TW201324860A - 發光二極體結構及製作方法 - Google Patents
發光二極體結構及製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW201324860A TW201324860A TW101138575A TW101138575A TW201324860A TW 201324860 A TW201324860 A TW 201324860A TW 101138575 A TW101138575 A TW 101138575A TW 101138575 A TW101138575 A TW 101138575A TW 201324860 A TW201324860 A TW 201324860A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- substrate
- roughened surface
- emitting diode
- light emitting
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 142
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 263
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 82
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 82
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 32
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 22
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 14
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 14
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 6
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 209
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 43
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 38
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 15
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 10
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 10
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 10
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N aluminum gallium Chemical compound [Al].[Ga] RNQKDQAVIXDKAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 4
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 3
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N tert-butylamine Chemical compound CC(C)(C)N YBRBMKDOPFTVDT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N triethylgallium Chemical compound CC[Ga](CC)CC RGGPNXQUMRMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- GPYPVKIFOKLUGD-UHFFFAOYSA-N gold indium Chemical compound [In].[Au] GPYPVKIFOKLUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical compound [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 2
- SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N (4-hydroxyphenyl) methanesulfonate Chemical compound CS(=O)(=O)OC1=CC=C(O)C=C1 SKJCKYVIQGBWTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 1,4-benzoquinone Chemical compound O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013626 chemical specie Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K gallium trichloride Chemical compound Cl[Ga](Cl)Cl UPWPDUACHOATKO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N phenylhydrazine Chemical compound NNC1=CC=CC=C1 HKOOXMFOFWEVGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940067157 phenylhydrazine Drugs 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本發明揭示一種發光二極體結構及製作該發光二極體結構的方法。在一實施例中，一發光二極體結構包括一結晶基板，其具有大於或等於約250μm之厚度，其中該結晶基板具有一第一粗化表面及一第二粗化表面，該第二粗化表面位於該第一粗化表面相反側；複數個磊晶層，其位於該第一粗化表面，該複數個磊晶層被配置為一發光二極體；以及另一基板，其接合至該結晶基板，使該複數個磊晶層位於該另一基板及該結晶基板之第一粗化表面之間。
Description
本發明係有關於發光二極體結構及製作方法。
砷化鎵系發光二極體通常成長在藍寶石基板上。此砷化鎵系發光二極體之光萃取效率(light extraction efficeincy)直接受到藍寶石基板的多方面影響，舉例而言，藍寶石基板的厚度、粗糙度特性以及砷化鎵系發光二極體/藍寶石基板的封裝方法皆會影響此砷化鎵系發光二極體的光萃取效率。覆晶技術(flip-chip technology)可用於砷化鎵系發光二極體，其中位於藍寶石基板上之砷化鎵系發光二極體以面朝下於另一基板(支撐基板，a sub-mount or supporting substrate)的方式被組裝，使從發光二極體背面來的光可穿透藍寶石基板(其實質上作為一「窗層」)。雖然覆晶技術可提供期望之熱傳導(thermal conductivity)及提昇之外部量子效率(external quantum efficiency，EQE)，但砷化鎵系發光二極體光萃取效率的最佳化依然存在著挑戰，特別是與藍寶石基板有關的限制。因此，雖然存在普遍適用現今需求的砷化鎵系發光二極體製作方法及結構，仍無法完全滿足所有層面的需求。
