TW200929643A - Touch panel, method for making the same, and displaying device adopting the same - Google Patents

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200929643 .九、發明說明： .【發明所屬之技術領域】 本發明涉及一種觸摸屏、觸摸屏的製備方法及使用該 觸摸屏的顯示裝置，尤其涉及一種基于奈米碳管的觸摸 屏、該觸摸屏的製備方法及使用該觸摸屏的顯示裝置。 【先前技術】 近年來，伴隨著移動電話與觸摸導航系統等各種電子 設備的高性能化和多樣化的發展，在液晶等顯示元件的前 Ο 面安裝透光性的觸摸屏的電子設備逐步增加。這樣的電子 設備的利用者通過觸摸屏，一邊對位于觸摸屏背面的顯示 元件的顯示内容進行梘覺確認，一邊利用手指或筆等方式 按壓觸摸屏來進行操作。由此，可以操作電子設備的各種 功能。 按照觸摸屏的工作原理和傳輸介質的不同，先前的觸 摸屏通常分爲四種類型，分別爲電阻式、電容感應式、紅 A外線式及表面聲波式。其中電阻式觸摸屏的應用最爲廣 ❹ 泛，請參見文獻 “Production of Transparent Conductive Films with Inserted Si02 Anchor Layer, and Application to a Resistive Touch Panel” Kazuhiro Noda, Kohtaro Tanimura. Electronics and Communications in Japan, Part 2，Vol.84, P39-45(2001)。 先前的電阻式觸摸屏一般包括一上基板，該上基板的 下表面形成有一上透明導電層；一下基板，該下基板的上 表面形成有一下透明導電層；及多個點狀隔離物（Dot 200929643 • Spacer)設置在上透明導電層與下透明導電層之間。其中， 該上透明導電層與該下透明導電層通常采用具有導電特 性的銦錫氧化物（lndium Tin Oxide，ITO)層（下稱ιτο層）。 當使用手指或筆按壓上基板時，上基板發生扭曲，使得按 壓處的上透明導電層與下透明導電層彼此接觸。通過外接 的電子電路分別向上透明導電層與下透明導電層依次施 加電壓，觸摸屏控制器通過分別測量第一導電層上的電壓 變化與第二導電層上的電壓變化，並進行精確計算，將它 轉換成觸點坐標。觸摸屏控制器將數字化的觸點坐標傳遞 給中央處理器。中央處理器根據觸點坐標發出相應指令， 啓動電子設備的各種功能切換，並通過顯示器控制器控制 顯示元件顯示。 、先前的電阻式觸摸屏的製備方法通常係釆用離子束 濺射或蒸鍍等工藝在上下基板上沈積一層IT〇層作爲透明 導電層，在製備的過程，需要較高的真空環境及需要加熱 ❹到200〜30CTC，因此’使得ΙΤ〇層的製備成本較高。此外， ΙΤ〇層作爲透明導電層具有機械性能不够好、難以彎曲及 阻值分布不均勻等缺點。另外，ιτ〇在潮濕的空氣中透明 度會逐漸下降。從而導致先前的電阻式觸摸屏及顯示裝置 存在耐用性不够好，靈敏度低、線性及準確性較差等缺點。 有鑒于此確有必要提供一種耐用性好，且靈敏度高、 線性及準確性强的觸摸屏及顯示裝置，及一種方法簡單、 成本低的觸摸屏的製傷方法及使用該觸摸屏的顯示裝置。 【發明内容】 200929643 一一種觸摸屏，包括：一第一電極板，㈣一電極板包 .面.