TW201306317A - 發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光二極體封裝結構基座之形成方法，其包括以下幾個步驟：提供第一電極及第二電極；提供一模具，其包括下模及上模，該下模開設形成收容槽，該上模包括芯件及圍繞該芯件之擋壁，該芯件表面上開設形成凹槽；將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，且芯件之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙，最後將擋壁圍繞芯件設置在下模上；由擋壁與芯件之間之通道向下模收容槽中注入液體成型材料；凝固成型後撤去下模和上模，形成基座。本發明還提供一種發光二極體封裝結構之形成方法。

Description

發光二極體封裝結構之形成方法及其基座之形成方法
本發明涉及一種發光二極體封裝結構及其基座之形成方法。
發光二極體是一種節能、環保、長壽命之固體光源，因此近十幾年來對發光二極體技術之研究一直非常活躍，發光二極體也有漸漸取代日光燈、白熾燈等傳統光源之趨勢。在先前技術中，為實現多波段或者高演色性之照明要求，通常會使用多晶片型發光二極體封裝構造，其具體結構是將多個性能指標不同之發光二極體晶片集成封裝，為了減少各個發光二極體晶片所發出之光線之相互干擾以及為了控制發光二極體封裝結構整體出光效果，發光二極體封裝結構中之基座上通常會設置有擋牆結構，用於隔開各個發光二極體晶片。先前技術在製作發光二極體封裝結構之基座時，需要後期製作擋牆，然後再將該擋牆設置在基座上，因而會費時費力，製作麻煩，不易量產。
有鑒於此，有必要提供一種製作簡單之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法。
一種發光二極體封裝結構基座之形成方法，其包括以下幾個步驟：
提供第一電極及第二電極；
提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設置之擋壁，該芯件與下模相對之表面上開設形成一凹槽；
將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將上模之芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，且芯件之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙，最後將擋壁圍繞所述芯件設置在下模上；
由擋壁與芯件之間形成之通道向下模之收容槽中注入液體成型材料；及
凝固成型後撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中之液體成型材料凝固形成一擋牆，而擋壁與芯件之間之通道中之液體成型材料凝固形成容置杯。
一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：
提供第一電極及第二電極；
提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設置之擋壁，該芯件與下模相對之表面上開設形成一凹槽；
將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將上模之芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，且芯件之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙，最後將擋壁圍繞所述芯件設置在下模上；
由擋壁與芯件之間之通道向下模之收容槽中注入液體成型材料；
凝固成型後撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中之液體成型材料凝固形成一擋牆，而擋壁與芯件之間之通道中之液體成型材料凝固形成容置杯；
將第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在擋牆之兩側；及
在容置杯中填充封裝材料，形成發光二極體封裝結構。
一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下步驟：
提供第一電極及第二電極；
提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設形成一收容槽，該上模與下模相對之表面上開設形成一凹槽，該上模設有上下貫穿之環狀通道，該通道外側邊緣對應下模之收容槽內側邊緣；
將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將上模覆蓋在第一電極、第二電極及下模上，且上模之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙；
由上模之通道向下模之收容槽中注入液體成型材料；
凝固成型後撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中之液體成型材料凝固形成一擋牆，而通道中之液體成型材料凝固形成容置杯；
將第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在擋牆之兩側；及
