TW200908339A - Semiconductor device, manufacturing method thereof and image display device - Google Patents

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200908339 九、發明説明： t 日月 ]j 發明領域 本發明係有關於包含有機半導體之半導體裝置、其製 5造方法及具有該半導體裝置之影像顯示裝置，特別是有關 於形成於樹脂膜上的包含有機半導體之半導體裝置、其製 造方法及具有半導體裝置之影像顯示裝置。 L· Λ, Jt 發明背景 10 隨著資訊終端的普及，電腦用顯示器對於更輕的平面 面板顯示器的需求越來越高。又，隨著資訊化之進展，習 知以紙媒體提供之資訊電子化的機會也隨之增加，而作為 更薄更輕且可輕鬆攜帶之行動用顯示媒體，電子紙或數位 紙的需求也提高了（如專利文獻1等）。 15 —般平板型（平面面板）顯示器裝置中，係使用液晶、 有機EL (有機電子發光元件）或利用電泳動等之元件來形 成顯卞媒體k些顯示媒體為了確保晝面亮度之均勻性或 畫面重寫速度等，影像驅動元件主要是使用動態驅動元件 (TFTtl件）。舉例言之，一般電腦顯示器係於玻璃基板上 20形成^#TFT元件來密封液晶或有機EL元件等。 習知TFT元件主要使用a— Si (結晶矽）、p—Si (聚矽） 等Si半導體。將這些&半導體（或視需要為金屬膜）多層化， ϋ將源極、汲極與閘極電極依序形成於基板上，藉此製造 TFT元件。 200908339 製造使用Si半導體之TFT元件時會有以下2個問題。 第1個問題是’必須以濺射等方式，不斷重複在需要真 空處理室之真空系統内的製造程序來形成各層，因此裝置 成本及運轉成本會很龐大。舉例言之，為了形成各層，必 5須重複真空蒸鍍、摻雜、光刻、顯像等步驟，要經過數十 步驟方可將元件形成於基板上。作為開關動作核心之半導 體部分也積層了 p型、n型等複數種半導體層。上述以習知 Si半導體進行之製造方法中，由於必須有真空處理室等製 造裝置之大幅設計變更，因此與顯示器畫面之大型化需求 10對應之設備變更亦不容易。 第2個問題是，使用之基材會受限於具有耐熱性之材 料，而有無法使用樹脂膜等輕量且具有可撓性之基材的問 題。 由於形成使用Si材料之TFT元件時，包含一加熱至例如 15 500 10G〇C2t^溫的步驟’因此基板材料會受限於在該高 工程溫度下亦可使用之材料，實際上不得不使用玻璃。故， 利用使用Si半導體之TFT元件來構成上述電子紙或數位紙 之薄型顯示器時’由於是玻璃基板，因此其顯示器會較重 而人缺柔軟性，掉落等衝擊下較易產生碎裂等損傷。換言 20之，就將TFT元件形成於玻璃基板上所獲得之顯示器裝置而 言，將難以滿足對攜帶用薄型顯示器之需求。 ，在近年致力研究下，可解決該問題之半導體材料為有 機半導體材料。有機半導體為具有高電荷傳輸性之有機化 合物，除錢ELit件社電荷職輯料外，可應用有機 200908339 雷射振盪元件或有機薄膜電晶體元件（有機TFT元件）。 使用有機半導體之半導體裝置（有機半導體裝置）可 用較低溫度形成，因此可減緩基材（基板）在耐熱性上的 限制，於透明樹脂基板等可撓基材上亦可形成例如TFT元 5 件。又，藉適當改良其分子構造，可獲得經油墨化之有機 半導體，將該有機半導體溶液作為塗料，並使用包含喷墨 方式之印刷法，藉此在不需惰性氣體中等之真空的條件下 亦可進行製造。 使用印刷方式之印刷電子技術可進行低溫程序之實施 10 (去高溫）、真空程序之缓和（加上去真空等優點）及不實 施光刻步驟之程序（去光刻）。 第15圖為概略顯示利用印刷方式製造的，包含有機半 導體130之半導體裝置（撓性半導體裝置）1〇〇〇構成的剖面 圖。半導體裝置1000具有一樹脂基材（例如PET、PI) 110 15 上藉印刷積層有各層（120、130、〗40、150)之構造。圖 式之構成中，樹脂基板110上依序形成有配線層120、有機 半導體層130、絕緣膜140及配線層150。