TW201346686A - 可撓性顯示裝置、感測其撓曲之方法及其操作方法 - Google Patents
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Abstract
一種可撓性顯示裝置包含:配置以顯示影像之可撓性顯示單元、設置於可撓性顯示單元之上方之可撓性觸控屏幕單元、插設於可撓性顯示單元與可撓性觸控屏幕單元之間之絕緣膜、以及形成於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間以維持一間距於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間之間隔物。傳導層更形成於絕緣膜上方,且當可撓性顯示裝置彎折時,傳導層配置以碰觸可撓性觸控屏幕單元。可撓性顯示裝置之撓曲程度可被量測,且因此可藉由使用撓曲值於可撓性顯示裝置之各種撓曲事件中運用。
Description
相關申請案之交互參照
本申請案主張於西元2012年5月8日在韓國智慧財產局申請之韓國專利案10-2012-0048827之效益,其揭露在此完整併入作為參考。
本揭露係關於一種感測可撓性顯示裝置之撓曲之可撓性顯示裝置、感測可撓性顯示裝置之撓曲之方法、以及可撓性顯示裝置之操作方法。
平板顯示裝置一般可分類為發光型平板顯示裝置及收光型平板顯示裝置(light-receiving type flat display devices)。發光型平板顯示裝置包含有機發光顯示裝置(organic light-emitting display devices)、電漿顯示平板(plasma display panels, PDPs)、陰極射線管(cathode ray tubes, CRTs)、真空螢光顯示器(vacuum fluorescent displays, VFDs)、發光二極體(light emitting diodes, LEDs)及其類似物。收光型平板顯示裝置包含液晶顯示(liquid crystal display, LCD)裝置。
在這些平板顯示裝置中,有機發光顯示裝置具有絕佳的性質,例如廣視角、傑出的對比度以及短反應時間。因此,因為其可應用於用於行動裝置的顯示裝置,例如數位相機(digital cameras)、攝影相機(video cameras)、攝像錄像機(camcorders)、可攜式資訊終端器(portable information terminals)、智慧型手機(smart phones)、超薄筆記型電腦(ultra-slim laptop computers)、或桌上型個人電腦(tablet personal computers, PCs);或電子/電氣產品,例如超薄電視(ultra-thin TVs),故有機發光顯示裝置已廣受注目。
易於攜帶且可應用至各種裝置的可撓性顯示裝置近來已被研究及發展作為下一代的顯示裝置。其中,基於有機發光顯示器技術的可撓性顯示裝置係為最重要的顯示裝置。觸控功能可應用至可撓性顯示裝置。
本發明之一或多個實施例提供一種測量且利用可撓性顯示裝置之撓曲之可撓性顯示裝置、一種藉由利用可撓性顯示裝置感測撓曲之方法、以及一種可撓性顯示裝置之操作方法。
根據本發明之一態樣,提供一種可撓性顯示裝置包含:配置以顯示影像之可撓性顯示單元;設置於可撓性顯示單元上之可撓性觸控屏幕單元;插設於可撓性顯示單元與可撓性觸控屏幕單元之間之絕緣膜;以及形成於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間之間隔物,以維持介於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間之間距,其中,傳導層係形成於絕緣膜上方,且當可撓性顯示裝置彎曲時,傳導層係配置以觸碰可撓性觸控屏幕單元。
絕緣膜可貼附於可撓性顯示單元之頂部表面,且可撓性觸控屏幕單元可藉由間隔物與絕緣膜間隔開來,而於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間可形成空隙。
傳導層可包含形成於絕緣膜面對可撓性觸控屏幕單元之表面上之圖案化形狀。
傳導層可包含沿著絕緣膜之第一邊緣延伸之第一傳導部、以及沿著與第一邊緣交錯之第二邊緣延伸並連接至第一傳導部之第二傳導部。
傳導層可實質上形成於絕緣膜面對可撓性觸控屏幕單元之整個表面上。
傳導層可包含沿著平行於絕緣膜之表面之第一方向延伸之第一傳導部、以及沿著與第一方向交錯且平行於絕緣膜之表面之第二方向延伸之第二傳導部。
傳導層可包含形成於絕緣膜上之網格圖案。
傳導層可以透明材料形成。
絕緣膜可包含偏光片。
可撓性觸控屏幕單元可包含選自由靜電電容式觸控單元、電阻式觸控單元、電磁式觸控單元、表面聲波式(surface acoustic wave, SAW)觸控單元、以及紅外線式觸控單元所組成的群組之其中之一。
可撓性觸控屏幕單元可包含:可撓性觸控基板;包含形成於可撓性觸控基板上方之複數個第一電極圖案以及複數個第二電極圖案之複數個電極圖案;以及絕緣複數個第一電極圖案以及複數個第二電極圖案之間之絕緣層,且第一電極圖案以及第二電極圖案配置以感應可撓性觸控屏幕單元與傳導層之間之接觸,以產生電子訊號。
