TW201349601A - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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TW201349601A
TW201349601A TW102104571A TW102104571A TW201349601A TW 201349601 A TW201349601 A TW 201349601A TW 102104571 A TW102104571 A TW 102104571A TW 102104571 A TW102104571 A TW 102104571A TW 201349601 A TW201349601 A TW 201349601A
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Yosuke Akimoto
Akihiro Kojima
Miyoko Shimada
Hideto Furuyama
Yoshiaki Sugizaki
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Toshiba Kk
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Abstract

本發明係一種發光裝置及其製造方法，其中，有關實施形態之發光裝置係具備第1基部，和發光部，和第1配線部。前述發光部係埋入於前述第1基部之第1面側，具有發光元件。前述第1配線部係設置於前述第1基部之第1面上，與前述發光元件加以連接。

Description

發光裝置及其製造方法
實施形態係有關發光裝置及其製造方法。
為了謀求小型化，具備晶片狀之半導體發光元件(以下，單稱作發光元件)之發光裝置。
但如此之發光裝置係成為呈使用於照明裝置之光源，畫像顯示裝置之背光光源，顯示器裝置之光源等各種用途。
因此，小形化之同時，可謀求量產性之提昇的發光裝置的開發則為期望。
本發明之實施形態係提供可使量產性提升之發光裝置及其製造方法。
有關實施形態之發光裝置係具備第1基部，和發光部，和第1配線部。前述發光部係埋入於前述第1基部之第1面側，具有發光元件。前述第1配線部係設置於前述 第1基部之第1面上，與前述發光元件加以連接。
如根據實施形態，可提供可使量產性提升之發光裝置及其製造方法。
1‧‧‧發光裝置
1a‧‧‧發光裝置
2‧‧‧第1基體
4‧‧‧第2基體
6‧‧‧散熱片
5‧‧‧配線部
12a1‧‧‧凹部
22a1‧‧‧凹凸部
14‧‧‧反射部
44‧‧‧反射部
14a‧‧‧孔
44a‧‧‧孔
15‧‧‧配線部
45‧‧‧配線部
10‧‧‧基部
12‧‧‧基部
42‧‧‧基部
43‧‧‧接合部
20‧‧‧發光部
22‧‧‧發光元件
24‧‧‧發光層
26‧‧‧透光部
27‧‧‧絕緣部
28a‧‧‧第1電極部
28b‧‧‧第2電極部
23‧‧‧第1半導體層
25‧‧‧第2半導體層
29a‧‧‧第1晶種部
30a‧‧‧第1電極配線部
31a‧‧‧第1柱狀部
29b‧‧‧第2晶種部
30b‧‧‧第2電極配線部
31b‧‧‧第2柱狀部
32a‧‧‧第1封閉部
32b‧‧‧第2封閉部
74‧‧‧膜
75‧‧‧膜
圖1係例示有關第1實施形態之發光裝置之模式圖。
圖2係例示發光部之模式剖面圖。
圖3係例示有關第2實施形態之發光裝置之模式圖。
圖4係例示有關第3實施形態之發光裝置之模式圖。
圖5係例示從發光元件的形成工程至封閉部之形成工程為止的模式工程剖面圖。
圖6係例示從凹凸部的形成工程至透光部之形成工程為止的模式工程剖面圖。
圖7係例示發光部之個片化的模式工程剖面圖。
圖8係例示發光裝置1之製造方法的模式工程剖面圖。
圖9係例示發光裝置1a之製造方法的模式工程剖面圖。
圖10係例示發光裝置1b之製造方法的模式工程剖面圖。
以下，參照圖面同時，對於實施形態加以例示。然而，各圖面中，對於同樣的構成要素係附上同一符號，詳 細的說明係作適宜省略。
〔第1實施形態〕
圖1係顯示有關第1實施形態之發光裝置之模式圖。然而，圖1A係例示發光裝置之模式剖面圖，圖1B係在圖1A之A-A箭示圖。
圖2係例示發光部之模式剖面圖。
如圖1所示，對於發光裝置1係設置有發光部20，基部10(相當於第1基部之一例)，配線部5(相當於第1配線部之一例)。
