TW201340397A

TW201340397A - 發光二極體元件及其製造方法

Info

Publication number: TW201340397A
Application number: TW101110237A
Authority: TW
Inventors: Chi-Lung Wu; Shin-Jia Chiou; Kuo-Hui Yu; Sung-Chih Tsai
Original assignee: Chi Mei Lighting Tech Corp
Priority date: 2012-03-23
Filing date: 2012-03-23
Publication date: 2013-10-01
Also published as: CN103325911A

Abstract

一種發光二極體元件包括一基板、一第一電極、一磊晶層以及一第二電極。第一電極係設置於基板之一表面。磊晶層係設置於基板之另一表面上。第二電極係設置於磊晶層上，其中第二電極為一複合金屬層且依序包括一鈦層、一鎢化鈦層、一鉑層以及一金層。其中，第二電極及基板係分別設置於磊晶層之兩側。本發明更提供一種發光二極體元件之製造方法。

Description

發光二極體元件及其製造方法

本發明係關於一種發光二極體元件及其製造方法，特別是關於一種具有複合金屬層之電極的發光二極體元件及其製造方法。

發光二極體(light-emitting diode,LED)是一種由半導體材料製作而成的發光元件。由於發光二極體屬於冷發光，具有耗電量低、元件壽命長、反應速度快等優點，再加上體積小容易製成極小或陣列式元件的特性，因此近年來隨著技術不斷地進步，其應用範圍涵蓋了電腦或家電產品的指示燈、液晶顯示裝置的背光源乃至交通號誌或是車用指示燈。

請一併參閱圖1A及圖1B，係分別為習知具有水平式電極結構以及垂直式電極結構的LED示意圖。目前業界中藍光LED 1A多使用如圖1A的藍寶石(Sapphire，Al₂O₃)基板11作為磊晶成長的基板，由於藍寶石基板11係為絕緣材料，因此，目前的藍光LED 1A多採用如圖1A中的水平式電極結構，藍光LED 1A係包含藍寶石基板11、磊晶層12，其中磊晶層12可以包含複數層結構，在此例如由藍寶石基板11往上依序為一n型半導體層121、一發光層122與一p型半導體層123、一n型電極13以及一p型電極14，其中磊晶層12的材料係以氮化鎵為例，n型電極13及p型電極14係設置於藍寶石基板11的同一側。

由於氮化鎵材料之磊晶成長特性，氮化鎵成長於藍寶石基板11表面時，在靠近藍寶石基板11側的氮化鎵會呈現氮面121a(n-face)，而遠離藍寶石基板11側的氮化鎵則為鎵面121b(Ga-face)。為了與磊晶層12的半導體材料有較佳的歐姆接觸(ohmic contact)特性，一般多使用鉻/鉑/金的複合金屬層來作為n型電極13及p型電極14。

由於製造上述水平式電極結構需要犧牲部分的磊晶層12面積來設置n型電極13，以讓n型電極13能與磊晶層12中的n型半導體層121電性連結，再加上藍寶石基板11的散熱特性不良，容易影響藍光LED 1A之可靠性及壽命。因此在一些特殊的產品應用上，為了得到更好的發光效率以及散熱的特性，常會透過金屬層15進行接合，將散熱特性較佳的導電基板16(例如為矽基板)接合在磊晶層12結構上，然後再透過雷射剝離(laser lift-off)的方式來移除磊晶基板(亦即移除藍寶石基板11)，而形成如圖1B中具有垂直式電極結構的LED1B，其中，LED1B之n型電極17及p型電極18係分別設置於導電基板16的二側。