複數個第一電極圖案可在平行於可撓性觸控基板之一表面之第一方向上彼此分開排列,且複數個第二電極圖案可在與第一方向交錯且平行於可撓性觸控基板之表面之第二方向上彼此分開排列。
第一電極圖案與第二電極圖案以可撓性觸控基板為基準可實質上位於同一水平,且可藉由絕緣層而互相絕緣隱埋。
絕緣層可包含接觸孔形成於第一電極圖案與第二電極圖案互相交錯之區域,且複數個第一電極圖案各可包含藉由複數個第一連接器電性相連之第一電極,而複數個第二電極圖案各可包含藉由複數個第二連接器電性相連之第二電極,複數個第二連接器形成於接觸孔且越過絕緣層。
鈍化層及/或平坦化層可更形成於絕緣層上方,以覆蓋複數個第二連接器。
遮蓋窗口(cover window)可更形成於可撓性觸控屏幕單元上方。
可撓性顯示單元可包含:可撓性顯示基板;形成於可撓性顯示基板上之薄膜電晶體;以及連接至薄膜電晶體且包含第一電極、第二電極以及插設於第一電極與第二電極之間之有機層之有機發光裝置。
根據本發明之另一態樣,提供一種感測可撓性顯示裝置撓曲之方法,該方法包含:彎曲可撓性顯示裝置,其包含可撓性顯示單元、設置於可撓性顯示單元上方之可撓性觸控屏幕單元、插設於可撓性顯示單元與可撓性觸控屏幕單元之間之絕緣膜、形成於絕緣膜上方之傳導層、以及用於於一方向上維持間距於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間之間隔物,當可撓性觸控屏幕單元、絕緣膜、以及可撓性顯示單元於同一方向上彎曲時,允許可撓性觸控屏幕單元之一部份碰觸形成於絕緣膜之相對表面之一部分之傳導層,並量測可撓性顯示裝置於彎折處之撓曲程度。
可撓性觸控屏幕單元可測量靜電電容之變化。
複數個第一電極圖案以及複數個第二電極圖案可形成於可撓性觸控屏幕單元之可撓性觸控基板之上方,且其中當可撓性顯示裝置彎折時,可於該可撓性觸控屏幕單元接觸傳導層處量測複數個第一電極圖案以及複數個第二電極圖案之間之靜電電容之變化。
根據本發明之另一態樣,提供一種操作可撓性顯示裝置的方法,該方法包含:提供可撓性顯示裝置,其包含可撓性顯示單元、設置於可撓性顯示單元上方之可撓性觸控屏幕單元、插設於可撓性顯示單元與可撓性觸控屏幕單元之間之絕緣膜、形成於絕緣膜上之傳導層、以及於一方向上用於維持一間距於可撓性觸控屏幕單元與絕緣膜之間之間隔物;碰觸可撓性顯示裝置;測定是否為量測可撓性顯示裝置之撓曲之應用模式;測定是否有可撓性顯示裝置之撓曲事件;測定撓曲事件於可撓性顯示裝置之一特定區域之變量為何;測定可撓性顯示裝置於X軸及Y軸上是否有所變化;以及處理於各X軸及Y軸方向上之撓曲事件。
當可撓性觸控屏幕單元之彎曲部分接觸形成於絕緣膜上之傳導層時,可撓性顯示裝置於彎曲部分可感應可撓性觸控屏幕單元之第一電極圖案以及第二電極圖案之間之靜電電容之變化,以量測可撓性顯示裝置之彎曲程度。
100...可撓性顯示裝置
110...可撓性顯示單元
120...可撓性觸控屏幕單元
121...可撓性觸控基板
122...第一電極圖案
123...第二電極圖案
124...第一主體
125...第一連接器
126...第一延伸部
127...第一接觸部
128...第二主體
129...第二連接器
130...第二延伸部
131...第二接觸部
132...絕緣層
140...絕緣膜
133、183...平坦化層
134、182、184...接觸孔
141、710、810、910...傳導層
142、811...第一傳導部
143、812...第二傳導部
150...遮蓋窗口
160...間隔物
171...可撓性顯示基板
172...第一障壁層
173...閘極絕緣層
174...層間絕緣層
175...半導體主動層
176...源極區
177...汲極區
178...通道區
179...閘極電極
180...源極電極
181...汲極電極
185...第一電極
186...像素定義層
187...有機層
188...第二電極
189...第二障壁層
190...密封膜
AG...空氣間隙
C...接觸點
S10~S80...步驟
本發明上述及其他特徵及優點將藉由參照附圖詳述其例示性實施例而變得更加明瞭,其中:
第1圖係為根據本發明之一實施例之可撓性顯示裝置之剖視圖;
第2圖係為第1圖繪示之可撓性顯示裝置之可撓性觸控屏幕單元之平面圖;
第3圖係為第2圖中沿著線段III-III所截取之剖視圖;
第4圖係為第1圖之可撓性顯示裝置之可撓性顯示單元之剖視圖;
第5圖係為第1圖之可撓性顯示裝置之撓曲之剖視圖;
第6圖係為第5圖之可撓性觸控屏幕單元以及絕緣膜之撓曲之透視圖;
第7圖係為第6圖之絕緣膜之一修改示例之剖視圖;
第8圖係為第6圖之絕緣膜之另一修改示例之平面圖;
第9圖係為第6圖之絕緣膜之再一修改示例之平面圖;以及
第10圖係繪示利用第1圖之可撓性顯示裝置處理撓曲事件之流程圖。
第1圖係為根據本發明之一實施例之可撓性顯示裝置之剖視圖;
第2圖係為第1圖繪示之可撓性顯示裝置之可撓性觸控屏幕單元之平面圖;
第3圖係為第2圖中沿著線段III-III所截取之剖視圖;
第4圖係為第1圖之可撓性顯示裝置之可撓性顯示單元之剖視圖;
第5圖係為第1圖之可撓性顯示裝置之撓曲之剖視圖;
第6圖係為第5圖之可撓性觸控屏幕單元以及絕緣膜之撓曲之透視圖;