首先，對於發光部20加以例示。
發光部20係具有發光元件22，埋入於基部10(第2基體4)的面4a(相當於第1面之一例)側。發光部20係將放射光的面26b朝向與基部10的面4a側相反側加以埋入。此情況，與放射發光部20的光的面26b相反側的面係位於與面4a同一平面上。
如圖2所示，對於發光部20係設置有發光元件22，透光部26，絕緣部27，第1電極部28a，第2電極部28b，封閉部32。
發光元件22係例如，可作為發光二極體。
此情況，發光元件22係例如，具有第1半導體層23，設置於第1半導體層23上之發光層24，和設置於發光層24上之第2半導體層25。
第1半導體層23係例如從呈成為p形地加以摻雜之 半導體(p形半導體)所形成的層。
發光層24係例如，具有經由電洞及電子再結合而產生光的井層，和具有較井層為大之能帶隙之阻障層加以構成之量子井構造。
第2半導體層25係例如從呈成為n形地加以摻雜之半導體(n形半導體)所形成的層。
發光元件22則對於為放射成藍色光的藍色發光二極體之情況，半導體係例如為氮化物半導體。
此情況，氮化物半導體係例如為GaN(氮化鎵)、AlN(氮化鋁)、AlGaN(氮化鋁鎵)、InGaN(氮化銦鎵)等。
對於放射發光元件22的面22a係設置有凹凸部22a1。
凹凸部22a1係使從發光元件22所放射的光散射。因此，可提昇在發光元件22所產生的光之取出效率。
透光部26係設置於發光元件22的面22a上。透光部26係包含具有透光性的材料，和螢光體26a。
具有透光性之材料係例如為具有透光性之樹脂等。具有透光性之樹脂係例如，環氧樹脂，聚矽氧樹脂，異丁稀樹脂(PMMA)，聚碳酸酯樹脂(PC)，環狀聚烯烴樹脂(COP)，脂環型丙烯酸樹脂(OZ)，碳酸烯丙基二甘醇酯樹脂(ADC)，丙烯酸樹脂，氟素樹脂，聚矽氧樹脂和環氧樹脂之混合樹脂，胺甲酸乙酯樹脂等。
螢光體26a係呈粒狀，吸收從發光元件22所放射的 光之一部分，發光成具有特定波長之螢光。
例如，螢光體26a係可作為吸收從發光元件22所射出之藍色的光之一部分，發光成黃色的螢光之構成者。此情況，從透光部26係例如，放射未由螢光體26a所吸收之藍色的光，和從螢光體26a發射之黃色的螢光。
然而，亦可使用1種類的螢光體，而組合複數種類之螢光體而使用亦可。
例如，可對於從發光元件22所放射的藍色光而言，僅使用發光成黃色的螢光之螢光體者。另外，可對於從發光元件22所放射的藍色光而言，組合發光成紅色的螢光之螢光體，和發光成綠色的螢光之螢光體而使用。此情況，從透光部26係成為放射藍色的光與紅色的光與綠色的光者。
作為發光成黃色的螢光之螢光體材料，係例如可例示以下之構成者。但，並非限定於此等而可做適宜變更者。
Li(Eu,Sm)W2O8、(Y,Gd)3(Al,Ga)5O12：Ce3+、Li2SrSiO4：Eu2+、(Sr(Ca,Ba)3SiO5：Eu2+、SrSi2ON2.7：Eu2+
作為發光成紅色的螢光之螢光體材料，係例如可例示以下之構成者。但，並非限定於此等而可做適宜變更者。
La2O2S：Eu,Sm、LaSi3N5：Eu2+、 α-sialon：Eu2+、CaAlSiN3：Eu2+、(SrCa)AlSiN3：EuX+、Srx(SiyAl3)z(OxN)：EuX+
作為發光成綠色的螢光之螢光體材料，係例如可例示以下之構成者。但，並非限定於此等而可做適宜變更者。
(Ba,Sr,Mg)O．aAl2O3：Mn、(BrSr)SiO4：Eu、α-sialon：Yb2+、β-sialon：Eu2+、(CaSr)Si2O4N7：Eu2+、Sr(SiAl)(ON)：Ce
然而，螢光體所發光之螢光的顏色種類或組合係並非限定於作為例示之構成，而可因應發光裝置1之用途等而作適宜變更者。
另外，並非必要螢光體26a，而可作為呈因應發光裝置1之用途等而作適宜變更。對於未設置螢光體26a之情況，係成為藉由透光部26而放射從發光元件22所放射的光者。
絕緣部27係呈被覆與放射發光元件22的光側相反側的面22b地加以設置。
絕緣部27係例如，可自SiO2(氧化矽)等而形成。
第1電極部28a係例如具有第1晶種部29a，第1電極配線30a，第1柱狀部31a。
第2電極部28b係例如具有第2晶種部29b，第2電極配線部30b，第2柱狀部31b。