本發明一實施例提供一種發光二極體結構，包括：一藍寶石基板，其具有一大於或等於約250μm之厚度，其中該藍寶石基板具有一第一粗化表面及一第二粗化表面，該第二粗化表面位於該第一粗化表面相反側；複數個磊晶
層，位於該第一粗化表面，該複數個磊晶層被配置為一發光二極體；以及另一基板，接合接合至該藍寶石基板，使該複數個磊晶層位於該另一基板及該藍寶石基板之第一粗化表面之間，其中該另一基板包括至少二個導電端子連接至該發光二極體之相反接點。
本發明另一實施例提供一種發光二極體結構，包括：一底板；以及一發光二極體裝置，其面朝下且電性連接至該底板，其中該發光二極體裝置包括：一藍寶石基板，具有大於或等於約250μm之厚度，其中該藍寶石基板具有一第一粗化表面及一第二粗化表面，該第二粗化表面位於該第一粗化表面相反側，其中該藍寶石基板更包括數個在該第一粗化表面及該第二粗化表面間延伸之側壁，其實質上無雷射燒焦標記，以及一磊晶結構位於該藍寶石基板之第一粗化表面，其中該磊晶結構位於該底板及該第一粗化表面之間。
本發明又一實施例提供一種發光二極體的製作方法，包括：形成一磊晶結構於一第一基板之第一粗化表面上，其中該磊晶結構被配置為一發光二極體；形成一第二粗化表面於該第一基板上，其中該第二粗化表面位於該第一粗化表面相反側；接合該第一基板至一第二基板，使該磊晶結構設置於該第一基板之第一粗化表面及該第二基板之間；以及單粒化該第一基板及該第二基板以形成發光二極體晶粒，其中該單粒化該第一基板包括使用一隱形切割技術。
為讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更明
顯易懂，下文特舉出較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下：
本發明提供數種不同實施態樣(或實施例)，以具體化本發明之不同特徵。元件與配置方式的特定實施例如下述，用以簡化本發明。這些實施例為極少數且發明不侷限於此。例如，在描述於一第一特徵上形成一第二特徵時，可能包括第一特徵與第二特徵直接接觸的實施例，也可能包括在第一特徵與第二特徵之間有形成其他特徵，而不直接接觸的實施例。另外，本發明之揭示內容可能在不同實施例中使用重複的參考數字及/或字母，該重複是為了簡化，並不代表這些實施例及/或討論之圖示彼此具有關係。
此外，空間相對詞彙如「在...之間」、「在...之下」、「較...低」、「在...之上」、「較...高」及其他類似詞彙，為描述圖中一元件或一特徵與其他元件或特徵之關係，可能被使用在這裡。該空間相對詞彙是為了涵蓋操作裝置在圖示之外的不同方向。例如，若圖示中的裝置反過來時，原本描述為在其他元件或特徵「下方」或「之下」的，會變成在其他元件或特徵的「上方」。因此，若以詞彙「在...之下」為例，則可涵蓋「在...之上」及「在...之下」的方向。裝置可能被倒反過來(旋轉到90度或其他方向)，而此處使用之空間相對描述仍同樣可依此被解讀。
第1圖為根據本發明各層面，所作一發光二極體結構製作方法100流程圖。方法100開始於步驟110，其中一磊晶結構形成於一第一基板之第一粗化表面上方。此磊晶
結構被配置為一發光二極體。在一實施例中，此第一基板之第一表面為一粗化表面。在一實施例中，此第一基板為一藍寶石基板。在步驟120，上述基板之一第二表面被粗化，因此形成此基板之第二粗化表面。此第二表面(及第二粗化表面)位於上述第一粗化表面相反側。在一實施例中，此第二表面以一使用圖案化金屬層作為蝕刻罩幕之乾蝕刻製程粗化。在另一實施例中，此第二表面以一使用圖案化金屬層作為蝕刻罩幕之濕蝕刻製程粗化。在又一實施例中，此第二表面以一使用奈米顆粒拋光液之拋光製程粗化。上述粗化之第二表面包括奈米尺寸之凹陷，其可促進光萃取效率。在步驟130，上述第一基板接合至一第二基板，使磊晶結構位於第一基板之第一粗化表面及第二基板之間。在一實施例中，一覆晶製程用以接合上述第一基板至第二基板，此第二基板可為一底板。在步驟140，上述第一基板及第二基板被單粒化(singulate)，其中一隱形切割技術(stealth dicing technique)被用以單粒化此第一基板。一隱形切割技術亦可用以單粒化上述第二基板。此單粒化之第一基板及第二基板可提供一個或多個發光二極體晶粒。上述方法100可繼續至步驟150，完成製作上述發光二極體結構。額外步驟可在方法100之前、之中或之後被提供，在此方法其它實施例中，部份上述步驟可被取代或排除。以下討論說明可根據第1圖中方法100製作之發光二極體結構的數個實施例。
第2~8圖為根據第1圖中方法100，所作發光二極體結構200之一實施例在數個製作步驟一部或全部之剖面
圖。為使本發明概念簡明易懂，第2~8圖已經過簡化。額外特徵可被加入發光二極體結構200，在發光二極體結構200的其它實施例中，部份以下述及之特徵可被取代或排除。
參考第2圖，發光二極體結構200包括一發光二極體晶圓205，其包括一基板210。在述及之實施例中，基板210為一結晶基板，特別是一藍寶石基板。基板210或包括：碳化矽(SiC)、矽、氮化鎵(GaN)、其它適用於發光二極體應用之基板材料或上述任意組合。基板210具有一表面212(亦即基板210之上表面)及位於表面212反側之表面214(亦即基板210之下表面)。基板210具有一在表面212及表面214之間測得的厚度，在一實施例中，基板210的厚度大於或等於約250μm，在另一實施例中，基板210的厚度為約250μm~600μm。在第2圖中，表面212被圖案化或粗化，表面214為實質上平坦。表面212因而可視為圖案化表面或粗化表面。粗化表面212可促進發光二極體結構200的外部量子效率、內部量子效率(internal quantum efficiency)或兩者。在述及之實施例中，粗化表面212具有一週期性結構。粗化表面212亦可具有一非週期性結構。
發光二極體晶圓205包括數個材料層位於基板210上，特別是在基板210之粗化表面212上。舉例而言，一磊晶結構包括數個磊晶層220、230及240形成於粗化表面212上。此數個磊晶層220、230及240被設計以形成一個或多個發光二極體。在一實施例中，此數個磊晶層包括被
配置以發光之一n型摻雜半導體層及一p型摻雜半導體層。在一實施例中，此數個磊晶層包括一單一量子井(single quantum well，SQW)結構位於上述n型摻雜半導體層及p型摻雜半導體層之間。此單一量子井結構包括二種不同半導體材料，可用以調變發光二極體波長。一多重量子井(multiple quantum well，MQW)結構亦可位於上述n型摻雜半導體層及p型摻雜半導體層之間。此多重量子井結構包括複數個堆疊之單一量子井。此多重量子井結構保有單一量子井結構的優點，並具有一較大體積的主動區可使照明功率較高。在述及之實施例中，磊晶層220、230及240包括被配置以形成發射藍光、紫外光(UV)或兩者之氮化鎵系發光二極體之氮化鎵系半導體材料。舉例而言，磊晶層220為一n型摻雜氮化鎵層(n-GaN layer)位於基板210上，磊晶層230為一多重量子井結構位於此n型摻雜氮化鎵層上，磊晶層240為一p型摻雜氮化鎵層(p-GaN layer)位於此多重量子結構上。
磊晶層220(n型摻雜氮化鎵層)磊晶成長於基板210之粗化表面212上，此n型摻雜氮化鎵層包括一以n型雜質摻雜之氮化鎵層，例如矽或氧。在一實施例中，一緩衝層(buffer layer)，例如一未摻雜之氮化鎵層或氮化鋁(AlN)層，可位於磊晶層220(n型摻雜氮化鎵層)及基板210之粗化表面212之間。此緩衝層可在n型摻雜氮化鎵層220之前磊晶成長於基板210之粗化表面212。
磊晶層230(多重量子井結構)以數個磊晶成長製程形成於磊晶層220(n型摻雜氮化鎵層)上。此多重量子井
結構包括數對半導體層，例如約5對至15對的半導體層。在一實施例中，每對半導體層包括一氮化銦鎵(InGaN)層及一氮化鎵層(形成氮化銦鎵/氮化鎵對)。此氮化銦鎵/氮化鎵層可使用一n型雜質摻雜。在另一實施例中，每對半導體層包括一氮化鋁鎵(AlGaN)層及一氮化鎵層(形成氮化鋁鎵/氮化鎵對)。此氮化鋁鎵/氮化鎵層可使用一n型雜質摻雜。
磊晶層240(p型摻雜氮化鎵層)磊晶成長於磊晶層230(多重量子井結構)上。此p型摻雜氮化鎵層包括一以p型雜質摻雜之氮化鎵層，例如鎂、鈣、鈹化鋅、碳或上述任意組合。
