TW201316574A - 二部之可撓性發光半導體裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種發光半導體裝置，其包含一可撓性介電層、一位於該介電層之至少一側上的傳導層、位於介電基板中之至少一腔室或介層孔，及一由該腔室或介層孔支撐之發光半導體。本發明亦提供一種支撐物品，其包含一可撓性介電層、一位於至少一側上之傳導層，及位於介電基板中之至少一腔室或介層孔。本發明進一步提供一種可撓性發光半導體裝置系統，其包含附接至上述支撐物品之上述發光半導體裝置。

Description

二部之可撓性發光半導體裝置
本發明係關於可撓性高功率發光半導體裝置。
習知發光半導體(LES)(包括發光二極體(LED)及雷射二極體)、及LES裝置(LESD)及含有LESD之封裝具有若干缺陷。高功率LESD產生必須加以管理之大量熱。熱管理應付由熱耗散及熱應力產生之問題，其在當前為限制發光二極體之效能的一關鍵因素。
一般而言，LES裝置通常傾向於遭受由自裝置內產生之熱以及在外部照明應用之狀況下來自太陽光之熱的累積引起的損壞。過多熱累積可導致LES裝置中所使用之材料(諸如LESD之囊封劑)的劣化。當將LESD附接至可撓性電路層合物(其亦可包括其他電組件)時，極大地增加了熱耗散問題。
當將LESD封裝至子基板裝置(其接著被附接至諸如金屬芯PCB(MPCB)、金屬絕緣基板(MIS)、Bergquist熱板、COOLAM基板等之輔助驅動器系統)中時，子基板之熱效能取決於結構中之每一元件的熱阻，該等元件包括子基板裝置、輔助驅動器及散熱片。在許多狀況下，輔助驅動器限制了子基板裝置之熱效能。因此，持續需要改良支撐物品及封裝之設計以改良其熱耗散性質。
本發明之至少一態樣提供一種經由穩固之可撓性LESD 建構之用於當前及未來高功率LESD建構的具成本效益之熱管理解決方案。需要耗散大量熱的能力以實現高功率LESD陣列之操作。根據本發明之至少一實施例，可藉由將LESD整合至一系統中來管理熱耗散，該系統具有一使用介層孔或腔室來實現更好之熱管理的可撓性介電層。在本發明之至少一些實施例中，為了產生該等介層孔或腔室，執行蝕刻穿過介電層(對於介層孔)或蝕刻至介電層中(對於腔室)。
本發明之至少一實施例提供一發光半導體裝置Z，其包含：一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有延伸穿過介電層之第一介層孔及第二介層孔中的一者或兩者及一自介電層之第一表面延伸至第二表面或朝第二表面延伸的腔室或第三介層孔，該第一傳導層包含與該第一介層孔及該第二介層孔中之一者或兩者電接觸的傳導特徵，該腔室或第三介層孔至少部分地填充有傳導材料，該第二傳導層包含與該第一介層孔及該第二介層孔中之一者或兩者電接觸的傳導特徵；該腔室或第三介層孔經組態成收納一發光半導體。在至少一實施例中，該第一介層孔及該第二介層孔中之一者或兩者可為中空電鍍介層孔。在至少一實施例中，第二傳導層可進一步包含一與該第三介層孔或腔室對準之傳導特徵。在至少一實施例中，第二層之傳導特徵可延伸於該第三介層孔或腔室之至少一部分之下且彼此電隔離。
本發明之至少一實施例提供一支撐物品Y，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有第一主要表面且具有一其上具有傳導層之第二主要表面，該介電層具有自第一主要表面朝第二主要表面延伸或延伸至第二主要表面的至少兩個鄰近腔室或介層孔，該兩個或兩個以上之腔室或介層孔各自經組態成收納安裝於該支撐物品上之LES封裝的一或多個底部接點，其中由單一腔室或介層孔收納之接點具有相同或中性之極性。在至少一實施例中，位於介電層之第二主要表面上的傳導層包含一安置於每一介層孔下方之傳導特徵。在至少一實施例中，介電層之第一主要表面具有一位於其上之傳導層。在至少一實施例中，位於介電層之第一主要表面上的傳導層延伸至腔室或介層孔中。在至少一實施例中，該等腔室或介層孔含有傳導材料。
本發明之至少一實施例提供一可撓性LESD系統X，其包含發光半導體裝置Z之實施例及支撐物品Y之實施例，其中發光半導體裝置之第二傳導層的傳導特徵在支撐物品之腔室或介層孔中產生電連接及熱連接中之一者或兩者。
本發明之至少一實施例提供一可撓性LESD系統V，其包含發光半導體裝置Z之實施例及一支撐物品之實施例，該支撐物品包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面的至少一腔室或介層孔，該至少一腔室或介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含一安置於該腔室 或介層孔頂上之第一傳導特徵及經安置成鄰近於該第一傳導特徵之至少一第二傳導特徵。在至少一實施例中，含有傳導材料之腔室或介層孔安置於支撐物品之至少一第二傳導特徵之下。在至少一實施例中，支撐物品之可撓性介電層的第二主要表面具有位於其上之第二傳導層。
本發明之至少一實施例提供一可撓性LESD系統U，其包含發光半導體Z之實施例及一支撐物品之實施例，該支撐物品包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有至少一腔室或介層孔，該至少一腔室或介層孔自第一主要表面朝第二主要表面延伸或延伸至第二主要表面且含有形成至少兩個電隔離之傳導特徵的傳導材料。在至少一實施例中，發光半導體裝置之一個或兩個傳導特徵包含一突起，且該等電隔離之特徵中之至少一者包含一經組態成收納發光半導體裝置之突起的凹入。
在以下段落中描述本發明之額外實施例。
實施例A：本發明之至少一態樣提供一發光半導體裝置，其包含：一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有延伸穿過該介電層之兩個介層孔及一自該介電層之第一表面延伸至第二表面或朝第二表面延伸的第三介層孔或腔室，該第一傳導層包含與該兩個介層孔中之每一者電接觸的傳導襯墊，該第一 傳導層進一步延伸至該第三介層孔或腔室中，該第二傳導層包含與該兩個介層孔中之每一者電接觸的傳導襯墊及視情況一與第二表面中之介層孔開口或與腔室底面對準的傳導特徵；該腔室或介層孔視情況填充有傳導材料；及一位於該介層孔或腔室中之發光半導體。該兩個介層孔之全部或一部分可包含中空電鍍介層孔。該第三介層孔或腔室可含有除包含延伸至該第三介層孔或腔室中之傳導層的傳導材料之外的傳導材料。