為了具有良好的歐姆接觸特性，n型電極17的材料除了上述的鉻/鉑/金的複合金屬層之外，在業界裡一般還常用的材料還有鈦/鋁/鎳/金、鋁/鈦/鎳/金、鈦/鉑/金，或是鈦/鋁/鈦/金等等。然而，上述的複合金屬結構作為垂直式電極結構的n型電極17時，由於垂直式電極結構LED1B之n型電極17係位於氮化鎵材料的氮面上，而氮化鎵材料之氮面與鎵面特性不同，導致在經過後續200℃以上的熱處理(例如封膠固化製程)，或是長時間的操作後，n型電極17的歐姆接觸特性會從原本的歐姆接觸狀態變成蕭特基接觸(schottkey contact)狀態，亦即n型電極17的阻值將明顯升高。

因此，如何提供一種發光二極體元件及其製造方法，使電極能在經過高溫的熱處理之後，不論電極係位在氮化鎵半導體之氮面與鎵面都能夠維持較佳之歐姆接觸特性，已成為重要課題之一。

有鑑於上述課題，本發明之目的為提供一種具有複合金屬層之電極的發光二極體元件及其製造方法。

為達上述目的，依據本發明之一種發光二極體元件，包括一基板、一第一電極、一磊晶層以及一第二電極。第一電極係設置於基板之一表面。磊晶層係設置於基板之另一表面上。第二電極係設置於磊晶層上，其中第二電極為一複合金屬層且依序包括一鈦層、一鎢化鈦層、一鉑層以及一金層。其中，第二電極及基板係分別設置於磊晶層之兩側。

為達上述目的，本發明更提供一種發光二極體元件之製造方法，包括提供一基板；形成一磊晶層於基板之一表面上；以及形成一電極於一磊晶層上，其中電極為一複合金屬層，由與磊晶層相連接之一側起，電極係依序包括一鈦層、一鎢化鈦層、一鉑層以及一金層。

於本發明之一較佳實施例中，基板係包含半導體材料。

於本發明之一較佳實施例中，基板係為矽基板。

於本發明之一較佳實施例中，磊晶層係具有一p型氮化鎵層、一發光層以及一n型氮化鎵層。

於本發明之一較佳實施例中，鈦層的厚度係介於15埃至100埃之間，鎢化鈦的厚度係介於500埃至1000埃之間。

於本發明之一較佳實施例中，鈦層係用以黏著磊晶層。

於本發明之一較佳實施例中，鎢化鈦層係為一阻障層，以減少鉑層及金層擴散至鈦層。

於本發明之一較佳實施例中，鉑層係防止鎢化鈦層氧化。

於本發明之一較佳實施例中，複合金屬層更包含一鎢化鈦層，設置於磊晶層與鈦層之間。

於本發明之一較佳實施例中，第二電極係設置於磊晶層的磊晶起始成長之一面。

於本發明之一較佳實施例中，磊晶層與第二電極相連接的表面係具有一平坦表面及一粗糙表面，第二電極更具有一打線部及一指狀部，打線部係位於平坦表面，指狀部係位於粗糙表面上。