第7圖係為第6圖之絕緣膜之一修改示例之剖視圖;
第8圖係為第6圖之絕緣膜之另一修改示例之平面圖;
第9圖係為第6圖之絕緣膜之再一修改示例之平面圖;以及
第10圖係繪示利用第1圖之可撓性顯示裝置處理撓曲事件之流程圖。
雖然本發明允許各種改變及多種實施例,特定實施例將繪示於圖式中並以書面說明詳細地描述。然而,此並非旨在限制本發明至特定之實施方式,且將理解的是未脫離本發明之精神及技術範疇的所有改變、等效物及代替品皆包含於本發明中。在本發明之說明中,當認為其可能非必要地模糊了本發明的本質時,則省略部分相關先前技術的詳細解釋。
當可能利用例如「第一」、「第二」等名稱描述各種元件時,這些元件必然不限於上述名稱。上述名稱僅用以將元件與其他元件區隔。
本說明書中所用之名稱僅用以敘述特定的實施例,且並非旨在限制本發明。除非其在內文中具有明確不同的意義,否則利用單數的表示法包含了複數的表示法。在本說明書中,其將理解的是,例如「包含(including)」或「具有(having)」等用語係旨在指出揭露於本說明書中之特徵、數量、步驟、作動、元件、部件或其組合的存在,且並非旨在排除可存在或可增加一或多個其它特徵、數量、步驟、作動、元件、部件或其組合的可能性。
根據本發明實施例之可撓性顯示裝置將參照附圖於下文中作更詳細的描述。無論圖號,那些相同或是對應的元件將賦予相同的參考符號,且多餘的解釋係省略。
在實施例中,可撓性顯示裝置可包含觸控感測平板。在此種可撓性顯示裝置中可運用撓曲事件(event)。可撓性顯示裝置之撓曲可被量測或測定為一數值,此數值可由應用模式所利用。
第1圖係繪示根據本發明之一實施例之可撓性顯示裝置100之結構。
參照第1圖,可撓性顯示裝置100包含顯示影像之可撓性顯示單元110、設置於可撓性顯示單元110之上(on)或上方(above)之可撓性觸控屏幕單元120、插設於可撓性顯示單元110與可撓性觸控屏幕單元120之間之絕緣膜140、以及設置於可撓性觸控屏幕單元120上之遮蓋窗口150(cover window)。
絕緣膜140係貼附至可撓性顯示單元110之一表面,即可撓性顯示單元110面對可撓性觸控屏幕單元120之頂部表面。
空氣間隙AG形成於可撓性觸控屏幕單元120與絕緣膜140之間。間隔物160沿著可撓性顯示單元110以及可撓性觸控屏幕單元120之相對表面的邊緣而形成於可撓性觸控屏幕單元120與絕緣膜140之間,以形成空氣間隙AG。
具有上述結構之可撓性顯示裝置100包含在可撓性顯示單元110於一方向上彎曲時量測其撓曲程度之單元。
第2圖繪示第1圖之可撓性觸控屏幕單元120,而第3圖係為第2圖中沿著線段III-III所截取之剖面示意圖。
在實施例中,根據本實施例之可撓性觸控屏幕單元120為靜電電容式觸控單元。然而,本發明之態樣並不限於此,且可撓性觸控屏幕單元120可應用選自由電阻(resistive)式觸控單元、電磁(electro-magnetic)式觸控單元、表面聲波(surface acoustic wave, SAW)式觸控單元、以及紅外線(infrared)式觸控單元所組成的群組之其中之一。
參閱第2圖以及第3圖,可撓性觸控屏幕單元120包含可撓性觸控基板121。複數個第一電極圖案122以及複數個第二電極圖案123係交互地設置於可撓性觸控基板121上。複數個第一電極圖案122互相平行排列,且沿著平行於可撓性觸控基板121之表面之第一方向(X方向)延伸。
在實施例中,複數個第二電極圖案123係設置以鄰近於第一電極圖案122。第二電極圖案123係互相平行排列,且沿著平行於可撓性觸控基板121之表面之第二方向(Y方向)延伸。
第一電極圖案122包含第一電極之複數個第一主體124、複數個第一連接器125、複數個第一延伸部126以及複數個第一接觸部127。
在實施例中,複數個第一主體124係為菱形(diamond-shaped)。在複數個第一電極圖案之其中之一中,複數個第一主體124係沿著第一方向(X方向)對齊。複數個第一連接器125各形成於沿第一方向(X方向)排列之相鄰之兩個第一主體124之間。第一連接器125電性連接第一主體124。
複數個第一延伸部126各形成自複數個第一電極圖案之其中之一中相互連接之複數個第一主體124中最外側之第一主體124之一端。第一延伸部126延伸至可撓性觸控基板121之邊緣,且聚集於可撓性觸控基板121之一邊。複數個第一接觸部127係形成於第一延伸部126之一端。
第二電極圖案123包含第二電極之複數個第二主體128、複數個第二連接器129、複數個第二延伸部130以及複數個第二接觸部131。
在實施例中,複數個第二主體128係為菱形。在複數個第二電極圖案之其中之一中,複數個第二主體128係沿著第二方向(Y方向)對齊。
複數個第二延伸部130各延伸自複數個第二電極圖案之其中之一中相互連接之複數個第二主體128中最外側之第二主體128之一端。第二延伸部130延伸至可撓性觸控基板121之邊緣。第二延伸部130聚集於可撓性觸控基板121之一邊。複數個第二接觸部131係形成於第二延伸部130之一端。
彼此相鄰之一組第一主體124係藉由第一連接器125互相連接,第一連接器125與該組第一主體124所設置之平面設置於相同平面上。相反的,彼此相鄰的一組第二主體128係藉由第二連接器129互相連接,第二連接器129與該組第二主體128所設置之平面設置於不同之平面上,以防止該組第二主體128與第一電極圖案122之間的干擾。
