TW201309107A - 電漿產生設備與電漿產生方法 - Google Patents

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Jae-Hyun Kim
Sang-Won Lee
Sae-Hoon Uhm
Young-Rok Kim
Kyu-Hun Lee
Jin-Joong Kim
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Abstract

本發明關於一種電漿產生設備與電漿產生方法。此種電漿產生設備可包含：一腔室，具有一介電窗以及一環形放電空間；一磁芯，圍繞腔室之一部份；一感應線圈，纏繞磁芯；以及一導波管，通過介電窗輻射一微波。感應線圈中流動的交流電在磁芯形成一磁通量，以及磁通量產生感應耦合電漿。沿著微波傳播的一微波在腔室內部產生微波電漿。

Description

電漿產生設備與電漿產生方法
本發明係關於一種電漿產生設備，並且特別地，本發明關於一種遠距電漿產生設備。
一遠距電漿產生設備使用電漿產生自由基且將產生的自由基提供至一處理腔中以執行一清洗過程等。也就是說，在透過遠距電漿產生設備產生電漿的位置與實際執行的一過程的位置之間具有一差別。
本發明之實施例提供一種電漿產生設備、一種電漿產生方法、以及一種感應耦合電漿之電漿初始放電設備。
根據本發明之一方面，本發明實施例之一電漿產生設備可包含：一腔室，具有一介電窗以及一環形放電空間；一磁芯，圍繞腔室之一部份；一感應線圈，纏繞磁芯；以及一導波管，通過介電窗輻射一微波。感應線圈中流動的交流電在磁芯形成一磁通量，以及磁通量產生感應耦合電漿。沿著微波傳播的一微波在腔室內部產生微波電漿。
在本發明之一實例實施例中，此腔室係由一導體製成且包含阻礙感應之電流的一絕緣間隔物。
在本發明之一實例實施例中，此腔室包含第一至第四主體。第一至第四主體順次相連接以提供一環形放電空間，磁芯包含一第一磁芯及一第二磁芯。第一磁芯圍繞第一主體，以及第二磁芯 圍繞第三主體。
在本發明之一實例實施例中，第一主體與第三主體可電浮置。
在本發明之一實例實施例中，導波管包含具有一第一狹縫的一第一導波管以及具有一第二狹縫的一第二導波管。介電窗具有一第一介電窗以及一第二介電窗。第一介電窗可安裝於第二主體上，以及第二介電窗可安裝於第四主體上。第一狹縫可通過第一介電窗對第二主體提供一微波，以及第二狹縫可通過第二介電窗對第四主體提供一微波。
在本發明之一實例實施例中，導波管可包含一第一狹縫以及一第二狹縫，介電窗可具有一第一介電窗以及一第二介電窗。第一介電窗可安裝於第二主體上，以及第二介電窗可安裝於第四主體上，第一狹縫可通過第一介電窗對第二主體提供一微波，以及第二狹縫可通過第二介電窗對第四主體提供一微波。
在本發明之一實例實施例中，腔室可更包含：一氣體入口，適合於供給一初始放電氣體以及一處理氣體；以及一氣體出口，適合於排放一解離之氣體。氣體入口可安裝於第一主體上，以及氣體出口可安裝於第三主體上。
在本發明之一實例實施例中，腔室可更包含：一氣體入口，適合於供給一初始放電氣體以及一處理氣體；以及一氣體出口，適合於排放一解離之氣體。氣體入口安裝於第二主體上，以及氣體出口安裝於第四主體上。
在本發明之一實例實施例中，第三主體與第四主體更分別包含一凹進部份。第一磁芯可與第一主體之凹進部份相結合，以及 第二磁芯可與第三主體之凹進部份相結合。
在本發明之一實例實施例中，第二主體或第四主體可具有一頂面板以及一底面板，一溝槽形成於頂面板之一個表面，一溝槽可形成於底面板之一個表面。頂面板之溝槽與底面板之溝槽相結合以形成放電空間。
在本發明之一實例實施例中，感應線圈可包含：一第一感應線圈，纏繞第一磁芯；以及一第二感應線圈，纏繞第二磁芯。第一感應線圈可與一第一交流電源相連接，以及第二感應線圈可與一第二交流電源相連接。
在本發明之一實例實施例中，電漿產生設備可更包含一冷卻塊，此冷卻塊位於導波管與介電窗之間。
在本發明之一實例實施例中，電漿產生設備可更包含至少一個：一微波產生器，對導波管提供一微波，一調諧器，用於在微波產生器與導波管之間阻抗匹配，一定向耦合器，位於微波產生器與導波管之間以抽取一些反射波或一行波，一絕緣體，一假負載，消耗一反射波，以及一循環器，將微波產生器之一行波提供至導波管且將自一負載反射出的一反射波提供至假負載。
在本發明之一實例實施例中，此腔室可具有一方形形狀內部橫截面。
在本發明之一實例實施例中，磁芯可為一鐵素體或奈米結晶芯。
在本發明之一實例實施例中，導波管可具有一矩形橫截面。
在本發明之一實例實施例中，介電窗可具有一面板形狀。介 電窗可包含石英、氧化鋁、藍寶石、礬土、氧化鋁的至少一個。
在本發明之一實例實施例中，第一主體與第三主體之每一個可為一絕緣體，以及第二主體與第四主體的每一個可為一導體。
在本發明之一實例實施例中，第一至第四主體透過一絕緣間隔物電絕緣。
根據本發明之另一實施例，一種電漿產生設備可包含：形成一閉環的一磁芯；一腔室，貫穿磁芯之閉環且具有一閉環之至少一個放電空間以及一介電窗；一感應線圈，纏繞磁芯；以及一導波管，係具有一狹縫且通過狹縫及介電窗輻射一微波。感應線圈中的交流電在磁芯形成一磁通量，以及磁通量在腔室內部產生電感耦合電漿。沿著導波管傳送的一微波在腔室內部產生微波電漿。
根據本發明之再一實施例，一種電漿產生設備可包含：一磁芯，形成一閉環；一腔室，貫穿磁芯之閉環且具有一閉環之至少一個放電空間以及一開口；一感應線圈，纏繞磁芯；一介電窗，位於開口；以及一導波管，具有一狹縫且通過狹縫及介電窗輻射一微波。感應線圈中的交流電在磁芯形成一磁通量，以及磁通量產生感應耦合電漿。沿著導波管傳送的一微波在腔室內部產生微波電漿。
根據本發明之另一方面，一種電漿產生方法可包含以下步驟：將一初始放電氣體或一處理氣體供給至具有一介電窗及一環形放電空間的一腔室中；通過介電窗提供一微波以在環形放電空間中以產生微波電漿；以及對纏繞包圍腔室的一磁芯的一感應線圈提供一交流電，用以在放電空間中產生感應耦合電漿。
在本發明之一實例實施例中，此種電漿產生方法可更包含：將透過腔室內部電漿解離的一解離氣體供給至一處理腔，用以對處理腔執行一清洗過程。
在本發明之一實例實施例中，初始氣體可包含一惰性氣體以及一氮氣之一，以及處理氣體包含一含氟氣體以及一氧氣至少之一。
在本發明之一實例實施例中，此種電漿產生方法可更包含改變初始放電氣體與處理氣體的一流速。
根據本發明之再一方面，一種感應耦合電漿之電漿初始放電設備可包含：一腔室，具有一介電窗以及一閉環的至少一個放電空間；以及一導波管，具有一狹縫且通過狹縫及介電窗輻射一微波。沿著導波管傳送的一微波使用腔室內部的一微波放電初始電漿。
第一代遠距用於清洗的電漿產生設備採用一微波電漿產生設備。然而，一微波電漿產生設備遭受例如處理一高速流的限制、結構上體積較大、以及例如一導波管的高成本元件的缺點。此外，由於微波能空間上集中地提供至一絕緣管，因此該絕緣管應該週期性地更換。因此，難以維持第一代遠距電漿產生設備。
一第二代用於清洗的遠距電漿產生設備使用一感應耦合環形電漿產生設備。儘管感應耦合環形電漿相比較於微波電漿可處理更快的流速，但是它具有初始放電的困難。因此，感應耦合環形電漿產生設備傳統上使用一電容耦合電極點火。
然而，一點火電極需要一高電壓。當一高電壓作用於該點火電極時，點火電極與一相鄰之腔室容易受到噴鍍之影響。一噴鍍材料減少該腔室的耐久性且流入至該腔室中作為一污染物。當放電一處理氣體例如三氟化氮(NF3)時，感應耦合環形電漿產生設備部能夠保持放電且關閉。該放電透過將一初始放電氣體例如氬(Ar)供給至一腔室中且施加一高電壓至點火電極保持。其後，噴射處理氣以產生處理氣體電漿。因此，當處理氣體之放電不穩定時初始放電重複性執行，處理時間增加。
因此，需要一種遠距電漿產生設備，其甚至對於處理氣體例如三氟化氮(NF3)展現出高放電穩定性且能夠處理一高流速。
以下將結合圖式部份更詳細地描述本發明的較佳實施例。然而，本發明可體現為與此不同的許多形式。本這些實施例提供為以便本發明將完全及徹底地將本發明之範圍傳遞給本領域之技術人員。在圖式中，相同標號表示相同元件。
「第1圖」係為根據本發明一實施例之一電漿產生設備100之概念圖。
請參閱「第1圖」，電漿產生設備100包含具有一介電窗119及一環形放電空間121的一腔室122，包圍腔室122之一部份的一磁芯124，包圍磁芯124的一感應線圈126，以及通過介電窗119放射出微波的一導波管116。
流過感應線圈126的交流電(AC)產生形成於磁芯124的一磁通量，並且該磁通量使得在腔室122內部生成電磁耦合電漿。穿過導波管116的一微波使得在腔室122之內部產生微波電漿。
腔室122可為一導體。腔室122包含一絕緣間隔物(圖未示)以阻礙在腔室122中產生的感應電流。腔室122可形成至少一個閉合路徑。腔室122可形成一環形放電空間121。腔室122可由複數個電絕緣元件形成。
腔室122的一內部橫截面可為長方形。該長方形橫截面可為容易接收一微波的結構。腔室122可透過一冷卻劑冷卻。腔室122的內部放電空間可塗覆有一絕緣體。或者，一電介質管可***至該放電空間的一部份中。電介質管可防止腔室透過一腐蝕性氣體腐蝕。舉例而言，腔室122由鋁製成且該放電空間陽極化以使用氧化鋁塗覆。
腔室122的外表面可透過一感應電場加熱。腔室122的一表面可包含複數個溝槽以阻止透過該感應電場引起的一電流路徑。該溝槽可跨電場提供。
腔室122可包含一氣體入口131a以及一氣體出口131b。氣體入口131a允許一初始放電氣體與一處理氣體供給至腔室122中。該初始放電氣體可包含至少惰性氣體與氮氣之一。處理氣體可包含至少含氟氣體與氧氣之一。氣體出口131b允許透過電漿解離的氣體排放出。氣體入口131a可以包含兩個入口。也就是說，一提供初始放電氣體的入口與一提供處理氣體的入口可彼此不相同。氣體入口131a的內部橫截面或氣體出口131b的內部橫截面可與腔室122的相同。
介電窗可由允許微波穿透且保持真空狀態的一材料製成。介電窗119的材料可為從由石英、氧化鋁、藍寶石、礬土、氧化鋁 或其組合物組成的一組中選擇的一個。介電窗119可為一面板之形式。然而，介電窗119根據可根據腔室122的形狀改變。
舉例而言，介電窗119可以包含順次堆疊於一絕緣面板上的一導電薄膜以及一絕緣薄膜至少一個。導電薄膜可塗覆有一高導熱性的導電材料。然而，導電薄膜可具有對應狹縫117的一開口。微波可通過該開口傳輸至腔室122之內部。導電薄膜允許冷卻介電窗119。
導波管116包含狹縫117，並且狹縫117放射微波。微波通過狹縫與介電窗119傳輸至腔室122之內部。傳輸到腔室122內部的微波產生微波電漿。用於冷卻的一冷卻塊可另外位於介電窗119與導波管116之間。導波管116可為一矩形導波管。
導波管116的一端連接至一微波產生器，並且該另一端透過一金屬板封閉。因此，微波通過狹縫117發射。導波管116可位於腔室122的外側或內側以具有對稱性。
微波電漿透過一強電磁場在本地產生。因此，與微波電漿相接觸的區域可被加熱。特別地，當一含氟的氣體排放時，加熱的介電窗119可容易被蝕刻。為了防止此種情況，一冷卻塊可放置於導波管116與介電窗119之間。冷卻塊冷卻介電窗119。該冷卻塊可為具有高導熱性的一材料如鋁。冷卻塊可透過冷卻劑或壓縮空氣冷卻。
微波產生器110提供一微波至導波管116。微波產生器110的頻率可為1GHz至20GHz。微波產生器110的功率可為幾十瓦(Watt)或幾千瓦(kWatt)。微波產生器110可為一2.45GHz的磁 控管。由於用於家用微波爐的磁控管為低價及緊湊，因此微波產生器110可以低成本產生微波電漿。
用於阻抗匹配的一調諧器115可選擇性地放置與微波產生器110與導波管116之間。調諧器115可為一短線調諧器或一柱塞。短線調諧器可位於導波管116與微波產生器110之間以最小化一反射波。柱塞可***於導波管116的端部。
一定向耦合器114放置於微波產生器110與導波管116之間以抽取一些反射波或一行波。一假負載可選擇性地消耗反射波。一循環器113可為一三埠元件，可將微波產生器110的行波傳送至導波管116且自一負載將自導波管116發射的一反射波提供至假負載112。一絕緣體係為一雙埠元件，可將微波產生器110的行波傳送至導波管116且阻礙該反射波。
磁芯124可為一鐵素體或奈米結晶芯。在奈米結晶芯的情況下，滲透率為15000或更高。因此，磁芯124可以減少體積且由滯後引起的熱損失可減少。磁芯124可形成一閉環。因此，一磁通量可集中於磁芯124。磁芯124可劃分為複數個部份以減少透過磁芯124的渦流引起的熱損失。磁芯124可以圍繞腔室122的一部份。
感應線圈126可由高導電性材料如銅或銀製成。感應線圈126具有一寬帶型。感應線圈126可使用一絕緣體塗覆以與腔室122絕緣。
感應線圈126與一交流電源128相連接。交流電源128的頻率可為10kHz至10MHz。較佳地，交流電源128的頻率可為100kHz 至1Mhz。交流電源128的功率隨處理能力成比例增加但常規可為幾千瓦至幾百千瓦。
通過感應線圈126的交流電流(AC)對磁芯124感應一磁通量。時變磁通量在磁芯124的一軸方向感應一感應電場。感生磁場在腔室122內部的一放電空間中產生感應耦合電漿。此外，感應的電場允許透過歐姆加熱在一導電腔室內部產生熱量。腔室122可由複數個部份形成以減少歐姆加熱。
腔室122之一壓力可為幾百毫托(mTorr)至幾百托(mTorr)。由於使用在幾十托(Torr)或更高的一壓力下的一處理氣體，因此感應耦合電漿不能夠保持放電。然而，本發明一實施例之一電漿產生設備可通過在微波放電的幫助下，使用在一幾十托(Torr)或更高的一壓力下的一處理氣體保持放電。而且，本發明一實施例之電漿產生設備可處理相比較於僅透過感應耦合電漿能夠處理的一流量更高的，至少百分之幾十的一流量。該處理速率的增加透過一穩定的微波電漿放電與一感應耦合電漿放電之結合產生的協同效應產生。交流電源的一作業電壓可由於該微波電漿放電產生更容易的初始放電而減少。因此可減少該交流電源的價格。
感應耦合電漿的特性與微波電漿的特性可彼此不相同。因此，本發明一實施例之一電漿產生設備可應用於其中不能夠應用感應耦合電漿的領域。舉例而言，該電漿產生設備可甚至在接近大氣壓力的一壓力下作業且因此可應用於廢料處理、使用臭氧作為一殺菌劑的一殺菌過程等。
