約73度至約76度之間。
頂表面204亦藉由一階梯狀的外表面210耦接至底表面206。外表面210可具有一頂部部份216與一底部部份218。底部部份218可耦接至底表面206。底部部份218可相對於底表面206傾斜一角度“α“。於一實施例中，角度“α"可在約100度至約110度之間。於另一實施例中，角度“α"可在約103度至約107度之間。於另一實施例中，角度“α"可在約104度至約105度之間。環主體202的直徑在底部部份218耦接至底表面206之處，可具有一如箭頭“H”所示的直徑。於一實施例中，直徑“H”可在約17.50英吋至約18.50 英吋之間。於另一實施例中，直徑“H”可在約17.50英吋至約18英吋之間。於另一實施例中，直徑“H”可在約17.55英吋至約17.75英吋之間。底部部份218的頂部亦可具有一直徑，如箭頭“I”所示。於一實施例中，直徑“I”可在約17.50英吋至約18.50英吋之間。於另一實施例中，直徑“I”可在約17.75英吋至約18.25英吋之間。於另一實施例中，直徑“I”可在約18.0英吋至約18.10英吋之間。
底部部份218可藉由梯部212耦接至頂部部份216。於一實施例中，梯部212可具有約0.25英吋至約1英吋之間的寬度。於另一實施例中，梯部212可具有約0.25英吋至約0.75英吋之間的寬度。於另一實施例中，梯部212可具有約0.50英吋至約0.60英吋之間的寬度。梯部212可頂表面204與底表面206兩者平行。
另一方面，頂部部份216可在角214處耦接至頂表面204。頂部部份216可相對於頂表面204傾斜一角度“γ”。於一實施例中，角度“γ”可在約65度至約85度之間。於另一實施例中，角度“γ”可在約75度至約85度之間。於另一實施例中，角度“γ”可在約76度至約81度之間。頂部部份216的角度“γ”可不同於底部部份218的角度“α"。
第2B圖為依據本發明之另一實施例，噴氣頭絕緣環250的剖面示意圖。環250可包含兩獨立部分的材料，而非為單一部份的材料。環250可包含頂部主體252以及底部主體254。頂部主體252係在梯部處耦接至底部主體254。
就較小的噴氣頭組件而言，絕緣環需經塑形以如較大的噴氣頭組件般，在相同的裝置內容納較小的噴氣頭組件。第3A圖為依據本發明之另一實施例，噴氣頭絕緣環300的剖面示意圖。環300可包含環主體302。環主體302具有一藉由第一內斜表面308耦接至突出部306的頂表面304。頂表面304具有在約1英吋至約2英吋之間的寬度。於另一實施例中，頂表面304可具有約1.25英吋至約1.75英吋之間的寬度。於另一實施例中，頂表面304可具有約1.25英吋至約1.50英吋之間的寬度。頂表面304具有一外部直徑，如箭頭“K”所示。於一實施例中，直徑“K”可在約18英吋至約19英吋之間。於另一實施例中，直徑“K”可在約18.25英吋至約18.75英吋之間。於另一實施例中，直徑“K”可在約18.50英吋至約18.65英吋之間。
頂表面304係藉由第一內斜表面308與突出部306耦接。於一實施例中，第一內斜表面308具有約0.50英吋至約1英吋之間的長度，如箭頭“L”所示。於另一實施例中，第一內斜表面308具有約0.60英吋至約0.90英吋之間的長度。於另一實施例中，第一內斜表面308具有約0.75英吋至約0.90英吋之間的長度“L”。第一內斜表面308可相對於頂表面304，傾斜一角度“δ”。於一實施例中，角度“δ”可在約75度至約80度之間。於另一實施例中，角度“δ”可在約72度至約76度之間。於另一實施例中，角度“δ”可在約73度至約76度之間。