及一基體及—第一導電層設置在該第一基體的下表 二第二電極板’該第二電極板與第-電極板間隔設 ，第電極板包括一第二基體及一第二導電層設置在 ^一基體的上表面；其中，上述第—導電層和第二導電 個導電層包括一奈米碳管層，該奈米碳管層 包括夕個相互纏繞的奈米碳管。 〇碳管：以下步驟:提供一奈米 管原料H Γ 絲；絮化處理上述奈米碳 狀::：進Γ 管絮狀結構，通過對該奈米碳管絮 ’分別在上述第一基體和第二基體表面形 成第一導電層和第二導電層；在 :第第::：，在所述第二導電層上設置兩個第= 極板門隔2和第—電極板，並將該第—電極板和第二電 使上述第一導電層和上述第二導電層相 ©對5又置，從而得到一觸摸屏。 -電：裝置，包括：一觸摸屏，該觸摸屏包括-第 及第莫當第—電極板，該第一電極板包括-第-基體 及一第一導電層設置在該第一基體的下表面 3第-電極板間隔設置，且包括一第二基體及一； 電層设置在該第二基體的上表面；及一顯示 設備正對且靠近上述觸摸缸° ^ 述第-導電層和第二置；其中，上 乎破其恳電層中的至少一個導電層包括一夺 層’該奈米碳管層包括多個相互纏繞的奈米碳管Ϊ 200929643 與現有技術相比較，本技術方案實施例提供的采用奈 米碳管層作爲透明導電層的觸摸屏、觸摸屏的製造方法i 顯f置具有以下優點：其一，由于奈米碳管在所述的奈 米碳管層中通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞，形成網絡狀 結構’從而使得上述的奈米石炭管層具有較好的機械强度和 韌陡故，采用上述的奈米碳管層作透明導電層，可以相 應的提高觸摸屏的耐用性，進而提高顯示裝置的耐用性； $—，上述奈米碳管層中的奈米碳管薄膜包含多個奈米碳 管，^上述的奈求碳管在每一奈米碳管薄膜中各向同性、 均勻刀布、、無規則排列，形成大量的微孔結構，微孔孔徑 小于10微米。故，釆用上述的奈米碳管層作透明導電層， 可使得透”電層具㈣W阻值分布和較好的透光曰特 性，從而提高觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置的分 和精確度。 【實施方式】 以下將結合附圖詳細說明本技術方案提供的觸 觸摸：的製備方法及使用該觸摸屏的顯示震置。觸摸屏 /閱圖1及圖2,本技術方案實施例提供一 Γ4=:Γ10包括一第一電極板12,-第二電極板 明點狀隔離=Γ6電極板12與第二電極板14之間的多個透 ⑵及該^—電極板12包括一第一基體120，—第一導電詹 第—t兩個第一電極124。該第一基體120爲平面結構，該 ”層122與兩個第一電極124均設置在第—基體 200929643 =的/表面。兩個第-電極124分別設置在第一導電層 122沿第—方向的兩端並盥第一導電屏φ $ & 曰 二電極板u包括一第電連接。該第 個第二電極144。/第:其體::第二導電層142及兩 電層um兩個第%^ 〇爲平面結構，該第二導 弟-電極144均設置在第二基體140的上 。兩個第二電極144分別設置在第二導電層142沪第 :方向㈣端並與第二導電層142電連接。該第—方㈣ Ο ❹ t該弟一方向，即兩個第-電㊣124與兩個第二電極144 正父设置。其中’該第一基體12〇爲透明的且具有一定 軟度的薄膜或薄板，該第二基體14〇爲透明基板，該第二 基體14G的材料可選擇爲玻璃H金⑽及塑料等硬 性材料或柔性材料。所述第二基冑14〇主要起支撑的作 用該帛電極124與該第二電極144的材料爲、太 米碳管薄膜或其他導電材料，只要確保導電性即可。本: 施例中1第-基體携爲聚酷膜，該第二基體14〇爲^ 璃基板’該第一電極124與第二電極144爲導電的銀漿層。 進步地’該第二電極板14上表面外圍設置有一絕緣 層18。