TW201004468A - Electronic device - Google Patents

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201004468 六、發明說明： [相關專利申請案之參照] 本專利申請案主張德國專利申請案第1〇 2〇〇8 〇25 920.9號與德國專利申請案第1〇 2〇〇8 〇39 361 4號的優 先權，其揭露内容在此引用作為參考。 【發明所屬之技術領域】 、本發明係關於-種電子裝置及用於製造電子裝置的方 法0 【先前技術】 諸如有機發光二極體（organic iight emitting心我 OLED)的電子裝置係由數個功能有機層的序列所組成。因 此，發射層具有摻雜著發射體（emiUer)分子的基質 =atrix)材料。在發射層内，激子（ex_n)絲由電子盘 結合而形成，並藉此導致發光。為了獲得高效率 ^__輸之電子與電洞之間的比例是 輻射二二電洞與電子傳輪間不平衡的比例會導致低 【發明内容】 Π的目標係提出一種電子裝置，在其有機層内具 高：率:的子傳輸以及改良的電荷載子平衡，因此提 〜Μ U的另—目標係提出—種用於製 7法。這些目標係、藉由申請專利範 以及申請專利範圍第14項的用於製造電子= 所達到。置與方法的其他實施例則為其他申請專利範 94686 201004468 圍的目的。 根據實施例，提出一種電子裝置，包括：基板、第一 電極、至少一有機功能層、以及第二電極，其中，該至少 一有機功能層係位於第一電極與第二電極之間。例如，第 一電極可位於基板上；該至少一有機功能層係位於第/電 極上，而第二電極則是位於該至少一有機功能層上。該至 少一有機功能層至少具有第一基質材料、第二基質材料與 第三基質材料’其中，該第一基質材料具有最低未佔用分 子執域（Lowest Unoccupied Molecular Orbital, LUM0)， 其能篁低於弟·一基質材料的LUM0與第一基質材料的 LUM0，而其中’第二基質材料具有最高已佔用分子軌域 (Highest Occupied Molecular Orbital, HOMO)，其能量 高於第一基質材料的HOMO與第三基質材料的HOMO。因此， 所提出的電子裝置在一有機功能層内包括超過兩種不同的 基質材料。藉此可存在三種不同的基質材料，並可視需求 而超過三種。 根據分子執域理論，在一個分子内有數個具有不同能 階酌分子軌域，這些分子執域可被現有的電子佔用。按照 漸增的能階來佔用分子執域。LUM〇是無電子佔用之最低能 量酌分子執域。画〇則是仍有電子佔用之最高能量的分^ 執域。 本發明的電子巢置在有機功能層内具有改良的電荷 載子傳輸與改請電荷載子平衡、以及在電洞與f子的傳 輸之間可調適的比例。例如，選擇第—基質材料以具有大 94686 4 201004468 的能帶隙（band gap)，也就是，HOMO與LUM0之間的差里 •使其H0M0的能量低於其他兩種基質材料的HOMO,而其LUM〇 .的能量高於其他兩種基質材料的LUM0。 此外，第一基質材料可具有LUM0,其能量高於第二基 貝材料的LUM0與第二基質材料的LUM0 ,而第一基質材料 具有homo,其能量低於第二基質材料的肋_與第二美^ 材料的HOMO。 