TW201241142A - Dicing and die-bonding film - Google Patents

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201241142 32207—D pif 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於一種切割、黏晶膜的製造方法，以及由 該方法獲得的切割、黏晶膜’該切割、黏晶膜的製造方法 是將用以使晶片狀工件（半導體晶圓等）與電極構件固著 的接著劑，以在切割前附設於工件（半導體晶圓等）的狀 態下供於工件的切割。 【先前技術】 形成電路圖案的半導體晶圓（工件）視需要藉由背面 研磨而調整厚度後，切割成半導體晶片（晶片狀工件）（切 割步驟）。接著，利用接著劑將上述半導體晶片固著於導線 架（lead frame)等被黏接體（安裝（m〇un〇步驟）後， 移至焊接（bonding)步驟。於上述安裝步驟中，將接著劑 塗佈於導線架或半導體晶片上。然而，該方法難以使接著 劑層均勻化，而且接著劑塗佈時必需特殊裝置或較長時 間。因此，提出有一種於切割步驟中將半導體晶圓接著保 持，並且亦賦予安裝步驟所必需的晶片固著用接著劑層的 切割、黏晶膜（例如，參照專利文獻i )。 專利文獻1中記載的切割、黏晶膜是於支持基材上以 可剝離的方式設置接著劑層而成。即，於利用接著劑層的 保持狀態下將半導體晶圓切割後，使支持基材延伸，將半 導體晶片與接著劑層一起剝離，然後將半導體晶片與接著 沖J層分別回收，從而經由該接著劑層而固著於導線架等被 黏接體上。 4 201241142 32207_D pif 為了不產生無法切割或尺寸誤差（miss)等情況，而 期望此種切割、黏晶膜的接著劑層具有對半導體晶圓的良 好保持力、與可將切織的半導體晶片與接著劑層一體^ 自支持基材上剝離的良好剝離性。然而，使該兩種特性平 ，决非易事。尤其，於如利用旋轉圓刀等來切割半導體晶 圓^方式等’對接著㈣要求較大的保持力的情況，難以 獲得滿足上述特性的切割、黏晶膜。 因此，為了克服此種問題，提出有各種改良法（例如， 二照專利文獻2)。於專敎獻2巾糾有如下方法：於支 馬基材與接著劑層之間插人可進行紫外線硬化的黏著劑 日將其蝴後進行紫外線硬化，崎健著劑層與接著 刮曰之間的接著力，然後藉由兩者間的剝離而容易地拾取 (Pickup)半導體晶片。 然而’隨著半導體晶圓的大型化或薄型化，先前的切 ^黏晶臈難以同時狀切割時所必需的高接著性、與拾 =所^的_性’難以自切割膠帶上剝離附接著劑的 體晶片。結果存在因拾取不良或晶片變形致破 的問題。 另外’根據蝴、黏晶膜的鶴，亦有具備紫外線硬 &切轉帶的_、減膜。於該紫外線硬化型切割朦 :if况’有與黏著劑層中的未硬化樹脂進行反應，造成 ^力隨Ϊ間經過而增大的切割、黏晶膜。該情況下，難 丄附接著綱半導體晶#自_膠帶上拾取，無法剝離 除去而導致廢#。結果生錢切大，料良率下降。 201241142 32207_D pif 而且，控制黏著劑層與接著劑層之間的接著性以及剝 離性的平衡的方法，.例如亦可列舉於接著劑層中調配無機 填充劑，對該無機填充劑的調配量進行適當調節的方法。 然無機填充劑的最佳調配量會根據無機填充劑的凝聚 „度分布等而發生變化。因此，通常是根據所使用 的…、機填充劑的性狀’預先在實驗室中決定黏合劑的最佳 5周配比例’然後試行工業規模的應用。然而 模下操作容量不同，而且少量評價時亦產Li ^題。結果在^規模下的製造時，即便使粒度 =己條定而進行塗佈，填料的批次⑽中或根據 你批:人，接讀層絲面婦度亦不均勻，拾取性下降。 變更接著_形成日杨接著触成物溶液的塗 ^件、或接著·與黏著劑層的貼合條件等，會產生製 造步驟上的各種阻礙，導致繁雜度增大。 製 [先前技術文獻] 1:日本專利特開昭6〇·57642號公報 曰本專利特開平2-248064號公報 晶膜，該切割、黏晶膜的製二 刺離性優異的驟時的接著性與拾取步驟時的 本申4案發明者等為了解決上述先前的問題’而對切 6 201241142 32207_D pif 割、黏晶膜的製造方法以及由該方法獲得的切割 進行研究。結果發現，藉衫僅控難著_ : ^ 無機填充劑的調配量’並且亦控制兩者的接觸面積了則： ，於在工業規模下製造時，亦可使輯劑層與接! 間的黏著性以及剝離性良好而製造切割、黏晶臈，從^ 成本發明。 元 、即，為了解決上述課題，本發明的切割、黏晶膜 仏方法疋製造於基材上依次制有黏著綱以著劑 ^割、黏晶膜；且上述製造方法包括以下步驟：於= 膜上形成^錢填_、算料均粗财Ra為⑽5 表面λγ狀的上述接著劑層；叹‘ 度為30C〜50C、壓力為αι廳〜〇 6聰的 ^設置於上述基材上的黏著劑層與上述接著劑層進行貼 δ ’且使轉綱與接㈣|層的細 稽 而為35%〜9G%的範圍。 °面積 據上述方法，藉由形絲面為凹凸狀，且算術平均 ，度為卿〜贼、壓力為aiMPa〜〇6M^、^ 下，將該接著劑層與黏著劑層進行貼合， ，島狀接觸狀態下，使黏著劑層與接著劑層 夕卜藉由使上述接著劑層與黏著劑層的接觸面積相對於 而為小於等於9〇%’可防止上述接著劑層與黏著劑 層的接觸_變大而造絲著性過度變大，從而防止拾取 性下降n®，II由使接觸面積為大於等於35%，可 7 201241142 32207—D pif 防止上述接著劑層與黏著劑層的接觸面積 性過度變大，從而防止切割時產生半導體晶片的^飛散。 為良ί的切割、黏晶膜。而且，與藉由調節無機2 刎的调配罝來控制黏著劑層與接著劑層之間的接著性以 剝離性的情況相比較，於在工單規模 ;:可=接麵形成時的4:下:物=塗： 牛或”黏者劑層貼合的條件等的大幅設-可降低製造步驟上的繁雜度。 交文…果， 於上述方法中，形成上述接著劑層 括以下步驟：於上述脫_上塗佈包含上述=== 接著劑組成物減㈣制；以及於絲真 〜160C、乾燥時間為i分鐘〜5分鐘的條件下^ :層:附風量為5 m/min〜2〇 m/min的乾::^ ㈣此，可形成與黏著劑層的貼合面 平均_度〜為_5㈣〜1㈣的接著劑層。异術 對於’上述無機填充劑的調配量較好的是相 樹脂成分100重量份而為2〇重量 伤80重里伤。藉由相對於接著劑層的有機 機填充劑的調酉己量為大於等於“，可 防止耐熱性下降，即使於長時間暴 (thermal history) *的情況，亦可防“皿”、、歷程 且防止接著綱⑽祕絲續獨。^面的硬= 8 201241142 32207_Dpif 使無機填充劑的調配量為小於等於80重量份，可防止接著 =的拉伸彈性模數過度變高，已硬化的接著劑難以應力 '’爰和’利用岔封樹脂進行半導體元件的密封步驟時，亦可 防止對貼合面上的凹凸的嵌入性下降。 尸於上述方法♦，上述無機填充劑較好的是使用平均粒 徑為j.l 〜5 的無機填充劑。若無機填充劑的平 均粒控小於（U _，則難以使上述接著_的算術 粗糙度Ra為大於等於〇.〇15 _。另一方面，若上述平均 粒徑超過5 ，則難以使Ra小於i以瓜。 時上述塗佈層的乾燥較好的是隨著乾燥 二Si?乾燥溫度階段性地上升而進行。若為使乾 组成：、:“升的乾燥方法，則可防止在剛塗佈黏著劑 成物浴液後’於塗佈層表面產生針孔（pinhole)。 黏㈣層的算術平均她度Ra在與·^接著劑 層貼Μ ’較好的是0.015㈣〜〇 5 _的範圍。 於決上述課題’本發明的切割、黏晶膜為 =3=含無機填充劑、與上述嶋 口二的貼合面為凹凸狀、且算術平均婦度⑹為⑽ M。/ 2 ’上賴合面的朗®積相料貼合面積而為 350/。〜900/。的範圍。 口 w顸叩与 於上述構成中，接著劑層的與 凹凸狀，因此藉由使該接著劑層與該黏著 多點接觸或海島狀接觸狀態下進行接著。：心 201241142 32207_D pif ίHr占合面中’使該接著劑層的算術平均粗糙度Ra 於貼合面：Γ:9〇Γ與黏著劑層啊 奸於^為 的範圍内。若為此種構成，則 二：半驟ΐ劑層與接著劑層之間，切割步驟時的黏著性與 σ 乂"時的剝離性的平衡優異的切割、黏晶膜。