TW201134665A - Conductive laminate film and touch panel using the same - Google Patents

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201134665 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種導電性層合薄膜及使用其之觸控面 板。更詳言之，本發明係關於適用於設置在液晶顯示器上 而可使用作爲輸入機構之觸控面板用途之導電性層合薄膜 及使用其之觸控面板。 0 【先前技術】 個人數位助理（PDA )、個人PC、OA設備、醫療設 備或汽車導航系統等電子設備中，該等顯示器上廣泛使用 兼具有輸入機構之觸控面板。 透明導電式觸控面板係在透明之基底薄膜之一面上設 置銦錫氧化物、錫銻酸等金屬氧化物、或金、鈀、鋁、銀 等金屬之薄膜作爲透明導電膜。該等金屬氧化物或金屬之 薄膜由於光的反射大，故具有該等薄膜作爲導電膜之觸控 〇 面板會使液晶顯示器之對比性顯著下降，而成爲極難以觀 看之畫面。 至於解決該等問題之方法，於專利文獻1提案有自液 晶顯示器側依序配置第一 W4波長板、透過隔離件而對向 之兩片透明導電膜（玻璃與ITO之層合膜）、第二1/4波長 板、偏光板，而提高視覺辨識性。 然而，上述構成之觸控面板對於液晶顯示器之對比性 尙不足，且，由於觸控面板成爲多層構造，故光線穿透率 或視角補償性等光學特性不足。 -5- 201134665 另一方面，於專利文獻2，已嘗試藉由使透明電阻膜 之形狀成爲特殊形狀而抑制干涉紋（以下亦稱爲「牛頓環 (Newton's rings )」）之發生。然而，以該方法並無法 抑制表面反射光，而無法獲得高的對比性或視覺辨識性、 耐久性。 且，以上述方法，在觸控面板之畫面上看到源自特殊 形狀之條狀線，隨著畫面之高精細化而被要求改善。 據此，強烈地期望有光學特性優異且視覺辨識性高， 干涉條紋獲得抑制，同時具有更高耐久性之優異觸控面板 之出現。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]特開平1 0-48 62 5號公報 [專利文獻2]特開2〇05-18726號公報 【發明內容】 [發明欲解決之課題] 本發明之課題爲提供一種可抑制干涉條紋之發生，尤 其是作爲觸控面板時，在畫面上不會辨識出源自爲了抑制 干涉條紋而賦予之導電性層合薄膜之形狀之條狀線，對比 性高，眩光少，尤其是作爲觸控面板時，耐久性優異、視 覺辨識性高之導電性層合薄膜，及觸控面板。 -6- 201134665 [用以解決課題之手段] 解決前述課題之本發明爲一種導電性層合薄膜，其爲 在由透明樹脂構成之薄膜（I)上層合透明導電層（III ) 而成之導電性層合薄膜，其特徵爲在透明導電層（III) 側之表面部具有複數個凸部，表面以曲面形成，且具有包 含複數個凸部之部位。 前述導電性層合膜中，較好前述複數個凸部形成爲壟 0 狀，且前述凸部成爲蜿蜒。 前述導電性層合薄膜中，較好前述複數個凸部形成爲 壟狀，且於前述凸部之伸長方向中前述凸部之高度具有變 動。 前述導電性層合薄膜中，較好前述複數個凸部設置之 位置及複數個凸部之高度變化不具規則性。 導電性層合薄膜中’較好前述薄膜（I)與透明導電 層（III)之間具有由硬化性樹脂組成物組成之樹脂層（π 〇 )。 前述導電性層合薄膜中’較好樹脂層（II)中，其透 明導電層（111)側之表面部，壟狀形成有複數個凸部， 於與該壟之長度方向正交之面之剖面中，表示形成前述凸 部之表面的線爲波浪狀曲線。 前述導電性層合薄膜中’較好前述波浪狀曲線爲具有 規則周期之波浪狀曲線。 前述導電性層合薄膜中’較好前述形成壟狀之複數個 凸部於長度方向成蜿蜒狀。 201134665 前述導電性層合薄膜中’較好前述形成爲壟狀之複數 個凸部延著其長度方向以規則週期成蜿蜒狀。 前述導電性層合薄膜中，較好前述樹脂層（π)中， 凸部之最大高度爲0.1〜1〇μιη，凸部所形成之壟之週期在 100~5000 μιη之範圍。 前述導電性層合薄膜中，較好前述凸部自薄膜面朝正 交方向觀察成海島狀存在。

前述導電性層合薄膜中，前述薄膜（1)與透明導電 層（ΠΙ)之間具有由硬化性樹脂組成物構成之樹脂層（II )。 前述導電性層合薄膜中，較好以前述凸部之最高點與 其凸部鄰接之谷部之最低點之高低差所求得之爲各凸部之 高度中最大高度之凸部的最大高度dH爲0.1〜ίο μιη’其具 有最大高度之凸部之最高點與其凸部所鄰接之谷部之最低 點之間之薄膜面內方向之距離dL與前述dH滿足下述數式 (1 ): [數1] 0< dH/dLSO.O 5 (1) 〇 前述導電性層合薄膜中，前述薄膜（I )較好爲利用 延伸加工獲得之薄膜。 前述導電性層合薄膜中，前述薄膜（I)較好爲對於 波長550 nm之穿透光之面內相位差在12 8〜148nm範圍內之 相位差薄膜。 -8- 201134665 前述導電性層合薄膜中，前述樹脂層（Π)較好藉由 U V硬化性樹脂組成物而形成。 前述導電性層合薄膜中，前述薄膜（I)較好含有環 狀烯烴系樹脂及聚碳酸酯樹脂之至少一種。 前述導電性層合薄膜中之前述薄膜（I)較好含有環 狀烯烴系樹脂，前述環狀烯烴系樹脂較好爲使以下述式（ 1)表示之單體之至少一種（共）聚合而獲得，

[化1]

(1) (式（1 )中，R1〜R4表示下述（i ) ~ ( iii )之任一種，X 表示0〜3之整數，y表示〇或1。 (i)各獨立爲氫原子、鹵素原子、或可含有氧、氮 、硫或矽之一價有機基，（ii ) R1與R2、R3與R4分別鍵結 成亞烷基’ （iii) R1與R2、R3與R4、R2與R3分別鍵結成單 環或多環之碳環或雜環）。 前述導電性層合薄膜中，前述透明導電層（111)係 由結晶性ITO所形成。 另一發明爲一種觸控面板，其特徵爲具有前述之導電 性層合薄膜。 另外’爲一種觸控面板，其爲具有使前述之導電性層 合薄膜’與透明導電層、相位差薄膜、及偏光板依此順序 -9 - 201134665 層合而成之導電性層合薄膜。 [發明效果] 依據本發明，可提供一種不會因光之反射而映入，可 抑制干涉條紋之產生，同時尤其不會使源自於爲抑制干涉 條紋而賦予之導電性層合薄膜之形狀之條狀線在作爲觸控 面板之畫面上被辨認出，達到對比性高，眩光少，且清楚 的顯示’尤其是作爲觸控面板時，由於改善平滑性故爲耐 久性優異，視覺辨識性高之導電性層合薄膜及觸控面板。 【實施方式】 以下針對本發明具體加以說明。 [導電性層合薄膜] 本發明之導電性層合薄膜爲在由透明樹脂構成之薄膜 (1)上層合透明導電層（III)而成之導電性層合薄膜， 透明導電層（III)側之表面部具有複數個凸部，表面以 曲面形成’且具有含有複數個凸部之部位。 〈凸部〉 本發明之導電性層合薄膜至少具有由透明樹脂組成之 薄膜（I)與層合於其上之透明導電層（111)，且在透明 導電層（III )側之表面部具有凸部。 導電性層合薄膜中’藉由於薄膜（I)之表面部設置 -10- 201134665 凸部’於其上以幾乎均勻厚度層合透明導電層（III)， 可在透明導電層（III)側之表面部形成凸部，亦可不在 薄膜（I)上設置凸部，藉由在透明導電層（III)上設置 凸部’於透明導電層（III )側之表面部形成凸部，且亦 可藉由於薄膜（I)及透明導電層（III)之兩方設置凸部 ，而於透明導電層（III )側之表面部形成凸部。薄膜（I )與透明導電層（III)之間設置樹脂層（II)時，亦可藉 Q 由於樹脂層（II )上設置凸部，而於透明導電層（III)側 之表面部形成凸部。 本發明之導電性層合薄膜在透明導電層（III )側之 表面部具有凸部，且表面以曲面形成，且具有含有複數個 凸部之部位，亦即，透明導電層（III )側之表面部中， 藉由使含有複數個凸部之部位中之至少一個部位之表面以 曲面形成，可達到確保抗牛頓環性與改善透明感，防止眩 光等。 Q 本發明中所謂「表面以曲面形成，且具有含有複數個 凸部之部位」意指含有複數個凸部之部位之任意剖面中， 表示其複數個凸部所形成之表面之線爲沒有尖點而爲平順 曲線。因此，一個個凸部之表面以曲面形成，其兩個凸部 以具有角度結合時，包含該兩個凸部之部位中之剖面，在 其兩個凸部之結合點中亦會出現尖點，故含有該兩個凸部 之部位不成爲「以曲面形成表面」。 前述凸部之設置複數個凸部之位置及複數個凸部之高 度變化較好不具規則性。凸部有此等規則性時，例如會干 -11 - 201134665 涉一次反射光與二次反射光，而容易出現牛頓環。又，此 處所謂規則性意指例如前述凸部以一定之距離形成，或鄰 接之凸部之高度週期性地變動。 壟狀 設於透明導電層（III )側之表面部之複數個凸部較 好形成成壟狀。形成壟狀之凸部於與其長度方向正交之面 切開所得之剖面中，顯示其凸部所形成之表面之線較好爲 波浪狀之曲線。又，形成壟狀之凸部於其長度方向較好爲 蜿誕。 針對形成壟狀之凸部進而使用圖加以說明。圖1爲形 成有壟狀凸部之薄膜（I)以與凸部之長度方向正交之面 切開且自斜上方觀察之圖。圖1中，複數凸部以直線狀、 平行設置而形成壟。圖1中，各凸部之稜線以點線表示。 此處所謂「稜線」爲藉由連結與凸部長度方向正交之所有 剖面中一個凸部之頂點所描繪之觀念上的線。 該剖面中，顯示凸部所形成之表面之線爲波浪狀曲線 。藉由描繪該種曲線，以本導電性層合薄膜作爲觸控面板 時不會看到因壟狀引起之條狀線，故適合對應於更高精細 化之畫面。而且，改善作爲觸控面板使用時之平滑性，且 手的觸感良好，同時可抑制長期使用觸控面板時之電阻値 變化，可更進一步提高耐久性而較佳。因此，可提供可達 到抑制干涉條紋之發生、對比性高、眩光少、明確顯示， 且耐久性優異、視覺辨識性高之導電性層合薄膜及觸控面 -12- 201134665 板。 顯示該面中凸部所形成之表面之曲線之間距（p)係 由複數個凸部決定。此處所謂間距爲由波浪狀曲線之頂點 至其相鄰頂點之平面方向之長度。所謂凸部之高度係如圖 1所示，以凸部之最高點與鄰接於其凸部之谷部之最低點 之高低差而求得。 前述剖面中出現之波浪狀曲線之前述P較好爲50〜5 000 μηι，更好爲100〜ΙΟΟΟμιη之範圍。前述Ρ低於50μηι時會有 發生眩光之情況，超過5 ΟΟΟμηα時會有無法充分展現抗牛 頓環性之情況。 又，形成壟狀之凸部之最大高度通常設定成0.1〜ΙΟμιη ’較好設定成〇·5〜3μηι之範圍。小於Ο.ίμηι時無法展現抗牛 頓環性，大於1 Ομιη時作爲觸控面板組裝時在輸入時會有 感到高低不平之感覺。此處所謂凸部之最大高度爲複數個 凸部之高度中最大之高度。 〇 具備形成壟狀之凸部之薄膜（I)與其他薄膜或薄片 層合時’例如於下部顯示裝置使用液晶時，作爲水波紋之 對策’爲使形成壟狀之凸部之長度方向以相對於其偏光軸 成10~45°之角度層合，可使視覺辨識性良好。因此，於基 材薄膜使用1/4λ相位差薄膜時，宜以使凸部之長度方向亦 相對於其遲相軸成10〜80。之角度之方式層合。 圖2爲與形成壟狀之凸部之長度方向正交之剖面之觀 察圖。該剖面中之凸部頂部所描繪曲線部及兩個凸部所挾 持之谷間部所描繪之曲線部爲分別具有曲率半徑（Rt )、 -13- 201134665 (Rb )之帶圓之曲線。該曲線亦可爲正弦曲線。前述曲線 具有之一個個圓可由觸控面板之觸感、條狀線條消除視野 角度、干涉條紋之防止效果及耐久性能面方面分別適宜調 整。該圓可例如藉由調整各曲率半徑而調節，此時，曲率 半徑（Rt ) 、（ Rb )較好分別使用間距（P )之一半以上 且3 0倍以下，更好爲間距（p )以上且1〇倍以下，最好使 用間距（P )之3倍以上且1 0倍以下。又，使曲率半徑（Rt )與（Rb )相同其製作容易故而較佳，曲率半徑（Rt )比 (Rb)大時就改善觸控面板之觸感方面而言較佳。又，將 前述剖面中描繪凸部頂部之曲線部與兩個凸部挾持之谷間 部之曲線部予以連接之直線部分之圖2中之薄膜平面方向 之長度（L )相對於間距（P )較好爲三分之一以下，更好 爲五分之一以下，最好爲十分之一以下。 形成壟狀之凸部較好爲蜿蜒。此處所謂「蜿蜒」意指 在與本發明之導電性層合薄膜之平面平行之面上，形成爲 壟狀之凸部沿其長度方向描繪波浪狀曲線。波浪狀可爲規 則性之波浪狀，亦可爲不規則性之波浪狀。 圖3爲顯示形成壟狀之凸部以間距（p丨）蜿蜒之導電 性層合薄膜之自上方觀察圖。圖3中，複數個凸部具有相 同之波浪狀’且使週期一致地設置，形成壟狀。間距（P1 )爲自前述波浪狀曲線之頂點至其相鄰頂點之平面方向之 長度。 本發明之導電性層合薄膜中’凸部之稜線較好描繪導 電性層合薄膜之平面上之波浪狀曲線。所謂「稜線」係如 -14 - 201134665 前述，爲與凸部之長度方向正交之所有剖面中藉由連結一 個凸部之頂點所描繪之觀念上之線。相對於圖1中凸部之 稜線爲直線，本發明之一樣態之圖3中，形成壟狀之各凸 部之稜線在與薄膜平面平行之面上規則性蜿蜒。藉由使壟 狀成爲如此，使條狀線更不易辨識，可改善作爲觸控面板 使用時之平滑性而使手部觸感良好，同時可抑制長期使用 觸控面板時之電阻値變化，可更進一步改善耐久性而較佳 〇 ° 此時薄膜平面內之規則曲線之間距設爲（P 1 )、曲線 寬度設爲（w)時，間距（P 1 )較好爲間距（P )之1倍以 上且30倍以下，更好爲2倍以上且2〇倍以下，最好爲3倍以 上且1 〇倍以下，且，曲線寬度（W )較好爲間距（P )之 二分之一倍以上且3 0倍以下，更好爲一倍以上且2 0倍以下 ，最好爲3倍以上且1 0倍以下。該薄膜平面方向中之規則 曲線中的間距（P 1 )相對於間距（p )之比，及曲線寬度 〇 ( W)相對於間距（P )之比未達上述範圍之下限値時， 作爲觸控面板時有發生眩光感之情況，又，超過上述範圍 之上限値時，因稜線成爲曲線而有減弱效果之情況。 又，亦較好追隨形成爲壟狀之一個個凸部之高度變動 。該情況下，高度變動幅度相對於一個凸部之高度平均爲 ±50%，更好爲±30%，最好爲±10%之範圍。因此，由於提 高作爲觸控面板時之耐久性故較佳。 且，顯示於與壟之長度方向正交之剖面中凸部所形成 之表面之曲線亦較好具有一定範圍內之高度偏差行進。此 -15- 201134665 時之偏差範圍相對於高度之平均較好調整成± 5 Ο %，更好 ±3 0%，最好爲±10%之範圍。 又，形成爲壟狀之凸部之稜線爲描繪薄膜平面上之波 浪狀曲線時’其振幅亦可以具有一定範圍內之偏差之方式 適宜調整。該情況下之偏差範圍相對於振幅之平均係調整 成±5〇〇/〇，更好±3 0%，最好爲±10%之範圍。 藉由調整偏差於該範圍，可獲得外觀上或耐久性能等 所期望之特性。 形成爲壟狀之複數個凸部亦較好在壟之長度方向斷續 地形成。該情況之凸部長度相對於壟之間距較好爲1 ~ 1 0倍 之範圍，更好爲1〜5倍，最好爲2~4倍。該情況特別重要的 是在未形成壟狀凸部之部分之斷續部分，亦具有以後述之 海島狀構造說明之曲線狀形狀。據此，除良好之外觀以外 ，亦可獲得更進一步之耐久性。 海島狀 設於透明導電層（III)側之表面部之複數個凸部亦 可設成海島狀。針對海島狀利用圖式進一步說明。圖4之 (1 )〜（4 )中，作爲本發明之海島狀之樣態例，係顯示 自上面及剖面觀察於一面上凸部係形成海島狀之導電性層 合薄膜之影像圖。此處之重點爲任何形狀均不存在局部之 銳角部分，而成爲曲面狀之形狀變化。據此，可獲得有關 外觀上及耐久性能之期望特性。該種曲面狀之形狀變化可 藉由例如使薄膜經延伸加工而形成。 -16- 201134665 圖4 ( 1 )〜圖4 ( 4 )中，於各左側之上視圖於右側中 係表示上視圖所示之虛線部中之剖面圖。又，圖4 ( 1 )〜 圖4 ( 4 )之上視圖中，凸部未以輪廓線表現，但爲視覺上 表現凸部，而利用觀念上之輪廓線加以表現。圖4(1)〜 圖4(4)之剖面圖中，對向之兩條箭頭係表示凸部高度。 圖4(1)中，平面形狀爲長方形之凸部於其長邊方向 多列並列，於鄰接之兩列間，凸部以錯開其長邊之二分之 Q 一長度之方式予以排列。於剖面圖中，薄膜表面係描繪波 浪狀曲線。 圖4 ( 2 )中，排列有平面形狀爲菱形之凸部。剖面圖 中，薄膜表面係描繪波浪狀曲線。 圖4 ( 3 )中，排列有平面形狀爲橢圓形之凸部。剖面 圖中，薄膜表面於設有凸部之部分係描繪爲帶圓之曲線， 未設有凸部之部分描繪爲直線狀。 圖4 ( 4 )中，平面形狀爲長方形之凸部係以縱橫列排 〇 列。剖面圖中，薄膜表面係描繪波浪狀曲線。 凸部以壟狀或海島狀等任何型態形成時，凸部之最大 高度dH均較好爲0.1〜ΙΟμιη，具有其最大高度之凸部之最 高點與鄰接於該凸部之谷部之最低點之間之薄膜面內方向 中之距離dL與dH較好滿足下述數式（1)。 [數1] 0<dH/dL^0.0 5 (1) dH更好爲0.5〜5μιη，最好爲1〜3μιη，dH/dL之範圍更好 爲大於〇且0.03以下’特好爲大於〇且〇.〇1以下。最大高度 -17- 201134665 dH爲複數凸部之高度中最大的高度。凸部高度係以該凸 部之最高點與該凸部所鄰接之谷部之最低點之高低差而求 得。產生dH之薄膜表面上兩點組合存在有複數時，該等 中，由dL成爲最小値之兩點決定dL。 藉由使凸部滿足上述條件，干涉條紋之發生受到抑制 ，同時尤其是爲抑制干涉條紋所賦予之源自導電性層合薄 膜之形狀之條狀線於作爲觸控面板時在畫面上不會被辨識 出，可成爲對比性高、眩光少、尤其是作爲觸控面板時用 以提高平滑性之耐久性優異、視覺辨識性高之導電性層合 薄膜以及觸控面板。 〈由透明樹脂構成之薄膜（I )〉 由透明樹脂構成之薄膜（I )只要具有透明性，可作 爲導電性層合薄膜之基材薄膜使用者即可，可使用含有習 知透明樹脂之薄膜。本發明中，較好使用含有環狀烯烴系 樹脂及/或聚碳酸酯樹脂之薄膜作爲由透明樹脂構成之薄 膜（I)。由透明樹脂構成之薄膜（I)含有環狀烯烴系樹 脂及/或聚碳酸酯樹脂時，可由單獨一種環狀烯烴系樹脂 或聚碳酸酯樹脂形成，亦可由含有兩種以上之環狀烯烴系 樹脂之樹脂組成物、含有兩種以上之聚碳酸酯樹脂之樹脂 組成物、或含有一種以上之環狀烯烴系樹脂及一種以上之 聚碳酸酯樹脂之樹脂組成物、或進而含有其他樹脂成分之 樹脂組成物而形成。本發明中’由透明樹脂構成之薄膜（ I )之樹脂成分較好由僅一種以上之環狀烯烴系樹脂、或 -18- 201134665 僅一種以上之聚碳酸酯樹脂之樹脂或樹脂組成物構成之薄 膜，更好爲僅由一種以上之環狀烯烴系樹脂所構成之薄膜 。由透明樹脂構成之薄膜（I)爲由環狀烯烴系樹脂或聚 碳酸酯樹脂構成之薄膜時，除透明性優異以外，可成爲適 宜之相位差薄膜，可實現反射光之抑制及視覺辨識性之提 高。 本發明之由透明樹脂構成之薄膜（I)可爲未顯示相 0 位差之薄膜，亦可爲相位差薄膜。薄膜（I)爲相位差薄 膜時，宜爲相對於波長55 Onm之穿透光之面內相位差爲 128〜148 nm，較好爲133〜143 nm之薄膜，最好爲1/4λ相位 差之薄膜。其中，相位差係定義爲雙折射光之折射率差（ △ η)與厚度（d)之乘積（△!!(!)。由透明樹脂組成之薄 膜（I)具有該種相位差時，可有效防止反射光，獲得高 對比性之觸控面板故較佳。 上述相位差薄膜較好爲使由環狀烯烴系樹脂或聚碳酸 〇 酯樹脂獲得之薄膜經延伸處理獲得者，更好爲由環狀烯烴 系樹脂獲得之薄膜經延伸處理獲得者。 •環狀烯烴系樹脂 可構成由透明樹脂組成之薄膜（I)的環狀烯烴系樹 脂較好爲使含有一種以上具有原冰片烯骨架之環狀烯烴系 化合物單體，或與前述環狀烯烴系化合物一起含有其他共 聚合性單體之單體組成物經開環（共）聚合或加成（共） 聚合者，且更好使用使所得（共）聚合物之主鏈中之雙鍵 -19- 201134665 氫化者。 至於環狀烯烴系樹脂，較好爲含有使以下述式（i) 表示之至少一種化合物（以下亦稱爲「特定單體」）之單 體經（共）聚合獲得之樹脂。 [化2]