土貝 冉者，該電子裝置中的 • •丞貝材料可具有UJM0,直 能量係高於第三基質材料的LUM〇,而第二基質材料具，、 HOMO,其能量高於第三基質材料的h〇m〇。因此，和苐二與 第三基質㈣相較之下’第-基質材料在麵與 ^ :::具有最大的能帶隙’而第二基質材料具有能帶隙，其 月匕里則是被移位到第三基質材料的能帶隙。以此 ^ 到第三基質材料的L_上’而電洞可傳輪;第二 _上’因為對於_的電荷傳輸而言，在各 種It%下該等能階都是適合的能量。 性，^電子裝置中’第一基質材料可具有電荷載子移動 -基〜弟二與第三基質材料的f荷載子移動性。第 #； Gap, UGH) 能，荷=的編料的能帶w。因此，不可 料可質材料也可包括電洞傳輸材料，而第三基質材 括電子傳輸材料。 電荷載子傳輸’也就是，電洞的傳輪與電子的傳輸， 94686 201004468 特別係根據材料中電洞或電子的移動性、與基質材料之 HOMO與LUM0能階的位置。因此，材料的HOMO與LUM0會 造成電荷載子的注入。 舉例來說，為了從由這三種基質材料所構成的基質内 產生電洞，一定要從HOMO移除電子，這一點對於低能量的 HOMO而言，會比較高能量的HOMO來得困難。因此，具有 比第三基質材料更高之HOMO的第二基質材料，便比第三基 質材料更適合作為電洞傳輸材料。同樣類似的情形是在 LUM0内產生電子，能量較低的LUM0會更適合。因此，具 有比第二基質材料更低之LUM0的第三基質材料，便適合作 為電子傳輸材料。 如果產生了電子與電洞，則材料中該等電荷載子的移 動性便會發生作用。根據材料中這兩個因素的交互作用， 基質材料便有可能用作為電子傳輸材料或是電洞傳輸材 料。雖然另一電荷也會發生電荷載子傳輸，但是一個電荷 載子的傳輸便佔優勢的。如果基質材料中並沒有發生電荷 載子傳輸，如同本發明實施例中的第一基質材料，那麼便 可歸因於並未產生電荷載子、或是該電荷載子不具移動性 的事實。除了第一基質材料以外，其他的基質材料也可存 在於和電荷載子傳輸無關的有機功能層中。 為了選擇作為第一、第二與第三基質材料的適當材 料，可測量材料的HOMO與LUM0能階。因此，材料的HOMO 可藉由循環伏安法（cyc 1 ovo 1 tametry)來判定。能帶隙（也 就是，HOMO與LUM0之間的能量差）也可藉由光譜學 6 94686 201004468 (spectroscopy)的方式來判定，其中，會測量所發光之波 長並藉此計算出產生的激子與能帶隙。然後從已經判定的 HOMO與能帶隙計算出LUM0的能階^ HOMO也可以藉由光電 子光譜學的方式來判定。 電子與電洞的移動性可視分子距離而定，也就是，該 分子距離在個別基質材料中電荷載子的傳輸分子之間的平 均距離。因此，在數種基質材料之混合物中的基質材料濃 度便具有作用。和第二與第三基質材料相較之下，第一基 質材料具有最大的能帶隙與最小的電荷載子移動性，並可 用來分別調整第二與第三基質材料的濃度，以使彼此有所 區別。根據第二與第三基質材料所選擇的濃度，個別分子 之間的距離也會改變。微觀的電荷載子傳輸係根據㈣基 質材料中電職子之傳輸分子之_分子轉，故藉由調 整該濃度’便絕對能將至少具有三種基質材料之基質内電 子與電洞的移動性調整成彼此不同。 以下的方式來判定移動 根據Mi 1 ler與Abraham，可由 性： '一」 在此模型中建立-種固態㈤⑷ 略看出，其上可發現雷广被 ’、 /、]处大 Ί毛現电何載子。