在容置杯中填充封裝材料，形成發光二極體封裝結構。
上述之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法將擋牆與基座一體成型，無需後期製作擋牆，製作簡單，容易量產。
以下將結合附圖對本發明作進一步之詳細說明。
請參閱圖1以及圖2，本發明之發光二極體封裝結構之形成方法用於形成一發光二極體封裝結構100，該發光二極體封裝結構100包括基座10以及設置在該基座10中之第一發光二極體20和第二發光二極體30。
所述基座10從其頂面沿底面方向形成一容置杯11。該容置杯11之底面上形成有一擋牆12，該擋牆12將容置杯11成兩個區域。基座10還包括有第一電極13以及第二電極14，該第一電極13和第二電極14分別位於擋牆12之兩側，彼此分離形成在容置杯11之底面上，其中該第一電極13和第二電極14之一端分別伸至擋牆12，另一端分別從基座10之端面延伸到基座10之底面上，用於與外部電路連接。
第一發光二極體20和第二發光二極體30位於容置杯11之底面，並且由擋牆12相互隔開，其中第一發光二極體20設置在第一電極13上，第二發光二極體30設置在第二電極14上。第一發光二極體20和第二發光二極體30分別藉由導線與第一電極13和第二電極14連接。在基座10之容置杯11中還填充有封裝材料40。
請參閱圖3，上述之發光二極體封裝結構100之基座10由模具50製作形成，該模具50包括下模51以及上模52。該下模51從其頂面沿底面方向開設形成一收容槽511。該上模52包括一芯件521以及圍繞該芯件521設置之擋壁522。其中，該芯件521與下模51相對之表面上開設形成一條形凹槽5211。擋壁522與芯件521之間形成一環狀之通道70。在本實施方式中，條形凹槽5211之截面為一梯形，其上表面之寬度小於下表面之寬度，兩個側表面為一傾斜面。
本發明提供之一種發光二極體封裝結構之形成方法包括以下幾個步驟：
步驟1，請參閱圖4以及圖5，提供第一電極13以及第二電極14，該第一電極13和第二電極14彼此分離，兩者之間具有一間隙60。在本實施方式中，第一電極13和第二電極14分別呈一“U”型結構，且該兩個“U”型結構之開口相對設置。該第一電極13和第二電極14之頂部靠近間隙60處分別開設有多個通孔131和141。
步驟2，請參閱圖6，將第一電極13和第二電極14設置在下模51之收容槽511中，然後將上模52之芯件521覆蓋在第一電極13以及第二電極14上，並且芯件521之條形凹槽5211遮蓋在第一電極13和第二電極14之間隙60、通孔131以及通孔141，最後將上模52之擋壁522設置在下模51之收容槽511之側壁上，並且圍繞芯件521，其中，該擋壁522與該芯件521之間具有通道70。
步驟3，從擋壁522與芯件521之間之通道70中向下模51之收容槽511中注入液體成型材料，直至液體成型材料填滿通道70。其中，該液體成型材料由第一電極13和第二電極14之間之間隙60以及各自之通孔131和141流入到芯件521之條形凹槽5211中。
步驟4，請參閱圖7，凝固成型後撤去下模51和上模52，形成基座10。其中，芯件521之條形凹槽5211中之液體成型材料凝固形成擋牆12，而擋壁522與芯件521之間之通道70中之液體成型材料凝固形成容置杯11之側壁。
步驟5，請再次參閱圖1以及圖2，將第一發光二極體20和第二發光二極體30分別設置在擋牆12之兩側。其中，將第一發光二極體20設置在第一電極13上，將第二發光二極體30設置在第二電極14上，再分別藉由導線將第一發光二極體20和第二發光二極體30與第一電極13和第二電極14連接。
步驟6，在容置杯11中填充封裝材料40，形成發光二極體封裝結構100。
相較於先前技術，本發明之發光二極體封裝結構及其基座之形成方法將擋牆與基座一體成型，無需後期製作擋牆，製作簡單，容易量產。
另外，本領域技術人員還可在本發明精神內做其他變化，當然，這些依據本發明精神所做之變化，都應包含在本發明所要求保護之範圍之內。
100．．．發光二極體封裝結構
10．．．基座
20．．．第一發光二極體
30．．．第二發光二極體
40．．．封裝材料
50．．．模具
60．．．間隙
70．．．通道
11．．．容置杯
12．．．擋牆
13．．．第一電極
14．．．第二電極
51．．．下模
52．．．上模
131、141．．．通孔
511．．．收容槽
521．．．芯件
522．．．擋壁
5211．．．條形凹槽
圖1為本發明之發光二極體封裝結構之形成方法形成之發光二極體封裝結構俯視圖。
圖2為圖1中之發光二極體封裝結構之剖面示意圖。
圖3為模具之剖面示意圖。
圖4為第一電極和第二電極之剖面示意圖。
圖5為第一電極和第二電極之俯視圖。
圖6為將第一電極和第二電極收容於模具中之剖面結構示意圖。
圖7為成型後之基座剖面結構示意圖。
60．．．間隙
70．．．通道
13．．．第一電極
14．．．第二電極
51．．．下模
131、141．．．通孔
511．．．收容槽
521．．．芯件
522．．．擋壁
5211．．．條形凹槽

Claims (10)

  1. 一種發光二極體封裝結構基座之形成方法，其包括以下幾個步驟：
    提供第一電極及第二電極；
    提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設置之擋壁，該芯件與下模相對之表面上開設形成一凹槽；
