TW201118437A - Method for manufacturing polarizing plate - Google Patents

Description

201118437 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用於液晶顯示裝置等影像顯示裝 置之偏光板的製造方法以及藉由該方法所切斷之偏光板。 具體而言，係關於一種含有由雷射光高吸收率膜所構成之 層以及由低吸收率膜所構成之層兩者的偏光板的製造方法 以及藉由該方法所切斷之偏光板。 【先前技術】 液晶顯示裝置一直以來係使用於桌上計算機及電子時 鐘等，近年來其用途急遽擴增。換言之，從行動電話等移 動裝置至大型電視為止，不論畫面尺寸而開始使用液晶顯 示裝置。此外，液晶顯示裝置以外，有機電致發光（有機 EL)顯示裝置亦以移動用途為中心而有增加的傾向。因此， 此等影像顯示裝置中使用之偏光板，其需求亦增加，並追 求適合於各用途之性能。 在如上述之影像顯示裝置中通常廣泛使用之偏光板， 係由下述構成所製造：在聚乙烯醇系樹脂膜吸附配向二色 性色素之偏光片層（polarizer layer)l之兩面，藉由液狀 接著劑層而積層以三醋酸纖維素膜（triacetyl cellulose film)為代表之偏光片保護膜層。在此狀態下，或在必要時 藉由接著劑層而附加具有光學特性之圓·橢圓偏光板或相 位差板、抗表面反射·防眩材、光擴散板、反射板等功能 之型態下，貼合於液晶胞（liquid crystal cell)或有機 EL顯示元件等影像顯示元件，成為影像顯示裝置。尚且， 4 322250 201118437 f光板係在齡於㈣顯^件之前，為了防 或功能!加膜層表面之受傷及污染之目= 片保伽二於與影像顯示元件貼合面側之偏光 層而貼合表祕制層。w料闕表面藉由黏著劑 ^述以往使用之偏光板之層構成如第4圖所示。換古 =4圖所示之偏光板12係由表面保護臈“、點㈣ 保護膜層2、偏光片層卜偏光片保護臈層如 構：J加膜層5、黏著劑層6、剝離膜層7所構成。相關之 2中，功能附加膜層為任意選擇而使用之膜層，並非必 需者。 ^近年來行動電話等移動用途之影像顯示裝置 由設計及攜帶性方面，朝使馳全體㈣之薄型化進 , 屬於衫像顯示裝置材料之偏光板亦期望 型輕量化’如第1 ®所示，亦提案如在第4圖所示之以往 处偏光板之構成巾，藉由使用兼具有偏光片保護膜層之功 i的功&附加厲層’而不具有偏光片保護膜層2a之偏光 板0 換》«之，第1圖所示之帶狀偏光板係由表面保護膜層 4、黏者劑層3、偏光片保護膜層2、偏光片層卜功能附 加膜層5、黏著劑層6、剝離膜層7所構成。已知該附加功 能之膜為環烯烴系膜。 偏光板通常係以將在長方向延伸之帶狀膜製成捲筒 5 322250 201118437 (roll)的型態而提供，對影像顯示元件等⑽偏光板 法’係預先將帶狀偏光板切割成符合液晶基板等影像顯示 7L件之尺寸’然後將偏光板片一片一片地與影像顯示元件 貼合。該方法中，偏光板片與影像顯示元件貼合時，在 將貼。刚必需將偏光板片一片—片地移動並從偏光板片將 剝離膜剝離，故在步驟時間的縮短方面有其極限。此外， 偏光板片通常是由捲筒型態之偏光膜衝切而成者，因此容 易產生卷曲’偏光板片㈣搬運時之作業性^佳。再者， 使用LCD作為影像顯不裝置時，由於偏光板係配置成相對 於LCD畫面之縱或橫方向而使偏光板之穿透轴傾斜。的 方式，故必須預先將捲筒型態之帶狀偏光板相對於捲筒之 長方向在45方向衝切’而在捲筒之端部附近產生許多無 法使用之部分。特別是，伴隨著LCD之大晝面化而使用大 尺寸之偏光板時，有產出率變小的問題。此外，無法用於 貼合之偏光板之切端為複合使用複數種材料，因而難以再 利用，結果造成廢棄物增加之問題。 