氣體出口131b可將將一離解的處理氣體供給至一處理容器 132。處理容器132可執行一蝕刻過程、一沉積過程、以及一灰化過程等。在沉積過程之情況下，處理容器132接收一單獨的沉積過程氣體。處理容器132可包含一氣體分配器134、一基板138、以及一基板保持件136。基板138可為一半導體基板、一玻璃基板、以及一金屬基板。當處理容器132污染時，該電漿產生設備可將該離解的處理氣體供給至一處理容器132以執行一清洗過程。
隨著基板尺寸的增加，處理容器132的體積增加。因此，該電漿產生設備可將幾百升每分鐘(SLM)的一處理氣體供給至處理容器132中。
根據本發明一實施例之電漿產生方法包含將一初始放電氣體與/或一處理氣體供給至具有電介窗以及環形放電空間的一腔室。其後，一微波產生器通過該電介窗提供一微波以產生微波電漿。一交流(AC)電源將交流電供給至一感應線圈以在該腔室內部產生感應耦合電漿，其中該感應線圈纏繞圍繞該腔室的一磁芯。
初始放電氣體可為一惰性氣體例如氬氣或容易初始放電的一氮氣。該處理氣體可為一含氟氣體或一氧氣。
特別地，處理氣體可為三氟化氮(NF3)且初始氣體可為一氬氣。透過腔室內部的電漿解離的一解離氣體可供給至一處理腔中以執行一清洗過程。
常規地，感應耦合電漿使用一初始放電氣體在一低壓下放電，並且一處理氣體隨著增加該壓力噴射至一腔室中。因此，解離該處理氣體的等待時間長。
然而，在該電漿產生方法中，一處理氣體與一初始放電氣體 可同時在一高壓下注射。處理氣體對初始氣體的一比率可為百分之5或更多。由於一微波甚至在一高壓下容易且穩定地放電，因此該處理氣體可透過調節處理氣體與初始放電氣體的一流速放電。因此，該空閑時間顯著地減少。
雖然感應耦合電漿使用一電感耦合電極，但是電容耦合電漿容易隨著該電極的一面積的增加放電。電容耦合電極的面積增加產生噴鍍。而且，具有對產生一分離高電壓的一高壓電源的需求。對於高壓電壓需要分離成本。由於電容耦合電漿使用一強電場，因此電容耦合電漿易受由於使用一強電場的一電弧的攻擊。甚至當產生感應耦合電漿時，該電容耦合電極可產生一電弧。一旦產生一電弧，該電弧重複地產生以顯示減少該系統的壽命。
然而，由於本發明之初始放電使用一微波，因此不產生一電弧。而且，沒有在電容耦合電漿出現的噴鍍問題。當一處理氣體僅使用感應耦合電漿放電時，該放電容易停止。
然而，根據本發明一實施例之電漿產生設備因為一直保持微波放電，因此可消除放電的不穩定性。由於該放電不穩定性的消除，該電漿產生設備可容易增加一處理流速。此外，該處理流速可通過微波電漿與感應耦合電漿的結合進一步增加。
用於產生覆蓋一磁芯的次級側電漿的一擊穿電壓(或一初級側線圈的施加電壓)在使用壓(Ar)時，當使用利用微波的一點火器相比較於當使用利用一電容耦合電漿的傳統點火器可大大減少。特別地，初級側線圈的施加電壓可減少大約三分之一。由於初級側線圈的施加電壓的減少可有助於輸出穩定性的一交流電 源，並且該初始放電使用一小電壓執行，因此透過在初始放電期間產生的一高電壓引起的該腔室內部的起弧作用可顯著減少。該交流電源可在一低電壓作業。
此外，微波放電可僅使用一微波產生器及一導波管執行。在該微波產生器使用家用器具的一磁控管時，用於微波放電的設備不昂貴。
「第2圖」係為本發明一實施例之一電漿產生設備200之透視圖。
「第3圖」係為「第2圖」中的電漿產生設備之分解透視圖。
「第4圖」係為沿「第2圖」中的I-I'線之橫截面圖。
「第5圖」係為沿「第2圖」中的II-II'線之橫截面圖。
請參閱「第2圖」至「第5圖」，電漿產生設備200包含具有第一及第二介電窗247a及247b以及一環形放電空間的一腔室252，包圍腔室252之一部份的第一及第二磁芯254a及254b，以及通過第一及第二介電窗247a及247b輻射一微波的第一及第二導波管240a及240b。在第一及第二感應線圈259a及259b中流過的交流電(AC)在第一及第二磁芯254a及254b形成一磁通量。該磁通量在腔室252內部產生感應耦合電漿。微波沿著第一及第二導波管240a及240b的傳播在腔室252產生微波電漿。
腔室252可由一導電材料製成。該導電材料可為鋁。腔室252可包含第一至第四主體252a至252d，第一至第四主體252a至252d可順次相連接以提供一環形放電空間。第一至第四主體252a至252d可通過一絕緣間隔物261彼此電絕緣。
第一主體252a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一孔可形成於第一主體252a中。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可形成於第一主體252a之一端部以在y軸方向上穿透。該第二孔可連接於該第一孔之中心且在z軸方向上延伸。該第三孔可在第一主體252a之另一端部與第二孔相連接以在y軸方向上延伸。
一氣體出口256a可與第一孔相連接。氣體出口256a可具有與第一孔相同之形狀。氣體出口256a可與第一主體252a相結合且同時通過絕緣間隔物261電絕緣。氣體出口256a可接地。氣體出口256a可透過一致冷劑冷卻。氣體出口256a可具有與第一主體252a相同之橫截面。
一第一磁芯254a位於第一主體252a之周圍。第一磁芯254a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈259a纏繞第一磁芯254a。第一感應線圈259a連接至一第一交流電源228a。第一感應線圈259a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室252產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈259a中的電流對於第一磁芯254a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室252內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第一主體252a可電浮置以使得腔室252不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體252b可在y軸方向上排列。第二主體252b可具有一矩形柱之形狀。一孔可形成為在y軸方向上穿透第二主體252b中。第二主體252b的該孔與第一主體252a的該第三孔相連接以 形成一放電空間。一第一導波管240a位於第二主體252b的一外側表面。第二主體252b可透過一致冷劑冷卻。
第一導波管240a可為一矩形導波管。第一導波管240a可為WR284。一第一狹縫249a可形成於第一導波管240a與第二主體252b之間的一接觸表面。第一狹縫249a可允許沿著第一導波管240a傳播的一微波在第一介電窗247a的一方向上輻射。第一狹縫249a可具有一矩形或正方形形狀。在第一導波管240a的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體252b相接觸。第一狹縫249a可在該長方向(y軸方向)上在第一導波管240a的該長方向(y軸方向)表面延伸。第一導波管240a之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端部表面可使用一導體面板242封閉。
第一介電窗247a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗247a與第二主體252b之間。
一第一冷卻塊244a可位於第一導波管240a與第二主體252b之間。第一冷卻塊244a可包含一通孔。第一冷卻塊244a的該通孔可允許通過第一狹縫249a輻射的一微波通過第一介電窗247a傳送至腔室252的一開口255中。第一冷卻塊244a可通過一致冷劑冷卻。因此，第一冷卻塊244a可冷卻第一介電窗247a。
第三主體252c可具有與第一主體252a相同之結構。第三主體252c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體252c可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可為在y軸方向上形成於第三主體252c之一個端部的一通孔。該第二孔可連接 於第一孔以在z軸方向上延伸。該第三孔可在第三主體252c之另一端部與第二孔相連接以在y軸方向上延伸。第一孔連接至第二主體252b的一孔。一氣體入口256b連接至該第一孔以供給一初始氣體及一反應氣體。氣體入口256b可具有與第三主體252c相同之橫截面。
氣體入口256b可接地，以及第三主體252c可浮置。因此，一絕緣間隔物261可位於氣體入口256b與第三主體252c之間的一接觸部份以電絕緣該部份。一第二磁芯254b可圍繞第三主體252c纏繞。第二磁芯254b可具有與第一磁芯254a相同之結構。第二磁芯254b可為一鐵素體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈259b纏繞第二磁芯254b。第二感應線圈259b與一第二交流電源228b相連接。在第二感應線圈259b中流動的交流電(AC)對第二磁芯254b感應一磁通量。該磁通量在第三主體252c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源228a感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源228b感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體252d可具有與第二主體252b相同之結構。一第二導波管240b位於第四主體252d的一外側面。第二導波管240b之一第二狹縫249b可位於與第四主體252d相接觸的一表面。第四主體252d包含一第二介電窗247b。第二狹縫249b輻射一微波以通過第二介電窗247b將該微波傳送至第四主體252d中。該微波產生微波電漿。第二導波管240b之一個端部表面可接收來自一微波產生器的一微波，並且其另一個端部表面可使用一導體面板242 封閉。
第二冷卻塊244b可位於第二導波管240b與第四主體252d之間。第二冷卻塊244b可包含一通孔。第二冷卻塊244b的該通孔可允許通過第二狹縫249b輻射的一微波通過第二介電窗247b傳送至腔室252中。第四主體252d可通過絕緣間隔物261與第一主體252a相結合。
第一至第四主體252a至252d的內部放電空間可分別具有矩形橫截面。第一及第三主體252a及252c可電浮置，並且第二及第四主體252b及252d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體252a及252c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體252b及252d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。感應耦合效率可與沿一變壓器的一次軸的電流成比例。感應耦合電漿主要在第一及第三主體252a及252c產生。當該微波不在第二及第四主體252b及252d產生時，該感應耦合電漿透過在第二及第四主體252b及252d的再結合幾乎消失。然而，在本發明中，在第二及第四主體252b及252d產生的微波電漿可形成一次軸以提高感應耦合電漿效率。
根據本發明之一改進的實施例，用於輻射該微波的一狹縫可形成於導體面板242。形成該狹縫的導體面板242可與介電窗相接觸。
「第6圖」係為本發明另一實施例之一電漿產生設備之透視 圖。
「第7圖」係為沿「第6圖」中的III-III'線之橫截面圖。
請參閱「第6圖」及「第7圖」，電漿產生設備300包含具有第一及第二介電窗347a及347b以及一環形放電空間的一腔室352，包圍腔室352之一部份的第一及第二磁芯354a及354b，圍繞第一及第二磁芯354a及354b的第一及第二感應線圈359a及359b，以及通過第一及第二介電窗347a及347b輻射一微波的第一及第二導波管340a及340b。在第一及第二感應線圈359a及359b中流過的交流電(AC)形成一磁通量。該磁通量在腔室352內部產生感應耦合電漿。微波沿著第一及第二導波管340a及340b的傳播在腔室352產生微波電漿。
腔室352可由一導電材料製成。該導電材料可為鋁。腔室352可包含第一至第四主體352a至352d，第一至第四主體352a至352d可順次相連接以提供一環形放電空間。第一至第四主體352a至352d可通過一絕緣間隔物361彼此電絕緣。
第一主體352a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一孔可形成於第一主體352a中。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可形成於第一主體352a之一端部以在y軸方向上穿透。該第二孔可連接於該第一孔之中心且在z軸方向上延伸。該第三孔可在第一主體352a之另一端部與第二孔相連接以在y軸方向上延伸。一埠可安裝於第一主體之該另一端部。一氣體出口356a可與第一孔相連接。氣體出口356a可具有與第一孔相同之形狀。氣體出口256a可與第一主體352a相結合且同時 通過絕緣間隔物361電絕緣。氣體出口356a可接地。氣體出口356a可透過一致冷劑冷卻。氣體出口356a可具有與第一主體352a相同之橫截面。第一主體352a在其外側表面包含一凹進部份355。