於本發明之一較佳實施例中，平坦表面係為一電流阻障部。

於本發明之一較佳實施例中，磊晶層係以液相磊晶法、氣相磊晶法或有機金屬化學氣相沈積法之方法形成。

於本發明之一較佳實施例中，製造方法更包含：濕蝕刻磊晶層的部份表面以形成一粗糙表面，而未濕蝕刻之磊晶層的表面係為一平坦表面。

於本發明之一較佳實施例中，製造方法更包含：形成一指狀部於磊晶層之粗糙表面上，及形成一打線部於磊晶層之平坦表面上。其中打線部與指狀部可以同一道製程形成。

於本發明之一較佳實施例中，鈦層、鎢化鈦層及鉑層係以濺鍍形成，金層係以電子槍蒸鍍形成。

於本發明之一較佳實施例中，製造方法更包含：濺鍍形成一鎢化鈦層於磊晶層及鈦層之間。

於本發明之一較佳實施例中，製造方法更包含：設置另一電極於基板。其中，另一電極與磊晶層係分別設置於基板之兩側。

於本發明之一較佳實施例中，於形成一磊晶層於基板之一表面上的步驟前，係以一藍寶石基板作為一磊晶基板形成磊晶層。

於本發明之一較佳實施例中，於形成一磊晶層於基板之一表面的步驟時，係藉由一金屬層將具有導電性的基板接合於磊晶層。

於本發明之一較佳實施例中，於形成一磊晶層於基板之一表面的步驟之後，係以雷射之方式將藍寶石基板剝離。

於本發明之一較佳實施例中，電極係設置於磊晶層的磊晶起始成長之一面。

承上所述，本發明之發光二極體元件及其製造方法藉由依序設置包括鈦層、鎢化鈦層、鉑層以及金層之一複合金屬層的電極，於垂直式電極結構或水平式電極結構的發光二極體元件上，可使得發光二極體元件在經過高溫的熱處理之後或是長時間操作後，仍然能夠維持良好的歐姆接觸特性。此外，藉由於磊晶層以及第二電極之指狀部接觸的表面上形成粗糙表面，且於磊晶層以及第二電極之打線部接觸的表面形成平坦表面，可有助於發光二極體元件的電流分佈均勻，進而發光也能較均勻。

以下將參照相關圖式，說明依本發明較佳實施例之一種發光二極體元件及其製造方法，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本發明可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本發明所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本發明所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如“上”、“下”、“頂”、“側”及“一”等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本發明可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本發明可實施之範疇。

請參閱圖2A，係為本發明發光二極體元件2A之結構示意圖。發光二極體元件2A包括基板21、第一電極22、金屬層25、磊晶層23以及第二電極24。

本實施例中，基板21係以一導電基板為例，例如基板21可包含半導體材料，像是矽或是碳化矽。於此，係以基板21為矽基板為例。

第一電極22係設置於基板21之一表面211。第一電極22可包括複合金屬層的材料，且依序包括鈦層、鉑層以及金層。或者，第一電極22亦可為鉻/鉑/金、鈦/鋁/鎳/金、鈦/金、或鈦/鋁/鈦/金的複合金屬層，於此並不作限制。

磊晶層23係設置於基板21之另一表面212上，也就是不與第一電極22同一側。發光二極體元件2A由於磊晶成長特性的關係，以藍寶石基板作為磊晶基板形成磊晶層23後，藉由金屬層25而將具有導電性的基板21接合於磊晶層23上，並以雷射之方式將藍寶石基板剝離。磊晶層23係為一複合層，形成磊晶層23的主要磊晶方法有液相磊晶法(Liquid Phase Epitaxy,LPE)、氣相磊晶法(Vapor Phase Epitaxy,VPE)或有機金屬化學氣相沈積法(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)。另外，磊晶層23以材料能隙來看，常用的Ⅲ族-Ⅴ族元素組成大至可分成四類，分別為：GaP/GaAsP系列、AlGaAs系列、AlGaInP系列、以及GaN系列，於此係以磊晶層23包括一p型半導體層231、一發光層232以及一n型半導體層233為例，其中，p型半導體層231例如是p型氮化鎵層，而n型半導體層233例如為n型氮化鎵層，其中發光層232夾設於n型半導體層233與p型半導體層231之間，發光層232可以例如為氮化銦鎵與氮化鎵(InGaN/GaN)所形成之多重量子井結構(MQW)，其係以有機金屬化學氣相沈積形成為例。另外，n型半導體層233係具有二表面，其分別為氮面233a(n-face)及鎵面233b(Ga-face)，其中，氮面233a係為磊晶起始成長之一面，此一表面(氮面233a)係將磊晶成長基板剝離後而暴露。而發光層232係與n型半導體層233之鎵面233b相連接。