實施例B：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面的至少一腔室或介層孔，該至少一腔室或介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含一安置於該腔室或介層孔頂上之傳導特徵及經安置成鄰近於該傳導特徵之傳導襯墊。
實施例C：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面之三個腔室或介層孔，該三個腔室或介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含一安置於一個腔室或介層孔頂上之傳導特徵及經安置成鄰近於該傳導特徵及在其他兩個腔室或介層孔頂上之傳導襯墊。
實施例D：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包 含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面之兩個腔室或介層孔，該兩個腔室或介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含一安置於每一腔室或介層孔頂上之傳導襯墊。
實施例E：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面的一個腔室及一個介層孔，該腔室及該介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含一安置於該腔室及該介層孔中之每一者頂上的傳導襯墊。
實施例F：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面的一個腔室或介層孔，該腔室或介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含兩個傳導襯墊，該等傳導襯墊中之一者安置於該腔室或介層孔頂上。
實施例G：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有自第一主要表面朝第二主要表 面延伸或延伸至第二主要表面的兩個腔室或介層孔；該第一傳導層延伸至該兩個腔室或介層孔中；且該兩個腔室或介層孔視情況含有額外之傳導材料。
實施例H：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有自第二主要表面朝第一主要表面延伸或延伸至第一主要表面的兩個腔室或介層孔；該第二傳導層延伸至該兩個腔室或介層孔中；該兩個腔室或介層孔視情況含有額外之傳導材料；且該第一傳導層包含一安置於該等腔室或介層孔中之每一者頂上的傳導襯墊。
實施例I：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有自第一主要表面朝第二主要表面延伸或延伸至第二主要表面之至少一腔室或介層孔；該第一傳導層延伸至該至少一腔室或介層孔中；且該至少一腔室或介層孔含有一傳導特徵及兩個傳導襯墊，該等傳導襯墊彼此電絕緣且與該傳導特徵電絕緣。
實施例J：本發明之至少一態樣提供一可撓性LESD系統，其包含實施例A之發光半導體裝置及實施例B或C之支撐物品，其中可撓性發光半導體裝置之第二傳導層的傳導襯墊電連接及熱連接至支撐物品之第一傳導層的傳導襯墊且發光半導體裝置之第二傳導層的傳導特徵熱連接至支撐 物品之第一傳導層的傳導特徵。
實施例K：本發明之至少一態樣提供一可撓性LESD系統，其包含實施例A之發光半導體裝置及實施例D、E、F或H之支撐物品，其中發光半導體裝置之第二傳導層的傳導襯墊係電連接及熱連接至支撐物品之第一傳導層之傳導襯墊中的一種情況或兩種情況。
實施例L：本發明之至少一態樣提供一可撓性LESD系統，其包含實施例A之發光半導體裝置及實施例G之支撐物品，其中發光半導體裝置之第二傳導層的傳導襯墊係電連接及熱連接至支撐物品之腔室或介層孔中之傳導材料中的一種情況或兩種情況。
實施例M：本發明之至少一態樣提供一系統，其包含實施例A之發光半導體裝置及實施例I之支撐物品，其中發光半導體裝置之第二傳導層的傳導襯墊電連接及熱連接至支撐物品之第一傳導層的傳導襯墊，且發光半導體裝置之第二傳導層的傳導特徵熱連接至支撐物品之第一傳導層的傳導特徵。
實施例N：本發明之至少一態樣提供一發光半導體裝置，其包含：一可撓性介電層，其具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有一自該介電層之第一主要表面朝第二主要表面延伸或延伸至第二主要表面的腔室或介層孔，該第一傳導層延伸至該腔室或介層孔中；該腔室或介層孔視情況填充有額外之傳導材料；及一位於該腔室或介 層孔中之發光半導體。
實施例O：本發明之至少一態樣提供一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有自第一主要表面朝第二主要表面延伸或延伸至第二主要表面之至少一腔室或介層孔；該第一傳導層延伸至該至少一腔室或介層孔中；該至少一腔室或介層孔視情況含有額外之傳導材料。
實施例P：本發明之至少一態樣提供一可撓性LESD系統，其包含實施例N之發光半導體裝置及實施例O之支撐物品，其中該發光半導體裝置之第二傳導層係電連接及熱連接至支撐物品之腔室或介層孔中之傳導材料中的一種情況或兩種情況。
實施例Q：本發明之至少一態樣提供實施例N之發光半導體裝置，其進一步包含自第二傳導層延伸之突起。
實施例R：本發明之至少一態樣提供實施例O之支撐物品，其進一步包含位於傳導層或傳導材料(位於腔室或介層孔中)中之凹入。
實施例S：本發明之至少一態樣提供一可撓性LESD系統，其包含實施例Q之發光半導體裝置及實施例R之支撐物品，其中自發光半導體裝置之第二傳導層延伸的突起可配合至支撐物品之傳導層或傳導材料(位於腔室或介層孔中)中之凹入中。
