TW201425241A - 板玻璃之製造方法、及板玻璃之製造裝置 - Google Patents

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TW201425241A
TW201425241A TW102138292A TW102138292A TW201425241A TW 201425241 A TW201425241 A TW 201425241A TW 102138292 A TW102138292 A TW 102138292A TW 102138292 A TW102138292 A TW 102138292A TW 201425241 A TW201425241 A TW 201425241A
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space
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TW102138292A
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Inventor
Tetsushi Takiguchi
Takahiro Kinoshita
Original Assignee
Asahi Glass Co Ltd
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Abstract

本發明係一種板玻璃之製造方法，其係將熔融玻璃自流道出***板連續地供給至浮拋窯內之熔融錫上，且使接觸於空出間隔地設置於上述流道出***板之下方之磚之熔融玻璃於上述熔融錫上流動；且使用發熱體加熱上述磚，該發熱體設置於上述流道出***板與上述磚之間，且設置於較上述磚之與熔融玻璃之接觸面更上游側，又，向上述流道出***板與上述磚之間之間隙空間吹入惰性氣體。

Description

板玻璃之製造方法、及板玻璃之製造裝置
本發明係關於一種板玻璃之製造方法、及板玻璃之製造裝置。
板玻璃之製造裝置係將熔融玻璃連續地供給至浮拋窯內之熔融錫上，且使其向下游方向流動而成形為帶板狀之玻璃帶。浮拋窯內之空間係藉由間隔壁(前過梁(front lintel))而隔成下游側之主空間、及上游側之流道出口(spout)空間。主空間較流道出口空間充分地大，且為了防止熔融錫之氧化而由還原性氣體充滿。
該板玻璃之製造裝置係經由配置於流道出口空間之流道出***板(spout lip)而將熔融玻璃供給至浮拋窯內之熔融錫上。供給至熔融錫上之熔融玻璃形成向下游方向流動之主流(前流(front flow))、及朝向空出間隔地設置於流道出***板之下方之磚(tile)逆流之支流(回流(back flow))。藉由埋設於磚之內部之發熱體而加熱熔融錫上之熔融玻璃(例如參照專利文獻1)。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2007-131525號公報
若發熱體埋設於磚之內部，則於磚被熔融玻璃或熔融錫侵蝕時，有發熱體之成分於熔融玻璃等溶出之情況。又，若發熱體埋設於 磚之內部，則難以僅更換發熱體。
因此，考慮於磚之外部設置發熱體，但於該情形時，自熔融玻璃蒸發之成分等會附著於發熱體之表面。若該附著物落於熔融錫上之熔融玻璃，則成為玻璃之破裂或缺陷之原因。又，於將發熱體設置於磚之外部之情形時，發熱體與周邊氣體發生反應而逐漸劣化。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可抑制發熱體之附著物落於熔融錫上之熔融玻璃，且可抑制發熱體之劣化的板玻璃之製造方法及板玻璃之製造裝置。