具體之構成可適當 變更，但有機半導體層130之周邊會配置源極電極120s、汲 極電極120d及閘極電極I50g，以建構有機TFT。 20 如此於透明樹脂基板上形成TFT元件，並利用該TFT元 件來驅動顯示材料，藉此可使顯示器較習知者輕，且富有 柔敕性，即使掉落亦不會破碎（或非常難破碎 專利文獻1 :曰本專利公報第特開2007—67263號 C ^'明内j 7 200908339 發明欲解決之課題 電子紙或數位紙等薄型顯示器中，更小型輕量化之需 求越來越高’為了實現這個需求，必須更高密度地形成半 導體裝置1000之半導體元件。 5 同樣地’桌上型液晶或有機EL等影像顯示裝置也對一 面進行大型化一面進行輕量化及薄型化有強烈需求，或者 對在與習知相同大小下增加像素之高品質化（高解像度化） 有強烈需求’為了對應這些需求，也必須更高密度地形成 半導體裝置1000之半導體元件。 1〇 惟，半導體裝置1〇〇〇為於樹脂110上依序積層平面之各 層（120、130、14〇、iso)之構造，因此形成之半導體元 件的積體密度會有提升的界限。 故，本發明之目的在於提供一種可於樹脂膜基材内部 形成半導體元件，藉此更高密度地形成半導體元件之半導 15體裝置及其製造方法。又，本發明亦提供一種使用了已於 該樹脂膜基材内部形成半導體元件之半導體裝置的影像形 成裝置。 解決課題之手段 本發明第1態樣係一種半導體裝置，包含有··樹脂膜， 20係具有貫通孔者；及，半導體元件，係具有配置於前0^ 通孔内壁之閘極電極、在前述貫通孔内部覆蓋前述開極^ 極之絕緣層、在前述貫通孔内部配置於前述絕緣層上之 機半導體、及與該有機半導體電連接之源極電極歧$ 8 200908339 本發明第2態樣係如第1態樣之半導體裝置，其中前述 源極電極與前述有機半導體之其中一端部全面接觸。 本發明第3態樣係如第1或2態樣之半導體裝置，其中前 述汲極電極與前述有機半導體之另一端部全面接觸。 5 本發明第4態樣係如第1〜3態樣中任一態樣之半導體 裝置，其中前述有機半導體藉前述源極電極、前述汲極電 極與前述絕緣層而密封。 本發明第5態樣係如第1〜4態樣中任一態樣之半導體 裝置，其中前述有機半導體具有中空部。 10 本發明第6態樣係如第5態樣之半導體裝置，其中前述 有機半導體之前述中空部填充有絕緣材料。 本發明第7態樣係如第1〜6態樣中任一態樣之半導體 裝置，其中前述汲極電極與前述源極電極之至少其中一者 在前述貫通孔内部與前述有機半導體接觸。 15 本發明第8態樣係如第1〜7態樣中任一態樣之半導體 裝置，其中前述樹脂膜具有由第2貫通孔與形成於該第2貫 通孔之導電性組成物所構成的第2通孔，並藉該第2通孔使 配置於前述樹脂膜其中一面之配線與配置於前述樹脂膜另 一面之配線電連接。 20 本發明第9態樣係如第1〜8態樣中任一態樣之半導體 裝置，其更具有：第2樹脂膜，係其中一面透過第1接著層 與前述樹脂膜之前述源極電極側的表面接觸者；及，第3通 孔，係由形成於前述第2樹脂膜之第3貫通孔與形成於該第3 貫通孔之導電性組成物所構成者；前述源極電極透過前述 200908339 第3通孔與配置於前述第2樹脂膜另一面之配線電連接。 本發明第10態樣係如第9態樣之半導體裝置，其中前述 源極電極已埋設於前述第1接著層。 本發明第11態樣係如第1〜10態樣中任一態樣之半導 5 體裝置，其更具有：第3樹脂膜，係其中一面透過第2接著 層與前述樹脂膜之前述汲極電極側的表面接觸者；及，第4 通孔，係由形成於前述第3樹脂膜之第4貫通孔與形成於該 第4貫通孔之導電性組成物所構成者；前述汲極電極透過前 述第4通孔與配置於前述第3樹脂膜另一面之配線電連接。 10 本發明第12態樣係如第11態樣之半導體裝置，其中前 述汲極電極已埋設於前述第2接著層。 本發明第13態樣係如第1〜12態樣中任一態樣之半導 體裝置，其中前述有機半導體由高分子有機半導體構成。 本發明第14態樣係如第1〜13態樣中任一態樣之半導 15 體裝置，其中前述有機半導體由低分子有機半導體構成。 