如本申請案中所使用： 「LES」意謂發光半導體，其包括發光二極體及雷射二極體；「LESD」意謂發光半導體裝置，其包括發光二極體裝置及雷射二極體裝置；LESD可為裸LES晶粒建構、完整之已封裝LES建構或包含多於裸晶粒但少於完整之LES封裝之所有組件的中間LES建構，使得術語LES及LESD可互換地使用且指代不同LES建構中之一者或全部；「離散LESD」通常指代經「封裝」且準備好一旦連接至電源(諸如包括MCPCB、MIS等之驅動電路)便起作用的一或多個LESD。可適合用於本發明之實施例中的離散LESD之實例包括Golden DRAGON LED(獲自德國之OSRAM Opto Semiconductors GmbH)、LUXEON LED(獲自USA之Philips Lumileds Lighting Company)及XLAMP LED(獲自USA之Cree,Inc.)，以及本文中所描述之離散LESD及類似之裝置。
「支撐物品」意謂附接有一或多個離散LESD之電路化可撓性物品；本發明之支撐物品的市售替代例可包括金屬芯印刷電路板(MCPCB)、金屬絕緣基板(MIS)、Bergquist熱板及COOLAM熱基板。
「可撓性LESD」通常指代具有一或多個附接之離散LESD的支撐物品。
本發明之至少一實施例的優點係：使用具有離散LESD之本發明之支撐物品可減小發光裝置之總熱阻。
使用具有離散LESD之本發明之支撐物品可允許快速及具成本效益之修復，因為(例如)個別有缺陷之LESD可容易自介層孔或腔室脫離及移除並用新LESD來進行替換。
含有傳導材料之本發明之介層孔及腔室提供優異之Z軸熱導率。
介層孔及腔室之大小及傳導層之表面積可經裁適以提供最佳化之熱阻值。
介層孔及腔室可經設計成容納各種LESD電接點。
使用具有LESD之本發明之支撐物品可消除與習知LED子基板相關聯的成本。
本發明之可撓性LESD可提供用於當前及未來之高功率LESD建構的穩固、具成本效益之熱管理解決方案。
本發明之以上概述並不意欲描述本發明之每一所揭示實施例或每一實施。下文之圖及詳細描述更細緻地例證說明性實施例。
在以下描述中，參考隨附一組圖式，其形成此描述之一部分且其中藉由說明而展示若干特定實施例。應理解，在不背離本發明之範疇或精神的情況下預期及可製造其他實施例。因此，以下詳細描述不應視為具限制性意義。
除非另有指示，否則說明書及申請專利範圍中所使用之表達特徵大小、量及物理性質的所有數字均應理解為在所有情形下由術語「約」修飾。因此，除非有相反指示，否則前述說明書及所附申請專利範圍中所陳述之數值參數為 可視由熟習此項技術者利用本文中所揭示之教示來設法獲得之所要性質而變化的近似值。利用端點使用之數值範圍包括彼範圍內之所有數字(例如，1至5包括1、1.5、2、2.75、3、3.80、4及5)及彼範圍內之任何範圍。
除非另有指示，否則術語「塗佈」、「經塗佈」及其類似者並不限於一特定類型之塗覆方法(諸如噴塗、浸漬塗佈、泛塗(flood coating)等)，且可指代藉由適合於所描述之材料的任何方法(包括諸如氣相沈積法、電鍍法、塗佈法等之沈積方法)而沈積的材料。
如本文中所描述之本發明之例示性實施例可關於一包含介層孔之支撐物品，該等介層孔一直延伸穿過介電層，藉此形成穿過該介電層之開口。替代地，在本發明之支撐物品之一些實施例中，介電層未被蝕刻穿，使得形成一具有一個開放端及一個封閉端的腔室。若如此做，則剩餘介電材料較佳係薄的(例如，高達介電層之厚度的約20%至約30%)。對於具有約50微米之厚度的介電層而言，剩餘介電層之合適之厚度係高達約10微米至15微米(為總介電厚度之約20%至約30%)，在一些實施例中，較佳為約1微米至約5微米，使得其將不顯著地抑制熱轉移。可能需要保持介電材料之此薄層(例如)以提供結構完整性、管理鄰近材料之CTE失配或提供導電特徵或層之間的電障壁。貫穿此描述，意欲關於介層孔所描述之所有實施例皆具有帶有腔室之等效實施例，且反之亦然，除非此替代性實施例將為實體上不可能的。當用介層孔來代替腔室時，或更特定言 之當用腔室來代替介層孔時，可能需要對該等實施例進行修改以建立合適之電連接及路徑。在本發明之至少一些實施例中，位於腔室或介層孔內之傳導材料可整體或部分地包含自可撓性介電層之表面延伸至該腔室或介層孔中之傳導層之一部分。
雖然本文中之實施例通常描述單一LESD或支撐物品上之用於附接LESD的單一位點，但應理解，本發明涵蓋多個LESD及具有用於附接LESD之多個位點的支撐物品。另外，本文中之實施例可包括遍及介電層(例如，鄰近於所附接之LESD)的額外腔室或介層孔，以提供額外之熱耗散特徵。
可使用任何合適之介電層材料來形成用腔室代替介層孔之本發明之實施例。除不能充分加以控制而留下未蝕刻之介電材料之剩餘層的方法係不合適之外，用於形成腔室之合適方法包括與用於形成介層孔之方法基本上相同的方法。
圖1中說明本發明之支撐物品2之至少一實施例，其展示具有填充有傳導材料20之至少一介層孔10的可撓性介電層12，該傳導材料20可為銅或其他傳導材料。介層孔10延伸穿過介電層12且可為任何合適之形狀，例如，圓形、橢圓形、矩形、蛇形、渠溝形、柵格形(例如，形成介電層之島狀物，其由重疊之渠溝的連續圖案分離)等。舉例而言，若介層孔為渠溝狀或柵格狀，則傳導材料20之連續路徑可位於介電層12之外界限內。可撓性介電層12具有第一 主要表面及第二主要表面。頂部傳導層17安置於介電層12之第一主要表面上且可經圖案化以包括其上安置有特徵LESD 24之傳導特徵22，該傳導特徵22可為電隔離之傳導特徵。可使用已知之晶粒結合方法(諸如共熔、焊接、黏著劑及熔合結合)而將LESD 24直接地或間接地附接至傳導特徵22。LESD 24可經由傳導襯墊26及28而導線結合至亦在頂部傳導層17中圖案化成的導電電路。在本發明之至少一些實施例中，傳導襯墊26、28(以及426、426'、428及428')係一特定類型之傳導特徵。可存在頂部傳導層17或底部傳導層16之圖案化特徵且可包含Cu。替代地，其可包含不同材料(諸如Au、AuSn、AuGe或其他合適之材料)。與其他傳導特徵(在一些實施例中其可能僅提供熱連接)相反，其通常提供至少一電連接且可視情況提供熱連接。在一些實施例中，一鈍化或結合層位於LESD 24下方以促進將LESD 24結合至下伏層。在至少一實施例中，導熱層30附接至鄰近於介電層12之第二主要表面的支撐物品，此使導熱層30與介層孔10中之傳導材料20接觸。導熱層30可為具有導熱性之任何材料。舉例而言，傳導基板可為熱界面材料(TIM)、(例如)銅或鋁之金屬條、散熱片或其他熱轉移或熱吸收材料。可使用導熱黏著劑而將導熱層30附接至支撐物品。傳導特徵22、介層孔10中之傳導材料20及導熱層30之並置允許由LESD產生之熱至導熱層30之有效耗散。另外，介層孔10中之傳導材料可提供對傳導特徵22之機械支撐，該傳導特徵22基本上懸掛於介層孔10之開口上方。 在本發明之一替代性實施例中，可將襯層上之黏著劑(例如，具有黏著性質之TIM)應用至傳導材料20，使得可在稍後將支撐物品直接應用至傳導基板或散熱片，而非將導熱層30塗覆至傳導材料20。