(式（1)中，R1〜R4各獨立表示氫原子；鹵素原子；或可 含有氧、氮、硫或砂之一價有機基，R1與R2、R3與R4各獨 立相互鍵結成形成亞烷基，R1與R2、R3與R4、R2與R3各獨 立相互鍵結形成單環或多環之碳環或雜環，X表示〇〜3之整 數，y表示0或1 )。 本發明中適用之環狀烯烴系樹脂較好爲下述（i) ~( iii)之（共）聚合物。 (i) 特定單體與視需要之共聚合性單體之開環（共 )聚合物（以下亦稱爲「特定之開環（共）聚合物」）。 (ii) 特定之開環（共）聚物之氫化（共）聚物。 (iii )特定單體與視需要之共聚合性單體之加成（共 )聚合物。 於本發明中，該等中，以上述（ii)之（共）聚合物 ，亦即使含有特定單體之單體開環（共）聚合，且使所得 (共）聚合物之主鏈中之雙鍵經氫化而成之樹脂較佳。至 -20- 201134665 於該種環狀烯烴系樹脂列舉爲具有以下述式（1，）表示之 構造單位之樹脂。 [化3]

(1.) (式（1’）中，R1〜R4、X及y分別與上述式（1 )之R1〜R4 、X及y相同）。 (特定單體） 特定單體可單獨使用一種，亦可倂用兩種以上。 該等特定單體中較佳者爲上述式（1)中，R1及R3表 示氫原子、或碳原子數1〜10、較好1〜4、更好1〜2之烴基， R2及R4表示氫原子；或可含有氧原子' 氮原子、硫原子或 砂原子之一價有機基’ R2及R4中至少一者表示氫原子、或 烴基以外之具有極性之一價有機基，X表示0~3之整數，y 表示0〜3之整數’更好x + y = 〇〜4，又更好爲0〜2，最好x = 〇 ’ y=i者。使用含有該等特定單體之單體時，就成爲所得 環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度高，且機械強度亦優異者 之方面而言係較佳。 -21 - 201134665 上述具有極性之一價有機基列舉爲例如羧基、羥基' 烷氧基羰基、芳氧基羰基、胺基、醯胺基、氰基等。具有 該等極性之一價有機基亦可透過伸甲基等連結基結合。另 外，列舉以羰基、醚基、矽烷醚基、硫醚基、亞胺基等具 有極性之二價有機基作爲連結基而結合之烴基等作爲極性 基。該等中，較好爲羧基、羥基、烷氧基羰基及芳氧基羰 基，更好爲烷氧基羰基及芳氧基羰基。 另外，上述式（1 )中，R2及R4中之至少一者含有以 式：- (CH2) nC0 0R表示之具有極性之一價有機基之單體 時，所得環狀烯烴系樹脂成爲具有高玻璃轉移溫度、低吸 濕性、及與各種材料之優異密著性者故而較佳。該式中， R表示碳原子數1~12，較好爲1〜4，更好爲1~2之烴基，較 好表示烷基。另外，η通常爲0〜5之整數，但η之値愈小則 所得環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度愈高故較佳，另外η 爲〇之特定單體就其合成容易之觀點而言係較佳。 且，上述式（1)中，R1或R3較好爲碳原子數1〜4之烷 基，更好爲碳原子數1〜2之烷基，又更好爲甲基。尤其， 該種烷基係鍵結於與以上述式：-(CH2 ) nCOOR表示之具 有極性之一價有機基所鍵結之碳原子相同之碳原子上，就 可降低所得環狀烯烴系樹脂之吸濕性之觀點而言係較佳。 (共聚合性單體） 本發明中使用之環狀烯烴系樹脂亦可爲特定單體等之 環狀烯烴系化合物與共聚合性單體共聚合而成者。 -22- 201134665 開環（共）聚合物中之共聚合性單體之具體例列舉爲 環丁烯、環戊烯、環庚烯、環辛烯、環戊二烯等環烯烴。 環烯烴之碳原子數較好爲4~20 ’更好爲5〜12。該等可單獨 使用一種亦可倂用兩種以上。 又，加成（共）聚合物中之共聚合性單體較好爲例如 具有反應性不飽和雙鍵之化合物，具體而言列舉爲乙烯、 丙烯、丁烯等烯烴系化合物；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙 0 烯基環戊烯等乙烯系不飽和化合物；甲基丙烯酸甲酯等之 (甲基）丙烯酸酯等。 (開環聚合觸媒） 開環（共）聚合反應係在複分解反應觸媒存在下進行 。該複分解反應觸媒可使用習知者，例如（a )由W、Mo 及Re之化合物所選出之至少一種，（b )由Deming之週期 表IA族元素（例如，Li、Na、K等）、IIA族元素（例如 〇 ，Mg、Ca 等）、IIB族元素（例如，Zn、Cd、Hg 等）、 ΠΙΑ族元素（例如B、A1等）、IVA族元素（例如，Si、Sn 、Pb等）或IVB族元素（例如Ti、Zr等）之化合物，且至 少具有一個該元素-碳鍵或該元素-氫鍵者所選出之至少一 種之組合而成之觸媒。且，該情況下爲了提高觸媒活性， 可於該觸媒中適當含有醇類、醛類、酮類、胺類等。另外 亦可含有特開平1-132626號公報第8頁右下欄第16行〜第9 頁左上欄第1 7行所示之化合物。 -23- 201134665 (聚合反應用溶劑） 開環（共）聚合反應中使用之溶劑（構成分子量調節 劑溶液之溶劑，特定單體及/或複分解觸媒之溶劑）列舉 爲例如戊烷、己烷、庚烷、辛烷、壬烷、癸烷等烷類；環 己烷、環庚烷'環辛烷、十氫萘、原冰片烷等環烷類；苯 、甲苯、二甲苯、乙基苯、枯烯等芳香族烴；氯丁烷、溴 己烷、二氯甲烷、二氯乙烷、六伸甲基二溴、氯苯、氯仿 、四氯乙烯等鹵化烷、鹵化芳基；乙酸乙酯、乙酸正丁酯 、乙酸異丁酯、丙酸甲酯、二甲氧基乙烷等飽和羧酸酯類 :二丁基醚、四氫呋喃、二甲氧基乙烷等醚類等，該等可 單獨使用一種亦可倂用兩種以上。該等中，較好爲芳香族 烴。 溶劑之使用量以「溶劑：特定單體（重量比）」通常 爲1: 1~10: 1之量，較好爲1: 1〜5: 1之量。 所得開環（共）聚合物之分子量之調節亦可利用聚合 溫度、觸媒種類、溶劑種類而進行，例如亦可添加乙烯、 丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬 烯、1-癸烯等α_烯烴類及苯乙烯等分子量調節劑而進行。 如上述獲得之開環（共）聚合物可直接使用，但使該 等（共）聚合物之分子中之烯烴性不飽和鍵經氫化獲得之 (i i )氫化（共）聚合物之耐熱著色性及耐光性優異，可 提高相位差薄膜之耐久性故而較佳。 (氫化觸媒） -24- 201134665 氫化反應可使用使一般烯烴性不飽和鍵氫化之方法。 亦即，於開環（共）聚合物之溶液中添加氫化觸媒，對其 以常壓至300大氣壓，較好3〜200大氣壓之氫氣在0~200°C ，較好20〜180 °C下作用而進行。 氫化觸媒可使用一般烯烴性化合物氫化反應所用者。 該氫化觸媒列舉爲不均勻系觸媒與均勻系觸媒。 不均勻系觸媒列舉爲將鈀、鉑、鎳、鍺、釕等貴金屬 0 觸媒物質擔持於碳、二氧化矽、氧化鋁、氧化鈦等擔體上 而成之固體觸媒。又，均句系觸媒可列舉爲環酸鎳/三乙 基鋁、乙醯丙酮酸鎳/三乙基鋁、辛酸鈷/正丁基鋰、二氯 二茂鈦/單氯化二乙基鋁、乙酸鍺、氯參（三苯基膦）铑 、二氯參（三苯基膦）釕、氯氫羰基參（三苯基膦）釕、 二氯羰基參（三苯基膦）釕等。觸媒形態可爲粉末亦可爲 粒狀。 氫化（共）聚合物之氫化率以50〇MHz、W-NMR測定 〇 之値爲50%以上，較好爲90%以上，更好爲98%以上，最 好爲9 9 %以上。氬化率愈高’成爲對熱或光之安定性優異 者’作爲本發明之透明薄膜使用時可獲得長期安定之特性 〇 再者’開環（共）聚合物分子中存在芳香族基時，該 芳香族基使耐熱變色性、耐光性之降低較少，相反地亦具 有與光學特性例如折射率、波長分散性等光學特性或耐熱 性有關之有利效果’故即使未經氫化亦可獲得適合之薄膜 -25- 201134665 如上述獲得之開環（共）聚合物可藉由添加習知之抗 氧化劑，例如2,6·二第三丁基-4-甲基酚、2,2’-二氧基-3，3’-二第三丁基-5,5’-二甲基二苯基甲烷、肆[伸甲基-3-(3,5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]甲烷、季戊四醇 肆[3- ( 3,5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]等，及/或紫 外線吸收劑例如2,4-二羥基二苯甲酮、2-羥基-4-甲氧基二 苯甲酮等而安定化。另外，爲提高加工性，亦可添加潤滑 劑等添加劑。 再者，作爲上述環狀烯烴系樹脂使用之氫化（共）聚 合物較好於該氫化（共）聚合物中所含之凝膠含量爲5重 量％以下，更好爲1重量％以下。 另外，上述環狀烯烴系樹脂，亦可使用藉由使上述開 環（共）聚合物經弗雷德-克雷特（Friedel-Crafts)反應 環化後經氫化之（共）聚合物。 (加成聚合觸媒） 用以合成上述加成（共）聚合物用之觸媒可使用習知 者，具體而言爲選自由鈦化合物、銷化合物及鈀化合物所 組成群組之至少一種，與作爲輔助觸媒之有機鋁化合物。 (環狀烯烴系樹脂之物性） 上述環狀烯烴系樹脂之分子量以固有黏度[η] inh計較 好爲0.2~5dl/g，更好爲0.3〜3dl/g，又更好爲0.4〜1.5dl/g， 以凝膠滲透層析儀（GPC )測定之聚苯乙烯換算之數平均 -26- 201134665 分子量 （Μη ) 較好爲8,000〜1〇〇,〇〇〇 ，更好爲 1 0,000~8 0,000，又更好爲12,000〜50,00〇’重量平均分子 量（Mw)較好爲 20,000 〜300,000，更好爲 30,000 〜250,000 ，又更好爲40,000〜200,000之範圍者較適宜。 固有黏度[n]inh、數平均分子量及重量平均分子量在 上述範圍時，環狀烯烴系樹脂之耐熱性、耐水性、耐藥品 性、機械特性，與作爲本發明之導電性層合薄膜使用時之 0 光學特性之安定性之均衡性良好。 至於環狀烯烴系樹脂之玻璃轉移溫度（Tg )通常爲 120°C以上，較好爲120〜35(TC，更好爲130~250t：，又更好 爲140〜200°C。其爲使所得環狀烯烴系樹脂薄膜之光學特 性變化安定，且防止延伸加工等之在Tg附近加熱加工時之 樹脂之熱劣化。 環狀烯烴系樹脂於2 3 °C之飽和吸水率較好爲2重量％以 下，更好爲〇·〇1~2重量％，又更好爲0.1〜1重量％之範圍。 〇 飽和吸水率在該範圍內時，光學特性均勻，所得環狀烯烴 系樹脂薄膜與其他光學構件或接著劑等之密著性優異，在 使用過程中不會產生剝離，且，與抗氧化劑等之相溶性亦 優異’亦可大量添加。再者，飽和吸水率係依據ASTM D570’藉由測定在23 °C之水中浸漬一週之重量增加獲得之 値。 至於環狀烯烴系樹脂可較好地使用其光彈性係數（Cp )爲0〜100 ( ΧΙΟ.12!»〆1 )，且應力光學係數（CR)滿足 1，000〜4,000 ( X lO^Pa-1 )者。此處，有關光彈性係數（ -27- 201134665 CP )及應力光學係數（cR )敘述於各種文獻，例如 Polymer Journal, Vol. 27, No.9 pp943-950 ( 1 995 ) > 日本 流變學會誌，Vol.19, Νο·2, p93-97 ( 1991)，光彈性實驗 法’日刊工業新聞社，昭和5 0年第7版中。前者表示因聚 合物之玻璃狀態下之應力產生之相位差發生程度，相對地 ，後者表示因流動狀態下之應力產生之相位差之發生程度 〇 光彈性係數（Cp )大係表示環狀烯烴系樹脂薄膜與其 他光學構件或接著劑貼合使用時，由於外在因素或本身之 凍結造成之變形而產生之變形所造成之應力等中，使敏感 之光學特性產生變化，例如，層合如本發明之透明導電層 時，及固定於其他光學構件而使用時，意指因貼合時之殘 留變形或溫度變化或濕度變化等造成之材料收縮產生之微 小應力容易產生不必要之相位差。據此，較好儘可能使光 彈性係數（Cp)較小。 另一方面，應力光學係數（CR )較大意指例如對環狀 烯烴系樹脂薄膜賦予相位差之展現性時變得以較少延伸倍 率獲得期望之相位差，變得易於獲得賦予較大相位差之薄 膜，於需要相同相位差時與應力光學係數（CR )較小者相 比有可使薄膜薄片化之較大優點。 由以上之觀點，光彈性係數（Cp)較好爲0~100(xl(T12Pa_ 4，更好爲 〇 〜SOixlO-Upa·1)，又更好爲 0 〜SCUxlO — Upa·1)， 最好爲〇〜SiHxlO^Pa-1)’又最好爲0〜ZiHxlO-Upa-1)。其 理由爲可使層合透明導電層時產生之應力、將導電性層合 -28- 201134665 薄膜固定在其他光學構件上時產生之應力、因使用時環境 變化等產生之相位差變化等引起之不必要相位差可侷限在 最小限度。 (添加劑） 上述環狀烯烴系樹脂可添加習知抗氧化劑、紫外線吸 收劑等進而使之安定化。且，亦可添加潤滑劑等過去樹脂 0 加工中使用之添加劑以改善加工性。 上述抗氧化劑列舉爲例如季戊四醇肆[3- ( 3，5-二第三 丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]、2,6-二第三丁基-4-甲基酚、 2,2’-二氧基-3,3’-二第三丁基-5,5’-二甲基二苯基甲烷、肆 [伸甲基- 3-( 3，5-二第三丁基-4-羥基苯基）丙酸酯]甲烷等 ，至於上述紫外線吸收劑列舉爲例如2，4-二羥基二苯甲酮 、2-羥基-4-甲氧基二苯甲酮等。 〇 •聚碳酸醋樹脂 可構成由透明樹脂所構成之薄膜（I)之聚碳酸酯樹 脂並無特別限制，可使用該本技術領域中已知之任意芳香 族聚碳酸酯或共聚碳酸酯。聚碳酸酯成分可依循例如界面 聚縮合法、均勻相中之聚縮合法或酯交換法等之該技術領 域中一般已知之方法之任一種製造。該等方法以及相關之 反應物、聚合物、觸媒、溶劑及條件爲該技術領域中週知 ’且敘述於美國專利第2,964,974號、第2,970,137號、第 2,999,83 5 號、第 2,999,846 號、第 3,028,3 65 號、第 -29- 201134665 3,153,008 號、第 3,187,065 號、第 3,215,668 號、第 3,25 8,4 1 4號及第5,010,162號中。適當之聚碳酸酯爲基於 例如下述之雙酚類之一種或一種以上；二羥基聯苯類、雙 (羥基苯基）烷類、雙（羥基苯基）環烷類、雙（羥基苯 基）硫醚類、雙（羥基苯基）醚類、雙（羥基苯基）酮類 、雙（羥基苯基）亞碾類、雙（羥基苯基）砸類、烷基亞 環烷基雙酚類、α,α-雙（羥基苯基）二異丙基苯類、使該 等之核經烷化之衍生物或核經鹵化之衍生物，及該等之混 合物。 該等雙酚類之具體例爲4，4’-二羥基聯苯、2,2-雙（4_ 羥基苯基）丙烷、2,4 -雙（4 -羥基苯基）-2 -甲基丁烷、 1，1-雙（4-羥基苯基）環己烷、α,α-雙（4-羥基苯基）二 異丙基苯、2,2-雙（3_甲基-4 -羥基苯基）丙烷、2，2 -雙（ 3- 氯-4-羥基苯基）丙烷、雙（3,5-二甲基-4-羥基苯基） 甲烷、2,2-雙（3,5-二甲基-4_羥基苯基）丙烷、雙（3,5_ 二甲基-4-羥基苯基）颯、2,4-雙（3，5 -二甲基-4-經基苯基 )-2 -甲基丙烷、1,1-雙（3,5 -二甲基_4 -經基苯基）環己院 、α，α-雙（3,5-二甲基-4-羥基苯基）-對-二異丙基本、 2,2-雙（3,5-二氯-4-羥基苯基）丙烷及2,2·雙，5-一溴_ 4- 羥基苯基）丙烷。最佳之雙酚爲更一般以雙酚Α而已知 之2,2-雙（4-羥基苯基）丙烷。使上述雙酹類與碳酶氯反 應，可製造芳香族聚碳酸酯。適當之聚碳酸酯另敘述於美 國專利第4,677,1 62號中。 -30- 201134665 •其他樹脂 本發明之由透明樹脂所構成之薄膜係由環狀烯烴系樹 脂及聚碳酸酯樹脂以外之樹脂構成時，透明樹脂可列舉爲 例如聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚甲基丙 烯酸甲酯、聚乙醯基纖維素、聚醚颯、聚醯亞胺等。 由透明樹脂構成之薄膜（I)之製造 0 本發明中所用之由透明樹脂構成之薄膜（I)之製造 方法並無特別限制，可預先將環狀烯烴系樹脂或聚碳酸酯 樹脂等之透明樹脂成形成薄膜或薄片後，經延伸加工等獲 得。尤其，藉由延伸加工獲得之由透明樹脂構成之薄膜（ I)就適用於抗反射功能爲必要之觸控面板之理由而言係 較佳。藉由於薄膜（I)上設有凸部而於透明導電層（III )側之表面部形成前述凸部時，設於薄膜（I )上之凸部 可於延伸加工後形成，亦可於延伸加工前之薄膜上預先製 0 作凸部後，使之延伸而形成。 將透明樹脂成形爲薄膜狀之方法可依據透明樹脂之種 類或薄膜所需特性等適當選擇而進行，例如可採用熔融成 形法或溶劑澆鑄法（溶液流延法）等方法。至於薄膜之成 形方法就膜厚之均勻性及表面平滑性良好之觀點而言以溶 劑澆鑄法較佳。另外，就製造成本方面而言以熔融成形法 較佳。如此成形之薄膜並無特別限制，但膜厚通常爲 7〇~3〇〇μιη，較好爲80〜250μιη，薄膜之最大厚度與最小厚 度之差通常爲3μιη以內，較好爲2μιη以內。 201134665 將透明樹脂成形爲薄膜狀或薄片狀時’較好於其至少 一面上形成凸部。據此，藉由延伸加工該薄膜狀物或片狀 物，可獲得具有所需凸部之薄膜（I)。形成凸部之方法 可使用習知方法，例如，熔融成形法中較好使用使熔融之 樹脂冷卻·固化時，抵壓於具有凹部之金屬輥等而轉印之 方法。金屬輥可適當使用例如藉由使表面加工容易之銅或 鎳等比較便宜之金屬表面經電鑛、切削等成爲所需形狀之 輥，或對金屬輥表面粗粒加工後，以使輥之表面成爲所需 形狀之方式進行鉻或鎳等之電鍍而成之輥。且，於該金屬 輥表面較好具有爲防止擦傷用之習知的例如如鑽石之碳之 皮膜。另外，例如溶劑澆鑄法中，較好使用使透明樹脂之 溶液流延在以具有凹部之不銹鋼作爲母材之基材或例如聚 對苯二甲酸乙二酯等塑膠基材上，將溶劑乾燥去除之方法 。此時，樹脂薄膜中之殘留溶劑量較好爲20%以下，更好 爲1 0%以下，最好爲5 %以下，藉由使殘留溶劑量在該範圍 ，可壓抑因延伸加工造成之發泡故較佳。 使透明樹脂形成爲薄膜狀或薄片狀後，亦較好使用例 如壓花輥等在薄膜狀物或薄片狀物之至少一面上形成凸部 而進行。即使如此，亦可藉由延伸加工具有該凸部之薄膜 狀物或薄片狀物，獲得具有所需凸部之薄膜（I )。壓花 輥可適當使用利用習知材料者或上述之金屬輥等。 本發明使用之由透明樹脂構成之薄膜（I )可以如上 述方式使透明樹脂成形之薄膜狀物作爲原料薄膜，藉由使 之經延伸處理而製造。具體而言，可藉由習知之單軸延伸 -32- 201134665 法或二軸延伸法、斜向延伸法等延伸原料薄膜而製造。亦 即，可使用利用張布機法之橫向單軸延伸法、輥間壓縮延 伸法、利用圓周距不同之輥之縱向單軸延伸法等，或者組 合橫向單軸與縱向單軸之二軸延伸法，使薄膜兩端之張布 機之移動速度或引導輥之形狀成非對稱之使光軸在薄膜面 之內成斜向之斜向延伸法，藉由吹塑法進行之延伸法等。 其中，分別就製造成本方面而言以橫向單軸延伸或縱向單 0 軸延伸較佳，就可斜向調整光軸之方面而言以斜向延伸較 佳，就薄膜表面形狀之控制難易而言較好使用雙軸延伸。 延伸時之延伸速度通常爲1〜5，000%/分鐘，較好爲 50〜1,000%/分鐘，更好爲1 00-1,000%/分鐘，又更好爲 100〜500% /分鐘。其中，所謂的延伸速度1%/分鐘意指薄 膜長度每分鐘伸長原先長度之1 %之速度。又雙軸延伸法 時，有同時進行二方向之延伸之情況，或於單軸延伸後以 與最初之延伸方向不同之方向延伸處理之情況。該等情況 〇 下，二軸延伸之交叉角度通常在120〜60度之範圍，且，延 伸速度於各延伸方向可相同，亦可不同。 延伸加工溫度並無特別限制，以構成薄膜之樹脂之玻 璃轉移溫度（Tg)作爲基準，通常爲Tg±40°C，較好爲Tg-5〜Tg + 40°C ’ 更好爲 Tg〜Tg + 30°C，最好爲 Tg+l〇〜Tg + 30°C 之範圍。另外，僅在薄膜單面上形成凸形狀時，較好使形 成凸形狀之面的溫度相對於未形成之面高5 °C以上，更好 高1 0°C以上。該情況下，可較好地以調整薄膜加熱之恆溫 槽整體中之溫度分布設定，或於恆溫槽內設置點狀加熱器 -33- 201134665 (Spot Heater )等調整溫度而進行。使延伸時之加工溫度 在上述範圍內，可使薄膜表面形狀成爲曲線狀之凸狀態， 又，可適當的控制相位差發生同時抑制不均勻發生故而較 佳。 延伸倍率通常爲1.01〜10倍，較好爲1.5〜5倍，更好爲 2.0〜3.5倍。延伸倍率超過10倍時，會有薄膜表面形狀或 相位差之控制變困難之情況。 延伸之薄膜可直接冷卻，但以在Tg-20°C~Tg之溫度氛 圍下靜置至少10秒以上，較好30秒~60分鐘，更好1分鐘 〜60分鐘。據此，可獲得相位差特性之經時變化少之安定 相位差薄膜。又，亦較好與調整在較好爲Tg-20°C〜Tg+10°C，更好在Tg-10°C〜Tg + 5°C之溫度範圍之輥接 觸而適當進行。據此，就可更均勻地形成薄膜表面之曲線 狀凸形狀之觀點而言較佳。 另外，延伸後之本發明之由透明樹脂構成之薄膜（I )之線膨脹係數在溫度20°c至100°c之範圍內較好爲1χ1〇_4 (1厂C )以下，更好爲9x 1(T5 ( 1厂c )以下，又更好爲8X 1 0·5 ( 1广C )以下，最好爲7 X 1 0 —5 ( 1广C )以下。又，延伸 方向及與其成正交方向之線膨脹係數差較好爲5 X 1 (Γ5 ( 1广C )以下，更好爲3 X〗0 —5 ( 1 / °C )以下，又更好爲1 X 1 0 _5 (1 /°C )以下。藉由使線膨脹係數在上述範圍內，將薄膜 (I )用於本發明之導電性層合薄膜上時，可抑制因使用 時之溫度及濕度等之影響而產生之應力變化造成之相位差 變化或透明導電膜之電阻値變化，可獲得長時間之特定安 -34- 201134665 定。又，使用薄膜（η之本發明導電性層合薄膜作爲觸 控面板時，可抑制因外部環境變化造成之變形，進一步抑 制千涉條紋之發生。 如上述延伸之薄膜係藉由延伸使分子配向，對穿透光 賦予相位差，但該相位差可利用延伸前之薄膜相位差値與 延伸倍率、延伸溫度、延伸配向後之薄膜厚度加以控制。 本發明使用之由透明樹脂構成之薄膜（I)之全光穿 Q 透率就使觸控面板之視覺辨識性變良好而言，較好爲85% 以上，更好爲8 8 %以上，又更好爲9 0 %以上。 表面處理 本發明之由透明樹脂構成之薄膜（I)爲了提高與由 硬化性樹脂組成物組成之樹脂層（II )或透明導電層（III )之接著性，亦可施予表面處理。該表面處理列舉爲電漿 處理、電暈處理、鹼處理、塗佈處理等。尤其是利用電暈 〇 處理’可使由透明樹脂組成之薄膜（I )與該樹脂層（II )強固地密著。 電暈處理條件以電暈放電電子之照射量爲卜丨000 W/m2/min較佳。更好爲10〜100w/m2/min。照射量比該値 低時會有無法充分獲得表面改質效果之情況，且照射量比 該値高時’會有處理效果及於相位差薄膜之內部及薄膜本 身變質之虞。 另外’在經電暈處理之由透明樹脂構成之薄膜（I ) 上形成該樹脂層（II )時，可使用剛經電暈處理後之薄膜 -35- 201134665 (I)，但經除電後使用就防止異物附著之觀點而 〈由硬化性樹脂組成物組成之樹脂層（II)〉 爲了提高表面硬度與密著性等或調整表面凸部 ，較好在由前述透明樹脂構成之薄膜（I)與透明 (III)之間設置由硬化性樹脂組成物構成之樹脂層 〇 如前述，在薄膜（I)與透明導電層（III )之 樹脂層（II)時，藉由於樹脂層（II )之表面部設 ，亦可在透明導電層（III )側之表面部形成凸部 此，則本發明之導電性層合薄膜可確保抗牛頓環性 透明感，且達到防止眩光。 設置於樹脂層（II)之表面部之凸部，與前述 可以壟狀或海島狀形成。藉由於設置該等凸部之樹 II)上以幾乎均勻厚度層合透明導電層（III)，可 透明導電層（III )側之表面部具有形成爲前述壟 島狀之凸部之導電性層合薄膜。 以下，針對樹脂層（II )之具有以壟狀設置之 樹脂層（II )加以敘述。 樹脂層（II)之凸部係形成爲壟狀，於與該壟 方向正交之面切開獲得之剖面中，顯示凸部所形成 之線較好爲波浪狀之曲線。形成前述壟之複數個凸 在壟之長度方向成蜿蜒。 言較佳 平滑性 導電層 (II) 間設置 置凸部 。若如 與提高 相同， 脂層（ 獲得在 狀或海 凸部之 之長度 之表面 部較好 -36- 201134665 另外’前述波浪狀之曲線較好爲具有規則週期（間距 :以下亦稱爲P )之波浪狀曲線，形成前述壟之複數個凸 部亦較好沿著壟之長度方向以規則週期（間距：以下亦稱 爲P 1 )婉诞。 出現於前述剖面中之波浪狀曲線之前述p較好爲 100〜5 000 μιη’更好爲200~1 000μιη之範圍。前述P在ΙΟΟμιη 以下時會有發生眩光之情況，超過5〇〇〇μιη時，會有無法 0 充分展現抗牛頓環性之情況。 又’形成壟狀之凸部之最大高度通常設定成0.1〜ΙΟμιη ，較好爲0.5〜3μιη之範圍。未達Ο.ΐμπι時，無法展現抗牛頓 環性，超過ΙΟμίΏ時，作爲觸控面板組裝時在輸入時會有 感到凹凸不平之感覺。 形成壟之複數個凸部較好以前述Ρ 1蜿蜒。此處所謂「 蜿蜒」意指在與本發明之導電性層合薄膜之平面平行之面 上使以壟狀形成之凸部沿著其長度方向以波浪狀曲線描繪 壟狀之凸部係藉由具有可形成該凸部之凹部之轉印輥 等，藉由將形狀連續地轉印於由透明樹脂構成之薄膜（I )上而較佳地形成。具有壟狀凸部之樹脂層（II)與其他 薄膜或薄片層合時，例如在下部顯示裝置中使用液晶時， 作爲水波紋對策，藉由使壟之長度方向相對於其偏光軸以 1〇~45°角度層合，可使視覺辨識性良好。因此，基材薄膜 使用1/4λ相位差薄膜時，即使以壟之長度方向相對於其遲 相軸以10〜80°角度層合亦較佳。 -37- 201134665 針對形成爲壟狀之凸部進一步利用圖式加以說明。圖 7爲在由透明樹脂構成之薄膜（I)之單面上，利用UV硬 化性樹脂組成物，使形成有具有以壟狀設置之凸部之樹脂 層（II)之層合薄膜以與壟之長度方向正交之面切開，自 斜上方觀察之圖。壟之間距（p )係由樹脂層（II)之複 數個凸部決定。 該剖面中’顯示凸部所形成之表面之線較好爲具有規 則周期之波浪狀曲線。