本發明第15態樣係如第1〜14態樣中任一態樣之半導 體裝置，其中前述樹脂膜係由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、 聚對苯二甲酸乙二酯樹脂及醯胺樹脂所構成之群中選出之 其中一者。 20 本發明第16態樣係如第1〜15態樣中任一態樣之半導 體裝置，其中前述源極電極與前述汲極電極為貴金屬。 本發明第17態樣係一種影像顯示裝置，包含有：顯示 部，係配列有發光元件者；及，驅動電路層，係驅動用於 前述顯示部之前述發光元件者；又，前述驅動電路層包含 10 200908339 第1〜16態樣中任一態樣之半導體裝置。 本發明第18態樣係如第17態樣之影像顯示裝置，其係 將第1〜16態樣中任一態樣之半導體裝置作為Ο N / Ο F F之開 關電晶體。 5 本發明第19態樣係如第17或18態樣之影像顯示裝置， 其係將第1〜16態樣中任一態樣之半導體裝置作為驅動前 述發光元件之發光的驅動器電晶體。 本發明第2 0態樣係如第17〜19態樣中任一態樣之影像 顯示裝置，其中前述發光元件為有機電子發光元件。 10 本發明第21態樣係一種半導體裝置之製造方法，包含 有以下步驟··於樹脂膜形成貫通孔；於前述貫通孔内壁配 置閘極電極；在前述貫通孔内部形成覆蓋前述閘極電極之 絕緣層；在前述貫通孔内部形成配置於前述絕緣層上之有 機半導體；及，形成與前述有機半導體電連接之源極電極 15 與汲極電極。 本發明第22態樣係如第21態樣之半導體裝置之製造方 法，其更包含有以下步驟：於第1另一樹脂膜埋設前述源極 電極；及，將已埋設前述源極電極之前述第1另一樹脂膜配 置於前述樹脂膜上，藉此將前述源極電極與前述有機半導 20 體電連接。 本發明第23態樣係如第21或22態樣之半導體裝置之製 造方法，其更包含有以下步驟：於第2另一樹脂膜埋設前述 汲極電極；及，將已埋設前述汲極電極之前述第2另一樹脂 膜配置於前述樹脂膜上，藉此將前述汲極電極與前述有機 11 200908339 半導體電連接。 發明效果 本發明可提供-種半導體裝置及其製造方法，係使用 在設於樹脂膜之貫通孔㈣配置有包含_電極、絕緣 5層、有機半導體之半導體元件的半導體襄置來提高積體密 度者。且，藉使用該半導體裝置，亦可提供實現了薄形化 等小型化及輕量化之影像顯示裝置。 圖式簡單說明 第1圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 10 100構成的剖面圖。 第2圖係顯示與本發明第！實施形態之半導體裝置1〇〇 對應的電路要件之圖。 第3圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 101構成的剖面圖。 15 第4圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 101 ’構成的剖面圖。 第5圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 102構成的剖面圖。 第6圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 2〇 103構成的剖面圖。 第7 (a)〜（c)圖係概略顯示本發明第1實施形態之 半導體裝置100的製造方法之剖面圖。

第8 (a)〜（b)圖係概略顯示本發明第1實施形態之 半導體裝置100的製造方法之剖面圖D 12 200908339 第9 (a)〜（e)圖係概略顯示本發明第2實施形態之 半導體裝置200的製造方法之剖面圖。 第10 (a)〜（f)圖係概略顯示本發明第2實施形態之 半導體裝置200的另一製造方法之剖面圖。 5 第11圖係概略顯示本發明第3實施形態之半導體裝置 300構成的剖面圖。 第12圖係概略顯示本發明第4實施形態之影像顯示裝 置500構成的立體圖。 第13圖係概略顯示本發明第4實施形態之半導體裝置 10 400構成的剖面圖。 第14圖係顯示半導體裝置400之等效電路之圖。 第15圖係概略顯示習知半導體裝置1000構成之剖面 圖。 【實施方式3 15 用以實施發明之最佳形態 以下，根據圖式詳細說明本發明之實施形態。