上述的第一電極板12設置在該絕緣層18上，且該 第一電極板12的第一導電層122正對第二電極板14的第 二導電層142設置。上述多個透明點狀隔離物16設置在所 述第一導電層122和第二導電層142之間，且該多個透明 點狀隔離物16彼此間隔設置。第一電極板ι2與第二電極 板14之間的距離爲2〜10微米。該絕緣層18與透明點狀 隔離物16均可采用絕緣透明樹脂或其他絕緣透明材料製 200929643 •成。設置絕緣層18與點狀隔離物16可使得第一電極板 •與第二電極板12電絕緣。可以理解，當觸摸屏1〇尺寸較 小時，點狀隔離物16爲可選擇的結構，只需確保第一電極 板14與第二電極板12電絕緣即可。 該第一導電層122與第二導電層142中的至少一個導 電層包括一奈米碳管層。進一步地，該奈米碳管層可以爲 -個奈米碳官薄膜’該奈米碳管薄膜包括相互纏繞的奈米 碳管’所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞， 形成網絡狀結構。所述奈米碳管薄膜中，奈米碳管爲 同性:均句分布，無規則排列，形成大量的微孔結構，微 孔孔徑小于10微米。上述奈米碳管層的長度和寬度不限， 可根據實際需要製成具有任意長度和寬度的奈米碳管層。 =外，上述奈米碳管層的厚度也不限，在確保透光性的前 提下，可根據實際需要製成具有任意厚度的奈米碳管層。 上述奈米碳管薄膜中的奈采碳管包括單壁奈米碳管、雙壁 ❹”管和多壁奈米碳管中的一種或多種。所述單壁奈米 5官的直徑爲0.5奈米〜50奈米。所述雙壁奈米碳管的直 技爲1.0奈米〜50奈米。所述多壁奈米碳管的直徑爲15奈 米〜50奈米。 ^由于奈米奴官相互纏繞，因此所述奈米碳管薄膜具有 报好的勤性，可以彎曲折叠成任意形狀而不破裂。本技術 方案實施例中的奈米碳管薄膜爲一平面結構。 ^另外該第一電極板12上表面可進一步設置一透明保 蒦膜126，該透明保護膜126可由氛化石夕、氧化石夕、苯丙 11 200929643 •環丁烯（BCB)、聚酯及丙烯酸樹脂等材料形成。該透明保 •濩膜126也可采用一層表面硬化處理、光滑防刮的塑料 層，如聚對苯二曱酸乙二醇酯（PET )膜，用于保護第一 電極板12，提高耐用性。該透明保護膜126還可用于提供 一些其它的附加功能，如可以减少眩米或降低反射。 ❹ 此外，可選擇地，爲了减小由顯示設備產生的電磁干 擾，避免從觸摸屏1〇發出的信號產生錯誤，還可在第二基 體⑽的下表面上設置一屏蔽層（圖未示）。料蔽層可^ 銦錫氧化物（ITO )薄膜、録錫氧化物（AT〇 )薄膜、錄金 薄膜、銀薄膜或奈米碳管層等透明導電材料形成。本實施

例中，所述的屏蔽層包含一太丰# Μ — W 膜中的太丰^ 3 I未石厌官薄膜’該奈米碳管薄 Ί不未石厌吕的排列方式不限，可爲各向同性，均句分 :規騎列也可爲其它的排財式m μ八太〃 f屏蔽層中的奈米碳管各向同性， =二刀，…、規則排列。該奈米碳管薄膜作爲雷接从 起到屏蔽的作用，從而使彳旱 、^接也點， 工作。 而•職屏1G能在無干擾的環境中 種製備上述觸 摸屏^Γ3,本技㈣較施例提供一 接屏10的方法，具體包括以下步驟. 步驟.提供-奈米碳管原 — 體。 及第一基體和第二基 所述奈米碳管原料的獲得 首弈，担也 ^ ^ π Μ卜步驟： 于一基底，優選 地 ’、不、米碳管陣列形成 該陣列爲超賴奈米碳管陣列。 12 200929643 ..本技術方案實施例提供的奈米碳管陣列爲單壁奈米碳 •管陣列、雙壁奈米碳管陣列及多壁奈米碳管陣列中的二種 或多種。