TW201004470A - Electro-optic device and method for manufacturing the same - Google Patents

Description

201004470 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 且更特定而 一電壓降來 置及其製造 本發明係關於一種光電裝置及其製造方法 言，涉及-種能夠藉由防止—透明電極圖案之 使一電流均勻地流遍該透明電極圖案之光電妒 此申請案主張2008年5月29曰提出申试之 〇〇5〇187號韓國專利申請案之優先權及在35\s第心〇〇8-款下自其產生之所有權益，該韓國專利申 § 1 1 9條 以引用之方式併入本文中。 Μ之全部内容 【先前技術】 2 -：機發先裝置包含一正電極、—有機材料層及 -負電極。本文中，使用—透明導電材料（例％，氧化姻 錫στο)及氧化銦鋅（IZQ))形成該正電極。該有機材料層包 含一電洞注入層、-電洞傳輸層、-發光層、—電子傳輸 層等。根據一種驅動有機發光装i之方法，# — ^ μ 皁兀向正電極及負電極提供一供應電壓，則電洞自正電極 穿過電洞注入層及電洞傳輸層移動至發光層且電子自負電 極牙過電子傳輸層移動至發光層。該等電洞及電子在發光 層中形成電子-電洞對，以便形成具有一高能量之若干激 子然後，隨著該等激子回落至具有一低能量之一基態而 發射光。 而’在習用有機發光裝置中，若向透明電極提供供應 電廢’則隨著距提供該供應電壓之一點越來越遠，因該透 140498.doc 201004470 難以在大於4 電極各處，且 明電極之電阻所致而發生—電壓降。因此， 英吋之一面板中將一電流均勻地供應至透明 因此不可能製造一具有均勻亮度之裝置。 【發明内容】 光電裝置之方 之金屬薄膜圖 電流均勻地流 壓之一點之一 本發明提供一種光電裝置及用於製造該 法，其中藉由形成一連接到一透明電極圖案 案並向該金屬薄膜圖案提供一供應電壓，一

遍該透明電極圖案，而不管距提供該供應電 距離如何。 根據一㈣性實施例，—種光電裝置包含：-基板；形 t = i板上之一金屬薄膜圖案；及經形成以覆蓋該金屬 薄膜圖案之一透明電極圖案，其令該金屬薄膜圖案之一側 經形成以曝露至該透明電極圖案之外部。 根據另-實例性實施例，-種光電；置包含：一基板; ^成在該基板上之複數個金屬薄膜圖案；經形成以與該複 =屬薄膜圖案相交之複數個透明電極圖案；及設置於 =金屬薄膜㈣與該等透明電極圖案之間以曝露該等金 屬’專膜圖案之若干部分之一絕緣層。 根據又另一實例性實施例，-種光電裝置包含：一基 板；形成在該基板上之一金屬薄膜圖案；及連接至該金屬 闻専、圖案之-側壁且對應於該金屬薄膜圖案之—透明電極 圖案。 該光電裝置可進一步包含形成在 m & 攻在4透明電極圖案或該金 屬缚膜圖案之一頂部表面之一側劈 域及一邊緣區域上之 140498.doc 201004470 一絕緣保護層。 該等透明電極圖案可透過該等金屬薄膜圖案之 分連接至該等金屬薄膜圖案。 κ σ «數個金屬薄膜圖案可與該複數個透明電極 且一個透明電極圖案可以彼此分離之兩個或更多個點= 至其對應金屬薄膜圖案。 /土屬薄膜圖案可具有為該透明電極圖案之— 約1/10至大約1/100之一寬度。 見度之大 根據再另-實例性實施例，一種用於製造一 方法包含：在一 Ate U Λ' . « 、 基板上形成一金屬薄膜圖案；及使用一帝 =劃線製程形成連接至該金屬薄膜圖案之―透”極^ 幸包含在該透明“圖案或該金屬薄膜圖 保護層。 t側壁區域及-邊緣區域上形成-絕緣 該方法可進—步包含在形成該透明電極圖案之前，形成 -絕緣層以曝露該金屬薄膜圖案之一部分。 