TW201435113A - 保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜 - Google Patents

保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜 Download PDF

Info

Publication number
TW201435113A
TW201435113A TW102138077A TW102138077A TW201435113A TW 201435113 A TW201435113 A TW 201435113A TW 102138077 A TW102138077 A TW 102138077A TW 102138077 A TW102138077 A TW 102138077A TW 201435113 A TW201435113 A TW 201435113A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mass
film
protective film
sputtering target
wiring film
Prior art date
Application number
TW102138077A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI595105B (zh
Inventor
Satoru Mori
Souhei Nonaka
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
Publication of TW201435113A publication Critical patent/TW201435113A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI595105B publication Critical patent/TWI595105B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C9/00—Alloys based on copper
    • C22C9/01—Alloys based on copper with aluminium as the next major constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3414—Targets
    • H01J37/3426—Material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0302—Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0317—Thin film conductor layer; Thin film passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12903—Cu-base component
    • Y10T428/1291—Next to Co-, Cu-, or Ni-base component

Abstract

本發明之保護膜形成用濺鍍標靶，係於Cu配線膜的單面或雙面形成保護膜時所使用的保護膜形成用濺鍍標靶，其係由以下所構成：Al為8.0質量%以上11.0質量%以下，Fe為3.0質量%以上5.0質量%以下，Ni為0.5質量%以上2.0質量%以下，Mn為0.5質量%以上2.0質量%以下，剩餘部份為Cu與不可避免之雜質。且，層積配線膜(10)具備：Cu配線膜(11)、以及形成於該Cu配線膜(11)之單面或雙面的保護膜(12)，保護膜(12)係使用上述之保護膜形成用濺鍍標靶而成膜。