本實施例中，超順排奈米礙管陣列的製備方法采 用化學氣相沈積法，其具體步驟包括··（a)提供一平整基 底’該基底可選P型型石夕基底，或選用形成有氧化 層的石夕基底’本實施例優選爲采用4英寸的石夕基底；⑴ 在基底表面均勻形成一催化劑層，該催化劑層材料可選用 鐵（Fe)、# (Co)、錄（Ni)或其任意組合的合金之一； ❹（c)將上述形成有催化劑層的基底在700〜9〇(Tc的空氣中 退火約30分鐘〜9〇分鐘；（d)將處理過的基底置于反應爐 =，在保護氣體環境下加熱到5〇〇〜74(rc，然後通入碳源 氣體反應約5〜30分鐘，生長得到超順排奈米碳管障列， 其局度爲200〜400微米。該超順排奈米碳管陣列爲多個彼 此平订且垂直于基底±長的奈米石炭管形成的纯奈米碳管陣 列。通過上述控制生長條件，該超順排奈米碳管陣列中基 ❹本不含有雜質，如無定型碳或殘留的催化劑金屬顆粒等。 該奈米石厌官陣列中的奈米碳管彼此通過凡德瓦爾力緊密接 觸形成二車列。該奈米碳管陣列與上述基底面積基本相同。 其次，木用刀片或其他工具將上述奈米碳管陣列中的 奈米碳官從基底刮落，獲得一奈米碳管原料，其中上述奈 米反S在疋程度上保持相互纏繞的狀態。所述的奈米碳 管原料中，奈米碳管的長度大于1〇微米。 本實施例中碳源氣可選用乙炔、乙烯、曱烷等化學性 質杈活潑的碳氫化合物，本實施例優選的碳源氣爲乙快； 13 200929643 保°蔓氣體爲乳氣或惰性氣體 氬氣。 本實施例優選的保護氣體爲 可以理解，本實施例提供的奈米碳管陣列不限于 I備方法。也可爲石黑责枚— a 發沈積法等。 電極恒流魏放電沈積法、雷射蒸 ❹ “所述第-基體120和第二基體14〇的材料爲玻璃、石 央金剛石及塑料等硬性材料或柔性材料。本實施例中， 該第-基體12〇爲聚酯膜，該第二基體ug爲玻璃基板。 步驟二：絮化處理上述奈米碳管原料，獲得 管絮狀結構’通過㈣奈米碳狀結構特處理= 在上述第一基體120和第二基體14 142。 風弟導電層 ⑴所述絮化處理上述奈米碳管原料的步驟爲將上述奈米 碳管原料添加到-溶劑中通過超聲波分散處理或高强产檀 拌等方法來處理所述奈米碳管原料，獲得-奈米碳管^狀 ❹結構。本技術方案實施例中，所述溶劑可選用水、易揮 的有機溶劑等。優選地，本技術方案實施例采 ^ 聲波分散所述奈米碳管原料10〜30分鐘。由于奈米碳管^ 有極大的比表面積，相互纏繞的奈米碳管之間具有較大的 凡德瓦爾力。上述絮化處理並不會將該奈米碳管原料中的 ^碳管完全分散在溶劑中，奈米碳管之間通過凡德瓦爾 刀相互吸引、纏繞，形成網絡狀結構。 本技術方案實施例中，所述通過對上述奈米碳管絮狀 結構進行處理形成第一導電層122和一第二導電層142的 200929643 .步驟包括以下兩種形成方式：其一，通過抽濾的方式獲得 一奈米碳管層；將所述奈米碳管層粘結在所述第一基體 120和第二基體140表面形成上述第一導電層122和第二 導電層142。其二，分離所述奈米碳管絮狀結構；將上述 奈米碳管絮狀結構按照所述第一基體12〇和第二基體14〇 的形狀攤開在所述第一基體120和第二基體ι4〇上，施加 一定壓力于攤開的奈米碳管絮狀結構；及，將該奈米碳管 絮狀結構中殘留的溶劑烘乾或等溶劑自然揮發後形成上述 ❹第一導電層122和第二導電層142。 本技術方案實施例中，所述的直接通過抽濾的方式獲 得一奈米碳管層的步驟具體包括以下步驟：提供一微孔濾 膜及一抽氣漏斗；將上述含有奈米碳管絮狀結構的溶劑經 過該微孔濾膜倒入該抽氣漏斗中；抽濾並乾燥後獲得一奈 米碳管層。該微孔濾膜爲一表面光滑、孔徑爲〇.22微米的 濾膜。由于抽濾方式本身將提供一較大的氣壓作用于該奈 ❹米碳管絮狀結構，該奈米碳管絮狀結構經過抽濾會直接形 成一均勻的奈米碳管層。且，由于微孔濾膜表面光滑，該 奈米碳管層容易剝離。該奈米碳管層可通過粘結劑粘結在 所述第一基體120和第二基體140表面。 