突出部306可具有一寬度，如箭頭“M”所示。噴 氣頭組件之擴散板中的一者可於裝置內依靠突出部306。於一實施例中，寬度“M”可在約2英吋至約3英吋之間。於另一實施例中，寬度“M”可在約2.25英吋至約2.75英吋之間。於另一實施例中，寬度“M”可在約2.50英吋至約2.70英吋之間。
突出部306可藉由第二內斜表面312耦接至底表面310。於一實施例中，第二斜向表面312可具有在約0.50英吋至約0.70英吋之間的高度。於另一實施例中，第二斜向表面312可具有約0.55英吋至約0.65英吋之間的高度。於另一實施例中，第二斜向表面312可具有約0.55英吋至約0.60英吋之間的高度。第二斜向表面312可相對於突出部306傾斜一角度“ε”。於一實施例中，角度“ε”可在約75度至約80度之間。於另一實施例中，角度“ε”可在約72度至約76度之間。於另一實施例中，角度“ε”可在約73度至約76度之間。
底表面310可平行於突出部306以及頂表面304兩者。於一實施例中，底表面310可具有約0.50英吋至約1.50英吋之間的長度。於另一實施例中，長度可在約0.75英吋至約1.25英吋之間。於另一實施例中，長度可在約0.90英吋至約1.10英吋之間。
頂表面304可藉由外表面314耦接至底表面310。外表面314可包含第一斜向外部部份316其耦接至第二斜向外部部份318，第二斜向外部部份318則耦接至第三斜向外部部份320。第一斜向外部部份316可與頂表面304耦接。於一 實施例中，第一斜向外部部份316具有約0.50英吋至約1.00英吋之間的高度。於另一實施例中，該高度可在約0.60英吋至約0.75英吋之間。於另一實施例中，該高度可在約060英吋至約0.70英吋之間。第一斜向外部部份316相對於頂表面304成一角度。於一實施例中，角度“ζ”可在約60度至約85度之間。於另一實施例中，角度“ζ”可在約70度至約85度之間。於另一實施例中，角度“ζ”可在約75度至約80度之間。
第一斜向外部部份316可藉由第一外梯部322耦接至第二斜向外部部份318。第一外梯部322可平行於頂表面304、底表面310以及突出部306。第二斜向部份318可相對於第一外梯部322傾斜。於一實施例中，角度“η”可在約85度至約120度之間。於另一實施例中，角度“η”可在約95度至約110度之間。另一實施例中，角度“η”可在約100度至約105度之間。於一實施例中，第二斜向外部部份320的高度可在約0.25英吋至約0.75英吋之間。於另一實施例中，該高度可在約0.30英吋至約0.60英吋之間。於另一實施例中，該高度可在約0.40英吋至約0.55英吋之間。
第二斜向外部部份320可藉由第二外梯部324耦接至第三斜向外部部份320。第二外梯部324可平行於第一外梯部322、底表面310、頂表面304以及突出部306。於一實施例中，第二外梯部324具有約2英吋至約3英吋之間的長度。於另一實施例中，長度可在約2.25英吋至約2.75英吋之間。於另一實施例中，長度可在約2.40英吋至約2.60英吋之間。
第三斜向外部部份324係耦接至底表面310。第三斜向外部部份324可相對於底表面310傾斜。於一實施例中，傾斜的角度“θ”可在約50度至約80度之間。於另一實施例中，角度“θ”可在約60度至約75度之間。於另一實施例中，角度可在約65度至約75度之間。
第3B圖為依據本發明之另一實施例，噴氣頭絕緣環350的示意剖面圖。噴氣頭環350可包含四個不同噴氣頭主體352、354、356、358，其全部耦接在一起以形成噴氣頭環350。
處理腔室可加襯墊，以保護腔室避免於所不樂見的會導致基板污染的沈積或蝕刻。藉由將腔室壁加襯墊，腔室壁可受保護而免於不要的沈積或蝕刻。之後，可依需求僅替換或清潔襯墊，而非替換腔室及/或清潔腔室。藉由替換襯裡，可減少腔室的停工期。