、 料上述構成中，上述無機填充劑的調配量較好的是相 述接著劑層中的有機樹脂成分1GG重量份而為2〇 、里伤-^〇重量份。藉由使無機填充劑的調配量為大於等 =20重量份’可防止耐熱性下降，即使於長時間暴露於高 溫熱歷程巾的情況，亦可防止接著㈣硬化，防止接著劑 層的流，性或嵌人性下降。另―方面，藉由使無機填充劑 的°周配1為小於等於8G重1:份’可防止接著劑層的拉伸彈 性模數過度變高’已硬化的接著劑難以應力緩和，即使於 利用密封樹脂進行半導體元件的密封步驟時，亦可防止對 貼合面上的凹凸的嵌入性下降。 於上述構成中’上述無機填充劑較好的是使用平均粒 技為0.1 /zm〜5 的無機填充劑。若無機填充劑的平 均粒徑小於〇·1 ym，則難以使上述接著劑層的算術平均 粗链度Ra為大於等於〇 015 am。另一方面，若上述平均 粒徑超過5 #m’則難以使Ra小於1 μπι。 上述黏著劑層的算術平均粗糙度Ra在與上述接著劑 層貼合前，較好的是O.OU 〜0.5 的範圍。 【實施方式】 (切割、黏晶膜的製造方法） 201241142 32207—D pif 以下’以基材上依次積層有黏著劑層以及接著劑層的 切割、黏晶膜為例，對本實施形態的切割、黏晶膜的製造 方法進行說明。 首先，本實施形態的切割、黏晶膜的製造方法至少包 括以下步驟：於脫模膜上形成接著劑層；以及將設置於基 材上的黏著劑層與接著劑層貼合。 上述形成接著劑層的步驟，例如可列舉如下方法：進 行於脫模膜上塗佈包含無機填充劑的接著劑組成物溶液 (詳細情況如下文所述）而形成塗佈層的步驟，然後進行 使上述塗佈層乾燥的步驟。 上述接著劑組成物溶液的塗佈方法並無特別限定，例 如可列舉使用刮刀式塗佈法（c〇mma coat method)、喷注 法（fountain method )、凹版法（gravure method )等進行塗 佈的方法。塗佈厚度可適當設定以使將塗佈層乾燥而最終 獲得的接著劑層的厚度成為5 //m〜100 //m的範圍内。 此外’接著劑組成物溶液的黏度並無特別限定，較好的是 400 mPa_s〜2500 mPa，s，更好的是 800 mPa.s〜2000 mPa. S 0 上述脫模膜並無特別限定，可使用先前公知的脫模 膜。具體而言，例如可列舉於脫模膜的基材的與接著劑層 的貼合面上形成有聚矽氧層等脫模塗佈層的脫模膜。另 外’脫模膜的基材例如可列舉如玻璃紙（glassine paper ) 之類的紙材料，或由聚乙烯、聚丙烯、聚酯等構成的樹脂 膜。 201241142 32207_D pif —上述塗佈層的乾燥是藉由對塗佈層吹附 =J乾燥風的吹附，例如可列舉以使乾燥吹= 與脫模膜的搬送方向平行的方式進行的方法，或 風的吹附方向與塗佈層的表面垂直的方式進行的方、 二量並無特別限定，通常為5— ^5η^1η〜15m/mm。藉由使乾燥風的風量為大 ' m mm，可防止塗佈層的乾燥變得不充分。另 、 表面附近的有機溶劑（詳細情況如下文所 ^的

因此可使有機_均勻地祕均勻。結果可形^表=勾’ 於面内均勻的接著劑層。 狀L -4乞燥據接著·成物溶液的塗佈厚度而適 二 '疋通吊為！分鐘〜5分鐘的範圍内， 適 ί:4分鐘的範圍内。若乾燥時間小於！分鐘，‘化： =分進行，未反應的硬化成分或殘存的 藉此有於後續步驟產生脫氣或空隙的問題的情況。另Ϊ方 ^若乾燥時間超過5分鐘，則硬化反應過度進行，4 有&動性或對被黏接體的嵌入性下降的情況。 、，，。果 J燥Γί並無特別限定’通常設定在，C〜靴的 :本發明中，較好的是隨著乾_^^ 過，使乾爍溫度階段性地上升而進 且 、· 乾燥初期（_職至小轉於丨; t的範圍内，於乾雜期（她分鐘且小 設定在成靴〜_的範圍内。藉此，可防止產生t剛 201241142 32207—D pif :佈溫度急遽上升時所產生的塗佈層表面的針 孔;果可，成表面為凹凸狀且算術平均粗糙度為 0·015 〜1 的接著劑層。 、隹-上目^者與料綱_合步較藉由璧接而 進灯。貼&溫度為3叱〜观，較好的是抑〜饥。另 外，貼合壓力為（U MPa〜〇·6 Mpa，較好的是Μ廳〜 0:5論。糟由於該些壓接條件下將黏著綱與接著劑層進 行貼&彳使上述黏著劑層與接著劑層於 料 狀接觸«下接著，且，可使接觸面積相對於貼 35%〜90%的範㈣。 —一另外，上述綱©積的值是藉輯拍題得的圖像進 行值化（binarize )的圖像分析（image analysis )而獲得。 用以進行上述®像分析關像處理裝置，若為可對拍攝的 ，淡圖像進行三值化處理的圖像處理裝置，則無特別限 定’可使用先前公知的所有圖像處理裝置。具體而言，例 ^、’由於對類似的圖像進行連續檢查地情況較多，故對於 最初圖像（任意圖像）’分析者一面觀察晝面一面設定臨限 值，而對於其他圖像，是根據在最初圖像中設定的臨限值 來"又疋其他圖像的臨限值。圖像信號的二值化可使用市售 的圖像分析軟體來進行。例如可列舉：三谷商事股份有限 公司製造的WinROOF (註冊商標）、Ad〇be Systems股份 有限公司製造的AdobePhotoshop(註冊商標）、NanoSyStem 股份有限公司製造的NanoHunter NS2K-Pro (註冊商標） 等。 13 201241142 32207一D pif 上述脫模膜可於黏著劑層與接著劑層貼合後進行剝 離，或者可直接用作切割、黏晶膜的保護膜，於與半導體 晶圓等貼合時剝離。藉此，可製造本實施形態的切割、黏 晶膜。 另外，對在基材上形成黏著劑層的方法（即，切割膜 的形成方法）並無特別限定，可採用先前公知的各種方法。 具體而言如下文所述。 首先，上述基材可利用先前公知的製膜方法進行製 膜。該製膜方法例如可例示：砑光機（calender)製膜法、 有機溶劑中的澆鑄（casting)法、密閉系統中的吹塑 (mflation)擠出法、T模擠出法、共擠出法、乾式層壓（dry laminate)法等。 其次，上述黏著劑層可藉由於基材上塗佈黏著劑組成 物溶液後’❹_定條件下進行絲（視需要進行加献 交聯）而形成。塗佈方法並無_限定，例如可列舉：親 塗佈（roll coating)、網版塗佈（screenc〇ating)、凹版塗佈 (gravure coating )等。 塗佈時的塗佈厚度可適當設定以使將塗佈層乾燥而 最終獲得的黏Ϊ材層的厚度成為1 _〜5G㈣的範圍 内。此外，黏著材溶液_度並無特龜定，較 的是400mPa.S〜25GGmPa.s，更好的是_m mPa.s- υυυ 201241142 32207_D pif 的疋不使用乾燥風而使其乾燥。 —乾燥時間是根據黏著材組成物溶液的塗佈量而適當 ’通常為0.5分鐘〜5分鐘，較好的是2分鐘〜4分鐘 的㈣内。乾燥溫度並無特別限定，通常為80°C〜15CTC， 較好的是80°C〜13〇。(：。 根據以上條件’可形成與接著劑層的貼合面的算術平 均粗輪度Ra為G.G15㈣〜〇.5，的範圍的黏著劑層。 另外，黏著劑層的形成可於隔離膜（separator)上塗 佈黏著劑組成物而形成黏著劑組成物的塗佈膜後 ，於上述 =Μ下使塗佈膜乾燥而形成黏著劑層。然後，藉由於 基材上轉印黏著劑層而獲得切割膜。 (切割、黏晶膜） Α如圖1 (a)所示，切割、黏晶膜10是於基材1上依 ^層有黏著劑層2以及接著劑層3的構成。而且，如圖 成。不’亦可為僅於工件貼附部分形成有接著劑層3,的構 接觸ί : 二黏著劑層2與接著劑層3是於多點 I Α狀接觸狀,4下接著，黏著劑層2與接著劑層3 對於貼合面積而為35%〜9Q%的範圍内，較 、疋35%〜80% ’尤其好的是35%〜75%。 =為大於等於35%，可防止接著劑層與黏 = =過度變大，從而可防止切割時= 干等體aB片的晶片飛散。另—方面，藉由 於等於9〇%’可防止接著_麵著劑層的闕面積變大 201241142 32207—D pif 而l黏著性過度變大，從而可防止拾取性下降。 粗糙度=Γ5 3 _細2鳴_術平均 ’、、、_ 5 _叫 ’較好的是 0.05 _〜1 為^於等^0·1 _〜1㈣。