作為解決相關問題點之手段，近年來揭示一種於基板 貼合偏光板之偏光板貼合裝置（例如Jp2〇〇5_37416_A)， 其具備下述手段：當於帶狀偏光板上藉由黏著劑層而貼附 有剝離膜層之帶狀膜之直交於其長方向之進展方向側之切 斷面進展至對應基板之長度為止時，將前述帶狀膜以留下 月，J述剝離膜層之方式而至少將前述帶狀偏光板及前述黏著 劑層在相對於長方向為直交之方向進行切斷的切斷手段； 從藉由前述切斷所切出之膜片中將前述剝離膜層分離的剝 6 322250 201118437 .. 離膜層分離手段；以及將經分離前述剝離膜層後之前述膜 片之接著面，以使被搬運來之基板之進展方向側之端面與 前述膜片之切斷面成為平行的方式，貼合至該基板之對應 位置的貼合手段。 藉由該方法等，可對於影像顯示元件連續地自動貼合 偏光板，不需移動經切斷之偏光板，由於未切斷剝離膜層， 因此可高速貼合，為不會產生不需要之偏光板之切斷片之 方法。並且，此方法中，在切斷帶狀偏光板時，以僅留下 剝離膜層之方式切斷偏光板（以下亦稱為半切割（hal f-cut))為必需要件。相關之切斷手段已知係使用押切型切割 器、模切（dicing)型切割器，並設置切割器刀刃、驅動切 割器刀刃之作動缸（cy 1 inder)、調整切割器刀刃之下死點 (bottom dead center)位置之下死點位置調整構件而進 行。然而，若使刀刃角度銳利，則以切割器刀刃進行之切 斷的切斷剖面會漂亮，但切割器刀刃之壽命短，另一方面， 刀刃角度變成鈍角時，在切斷剖面會露出接著劑及黏著 劑，而產生與基板貼合時會污染貼合品等問題，此外，雖 然依所使用之切割器刀刃之角度而有程度差別，但在使用 切割器時，在偏光板之切斷面，有構成偏光板之偏光片保 護膜層上之表面保護膜層浮起、耐濕性降低等對偏光板之 物性造成不良影響之缺點。 在預先將帶狀偏光板切割成符合液晶基板等影像顯示 元件之尺寸後再將偏光板片一片一片地貼合於影像顯示元 件之習知方法中，關於上述以切割器刀刃進行之切斷法中 7 322250 201118437 所產生的問題，亦即接著劑及黏著劑之露出，並且光片保 護膜層上之表面保賴層之料，㈣由在域後將偏光 片層切斷端面以事先加工處理峰去缺點部分後，貼合於 影像顯示元件。然而，上述半切割方式中，在切斷後，於 連續之步驟中難以事先將切斷面進行加工處理，因而有必 要找出無該缺點之切斷方法。 另-方面，亦已知使用雷射切斷帶狀偏光板之方法。 例如’在獅08-284572-A中記财藉㈣射雷射光而切 斷帶狀偏光板。具體而言，係將帶狀偏光板藉由照射雷射 光而切斷，該帶狀偏光板係在聚乙烯醇（pVA)膜層之兩面貼 合一對三醋酸纖維素（TAC)膜層，然後，在其中之一之TAC 膜層側藉由丙烯酸系黏著劑層而設置由聚對笨二曱酸乙二 酯（polyethylene terephthalate，亦即 PET)膜所構成之 隔板（separator)，並在另一方之TAC膜層侧則藉由丙稀酸 系黏著劑層而設置由PET膜所構成之表面保護膜層者。 JP2008-284572-A中作為切斷對象之帶狀偏光板，係 由PVA膜、TAC膜、PE：T膜等在照射之雷射光之振動波長範 圍中的雷射光之平均吸收率高之膜（以下’亦稱為「雷射光 高吸收率膜」），例如該平均吸收率超過2%之膜所積層成。 由此等雷射光高吸收率膜所構成之積層型偏光板，可藉由 如JP2008-284572-A所示之習知方法’使偏光板之切斷面 在不變形的情況下良好地切斷。 然而，JP2008-284572-A所示之方法中’在將包含由 除了雷射光高吸收率膜以外，亦有環烯烴聚合物膜、聚丙 8 322250 201118437 烯膜、聚曱基丙烯酸曱酯等在照射之雷射光之振動波長範 圍中的雷射光之平均吸收率低之膜（以下，有時亦稱為「雷 射光低吸收率膜」），例如該平均吸收率在2%以下的膜所 構成之層的帶狀偏光板予以切斷時，若雷射光輸出小，則 雖可切斷帶狀偏光板之由雷射光高吸收率膜所構成之層， 但卻無法切斷由雷射光低吸收率膜所構成之層。