一第一磁芯354a位於第一主體352a之凹進部份355。第一磁芯354a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈359a纏繞第一磁芯354a。第一感應線圈359a連接至一第一交流電源。第一感應線圈359a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室352產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈359a中的電流對於第一磁芯354a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室352內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第一主體352a可電浮置以使得腔室352不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體352b可在y軸方向上排列。第二主體352b可具有一矩形柱之形狀。一孔可形成為在y軸方向上穿透第二主體352b。第二主體352b的該孔與第一主體352a的該第三孔相連接以形成一放電空間。
一導波管340位於第二主體352b與第四主體352d之間。第二主體352b可透過一致冷劑冷卻。
導波管340可為一矩形導波管。導波管340可為WR284。一第一狹縫349a可形成於導波管340與第二主體352b之間的一接觸表面。並且一第二狹縫349b可形成於導波管340與第四主體352d之間的一接觸部份。第一狹縫349a可允許沿著第一導波管340a傳播的一微波在第一介電窗347a的一方向上輻射，並且第二 狹縫349b可允許沿著第一導波管340a傳播的一微波在第二介電窗347b的一方向上輻射。第一狹縫349a與第二狹縫349b可具有一矩形或正方形形狀。導波管340的一伸長方向可為x軸方向。在導波管340的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體352b及第四主體352d相接觸。第一及第二狹縫349a及349b可在該長方向(y軸方向)上延伸。導波管340之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端部表面可使用一導體面板342封閉。
第一介電窗347a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗347a與第二主體352b之間。
一第一冷卻塊344a可位於第一導波管340a與第二主體352b之間。第一冷卻塊344a可包含一通孔。第一冷卻塊344a的該通孔可允許通過第一狹縫349a輻射的一微波通過第一介電窗347a傳送至腔室352。第一冷卻塊344a可通過一致冷劑冷卻。因此，第一冷卻塊344a可冷卻第一介電窗347a。
第三主體352c可具有與第一主體352a相同之結構。第三主體352c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體352c可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可為在y軸方向上形成於第三主體352c之一個端部的一通孔。該第二孔可連接於第一孔以在z軸方向上延伸。該第三孔可在第三主體352c之另一端部與第二孔相連接以在y軸方向上延伸。第一孔連接至第二主體352b的一孔。一氣體入口356b連接至該第一孔以供給一初始氣體及一反應氣體。氣體入口356b可具有與第三主體352c相 同之橫截面。
氣體入口356b可接地，以及第三主體352c可浮置。因此，一絕緣間隔物361可位於氣體入口356b與第三主體352c之間的一接觸部份以電絕緣該部份。一第二磁芯354b可圍繞第三主體352c纏繞。第二磁芯354b可具有與第一磁芯354a相同之結構。第二磁芯354b可為一鐵素體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈359b纏繞第二磁芯354b。第二感應線圈359b與一第二交流電源相連接。在第二感應線圈359b中流動的交流電(AC)對第二磁芯354b感應一磁通量。該磁通量在第三主體352c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源228a感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源228b感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體352d可具有與第二主體352b相同之結構。一第二導波管340b的一第二狹縫349b可位於與第四主體352d相接觸的一表面。第四主體352d包含一第二介電窗347b。第二狹縫349b輻射一微波以通過第二介電窗347b將該微波傳送至第四主體352d中。該微波產生微波電漿。
第二冷卻塊344b可位於導波管340與第四主體352d之間。第二冷卻塊344b可包含一通孔。第二冷卻塊344b的該通孔可允許通過第二狹縫349b輻射的一微波通過第二介電窗347b傳送至腔室352中。第四主體352d可通過絕緣間隔物361與第一主體352a相結合。
第一至第四主體352a至352d的內部放電空間可分別具有矩 形橫截面。第一及第三主體352a及352c可電浮置，並且第二及第四主體352b及352d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體352a及352c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體352b及352d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。
「第8圖」係為本發明再一實施例之一電漿產生設備之分解透視圖。
「第9圖」係為沿「第8圖」中的IV-IV'線之橫截面圖。
請參閱「第8圖」及「第9圖」，電漿產生設備400包含形成一閉環的第一及第二磁芯454a及454b，穿透第一及第二磁芯454a及454b的閉環且包含至少一個一閉環的放電空間及具有第一及第二介電窗447a及447b的一腔室452，圍繞第一及第二磁芯454a及454b的第一及第二感應線圈459a及459b，以及通過第一及第二狹縫449a及449b與第一及第二介電窗447a及447b輻射一微波的第一及第二導波管440a及440b。在第一及第二感應線圈459a及459b中流過的交流電(AC)在第一及第二磁芯454a及454b形成一磁通量，並且該磁通量在腔室452內部產生感應耦合電漿。沿著第一及第二導波管440a及440b傳播的一微波在腔室452內部產生微波電漿。
腔室452可由一導電材料與/或一絕緣材料製成。該導電材料可為鋁。腔室452可包含第一至第四主體452a至452d，第一至第四主體452a至452d可順次相連接以提供一環形放電空間。第一 至第四主體452a至452d可通過一絕緣間隔物461彼此電絕緣。
第一主體452a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一孔可形成於第一主體452a中。第一主體452a的該孔可為一在z軸方向穿透之孔。第一主體452a可透過一致冷劑冷卻。
一第一磁芯454a位於第一主體452a之周圍。第一磁芯454a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈459a纏繞第一磁芯454a。第一感應線圈459a連接至一第一交流電源。第一感應線圈459a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室452產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈459a中的電流對於第一磁芯454a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室452內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第一主體452a可電浮置以使得腔室452不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體452b可在y軸方向上排列。第二主體452b可包含一頂面板491a及一底面板492a。一溝槽形成於頂面板491a的一個表面，並且一溝槽形成於底面板492a之一個表面。頂面板491a與底面板492a的溝槽可相結合以形成該放電空間。相分離的頂面板491a與底面板492a相結合以形成以放電路徑。形成該放電路徑為容易的。
一孔可形成於第二主體452b中。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可形成於第二主體452b之一個端部以在z軸方向上穿透。該第二孔可連接於該第一孔之中心且在y軸方向上延伸。該第三孔可在第二主體452b之另一端部與第二孔 相連接且在z軸方向上形成。第二主體452b之第一孔連接至第一主體452a之該孔以形成一放電空間。
氣體入口456a可與第二主體452b之一個端部相結合。氣體入口456a可具有與第二主體452b相同之橫截面。該氣體入口可與第二主體452b相連接以供給一初始放電氣體以及一處理氣體。
一第一導波管440a可位於第二主體452b上，第二主體452b可透過一致冷劑冷卻。
第一導波管440a可為一矩形導波管。第一導波管440a可為WR284。一第一狹縫449a可形成於第一導波管440a與第二主體452b之間的一接觸表面。
第一狹縫449a可允許沿著第一導波管440a傳播的一微波在第一介電窗447a的一方向上輻射。
第一狹縫449a可具有一矩形或正方形形狀。第一導波管440a的一伸長方向可為x軸方向。在第一導波管440a的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體452b相接觸。第一導波管440a之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端部表面可使用一導體面板442封閉。
第一介電窗447a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗447a與第二主體452b之間。
第三主體452c可具有與第一主體452a相同之結構。第三主體452c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體452c可包含在z軸方向穿透的一孔。第三主體452c的該孔可與第二主體352b的該孔相連接。
一第二磁芯454b可圍繞第三主體452c纏繞。第二磁芯454b可具有與第一磁芯454a相同之結構。第二磁芯454b可為一鐵素體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈459b纏繞第二磁芯454b。第二感應線圈459b與一第二交流電源228b相連接。在第二感應線圈459b中流動的交流電(AC)對第二磁芯454b感應一磁通量。該磁通量在第三主體452c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體452d可具有與第二主體452b相同之結構。第二導波管440b之一第二狹縫449b可位於與第四主體452d相接觸的一表面。第四主體452d包含一第二介電窗447b。第二狹縫449b輻射一微波以通過第二介電窗447b將該微波傳送至第四主體452d中。該微波產生微波電漿。第四主體452d可通過一絕緣間隔物461與第一主體452a相結合。
第一至第四主體452a至452d的內部放電空間可分別具有矩形橫截面。第一及第三主體452a及452c可電浮置，並且第二及第四主體452b及452d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體452a及452c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體452b及452d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。
根據本發明之一改進的實施例，該第一及第三主體452a及 452c可分別為圓柱形絕緣體。該絕緣體可為礬土、石英或陶瓷。因此，第二主體452b之內部孔可在z軸方向的兩端具有一圓柱形，並且y軸方向的一孔可具有一方形形狀。
根據本發明之一改進的實施例，該氣體入口的一位置與該氣體出口的一位置可交換。
「第10圖」係為本發明又一實施例之一電漿產生設備500之透視圖。
「第11圖」係為沿「第10圖」中的V-V'線之橫截面圖。
請參閱「第10圖」及「第11圖」，電漿產生設備500包含形成一閉環的第一及第二磁芯554a及554b，穿透第一及第二磁芯554a及554b的閉環且包含至少一個一閉環的放電空間及具有第一及第二介電窗547a及547b的一腔室552，圍繞第一及第二磁芯554a及554b的第一及第二感應線圈559a及559b，以及通過第一及第二狹縫549a及549b與第一及第二介電窗547a及547b輻射一微波的一導波管540。在第一及第二感應線圈559a及559b中流過的交流電(AC)在第一及第二磁芯554a及554b形成一磁通量，並且該磁通量在腔室552內部產生感應耦合電漿。沿著導波管540傳播的一微波在腔室552內部產生微波電漿。
腔室552可由一導電材料製成。該導電材料可為鋁。腔室552可包含第一至第四主體552a至552d，第一至第四主體552a至552d可順次相連接以提供一環形放電空間。第一至第四主體552a至552d可通過一絕緣間隔物561彼此電絕緣。
第一主體552a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一 孔可形成於第一主體552a中。第一主體552a的該孔可為一在z軸方向穿透之孔。第一主體552a可透過一致冷劑冷卻。