更詳細而言,覆蓋所有第一主體124、複數個第一連接器125以及第二主體128之絕緣層132形成於可撓性觸控基板121上。絕緣層132係將第一電極圖案122以及第二電極圖案123互相絕緣。
絕緣層132包含接觸孔134,每個接觸孔134係形成對應至其中一個第二主體128之角落之區域。接觸孔134係形成於第一電極圖案122以及第二電極圖案123互相交錯之區域。各第二連接器129經由兩個相鄰之接觸孔134而形成,且越過絕緣層132而連接相鄰之兩個第二主體128。
藉由利用上述之結構,可避免第一電極圖案122與第二電極圖案123之間的短路。
第一電極圖案122以及第二電極圖案123可由用以形成透明傳導層之透明材料所形成,如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)及其類似物。除此之外,第一電極圖案122以及第二電極圖案123可利用光微影製程所形成。
亦即,第一電極圖案122以及第二電極圖案123可藉由圖案化透明傳導層而形成,其運用方法如沈積法(deposition)、旋轉塗佈法(spin coating)、濺鍍法(sputtering)、噴墨法(ink-jet)或其類似方法所形成。
鈍化層(passivation layer)及/或平坦化層133形成於絕緣層132上,以覆蓋用以連接複數個第二電極圖案123之第二連接器129。
具有上述結構之可撓性觸控屏幕單元120可於輸入單元,如手指接近或碰觸可撓性觸控基板121時,感測第一電極圖案122以及第二電極圖案123之間之靜電電容之變化。
第4圖繪示第1圖之可撓性顯示單元110之一個子像素。
根據本實施例之可撓性顯示單元110係為有機發光顯示單元。然而,本發明之態樣並不限於此,且可撓性顯示單元110可應用至其它顯示單元,如液晶顯示(liquid crystal display, LCD)單元,電致發光顯示單元(electroluminescent display unit)、電漿顯示單元(plasma display unit)、場發射顯示單元(field emission display unit)、電泳顯示單元(electrophoresis display unit)及其類似物。
參閱第4圖,可撓性顯示單元110包含可撓性顯示基板171。可撓性顯示基板171可由相較於玻璃基板具有特定低比重而為輕重量之材料所形成,為不易碎並為可撓的,例如,用以形成可撓性塑膠膜的聚合物材料。
隨著可撓性顯示基板171之厚度減少,可撓性顯示基板171則更加的輕量化而更有助於實現薄層顯示器(thin layer display)。然而,在製造可撓性顯示基板171時,其必須具有一厚度使得形成於可撓性顯示基板171之元件及薄層之負載可藉由可撓性顯示基板171而維持。
到此為止,可撓性顯示基板171可為具有約10到100微米厚度之薄層型基板。當可撓性顯示基板171之厚度為10微米或以下時,則於製造可撓性顯示基板171時,將形成於可撓性顯示基板171之元件以及薄層之形狀可能無法穩定地維持。當可撓性顯示基板171之厚度為100微米或以上時,可撓性顯示基板171可能無法輕易地維持可撓特性。
可撓性顯示基板171可以聚合物材料形成,例如聚亞醯胺(polyimide, PI)、聚碳酸酯(polycarbonate, PC)、聚醚碸(polyethersulphone, PES)、聚乙二醇對苯二甲酸酯(polyethylene terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate, PEN)、聚芳香酯(polyarylate, PAR)、玻璃纖維強化塑膠(fiber glass reinforced plastic, FRP)或其類似物。
第一障壁層172形成於可撓性顯示基板171上。第一障壁層172可藉由使用例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(AlO)或氮氧化鋁(AlON)或其類似物之無機材料;例如丙烯醯基(acryl)或聚亞醯胺(PI)或其類似物之有機材料;或是藉由交互堆疊有機材料及無機材料所形成。第一障壁層172作用以阻擋氧氣及濕氣,以避免濕氣或來自可撓性顯示基板171之雜質的擴散,並且在半導體結晶過程中調整熱傳導速率,使得半導體的結晶可順利的進行。
薄膜電晶體(TFT)形成於第一障壁層172之上(on)或上方(above)。根據本實施例的薄膜電晶體為頂部閘極型薄膜電晶體(top gate type TFT)。然而,本發明之態樣並不以此為限,其它形式的薄膜電晶體也可形成,如底部閘極型薄膜電晶體(bottom gate type TFT)及其類似物。
如本實施例中,於頂部閘極型薄膜電晶體之狀況下,半導體主動層175、閘極絕緣層173、閘極電極179、層間絕緣層174、源極電極180、汲極電極181以及鈍化層及/或平坦化層183及其類似物係形成於第一障壁層172上。
當半導體主動層175由多晶矽(polysilicon)形成時,非晶矽(amorphous silicon)係形成並結晶以變成多晶矽。