另一方 面，若雷射光輸出大時，則不僅可切斷帶狀偏光板之由雷 射光高吸收率膜所構成之層，亦可切斷由雷射光低吸收率 膜所構成之層。然而，在此情況下，由於對由雷射光高吸 收率膜所構成之層進行過量的加熱，故在經切斷之偏光板 端部會發生熔融而使切斷端部變形（參照第6圖）。切斷面 形狀變形之偏光板係剖面品質降低。再者，因該剖面品質 降低而可能產生種種問題。舉例而言，偏光板貼合至玻璃 基板時，要求高密著性。然而，因偏光板之切斷面的凹凸， 而產生在與玻璃基板之貼合面中滲入氣泡等問題。 此外，在包含由雷射光低吸收率膜所構成之層的帶狀 偏光板中，當提升雷射光輸出而切斷由雷射光低吸收率膜 所構成之層時，位於由雷射光低吸收率膜所構成之層之下 方的剝離膜層通常是由雷射光高吸收率膜所構成，因此， 在雷射光低吸收率膜被熔融切斷前，剝離膜層已被切斷。 因此，認為在必需以僅留下剝離膜層之方式而將其他構成 偏光板之膜層全部切斷的所謂的半切割方式之切斷方法 中，雷射法係極難以適用。 因此，本發明人等發現在將含有由雷射光高吸收率膜 9 322250 201118437 之層及由雷射光低收率膜所構成之膜兩者且包含由 =㈣收率膜所構成之剝離膜層的帶狀偏光板，以僅 劑層之方式而切斷其他構成偏光板之膜層及黏著 光片 \^製造方法中’在切斷後於構成偏光板之偏 不If層絲聽龍相實質上無料，在切斷面 ς路出接著劑及黏著劑，並且切割器刀刃之壽命延長， 二:::僅留下剝離膜之方式切斷其他構成偏光板之膜層 二方法’經仔細檢討之結果而完成本發明。 本發明係包含以下者。 [留1偏光板之製造方法’其包含:將帶狀偏光板以僅 下剝離膜之方式切斷其他構成偏光板之層； 其中’該帶狀偏光板係於由聚乙烯醇系樹脂膜所構成 光片層之一面積層由雷射光高吸收率膜所構成之偏光 保痩膜層，於該偏光片保護膜層之與偏光片層相反側之 由點著劑層而積層由雷射光高吸收率膜所構成之表面 射2層’並於偏光片層之另一面藉由接著劑而積層由雷 ㈣Γ及收率膜所構成之層，並於該由雷射光低吸收率膜 、之2的與偏光片層相反側之面|^黏著劑層而積層 雷射光南吸收率膜所構成之剝離膜層者； ^該製造方法係將從表面保護膜層開始至正好在由雷射 2低吸收率膜所構成之層之前的層為止，以雷射切斷；然 I’以切割器（〇1加）_由雷射光低吸收率膜所構成之 322250 10 201118437 ====下::雷射*低吸收率媒為雷 膜為雷射光之平㈣《超述雷射光高吸收率 ],[2]所述之方法，其中，前述雷射光低吸收率膜為雷 射光之平均吸收率在1%以下之膜。 、’’’、田 =]二[1]至[3]中任一項所述之方法，其中，在偏光片層 ”由辑射光低吸㈣朗構成之層之間，具有由雷射光高 吸收率膜所構成之偏光片保護膜層。 [5]如[1]至[4]中任一項所述之方法’其中，前述雷射光 低吸收率膜為環_聚合物膜、聚丙雜或聚甲基丙烤酸 甲酯膜。 如⑴至[5]中* —項所述之方法，其巾，前述雷射為 一氧化碳雷射（carbon dioxide laser)。 [7] —種偏光板，係藉由如[丨]至[6]中任一項所述之方法 而製造。 藉由本發明偏光板之製造方法，當採用將帶狀偏光板 僅留下剝離膜而切斷之所謂半切割方式，並且偏光板中含 有雷射光高吸收率膜及雷射光低吸收率臈兩者時，在帶狀 偏光板切斷處理後之偏光板之㈣面，於構成偏光板之偏 光片保護膜層上之表面保護膜層實質上無浮起，在切斷面 亦無露出黏著劑，可確實地留下剝離膜層而切斷表面保護 膜層、偏光片層、由雷射光低吸收率膜所構成之層，並由 於併用雷射，故亦有可延長切斷時所使用之切割器刀刀之 壽命的效果。 322250 201118437 【實施方式】 以下’ -邊適宜地參照所附之圖式，一邊詳細說明本 發明。