而，以 下說明中，將視需要使用表示特定方向或位置之用語（例 如「上」、「下」、「左」、「右」及包含該等用語之其它用語）， 但使用這些用語是為了易於對照圖式來理解發明，本發明 20 之技術範圍並不會因該等用語之意義而受限制。又，複數 圖式中標示之相同標號表示相同部份或構件。 *第1實施形態 第1圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 100構成的剖面圖。該第1實施形態之半導體裝置中，貫通 13 200908339 孔15内設有有機半導體部5〇。換言之，半導體裝置1〇〇具有 形成有貫通孔15之樹脂膜（可撓基材）1〇、形成於貫通孔 15之壁面（内壁）π的金屬層20、形成於貫通孔15内部而 覆蓋金屬層20之絕緣層30、以及形成於絕緣層3〇之有機半 5導體部50。且，有機半導體部5〇電連接有源極電極4〇s與汲 極電極40d。 藉此，以有機半導體部50、絕緣層3〇、金屬層2〇、源 極電極4〇8與汲極電極4(^形成半導體元件（m〇sfet)。該 10 15 20 半導體元件中，絕緣層30作為閘極絕緣膜，金屬層2〇作為 閘極電極。第1圖所*之實施形態巾，金屬⑽延伸至樹脂 膜10之表面（第1圖之樹脂膜1〇的上面1〇a與下面，咳 延伸之金屬層2G作為配線使用。舰線可形成於樹脂膜⑺ 的上面l〇a與下面l〇b的其中一者或兩者。 又，如第1圖所示，絕緣層30可覆蓋延伸至金屬層2〇 之樹脂膜10的上面l〇a與下面1〇b的部分。 没極電極40樓源極電極他在分顺有機半 之其中-端部（第1圖之實施形態中的上方端 、 部⑷圖之實施形態中的下方端部）接觸㈣另一端 由例如貴金料金屬構叙祕電極.與源極^^ 有機半導體部5G電阻接觸（電連接）。藉此，半導=樓 中會構成第2圖所示之TFT元件。 寻體破置100 如此，於習知未曾形成半導 之基 半導想裝㈣可立趙地有效活用空間，因此可：度故形 14 200908339 成半導體元件。 接著，說明半導體裝置100之動作原理。 對閘極電極20施加電壓時，與閘極電極附近的有機半 導體部50内施加之電壓的極性相斥之電荷的負栽會被趕走 5 (產生空乏層），接著，當施加一定以上之電壓時，與施加 於閘極電極之極性相吸之電荷的負載會被誘起並儲存於絕 緣層30與有機半導體部50之界面。在該狀態下，若對源極 電極40s與汲極電極4〇d間施加電壓，儲存於上述界面之負 載會因源極電極-汲極電極間之電場移動而觀極吸收， 10使電流流動於源極電極一汲極電極間。 控制施加於閘極電極20之電壓來調變儲存於上述界面 之負載量，藉此使流動於汲極電極4〇d與源極電極4〇s間之 電流量改變，便可進行例如開關動作。 以下，詳細說明半導體裝置1〇〇之各要件。 15 樹脂膜10由例如聚醯亞胺樹脂（pi)、聚醯胺樹脂 (PA) ♦對笨一甲酸乙一酯樹脂（PEN)或醢胺樹脂等構 成，這些樹脂材料係耐熱性、尺寸穩定性、氣體防護性等 随質佳，適合作為半導體裝置1〇〇之撓性基材（樹脂膜）1〇 之材料。樹脂膜10之厚度為例如丨〜乃“爪。 2〇 ^ 形成於樹脂膜10之貫通孔15為例如以雷射形成且剖面 為圓开> (與树脂膜10之平面平行的剖面）之貫通孔。貫通 孔15之直控為例如1〜25 " m。 形成於貫通孔15之壁面17的金屬層2〇由例如鍍銅構 成厚度為例如0·1〜。金屬層20宜覆蓋貫通孔15之 15 200908339 壁面17全體，但亦可只覆蓋貫通孔15之壁面Π的一部份。 又，如上所述，金屬層20可覆蓋樹脂膜10之上面l〇a的一部 份及/或樹脂膜10之下面的一部份。 以覆蓋金屬層20方式形成之絕緣層30由例如 5 PVA(Poly Vinyl alcohol)、PVP(P〇ly 4-Vinyl Phenol)、 BCB(Benzocyclobutene)及塗敷聚矽氨烷而形成之Si02等所 構成。絕緣層30之厚度為可作為閘極絕緣層產生功能之厚 度，例如50〜300nm。 有機半導體部50係填充於貫通孔丨5内部，並以與絕緣 10層3〇接觸之方式形成。由於可增大絕緣層30與有機半導體 部50之接觸面積，因此雖以利用有機半導體部5〇覆蓋絕緣 層30中、位於貫通孔15内部之部分的表面（未與金屬層2〇接 觸之表面）全部為佳，但亦可利用有機半導體部50僅覆蓋— 部分。 