設置於第1半導體層23之表面的未圖示之電極係藉由第1晶種部29a，第1電極配線部30a而與第1柱狀部31a加以連接。設置於第2半導體層25之表面的未圖示之電極係藉由第2晶種部29b，第2電極配線部30b而與第2柱狀部31b加以連接。
即，第1電極部28a係與設置於第1半導體層23之未圖示的電極加以連接之導引電極。第2電極部28b係與設置於第2半導體層25之未圖示的電極加以連接之導引電極。
第1晶種部29a，第1電極配線部30a，第1柱狀部31a，第2晶種部29b，第2電極配線部30b，第2柱狀部31b係例如，可自銅，金，鎳，銀等之金屬形成者。此情況，如考慮熱傳導性，位移耐性，與封閉部32之密著性等，由銅形成此等者為佳。
封閉部32係具有第1封閉部32a，第2封閉部32b。
第1封閉部32a係呈被覆發光元件22的面22b側，及側面22c側地加以設置。
第2封閉部32b係呈被覆第1電極配線30a，第1柱狀部31a，第2電極配線30b，第2柱狀部31b地加以設置。然而，第1柱狀部31a之端面31a1，和第2柱狀部31b之端面31b1係從第2封閉部32b露出。
第1封閉部32a，第2封閉部32b係可自具有絕緣性 之有機材料或無機材料等而形成。此情況，亦可將第1封閉部32a，第2封閉部32b，絕緣部27一體地形成。
另外，如加厚第1柱狀部31a，第2柱狀部31b，第2封閉部32b之厚度，即使發光元件22的厚度為薄的情況，亦可補足發光元件22之機械強度的下降。
接著，返回圖1，對於基部10，配線部5加以例示。
基部10係具有第1基體2與接合部3(相當於第1接合部之一例)與第2基體4。
第1基體2係呈板狀，具有透光性。另外，對於第1基體2的面2a係亦可設置為了使放射的光擴散之未圖示的凹凸部或未圖示之擴散層(例如，由包含微粒子的樹脂所成的層)者。
第1基體2係例如，可自具有透光性的材料而形成者。具有透光性之材料係例如為具有透光性之樹脂等之有機材料，或玻璃等之無機材料。具有透光性之樹脂係例如，可作為與在透光部26作為例示之構成同樣者。
接合部3係設置於第1基體2上。接合部3係具有透光性，接合第1基體2，和發光部20及第2基體4。接合部3係例如，由使透明接著劑硬化所形成之構成。
另外，第1基體2之折射率，接合部3之折射率，透光部26之折射率則可作為呈同等。如作為此等折射率呈成為同等，可抑制在第1基體2與接合部3之界面，透光部26與接合部3之界面的反射者。因此，可提升光的取出效率。
另外，第1基體2之折射率，接合部3之折射率，第2基體4之折射率，透光部26之折射率則可作為呈同等。如如此作為，可更提升光的取出效率。
第2基體4係設置於接合部3上，埋入有發光部20。即，發光部20係埋入於第2基體4之內部。因此，可抑制發光部20對於第1基體2的面2a而言傾斜者。
第1柱狀部31a之端面31a1，第2柱狀部31b之端面31b1係從第2基體4的面4a露出。放射透光部26的光的面26b係從第2基體4之另一方的面4b露出。然而，對於第2基體4具有透光性之構成的情況，亦可作為放射透光部26的光的面26b呈未從第2基體4的面4b露出者。
第2基體4係可作為具有透光性的構成者。第2基體4如作為具有透光性，可使從發光部20的側面側所放射的光透過。因此，可抑制發光部20之指向性變窄之情況。其結果，可提高從發光裝置1所放射的光之強度的均一性。另外，對於將發光裝置1作為使用於照明裝置等之面發光模組的情況，由作為具有透光性之第2基體4者，可抑制照射不勻。
具有透光性之第2基體4係例如，可從在第1基體2作為例示之具有透光性的材料而形成者。
另外，第2基體4係亦可作為具有反射性的構成者。第2基體4如作為具有反射性，可使從發光部20的側面側所放射的光反射。因此，可縮小發光部20之指向性。 即，可抑制在鄰接之發光部20彼此之間的光之混合者。例如，對於將發光裝置1使用於文字或映像的顯示裝置等之情況，係由作為具有反射性之第2基體4者，可謀求顯示之鮮明化。
具有反射性之第2基體4係例如，可自白色的樹脂，或添加金屬等之反射材之樹脂，或者金屬等而形成者。
如此，由因應發光裝置1之用途等而適宜選擇第2基體4的材料者，可使發光部20的指向性變化。
配線部5係設置於基部10的面4a上。配線部5係與端面31a1，端面31b1加以電性連接。即，配線部5係與發光元件22加以連接。另外，配線部5係例如，可與未圖示之外部電源等連接。配線部5係例如，可自銅，鋁，銀等之金屬而形成者。另外，對於配線部5之表面5a可設置未圖示之氧化防止膜。未圖示之氧化防止膜係例如，可作為鎳/金的層積膜等者。然而，亦可呈串聯連接發光部20地設置配線部5，而亦可呈並聯連接發光部20地設置配線部5。