多種方法可用以作為結晶非晶矽的方法,例如快速熱退火(rapid thermal annealing, RTA)、固相結晶(solid phase crystallization, SPC)、準分子雷射退火(excimer laser annealing, ELA)、金屬誘發結晶(metal induced crystallization, MIC)、金屬誘發側向結晶(metal induced lateral crystallization, MILC)以及順序橫向固化(sequential lateral solidification, SLS)及其類似方法。然而,根據本發明之實施例,不需高溫熱處理的方法可用於可撓性顯示基板171中。
舉例而言,當利用低溫多晶矽(low temperature poly-silicon, LTPS)製程結晶非晶矽時,半導體主動層175藉由短暫照射雷射於半導體主動層175上而活化(activated),以使整個製程可在300℃或更低的溫度下進行。因此,薄膜電晶體可使用由聚合物材料所形成之可撓性顯示基板171而形成。
半導體主動層175包含藉由將半導體主動層175摻雜N型雜質離子或P型雜質離子而形成的源極區176與汲極區177。源極區176與汲極區177之間的區域為未摻雜雜質的通道區178。
閘極絕緣層173沉積於半導體主動層175上。閘極絕緣層173具有由二氧化矽(SiO2)所形成之單層、或是二氧化矽(SiO2)及氮化矽(SiNx)之雙層結構。
閘極電極179形成於閘極絕緣層173之上部部分之預定區域。閘極電極179係連接至用以施加薄膜電晶體開/關訊號的閘極線(未繪示)。閘極電極179由單一金屬或多個金屬所形成,或可形成為鉬(Mo)、鎢化鉬(MoW)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鋁合金、鎂(Mg)、鎳(Ni)、鎢(W)、金(Au)或其類似物之單層結構,或以其混合物所形成之多層結構。
層間絕緣層174形成於閘極電極179之上(on)或上方(above),且藉由接觸孔182,源極電極180係電性連接至源極區176,而汲極電極181係電性連接至汲極區177。
層間絕緣層174可由例如二氧化矽、氮化矽或其類似物;絕緣有機材料或其類似物之絕緣材料所形成。接觸孔182可藉由選擇性地移除閘極絕緣層173及層間絕緣層174而形成。
鈍化層及/或平坦化層183形成於源極電極180及汲極電極181上(on)或上方(above)。鈍化層及/或平坦化層183保護下部(lower)薄膜電晶體並平坦化下部薄膜電晶體。鈍化層及/或平坦化層183可具有各種形狀,且可以各種方式修改,例如利用有機材料,如苯環丁烯(Benzocyclobutene, BCB)、丙烯醯基(acryl)或類似物;或無機材料,如氮化矽或其類似物所形成,且可具有單層、雙層或多層結構。
顯示裝置形成於薄膜電晶體上(on)或上方(above)。在本實施例中繪示有機發光顯示裝置。然而,本發明之態樣並不限於此,且各種顯示裝置也可使用。
在薄膜電晶體上(on)或上方(above),第一電極185係藉由接觸孔184電性連接至源極電極180與汲極電極181之其中之一,以形成有機發光顯示裝置。
第一電極185作用以作為設置於有機發光顯示裝置上之電極中的陽極,並且可由各種傳導材料所形成。根據將形成之有機發光裝置,第一電極185可為透明電極或反射電極。
舉例而言,當第一電極185用以作為透明電極時,第一電極185可包含氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)或其類似物。當第一電極185用以作為反射電極時,第一電極185可藉由利用銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)及其化合物形成反射層,並藉由形成氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅、三氧化二銦或其類似物於反射層上而形成。
像素定義層(PDL)186藉由利用有機材料而形成於鈍化層及/或平坦化層183上(on)或上方(above),以覆蓋有機發光裝置之第一電極185之一部分。
有機層187形成於藉由蝕刻像素定義層186的一部分而暴露於外側之第一電極185的一部分的第一電極185上。有機發光裝置之第二電極188形成於有機層187上。
第一電極185及第二電極188藉由有機層187而彼此絕緣,且具有不同極性之電壓係施加至有機層187,使得光可自有機層187發出。
在本實施例中,有機層187被圖案化以對應至各子像素,亦即圖案化之各第一電極185。然而,此為方便解釋子像素的結構,且有機層187可與其它相鄰子像素中的有機層187形成為一體。除此之外,有機層187的一部分形成於各子像素中,且有機層187的另一部分可與其它相鄰子像素中的有機層187形成為一體,且因此各種修改係為可能的。
有機層187可由低分子量有機材料或聚合物有機材料所形成。
當有機層187為由低分子量有機材料所形成時,有機層187可形成為由電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)及電子注入層(EIL)所組成的單一結構或其複合結構。