Description

保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜
本發明為關於一種保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜，該保護膜形成用濺鍍標靶係使用於形成保護膜，該保護膜係保護由銅或銅合金所構成之Cu配線膜；該層積配線膜具備：藉由該保護膜形成用濺鍍標靶所成膜之保護膜。
以往，作為液晶與有機EL面板等平板顯示器、觸控面板等的配線膜，廣泛地使用Al。最近由於追求著配線膜的細微化(狹窄化)及薄膜化，故要求電阻率比以往更低的配線膜。
隨著上述配線膜的細微化及薄膜化，提供有使用電阻率比Al更低的材料之銅或銅合金的配線膜。
但是，由電阻率低的銅或銅合金所構成之Cu配線膜，有著在有濕度的環境中容易變色的問題。又，為了提高耐氣候性，使用含有大量添加元素之銅合金的情況，會使電阻率提昇。
於是，例如專利文獻1中，提案有一種層積膜及濺鍍標靶，其係於Cu配線膜上形成由Ni-Cu-(Cr、Ti)合金所構成之保護膜的層積膜，以及用來形成該保護膜的濺鍍標靶。該保護膜由於具有比銅更高的耐氣候性，故即使在大氣中保存時亦可抑制表面的變色。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2012-193444號公報
在此，將由銅或銅合金所構成之Cu配線膜藉由蝕刻形成圖形時，使用含有氯化鐵的蝕刻液。將具有由上述之Ni-Cu-(Cr、Ti)合金所構成之保護膜的層積膜，以含有氯化鐵之蝕刻液進行蝕刻時，保護膜的一部分會因未溶解而成為殘渣殘存下來。因為有著由此殘渣所致之配線間短路之虞，故難以作為配線膜使用。
且，在含有Cr時，蝕刻後的廢液將會含有Cr，有著處理廢液之成本較高的問題。
此外，將比較貴的Ni以35質量%以上84.5質量%以下大量含有的觀點來看，有著濺鍍標靶及層積膜的製造成本增加的問題。
且，將於基板上所形成之上述層積膜予以蝕 刻時，蝕刻後之配線剖面的形狀，為矩形狀或朝著基板側變細的倒錐狀。如此般，蝕刻後的配線剖面形狀為矩形狀或倒錐狀的時候，於Cu配線膜的緣部會發生被稱為孔洞(void)的缺陷，並在重疊層積之時會誘發斷線，有著導致產量或品質降低之虞。
此發明係有鑑於前述情事而開發者，其目的在於提供一種保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜，該保護膜形成用濺鍍標靶係可形成保護膜，該保護膜之耐氣候性優異，且可抑制表面變色，並具有良好的蝕刻性，且將於基板上形成之層積膜蝕刻後的剖面形狀為朝著基板側變粗的正錐狀，可以抑制孔洞的發生；該層積配線膜具備：藉由該保護膜形成用濺鍍標靶所成膜之保護膜。
(1)本發明之一型態的保護膜形成用濺鍍標靶，係於Cu配線膜的單面或雙面形成保護膜時所使用的保護膜形成用濺鍍標靶，其係由以下所構成：Al為8.0質量%以上11.0質量%以下，Fe為3.0質量%以上5.0質量%以下，Ni為0.5質量%以上2.0質量%以下，Mn為0.5質量%以上2.0質量%以下，剩餘部份為Cu與不可避免之雜質。
如此般構成之本發明的保護膜形成用濺鍍標靶，由於其係由：Al為8.0質量%以上11.0質量%以下，Fe為3.0質量%以上5.0質量%以下，Ni為0.5質量%以上 2.0質量%以下，Mn為0.5質量%以上2.0質量%以下，剩餘部份為Cu與不可避免之雜質所構成的Cu基合金，故即使將所形成之保護膜以含有氯化鐵之蝕刻液進行蝕刻時，亦可與Cu配線膜同樣程度地被蝕刻，可抑制未溶解之殘渣的產生。進一步，可將蝕刻後的配線剖面形狀成為正錐狀。
且，以Ni的含量為0.5質量%以上2.0質量%以下之較少的觀點來看，可將該濺鍍標靶及保護膜的製造成本大幅縮減。
(2)本發明之其他型態為層積配線膜，其具備Cu配線膜、以及形成於該Cu配線膜之單面或雙面的保護膜，前述保護膜係藉由(1)所述之保護膜形成用濺鍍標靶而成膜。
如此般構成之本發明的層積配線膜，由於具有藉由成為上述之組成的保護膜形成用濺鍍標靶予以成膜的保護膜，故耐氣候性提昇，即使在大氣中保存亦可抑制變色。
且，由於保護膜係由Cu基合金所構成，故即使以含有氯化鐵之蝕刻液進行蝕刻時亦可抑制未溶解之殘渣的發生。且，可將蝕刻後的配線剖面的形狀成為正錐狀，可抑制孔洞的發生。