一凹進部份555形成於第一主體552a的外側表面。一第一磁芯554a位於凹進部份555。第一磁芯554a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈559a纏繞第一磁芯554a。第一感應線圈559a連接至一第一交流電源。第一感應線圈559a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室552產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈559a中的電流對於第一磁芯554a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室552內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第一主體552a可電浮置以使得腔室552不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體552b可在y軸方向上排列。第二主體552b可包含一頂面板591a及一底面板592a。一孔可形成於第二主體552b中。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可形成於第二主體552b之一個端部以在z軸方向上穿透。該第二孔可連接於該第一孔之中心且在y軸方向上延伸。該第三孔可在第二主體552b之另一端部與第二孔相連接且在z軸方向上形成。第二主體552b之第一孔連接至第一主體552a之該孔以形成一放電空間。
氣體入口556a可與第二主體552b之一個端部相結合。氣體入口556a可具有與第二主體552b相同之橫截面。該氣體入口556a可與第二主體552b相連接以供給一初始放電氣體以及一處理氣體。
一導波管540可位於第二主體552b與第四主體552d之間，第二主體552b可透過一致冷劑冷卻。
導波管540可為一矩形導波管。導波管540可為WR284。一第一狹縫549a可形成於導波管540與第二主體552b之間的一接觸表面，並且一第二狹縫549b可形成於導波管540與第四主體552d之間的一接觸表面。
第一狹縫549a可允許沿著導波管540傳播的一微波在第一介電窗547a的一方向上輻射。第二狹縫549b可允許沿著導波管540傳播的一微波在第二介電窗547b的一方向上輻射。
第一狹縫549a可具有一矩形或正方形形狀。導波管540的一伸長方向可為x軸方向。在導波管540的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體552b相接觸。導波管540之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端部表面可使用一導體面板封閉。
第一介電窗547a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗547a與第二主體552b之間。
第三主體552c可具有與第一主體552a相同之結構。第三主體552c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體552c可包含在z軸方向穿透的一孔。第三主體552c的該孔可與第二主體552b的該孔相連接。
一第二磁芯554b可圍繞第三主體552c纏繞。第二磁芯554b可具有與第一磁芯554a相同之結構。第二磁芯554b可為一鐵素體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈559b纏繞第二磁芯554b。 第二感應線圈559b與一第二交流電源相連接。在第二感應線圈559b中流動的交流電(AC)對第二磁芯554b感應一磁通量。該磁通量在第三主體552c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體552d可具有與第二主體552b相同之結構。導波管540之一第二狹縫549b可位於與第四主體552d相接觸的一表面。第四主體552d包含一第二介電窗547b。第二狹縫549b輻射一微波以通過第二介電窗547b將該微波傳送至第四主體552d中。該微波產生微波電漿。第四主體552d可通過一絕緣間隔物561與第一主體552a相結合。
第一至第四主體552a至552d的內部放電空間可分別具有矩形橫截面。第一及第三主體552a及552c可電浮置，並且第二及第四主體552b及552d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體552a及552c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體552b及552d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。
「第12圖」係為本發明又一實施例之一電漿產生設備600之橫截面圖。
請參閱「第12圖」，電漿產生設備600包含形成一閉環的第一及第二磁芯654a及654b，穿透第一及第二磁芯654a及654b的 閉環且包含至少一個一閉環的放電空間及具有第一及第二介電窗647a及647b的一腔室652，圍繞第一及第二磁芯654a及654b的第一及第二感應線圈659a及659b，以及通過第一及第二狹縫649a及649b與第一及第二介電窗647a及647b輻射一微波的第一及第二導波管640a及640b。在第一及第二感應線圈659a及659b中流過的交流電(AC)在第一及第二磁芯654a及654b形成一磁通量，並且該磁通量在腔室652內部產生感應耦合電漿。沿著第一及第二導波管654a及654b傳播的一微波在腔室652內部產生微波電漿。
腔室652可由一導電材料製成。該導電材料可為鋁。腔室652可包含第一至第四主體652a至652d，第一至第四主體652a至652d可順次相連接以提供一環形放電空間。第一至第四主體652a至652d可通過一絕緣間隔物661彼此電絕緣。
第一主體652a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一孔可形成於第一主體652a中。第一主體652a的該孔可為一在z軸方向穿透之孔。第一主體652a可透過一致冷劑冷卻。
一第一磁芯654a位於第一主體652a之周圍。第一磁芯654a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈659a纏繞第一磁芯654a。第一感應線圈659a連接至一第一交流電源。第一感應線圈659a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室652產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈659a中的電流對於第一磁芯654a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室652內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第 一主體652a可電浮置以使得腔室652不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體652b可在y軸方向上排列。第二主體652b可具有一矩形形狀且其中形成一孔。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可形成於第二主體652b之一個端部以在z軸方向上穿透。該第二孔可連接於該第一孔且在y軸方向上延伸。該第三孔可與第二孔相連接且在z軸方向上形成。第二主體652b之第一孔連接至第一主體652a之該孔以形成一放電空間。
氣體入口656a可與第二主體652b之該另一端部相結合。氣體入口656a可具有與第二主體652b相同之橫截面。該氣體入口656a可與第二主體652b相連接以供給一初始放電氣體以及一處理氣體。
一第一導波管640a可位於第二主體652b上，第二主體652b可透過一致冷劑冷卻。
第一導波管640a可為一矩形導波管。第一導波管640a可為WR284。一第一狹縫649a可形成於第一導波管640a與第二主體652b之間的一接觸表面。
第一狹縫649a可允許沿著第一導波管640a傳播的一微波在第一介電窗647a的一方向上輻射。
第一狹縫649a可具有一矩形或正方形形狀。第一導波管640a的一伸長方向可為x軸方向。在第一導波管640a的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體652b相接觸。第一導波管640a之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端 部表面可使用一導體面板封閉。
第一介電窗647a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗647a與第二主體652b之間。
第三主體652c可具有與第一主體652a相同之結構。第三主體652c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體652c可包含在z軸方向穿透的一孔。第三主體652c的該孔可與第二主體652b的該孔相連接。
一第二磁芯654b可圍繞第三主體652c纏繞。第二磁芯654b可具有與第一磁芯654a相同之結構。第二磁芯654b可為一鐵素體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈659b纏繞第二磁芯654b。第二感應線圈659b與一第二交流電源相連接。在第二感應線圈659b中流動的交流電(AC)對第二磁芯654b感應一磁通量。該磁通量在第三主體652c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體652d可具有與第二主體652b相同之結構。第二導波管640b之一第二狹縫649b可位於與第四主體652d相接觸的一表面。第四主體652d包含一第二介電窗647b。第二狹縫649b輻射一微波以通過第二介電窗647b將該微波傳送至第四主體652d中。該微波產生微波電漿。第四主體652d可通過一絕緣間隔物661與第一主體652a相結合。
氣體出口656b可與第四主體652d相結合。氣體出口656b可 具有與第四主體652d相同之橫截面。氣體出口656b可與第四主體652d相連接以放電一解離的氣體。
第一至第四主體652a至652d的內部放電空間可分別具有矩形橫截面。第一及第三主體652a及652c可電浮置，並且第二及第四主體652b及652d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體652a及652c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體652b及652d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。
「第13圖」係為本發明又一實施例之一電漿產生設備700之橫截面圖。
請參閱「第13圖」，電漿產生設備700包含形成一閉環的第一及第二磁芯754a及754b，穿透第一及第二磁芯754a及754b的閉環且包含至少一個一閉環的放電空間及具有第一及第二介電窗747a及747b的一腔室752，圍繞第一及第二磁芯754a及754b的第一及第二感應線圈759a及759b，以及通過第一及第二狹縫749a及749b與第一及第二介電窗747a及747b輻射一微波的導波管744。在第一及第二感應線圈759a及759b中流過的交流電(AC)在第一及第二磁芯754a及754b形成一磁通量，並且該磁通量在腔室752內部產生感應耦合電漿。沿著導波管740傳播的一微波在腔室752內部產生微波電漿。
腔室752可由一導電材料製成。該導電材料可為鋁。腔室752可包含第一至第四主體752a至752d，第一至第四主體752a至752d 可順次相連接以提供一環形放電空間。第一至第四主體752a至752d可通過一絕緣間隔物761彼此電絕緣。
第一主體752a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一孔可形成於第一主體752a中。第一主體752a的該孔可為一在z軸方向穿透之孔。第一主體752a可透過一致冷劑冷卻。
一第一磁芯754a覆蓋第一主體752a之一外側表面。第一磁芯754a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈759a纏繞第一磁芯754a。第一感應線圈759a連接至一第一交流電源。第一感應線圈759a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室752產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈759a中的電流對於第一磁芯754a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室752內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第一主體752a可電浮置以使得腔室752不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體752b可在y軸方向上排列。一孔形成於第二主體752b中。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可在z軸方向上形成於第二主體752b之一個端部。該第二孔可連接於該第一孔且在y軸方向上延伸。該第三孔可在第二主體752b之另一端部與第二孔相連接在z軸方向上形成。第二主體752b之第一孔連接至第一主體752a之該孔以形成一放電空間。
氣體入口756a可與第二主體752b之該另一端部相結合。氣體入口756a可具有與第二主體752b相同之橫截面。該氣體入口756a可與第二主體752b相連接以供給一初始放電氣體以及一處理 氣體。
一導波管740可位於第二主體752b與第四主體752d之間，第二主體752b可透過一致冷劑冷卻。
導波管740可為一矩形導波管。導波管740可為WR284。一第一狹縫749a可形成於導波管740與第二主體752b之間的一接觸表面，並且一第二狹縫749b可形成於導波管740與第四主體752d之間的一接觸表面。