磊晶層220、230及240可使用一適當技術磊晶成長，例如有機金屬化學氣相沈積(metal organic chemical vapor deposition，MOCVD)或有機金屬氣相磊晶(metal organic vapor phase epitaxy，MOVPE)。在一實施例中，上述n型摻雜氮化鎵層(磊晶層220)、多重量子井結構(磊晶層230)及p型摻雜氮化鎵層(磊晶層240)可使用含鎵前驅物及含氮前驅物磊晶成長。此含鎵前驅物包括三甲基鎵(trimethylgallium，TMG)、三乙基鎵(triethylgallium，TEG)或其它適當化學物質。此含氮前驅物包括氨(NH3)、第三丁基胺(tertiarybutylamine，TBAm)、苯胼(phenyl hydrazine)或其它適當化學物質。在另一實施例中，上述多重量子井結構(磊晶層230)包括數個氮化鋁鎵層，此數個氮化鋁鎵層可藉由使用含鋁前驅物、含鎵前驅物或含氮前驅物的有機金屬氣相磊晶法磊晶成長。此含鋁前驅物
包括三甲基鋁(trimethylaluminum，TMA)、三乙胺(triethylamine，TEA)或其它適當化學物質；此含鎵前驅物包括三甲基鎵、三乙基鎵或其它適當化學物質；此含氮前驅物包括氨、第三丁基胺、苯胼或其它適當化學物質。上述數個磊晶層亦可使用其它適當技術磊晶成長，例如氫化物氣相磊晶法(hydride vapor phase epitaxy，HVPE)或分子束磊晶法(molecular beam epitaxy，MBE)。舉例而言，一氮化鎵層(例如一緩衝層)可藉由使用原料包括氯化鎵及氨氣的氫化物氣相磊晶法磊晶成長。
發光二極體晶圓205更包括一金屬層250及一金屬層260設置於基板210。金屬層250設置於磊晶層240(在述及之實施例中，p型氮化鎵層)上，提供一接點電性連接至磊晶層240。金屬層260設置於磊晶層220(在述及之實施例中，n型氮化鎵層)上，提供一接點電性連接至磊晶層240。金屬層250因而可視為一p型電極，上述金屬層260因而可視為一n型電極。金屬層250及260可包括多重金屬層或膜，個別提供多種功能。金屬層250及260包括鎳、鉻、鋁、鈦、鉑、鈀、金、銀、銦、鋅、錫、鈹、氧化銦錫(ITO)、上述任意合金、其他適當材料或上述任意組合。在一實施例中，金屬層250可包括一第一金屬層位於上述p型氮化鎵層上方，一第二金屬層位於此第一金屬層上方，一第三金屬層位於此第二金屬層上方。此第一金屬層提供一接點電性連接上述p型氮化鎵層，故此第一金屬層亦被視為一p型氮化鎵接點(或p型電極)。在一實施例中，此第一金屬層包括一透明導電層，例如氧化銦錫，
形成於上述p型氮化鎵層上方。在另一實施例中，此第一金屬層包括鎳、鉻或其它適當材料。上述第二金屬層提供一反射層位於第一金屬層上方，此第二金屬層(或反射層)對發光二極體所發射的光具有高反射率，因而可增加發光效率(light emission efficiency)。此第二金屬層包括鋁、鈦、鉑、鈀、銀或其它適當金屬。上述第三金屬層被設計作為晶圓接合之接合金屬，此第三金屬層包括金、金錫合金、金銦合金或其它適當金屬以實現共晶接合或其它晶圓接合機制。金屬層260可具有多層金屬膜層配置如金屬層250，特別是配置以電性連接至n型氮化鎵層。金屬層260因而可視為一n型氮化鎵接點(或n型電極)。上述數個金屬層可使用物理氣相沉積(physical vapor deposition，PVD)或其它適當技術形成。
發光二極體晶圓205可更包括一保護層(passivation layer)，密封並保護此發光二極體晶圓205的數種特徵使其免於接觸其它特徵。此保護層包括一介電材料，如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳化矽、其它適當介電材料或上述任意組合。發光二極體晶圓205根據發光二極體結構200之設計需求可更包括其它特徵及/或層。
根據第3~5圖，實施一粗化製程於基板210之表面214，因此形成一粗化表面214A。此粗化表面214A亦可視為一圖案化表面。在第3圖中，發光二極體晶圓205頂部朝下使表面212(上述「上」表面)外觀上為基板210之「下」表面，表面214(上述「下」表面)外觀上為基板210之「上」表面。一圖案化金屬層270形成於此基板210
之表面214上方。在述及之實施例中，此圖案化金屬層270包括鎳或鉻。圖案化金屬層270可包括其它適當金屬材料。圖案化金屬層270具有一厚度，例如約100奈米至1,000奈米，圖案化金屬層270亦具有小於或等於約2微米的節距(pitch)。在一實施例中，圖案化金屬層270使用一微影剝離製程(lithography lift-off process)形成。舉例而言，形成圖案化金屬層270包括在表面214上形成一光阻層(例如藉由旋塗法)；圖案化此光阻層以形成一個或多個開口，使基板210之表面214露出(例如藉由曝光或顯影上述光阻層)；沈積一金屬層於上述光阻層上，例如鎳或鉻層，使此金屬層形成於上述表面214之曝光部份；移除此光阻層(例如使用一溶劑，如四甲基氫氧化銨(tetramethylammonium hydroxide，TMAH))，同時移除沈積在基板214曝光部份之外的金屬層，因而留下圖案化金屬層270。
在第4圖中，一蝕刻製程275粗化上述基板210之表面214，因此形成粗化(或圖案化)表面214A。此蝕刻製程275使用圖案化金屬層270作為蝕刻罩幕。在述及之實施例中，蝕刻製程275為一乾蝕刻製程。舉例而言，蝕刻製程275為一感應耦合電漿(inductively coupled plasma，ICP)反應性離子蝕刻(reactive ion etching)製程。此乾蝕刻製程具有可調變以達到期望之粗化表面214A外形的蝕刻參數，例如蝕刻劑、蝕刻溫度、蝕刻壓力、電源功率、射頻偏壓電壓(RF bias voltage)、射頻偏壓功率、蝕刻劑流量及其它適當參數。在一實施例中，此乾蝕刻製程使用
含氯蝕刻氣體(例如三氯化硼(BCl3))、含氬蝕刻氣體(例如氬氣)、其它適當蝕刻氣體或上述任意組合。在一實施例中，此乾蝕刻製程實施約一小時至二小時。在一實施例中，此乾蝕刻製程包括一約為20分鐘至2小時的蝕刻時間，一約為0.5Pa至5mT的蝕刻壓力，一約為200W至600W的電源功率，一約為500V至800V的射頻偏壓電壓，及一約為20sccm至80sccm的三氯化硼氣體流量。
在第5圖中，在述及之實施例中，圖案化金屬層270在蝕刻製程275之後移除，留下粗化表面214A。圖案化金屬層270以一適當製程，例如一可選擇性移除圖案化金屬層270的蝕刻製程移除。在另一實施例中，圖案化金屬層270在蝕刻製程275被移除。粗化表面214A可促進發光二極體結構200之光萃取效率。如上所述，在第3~5圖中，選擇適當微影及蝕刻製程以達到一期望之粗化表面214A外形。舉例而言，在述及之實施例中，使用一具有小於或等於約2微米節距的圖案化金屬層270作為蝕刻罩幕，可在發光二極體結構200產生粗化之表面使光萃取效率最佳化。粗化表面214A包括凹陷276，此凹陷276隨機分佈於基板210之粗化表面214A上方。凹陷276具有峰部及谷部，此谷部為實質上不對稱。在述及之實施例中，凹陷276在基板210上具有一小於或等於約4微米的深度。在一實施例中，凹陷276的深度為約3微米至4微米。凹陷276為奈米尺寸，舉例而言，凹陷276具有約1奈米至3,000奈米之平均尺寸，及約100奈米至10,000奈米之寬度。凹陷276亦具有一平均距離介於相鄰凹陷之間，舉例而言，
上述凹陷間的平均距離約為1奈米至20,000奈米。