各處表示一種月祕能 (localized state)。右.也· 士 種局域心 ... 1/、]處之間的電荷載子傳輸是由 4丨且L來表不。因此，該盥 之間的空間距離與躍遷（t ^ ^禮值係反應各處 r表示)所需的活化能。參數 ?表電域子之電子波函數的錢；而a是平均晶格距 94686 7 201004468 離的參數。聲子頻率^表示電 电何載子旨5式伙一局域態到另 一局域態的次數；盤· + ，玄 耸千頻率h位於將近每秒10i3的範圍 中’並考慮到電子聲子輕合 丁柄 ° (electron phonon coupling) 的強度。 δ； ，該電子褒置也可具有有機功能層，該功能層係選自於 -群組’而該群組包括發射層、電子傳輸層、電洞傳輸層、 電子阻擋層、電洞阻擋層、電洞注人層、電子注入層、曰以 及中間層。中間層係指位於兩發射層之間的層。根據所選 擇之有機魏層的赫'，該等層也可含㈣外的捧雜物。 有機功能層可為發射層，並且摻雜有至少—種發射體材料。 發射體材料可包括小分子或聚合物。發射層中發射體 材料的濃度可高達10 wt%。此外，由於在發射層中的低濃 度，故發射體材料可僅具有低的電荷載子移動性，因此對 於電荷載子傳輸的貢獻不大。 在發射層中，也可能存在兩或三種發射體材料。舉例 來說，發射體材料可以選自於發綠光的Ir(ppy)3(參（2_苯 基吡啶）銥（III)，（tris(2-phenylpyridine)iridium (ΠΙ)))、發紅光的Ir(piq)3(參（1-苯基異喹啉）銥（ΙΠ)， (tris(l-phenylisoguinoline)iridium(III)))、或是發藍 光的iirpic(雙（3, 5-二氟-2-(2-n比啶基）笨基羧基 °比口定基）銥（ΙΠ)，（bis(3,5-difluoro-2-(2-pyridyl) phenyl-(2-carboxypyridy1)iridium(111))))。 在有機功能層中，發射體材料與基質材料的濃度可在 有機功能層内具有梯度（gradient)。例如，在該層第一部 94686 8 201004468 分區域中的發射體材料濃度可高於第二部分層。 , 如果不摻雜發射體材料，便可製造出傳輸層、中間 .層、與阻擋層。 電子裝置内也可以存在數種有機功能層，其中，該等 層可具有不同或相同的功能。例如，電子裝置可具有一序 列的數個功能有機層，其例如由電洞注入層、電洞傳輸層、 第一發射層、中間層、第二發射層、電子傳輸層、與電子 注入層所組成。該等層的各者可具有基質，該基質具有至 少第一、第二與第三基質材料。在各種有機功能層中，可 在所有層中選擇相似或不同的基質材料。 根據發射層位在電子裝置的層堆疊中的位置，如果該 發射層具有第一、第二與第三基質材料的話，便有可能最 佳化該層中電子與電洞的移動性，以與彼此有所區別。也 可以跨越數層來最佳化移動性。 即使具有三種基質材料的發射層係靠近陽極或陰 極，電子與電洞的移動性仍可採取在發射層内平衡電洞與 電子的比例的方式來進行調整。根據要具有較高移動性之 電荷載子的種類，基質可對該個別的基質材料具有較高的 濃度。因此，在該發射層内可形成大量的激子，而與電子 裝置之發射層的位置無關。 如果該有機功能層是具有發射體材料的發射層，則該 發射體材料的LUM0其能量可低於第一、第二與第三基質材 料酌LUM0，而該發射體材料的HOMO其能量可高於第一、