第1圖係表示本發明之偏光板製造方法中使用之帶 狀偏光板之層構成之例的剖面示意圖。第i圖中，帶狀偏 光板係在偏光片層1之單面藉由接著劑層（未圖示）而積層 偏光片保護膜層2，在偏光片保護膜層2之與偏光片層工 相反之面（上面）藉由黏著劑層3而積層表面保護膜層4, 在偏光片層1之另-面藉由接著劑層（未圖示）而依序積層 兼具有偏光片保護功能與相位差能力之由雷射光低吸收^ 膜所構成之層5、黏著劑層6及剝離膜層7者。第2圖係 表示本發明之偏光板製造方法中使用之其他之帶狀偏光板 之層構成之例的剖面示意圖。第2圖中，帶狀偏光板係在 偏光片層1之單面藉由接著劑層（未圖示）而積層偏光片保 濩膜層2 ’在偏光;=}保護膜層2之與偏光片層相反之面（上 面）藉由黏著劑層3而積層表面保護膜層，在偏光片丨之另 面藉由接著劑層（未圖示）而積層偏光片保護膜層％，並 藉由接著騎（未圖示）而依序積層具有相位差能力之由雷 射光低吸收率臈所構成之層5、黏著劑層6及剝離膜層7 者。 實施本發明時，帶狀偏光板通常是以將在長方向延伸 之帶狀膜製成捲筒型態而提供，預先將帶狀偏光板以僅留 下剝離膜層7之方式切割成符合影像顯示元件之尺寸後， 從偏光板將剝離臈層剝除，並將偏光板片一片一片地積層 於影像顯示元件而使用。然後，關於從帶狀膜以僅留下剝 322250 12 201118437 ，離膜層之方式㈣光板切職所期望之影__件之尺 •寸的手段，首先，在如第丨圖所示之帶狀料板之情形時， 係將最上面之表面保護膜層4、黏著劑層3、偏光片保護膜 層2、偏光片層！、接著劑層（未圖示）為止以雷射切割，或 是在第2圖所示之帶狀偏光板之情形時，則 表面保護膜層4、黏著劑層3、偏光片保護膜層2、偏光片 層卜偏光片保護膜層2a、接著劑層（未圖示）為止以雷射 切割，然後將由雷射光低吸收率膜所構成之層5及黏著劑 層6以切割器切斷。 本發明中使用之偏光片層i為具有從入射之自然光中 取出直線偏光之功能的膜，可使用在聚乙婦醇系樹脂膜吸 附配向二色性色素而成之偏光膜。該膜之雷射光之平均吸 收率超過2%，例如為6%左右。構成偏光片層丨之聚乙婦 醇系樹脂係藉由將聚醋酸乙烯醋系樹脂予以息化 (Sa_ification)而獲得。就聚醋酸乙_樹脂而言， 除了屬於醋酸乙烯醋之均聚物的聚醋酸乙稀醋以外，亦可 例示如醋酸乙稀醋及可與其共聚合之其他單體的共聚物 等。可與醋酸乙稀酷共聚合之其他單體，可列舉如不飽和 賴類、稀烴類、乙_類、不飽和礦酸類、具有敍基之 丙烯I胺類等。聚乙晞醇系樹脂之皂化度通常為85至則 細左右，以98莫耳％以上為佳。此聚乙烯醇系樹脂亦 可進一步經改質，舉例而言，可使用經賴改質之聚乙烯 々甲盤（polyvinyl f〇rmal)或聚乙稀祕（pQiyvinyi咖加） 等。此外，聚乙烯醇系樹脂之聚合度通常為I _至1〇，刚 322250 201118437 左右，以1，500至5, 000左右為佳。 聚乙婦醇系樹脂經製膜者，係作為偏光片層i之胚膜 使用。«乙稀醇系樹脂製膜之方法並無特別限定，可藉 由習知方法;s膜m烯㈣樹賴構狀胚膜之膜厚 f無特別限定’例如為心m左右。若考慮到拉伸容 易度等，其膜厚以lOem以上者為佳。 偏光片層 ~ 你！由下述步驟而製造··將如此之聚乙烯 醇系樹脂膜予以單軸拉伸之步驟、將聚乙稀醇系樹脂膜以 :色性色素染色而使該二色性色素吸附之步驟、將經吸附 -色性色素之聚乙婦㈣樹脂膜㈣酸水溶液處理之步 驟、以及在藉由該复水溶液處理後進行水洗之步驟。二 色性色素係使用蛾或二色性有機染料。 一本發明中使用之偏光片保護膜層2A2a，係由雷射光 南吸收率膜所構成’雷射光之平均吸收率通常超過2%， 之透明膜所構成。其中，尤以使用由透明性及光 之均勻性、機械強度、熱安定性等優異之樹脂所構 ::]W如可列舉.如二醋酸纖維素或二醋酸纖維 素專纖維素_脂膜；如料苯m或聚間苯二 了醋、聚對笨二甲酸丁二醋等聚醋系樹脂膜；聚碳 脂膜；聚鱗石風系樹脂膜；聚硬系樹脂膜；聚酿亞 二，膜等。