本技術方案實施例中，所述的分離奈米碳管絮狀結構 的步驟具體包括以下步驟：將上述含有奈米碳管絮狀結構 的溶劑倒入一放有濾紙的漏斗中；靜置乾燥一段時間從而 獲得一分離的奈米碳管絮狀結構。上述的奈米碳管在奈米 碳官絮狀結構中相互纏繞成不規則的絮狀結構。 15 200929643 可以理解，也可將分離後的奈米碳管絮狀結構攤開在 -一基板上，施加一定壓力于攤開的奈米碳管絮狀結構，及， 將該奈米碳管絮狀結構中殘留的溶劑烘乾或等溶劑自然揮 發後形成-奈米碳管層，然後將該奈米碳管層切割成基體 大小形狀的奈米碳管層，分別枯結在所述第一基體⑽和 第二基體140上形成上述第一導電層122和第二導電芦 142 〇 彳以理解’本技術方案實施例可通過控制該奈米碳管 絮狀結構攤開的面積來控制該奈米碳管薄膜的厚度和麵密 度。奈米碳管絮狀結構攤開的面積越大，則該奈米碳管薄 膜的厗度和麵岔度就越小。施加的壓力的大小可控制上述 絮狀結構攤開面積的大小。進一步地，還可對上述的奈米 碳管薄膜進行切割，從而形成一預定形狀的奈米碳管層。 所述奈米碳管薄膜的厚度爲0.5奈米-loo微米。 本實施例中，所述奈米碳管薄膜的長度爲3〇厘米，寬 ❾度爲30厘米，厚度爲1微米，所述奈米碳管薄膜的微觀形 貌請參閱圖4,且’該奈米碳管薄膜包括相互纏繞的奈米 碳管。 /、. 本技術方案實施例製備的奈米碳管層中包括相互缠繞 的奈米碳管，所述奈米碳管之間通過凡德瓦爾力相互吸 引、纏繞，形成網絡狀結構，因此該奈米碳管層具有报好 的韌性。在該奈米碳管層中，奈米碳管爲各向同性，均勾 分布’無規則排列，形成大量的微孔結構’微孔孔徑小于 W微米。 16 200929643 • 步驟三：在上述第一導電層122上設置兩個第一電極 -124 ’在上述第二導電層142上設置兩個第二電極144，形 成第一電極板12和第二電極板14，並將上述第一電極板 12和第二電極板14間隔設置，且使上述第一導電層122 和上述第二導電層142相對設置，從而得到一觸摸屏1〇。 本技術方案實施例中，所述兩個第一電極124和兩個 第電極144均爲導電的銀聚層。所述兩個第一電極la 兩個第二電極144的形成方法爲：采用絲網印刷、移印 或噴塗等方式分別將銀漿塗覆在所述第一導電層142沿第 /一方向的兩端及第二導電層142沿第二方向的兩端f然 後，將第一電極板和苐二電極板分別放入烘箱中烘烤ι〇_卯 分鐘使銀漿固化，烘烤溫度爲1〇(rc_12〇〇c，即可得到所述 第一電極124及所述第二電極144。上述第一方向垂直于 上述第二方向，即兩個第一電極124與兩個第二電極144 正交設置。

可°又置在上述絕緣粘合劑所在區域之外的可視區 内，以確保上述第一 該透明保護膜126 的塑料層，如聚對苯二 電極板12和第二電極板14電絕緣。 6可爲一層表面硬化處理、光滑防刮 二甲酸乙二醇酯（PET)膜，用干伴 用于保 17 200929643 護第一電極板12，提高耐用性。本技術方案實施例♦，該 透明保s蒦膜126采用有枯性的PET膜，該PET膜可直接枯 附于觸摸屏表面用作透明保護臈。 請參閱圖5,本技術方案實施例還提供一使用上述觸摸 屏10的顯示裝置100，其包括上述觸摸屏1〇及一顯示設 備20。該顯示設備20正對且靠近上述觸摸屏1〇的第二電 極板14設置。該觸摸屏10可以與該顯示設備2〇間隔一預 疋距離β又置，也可集成在該顯示設備2〇上。當該觸摸屏 10與該顯示設備20集成設置時，可通過粘結劑將該觸摸 屏10附著到該顯示設備20上。 本技術方案顯示設備20可以爲液晶顯示器、場發射顯 示器、電_示器、電致發光顯示器、真空螢光顯示器及 陰極射線管等顯示設備。 