為了解決上述課題，本發明之一態樣之板玻璃之製造方法係將熔融玻璃自流道出***板連續地供給至浮拋窯內之熔融錫上，且使接觸於空出間隔地設置於上述流道出***板之下方之磚之熔融玻璃於上述熔融錫上流動；且使用發熱體加熱上述磚，該發熱體設置於上述流道出***板與上述磚之間，且設置於較上述磚之與熔融玻璃之接觸面更上游側，又，向上述流道出***板與上述磚之間之間隙空間吹入惰性氣體。
又，本發明之另一態樣之板玻璃之製造裝置包含：流道出***板，其將熔融玻璃連續地供給至浮拋窯內之熔融錫上；磚，其空出間隔地設置於該流道出***板之下方，且與自上述流道出***板供給之熔融玻璃接觸；發熱體，其設置於上述流道出***板與上述磚之間，且設置於較上述磚之與熔融玻璃之接觸面更上游側；及惰性氣體供給部，其向上述流道出***板與上述磚之間之間隙空間吹入惰性氣體。
根據本發明之一態樣，提供一種可抑制發熱體之附著物落於熔融錫上之熔融玻璃，且可抑制發熱體之劣化的板玻璃之製造方法及板玻璃之製造裝置。
10‧‧‧浮拋窯
11‧‧‧浮拋窯內之空間
12‧‧‧頂
13‧‧‧浮拋窯之前壁
14‧‧‧流道出***板
15‧‧‧磚
16‧‧‧自磚傾斜地延伸之側壁
17‧‧‧間隔壁(前過梁)
19‧‧‧流道控制閘板
20‧‧‧熔融錫
30‧‧‧熔融玻璃
30A‧‧‧玻璃帶
31‧‧‧主流
32‧‧‧支流
40‧‧‧發熱體
50‧‧‧第1惰性氣體供給部
50A‧‧‧第1惰性氣體供給部
54‧‧‧吹出口
54A‧‧‧吹出口
60‧‧‧還原性氣體供給部
70‧‧‧第2惰性氣體供給部
111‧‧‧主空間
112‧‧‧流道出口空間
113‧‧‧間隙空間
114‧‧‧上方空間
142‧‧‧流道出***板之前端部
152‧‧‧磚之與熔融玻璃之接觸面
154‧‧‧磚之外緣
A‧‧‧下游方向
B‧‧‧上游方向
圖1係表示第1實施形態中之板玻璃之製造裝置之主要部分的剖面圖。
圖2係模式性地表示圖1之熔融錫上之熔融玻璃之流動的俯視圖。
圖3係表示第2實施形態中之板玻璃之製造裝置之主要部分的剖面圖。
以下，參照圖式，對用以實施本發明之形態進行說明。再者，各圖式中，對於相同或對應之構成附註相同或對應之符號並省略說明。各圖式中，箭頭A方向表示下游方向，箭頭B方向表示上游方向。
(第1實施形態)
圖1係表示第1實施形態中之板玻璃之製造裝置之主要部分的剖面圖。圖2係模式性地表示圖1之熔融錫上之熔融玻璃之流動的俯視圖。
如圖1所示，板玻璃之製造裝置係將熔融玻璃30連續地供給至浮拋窯10內之熔融錫20上，且使供給之熔融玻璃30於熔融錫20上流動而成形為帶板狀之玻璃帶30A。成形之玻璃帶30A係於浮拋窯10之下游區域被自熔融錫20提拉，且被搬送至緩冷爐內，緩冷後切斷為特定之尺寸，而成為板玻璃。
浮拋窯10內之空間11係藉由間隔壁(前過梁)17而隔成下游側之主 空間111、及上游側之流道出口空間112。主空間111較流道出口空間112充分地大。
於主空間111，為了防止熔融錫20之氧化，而供給還原性氣體。還原性氣體例如可為氮氣與氫氣之混合氣體，且包含85體積%~98.5體積%之氮氣、1.5體積%~15體積%之氫氣。
對主空間111供給還原性氣體之還原性氣體供給部60包括設置於形成主空間111之頂面之頂12之孔等。