可使用選自由銀、鋼、今、益 ^ ^ 金鎂、鉑、鈦及其合金組成之 群組中一者形成該金屬薄 類型。 茱忒一者具有一溶液或膏 二吏用-絲網印刷方法、一筆式印刷方法、一觀筒印刷 α 去中之一者形成該金屬薄膜圖案。 根據其匕又另一實例性營大Α·办丨 、 實細例，一種用於驅動包括設置 於一基板上之一金屬薄腹 、圖案及連接至該金屬薄膜圖案之 140498.doc 201004470 透明電極圖案之一光電裒置之方法包括：向連接至一透 明電極圖案之-金屬薄膜圖案提供—供應電塵。 藉由向該金屬薄膜圖案提供該供應電壓，可將一電流選 擇性地傳輸至連接至該金屬薄膜圖案之該透明電極圖案。 【貫施方式】 後文將參照關詳細M述具體實施例。然*，本發明可 同形式體現且不應將本發明視為偈限於本文中戶;闞述 只《例而疋’提供該等實施例旨在使本發明全面及完 整’且f本發明之範圍充分傳達給熟悉此項技術者。在= 中，通篇中相同之參考編號指代相同之元件。 —圖說明根據本發明一第一實施例之一透明電極之 二平面圖。圖2圖解說明藉由沿一線A_A，切割，所獲得之 剖面圖。圖3至6圖解說明用於形成根據本發明第—實施 !之透明電極之一方法之剖面圖。圖7至9圖解說明用於製 :根據本發明第一實施例之有機發光裝置之一方法之剖面 參照圖M2，透明電極包含形成在一基板1〇〇上之—金 屬薄膜圖案200及經形成以覆蓋金屬薄膜圖案之—透明 電極圖案300a。本文中’金屬薄膜圖案〗⑼起到使―電法 均句地流遍該透明電極圖案3〇〇a之作用。出於此目的，: 此實施例中，金屬薄膜圖案·經形成以設置於透明電極 圖案麻下面。透明電極圖案则a經形成以具有一大於金 屬薄膜圖案200之寬度之寬度域明電極圖案则遺 以覆蓋金屬薄膜圖案2〇〇。此外’金屬薄膜圖案2〇〇之一側 140498.doc 201004470 曝露至透明電極圖案300a之外部以便向金屬薄膜圖案2的 提供一供應電麼。 在先前技術中，透明電極圖案300a形成在基板1〇〇上且 直接向透明電極圖案300a提供供應電壓。然而，在此實施 例中，將具有低電阻之金屬薄膜圖案200設置於透明電極 圖案3〇〇a下面以使得電流均勻地流遍透明電極圖案3〇〇a。 即，當向形成在透明電極圖案3〇〇a下面之金屬薄膜圖案 200之一侧提供供應電壓時，電流沿具有低電阻之金屬薄 膜圖案200流動且電流被傳輸到言免置於金屬薄膜圖案200上 方之透明電極圖案300a。藉由此，電流均勻地流遍透明電 極圖案300a，而不管距提供供應電壓之一點之距離如何。 圖3至6闡述用於形成根據本發明第一實施例之透明電極 之方法。 參照圖3，在基板100上方形成金屬薄膜圖案2〇〇。本文 中，基板1〇〇可使用一塑膠基板（例如，PE、pEs及pEN)及 玻璃基板中之-者，其具有等於或高於8〇%之光通透 性。透過一絲網印刷方法形成金屬薄膜圖案2〇〇。儘管未 顯示，但在將一具有一所需圖案之遮罩（即，一模板遮罩 敞開欲形成金屬薄膜圖案200之區域）設置於基板1〇〇上之 後’在該模板遮罩上塗佈具有_膏或溶液類型之金屬薄膜 形成材料。藉由使用㈣使金屬薄膜形成材料在該模板遮 罩上移動而將金屬薄膜形成材料塗佈在基板100之藉由該 模板遮罩曝露之一部分上。本文中 藉由混合具有大約3 nm至大約 有機溶劑製成 6 nm之一粒度之金屬奈米粒子與一 140498.doc 201004470 具有膏或溶液類型之金屬薄膜形 包含銀、銅、金、M以 金屬奈未粒子可 隹鎮、翻、鈦及其合金中夕一1 劑可包含以下中之—去： ^ 者。有機溶 基丙醇、丙氧其丙醇 ㊅醇、甲氧基丙醇、乙氧 醉丙乳基丙酵、丁氧基丙醇、丙 及苯甲醇。