此外，由於不具有Cr，故蝕刻後的廢液處理可低成本地進行。進一步，以Ni的含量為0.5質量%以上2.0質量%以下之較少的觀點來看，可將層積配線膜的製造成本 大幅縮減。
如上述般，根據本發明，可提供一種保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜，該保護膜形成用濺鍍標靶係可形成保護膜，該保護膜之耐氣候性優異，且可抑制表面變色，並具有良好的蝕刻性，且蝕刻後的剖面形狀為正錐狀，可以抑制孔洞的發生；該層積配線膜具備：藉由該保護膜形成用濺鍍標靶所成膜之保護膜。
1‧‧‧基板
10‧‧‧層積配線膜
11‧‧‧Cu配線膜
12‧‧‧保護膜
圖1為本發明之一實施型態之層積配線膜的剖面說明圖。
圖2為以往例101之層積配線膜之顯示蝕刻後之剖面觀察結果的照片。
圖3為本發明例101之層積配線膜之顯示蝕刻後之剖面觀察結果的照片。
以下，針對本發明之一實施型態的保護膜形成用濺鍍標靶、及層積配線膜來進行說明。
本實施型態之保護膜形成用濺鍍標靶，係在由銅或銅合金所構成之Cu配線膜上形成保護膜時所使用 者。
該保護膜形成用濺鍍標靶，具有以下之組成：Al為8.0質量%以上11.0質量%以下，Fe為3.0質量%以上5.0質量%以下，Ni為0.5質量%以上2.0質量%以下，Mn為0.5質量%以上2.0質量%以下，剩餘部份為Cu與不可避免之雜質。
又，該保護膜形成用濺鍍標靶係經由鑄造、熱壓延、熱處理、機械加工等步驟予以製造。
以下，針對本實施型態之保護膜形成用濺鍍標靶的組成，說明將其規定成為上述般組成的理由。
(Al：8.0質量%以上11.0質量%以下)
Al為具有改善濺鍍膜之防腐蝕性之作用效果的元素。藉由含有Al可改善濺鍍膜的防腐蝕性。
在此，Al的含量未滿8.0質量%時，濺鍍膜的防腐蝕性無法充分提昇，在恆溫恆濕試驗中有著會發生變色之虞。另一方面，Al的含量超過11.0質量%時，熱加工性會降低，在製造濺鍍標靶時會有發生熱加工破裂之虞。
由於此般理由，將Al的含量設定在8.0質量%以上11.0質量%以下之範圍內。
(Fe：3.0質量%以上5.0質量%以下)
Fe具有使蝕刻後的配面剖面形狀成為正錐狀的作用效果。在此，Fe的含量未滿3.0質量%時，使配線剖面的 形狀成為正錐狀的作用效果無法充分提昇，蝕刻後的配線剖面形狀會成為倒錐狀或矩形狀，有發生孔洞之虞。另一方面，Fe的含量超過5.0質量%時，會對濺鍍膜的防腐蝕性造成負面影響，在恆溫恆濕試驗中有著會發生變色之虞。
由於此般理由，將Fe的含量設定在3.0質量%以上5.0質量%以下之範圍內。
(Ni：0.5質量%以上2.0質量%以下)
Ni為具有改善鑄錠之熱加工性之效果的元素。藉由含有Ni，可在製造濺鍍標靶時抑制熱加工破裂的發生。
在此，Ni的含量未滿0.5質量%時，熱加工性無法充分提昇，有著無法充分抑制熱加工破裂之虞。另一方面，Ni的含量超過2.0質量%時，無法看見改善熱加工性之更進一步的效果。此外，由於高價之Ni的含量增加，會使製造成本增加。
由於此般理由，將Ni的含量設定在0.5質量%以上2.0質量%以下之範圍內。
(Mn：0.5質量%以上2質量%以下)
Mn為具有使熔融金屬之流動性、熱加工性提昇之作用效果的元素。藉由添加Mn，可抑制鑄造缺陷的發生，在製造濺鍍標靶時，可抑制熱加工時之破裂的發生。
在此，Mn的含量未滿0.5質量%時，有著無法提昇熔 融金屬之流動性、熱加工性之虞。另一方面，Mn的含量超過2質量%時，無法看見改善熱加工性之更進一步的效果。
由於此般理由，將Mh的含量設定在0.5質量%以上2質量%以下之範圍內。
接著，針對本實施型態之層積配線膜10進行說明。
本實施型態之層積配線膜10，係如圖1所示般，具備：成膜於基板1上的Cu配線膜11、以及成膜於Cu配線膜11上的保護膜12。
在此，基板1雖無特別限定，但於平板顯示器或觸控面板等時，使用由可透光的玻璃、樹脂薄膜等所構成者。
Cu配線膜11係以銅或銅合金所構成，其電阻率為4.0μΩcm以下(溫度25℃)較佳。在本實施型態中，Cu配線膜11，係由純度99.99質量%以上之無氧銅所構成，其電阻率為3.5μΩcm以下(溫度25℃)。又，該Cu配線膜11係使用由純度99.99質量%以上之無氧銅所構成之濺鍍標靶予以成膜。
且，該Cu配線膜11之厚度A，在50nm≦A≦800nm之範圍內為佳，進一步在100nm≦A≦300nm之範圍內較佳。
