TWI652604B - 靜電感測器及輸入裝置 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供一種能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔(層間配線)之數量作抑制的靜電感測器。 　　[解決手段] 在對於物體所能夠接近的區域作區分之複數的區塊(A)中，3以上的檢測電極(E)係交叉。在各檢測電極(E)中，係包含有經由配線(W)而被作了串接連接的複數之部分電極(B)，於在區塊(A)中而交叉的檢測電極(E)中所包含之部分電極(B)，係被配置在該區塊(A)中。在被配置於區塊(A)中之3以上之部分電極(B)中，係包含有1個的第1部分電極、和至少2個的第2部分電極。第1部分電極，係經由第1層配線或第2層配線而被與其中一方之部分電極(B)作串接連接，並且經由第2層配線而被與另外一方之部分電極(B)作串接連接。第2部分電極，係經由第1層配線而被與其中一方之部分電極(B)作串接連接，並且經由第2層配線而被與另外一方之部分電極(B)作串接連接。

Description

靜電感測器及輸入裝置
本發明，係為有關於用以檢測出靜電電容的變化之靜電感測器和輸入與靜電電容之變化相對應的資訊之輸入裝置者。
從先前技術起，便周知有用以將起因於手指等之物體作接近一事所導致的靜電電容之變化檢測出來的靜電感測器。在觸碰面板等之輸入裝置中所被使用的靜電感測器，一般而言係具有使複數之檢測用之電極在平面上而作了並排配置的構造(例如，參考下述之專利文獻)。若是物體接近此些之電極，則由於係會產生檢測用之電極與物體之間的靜電電容(自身電容)或電極間之靜電電容(相互電容)的變化，因此，係能夠將物體之接近的有無和接近程度等作為靜電電容之變化而檢測出來。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 國際公開第2016╱021356號 　　[專利文獻2] 美國專利申請公開第2008／0150906號說明書 　　[專利文獻3] 美國專利申請公開第2015／0179122號說明書
[發明所欲解決之課題]
圖33，係為對於在上述之專利文獻1中所記載的靜電感測器之構造作展示之圖。圖33A，係對於1個區塊的量之檢測要素的構造作展示，圖33B，係對於構成此檢測要素之4方向的檢測電極作展示。如同在圖33B中所示一般，在朝向4個方向而延伸的電極(Ea、Eb、Ec、Ed)所交叉之場所處，係被構成有圖33A之檢測要素。藉由分別設置複數的4方向之電極(Ea、Eb、Ec、Ed)，係被形成有複數之交叉部，在各交叉部係被構成有圖33A之檢測要素。由於4方向之電極(Ea、Eb、Ec、Ed)並不可以相互導通，因此，在各交叉部處，係成為有必要進行對電極彼此作避開之配線。
圖34以及圖35，係為對於在以矩陣狀而被構成有複數之檢測要素的情況時之檢測要素間之配線間的例子作展示之圖。一般而言，靜電感測器係使用印刷基板等而被形成，檢測用之電極間的配線，係被形成於基板之內層(配線層)處。當能夠在配線中作使用之內層係為1個的情況時，如同在圖34中所示一般，在1個的檢測要素處係成為需要7個的通孔。另一方面，在使用有2個的配線層的情況時，如同在圖35中所示一般，在1個的檢測要素處之通孔數量係成為6個。為了對於靜電感測器的成本作抑制，係希望能夠並不使內層增加地來減少通孔(層間配線)之數量。
本發明，係為有鑑於此種事態而進行者，其目的，係在於提供一種能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔(層間配線)之數量作抑制的靜電感測器以及輸入裝置。 [用以解決課題之手段]
本發明之第1觀點，係有關於用以在對於物體所接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而將伴隨著該物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化檢測出來的靜電感測器。此靜電感測器，係具備有：複數之檢測電極，係分別包含有經由配線而被作了串接連接的複數之部分電極；和第1層，係被配置有前述部分電極和前述配線；和第2層，係被配置有前述配線。前述複數之檢測電極之各者，係隸屬於3以上的檢測電極群之其中一者，隸屬於同一之前述檢測電極群之前述檢測電極彼此，係並不交叉，隸屬於相異之前述檢測電極群之前述檢測電極彼此，係被分成前述第1層和前述第2層地而交叉。在前述複數的區塊之各者中，係位置有在隸屬於相異之前述檢測電極群之3以上的相異之前述檢測電極中所包含的3以上之前述部分電極。在藉由其他之前述區塊而使周圍被作了包圍的內側之前述區塊中，隸屬於相異之前述檢測電極群之3以上的前述檢測電極係交叉。位置於前述內側之區塊中的前述3以上之部分電極，係包含有1個的第1部分電極、和至少2個的第2部分電極。前述第1部分電極，係經由通過前述第1層或前述第2層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。前述第2部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
若依據此構成，則前述第1部分電極，係經由通過前述第1層或前述第2層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。因此，在與前述第1部分電極作連接的配線中之通孔(前述第1層與前述第2層之間之層間配線)的數量，係為1個。又，前述第2部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。因此，在與前述第2部分電極作連接的配線中之通孔的數量，係為1個。故而，係能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔之數量作抑制。
較理想，前述第1部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
若依據此構成，則由於在與前述第1部分電極作連接的配線中之通孔的數量係為1個，因此係能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔之數量作抑制。
較理想，前述第1部分電極，係經由通過前述第2層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
若依據此構成，則由於在與前述第1部分電極作連接的配線中之通孔的數量係為1個，因此係能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔之數量作抑制。
較理想，位置於前述內側之區塊中的前述3以上之部分電極，係包含有1個的第3部分電極。較理想，前述第3部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第1層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
若依據此構成，則前述第3部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第1層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。因此，在與前述第3部分電極作連接的配線中之通孔的數量，係為0。故而，係能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔之數量作抑制。
較理想，前述區塊之形狀係為旋轉對稱，位置於同一之前述區塊中的至少1組的前述部分電極之組，係具有針對該區塊內之中心點而具備旋轉對稱之關係的形狀。 　　更理想，位置於同一之前述區塊中的至少1組的前述部分電極之組，係具有針對該區塊內之中心點而具備180度旋轉對稱之關係的形狀。 　　藉由此，在前述至少1組的部份電極之對中的相互電容之感度分布的中心，係成為前述區塊之中心近旁。
本發明之第2觀點，係有關於在對於物體所接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而將與伴隨著該物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化相對應的資訊作輸入之輸入裝置。此輸入裝置，係具備有上述第1觀點之靜電感測器、和靜電電容檢測部、以及要素資料構成部。 　　較理想，前述靜電感測器，係包含N個的前述檢測電極。前述靜電電容檢測部，係將與前述物體和前述檢測電極之間之第1靜電電容相對應的檢測資料，針對前述N個的檢測電極之各者而分別產生之。前述要素資料構成部，係將代表在M個(M係代表較N而更大之自然數)的前述區塊之各者中之前述物體的接近程度之M個的要素資料，基於前述N個的檢測資料而構成之。前述M個的要素資料之各者，係為對於前述N個的檢測資料之各者來以特定之比例而被分配的部分要素資料之和，前述N個的檢測資料之各者，係近似於從前述M個的要素資料之各者來以前述特定之比例而被分配的前述部分要素資料之和。1個的前述部分要素資料，係近似於在1個的前述區塊中之1個的前述部分電極和前述物體之間之第2靜電電容，1個的前述要素資料，係近似於將在1個的前述區塊中之所有的前述第2靜電電容作了合成的第3靜電電容。前述要素資料構成部，係反覆進行資料構成處理，該資料構成處理，係作為從前述M個的要素資料之假定值之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，而分別算出前述N個的檢測資料之假定值，並以使該算出了的N個的檢測資料之假定值會接近於前述N個的檢測資料的方式，來基於對於前述M個的要素資料之各者所設定了的N個的前述特定之比例而對於前述M個的要素資料之假定值作修正。
若依據此構成，則在對於物體所接近的區域作區分之前述M個的區塊之各者中，係位置有在隸屬於相異之前述檢測電極群之3以上之相異之前述檢測電極中所包含的3以上之前述部分電極，在前述靜電電容檢測部處，係將與前述物體和前述檢測電極之間之前述第1靜電電容相對應的檢測資料，作為代表前述物體之接近的程度之資料，來針對前述N個的檢測電極之各者而分別產生之。 　　又，前述M個的要素資料之各者，係為對於前述N個的檢測資料之各者來以特定之比例而被分配的部分要素資料之和，前述N個的檢測資料之各者，係近似於從前述M個的要素資料之各者來以前述特定之比例而被分配的前述部分要素資料之和。亦即是，藉由在前述M個的要素資料之各者中所被作設定的N個的前述特定之比例，從前述M個的要素資料而至前述N個的檢測資料之轉換係被作規定。 　　在前述資料構成處理中，係作為從前述M個的要素資料之假定值之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，而分別算出前述N個的檢測資料之假定值。又，係以使該算出了的N個的檢測資料之假定值會接近於前述N個的檢測資料的方式，來基於對於前述M個的要素資料之各者所設定了的N個的前述特定之比例而對於前述M個的要素資料之假定值作修正。藉由反覆進行此資料構成處理，係能夠得到適合於前述N個的檢測資料之前述要素資料。