進一步地，當在該觸摸屏10第二基體14〇的下表面上 設置-屏蔽層22時，可在該屏蔽層22遠離第二基體⑽ ❾的表面上設置-鈍化層24，該鈍化層24可由氮化石夕 切等材料形成。該鈍化層24與顯示設備2()的正面間隔 -間隙26設置。該純化層24作爲介電層 護 顯示設備20不致于由于外力過大而損壞。 佯善該 -中另:處裝/ 1〇0進一步包括-觸摸屏控制器3〇、 中央處理15 40及-顯示設備控制器50。其中，該觸握 該中央處理器4〇及該顯示設備控制器5。三 電連接Si互連接，該觸摸屏控制器3〇與該觸摸屏20 連帛該,4不設備控制器5〇與該顯示設備2〇電連接。 18 200929643 .==器30通過手指等觸摸物6〇觸摸的 .Π〇 =Γ信息輪入’並將該信息傳遞給中央處理 器=該中央處理器40通過該顯示器控制器5 不兀件20顯示。 χ ‘…貝 使用時’在第__電極板12中的第—電極之間及在第二 電極板14中的第二電極之时時施加5ν㈣。使一 邊視覺確認在觸摸屏1G下面設置的顯示元件Μ的顯矛， 一邊通過觸摸物60如手指或筌柢厭雜 如于才曰次筆按壓觸摸屏10第一電極板 ❹ 12,曰進仃刼作。第一電極板12中第一基體12〇發生膏曲， 使得按壓處70的第一導電層122與第二電極板14的第二 :::!42接觸形成導通。觸摸屏控制器3〇通過分別測量 -導電層122第一方向上的電壓變化與第二導電層“a ==向上的電墨變化，並進行精確計算，將它轉換成觸 ，坐“。龍屏控制器30將數字化的觸點坐標傳遞給令央 處理器40。中央處理器4()根據觸點坐標發出相應指令， 啓動電子設備的各種功能切換’並通過顯示器控制器％ 控制顯示元件20顯示。 與現有技術相比較，本技術方案實施例提供的采用奈 未碳管層作爲透明導電層的觸摸屏、觸摸屏的製造方法及 顯Γ裝置具有以下優點：其一，由于奈米碳管在所述的奈 米碳管層中通過凡德瓦爾力相互吸引、纏繞，形成網絡狀 結構’從而使得上述的奈米碳管層具有較好的機械强度和 勤!生，故’采用上述的奈米碳管層作透明導電層，可以相 應的提高觸摸屏的耐用性，進而提高顯示裝置的耐用性； 19 200929643 .其二’上述奈米碳管層t的奈米碳管薄臈包含多個 .管’且上述的奈米碳管在每一奈米碳管薄膜中各向二-均勾分布、無規則排列，形成大量的微孔結構，微孔孔押 小于二微米。故，釆用上述的奈米碳管層作透明導電層： 可使得透明導電層具有均句的阻值分布和較好的透^特 性’從而提高觸摸屏及使用該觸摸屏的顯示裝置的分辨率 和精確度。其三，由于奈米碳管中 ^ S Τ扪不木石反官溥膜係通 ❹ 過將奈未石反官原料進行絮化處理獲得，且該奈米碳管層可 直接鋪設在基體上形成透明導電層’製備方法簡單且益需 f空環境和加熱過程，故釆用上述方法製備的奈米碳管薄 2所形成的奈米碳管層做透明導電層有利于降低觸摸屏及 使用該觸摸屏的顯示裝置的成本。 ^上所述，本發明確已符合發明專利之要件，遂依法 ^專利申請。惟，以上所述者僅為本㈣之較佳實施例， ❹ 自不能以此限财案之申請專郷圍。舉凡㈣本案技蓺 ^士援依本發明之精神所作之等效修飾或變化，皆應涵 盍於以下申請專利範圍内。 【圖式簡單說明】 圖1係本技術方案實施例觸摸屏的立體結構示意圖。 圖2係本技術方案實施例觸摸屏的側視結構示意圖。 圖3係本技術方案實施例觸摸屏的製備方法的流程示 思、圖。 圖4係本技術方案實施例奈米碳管層中的絮狀奈米碳 s的掃描電鏡圖。 20 200929643 圖5係本技術方案實施例顯示裝置的側視結構示意 圖。 【主要元件符號說明】 觸摸屏 10 第一電極板 12 第二電極板 14 點狀隔離物 16 絕緣層 18 ®第一基體 120 第一導電層 122 第一電極 124 第二基體 140 第二導電層 142 第二電極 144 透明保護膜 126 q顯示裝置 100 顯示設備 20 觸摸屏控制器 30 中央處理器 40 顯示設備控制器 50 觸摸物 60 按壓處 70 屏蔽層 22 純化層 24 21 200929643 •間隙 26