然而，有機τ 十一烷一醇 溶劑。可將表面活性劑添加至有 ：：種其匕 P刷方法且有機溶劑可具有—定黏度以 r 其形狀不倒塌。然後下 案化之後維持 上之金屬薄膜釈士 ，皿度下加熱塗佈在基板100 、屬相形成材料且因此使其乾燥 有金屬奈米粒子之右嫵杰,/飞化/扣& 在基板_上，，如圖3中所圖 == 2°°形成在基板_上。熱處理之條件可根據：：：圖： 屬奈米粒子之種類而變 办片一 雙化然而，可在低於大約15〇t; 一溫度下執行熱處理。在一奋 在帛例中，使用絲網印刷方 類型之金屬薄膜形成材料以形成金屬 賴圖案細。然而，並非限於上述方法且可使用一筆式 Ρ刷方法、一輥筒印刷方法及一凹版印刷方法中之任一 者。此外’可使用一沈積方法形成金屬薄膜圖案細，例 如-熱沈積方法、—物理沈積方法及—電子束沈積方法。 參照圖4 ’透過-濺射製程在形成金屬薄膜圖案20之基 板1〇0上方形成—透明電極層鳩。當然，可藉由根據用 =成透明電極層300b之透明導電材料之種類執行除滅射 L程之外之各種沈積製程來形成透明電極層3〇价。本文 中，透明電極層3〇0b經形成以具有一大約150 nm至大約 140498.doc 201004470 nm之厚度及等於或缺15 Ω之薄片”且。透明導電材 料可包含氧化銦錫（ΙΤΟ)、氧化銦鋅（ΙΖ〇)、氧化鋅（Ζη〇)及 Ιη203中之-者。在此實施例中，透明導電材料使用㈣。 然後’如圖5中所圖解說明，透過一雷射劃線製程移除 透明電極層3_之一部分以便形成透明電極圖案3〇〇a。本 文中，對應㈣置於透明電極圖案⑽a下面之金屬薄膜圖 案200設置透明電極圖案3〇〇a且透明電極圖案3〇如之—寬 度大於金屬薄膜圖案200之寬度以使得透明電極圖案麻 覆蓋金屬薄膜圖案200。 在藉由透過雷㈣線製程圖案化透明電極層·b來形成 透明電極圖案300a之情況中，因雷射劃線製程期間發生之 高熱及高能量可使透明電極圖案3〇〇a之一邊緣部分變形。 因此，如圖6中所述，在透明電極圖案3〇〇a之一邊緣區域 中形成一絕緣保護層400以覆蓋透明電極圖案3〇如之該邊 緣部分。亦即，在透明電極圖案3〇〇a之—頂部表面之一邊 緣區域及透明電極圖案遍3之_側壁區域上形成絕緣保護 層400。而且，絕緣保護層4〇〇亦形成在基板1〇〇之移除透 明電極層纖之一部分上。因此，儘管在雷射劃線製程期 間損壞透明電極圖案300&之一部分，但其不影響光電裝置 之特性。本文巾’可透過—沈積及印财法形成絕緣保護 層·。在此實施例中’使用絲網印刷方法形成絕緣保護 層400。儘管未顯示，但在基板1〇〇上設置敞開透明電極圖 案300a之邊緣區域及側壁區域之一模板遮罩。之後，將一 絕緣塗佈材料塗佈在模板遮罩上。藉由使用擠壓使一塗佈 140498.doc -10- 201004470 材料在模板遮罩上移動，將絕緣塗佈材料塗佈在透明電極 圖案300a之藉由該模板遮罩曝露之邊緣區域及側壁區域 上。藉由此，在透明電極圖案3〇〇a之形成一光電裝置圖案 之-中央區域上不塗佈絕緣塗佈材料。隨後，在移除模板 ^罩之後藉由發熱或光以借此硬化絕緣塗佈材料來形成 絕緣保4層4GG。本文中，用於絕緣保護層姻之材料具有 /合液或膏類型且可係一光硬化材料或一熱硬化材料。用 於絕緣保護層4〇〇之材料可包含—有機材料（例如，光阻劑） 或一無機材料’例如’ 一氮化物或一氧化物（如，Al2〇3)。 然而，用於絕緣保護層4〇〇之材料並非限於此。可使用一 沈積方法形成絕緣保護層彻。此時，用於絕緣保護層伽 之材料使用能夠被沈積且絕緣之_無機材料及—有機材料 中之一者。用於沈積絕緣保護層400之方法可包含一離子 束沈積方法、一電子束沈積方法、一電漿束沈積方法或一 化學氣相沈積方法。 