若算術平均粗糖度Ra 的接觸in ^，則可將黏著劑層2與接著劑層3 姓 積P制為小於等於9〇%，防止密著力變得過大。 可減少半導體晶片拾取時的拾取性下降。另-方面， ^術平均粗糙度Ra為小於等於…，則可使黏著劑 層=與接者劑層3的接觸面積為大於等於35%，因此可將 |曰占著劑層2與接著劑層3貼合，可防止切割時產生半導體 晶片=晶片飛散。而且，於半導體晶片的黏晶時，可抑制 =接著劑層3與被黏接體之間產生空隙。結果，可防止可 靠性下降而製造半導體裝置。 另外，上述算術平均粗糙度Ra是由JIS表面粗糙度 (B0601 )定義的算術平均粗糙度。算術平均粗糙度的測 定方法，例如可列舉使用VEECO公司製造的非接觸三維 表面形狀測定裝置NT8000、ZYGO公司製造的New View 5032、島津製作所製造的原子力顯微鏡（at〇mic force microscope) SPM-9500 型等的方法。 其次，對構成本實施形態的切割、黏晶膜10的各構 成構件進行詳細說明。 上述基材1具有紫外線透射性，且成為切割、黏晶膜 10、11的強度母體。例如可列舉：低密度聚乙烯、直鏈狀 聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、 201241142 32207_D pif 無規共聚合（random copolymerizing)聚丙烯、欲段共聚 合 （block copolymerizing ) 聚丙烯、均聚丙稀 (homopolypropylene )、聚丁烯、聚曱基戊烯等聚烯烴 (polyolefin )，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物 (ionomer)樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯_(甲基) 丙烯酸酯（無規、交替）共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯 -己烯共聚物、聚胺基甲酸醋（p〇lyurethane)、聚對苯二甲 酸乙二酯、聚萘二曱酸乙二酯等聚酯，聚碳酸酯、聚醯亞 胺、聚醚醚酮、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、 聚苯硫趟、芳族聚醯胺（aramid)(紙）、玻璃、玻璃布（咖 cloth)、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氣乙烯、纖維素系樹 脂、聚矽氧樹脂、金屬（箔）、紙等。 此外，基材1的材料可列舉上述樹脂的交聯體等聚合 物（polymer)。上述塑膠膜（plasticmm)可不加以延伸而 使用，亦可使用視需要經單軸或雙軸延伸處理的塑朦膜。 利用藉由延伸處料而賦予熱收縮性的樹脂薄#，則藉由 於切割後使，基材1熱收縮，而可使黏著劑層2與接著劑 層3、3’的^著面積下降，可實現半導體晶片目收的容易化。 為了提高與鄰接層的密著性、保持性等，基材1的表 面可實施’_的表面處理，例如鉻酸纽、臭氧暴露（〇麻 exposure )火心暴路（name哪〇8脱）、高壓電擊（咖⑽匕 s々hock )暴路離子化射線處理（—ζ—触也〇11㈣瓣nt) 35生或物_處理’以及利用底塗劑（例如，下述黏 者物質）的塗佈處理。 17 2012411422,2201 _D pif 上述基材1可適當選擇同種或異種的基材來使用，可 使用視^要摻合有數種基材的基材。而且，為了對基材} 賦予抗靜電能力，可於上述基材1上設置由金屬、合金、 該些的氧化物等構成的厚度為3〇人〜5〇〇人左右的導電性 物質的蒸鑛層。基材1可為單層或者兩種或兩種以上的多 層。 基材1的厚度並無特別限制，可適當決定，通常為5 〜200 左右。 上述黏著劑層2例如是包含紫外線硬化型黏著劑構 f ° f外線硬化型黏著劑可藉由紫外線照射而增大交聯 又合易使备、外線硬化型黏著劑的黏著力下降，可藉由僅 =圖2所_黏著· 2的與半導體晶_附部分相對應 f照射紫外線，岐置上述部分2a與其他部分2b 的黏者力的差。 化型根據圖2所示的接著劑層3,，使紫外線硬 述可容易地形成黏著力明顯下降的上 ^二已硬化且點著力下降的上述部… 容易剝離的性質。另-方面，未照射紫 #刀具有充*的黏著力’形成上述部分2b。 劑層2中，由二更:二:：『的切割、黏晶膜10的黏著 部分^接著^ 3 /硬化型黏著劑所形成的上述 紫外線硬;f型; 則了在接者、剝離的平衡良好的狀態下 18 201241142 32207—D pif 支持用以將半導體晶片固著於基板等被黏接體上的接著劑 層3。於圖2所示的切割、黏晶膜n的黏著劑層2中，上 述。P七2b可固定晶圓環（wafer如径）。 上述紫外線硬化型黏著劑具有碳_碳雙鍵等紫外線硬 化性官能基，且可無特別限制地使用顯示黏著性的紫外線 硬化型黏著劑。紫外線硬化型黏著劑例如可例示：於丙烯 酸系黏著劑、橡膠系黏著劑等一般的感壓性黏著劑中調配 有兔外線硬化性單體（m〇n〇mer )成分或寡聚物（〇lig〇mer ) 成分的添加型紫外線硬化型黏著劑。 作為上述感壓性黏著劑，自半導體晶圓或玻璃等忌污 ^的電子零件的超純水或料錢溶獅清潔洗淨性 等方面考慮，較好的是以丙烯酸系聚合物為基礎聚合物 (base p〇lymer )的丙烯酸系黏著劑。 上述丙烯酸系聚合物，例如可列舉使用（曱基）丙烯酸 =基酯一(例如’甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁 S曰第丁齣、弟二丁S旨、戊醋、異戊酯、己醋、庚酯、 辛西曰、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一 巧醋、十二烧基醋、十三烧基酯、十四烧基醋、十六烧 基酯2 ^八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳數為1〜30' 尤其疋破為4〜18的直輸或支鏈狀絲料）以及（曱 基)丙烯酸诚基酿（例如，環戊酯、環己醋等）中的一種 或者兩種^兩種以上作為單體成分的丙稀酸系聚合物等。 另外’所謂（甲基)丙烯酸醋，是指丙烯酸醋及/或曱基丙婦 酸醋，本發明的（曱基)全部是相同的含義。 19 201241142 32207_D pif 上述丙烯酸系聚合物為了改善凝聚力、耐熱性等，亦 可視需要而包含與可與上述（曱基）丙烯酸烧基S旨或環烧基 酯共聚合的其他單體成分對應的單元。此種單體成分，例 如可列舉：丙烯酸、曱基丙烯酸、（甲基）丙稀酸羧基乙酯、 (甲基）丙烯酸叛基戊S旨、亞甲基丁二酸（itaconic acid)、順 丁烯二酸（maleic acid)、反丁烯二酸（fumaric acid)、丁 烯酸（crotonicacid)等含羧基單體；順丁烯二酸酐、亞甲 基丁一酸針專酸肝早體，（曱基)丙稀酸2-經基乙醋、（曱基) 丙烯酸2-經基丙醋、（甲基)丙稀酸4-經基丁酯、（甲基）丙 烯酸6-羥基己酯、（甲基)丙烯酸8_羥基辛酯、（曱基)丙烯 酸10-羥基癸酯、（甲基)丙烯酸12_羥基月桂酯、（甲基)丙 稀酸(4-經基甲基環己基）甲醋等含經基單體；苯乙稀磺 酸、烯丙基磺酸、2-(曱基)丙烯酸醯胺_2_甲基丙磺酸、（甲 基)丙烯醯胺丙磺酸、（甲基)丙烯酸磺丙酯、（曱基)丙烯醯 ，基萘績酸等含魏基單體；2_錄乙基丙賴基鱗酸醋 2磷酸基單體；丙烯醯胺、丙騎等。該些可共聚合的 早體成分可使用-種或者兩種或兩_上。糾可 a =體的個量較好的是小轉於料糾4〇、^ 百分比（wt%)。 包人丙埽酸系聚合物為了交聯，亦可視需要而 能體等來作為共聚合用單體成分。此種多官 早體例如可列舉：己二醇二(甲基)丙烯酸醋、⑻乙二 —释一（曱基 201241142 32207—D pif (pentaerythritol di(meth)acrylate )、三羥甲基丙燒三（甲基） 丙烯酸@旨、季戊四醇三（曱基）丙烯酸醋、二季戊四醇六（曱 基)丙烯酸酯、環氧（曱基)丙烯酸酯、聚酯（甲基)丙稀酸醋、 (曱基）丙烯酸胺基曱酸酯等。