較理想，1個的前述特定之比例，係具有與在1個的前述區塊中之1個的前述部分電極和在該1個的區塊中之所有的前述部分電極之間的面積比相對應之值。 [發明之效果]
若依據本發明，則係可提供一種能夠對於在配線中所使用的內層之數量以及通孔(層間配線)之數量作抑制的靜電感測器以及輸入裝置。
＜第1實施形態＞ 　　首先，參考圖1，針對本發明之實施形態的靜電感測器之概略性的構成作說明。本實施形態之靜電感測器11，係如同在圖1A中所示一般，具備有對於手指等之物體1所能夠接近的區域AR(輸入裝置之操作面等)作區分之複數之區塊A。在此區塊A之各者中，伴隨著物體1之位置的變化所導致之靜電電容之變化係被檢測出來。另外，在圖1A中所標示之一點鍊線，係為對於區劃出區塊A的邊界線作假想性標示者，此邊界線係並非為能夠實際所視覺辨認到者。
本實施形態之靜電感測器11，係具備有因應於物體之位置的變化而使靜電電容分別作改變之複數之檢測電極E。檢測電極E，例如係如同在圖1B中所示一般，包含有經由配線W而被作了串接連接的複數之部分電極B。1個的部分電極B，係位置於1個的區塊A中。
本實施形態之靜電感測器11，例如係為板狀或薄片狀之印刷基板，並具備有如同圖2中所示一般之層構造。在圖2之例中，靜電感測器11，係具備有4個的層(L1～L4)。第1層L1以及第4層L4，係為表面側之層，第2層L2以及第3層L3，係為內層。第1層L1，係被形成有檢測電極E之各部分電極B、和將該些作連接的配線W之一部分(第1層配線W1)。在與第1層L1相接之第2層L2處，亦係被形成有檢測電極E之配線W之一部分(第2層配線W2)。第2層配線W2，係經由通孔VH(層間配線)，而被與部分電極B和第1層配線W1作連接。在第3層L3處，係被形成有接地平面GP，在第4層L4，係被形成有電子電路等之配線W4。
靜電感測器11所具有的複數之檢測電極E，係被區分成3以上的群。此檢測電極E之群(檢測電極群)，例如，係為針對在區域AR上而檢測電極E所延伸的方向(縱方向、橫方向、傾斜方向等)來進行之分類。但是，在本發明中，檢測電極E係並非為絕對需要以直線狀來延伸，而亦可有所彎曲或有所彎折。亦即是，檢測電極群，係對於在區域AR中而並不交叉的檢測電極E作規定，隸屬於同一的檢測電極群之檢測電極E彼此，係並不交叉。相反的，隸屬於相異之檢測電極群的檢測電極E彼此，係至少一部分為在區域AR之區塊A中作交叉。交叉之檢測電極E彼此，係以不會作電性接觸的方式，而被分成第1層L1和第2層L2並交叉(在其中一方為位於第1層L1而另外一方為位於第2層L2的場所處而交叉)。
在本實施形態之靜電感測器11中，於複數的區塊A之各者中，係位置有3以上的部分電極B，該3以上的部份電極，係被包含在隸屬於相異之檢測電極群的3以上之相異之檢測電極E中。亦即是，位置於同一之區塊A中之3以上的部分電極B，係分別被包含在相異之檢測電極E中，並且各個的檢測電極E所隸屬的檢測電極群係為相異。
如同上述一般，在1個的區塊A中，由於係位置有被包含在隸屬於相異之檢測電極群的3以上之相異之檢測電極E中的部份電極B，因此，在藉由其他之區塊A而使周圍被作了包圍的內側之區塊A(以下，係會有單純記載為「內側之區塊A」的情形)中，隸屬於相異之檢測電極群的3以上之檢測電極E係作交叉。
圖3，係為用以對於在區塊A中的檢測電極E之交叉作說明之圖。由於若是2個的檢測電極E為在同一之層(L1或L2)處而交叉，則會如同在圖3A中所示一般而短路，因此，係有必要將其中一方之檢測電極E藉由通孔VH來迂迴至其他之層中。在圖3B之例中，為了使其中一方之檢測電極E作迂迴，係使用有2個的通孔VH。在將部分電極B之間僅藉由1個的內層之配線來作連接的情況時，除了佔有內層之1個的檢測電極E以外之其他的檢測電極E，基本上係有必要進行如同圖3B一般之迂迴配線。因此，係有必要在進行迂迴配線的各檢測電極E之每一者處，而分別設置2個的通孔VH。因此，在本實施形態之靜電感測器11中，係將在1個的區塊A中之各檢測電極E之個別的通孔VH之數量限制在1以下，並以如同圖3C中所示一般之狀態來使檢測電極E彼此交叉。
在本實施形態中，位置於內側之區塊A中的3以上之部分電極B，係包含有1個的第1部分電極、和至少2個的第2部分電極。第1部分電極，係經由通過第1層L1之第1層配線W1或通過第2層L2之第2層配線W2，而被與其中一方之部分電極B作串接連接，並且經由通過第2層L2之第2層配線W2，而被與另外一方之部分電極B作串接連接。亦即是，第1部分電極，係如同在圖3C中所示一般，為被與以藉由1個的通孔VH來進行迂迴的方式所配線之部分電極B、或者是在圖3C中並未圖示之僅藉由第2層L2而被與其他之部分電極B作了配線的部份電極B。另一方面，第2部分電極，係如同在圖3C中所示一般，為以藉由1個的通孔VH來進行迂迴的方式所配線之部分電極B。
接著，參考圖4～圖6，針對本實施形態的靜電感測器11之更具體性的構造之例作說明。
圖4，係為對於第1實施形態的靜電感測器11之構造的其中一例作展示之圖。圖5，係為將在圖4中所示之靜電感測器11之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。圖4以及圖5中所示之靜電感測器11，係藉由正六角形之區塊A而使區域AR被區分成蜂巢狀。各檢測電極E，係被區分成與延伸方向相對應之3個的檢測電極群「EA1～EA4」、「EB1～EB5」以及「EC1～EC6」。
在各圖中之「X1」～「X6」，係代表於1個的區塊A之周圍所鄰接之6個的區塊A之方向。「X1」～「X6」，係以此順序而朝向一定之方向(在圖之例中係為紙面上的右轉方向)來旋轉。由檢測電極EA1～EA4所成之檢測電極群，係從X4側之區塊A起而跨至X1側之區塊A，由檢測電極EB1～EB5所成之檢測電極群，係從X5側之區塊A起而跨至X2側之區塊A，由檢測電極EC1～EC6所成之檢測電極群，係從X6側之區塊A起而跨至X3側之區塊A。以下，係會有將檢測電極EA1～EA4之各者稱作「檢測電極EA」並將檢測電極EB1～EB5之各者稱作「檢測電極EB」並且將檢測電極EC1～EC5之各者稱作「檢測電極EC」的情況。
若是觀察圖4，則可以得知，在位置於1個的區塊A中之3個的部份電極B之集合(以下，記載為「部分電極群」)中，係存在有2個的種類。圖6，係為對於在圖4中所示之靜電感測器11中的2種類之部分電極群G11、G12作展示之圖。
圖6A中所示之部分電極群G11，係具備有3個的部份電極(BA11、BB11、BC11)。部分電極BA11、BB11、BC11，係分別被包含在檢測電極EA、EB、EC中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G11之外周處，部分電極BA11、BC11、BB11係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此3個的部份電極，係分別近似於「G」的形狀，並相互具有身為旋轉對稱之關係的形狀。亦即是，當從3個的部份電極中而任意選擇2個的部份電極之對，並相對於正六角形之區塊A的中心而使其中一方之部分電極作了120°旋轉的情況時，旋轉後之部分電極係會與另外一方之部分電極相互一致。
圖6B中所示之部分電極群G12，係具備有3個的部份電極(BA12、BB12、BC12)。部分電極BA12、BB12、BC12，係分別被包含在檢測電極EA、EB、EC中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G12之外周處，部分電極BA12、BC12、BB12係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此3個的部分電極，係具備有與部分電極群G11之部份電極(BA11、BB11、BC11)相同的形狀。
在部分電極群G11之周圍，係以方向X1～X6之順序而位置有部分電極群G12、G11、G12、G12、G11、G12。在部分電極群G12之周圍，係以方向X1～X6之順序而位置有部分電極群G11、G12、G11、G11、G12、G11。
部分電極群G11與部分電極群G12之間之差異，係在於在對應於各檢測電極群的部份電極B之外周側處的配置。亦即是，在部分電極群G11中，對應於檢測電極EA的部分電極BA11之外周，係面向X1側以及X2側，相對於此，在部分電極群G12中，對應於相同的檢測電極EA之部分電極BA12之外周，係面向X3側以及X4側。
部分電極BA11，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BA12作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BA12作串接連接。部分電極BC11，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BC12作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BC12作串接連接。部分電極BB11，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BB11作串接連接。部分電極BB12，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BB12作串接連接。部分電極BA11、BA12、BC11以及BC12，係為第2部分電極，部分電極BB11以及BB12，係為第1部分電極。
如此這般，若依據本實施形態之靜電感測器11，則係並不僅是使用配線用之第2層L2，而亦使用被形成有部分電極B之第1層L1地，來進行檢測電極E之各部分電極B之配線，在1個的區塊A內而被使用於1個的檢測電極E處之通孔VH的數量，係成為僅有1個。故而，係能夠並不使內層之數量增加地而減少通孔之使用數量。
＜第2實施形態＞ 　　接下來，針對本發明之第2實施形態作說明。本實施形態之靜電感測器11，係為對於在圖4～圖6中所示之靜電感測器11處的部份電極群之構成與配線圖案作了變更者，其他之主要的構成，係為與圖4～圖6中所示之靜電感測器11相同。