因此，藉由描繪曲線，使作爲觸控 面板時不會視覺辨識到起因於壟狀之條狀線，可對應於畫 面之更高精細化而較佳。而且，作爲觸控面板使用時之平 滑性提高，手的觸感良好，同時可抑制觸控面板長期使用 時之電阻値變化’可進一步改善耐久性而較佳。藉由如此 ，可提供干涉條紋之發生受到抑制、對比性高、眩光少， 可達到清晰之顯示、耐久性優異、視覺辨識性高之導電性 層合薄膜及觸控面板。 圖8爲與以壟狀形成之凸部之長度方向正交之剖面之 觀察圖。該剖面中之凸部所描繪之曲線部及挾持在兩個凸 部間之谷間部所描繪之曲線部分別爲帶有具有各曲率半徑 (Rt) 、（Rb)之圓的曲線。該曲線亦可爲正弦曲線。若 爲正弦曲線，則由於其模具製作容易故較佳。另外，觸控 面板之觸感與條狀線之消除之容易性，以及干涉條紋之防 止效果及耐久性能方面可藉由調整各曲率半徑而調節。此 時’曲率半徑（Rt ) 、 （ Rb )較好分別使用間距（P )之 一半以上且30倍以下，更好以間距（P )之—倍以上且1 〇 -38- 201134665 倍以下，最好以間距（P )之3倍以上且1 〇倍以下使用。又 ’使曲率半徑（Rt )與（Rb )相同時由於其製作容易故可 較好地使用，但曲率半徑（Rt )大於（Rb )就提升觸控面 板之觸感方面較佳。且，連結前述剖面中描繪凸部之曲線 部與挾持兩個凸部之谷間部之曲線部之直線部分之圖8中 之薄膜平面方向之長度（L)使用相較於間距（P)較好爲 三分之一以下，更好爲五分之一以下，最好爲十分之一以 〇下。 圖9爲一較佳例，爲顯示自具有形成爲壟狀之凸部之 樹脂層（II)之上方之觀察圖。本發明之導電性層合薄膜 中，形成爲壟狀之凸部之稜線較好描繪在導電性層合薄膜 之平面上具有規則週期（間距）之波浪狀曲線。相對於圖 7之凸部稜線爲直線，圖9之凸部在與薄膜平面平行之面上 爲規則性蜿蜒。藉由使壟狀凸部成爲該方式，使條狀線更 不易被視覺辨識，提高作爲觸控面板使用時之平滑性使手 〇 的觸感良好，同時可抑制觸控面板長期使用時之電阻値變 化，可進一步改善耐久性能故而較佳。 以此時之薄膜平面內之規則曲線之間距作爲（Ρ 1 )， 以曲線之寬度作爲（W)時，係使用間距（ρ丨）較好爲間 距（Ρ )之1倍以上且3 0倍以下，更好爲2倍以上且2 0倍以 下，最好爲3倍以上且10倍以下’又曲線之寬度（w)較 好爲間距（Ρ )之二分之一倍以上且3 0倍以下，更好爲1倍 以上且2 0倍以下’最好爲3倍以上且丨〇倍以下。該薄膜平 面方向中之規則曲線未達該範圍時，作爲觸控面板時會產 -39- 201134665 生眩光感，又，超過該範圍時因曲線引起之效果變弱而不 佳。 (硬化性樹脂組成物） 硬化性樹脂組成物就對其他層之影響低、可有效硬化 、硬化條件之控制容易之觀點而言，以UV硬化性樹脂，袓 成物較佳。u V硬化性樹脂組成物較好爲以特定量調配（A )具有3個以上之丙烯醯基之多官能基單體（以下亦稱爲 (A)成分），（B)使丙烯酸加成反應於（甲基）丙稀 酸縮水甘油酯系聚合物而成之聚合物（以下亦稱爲（B) 成分）以及（C)任意之其他丙烯酸寡聚物（以下亦稱爲 (C)成分）而成。尤其，（A)成分爲可賦予透明導電 層（III )之硬度、對由透明樹脂構成之薄膜（I )之密著 性等的成分。（B)成分爲可賦予透明導電層之硬度進一 步提高、硬化性及硬化時降低捲曲發生之成分。（C)成 分爲可賦予強韌性之任意成分。 (A)成分之表面張力，就可獲得充分硬度及密著性 之觀點而言，以37tnN/m以下之範圍爲適當，更好爲 3 0mN/m以上。表面張力之測定係使用協和CBVP表面張力 目十利用正交板法（wilhemy method)進行。 (A)成分之具體例列舉爲三羥甲基丙烷三丙烯酸酯 、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、甘油丙二醇加成物之三 丙烯酸酯、三羥甲基丙烷丙二醇加成物之三丙烯酸酯等。 該等中’就使硬化塗膜成爲高硬度而言，以三羥甲基丙烷 -40- 201134665 三丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯較佳。 硬化性樹脂組成物中之（A )成分之調配量較適當爲 4 0~60重量％ (其中，以（A )〜（C )成分之合計爲100重 量％ )，較好爲5 0 ~ 6 0重量％。 (B )成分，係如上述，爲將丙烯酸加成反應於（甲 基）丙烯酸縮水甘油酯系聚合物上而成之聚合物丙烯酸酯 。由於未反應之環氧樹脂對組成物之安定性帶來不良影響 0 ，故丙烯酸相對於環氧基之加成量以1 : 1〜1 : 0.8左右較 適當，較好爲1 : 1~1 : 0.9左右。 至於（甲基）丙烯酸縮水甘油酯系聚合物列舉爲（甲 基）丙烯酸縮水甘油酯之均聚物、（甲基）丙烯酸縮水甘 油酯與不含羧基之各種α，β -不飽和單體之共聚物等。該不 含羧基之α,β-不飽和單體可例示爲各種（甲基）丙烯酸酯 、苯乙烯、乙酸乙烯酯、丙烯腈等。再者，使（甲基）丙 烯酸縮水甘油酯與不含羧基之α,β -不飽和單體共聚合獲得 Q (甲基）丙烯酸縮水甘油酯系聚合物時，反應時不會產生 交聯，可有效防止高黏度化或凝膠化。（甲基）丙烯酸縮 水甘油酯系聚合物之分子量，就硬化時減低捲曲性及丙烯 酸加成反應時防止凝膠化之觀點而言，重量平均分子量爲 5,000-100，000左右’較好爲10,〇〇〇〜50,000左右。重量平 均分子量係以凝膠滲透層析儀（GPC)以聚苯乙烯換算獲 得者。（Β)成分中之（甲基）丙烯酸縮水甘油酯之使用 比例’考量透明導電層之硬度及聚合物之移行性，以70重 量％以上較適宜，較好爲7 5重量％以上。 -41 - 201134665 (B) 成分之製造可使用習知之共聚合方法。（甲基 )丙烯酸縮水甘油酯系聚合物之製造可將該單體、聚合起 始劑、視需要之鏈轉移劑及溶劑饋入反應容器中，在氮氣 流下以80〜9(TC、3~6小時左右之條件進行較適當。使如此 獲得之（甲基）丙烯酸縮水甘油酯系聚合物與丙烯酸經開 環酯化反應，可獲得（B)成分。該反應通常宜在氧氣流 下進行以防止丙烯酸本身之聚合，又反應溫度以 100〜l2〇°C較適當，反應時間以5〜8小時左右較適當。 硬化性樹脂組成物中之（B )成分之調配量以1 〇〜60 重量％ (其中，以（A)〜（C)成分之合計爲1〇〇重量％ )較適當，較好爲20〜5 0重量％。 (C) 成分之具體例列舉爲多官能基聚酯丙烯酸酯、 多官能基胺基甲酸酯丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯。其中， 就硬化塗膜之耐擦傷性、強韌性等觀點而言，以多官能基 胺基甲酸酯丙烯酸酯較佳。列舉爲例如（a )具有羥基之 (甲基）丙烯酸酯與分子內具有兩個以上異氰酸酯基之異 氰酸酯化合物之胺基甲酸酯反應產物，（b)於分子內具 有兩個以上之異氰酸酯基之異氰酸酯化合物中，使多元醇 、聚酯或聚醯胺系之二元醇反應合成加成物後，對殘留之 異氰酸酯基加成具有羥基之（甲基）丙烯酸酯之反應產物 等（參照例如特開2 0 0 2 - 2 7 5 3 9 2號）。 多官能基胺基甲酸酯丙烯酸酯爲由具有羥基之（甲基 )丙烯酸酯與具有兩個以上異氰酸酯基之多價異氰酸酯化 合物所組成之反應產物。具有羥基之（甲基）丙烯酸酯較 -42- 201134665 好爲季戊四醇三（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇五（甲基 )丙烯酸酯等。 硬化樹脂組成物中之（C )成分之調配量以0 ~ 5 0重量 % (其中，（A )〜（C )成分之合計爲1 00重量％ )較佳。 使硬化樹脂組成物硬化所用之方法較好使用熱或活性 能量線等。至於活性能量線爲例如紫外線、電子束等之任 一種。藉由電子束等使樹脂組成物硬化時雖不需要光聚合 0 起始劑，但以紫外線硬化時，相對於樹脂組成物1 00重量 份，通常可含有1〜15重量份左右之光聚合起始劑。光聚合 起始劑可使用 Darocure 1173、Irgacure 651、Irgacure 184 、Irgacure 907、Irgacure 754 (均爲汽巴.特用化學品公 司製造）、二苯甲酮等各種習知者。亦可視需要調配上述 以外之各種添加劑，例如聚合抑制劑、抗氧化劑、紫外線 吸收劑、抗靜電劑、光安定劑、溶劑、消泡劑、平流劑等 ❹ (由薄膜（I)/樹脂層（II)構成之層合薄膜之物性 ) 本發明之導電性層合薄膜具有由透明樹脂組成之薄膜 (I)及透明導電層（III )，且具有任意之樹脂層（II) ，但由透明樹脂組成之薄膜（I)上形成樹脂層（II)獲 得之層合薄膜較好具有以下之物性。 (1)濁度，亦稱爲霧價，爲表示霧程度、擴散程度 者，可使用例如市售之SUGA試驗機（股）HGM-2DP等 -43- 201134665 ，根據JIS Κ-7 136測定濁度（％ )。標記薄膜之濁度較好 爲1 %以下。濁度在上述範圍外時，產生白暗點使觸控面 板之視覺辨識性降低。 (2 )全光線穿透率（％ )於使用例如市售之SUGA試 驗機（股）HGM-2DP等，根據JIS Κ-73 6 1測定時，就提高 觸控面板之視覺辨識性而言，較好爲8 0 %以上，更好爲 83%以上，又更好爲85%以上。 (3 )穿透光b * ( % )於使用例如市售之大塚電子（ 股）製造之色差計RETS- 1 200VA等，根據JIS Z- 8 722測定 時，就提高觸控面板之視覺辨識性而言，較好爲0〜1 0%， 更好爲〇〜5 %，又更好爲0 ~ 2 %。 (4)鉛筆硬度於使用東洋精機（股）製造之NP，以 JIS K5600-5-4測定時，較好爲HB以上。未達HB時，於 ITO成膜時會有傷及透明導電膜之情況。 (5 )防眩性於在標記薄膜上映入螢光燈（·全光束 3 5 2 0 1 m )，且以目視評價螢光燈輪廓之變形程度時，螢 光燈之輪廓清晰沒變化者較佳。 (6)亮度不均勻係以Sharp製造之可攜式SL-6000N之 畫面以綠色顯示後，裝上標記薄膜，以目視評價時，以畫 面之亮度不均勻度幾乎無法辨識者較佳。 (7 )抗牛頓環性爲在平滑之玻璃板（厚度3nim，材 料：鈉玻璃）上以使樹脂層密著之方式裝置標記薄膜且以 手指按壓，以目視評價是否發生牛頓環時，以未發生牛頓 環者較佳。 -44- 201134665 (8 )熱收縮率（％ )於將標記薄膜靜置於加熱至 150°C之強制循環式乾燥機中60分鐘，使用Mitutoyo製造 之尺寸測定顯微鏡1 76-8 1 2，測定加熱前後之薄膜尺寸變 化’計算出熱收縮率時，以1.5 %以下較佳，更佳爲1 . 3 %以 下，又更佳爲1.0%以下。熱收縮率超過1.5 %時，會有觸控 面板發生變形之情況。 (9 )相位差並無特別限制，但於由透明樹脂構成之 0 薄膜（I)爲相位差薄膜時，使用王子計測設備（股）製 造之「KOBRA- 21 ADH/PR」，測定對於波長5 5 Onm之穿透 光之相位差（nm )時，較好爲128〜148nm，更好爲 13 3〜143nm。相位差在上述以外時，會有液晶顯示器之對 比性、視覺辨識性降低之情況。 〈透明導電層（III)〉 本發明之導電性層合薄膜爲在由透明樹脂構成之薄膜 Ο (I)上層合透明導電層（ΙΠ)而成，或者在薄膜（I)上 適當形成由上述硬化性樹脂組成物構成之樹脂層（II )， 接著於其上層合透明導電層（III)而成。 構成本發明之導電性層合薄膜之透明導電層（III) 只要是在可見光區域中具有透光度且具有導電性之層即可 ’並無特別限制，列舉爲使含有氧化錫之氧化銦（氧化銦 錫’以下亦稱爲ITO )、含有氧化鈦之氧化銦、氧化錫、 氧化鈦、聚噻吩、無機奈米粒子等分散之無機/有機複合 矽材料等獲得之層。本發明中之透明導電層（II 〇較好 -45- 201134665 爲由ITO構成之層，更具體而言以由結晶性IT〇構成之層 較佳。 (透明導電層（III)之形成） 透明導電層（III)之形成方法可使用真空蒸鍍法、 濺鍍法、離子電鍍法等過去公知之技術之任一種，但就膜 之均勻性或薄膜對透明基材之密著性之觀點而言，較好爲 以濺鍍法形成之薄膜。又，使用之薄膜材料除上述以外， 亦可使用例如含有銻之氧化錫等之金屬氧化物，以及金、 銀、鉑、鈀、銅、鋁、鎳、鉻、鈦、鈷、錫或該等之合金 等。該導電性薄膜之厚度較好爲30埃以上，比該厚度薄時 難以成爲表面電阻成爲1 000Ω/□以下之具有良好導電性之 連續被膜。另一方面，太厚時由於有引起透明性降低等之 情況，故較佳之厚度爲50〜2000埃左右。 以濺鍍法形成由ΙΤΟ構成之透明導電層（III)時，作 爲靶材係使用過去習知之ΙΤΟ靶材。較好使用氧化銦與氧 化錫之重量比，較好爲99: 0.5~99: 20，更好爲99: 1〜90 :15，又更好爲99: 1〜90: 10者作爲ΙΤ0膜之形成用之靶 材材料。重量比在上述範圍以外時會引起電阻値上升。 ΙΤ0成膜時之溫度較好在由透明樹脂構成之薄膜（I ) 之玻璃轉移溫度（Tg )以下，更好爲「室溫〜透明樹脂之 Tg」，又更好爲「室溫〜透明樹脂之Tg-2(TC」。在構成薄 膜（I )之透明樹脂之Tg以上時會有造成薄膜劣化之情況 。又，由硬化性樹脂組成物構成之樹脂層（11 )之T g低於 -46- 201134665 透明樹脂之Tg時’宜在該樹脂層（II)之Tg以下之溫度進 行成膜。 另外，於Ar中導入微量氧，較好相對於Ar與〇2之合計 導入0.05~20體積％，更好導入0.01-10體積％，又更好導 入〇.1~3體積％之〇2作爲ITO成膜時之氛圍氣體時，可使 IT Ο薄膜之透明性與導電性變良好。 形成ITO薄膜作爲透明導電層（III )時，其ITO較好 0 爲結晶性ITO。結晶性ITO薄膜之成膜方法係使用漸歇性 改變施加於靶材電極（陽極）之電力之脈衝濺鍍法，進而 ，該脈衝濺鍍法可使用以配置複數個陽極作爲基本構成之 雙重陽極脈衝濺鍍法。該等濺鍍法爲了對應於在更佳真空 度中之電漿放電，較好使用磁控濺鍍法，且爲了使安定之 脈衝電流發生與設定條件具有自由度，脈衝產生單元較好 使用雙極型或單極型。亦可爲使結晶性ITO薄膜於成膜後 ，藉由在l5〇°C左右之溫度水準下進行退火而結晶化之方 〇 法。藉由成爲結晶化ITO膜可使耐久性獲得顯著提高。 〈易接著層〉 本發明之導電性層合薄膜亦較好在由透明樹脂構成之 薄膜（I)或由硬化樹脂層構成之樹脂層（II)與透明導 電層（111 )之間具有易接著層，以改善接著性同時賦予 氣體隔離性。該易接著層中亦可含有金屬氧化物微粒子， 藉由含有金屬氧化物微粒子使接著性獲得改善故而較佳。 通常，較佳之易接著層係藉由調製由含有金屬氧化物微粒 -47- 201134665 子與聚矽氧烷之組成物構成之塗佈液 薄膜（I)或樹脂層（II )上並經乾燥 (金屬氧化物微粒子） 易接著層中所用之金屬氧化物微 之氧化物微粒子，其種類並無特別限 銻、氧化锆、銳鈦礦型氧化鈦、金紅 型氧化鈦、氧化鋅、氧化鉬、氧化銦 氧化鈮、氧化銘、氧化铈、氧化銃、 化鐯、氧化鈸、氧化釤、氧化銪、氧 鏑、氧化鈥、氧化餌、氧化铥、氧化 、氧化鎵、氧化鋰、氧化緦、氧化鎢 及該等之複合物，以及銦-錫複合氧 述金屬之複合物之氧化物等之微粒子 上述金屬氧化物微粒子之一 0.1〜100 nm，更好爲0.1~70nm，最好 化物微粒子之一次平均粒徑在上述範 性優異之層合薄膜。 (聚矽氧烷） 易接著層中所用之聚矽氧烷較好 〇 多官能性聚矽氧烷列舉較佳者爲 連鎖之多官能基聚矽氧烷與聚二甲基 ，將該塗佈液塗佈於 而獲得。 粒子只要是金屬元素 制，列舉爲例如氧化 石型氧化鈦、板鈦礦 、氧化給、氧化錫、 氧化釔、氧化鑭、氧 化'氧化Μ、氧化 鏡、氧化镥、氧化銘 、氧化鋇、氧化鎂、 化物等兩種以上之上 〇 次平均粒徑較好爲 爲0.1~50nm。金屬氧 圍內時，可獲得透光 爲多官能性聚矽氧烷 使具有二甲基矽氧烷 矽氧烷經脫醇反應獲 -48 - 201134665 得之聚矽氧烷。所謂多官能基聚矽氧烷與聚二甲基矽氧烷 之末端官能基較好爲烷氧基或羥基，使具有個別不同之末 端官能基之二甲基砂氧院與聚二甲基砂氧院經脫醇反應， 獲得多官能性聚矽氧烷。 〈抗反射層〉 本發明之導電性層合薄膜爲了提高可見光區域之穿透 f) 度’較好在透明性導電層（III)之下層側亦具有抗反射 層。抗反射層通常爲由含有氧化矽、氟化鎂等低折射率層 與氧化鈦、氧化鈮及氧化鉬等高折射率層之兩層以上之層 合構造所構成。 由該等無機氧化物所構成之低、高折射率層之形成方 法可採用真空蒸鍍法、濺鏟法、離子電鍍法（乾式製程） 或含有各種金屬烷氧化物、氧化銷等無機氧化物之超微粒 子之塗佈液之塗佈法（濕式製程）等習知之方法。 〇 又，塗佈以氟聚合物作爲主成分之有機材料作爲低折 射層亦較佳。 〈導電性層合薄膜之特性〉 本發明之導電性層合薄膜較好具有以下各種物性。 (1 )濁度，亦稱爲霧價，爲表示霧濁狀態、擴散程 度者，可使用例如市售之SUGA試驗機（股）HGM-2DP等 ，根據JIS K-7136測定濁度（％ )。標記薄膜之濁度較好 爲1 %以下。濁度落在上述範圍外時，產生白暗點使觸控 -49- 201134665 面板之視覺辨識性降低。 (2 )全光線穿透率（％ )於使用例如市售之31；(3八試 驗機（股）HGM-2DP等，根據JIS K-7361測定時’就提筒 觸控面板之視覺辨識性而言，較好爲8 0%以上’更好爲 8 3 %以上，又更好爲8 5 %以上。 (3 )透光率b * ( % )於使用例如市售之大塚電子（ 股）製造之色差計RETS- 1 200VA等，根據JIS Z- 8 722測定 時，就提高觸控面板之視覺辨識性而言’較好爲0〜12% ’ 更好爲〇〜7 %，又更好爲0〜4 %。 (4 )鉛筆硬度於使用東洋精機（股）製造之NP ’以 JIS K5600-5-4測定時，較好爲HB以上。未達HB時，於 ITO成膜時會有傷及透明導電膜之情況。 (5 )防眩性於在標記薄膜上映入螢光燈（全光束 3 5 20 lm )，以目視評價螢光燈輪廓之變形程度時，螢光 燈之輪廓清晰沒變化者較佳。 (6)亮度不均勻度係以Sharp製造之可攜式SL-600 0N 之畫面以綠色顯示後，裝上標記薄膜，以目視評價時，以 畫面之亮度不均勻度幾乎無法辨識到較佳。 (7 )抗牛頓環性於在平滑之玻璃板（厚度3 mm，材 料：鈉玻璃）上以使曲線狀之凸形狀之面密著之方式裝置 標記薄膜且以手指按壓，以目視評價是否發生牛頓環時， 以未發生牛頓環者較佳。 (8 )熱收縮率（％ )於將標記薄膜靜置於加熱至 15(TC之強制循環式乾燥機中60分鐘，使用Mitutoyo製造 -50- 201134665 之尺寸測定顯微鏡1 76-8 1 2 ’測定加熱前後之薄膜尺寸變 化，計算出熱收縮率時’以1 ·5%以下較佳’更好爲1 ·3%以 下，又更好爲1 .〇%以下。熱收縮率超過1 .5 %時，會有發生 觸控面板變形之情況。 (9 )相位差並無特別限制，但於由透明樹脂構成之 薄膜（I )係相位差薄膜時，使用王子計測設備（股）製 造之「KOBRA- 21ADH/PR」，相對於波長5 5 0 nm之穿透光 0 測定相位差（nm ) ’較好爲128〜148nm，更好爲 13 3〜143 nm。相位差在上述以外時，會有液晶顯示器之對 比性、視覺辨識性下降之情況。 (10)表面電阻（Ω/口）於使用例如市售之三菱化學 (股）製造之低電阻率計「表面電阻計GP」測定時，較 好爲200〜1 500 Ω/□，更好爲2 5 0〜1 000Ω/□，又更好爲 300〜5 00Ω/□。表面電阻超過1 5 00Ω/□時，會有難以成爲 具有良好導電性之連續皮膜之情況。另一方面，未達 〇 200Ω/□時，容易引起透明性下降及觸控面板誤動作之情 況。 觸控面板 本發明之觸控面板係較好使用本發明之導電性層合薄 膜作爲4線式電阻膜方式、5線式電阻膜方式等之觸控面板 之上部電極及/或下部電極。因此，將該觸控面板配置於 液晶顯示器前面時可獲得具有觸控功能之顯示裝置。 本發明之觸控面板爲具有上述導電性層合薄膜者，較 -51 - 201134665 好組合使用作爲下部電極之導電性層合薄膜，作爲上部電 極之後述導電性層合薄膜（B)而構成。導電性層合薄膜 與導電性層合薄膜（B)較好爲以使各透明導電層成對向 之方式，視需要透過隔離物而組合。 作爲觸控面板之上部電極使用之導電性層合薄膜（B )較好使透明導電層、透明樹脂薄膜與視需要之偏光板以 該順序層合而成者。構成作爲上部電極使用之導電性層合 薄膜（B)之透明樹脂薄膜可爲相位差薄膜，亦可爲一般 之PET薄膜等未顯示相位差之薄膜。且，導電性層合薄膜 (B)亦可使用與導電性層合薄膜相同者。 構成導電性層合薄膜（B)之透明導電層列舉爲與構 成上述導電性層合薄膜（A )之透明導電層（III )相同者 ’其中以由ITO構成之透明導電層較佳，更好爲由結晶性 IT◦構成之透明導電層。透明導電層爲在透明樹脂薄膜上 視需要透過易接著層、抗反射層等而形成。 構成導電性層合薄膜（B )之透明樹脂薄膜爲相位差 薄膜時，宜爲對於波長550nm之穿透光之面內相位差宜爲 128〜148nm ’較好爲133〜143nm之薄膜，最好爲1/4λ相位 差薄膜。 本發明中使用之導電性層合薄膜（Β)亦較好爲在透 明樹脂薄膜之與透明導電層相反側上具有偏光板。構成導 電性層合薄膜（Β )之偏光板並無特別限制，只要具有偏 光膜’亦即只要將具有入射光分成相互直行之兩種偏光成 分，僅使其一方通過，另一種成分被吸收或分散之功能之 -52- 201134665 膜者即可。該等偏光膜列舉爲例如聚乙烯醇（以下亦稱爲 「PVA」）•碘系偏光膜；於PVA系薄膜上吸附配向雙色 性染料而成之PVA ·染料系偏光膜；利用PVA系薄膜之脫 水反應、聚氯乙烯薄膜之脫鹽酸反應等形成多烯之多烯系 偏光膜；由分子內含有陽離子性基之改質PVA所成之PVA 系薄膜之表面及/或內部具有雙色性染料之偏光膜等。該 等中，較好爲PVA ·碘系偏光膜。 0 偏光膜之製造方法並無特別限制，可使用過去習知之 方法。例如，將PVA系薄膜延伸後，吸附碘離子之方法； 利用雙色性染料將PVA系薄膜染色後，經延伸之方法；將 PVA系薄膜延伸後，以雙色性染料染色之方法；將雙色性 染料印刷於PVA系薄膜上之後，經延伸之方法；將PVA系 薄膜延伸後，印刷雙色性染料之方法等。更具體而言，將 碘溶解於碘化鉀溶液中，製備高次碘離子，使該離子吸附 於PVA薄膜上並延伸，接著以浴溫度30~4〇°C浸漬於1〜5重 H 量％之硼酸水溶液中製造偏光膜之方法；或者使PVA薄膜 經與上述相同之硼酸處理，以單軸方向延伸3〜7倍左右後 ，以浴溫度30〜40 °C浸漬於0.05-5重量％之雙色性染料水溶 液中吸附染料，接著在80〜100°C乾燥並經熱定型而製造偏 光膜之方法。 偏光膜之厚度並無特別限制，較好爲10〜50μπι，更好 爲 1 5 ~4 5 μιη。 該等偏光膜可直接用於本發明之偏光板之製造中，但 亦可對與接著劑層接觸之面施以電暈放電處理、電漿處理 -53- 201134665 而使用。 本發明中使用之偏光板可僅由偏光膜構成，亦可於偏 光膜上具有用以賦予耐吸濕性等之保護膜。 本發明之導電性層合薄膜（B)具有偏光板時，較好 使透明導電層、相位差薄膜及偏光板以該順序層合，具體 而言，較好在層合有相位差薄膜、及透明導電層之導電性 層合薄膜之與透明導電層相反側之面上，利用感壓性接著 劑與偏光膜接著，構成偏光板。 上述感壓性接著劑係使用聚乙烯醇系感壓性接著劑、 丙烯酸系感壓性接著劑、橡膠系感壓性接著劑、矽氧系感 壓性接著劑等。 本發明之觸控面板係使用使透明導電層、1 Μλ相位差 薄膜及偏光板以該順序層合成一體而成之導電性層合薄膜 (Β)作爲上部電極，使用在1/4λ相位差薄膜的薄膜（I) 上層合樹脂層（Π)與透明導電層（III)而成之導電性層 合薄膜作爲對應之下部電極，藉此較好地抑制反射光’使 視覺辨識性特別獲得改善故而較佳。 [實施例] 以下基於實施例更具體說明本發明，但本發明並不受 限於該等實施例。又，以下之「份」均表示「重量份」° 各種物性係如下述測定或評價.。 〈實施例1〜1 2及比較例1 ~ 4〉 -54- 201134665 (1 ) 濁度 使用SUGA試驗機（股）HGM-2DP等，根據JIS K-7 136測定濁度（％ )。 (2 ) 全光穿透率 使用SUGA試驗機（股）HGM-2DP等，根據JIS K- 7 3 6 1測定全光穿透率（％ )。 (3 ) 穿透光b* 0 使用大塚電子（股）製造之色差計RETS-1 200VA，根 據J I S Z - 8 7 2 2測定穿透光b * ( % )。 (4 ) 鉛筆硬度 使用東洋精機（股）製造之鉛筆畫過塗膜硬度試驗機 NP，根據】IS K5600-5-4測定鉛筆硬度。 (5 ) 防眩性 於薄膜上映入螢光燈（全光束3520 1m)，以下列基 準目視評價螢光燈之輪廓變形程度。 〇 A:螢光燈之輪廓完全不清楚 B :螢光燈之輪廓僅稍清晰 C:螢光燈之輪廓清晰 (6 )亮度不均勻度 使Sharp製造之可攜式SL-6000N之畫面以綠色顯示後 ’裝上薄膜，以下列基準利用目視評價。 A:幾乎未看到像素之亮度不均勻 B:雖可看到像素之亮度不均句，但不顯眼 C·可清楚看到像素之免度不均句 -55- 201134665 (7 )抗牛頓環性 在平滑玻璃板（厚度3mm ’材料：鈉玻璃）上以使含 有粒子之樹脂層密著之方式裝置薄膜且以手指按壓，以目 視評價是否發生牛頓環。 A :未發生牛頓環 B :僅發生少許牛頓環 C:清楚發生牛頓環 (8 )熱收縮率 於加熱至1 5 0 °C之強制循環式乾燥機中使薄膜靜置6 0 分鐘，使用Mitutoyo製造之尺寸測定顯微鏡176-812，對 薄膜之縱向（MD)、寬度方向（TD)分別測定加熱前後 之薄膜尺寸變化，計算出熱收縮率（％ )。 (9 )殘留溶劑 於加熱至160°C之強制循環式乾燥機中使薄膜靜置30 分鐘，調查加熱前後之重量變化，以重量減少率（％ )作 爲殘留溶劑（％)。 (1 〇 )相位差