圖7至9闡述用於製造根據本發明第一實施例之有機發光 裝置之方法。 …圖7在基板1 〇〇上方形成一下部電極2丨〇及絕緣保 護層400。本文中，下部電極210包含形成在基板100上之 金屬4膜圖案2GG及經形成以覆蓋金屬薄膜圖案·之透明 電極圖案300a。透過以上所提及之製程形成金屬薄膜圖案 、。透明電極圖案300a及絕緣保護層4〇〇。使用IT〇用於 透月電極圖案300a。然後，如圖8中所述，在透明電極圖 案3〇〇a上形成一有機材料層5〇〇。本文中，有機材料層50〇 140498.doc -11· 201004470 包含一電洞注入層5〇1、一電洞傳輸層502、一發光層503 及一電子傳輸層5〇4。較佳地，按順序堆疊電洞注入層 5〇1、電洞傳輪層502、發光層503及電子傳輸層504以形成 有機材料層500。亦即，使用CuPc、2_tnata及mtdata 中之任者在透明電極圖案300a上形成電洞注入層5〇 i。 .、;、後使用可有效地傳輸電洞之一材料（例如，NPB及 TPD)在電洞注入層5〇1上形成電洞傳輸層。在電洞傳輸 層502上形成發光層503。發光層503可使用具有一極佳發 光特性之材料，例如包含Alq3:C545T之一綠色光發射層、 包含DPVBi之—藍色光發射層、包含⑽帅叫之一紅 色光發射層及其組合。之後，使用例如A1p3及Beb^之一 材料在發光層503上形成電子傳輸層5〇4。此時，透過一熱 沈積方法形成有機材料層500。 麥照圖9，在有機材料層5〇〇上形成上部電極60〇。在此 實施例中，由於金屬薄膜圖案2〇〇設置在透明電極圖案 3〇〇a下面，因此不能使發光層503處所產生之光朝向透明 電極圖案300a發射。因此，如圖9中所示，使用使光朝向 上部電極600發射之一頂部發射方案製造根據此實施例之 有機發光裝置。因此，藉由沈積例如UF_A1、Mg:Ag及ca_

Ag等具有一等於或低於幾十個微米之厚度之—金屬形成設 置於有機材料層500上之上部電極6〇〇以發射光。儘管未顯 不，但將塗佈一密封劑之囊封基板設置於上部電極6〇〇上 方且將該囊封基板附接至基板1〇〇以進行密封。本文中， 囊封基板可由一發光材料形成。 140498.doc 12 201004470 圖1 〇圖解說明根據本發明一第二實施例之一透明電極之 一平面圖。圖Π圖解說明藉由沿一線Β_Β，切割圖1〇所獲得 之一剖面圖。圖12至16圖解說明用於形成根據本發明第二 實施例之透明電極之一方法之剖面圖。後文，將省略與第 一實施例之解釋重複之解釋。

參照圖10及11，透明電極包含形成在一基板1〇〇上方之 複數個金屬薄膜圖案200、在覆蓋頂部時部分地曝露金屬 薄膜圖案200之頂部之一絕緣層7〇〇、與金屬薄膜圖案2⑽ 相交之複數個透明電極圖案3〇〇a。本文中，絕緣層7〇〇設 置於金屬薄膜圖案200與透明電極圖案3〇〇a之間以限制金 屬薄膜圖案200與透明電極圖案3〇〇a之間的連接。如圖 中所述，複數個透明電極圖案3〇〇a形成在金屬薄膜圖案 200中之每—者上以與金屬薄膜圖案雇相交。例如，在金 屬薄膜圖案200中之-者中，與金屬薄膜圖案咖相交之透 明電極圖案則a中之至少—者連接到該金屬薄膜圖案 2〇〇’且透明電極圖案鳥中之至少—者連接到絕緣層 700。因此，若向金屬薄膜圖案2〇〇中之一者之—側提供一 供應電廢，則-電流僅被傳輸到連接到輸人該供應電塵之 金屬薄膜圖案200之透明電極圖案3〇〇a。如此，由於金屬 薄膜圖案200與透明電極圖案3〇〇a '。 』的運接跫絕緣層700 限制’因此可將電流選擇性地供應到所需透明電極圖案 300a。此外，在透明電極圖案3〇〇a中 可考下面，形成 複數個金屬薄膜圖案200以與該透明電極圖案3〇〇a相交。 