第二與第三基質材料的HOMO。因此，在發射體材料的HOMO 94686 201004468 與LUM0之間的能帶隙係小於該三種基質材料的能帶隙，並 且其能量係位於所有基質材料的所有能帶隙之間。因此， 便可在發射層内達到雙極性的電荷傳輸（ambip〇lar change transport) ° 第二與第三基質材料的分子較佳為只傳輸—種電荷 載子的種類（電洞或電子）；因此，基質材料上並不會形成 激子。以此方式，係延長該等材料的使用壽命，這是因為 不可能發生由於激發能量所導致的退化（degrada1：i〇n)。在 該等基質材料的各種分子之間形成的激發態（激發物）可藉 由能量的傳送，㈣它彳⑽激發能傳送給發射體分子。^ 此，進一步增加電子裝置的效率。 電子裝置也可具有數種發射層，例如，為了在單 置内結合填光性與螢光性的發射體材^接著，便^ 入可具有像是雙贿的電荷傳輪躲的中間層。這可^ 結合三種基質材料來達到。 」猎廷 ㈣在=種基質材料的幫助下，藉由調整電荷载子的3 動性，便有可能有目^ ,, π 了的弃 何 置。該再結合區域可^發射層内再結合區域的位 在發射層㈣料^此分散在—層内錢跨數層。藉廷 子移動性的絕對值何傳輪的第-基質’係降低電 由此便產生再έ士八 係從發射層的邊緣^區域’也就是’鮮形成的區 制是因缝子抑⑼中間。裝置的效率因此而提丨 u. Λ ^ 田射性的淬熄（nonradiating quenching)減少了，