當有機層187為由低分子量有機材料所形成時,適用的有機材料可為銅鈦菁(copper phthalocyanine, CuPc)、N,N'-二(荼-1-基)-N,N'-二苯基-聯苯胺(N,N'-Di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine, NPB)以及三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum, Alq3)或其類似物。這些低分子量有機材料可利用真空沉積使用遮罩或其類似物而形成。
當有機層187以聚合物有機材料所形成時,有機層187可具有電洞傳輸層及發射層所組成的結構。在這方面,PEDOT可用作電洞傳輸層,且聚苯乙烯(poly-phenylenevinylene, PPV)系聚合物有機材料或聚茀(polyfluorene)系聚合物有機材料可被用作為發射層,且這些聚合物有機材料可利用網印(screen printing)、噴墨印刷(ink-jet printing)或其類似方法而形成。
本發明之態樣並不限於此,且各種實施例可應用於上述有機層187。
第二電極188為如第一電極185之透明電極,且可形成為反射電極。
當第二電極188用於作為透明電極時,其為由各具有低功函數之鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)及鎂(Mg)以及其化合物所形成之層,且由例如氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅或三氧化二銦之用於形成透明電極之材料所形成之輔助電極可形成於透明電極上。
當第二電極118用於作為反射電極時,藉由氣相沉積鋰、鈣、氟化鋰/鈣、氟化鋰/鋁、鋁、鎂及其化合物於第二電極188的整個表面上而形成反射電極。
第一電極185為透明電極。然而,當第一電極185用於作為反射電極時,第一電極185可形成以對應於各子像素之開口的形狀。第二電極188為透明電極,但可藉由沉積反射電極於顯示區的整個表面上而形成。第二電極188並無需沉積於顯示區的整個表面上,且可形成為各種圖案。在此種情形下,第一電極185以及第二電極188可以彼此位置相對的方法堆疊。
密封膜190與有機發光裝置之頂部部分結合。密封膜190可與實質上用以形成可撓性顯示基板171的材料以相同之材料所形成。密封膜190可為能自由彎折的薄膜。亦或,有機發光裝置可藉由製造有機發光裝置且堆疊有機及/或無機薄膜於有機發光裝置上而密封。
第二障壁層189可形成於面對有機發光裝置之密封膜190的表面上。第二障壁層189可由例如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮氧化鋁或其類似物的無機材料;例如丙烯醯基、聚亞醯胺或其類似物的有機材料;或藉由交互堆疊有機材料以及無機材料而形成。
第二障壁層189作用以阻擋氧氣及濕氣,以避免濕氣或來自密封膜190之雜質擴散,且當半導體結晶時用以調整熱傳導速率,使得半導體的結晶可順利的進行。
在此,接觸可撓性觸控屏幕單元120的傳導層141係選擇性地形成於絕緣膜140上,以在可撓性顯示裝置100於一方向彎折時,量測可撓性顯示裝置100的撓曲程度。
第5圖繪示第1圖之可撓性顯示裝置之撓曲,而第6圖繪示可撓性觸控屏幕單元120接觸第5圖之絕緣膜140的狀態。
參閱第5圖以及第6圖,當可撓性觸控屏幕單元120彎曲時,如依箭頭所示,於可撓性觸控屏幕單元120與絕緣膜140之間之空氣間隙AG係於彎曲的P點減少,使得可撓性觸控屏幕單元120選擇性地接觸絕緣膜140。
在此情形下,傳導層141係在絕緣膜140上圖案化成一特定形狀,以在可撓性觸控屏幕單元120於特定區域P彎曲時,感應其中可撓性觸控屏幕單元120接觸絕緣膜140或傳導層141之部分。
到此為止,第一傳導部142形成於絕緣膜140面對可撓性觸控屏幕單元120之頂部表面,以沿著絕緣膜140之第一邊緣(X方向)延伸,且第二傳導部143係形成以沿著與絕緣膜140之第一邊緣交叉之第二邊緣(Y方向)上延伸。第一傳導部142以及第二傳導部143可相互連接或相互分離。
亦或,如第7圖所繪示,傳導層710可實質上形成於絕緣膜140之整個頂部表面上,或如第8圖所繪示,傳導層810包含越過絕緣膜140之頂部表面之第一方向所形成之第一傳導部811、以及越過與第一方向交叉之第二方向所形成之第二傳導部812,或如第9圖所示,傳導層910可以網格形狀形成於絕緣膜140之頂部表面上,且本發明之態樣並不以此為限。
傳導層141可由用於形成透明傳導層的透明材料所形成,例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO)、三氧化二銦(In2O3)及其類似物。
實施例中,絕緣膜140可作用為偏光片(polarization plate)或偏光器(polarizer)。當絕緣膜140作用為偏光片時,絕緣膜140可作用以避免外部光的反射,使得可撓性顯示單元110所顯示之影像的能見度(visibility)可改善。