因此’可防止在透明電極圖案聽中發生_電廢降。亦 14049S.doc -13· 201004470 β / - 母一透明電極圖案300a皆以兩個或更多個點連接到其 對應之具有低電阻之金屬薄膜圖案200，i因此可藉由向 連接到錢明電極圖案3GQa之金屬薄膜圖案⑽提供供應 電屡來防止在該透明電極圖案3GGa中發生電麼降。 圖12至16闡述用於形成根據本發明第二實施例之透明電 極之方法。 >二圖12，在基板100上方形成金屬薄膜圖案200。本文 中藉由以下步驟形成金屬薄膜圖案200 :透過一絲網印 刷方法將具有—膏或溶液類型之金屬薄膜形成材料塗佈在 基板100上且然後在_ g无定溫度下對所塗佈材料執行一熱 處理。 >’、、圖13在形成於基板100上方之金屬薄膜圖案200上 形成絕緣層700 絕緣層700經形成以覆蓋金屬薄膜圖案 2〇0以便曝露金屬薄膜圖案之-部分，如圖13中所述。 可透過一沈積及印刷方法形成絕緣層7⑽。在此實施例 中使用絲、網印刷方法形成絕緣層700。此處，用於絕 緣層70G之材料具有_溶液或膏類型且引系—光硬化材料 或，、、、硬化材料。在此實施例中，絕緣層700使用與上述 絕緣保護層之材料相同之材料。 參…、圖14，使用一濺射製程在金屬薄膜圖案200及絕緣 層700上开y成一透明電極層3嶋。然後，如圖u中所示， 藉由透過雷射劃線製程圖案化透明電極層3〇〇b形成透明 電極圖案3GGa。此時’如圖1()中所圖解說明，透明電極圖 案300a經形成以與金屬薄膜圖案2〇〇正交地相交。而且， 140498.doc 201004470 透明電極層300b經圖案化以包含其中絕緣層700設置於金 屬薄膜圖案200與透明電極圖案300a之間的一區域及其中 金屬薄膜圖案200與透明電極圖案300a連接之一區域。透 過該等製程’如圖15中所述，複數個透明電極圖案中的設 置在對應於其中絕緣層700未形成在金屬薄膜圖案2〇〇上之 一區域之一區域中之透明電極圖案3〇〇a連接至金屬薄膜圖 案200 °又置在對應於其中絕緣層700形成在金屬薄膜圖案 2〇〇上之一區域之一區域中之透明電極圖案3〇〇&不連接至 金屬薄膜圖案200。 參照圖16，藉由使用一絲網印刷方法塗佈一絕緣材料在 透明電極圖案300a之一頂部表面之一邊緣區域及透明電極 圖案30〇a之一侧壁區域上形成一絕緣保護層4〇〇。此外， 亦在絕緣層700上形成絕緣保護層4〇〇。儘管未顯示，但藉 由在透明電極圖案300a上形成一上部電極及一有機材料層 來製造一頂部發射方案之一有機發光裝置。 圖圖解說明根據本發明一第三實施例之一透明電極之 一平面圖。圖18圖解說明藉由沿一線c_c，切割圖17所獲得 之一剖面圖。圖19至22圖解說明用於形成根據本發明第三 實施例之透明電極之一方法之剖面圖。圖23至25圖解說明 用於製造根據本發明第三實施例之一有機發光裝置之一方 ，、之面圖。後文，將省略與第一及第二實施例之彼等解 釋重複之解釋。 >”’、圖17及18，透明電極包含形成在一基板1〇〇上方之 透明電極圖案3〇〇a及形成在透明電極圖案3〇〇a之一侧壁 140498.doc 15 201004470 上之一金屬薄膜圖案200。本文中，對應於透明電極圖案 3〇〇a在透明電極圖案3〇〇a之側壁上形成金屬薄膜圖案 2〇〇。藉由此’若向形成在透明電極圖案3〇〇a之側壁上之 金屬薄膜圖案200之一側提供一供應電壓，則一流過具有 低電阻之金屬溥膜圖案2 〇 〇之電流被傳輸到整個透明電極 圖案300a。 參照圖19至22，其闡述用於形成根據本發明第三實施例 之透明電極之方法。 參照圖19，透過一濺射製程在基板1〇〇上方形成一透明 電極層300b。