圖7，係為對於第2實施形態的靜電感測器11之構造的其中一例作展示之圖。圖8，係為將在圖7中所示之靜電感測器11之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。如同對於圖4和圖7作比較而可得知一般，在圖4所示之靜電感測器11中，檢測電極EB之各部分電極B係僅藉由第2層配線W2而被作串接連接，相對於此，在圖7所示之靜電感測器11中，檢測電極EB之各部分電極B係藉由第1層配線W1和第2層配線W2而被作串接連接。
圖9，係為對於在圖7中所示之靜電感測器中的4種類之部分電極群(G21～G24)作展示之圖。圖9A中所示之部分電極群G21，係具備有3個的部份電極(BA21、BB21、BC21)。部分電極BA21、BB21、BC21，係分別被包含在檢測電極EA、EB、EC中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G21之外周處，部分電極BA21、BC21、BB21係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此3個的部分電極，係具備有與圖6之部分電極相同的形狀。
圖9B中所示之部分電極群G22，係具備有3個的部份電極(BA22、BB22、BC22)。部分電極BA22、BB22、BC22，係分別被包含在檢測電極EA、EB、EC中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G22之外周處，部分電極BA22、BC22、BB22係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此3個的部分電極，係具備有與圖6之部分電極相同的形狀。
圖9C中所示之部分電極群G23，係具備有3個的部份電極(BA23、BB23、BC23)。部分電極BA23、BB23、BC23，係分別被包含在檢測電極EA、EB、EC中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G23之外周處，部分電極BA23、BC23、BB23係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此3個的部分電極，係具備有與圖6之部分電極相同的形狀。
圖9D中所示之部分電極群G24，係具備有3個的部份電極(BA24、BB24、BC24)。部分電極BA24、BB24、BC24，係分別被包含在檢測電極EA、EB、EC中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G24之外周處，部分電極BA24、BC24、BB24係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此3個的部分電極，係具備有與圖6之部分電極相同的形狀。
在部分電極群G21之周圍，係以方向X1～X6之順序而位置有部分電極群G23、G24、G22、G23、G22、G24。在部分電極群G22之周圍，係以方向X1～X6之順序而位置有部分電極群G24、G21、G23、G24、G23、G21。在部分電極群G23之周圍，係以方向X1～X6之順序而位置有部分電極群G21、G22、G24、G21、G24、G22。在部分電極群G24之周圍，係以方向X1～X6之順序而位置有部分電極群G22、G23、G21、G22、G21、G23。
部分電極BA21，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BA23作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BA23作串接連接。部分電極BA22，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BA24作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BA24作串接連接。
部分電極BC21，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BC22作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BC24作串接連接。部分電極BC23，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BC24作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BC22作串接連接。
部分電極BB21，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BB22作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BB24作串接連接。部分電極BB23，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BB24作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BB22作串接連接。
如此這般，在本實施形態之靜電感測器11中，亦同樣的，由於在1個的區塊A內而被使用於1個的檢測電極E處之通孔VH的數量，係成為僅有1個，因此，係與第1實施形態之靜電感測器11同樣的，能夠並不使內層之數量增加地而削減通孔的使用數量。
＜第3實施形態＞ 　　接下來，針對本發明之第3實施形態作說明。在上述之第1實施形態以及第2實施形態中，各區塊A的部分電極群G雖係藉由3個的部分電極B而構成，但是，在本實施形態之靜電感測器11中，各區塊A的部分電極群G係藉由4個的部分電極B所構成。
圖10，係為對於第3實施形態的靜電感測器11之構造的其中一例作展示之圖。圖11以及圖12，係為將在圖10中所示之靜電感測器11之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。圖10～圖12中所示之靜電感測器11，係藉由正方形之區塊A而使區域AR被區分成格子狀。各檢測電極E，係被區分成與延伸方向相對應之4個的檢測電極群「ED1～ED4」、「EE1～EE4」、「EF1～EF7」以及「EG1～EG7」。
在各圖中之「Y1」～「Y8」，係代表於1個的區塊A之周圍所鄰接之8個的區塊A之方向。「Y1」～「Y8」，係以此順序而朝向一定之方向(在圖之例中係為紙面上的右轉方向)來旋轉。由檢測電極ED1～ED4所成之檢測電極群，係從Y5側之區塊A起而跨至Y1側之區塊A，由檢測電極EE1～EE4所成之檢測電極群，係從Y7側之區塊A起而跨至Y3側之區塊A，由檢測電極EF1～EF7所成之檢測電極群，係從Y6側之區塊A起而跨至Y2側之區塊A，由檢測電極EG1～EG7所成之檢測電極群，係從Y8側之區塊A起而跨至Y4側之區塊A。以下，係會有將檢測電極ED1～ED4之各者記載為「檢測電極ED」，並將檢測電極EE1～EE4之各者記載為「檢測電極EE」，並將檢測電極EF1～EF7之各者記載為「檢測電極EF」，並且將檢測電極EG1～EG7之各者記載為「檢測電極EG」的情況。
若是觀察圖10，則可以得知，在位置於1個的區塊A中之部分電極群中，係存在有2個的種類。圖13，係為對於在圖10中所示之靜電感測器11中的2種類之部分電極群G31、G32作展示之圖。
圖13A中所示之部分電極群G31，係具備有4個的部份電極(BD31、BE31、BF31、BG31)。部分電極BD31、BE31、BF31、BG31，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G31之外周處，部分電極BD31、BE31、BF31、BG31係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此4個的部份電極，係分別近似於「L」的形狀，並相互具有身為旋轉對稱(180度旋轉對稱或90度旋轉對稱)之關係的形狀。亦即是，當從4個的部份電極中而任意選擇2個的部份電極之對，並相對於正方形之區塊A的中心而使其中一方之部分電極作了90°或180°旋轉的情況時，旋轉後之部分電極係會與另外一方之部分電極相互一致。
圖13B中所示之部分電極群G32，係具備有4個的部份電極(BD32、BE32、BF32、BG32)。部分電極BD32、BE32、BF32、BG32，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G32之外周處，部分電極BD32、BE32、BF32、BG32係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此4個的部分電極，係具備有與部分電極群G31之部份電極(BD31、BE31、BF31、BG31)相同的形狀。
在部分電極群G31之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G32、G32、G31、G32、G32、G32、G31、G32。在部分電極群G32之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G31、G31、G32、G31、G31、G31、G32、G31。
部分電極BD31，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BD32作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BD32作串接連接。部分電極BF31，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BF32作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BF32作串接連接。部分電極BG31，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BG32作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BG32作串接連接。部分電極BE31，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BE31作串接連接。部分電極BE32，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BE32作串接連接。部分電極BD31、BD32、BF31、BF32、BG31以及BG32，係為第2部分電極，部分電極BE31以及BE32，係為第1部分電極。