使用王子計測設備（股）製造之「KOBRA-21ADH/PR 」，測定於波長5 5 0 n m之相位差（n m )。 (1 1 )表面電阻 使用三菱化學（股）製造之低電阻率計「表面電阻 計-GP」，測定透明導電層之表面電阻値（Ω/口）。 (1 2 )觸控面板之對比性評價 在暗室中，自正面方向觀察觸控面板之黑色顯示畫面 -56- 201134665 ，以目視觀察色調之變化，且以下列基準評價。 A:觸控面板之色調沒有變化，有清晰感 B :觸控面板之色調沒有變化 C:多少觀察到觸控面板之色調變化 D :觸控面板之色調變化大 (1 3 )觸控面板之辨識性評價 目視觀察改變視角時畫面之顏色變化。 Q A:觸控面板之色調沒有變化，有清晰感 B :觸控面板之色調沒有變化 C:多少觀察到觸控面板之色調變化 D:觸控面板之色調變化大 (14)觸控面板之抗牛頓環性評價 以使電極間接觸之方式以手指按壓觸控面板之上部電 極側之表面，以目視觀察是否發生牛頓環。 A :未發生牛頓環 〇 B :僅發生少許牛頓環 C:明顯發生牛頓環 (1 5 )觸控面板之條狀線之評價 在明亮之一般房屋內，以正面及斜方向觀看觸控面板 之黑色顯示畫面’調查以目視可觀察到之條狀線，且以下 列基準評價。 A :完全未觀察到觸控面板之條狀線 B :觀察到少許觸控面板之條狀線 C :清楚地觀察到觸控面板之條狀線 -57- 201134665 (16)觸控面板之打鍵耐久性評價 使用觸控面板硏究所製造之高荷重打鍵試驗機，使用 矽氧橡膠（曲率半徑8 cm )，荷重75 0g，以打鍵速度1 0Hz 在室溫下進行打鍵耐久性評價。以使初期之通電電壓設爲 3 V使電流通過，且調查該電壓降低至三分之二（2V )爲 止之打鍵次數。 A :打鍵次數1 000萬次以上 B:打鍵次數5 00萬次~未達1 000萬次 C :打鍵次數未達5 00萬次 (1 7 )觸控面板之手觸感性評價 針對觸控面板，以手指摩擦其表面，以下列基準進行 手觸感性之評價。 A:完全未感受到觸控面板之表面凹凸感 B:稍感受到觸控面板之表面凹凸感 C:直接明確地感受到觸控面板之表面凹凸感 [合成例1 ](環狀烯烴系聚合物A之合成） 將8 -甲基-8-甲氧基羰基四環[4.4.0.12’5.17’1()]-3-十二 碳烯227.5份、雙環[2.2.1]庚-2-烯22.5份、卜己烯（分子 量調節劑）18份 '甲苯（開環聚合反應用溶劑）750份饋 入經氮氣置換之反應容器內，將該溶液加熱至6CTC。接著 ’將三乙基鋁之甲苯溶液（1.5莫耳/L) 0.62份、以第三丁 醇/甲醇改質之六氯化鎢（第三丁醇：甲醇：鎢=〇 _ 3 5莫耳 :〇.3莫耳：1莫耳）之甲苯溶液（濃度0.05莫耳/L) 3.7份 -58- 201134665 添加於反應容器內之溶液中，以80°C加熱攪拌該系統3小 時進行開環聚合反應，獲得開環共聚物。該聚合反應中之 聚合轉化率爲9 7 %。 將如此獲得之開環共聚物溶液4,000份饋入高壓釜中 ，將0.48份之RuHCl ( CO ) [P ( C6H5 ) 3]3添加於該開環共 聚物溶液中，在氫氣壓力lOOkg/cm2、反應溫度160°C之條 件下加熱攪拌3小時進行氫化反應。 0 將所得反應溶液（氫化聚合物溶液）冷卻後，使氫氣 釋壓。將該反應溶液注入大量甲醇中分離回收凝固物，且 使之乾燥，獲得經氫化之環狀烯烴系聚合物A。 [製備例1 ](環狀烯烴系聚合物薄膜A-1之製造） 以使固形份濃度成爲30%之方式將合成例1獲得之環 狀烯烴系聚合物A溶解於甲苯中。所得溶液在室溫之溶液 黏度爲30,000mPa · s。於該溶液中，以相對於環狀烯烴系 Q 聚合物A 100重量份添加0_1重量份之作爲抗氧化劑之季戊 四醇肆[3- ( 3，5-二第三丁基_4_羥基苯基）丙酸酯]，所得 溶液使用日本Pall製造之孔徑5μπι之金屬纖維燒結過濾器 ，使壓差收斂在0.4ΜPa以內之方式邊控制溶液流速邊過濾 後，使用設置在等級1〇〇〇之無塵室內之井上金屬工業製造 之「INVEX LAB COATER」，塗佈在利用丙烯酸系表面處 理劑進行親水化（易接著性化）處理過之厚度爲1 〇〇μιη之 PET薄膜（TORAY (股）製造之「LUMIAR U-94」）上。 接著，在50 °C下對所得液體層進行一次乾燥處理，接著， -59- 201134665 以9(TC進行二次乾燥處理後，自PET薄膜剝離’藉此形成 厚度188 μιη之環狀烯烴系聚合物薄膜A-1。所得環狀烯烴 系聚合物薄膜Α-1之殘留溶劑量爲〇.5重量％，透光率爲 9 3 %以上。 [製備例2](環狀烯烴系聚合物薄膜Α-2之製造） 使製備例1獲得之環狀烯烴系聚合物薄膜Α-1在設置風 向控制板之縱延伸爐內加熱至148t，使延伸機爐內溫度 分布控制在148±0.2°C以內之層內，以爐內速度4.0m/min朝 薄膜之長度方向延伸1.2倍，在未固定薄膜寬度方向下進 行單軸延伸，獲得R0爲138nm，RO之偏差爲±5nm且光軸 相對於長度方向爲〇±2度之環狀烯烴系聚合物薄膜A-2。 [製備例3](偏光膜之製造） 在由碘濃度爲0 _ 0 3重量％、碘化鉀濃度爲〇 . 5重量％之 水溶液所組成之溫度30°C之染色浴中，以延伸倍率3倍前 延伸加工PVA，接著，在由硼酸濃度爲5重量％、碘化鉀濃 度爲8重量％之水溶液組成之溫度5 5 °C之交聯浴中，以延伸 倍率2倍進行後延伸加工後，經乾燥處理，藉此獲得偏光 膜0 [調製例1 ](混合接著劑之調製） 於PV A系樹脂的和光純藥工業（股）製造之163 03045 (分子量：22,000，皂化度：88莫耳％ )中添加水， -60- 201134665 調製固形份濃度爲7重量％之水溶液。另一方面，於聚胺 基甲酸酯系樹脂的大日本油墨工業（股）製造之WLS-201 (固形份濃度3 5重量％ ) 1 〇 〇份中調配聚環氧系硬化劑的 大曰本油墨工業（股）製之CR-5L (有效成分100%品）5 份，且以水稀釋調製固形份濃度爲20重量％之水溶液。以 重量比1 : 1 (固形份重量比80 : 20 )之比例混合所得聚胺 基甲酸酯系樹脂水溶液與聚乙烯醇系樹脂水溶液，調製固 0 形份濃度15重量％之混合接著劑。 [製造例1](層合薄膜B-1之製造） 以逆向凹版印刷法將UV硬化樹脂（JSR (股）製造之 DESOLITE KZ-9136)塗佈於由環狀烯烴系聚合物薄膜製 備例1獲得之A-1之單面上，邊密著於形成有壟形狀之輥上 邊照射U/cm2之紫外線，獲得含有在厚度2μιη之底座上具 有凸部之最大高度2μιη、間距Ρ ΙΟΟΟμιη之正弦曲線之壟形 Ο 樹脂層之層合薄膜Β-1。 測定並評價所得層合薄膜Β-1之各種物性，其結果示 於表1。 [製造例2](層合薄膜β-2之製造） 除使用環狀烯烴系聚合物薄膜製備例2中獲得之Α_ 2代 替環狀烯烴系聚合物薄膜A_ i以外，餘與製造例1同樣獲得 層合薄膜B-2。測定並評價所得層合薄膜B-2之各種物性， 結果一倂不於表1。 -61 - 201134665 [製造例3](層合薄膜B-3之製造） 製造例1中，針對壟形狀樹脂層之形狀，除使壟形狀 之凸部分之曲率半徑（Rt)成爲ΙΟΟΟΟμιη (間距P之1〇倍 )、凹部分之曲率半徑（Rb)成爲3000μπι (間距Ρ之3倍 )、使連結凸部之曲線與凹部之曲線之直線寬度（L )成 爲1 ΟΟμιη (間距Ρ之十分之一）以外，餘均相同，獲得含 有具有高度2μιη、間距ΙΟΟΟμπι之規則曲線之壟形樹脂層之 層合薄膜Β-3。測定並評價所得層合薄膜Β-3之各種物性’ 結果一倂示於表1。 [製造例4](層合薄膜Β-4之製造） 除使用環狀烯烴系聚合物薄膜Α-2代替環狀烯烴系聚 合物薄膜Α-1以外，餘與製造例3同樣獲得層合薄膜Β-4。 測定並評價所得層合薄膜Β-4之各種物性，結果一倂示於 表1。 [製造例5](層合薄膜Β-5之製造） 製造例1中，針對自壟形狀樹脂層之上方之形狀，壟 形狀之稜線係描繪規則之曲線，具體而言除成爲使薄膜平 面內之規則曲線之間距（Ρ1 )成爲8000μηι (間距Ρ之8倍 )、使曲線之寬度（W)成爲5000μιη (間距ρ之5倍）之正 弦曲線以外，餘均相同，獲得含有具有高度2μιη、間距Ρ ΙΟΟΟμπι之規則曲線之壟形樹脂層之層合薄膜Β-5。測定並 -62- 201134665 評價所得層合薄膜B-5之各種物性’結果一倂示於表1。 [製造例6](層合薄膜B_6之製造） 除使用環狀烯烴系聚合物薄膜A-2代替環狀烯烴系聚 合物薄膜A- 1，且壟形狀樹脂層之剖面形狀與製造例3相同 以外’餘與製造例5同樣獲得層合薄膜B_6。測定並評價所 得層合薄膜B-6之各種物性，結果一倂示於表1。 〇 [比較製造例1](層合薄膜B-7之製造） 製造例1中，除使壟形樹脂層之形狀以剖面成爲二等 邊三角形之高度2μιη、間距ΙΟΟΟμιη之突條以外，餘均相同 ’獲得層合薄膜Β-7。測定並評價所得層合薄膜Β-7之各種 物性，結果一併示於表1。 〇 -63- 201134665 I嗽 比較製造例Ί Β-7 壟形狀樹脂層 r" I < eg 1000 二等邊三角形 直線 0. 8 σ> 05 00 0. 2 1 hb I < < < 0. 2 τ- Ο 0· 6 6· 5 製造例6 1 -Β-6 J 壟形狀樹脂層 A—2 cvj 1000 b o o o Γ. _2_ 丨 Rb:3000" m] L:100//m | 正弦曲線 Pl:8000//m W:5000//m| r- 6 90. 0 04 6 CQ 工 < < < ιο d r* 6 0. 6 138. 5 製造例5 1 …Β-5_I 壟形狀樹脂層 丨―A--II CM 1000 正弦曲線 正弦曲線 Pl:8000^m| W:5000/im| 卜 d 1 90. 0 CsJ 6 QQ X < < < <M 6 Ί Ο CO ό ιο CO 製造例4 1…Β-4 I 壟形狀樹脂層 L. A-2J OJ 1000 k A o o o o $ K |Rb:3000"m L:100//m 直線 卜 d 1 90. 0 CM d CQ X < < < U) d τ- Ο 0 6 138. 5 製造例3 1 Β - 3 J 壟形狀樹脂層 I A-1 .! CM 1000 Rt:10000jurr |Rb:3000//m| L:100/im .直線 0. 7 90. 0 0. 2 CQ I < < < 0. 2 r* d 6. 5 製造例2 Β-2 壟形狀樹脂層 A—2 . (N 1000 正弦曲線 直線 卜 d 90. 0 CsJ d 1 HB < < < ir> d d CD d 138. 5 製造例1 丨Β-1」 壟形狀樹脂層 丨 A—1 I Cvj 1000 正弦曲線 直線 o 90. 0 0. 2 CQ I < < < 0. 2 r™ d 0. 6 ί 6. 5 / 0 Ζ I 構成丨 I 壟形狀之剖面規則性 高度Um) •間距（P: //m) •規則性 1| If ⑴濁度(％) (2)全光線透過率（％) (3)穿透光b* (4)鉛筆硬度 (5)防眩性 (6)亮度不均勻度 (7)抗牛頓環性 MD TD (9)殘留溶劑（％) U0)相位差（nm) 層合薄膜 (8)熱收縮率 (%) -64- 201134665 [實施例i](導電性層合薄膜c-1之製造） 在大氣中，對層合薄膜B·1中之壟形狀樹脂層之面進 行50W · min/m2之電暈放電處理。 在氬氣流入下’使用含有銦與錫之靶材，以下述條件 ，利用濺鍍法在其表面上形成透明導電層，獲得透明導電 層薄膜C-1。測定所得導電性層合薄膜C-1之透明導電層中 之表面電阻値，結果爲5 5 0Ω/□。測定並評價各種物性， 0 結果示於表2。 (條件） 基材溫度：50°C以下 靶材：In203/Sn02 = 9 0/1 0 (重量比）之氧化物 氛圍：氬氣流入下 氩氣流量：100〜500sccm 輸出：1〜1.5Kw。 ❾ [實施例2](導電性層合薄膜C-2之製造） 除使用層合薄膜B-2代替層合薄膜B-1以外，餘與實施 例1同樣，獲得導電性層合薄膜C-2。測定及評價各種物性 ，結果一倂示於表2。 [實施例3](導電性層合薄膜C-3之製造） 除使用層合薄膜B-3代替層合薄膜B-1以外，餘與實施 例1同樣，獲得導電性層合薄膜C - 3。測定及評價各種物性 -65- 201134665 ，結果一倂不於表2。 [實施例4](導電性層合薄膜C-4之製造） 除使用層合薄膜B-4代替層合薄膜B-1以外，餘與實施 例1同樣，獲得導電性層合薄膜C-4。測定及評價各種物性 ，結果一倂示於表2。 [實施例5](導電性層合薄膜C-5之製造） 除使用層合薄膜B_5代替層合薄膜B-1以外’餘與實施 例1同樣，獲得導電性層合薄膜C-5。測定及評價各種物性 ，結果一倂示於表2。 [實施例6](導電性層合薄膜C-6之製造） 除使用層合薄膜B-6代替層合薄膜B-1以外’餘與實施 例1同樣，獲得導電性層合薄膜C-6。測定及評價各種物性 ，結果一倂示於表2。 [比較例1](導電性層合薄膜C-7之製造） 除使用層合薄膜B-7代替層合薄膜B-1以外’餘與實施 例1同樣，獲得導電性層合薄膜C - 7。測定及評價各種物性 ’結果一倂示於表2。 [比較例2 ](導電性層合薄膜c · 8之製造） 除使用環狀烯烴系聚合物薄膜A·1代替層合薄膜B-1 ’ -66- 201134665 且使用環狀烯烴系聚合物薄膜A-1之一面代替壟形狀樹脂 層之面以外，餘與實施例1同樣，獲得導電性層合薄膜C-8 。測定及評價各種物性，結果一倂示於表2。