該些多官能性單體亦可使用 一種或者兩種或兩種以上。自黏著特性等方面考慮，多官 能性單體的使用量較好的是小於等於總單體成分的3〇 wt% ° 上述丙烯酸系聚合物是藉由將單一單體或者兩種或 兩種以上的單體混合物聚合而獲得。聚合可利用溶液聚合 (solution polymerization )、乳化聚合（emulsi〇n polymerization)、塊狀聚合（massp〇lymerizati〇n)、懸浮聚 合（suspension P〇lymerization)等任一種方式進行:自防 止對清潔的被賴财赫轉方騎慮，較好的是低分 子量物質的含量較小。自該方面考慮，㈣酸系聚合物的 數量平均分子量較好狀大於等於3G萬，更好的是仙萬 〜300萬左右。 此外，上述黏著劑中’為了提高作為基礎聚合物的丙 烯酸系聚合㈣量平均分子量，亦可適外部交 聯劑。外部㈣紐的频枝，可騎添加聚異氛酸醋 —isocyanate)化合物、環氧（ep〇xy)化合物、氮丙咬 (―)化合物、三聚氰月安（mdam 謂交聯劑來進行反應㈣法。歸心㈣ 外部交聯綱❹量的情況’ 衡，並且根據作為黏著劑的使用二合平 21 201241142 32207_D pif 較好的是相對於上述基礎聚合物丨⑻重#份蝴配小 於5重量份左右，更好的是調配〇1重量份〜5重量份。 此外，黏著射視需要’除上述成分之外，亦可使用 公知的各種黏著賦予劑、抗老化劑等添加劑。 所調配的上述紫外線硬化性的單體成分，例如 舉：胺基曱酸醋寡聚物、（甲基)丙稀酸胺基甲酸酷、三 甲基丙烧三(甲基)丙烯酸醋、四經甲基甲烧四（甲基)丙稀於 酉曰、季戊四醇二（甲基)丙馳酯、季戊四醇四（甲基)丙 酯、二異戊四醇單經基五（甲基）丙稀酸酉旨、二季戊四醇六 (曱基)丙烯酸醋、1，4-丁二醇二（甲基)丙烯酸醋等。另外了 1外線硬化性絲物成分可辟：胺基㈣料、聚、 聚酷系、聚碳酸㈣、聚丁二烯系等各種寡聚物，較好的 是該寡聚物的分子量為勘〜3G_左右的範圍。紫硬 化f生的單體成分或絲物成分_配量可根據上述黏著 =的種類’來適當決定可降低黏著的黏著力的量。 书，相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚合物等基礎聚人 ⑽重量份，上述調配量例如為5重量份〜5〇〇重量份口， 好的是40重量份〜15〇重量份左右。 此外，紫外線硬化型黏著劑除上述所說明的添加型 =線硬化型黏著劑之外’可列舉將聚合物側鏈或主鍵中或 主鏈末端具有碳_碳雙鍵的聚合㈣作基礎聚合物的内 型紫外線硬化型黏著劑。内在型紫外線硬化型黏著劑由 ^不必含有作為低分子量成分的寡㈣成分等，或者不含 很夕’故絲物成分料會隨相㈣而於黏著劑中移 22 201241142 32207_D pif 動，可形成穩定的層結構的黏著劑層，因此較好。 上述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物’可無特別限制地使 用具有碳-碳雙鍵且具有黏著性的基礎聚合物。此種基礎聚 合物較好的是以丙烯酸系聚合物為基本骨架的基礎聚合 物。丙稀酸系聚合物的基本骨架可列舉上述例示的丙烯酸 糸聚合物。 向上述丙烯酸系聚合物中導入碳-碳雙鍵的方法並無 特別限制，可採用各種方法，碳_碳雙鍵導入至聚合物侧鏈 中容易進行分子設計。例如可列舉如下方法：預先將丙烯 酸系聚合物中具有官能基的單體共聚合，然後將具有可與 »玄B此基反應的官能基以及碳-碳雙鍵的化合物，以維持碳 -碳雙鍵的紫外線硬化性的狀態下進行縮合或加成反應。 該些官能基的組合的例子可列舉：羧酸基與環氧基、 羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。該些官能基的 組合中，自反應追縱的容易度考慮，較好的是經基與異氰 酸酯基的組合。另外，若為藉由該些官能基的組合而生成 上述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸系聚合物的組合，則官能基可 位於丙烯酸系聚合物與上述化合物的任一侧，上述較好的 組合中，較好的是丙烯酸系聚合物具有羥基，且上述化合 物具有異氰酸酯基的情況。該情況下，具有碳_碳雙鍵的異 氰酸酯化合物例如可列舉：甲基丙烯醯基異氰酸酯、 基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基_^，^_二甲基苄 基異氰酸酯等。此外，丙烯酸系聚合物是使用將上述例示 的合羥基單體或2-羥基乙基乙烯醚、4_羥基丁基乙烯醚、 23 201241142 32207_D pif 成的丙稀酸系 一乙二醇單乙烯醚的醚系化合物等共聚合而 聚合物。 上述内在型紫外線硬化型黏著劑可單獨使 有碳-碳雙鍵的基礎聚合物（尤其以_系聚 达具 ，不使特性惡㈣程度魏上述料線硬純°單二^ 或养聚物成分。通常相對於基礎聚合物i⑻重量份豆刀 線硬化性寡聚物成分等30重量份的範圍内，較好的，夕 重量份〜10重量份的範圍。 疋 於藉由紫外線等進行硬化的情況，上述紫外線硬化型 黏著劑中含有光聚合起始劑。光聚合起始劑例如可列舉： 4-(2-經基乙氧基)本基(2-經基_2_丙基)g同、經基y 一曱基苯乙嗣、2-甲基-2-經基苯丙酮、1_經基環己基笨美 酮等α-酮醇（a- ketol)系化合物；甲氧基苯乙鲷、2,2_ 一曱氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2_甲基 -1·[4-(曱硫基)-苯基]-2-嗎琳基丙烧-1等苯乙酮系化合物； 安息香***（benzoin ethylether )、安息香異丙醚、大菌香 偶姻曱喊（anisoin methylether)等安息香醚系化合物；节 基二曱基縮酮（benzyl dimethyl ketal)等縮酮系化合物； 2-蔡續醯氣（2-naphthalene sulfonyl chloride)等芳香族石黃 酿氣糸化合物，1-本嗣_1，1_丙二自同-2-(0-乙氧基幾基)月亏等 光活性將系化合物；二苯甲酮（benzophenone )、苯曱醯苯 曱酸、3,3’-二甲基-4-曱氧基二苯甲酮等二苯甲酮系化合 物；。塞順酮（thioxanthone)、2-氣。塞°頓酮、2-甲基嗟”頓g同、 2,4-二曱基°塞噸酮、異丙基°塞°頓酮、2,4-二氣嘆噸酮、2,4- 24 201241142 32207_D pif 二乙基°塞°頓酮、2,4-二異丙基喧噸酮等嗟噸酮系化合物； 樟腦醌（camphoroquinone ) ;ι| 化酮（hal〇genated ketone ); 醯基膦氧化物（acylphosphinoxyde );醯基構酸酯 (acylphosphonate )等。相對於構成黏著劑的丙烯酸系聚 合物等基礎聚合物100重量份，光聚合起始劑的調配量例 如為0.05重量份〜20重量份左右。 此外’紫外線硬化型黏著劑例如可列舉：揭示於日本 專利特開昭60-196956號公報中的橡膠系黏著劑或丙烯酸 系黏著劑等，該些黏著劑含有具有兩個或兩個以上不飽和 鍵的加成聚合性化合物、具有環氧基的烷氧基矽烷等光聚 合性化合物’與羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、 胺、鏽鹽系化合物等光聚合起始劑。 對於接著劑層3,3，上述黏著劑層2的黏著力較好的 是 0.04N/10mm 寬〜0.2N/l〇mm 寬，更好的是 〇 〇6Ν/ι〇 mm寬〜0.1 N/10 mm寬（90度剝離力，剝離速度為3〇〇 mm/mi小若上述黏著劑層2的黏著力在上述數值 内，則於拾取黏晶膜的附接著劑的半導體晶片時，不 該半導體晶片過分地固定，可實現更良好的拾取性。 於上述黏著劑層2上形成上述部分2a的方法， 舉如下方法：於基材丄上形成紫外線硬化錄著劑斧1 向上述部分2a上部分性地騎科線而使其硬化。