第4A圖為依據本發明之一實施例，腔室襯墊組件的剖面圖。第4B圖為第4A圖一部份的特寫視圖。腔室襯墊組件400包含襯墊部份402以及環部份404。狹縫閥開口406可鑽孔穿過襯墊部份402的下方部份。於一實施例中，組件400可具有約21英吋至約23英吋的寬度。於另一實施例中，寬度可在約21.5英吋至約22.5英吋之間。於另一實施例中，寬度可在約21.75英吋至約22.25英吋之間。於一實施例中，組件可具有約4.5英吋至約6英吋之間的高度。於另一實施例中，高度可在約5.0英吋至約5.75英吋之間。於另一實施例中，高度可在約5.25英吋至約5.50英吋之間。於一實施例中，襯墊部份402可包含一或多種金屬。於另一實施例中，襯墊 部份402可包含鋁。
襯墊部份402包含凸緣部份470、突出部部份480以及狹縫閥部份490。凸緣部份470包含耦接至第一外表面410的頂表面408。頂表面408可大體上垂直於第一外表面410。第一外表面410可耦接至第一底表面414。第一底表面414可大體上平行於第一頂表面408且垂直於第一外表面410。頂表面408亦可藉由第一內斜表面416耦接至第一內表面412。當腔室經組裝時，凸緣部份470可耦接至腔室壁。
突出部部份480包含突出部418，其具有耦接至凸緣部份470之第一內表面的第二頂表面420。第二頂表面420可大體上平行於頂表面408。突出部部份480亦可包含第二內表面426以及第二外表面422。第二外表面422可大體上平行於第一外表面410。突出部部份480亦包含藉由第三內表面428耦接至第三底表面430的第二底表面424。第三內表面428可大體上垂直於第二外表面422。
狹縫閥部份490可包含耦接至第四底表面436的第三外表面432。第四底表面436可藉由第二斜向表面438耦接至第四內表面434。第四底表面436可大體上平行於頂表面408、第一底表面414以及第二底表面424。第三外表面432可大體上垂直於第四底表面436。
襯墊組件亦可包含環部份404。於一實施例中，環部份404可包含一絕緣材料。於另一實施例中，環部份404可包含石英。於另一實施例中，環部份404可包含碳化矽。當腔室經組裝時，環部份404可耦接至噴氣頭絕緣組件。環 部份404可包含耦接至外表面452的頂表面450。頂表面454可平行於襯墊部份402的第二底表面424，且大體上垂直於外表面452。當環部份404與襯墊部份402耦接在一起時，頂表面454可藉由接合材料耦接在一起。另外，外表面452可大體上平行於襯墊部份402之突出部部份480的第三內表面428。當組件400經組裝時，外表面452可藉由接合材料耦接至第三內表面428。
頂表面450可藉由外表面452耦接至底表面454。底表面454可大體上平行於頂表面450，且大體上垂直於外表面452。第一內斜表面458可耦接至頂表面450以及至環部份404的突出部表面456。當腔室經組裝時，突出部表面456可與噴氣頭絕緣環耦接。
襯墊部份402以及環部份404可包含不同的材料。環部份較靠近腔室的處理區域，因此具有較大的可能性暴露於電漿下。因此，環部份404可以絕緣材料製成，例如碳化矽。然而，襯墊部份402在離電漿場較遠的區域，且於部份實施例中，完全沒有暴露在電漿場下。因此，襯墊部份402可以較便宜，較易製造的材料製成，例如鋁。然而，當注意的是，襯墊部份402以及環部份404可包含相同的材料。在環部份404與襯墊部份402包含相同材料的實施例中，材料包含了絕緣材料，例如碳化矽。
藉由適當地將噴氣頭與腔室主體絕緣，以及藉由將腔室主體加襯墊，可形成均勻的電漿，進而可增加蝕刻的均勻性。