Dj 4有更多的激子形成在實際的^ 94686 10 201004468

層内，而非在相鄰的層中D ，該電子裝置可為一種菸ψΑ_ ^ χ幸备射的裝置，例如，有機發 .光裝置。該發光裝置可枭一接^ 马種有機發光二極體（0LED)。此 外，該電子裝置可包括太陽 此電池或電晶體。例如，該至 少一有機功能層係位於第一鱼 與弟二電極之間的電晶體中。 再者，存在第三電極。該等電核可選自於閘極、源極、| 汲極電極。電晶體可用來切換或增強電訊號。 ，、 纟太陽i電池中’可將光轉換成電能。此時，該有機 '功能層係位於第一與第二電極之間，其中，該等電極之至 少一者係形成為透明的。 該裝置可具有在有機功能層中之第__基質材料，例 如’ mCP(間-雙（Ν-σ卡唾基苯），m_bis (N-carbazolylbenzene));第二基質材料可為電洞傳輪材 料 TCTA(9H-咔唑，9,9 ，9” -(ι，3,5-笨三基）參-(9C1)， 9H_CarbaZ〇le，9,9,，9” -(l,3,5_benzenetriyl)tris_(9 、Cl))，而第二基質材料可為電子傳輸材料，例如，扑丑丄 (1，3,5-參（N-苯基苯甲基味唾-2-基），i，3 5-tris (N-phenylbenzyiimidazol-2-yl))。舉例而言，如果基質 將製備成發射層’則可***黃色的發射體紅發稀 (rubrene，（5, 6, 11，12-四苯基稠四苯，5, 6, u, t etrapheny 1 naphthacene))當作是發射體材料。 此外，本發明也提出具有上述特徵之製造電子裳置的 方法。該方法包括步驟（A)製備一基板；（B)製備第—電極 與第二電極；（C)在第一電極與第二電極之間放置至少—有 94686 11 201004468 機層。例如，該至少一有機功能層可置於第一電極上，而 第二電極則是在該有機功能層上。其中，於步驟（c)中，至 少同時塗敷（apply)第一基質材料、第二基質材料、與第三 基質材料。在步驟（C)中之該塗敷可例如藉由蒸鍍 (evaporation coating)(共蒸發，coevaporation)來完 成。由於塗敷係同時進行，所以可判定個別基質材料的濃 度而與其他基質材料無關，故基質材料可用不同濃度來塗 敷。 【實施方式】 第1圖為電子裝置的侧視示意圖，包括基板10、第一 電極20、發射層30、與第二電極40。例如，第一電極可 為陽極，而第二電極可為陰極。根據基板、第一電極或第 二電極是否形成為透明的，該電子裝置可為底部發射型或 了頁部發射型的裝置，例如，0LED。發射層30可具有第一、 第二、與第三基質材料，並摻雜有發射體材料。 第2圖係以範例顯示一實施例之發射層内個別材料之 能階的示意圖。顯示出第一基質材料30N、第二基質材料 30B、與第三基質材料30A三者的HOMO與LUM0。第一基質 材料具有HOMO,其能量小於第二與第三基質材料的HOMO。 此外，第一基質材料具有LUM0，其能量高於第二與第三基 質材料的LUM0。第二基質材料具有LUM0,其能量高於第三 基贺材料的LUM0，而第二基質材料具有HOMO，其能量高於 第三基質材料的HOMO。因此，與其他兩種基質材料相較之 下，第一基質材料具有較低的電荷載子移動性；第二基質 12 94686 201004468 材料可包括電洞傳輸材料，而第三基質材料包括電子傳輸 , 材料。 .與基質材料相較，發射體材料30E具有HOMO與LUM0, 其具有最小的能帶隙，且該能帶隙係介於該三種基質材料 的LUM0與HOMO之間。 在本示意圖右方顯示的是不同能階的總和。A代表發 生電子傳輸的能階；B代表發生電洞傳輸的能階。dl與d2 表示第一與第二基質材料之LUM0之間的能量距離（dl)、以 及第一與第三基質材料之HOMO之間的能量距離（d2)。而 d3表示發射體材料的能帶隙。如果不使用發射體材料，該 層也可為電荷載子傳輸層、電荷載子注入層、或電荷載子 阻擋層。再者，也可使用數種發射體材料。發射體材料在 發射層中具有小於等於SlOwt%的濃度。 第3圖為電子裝置之另一實施例的側視示意圖，該電 子裝置具有發射層30，電子傳輸層32鄰接在該發射層30 其中一面上，而電洞傳輸層31則鄰接在另外一面。第一電