透明保護膜層2及2a對於偏光片層1之積 nt曰讀由接著劑層進行，可使用該業界領域習知之接著 =雷=知之接著劑係在照射之雷射光之振動波長範圍中 1射先之平均吸收率高’通常超過2%。 322250 14 201118437 相關之接著劑可列舉如水溶媒系接著 、熱紐系接著劑、無溶劑系接著劑等。 σ刀別可列舉如下：水溶媒系接 稀醇系樹脂水溶液、水系二液型㈣（urethane== (刪1slQn)接著劑等，有機溶媒系接㈣之例可列舉如二 液型胺1线$解，餘媒彡接㈣之例可解如一液 型胺醋系接著财。以藉由將與偏光片之接著Μ以息化 處理等而經親水化處理之醋酸纖維素系膜作為偏光片保護 膜使用時’聚乙稀㈣樹脂水溶㈣適合作為接著劑使 用。作為接著劑層使用之聚乙烯醇系樹脂中，除了將屬於 醋酸Μ酯之均聚物的聚醋酸乙稀酯予以皂化處理所得之 乙烯醇均聚物以外’亦有例如將醋酸乙烯gl及可與其共聚 合之其他單體的共聚物予以4化處理所得之乙稀醇系共聚 物、更進-步將該等之經基予以部分改質而得之改質聚乙 烯醇系共聚物等。此接著射亦可使用多祕、水溶性環 氧化合物、三聚氰胺等作為添加劑。 關於本發明中之偏光板，該偏光板之構成層材料係使 用雷射光低吸收率膜。照射之雷射光之振動波長範圍中的 雷射光之平均吸收率通常在2%以下，以在1%以下為佳。 本說明書中，「照射之雷射光之振動波長$|圍巾的雷射光之 平均吸收率（％ )」可使用以往習知之ATR(Attenuated total reflection，衰減全反射）法測定。該rATR法」係 對測定對象照射具有任意波長的光（雷射光），藉由測定在 測疋對象表面全反射之光，而得到在測定對象表面之吸收 15 322250 201118437 光譜之方法。在照射之雷射光之振動波長範圍内，使用ATR 法測定具有任意波長的光之吸收率，藉由計算出所得吸收 率之平均值，可求得上述「照射之雷射光之振動波長範圍 中的雷射光之平均吸收率（％)」。 如此之雷射光低吸收率膜，可列舉如聚（曱基）丙烯酸 曱酯或聚（曱基）丙烯酸乙酯等丙烯酸酯系樹脂膜、聚烯烴 系樹脂膜、以降冰片稀（norbornene)等環狀稀烴作為單體 之環狀烯烴系樹脂膜，更具體而言，可列舉如環烯烴聚合 物（C0P)膜、聚丙烯（PP)膜、聚曱基丙烯酸曱酯（PMMA)膜 等。此等膜當然具有偏光板所要求之相位差膜功能，此外 亦具有優異之耐吸水防止功能、耐濕防止功能，因此，如 第1圖所示之帶狀偏光板，亦可替代TAC等偏光片保護膜 而使用。 此外，本發明中之偏光板，亦可在表面保護膜層與由 雷射光低吸收率膜所構成的層之間之任一者中，因應其目 的而另具有相位差膜層、視角擴大膜層、抗反射膜層、抗 眩膜層、反射膜層等功能附加膜層，該功能附加膜層係由 雷射光高吸收率膜所構成。此外，可使用一層或複數層之 此等膜層。 本發明中，形成偏光板之黏著劑層3、6所使用之黏著 劑，可使用該領域習知之黏著劑。該習知之黏著劑係在照 射之雷射光之振動波長範圍中的雷射光之平均吸收率高， 通常超過2%。舉例而言，使用具有丙烯酸系、橡膠系、 胺酯系、聚石夕氧（s i 1 i cone)系、聚乙烯謎系等原料聚合物 16 322250 201118437 ,(base P〇lymer)者。此外，亦可為能量線硬化型、教硬化 型等。此等中，以透明性、耐候性、耐熱性等優異之丙稀 酸系樹脂作為原料聚合物之點著劑最為合適。 丙稀酸系黏著劑並無限定於特定者，以（甲基）丙稀酸 丁醋、（甲基）丙婦酸乙酉旨、（甲基）丙稀酸異辛醋、（甲基） 丙烯酸2-乙基己醋等(甲基)丙烯酸醋系原料聚合物、或使 用2種以上之此等（甲基）丙職醋等的共聚合系原料聚合 物為適用。再者，於此等原料聚合物中係使極性單體共聚 合。