在實施例中,傳導層141可形成於最外層薄膜之表面,例如密封膜190設置於可撓性顯示單元110上。
具有上述結構之可撓性顯示裝置100之操作現將參考第1圖至第6圖而敘明。
可撓性顯示單元110、具有形成於可撓性顯示單元110上之傳導層141之絕緣膜140、以及具有藉由間隔物160而形成於可撓性觸控屏幕單元120與絕緣膜140之間之空氣間隙之可撓性觸控屏幕單元120係於一個方向上彎折。
當可撓性顯示單元110、絕緣膜140、以及可撓性觸控屏幕單元120於同一方向上彎折時,可撓性觸控屏幕單元120之彎折部分接觸面對可撓性觸控屏幕單元120之絕緣膜或傳導層141之表面之一部分。接觸部之位置或區域可依據於彎曲之程度而定。
在實施例中,當可撓性觸控屏幕單元120在特定位置P彎折時,空氣間隙AG係在彎折處P減少,而可撓性觸控屏幕單元120之特定區域係接觸傳導層141或絕緣膜140之頂部表面。
在此情形之下,因為絕緣膜140具有絕緣之特性,可偵測接觸在絕緣膜140之邊緣圖案化的傳導層141之特定區域P之可撓性觸控屏幕單元120。
當可撓性觸控屏幕單元120接觸形成於絕緣膜140上之傳導層141時,靜電電容可在可撓性觸控屏幕單元120接觸傳導層141之接觸點C變化。接觸點C之靜電電容變化由設置於可撓性觸控屏幕單元120上之積體電路(IC)所讀取,使得可撓性顯示裝置100之撓曲程度可測定到。
在實施例中,當可撓性觸控屏幕單元120以及傳導層141在同一方向上彎折且相互接觸時,於可撓性觸控屏幕單元120上圖案化之第一電極圖案122以及第二電極圖案123之間之靜電電容可能改變或變化。接觸位置或接觸區域之X座標與Y座標可使用積體電路測定,且測定之位置或區域傳輸至中央處理單元(CPU)。執行使用者介面(UI)以量測可撓性顯示裝置100之撓曲程度。
第10圖為繪示利用第1圖之可撓性顯示裝置100處理撓曲事件之流程圖。
參閱第10圖,碰觸可撓性顯示單元110、設置於可撓性顯示單元110上且具有傳導層141之絕緣膜140、以及設置具空氣間隙於可撓性觸控屏幕單元120與絕緣膜140之間之可撓性觸控屏幕單元120(步驟S10)。
當使用輸入單元碰觸可撓性顯示裝置100時,測定一種安裝於可撓性顯示裝置100之撓曲量測應用模式(application)(下文中,稱為app)。舉例而言,測定app是否為一般觸控事件,例如可撓性顯示裝置100之主要選單app、或是否為一撓曲事件,例如需要像是影像放大之撓曲事件之影像選單app 等(步驟S20)。
若測定不需可撓性顯示裝置100之撓曲事件,則處理成一般觸控事件(步驟S30)。
相反的,若測定需要可撓性顯示裝置100之撓曲事件,撓曲事件處理進入下一操作,並測定可撓性顯示裝置100之特定區域是否有變化。亦即,當可撓性顯示裝置100彎曲時,測定可撓性觸控屏幕單元120是否接觸形成於絕緣膜140上之傳導層141之特定區域(步驟S40)。
若測定可撓性顯示裝置100之特定區域沒有變化,則處理成一般觸控事件(步驟S50)。
相反的,若測定可撓性顯示裝置100之特定區域有變化,則測定可撓性顯示裝置100之X軸以及Y軸之變化(步驟S60)。
如此,若測定可撓性顯示裝置100在X軸上有變化,則處理X軸上之撓曲事件(步驟S70),且若測定可撓性顯示裝置100在Y軸上有變化,則處理Y軸上之撓曲事件(步驟S80) 。
如上所述,根據本發明之一或多個實施例,在一種可撓性顯示裝置、一種藉由使用可撓性顯示裝置感測撓曲之方法、以及一種操作可撓性顯示裝置之方法中,可撓性顯示裝置之撓曲程度可被量測且因而可藉由使用撓曲值於各種可撓性顯示裝置之撓曲事件中運用。
雖然本發明之實施例已特別地顯示及敘述,發明所屬技術領域具通常知識者將理解的是,在未脫離本發明由後附之申請專利範圍中所定義之精神與範疇內,可對其進行形式與細節之各種變更。
100...可撓性顯示裝置
110...可撓性顯示單元
120...可撓性觸控屏幕單元
140...絕緣層
150...遮蓋窗口
160...間隔物
AG...空氣間隙
Claims (22)
- 一種可撓性顯示裝置,其包含:
一可撓性顯示單元,係配置以顯示一影像;
一可撓性觸控屏幕單元,係設置於該可撓性顯示單元之上方;
一絕緣膜,插設於該可撓性顯示單元與該可撓性觸控屏幕單元之間;以及
一間隔物,形成於該可撓性觸控屏幕單元與該絕緣膜之間,以維持一間距於該可撓性觸控屏幕單元與該絕緣膜之間;
其中一傳導層係形成於該絕緣膜上方,並且當該可撓性顯示裝置彎折時,該傳導層係配置以碰觸該可撓性觸控屏幕單元。 - 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中該絕緣膜貼附於該可撓性顯示單元之頂部表面;以及
該可撓性觸控屏幕單元係藉由該間隔物與該絕緣膜間隔開來;以及
一空隙,係形成於該可撓性觸控屏幕單元與該絕緣膜之間。 - 如申請專利範圍第2項所述之可撓性顯示裝置,其中該傳導層包含形成於該絕緣膜之一表面上之一圖案化形狀,該表面面對該可撓性觸控屏幕單元。
- 如申請專利範圍第2項所述之可撓性顯示裝置,其中該傳導層包含沿著該絕緣膜之一第一邊緣延伸之一第一傳導部、以及沿著與該第一邊緣交錯之一第二邊緣延伸並連接至該第一傳導部之一第二傳導部。