另外，在作為例示於圖1B之構成中，發光部20係加以複數設置，配線部5係設置於各發光部20之間。配線部5係呈被覆發光部20之間地加以設置。設置於各發光部20之間的配線部5係設置於同一平面上。如作為將配線部5設置於同一平面上，將發光裝置1安裝於其他的機器情況則變為容易。
另外，配線部5之表面5a係呈露出。如使配線部5 之表面5a露出，可使來自發光部20的熱之散熱性提升。另外，配線部5係呈面狀。如作為面狀的配線部5，可更使來自發光部20的熱之散熱性提升。另外，於配線部5上設置散熱片6等之情況則變為容易。
另外，端面31a1，端面31b1之剖面積變小之故，在進行一般的安裝時，成為於端面31a1及端面31b1，和配線部之間介入存在有剖面積小的焊錫。因此，在此部分的熱阻抗則變高。
對此，在本實施形態中，因直接連接端面31a1及端面31b1，和配線部5之故，於端面31a1及端面31b1，和配線部5之間未介入存在有剖面積小的焊錫。因此，可抑制熱阻抗之上升。
另外，亦可作為呈未設置發光部20之第1柱狀部31a，第2柱狀部31b，第2封閉部32b。對於未設置第1柱狀部31a，第2柱狀部31b，第2封閉部32b之情況，係如將配線部5電性連接於第1電極配線30a，第2電極配線30b即可。如作為呈未設置第1柱狀部31a，第2柱狀部31b，第2封閉部32b，更可降低熱阻抗。
然而，對於在圖1作為例示之發光裝置1係設置有複數之發光部20，但發光部20的數量係亦可為1個。另外，發光部20的配置等亦未限定於在圖1作為例示之構成，可作適宜變更。
另外，作成設置有複數之發光部20的發光裝置，再由切斷此等而可得到具有所期望數量之發光部20的發光 裝置。
如作為有關本實施形態之發光裝置1，成為可在一連串的工程而實施基部10的形成，對於基部10之發光部20的配設，發光部20之配線等者。因此，可謀求量產性的提升。
另外，發光部20係因埋入於第2基體4的內部之故，在量產發光裝置1時，可抑制發光部20對於第1基體2而言傾斜之情況。
另外，因設置有具有特定形態之配線部5之故，亦可使散熱性提升。
〔第2實施形態〕
圖3係例示有關第2實施形態之發光裝置之模式圖。然而，圖3A係例示發光裝置之模式剖面圖，圖3B係在圖3A之B-B箭示圖。
如圖3所示，對於發光裝置1a係設置有發光部20，基部12(相當於第1基部之一例)，反射部14，配線部15(相當於第1配線部之一例)。
基部12係呈板狀，具有透光性。另外，對於基部12的面12b係亦可設置為了使放射的光擴散之未圖示的凹凸部或未圖示之擴散層(例如，由包含微粒子的樹脂所成的層)者。
另外，第1柱狀部31a之端面31a1，第2柱狀部31b之端面31b1係從基部12的面12a(相當於第1面的一 例)露出。
基部12係例如，可自具有透光性之材料所形成。具有透光性之材料係例如為具有透光性之樹脂等之有機材料，或玻璃等之無機材料。具有透光性之樹脂係例如，可作為與在透光部26作為例示之構成同樣者。
另外，基部12之折射率，透光部26之折射率則可作為呈同等者。如作為此等折射率呈同等，可抑制在基部12與透光部26之界面的反射。因此，可提升光的取出效率。
對於基部12之一方的面12a係設置有凹部12a1。對於凹部12a1之內部係設置有發光部20。即，發光部20係埋入於基部12之內部。因此，可抑制發光部20對於基部12之另一方的面12b而言傾斜者。
另外，從發光部20的側面側所放射的光則因可透過基部12之內部之故，可抑制發光部20之指向性變窄之情況。其結果，可提高從發光裝置1a所放射的光之強度的均一性。另外，對於將發光裝置1a作為使用於照明裝置等之面發光模組之情況，係可抑制照射不勻。
反射部14係設置於基部12與配線部15之間。反射部14係呈被覆基部12的面12a地加以設置。反射部14係具有反射性。反射部14係例如，可自白光阻劑等之白色的樹脂，氧化鈦(TiO2)等而形成。然而，如進行呈未產生有在發光部20之短路的反射部14之圖案化，反射部14係亦可自鋁等之金屬而形成者。對於反射部14係設置 有使端面31a1，端面31b1露出的孔14a。
然而，反射部14係亦可作為反射特定波長的光之構成者。例如，反射部14係亦可作為反射紅色或藍色等的光之構成者。