V 極20是陽極。發射層30、電子傳輸層32、與電洞傳輸層 31可具有基質，係由三種或三種以上的基質材料所組成。 第4圖為模擬0LED中電荷載子的傳輸，其中呈現發 射、電洞傳輸層31、與電子傳輸層32。X軸顯示各層與 陽極D的距離（nm)，而Y軸顯示標準化的再結合率Ra。與 電调傳輸層31與電子傳輸層32相較之下，可觀察出當發 射4 30内電荷載子移動性的絕對值減少時，再結合區域會 從發射層的邊緣移位至中間。這就表示當發射層30内電荷 13 94686 201004468 與31中一減 核擬中^將在發射層中之電子與電洞的移動性視 -相專，也就是，假設雙極性的電荷傳輸。假設尚包括電 入（ohmie injection);料個別的電荷載子類型，兩 曰之_與_之間所有的能量障壁皆為權—。在 圖中’電何載子個別的移動性是以各種線型式表示，單位 為m2/VS;它們在1〇-8與1〇心之間波動。 第5圖為製造該電子裝置之結構的側視示意圖。例 如’在支撐物51上安裝_蒸發源5G，由此可將基質材 2與/或摻雜物蒸發到沈積基板6〇上。為了能夠準確地判 疋基貝材料與/或推雜物的個別濃度，便經由層厚度監測 器5 5^來測量並調整蒸發率。層厚度監測器可例如是振盘器 用石英（osci 1 lator quartz)。 例如根據第5圖的結構，便可製造出發射層，該發射 層包含.第一基質材料，包括mCp(間―雙（^―咔唑基笨）， m bis(N-carbazolylbenzene))，並以 3. 8 Λ/s 的蒸發率 塗激，第二基質材料，即電洞傳輪材料，可為Τ(^ΤΑ(9Η_σ卡 上，9’9 ，9 -(1,3,5-本二基）參-9(HCl)，9H-carbazole， 9,9’，9” -(l，3,5-benzenetriyl)tris-(9Cl)),並可以 8 A /s的蒸發率塗敷。第三基質材料，即電子傳輸材料，可 例洳為TPBK1，3, 5-參（N-苯基苯甲基咪唑_2-基）， l，3.5-tris(N-phenylbenzylimidazol-2-yl)，&w8A/s 的蒸發率塗敷。可引進黃色的發射體紅螢烯（5, 6, 11，12- 94686 201004468 四苯基稠四苯 5, 6, 11，12-tetraphenylnaphthacene)，例 • 如，作為發射體材料，並可以0. 2 A /s的蒸發率塗敷。，、, ^ 此方式’便製造出具有40%體積濃度之電荷載子傳輪特 料、與1%體積濃度之發射體的層。該等材料的HOMO與LUM0 係表示於表1。TCTA、TPBi、與mCP的HOMO值係藉由紫外 線光電發射光譜學（UV photoemission spectroscopy)來判 疋，將吸收所需的能置加到該homo值來估算相對應的lum〇 值。紅螢烯的HOMO與LUM0值則是藉由循環伏安法與光電 子光譜學來判定。 表1 HOMO(eV) LUMO(eV) mCP -5. 9 -2.4 TCTA -5. 7 -2. 3 TPBi ~6. 3 -2. 8 紅螢烯 -5. 5 ~3. 0 鍵值（key) : 1 紅螢烯 與其他的基貝材料相較，第二基質村料TPB丨具有最 低的LUM0值，故為電子傳輸材料。與其他的基質材料= 較，第二基質材料TCTA具有最高的Η0Μ0值，故為電洞傳 輪材料。第一基質材料‘？並沒有參與電荷載子傳輪，這 是因為它的L圓未低於第三基質材料的LUM()，而^腦〇 並未高於第二基質材料的homo。 以下是其他可能的電洞傳輸材料： 94686 15 201004468 NPB N,N-雙（伸萘-1-基）-N，N’ -雙（苯基）聯笨胺 (N，N’ -bis(naphthalen-l-yl)-N，N，-bis(p heny1)benzidine) TCTA 4,4’，4” -參-(味°坐-9-基）三苯胺 (4,4’，4” -tris(carbazol-9-yl)triphenyl amine) CPB 4,4’ -雙（咔唑-9-基）聯苯（4, 4’ -bis (garbazol-9-yl)biphenyl) 1T-NATA 4,4’，4” -參（N-(l-萘基）-N-苯基胺基）三苯 胺（4,4’，4”-1：1^3(1'1-(1-11&口11(：11丫1)-]''1-pheny1 am i no)tr i pheny1 am i ne) 8?11'〇-丁人0 2,2’，7,7’-肆（1^，^二苯基胺基）-9,9’-螺 聯 g(2,2’ ，7,7’ -tetrakis (N,N-diphenylaraino)-9, -spirobifluore ne) 至於電子傳輸材料也可使用下列材料： TPBi 2,2’，2” -(1，3,5-苯三基）參-(1-苯基-1—11-苯并 咪0坐）（2,2，，2”-(1，3,5-56]^61161；1^71)1：1^3 (1-pheny1-1-H-benzimidazole)) TAZ 3-(4-聯苯）-4-苯基-5-第三丁基苯基-1，2, 4-*** (3-(4-bipheny1)-4-phenyl-5-tert-butylpheny1 -1,2, 4-triazole) AIq3 參（8-¾基喧琳）|呂（tris(8-hydroxyquinolinato) aluminum) BCP 2, 9-一 甲基-4, 7-二苯基-1，i〇-_^(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,1O-phenanthrol ine) NTAZ 4-(伸萘-1-基）-3, 5-二苯基-4H-1, 2, 4-*** (4-(naphthalen-l-yl)-3,5-dipheny1-4H-1,2,4-triazole)