第二電極24係設置於磊晶層23上，更詳細來說，第二電極24係設置於n型半導體層233之氮面233a，亦即第二電極24係設置於磊晶層23的磊晶起始成長之一面。其中第二電極24為一複合金屬層且依序包括一鈦層241、一鎢化鈦層242、一鉑層243以及一金層244。此外，由圖式中可以清楚了解第二電極24與基板21的距離係大於第一電極22與基板21的距離，第二電極24與磊晶層23均位在基板21的同一側，其中第二電極24的鈦層241係位於較靠近磊晶層23的一側，金層244係位於較遠離磊晶層23的一側。另外，第二電極24及基板21係分別設置於磊晶層23之兩側。

第二電極24的複合金屬層各自有不同的功能，其中鈦層241係用以黏著磊晶層23；鎢化鈦層242係為阻障層，用以減少鉑層243及金層244擴散至鈦層241，而鎢化鈦層242的鎢可在後續退火製程中擴散進入鈦層241而與n型半導體層233的氮面233a形成歐姆接觸；鉑層243係防止鎢化鈦層242氧化；金層244的接合性較佳則可作為後續打線之用。於製造時基於製造成本以及生產良率考量，鈦層241、鎢化鈦層242及鉑層243可以例如係以濺鍍形成；而金層244可以例如係以電子槍蒸鍍形成，然而於此並不以此為限。例如第二電極24的所有複合金屬層可以全部都使用濺鍍製成或者全部都使用電子槍蒸鍍形成。

於本發明之一較佳實施例中，鈦層241的厚度係介於15埃至100埃之間；鎢化鈦層242的厚度係介於500埃至1000埃之間。請參照圖2B所示，其為本發明之發光二極體元件之鈦層於不同厚度下的阻值變化圖。從圖中可清楚得知，若鈦層241的厚度超過100埃之後，鈦層241的阻值係急速向上攀升，使得容易影響發光二極體元件2A的特性，因此鈦層241的厚度以介於15埃至100埃之間為較佳，藉此使得鈦層241的阻值可維持於低阻值(例如小於100歐姆)。

請一併參閱圖2A、圖2C及圖2D，圖2C係為比較習知技術之發光二極體元件的複合金屬電極以及本發明之發光二極體元件2A的複合金屬電極於不同熱處理溫度下的阻值變化圖，而圖2D為圖2C中於阻值0~1000歐姆的放大圖。須先述明的是，其係採用鈦層241之厚度為50埃的實驗結果。由圖中可明顯看出藉由本發明之第二電極24結構所包含的複合金屬層Ti/TiW/Pt/Au，相較於習知技術中使用Cr/Pt/Au、Al/Ti/Ni/Au或者Ti/Pt/Au的複合金屬作為電極時，在不同溫度下的阻值變化程度係相對穩定，而且阻值較小。習知技術中所使用的電極材料在熱處理溫度超過200℃以上之後，其歐姆接觸特性則明顯劣化，但由圖式中可明顯看出本發明之發光二極體元件2A在熱處理溫度超過200℃以上，仍然能夠維持穩定的阻值而不受熱處理溫度上升的影響，亦即，可具有較佳的歐姆接觸特性。

如圖2E所示，係為本發明發光二極體元件2B之另一結構示意圖。第二電極24a的複合金屬層更包含另一鎢化鈦層245，係設置於磊晶層23與鈦層241之間，使得第二電極24a的複合金屬層成為TiW/Ti/TiW/Pt/Au的疊層。於此，鎢化鈦層245的厚度係以介於25~200埃之間為例。增加的鎢化鈦層245可有助於第二電極24a與磊晶層23之間的歐姆接觸特性。

此外，電極複合金屬層的結構除了可設置於上述垂直式電極結構外，亦可設置於水平式電極結構的發光二極體元件上。如圖2F所示，係為本發明發光二極體元件2C之結構示意圖，與上述水平式電極結構的發光二極體元件相似，係於藍寶石基板11上形成磊晶層23a，並蝕刻一部份面積之部份磊晶層23a以暴露出n型半導體層233c，以作為設置n型電極的區域，並於磊晶層23a上依序形成鈦層241、鎢化鈦層242、鉑層243以及金層244的複合金屬層之第二電極24結構，或者也可以利用如圖2E中的第二電極24a結構，可包含另一鎢化鈦層245，係設置於磊晶層23a與鈦層241之間，使得第二電極24的複合金屬層成為TiW/Ti/TiW/Pt/Au的疊層。當然，上述之複合金屬層也可作為n型電極。