保護膜12，係使用本實施型態之保護膜形成用濺鍍標靶所成膜者，具有與上述之保護膜形成用濺鍍標靶同樣的組成。
該保護膜12的厚度B，在5nm≦B≦100nm之範圍內為佳，進一步在10nm≦B≦50nm之範圍內較佳。
且，Cu配線膜11的厚度A與保護膜12的厚度B之比B/A係在0.02<B/A<1.0之範圍內為佳，進一步在0.1<B/A<0.3之範圍內較佳。
構成為如上述般之本實施型態的保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜10，如上述般，其組成為：Al為8.0質量%以上11.0質量%以下，Fe為3.0質量%以上5.0質量%以下，Ni為0.5質量%以上2.0質量%以下，Mn為0.5質量%以上2.0質量%以下，剩餘部份為Cu與不可避免之雜質，且由於係作為Cu基合金，故即使以含有氯化鐵的蝕刻液進行蝕刻時，亦可良好地蝕刻，可抑制未溶解之殘渣的發生。
且，保護膜形成用濺鍍標靶及保護膜12，由於Al含有在上述之範圍內，故耐氣候性提昇，可確實抑制層積配線膜10之表面變色。
此外，保護膜形成用濺鍍標靶及保護膜12，由於不具有Cr，故蝕刻後的廢液處理可低成本地進行。
且，由於Fe含有在上述之範圍內，故藉由蝕刻所得到的配線剖面形狀為正錐狀，可抑制孔洞的發生。
此外，Ni的含量為0.5質量%以上2.0質量%以下之較少的觀點來看，可大幅削減保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜10的製造成本。
此外，由於Ni及Mn係分別含有在上述之範圍內， 故熱加工性優異，可良好地製造本實施型態之保護膜形成用濺鍍標靶。
且，在本實施型態中，Cu配線膜11係以銅或銅合金所構成，其電阻率為4.0μΩcm以下(溫度25℃)，更具體而言，係以電阻率3.5μΩcm以下(溫度25℃)的無氧銅所構成，由於Cu配線膜11的厚度A在50nm≦A≦800nm的範圍內，故可藉由該Cu配線膜11良好地進行通電。
此外，本實施型態中，保護膜12之厚度B在5nm≦B≦100nm的範圍內，由於使Cu配線膜11的厚度A與保護膜12的厚度B之比B/A成為0.02<B/A<1.0的範圍內，故可確實地抑制Cu配線膜11的變色，同時確保良好的蝕刻性。
以上，針對本發明之實施型態進行了說明，但本發明並不限定於此，在不超出其發明之技術性思想的範圍內可適當地予以變更。
例如，在本實施型態中，雖說明有於基板上形成層積配線膜的構造作為例子，但並不限定於此，於基板上形成ITO膜、AZO膜等透明導電膜，再於其上形成層積配線膜亦可。
且，雖說明有將Cu配線膜以純度99.99質量%以上之無氧銅所構成者，但並不限定於此，例如以精煉銅等純銅或含有少量添加元素之銅合金所構成者亦可。
[實施例]
以下，針對關於本發明之保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜的作用效果予以評價之評價試驗的結果進行說明。
<Cu配線膜形成用純銅標靶>
準備純度99.99質量%之無氧銅的鑄錠，對該鑄錠以800℃進行熱壓延、弛力退火、機械加工，製作具有外徑：100mm×厚度：5mm之尺寸的Cu配線膜形成用純銅標靶。
接著，準備無氧銅製背板，將前述之Cu配線膜形成用純銅標靶重疊至該無氧銅製背板上，在溫度：200℃藉由銦焊接製作附背板標靶。
<保護膜形成用濺鍍標靶>
作為溶解原料，準備無氧銅(純度99.99質量%)、鋁(純度99.99質量%)、工業用純鐵(純度99質量%)、低碳鎳(純度99.9質量%)、電解金屬錳(純度99.9質量%)，將該等之溶解原料在高純度石墨坩堝內予以高頻溶解，將熔融金屬的成份調整成為具有如表1所示之組成後，於冷卻之碳模具進行鑄造，得到大小為50×50×30mm厚的鑄錠。
接著，對鑄錠以壓下率約10%至10mm厚為止以800℃進行熱壓延，將表面的氧化物與瑕疵以表面削切除去之 後，進行弛力退火。對所得之壓延板的表面進行機械加工，製作具有外徑：100mm、厚度：5mm之尺寸的本發明例1~23及比較例1~6的保護膜形成用濺鍍標靶。此外，準備作為以往例1之由Ni：64.0質量%、Ti：4.0質量%、剩餘部份為Cu及不可避免之雜質所構成的濺鍍標靶。
接著，準備無氧銅製背板，將所得之保護膜形成用濺鍍標靶重疊至該無氧銅製背板上，在溫度：200℃藉由銦焊接製作附背板標靶。