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Claims (1)

1. 200929643 •十、申請專利範圍 • 1. 一種觸摸屏，包括： 一第一電極板’該第-電極板包括—第—基體及一第 :導電層設置在該第-基體的下表面；以及 第：：極板’該第二電極板與第一電極板間隔設 二：：二電極板包括一第二基體及一第二導電層設 置在該第二基體的上表面； 〇 ❹ 其改良在于：上述第一導電層和第二導電層中的至少 =導電層包括-奈㈣管層，該奈米碳管層包括相互 纏繞的奈米碳管。 其中，該奈米碳 2·=申請專利範圍第丄項所述的觸摸屏 管層爲一奈米碳管薄膜。 其中，所述奈米 其中，所述的奈 3.如申請專利範圍第2項所述的觸摸屏 碳管薄膜的厚度爲〇.5奈米〜1〇〇微米 範圍第1項所述的觸摸屏…，…’ ::::中’相互纏繞的奈米碳管的長度大于Μ微米。 •乎石山範圍第1項所述的觸摸屏，其中，所述的奈 互纏繞的奈米碳管之間通過凡德瓦爾力 D弓、纏繞，形成網絡狀結構。 I二範圍第1項所述的觸摸屏，其中，所述的奈 ^列。曰，奈米奴官爲各向同性，均勻分布，無規則 7.如專利1&圍第1項所述的觸摸屏，其中： 米石反g層中包括孔徑小于1Q微米的微孔結構 23 200929643 8·如申請專利範圍第 .管層中的Μ石所4的觸撰屏’其中，該奈米碳 壁夺平單壁奈米碳管、雙壁奈米碳管和多 望不木厌营中的一種或多種。 9.如申請專利範圍第8 單壁夺項所述的觸摸屏，其特徵在于，該 干没不木石反官的直徑 碳管的直徑爲10太半' .不未〜5〇奈米，該雙壁奈米 徑爲1 5太+ '丁、、〜5〇奈米，該多壁奈米碳管的直 仅舄上.5奈未〜5〇奈米。 i ❹ 1〇·如申請專利範圚 φ^ 第1項所述的觸摸屏，其中，該第一 電極板進—步包括兩 八甲忑笫 一導雷屉沾二 第電極沿第一方向設置在第 U.如導:層的兩端且與第—導電層電連接。在第 申明專利範圍第1 η 電極板進…挺土所述的觸摸屏’其中，該第二 進V包括兩個第二電極沿第-方6机罢产哲 12：^ 方向垂：第=向 1'項所述的觸摸屏，其中，該第二 ❹13.如申請專利範圍第1 屏進—步包括一絕緣展迷的觸摸屏，其中，該觸摸 圍，該第-電極板心：該第二電極板上表面外 14. 如申…:極板-置在該絕緣層上。 ^專利範圍第13項所述的 屏進一步包括多個點狀 # 該觸摸 該第二電極板之間。 汉置在該第—電極板與 15. 如申請專利範圍第 點狀隔離物設置在上述的觸摸屏，其中，該多個 間。在上處第—導電層和第二導電層之 24 200929643 16·如申請專利範圍第14項所述的觸摸屏，其中，㈣狀 隔離物與該絕緣層材料爲絕緣且透明的樹脂。^ η.如申請專·圍第i項所述㈣模屏 屏進一步包括-屏蔽層，該 τ該觸摸 Γ該屏蔽層爲㈣氧化物薄膜、録錫 乳化物薄膜、錄金薄膜、銀薄臈或奈米碳管薄膜。 1δ·如申請專利範圍第1項所述的觸摸屏，盆中，該第一 ❹ 基體材料爲聚酯膜，該第二基體材料爲破璃、 金剛石或塑料。 央 19.如申請專利範圍第1項所 屏進一 摸屏’其中，該觸摸 楚凡透明保護膜’該透明保護膜設置在該 第一電極板上表面，該透明保護膜的材料爲氮化石夕、 乳化石夕、苯丙環丁稀、聚醋、㈣_ 甲酸乙二醇酯。 