15 構成有機半導體部50之有機半導體可使用各種材料。 使用之有機半導體以移動度高之材料為佳，例如戊省。若 大致區分有機半導體，有高分子材料(例如聚喀吩或其衍生 物）低分子材料(例如戊省、可溶化戊省）、其它、奈米碳 材料(例如奈米碳管、SiGe奈米線、富勒體或改造富勒體）、 2〇無機有機混合材料(例如(C6H5C2H4NH3)與Snl4之複合系）， 白可用於有機半導體部5〇。而，有機半導體之其它例將於 後述。 如第1圖所示，與有機半導體部50之其中一端部（第1圖 中為上方端部）電阻接觸之汲極電極4 〇 d係配置成與閘極電 16 200908339 極2〇分離 右地坐權—

之壁面17的部分交接的部分所形成之 角部)與絕緣層30緊密接觸，藉此以覆蓋有機半導體部50之 源極電極4〇s、間極電極及絕緣層3()來密封有機體 部50。 本較佳態樣可解決習知半導體裝置1000所產生之以下 10 問題。 即，有機半導體相較於無機半導體材料（例如聚矽 等），移動度較低，且在空氣或氧氣環境下其移動度會更 低。故，以印刷方式形成有機半導體膜140後，有時會因氧 使有機半導體膜14〇劣化。 15 半導體裝置10〇中，可藉密封有機半導體部50來抑制貫 通孔15内之有機半導體部50與氧（或空氣)之接觸，藉此，可 抑制或緩和構成有機半導體部50之有機半導體的逐漸劣 化。 如此，只要使源極電極40s及汲極電極40d與絕緣層3〇 20 緊密接觸，便可輕易地抑制有機半導體部50與氧之接觸， 這也是本發明之半導體裝置100的極大優點之一。 而，例如金屬層20只配置於貫通孔15之壁面17的一部 份等，藉此使絕緣層30透過金屬層20只覆蓋於貫通孔15之 壁面17的一部份時，可藉源極電極40s、閘極電極40d、絕 17 200908339 緣層30、貫通孔15之壁面17來密封有機半導體部$ 圖中^如第1圖所示’有機半導體部5〇之其中—端部⑻ I方端部）宜全面與汲極電極電阻接觸。 5面与=導體部Μ之另—端部(第1圖中為下方端部)宜全 =源極電極他電阻接觸。這是因為源極電極4 一體。卩5〇之接觸面積以及汲極電極4〇d與有機半導體部 5〇之接觸面積增加’便可使電阻降低。 原極電極4〇s及汲極電極4〇d由可與有機半導體部5〇電 阻接觸之例如金(Au)等貴金屬之金屬箱所構成，其厚 10 例如 0·02〜3μιη。 .、、、 如上所述’半導體裝置1〇〇中，可用電鍍等金屬箱形成 所有閘極電極20、源極電極4〇s及汲極電極4〇d。 這表示，可解決習知半導體裝置1000中，因使用噴墨 方式等印刷方式來形成包含閘極電極、源極電極、汲極電 15極之配線層12〇、150所產生之以下問題。 即，習知半導體裝置1000中，若使用一般金屬粒子形 成配線層時，會有需要6〇〇〜l〇〇〇t之高燒結溫度而無法使 用樹脂瞑基材之問題，以及會使噴墨噴嘴阻塞之問題，而 將油墨溶液與細微化成奈米級之金屬粒子（奈米漿材料） 2〇 的混合物作為配線材料使用。 惟’由於奈米漿材料十分昂貴，且由奈米漿材料形成 之配線會燒結形成奈米級金屬粒子，因此會有因金屬粒子 表面之氧化膜等而造成電阻變大之問題。 本實施形態之半導體裝置100中，由於不需使用奈米漿 18 200908339 材料，因此相較於習知半導體裝置1000，可較便宜地構成 包含閘極電極、源極電極、汲極電極之配線，且可使電阻 大幅減少。 接著，說明半導體裝置100之變形例。 5 第3圖為顯示半導體裝置100之第1變形例的半導體裝 置101之剖面圖。半導體裝置101之有機半導體部50’係内部 呈中空。該中空構造係例如可將有機半導體材料分散於溶 劑並塗布於貫通孔15内後，使該溶劑消失（氣化），將有機半 導體材料殘留於貫通孔15之壁面（絕緣層30之表面）而形 10 成。又，亦可將有機半導體材料蒸鍍於貫通孔15之壁面（絕 緣層30之表面）來形成。 如此一來，半導體裝置101 (其有機半導體部50’具有 中空部）會具有可減少所使用之有機半導體量等的效果， 以及可視需要於該中空部填充其它材料之效果。 