如此這般，就算是在使在部分電極群G中所包含之部分電極B之數量從3個而增加為4個的本實施形態中，亦同樣的，在1個的區塊A內而被使用於1個的檢測電極E處之通孔VH的數量，係成為僅有1個。故而，係能夠並不使內層之數量增加地而削減通孔之使用數量。
＜第4實施形態＞ 　　接下來，針對本發明之第4實施形態作說明。本實施形態之靜電感測器11，係為對於在圖10～圖13中所示之靜電感測器11處的部份電極群之構成與配線圖案作了變更者，其他之主要的構成，係為與圖10～圖13中所示之靜電感測器11相同。
圖14，係為對於第4實施形態的靜電感測器11之構造的其中一例作展示之圖。圖15以及圖16，係為將在圖14中所示之靜電感測器11之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。若是觀察圖14，則可以得知，在位置於1個的區塊A中之部分電極群中，係存在有4個的種類。圖17，係為對於在圖14中所示之靜電感測器11中的4種類之部分電極群G41～G44作展示之圖。
圖17A中所示之部分電極群G41，係具備有4個的部份電極(BD41、BE41、BF41、BG41)。部分電極BD41、BE41、BF41、BG41，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G41之外周處，部分電極BD41、BF41、BE41、BG41係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G41之4個的部分電極，係具備有與圖13之部分電極相同的形狀。
圖17B中所示之部分電極群G42，係具備有4個的部份電極(BD42、BE42、BF42、BG42)。部分電極BD42、BE42、BF42、BG42，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G42之外周處，部分電極BD42、BG42、BE42、BF42係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G42之4個的部分電極，係具備有與圖13之部分電極相同的形狀。
圖17C中所示之部分電極群G43，係具備有4個的部份電極(BD43、BE43、BF43、BG43)。部分電極BD43、BE43、BF43、BG43，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G43之外周處，部分電極BD43、BG43、BE43、BF43係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G43之4個的部分電極，係具備有與圖13之部分電極相同的形狀。
圖17D中所示之部分電極群G44，係具備有4個的部份電極(BD44、BE44、BF44、BG44)。部分電極BD44、BE44、BF44、BG44，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G44之外周處，部分電極BD44、BF44、BE44、BG44係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G44之4個的部分電極，係具備有與圖13之部分電極相同的形狀。
在部分電極群G41之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G43、G44、G42、G44、G43、G44、G42、G44。在部分電極群G42之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G44、G43、G41、G43、G44、G43、G41、G43。在部分電極群G43之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G41、G42、G44、G42、G41、G42、G44、G42。在部分電極群G44之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G42、G41、G43、G41、G42、G41、G43、G41。
部分電極BD41，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BD43作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BD43作串接連接。部分電極BD42，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BD44作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BD44作串接連接。 　　部分電極BF41，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BF44作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BF44作串接連接。部分電極BF42，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BF43作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BF43作串接連接。 　　部分電極BG41，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BG44作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BG44作串接連接。部分電極BG42，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BG43作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BG43作串接連接。 　　部分電極BE41，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BE42作串接連接。部分電極BE43，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BE44作串接連接。 　　部分電極BD41～BD44、BF41～BF44、BG41～BG44係為第2部分電極，部分電極BE41～BE44係為第1部分電極。
圖18，係為用以對於由2個的部份電極之配置所致的感度之分布之差異作說明之圖。「BD」係代表被包含在於縱方向上而延伸的檢測電極ED中之部分電極，「BE」係代表被包含在於橫方向上而延伸的檢測電極EE中之部分電極。圖18A，係為對於在圖10中所示之靜電感測器11中的部分電極BE以及BD之配置作展示之圖，並相對於正方形之區塊A而成為非對稱性的配置。當在使用相互正交之檢測電極ED以及檢測電極EE而進行了相互電容方式之靜電電容檢測的情況時，於圖中之以點線所示的電極之間隙附近處，相互電容之測定感度係會變高。在圖18A所示之部分電極BE以及BD的配置中，由於相對於區塊A之中心而相互電容的測定感度之分布係會有所偏移，因此相對於測定結果之實際的物體之位置係容易產生偏移。
相對於此，圖18B，係為對於在圖14中所示之靜電感測器11中的部分電極BE以及BD之配置作展示之圖，並相對於正方形之區塊A而概略成為對稱性的配置。如同圖中之點線所示一般，在圖18B所示之部分電極BE以及BD的配置中，相對於區塊A之中心，相互電容的測定感度之分布係概略為一致。故而，若依據圖14中所示之靜電感測器，則在進行了相互容量方式之靜電電容檢測的情況時，係能夠將測定結果的誤差縮小。
另外，在本實施形態之靜電感測器中，亦同樣的，由於在1個的區塊A內而被使用於1個的檢測電極E處之通孔VH的數量，係成為僅有1個，因此，係能夠並不使內層之數量增加地而削減通孔的使用數量。
＜第5實施形態＞ 　　接下來，針對本發明之第5實施形態作說明。本實施形態之靜電感測器11，係為對於在第3實施形態(圖10～圖13)以及第4實施形態(圖14～圖17)中所示之靜電感測器11處的部份電極群之構成與配線圖案以及部分電極之形狀作了變更者，其他之主要的構成，係為與此些之實施形態之靜電感測器11相同。
圖19，係為對於第5實施形態的靜電感測器11之構造的其中一例作展示之圖。圖20以及圖21，係為將在圖19中所示之靜電感測器11之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。若是觀察圖19，則可以得知，在位置於1個的區塊A中之部分電極群中，係存在有4個的種類。圖22，係為對於在圖19中所示之靜電感測器11中的4種類之部分電極群G51～G54作展示之圖。
圖22A中所示之部分電極群G51，係具備有4個的部份電極(BD51、BE51、BF51、BG51)。部分電極BD51、BE51、BF51、BG51，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G51之外周處，部分電極BD51、BE51、BG51、BF51係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此4個的部份電極，係分別近似於「J」的形狀，並相互具有身為旋轉對稱(180度旋轉對稱或90度旋轉對稱)之關係的形狀。亦即是，當從4個的部份電極中而任意選擇2個的部份電極之對，並相對於正方形之區塊A的中心而使其中一方之部分電極作了90°或180°旋轉的情況時，旋轉後之部分電極係會與另外一方之部分電極相互一致。
圖22B中所示之部分電極群G52，係具備有4個的部份電極(BD52、BE52、BF52、BG52)。部分電極BD52、BE52、BF52、BG52，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G52之外周處，部分電極BD52、BF52、BE52、BG52係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G52之4個的部分電極，係具備有與部分電極群G51中之部分電極(BD51、BE51、BF51、BG51)相同的形狀。