請參閱圖3A至圖3C，係為本發明發光二極體元件之另一較佳實施例的示意圖，其中，圖3A為發光二極體元件3的俯視示意圖，圖3B為沿圖3A中之A-A直線剖面圖，圖3C為沿圖3A中之B-B直線剖面圖。本實施例中不同之處在於，將第二電極34更具有一打線部w及一指狀部f，設置於磊晶層33上，其中打線部w係可透過打線製程(wire bonding)而用於與外界電源連接用，此外界電源係用於提供發光二極體元件3發光所需的電壓與電流，而指狀部f且呈交叉狀，以協助發光二極體元件3的電流均勻分佈。而且在本實施例中半導體材料係以氮化鎵為例，該半導體材料經過鹼性溶液蝕刻處理後，可以在磊晶層33之表面形成粗糙表面32，而未經過鹼性溶液蝕刻處理的磊晶層33之表面係形成平坦表面31，亦即磊晶層33與第二電極34相連接的表面係具有一平坦表面31及一粗糙表面32。而本發明之複合金屬層之電極結構在氮化鎵的粗糙表面32會比在平坦表面31上具有較佳的熱穩定性與歐姆接觸特性。於此，係在打線部w及指狀部f形成於磊晶層33之前，可經由一濕蝕刻製程，將磊晶層33與第二電極34之打線部w相連接以外的表面進行蝕刻，亦即將磊晶層33欲與指狀部f相連接的表面進行蝕刻，例如浸泡於氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液中，而使得磊晶層33與打線部w相連接以外的表面形成一粗糙表面32。另外，打線部w與磊晶層33相連接的表面則可先以光阻層覆蓋保護，不讓鹼性溶液蝕刻，而使得打線部w與磊晶層33相連接的為一平坦表面31。如此一來，其可藉由平坦表面31則作為電流阻障(current blocking)部，可改善電流集中於第二電極34之打線部w正下方的部位，進而避免造成發光二極體元件3於中央區域產生最大亮度，使得鄰近區域的亮度偏弱的問題。須說明的是，打線部w及指狀部f係可分別製成，或以同一道製程中製成，當同時製作打線部w及指狀部f時，係可以下列方式製作而成，例如，首先利用微影製程以形成所需光阻圖形，接續鍍上複合金屬層，最後以浮離製程完成所需的電極圖形。

此外，指狀部f係濺鍍於經過鹼性溶液濕蝕刻處理過的粗糙表面32上，而打線部w設置於平坦表面31上，在一般情況下，歐姆特性的差異並不大，但在經過200℃以上溫度的熱處理之後，平坦表面31的歐姆特性相較於粗糙表面的歐姆特性將更快速、明顯地劣化，換句話說，於磊晶層33與打線部w相連接以外的表面形成粗糙表面32係具有較佳的熱穩定性，而打線部w所設置的平坦表面31經過熱處理後則歐姆特性變差，而可以具有電流阻障的效果。

另外，本發明更提供一種發光二極體元件之製造方法。請參照圖4所示，其為本發明較佳實施例之發光二極體元件之製造方法的步驟流程圖。發光二極體元件之製造方法係包括步驟S01至S03。請同時參照圖2A及圖4所示，步驟S01係提供一基板21。步驟S02形成一磊晶層23於基板21之一表面212上。更詳細來說，磊晶層23先成長於一磊晶基板上，接著透過一金屬層25將磊晶層23設置於基板21上，最後以雷射剝離的方式移除磊晶基板。步驟S03形成一電極(於此稱作為第二電極24)於一磊晶層23上，其中第二電極24為一複合金屬層，與磊晶層23相連接之一側起，第二電極24係依序包括鈦層241、鎢化鈦層242、鉑層243以及金層244。其中，鈦層241、鎢化鈦層242及鉑層243係以濺鍍製程形成，金層244則以電子槍蒸鍍形成。然而於此並不以此為限。例如電極的所有複合金屬層可以全部都使用濺鍍製成或者全部都使用電子槍蒸鍍形成。