在此，於本發明例1~23及比較例1~6的保護膜形成用濺鍍標靶中，確認是否有於熱壓延時的破裂。將結果一併顯示於表1。
<層積配線膜>
將Cu配線膜形成用純銅標靶於濺鍍裝置內設置成與玻璃基板(具有縱：20mm、橫：20mm、厚：0.7mm之尺寸的康寧公司製1737的玻璃基板)的距離成為70mm，並以下述條件實施濺鍍，電源：直流方式、濺鍍功率150W；最終真空度：5×10-5Pa；環境氣體組成：純Ar；濺鍍氣體壓力：0.67Pa；基板加熱：無，於玻璃基板的表面上形成具有厚度為150nm的Cu配線膜。
接下來，以同樣條件使用如表1所記載之保護膜形成用濺鍍標靶實施濺鍍，於Cu配線膜上形成厚度：30nm的保護膜。藉此，形成如表2所示之本發明例101~123及 比較例101~106的層積配線膜。
又，作為以往例101，使用如上述之以往例1的濺鍍標靶，於Cu配線膜上製作形成有保護膜的層積配線膜。
<密著性>
依據JIS-K5400標準，於層積配線膜以1mm之間隔切入棋盤狀的切痕之後，以3M公司製的透明膠帶予以黏撕，在玻璃基板中央部之10mm角內實施測定附著於玻璃基板之層積配線膜之面積%的棋盤狀切痕黏著測試。以3M公司製的透明膠帶予以黏撕之後依然附著於層積配線膜的面積為99%以上者為「OK」，面積%未滿99%者為「NG」。將評價結果顯示於表2。
<耐氣候性>
進行恆溫恆濕試驗(以60℃、相對濕度90%進行250小時暴露)，以目視確認層積配線膜表面是否有變化。確認有變色者為「NG」，無法確認有變色者為「OK」。將評價結果顯示於表2。
<蝕刻殘渣、配線剖面的形狀>
對成膜於玻璃基板上的層積配線膜，塗布光阻液(東京應化工業股份有限公司製：OFPR-8600LB)並進行感光、顯影，以30μm之線與空間形成光阻膜，並浸漬於液溫保持在30℃±1℃之4%FeCl3水溶液，對層積配線膜進 行蝕刻而形成配線。
對該配線的剖面，使用Ar離子束，對從遮蔽板露出之試料垂直地以光束照射，進行離子蝕刻，將所得之剖面以二次電子顯微鏡進行觀察，調查蝕刻殘渣的有無、以及配線剖面的形狀。圖2、圖3係顯示對層積有玻璃基板、Cu配線膜、保護膜、光阻之層積配線膜進行蝕刻之後的剖面。圖2係以往例101之蝕刻後的剖面觀察結果，圖3係本發明例101之蝕刻後的剖面觀察結果。在此，圖2為確認有殘渣之例，在玻璃基板與殘渣之間因蝕刻而形成有空隙。有殘渣者評價為「有」，無法確認有殘渣者評價為「無」。且，依據配線的剖面形狀，評價為正錐狀或倒錐狀。該等之評價結果顯示於表2。
<蝕刻速率>
使用保護膜形成用濺鍍標靶以與前述相同之條件實施濺鍍，於前述之玻璃基板上形成厚度150nm的保護膜。將僅成膜有單層該保護膜的玻璃基板，浸漬於液溫保持在30℃±1℃之4%FeCl3水溶液，對保護膜進行蝕刻，測定以目視觀察保護膜至消失為止的時間，求出蝕刻速率。將該評價結果顯示於表2。
使用Al含量較本發明之範圍更少之比較例1之濺鍍標靶的比較例101中，耐氣候性不夠充分。
使用Al含量較本發明之範圍更多之比較例2的濺鍍標靶中，在濺鍍標靶製造時發生熱加工破裂。
使用Fe含量較本發明之範圍更少之比較例3之濺鍍標靶的比較例103中，蝕刻後的配線剖面形狀成為倒錐形。
使用Fe含量較本發明之範圍更多之比較例4之濺鍍標靶的比較例104中，耐氣候性不夠充分。
使用Ni含量較本發明之範圍更少之比較例5的濺鍍標靶中，在濺鍍標靶製造時發生熱加工破裂。
使用Mn含量較本發明之範圍更少之比較例6的濺鍍標靶中，在濺鍍標靶製造時發生熱加工破裂。
且，在由Ni-Ti-Cu所構成之以往例1及以往例101中，確認有蝕刻殘渣。且，蝕刻速率亦變慢。確認其蝕刻性較差。且，蝕刻後之配線剖面的形狀為倒錐形。
對此，在本發明例1~23及本發明例101~123中，熱壓延性、密著性及耐氣候性為良好。且，蝕刻後無殘渣，蝕刻速率亦足夠充分。進一步，蝕刻後的配線剖面形狀為正錐狀。
由以上來看，根據本發明例，確認可提供保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜，該保護膜形成用濺鍍標靶係可形成保護膜，該保護膜之耐氣候性優異，且可抑制表面變色，並具有良好的蝕刻性，且蝕刻後的剖面形狀 為正錐狀，可以抑制孔洞的發生；該層積配線膜具備：藉由該保護膜形成用濺鍍標靶所成膜之保護膜。
1‧‧‧基板
10‧‧‧層積配線膜
11‧‧‧Cu配線膜
12‧‧‧保護膜