板玻璃之製造裝置包括：流道出***板14，其將熔融玻璃30連續地供給至浮拋窯10內之熔融錫20上；及磚15，其空出間隔地設置於流道出***板14之下方，且與自流道出***板14供給之熔融玻璃30接觸。流道出***板14或磚15設置於浮拋窯10之前壁13。流道出***板14及磚15包括氧化鋁質或氧化鋯質等之耐火物。
流道出***板14、磚15、及自磚15傾斜地延伸之側壁16較佳為包括以重量%計ZrO2為85%以上且97%以下，剩餘部分以SiO2為主體之玻璃質的熱熔融耐火物。熱熔融耐火物係使耐火物之原料於高溫下熔融並再結晶而成者。熱熔融耐火物之ZrO2係主要作為球霰石晶體而存在。熱熔融耐火物之剩餘部分係以SiO2為主體之玻璃質，且存在於ZrO2之球霰石晶體之晶界，以使熱熔融耐火物緻密化。該玻璃質中除SiO2以外，還可含有微量之Al2O3、Na2O、P2O5等。該熱熔融耐火物之耐熱性優異，且可抑制因與熔融玻璃30之反應等而產生泡，又，亦可抑制於玻璃帶30A之流動方向產生之微細之紋。於熔融玻璃為無鹼玻璃、特別是含有硼酸之無鹼玻璃之情形時，較為有效。
作為無鹼玻璃之具體例，可列舉含有以下成分之無鹼玻璃：以氧化物基準之質量百分率表示，SiO2：50%~73%
Al2O3：10.5%~24%
B2O3：0%~12%
MgO：0%~8%
CaO：0%~14.5%
SrO：0%~24%
BaO：0%~13.5%
MgO+CaO+SrO+BaO：8%~29.5%
ZrO2：0%~5%。
於應變點較高且考慮熔解性之情形時，較佳為可列舉含有以下成分之無鹼玻璃：以氧化物基準之質量百分率表示，SiO2：58%~66%
Al2O3：15%~22%
B2O3：5%~12%
MgO：0%~8%
CaO：0%~9%
SrO：3%~12.5%
BaO：0%~2%
MgO+CaO+SrO+BaO：9%~18%。
特別是於考慮高應變點之情形時，較佳為可列舉含有以下成分之無鹼玻璃：以氧化物基準之質量百分率表示，SiO2：54%~73%
Al2O3：10.5%~22.5%
B2O3：0%~5.5%
MgO：0%~8%
CaO：0%~9%
SrO：0%~16%
BaO：0%~2.5%
MgO+CaO+SrO+BaO：8%~26%。
再者，於本實施形態中，流道出***板14、磚15、左側之側壁16、及右側之側壁16全部包括上述熱熔融耐火物，但亦可並非全部包括上述熱熔融耐火物。只要至少一者包括上述熱熔融耐火物，則可某種程度上獲得上述效果。
可於在流道出***板14上流動之熔融玻璃30之左右兩側配設用以防止熔融玻璃30自流道出***板14向左右溢出之橫壁。於設置有該橫壁之情形時，包含該橫壁在內稱為流道出***板14。
自流道出***板14供給至熔融錫20上之熔融玻璃30係由流道控制閘板19進行流量調節。如圖2所示，自流道出***板14之前端部142供給至熔融錫20上之熔融玻璃30形成向下游方向流動之主流(前流)31、及朝向磚15向上游方向逆流之支流(回流)32。
支流32包含接觸於流道出***板14之部分，故包含因與流道出***板14之反應而產生之泡。該支流32於朝向磚15逆流之後，沿著磚15左右分開而流動。左右分開之支流32分別沿著自磚15傾斜地延伸之側壁16流動，且於主流31之寬度方向端部匯合。因此，可將泡集中於玻璃帶30A之寬度方向端部，從而可自玻璃帶30A之寬度方向中央部切出缺陷較少之製品。
側壁16以使左右分開之支流32分別易於在主流31之寬度方向端部匯合之方式自磚15傾斜地延伸。側壁16係以越向下游側行進則越朝向寬度方向外側之方式傾斜地延伸。