圖2A至圖2E展示一種製造圖1中所說明之支撐物品2的方法。將頂部傳導層17塗覆並圖案化於可撓性介電層12之第一側上(圖2A)，接著在可撓性介電層12中形成自可撓性介電層12之第二側延伸至第一側的介層孔10(圖2B)，除了由介層孔10曝露的部分之外，將光阻遮罩應用於頂部傳導層17上方(圖2C)，例如藉由電沈積(諸如電鍍)用傳導材料20來填充介層孔10(藉由使傳導材料累積於傳導層之面對介層孔的表面上)(圖2D)，且移除光阻層(圖2E)。
圖3係圖1之支撐物品之替代性實施例。圖3之支撐物品2具有兩個額外介層孔36及38，該等介層孔36及38在傳導襯墊26及28下方延伸穿過介電層12且填充有傳導材料20，該傳導材料20可為銅或其他傳導材料。此等介層孔可充當電極與熱轉移渠溝兩者。若支撐物品用腔室代替介層孔36及38，則該等腔室可充當熱轉移渠溝，但將不充當電極，因為其將藉由介電材料之薄層而與傳導襯墊26及28絕緣。
圖4說明LESD 24之實施例，其可與圖1之支撐物品2一起使用。LESD 24具有與支撐物品2相同或類似的許多組件。可撓性介電層412具有第一主要表面及第二主要表面。介層孔410、436及438延伸穿過介電層412(自第一表面至第二表面)且可為任何合適之形狀。介層孔410、436及438可 完全填充(如所示)或部分地填充有傳導材料420，該傳導材料420可為銅或其他合適之傳導材料。頂部傳導層417安置於介電層412之第一主要表面上且底部傳導層416安置於可撓性介電層412之第二主要表面上。傳導層416可經圖案化以包括傳導特徵422(其可為電隔離之傳導特徵)以及傳導特徵430及432(其可分別經由介層孔436及438而電連接至傳導襯墊426及428)。可使用已知之晶粒結合方法(諸如共熔、焊接、黏著劑及熔合結合)而將LES 424直接地或間接地(例如，經由傳導材料420)附接至傳導特徵422。頂部傳導層417可包括傳導襯墊426及428。可將LES 424導線結合至傳導襯墊426及428。傳導襯墊426、428可包含Au、AuSn、AuGe或其他合適之材料。在一些實施例中，一鈍化或結合層位於LES 424下方以促進將LES 424結合至下伏層。
圖4'說明類似於圖4之LESD的LESD 24，但具有若干已修改的特徵：介層孔436'及438'具有中空電鍍介層孔(亦即，介層孔之至少一部分具有電鍍壁但未完全填充有傳導材料)。介層孔410'具有位於其壁上之傳導材料420，但在傳導特徵422上沒有傳導材料420。此可(例如)藉由在將傳導材料420塗覆至介層孔410'之壁之後產生傳導特徵422來實現。傳導襯墊426'及428'位於介層孔436'及438'之頂部邊緣處(或周圍)。LES 424直接擱置於傳導特徵422上。底部傳導層416視情況比頂部傳導層417厚。
圖5說明圖4之LESD 24，其附接至圖1之支撐物品2。在 此實施例中，傳導特徵430及432藉由焊料34而分別附接至傳導襯墊26及28，以建立電(及熱)路徑且傳導特徵422藉由焊料34而附接至傳導特徵22以建立熱路徑。
圖6說明支撐物品2之實施例，其具有可撓性介電層12，該可撓性介電層12具有分別在形成於頂部傳導層17中之傳導襯墊26及28下方延伸穿過可撓性介電層12的兩個介層孔36及38。介層孔36及38填充有傳導材料20，該傳導材料20可為銅或其他傳導材料。此等介層孔可充當電極與熱轉移渠溝兩者。若支撐物品用腔室代替介層孔36及38，則該等腔室可充當熱轉移渠溝，但將不充當電極，因為其將藉由介電材料之薄層而與傳導襯墊26及28絕緣。圖6中展示一任選之導熱層30，其可包含熱界面材料(TIM)。
圖7說明支撐物品2之實施例，除存在一在傳導襯墊26之下延伸穿過介電層12的介層孔36及一位於傳導襯墊28之下的腔室38'之外，其類似於圖6之支撐物品。在此組態中，介層孔36將電連接至傳導襯墊26，腔室38'將不電連接至襯墊28，但介層孔36與腔室38'兩者將充當熱轉移渠溝。
圖8說明支撐物品2之實施例，除僅存在一在傳導襯墊26之下延伸穿過介電層12的介層孔36之外，其類似於圖6及圖7之支撐物品。在傳導襯墊28之下不存在介層孔或腔室。一任選之傳導基板30(例如，TIM層)可附接至介電層12之第二表面。
圖9A及圖9B說明支撐物品2之實施例，其中腔室11(圖9A)或介層孔10(圖9B)自介電層12之第一側延伸至第二 側。圖9A包括位於介電層12之第二表面上的底部傳導層16及位於介電層12之第一表面上的頂部傳導層17。頂部傳導層17在介電層12之第一表面上被圖案化且延伸至腔室11中。腔室11可含有額外之傳導材料(未圖示)。底部傳導層16可經圖案化或未經圖案化且與腔室11電絕緣。圖9B包括位於介電層12之第二表面上的底部傳導層16及位於介電層12之第一表面上的頂部傳導層17。頂部傳導層17在介電層12之第一表面上被圖案化且延伸至介層孔10中。介層孔10完全延伸穿過介電層12且可含有額外之傳導材料(未圖示)。底部傳導層16至少經圖案化以使介層孔10彼此電隔離。圖9C及圖9D分別說明圖9A及圖9B之支撐物品2，藉由使用焊料34將傳導特徵430及432焊料結合至腔室11或介層孔10中，已將LESD 24附接至該等支撐物品2(展示於回焊之前)。一任選之導熱層(未圖示)(例如，TIM層)可附接至底部傳導層16。圖9C及圖9D中所說明之實施例(其中焊料34(未按比例展示)被置放於腔室11或介層孔10中)提供水平焊接襯墊之額外優點。當腔室11或介層孔10中之焊料經回焊時，其由腔室或介層孔之壁固持於適當位置且形成焊料結合特徵430及432可附接至之水平面(如圖14及圖15中所說明)。