圖22C中所示之部分電極群G53，係具備有4個的部份電極(BD53、BE53、BF53、BG53)。部分電極BD53、BE53、BF53、BG53，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G53之外周處，部分電極BD53、BF53、BE53、BG53係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G53之4個的部分電極，係具備有與部分電極群G51中之部分電極(BD51、BE51、BF51、BG51)相同的形狀。
圖22D中所示之部分電極群G54，係具備有4個的部份電極(BD54、BE54、BF54、BG54)。部分電極BD54、BE54、BF54、BG54，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G54之外周處，部分電極BD54、BG54、BF54、BE54係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G54之4個的部分電極，係具備有與部分電極群G51中之部分電極(BD51、BE51、BF51、BG51)相同的形狀。
在部分電極群G51之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G53、G54、G52、G54、G53、G54、G52、G54。在部分電極群G52之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G54、G53、G51、G53、G54、G53、G51、G53。在部分電極群G53之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G51、G52、G54、G52、G51、G52、G54、G52。在部分電極群G54之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G52、G51、G53、G51、G52、G51、G53、G51。
部分電極BD51，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BD53作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BD53作串接連接。部分電極BD52，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BD54作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BD54作串接連接。 　　部分電極BE51，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BE52作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BE52作串接連接。部分電極BE53，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BE54作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BE54作串接連接。 　　部分電極BF51，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BF54作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BF54作串接連接。部分電極BF52，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BF53作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BF53作串接連接。 　　部分電極BG51，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BG54作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BG54作串接連接。部分電極BG52，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BG53作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BG53作串接連接。
如此這般，在本實施形態之靜電感測器11中，亦同樣的，由於在1個的區塊A內而被使用於1個的檢測電極E處之通孔VH的數量，係成為僅有1個，因此，係與第3實施形態及第4實施形態同樣的，能夠並不使內層之數量增加地而削減通孔的使用數量。
＜第6實施形態＞ 　　接下來，針對本發明之第6實施形態作說明。在已說明了的各實施形態中，係將所有的檢測電極E，使用第1層配線W1以及第2層配線W2地或者是僅使用第2層配線W2地來作配線。另一方面，在本實施形態之靜電感測器中，係將一部分的檢測電極E，僅使用第1層配線W1而並不使用通孔地來作配線。
本實施形態之構成，關於區塊A之形狀及檢測電極群之構成等，係與已說明了的第3～第5實施形態相同，在各區塊A中之部分電極群之構成與配線圖案以及部分電極之形狀上，則係與此些之實施形態相異。以下，以與已說明了的實施形態之間的相異之處為中心來作說明。
圖23，係為對於第6實施形態的靜電感測器11之構造的其中一例作展示之圖。圖24以及圖25，係為將在圖23中所示之靜電感測器11之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。若是觀察圖23，則可以得知，在位置於1個的區塊A中之部分電極群中，係存在有2個的種類。圖26，係為對於在圖23中所示之靜電感測器11中的2種類之部分電極群G61以及G62作展示之圖。
圖26A中所示之部分電極群G61，係具備有4個的部份電極(BD61、BE61、BF61、BG61)。部分電極BD61、BE61、BF61、BG61，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G61之外周處，部分電極BD61、BE61、BF61、BG61係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。此4個的部分電極，係均為作為全體而朝向區塊A之中心來捲繞成漩渦狀的形狀，但是，彼此之形狀係為相異，而並非為如同至今為止的實施形態一般之對稱的形狀。
圖26B中所示之部分電極群G62，係具備有4個的部份電極(BD62、BE62、BF62、BG62)。部分電極BD62、BE62、BF62、BG62，係分別被包含在檢測電極ED、EE、EF、EG中。在面向周圍的區塊A之部分電極群G62之外周處，部分電極BD62、BF62、BG62、BE62係朝向右方轉動地而以此順序來作並排。部分電極群G42之4個的部分電極，係均為作為全體而朝向區塊A之中心來捲繞成漩渦狀的形狀，但是，彼此之形狀係為相異，而與部分電極群G61同樣的成為非對稱。
在部分電極群G61之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G62、G62、G61、G62、G62、G62、G61、G62。在部分電極群G62之周圍，係以方向Y1～Y8之順序而位置有部分電極群G61、G61、G62、G61、G61、G61、G62、G61。
部分電極BF61，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BF62作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BF62作串接連接。 　　部分電極BG61，係經由第1層配線W1而被與其中一方之部分電極BG62作串接連接，並且經由第2層配線W2而被與另外一方之部分電極BG62作串接連接。 　　部分電極BE61，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BE61作串接連接。部分電極BE62，係經由第2層配線W2而被與雙方之部分電極BE62作串接連接。 　　基於此些之連接關係，部分電極BE61、BE62係為第1部分電極，部分電極BF61、BF62、BG61、BG62係為第2部分電極。
另一方面，部分電極BD61，係經由第1層配線W1而被與雙方之部分電極BD62作串接連接。部分電極BD61以及BD62，係相當於本發明中之第3部分電極。若依據本實施形態，則由於在將第3部分電極(部分電極BD61、BD62)作連接的配線處之通孔的數量係成為零，因此，相較於上述之各實施形態，係能夠將通孔VH之數量更進而減少1個。
＜第7實施形態＞ 　　圖27，係為對於本發明之第7實施形態的輸入裝置之構造的其中一例作展示之圖。 　　圖27中所示之輸入裝置，係具備有感測器部10、和處理部20、和記憶部30、以及介面部40。本實施形態之輸入裝置，係為藉由使手指或筆等之物體接近被設置有感測器之操作面，來輸入與該接近之位置相對應的資訊之裝置。另外，所謂「接近」，係指存在於附近，而並不對於接觸之有無作限定。
[感測器部10] 　　感測器部10，係包含在上述之各實施形態中所作了說明的靜電感測器11。感測器部10，係在N個的檢測電極E1 ～EN 處分別檢測出物體(手指或筆等)之接近的程度，並作為全體而產生N個的檢測資料S1 ～SN 。感測器部10，係針對檢測電極E1 ～EN 之各者而分別產生1個的檢測資料Si 。另外，「i」係代表1～N之整數。在以下之說明中，係會有並不對於N個的檢測資料S1 ～SN 之各者作區分地而記載為「檢測資料S」的情況。又，係會有並不對於N個的檢測電極E1 ～EN 之各者作區分地而記載為「檢測電極E」的情況。
又，感測器部10，係具備有產生與對於靜電感測器11之操作面(以下，記載為「操作面11」)作接近的物體和檢測電極E之間之靜電電容(第1靜電電容)相對應的檢測資料S之靜電電容檢測部12。靜電電容檢測部12，係經由未圖示之導出配線而被與N個的檢測電極E之各者分別作連接，並針對各個的檢測電極E而分別產生檢測資料S。