Z* Μ m 鎰 C0 1 ο τ- Ι < w> o d a> 寸 r- GQ 寸 o < o CJ d τ- Ο* ¢0 6 ¢0 cd o ΙΩ lO T— m 卜 1 Ο 1 ω 00 d c> <0 00 (O CD X CQ < < CJ d τ- Ο CO d (D CD a 1X3 in (Ω m m 舾 <0 1 ο CO 1 CQ n 6 o 00 CD tn X < < < CO d τ- Ο to d (D 00 CO r*· o \〇 LO 1〇 m ΙΩ 1 ο U) 1 CQ r- d 〇 00 CD T~ m X < < < CM d r* o' to d ID cd o to in 寸 提 舾 寸 I ο 对 1 DD 卜 d 〇 00 CO r- £0 X < < < (〇 o' τ- Ο CD o' to ώ C9 产 o ΙΩ in CO 匡 m 艉 09 1 Ο CO 1 ω r- d o 00 CO r CO X < < < CSJ o* ι- Ο <D o* CO cd s in CSI m K Μ 1 ο eg 1 £D d 〇 CO CD r CD X < < < <£> d r d ω d <0 cd co T~ 〇 10 in τ— 莩 m r~ 1 ο Τ Ι m 卜 d o 卜_ CD to t— OQ 工 < < < CvJ d γ- Ο (O d CO <0 o LO \i> 越 截 <U 纽 w m 越 m in in M fb 班 f—s ν·_/ ·*»✓ » m 珑 s-x 桑 m r-\ Γ**) m 1 /-N #i 捏 /"N m K JiT K- m s m @ 廿 /-s >w< D 5 ο κ S' i m 钿 m /-N B c m 要 -H 广 G m 鱭 m M V»/ V—/ 掛 m 婪 m /~s 〇〇 Nw<· -67- 201134665 [實施例7](觸控面板之製備）