Claims (2)

  1. 一種保護膜形成用濺鍍標靶，係於Cu配線膜的單面或雙面形成保護膜時所使用的保護膜形成用濺鍍標靶，其特徵為，係由以下所構成：Al為8.0質量%以上11.0質量%以下，Fe為3.0質量%以上5.0質量%以下，Ni為0.5質量%以上2.0質量%以下，Mn為0.5質量%以上2.0質量%以下，剩餘部份為Cu與不可避免之雜質。
  2. 一種層積配線膜，其具備Cu配線膜、以及形成於該Cu配線膜之單面或雙面的保護膜，其特徵為，前述保護膜係藉由專利申請範圍第1項所述之保護膜形成用濺鍍標靶而成膜。
TW102138077A 2013-02-14 2013-10-22 保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜 TWI595105B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013027046A JP5979034B2 (ja) 2013-02-14 2013-02-14 保護膜形成用スパッタリングターゲット

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201435113A true TW201435113A (zh) 2014-09-16
TWI595105B TWI595105B (zh) 2017-08-11

Family

ID=51297636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102138077A TWI595105B (zh) 2013-02-14 2013-10-22 保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9543128B2 (zh)
JP (1) JP5979034B2 (zh)
KR (1) KR102189087B1 (zh)
CN (1) CN103993272B (zh)
TW (1) TWI595105B (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5979034B2 (ja) 2013-02-14 2016-08-24 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP5757318B2 (ja) * 2013-11-06 2015-07-29 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび積層配線膜
JP6398594B2 (ja) * 2014-10-20 2018-10-03 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
WO2016132578A1 (ja) * 2015-02-19 2016-08-25 三井金属鉱業株式会社 銅基合金スパッタリングターゲット
JP6435981B2 (ja) * 2015-04-28 2018-12-12 三菱マテリアル株式会社 銅合金スパッタリングターゲット