如圖1所示，板玻璃之製造裝置為了提高向上游方向逆流之支流32之流動性且使支流32之流動穩定化，而具有對磚15進行加熱之發熱體40。發熱體40設置於流道出***板14與磚15之間，且藉由對磚15進 行加熱而亦加熱熔融錫20上之熔融玻璃30。
發熱體40可以較玻璃之失透溫度高10℃~50℃之溫度加熱磚15周邊之熔融玻璃30。可防止玻璃於磚15周邊之失透。
發熱體40設置於流道出***板14與磚15之間，且設置於磚15之外部。因此，於磚15被熔融玻璃30或熔融錫20侵蝕時，發熱體40或發熱體40之附著物之成分不會於熔融玻璃30或熔融錫20溶出。又，可僅更換發熱體40。
發熱體40設置於較磚15之與熔融玻璃30之接觸面152更上游側。即，發熱體40設置於俯視時不與熔融錫20上之熔融玻璃30重疊之位置。因此，發熱體40之附著物不易落於熔融錫20上之熔融玻璃30，因而玻璃不易產生破裂或缺陷。再者，發熱體40可對應於磚15之侵蝕而藉由適當之驅動裝置或手動移動。
發熱體40係由相對於還原性氣體之耐腐蝕性優異之材料形成。作為發熱體40之材料，並無特別限定，例如有碳化矽(SiC)、碳化矽(SiC)與金屬矽(Si)之複合材料、氮化矽(Si3N4)等。發熱體40亦可為由氧化鋁等陶瓷材料被覆而成者。
發熱體40可為棒狀，且相對於磚15之與熔融玻璃30之接觸面152平行地設置。支流32易於沿著磚15向左右流動。
發熱體40於俯視時可位於磚15之外緣154(參照圖2)之內側，且可較磚15短。磚15之加熱效率良好。
發熱體40之開孔率(JIS(日本工業標準)R 1634)較佳為15%以下，更佳為10%以下。若開孔率超過15%，則暴露於周邊氣體之發熱體40之表面積過大，而發熱體40易於劣化。
發熱體40較佳為圓筒形狀，且具有20mm~40mm之外徑。若為角形柱狀，則易於局部發熱，而易於劣化。又，若為實心而非中空，則發熱體40之原料成本增加。進而，若外徑大於40mm，則必需較大 之設置空間。另一方面，若外徑小於20mm，則於發熱體40之發熱量相同之情形時，發熱體40之外表面溫度過高，而發熱體40易於劣化。
板玻璃之製造裝置更包含向流道出***板14與磚15之間之間隙空間113吹入惰性氣體之第1惰性氣體供給部50。作為吹入至間隙空間113之惰性氣體，可使用氮氣、氬氣等。藉由向間隙空間113吹入惰性氣體，而可使發熱體40之周邊氣體惰性化，從而可抑制發熱體40之劣化。又，藉由向間隙空間113吹入惰性氣體，而可使發熱體40之周邊氣體中之氯化氫氣體之濃度降低，從而可抑制因氯化氫氣體所致之發熱體40之劣化。
再者，氯化氫氣體係自熔融玻璃30蒸發之氯氣與供給至主空間111之氫氣發生反應而生成。氯氣自熔融玻璃30蒸發之原因在於：有作為不可避免之雜質之氯化物包含於玻璃原料中之情況。
距發熱體40之外表面10mm之位置之氣體中之氯化氫氣體之濃度較佳為以體積比計為150ppm以下。若氯化氫氣體之濃度以體積比計超過150ppm，則發熱體40易於劣化。
第1惰性氣體供給部50可向間隙空間113連續地吹入惰性氣體。其吹入量較佳為相對於棒狀之發熱體40之每1m長度為2Nl(Normal litre，標準升)/min~15Nl/min。若惰性氣體之吹入量過多，則熔融錫20上之熔融玻璃30被冷卻，而損及支流32之流動性。另一方面，若惰性氣體之吹入量過少，則無法充分地獲得使發熱體40之周邊氣體惰性化之效果。
再者，本實施形態之第1惰性氣體供給部50係向間隙空間113連續地吹入惰性氣體，但亦可不連續地吹入。