％圖20中所圖解說明，#由透過一雷射劃線 製程圖案化透明電極層3〇〇b來形成透明電極圖案3〇〇a。然 ^ 苎21中所示，使用一絲網印刷方法在透明電極圖案 3〇〇&之側壁上形成金屬薄膜圖案200。在透明電極圖案 3〇〇a之側壁上形成金屬薄膜圖案2〇〇以對應於透明電極圖 案300a。此外，金屬薄膜圖案2〇〇經形成以具有為透明電 極圖案300a之寬度之大約1/10至1/100之一寬度。 參照圖22，使用一絲網印刷方法在透明電極圖案30如之 一頂部表面之—邊緣區域及透明電極圖案300a之一側壁區 域上形成一絕緣保護層4〇〇。在此實施例中，在金屬薄膜 圖案200之頂部及—側壁上形成絕緣保護層400。 參照圖23至25 ’將闡述用於製造根據本發明第三實施例 之有機發光裝置之方法。 ▲參照圖23，在基板100上方形成一下部電極210及絕緣保 曰〇本文中，下部電極210包含形成在基板100上方 140498.doc •16· 201004470 之透明電極圖案3〇〇a及形成在透明電極圖案3〇〇3之側壁上 之金屬溥膜圖案200。如圖19至22中所述，形成金屬薄膜 圖案2〇〇、透明電極圖案3〇〇a及絕緣保護層40〇。透明電極 圖案3〇〇a包含1T〇。在此實施例中，由於金屬薄膜圖案200 與透月電極圖案3 〇〇a之側壁連接，因此有機發光裝置經製 4以具有其中朝向透明電極圖案300a發射光之一背光方 案亦即，如圖24中所圖解說明，在透明電極圖案3〇〇a上 形成一有機材料層500。本文中，有機材料層5〇〇包含按順 序堆疊之一電洞注入層5〇1、一電洞傳輸層5〇2、一發光層 503及一電子傳輸層5〇4。然後，如圖25中所圖解說明，在 有機材料層500上形成一上部電極_。此時，藉由沈積例 如二F-A卜Mg:AgA Ca，AR 一金屬來形成上部電極議以 使得其可反射光。儘管未顯示，但將塗佈—㈣劑之囊封 基板設置於上部電極_上^且將該囊封基㈣接至基板 100以進行密封。本文中， T】用金屬及—光可通透板中

U 之一者製作囊封基板。

如以上所述’根據本發明，葬ΑJ.A "^精由形成連接至並對應於透 明電極圖案之金屬薄膜圖案 叼金屬溥臊圖案提供供應電 壓’ 一均句之電流可流過透明電極圖案。因此，可製造具 有均勻亮度之一光電裝置。 此外，金屬薄膜圖案與透明電極^ ^ ^ ^ ^ ^ ^ 4國系之間的連接受經形 成以曝路金屬薄膜圖案之一部分 丨刀心絶緣層限制。因此，可 在不使用單獨切換裝置之情況 w· m 卜鞛由向所需透明電極圖案 選擇性地提供—電流來驅動光電裝置。 140498.doc -17- 201004470 儘管已參照具體實施例闡述有機發光裝置，但本發明並 不限於此。本發明可應用於使用一透明電極圖案之各種光 電裝置。熟悉此項技術者將易於理解’可對本發明作出各 種修改及變化，此並不背離隨附申請專利範圍所界定之本 發明之精神及範圍。 【圖式簡單說明】 根據以下結合附圖進行之說明可更詳細理解實例性實施 例，其中： 圖I圖解說明一根據本發明一第一實施例之透明電極之 一平面圖； 圖2圖解說明藉由沿一線A_A，切割圖】所獲得之—剖面 圖3至6圖解說明用於形成根據本發明第一實施例之透明 電極之一方法之剖面圖； 圖7至9圖解說明用於製造根據本發明第一實施例之 機發光裝置之一方法之剖面圖； 圖⑺圖解說明-根據本發明―第：實施例之—透 之一平面圖； r 圖； 圖η圖解說明藉由沿—線B_B，切割圖ig所獲得 之一剖面 圖12至16圖解說明用於报# 4 兄月用於形成根據本發明第二實 明電極之一方法之剖面圖； 彳】之透 圖17圖解說明—根據本發明—第 之一平面圖； 敎透明電極 140498.doc -18- 201004470 圖〗8圖解說明藉由沿—線c_c，切割圖】以斤獲得之—剖面 第三實施例之透 第三實施例之一 圖1 9至22圖解說明用於形成根據本發明 明電極之一方法之剖面圖；及 圖23至25圖解說明用於製造根據本發明 有機發光裝置之一方法之剖面圖。 