靜電電容檢測部12，係分別驅動N個的檢測電極E，並對於被形成於檢測電極E與物體之間之靜電電容相對應的電荷作取樣，而輸出與該取樣結果相對應的檢測資料S。靜電電容檢測部12，具體而言，係包含有驅動電路、和靜電電容－電壓轉換電路(CV轉換電路)、以及A／D轉換電路。驅動電路，係依循於處理部20之控制而對於N個的檢測電極E依序作選擇，並對於該所選擇了的檢測電極E反覆施加特定振幅之脈衝電壓，而將被形成於檢測電極E與物體之間的靜電電容反覆充電或放電。CV轉換電路，係將伴隨著此充電或放電而在檢測電極E處所被傳輸的電荷(或者是與此成正比的電荷)移送至參照用之電容器處並作積蓄，而輸出與在參照用之電容器處所產生的電壓相對應之訊號。A╱D轉換電路，係依循於處理部20之控制，而將CV轉換電路之輸出訊號以特定之周期來轉換為數位訊號，並作為檢測資料S而輸出。在以下之說明中，係將檢測電極Ei 之靜電電容的檢測資料記載為「Si 」。
在本實施形態中，區塊A之數量M係較檢測電極E之數量N而更多(M＞N)。以下，係會有對於區塊A之各者作區分地而記載為「區塊Ai 」的情況。「i」係代表1～M之整數。
本實施形態之輸入裝置，係基於N個的檢測資料S1 ～SN ，來構成代表在M個的區塊A1 ～AM 之各者中的物體之接近程度之M個的要素資料P1 ～PM 。在以下之說明中，係會有並不對於M個的要素資料P1 ～PM 作區分地而記載為「要素資料P」的情況。
在M個的要素資料P1 ～PM 與N個的檢測資料S1 ～SN 之間，係成立有一定的關係。亦即是，M個的要素資料P1 ～PM 之各者，係藉由對於N個的檢測資料S1 ～SN 之各者而以特定之比例被作分配的部分要素資料U之和來作表現。若是將從要素資料Pj 所被分配檢測資料Si 處之部分要素資料U設為「Uij 」，則要素資料Pj 係藉由下式來作表現。
[數式1]
1個的部分要素資料Uij ，係近似於位置在1個的區塊Aj 中之1個的檢測電極Ei 之部分電極B與物體之間的靜電電容CE(第2靜電電容、圖1B)。1個的要素資料Pj ，係近似於將在1個的區塊A中之所有的第2靜電電容CE作了合成的靜電電容(第3靜電電容)。 　　又，N個的檢測資料S1 ～SN 之各者，係近似於從M個的要素資料P1 ～PM 之各者而以特定之比例被作分配的部分要素資料Uij 之和。檢測資料Si 係藉由下式來作表現。
[數式2]
圖28，係為對於N個的檢測資料S1 ～SN 與M個的要素資料P1 ～PM 之間之關係作圖解之圖，並為將數式(1)以及(2)之關係以圖來作了表現者。如同根據圖28而可得知一般，檢測資料Si ，係近似於將從N個的檢測資料S1 ～SN 而分別被作分配的部分要素資料Ui1 ～UiM 作了加算後之值。因此，若是能夠根據要素資料P1 ～PM 而算出部分要素資料Ui1 ～UiM ，則藉由數式(2)，係亦能夠算出檢測資料Si 。
在本實施形態之輸入裝置中，係假定在1個的要素資料Pj 中而被分配至1個的檢測資料Si 處的部分要素資料Uij 之比例係為一定。若是將此特定之比例設為「常數資料Kij 」，則常數資料Kij 係藉由下式來作表現。
[數式3]
常數資料Kij ，係相當於位置在區塊Aj 內之1個的檢測電極Ei 之部分電極B與位置在區塊Aj 內之所有的部分電極B之間的面積比。 　　若是將根據數式(3)所導出的部分要素資料Uij 代入數式(2)中，則檢測資料Si 係藉由下式來作表現。
[數式4]
圖29，係為用以對於從M個的要素資料P1 ～PM 而至N個的檢測資料S1 ～SN 之轉換作說明之圖。藉由數式(4)所表現的從要素資料P1 ～PM 而至檢測資料S1 ～SN 之轉換，係藉由N×M個的常數資料Kij 而被作規定。此轉換，如同根據圖29亦可得知一般，係使用矩陣而如同下式一般地來作表現。
[數式5]
在數式(5)之左邊的N×M之矩陣(第1轉換矩陣K)，係為在複數之區塊A中的部分電極B之配置之組合和被配置在各區塊A中的各部分電極B之面積等的基於感測器部10之構成所制定之既知的資料。
[處理部20] 　　處理部20，係為對於輸入裝置之全體性的動作作控制之電路，例如，係包含有依據被儲存在記憶部30中之程式31的指令碼來進行處理之電腦或實現特定之功能的邏輯電路，而構成之。處理部20之處理，係可使其之全部均在電腦中基於程式來實現，亦可使其之一部分或全部藉由專用的邏輯電路來實現。
在圖27之例中，處理部20，係具備有控制部21、和要素資料構成部22、以及座標計算部23。
控制部21，係對於在感測器部10處之檢測的時序作控制。例如，控制部21，係以會使對於實行檢測之檢測區域R的選擇和對於作為檢測結果所得到的類比訊號之取樣、由A／D轉換所致之檢測資料S之產生等會被以適當的時序而進行的方式，來對於感測器部10之內部的各電路作控制。
要素資料構成部22，係進行基於在感測器部10處所產生的N個的檢測資料S1 ～SN 來構成與M個的區塊A相對應的M個的要素資料P1 ～PM 之處理。
要素資料構成部22，係藉由將下述之資料構成處理反覆進行特定之次數，來使M個的要素資料P1 ～PM 收斂於一定之值。
首先，針對資料構成處理作說明。 　　要素資料構成部22，係在1次的資料構成處理中，作為從M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 之各者而以特定之比例(常數資料Kij )被作分配的部分要素資料Uij 之和，而分別算出N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 。之後，要素資料構成部22，係以會使該算出了的N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 會朝向身為感測器部10之檢測結果之N個的檢測資料S1 ～SN 而接近的方式，來基於N×M個的常數資料Kij 而對於M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 作修正。
此資料構成處理，具體而言，係包含有4個處理(第1處理～第4處理)。
(第1處理) 　　在第1處理中，要素資料構成部22，係基於身為既知之資料的N×M個的常數資料Kij ，來將M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 轉換為N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 。此轉換，根據數式(5)之關係，係可使用第1轉換矩陣K而如同下式一般地來作表現。
[數式6]
圖30，係為用以對於從M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 而至N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 之轉換作說明之圖。由於第1轉換矩陣K係為既知之資料，因此，若是被賦予有M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM ，則係可藉由數式(6)來算出N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 。
(第2處理) 　　在第2處理中，要素資料構成部22，係算出代表為了使N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 會成為與N個的檢測資料S1 ～SN 相等而應與N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 相乘之倍率之N個的第1係數α1 ～αN 。第1係數αi ，係藉由下式來作表現。
[數式7]
在第2處理中之第1係數α1 ～αN 的計算，係使用矩陣而如同下述一般地作表現。
[數式8]
(第3處理) 　　在第3處理中，要素資料構成部22，係算出代表應與M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 相乘之倍率之M個的第2係數β1 ～βM 。亦即是，要素資料構成部22，係基於N×M個的常數資料Kij ，來將N個的第1係數α1 ～αN 轉換為M個的第2係數β1 ～βM 。
如同在數式(3)中所示一般，從要素資料Pj 而被分配至檢測資料Si 之部分要素資料Uij ，係相對於要素資料Pj 之全體，而佔據相當於常數資料Kij 之比例。若是常數資料Kij 越大，則要素資料Pj 與檢測資料Si 之間之相關性係變得越高。故而，可以推測到，若是常數資料Kij 越大，則第1係數αi 與第2係數βj 之間的相關性也會變高。因此，要素資料構成部22，在算出第2係數βj 的情況時，係並非為將N個的第1係數α1 ～αN 單純地作平均，而是對於第1係數α1 ～αN 之各者而賦予常數資料Kij 之權重並作平均。亦即是，第2係數βj ，係藉由下式來作表現。
[數式9]
圖31，係為用以對於從N個的第1係數α1 ～αN 而至M個的第2係數β1 ～βM 之轉換作說明之圖。如同根據此圖亦可得知一般，數式(9)之關係，係使用矩陣而如同下式一般地來作表現。
[數式10]
在數式(10)中之左邊的M×N之矩陣(第2轉換矩陣KT )，係為第1轉換矩陣K之轉置矩陣。
(第4處理) 　　在第4處理中，要素資料構成部22，係基於在第3處理中所得到之M個的第2係數β1 ～βM ，來將現在的要素資料之假定值PA1 ～PAM 修正為新的假定值PA’1 ～PA’M 。
[數式11]
在第4處理中之要素資料之假定值PA’1 ～PA’M 的計算，係使用矩陣而如同下式一般地作表現。
[數式12]
要素資料構成部22，係藉由將包含有上述之4個的處理之資料構成處理反覆進行特定之次數，來將假定值PA1 ～PAM 作為要素資料P1 ～PM 之構成結果而取得之。 　　以上，係為要素資料構成部22之說明。
座標計算部23，係基於藉由要素資料構成部22所構成的要素資料P1 ～PM ，來計算出物體(手指或筆等)所作了接近的操作面11上之座標。例如，座標計算部23，係將藉由要素資料P1 ～PM 所表現的二維資料作2值化，並將代表物體有所接近一事之資料所作了集合的區域，作為各個的物體之接近區域而特定出來。之後，座標計算部23，係針對所特定出的區域之橫方向和縱方向的各者，而分別作成輪廓資料。橫方向之輪廓資料，係為將在操作面11之縱方向上之一群的要素資料Pj 之和，針對各列之每一者而分別算出，並將該要素資料Pj 之和依照操作面11之橫方向的順序來作了配列者。縱方向之輪廓資料，係為將在操作面11之橫方向上之一群的要素資料Pj 之和，針對各行之每一者而分別算出，並將該要素資料Pj 之和依照操作面11之縱方向的順序來作了配列者。座標計算部23，係針對此橫方向之輪廓資料和縱方向之輪廓資料的各者，而演算出要素資料Pj 之峰值的位置和重心的位置。藉由此演算所求取出的橫方向之位置和縱方向之位置，係代表在操作面11上而物體作了接近的座標。座標計算部23，係將藉由此種演算所求取出的座標之資料，儲存在記憶部30之特定之記憶區域中。