Balq雙（2-曱基-8-羥基喹啉）-4-(苯基酚）鋁（bis(2 — methy1-8-quinolino1ate)-4-(pheny1 phenolato) aluminum) 與其他基質材料相較，因為第一基質材料具有最低的 16 94686 201004468 電荷載子移動性，故可使用下列材料： UGH-2 1，4-雙（三苯基矽基）苯 (1,4-bis(triphenyl silyl)benzene) UGH-3 1,3-雙（三苯基矽基）苯 (1，3-bis(triphenyl silyl)benzene) mCP 1，3-雙（咔唑-9-基）苯 (1,3-bis(carbazol-9-yl)benzene)

UGH-2 與 UGH-3 的 HOMO 具有-7, 2±0. lEv 的值，而 LUMO 具有2. 8 eV的值。該等HOMO值可藉由光電子光譜學來判 定；而LUM0值可從吸收與螢光光譜交集處的homo值與 LUM0值的距離來估算。 以下為可能的發射體材料：

Ir(ppy)3 參（2-苯基吡啶）銥（III)(tris (2-phenylpyridine)iridium(III))

Ir(ppy)2雙（2-苯基。比啶）（乙醯丙銅）銥（II)(acac) (bis(2-phenylpyridine)(acetylacetonate) iridium(II)(acac))

BczVBi 4, 4，’ _雙（9-乙基-3-咔唑并伸乙烯基）-1,1 -聯笨（4, 4’ -bis(9-ethy 1-3-carbazovinylene)-l, Γ -biphenyl)

MrPic 雙（3, 5-二氟-2-(2-吡啶基）苯基）-(2-羧基 '7比口疋基）銀（111)(1^5(3,5-(11$111〇1'〇-2- (2-pyridy1)phenyl-(2-carboxypyridy1)ir 狄 idiumCI11)) 烯，苯基稠四苯（tetraphenyl naphthacene) k(pig)3參（卜笨基異喹啉）銥（In)(；tris (1-phenylisoquinoline)iridium(111)) 该等發射體材料是小型的非聚合物分子。但是聚合的 發射體材料也是可行的。 以下為其他可用的材料’根據其H〇M〇與LUM〇彼此間 17 94686 201004468 的相互位置，可用作為第一、第二或第三基質：

Bphen 4，7-二苯基-1，10-啡琳（4,7-(110]^1!71-1,10-phenanthroline) DPAVBi 4, 4’ -雙（2-4-(N, N-雙苯基胺基）笨基）乙烯 基）聯苯（4,4’-1315(2-(4-(队^ diphenyl ami no)pheny1)vinyl) biphenyl)

CuPC 鈦青素銅錯合物（Phthalocyanine copper complex)

S-DPVBi 2,2’，7, 7’ -肆（2,2-二苯基乙烯基）螺 -9, 9’ -聯莓 CPF (2, 2? ,7,7^ -tetrakis(2, 2-diphenylviny 1) spiro-9,9’ -bifluorene CPF) TAPC 1, 1-雙（4-雙（4-曱基苯基）胺基笨基）環己烷 (1, l-bis(4-bis(4-methylpheny1)aminophenyl) cyclohexane) TBADN 9, 10-雙（2-萘基）-2-第三 丁基蒽（9, 10-bis (2-naphthyl )-2-t-butylanthracene) TPD N, N, Ν’ ，N’ -四苯基聯苯胺 (N，N，Ν’，Ν’ -tetraphenyl benzidine) 該等電子與電洞傳輸材料中，有部分亦可用作為第一 基質材料。三種結合在一起之材料之LUM0與HOMO的相對 比例、以及彼此間的位置，對於作為基質的第一、第二與 第三基質材料的編輯（comp i 1 at i on)是很重要的。 因為化學相容性的關係，並不能任意選擇磷光性發射 體的基質。紅色的發射體iridium(III)bis (2-methyldibenzo[f, h]quinoxaline)acetylacetonate) 僅可在NBP基質内才具有效率；然而，NPB卻是電洞傳輸 材料。如果在陽極面上也有另一發射體層，則電子的供應 便會不足。藉由摻雜，例如，BCP的電子傳輸材料，便可 18 94686 201004468 調整相關的傳輸特性。使用UGH4係精細協調該等傳輸特 性。 於圖式和實施例範例中展示的實施例可被任意變 化。也應明白的是本發明並不限定於該等範例，而允許有 並未列於本文的其他發展結果。 【圖式簡單說明】 以上實施例即配合下列所述之圖式來對本發明作更進 一步詳細的說明： 第1圖為電子裝置的側視示意圖； 第2圖為各種基質材料之能量狀態的示意圖； 第3圖為電子裝置的側視示意圖； 第4圖為模擬發射層中電荷載子的移動性；以及 第5圖為製造具有數基質材料之層的示意結構。 【主要元件符號說明】 10 基板 20 第一電極 30 發射層 30A 第三基質材料 30B 第二基質材料 30E 發射體材料 30N 第一基質材料 31 電洞傳輸層 32 電子傳輸層 40 第二電極 50 蒸發源 51 支撐物 55 層厚度監測器 60 沈積基板 dl 第一與第二基質材料之LUM0之間的能量距離 d2 第一與第三基質材料之HOMO之間的能量距離 d3 發射體材料的能帶隙 39 94686