配線部15係設置於反射部14上。此情況，配線部15係藉由孔14a而與端面31a1，端面31b1加以電性連接。即，配線部15係與發光元件22加以連接。然而，配線部15之材料或形態等係可作為與前述之配線部5之材料或形態等同樣者。
如作為有關本實施形態之發光裝置1a，與前述之發光裝置1同樣地可謀求量產性的提升。
另外，發光部20係因埋入於基部12的內部之故，在量產發光裝置1a時，可抑制發光部20對於基部12而言傾斜之情況。
另外，因設置有具有特定形態之配線部15之故，亦可使散熱性提升。
〔第3實施形態〕
圖4係例示有關第3實施形態之發光裝置之模式圖。然而，圖4A係例示發光裝置之模式剖面圖，圖4B係在圖4A之C-C箭示圖。
如圖4所示，對於發光裝置1b係設置有發光部20，基部42(相當於第2基部之一例)，接合部43(相當於第2接合部之一例)，反射部44(相當於第2反射部之 一例)，配線部45(相當於第2配線部之一例)。
具有發光元件22之發光部20係設置於基部42的面42b(相當於第2面之一例)。
基部42係呈板狀，具有透光性。另外，對於基部42的面42a係亦可設置為了使放射的光擴散之未圖示的凹凸部或未圖示之擴散層(例如，由包含微粒子的樹脂所成的層)者。
基部42係例如，可自具有透光性之材料所形成。具有透光性之材料係例如為具有透光性之樹脂等之有機材料，或玻璃等之無機材料。具有透光性之樹脂係例如，可作為與在透光部26作為例示之構成同樣者。
接合部43係具有透光性，呈被覆基部42的面42b地加以設置。放射透光部26的光的面26b係藉由接合部43而與基部42加以接合。即，發光部20係藉由接合部43而與基部42加以接合。接合部43係例如，由使透明接著劑硬化所形成之構成。
然而，接合部43係至少如設置於基部42與發光部20之間即可。
另外，基部42之折射率，接合部43之折射率，透光部26之折射率則可作為呈同等。如作為此等折射率呈成為同等，可抑制在基部42與接合部43之界面，透光部26與接合部43之界面的反射者。因此，可提升光的取出效率。
反射部44係呈被覆基部42的面42b側地加以設置。 反射部44係具有反射性。如作為設置反射部44之構成，可使從發光部20之側面側所放射的光反射者。因此，可縮小發光部20之指向性。即，可抑制在鄰接之發光部20彼此之間的光之混合者。例如，對於將發光裝置1使用於文字或映像的顯示裝置等之情況，係由設置反射部44者，可謀求顯示之鮮明化。
反射部44係例如可由白光阻劑等之白色的樹脂，或添加有金屬等之反射材之樹脂，或者金屬等而形成者。然而，對於配線部45則自反射性高的材料(例如，鋁)而加以形成之情況，係亦可省略反射部44。
對於反射部44係設置有使端面31a1，端面31b1露出的孔44a。
配線部45係設置於反射部44上。此情況，配線部45係藉由孔44a而與端面31a1，端面31b1加以電性連接。即，配線部45係與發光元件22加以連接。然而，配線部45之材料或形態等係可作為與前述之配線部5之材料或形態等同樣者。
然而，在圖4作為例示之構成中，發光部20係加以複數設置。並且，配線部45係呈面狀，對於各發光部20之間呈被覆發光部20之間地加以設置。
如作為有關本實施形態之發光裝置1b，與前述之發光裝置1同樣地可謀求量產性的提升。
另外，因設置有具有特定形態之配線部45之故，亦可使散熱性提升。
然而，於以上作為例示之發光部20係為WLP(Wafer-Level Package：晶圓級封裝)之發光部20之情況。
但並不限定於成為WLP之發光部20。例如，亦可為覆晶連接發光元件22，和具有配線層之基板的發光部等。
接著，對於發光裝置之製造方法加以例示。
〔第4實施形態〕
圖5係例示在發光裝置之製造方法之中，從發光元件22之形成工程至封閉部32之形成工程為止之模式工程剖面圖。
首先，如圖5A所示，於由藍寶石等所成之基板70的面70a，形成第2半導體層25，發光層24，第1半導體層23。即，形成具有放射光的面22a之發光元件22。並且，各於第2半導體層25及第1半導體層23的表面形成絕緣部27，於第1半導體層23的表面形成第1種晶部29a，於第2半導體層25的表面形成第2種晶部29b。
然而，此等要素係可使用既知之成膜法，光微影法，乾蝕刻法等而形成。