參考第6圖，發光二極體晶圓205經由一金屬層285接合至基板280。此基板280可視為一底板。在述及之實施例中，基板280包括矽。基板280可替代或額外地包括陶瓷、碳化矽(SiC)、鍺(Ge)、氮化鋁(AlN)、其它適當材料或上述任意組合。在一實施例中，基板280包括一金屬平板或其它具有適合材料特性的適當材料，其可提供固定發光二極體晶圓205於其上之機械強度。金屬層285可視為基板280之一部份，金屬層285包括一適合接合至金屬層250及260的材料，例如金、金錫合金、金銦合金、其它適當接合金屬或上述任意組合。此接合可提供發光二極體晶圓205與基板280之電性連接。金屬層285可視為一導電端子(conductive terminal)，在述及之實施例中，金屬層285包括一導電端子連接基板280及金屬層250(例如上述p型氮化鎵接點(或p型電極))及一導電端子連接基板280及金屬層260(例如上述n型氮化鎵接點(或n型電極))，使此導電端子連接至發光二極體晶圓205的相反接點(一n型接點及一p型接點)。此導電端子因而連接至發光二極體晶圓205的相反接面(junction)。此金屬層285的接合材料依據期望之發光二極體結構200的晶圓接合機制及規格，可與金屬層250及260的接合金屬在組成上相同或相異。舉例而言，金屬層285及金屬層250、260可配對以實現共晶晶圓接合。在一實施例中，此晶圓接合製程實施熱退火，並在此熱退火時施加一機械壓力，其可增加接合強度。在述及之實施例中，此晶圓接合製程
使用一覆晶製程，其中發光二極體晶圓205被翻轉至頂面朝下並與基板280對準，使表面212外觀上為基板210之「下」表面，表面214A外觀上為基板210之「上」表面。或者，可實施其它製程以接合發光二極體晶圓205及基板280。發光二極體結構200因而為一覆晶發光二極體結構，其中上述磊晶結構(磊晶層230、240及250)位於粗化表面212A及基板280之間。
參考第7圖及第8圖，發光二極體結構200被分割(單粒化)為發光二極體晶粒。更精確地說，一單粒化製程290實施於發光二極體晶圓205，一單粒化製程295實施於基板280，因此形成個別發光二極體晶粒298A、298B及298C。此單粒化製程290及295可為相同或相異製程，可同時或個別實施。此單粒化製程290及295包括機械刀片切割(例如鑽石刀鋸斷)、機械切劃及劈裂、電漿切割(plasma dicing)、其它適當單粒化製程或上述任意組合。在述及之實施例中，單粒化製程290及295為雷射切劃及劈裂製程。具體而言，單粒化製程290及295使用一隱形切割(stealth dicing)雷射系統雷射切割發光二極體晶圓205及基板280，然後一劈裂系統劈裂此發光二極體晶圓205/基板280為個別發光二極體晶粒298A、298B及298C。舉例而言，隱形切割技術聚焦一皮秒雷射(picosecond laser)之輸出於發光二極體晶圓205之基板210內部，在基板210內部製造裂縫而不影響基板210之粗化表面212A及214A，然後沿此裂縫劈裂基板210。同樣地，此隱形切割技術可聚焦上述皮秒雷射之輸出於基板280內部，在基
板280內部製造裂縫而不影響基板280之表面。上述用以單粒化發光二極體結構200為個別發光二極體晶粒298A、298B及298C之隱形切割技術進一步詳述於在2011年10月18日提出申請之美國專利申請案號13/276,108，名稱為《厚窗層發光二極體的製作(Thick Window Layer LED Manufacture)》，在此併入作為參考。在一實施例中，發光二極體晶圓205及基板280被同時切劃及劈裂為個別發光二極體晶粒298A、298B及298C。在另一實施例中，發光二極體晶圓205及基板280被個別切劃然後同時劈裂。在又一實施例中，發光二極體晶圓205使用隱形切割技術切劃，基板280使用傳統雷射切劃技術，發光二極體晶圓205及基板280被同時劈裂。
使用上述隱形切割技術以單粒化發光二極體結構200為發光二極體晶粒298A、298B及298C排除了對薄化基板210(在此為藍寶石基板)的需求。發光二極體晶粒298A、298B及298C之基板210可因此具有大於傳統發光二極體晶粒的厚度，舉例而言，厚度大於或等於約250μm。此較大的厚度可促進光萃取效率。此外，使用隱形切割技術以單粒化發光二極體結構200亦提供具有高品質切邊的發光二極體晶粒298A、298B及298C。舉例而言，在述及之實施例中，發光二極體晶粒298A、298B及298C之側壁(或邊緣)299(特別是在發光二極體晶圓205之基板210部份)實質上無殘餘物，且具有最小殘餘應力及/或熱損傷。更具體地說，此隱形切割技術不會在上述發光二極體晶圓205之基板210側壁(或邊緣)導致雷射燒焦標記(laser charred
marks)，其通常起因於傳統雷射切劃技術。此特性亦可在單粒化製程295中實施一隱形切割技術的基板280側壁(邊緣)觀察到。
需要注意的是，在述及之實施例中，整個發光二極體晶圓205接合至基板280，接著發光二極體晶圓205被單粒化以形成數個發光二極體晶粒298A、298B及298C。或者可在接合發光二極體晶圓205至基板280之前，對發光二極體晶圓205進行一單粒化製程以形成個別發光二極體裝置(其亦可視為發光二極體晶粒)，接著將此個別發光二極體裝置接合至基板280。個別發光二極體晶粒接合至基板280之後，可對基板280進行一單粒化製程以提供個別發光二極體晶粒298A、298B及298C。此單粒化製程包括機械刀片切割(例如鑽石刀鋸斷)、機械切劃及劈裂、雷射切劃及劈裂、電漿切割(plasma dicing)、其它適當單粒化製程或上述任意組合。在一實施例中，對發光二極體晶圓205進行一隱形切割及劈裂製程之單粒化製程，且對基板280進行一傳統雷射切劃及劈裂之單粒化製程。在另一實施例中，發光二極體晶圓205及基板280兩者皆實施一隱形切割及劈裂製程之單粒化製程。
藉由實施上述製程，個別發光二極體晶粒298A、298B及298C可包括具有雙重粗化表面(粗化表面212及粗化表面214A)、一厚度大於或等於約250μm及高品質邊緣299之基板210。相較於具有單一粗化表面的發光二極體裝置，基板210之雙重粗化表面可提昇光輸出功率(light output power)。此外，如上所述，基板210之較大的厚度及高品
質的邊緣也提昇了光輸出功率。發光二極體晶粒298A、298B及298C因而可展現提昇之光輸出功率，包括提昇之光萃取效率(例如提昇之內部及/或外部量子效率)。不同實施例可具有不同優點，任一實施例無需具有特定優點。
隨後，視用途不同實施不同封裝製程以封裝上述發光二極體晶粒298A、298B及298C(亦可視為發光二極體晶片298A、298B及298C)。舉例而言，一封裝製程可包括貼附一發光二極體晶粒至封裝基板、佈線此發光二極體晶粒作電性接合、在此發光二極體晶粒周圍塗佈一磷光層(phosphor layer)以調變由此發光二極體晶粒發射出的光波長、在此發光二極體晶粒上方形成一透鏡(lens)以提供例如有效的光發射。本發明也可考慮其它封裝製程。
第9~15圖為根據第1圖之方法100，所作另一實施例中發光二極體結構300在數個製作步驟一部或全部之剖面圖。第9~15圖之實施例在各種層面與第2~8圖之實施例相似，因此為簡明起見在第2~8圖及第9~15圖中的相似特徵使用相同參考數字。為使本發明概念簡明易懂，第9~15圖已經過簡化。額外特徵可被加入發光二極體結構300，在發光二極體結構300的其它實施例中，部份以下述及之特徵可被取代或排除。
參考第9圖，發光二極體結構300包括發光二極體晶圓205。根據第10~12圖，一粗化製程實施至基板210之表面214，因而形成一粗化表面314A。顯示於第10~12圖之粗化製程與上述顯示於第3~5圖之粗化製程相異並敘述如下。粗化表面314A亦可視為一圖案化表面。在第
10圖中，發光二極體晶圓205頂面朝下使表面212(「上」表面)外觀上為基板210之「下」表面，表面214(「下」表面)外觀上為基板210之「上」表面。一圖案化硬罩幕層370形成於基板210之表面214上方。在述及之實施例中，此圖案化硬罩幕層370包括氮化矽(SiN)。替代或額外地，此圖案化硬罩幕層370包括氮氧化矽、二氧化矽(SiO2)、碳化矽、其它適當材料或上述任意組合。此圖案化硬罩幕層370具有例如約1微米至10微米的厚度。此圖案化硬罩幕層370亦具有小於或等於約50微米的節距。在一實施例中，此圖案化硬罩幕層370使用微影製程形成。舉例而言，形成此圖案化硬罩幕層370包括形成一硬罩幕層於基板210之表面214上；形成一光阻層於表面硬罩幕層(例如藉由旋塗法)；圖案化此光阻層以形成一個或多個開口於其上，使上述硬罩幕層露出(例如藉由曝光及顯影此光阻層)；以此光阻層作為蝕刻罩幕蝕刻曝光之硬罩幕層；及移除此圖案化光阻層，留下圖案化硬罩幕層370。可實施其它微影製程方法以形成圖案化硬罩幕層370。