Claims (1)

1. 201004468 七、申請專利範圍： 1. 一種電子裝置，包括： 基板； 第一電極； 至少一有機功能層；以及 第二電極，其中，該至少一有機功能層係位於該第 一電極與該第二電極之間，以及其中，該至少一有機功 能層具有至少一第一基質材料、第二基質材料、與第三 基質材料’且該苐二基質材料具有隶低未佔分子執域 (LUM0)，其能量低於該第二基質材料的LUM0和該第一 基質材料的LUM0 5以及其中’該第二基質材料具有最 高已佔分子軌域（HOMO)，其能量高於該第一基質材料的 HOMO和該第三基質材料的HOMO。 2. 如申請專利範圍第1項的電子裝置，其中，該第一基質 材料具有LUM0,其能量高於該第二基質材料的LUM0和 該第三基質材料的LUM0，且該第一基質材料具有 HOMO，其能量低於該第二基質材料的HOMO和該第三基 質材料的HOMO。 3. 如申請專利範圍第1項或第2項的電子裝置，其中，該 第二基質材料具有LUM0，其能量高於該第三基質材料 的LUM0，且該弟二基質材料具有HOMO ’其能量局於該 第三基質材料的HOMO。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項的電子裝置， 其中，該第一基質材料具有電荷載子移動性，係低於該 20 94686 201004468 弟二與第三基質材料的電荷載子移動性。 5·如申請專利範圍第！項至第 6如其中’該第二基質材料包括電：:料項的電子裝置’ .其中至第5項中任-項的電子裝置， 7 “ —基貝材料包括電子傳輪材料。 • 凊專：範圍第1項至第6項中任一項的 ，、中，该有機功能層係選自於一 分 乂 擋層、=ΓΓ輪層、電子阻擋層、電润阻 包而左入層、電子注入層、 δ·如申請專利範圍第〗項至第 曰^。 其中，該有機功能層為發射層，並摻項的電子裝置， 材料。 雜有至少一發射體 9·如申請專利範圍第δ項的電子裝置， 1〇的發f體材料具有小於或等於ίο重量％的濃^發射層内 •如申请專利範圍第9項的電 中辰又 】的發射體材料的_度具有梯度|中，該發射層内 〗’=1利範圍第8項至第】。項中任—項的電子裝 第二盘第二材料的咖之能量低於該第一、 之能量高:;Γ細：’且該發射體材料的_ ]2·如申請=二、弟二與第三基質材料的咖。 %專利_第丨項至第u項中任— ，係建構為輻射發出裝置。 、、私、 认如申請專利範圍第〗項至第 置，其中，該裝置_自於ϋ ^項的電子裝 群通，而该群組包括有機 94686 21 201004468 發光裝置、太陽能電池、與電晶體。 14. 一種用於製造如申請專利範圍第1項至第13項之電子 裝置的方法，其步驟為： (A) 製備基板； (B) 製備第一電極與第二電極； (C) 在該第一電極與該第二電極之間放置至少一有 機功能層，其中，於步驟（C)中，至少同時塗敷該第一 基質材料、第二基質材料、與第三基質材料。 15. 如申請專利範圍第14項的方法，其中，在該方法的步 驟（C)中，該第一基質材料、第二基質材料、與第三基 質材料係藉由蒸鑑而塗敷。 94686