第一狹縫749a可允許沿著導波管740傳播的一微波在第一介電窗747a的一方向上輻射。第二狹縫749b可允許沿著導波管740傳播的一微波在第二介電窗747b的一方向上輻射。
第一狹縫749a可具有一矩形或正方形形狀。導波管740的一伸長方向可為x軸方向。在導波管740的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體752b相接觸。導波管740之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端部表面可使用一導體面板封閉。
第一介電窗747a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗747a與第二主體752b之間。
第三主體752c可具有與第一主體752a相同之結構。第三主體752c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體752c可包含在z軸方向穿透的一孔。第三主體752c的該孔可與第二主體752b的該孔相連接。
一第二磁芯754b可圍繞第三主體752c纏繞。第二磁芯754b可具有與第一磁芯754a相同之結構。第二磁芯754b可為一鐵素 體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈759b纏繞第二磁芯754b。第二感應線圈759b與一第二交流電源相連接。在第二感應線圈759b中流動的交流電(AC)對第二磁芯754b感應一磁通量。該磁通量在第三主體752c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體752d可具有與第二主體752b相同之結構。第二導波管740b之一第二狹縫749b可位於與第四主體752d相接觸的一表面。第四主體752d包含一第二介電窗747b。第二狹縫749b輻射一微波以通過第二介電窗747b將該微波傳送至第四主體752d中。該微波產生微波電漿。第四主體752d可通過一絕緣間隔物761與第一主體752a相結合。
氣體出口756b可與第四主體752d相結合。氣體出口756b可具有與第四主體752d相同之橫截面。氣體出口756b可與第四主體752d相連接以放電一解離的氣體
第一至第四主體752a至752d的內部放電空間可分別具有矩形橫截面。第一及第三主體752a及752c可電浮置，並且第二及第四主體752b及752d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體752a及752c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體752b及752d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。
「第14圖」係為本發明又一實施例之一電漿產生設備800之橫截面圖。
請參閱「第14圖」，電漿產生設備800包含形成一閉環的第一及第二磁芯854a及854b，穿透第一及第二磁芯854a及854b的閉環且包含至少一個一閉環的放電空間及具有第一及第二介電窗847a及847b的一腔室852，圍繞第一及第二磁芯854a及854b的第一及第二感應線圈859a及859b，以及通過第一及第二狹縫849a及849b與第一及第二介電窗847a及847b輻射一微波的第一及第二導波管840a及840b。
在第一及第二感應線圈859a及859b中流過的交流電(AC)在第一及第二磁芯854a及854b形成一磁通量，並且該磁通量在腔室852內部產生感應耦合電漿。沿著第一及第二導波管840a及840b傳播的一微波在腔室852內部產生微波電漿。
腔室852可由一導電材料製成。該導電材料可為鋁。腔室852可包含第一至第四主體852a至852d，第一至第四主體852a至852d可順次相連接以提供一環形放電空間。第一至第四主體852a至852d可通過一絕緣間隔物861彼此電絕緣。
第一主體852a可具有在z軸方向排列的一矩形柱之形狀。一孔可形成於第一主體852a中。第一主體852a的該孔可為一在z軸方向穿透之孔。第一主體852a可透過一致冷劑冷卻。
一凹進部份855形成於第一主體852a的外側表面。一第一磁芯854a位於第一主體852a的凹進部份855。第一磁芯854a可為一鐵素體或奈米結晶芯。一第一感應線圈859a纏繞第一磁芯 854a。第一感應線圈859a連接至一第一交流電源。第一感應線圈859a形成一變壓器的一第一線圈，以及在腔室852產生的感應耦合電漿形成該變壓器之一第二線圈。第一感應線圈859a中的電流對於第一磁芯854a感應一磁通量，並且時變的磁通量使得在腔室852內部形成一感應的電場。該感應的電場產生感應耦合電漿。第一主體852a可電浮置以使得腔室852不作為該變壓器之第二線圈。
第二主體852b可在y軸方向上排列。第二主體852b可包含一頂面板891a及一底面板892a。一孔可形成於第二主體852b中。該孔可包含一第一孔、一第二孔、以及一第三孔。該第一孔可在z軸方向上形成於第二主體852b之一個端部。該第二孔可連接於該第一孔之中心且在y軸方向上延伸。該第三孔可與第二孔相連接且在z軸方向上形成。第二主體852b之該孔連接至第一主體852a之該孔以形成一放電空間。
氣體入口856a可與第二主體852b之一個端部相結合。氣體入口856a可具有與第二主體852b相同之橫截面。該氣體入口856a可與第二主體852b相連接以供給一初始放電氣體以及一處理氣體。
第一及第二導波管840a及840b可位於第二主體852b與第四主體852d之間，第二主體852b可透過一致冷劑冷卻。
第一及第二導波管840a及840b可分別為矩形導波管。第一及第二導波管840a及840b可分別為WR284。第一及第二導波管840a及840b可包含一第一導波管840a及一第二導波管840b。在 透過腔室852形成的一內部空間，第一導波管840a與第二導波管840b可彼此相鄰近。第一導波管840a可與一第一微波產生器相連接，並且第二導波管840b可與一第二微波產生器相連接。
一第一狹縫849a可形成於第一導波管840a與第二主體852b之間的一接觸表面，並且一第二狹縫849b可形成於第二導波管840b與第四主體852d之間的一接觸表面。
第一狹縫849a可允許沿著第一導波管840a傳播的一微波在第一介電窗847a的一方向上輻射。第二狹縫849b可允許沿著第二導波管840b傳播的一微波在第二介電窗847b的一方向上輻射。
第一狹縫849a可具有一矩形或正方形形狀。第一及第二導波管840a及840b的一伸長方向可為x軸方向。在第一導波管840a的橫截面，一長方向(y軸方向)表面可與第二主體852b相接觸。第一導波管840a之一個端部表面可自一微波產生器接收一微波，以及其另一個端部表面可使用一導體面板封閉。
第一導波管840a與第二導波管840b之兩者可不***至透過腔室852形成的內部空間中。此種情況下，第一導波管840a與第二導波管840b可包含在短軸方向(z軸方向)為錐形的一區域。
第一介電窗847a可具有一面板形狀。密封裝置例如一O環可位於第一介電窗847a與第二主體852b之間。
第三主體852c可具有與第一主體852a相同之結構。第三主體852c可具有沿z軸排列的一矩形柱之形狀。第三主體852c可包含在z軸方向穿透的一孔。第三主體852c的該孔可與第二主體852b的該孔相連接。
一第二磁芯854b可圍繞第三主體852c纏繞。第二磁芯854b可具有與第一磁芯854a相同之結構。第二磁芯854b可為一鐵素體材料或奈米結晶材料。第二感應線圈859b纏繞第二磁芯854b。第二感應線圈859b與一第二交流電源相連接。在第二感應線圈859b中流動的交流電(AC)對第二磁芯854b感應一磁通量。該磁通量在第三主體852c形成一感應的電場。並且該感應的電場在放電空間中產生感應耦合電漿。透過第一交流電源感應的一感應電場之方向與透過第二交流電源感應的一感應電場之方向彼此相對。
第四主體852d可具有與第二主體852b相同之結構。第二導波管840b之一第二狹縫849b可位於與第四主體852d相接觸的一表面。第四主體852d包含一第二介電窗847b。第二狹縫849b輻射一微波以通過第二介電窗847b將該微波傳送至第四主體852d中。該微波產生微波電漿。第四主體852d可通過一絕緣間隔物861與第一主體852a相結合。
第一至第四主體852a至852d的內部放電空間可分別具有矩形橫截面。第一及第三主體852a及852c可電浮置，並且第二及第四主體852b及852d可電接地。
感應耦合電漿主要在第一及第三主體852a及852c產生，並且微波電漿主要在第二及第四主體852b及852d產生。因此，在產生該感應耦合電漿的一區域與產生該微波電漿的一區域之間可具有一差別。該微波電漿可擴散移至產生感應耦合電漿的該區域。
如上所述，根據本發明之實施例之一遠距電漿產生設備將微 波電漿與感應耦合電漿相結合以提高初始放電的容易度及放電穩定性且處理一高流速。
雖然本發明以前述之實施例結合圖式揭露如上，然其並非用以限定本發明。在不脫離本發明之精神和範圍內，所為之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。
100、200、300、400、500、600、700、800‧‧‧電漿產生設備
110‧‧‧微波產生器
112‧‧‧假負載
113‧‧‧循環器
114‧‧‧定向耦合器
115‧‧‧調諧器
116‧‧‧導波管
117‧‧‧狹縫
119‧‧‧介電窗
121‧‧‧環形放電空間
122‧‧‧腔室
124‧‧‧磁芯
126‧‧‧感應線圈
128‧‧‧交流電源
131a‧‧‧氣體入口
131b‧‧‧氣體出口
132‧‧‧處理容器
134‧‧‧氣體分配器
136‧‧‧基板保持件
138‧‧‧基板
228a‧‧‧第一交流電源
228b‧‧‧第二交流電源
240a、340a、440a、640a、740a、840a‧‧‧第一導波管
240b、340b、440b、640b、740b、840b‧‧‧第二導波管
242、342、442‧‧‧導體面板
244a、344a‧‧‧第一冷卻塊
244b、344b‧‧‧第二冷卻塊
247a、347a、447a、547a、647a、747a、847a‧‧‧第一介電窗
247b、347b、447b、547b、647b、747b、847b‧‧‧第二介電窗
249a、349a、449a、549a、649a、749a、849a‧‧‧第一狹縫
249b、349b、449b、549b、649b、749b、849b‧‧‧第二狹縫
252、352、452、552、652、752、852‧‧‧腔室
252a、352a、452a、552a、652a、752a、852a‧‧‧第一主體
252b、352b、452b、552b、652b、752b、852b‧‧‧第二主體
252c、352c、452c、552c、652c、752c、852c‧‧‧第三主體
252d、352d、452d、552d、652d、752d、852d‧‧‧第四主體
254a、354a、454a、554a、654a、754a、854a‧‧‧第一磁芯
254b、354b、454b、554b、654b、754b、854b‧‧‧第二磁芯
255‧‧‧開口
256a、356a、456a、556a、656b、756b、856b‧‧‧氣體出口
256b、356b、456b、556b、656a、756a、856a‧‧‧氣體入口
259a、359a、459a、559a、659a、759a、859a‧‧‧第一感應線圈
259b、359b、459b、559b、659b、759b、859b‧‧‧第二感應線圈
261、361、461、561、661、761、861‧‧‧絕緣間隔物
355、555、855‧‧‧凹進部份
340、540、740‧‧‧導波管
491a、591a、891a‧‧‧頂面板
492a、591b、892a‧‧‧底面板
第1圖係為根據本發明一實施例之一電漿產生設備之概念圖；第2圖係為本發明一實施例之一電漿產生設備之透視圖；第3圖係為第2圖中的電漿產生設備之分解透視圖；第4圖係為沿第2圖中的I-I'線之橫截面圖；第5圖係為沿第2圖中的II-II'線之橫截面圖；第6圖係為本發明另一實施例之一電漿產生設備之透視圖；第7圖係為沿第6圖中的III-III'線之橫截面圖；第8圖係為本發明再一實施例之一電漿產生設備之分解透視圖；第9圖係為沿第8圖中的IV-IV'線之橫截面圖；第10圖係為本發明又一實施例之一電漿產生設備之透視圖；第11圖係為沿第10圖中的V-V'線之橫截面圖；第12圖係為本發明又一實施例之一電漿產生設備之橫截面圖；第13圖係為本發明又一實施例之一電漿產生設備之橫截面 圖；以及第14圖係為本發明又一實施例之一電漿產生設備之橫截面圖。
100‧‧‧電漿產生設備
110‧‧‧微波產生器
112‧‧‧假負載
113‧‧‧循環器
114‧‧‧定向耦合器
115‧‧‧調諧器
116‧‧‧導波管
117‧‧‧狹縫
119‧‧‧介電窗
121‧‧‧環形放電空間
122‧‧‧腔室
124‧‧‧磁芯
126‧‧‧感應線圈
128‧‧‧交流電源
131a‧‧‧氣體入口
131b‧‧‧氣體出口
132‧‧‧處理容器
134‧‧‧氣體分配器
136‧‧‧基板保持件
138‧‧‧基板

Claims (27)

  1. 一種電漿產生設備，係包含：一腔室，係具有一介電窗以及一環形放電空間；一磁芯，係圍繞該腔室之一部份；一感應線圈，係纏繞該磁芯；以及一導波管，係通過該介電窗輻射一微波，其中在該感應線圈中流動的交流電在該磁芯形成一磁通量，以及該磁通量產生感應耦合電漿，以及其中沿著該微波傳播的一微波在該腔室內部產生微波電漿。
  2. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，其中該腔室係由一導體製成且包含阻礙感應之電流的一絕緣間隔物。
  3. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，其中該腔室包含第一至第四主體，其中該第一至第四主體順次相連接以提供一環形放電空間，其中該磁芯包含一第一磁芯及一第二磁芯，其中該第一磁芯圍繞該第一主體，以及其中該第二磁芯圍繞該第三主體。