在第11圖中，以一蝕刻製程375粗化基板210之表面214，因而形成粗化(或圖案化)之表面314A。此蝕刻製程375使用圖案化硬罩幕層370作為蝕刻罩幕。在述及之實施例中，此蝕刻製程375為一濕蝕刻製程，此濕蝕刻製程具有可調變的蝕刻參數以達到期望之粗化表面314A外形，例如蝕刻溶液、蝕刻溫度、蝕刻時間或其它適當參數。在述及之實施例中，此濕蝕刻溶液包括H2SO4(硫酸)、H2PO3(磷酸)、其它適當濕蝕刻溶液或上述任意組合。上
述蝕刻溫度可為約250℃至300℃，上述蝕刻時間可為大於或等於約二小時。在一實施例中，發光二極體晶圓205在約200℃至250℃的溫度浸泡於1：1之H2SO4及H2PO3混合物中約2小時。
在第12圖中，圖案化硬罩幕層370被移除。在述及之實施例中，圖案化硬罩幕層370在蝕刻製程375時被移除，留下粗化表面314A。可實施後續蝕刻製程以移除圖案化硬罩幕層370的任何殘留。在另一實施例中，另一蝕刻製程在蝕刻製程375後被用以移除圖案化硬罩幕層370。粗化表面314A可促進發光二極體結構300的光萃取效率。在第10~12圖中，選擇適當微影及蝕刻製程以達到期望之粗化表面314A外形。舉例而言，在述及之實施例中，使用具有一小於或等於約50微米節距之圖案化硬罩幕層370作為蝕刻罩幕層，可在發光二極體結構300上產生一粗化表面而使光萃取效率最佳化。粗化表面314A包括凹陷376，此凹陷376隨機分佈於基板210之粗化表面314A上。在述及之實施例中，凹陷376之數個刻面(facets)(側壁)沿著基板210之晶向(crystal orientation)。蝕刻製程375可調變使凹陷376之數個刻面(側壁)在基板210的一深度交錯至一頂點。在述及之實施例中，凹陷376在基板210具有小於或等於約4微米的深度。在一實施例中，凹陷376的深度約為3微米至4微米。凹陷376為奈米尺寸，舉例而言，凹陷376具有介於約1奈米至10,000奈米及寬度約100奈米至10,000奈米的平均尺寸。凹陷376具有一平均距離介於相鄰凹陷之間。舉例而言，此介於凹陷之平均距
離約為500奈米至50,000奈米。
參考第13~15圖，與第7~9圖中的發光二極體結構200相似，此發光二極體結構300被分割(單粒化)為發光二極體晶粒。舉例而言，發光二極體晶圓205接合至基板280，單粒化製程290及295實施於此發光二極體晶圓205(特別是基板210)上，且基板280提供個別發光二極體晶粒398A、398B及398C。藉由實施上述製程，個別發光二極體晶粒398A、398B及398C包括基板210具有雙重粗化表面(粗化表面212及粗化表面314A)、大於或等於約250μm的厚度及高品質的邊緣299。相較於具有單一粗化表面的發光二極體裝置，基板210之雙重粗化表面可提昇光輸出功率。此外，如上所述，基板210較大的厚度及高品質的邊緣可提昇光輸出功率。發光二極體晶粒398A、398B及398C因而可展現提昇之光輸出功率，包括提昇之光萃取效率(例如提昇之內部及/或外部量子效率)。不同實施例可具有不同優點，任一實施例無需具有特定優點。
第16~21圖為根據第1圖之方法100，所作又一實施例之發光二極體結構400在數個製作步驟一部或全部之剖面圖。第16~21圖之實施例在各種層面與第2~8圖之實施例相似，因此為簡明在第2~8圖及第16~21圖中的相似特徵使用相同參考數字。為使本發明概念簡明易懂，第16~21圖已經過簡化。額外特徵可被加入發光二極體結構400，在發光二極體結構400的其它實施例中，部份以下述及之特徵可被取代或排除。
根據第16圖，發光二極體結構400包括發光二極體晶
圓205。根據第17及18圖，實施一粗化製程於基板210之表面214，因而形成一粗化表面414A。第17及18圖說明之粗化製程與第3~5圖說明之粗化製程相異並敘述如下。粗化表面414A亦可視為一圖案化表面。在第17圖中，發光二極體晶圓205頂面朝下使表面212(「上」表面)外觀上為基板210之「下」表面，表面214(「下」表面)外觀上為基板210之「上」表面。一圖案化硬罩幕層370形成於基板210之表面214上方。一拋光製程475粗化基板210之表面214，因而形成粗化(或圖案化)表面414A。此拋光製程475使用一奈米顆粒拋光液，此奈米顆粒拋光液使用顆粒尺寸小於或等於約5微米之顆粒。在述及之實施例中，此奈米顆粒拋光液為一奈米顆粒氧化鋁(Al2O3)拋光液。此奈米顆粒拋光液或可為一奈米顆粒鑽石(C)拋光液。在一實施例中，拋光製程475以一約為10rpm至500rpm的速度旋轉一研磨盤。在一實施例中，拋光製程475實施於基板210之表面214約30分鐘至約180分鐘。一研磨(grinding)製程可實施於表面214上，舉例而言，在拋光製程475之前薄化上述基板210。此研磨製程使用一具有大於或等於約3微米顆粒尺寸之研磨液。舉例而言，此研磨製程可使用一鑽石研磨盤。在一實施例中，此研磨製程以一約為100rpm至2,000rpm之速度旋轉研磨盤。在一實施例中，此研磨製程實施約5分鐘至60分鐘。
粗化表面414A可促進發光二極體結構400之光萃取效率。選擇適當拋光製程以達到一期望粗化表面414A之外形。在第18圖中，粗化表面414A包括凹陷476。此凹
陷476隨機分佈於基板210之粗化表面414A。凹陷476為奈米尺寸，舉例而言，凹陷476具有一約為1奈米至3,000奈米之平均尺寸。在述及之實施例中，凹陷476在基板210具有小於或等於約4微米的深度。在一實施例中，凹陷476的深度約為3微米至4微米。凹陷476亦具有一平均距離介於相鄰凹陷，舉例而言，此介於凹陷之間的平均距離約為200奈米至5,000奈米。
參考第19~21圖，與第7~9圖之發光二極體結構200相似，發光二極體結構400被分割(單粒化)為數個發光二極體晶粒。舉例而言，發光二極體晶圓205接合基板280，單粒化製程290及295實施在發光二極體晶圓205(特別是基板210)及基板280以提供個別發光二極體晶粒498A、498B及498C。藉由實施上述製程，個別發光二極體晶粒498A、498B及498C包括基板210具有雙重粗化表面(粗化表面212及粗化表面414A)、大於或等於約250μm的厚度及高品質邊緣299。相較於具有單一粗化表面之發光二極體裝置，基板210之雙重粗化表面可增加光輸出功率。此外，如上所述，基板210較大的厚度與高品質邊緣可增加光輸出功率，發光二極體晶粒498A、498B及498C因而可展現增加之光輸出功率，包括提昇之光萃取效率(例如提昇之內部及/或外部量子效率)。不同實施例可具有不同優點，任一實施例無需具有特定優點。
本發明提供數個不同實施例，舉例而言，本發明提供數種發光二極體結構及製作方法。一例示之發光二極體結構包括一結晶基板具有一厚度大於或等於約250μm，其中
上述結晶基板具有一第一粗化表面及一第二粗化表面，此第二粗化表面位於上述第一粗化表面相反側；複數個磊晶層位於上述第一粗化表面上方，此複數個磊晶層被配置為一發光二極體；及另一基板接合至上述結晶基板，使此複數個磊晶層位於上述另一基板及上述結晶基板之第一粗化表面之間。此結晶基板的側壁實質上無雷射燒焦標記。上述結晶基板可為一藍寶石基板，上述另一基板可包括矽。上述結晶基板的厚度可為約250μm至600μm。在一實施例中，此第二粗化表面包括複數個隨機分佈之奈米尺寸凹陷。此隨機分佈之奈米尺寸凹陷可具有約為1奈米至10,000奈米之平均尺寸，約為100奈米至10,000奈米之平均寬度，及/或小於或等於約4微米之深度。介於此隨機分佈之奈米尺寸凹陷的平均距離可為約200奈米至50,000奈米。
另一例示之發光二極體結構包括一底板；以及一發光二極體裝置面朝下且電性連接至此底板。此發光二極體裝置包括一藍寶石基板，其具有大於或等於約250μm之厚度，其中此藍寶石基板包括一第一粗化表面及一第二粗化表面，此第二粗化表面位於上述第一粗化表面相反側，其中此藍寶石基板更包括在上述第一粗化表面及實質上無雷射燒焦之第二粗化表面間延伸之側壁；及一磊晶結構位於上述藍寶石基板之第一粗化表面上方，其中此磊晶結構位於上述底板及上述第一粗化表面之間。此底板可為一矽基板。此第二粗化表面可包括複數個隨機分佈之奈米尺寸凹陷。在一實施例中，此複數個隨機分佈之奈米尺寸凹陷包括峰部及谷部，此谷部為實質上不對稱。在另一實施例中，