接著，如圖5B所示，於面70a側之全面形成第1封閉部32a，而第1種晶部29a，第2種晶部29b之一部分呈露出地形成開口32a1。
接著，如圖5C所示，使用既知的成膜法而形成成為 第1配線部30a，第2配線部30b，第1柱狀部31a，第2柱狀部31b的膜，使用光微影法與乾蝕刻法而依序形成第1配線部30a，第2配線部30b，第1柱狀部31a，第2柱狀部31b。並且，於面70a側的全面，使用旋塗法等而形成成為第2封閉部32b的膜，而由第1柱狀部31a的端面31a1，和第2柱狀部31b之端面31b1呈露出地作為平坦化者，形成第2封閉部32b。
更且，使用光微影法等而除去基板70。
圖6係例示在發光裝置之製造方法之中，從凹凸部22a1之形成工程至透光部26之形成工程為止之模式工程剖面圖。
首先，如圖6A所示，於發光元件22之面22a形成凹凸部22a1。
對於第2半導體層25自GaN等所形成之情況，係可使用濕蝕刻法而形成凹凸部22a1者。例如，如使用氫氧化四甲銨((CH3)4NOH)之水溶液(TMH)或氫氧化鉀(KOH)之水溶液等而將面22a進行濕蝕刻，形成依據結晶構造之凹凸部22a1。
另外，亦可使用光微影法與乾蝕刻法而於面22a形成凹凸部22a1者。
接著，如圖6B所示，呈被覆發光元件22的面22a側全面地形成透光部26。
透光部26之形成係例如，可使用真空網版印刷法或鑄模法等而進行。
例如，使用真空網版印刷法或鑄模法等，於發光元件22的面22a側，塗佈含有螢光體26a具有透光性之樹脂，由將此硬化者而形成透光部26。
如以上作為可一次製造複數之發光部20者。
接著，個片化成各發光部20。
圖7係例示發光部20之個片化之模式工程剖面圖。
如圖7所示，由切斷發光部20彼此之間者而個片化成各發光部20。作為切斷的方法，可例示使用金剛鑽刀等之機械性切斷，經由雷射照射的切斷，經由高壓水之切斷等。
由以上作為，可形成具有發光元件22之發光部20者。
圖8係例示在圖1作為例示之發光裝置1之製造方法的模式工程剖面圖。
首先，如圖8A所示，於第1基體2上形成接合部3，於接合部3上設置發光部20。並且，呈被覆接合部3及發光部20地形成成為第2基體4的膜74。
例如，使用真空網版印刷法或鑄模法等，塗佈透明接著劑於第1基體2上，作為呈使此進行半硬化之狀態。並且，於成為使其半硬化狀態之透明接著劑上設置發光部20，再將使其半硬化狀態之透明接著劑硬化。此情況，使其硬化之透明接著劑則成為接合部3。作為使透明接著劑半硬化之狀態或使其硬化之情況係例如，可經由加熱處理而進行。發光部20之配設係例如，可使用晶粒安裝法而 進行。
成為第2基體4的膜74係例如使用淋幕式塗佈法等，由塗佈特定的樹脂，使此等硬化而可形成。然而，加以塗佈之樹脂的硬化係例如，可經由加熱處理而進行。
接著，如圖8B所示，將膜74的表面平坦化而使發光部20露出。也就是，平坦化係至露出端面31a1，端面31b1為止進行。由進行如此之平坦化者，成為形成有第2基體4。平坦化係例如，可經由研削等而進行。
如以上做為，埋入發光部20於基部10的面4a側。
接著，如圖8C所示，於基部10的面4a上形成與發光元件22連接之配線部5。
此時，作為呈形成具有前述形態之配線部5。
例如，經由蒸鍍法等而於將具有特定形狀之未圖示的種金屬層形成於面4a上，再使用電場電鍍法而將配線部5形成於種金屬層上。另外更且，使用電場電鍍法，於配線部5的表面亦可形成鎳/金等所成之氧化防止膜。
另外，因應必要而於配線部5上設置散熱片6等。
如此作為，可製造設置有複數發光部20之發光裝置者。另外，由切斷設置有複數之發光部20之發光裝置者而可得到具有所期望數量之發光部20的發光裝置。作為切斷的方法，可例示使用金剛鑽刀等之機械性切斷，經由雷射照射的切斷，經由高壓水之切斷等。
圖9係例示在圖3作為例示之發光裝置1a之製造方法的模式工程剖面圖。首先，如圖9A所示，於基部12之 面12a側形成凹部12a1。凹部12a1之形成係例如，可經由研削或濕蝕刻法等而進行。
接著，如圖9B所示，於凹部12a1之內部設置發光部20。發光部20之配設係例如，可使用晶粒安裝法而進行。另外，進行在圖7作為例示之個片化時，對於複數之發光部20設置於展開板上之情況，由延長展開板者，可將發光部20的間隔配合凹部12a1的間隔。如可將發光部20的間隔配合凹部12a1的間隔，可一次設置複數之發光部20。