圖10A及圖10B說明支撐物品2之實施例，其中腔室11(圖10A)或介層孔10(圖10B)自介電層12之第二側延伸至第一側。圖10A包括位於介電層12之第二表面上的傳導層16及位於介電層12之第一表面上的頂部傳導層17。底部傳導層 16在介電層12之第二表面上被圖案化且延伸至腔室11中。腔室11可含有額外之傳導材料(未圖示)。頂部傳導層17經圖案化以形成LESD可附接至之傳導襯墊26及28。此等傳導襯墊與腔室11電絕緣。圖10B包括位於介電層12之第二表面上的傳導層16及位於介電層12之第一表面上的頂部傳導層17。傳導層16在介電層12之第二表面上被圖案化且延伸至介層孔10中。介層孔10完全延伸穿過介電層12且可含有額外之傳導材料(未圖示)。頂部傳導層17經圖案化以形成LESD可附接至之傳導襯墊26及28。此等傳導襯墊電連接至介層孔10。圖10C及圖10D分別說明圖10A及圖10B之支撐物品2，藉由使用焊料34將傳導特徵430及432焊料結合至傳導襯墊26及28，已將LESD 24附接至該等支撐物品2。一任選之導熱層30(例如，TIM層)可附接至傳導層16，且傳導材料32(例如，TIM)可置放至介層孔10及腔室11中，如圖10C及圖10D中所說明。如圖10C及圖10D中所說明，若傳導層30包含一致之材料，則其可流至或被按壓至腔室11或介層孔10中，藉此允許在單一步驟中塗覆傳導層30及傳導材料32。替代地，傳導材料32可包含與傳導層30不同(或相同)之材料且可在不同步驟中塗覆。
圖11A說明本發明之LESD之實施例，除圖11A之LESD 24具有腔室411而非介層孔之外，其類似於圖4之LESD。圖11A'說明本發明之LESD 24之實施例，其類似於圖11A之LESD但具有一些例外之處。在圖11A'中，LES 424具有頂部接點與底部接點兩者，使得僅需要一個導線結合。導線 結合408將LES 424之頂部接點連接至傳導襯墊426'，該傳導襯墊426'經由介層孔436"而電連接至焊料結合特徵430。LES 424之底部接點經由頂部傳導層417(包括頂部傳導層417之延伸至腔室411中的部分)而連接至傳導襯墊428'。傳導襯墊428'經由介層孔438"而電連接至焊料結合特徵432。介層孔436"及438"部分地包含中空電鍍介層孔(亦即，介層孔之至少一部分具有電鍍壁但未完全填充有傳導材料)。然而，與圖4'之中空電鍍介層孔436'及438'形成對比，介層孔436"及438"具有填充介層孔之底部部分的傳導材料。此可(例如)藉由在將傳導材料沈積於介層孔中之前塗覆底部傳導層416來實現。傳導襯墊426'及428'位於介層孔436'及438'之頂部邊緣處(或周圍)。底部傳導層416視情況比頂部傳導層417厚。圖11B說明支撐物品2之實施例，其中腔室11自介電層12之第一表面延伸至第二表面，傳導特徵22位於腔室11內且傳導襯墊26及28經圖案化以延伸至腔室11中。底部傳導層16可視情況位於介電層12之第二表面上且一任選之導熱層30(例如，TIM層(未圖示))可視情況塗覆至傳導層16及/或介電層12之第二表面。圖11C說明圖11B之支撐物品，其中圖11A之LESD 24附接至腔室11內之傳導襯墊26及28以及傳導特徵22。在此實施例中，可最小化LESD 24之高於支撐物品2之高度的高度以使物品之總高度保持較低。
圖12A說明LESD 224，其可置放於圖12B之支撐物品2的介層孔10中。LESD 224包括自介電層412之第一表面延伸 至第二表面的腔室411。頂部傳導層417在介電層412之第一表面上被圖案化且延伸至腔室411中。底部傳導層416可視情況位於介電層412之第二表面上。LES 424具有頂部接點與底部接點兩者，使得僅需要一個導線結合。導線結合408將LES 424之頂部接點連接至傳導襯墊426，該傳導襯墊426經由介層孔466而電連接至焊料結合特徵430。LES 424之底部接點經由傳導材料420(例如，焊料或銅)及頂部傳導層417之延伸至腔室411中的部分而連接至傳導襯墊428。傳導襯墊428經由介層孔468而電連接至焊料結合特徵432。間隙440分離焊料結合特徵430與432。圖12A'說明LESD 224，其類似於圖12A之LESD。圖12A'之LESD不同於圖12A之LESD，因為其包含介層孔410而非腔室411且不存在介層孔468及焊料結合襯墊432。實情為，LES 424之底部接點直接經由位於介層孔410中之傳導材料420(及頂部傳導層417之延伸至介層孔410中的部分)而電連接至傳導特徵422(在此實施例中其起到缺少的焊料結合特徵432的用途)。圖12B說明支撐物品2之實施例，其中介層孔10自介電層12之第一表面延伸至第二表面。頂部傳導層17在介電層12之第一表面上被圖案化且延伸至介層孔10中。底部傳導層16可視情況位於介電層12之第二表面上，且導熱層(未圖示)(例如，TIM層)可視情況塗覆於底部傳導層16及/或介電層12之第二表面。一實體間隙40形成於底部傳導層16及介層孔10中之傳導材料中，使得置放於介層孔10中之LES的底部接點將得以電分離。圖12C說明圖12A之LESD 224，其在圖12B之支撐物品的介層孔10中。間隙1240與40對準。在此實施例中，可最小化LESD 224之高於支撐物品2之高度的高度以使物品之總高度保持較低。展示任選之導熱層30。
圖13A說明圖12A之LESD 224之經修改實施例，其具有分別自底部傳導層216之焊料結合特徵430、432延伸的突起440、442。圖13B說明圖12B之支撐物品2之經修改實施例，其中介層孔10包括凹口40、42以用於與LESD 224之配對突起440、442形成電及機械接觸。圖13C說明圖13A之LESD 224，其在圖13B之支撐物品2之介層孔10中。
雖然圖11C、圖12C及圖13C之實施例展示了位於支撐物品之腔室或介層孔中的單一LESD，但可將介層孔或腔室製造成固持多個LESD。