[記憶部30] 　　記憶部30，係記憶在處理部20處而被使用於處理中之常數資料和變數資料。當處理部20為包含有電腦的情況時，記憶部30，係亦可記憶在該電腦中而被實行的程式31。記憶部30，例如，係包含DRAM或SRAM等之揮發性記憶體、快閃記憶體等之非揮發性記憶體、硬碟等，而構成之。
[介面部40] 　　介面部40，係為用以在輸入裝置與其他的控制裝置(搭載輸入裝置的資訊機器之控制用IC等)之間而對資料作處理的電路。處理部20，係將被記憶在記憶部30中之資訊(物體之座標資訊、物體數量等)從介面部40而對於未圖示之控制裝置作輸出。又，介面部40，係亦可將在處理部20之電腦中而被實行的程式31，從USB記憶體等之非暫時性之記錄媒體或者是網路上之伺服器等處而取得，並載入至記憶部30中。
於此，參考圖32之流程圖，針對要素資料之構成處理作說明。
ST200： 　　處理部20，係取得在感測器部10處所產生的N個的檢測資料S1 ～SN 。
ST205： 　　處理部20，係取得在後述之資料構成處理(ST215)之反覆迴圈的最初所使用之要素資料之假定值PA1 ～PAM 的初期值。要素資料構成部22，例如係將預先儲存在記憶部30中的常數資料，作為初期值而取得之。
ST210： 　　處理部20，係在代表資料構成處理(ST215)之反覆次數的變數t中，安置初期值「0」。
ST215： 　　處理部20，係進行由4個的處理(第1處理～第4處理)所成之資料構成處理。 　　首先，處理部20，在第1處理(ST220)中，係基於M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 和第1轉換矩陣K，而藉由數式(6)之演算，來算出N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 。 　　接著，處理部20，在第2處理(ST225)中，係基於N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 和N個的檢測資料S1 ～SN ，來藉由數式(8)之演算而算出N個的第1係數α1 ～αN 。 　　接著，處理部20，在第3處理(ST230)中，係基於N個的第1係數α1 ～αN 和第2轉換矩陣KT ，來藉由數式(10)之演算而算出M個的第2係數β1 ～βM 。 　　接著，處理部20，在第4處理(ST235)中，係藉由使用有第2係數β1 ～βM 的數式(12)之演算，來對於M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 分別作修正。
ST240： 　　處理部20，係在每實行一次的資料構成處理(ST215)時，將變數t作1的增數。
ST245： 　　處理部20，當代表資料構成處理(ST215)之實行次數的變數t尚未到達L的情況時，係再度實行資料構成處理(ST215)，當變數t到達了L的情況時，係移行至下一步驟ST250處。
ST250： 　　處理部20，係將藉由資料構成處理(ST215)之反覆進行所得到的要素資料之假定值PAj 作為要素資料P1 ～PM 之構成結果而取得之。
如同以上所作了說明一般，若依據本實施形態之輸入裝置，則在對於操作面11作區分之M個的區塊A1 ～AM 之各者處，係被配置有複數之檢測電極E之部分電極B，在感測器部10處，係針對各檢測電極E之每一者而產生1以上之檢測資料S。因此，針對M個的區塊A1 ～AM 之各者，係產生有代表物體之接近的程度之檢測資料S。 　　又，M個的要素資料P1 ～PM 之各者，係身為對於N個的檢測資料S1 ～SN 之各者而以特定之比例(常數資料Kij 、數式(3))所被分配的部分要素資料Uij 之和(數式(1))，N個的檢測資料S1 ～SN 之各者，係近似於從M個的要素資料P1 ～PM 之各者而以特定之比例(常數資料Kij )所被分配的部分要素資料Uij 之和(數式(2))。亦即是，藉由被設定於M個的要素資料P1 ～PM 之各者處之N個的常數資料Kij ，從M個的要素資料P1 ～PM 而至N個的檢測資料S1 ～SN 之轉換係被作規定(數式(5))。 　　在要素資料構成部22之資料構成處理中，係作為從M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 之各者而以特定之比例(常數資料Kij )被作分配的部分要素資料Uij 之和，而分別算出N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN (數式(6))。又，係以會使該算出了的N個的檢測資料之假定值SA1 ～SAN 會朝向N個的檢測資料S1 ～SN 而接近的方式，來基於M×N個的常數資料Kij 而對於M個的要素資料之假定值PA1 ～PAM 作修正。藉由反覆進行多數次之此資料構成處理，係能夠得到適合於N個的檢測資料S1 ～SN 之M個的要素資料之收斂值。
本發明，係並非為僅被限定於上述之實施形態，而亦包含有同業者所能夠容易地想到的各種之變形。
在上述之各實施形態的圖面中，雖係為了使配線變得容易觀察而在部分電極群之間設置有較廣的空隙，但是，此空隙之寬幅係為任意，而亦可將部分電極群彼此更為接近地作配置。另外，相互被作連接的第1層之配線與部分電極，係亦可一體性地被作圖案化並形成。進而，相互被作連接的相鄰接之區塊之各別的部分電極，係亦可一體性地被作圖案化並形成。
在上述之各實施形態中所示的檢測電極之構成和配置、各部分電極之形狀、配線圖案等，係僅為其中一例，本發明係並不被限定於此些之例。
10‧‧‧感測器部
11‧‧‧靜電感測器
12‧‧‧靜電電容檢測部
20‧‧‧處理部
21‧‧‧控制部
22‧‧‧要素資料構成部
23‧‧‧座標計算部
30‧‧‧記憶部
31‧‧‧程式
40‧‧‧介面部
A‧‧‧區塊
E‧‧‧檢測電極
[圖1] 係為對於本發明之實施形態的靜電感測器之概略性的構成作展示之圖。 　　[圖2] 係為對於本發明之實施形態的靜電感測器之層構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖3] 係為用以對於在區塊中的檢測電極之交叉作說明之圖。 　　[圖4] 係為對於第1實施形態的靜電感測器之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖5] 係為將在圖4中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。 　　[圖6] 係為對於在圖4中所示之靜電感測器中的2種類之部分電極群作展示之圖。 　　[圖7] 係為對於第2實施形態的靜電感測器之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖8] 係為將在圖7中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之圖。 　　[圖9] 係為對於在圖7中所示之靜電感測器中的4種類之部分電極群作展示之圖。 　　[圖10] 係為對於第3實施形態的靜電感測器之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖11] 係為將在圖10中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第1圖。 　　[圖12] 係為將在圖10中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第2圖。 　　[圖13] 係為對於在圖10中所示之靜電感測器中的2種類之部分電極群作展示之圖。 　　[圖14] 係為對於第4實施形態的靜電感測器之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖15] 係為將在圖14中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第1圖。 　　[圖16] 係為將在圖14中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第2圖。 　　[圖17] 係為對於在圖14中所示之靜電感測器中的4種類之部分電極群作展示之圖。 　　[圖18] 係為用以對於由2個的部份電極之配置所致的感度之分布之差異作說明之圖。 　　[圖19] 係為對於第5實施形態的靜電感測器之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖20] 係為將在圖19中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第1圖。 　　[圖21] 係為將在圖19中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第2圖。 　　[圖22] 係為對於在圖19中所示之靜電感測器中的4種類之部分電極群作展示之圖。 　　[圖23] 係為對於第6實施形態的靜電感測器之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖24] 係為將在圖23中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第1圖。 　　[圖25] 係為將在圖23中所示之靜電感測器之構造針對各檢測電極群之每一者而分別作展示之第2圖。 　　[圖26] 係為對於在圖23中所示之靜電感測器中的2種類之部分電極群作展示之圖。 　　[圖27] 係為對於第7實施形態的輸入裝置之構造的其中一例作展示之圖。 　　[圖28] 係為對於N個的檢測資料與M個的部分要素資料之間之關係作了圖解之圖。 　　[圖29] 係為對於從M個的要素資料而至N個的檢測資料之轉換作說明之圖。 　　[圖30] 係為用以對於從M個的要素資料之假定值而至N個的檢測資料之假定值之轉換作說明之圖。 　　[圖31] 係為對於從N個的第1係數而至M個的第2係數之轉換作說明之圖。 　　[圖32] 係為用以對於由N個的檢測資料來構成M個的要素資料之處理作說明之流程圖。 　　[圖33] 係為對於靜電感測器之構造之例作展示之圖。 　　[圖34] 係為對於在使用了1個的配線層的情況時之檢測要素間之配線之例作展示之圖。 　　[圖35] 係為對於在使用了2個的配線層的情況時之檢測要素間之配線之例作展示之圖。

Claims (14)