接著，如圖9C所示，呈被覆基部12的面12a及發光部20地形成反射部14。反射部14係例如，可使用淋幕式塗佈法等，塗佈白光阻劑，使此等硬化者而形成。然而，白光阻劑的硬化係例如，可經由紫外線照射而進行。
接著，如圖9D所示，於反射部14形成孔14a，再於反射部14上形成配線部15。例如，對於從白光阻劑形成反射部14之情況，可使用光微影法而形成孔14a。配線部15的形成係可作為與前述配線部5之形成同樣者。
另外，因應必要而於配線部15上設置散熱片6等。
如此作為，可製造設置有複數發光部20之發光裝置者。另外，由切斷設置有複數之發光部20之發光裝置者而可得到具有所期望數量之發光部20的發光裝置。作為切斷的方法，可例示使用金剛鑽刀等之機械性切斷，經由雷射照射的切斷，經由高壓水之切斷等。
圖10係例示在圖4作為例示之發光裝置1b之製造方 法的模式工程剖面圖。
首先，如圖10A所示，於基部42之一方的面形成成為接合部43的膜75。
例如，使用真空網版印刷法或鑄模法等，塗佈透明接著劑於基部42上，由作為使此進行半硬化之狀態者而形成膜75。
接著，如圖10B所示，對於膜75上設置發光部20。
例如，於成為使其半硬化狀態的膜75上設置發光部20，再將使其半硬化狀態的膜75硬化。此情況，使其硬化的膜75則成為接合部43。作為使透明接著劑半硬化之狀態或使其硬化之情況係例如，可經由加熱處理而進行。發光部20之配設係例如，可使用晶粒安裝法而進行。
接著，如圖10C所示，呈被覆接合部43及發光部20地形成反射部44。
例如，可使用淋幕式塗佈法等，塗佈白光阻劑，使此等硬化者而形成反射部44。然而，白光阻劑的硬化係例如，可經由紫外線照射而進行。
接著，如圖10D所示，於反射部44形成孔44a。
例如，對於從白光阻劑形成反射部44之情況，可使用光微影法而形成孔44a。
接著，如圖10E所示，於反射部44上形成配線部45。
配線部45的形成係可作為與前述配線部5之形成同樣者。
另外，因應必要而於配線部45上設置散熱片6等。
如此作為，可製造設置有複數發光部20之發光裝置者。另外，由切斷設置有複數之發光部20之發光裝置者而可得到具有所期望數量之發光部20的發光裝置。作為切斷的方法，可例示使用金剛鑽刀等之機械性切斷，經由雷射照射的切斷，經由高壓水之切斷等。
如根據有關本實施形態之製造方法，可直接連接端面31a1及端面31b1與配線部5。
因此，因未於端面31a1及端面31b1，和配線部5之間介入存在有剖面積小的焊錫之故，可抑制在此部分之熱阻抗的增加。另外，因無需焊錫回焊之故，在焊錫回焊時亦未產生有發光部20傾斜等之問題。
另外，亦可提升所形成之發光部20之發光效率。
另外又，作為如以上之製造方法時，可謀求量產性的提升。
另外，可容易製造接近於發光元件22尺寸之小型的發光部20。另外，無需使用打線架或陶瓷基板等之安裝構件，而可以晶圓位準進行配線或封閉等。另外，成為可以晶圓位準而進行檢查者。因此，可提高製造工程之生產性，作為其結果而價格減低則變為容易。
如根據作為以上例示之實施形態，可實現可謀求量產性之提昇之發光裝置及其製造方法者。
以上，雖說明過本發明之幾個實施形態，但此等實施形態係作為例而提示之構成，未意圖限定發明之範圍。此 等新穎的實施形態係可以其他種種形態而實施，在不脫離發明之內容範圍，可進行種種省略，置換，變更等。此等實施形態或其變形例係含於發明之範圍或內容同時，含於記載於申請專利範圍之發明與其均等之範圍。另外，前述之各實施形態係可相互組合而實施。
1‧‧‧發光裝置
2‧‧‧第1基體
3‧‧‧接合部
4‧‧‧第2基體
2a、4a、4b‧‧‧面
5‧‧‧配線部
5a‧‧‧表面
6‧‧‧散熱片
10‧‧‧基部
20‧‧‧發光部
26‧‧‧透光部
26b‧‧‧放射光的面
31a1、31b1‧‧‧端面

Claims (20)

  1. 一種發光裝置，其特徵係具有第1基部，和埋入於前述第1基部之第1面側，具有發光元件之發光部，和設置於前述第1基部之第1面上，與前述發光元件加以連接之第1配線部者。
  2. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述發光部係將放射光的面朝向與前述第1面側相反側加以埋入者。
  3. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述第1基部係具有：第1基體，和設置於前述第1基體上之第1接合部，和設置於前述第1接合部上，埋入有前述發光部之第2基體。