圖14說明支撐物品2之實施例，其中兩個介層孔10自介電層12之頂表面延伸至底表面。底部傳導層16係位於介電層12之底表面上且在介電層12之頂表面上不存在傳導層。傳導層16在介電層12之底表面上被圖案化且包括傳導特徵18，該等傳導特徵18彼此電隔離且該等傳導特徵18中之兩者位於介層孔10下方。介層孔10含有傳導材料20，該傳導材料20可為(例如)焊料。覆晶LESD 24藉由介層孔10中之傳導材料20而附接至支撐物品2。在所說明之實施例中，將焊料遮罩21應用於傳導層16上方。可視情況將反射焊料遮罩22應用於支撐物品2之第一表面(包括在LESD 24(未圖示)之下)。圖14之實施例說明若介層孔10中之傳導材料20 包含焊錫膏或可加以回焊之其他傳導材料，則其提供水平焊接襯墊之額外優點。當介層孔10中之焊料經回焊時，其由介層孔之壁固持於適當位置且形成覆晶LESD 24可附接至之水平面。兩個介層孔10充當覆晶LESD 24之陽極電極及陰極電極。可將一任選之導熱層(其可包含TIM)附接至傳導層16以代替焊料遮罩或與焊料遮罩一起使用。該導熱層可用以將支撐物品2附接至基板(諸如可撓性金屬箔、剛性金屬層或散熱片)。此等基板可由任何合適之材料製成，但其通常為銅或鋁。
圖15說明支撐物品102之實施例，其中三個介層孔110自介電層112之頂表面延伸至底表面。傳導層116係位於介電層112之底表面上且在介電層112之頂表面上不存在傳導層。傳導層116在介電層112之底表面上被圖案化且包括傳導特徵118，該等傳導特徵118彼此電隔離且該等傳導特徵118中之三者位於介層孔110下方。介層孔110含有傳導材料120，該傳導材料120可為(例如)焊料。覆晶LESD 124藉由介層孔110中之傳導材料120而附接至支撐物品102。在所說明之實施例中，將焊料遮罩121應用於傳導層116上方。可視情況將反射焊料遮罩122應用於支撐物品102之第一表面(包括在LESD 24(未圖示)之下)。以與圖14中所說明之實施例相同的方式，若傳導材料120包含焊錫膏或可加以回焊之其他傳導材料，則其提供水平焊接襯墊之額外優點。當介層孔110中之焊料經回焊時，其由介層孔之壁固持於適當位置且形成覆晶LESD 124可附接至之水平面。在 本發明之至少一實施例中，外介層孔110充當陽極電極及陰極電極，且內介層孔110充當熱介層孔以改良經由覆晶LESD 124之中心接觸襯墊自覆晶LESD 124之熱轉移。一任選之導熱層126(其可包含TIM層)附接至焊料遮罩121。導熱層126可用以將支撐物品2附接至基板128(諸如可撓性金屬箔、剛性金屬層或散熱片)。此等基板可由任何合適之材料製成，但其通常為銅或鋁。
圖14及圖15之支撐物品2及102的每一介層孔10及110與LESD 24或124(其具有兩個或兩個以上接點)之一個接點連接。在一些實施例中(其中LESD具有(例如)具有相同極性的兩個接點或其中之一係電中性的兩個接點)，單一介層孔可能與該兩個接點連接，但一第二鄰近介層孔將連接至LESD之具有與連接至第一介層孔之接點的極性相反之極性的接點。
用於本發明之合適之介電層包括聚酯、聚碳酸酯、液晶聚合物及聚醯亞胺。聚醯亞胺係較佳的。合適之聚醯亞胺包括以以下商標名稱獲得之彼等聚醯亞胺：KAPTON(獲自DuPont)；APICAL(獲自Kaneka Texas公司)；SKC Kolon PI(獲自SKC Kolon PI Inc.)；及UPILEX與UPISEL(獲自日本之Ube-Nitto Kasei Industries)。最佳者係以商標名稱UPILEX S、UPILEX SN及UPISEL VT(皆獲自Ube-Nitto Kasei Industries)獲得之聚醯亞胺。此等聚醯亞胺由單體(諸如聯苯二酐(BBDA)及苯基二胺(PDA))製成。在至少一實施例中，介電層之厚度較佳為50微米或更小，但可為適 合於特定應用之任何厚度。
取決於應用，介電層可替代地為諸如FR4之材料。
可最初將介電層(基板)包覆於具有傳導層之一個或兩個側上。若該(等)傳導層將形成為電路，則其可被預先圖案化，或可在製造支撐物品之製程期間被圖案化。亦可將多層可撓性基板(具有介電材料及傳導材料之多個層)用作基板。該等傳導層可為包括銅、金、鎳/金、銀及不鏽鋼之任何合適之材料，但其通常為銅。可以任何合適之方式(諸如濺鍍、電鍍、化學氣相沈積)來塗覆傳導層，或可將傳導層層合至介電層或用黏著劑進行附接。
可使用任何合適之方法(諸如化學蝕刻、電漿蝕刻、聚焦離子束蝕刻、雷射切除、壓紋、微複製、射出成形及衝切)而在介電層中形成介層孔或腔室。在一些實施例中，化學蝕刻可為較佳的。可使用任何合適之蝕刻劑且其可取決於介電層材料而變化。合適之蝕刻劑可包括鹼金屬鹽(例如，氫氧化鉀)；具有增溶劑(例如，胺及醇(諸如乙二醇))中之一者或兩者的鹼金屬鹽。用於本發明之一些實施例的合適之化學蝕刻劑包括KOH/乙醇胺/乙二醇蝕刻劑，諸如在美國專利公開案第2007-0120089-A1號中更詳細描述之蝕刻劑，該案以引用之方式併入本文中。用於本發明之一些實施例的其他合適之化學蝕刻劑包括KOH/甘胺酸蝕刻劑，諸如在同在申請中之美國臨時專利申請案第61/409791號中更詳細描述之蝕刻劑，該案以引用之方式併入本文中。在蝕刻之後，可用鹼性KOH/高錳酸鉀(PPM) 溶液(例如，約0.7至約1.0重量百分比之KOH及約3重量百分比之KMnO4的溶液)來處理介電層。
由化學蝕刻產生之側壁角度係不同的，且最取決於蝕刻速率，其中較慢之蝕刻速率產生較淺之側壁角度。由化學蝕刻產生之典型側壁角度係約5°至約60°，且在至少一實施例中係約25°至約28°。出於本申請案之目的，傾斜之側壁意謂非垂直於介電層之水平面的側壁。亦可使用諸如壓紋、微複製及射出成形之方法來製造具有傾斜側壁的介層孔或腔室。亦可使用諸如衝切、電漿蝕刻、聚焦離子束蝕刻及雷射切除之方法來製造具有傾斜側壁的介層孔或腔室；然而，在使用此等方法的情況下，側壁通常具有更陡峭之角度(例如，高達90°)。