15 第4圖為顯示半導體裝置101之變形例的半導體裝置 101’之剖面圖。半導體裝置101’中，使用與半導體裝置101 同樣於内部具有空間之有機半導體部50’。而，該空間係以 固形物填充，這點與半導體裝置110不同。 即，如第4圖所示，半導體裝置110’之有機半導體部50’ 20 填充有例如絕緣材料52等其它材料。例如，將絕緣材料52 填充於有機半導體部50’内部時，可提高源極電極40s與汲極 電極40d間之漏電防止効果。 第5圖係顯示半導體裝置100之另一變形例的半導體裝 置102之剖面圖。 19 200908339 半導體裝置1〇2之有機半導體部π”的長度（貫通孔15 ^貫通方向長度)較貫通㈣之長度（貫通方向長度)短。換 。之貝通孔15之長度方向只有—部份以有機半導體部训， 填充且，如第5圖所不，源極電極4〇s，與沒極電極刪，延 5伸至貫通孔15内#，結果，源極電極4〇s,與没極電極侧， 會分別在貫通孔15内部與有機半導體部5〇 ”電阻接觸。 半導體裝置102具有不需貫通孔15之長度，便可縮短源 極電極40s’與汲極電極40d，間之距離的優點。 而，使有機半導體部5〇”之其中一端部面（端面）與跟絕 H)緣層30之樹脂膜10的上面1〇a平行地延伸之部分（第塌 中，絕緣層30在上面10a側與下面勘側兩側具有延伸部， 其中-延伸部）的表面呈同—平面（同—面），只有有機半導 體部5〇”之另-端面位於貫通孔15内部之半導體襄置，即， 只有源極電極40s，與汲極電極4〇d，其中一者在貫通孔^内 15部與有機半導體部50”接觸之半導體裝置亦包含於半導體 裝置102之技術範圍。 第6圖係顯示半導體裝置1〇〇之另一變形例的半導體裝 置103之。彳面圖。半導體裝置103之有機半導體部50”，的兩 端部分別具有凹部《且，源極電極4〇s，，延伸至設於有機半 20導體部50，，，之其中一端部的凹部内部，該其中一端部之凹 部中，源極電極40s”與有機半導體部5〇，，，電阻接觸。同様 地，汲極電極4〇d”延伸至設於有機半導體部5〇，，，之另一端 部的凹部内部，該另一端部之凹部中，沒極電極40d”與有 機半導體部50”，接觸。 20 200908339 故，源極電極4〇S”與沒極電極4〇d”分別在貫通孔15内 部與有機半導體部50”，電阻接觸。 半導體裝置1〇3具有不需改變貫通孔15之長度便可縮 短源極電極術與沒極電極偏，間之距離的優點（與半導體 5裝置102相ί§])’此外更具有不需增大貫通孔15之半徑便可 將源極電極他”與有機半導體部5〇,”之接觸面積以及沒極 電極40d”與有機半導體部5〇”，之接觸面積加以增加的優 點。 而，有機半導體部5〇’’’只有其中一端部具有凹部，因 10 此只有源極電極40s”與汲極電極4〇d”其中一者在貫通孔15 内部與有機半導體部50”，接觸之半導體裝置亦包含於半導 體裝置103之技術範圍。 又，形成第1實施形態之變形例所用的有機半導體部 50’、50、50之有機半導體材料與有機半導體部％相同。 15同様地，源極電極4〇s’、40s”及汲極電極40d，、4〇d”所用 之材料，與源極電極40s及汲極電極40d所用之材料相同。 接者’一面參考第7(a)圖至第8(b)圖，—面說明第1實 施形態之半導體裝置100之製造方法。 首先’如第7(a)圖所不’準備樹脂膜10。樹脂膜可使 2〇用例如厚度4μιη之酿胺樹脂膜。或者，使用其它樹脂膜(例 如聚醢胺樹脂、聚醯亞胺樹脂或聚對苯二甲酸乙二醋樹 脂）。 接著，如第7(b)圖所示，於樹脂膜10形成貫通孔15後， 對貫通孔15之壁面施以金屬電鍍。又，視需要對樹脂膜10 21 200908339 上面10a及/或下面勘亦施以金屬電鑛。之後，將該金屬 電鍍形成圖案’形成金屬層20。 貫通孔15係藉例如照射雷射來形成。或者，可使用其 匕方法(例如蝕刻等）來形成貫通孔15。第7圖所示之實施形 5態中，由樹脂膜10上方觀看之貫通孔15的形狀為圓形，亦 可為其它形狀(楕圓形、長圓形或矩形等）。 金屬層20為例如銅（Cu)所形成，金屬層20例如利用貫 通孔電鍍形成。