  4. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述第1基體，和前述第1接合部，和前述第2基體係具有透光性。
  5. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述第2基體係具有反射性。
  6. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述第1基體，和前述第1接合部係具有透光性。
  7. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述發光部係具有設置於放射前述發光元件的光之面上之透 光部，前述透光部之折射率，和前述第1基部之折射率係為相同者。
  8. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述發光部係具有設置於放射前述發光元件的光之面上之透光部，前述透光部之折射率，和前述第1基體之折射率，和前述第1接合部之折射率係為相同者。
  9. 如申請專利範圍第3項記載之發光裝置，其中，前述發光部係具有設置於放射前述發光元件的光之面上之透光部，前述透光部之折射率，和前述第1基體之折射率，和前述第1接合部之折射率，和前述第2基體之折射率係為相同者。
  10. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，更具備於前述第1基部與前述第1配線部之間具有反射性之反射部者。
  11. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述第1配線部係呈面狀。
  12. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述發光部係加以複數設置，前述第1配線部係設置於各前述發光部之間。
  13. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，前述第1配線部係呈被覆前述發光部之間地加以設置。
  14. 如申請專利範圍第12項記載之發光裝置，其中，設置於各前述發光部之間的前述第1配線部係設置於同一平面上者。
  15. 如申請專利範圍第1項記載之發光裝置，其中，與放射前述發光部的光的面相反側的面係設置於與前述第1面同一平面上者。
  16. 一種發光裝置，其特徵係具有第2基部，和設置於前述第2基部之第2面側，具有發光元件之發光部，和設置於前述第2基部，和前述發光部之間的第2接合部，和呈被覆前述第2基部之第2面側地加以設置，具有反射性之第2反射部，和設置於前述第2反射部上，與前述發光元件加以連接之第2配線部，前述發光部係加以複數設置，前述第2配線部係呈面狀，於各前述發光部之間，呈被覆前述發光部之間地加以設置者。
  17. 如申請專利範圍第16項記載之發光裝置，其中，前述發光部係具有設置於放射前述發光元件的光之面上之透光部，前述透光部之折射率，和前述第2基部之折射率，和前述第2接合部之折射率係為相同者。
  18. 一種發光裝置之製造方法，其特徵為具備：形成 具有發光元件之發光部的工程，和埋入前述發光部於第1基部之第1面側的工程，和於前述第1基部之第1面上形成與前述發光元件連接之第1配線部之工程，在於前述第1基部之第1面上形成與前述發光元件連接之第1配線部之工程中，形成呈面狀之前述第1配線部者。
  19. 如申請專利範圍第18項記載之發光裝置之製造方法，其中，前述第1基部係具有：第1基體，和形成於前述第1基體上之第1接合部，和形成於前述第1接合部上，埋入前述發光部之第2基體，在埋入前述發光部於前述第1基部之第1面側的工程中，於前述第1基體上形成前述第1接合部，於前述第1接合部上設置前述發光部，呈被覆前述第1接合部及前述發光部地形成成為前述第2基體的膜，將成為前述第2基體的膜進行平坦化而使前述發光部露出者。
  20. 如申請專利範圍第18項記載之發光裝置之製造方法，其中，在埋入前述發光部於前述第1基部之第1面側的工程中， 於前述第1基部之第1面側形成凹部，於前述凹部的內部設置前述發光部者。
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