本發明之實施例(具有擁有傾斜側壁之介層孔或腔室)可為較佳的，因為(例如)對於介電層之給定厚度及最接近於傳導特徵之給定介層孔或腔室直徑而言，具有傾斜側壁的介層孔可比具有90°側壁之介層孔含有較多的傳導材料。舉例而言，鄰近於傳導特徵之介層孔的開口通常將由彼傳導特徵之大小來限制；然而，藉由使用傾斜之介層孔側壁，位於介層孔之相反端的開口可放大至一最佳大小使得該介層孔可含有更大量之傳導材料(以自LESD轉移更多熱)且位於此開口處之傳導材料具有大的表面積，該表面積可更有效地與熱轉移或熱吸收材料(諸如熱界面材料(TIM)或金屬基板)介接，該熱轉移或熱吸收材料可附接至介電層及填充有傳導材料之介層孔。
若本發明之實施例中的介層孔具有鄰近於一個開口之傳導層，則可藉由電沈積(諸如電鍍)而使用傳導材料來填充該介層孔(藉由使傳導材料累積於傳導層之面對介層孔的表面上)。
可在本發明之實施例中使用任何合適之TIM。取決於實施例，可將TIM作為液體、膏、凝膠、固體等而塗覆至支撐物品。用於塗覆TIM之合適之方法取決於特定TIM之性質，但其包括精密塗佈、分配、絲網印刷、層合等。
用於固化可固化之TIM的合適之方法包括UV固化、熱固化等。
可將TIM(例如)作為液體或半固體(諸如凝膠或膏)來塗佈，或可以薄片形式來層合TIM。可使用TIM之組合。舉例而言，在一些實施例(諸如圖10C及圖10D中所示之實施例)中，可將第一類型之TIM塗覆於介層孔或腔室中，且可將第二類型之TIM塗覆至介電層之第二主要表面，此將使其與第一類型之TIM接觸。在一些實施例中，TIM亦可為基於黏著劑的。在此實施例中，TIM可直接在一側黏著至支撐物品且在另一側黏著至傳導基板。亦可使用導熱黏著劑而將不具有黏著性質之TIM塗覆至基板物品及傳導基板中之一者或兩者。可首先將TIM塗覆至基板物品且其後將傳導基板應用至TIM，或可首先將TIM塗覆至傳導基板且其後將塗佈有TIM之傳導基板應用至基板物品。
可以分批製程或連續製程(諸如常常用於製造可撓性電路之捲軸式製程)來製造離散LESD。可在可撓性基板上以 任何所要之圖案來形成LESD之陣列。可接著在需要時(例如)藉由衝壓或藉由切開基板來劃分該等LESD，例如，單體化為個別LESD、LESD之條狀物或LESD之陣列。因此，可裝運在可撓性基板上之整卷LESD而無需傳統帶卷(tape and reel)製程(其中通常在載帶之個別小格中輸送個別LESD)。
亦可以分批製程或連續製程(諸如常常用於製造可撓性電路的捲軸式製程)來製造支撐物品。支撐物品可經形成為具有在可撓性基板上之LESD附接位點的任何所要圖案。可接著在需要時(例如)藉由衝壓或藉由切開基板來劃分該等支撐物品，例如，單體化以提供個別LESD附接位點、LESD附接位點之條狀物或LESD附接位點之陣列。
在形成具有個別LESD附接位點、LESD附接位點之條狀物或LESD附接位點之陣列的支撐物品之前或之後，可(例如)使用導熱黏著劑將支撐物品附接至一額外基板。一旦黏著至支撐物品，該導熱黏著劑便可進一步促進自LESD傳熱。取決於支撐物品之預期用途，可將其附接至任何所要之基板。該額外基板可為導熱的及/或導電的，或可為半導體、陶瓷或聚合基板(其可為導熱的或可為不導熱的)。舉例而言，額外基板可為可撓性或剛性金屬基板(諸如銅或鋁)、散熱片、介電基板、電路板等。
若可撓性LESD(包含支撐物品與離散LESD兩者)係用作照明條狀物，則可將其封入防水/防風雨的透明外殼中，如上文所描述。
若可撓性LESD係呈條狀物或陣列形式，則可將離散LESD電連接至條狀物或陣列中之其他離散LESD中的一或多者。亦可(例如)使用直接晶圓結合或覆晶製程而將額外元件(諸如齊納二極體及肖特基二極體)添加至支撐物品之頂表面或底表面。此等元件亦可電連接至LESD。
在本發明之至少一實施例中，可撓性LES比習知單個或多個LESD子基板薄，因為LESD係位於支撐物品中之腔室或介層孔中。此使得本發明之可撓性LESD能夠用於具有嚴格體積限制之應用(諸如行動電話及相機閃光燈)中。舉例而言，本發明之支撐物品可提供近似0.7至4 mm且在一些實施例中0.5至2 mm之封裝輪廓，而習知LESD子基板輪廓通常大於4 mm且為近似4.8 mm至6.00 mm。此外，本發明之支撐物品可在需要的情況下撓曲或彎曲以容易裝設至非線性或非平面組合件中。
雖然已出於描述較佳實施例的目的而在本文中說明且描述特定實施例，但一般熟習此項技術者將瞭解，在不背離本發明之範疇的情況下，廣泛多種替代及/或等效實施可取代所展示及描述之特定實施例。本申請案意欲涵蓋本文中所論述之較佳實施例的任何調適或變化。因此，顯然意欲本發明僅受申請專利範圍及其等效物限制。
2‧‧‧支撐物品
10‧‧‧介層孔
11‧‧‧腔室
12‧‧‧可撓性介電層
16‧‧‧底部傳導層
17‧‧‧頂部傳導層
18‧‧‧傳導特徵
20‧‧‧傳導材料
21‧‧‧焊料遮罩
22‧‧‧傳導特徵
24‧‧‧發光半導體裝置(LESD)
26‧‧‧傳導襯墊
28‧‧‧傳導襯墊
30‧‧‧導熱層
32‧‧‧傳導材料
34‧‧‧焊料
36‧‧‧介層孔
38‧‧‧介層孔
38'‧‧‧腔室
40‧‧‧實體間隙/凹口
42‧‧‧凹口
102‧‧‧支撐物品
110‧‧‧介層孔
112‧‧‧介電層
116‧‧‧傳導層
118‧‧‧傳導特徵
120‧‧‧傳導材料
121‧‧‧焊料遮罩
122‧‧‧反射焊料遮罩
124‧‧‧覆晶LESD
126‧‧‧導熱層
128‧‧‧基板
224‧‧‧LESD
408‧‧‧導線結合
410‧‧‧介層孔
410'‧‧‧介層孔
411‧‧‧腔室
412‧‧‧介電層
416‧‧‧底部傳導層
417‧‧‧頂部傳導層
420‧‧‧傳導材料
422‧‧‧傳導特徵
424‧‧‧LES
426‧‧‧傳導襯墊
426'‧‧‧傳導襯墊
428‧‧‧傳導襯墊
428'‧‧‧傳導襯墊
430‧‧‧傳導特徵
432‧‧‧傳導特徵
436‧‧‧介層孔
436'‧‧‧介層孔
436"‧‧‧介層孔
438‧‧‧介層孔
438'‧‧‧介層孔
438"‧‧‧介層孔
440‧‧‧間隙/突起
442‧‧‧突起
466‧‧‧介層孔
468‧‧‧介層孔
圖1描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖2A至圖2E描繪一用於製備本發明之支撐物品的製程。
圖3描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖4及圖4'描繪本發明之LESD之實施例。