即，於樹脂膜1〇形成貫通孔15後，進行銅 之貫通孔電鍍，於貫通孔15之壁面形成電鍍銅（銅箔）。銅箔 1〇之厚度為例如約。接著，將位於樹脂膜10之上面10a及 下面10b之銅箔形成圖案，形成第7(b)圖所示之金屬層2〇〇 該圖案形成只要藉蝕刻銅箔來執行即可。該金屬層2〇係作 為閘極電極20。 接著，如第7(c)圖所示，形成絕緣層3〇來覆蓋金屬層 15 2〇。絕緣層30之形成可例如藉塗布絕緣材料來進行。該絕 緣層30係作為閘極絕緣膜。 用以形成絕緣層30之絕緣材料的具體塗布方法，可例 用例如電積塗裝法之電積塗膜形成、使用喷塗器之噴霧法 或噴墨方式之塗膜形成等。而，第7圖所示之實施形態中， °係將金屬層20形成圖案後形成絕緣層30，但亦可於將金屬 層2〇形成圖案前將絕緣層30形成圖案形狀，並將該絕緣層 3〇作為抗蝕劑來將金屬層20形成圖案.此時，就形成絕緣 層3〇之方法而言，以浸潰全面形成後加工為圖案形狀之方 法較為簡便。 22 200908339 接著，如第8(a)圖所示，於貫通孔15内部填充包含有 機半導體之材料，並於貫通孔15内部形成有機半導體部 50。有機半導體部5〇之形成可藉例如印刷來進行。 又’如第8(b)圖所示，可於有機半導體部50上端形成汲 5極電極40d，並於下端形成源極電極40s來獲得半導體裝置 1〇〇。源極電極4〇s或汲極電極4〇d可於貫通孔15内已填充有 機半導體部50之樹脂膜10上（上面l〇a、下面l〇b)形成金屬層 後’將該金屬層形成圖案來獲得源極電極4〇s或汲極電極 4〇d。源極電極40s或汲極電極4〇d除了藉金屬層之圖案形成 1〇來形成外，亦可藉積層等來形成。 如此，半導體裝置100巾，由於在貫通孔15内部（即， 貫通孔15之壁面所包圍之部分）形成閑極電極2〇、問極絕 緣層3〇及有機半導體部5〇,因此可輕易且準確地將這些元 件定位。 一 15 藉此，半導體裝置刚不會鼓以噴墨方式形成各層 之習知半導體裝置1000所具有的以下問題。 即，以噴墨方式形成各層時，必須以儲料器或其它構 件精確地保持液狀材料，使其於希望之位置形成希望之 層，而會發生儲料器或其它構件之形成，及定位精確度之 20問題。此外，由於藉噴墨之印刷，於基材上積層好幾層源 極電極層、汲極電極層'有機半導體層、絶緣層、問極電 極層等各層來形成有機半導體裝置，因此為了確保有機半 導體裝置之平坦性，會有有機裝置之厚度増加之問題。再 者，如此以印刷積層好幾層，會產生因定仅之精確度等而 23 200908339 造成成品率降低之問題。半導體裝置1000越大型，成品率 會有越降低之傾向。 特別是，將半導體裝置1000用於有機EL顯示器等之影 像顯示裝置時，若是用於携带電話等級等之小晝面尺寸， 5 有時也容易產生因印刷方式造成之上述問題，但畫面尺寸 越大(例如lm級之超大畫面），上述印刷方式之問題會越顯 著。 惟，半導體裝置中，要將貫通孔15形成於希望位置， 只要使用雷射等便很容易，因此可輕易且正確地將TFT等半 10 導體元件定位，故，不會產生上述問題。 *第2實施形態 第9圖係顯示本發明第2實施形態之半導體裝置20 0的 製造方法之剖面圖。第9(e)圖所示之半導體裝置200為具有 複數有機半導體部50(或電晶體構造(TFT))之半導體裝置。 15 以下，一面參考第9(a)圖至第9(e)圖，一面說明半導 體裝置200之製造方法。 如第9(a)圖所示，準備樹脂膜10。樹脂膜10與第1實施 形態所示者相同。 接著，如第9(b)圖所示，於樹脂膜10形成複數貫通孔15 20 後，形成金屬層20。金屬層20可於對樹脂膜10電鍍貫通孔 後，將藉該電鍍形成之金屬箔形成圖案來形成。藉該金屬 箔之圖案形成，亦可將配線圖案25與具有一覆蓋貫通孔15 壁面之部分的金屬層20—同形成於樹脂膜10上。 如此獲得配線圖案25之方法，與利用印刷方式形成配 24 200908339 線之習知方法不同，由於不使用電鍍等金屬膜（昂責之金 屬奈米漿）’因此可以低成本獲得配線圖案。又，由於配線 圖案25為銅配線，因此相較於以金屬奈米漿製作之習知配 線圖案’具有可簡便地製作電阻明顯較低之配線圖案的優 5 點。 接著，如第9(c) _示，於金屬層2〇上形成絕緣層％。 