- 如申請專利範圍第2項所述之可撓性顯示裝置,其中該傳導層係實質上形成於該絕緣膜面對該可撓性觸控屏幕單元之整個表面上。
- 如申請專利範圍第2項所述之可撓性顯示裝置,其中該傳導層包含沿著平行於該絕緣膜之一表面之一第一方向延伸之一第一傳導部、以及沿著與該第一方向交錯且平行於該絕緣膜之該表面之一第二方向延伸之一第二傳導部。
- 如申請專利範圍第2項所述之可撓性顯示裝置,其中該傳導層包含形成於該絕緣膜上之一網格圖案。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中該傳導層係以透明材料形成。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中該絕緣膜包含一偏光片。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中該可撓性觸控屏幕單元包含選自由一靜電電容式觸控單元、一電阻式觸控單元、一電磁式觸控單元、一表面聲波式(surface acoustic wave, SAW)觸控單元、以及一紅外線式觸控單元所組成的群組之其中之一。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中該可撓性觸控屏幕單元包含:
一可撓性觸控基板;
複數個電極圖案,係包含形成於該可撓性觸控基板上方之複數個第一電極圖案以及複數個第二電極圖案;以及
一絕緣層,係絕緣該複數個第一電極圖案以及該複數個第二電極圖案;以及
該複數個第一電極圖案以及該複數個第二電極圖案係配置以感應該可撓性觸控屏幕單元以及該傳導層之間之接觸,以產生電子訊號。 - 如申請專利範圍第11項所述之可撓性顯示裝置,其中該複數個第一電極圖案在平行於該可撓性觸控基板之一表面之一第一方向上彼此分開排列;以及
該複數個第二電極圖案在與該第一方向交錯且平行於該可撓性觸控基板之該表面之一第二方向上彼此分開排列。 - 如申請專利範圍第12項所述之可撓性顯示裝置,其中以該可撓性觸控基板為基準,該複數個第一電極圖案以及該複數個第二電極圖案係實質上位於同一水平,且藉由該絕緣層而互相絕緣隱埋。
- 如申請專利範圍第13項所述之可撓性顯示裝置,其中該絕緣層包含一接觸孔形成於該複數個第一電極圖案以及該複數個第二電極圖案互相交錯之區域中;以及
該複數個第一電極圖案各包含藉由複數個第一連接器電性連接之一第一電極;
該複數個第二電極圖案各包含藉由形成於該接觸孔且越過該絕緣層之複數個第二連接器而電性連接之一第二電極。 - 如申請專利範圍第14項所述之可撓性顯示裝置,其中一鈍化層更形成於該絕緣層上方,以覆蓋該複數個第二連接器。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中一遮蓋窗口更形成於該可撓性觸控屏幕單元上方。
- 如申請專利範圍第1項所述之可撓性顯示裝置,其中該可撓性顯示單元包含:
一可撓性顯示基板;
一薄膜電晶體,係形成於該可撓性顯示基板上;以及
一有機發光裝置,係連接至該薄膜電晶體,且包含一第一電極、一第二電極以及插設於該第一電極與該第二電極之間之一有機層。 - 一種感測可撓性顯示裝置撓曲之方法,該方法包含:
彎曲一可撓性顯示裝置,該可撓性顯示裝置包含:一可撓性顯示單元;
一可撓性觸控屏幕單元,設置於該可撓性顯示單元上方;
一絕緣膜,插設於該可撓性顯示單元與該可撓性觸控屏幕單元之間;
一傳導層,形成於該絕緣膜上;以及
一間隔物,係於一方向上用於維持一間距於該可撓性觸控屏幕單元與該絕緣膜之間;
當該可撓性觸控屏幕單元、該絕緣膜、以及該可撓性顯示單元於同一方向上彎曲時,允許該可撓性觸控屏幕單元之一部份碰觸形成於該絕緣膜之相對表面之一部分之該傳導層;以及
量測該可撓性顯示裝置撓曲之程度。 - 如申請專利範圍第18項所述之方法,其中該可撓性觸控屏幕單元測量靜電電容之變化。
- 如申請專利範圍第19項所述之方法,其中複數個第一電極圖案以及複數個第二電極圖案係形成於該可撓性觸控屏幕單元之一可撓性基板上方,且其中當該可撓性顯示裝置彎折時,於該可撓性觸控屏幕單元接觸該傳導層處,量測該複數個第一電極圖案與該複數個第二電極圖案之間之靜電電容之變化。
- 一種操作可撓性顯示裝置的方法,該方法包含:
提供一可撓性顯示裝置,其包含:
一可撓性顯示單元;
一可撓性觸控屏幕單元,設置於該可撓性顯示單元上;
一絕緣膜,插設於該可撓性顯示單元與該可撓性觸控屏幕單元之間;
一傳導層,形成於該絕緣膜上;以及
一間隔物,係於一方向上用於維持一間距於該可撓性觸控屏幕單元與該絕緣膜之間;
碰觸該可撓性顯示裝置;
測定是否為量測該可撓性顯示裝置之撓曲之一應用模式;
測定是否有該可撓性顯示裝置之一撓曲事件;
測定該撓曲事件於該可撓性顯示裝置之一特定區域之變量為何;
測定該可撓性顯示裝置於一X軸及一Y軸上是否有所變化;以及
分別處理該X軸及該Y軸方向之該撓曲事件。 - 如申請專利範圍第21項所述之方法,其中當該可撓性觸控屏幕單元之一彎曲部分接觸形成於該絕緣膜上之該傳導層時,該可撓性顯示裝置於該彎曲部分感應該可撓性觸控屏幕單元之一第一電極圖案以及一第二電極圖案之間之靜電電容變化,以量測該可撓性顯示裝置之彎曲程度。
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