  4. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該第一主體與該第三主體電浮置。
  5. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該導波管包含具有一第一狹縫的一第一導波管以及具有一第二狹縫的一第二導波管，其中該介電窗具有一第一介電窗以及一第二介電窗，其中該第一介電窗安裝於該第二主體上，以及該第二介電窗安裝於該第四主體上，其中該第一狹縫通過該第一介電窗對該第二主體提供一微波，以及其中該第二狹縫通過該第二介電窗對該第四主體提供一微波。
  6. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該導波管包含一第一狹縫以及一第二狹縫，其中該介電窗具有一第一介電窗以及一第二介電窗，其中該第一介電窗安裝於該第二主體上，其中該第二介電窗安裝於該第四主體上，其中該第一狹縫通過該第一介電窗對該第二主體提供一微波，以及其中該第二狹縫通過該第二介電窗對該第四主體提供一微波。
  7. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該腔室更包含：一氣體入口，係適合於供給一初始放電氣體以及一處理氣 體；以及一氣體出口，係適合於排放一解離之氣體，其中該氣體入口安裝於該第一主體上，以及其中該氣體出口安裝於該第三主體上。
  8. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該腔室更包含：一氣體入口，係適合於供給一初始放電氣體以及一處理氣體；以及一氣體出口，係適合於排放一解離之氣體，其中該氣體入口安裝於該第二主體上，以及其中該氣體出口安裝於該第四主體上。
  9. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該第三主體與該第四主體更分別包含一凹進部份，其中該第一磁芯與該第一主體之該凹進部份相結合，以及其中該第二磁芯與該第三主體之該凹進部份相結合。
  10. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該第二主體或該第四主體具有一頂面板以及一底面板，其中一溝槽形成於該頂面板之一個表面，其中一溝槽形成於該底面板之一個表面，以及其中該頂面板之該溝槽與該底面板之該溝槽相結合以形成該放電空間。
  11. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該感應線圈包含： 一第一感應線圈，係纏繞該第一磁芯；以及一第二感應線圈，係纏繞該第二磁芯，其中該第一感應線圈與一第一交流電源相連接，以及其中該第二感應線圈與一第二交流電源相連接。
  12. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，更包含：一冷卻塊，係位於該導波管與該介電窗之間。
  13. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，更包含至少一個：一微波產生器，係配設為對該導波管提供一微波；一調諧器，係用於在該微波產生器與該導波管之間阻抗匹配；一定向耦合器，係位於該微波產生器與該導波管之間以抽取一些反射波或一行波；一絕緣體；一假負載，係消耗一反射波；以及一循環器，係配設為將該微波產生器之一行波提供至該導波管以及將自一負載反射出的一反射波提供至該假負載。
  14. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，其中該腔室具有一方形形狀內部橫截面。
  15. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，其中該磁芯係為一鐵素體或奈米結晶芯。
  16. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，其中該導波管具有一矩 形橫截面。
  17. 如請求項第1項所述之電漿產生設備，其中該介電窗具有一面板形狀，以及其中該介電窗包含石英、氧化鋁、藍寶石、礬土、氧化鋁的至少一個。
  18. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該第一主體與該第三主體之每一個係為一絕緣體，以及該第二主體與該第四主體的每一個係為一導體。
  19. 如請求項第3項所述之電漿產生設備，其中該第一主體至該第四主體透過一絕緣間隔物電絕緣。
  20. 一種電漿產生設備，係包含：一磁芯，係形成一閉環；一腔室，係貫穿該磁芯之該閉環且具有一閉環之至少一個放電空間以及一介電窗；一感應線圈，係纏繞該磁芯；以及一導波管，係具有一狹縫且通過該狹縫及該介電窗輻射一微波，其中該感應線圈中的交流電在該磁芯形成一磁通量，其中該磁通量在該腔室內部產生電感耦合電漿，以及其中沿著該導波管傳送的一微波在該腔室內部產生微波電漿。
  21. 一種電漿產生設備，係包含：一磁芯，係形成一閉環；一腔室，係貫穿該磁芯之該閉環且具有一閉環之至少一個放電空間以及一開口；一感應線圈，係纏繞該磁芯；一介電窗，係位於該開口；以及一導波管，係具有一狹縫且通過該狹縫及該介電窗輻射一微波，其中該感應線圈中的交流電在該磁芯形成一磁通量，以及該磁通量產生感應耦合電漿，以及其中沿著該導波管傳送的一微波在該腔室內部產生微波電漿。
  22. 一種基板處理設備，係包含：一電漿產生部份，係產生解離氣體；以及一處理腔，係透過使用自該電漿產生部份供給之該解離氣體執行一基板處理或一清洗處理，其中該電漿產生部份包含：一腔室，係具有一介電窗以及一環形放電空間；一磁芯，係圍繞該腔室之一部份；一感應線圈，係纏繞該磁芯；以及一導波管，係通過該介電窗輻射一微波， 其中在該感應線圈中流動的交流電在該磁芯形成一磁通量，以及該磁通量產生感應耦合電漿，以及其中沿著該微波傳播的一微波在該腔室內部產生微波電漿。
  23. 一種電漿產生方法，係包含以下步驟：將一初始放電氣體或一處理氣體供給至具有一介電窗及一環形放電空間的一腔室中，通過該介電窗提供一微波以在該環形放電空間中產生微波電漿；以及對纏繞包圍該腔室的一磁芯的一感應線圈提供一交流電，用以在該放電空間中產生感應耦合電漿。
  24. 如請求項第23項所述之電漿產生方法，更包含：將該腔室內部透過電漿解離的一解離氣體供給至一處理腔，用以對該處理腔執行一清洗過程。
  25. 如請求項第23項所述之電漿產生方法，其中該初始氣體包含一惰性氣體以及一氮氣之一，以及其中該處理氣體包含一含氟氣體以及一氧氣至少之一。
  26. 如請求項第23項所述之電漿產生方法，更包含：改變該初始放電氣體與該處理氣體的一流速。
  27. 一種感應耦合電漿之電漿初始放電設備，係包含：一腔室，係具有一介電窗以及一閉環的至少一個放電空 間；以及一導波管，係具有一狹縫且通過該狹縫及該介電窗輻射一微波，其中沿著該導波管傳送的一微波使用該腔室內部的一微波放電初始電漿。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI801058B (zh) * 2021-12-23 2023-05-01 明遠精密科技股份有限公司 一種複合式電漿源及其運作方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101241049B1 (ko) 2011-08-01 2013-03-15 주식회사 플라즈마트 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법
KR101246191B1 (ko) 2011-10-13 2013-03-21 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치
KR101332337B1 (ko) 2012-06-29 2013-11-22 태원전기산업 (주) 초고주파 발광 램프 장치
US8944003B2 (en) * 2012-11-16 2015-02-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Remote plasma system and method
KR102262657B1 (ko) * 2014-10-13 2021-06-08 삼성전자주식회사 플라즈마 처리 장치
JP6548991B2 (ja) * 2015-08-28 2019-07-24 株式会社ダイヘン プラズマ生成装置
KR102384274B1 (ko) * 2015-09-22 2022-04-12 (주) 엔피홀딩스 냉각구조를 개선한 플라즈마 반응기
EP3280230B1 (en) 2016-08-05 2021-11-24 Efenco OÜ A method for producing a plasma in a heat carrier for stabilization of combustion and neutralization of toxic products and a device for the same
JP6688199B2 (ja) * 2016-09-30 2020-04-28 株式会社ダイヘン プラズマ発生装置
KR101880747B1 (ko) * 2017-08-30 2018-07-20 주식회사 말타니 초고주파 방전 램프
KR20210155625A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 주식회사 뉴파워 프라즈마 냉각 블록 및 이를 갖는 플라즈마 반응 장치
KR20210155623A (ko) * 2020-06-16 2021-12-23 주식회사 뉴파워 프라즈마 플라즈마 반응 장치 및 이의 냉각 방법

Family Cites Families (126)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3979624A (en) 1975-04-29 1976-09-07 Westinghouse Electric Corporation High-efficiency discharge lamp which incorporates a small molar excess of alkali metal halide as compared to scandium halide
JPS611024A (ja) * 1984-06-12 1986-01-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体回路製造装置
US5061838A (en) * 1989-06-23 1991-10-29 Massachusetts Institute Of Technology Toroidal electron cyclotron resonance reactor
US5114770A (en) 1989-06-28 1992-05-19 Canon Kabushiki Kaisha Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
ATE151201T1 (de) 1990-10-25 1997-04-15 Fusion Systems Corp Hochleistungslampe
US5404076A (en) 1990-10-25 1995-04-04 Fusion Systems Corporation Lamp including sulfur
ATE350762T1 (de) 1990-10-25 2007-01-15 Fusion Lighting Inc Lampe mit steuerbaren eigenschaften
US5330578A (en) 1991-03-12 1994-07-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Plasma treatment apparatus
US6074512A (en) 1991-06-27 2000-06-13 Applied Materials, Inc. Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners
US5479072A (en) 1991-11-12 1995-12-26 General Electric Company Low mercury arc discharge lamp containing neodymium
US5227698A (en) 1992-03-12 1993-07-13 Fusion Systems Corporation Microwave lamp with rotating field
US5505780A (en) * 1992-03-18 1996-04-09 International Business Machines Corporation High-density plasma-processing tool with toroidal magnetic field
BR9307138A (pt) 1992-09-30 1999-07-27 Fusion Lighting Inc Lâmpada sem eletrodo com rotaç o de bulbo
JP3350973B2 (ja) 1992-10-12 2002-11-25 松下電器産業株式会社 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
JPH06310436A (ja) * 1993-04-20 1994-11-04 Sumitomo Metal Ind Ltd 薄膜形成装置