第1惰性氣體供給部50可包括至少一部分暴露於浮拋窯10內之氣體之惰性氣體供給管等。利用浮拋窯10內之高溫氣體加熱惰性氣體供給管50，而對在惰性氣體供給管50之內部流動之惰性氣體進行預熱。 因經預熱之惰性氣體吹入至間隙空間113，故間隙空間113之溫度變動較小，因而熔融玻璃30之溫度變動較小。
再者，亦可預先將加熱至特定溫度之惰性氣體導入至惰性氣體供給管50。
惰性氣體供給管50包括相對於還原性氣體之耐腐蝕性優異之材料，例如包括氧化鋁等陶瓷材料。
惰性氣體供給管50設置於較流道出***板14更下方且較磚15更上方之位置。惰性氣體供給管50可設置於較磚15之與熔融玻璃30之接觸面152更上游側。即，惰性氣體供給管50可設置於俯視時不與熔融錫20上之熔融玻璃30重疊之位置。於惰性氣體供給管50破損之情形時，破損物不易落於熔融玻璃30，因而玻璃不易產生破裂或缺陷。再者，惰性氣體供給管50可對應於磚15之侵蝕而藉由適當之驅動裝置或手動移動。
惰性氣體供給管50例如可以自間隙空間113之兩側吹入惰性氣體之方式設置有複數個(例如1對)。設置於惰性氣體供給管50之前端之吹出口54可設置於間隙空間113外，且利用風壓向間隙空間113吹入惰性氣體。
再者，本實施形態之吹出口54係設置於間隙空間113外，但亦可設置於間隙空間113內。又，本實施形態之吹出口54係設置於惰性氣體供給管50之前端，但亦可設置於中途。
惰性氣體供給管50之吹出口54可設置於較發熱體40更上方之位置。其原因在於：自吹出口54吹出之惰性氣體因較間隙空間113之氣體冷且重，故於自吹出口54吹出之後，形成自上向下之流動。
又，板玻璃之製造裝置更包含對流道出口空間112中之較流道出***板14更上方之上方空間114供給惰性氣體之第2惰性氣體供給部70。作為供給至上方空間114之惰性氣體，可使用氮氣、氬氣等。可 降低上方空間114中之氫氣濃度，於流道控制閘板19或流道出***板14由鉑或鉑合金被覆之情形時，可抑制被覆層因氫氣而劣化。
第2惰性氣體供給部70既可向上方空間114連續地吹入惰性氣體，亦可不連續地吹入。
第2惰性氣體供給部70可與第1惰性氣體供給部50同樣地包括至少一部分暴露於浮拋窯10內之氣體之惰性氣體供給管等。利用浮拋窯10內之高溫氣體加熱惰性氣體供給管，而對在惰性氣體供給管之內部流動之惰性氣體進行預熱。因經預熱之惰性氣體吹入至上方空間114，故上方空間114之溫度變動較小，因而熔融玻璃30之溫度變動較小。
(第2實施形態)
本實施形態係關於對間隙空間113供給惰性氣體之第1惰性氣體供給部之變化例。
圖3係表示第2實施形態中之板玻璃之製造裝置之主要部分的剖面圖。如圖3所示，第1惰性氣體供給部50A藉由向間隙空間113吹入惰性氣體，而於發熱體40附近形成惰性氣體流。因此，還原性氣體或氯化氫氣體不易接近發熱體40，從而可抑制發熱體40之劣化。又，自熔融玻璃30蒸發之成分不易接近發熱體40，從而可抑制發熱體40之附著物之生成。
形成於發熱體40附近之惰性氣體流較理想為自發熱體40朝向下方之流動。其原因在於：若形成自發熱體40朝向熔融錫20上之熔融玻璃30之流動，則因構成該流動之惰性氣體較周邊之氣體冷，故有損支流32之流動性。又，其原因在於：若形成自發熱體40朝向熔融錫20上之熔融玻璃30之流動，則發熱體40之附著物會被搬運至熔融錫20上之熔融玻璃30。
第1惰性氣體供給部50A可包括至少一部分暴露於浮拋窯10內之 氣體之惰性氣體供給管等。惰性氣體供給管50A可對應於發熱體40伴隨磚15之侵蝕之移動而藉由適當之驅動裝置或手動移動。