^性 紫外線照射可經㈣成有與接著劑層（半導體晶圓貼= 分)3a以外的部分3b等相對應的圖案的光罩而進疒' 外，可列舉點狀地照射紫外線而進行硬化的方法等紫= 25 201241142 32207 D pif 線硬化型黏著劑層2的形成可藉由將設置於隔離膜上的紫 外線硬化型黏著劑層轉印於基材丨上而進行。部分性紫外 線硬化亦可對設置於隔離膜上的紫外線硬化型黏著劑層2 進行。 θ 於切割、黏晶膜10的黏著劑層2中，可對黏著劑層2 的-部分照射紫外線，以使上述部分2&的黏著力〈其他曰部 分沘的黏著力可使用基材1的至少單面的與接著劑 層(半導體晶圓貼附部分)3a相對應的部分以外的部分的全 部^-部分經遮光的基材，於該基材上軸紫外線硬化^ 黏著劑層2後騎紫外線，使與接著(半導體晶圓貼附 部分)3a相對應的部分硬化，從而形成使黏著力下降的上 述部分2a，光㈣可於支制上對可形絲罩的材料進 仃印刷或驗等而製作。藉此，可高效率崎造本發明 切割、黏晶膜1 〇。 々黏者劑層2的厚度並無特別限定，自晶片切割面的缺 ，防止及接著層的保持固定的兼顧性等方面考慮，較好的 疋1 "m〜50㈣左右。較好的是 m〜3 好的是5㈣〜25㈣。 以更 述接著劑層是具有接著功能的層，作為該接著劑層 ^材料’可列舉將熱塑性細旨與熱固性则旨併用的材 ；又三亦可單獨使用熱塑性樹脂。 接著劑層3,3’的積層結構並無特別限定，例如可 僅由接著劑層單層構成的結構、或於核心、材料（ccJe material)的單面或雙面形成有接著劑層的多層結構等。上 26 201241142 32207—D pif 述核心材料可列舉：膜（例如聚酿亞胺膜、聚g旨膜、聚對 本二曱酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸酯膜 等）、經玻璃纖維或塑膠製不織纖維強化的樹脂基板、石夕基 板或玻璃基板等。 上述熱塑性樹脂可列舉：天然橡膠（naturalrubber)、 丁基橡膠（butyl rubber )、異戊二烯橡膠（isoprene rubber )、 氣丁二烯橡膠（chloroprene rubber)、乙浠-乙酸乙烯酯共 聚物、乙烯-丙稀酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁 二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚醯亞胺樹脂、6_尼龍 或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸樹脂、聚 對本一甲酸乙二醋（polyethylene terephthalate，PET )或聚 對苯二曱酸丁二酯（p〇lybutyiene terephthalate，PBT)等 飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。該些熱 塑性樹脂可單獨使用’或者將兩種或兩種以上併用使用。 該些熱塑性樹脂中，尤其好的是離子性雜質較少、耐熱性 較高、可確保半導體元件的可靠性的丙烯酸樹脂。 上述丙烯酸樹脂並無特別限定，可列舉以具有碳數為 小於等於30、尤其是碳數為4〜18的直鏈或支鏈烷基的丙 烯酸或曱基丙烯酸酯的一種或者兩種或兩種以上作為成分 的聚合物等。上述烷基例如可列舉：甲基、乙基、丙基、 異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己 基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、 異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、 十四院基、硬脂基（stearyl)、十八烷基、或十二烷基等。 27 201241142 32207_D pif 此外’軸_L述聚合物的其他㈣並無_限定，例 如可列舉：如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸縣乙酷 烯酸叛基戊S旨、亞甲基丁二酸、順丁稀二酸、反 或丁烯酸等的含叛基單體，如順丁稀二酸針或亞甲基丁二 酸酐等的酸野單體，如（曱基)丙烯酸2_羥基乙醋、（甲基) 丙烯酸2_經基丙g旨、（甲基)丙稀酸4_經基丁醋、（甲美)土丙 烯酸6-羥基己醋、（曱基)丙烯酸8_經基辛自旨、（甲基)土丙烯 酸10-經基癸醋、（甲基)丙稀酸12_經基月桂基醋或丙稀酸 (4-經基曱基環己基)㈣的含祕單體，如苯乙稀續 酸、烯丙基磺酸、2-(曱基)丙烯醯胺_2_曱基丙磺酸、（甲基) 丙=酿，丙確酸、（曱基)丙烯酸磺丙醋或（曱基)丙烯醯氧基 茶續酸等的含石黃酸基單體，或如經基乙基丙歸酿基磷酸 酯等的含磷酸基單體。 上述熱固性樹脂可列舉：酚樹脂、胺基樹脂、不飽和 聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、 或熱固性聚醯亞胺樹脂等。該些樹脂可單獨使用或將兩種 或兩種以上併用使用。尤其好的是使半導體元件腐蝕的離 子性雜質等的含量較少的環氧樹脂。另外，環氧樹脂的硬 化劑較好的是酚樹脂。 上述環氧樹脂若為通常用作接著劑組成物的環氧樹 月曰’則無特別限定’例如可使用：雙齡A (bisphenol A) 型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A 型、雙酌· AF 型、聯苯（biphenyl)型、萘（naphthalene ) 型、苐(fluorene)型、苯紛盼酸（phenolnovolac)型、鄰甲 28 201241142 32207—D pif 紛齡路（orthocresolnovolac)型、三經基苯基曱烧型、四 盼基乙烷（tetraphenylol ethane )型等二官能環氧樹脂或多 官能環氧樹脂，或者乙内酿脲（hydantoin)型、三縮水甘 油基異氰尿酸酯（trisglycidyl isocyanurate )型或縮水甘油 胺型等環氧樹脂。該些環氧樹脂可單獨使用，或者將兩種 或兩種以上併用使用。該些環氧樹脂中尤其好的是酚醛型 環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型樹脂或四 酚基乙烷型環氧樹脂。其原因在於，該些環氧樹脂與作為 硬化劑的酴樹脂富有反應性，且耐熱性等優異。 ’ 此外，上述酚樹脂發揮上述環氧樹脂的硬化劑的作 :搭：可Γ:苯峰樹脂、苯峨基樹脂、甲紛 祕咖1三丁基苯__脂、壬基苯_轉脂等 =，，可溶酚醛（resol)型酚樹脂、聚對羥基苯 乳苯乙料。該些_脂可單獨使用，或者將兩 種或兩種以上制使用。該些 _樹脂、苯紛芳絲樹脂。 ^本驗 置的連接可靠性。 其·在於可提局半導體裝 與盼樹脂的調配比例，例如較好的是調 配成相對於上述環氧樹脂成分中的= 脂中的絲為〇.5當4〜2()<^ I魏基’賴 當量。即，Μ因以 虽罝。更好的是〇.8當量〜1.2 比例脫離上述=在述r樹脂與盼樹脂的調配 脂硬化物的雜變得容=5付分的硬化反應，環氧樹 於本i明巾’尤其好的是使用環氧樹脂、紛樹 29 201241142 32207—D pif 脂以及丙烯酸樹脂的黏晶骐。兮 少且樣較高，故可確保半匕=由於離子性雜質較 下的調配比是相對於丙_樹^=件的可靠性。該情況 脂與紛樹脂的混合量為1〇 丨⑽重1份’環氧樹 里仂〜200重詈份。 於使本發明的接著劑層3 里忉 情況，可於製作時添加與聚^ 以某齡度父聯的 反應的多官能性化合物作為;聯=末=基等 接著特性提高，實現耐熱性的改善9 了使⑷皿下的 是心=採=工。尤其，更好的 酸醋、μ-萘二異氰_、多元:對苯二異氰. 等聚異細化合物。交聯劑的添力 100重量份，通常較好的是⑽5重量份〜 =的:量份，則接著力下降，因此欠佳。另-^杜右父聯劑的量少於〇·〇5重量份，則凝聚力不足，因 此人佳。而且，可與此種聚異氰酸醋化合物一起， 而含有環氧樹脂等其他多官能性化合物。 此外，於接著劑層3、3,中可適當調配無機 無機填充劑的調配是對接著劑層3、3,的表面賦予凹凸。