  1. 一種靜電感測器，係為用以在對於物體可接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而檢測出伴隨著該物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化者，其特徵為，係具備有：複數之檢測電極，係分別包含有經由配線而被作了串接(cascade)連接的複數之部分電極：和第1層，係被配置有前述部分電極和前述配線；和第2層，係被配置有前述配線，前述複數之檢測電極之各者，係隸屬於3以上的檢測電極群之其中一者，隸屬於同一之前述檢測電極群的前述檢測電極，彼此係並不交叉，隸屬於相異的前述檢測電極群之前述檢測電極，彼此係被區分成前述第1層與前述第2層地而交叉，在前述複數之區塊的各者中，係位置有被包含在隸屬於相異之前述檢測電極群之3以上的相異之前述檢測電極中的3以上之前述部分電極，在藉由其他之前述區塊而使周圍被作了包圍的內側之前述區塊中，隸屬於相異之前述檢測電極群之3以上的前述檢測電極係交叉，位置於前述內側之區塊中的前述3以上之部分電極，係包含1個的第1部分電極、和至少2個的第2部分電極，前述第1部分電極，係經由通過前述第1層或前述第2層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接，前述第2部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之靜電感測器，其中，前述第1部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之靜電感測器，其中，前述第1部分電極，係經由通過前述第2層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第2層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之靜電感測器，其中，位置於前述內側之區塊中之前述3以上之部分電極，係包含1個的第3部分電極，前述第3部分電極，係經由通過前述第1層之前述配線，而被與其中一方之前述部分電極作串接連接，並且經由通過前述第1層之前述配線，而被與另外一方之前述部分電極作串接連接。
  5. 如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之靜電感測器，其中，位置於同一之前述區塊中的至少1組的前述部分電極之組，係具有針對該區塊之中心點而具備旋轉對稱之關係的形狀。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之靜電感測器，其中，位置於同一之前述區塊中的至少1組的前述部分電極之組，係具有針對該區塊之中心點而具備180度旋轉對稱之關係的形狀。
  7. 一種輸入裝置，係為在對於物體所接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而輸入與伴隨著前述物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化相對應的資訊者，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第1至3項中之任一項所記載之靜電感測器；和靜電電容檢測部；和要素資料構成部。
  8. 一種輸入裝置，係為在對於物體所接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而輸入與伴隨著前述物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化相對應的資訊者，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第4項所記載之靜電感測器；和靜電電容檢測部；和要素資料構成部。
  9. 一種輸入裝置，係為在對於物體所接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而輸入與伴隨著前述物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化相對應的資訊者，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第5項所記載之靜電感測器；和靜電電容檢測部；和要素資料構成部。
  10. 一種輸入裝置，係為在對於物體所接近的區域作區分的複數之區塊的各者中而輸入與伴隨著前述物體之位置的變化所導致之靜電電容之變化相對應的資訊者，其特徵為，係具備有：如申請專利範圍第6項所記載之靜電感測器；和靜電電容檢測部；和要素資料構成部。
  11. 如申請專利範圍第7項所記載之輸入裝置，其中，前述靜電感測器，係包含有N個的前述檢測電極，前述靜電電容檢測部，係針對前述N個的檢測電極之各者，而分別產生與前述物體和前述檢測電極之間之第1靜電電容相對應的檢測資料，前述要素資料構成部，係將在M個的前述區塊的各者中之代表前述物體之接近程度之M個的要素資料，基於前述N個的檢測資料來構成之，前述M個的要素資料之各者，係為對於前述N個的檢測資料之各者來以特定之比例而被作分配的部分要素資料之和，前述N個的檢測資料之各者，係近似於從前述M個的要素資料之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，1個的前述部分要素資料，係近似於在1個的前述區塊中之1個的前述部分電極和前述物體之間之第2靜電電容，1個的前述要素資料，係近似於將在1個的前述區塊中之所有的前述第2靜電電容作了合成的第3靜電電容，前述要素資料構成部，係反覆進行資料構成處理，該資料構成處理，係作為從前述M個的要素資料之假定值之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，而分別算出前述N個的檢測資料之假定值，並以使該算出了的N個的檢測資料之假定值會接近於前述N個的檢測資料的方式，來基於對於前述M個的要素資料之各者所設定了的N個的前述特定之比例而對於前述M個的要素資料之假定值作修正，其中，N係為3以上之自然數，M係代表較N而更大之自然數。
  12. 如申請專利範圍第8項所記載之輸入裝置，其中，前述靜電感測器，係包含有N個的前述檢測電極，前述靜電電容檢測部，係針對前述N個的檢測電極之各者，而分別產生與前述物體和前述檢測電極之間之第1靜電電容相對應的檢測資料，前述要素資料構成部，係將在M個的前述區塊的各者中之代表前述物體之接近程度之M個的要素資料，基於前述N個的檢測資料來構成之，前述M個的要素資料之各者，係為對於前述N個的檢測資料之各者來以特定之比例而被作分配的部分要素資料之和，前述N個的檢測資料之各者，係近似於從前述M個的要素資料之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，1個的前述部分要素資料，係近似於在1個的前述區塊中之1個的前述部分電極和前述物體之間之第2靜電電容，1個的前述要素資料，係近似於將在1個的前述區塊中之所有的前述第2靜電電容作了合成的第3靜電電容，前述要素資料構成部，係反覆進行資料構成處理，該資料構成處理，係作為從前述M個的要素資料之假定值之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，而分別算出前述N個的檢測資料之假定值，並以使該算出了的N個的檢測資料之假定值會接近於前述N個的檢測資料的方式，來基於對於前述M個的要素資料之各者所設定了的N個的前述特定之比例而對於前述M個的要素資料之假定值作修正，其中，N係為3以上之自然數，M係代表較N而更大之自然數。
  13. 如申請專利範圍第9項所記載之輸入裝置，其中，前述靜電感測器，係包含有N個的前述檢測電極，前述靜電電容檢測部，係針對前述N個的檢測電極之各者，而分別產生與前述物體和前述檢測電極之間之第1靜電電容相對應的檢測資料，前述要素資料構成部，係將在M個的前述區塊的各者中之代表前述物體之接近程度之M個的要素資料，基於前述N個的檢測資料來構成之，前述M個的要素資料之各者，係為對於前述N個的檢測資料之各者來以特定之比例而被作分配的部分要素資料之和，前述N個的檢測資料之各者，係近似於從前述M個的要素資料之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，1個的前述部分要素資料，係近似於在1個的前述區塊中之1個的前述部分電極和前述物體之間之第2靜電電容，1個的前述要素資料，係近似於將在1個的前述區塊中之所有的前述第2靜電電容作了合成的第3靜電電容，前述要素資料構成部，係反覆進行資料構成處理，該資料構成處理，係作為從前述M個的要素資料之假定值之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，而分別算出前述N個的檢測資料之假定值，並以使該算出了的N個的檢測資料之假定值會接近於前述N個的檢測資料的方式，來基於對於前述M個的要素資料之各者所設定了的N個的前述特定之比例而對於前述M個的要素資料之假定值作修正，其中，N係為3以上之自然數，M係代表較N而更大之自然數。
  14. 如申請專利範圍第10項所記載之輸入裝置，其中，前述靜電感測器，係包含有N個的前述檢測電極，前述靜電電容檢測部，係針對前述N個的檢測電極之各者，而分別產生與前述物體和前述檢測電極之間之第1靜電電容相對應的檢測資料，前述要素資料構成部，係將在M個的前述區塊的各者中之代表前述物體之接近程度之M個的要素資料，基於前述N個的檢測資料來構成之，前述M個的要素資料之各者，係為對於前述N個的檢測資料之各者來以特定之比例而被作分配的部分要素資料之和，前述N個的檢測資料之各者，係近似於從前述M個的要素資料之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，1個的前述部分要素資料，係近似於在1個的前述區塊中之1個的前述部分電極和前述物體之間之第2靜電電容，1個的前述要素資料，係近似於將在1個的前述區塊中之所有的前述第2靜電電容作了合成的第3靜電電容，前述要素資料構成部，係反覆進行資料構成處理，該資料構成處理，係作為從前述M個的要素資料之假定值之各者來以前述特定之比例而被作分配的前述部分要素資料之和，而分別算出前述N個的檢測資料之假定值，並以使該算出了的N個的檢測資料之假定值會接近於前述N個的檢測資料的方式，來基於對於前述M個的要素資料之各者所設定了的N個的前述特定之比例而對於前述M個的要素資料之假定值作修正，其中，N係為3以上之自然數，M係代表較N而更大之自然數。
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