    將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將上模之芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，且芯件之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙，最後將擋壁圍繞所述芯件設置在下模上；
    由擋壁與芯件之間形成之通道向下模之收容槽中注入液體成型材料；及
    凝固成型後撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中之液體成型材料凝固形成一擋牆，而擋壁與芯件之間之通道中之液體成型材料凝固形成容置杯。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法，其中：所述凹槽為條形凹槽，該凹槽之截面為一梯形，該凹槽上表面寬度小於下表面之寬度，兩個側表面為傾斜面。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結構基座之形成方法，其中：所述第一電極和第二電極分別呈一“U”型結構，且該兩個“U”型結構之開口相對設置，且具有一間隙，所述第一電極和第二電極之頂部靠近該間隙處分別開設有多個通孔，所述芯件之凹槽遮蓋在第一電極和第二電極之間隙以及通孔處。
  4. 一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下幾個步驟：
    提供第一電極及第二電極；
    提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設形成一收容槽，該上模包括一芯件以及圍繞該芯件設置之擋壁，該芯件與下模相對之表面上開設形成一凹槽；
    將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將上模之芯件覆蓋在第一電極及第二電極上，且芯件之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙，最後將擋壁圍繞所述芯件設置在下模上；
    由擋壁與芯件之間之通道向下模之收容槽中注入液體成型材料；
    凝固成型後撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中之液體成型材料凝固形成一擋牆，而擋壁與芯件之間之通道中之液體成型材料凝固形成容置杯；
    將第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在擋牆之兩側；及
    在容置杯中填充封裝材料，形成發光二極體封裝結構。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述凹槽為條形凹槽，該凹槽之截面為一梯形，該凹槽上表面寬度小於下表面之寬度，兩個側表面為傾斜面。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述第一電極和第二電極分別呈一“U”型結構，且該兩個“U”型結構之開口相對設置，且具有一間隙，所述第一電極和第二電極之頂部靠近該間隙處分別開設有多個通孔，所述芯件之凹槽遮蓋在第一電極和第二電極之間隙以及通孔處。
  7. 如申請專利範圍第4項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述第一發光二極體設置在第一電極上，所述第二發光二極體設置在第二電極上，所述第一發光二極體和第二發光二極體分別藉由導線與第一電極和第二電極電連接。
  8. 一種發光二極體封裝結構之形成方法，其包括以下步驟：
    提供第一電極及第二電極；
    提供一模具，該模具包括下模及上模，該下模上開設形成一收容槽，該上模與下模相對之表面上開設形成一凹槽，該上模設有上下貫穿之環狀通道，該通道外側邊緣對應下模之收容槽內側邊緣；
    將第一電極和第二電極相互間隔設置在下模之收容槽中，然後將上模覆蓋在第一電極、第二電極及下模上，且上模之凹槽連通第一電極與第二電極之間之間隙；
    由上模之通道向下模之收容槽中注入液體成型材料；
    凝固成型後撤去下模和上模，形成基座，其中凹槽中之液體成型材料凝固形成一擋牆，而通道中之液體成型材料凝固形成容置杯；
    將第一發光二極體和第二發光二極體分別設置在擋牆之兩側；及
    在容置杯中填充封裝材料，形成發光二極體封裝結構。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述凹槽為條形凹槽，該凹槽之截面為一梯形，該凹槽上表面寬度小於下表面之寬度，兩個側表面為傾斜面。
  10. 如申請專利範圍第8項所述之發光二極體封裝結構之形成方法，其中：所述第一電極和第二電極分別呈一“U”型結構，且該兩個“U”型結構之開口相對設置，且具有一間隙，所述第一電極和第二電極之頂部靠近該間隙處分別開設有多個通孔，所述上模之凹槽遮蓋在第一電極和第二電極之間隙以及通孔處。
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