圖5描繪本發明之LESD之實施例，其附接至本發明之支撐物品之實施例。
圖6描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖7描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖8描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖9A至圖9B描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖9C至圖9D描繪本發明之LESD之實施例，其附接至本發明之支撐物品之實施例。
圖10A至圖10B描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖10C至圖10D描繪本發明之LESD之實施例，其附接至本發明之支撐物品之實施例。
圖11A及圖11A'描繪本發明之LESD之實施例。
圖11B描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖11C描繪本發明之LESD之實施例，其附接至本發明之支撐物品之實施例。
圖12A及圖12A'描繪本發明之LESD之實施例。
圖12B描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖12C描繪本發明之LESD之實施例，其附接至本發明之支撐物品之實施例。
圖13A描繪本發明之支撐物品之實施例。
圖13B描繪本發明之LESD之實施例。
圖13C描繪本發明之LESD之實施例，其附接至本發明之 支撐物品之實施例。
圖14描繪本發明之支撐物品之實施例，其具有附接之LESD。
圖15描繪本發明之支撐物品之實施例，其具有附接之LESD。
2‧‧‧支撐物品
16‧‧‧底部傳導層
24‧‧‧發光半導體裝置(LESD)
34‧‧‧焊料
430‧‧‧傳導特徵
432‧‧‧傳導特徵

Claims (15)

  1. 一種發光半導體裝置，其包含：一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有一第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有一第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有延伸穿過該介電層之一第一介層孔及一第二介層孔中的一者或兩者及自該介電層之該第一表面延伸至該第二表面或朝該第二表面延伸的一腔室或一第三介層孔，該第一傳導層包含與該第一介層孔及該第二介層孔中之一者或兩者電接觸的傳導特徵，該腔室或該第三介層孔至少部分地填充有傳導材料，該第二傳導層包含與該第一介層孔及該第二介層孔中之一者或兩者電接觸的傳導特徵；該腔室或該第三介層孔經組態成收納一發光半導體。
  2. 如請求項1之發光半導體裝置，其中該第一介層孔及該第二介層孔中之一者或兩者係中空電鍍介層孔。
  3. 如請求項1之發光半導體裝置，其中該第二傳導層進一步包含一與該第三介層孔或該腔室對準之傳導特徵。
  4. 如請求項1之發光半導體裝置，其中該第二層之該等傳導特徵延伸於該第三介層孔或該腔室之至少一部分之下且彼此電隔離。
  5. 一種支撐物品，其包含：一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一第一主要表面且具有一其上具有一傳導層之第二主要表面，該介電層具有自該第一主要表面朝該第二主要表面延伸或延伸 至該第二主要表面的至少兩個鄰近腔室或介層孔，該兩個或兩個以上之腔室或介層孔各自經組態成收納一安裝於該支撐物品上之LES封裝的一或多個底部接點，其中由一單一腔室或介層孔收納之接點具有相同之極性或一中性極性。
  6. 如請求項5之支撐物品，其中位於該介電層之該第二主要表面上的該傳導層包含一安置於每一介層孔下方之傳導特徵。
  7. 如請求項5或6之支撐物品，其中該介電層之該第一主要表面具有一位於其上之傳導層。
  8. 如請求項7之支撐物品，其中位於該介電層之該第一主要表面上的該傳導層延伸至該等腔室或介層孔中。
  9. 如請求項5至8之支撐物品，其中該等腔室或介層孔含有傳導材料。
  10. 一種可撓性LESD系統，其包含：如請求項1之發光半導體裝置及如請求項5之支撐物品，其中該發光半導體裝置之該第二傳導層的該等傳導特徵在該支撐物品之該等腔室或介層孔中產生電連接及熱連接中之一者或兩者。
  11. 一種可撓性LESD系統，其包含：如請求項1之發光半導體裝置及一支撐物品，該支撐物品包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有一第一傳導層之第一主要表面且具有一第二主要表面，該介電層具有自該第二主要表面朝該第一主要表面 延伸或延伸至該第一主要表面的至少一腔室或介層孔，該至少一腔室或介層孔含有傳導材料，該第一傳導層包含一安置於該腔室或介層孔頂上之第一傳導特徵及經安置成鄰近於該第一傳導特徵之至少一第二傳導特徵。
  12. 如請求項11之可撓性LESD系統，其中一含有傳導材料之腔室或介層孔安置於該支撐物品之該至少一第二傳導特徵之下。
  13. 如請求項11或12之可撓性LESD系統，其中該支撐物品之該可撓性介電層的該第二主要表面具有一位於其上之第二傳導層。
  14. 一種可撓性LESD系統，其包含：如請求項4之發光半導體裝置；一支撐物品，其包含一可撓性介電層，該可撓性介電層具有一其上具有一第一傳導層之第一主要表面且具有一其上具有一第二傳導層之第二主要表面，該介電層具有至少一腔室或介層孔，該至少一腔室或介層孔自該第一主要表面朝該第二主要表面延伸或延伸至該第二主要表面且含有形成至少兩個電隔離之傳導特徵的傳導材料。
  15. 如請求項14之可撓性LESD系統，其中該發光半導體裝置之一個或兩個傳導特徵包含一突起，且其中該等電隔離之特徵中之至少一者包含一經組態成收納該發光半導體裝置之該突起的凹入。
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