極性單體可列舉：如（甲基）丙烤酸、（甲基）丙焊酸2_ 羥基丙醋、（甲基）丙婦酸2_經基乙酯、（甲基）丙稀酿胺、 (甲基）丙稀酸2-N，N-二甲基胺基乙醋、（〒基）丙稀酸縮水 甘油醋等具有絲、經基、酸胺基 '胺基、環氧基等之單 體。 一此等丙烯酸系黏著劑當然可單獨使用，但通常會併用 交聯劑。交聯劑可例示如：為二價或多價金屬離子，且與 缓基之間會形錢酸金屬鹽者；為聚酿胺化合物，且轉 基之間會形成醯胺鍵結者；為多環氧基化合物及多元醇化 σ物且與縣之間會形成_結者；為聚異氰酸醋化合 物，且與羧基之間會形成醯胺鍵結者等 酉旨化=係廣泛地作為有機系交聯劑使用。、^、贱 …此里線硬化㈣著”懸指具有受到紫外線及電子束等 ^量線照射而硬化之性f，即使在能量線照射前亦具有黏 者性而密著於膜等被黏體，具有可藉由照射能量線而硬化 以調整密著力之性質的黏著劑。並且，本發明中，當硬化 322250 17 201118437 1黏者《係使用於黏著劑層時，黏著劑層 黏著劑之硬化物所構成之#。pm〜日由硬化型 、…此L 里線硬化型黏著劑係特別 2以，用i外線硬化型黏著劑為佳。能量線硬化型黏 -般疋以丙_系黏著劑與能量線聚合性化合物作為 ^而構成。通常會進-步調配交聯劑，此外，必要時亦可 調配光聚合起始劑或光增感劑等。 用以形成黏著劑層之黏著劑組成物中，除了上述原料 聚合物及交聯劑以外，必要時，為了調整黏著劑之黏著力、 凝集力、純、彈性率、朗轉移溫料，可調配例如屬 於天然物或合絲之樹賴、賦予輯性之則旨、抗氧化 劑、染料、顏料、消泡劑、腐餘劑、光聚合起始劑等適當 之添加劑。再者’亦可使其含有微粒子而製成顯示光散射 性之黏著劑層。此外，黏·層中亦可調配抗氧化劑及紫 外線吸收劑等^紫外線吸收劑可舉例如水揚酸酯系化合物 或二苯基酮（benzophenone)系化合物、苯并*** (benzotriazole)系化合物、氰基丙烯酸酯系化合物、鎳錯 鹽系化合物等。 本發明中，構成偏光板之剝離層膜7為由雷射光高吸 收率膜所構成之剝離材，且是由照射之雷射光之振動波長 範圍中的雷射光之平均吸收率通常超過2%之膜所構成。 其係使用光學膜所用之通常之剝離材，例如係使用聚對苯 二甲酸乙二酯膜或聚酯膜等。 此外’在剝下剝離膜層7後而貼合偏光板之顯示裝置 之基板8 ’係液晶顯示裝置、電漿顯示裝置等顯示裝置中 322250 201118437 所使用之玻璃基板、合成樹脂基板等平板上構件，亦可為 預先形成有液晶胞、電極等構成零件之基版。基板的形狀 一般係使用正方形、長方形等形狀。 本發明中’切斷帶狀偏光板時所使用之雷射裝置，通 吊可使用s知之紅外線雷射，例如可使用二氧化碳雷射、 YAG雷射、UV雷射等’ 從切斷面之破裂及缺角少、操作 ί·生之觀點來看’首推二氧化碳雷射為最適用者。 ，^射之㈣速度係與切斷加卫之帶狀偏光板的厚度相 ^偏光板之厚度在7〇 i 5〇〇"之範圍，則為—分 貝I合右/15至6Gm/分鐘為佳。若切斷速度未達lm/分鐘， 綠不佳之傾向。此外，紅外線雷射之輸出係依 度、期望之切斷速度等而異，通常是在⑽ 至400W之範圍内使用。， 在作為本發明對象之僅對二光月片中。::使用人之雷射波長」 低吸收率膜所構成之層+⑽丨之含有由雷射光 之切斷加卫中，首推使用H财薄型帶狀偏光板 射波長而進行切斷加卫時，=^為9.4_者。使用該雷 而進行切斷加工者相比較，她使用1G.6^m雷射波長 關於藉由雷射而進行之 ®為較漂亮。 射光低吸收率膜所構成之始而進行至正好為由雷 僅留下制_ 7，且切：則的層為止。當此切斷係 之層5、崎劑6為 由雷射絲吸收率膜所構成 成之層5為光吸收能力低:=!:光低吸收_ 文難以稭由雷射而進行尺寸精 322250 19 201118437 度良好之切斷（切斷深度之調整），在幾乎所有情形中，剝 離膜亦會被切斷，而難以實現所期望之半切割。