於本實施形態中，與上述第1實施形態不同，惰性氣體供給管50A之吹出口54A設置於間隙空間113內。例如，如圖3所示，吹出口54A位於發熱體40之斜上方，且朝向發熱體40之上方吹出惰性氣體。自吹出口54A吹出之惰性氣體因較間隙空間113內之氣體冷且重，故於自吹出口54A吹出之後，形成自上向下之流動。如此，於發熱體40附近形成惰性氣體流。
再者，於本實施形態中，吹出口54A位於發熱體40之斜上方，但本發明並不限定於此。例如，吹出口54A亦可位於發熱體40之上方，且朝向發熱體40吹出惰性氣體。
吹出口54A既可為單數個，亦可為複數個。複數個吹出口54A既可沿著惰性氣體供給管50A之軸方向以等間隔排列，亦可以不等間隔排列。總之，只要可於發熱體40周邊之氫氣或氯化氫氣體之濃度較高之區域形成惰性氣體流即可。
再者，本實施形態中之第1惰性氣體供給部50A可代替第1實施形態中之第1惰性氣體供給部50而使用。
實施例 (實施例1)
於實施例1中，使用圖1所示之板玻璃之製造裝置製造無鹼玻璃板。吹入至流道出***板與磚之間之間隙空間之惰性氣體係使用氮氣。該氮氣之吹入量設為相對於圓筒形狀之發熱體之每1m長度為6Nl/min。發熱體之材料係使用碳化矽。
再者，流道出***板、磚、及自磚傾斜地延伸之左右之側壁包括含有94重量%之ZrO2、4重量%之SiO2、1重量%之Al2O3、0.3重量%之Na2O的熱熔融耐火物。
其結果，於實施例1中，可6週不更換發熱體而連續地製造無鹼玻璃板。距發熱體之長邊方向中央之外表面向下方10mm之位置之氣體中之氯化氫氣體的濃度係藉由氯化氫檢測管(光明理化學工業公司製造，Tube No.173SA(20-1200ppm))而測定，結果，以體積比計為150ppm。
(比較例1)
於比較例1中，不向流道出***板與磚之間之間隙空間吹入惰性氣體，除此以外，以與實施例1相同之方式製造無鹼玻璃板。
其結果，於比較例1中，新的發熱體2週就因多孔化而異常發熱，因而必須更換發熱體。距發熱體之長邊方向中央之外表面向下方10mm之位置之氣體中之氯化氫氣體的濃度以體積比計為500ppm。
以上，對板玻璃之製造裝置、及板玻璃之製造方法之實施形態等進行了說明，但本發明並不限定於上述實施形態等，可於申請專利範圍中所記載之本發明之主旨之範圍內進行各種變化、改良。
本申請案係主張基於2012年12月11日向日本專利局提出申請之日本專利特願2012-270385號之優先權，並將日本專利特願2012-270385號之全部內容引用於本申請案。
10‧‧‧浮拋窯
11‧‧‧浮拋窯內之空間
12‧‧‧頂
13‧‧‧浮拋窯之前壁
14‧‧‧流道出***板
15‧‧‧磚
17‧‧‧間隔壁(前過梁)
19‧‧‧流道控制閘板
20‧‧‧熔融錫
30‧‧‧熔融玻璃
30A‧‧‧玻璃帶
40‧‧‧發熱體
50‧‧‧第1惰性氣體供給部
54‧‧‧吹出口
60‧‧‧還原性氣體供給部
70‧‧‧第2惰性氣體供給部
111‧‧‧主空間
112‧‧‧流道出口空間
113‧‧‧間隙空間
114‧‧‧上方空間
142‧‧‧流道出***板之前端部
152‧‧‧磚之與熔融玻璃之接觸面
A‧‧‧下游方向
B‧‧‧上游方向

Claims (18)

  1. 一種板玻璃之製造方法，其係將熔融玻璃自流道出***板連續地供給至浮拋窯內之熔融錫上，且使接觸於空出間隔地設置於上述流道出***板之下方之磚之熔融玻璃於上述熔融錫上流動；且使用發熱體加熱上述磚，該發熱體設置於上述流道出***板與上述磚之間，且設置於較上述磚之與熔融玻璃之接觸面更上游側，又，向上述流道出***板與上述磚之間之間隙空間吹入惰性氣體。