磊晶層23係以液相磊晶法、氣相磊晶法或有機金屬化學氣相沈積法之方法形成。磊晶層23包括一p型半導體層231、一發光層232以及一n型半導體層233為例，其中，p型半導體層231例如是p型氮化鎵層，而n型半導體層233例如為n型氮化鎵層，其中發光層232夾設於n型半導體層233與p型半導體層231之間，發光層232可以例如為氮化銦鎵與氮化鎵(InGaN/GaN)所形成之多重量子井結構(MQW)，其係以有機金屬化學氣相沈積形成為例。

本實施例之製造方法更包括於磊晶層23及鈦層241之間亦可濺鍍另一鎢化鈦層(如圖2E所示)。

另外，製造方法更包含濕蝕刻磊晶層23的部份表面以形成一粗糙表面，而未蝕刻之磊晶層23的表面則為平坦表面，用以避免電流集中於電極部位而造成發光二極體元件集中於中央區域發光。換句話說，第二電極24係設置於平坦表面及粗操表面，而另一電極(於此稱作為第一電極22)則設置於基板21之一表面211上，其中，第一電極22與磊晶層23分別設置於基板21的兩側。

上述製造方法更包括形成一打線部w及一指狀部f於磊晶層33(如圖3A至圖3C所示)，更詳細來說，係形成一指狀部f於磊晶層33之粗糙表面32上，及形成一打線部w於磊晶層33之平坦表面31上。係於打線部w及指狀部f形成於磊晶層33之前，可經由一濕蝕刻製程，將磊晶層33與打線部w相連接以外的表面進行蝕刻，亦即將磊晶層33欲與指狀部f相連接的表面進行蝕刻，例如浸泡於氫氧化鈉或氫氧化鉀溶液中，而使得磊晶層33與打線部w相連接以外的表面形成一粗糙表面32。另外，打線部w與磊晶層33相連接的表面則可先以光阻層覆蓋保護，不讓鹼性溶液蝕刻，而使得打線部w與磊晶層33相連接的為一平坦表面31。須說明的是，打線部w及指狀部f係可分別製成，或以同一道製程中製成，當同時製作打線部w及指狀部f時，係可以下列方式製作而成，例如，首先利用微影製程以形成所需光阻圖形，接續鍍上複合金屬層，最後以浮離製程完成所需的電極圖形。

其餘發光二極體元件相同或相似的構件之實施原理、結構特徵、與物理特性於上述相同者不再予以贅述。

綜上所述，本發明之發光二極體元件及其製造方法藉由依序設置包括鈦層、鎢化鈦層、鉑層以及金層之一複合金屬層的電極，於垂直式電極結構或水平式電極結構的發光二極體元件上，可使得發光二極體元件在經過高溫的熱處理之後或是長時間操作後，仍然能夠維持良好的歐姆接觸特性。此外，藉由於磊晶層以及第二電極之指狀部接觸表面的表面上形成粗糙表面，且於磊晶層以及第二電極之打線部接觸的表面形成平坦表面，可有助於發光二極體元件的電流分佈均勻，進而發光也能較均勻。