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE650931C (de) * 1932-08-02 1937-10-05 Osnabruecker Kupfer Und Drahtw Fuer elektrische Heizwiderstaende bestimmte Kupferlegierung
US2430419A (en) * 1945-02-02 1947-11-04 Walter W Edens Welding rod
US2901692A (en) * 1956-11-14 1959-08-25 Gen Aniline & Film Corp Testing device for cameras and flashlamps
US3901692A (en) * 1969-08-29 1975-08-26 Tsuneaki Mikawa Corrosion resistant copper alloy and the method of forming the alloy
US3721535A (en) * 1971-01-25 1973-03-20 Olin Corp Composite copper alloy
JPH01222047A (ja) * 1988-03-01 1989-09-05 Nippon Mining Co Ltd 銅又は銅合金製バッキングプレート
JPH01252516A (ja) * 1988-04-01 1989-10-09 Nippon Steel Corp 微結晶シリコン極薄膜の作成方法
JP3152307B2 (ja) * 1991-07-30 2001-04-03 日本電池株式会社 リチウム二次電池
WO1995004368A1 (en) 1993-07-29 1995-02-09 Institute Of Physics Academy Of Sciences Of The Czech Republic Method and device for magnetron sputtering
US5422150A (en) * 1993-12-23 1995-06-06 Hycomp, Inc. Substrate clad with fiber-reinforced polymer composite
DE19908107C2 (de) 1999-02-25 2003-04-10 Man B & W Diesel As Kopenhagen Verfahren zur Erzeugung einer verschleißfesten Oberfläche bei aus Stahl bestehenden Bauteilen sowie Maschine mit wenigstens einem derartigen Bauteil
KR100361208B1 (ko) * 1999-12-29 2002-11-18 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 금속배선 형성방법
DE50011346D1 (de) * 2000-09-07 2006-02-23 Infineon Technologies Ag Lotmittel zur verwendung bei diffusionslotprozessen
JP2002294437A (ja) 2001-04-02 2002-10-09 Mitsubishi Materials Corp 銅合金スパッタリングターゲット
JP4783525B2 (ja) * 2001-08-31 2011-09-28 株式会社アルバック 薄膜アルミニウム合金及び薄膜アルミニウム合金形成用スパッタリングターゲット
JP4829485B2 (ja) * 2003-06-10 2011-12-07 有限会社真空実験室 真空部品用材料、真空部品、真空装置、真空部品用材料の製造方法、真空部品の処理方法及び真空装置の処理方法
WO2005021828A2 (en) 2003-08-21 2005-03-10 Honeywell International Inc. Copper-containing pvd targets and methods for their manufacture
US20050061857A1 (en) * 2003-09-24 2005-03-24 Hunt Thomas J. Method for bonding a sputter target to a backing plate and the assembly thereof
JP2005206861A (ja) * 2004-01-21 2005-08-04 Chuetsu Metal Works Co Ltd 無鉛銅合金製重錘
TWI254747B (en) 2005-03-01 2006-05-11 Ritdisplay Corp Alloy target for conductive film or its protection layer and manufacturing method thereof
JP5215192B2 (ja) * 2007-01-05 2013-06-19 株式会社東芝 スパッタリングターゲット
JP5234483B2 (ja) 2007-06-12 2013-07-10 三菱マテリアル株式会社 密着性に優れた配線下地膜およびこの配線下地膜を形成するためのスパッタリングターゲット
AT506897B1 (de) * 2008-05-29 2010-03-15 Gebauer & Griller Metallwerk G Metallischer verbunddraht mit wenigstens zwei metallischen schichten
JP5420328B2 (ja) * 2008-08-01 2014-02-19 三菱マテリアル株式会社 フラットパネルディスプレイ用配線膜形成用スパッタリングターゲット
CN101698207B (zh) 2009-10-20 2011-07-20 无锡隆达金属材料有限公司 铜合金盘管的生产方法
JP5895370B2 (ja) 2010-08-30 2016-03-30 大同特殊鋼株式会社 パネル用Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及び積層膜
KR101288133B1 (ko) * 2011-04-19 2013-07-19 주식회사 에스에프에이 기판 증착 장치
TWI537400B (zh) 2011-12-06 2016-06-11 神戶製鋼所股份有限公司 觸控面板感測器用銅合金配線膜及其之製造方法、以及觸控面板感測器、以及濺鍍靶
JP2013133489A (ja) 2011-12-26 2013-07-08 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｃｕ合金スパッタリングターゲット、この製造方法及び金属薄膜
CN102560187B (zh) * 2012-03-10 2013-04-10 甘肃大鑫铜业有限责任公司 用于电气化铁路接触网的铜合金的制备方法
JP5979034B2 (ja) 2013-02-14 2016-08-24 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP6135275B2 (ja) 2013-04-22 2017-05-31 三菱マテリアル株式会社 保護膜形成用スパッタリングターゲット

Also Published As

Publication number Publication date
JP5979034B2 (ja) 2016-08-24
US9543128B2 (en) 2017-01-10
JP2014156621A (ja) 2014-08-28
CN103993272A (zh) 2014-08-20
TWI595105B (zh) 2017-08-11
KR102189087B1 (ko) 2020-12-09
KR20140102591A (ko) 2014-08-22
US20140227557A1 (en) 2014-08-14
CN103993272B (zh) 2017-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI595105B (zh) 保護膜形成用濺鍍標靶及層積配線膜
JP6135275B2 (ja) 保護膜形成用スパッタリングターゲット
TWI554619B (zh) 保護膜形成用濺鍍靶及層合配線膜
TWI591696B (zh) 透明導電電路及透明導電電路之製造方法
JP5724998B2 (ja) 保護膜形成用スパッタリングターゲットおよび積層配線膜
KR20150084670A (ko) 스퍼터링 타겟재, 스퍼터링 타겟재의 제조 방법 및 배선 적층체
TWI673374B (zh) 濺鍍靶及層合膜
JP6207406B2 (ja) スパッタリングターゲット材及び配線積層体
JP2016079433A (ja) スパッタリングターゲット材、スパッタリングターゲット材の製造方法及び配線積層体
JP2020125533A (ja) Ａｇ合金スパッタリングターゲット、及び、Ａｇ合金膜
JP6033493B1 (ja) 銅基合金スパッタリングターゲット
JP2018115349A (ja) 保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP2016074958A (ja) スパッタリングターゲット材及び配線積層体