【主要元件符號說明】 100 基板 200 金屬薄膜圖案 210 下部電極 300a 透明電極圖案 300b 透明電極層 400 絕緣保護層 500 有機材料層 501 電洞注入層 502 電洞傳輸層 503 發光層 504 電子傳輸層 600 上部電極 700 絕緣層

140498.doc •19-

Claims (1)

1. 201004470 七、申請專利範園： 1· 一種光電裝置，其包括·· 一基H屬薄膜圖案’其形成在該基板上·及 透月迅極圖案，其經形成以覆蓋該金屬薄膜圖案， 其中該金屬薄膜安· + . " 、案之一側經形成以曝露至該透明電極 圖案之外部。 2 ·如δ青求項1之光雷梦罢 凌置，其中一絕緣保護層形成在該透 明電極圖案或該金屬，壤4 屬潯膜圖案之一側壁區域及其—頂部 表面之一邊緣區域上。 3· 一種光電裝置，其包括： 一基板； 複數個金屬薄膜圖案，其形成在該基板上； 複數個透明電極圖案’其經形成以與該複數個金屬薄 膜圖案相交；及 一絕緣層，其設置於該等金屬薄膜圖案與該等透明電 極圖案之間以曝露該等金屬薄膜圖案之若干部分。 4.如清求項3之光電裝置，#中—絕緣保護層形成在該透 明電極圖案或該金屬薄膜圖案之一側壁區域及其—頂部 表面之一邊緣區域上。 5·如請求項3之光電其中該等透明電極圖案透過該 等金屬薄膜圖案之該等經曝露部分連接至該等金屬薄膜 圖案。 6_如請求項3之光電裝置，其中該複數個金屬薄膜圖案與 。亥複數個透明電極圖案相交且一個透明電極圖案以彼此 140498.doc 201004470 分離之兩個或更多個點連接至其對應金屬薄膜圖案。 7. —種光電裝置，其包括： 一基板； 一金屬薄膜圖案，其形成在該基板上；及 透明電極圖案，其連接至該金屬薄膜圖案之一側璧 且對應於該金屬薄膜圖案。 8. 如明求項7之光電裝置，其中一絕緣保護層形成在該透 明電極圖案或該金屬薄膜圖案之一側壁區域及其一頂部 表面之一邊緣區域上。 9. 如咕求項7之光電裝置，其中該金屬薄膜圖案具有一為 。亥透明電極圖案之—寬度之大約丨” 〇至大約丨/1⑽之寬 度。 10· -種用於製造一光電裝置之方法，該方法包括： 在一基板上形成一金屬薄膜圖案；及 使用一雷射劃線製程形成連接至該金屬薄膜圖案之一 透明電極圖案。 11·如1求項1〇之方法，其進_步包括在該透明電極圖案或 該金屬薄膜圖案之一側壁區域及其一頂部表面之一邊緣 區域上形成一絕緣保護層。 如。月求項1G之方法，其進_步包括在形成該透明電極圖 案之前，形成一絕緣層以曝露該金屬薄膜圖案之一部 分0 13. 如明求項10之方法’其中使用選自由銀、銅 '金、鎂、 始鈦及其-合金組成之—群組中之一者形成該金屬薄 140498.doc 201004470 膜圖案，該一者具有一溶液或膏類型。 14·如請求項13之方法，其中使用以下方法中之一者形成該 金屬薄膜圖案：一絲網印刷方法、一筆式印刷方法、一 親筒印刷方法及一凹版印刷方法。 、種用於驅動一光電裝置之方法，該光電裝置包括設置 於一基板上之-金屬薄膜圖案及連接至該金屬薄膜圖案 :-透明電極圖案，該方法包括向連接至一透明電極圖 案之—金屬薄膜圖案提供一供應電壓。 1 6.如請求項J5 方兵， ”中藉由向該金屬薄膜圖案提供該 仏應電壓將一電流選擇性 宰之哕傳輸至連接至該金屬薄膜圖 茶之該透明電極圖案。 140498.doc