而 且’亦可賦予導電性或提高導熱性、調節儲存雜模數等。 上述無機填充劑例如可列舉：矽土（silica)、黏土 (clay)、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化 石夕、氮化石夕等陶免（emmic^類，I呂、銅、銀、金、錄、 路金σ錫辞免、焊錫等金屬或合金類，以及其他由 30 201241142 32207_D pif 碳等構成的各種錢粉末。該些無 上併用使用。其中夕 土 ’尤其好的疋使用炼融石夕土。 無機填充劑的平均粒徑較好的是〇 範圍内，更好的是〇.一3 "m的範圍内。5若 的於於αι以使上述接著劑層的 = m。另一方面’若上述平均粒徑超過5 則難以使⑹小於1㈣。另外，於本發明中，可將 平均粒她互不同的無機填_彼此組合仙。此外 均粒徑例如是_亮度式粒度分布儀⑽Rm 置名.LA-910)求出的值。 上述無機填充_調配量較好的是相對於有機樹脂 成分100重量份而設定為20重量份〜80重量份。尤苴好 的是20重量份〜70重量份。料機填充劑的調配量^於 20重量份’則耐熱性下降，因此有若長時間暴露於高溫熱 歷程中，則有接著劑層3、3,硬化而造成流動性或嵌入性下 降的情況。此外，若無機填充劑的調配量超過8〇重量份， 則接著劑層3、3,的儲存彈性模數變大。因此，有已硬化的 接著劑難以應力緩和，於密封步驟中對於凹凸的嵌入性下 降的情況。 另外，接著劑3、31中，除上述無機填充劑以外，視 需要可適當调配其他添加劑。其他添加劑例如可列舉：難 燃劑（fire retardant)、矽烷偶合劑（Siiane coupling agent) 或離子捕捉劑（ion trapping agent)等。 31 201241142 32207_Dpif ”上述難燃劑例如可列舉：三氧化錄、五氧化録、漠化 壤乳樹脂等。該些難燃劑可單獨使用，或者將兩種或兩種 以上併用使用。 Λ裡 里上述石夕烧偶合劑例如可列舉H4-環氧環己基）乙 基二甲氧基石夕院、卜縮水甘油氧基丙基三甲氧基石夕烧、r -縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該些化合物可單 獨使用，或者將兩種或兩種以上併用使用。 ，離子捕捉劑例如可列舉：水滑石（hyd她lcite) =風氧化㈣^些離子敝劑可翔使用，或者將兩 種或兩種以上併用使用。 接著劑層3、3,的厚度（於積層體的情況為總厚度） 並”.、特別限定，例如為5 _〜1〇〇㈣左右較好的是 5 /z m〜50 y m左右。 上述切割、黏晶膜1〇、U的接著劑層3、3,較好的 由隔離膜保護（未圖示隔離膜具有作為保護接著劑声 用H至供實用為止的保護材的功能。而且，_膜進而可 獅者劑層2上轉印接著劑層3、3,時的支持基材。隔 =膜=切割、黏晶膜的接著劑層3、3,上貼附工件時剝 離。隔雜可使驗_聚對苯二甲酸乙二g旨（ΡΕΤ)、聚 ’或氟系_劑 '長鍵烧基丙騎醋系剥離 劑荨剝離劑進行表面塗佈的塑膠膜或紙等。 a接著劑層3,3,自接著劑層的接著功能方面考慮，較好 是至^在與面内方向垂直的方向上具有某種程度_ 。另—方面，於接著劑層3,3,整體過度具有彈性的情況， 32 201241142 32207_Dpif 即使於痒線接合（wireb〇nding)時 合有接著劑層3、3,的導線架充 受到 3、3,的彈性力的阻礙。 Μ曰又到接者劑層 量，產生輝接不良礙於而導致_ 〜赋左細高㈣辦下進;。於靴 者於牛導體日日>{而難以拾取的情況。 後更：=::!彈_^^ 超過5。MPa，則焊線接:::T上 ^dless)結構树徵料導 定=線 =細賴__難罐 理的:::nr拉;數，定方法如下:向實施有脫模處 3'r5〇mc

烘相中放置i小時後，使用黏彈性測定裝 ，贈ic公司製造’型號:rsa π)，來測定·。J 枵，考劑層3、3’的拉伸儲存彈性模數。更詳細而言 樣口口尺寸為長度则啊寬度5.Qmmx厚度Q丨職 33 201241142 32207_D pif 定試料安裝於膜拉伸測定用夾具上，於50°C〜25(TC的溫 度區域’以頻率為1.0 Hz、應變為0.025%、升溫速度為 l〇°C/分的條件進行。 (半導體裝置的製造方法） 本發明的切割、黏晶膜1〇、U是將接著劑層3、3,上 任意設置的脫模膜適當剝離，以下述方式使用。以下，一 面參照圖，一面以使用切割、黏晶膜10的情況為例進行說 明。 首先’如圖1所示 ，一-叫上小，wp刀害丨j、邾品胰ιυ中的接著濟 層3的接著劑層（半導體晶圓貼附部分)3a上壓接半導體曰£ 圓4’將該半導體晶圓4接著保持而進行固定（安裝步驟） 本步驟j一面利用壓接輥等按壓機構進行按壓一面進行£ 接著’進行半導體晶圓4的切割。藉此，將 ε 圓曰4切割成狀尺寸而分離，製造半導體晶片$。切害^ 如疋自半導體晶@ 4的電路面遍據常法 ，步驟中例如可採用切人至切割、黏晶膜1G的^卜入^ 的_方式等。本步驟中所使用的叫裝置孟 或晶且亦可抑制半導體〜：::卩:晶片缺陷 為了將接著固定於切割、黏曰 反禎 剝離’而進行半導體晶片5的拾：。、於取的晶片 限定’可採用先前公知的各 ，取的方法並無特別 等，針(，將 34 201241142 32207_D pif 膜10侧挑起’再利用拾取裝置將挑起的半導體a片$ ^制^劑層2照射紫外線後進行。藉此，黏著劑層， =接者劑層（半導體晶圓貼附部分)3a的黏著力下降，曰鐵 ，容易剝離半導體晶片5。結果可不使半導體晶片損二 拾取。紫外、㈣__射強度、照射日㈣並: =:Γ艮據需要進行適當設定。此外，紫外線照射 使用的光源可使用上述光源。 所拾取的半導體晶片5經由接著劑層(半導體晶圓貼 附部分)3a而接著固定於被黏接體6上（黏晶）^皮黏接體 6 y列舉：導線架、tab膜、基板或另行製作的半導體晶 片等。被黏接體6例如可為容易變形的變形型被黏接體， 亦可為難以變形的非變形型被黏接體（半導體晶圓等）。 〇上述基板，可使用先前公知的基板。此外，上述導線 架I使用Cu導線架、42合金導線架等金屬導線架或由玻 璃％氧、雙馬來醯亞胺-三嗪（bismaleimide出拉丨狀，Βτ )、 聚醯亞lie等構成的有機基板^ ，本發明並不限定於此， 亦包括安裝半導體元件，與半導體元件電性連㈣可使用 的電路基板。 於接著劑層3為熱硬化型的情況，藉由加熱硬化，將 半導體晶片5接著固定於被黏接體6上，提高耐熱強度。 另外，半導體晶片5經由接著劑層（半導體晶圓貼附部分)3a 而接著固定於基板等上，可供於回流焊步驟。 另外，上述黏晶可不使接著劑層3硬化，而僅暫時固 35 201241142 32207_D pif ^黏接? 6上。然後，亦可不經過加熱步驟而進行烊 谢^彻密封樹脂將半導體^密封，將該密封 树月日進行後硬化（after cure)。 六相:?3:二，接著劑層3是使用暫時固著時的剪切接著 f „黏接體6而為大於 0.2 MPa的接著劑層3， 用〇 2 MPa〜1〇 MPa的範圍内的接著劑層3。 ^者劑層3的剪切接著力至少大於等於G.2 MPa，則即 驟ΐίίΐϊ步驟而進行焊線接合步驟，亦不會由於該步 。聲波振動或加熱，而於接著劑層3鮮導， ^著面上產生剪切變形^即，“由於 皮:動而使半導體元件活動，藉此防止 部引7,將齡舰6的端子部（内 (未圖示）電性端與半導體^上的電極焊塾 使用金線、紹線⑽^驟（參照圖3)。上述接線7例如 〜靴的範圍内^。進行料接合時的溫度是_ 外，焊線接的是8〇°c〜22〇°c的範圍内。此 熱至上述溫;範圍σ；；時間是數秒〜數分鐘。接線是於經加 加加壓的壓將超聲波的振動能量與施 分)3 a本^^"^行# _ (半導體晶®貼附部 著劑層(铸體。而且，本轉的過程林會利用接 接體6固著。θ附部分如而將半導體晶片5與《 36 201241142 32207—D pif 上述密封步驟是利用密封樹脂 的步驟（參照圖3)〇太半驟3达 卞守版日日月5在封 上的半導㉝日^ Λ梓驟疋為了保護搭载於被黏接體6 上的丰導m及接線7而進行。本步 ^密f用樹脂成型而進行。