此外，即 使能進行半切割，由於樹脂會熔融而成為塊狀，故剝離膜 層7會從切斷後之偏光板中剝離，即使貼合於基板8，基 板與偏光板之貼合部分會發生浮起，而無法均勻地密著。 本發明之經雷射切斷至正好為由雷射光低吸收率膜所 構成之層5之前的層為止之帶狀偏光板，接下來係使用切 割器以留下剝離膜層7之方式進行切斷。藉由採用該方 法，可改良將帶狀偏光板全部以切割器切斷時所產生之表 面保護膜4之浮起或黏著劑之露出，更顯著改良因裁刀壽 命短所產生之生產成本，同時，藉由採用以2階段進行切 斷操作之極簡單之方法，而解決從僅以雷射切斷帶狀偏光 板時所產生之積層有光吸收能力為顯著不同之保護膜層和 剝離膜層的偏光板中，必需以僅留下剝離膜層之方式進行 切斷的既複雜且要求高度技術的作業。 切斷由雷射光低吸收率膜所構成之層5及黏著劑層之 切割器，只要是光學膜領域所通常使用之切割器即可，可 列舉如押切型切割器、模切型切割器，亦或是固定圓刀或 迴轉圓刀等。此等切割器刀刃係首推使用具備驅動切割器 刀刃之滾筒、或調整切割器刀刃之下死點位置之下死點調 整構件者。此時，藉由將下死點位置調整成剝離膜層7之 厚度之0. 5倍以下，即可確實地留下剝離膜層7，且在相 對於膜長方向為直交之方向僅切斷由雷射光低吸收率膜所 構成之層5及黏著劑層。 20 322250 201118437 並且，在二氧化碳雷射之振動波長之範圍（9. 2/zm至 10.8//m)中，測定偏光板所適用之代表性膜之平均吸收率 時，三醋酸纖維素膜（TAC膜）：13%，聚乙烯醇（PVA膜）： 6%，聚對苯二曱酸乙二酯膜（PE：T膜）：8%，環烯烴聚合 物膜（C0P膜）：0. 3%，聚曱基丙烯酸曱酯膜（PMMA膜）·· 0. 8 %，聚丙烯膜（PP膜）：0· 7%。 以上，藉由詳述之本發明方法而經切斷成期望之形狀 的偏光板，係在剝除剝離膜層7後，貼合於液晶顯示等之 基板8上。此等作業係適用於具備下述步驟而將偏光板連 續性地貼合於基板之偏光板貼合裝置：將如第1圖或第2 圖所示構造而積層之帶狀膜予以卷裝成捲筒狀，將此捲筒 狀膜往其長方向拉出，當相對於其長方向為直交之進展方 向側之切斷面進展至對應基板之長度時，將前述帶狀膜以 僅留下前述剝離膜層之方式而至少將前述帶狀偏光板及前 述接著劑層在相對於長方向為直交之方向進行切斷的切斷 步驟；從藉由該切斷所切出之膜片中將前述剝離膜層分離 的分離步驟；以及將經分離剝離膜層後之前述膜片之接著 面貼合於被搬運來之基板的貼合步驟。 實施例 以下，以實施例為基礎而更詳細地說明本發明。 [製造偏光板] 本實施例中，帶狀偏光板實質上是使用如第1圖所示 之構造者。換言之，係在由聚乙烯醇吸附配向碘之厚度25 /zm之膜所構成之偏光片層1之兩面，藉由以含有聚乙烯 322250 201118437 醇與水溶性環羞 度80,之由一、月曰之水溶液所形成之接著劑層而貼合厚 2,並且，在由纖維素膜所構成之偏光片保護膜層 之上面，為了 A醋Γ維/膜所構成之偏光⑽^ 由厚度…其不聽作時之擦傷或灰塵所傷害，藉 ™之由聚對笨^ 系感壓黏著劑層3而貼合厚度· 在偏光片層！膜所構成之表面保護膜層4,並 氧樹脂之水溶/—單面藉由以含有聚乙_與水溶性環 稀烴樹脂所構成= 之接著劑而貼合厚度1°_之由環 (商品名：，有時亦標記為功能附加層5) 貼合簡股份有限公司製），於該單面 θ σ又之丙烯酸系感壓黏著劑層6，於其上貼合 厚度38//m之由聚對苯二甲酸乙二酯膜所構成之剝離膜 22 322250 1 ’而準備如此所構成之帶狀偏光板（尺寸：lmxlm)。 [實施例1 ] 將上述帶狀偏光板使用雷射波長9. 4 μ m之二氧化碳 雷射（雷射光照射裝置：美國Coherent公司製），於偏光板 及收轴之直角’將從偏光板之表面保護膜層開始至功能附 加層5之前的層為止（表面保護膜層、黏著劑層、偏光片保 °蒦膜層、偏光片層、接著劑層為止）進行切斷加工（切斷條 件：頻率20kHz，輸出：59W、速度：60m/分鐘），然後使 用固定圓刀（11〇φ，刀刃角度20。