以實施例1獲得之導電性層合薄膜C-1作爲下部電極， 以與實施例1相同之方法，在188μιη之PET薄膜上濺鍍ITO 而成之薄膜作爲上部電極。使該兩片以使透明導電膜面成 對向之方式，透過隔離物重疊在一起，且配置於液晶顯示 元件上，獲得本發明之觸控面板。其構成示於圖10。針對 所得觸控面板進行對比性與視覺辨識性、抗牛頓環性及條 狀線、以及打鍵耐久性評價以及手觸感性評價。結果示於 表3。 [實施例8](偏光板、觸控面板之製備） 於以實施例1相同之方法，於環狀烯烴系聚合物薄膜 A-2上濺鍍ITO而成之導電性相位差薄膜之透明導電膜之 相反側上塗佈調製例1獲得之混合接著劑，以抵接於偏光 膜之方式層合作爲上部電極。又此時，偏光膜之吸收軸與 導電性層合薄膜中之相位差薄膜之光軸以成45。角度之方 式貼合。 以實施例2獲得之導電性層合薄膜C-2作爲下部電極， 使該兩片以使透明導電膜面成對向之方式，透過隔離物重 疊在一起，且配置於液晶顯示元件上，獲得本發明之觸控 面板。其構成示於圖1 1。 此時，使液晶顯示元件之偏光軸成45。方向，使下部 電極之相位差薄膜之光軸成0。方向，使壟形狀之軸成35。 方向’使上部電極之相位差薄膜之光軸成90。方向，使偏 -68- 201134665 光板之光軸成45°方向之方式配置。 針對所得觸控面板，評價對比性與抗牛頓環性及視覺 辨識性。結果示於表3。 [實施例9](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-3以外，餘與實施例7同樣， 進行各種評價。結果一倂示於表3。 〇 [實施例10](偏光板、觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C - 4以外，餘與實施例8同樣， 進行各種評價。結果一倂示於表3。 [實施例11](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-5以外，餘與實施例7同樣， 進行各種評價。結果一倂示於表3。 ❹ [實施例12](偏光板、觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-6，且使壟形狀之薄膜面內 方向之規則周期之中心線之軸成3 5。方向以外，餘與實施 例8同樣，進行各種評價。結果一倂示於表3。 [比較例3](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-7代替導電性層合薄膜C-1以 外，餘與實施例7同樣獲得觸控面板。針對所得觸控面板 -69- 201134665 進行各種評價。結果一倂示於表3。 [比較例4](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-8代替導電性層合薄膜C- 1以 外，餘與實施例7同樣獲得觸控面板。針對所得觸控面板 進行各種評價。結果一倂示於表3。 ί