此複數個隨機分佈之奈米尺寸凹陷包括沿上述藍寶石基板晶向的數個刻面。
此處所述例示之上述發光二極體結構的製作方法包括形成一磊晶結構於一第一基板之第一粗化表面上方，其中此磊晶結構被配置為一發光二極體；形成此第一基板之一第二粗化表面，其中此第二粗化表面位於上述第一粗化表面相反側；接合第一基板至一第二基板，使上述磊晶結構位於第一基板之第一粗化表面與第二基板之間；以及單粒化第一基板及第二基板以形成數發光二極體晶粒，其中上述單粒化第一基板包括使用一隱形切割技術。提供可形成上述粗化表面的數種方法，此粗化方法包括使用一圖案化金屬層作為蝕刻罩幕之乾蝕刻製程，使用一圖案化硬罩幕層作為蝕刻罩幕之濕蝕刻製程，及使用一奈米顆粒拋光液之拋光製程。
在一實施例中，一方法包括形成複數個磊晶層於一第一基板之第一表面上方，此複數個磊晶層被配置以形成一發光二極體；形成一圖案化金屬層於此基板之第二表面上方，此第二表面位於上述第一表面反側，其中此圖案化金屬層具有開口於其上以露出上述基板；及實施一乾蝕刻製程以移除基板露出部份，因此形成此基板之一第二粗化表面，其中此乾蝕刻製程使用上述圖案化金屬層作為蝕刻罩幕。上述方法可更包括形成上述複數個磊晶層之前粗化上述基板之第一表面。在一實施例中，上述方法更包括接合上述基板至另一基板使上述複數個磊晶層位於基板之第一表面與另一基板之間。基板可為一藍寶石基板，圖案化金
屬層可包括鎳、鉻或上述任意組合。形成圖案化金屬層可包括使用一剝離製程。在一實施例中，上述乾蝕刻製程可使用一含氯蝕刻氣體、一含氬蝕刻氣體或上述任意組合。
在另一實施例中，一方法包括形成複數個磊晶層於一基板之第一表面上方，此複數個磊晶層被配置以形成一發光二極體；及實施一使用奈米顆粒拋光液之拋光製程於上述基板之第二表面上，此第二表面位於上述第一表面反側，因而形成上述基板之一第二粗化表面。此方法可更包括在形成複數個磊晶層前先粗化上述基板之第一表面。上述方法可更包括實施拋光製程前實施一研磨製程於上述基板之第二表面上。上述奈米顆粒拋光液具有一小於或等於約1微米之顆粒尺寸，在一實施例中，此奈米顆粒拋光液為一奈米顆粒氧化鋁(Al2O3)拋光液。上述第二粗化表面包括複數個奈米尺寸凹陷於上述基板上。此基板可為一藍寶石基板。
在又一實施例中，一方法包括形成複數個磊晶層於一基板之第一表面上方，此複數個磊晶層被配置以形成一發光二極體；形成一圖案化硬罩幕層於此基板之第二表面上方，此第二表面位於上述第一表面反側，其中此圖案化硬罩幕層具有開口於其上以露出基板；實施一濕蝕刻製程以移除基板露出部份，因而形成此基板之一第二粗化表面，其中此濕蝕刻製程使用上述圖案化硬罩幕層作為蝕刻罩幕；接合上述基板至另一基板，使複數個磊晶層位於此基板之第一表面及上述另一基板之間。此方法可更包括形成上述複數個磊晶層之前粗化上述基板之第一表面。上述圖
案化光阻層可為一圖案化氮化矽層或一圖案化氧化矽層。在一實施例中，上述濕蝕刻製程使用一包括硫酸(H2SO4)、亞磷酸(H2PO3)或上述任意組合之濕蝕刻溶液。在一實施例中，此濕蝕刻製程同時移除上述圖案化硬罩幕層。此濕蝕刻製程可形成複數個凹陷於上述基板上，其中此複數個凹陷具有在此基板晶面之數個刻面。
在又一實施例中，一發光二極體(LED)結構包括一結晶基板，其具有一第一粗化表面及一第二粗化表面，此第二粗化表面位於上述第一粗化表面相反側；複數個磊晶層位於此第一粗化表面上方，此複數個磊晶層被配置以形成一發光二極體；及另一基板接合至此結晶基板，使上述複數個磊晶層位於上述另一基板及上述結晶基板之第一粗化表面之間。此第二表面包括具有一介於約1奈米至5,000奈米之平均尺寸的複數個隨機分佈之凹陷。此結晶基板可為一藍寶石基板。介於此凹陷之平均距離約為500奈米至10,000奈米之間。
雖然本發明已以數個較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧方法
110、120、130、140、150‧‧‧步驟
200、300、400‧‧‧發光二極體結構
205‧‧‧發光二極體晶圓
210‧‧‧基板
212‧‧‧基板210之上表面
214‧‧‧基板210之下表面
214A、314A、414A‧‧‧粗化表面
220、230、240‧‧‧磊晶層
250、260‧‧‧金屬層
270‧‧‧圖案化金屬層
275、375‧‧‧蝕刻製程
276、376、476‧‧‧凹陷
280‧‧‧基板
285‧‧‧接合金屬
290、295‧‧‧單粒化製程
298A、298B、298C‧‧‧發光二極體晶粒
299‧‧‧發光二極體晶粒之側壁(邊緣)
370‧‧‧圖案化硬罩幕層
475‧‧‧拋光製程
第1圖為根據本發明各層面所作之流程圖，用以說明一發光二極體結構的製作方法。
第2~8圖為根據第1圖之方法，所作一發光二極體結
構在各製作步驟一部或全部之剖面圖。
第9~15圖為根據第1圖之方法，所作另一發光二極體結構在各製作步驟一部或全部之剖面圖。
第16~21圖為根據第1圖之方法，所作又一發光二極體結構在各製作步驟一部或全部之剖面圖。
200‧‧‧發光二極體結構
210‧‧‧基板
212‧‧‧基板210之上表面
214A‧‧‧粗化表面
220、230、240‧‧‧磊晶層
250、260‧‧‧金屬層
280‧‧‧基板
285‧‧‧接合金屬
298A、298B、298C‧‧‧發光二極體晶粒
299‧‧‧發光二極體晶粒之側壁(邊緣)
Claims (10)
- 一種發光二極體結構，包括：一藍寶石基板，其具有一大於或等於約250μm之厚度，其中該藍寶石基板具有一第一粗化表面及一第二粗化表面，該第二粗化表面位於該第一粗化表面相反側；複數個磊晶層，位於該第一粗化表面，該複數個磊晶層被配置為一發光二極體；以及另一基板，接合接合至該藍寶石基板，使該複數個磊晶層位於該另一基板及該藍寶石基板之第一粗化表面之間，其中該另一基板包括至少二個導電端子連接至該發光二極體之相反接點。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該藍寶石基板之側壁實質上無雷射燒焦標記。
- 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體結構，其中該第二粗化表面包括複數個隨機分佈之奈米尺寸凹陷。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構，其中該複數個隨機分佈之奈米尺寸凹陷具有一約為1奈米至10,000奈米之平均尺寸，介於該隨機分佈之奈米尺寸凹陷的平均距離約為200奈米至50,000奈米。
- 如申請專利範圍第3項所述之發光二極體結構，其中該隨機分佈之奈米尺寸凹陷具有一約為100奈米至10,000奈米之平均寬度及/或一小於或等於約4微米之深度。
- 一種發光二極體的製作方法，包括：形成一磊晶結構於一第一基板之第一粗化表面上，其 中該磊晶結構被配置為一發光二極體；形成一第二粗化表面於該第一基板上，其中該第二粗化表面位於該第一粗化表面相反側；接合該第一基板至一第二基板，使該磊晶結構設置於該第一基板之第一粗化表面及該第二基板之間；以及單粒化該第一基板及該第二基板以形成發光二極體晶粒，其中該單粒化該第一基板包括使用一隱形切割技術。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的製作方法，其中於該第一基板上不實施薄化製程。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的製作方法，其中該形成該第一基板之第二粗化表面包括：形成一圖案化金屬層於該第一基板之一第二表面，其位於該第一粗化表面相反側，其中該圖案化金屬層於該處具有開口露出該第一基板；以及實施一乾蝕刻製程以移除該露出之第一基板部份，因此形成該第一基板之第二粗化表面，其中該乾蝕刻製程使用該圖案化金屬層作為蝕刻罩幕。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的製作方法，其中形成該第一基板之第二粗化表面包括實施一拋光製程，其使用一奈米顆粒拋光液於位於該第一粗化表面相反側之該第一基板之第二表面，因此形成該基板之第二粗化表面。