密封樹脂8例如使用 树月曰。樹月曰讀時的加熱溫度通常是於175。(：下進行60秒 。〜9〇秒，但本發明並不限定於此，例如可於赋〜^ C下固化數分鐘。藉此，使__硬化，並聽由接著 體口者。即，於本發明中，即使於 驟的情況，本步驟中亦可進行利用丁 附部分)3a的固著，可有助於m』日、千等遐日曰回貼 導體裝置的製造0摘。。/ a步職以及縮短半 ㈣使上述密封步驟中硬化不足的 Π==Γ(半導體晶圓貼附部二 内’加熱時間是0.5小時〜8 此外，如圖4所示，本發明的 地用於將多個半導體晶片黏00膜亦可杈好 (three-dimensional packaging)的^ 進行二維_封裝 黏晶膜而將半導體晶片三維封°圖4是表示經由 圖4所示的三維封裝的情況時，、首先的剖面示意圖。於 I无將以與半導體晶片成 37 201241142 32207_D pif 為相同尺寸的方式切出的至少一個接著劑 貼附部分)3a暫時固著於被黏接體6上 2 = 層(半導體晶圓貼附部分)3“將半導體晶片5以== 晶片5的焊線接合面為上側的方式暫時固著:牛導體 半導體晶# 5的電極焊塾部分而將黏晶膜(接& = 時固著。然後，將其他半導體晶片㈣半導體曰曰〕$ =焊線接合面為上侧的方式暫時固著於黏晶膜(=

層）13上。 J 接著’不進行加熱步驟，而進行烊線接合步驟。藉此， 將半導體晶片5以及其他半導體晶片15中的各 與被黏接體6以接線7進行電性連接。 干’ 繼而，進行利用密封樹脂8將半導體晶片5等密封的 ^封步驟’使密封樹脂硬化。與此同時，利用接著劑層（半 導體晶_附部分)3a，將齡接體6與半導體晶片$之間 15之間亦固著。另外，密封步驟後- 居（丰的三維封裝的情況，不進行藉由接著劑 層導體Ba圓貼附部分)3a、黏晶膜( 理’因此可實現製造步驟的丄 ; 1卜：亦不會於被黏接體6產生—’或於半導 =====體晶片15上產生裂痕，因此可使半 另外，如圖5所示，可為於半導體晶片之間經由黏晶 38 201241142 32207—D pif 膜而積層間隔片的三維封裝。圖5是表示經由間隔片 2晶膜將兩辨導體以進行三維封裝_子的剖面示 思圖。 於圖5所示的三維封裝的情況，首先於被黏接體6上 依:人積層接著綱（半導體晶部分你、半導體 :及黏晶峨著劑層)21，並暫咖著。紐，於黏晶二 者劑層)21上依次積層間隔片9、黏晶膜(接著劑声^卜 (半導體晶圓貼附部分如以及半導體晶/5，並暫 接著，不進行加熱步驟，而如圖5所示進行 ^驟垃^此’將半導體晶片5的電極焊塾與被 ‘ 性以接線7進行電性連接。 无賤电 繼而，進行利用密封樹脂8將半導體晶片5密封 封步驟，使密封樹脂8硬化，並且利用接著劑層（半導體曰曰 圓貼附部分)3a、黏晶膜(接著劑層口i使被黏接體6與^ !晶片气之間、以及半導體晶片5與間隔片9之間固著。 猎此’獲得半導體封裝。密封步雜好的是僅將半導體曰 片5側進行單面密封的總括密封法。密 = ，著;片上的半導體晶片5進行，密封方法中 疋使用密封獅8而於模具中成型的方法。此時 伟 用具有多憾腔的由上模具與下模具賴朗模具， 進行密封轉。樹職封時的加熱溫度例如缺的是口〇 °c〜i8〇t:的範_。密封步驟後可進行後硬化步驟。 另外’上述間隔片9並無特別限定，例如可使用先前 39 201241142 32207—D pif △知的>5、聚酿亞胺膜等。此外，上述間隔片可使用 核％材料。核心材料並無特別限定，可使用先前公知的核 :材2。具體而言可使用膜（例如聚醯亞胺膜、聚酯膜、 +對苯一曱酸乙二賴、聚萘二曱酸乙二㈣、聚破酸酿 膜等）、經玻璃纖維或塑膠製不織纖維強化的樹脂基板、錄 面石夕晶圓（mimn· silicon wafer)、碎基板或玻璃基板等。 (其他事項） 於上述基板等上三維封裝半導體元件時，於半導體元 t的形成有電路的面側形成緩衝塗佈（buffer祕）膜。該 、’羨衝塗佈膜例如可列舉氮化⑪膜或由聚醯亞胺樹脂等对熱 樹脂構成的膜。 、另外，三維封裝半導體元件時，各階段所使用的黏晶 膜並不限定於由同—組成所構成的黏㈣，可根據製造條 件或用途等加以適當變更。 ，此外，於上述實施形態中，已對在基板等上積層多個 半導體兀件後總括進行焊線接合步驟的態樣進行敍述，但 本發明並不限定於此例如，亦可於每次將半導體元件積 層於基板等上時進行焊線接合步驟。 實施例 以下例示性地烊細說明本發明的較佳實施例。其 中丄Γ要未制蚊域’贱實施射記制材料或調 配罝等並雜本發㈣範圍僅限定㈣些㈣或調配量的 含義，只不過僅為說關。另外，各例中，只要未特別說 明，則份均為重量基準。 201241142 32207_D pif (實施例1) 相對於以丙烯酸丁酯為主成分的聚合物（根上工業 (股）製造，Paracron SN-710) 100份，使3份的異氰酸 酯系交聯劑（C〇ronate HX，日本聚胺酯（Nipp〇n Polyurethane))、12份的環氧樹脂（日本環氧樹脂（Japan Epoxy Resins)(股）製造，Epikote 1003)、7 份的酚樹脂 (三井化學（股）製造，MilexXLC_cc)、5〇份的作為無 機填充劑的球狀矽土（平均粒徑：〇.5〆m，Admatechs(股） 製造：SS0-25R)溶解於甲基乙基酮中，製備濃度為2〇 wt% 的接著劑組成物溶液。 利用喷注式塗佈機，將上述接著劑組成物溶液塗佈於 經聚矽氧脫模處理的由聚對苯二曱酸乙二酯膜（厚度為5〇 #m)構成的脫模膜上。塗佈厚度是乾燥後的厚度成為25 // m。接著，對脫模膜上所塗佈的塗佈層進行乾燥。乾燥 是藉由對塗佈層吹附乾燥風而進行。具體而言，是於剛塗 佈後至3分鐘，以風量為1〇 m/min、溫度為15〇它的方式， 將熱風沿MD方向（脫模膜的膜移動方向）吹附至塗佈層 上。 藉此，於脫模膜上形成算術平均粗糙度Ra為〇 34 # m、厚度為25 em的接著劑層。另外，算術平均粗糙度 Ra的測定方法如下文所述。 然後’製作黏晶膜。即’向具備冷卻管、氮氣導入管、 溫度計及攪拌裝置的反應容器中加入88 8份的丙烯酸2_ 乙基己酯（以下，稱為「2EHA」）、11.2份的丙烯酸-2-羥 41 201241142 32207—D pif 基乙醋（以下，稱為「HEA」）、0.2份的過氧化苯曱醯以 及65份的甲苯’於氮氣流中61。(：下進行6小時聚合處理， 獲得重量平均分子量為85萬的丙烯酸系聚合物a。重量平 均分子量如下文所述。2EHA與HEA的莫耳比為100 mol 對 20 mol。 向該丙稀酸系聚合物A中添加12份（相對於hea而 為80 mol%)的2-曱基丙烯醯氧基乙基異氰酸酯（以下， 稱為「MOI」）’於空氣流中5〇°C下進行48小時加成反應 處理’獲得丙烯酸系聚合物A，。 接著’相對於丙烯酸系聚合物A'100份，添加8份的 聚異氰酸酯化合物（商品名「Coronate L」，曰本聚胺g旨（股） 製&)、以及5份的光聚合起始劑（商品名「irgacure 651」、 ru巴精化（Ciba Specialty Chemicals)公司製造），製作黏 著劑溶液。 將上述製備的黏著劑溶液塗佈於PET剝離襯墊的實 施有聚矽氧處理的面上，於12(rc下加熱交聯2分鐘，形 成厚度為10 /zm的黏著劑層前驅物。接著，於該黏著劑 層前驅物表面貼合厚度為100 //m的聚烯烴膜。然後，於 50 C下保存24小時。此後’僅對黏著劑層前驅物的與半導 體晶圓貼附部分（直徑為2〇〇 mm)相當的部分（直徑為 220mm)照射紫外線，形成黏著劑層。藉此，製作具備算 術平均粗糙度Ra為0 042 的黏著劑層的切割膜。另 外，备、外線的照射條件如下文所述。 <紫外線的照射條件> 42 201241142 32207一D pif 紫外線（ultraviolet’ uv)照射裝置：高壓水銀燈 '^外線照射累s十光量：5〇〇 mj/cjjj2 功率：75 W 照射強度：150mW/em2 另外，紫外線照射是對黏著劑層前驅物直接照射。 繼而，於切割膜的黏著劑層上壓接上述接著齊j層。壓 接條件是層壓溫度為40°C，壓力為〇.2 MPa。藉此，θ獲得 本實施例的切割、黏晶膜。另外，於剝離力的^價中，^ 用利用與上述同樣的方法製作的具備算術平均粗糙度為 0.035 的黏著劑層的切割膜。 (實施例2) 製備以70份的丙烯酸2-乙基己酯、25份的丙烯酸正 丁酉曰、5份的丙烯酸作為構成單體的丙烯酸系共聚物，接 著’使3份的異氰酸酯系交聯劑（c〇ronate Ηχ，日本聚胺 酯）、30份的作為無機填充劑的二氧化矽（平均粒徑為〇 5 /zm，日本觸媒公司製造）溶解於曱基乙基酮中，製備濃 度為20 wt%的接著劑組成物溶液。 以與上述實施例1同樣的方式，將該接著劑組成物溶 液塗佈於脫模膜上，然後進行乾燥，形成接著劑層。若測 定該接著劑層的算術平均粗糙度Ra，則為〇16 。接 著，以與上述實施例1同樣的方式，將該接著劑層與切割 膜的黏著劑層貼合，製作本實施例的切割、黏晶膜。 (實施例3) 相對於以丙烯酸丁酯為主成分的聚合物（根上工業 43 201241142 32207—D pif