  2. 如請求項1之板玻璃之製造方法，其中向上述間隙空間吹入上述惰性氣體，而於上述發熱體附近形成上述惰性氣體流。
  3. 如請求項1或2之板玻璃之製造方法，其中向上述間隙空間吹入上述惰性氣體之惰性氣體供給管之至少一部分暴露於上述浮拋窯內之氣體。
  4. 如請求項1至3中任一項之板玻璃之製造方法，其中上述惰性氣體向上述間隙空間之吹入量相對於棒狀之上述發熱體之每1m長度為2Nl/min~15Nl/min。
  5. 如請求項1至4中任一項之板玻璃之製造方法，其中上述發熱體之開孔率為15%以下。
  6. 如請求項1至5中任一項之板玻璃之製造方法，其中上述發熱體為棒狀，且相對於上述磚之與熔融玻璃之接觸面平行地配設，且於俯視時位於上述磚之外緣之內側。
  7. 如請求項1至6中任一項之板玻璃之製造方法，其中上述發熱體為圓筒形狀，且具有20mm~40mm之外徑。
  8. 如請求項1至7中任一項之板玻璃之製造方法，其中上述浮拋窯內之空間係藉由間隔壁而隔成設置有上述流道出***板之上游側之流道出口空間、及下游側之主空間，對上述主空間供給還原性氣體，又，對上述流道出口空間中之較上述流道出***板更上方之上方空間供給惰性氣體。
  9. 如請求項1至8中任一項之板玻璃之製造方法，其中自上述磚傾斜地延伸之側壁、上述流道出***板、及上述磚中之至少一者包括以重量%計ZrO2為85%以上且97%以下，剩餘部分以SiO2為主體之玻璃質的熱熔融耐火物。
  10. 一種板玻璃之製造裝置，其包含：流道出***板，其將熔融玻璃連續地供給至浮拋窯內之熔融錫上；磚，其空出間隔地設置於該流道出***板之下方，且與自上述流道出***板供給之熔融玻璃接觸；發熱體，其設置於上述流道出***板與上述磚之間，且設置於較上述磚之與熔融玻璃之接觸面更上游側；及第1惰性氣體供給部，其向上述流道出***板與上述磚之間之間隙空間吹入惰性氣體。
  11. 如請求項10之板玻璃之製造裝置，其中上述第1惰性氣體供給部向上述間隙空間吹入上述惰性氣體，而於上述發熱體附近形成上述惰性氣體流。
  12. 如請求項10或11之板玻璃之製造裝置，其中上述第1惰性氣體供給部包含至少一部分暴露於上述浮拋窯內之氣體之惰性氣體供給管。
  13. 如請求項10至12中任一項之板玻璃之製造裝置，其中上述惰性氣體向上述間隙空間之吹入量相對於棒狀之上述發熱體之每1m 長度為2Nl/min~15Nl/min。
  14. 如請求項10至13中任一項之板玻璃之製造裝置，其中上述發熱體之開孔率為15%以下。
  15. 如請求項10至14中任一項之板玻璃之製造裝置，其中上述發熱體為棒狀，且相對於上述磚之與熔融玻璃之接觸面平行地配設，且於俯視時位於上述磚之外緣之內側。
  16. 如請求項10至15中任一項之板玻璃之製造裝置，其中上述發熱體為圓筒形狀，且具有20mm~40mm之外徑。
  17. 如請求項10至16中任一項之板玻璃之製造裝置，其包含：間隔壁，其將上述浮拋窯內之空間隔成下游側之主空間、及上游側之流道出口空間；還原性氣體供給部，其對上述主空間供給還原性氣體；以及第2惰性氣體供給部，其對上述流道出口空間中之較上述流道出***板更上方之上方空間供給惰性氣體。
  18. 如請求項10至17中任一項之板玻璃之製造裝置，其中自上述磚傾斜地延伸之側壁、上述流道出***板、及上述磚中之至少一者包括以重量%計ZrO2為85%以上且97%以下，剩餘部分以SiO2為主體之玻璃質的熱熔融耐火物。
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