儘管上文已揭示本發明之實施例，在不脫離其基本範圍下，可設想出本發明其他以及進一歩的實施例，且其範圍如下述申請專利範圍所界定者。
300‧‧‧環
302‧‧‧環主體
304‧‧‧頂表面
306‧‧‧突出部
308‧‧‧第一內斜表面
310‧‧‧底表面
312‧‧‧第二斜向表面
314‧‧‧外表面
316‧‧‧第一斜向外部部份
318‧‧‧第二斜向外部部份
320‧‧‧第二斜向外部部份
322‧‧‧第一外梯部
324‧‧‧第二外梯部
K‧‧‧箭頭
L‧‧‧箭頭
M‧‧‧箭頭
N‧‧‧箭頭
O‧‧‧箭頭
P‧‧‧箭頭
Q‧‧‧箭頭
R‧‧‧箭頭
S‧‧‧箭頭
T‧‧‧箭頭
U‧‧‧箭頭
δ‧‧‧角度
ε‧‧‧角度
ζ‧‧‧角度
η‧‧‧角度
θ‧‧‧角度

Claims (14)

  1. 一種噴氣頭絕圓環，其包含：一環主體，其具有一第一表面以及一第二表面，該第二表面平行於該第一表面，且藉由一第三表面以及一第四表面與該第一表面相隔，該第三表面係相對於該第一與第二表面以約75度至約80度間的一第一角度設置，該第四表面具有至少一梯部部份，且相對於該第一表面以一第二角度設置，以及相對於該第二表面以一第三角度設置。
  2. 如請求項第1項所述之環，其中該第三表面與該第一表面間的耦接大體上為一曲面。
  3. 如請求項第1項所述之環，其中該第一角度在約72度至約76度之間。
  4. 如請求項第1項所述之環，其中該第二角度在約75度至約85度之間。
  5. 如請求項第1項所述之環，其中該第三角度在約70度至約80度之間。
  6. 如請求項第1項所述之環，其中該環主體包含一頂部環，該頂部環接合至一底部環，使得該頂部環與該底部環兩者的一內部表面共同地包含該第三表面。
  7. 如請求項第1項所述之環，其中該環主體包含石英。
  8. 如請求項第1項所述之環，其中該環主體包含數個圓角。
  9. 一種腔室襯墊，其包含：一主體，其具有一凸緣部份、一狹縫閥部份以及一突出部部份，該凸緣部份包含：一第一頂表面、一第一外表面、一第一內表面以及一第一底表面，其中該第一內表面係大體上平行於該第一外表面，該第一底表面係大體上平行於該第一頂表面，以及該第一頂表面係藉由一第一斜向表面與該第一內表面耦接，該第一斜向表面相對於該第一頂表面、該第一內表面、該第一外表面以及該第一底表面傾斜；該突出部部份包含：一第二頂表面，其耦接至該凸緣部份的該第一內表面；一第二外表面，其平行於該凸緣部份的該第一外表面；一第二底表面；一第二內表面；一第三內表面以及一第三底表面，其中該第二內表面係徑向地設置在該第三內表面的內部；以及該狹縫閥部份包含：一第三外表面、一第四內表面以及一第四底表面，其中該第四內表面係藉由一第二斜向表面耦接至該 第四底表面，其中該第二斜向表面相對於該第三外表面、該第四內表面以及該第四底表面傾斜。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之襯墊，其中該主體包含一金屬。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之襯墊，其中該金屬包含鋁。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之襯墊，其中該狹縫閥部份具有一經其鑿切的狹縫閥開口。
  13. 如申請專利範圍第9項所述之襯墊，其中該第三外表面具有約21.5英吋至22.5英吋之間的直徑。
  14. 如申請專利範圍第9項所述之襯墊，其中該主體具有約5英吋至約5.5英吋之間的高度。
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