，厚度0.3mm，萩原工業 股份有限公司製），以僅留下剝離膜層7之方式而切斷功能 附加層5及黏著劑層6。藉此所得之偏光板切斷剖面之顯 微鏡照片係如第5圖所示。並且，在藉由此雷射（雷射波長 201118437 :9·4⑽與固定圓刀所進行之二段切斷法而切斷處理i5〇 .片=板後’觀察固^刀之刀刀，其刀刃無損壞且切斷 能力未見顯著降低。 [比較例1] ^將”實她例1所使用者相同之帶狀偏光板，僅使用實 =1所使用之固定圓刀，實施僅留下與基板貼合之面之 剝離膜層7的切斷操作。從開始實施起第！0次所切斷之偏 光板之切斷面之顯微鏡照片係如第6圖所示。 ㈣由楚得知，僅使用較圓刀切斷帶狀偏光 1㈣π ―人之切斷剖面中’偏光片保護膜層與表面保 之間可見到浮起。此外，在第10次時，固定圓刀之 鋒利度不佳，如第7圖及第 缺角，難以繼續使用。圖所不’51刀之刀刃可見到 【圖式簡單說明】 =圖係表示本發明所使用之已輕量化之帶狀偏光板 之層構成之一例的剖面示意圖。

H圖縣示本㈣所❹之帶狀偏歧 一例的剖面示意圖。 曰僻取I 圖。第3圖係本發明之藉由兩階段切斷所致之剖面示意 第4圖係表示f知方法所使用之偏 例的剖面示意圖。 曰傅成^ 光板=斷Π霄她例1所得之藉由本發明方法所切斷之偏 尤板切蚧面之顯微鏡照片。 322250 23 201118437 第6圖為僅使用固定圓刀所切斷之偏光板切斷面之顯 微鏡照片。 第7圖為比較例1所使用之偏光板切斷後之固定圓刀 之顯微鏡照片。 第8圖為比較例1所使用之偏光板切斷後之固定圓刀 之顯微鏡照片。 【主要元件符號說明】 1 偏光片層 2、 2a 偏光片保護膜層 3、 6 黏著劑層 4 表面保護膜層 5 由雷射光低吸收率膜所構成之層 7 剝離膜層 8 基板 24 322250

Claims (1)

1. 201118437 、 七、申請專利範圍： 1. 一種偏光板之製造方法，其包含：將帶狀偏光板以僅留 下剝離膜之方式切斷其他構成偏光板之層； 其中，該帶狀偏光板係於由聚乙烯醇系樹脂膜所構 成之偏光片層之一面積層由雷射光高吸收率膜所構成 之偏光片保護膜層，於該偏光片保護膜之與偏光片層相 反側之面藉由黏著劑層而積層由雷射光高吸收率膜所 構成之表面保護膜層，並於偏光片層之另一面藉由接著 劑層而積層由雷射光低吸收率膜所構成之層，且於該雷 射光低吸收率膜層之與偏光片層相反側之面藉由黏著 劑層而積層由雷射光高吸收率膜所構成之剝離膜層者； 該製造方法係將從表面保護膜層開始至正好在由 雷射光低吸收率膜所構成之層之前的層為止，以雷射切 斷；然後，以切割器切斷由雷射光低吸收率膜所構成之 層。 2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，前述雷射光 低吸收率膜為雷射光之平均吸收率在2%以下之膜，前 述雷射光高吸收率膜為雷射光之平均吸收率超過2 % 之膜。 3. 如申請專利範圍第2項所述之方法，其中，前述雷射光 低吸收率膜為雷射光之平均吸收率在1%以下之膜。 4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之方法，其中，在 偏光片層與由雷射光低吸收率膜所構成之層之間，具有 由雷射光高吸收率膜所構成之偏光片保護膜。 25 322250 201118437 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之方法’ 其中，前述雷射光低吸收率膜為環烯烴聚合物膜'聚丙 烯膜或聚甲基丙烯酸甲酯臈。

   如申請專利範圍第1項至第 項所述之方法 其中，前述雷射為二氧化碳雷射^ 一種偏光板，係藉由申請專利 -項所述之方法^製造者。 項至第6項中妇 322250 26