-70- 201134665

ε« JJ 00 ! ϋ Α—1 I ϋ ϋ Ο < < < L 比較例3 I C一 7 巳7—」 m ffl < ϋ ϋ Ο Μ τ— 揭 * CO 1 〇 Β-6 < < < < < < r- Τ— 闺 麵 C-5 u> I ω m GQ < < < < I實施例10 1 寸 1 〇 Β —4 < < < < m m 丨實施例9 1 1__C-3__I Β — 3 ffl CQ < < (Q QQ 實施例8 1__C-2_I I_B-2_I < < < < m GQ 實施例7 1__C-1__I B一1 I £D CD < < in CQ 1導電性層合薄膜 I層合薄膜 紘 a 葙 CS I (13)視覺辨識性評估 » 睜 /-N I-Η (15)條狀線評估 (16)打鑑耐久性評估（次） (17)手觸感性評估 -71 - 201134665 〈實施例13〜22及比較例5〜8〉 (1 )表面形狀 使用ZY GO (股）製造之非接觸三次元表面形狀•粗 糙度測定機測定薄膜表面形狀。 (2 )全光線透過率 使用SUGA試驗機（股）HGM-2DP等，根據JiS K- 73 6 1測定全光線透過率（％ )。 (3 )穿透光b* 使用大塚電子（股）製造之色差計RETS-1200VA等， 根據JIS Z-8 722測定穿透光b* ( % )。 (4 )鉛筆硬度 使用東洋精機（股）製造之鉛筆畫過塗膜硬度試驗機 NP，根據JIS K5 600-5-4測定鉛筆硬度。 (5)亮度不均勻度（眩光發生程度） 使Sharp製造之可攜式SL-6000N之畫面以綠色顯示後 ’裝上薄膜’以下列基準利用目視評價。 A :幾乎無法看到像素之亮度不均勻 B :雖可看到像素亮度不均勻，但不顯眼 C:可清楚看到像素之亮度不均勻 C 6 )抗牛頓環性（干涉條紋產生之抑制程度） 在平滑之玻璃板（厚度3mm ’材料：鈉玻璃）上以使 含有粒子之樹脂層密著之方式裝置薄膜且以手指按壓，以 目視評價牛頓環之發生。 A :未發生牛頓環 -72- 201134665 B :僅發生少許牛頓環 C:清楚發生牛頓環 (7 )相位差 使用王子計測設備（股）製造之「KOBRA-2 1ADH/PR 」’測定於波長550nm之相位差（R0: nm)。 (8 )表面電阻 使用三菱化學（股）製造之低電阻率計「表面電阻計 0 GP」，測定透明導電層之表面電阻値（Ω/Ο )。 (9 )觸控面板之對比性評價 在暗室中，自正面方向觀察觸控面板之黑色顯示畫面 ，以目視觀察色調之變化，且以下列基準評價。 A:觸控面板之色調沒有變化，有清晰感 B :觸控面板之色調沒有變化 C :多少觀察到觸控面板之色調變化 D:觸控面板之色調變化大 〇 (10)觸控面板之視覺辨識性評價 目視觀察改變視角時畫面之顏色變化。 A :觸控面板之色調沒有變化，有清晰感 B :觸控面板之色調沒有變化 C :多少觀察到觸控面板之色調變化 D:觸控面板之色調變化大 (11)觸控面板之抗牛頓環性（干涉條紋產生之抑制 程度）評價 以使電極間接觸之方式以手指按壓觸控面板之上部電 -73- 201134665 極側之表面，以目視觀察是否發生牛頓環。 A :未發生牛頓環 B :僅發生少許牛頓環 C:明顯發生牛頓環 (1 2 )觸控面板之條狀線之評價 在明亮之一般房屋內，以正面及斜方向觀看觸控面板 之黑色顯示畫面，調查以目視可觀察到之條狀線，且以下 列基準評價。 A :完全未觀察到觸控面板之條狀線 B :觀察到少許觸控面板之條狀線 C :清楚的觀察到觸控面板之條狀線 (1 3 )觸控面板之打鍵耐久性評價 使用觸控面板硏究所製造之高荷重打鍵試驗機，且使 用矽氧橡膠（曲率半徑8cm)，荷重750g，以打鍵速度 1 0Hz在室溫下進行打鍵耐久性評價。以使初期之通電電壓 爲3 V使電流通過，且調查該電壓下降至三分之二（2V) 爲止之打鍵次數。 A :打鍵次數1〇〇〇萬次以上 B:打鍵次數500萬次〜未達1000萬次 C :打鍵次數位達500萬次 (1 4 )觸控面板之手觸感性評價 針對觸控面板，以手指摩擦其表面，以下列基準進行 手觸感性之評價。 A:完全未感受到觸控面板之表面凹凸感 -74- 201134665 B:稍感受到觸控面板之表面凹凸感 C:直接明確地感受到觸控面板之表面凹凸感 (1 5 )薄膜之厚度測定 以微米計測定薄膜之厚度。 [製備例4](環狀烯烴系樹脂薄膜A-la之製造） 使用原冰片烯系樹脂（JSR股份有限公司製造：商品 () 名「ARTON D453 1」’玻璃轉移溫度1 3 0 °C )作爲環狀烯 烴系樹脂。使該原料在乾燥溫度1 〇(TC、氮氣下進行除濕 乾燥，導入擠出機（GM工程公司製造：GM-65 )在260°c 下熔融，且使用齒輪泵以定量送液，使用5μιη薄圓盤式過 濾器，去除異物，且自利用設定成25 0°C之鋁鑄加熱器加 熱之T模嘴進行擠出。此時T模嘴之開口爲l.0mm , τ模嘴 出口與冷卻輥1之薄膜之壓著點之間的距離爲70mm。冷卻 輥1爲在300χηιηφ之輥表面上以頂角1〇〇度將間距50μ之菱 〇 形形狀之凸部連續雕刻在輥周圍方向上，爲具有壟形狀之 凸部者。將自τ模嘴擠出之熔融物壓著在冷卻輥1上。冷卻 輥1之溫度設爲1 20°c將該形狀良好地轉印在原冰片烯系樹 脂薄膜之表面。接著，在其下游側設置3 00mm φ之冷卻輥 2，又在更下游側設置3 0 0 m m φ之剝離輥。各輕之溫度分 別設爲1 1 5 °C、1 〇 〇 °C ’且以薄膜表面溫度9 8 °C自剝離輥剝 離薄膜’獲得具有以頂角100度間距50μηι之菱形形狀之凸 部於薄膜長度方向連續之壟形狀凸部之250μηι厚度之原冰 片烯系樹脂之薄膜A-la。 -75- 201134665 [製備例5](環狀烯烴系樹脂薄膜A-2 a之製造） 除壟之長度爲1〇〇〇μηι，壟之長度方向之壟與靈之間 隔爲50μπι以外，且使用與冷卻輥1相同之冷卻輥2以外’ 餘與製備例1同樣’獲得具有以頂角1〇〇度之壟間距50^m 、長度ΙΟΟΟμιη之菱形形狀之凸部於薄膜長度方向連續之 壟之長度方向之壟與壟之間隔爲50μιη，且斷續之壟形狀 之凸部之厚度250μιη之原冰片烯系樹脂薄膜A-2a。 [製備例6](環狀烯烴系樹脂薄膜A-3 a之製造） 除具有寬度ΙΟΟΟμη、長度2000μπι、深度ΐομιη之平面 形狀之格子狀方形凹部以外，且使用與冷卻輥1相同之冷 卻輥3以外，餘與製備例1同樣，獲得具有寬度ΙΟΟΟμιη、 長度20 00μιη、高度1 〇μιη、各格子之間隔爲1 ΟΟμιη (形狀 圖像與圖4 ( 1 )相當）之平面形狀之海島狀方形凸部之厚 度250μιη之原冰片烯系樹脂薄膜A-3a。 [製備例7](環狀烯烴系樹脂薄膜A-4a之製造） 除具有寬度ΙΟΟΟμπι、長度2000μπι、深度ΙΟμιη之平面 形狀之海島狀橢圓狀凹部以外’且使用與冷卻輥1相同之 冷卻輥4以外，餘與製備例1同樣，獲得具有寬度ΙΟΟΟμιη 、長度 2000μχη、高度 ΙΟμιη、各間隔爲 2000μιη 及 5 00μιη ( 形狀圖像與圖4(3)相當）之平面形狀之海島狀橢圓狀凸 部之厚度250μιη之原冰片烯系樹脂薄膜A-4a。 -76- 201134665 [製備例8](環狀烯烴系樹脂薄膜A-5a之製造） 除表面狀態爲鏡面以外，且使用與冷卻輥1相同之冷 卻輥5以外，餘與製備例1同樣，獲得薄膜表面上不具有凸 部之厚度250μιη之原冰片烯系樹脂薄膜A-5a。 [製備例9](偏光膜之製造） 0 在由碘濃度爲〇·〇3重量％、碘化鉀濃度爲0.5重量％之 水溶液所組成之溫度3 0 °C之染色浴中，以延伸倍率3倍對 PV A進行前延伸加工，接著，在由硼酸濃度5重量％、碘化 鉀濃度8重量％之水溶液組成之溫度5 5 °C之交聯浴中，以延 伸倍率2倍進行後延伸加工後，經乾燥處理，獲得厚度 30μηι之偏光膜。 [調製例2](混合接著劑之調製） 〇 於PVA系樹脂的和光純藥工業（股）製造之163- 03045 (分子量：22,000，皂化度：88莫耳％)中添加水， 調製固形份濃度7重量。/。之水溶液。另一方面，於聚胺基 甲酸酯系樹脂的大日本油墨工業（股）製造之WLS-201 ( 固形份濃度3 5重量％ ) 1 0 0份中調配聚環氧系硬化劑的大 曰本油墨工業（股）製造之CR-5L (有效成分1〇0%品）5 份’且以水稀釋調製固形份濃度20重量％之水溶液。以重 量比1 : 1 (固形份重量比8 0 : 2 0 )之比例混合所得聚胺基 甲酸酯系樹脂水溶液與聚乙烯醇系樹脂水溶液，調製固形 -77- 201134665 份濃度爲15重量％之混合接著劑。 [製造例7](由透明樹脂所組成之薄膜B-lb之製造） 使製造例4獲得之環狀烯烴系樹脂薄膜A-1 a在設置風 向控制板之延伸爐內，將表面賦形之相反面以成爲1 4 5 °C 之方式加熱，使用遠紅外線加熱器以使經表面賦形之面成 爲1 5 5 °C之方式加熱並控制之槽內，以延伸速度3 0 0 % /分鐘 ，以2.5倍之延伸倍率，對薄膜寬度方向以張布機式橫延 伸機進行單軸延伸，獲得R〇爲138nm，R0之偏差爲±5nm ，且光軸相對於薄膜寬度方向爲〇±2度之由環狀烯烴系樹 脂薄膜所成之厚度ΙΟΟμηι之薄膜B-lb。利用ZYGO (股） 製造之非接觸三次元表面形狀•粗糙度測定機調查該薄膜 之預先經表面賦形之面之表面形狀，爲具有凸部之壟形狀 ，dH/dL最大爲0.01，與壟之長度方向正交之剖面中表示 表面之線爲高度2μηι、間距130μιη之波浪狀曲線。 [製造例8](由透明樹脂所成之薄膜B-2b之製造） 除使用環狀烯烴系樹脂薄膜製備例5獲得之A_2a代替 環狀烯烴系樹脂薄膜A-la以外，餘與製造例7同樣，獲得 由環狀烯烴系樹脂薄膜所成之厚度ΙΟΟμιη之薄膜B-2b。該 薄膜之R0爲138nm，R0之偏差爲±5nm，且光軸相對於薄 膜寬度方向爲〇±2度，利用ZYGO (股）製造之非接觸三次 元表面形狀•粗糙度測定機調查該薄膜之預先經表面賦形 之面之表面形狀，爲具有凸部之壟形狀，壟長度方向之壟 -78- 201134665 與壟之間隔爲50μπι，dH/dL最大爲0.02，與壟之長度方向 正交之剖面中表示表面之線爲高度2μηι，間距130μιη之曲 線。 [製造例9](由透明樹脂所成之薄膜B-3b之製造） 除使用環狀烯烴系樹脂薄膜製備例6獲得之A-3 a代替 環狀烯烴系樹脂薄膜A- 1 a以外，且利用使用捏合輥（nip 0 rollers )之縱向單軸延伸機以外，餘與製造例7同樣，獲 得由環狀烯烴系樹脂薄膜所成之厚度130μπι之薄膜B-3b。 該薄膜之R0爲1 38nm，R0之偏差爲±5nm，且光軸相對於 薄膜長度方向爲〇±2度，利用ZYGO (股）製造之非接觸三 次元表面形狀•粗糙度測定機調查該薄膜之預先經表面賦 形之面之表面形狀，爲具有寬度920μηι、長度5000μηι、高 度Ιμιη、格子之寬度於與延伸方向平行之方向爲1〇8μιη， 與其正交之方向爲250 μιη之平面形狀之海島狀方形凸部， Q dH/dL最大爲0.02，出現於縱剖面之表示凸部之線爲具有 曲率半徑15000μιη之邊緣部之曲線狀。 [製造例10](由透明樹脂所成之薄膜B-4b之製造） 除使用環狀烯烴系樹脂薄膜製備例7獲得之A-4a代替 環狀烯烴系樹脂薄膜A-3 a以外’餘與製造例9同樣’獲得 由環狀烯烴系樹脂薄膜所成之厚度130^m之薄膜B_4b。該 薄膜之R0爲138nm ’ R0之偏差爲±5nm ’且光軸相對於薄 膜長度方向爲〇士2度’利用ZYG0 (股）製造之非接觸三次 -79- 201134665 元表面形狀•粗糙度測定機調查該薄膜之預先經表面賦形 之面之表面形狀，爲具有寬度720μιη、長度5 000μηι、高度 Ιμιη之平面狀之海島狀橢圓狀凸部，dH/dL最大爲0.01，出 現於縱剖面之表示凸部之線爲具有曲率半徑1 5000 μπι之邊 緣部之曲線狀。 [製造例11](由透明樹脂所成之薄膜B-5b之製造） 除使用市售之由聚碳酸酯樹脂組成之賦形有菱形表面 之薄膜（五洋紙工股份有限公司製造，GTL5 000F，厚度 240μηι’玻璃轉移溫度125°C)代替環狀烯烴系樹脂薄膜Αία’ 使經表 面賦形 之面爲 155°C ， 反面爲 140°C以外 ，餘與 製造例7同樣，獲得由聚碳酸酯樹脂所成之厚度ΙΟΟμιη之 薄膜B_5b。該薄膜之R0爲I40nm，R0之偏差爲±7nm且光軸 相對於薄膜寬度方向爲±3度，利用ZYGO (股）製造之非 接觸三次元表面形狀•粗糙度測定機調查該薄膜之預先經 表面賦形之面之表面形狀，爲具有凸部之壟形狀，dH/dL 最大爲0.〇2，與壟之長度方向正交之剖面中表示表面之線 爲闻度2μιη、間距130μιη之波浪狀曲線。 [製造例12](由透明樹脂所成之薄膜B_6b之製造） 除使用環狀烯烴系樹脂薄膜製備例8獲得之A-5a代替 環狀烯烴系樹脂薄膜A - 1 a以外，餘與製造例7相同，獲得 由環狀烯烴系樹脂薄膜所成之厚度1〇〇μιη之薄膜B-6b。該 薄膜之R0爲138nm’ R0之偏差爲±5nm，且光軸相對於薄 -80- 201134665 膜寬度方向爲〇±2度’利用ZY GO (股）製造之非接觸三次 元表面形狀·粗糙度測定機調查，該薄膜之表面平滑， dH/dL大槪爲〇。 [實施例13](導電性層合薄膜C-lc之製造） 在大氣中，於薄膜B-lb中具有凸部之面上進行 50W.min/m2之電暈放電處理。 0 在氬氣流入下，使用含有銦錫之靶材，以下述條件在 其表面上利用濺鎪法形成透明導電層，獲得導電層合薄膜 C-lc。測定所得導電性層合薄膜C_ lc之透明導電層中之表 面電阻値，結果爲5 5 0Ω/□。測定並評價各種物性，結果 示於表4。 (條件） 基材溫度：50°C以下 標靶：ITO ( In2O3/SnO2 = 90/10 (重量比）） 〇 氛圍：氬氣流入下 Μ氣流量：1〇〇〜500sccm 輸出：1 ~ 1 · 5 Kw。 透明導電層之厚度：55nrn [實施例I4](導電性層合薄膜C-2 c之製造） 以逆向凹版印刷法將UV硬化樹脂（JSR (股）製造之 DESOLITE KZ-9 13 6)塗佈於薄膜製造例8獲得之薄膜B-2b 之具有凸部之面後，照射1〗/cm2之紫外線並硬化。以與實 -81 · 201134665 施例1 3相同之條件在該薄膜之UV硬化樹脂膜上進行濺鍍 ，形成透明導電層，獲得導電性層合薄膜C-2c。測定並評 價各種物性，結果一倂示於表4。 [實施例〗5](導電性層合薄膜C-3c之製造） 除使用薄膜B-3b代替薄膜B-ib以外，餘與實施例13同 樣獲得導電性層合薄膜C-3c。測定並評價各種物性，結果 一倂不於表4。 [實施例16](導電性層合薄膜C-4c之製造） 除使用薄膜B-4b代替薄膜B-lb以外，餘與實施例13同 樣獲得導電性層合薄膜C_4c。測定並評價各種物性，結果 一倂示於表4。 [實施例I7](導電性層合薄膜C-5C之製造） 除使用薄膜B-5b代替薄膜B-lb以外，餘與實施例13同 樣獲得導電性層合薄膜C-5c。測定並評價各種物性，結果 一倂示於表4。 [比較例5 ](導電性層合薄膜C _ 6 c之製造） 除使用環狀烯烴系樹脂薄膜A -1 a代替薄膜B -1 b以外’ 餘與實施例1 3同樣獲得導電性層合薄膜C -6 c。測定並評價 各種物性’結果一倂示於表4。 -82- 201134665 [比較例6](導電性層合薄膜C-7c之製造） 除使用環狀烯烴系樹脂薄膜A-5a代替薄膜B-lb以外， 餘與實施例1 3同樣獲得導電性層合薄膜C-7c。測定並評價 各種物性，結果一倂示於表4。