US5556649A (en) 1993-08-30 1996-09-17 Yamaha Motor Co., Ltd. Device for removing runners from molded products
AU689194B2 (en) 1993-10-15 1998-03-26 Fusion Lighting, Inc. Electrodeless lamp with improved efficacy
AU2003195A (en) 1994-06-21 1996-01-04 Boc Group, Inc., The Improved power distribution for multiple electrode plasma systems using quarter wavelength transmission lines
US5811022A (en) 1994-11-15 1998-09-22 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma reactor
US5594303A (en) 1995-03-09 1997-01-14 Fusion Lighting, Inc. Apparatus for exciting an electrodeless lamp with an increasing electric field intensity
IL117972A (en) 1995-04-21 1999-06-20 Fusion Lighting Inc Compact microwave lamp
US6042686A (en) 1995-06-30 2000-03-28 Lam Research Corporation Power segmented electrode
US5653811A (en) 1995-07-19 1997-08-05 Chan; Chung System for the plasma treatment of large area substrates
US5565074A (en) 1995-07-27 1996-10-15 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with a segmented balanced electrode for sputtering process materials from a target surface
JP3951003B2 (ja) * 1995-11-17 2007-08-01 俊夫 後藤 プラズマ処理装置および方法
US5688064A (en) 1996-10-30 1997-11-18 Fusion Lighting, Inc. Method and apparatus for coupling bulb stem to rotatable motor shaft
WO1997027609A1 (en) 1996-01-26 1997-07-31 Fusion Lighting, Inc. Method and apparatus for coupling bulb stem to rotatable motor shaft
US5846883A (en) 1996-07-10 1998-12-08 Cvc, Inc. Method for multi-zone high-density inductively-coupled plasma generation
KR100505176B1 (ko) 1996-09-27 2005-10-10 서페이스 테크놀로지 시스템스 피엘씨 플라즈마가공장치
US6039834A (en) * 1997-03-05 2000-03-21 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for upgraded substrate processing system with microwave plasma source
TW406280B (en) 1997-05-21 2000-09-21 Fusion Lighting Inc non-rotating electrodeless lamp containing molecular fill
US7569790B2 (en) * 1997-06-26 2009-08-04 Mks Instruments, Inc. Method and apparatus for processing metal bearing gases
SE511139C2 (sv) 1997-11-20 1999-08-09 Hana Barankova Plasmabearbetningsapparat med vridbara magneter
US6352049B1 (en) 1998-02-09 2002-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma assisted processing chamber with separate control of species density
US6049086A (en) 1998-02-12 2000-04-11 Quester Technology, Inc. Large area silent discharge excitation radiator
US6189484B1 (en) 1999-03-05 2001-02-20 Applied Materials Inc. Plasma reactor having a helicon wave high density plasma source
JP3332857B2 (ja) 1998-04-15 2002-10-07 三菱重工業株式会社 高周波プラズマ発生装置及び給電方法
US20010002584A1 (en) 1998-12-01 2001-06-07 Wei Liu Enhanced plasma mode and system for plasma immersion ion implantation
JP2000277506A (ja) 1999-03-24 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd プラズマｃｖｄ装置及び膜形成方法
JP2000277599A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Ibiden Co Ltd 静電チャック
JP4601104B2 (ja) 1999-12-20 2010-12-22 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
TW462207B (en) 2000-02-24 2001-11-01 Nano Architect Res Corp Method and apparatus for generating high-density uniform plasma by inductively coupling
JP4222707B2 (ja) * 2000-03-24 2009-02-12 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び方法、ガス供給リング及び誘電体
AU2001245938A1 (en) 2000-03-28 2001-10-08 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for controlling power delivered to a multiple segment electrode
KR100323613B1 (ko) 2000-03-29 2002-02-19 박세근 대면적 플라즈마 소스 형성장치
US6451161B1 (en) 2000-04-10 2002-09-17 Nano-Architect Research Corporation Method and apparatus for generating high-density uniform plasma
US6685798B1 (en) 2000-07-06 2004-02-03 Applied Materials, Inc Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna
JP2002025919A (ja) 2000-07-12 2002-01-25 Sharp Corp 容量結合型プラズマ装置および電子デバイスの製造方法
US6939434B2 (en) * 2000-08-11 2005-09-06 Applied Materials, Inc. Externally excited torroidal plasma source with magnetic control of ion distribution
JP5204941B2 (ja) * 2000-08-11 2013-06-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 外部から励磁されるトロイダルプラズマチャンバ
TWI239794B (en) 2002-01-30 2005-09-11 Alps Electric Co Ltd Plasma processing apparatus and method
TWI283899B (en) 2002-07-09 2007-07-11 Applied Materials Inc Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control
JP2004055614A (ja) * 2002-07-16 2004-02-19 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US20030015965A1 (en) 2002-08-15 2003-01-23 Valery Godyak Inductively coupled plasma reactor
US7819081B2 (en) 2002-10-07 2010-10-26 Sekisui Chemical Co., Ltd. Plasma film forming system
KR100494999B1 (ko) 2002-10-15 2005-06-16 태원전기산업 (주) 무전극 방전램프용 원편파 초고주파 발생장치
US7090705B2 (en) 2002-10-16 2006-08-15 Sharp Kabushiki Kaisha Electronic device, production method thereof, and plasma process apparatus
CN1293608C (zh) 2002-10-16 2007-01-03 夏普株式会社 半导体器件及其制造方法以及等离子加工装置
WO2004040629A1 (ja) 2002-10-29 2004-05-13 Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. プラズマ化学蒸着装置における高周波プラズマの大面積均一化方法及び装置
US6724148B1 (en) * 2003-01-31 2004-04-20 Advanced Energy Industries, Inc. Mechanism for minimizing ion bombardment energy in a plasma chamber
US7183716B2 (en) 2003-02-04 2007-02-27 Veeco Instruments, Inc. Charged particle source and operation thereof
US8835869B2 (en) 2003-02-04 2014-09-16 Veeco Instruments, Inc. Ion sources and methods for generating an ion beam with controllable ion current density distribution
KR100522995B1 (ko) 2003-06-02 2005-10-24 태원전기산업 (주) 원편파 마이크로웨이브를 이용한 비회전 무전극 방전램프시스템
KR100988085B1 (ko) * 2003-06-24 2010-10-18 삼성전자주식회사 고밀도 플라즈마 처리 장치
US7273533B2 (en) 2003-11-19 2007-09-25 Tokyo Electron Limited Plasma processing system with locally-efficient inductive plasma coupling
WO2005055678A1 (ja) 2003-12-08 2005-06-16 Ngk Insulators, Ltd. プラズマ発生電極及びその製造方法、並びにプラズマ反応器
JP3816081B2 (ja) 2004-03-10 2006-08-30 松下電器産業株式会社 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法
KR100576093B1 (ko) * 2004-03-15 2006-05-03 주식회사 뉴파워 프라즈마 다중 배열된 진공 챔버를 구비한 플라즈마 반응 챔버
US7244474B2 (en) * 2004-03-26 2007-07-17 Applied Materials, Inc. Chemical vapor deposition plasma process using an ion shower grid