以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。

1A、1B．．．LED

11．．．藍寶石基板

12、23、23a、33．．．磊晶層

121、233、233c．．．n型半導體層

121a、233a．．．氮面

121b、233b．．．鎵面

122、232．．．發光層

123、231．．．p型半導體層

13、17．．．n型電極

14、18．．．p型電極

15．．．金屬層

16．．．導電基板

2A、2B、2C、3．．．發光二極體元件

21．．．基板

211、212．．．表面

22．．．第一電極

24、24a、34．．．第二電極

241．．．鈦層

242、245．．．鎢化鈦層

243．．．鉑層

244．．．金層

25．．．金屬層

31．．．平坦表面

32．．．粗糙表面

f．．．指狀部

S01～S03．．．步驟

w．．．打線部

圖1A係為習知技術的水平式電極的LED結構示意圖；

圖1B係為習知技術的垂直式電極的LED結構示意圖；

圖2A係為本發明發光二極體元件之結構示意圖；

圖2B係為本發明發光二極體元件之鈦層於不同厚度下的阻值變化圖；

圖2C及圖2D係為根據習知技術之發光二極體元件以及本發明之發光二極體元件結構於不同熱處理溫度下的阻值-熱處理溫度圖及其放大圖；

圖2E係為本發明另一發光二極體元件之結構示意圖；

圖2F係為本發明再一發光二極體元件之結構示意圖；

圖3A及圖3C係為本發明發光二極體元件之另一較佳實施例；以及

圖4為本發明發光二極體元件之製造方法的步驟流程圖。

2A．．．發光二極體元件

21．．．基板

211、212．．．表面

22．．．第一電極

23．．．磊晶層

231．．．p型半導體層

232．．．發光層

233．．．n型半導體層

233a．．．氮面

233b．．．鎵面

24．．．第二電極

241．．．鈦層

242．．．鎢化鈦層

243．．．鉑層

244．．．金層

25．．．金屬層

Claims

一種發光二極體元件，包括：一基板；一第一電極，設置於該基板之一表面；一磊晶層，係設置於該基板之另一表面之上；以及一第二電極，係設置於該磊晶層上，其中該第二電極為一複合金屬層且依序包括一鈦層、一鎢化鈦層、一鉑層以及一金層，其中，該第二電極及該基板係分別設置於該磊晶層之兩側。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該磊晶層係具有一p型氮化鎵層、一發光層以及一n型氮化鎵層。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該鈦層的厚度係介於15埃至100埃之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中鎢化鈦的厚度係介於500埃至1000埃之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該複合金屬層更包含一鎢化鈦層，設置於該磊晶層與該鈦層之間。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該第二電極係設置於該磊晶層的磊晶起始成長之一面。
如申請專利範圍第1項所述之發光二極體元件，其中該磊晶層與該第二電極相連接的表面係具有一平坦表面及一粗糙表面，該第二電極更具有一打線部及一指狀部，該打線部係位於該平坦表面上，該指狀部係位於該粗糙表面上。
一種發光二極體元件之製造方法，包括：提供一基板；形成一磊晶層於該基板之一表面上；以及形成一電極於一磊晶層上，其中該電極為一複合金屬層，由與該磊晶層相連接之一側起，該電極係依序包括一鈦層、一鎢化鈦層、一鉑層以及一金層。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包含：濕蝕刻該磊晶層的部份表面以形成一粗糙表面，而未濕蝕刻之該磊晶層的表面係為一平坦表面。
如申請專利範圍第9項所述之製造方法，更包含：形成一指狀部於該磊晶層之該粗糙表面上，及形成一打線部於該磊晶層之該平坦表面上。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包含：濺鍍形成一鎢化鈦層於該磊晶層及該鈦層之間。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，更包含：設置另一電極於該基板，其中該另一電極與該磊晶層分別設置於該基板的兩側。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中於形成一磊晶層於該基板之一表面上的步驟前，係以一藍寶石基板作為一磊晶基板形成該磊晶層。
如申請專利範圍第13項所述之製造方法，其中於形成一磊晶層於該基板之一表面的步驟時，係藉由一金屬層將具有導電性的該基板接合於該磊晶層，待磊晶層接合於磊晶層後，係以雷射之方式將該藍寶石基板剝離。
如申請專利範圍第8項所述之製造方法，其中該電極係設置於該磊晶層的磊晶起始成長之一面。