(股）製造’ Paracron SN-710) 100份，使3份的異氰酸 酯系交聯劑（Coronate HX，曰本聚胺酯）、12份的環氧樹 脂（曰本％氧樹脂（股）製造，gpik〇te 1〇〇3)、7份的盼 樹脂（三井化學（股）製造，MilexXLC-CC)、50份的作 為無機填充劑的球狀矽土（平均粒徑：0.5 # m，AdinatechS (股）製造.SS0-25R)溶解於甲基乙基酮中，製備濃度 為20 wt%的接著劑組成物溶液。 利用喷注式塗佈機，將上述接著劑組成物溶液塗佈於 經聚矽氧脫模處理的由聚對苯二甲酸乙二酯膜（厚度為5〇 #m)構成的脫模膜上。塗佈厚度是乾燥後的厚度成為25 。接著，對脫模膜上所塗佈的塗佈層進行乾燥。乾燥 是藉由對塗佈層吹附乾燥風而進行。具體而言，是於剛塗 佈後至1分鐘期間（乾燥初期），以風量為10 m/min、溫 度為90°C的方式，使乾燥風沿MD方向吹附至塗佈層上。 接著，於1〜3分鐘期間（乾燥後期），以風量為15 m/min、 溫度為14(TC的方式，將乾燥風沿MD方向吹附至塗佈層 上。 藉此，將算術平均粗糙度Ra為0.40 厚度為25 /zm的接著劑層形成於脫模膜上。另外，算術平均粗糙度 Ra的測定方法如下文所述。 接著，準備上述實施例1中所使用的切割膜，於該黏 。著劑層上壓接上述接著劑層。壓接條件是層壓溫度為仙 C ’壓力為0_5 MPa。藉此，獲得本實施例的切割、黏晶 膜。另外’於剝離力的評價中，使用利用與上述同樣的方 44 201241142 32207JD pif 法製作的具備算術平均粗糙度為〇〇35 “瓜的黏著劑層的 切割膜。 (比較例1) 於本比較例中，除製備接著劑組成物溶液時未添加無 機填充劑以外，以與實施例丨同樣的方式，製作本比較例 1的切副、黏晶膜。另外，與黏著劑層貼合前的接著劑層 的算術平均粗糙度Ra為0.026 #m。 (比較例2) 於本比較例中，除使製備接著劑組成物溶液時添加的 無機填充劑的調配量為85份以外，以與上述實施例2同樣 的方式，製作本比較例1的切割、黏晶膜。另外，與黏著 劑層貼合前的接著劑層表面的算術平均粗糙度Ra為15 βΐΆ。 (接著面積評價） 各實施例以及比較例中獲得的切割、黏晶膜的接著劑 層與黏著劑層之間的接著面積是以如下文所述的方式進行 測定。 即’使用Nikon (股）製造的光學顯微鏡ECUpSE ME600與OLYMPUS (股）製造的E_410相機，觀察接著 劑層與黏著劑層之間的接著面。使用市售軟體Winr〇〇f(三 谷商事（股））對所獲得的圖像進行二值化處理，算出接著 劑層未與黏著劑層接觸的區域的分布狀態以及面積比率。 圖像分析是測定3處任意區域，將平均值作為接觸面積。 結果不於下述表1。 45 201241142 32207_D pif (拾取性） 將各實施例以及比較例中獲得的切割、黏晶膜於50 °C下貼附於晶圓（直徑為8吋，厚度為75 //m)的背面。 切割、黏晶膜側的貼合面為接著劑層。 接著，使用切片機（dicer)來切割晶圓。切割條件是 轉軸（spindle)轉速為40,000rpm、切割速度為30 mm/sec， 將半導體晶片形成為1〇 mmxlO mm見方的尺寸。 然後’進行半導體晶片的拾取，檢查半導體晶片拾取 的成功率。拾取條件是針數為9根，拉下量為3 mm，挑 起量為300 //m ’挑起速度為1〇 mm/sec。此外，拾取是 使用拾取裝置（NES Machinery公司製造：CPS-100)，進 行20個半導體晶片的拾取。成功率是數出半導體晶片中無 破損且附黏晶膜的半導體晶片可自切割膜上剝離的數。結 果示於下述表1。 ° (剝離力評價） 。將各實施例以及比較例中獲得的切割、黏晶膜於5〇 C下貼附於晶圓（直徑為8吋，厚度為75 #瓜）的背面。 切割、黏晶膜側的貼合面為接著劑層。 具次 刹離力評彳貝疋對於上述各切割、黏晶膜，以Γ mm寬度’測定以剝離速度3〇〇 mm/min、9〇度將接著綱 自黏者劑層上剝離時的剝離力。結果示於下述 (結果） =表1明確可知，於實施例丨〜2的切割、黏晶膜中 切』時不產生晶片飛散，而且顯示良好的拾取性。即，另 46 201241142 32207一D pif 為本實施例的切割、黏晶膜，則顯示出可提高良率而製造 半導體裝置。 相對於此’比較例1的切割、黏晶膜中’接著劑層與 黏著劑層的接觸面積過大’因此接著劑層與黏著劑層的剝 離性下降，無法拾取，晶片上產生裂紋或碎片等破損。而 且，比較例2的切割、黏晶膜中，與黏著劑層貼合前的接 著劑層的算術平均粗糙度過大，因此接著劑層與黏著劑層 的密著性不良，半導體晶圓切割時產生晶片飛散。 [表1] 實施例1 實施例2 實施例3 比較例1 比較例2 接著劑層的算術 平均粗糙度Ra[wmi 0.34 0.16 0.40 0.026 1.5 接觸面積[%] 40.16 1 86.77 65.40 99.89 30.25 拾取成功率[%1 100 100 100 0 20 日曰片飛散的產生 [個/8吋1片1 0 0 0 0 14 剝離力[N/l〇mml 0.04 0.09 0.06 3.8 0.01 【圖式簡單說明】 圖1 (a)、圖1 (b)是表示本發明的一實施形態的切 割、黏晶膜的剖面示意圖。 圖2疋表示本發明的其他實施形態的切割、黏晶膜的 剖面不意圖。 圖3是表示經由本發明的切割、黏晶膜的接著劑層來 封裝半導^晶片的例子的剖面示意圖。 圖4是表示經由上述接著劑層而將半導體晶片三維封 47 201241142 32207_D pif 裝的例子的剖面示意圖。 圖5是表示使用上述接著劑層，經由間隔片而將兩個 半導體晶片三維封裝的例子的剖面示意圖。 【主要元件符號說明】 1 :基材 2:黏著劑層 2a :黏著劑層2的與半導體晶圓貼附部分相對應的部 分 2b :其他部分 3、3’ ：接著劑層 3a :接著劑層（半導體晶圓貼附部分） 3b :接著劑層（半導體晶圓貼附部分)3a以外的部分 4 :半導體晶圓 5、15 :半導體晶片（半導體元件） 6 :被黏接體 7 :接線 8 :密封樹脂 9 :間隔片 10、11 :切割、黏晶膜 13、21 :黏晶膜(接著劑層） 48

Claims (1)

1. 201241142 32207_D pif 七、申請專利範園·· 1· 一種切割、黏晶膜，其為於基材上依次積層有黏著 劑層以及接著劑層的切割、黏晶膜，且上述接著劑層包含 無機填充劑、與上述黏著劑層貼合前的貼合面為凹凸狀7 算術平均粗糙度Ra為0.015 //in〜1 //m，其令與上述接 著劑層貼合鈿，上述黏著劑層的算術平均粗彳造度為 0.015 /zm〜0.5 的範圍，且上述貼合面的接觸面積相 對於貼合面積而為35%〜90%的範圍。 2. 如申請專利範圍第1項所述之切割、黏晶膜，其中 相對於上述接著劑層中的有機樹脂成分1〇〇重量份，^述 無機填充劑的調配量為20重量份〜8〇重量份。 3. 如申請專利範圍第i項所述之切害^刀恭曰曰曰膜， 上述無機填充劑是使用平均粒徑為〇1 〜5以瓜的無 49