-83- 201134665 寸谳 <〇 丑 1 C一7c 1 CQ in I < « 脏 K |無凹凸形狀 O Ci 寸 r* 1_4B_1 < O (D 1 550 1 趦 JJ 1 C-6o i I A—1 a I m 3 Cs) 寸 d E Μ It ε ο u> 豳 m 呀 00 IT" W GQ CM υ < to 1 550 I 卜 i m φκ 0 10 1 ϋ in I m 1 卜 CNJ o d ε CJ m Ε 為 ο CO £ 酲 e k 追 i ΙΟ CO 0> r ω < < o 寸 550 1 CO i m K ! 〇 吞 I 00 m o d E £ £ ο ft ε Ϊ5 Ο 1 峨 » 00 m a < < ay TO S (0 VO i g u CO 1 〇 n I ω m 卜 N 〇 d E ί £ 8 Μ 輞 £ a ο 1 W « oo 00 00 i— m < < 00 CO o ID 10 i m m <3 1 o 白 I m K- 3 o 6 Ε 為 Ε 〇 C0 i 酲 _ m m k m 鞀 00 Φ CO r— X < < CO to o ID to c〇 i 辑 m 1 C-1c ^I •A 产 I m _ 卜 t— o d Ε m ε 〇 to 5 酲 辁 m i CO 00 00 y CO < < 138 __I 〇 lO U) m 載 <n m QDT 嫌 m m 鞋 m N S—/ 幽 gg m § m * T-H 承 围 m m rw s«_·/ 粕 M e m $g /*~s Ν·_^ m w ST K- m A / m m 分 is G 、/ 1 \_/ t m r- c G >v_> 穹 細 m * £ -84- 201134665 [實施例18](觸控面板之製備） 以實施例1獲得之導電性層合薄膜c-1 C作爲下部電極 ，以與實施例13相同之方法，在188μιη之PET薄膜上濺鍍 ITO而獲得之薄膜作爲上部電極。使該兩片以使透明導電 膜面成對向之方式，透過隔離物重疊在一起，且配置於液 晶顯示元件上，獲得本發明之觸控面板。其構成示於圖5 。針對所得觸控面板進行對比性與視覺辨識性、抗牛頓環 0 性及條狀線、以及打鍵耐久性評價以及手觸感性評價。結 果示於表5。 [實施例19](偏光板、觸控面板之製備） 於以與實施例13相同之方法，於薄膜B-6b上濺鍍ITO 而形成之導電性相位差薄膜之透明導電膜之相反側上塗佈 調製例2獲得之混合接著劑，以與製備例9製作之偏光膜抵 接之方式層合並作爲上部電極。此時，偏光膜之吸收軸與 〇 導電性層合薄膜中之相位差薄膜之光軸以成45°角度之方 式貼合。 以實施例14獲得之導電性層合薄膜C-2c作爲下部電極 ，使該兩片以使透明導電膜面成對向之方式，透過隔離物 重疊在一起，且配置於液晶顯示元件上，獲得本發明之觸 控面板。其構成示於圖6。 此時，使液晶顯示元件之偏光軸成4 5 °方向，使下部 電極之相位差薄膜之光軸成〇°方向，使壟形狀之軸成35° 方向，使上部電極之相位差薄膜之光軸成90°方向，使偏 -85- 201134665 光板之光軸成45°方向之方式配置。 針對所得觸控面板，評價對比性與抗牛頓環性及視覺 辨識性。結果示於表5。 [實施例20](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-3c代替導電性層合薄膜C_lc 以外，餘與實施例1 8同樣，進行各種評價。結果一倂示於 表5。 [實施例21](偏光板、觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-4c代替導電性層合薄膜C-2c 以外，餘與實施例1 9同樣，進行各種評價。結果一倂示於 表5。 [實施例22](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-5c代替導電性層合薄膜C-lc 以外，餘與實施例1 8同樣，進行各種評價。結果一倂示於 表5。 [比較例7](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-6c代替導電性層合薄膜C_lc 以外，餘與實施例1 8同樣獲得觸控面板。針對所得觸控面 板進行各種評價。結果一倂示於表5。 -86- 201134665 [比較例8](觸控面板之製備） 除使用導電性層合薄膜C-7c代替導電性層合薄膜C-lc 以外，餘與實施例1 8同樣獲得觸控面板。針對所得觸控面 板進行各種評價。結果一倂示於表5。 201134665 比較例8 PET I C—7c I m CQ ο < CD < 比較例7 PET 0 <0 1 ϋ D 〇 < < Ο 〇 實施例22 PET C一5g m ffl < < m < 實施例21 _D (D I m 0 寸 1 〇 < < < < < < 實施例20 PET 0 CO 1 o OQ < < CQ < 實施例19 ： CD I £Q C-2c < < < < < < 實施例18 PET C一1c m ffl < < ω < I上部電極用薄膜 m m <n m 圈 ♦irnT 铝 K- (9)對比性評估 (10)視覺辨識性評估 (11)抗牛頓環性 1 璉 舉 1 (13)打鍵耐久性評估（次） 1 (Μ)手觸感性評估 -88 201134665 [產業上之可能利用性] 本發明之導電性層合薄膜可較好地使用作爲液晶顯示 器或觸控面板等顯示器之透明電極，尤其適用於觸控面板 用途，特別是用於顯示裝置用之觸控面板用途。本發明之 觸控面板可使用作爲液晶顯示元件等各種顯示裝置用之觸 控面板，例如可較好地使用作爲個人數位助理（P D A )、 個人PC、Ο A設備、醫療設備或汽車導航系統等電子設備 Q 之觸控面板 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示具有形成壟狀之凸部之導電性層合薄膜中 與壟方向正交之剖面與壟狀表面之斜視觀察圖。 圖2爲顯示具有形成壟狀之凸部之導電性層合薄膜中 與壟方向正交之剖面觀察圖。 圖3爲顯示具有形成壟狀之凸部之導電性層合薄膜中 Q ，自薄膜上方之觀察圖。 圖4爲顯示具有形成海島狀之凸部之導電性層合薄膜 之觀察影像圖。 圖5爲顯示本發明之實施例18之觸控面板之部分剖面 放大圖。 圖6爲顯示本發明之實施例19之觸控面板之部分剖面 放大圖。 圖7爲顯示具備樹脂層（II)，具有形成壟狀之凸部 之導電性層合薄膜中，與壟方向正交之剖面及壟狀表面之 89 - 201134665 斜視觀察圖。 圖8爲顯示具備樹脂層（Π)，具有形成壟狀之凸部 之導電性層合薄膜中，與壟方向正交之剖面觀察圖。 圖9爲顯示具備樹脂層（II)，具有形成壟狀之凸部 之導電性層合薄膜中，自薄膜上方之觀察圖。 圖10爲顯示本發明之實施例7之觸控面板之部分剖面 放大圖。 圖11爲顯示本發明之實施例8之觸控面板之部分剖面 圖。 -90-

Claims (1)

1. 201134665 七、申請專利範圍： 1. 一種導電性層合薄膜，其爲在由透明樹脂構成之薄 膜（Ο上層合透明導電層（III)而成之導電性層合薄膜 ，其特徵爲在透明導電層（III)側之表面部具有複數個凸 部，且具有表面係以曲面形成並包含複數個凸部之部位。 2. 如申請專利範圍第1項之導電性層合薄膜，其中前 述複數個凸部形成爲塵狀，且前述凸部成爲蜿纟延。 Q 3.如申請專利範圍第1項之導電性層合薄膜，其中前 述複數個凸部形成爲壟狀，且於前述凸部之伸長方向前述 凸部之高度具有變動。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之導電性層合薄 膜，其中前述複數個凸部設置之位置及複數個凸部之高度 變化不具規則性。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之導電性層合薄 膜，其中前述薄膜（I)與透明導電層（III)之間具有由 Q 硬化性樹脂組成物組成之樹脂層（π )。 6. 如申請專利範圍第5項之導電性層合薄膜，其中在 樹脂層（II )中，於其透明導電層（ΠΙ )側之表面部，壟 狀形成有複數個凸部，並於與該壟之長度方向正交之面之 剖面中，表示形成前述凸部之表面的線爲波浪狀曲線。 7. 如申請專利範圍第6項之導電性層合薄膜，其中前 述波浪狀曲線爲具有規則性周期之波浪狀曲線。 8 .如申請專利範圍第6或7項之導電性層合薄膜，其中 前述形成壟狀之複數個凸部於其長度方向成蜿蜒狀。 -91 - 201134665 9 _如申請專利範圍第8項之導電性層合薄膜，其中前 述形成爲壟狀之複數個凸部係延著其長度方向以規則性週 期成蜿蜒狀。 1 0.如申請專利範圍第6至9項中任一項之導電性層合 薄膜，其中前述樹脂層（II)中，凸部之最大高度爲 0.1〜10 μιη，凸部所形成之靈之週期在100〜5000 μηι之範圍 〇 1 1.如申請專利範圍第1項之導電性層合薄膜，其中前 述凸部自薄膜面朝正交方向觀察成海島狀存在。 1 2 ·如申請專利範圍第1 1項之導電性層合薄膜，其中 前述薄膜（I )與透明導電層（III)之間具有由硬化性樹 脂組成物構成之樹脂層（Π )。 1 3 .如申請專利範圍第1至1 2項中任一項之導電性層合 薄膜，其中以前述凸部之最高點與此凸部鄰接之谷部之最 低點之高低差所求得之爲各凸部之高度中最大高度之凸部 的最大高度dH爲0.1〜ΙΟμηι，其具有最大高度之凸部之最高 點與此凸部所鄰接之谷部之最低點之間之薄膜面內方向之 距離dL與前述dH滿足下述數式（1 ): [數1] 0< dH/dL^O.O 5 (1) 〇 1 4.如申請專利範圍第1至1 3項中任一項之導電性層合 薄膜，其中前述薄膜（I )爲利用延伸加工所得之薄膜。 1 5 .如申請專利範圍第1至1 4項中任一項之導電性層合 -92- 201134665 薄膜，其中前述薄膜（1)爲對於波長550nm之穿透光之面 內相位差在〗28~14811111範圍內之相位差薄膜。 16_如申請專利範圍第1至15項中任一項之導電性層合 薄膜，其中前述薄膜（I)含有環狀儲烴系樹脂及聚碳酸 酯樹脂之至少一種。 17•如申請專利範圍第16項之導電性層合薄膜，其中 前述薄膜（I )含有環狀烯烴系樹脂’ 前述環狀烯烴系樹脂係使以下述式（1 )表示之單體 之至少一種（共）聚合而得’ [化1]

   (式（1 )中，R1〜R4表示下述（i )〜（iii )之任一種，χ Ο 表不〇~3之整數’ y表示〇或1， (i)各獨立爲氫原子、鹵素原子、或可含有氧、氮 、硫或砂之一價有機基，（H) Rl與R2、R3與R4分別鍵結 成亞烷基，（出）Ri與r2、r3與R4、^與尺3分別鍵結成單 環或多環之碳環或雜環）。 18. 如申請專利範圍第5至1〇及〗2項中任一項之導電性 層合薄膜’其中即述樹脂μ ( π )係由uv硬化性樹脂組成 物形成。 19. 如申專利範圍第1至18項中任一項之導電性層合 -93- 201134665 薄膜，其中透明導電層（ΠΙ)係由結晶性ITO所形成。 2 0.—種觸控面板，其特徵爲具有如申請專利範圍第1 至1 9項中任一項之導電性層合薄膜。 2 1 . —種觸控面板，其特徵爲具有使如申請專利範圍 第1至1 9項中任一項之導電性層合薄膜，與透明導電層、 相位差薄膜、及偏光板依此順序層合而成之導電性層合薄 膜。 -94-