κ丁本一 20.-種觸摸屏的製備方法，該方法包括以下步驟： ❹提供一奈米碳管原料及一第一基體和第二基體； 絮化處理上述奈米破營岸斗沐 @ 木反5原枓，獲仵一奈米碳管絮狀結 構，通過對該奈米碳管絮狀結構進行處理，分別在上 述第-基體和第二基體表面形成第一導電層和 在所述第-導電層上設置兩個第—電㉟，在所述第二 導電層上設置兩個第二電極，形成第一電極板和第： 電極板，並將該第一電極板和第二電極板間隔設置了 且使上述第一導電層和上述第二導電層相對設置，從 200929643 .而得到一觸摸屏。 • 21·如申請專利㈣帛2Q項所述的觸摸屏的製備方法，其 I二絮化處理所述奈米碳管原料的方法包括超 聲波分散處理或高强度攪拌。 22.如申請專·圍第2()項所述的觸摸屏的製 對上第述奈/碳管絮狀結構進行處理形成 第導電層和-第二導電層的步驟具體包 驟： p / ❹ ❹ 通過抽濾的方式獲得一奈米碳管層； 將所述奈米碳管層粘結在所述第一基體和第二 面形成上述第一導電層和第二導電層。 土- 23. 如申請專利範圍第22項所述的觸摸屏的製備方法，其 中，所述通過抽遽方式獲得一奈米碳管層的方法且體 包括以下步驟： 八 提供一微孔濾膜及一抽氣漏斗； 將上述含有該奈米碳管絮狀結構的溶劑經 膜倒入該抽氣漏斗中；及 應 抽濾並乾燥後獲得一奈米碳管層。 24. 如申請專利範圍f 2〇項所述的觸摸屏的製備方法，其 中’所述通過對上述奈米碳管絮狀結構進行處理形成 第一導電層和一第二導電層的步驟具體包括以下步 驟：分離所述奈米碳管絮狀結構；將上述奈米碳管絮 狀結構按照所述第-基體和第二基體的形狀攤開在所 达第-基體和第二基體上’施加一定壓力于操開的奈 26 200929643 .米碳管絮狀結構；及’將該奈米碳管絮狀結構中殘留 .的溶劑烘乾或等溶劑自然揮發後形成上述第一導 和第二導電層。 尽 25·如申請專利範圍第24項所述的觸摸屏的製備方法，其 中，所述的分離奈来碳管絮狀結構的步驟具體包括二 下步驟：將上述含有奈米碳管絮狀結構的溶劑倒入一 放有遽紙的漏斗中；靜置乾燥一段時間從而獲得一分 離的奈米碳管絮狀結構。 ❹26.—種顯示裝置，包括： -觸摸屏，該觸摸屏包括—第—電極板及—第二電極 板，該第-電極板包括一第一基體及一第一導電層設 置在該第一基體的下表面，該第二電極板與第一電極 板間隔設置，且包括一第二基體及一第二導電層設置 在該第二基體的上表面；及 顯不δ又備，該顯示設備正對且靠近上述觸摸屏的第 ^ 一電極板設置； 八改良在于·上述第一導電層和第二導電層中的至少 -個導電層包括—奈米碳管層’該奈米碳管 纏繞的奈米碳管。 27.如申请專利範圍第26項所述的顯示裝置，其中，所述 顯不裝置進-步包括一觸摸屏控制器、一中央處理器 及顯不设備控制器，其中，該觸摸屏控制器、該中 央處理器及該顯示設備控制器三者通過電路相互連 接，該觸摸屏控制器與該觸摸屏電連接，該顯示設備 27 200929643 — 控制器與該顯示設備電連接。 • 28.如申凊專利範圍第26項所述的顯示裝置， =示設備爲液晶顯示器、場發射顯示器所述 真空螢一及陰極射線;:示 M·如申請專利範圍第％項所述的顯示裝置，复 〇 核屏與該顯示設備間隔設置或該成1該觸 設備上。 j供许市成在該顯示 3〇·如申凊專利範圍第％ 顯示裝置進—步包括…广·，員不裝置，其中’所述 模屏第-⑼的 該屏蔽層設置在該觸 膜、銻錫—童二表面’該屏蔽層爲銦錫氧化物薄 膜。薄膜、鎳金薄膜、銀薄膜或奈米碳管薄 顯示f 帛30項所述的顯示裝置，其中’所述 ©蔽層遠離該觸一鈍化層’該純化層設置在該屏 料爲氮化矽或氧二基底的表面上，該鈍化層的材 28