- 如申請專利範圍第6項所述之發光二極體的製作方法，其中形成該第一基板之第二粗化表面包括：形成一圖案化硬罩幕層於該第一基板之第二表面，該 第二表面位於該第一粗化表面之反側，其中該圖案化硬罩幕層於該處具有開口露出該第一基板；以及實施一濕蝕刻製程以移除該露出之第一基板部份，因此形成該第一基板之第二粗化表面，其中該濕蝕刻製程使用該圖案化金屬層作為蝕刻罩幕。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/308,784 US20130140592A1 (en) | 2011-12-01 | 2011-12-01 | Light emitting diode with improved light extraction efficiency and methods of manufacturing same |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201324860A true TW201324860A (zh) | 2013-06-16 |
Family
ID=48497376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101138575A TW201324860A (zh) | 2011-12-01 | 2012-10-19 | 發光二極體結構及製作方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130140592A1 (zh) |
| CN (1) | CN103137814A (zh) |
| TW (1) | TW201324860A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI548114B (zh) * | 2014-04-24 | 2016-09-01 | 榮創能源科技股份有限公司 | 覆晶式半導體發光元件及其製造方法 |
| TWI567887B (zh) * | 2014-06-11 | 2017-01-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
| TWI585858B (zh) * | 2015-07-13 | 2017-06-01 | 格羅方德半導體公司 | 在非平坦矽表面上之應力鬆弛緩衝層 |
| TWI727069B (zh) * | 2016-08-17 | 2021-05-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 發光二極體晶片之製造方法及發光二極體晶片 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120100193A (ko) * | 2011-03-03 | 2012-09-12 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 칩 |
| FR2984769B1 (fr) * | 2011-12-22 | 2014-03-07 | Total Sa | Procede de texturation de la surface d'un substrat de silicium, substrat structure et dispositif photovoltaique comportant un tel substrat structure |
| TWI581451B (zh) * | 2012-05-21 | 2017-05-01 | 晶元光電股份有限公司 | 光電元件及其製造方法 |
| US8981534B2 (en) * | 2012-09-14 | 2015-03-17 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Pre-cutting a back side of a silicon substrate for growing better III-V group compound layer on a front side of the substrate |
| US9269662B2 (en) * | 2012-10-17 | 2016-02-23 | Cree, Inc. | Using stress reduction barrier sub-layers in a semiconductor die |
| CN103066178B (zh) * | 2012-12-29 | 2015-07-29 | 映瑞光电科技(上海)有限公司 | 一种倒装光子晶体led芯片及其制造方法 |
| CN105556684B (zh) * | 2013-07-22 | 2019-10-18 | 亮锐控股有限公司 | 分离形成在衬底晶片上的发光设备的方法 |
| CN104377276B (zh) * | 2013-08-16 | 2018-04-27 | 刘艳 | 覆晶led芯片的制作方法 |
| JP5553292B1 (ja) * | 2013-12-03 | 2014-07-16 | エルシード株式会社 | Ｌｅｄ素子 |
| JP2015201488A (ja) * | 2014-04-04 | 2015-11-12 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 積層体、及びこれを用いた発光素子の製造方法 |
| DE102014117591A1 (de) * | 2014-12-01 | 2016-06-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl an Halbleiterchips und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen oder optoelektronischen Bauelements und elektronisches oder optoelektronisches Bauelement |
| CN104625425B (zh) * | 2014-12-29 | 2018-03-30 | 国家电网公司 | 一种大功率电力电子器件晶圆隐形激光切割方法 |
| CN104538514B (zh) * | 2014-12-31 | 2017-07-11 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 倒装led芯片结构及其制作方法 |
| US9899569B2 (en) * | 2015-04-23 | 2018-02-20 | Research Cooperation Foundation Of Yeungnam University | Patterned substrate for gallium nitride-based light emitting diode and the light emitting diode using the same |
| EP3248226B1 (en) * | 2015-11-04 | 2020-02-26 | Goertek Inc. | Micro-led transferring method and manufacturing method of micro-led device |
| JP6776859B2 (ja) * | 2016-12-09 | 2020-10-28 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材の製造方法、波長変換部材及び発光デバイス |
| US10710872B2 (en) * | 2016-12-13 | 2020-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MEMS package with roughend interface |