KR20050110548A (ko) 2004-05-19 2005-11-23 정규선 반도체 공정, 핵융합, 우주 플라즈마 모사와 진단 장치의개발 및 보정을 위한 삼중 플라즈마 발생 장치
US7767561B2 (en) 2004-07-20 2010-08-03 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation reactor having an ion shower grid
US7163877B2 (en) 2004-08-18 2007-01-16 Tokyo Electron Limited Method and system for modifying a gate dielectric stack containing a high-k layer using plasma processing
JP2008519416A (ja) * 2004-11-08 2008-06-05 エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド 金属含有ガスを処理するための方法および装置
JPWO2006118161A1 (ja) 2005-04-28 2008-12-18 株式会社日立国際電気 基板処理装置および電極部材
IES20050301A2 (en) 2005-05-11 2006-11-15 Univ Dublin City Plasma source
EP1727186B1 (en) 2005-05-23 2012-01-25 New Power Plasma Co., Ltd. Plasma chamber with discharge inducing bridge
KR100761687B1 (ko) 2005-06-10 2007-09-28 주식회사 뉴파워 프라즈마 용량결합형 플라즈마소스 및 수직형 듀얼 프로세스챔버를구비한 플라즈마처리장치
WO2007002455A2 (en) 2005-06-23 2007-01-04 The Regents Of The University Of California Helicon plasma source with permanent magnets
US7646608B2 (en) 2005-09-01 2010-01-12 Gm Global Technology Operations, Inc. Heat transfer plate
KR20070062708A (ko) 2005-12-13 2007-06-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 안테나 및 이를 구비한 플라즈마 발생장치
JP2007220594A (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Nissin Electric Co Ltd プラズマ生成方法及びプラズマ生成装置並びにプラズマ処理装置
JP4185117B2 (ja) 2006-06-26 2008-11-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法
US8920600B2 (en) 2006-08-22 2014-12-30 Mattson Technology, Inc. Inductive plasma source with high coupling efficiency
US8992725B2 (en) 2006-08-28 2015-03-31 Mattson Technology, Inc. Plasma reactor with inductie excitation of plasma and efficient removal of heat from the excitation coil
KR100675752B1 (ko) 2006-09-14 2007-01-30 (주) 씨엠테크 플라즈마 반응기
US7939388B2 (en) 2006-10-25 2011-05-10 Panasonic Corporation Plasma doping method and plasma doping apparatus
US7845310B2 (en) 2006-12-06 2010-12-07 Axcelis Technologies, Inc. Wide area radio frequency plasma apparatus for processing multiple substrates
KR100853626B1 (ko) 2006-12-28 2008-08-25 주식회사 케이씨텍 플라즈마 증착장치 및 방법
JP5168907B2 (ja) 2007-01-15 2013-03-27 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
KR101254574B1 (ko) 2007-01-22 2013-04-15 주식회사 뉴파워 프라즈마 이중 가스 공급 채널을 갖는 플라즈마 처리 장치
JP2008181737A (ja) 2007-01-24 2008-08-07 Iwasaki Electric Co Ltd マイクロ波放電ランプシステム
JP4324205B2 (ja) 2007-03-30 2009-09-02 三井造船株式会社 プラズマ生成装置およびプラズマ成膜装置
JP2008282947A (ja) * 2007-05-10 2008-11-20 Fuji Electric Holdings Co Ltd プラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
US8291581B2 (en) 2007-06-01 2012-10-23 Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. Method for production of substrate electrode for plasma processing
US7453191B1 (en) 2007-07-06 2008-11-18 Uion Co., Ltd. Induction concentration remote atmospheric pressure plasma generating apparatus
KR20090005542A (ko) 2007-07-09 2009-01-14 엘지전자 주식회사 고주파 플라즈마 발생장치용 전력분배기 및 그 제조방법
KR101418438B1 (ko) 2007-07-10 2014-07-14 삼성전자주식회사 플라즈마 발생장치
KR101362891B1 (ko) 2007-08-27 2014-02-17 주성엔지니어링(주) 기판의 박막처리장치
US8152954B2 (en) 2007-10-12 2012-04-10 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies and plasma processing chambers incorporating the same
DE212007000107U1 (de) * 2007-10-19 2010-09-02 MKS Instruments, Inc., Wilmington Ringförmige Plasmakammer für Prozesse mit hohen Gasdurchflussraten
KR100979186B1 (ko) 2007-10-22 2010-08-31 다이나믹솔라디자인 주식회사 용량 결합 플라즈마 반응기
TWI440405B (zh) 2007-10-22 2014-06-01 New Power Plasma Co Ltd 電容式耦合電漿反應器
CN100567567C (zh) 2007-11-19 2009-12-09 南开大学 可获得均匀电场的大面积vhf-pecvd反应室背馈入式平行板功率电极
US7863582B2 (en) 2008-01-25 2011-01-04 Valery Godyak Ion-beam source
US20090255639A1 (en) 2008-04-12 2009-10-15 Jui-Liang Wu Method for making a biodegradable fibrous material composition
FR2931083B1 (fr) 2008-05-14 2010-07-30 Electricite De France Dispositif de traitement d'un gaz, procedes d'utilisation et de fabrication associes
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
KR101463934B1 (ko) 2008-06-02 2014-11-26 주식회사 뉴파워 프라즈마 혼합형 플라즈마 반응기
US20100015357A1 (en) 2008-07-18 2010-01-21 Hiroji Hanawa Capacitively coupled plasma etch chamber with multiple rf feeds
US20100024729A1 (en) 2008-08-04 2010-02-04 Xinmin Cao Methods and apparatuses for uniform plasma generation and uniform thin film deposition
JP5158367B2 (ja) 2008-12-03 2013-03-06 株式会社島津製作所 プラズマｃｖｄ装置のシャワー電極の製作方法
KR20100066994A (ko) * 2008-12-10 2010-06-18 주식회사 더블유엔아이 리모트 플라즈마 장치 및 그를 채용한 플라즈마 처리 장치
JP5221403B2 (ja) 2009-01-26 2013-06-26 東京エレクトロン株式会社 プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置および記憶媒体
KR20110025328A (ko) 2009-09-04 2011-03-10 태원전기산업 (주) 원형편파 마이크로파를 이용한 비회전 무전극 고출력 방전램프시스템
CN101805895B (zh) 2010-03-31 2011-09-07 河北大学 一种螺旋波等离子体增强化学气相沉积装置
US9184028B2 (en) 2010-08-04 2015-11-10 Lam Research Corporation Dual plasma volume processing apparatus for neutral/ion flux control
WO2012077843A1 (ko) 2010-12-09 2012-06-14 한국과학기술원 플라즈마 발생 장치
US8900402B2 (en) 2011-05-10 2014-12-02 Lam Research Corporation Semiconductor processing system having multiple decoupled plasma sources
KR101196309B1 (ko) 2011-05-19 2012-11-06 한국과학기술원 플라즈마 발생 장치
KR101241049B1 (ko) 2011-08-01 2013-03-15 주식회사 플라즈마트 플라즈마 발생 장치 및 플라즈마 발생 방법
KR101246191B1 (ko) 2011-10-13 2013-03-21 주식회사 윈텔 플라즈마 장치 및 기판 처리 장치
KR101427732B1 (ko) 2012-01-20 2014-08-07 한국과학기술원 플라즈마 발생 장치 및 기판 처리 장치
KR101504532B1 (ko) 2012-03-09 2015-03-24 주식회사 윈텔 플라즈마 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101332337B1 (ko) 2012-06-29 2013-11-22 태원전기산업 (주) 초고주파 발광 램프 장치
US9082590B2 (en) 2012-07-20 2015-07-14 Applied Materials, Inc. Symmetrical inductively coupled plasma source with side RF feeds and RF distribution plates
US20140360670A1 (en) 2013-06-05 2014-12-11 Tokyo Electron Limited Processing system for non-ambipolar electron plasma (nep) treatment of a substrate with sheath potential

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI801058B (zh) * 2021-12-23 2023-05-01 明遠精密科技股份有限公司 一種複合式電漿源及其運作方法
US11895765B2 (en) 2021-12-23 2024-02-06 Finesse Technology Co., Ltd. Hybrid plasma source and operation method thereof

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