| JP6976111B2 (ja) * | 2017-09-11 | 2021-12-08 | エイブリック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| CN109545930A (zh) * | 2018-11-23 | 2019-03-29 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种提高倒装led芯片发光效率的工艺制作方法 |
| JP7169513B2 (ja) * | 2019-12-23 | 2022-11-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子の製造方法 |
| DE102020103433A1 (de) | 2020-02-11 | 2021-08-12 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren |
| TWI736334B (zh) | 2020-06-23 | 2021-08-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體 |
| CN112216770A (zh) * | 2020-09-30 | 2021-01-12 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种大发光角度衬底的加工方法 |
| CN112216771A (zh) * | 2020-10-08 | 2021-01-12 | 扬州中科半导体照明有限公司 | 一种大发光角度的Mini-LED芯片用衬底的制造方法 |
| CN114597138A (zh) * | 2020-12-03 | 2022-06-07 | 群创光电股份有限公司 | 半导体封装的制造方法 |
| CN113054064B (zh) * | 2021-03-22 | 2022-04-22 | 华南师范大学 | 高外量子效率的深紫外led及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4046485B2 (ja) * | 2001-06-05 | 2008-02-13 | シャープ株式会社 | 窒化物系化合物半導体発光素子 |
| KR100649494B1 (ko) * | 2004-08-17 | 2006-11-24 | 삼성전기주식회사 | 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
| KR100601138B1 (ko) * | 2004-10-06 | 2006-07-19 | 에피밸리 주식회사 | Ⅲ-질화물 반도체 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN100585885C (zh) * | 2006-01-27 | 2010-01-27 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 蓝宝石衬底粗糙化的发光二极管及其制造方法 |
| KR101039880B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 발광소자 패키지 |
| US8329482B2 (en) * | 2010-04-30 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | White-emitting LED chips and method for making same |
-
2011
- 2011-12-01 US US13/308,784 patent/US20130140592A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-10-11 CN CN2012103844652A patent/CN103137814A/zh active Pending
- 2012-10-19 TW TW101138575A patent/TW201324860A/zh unknown
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI548114B (zh) * | 2014-04-24 | 2016-09-01 | 榮創能源科技股份有限公司 | 覆晶式半導體發光元件及其製造方法 |
| US9680059B2 (en) | 2014-04-24 | 2017-06-13 | Advanced Optoelectronic Technology, Inc. | Flip chip light emitting diode and method for manufacturing the same |
| TWI567887B (zh) * | 2014-06-11 | 2017-01-21 | 矽品精密工業股份有限公司 | 封裝結構及其製法 |
| TWI585858B (zh) * | 2015-07-13 | 2017-06-01 | 格羅方德半導體公司 | 在非平坦矽表面上之應力鬆弛緩衝層 |
| TWI727069B (zh) * | 2016-08-17 | 2021-05-11 | 日商迪思科股份有限公司 | 發光二極體晶片之製造方法及發光二極體晶片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130140592A1 (en) | 2013-06-06 |
| CN103137814A (zh) | 2013-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW201324860A (zh) | 發光二極體結構及製作方法 | |
| US11677044B2 (en) | Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening | |
| US8273593B2 (en) | Method for production of a radiation-emitting semiconductor chip | |
| TWI726494B (zh) | 分離形成於基板晶圓上之發光裝置之方法 | |
| US7915714B2 (en) | Semiconductor light emitting element and wafer | |
| US7439091B2 (en) | Light-emitting diode and method for manufacturing the same | |
| JP6419077B2 (ja) | 波長変換発光デバイス | |
| TW201501366A (zh) | 頂部發射半導體發光裝置 | |
| US9337388B2 (en) | Method for producing a semiconductor layer sequence, radiation-emitting semiconductor chip and optoelectronic component | |
| JP2013106020A (ja) | 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法 | |
| JP6321013B2 (ja) | 成形された基板を含む発光デバイス | |
| JP2009283762A (ja) | 窒化物系化合物半導体ｌｅｄの製造方法 | |
| JP2005302804A (ja) | 発光ダイオード及びその製造方法 | |
| JP5702165B2 (ja) | 表面粗化による高効率窒化ガリウムベースの発光ダイオード | |
| JP2006135222A (ja) | エッチング方法及び半導体素子の製造方法 | |
| TWI415300B (zh) | 半導體晶圓及半導體裝置及製造半導體晶圓及裝置之方法 |