絕緣層30可利用例如塗裝法來形成。 接著’如第9(d)圖所示，在已於内壁上積層金屬層如 及絕緣層30之貫通孔15内，填充包含有機半導體之材料， 10形成有機半導體部％。有機半導料高分子有财導體⑽ 如聚嚷吩或其衍生物）時，宜以印刷程序形成有機半導體部 5〇。又，有機半導體為低分子有機半導體(例如戊省）時宜 以蒸鍍程序形成有機半導體部50。 接著，如第9(e)圖所示，在接觸有機半導體部％的情形 15下形成源極電極40s與汲極電極40d，便可獲得本實施形態 半導體裝置200 〇而’由例如第9(b)圖亦可知，金屬層歡 圖案形狀可配合有機半導體部5〇來決定適時適當之形狀。 如此’藉使用第9圖所示之製造方法，可有效率地形成 複數有機半導體部50。 2〇 而，如第9(e)圖所示，半導體裝置200之複數貫通孔15 的一部份（第9(e)圖右側之貫通孔15)，可不形成電晶體（即， 不形成絕緣層30、有機半導體部5〇、源極電極4〇s及汲極電 極40d)，而將金屬層20作為導電性組成物配置於通孔内 部，作為樹脂膜10之其中—面的配線與另一面電連接之連 25 200908339 接用貫通孔（通孔）使用。 又，第2實施形態之半導體裝置200，亦可如第10(4圖 至第10(f)圖所示之細節，由已積層銅箔之樹脂膜1〇製造。 首先，如第10(a)圖所示，準備已形成金屬箔（在此為銅 5 箔）20A之樹脂膜10。接著，如第10(b)圖所示，於已積層銅 箔20A之樹脂膜10形成貫通孔15。 接著，如第10(c)圖所示，利用電鍍於貫通孔15内壁形 成與銅箔20A連接之金屬箔（在此為銅箔）後，將銅箔20A形 成圖案，形成金屬層20。本實施形態中，與具有覆蓋貫通 10 孔15内壁之部位的金屬層20—同地，也利用該形成圖案來 形成配線圖案25。 接著’如第10(d)圖所示，形成絕緣層30來覆蓋金屬層 20。接著’如第l〇(e)圖所示，於貫通孔15内部形成有機半 導體部50。與上述其它實施形態相同地，有機半導體部5〇 15 之形成可由各種方法中適當選擇適宜者，例如塗布、印刷 或注入，亦可利用蒸鍍。 *第3實施形態 第11係顯示本發明第3實施形態之半導體裝置3 0 〇之剖 面圖。半導體裝置3〇〇之基板構造具有積層構造。半導體裝 20置300由包含貫通孔15内部已形成有機半導體部50之樹脂 膜10的基板構造60、及包夾基板構造60之上基板構造62與 下基板構造64所構成。具有上述構成之半導體裝置3〇〇亦可 利用積層法輕易地製作。 基板構造體60包含由第1實施形態1所示之半導體裝置 26 200908339 100除去源極電極40s與汲極電極4〇d之構成，與第8(a)圖、 第9(d)圖、第10(e)圖所示之基板構造相同。而，第n圖所 示之基板(基板構造)60中，除已填充有機半導體部5〇之貫通 孔15外，也形成有貫通孔15A。貫通孔15A之壁面具有金屬 5層20。且，由貫通孔15A與藉該金屬層20構成之導電性組成 物，形成層間連接用之通孔70。 半導體裝置300之上基板構造62下面形成有接著層（或 樹脂膜層）12(包含於上基板構造62)。下基板構造64之上面 也形成有接著層（或樹脂膜層）12(包含於下基板構造64)。上 10基板構造62與下基板構造64之其中一者（第π圖中為上基 板構造62)之接著層12係埋入源極電極4〇s來形成，而另一者 (第11圖中為下基板構造64)之接著層12則埋入汲極電極4〇d 來形成。且，使各自之接著層12與樹脂膜1〇接著來使源極 電極40s及汲極電極40d與有機半導體部5〇電阻接觸。 15 如此，由於半導體裝置3〇〇具有一利用接著層12使源極 電極40s及汲極電極40d與有機半導體部50接觸之構成，因 此可省略將源極電極40s及汲極電極4〇d形成圖案於基板構 造60之工程。換言之，只要將具有預先形成圖形之源極電 極40s或汲極電極40d之上基板構造62及下基板構造64積層 20於基板構造60，便可形成與有機半導體部50接觸之源極電 極40s或汲極電極4〇d。 又，若使用積層法，亦可簡便地對源極電極4〇s或汲極 電極40d與有機半導體部5〇之接觸面進行貴金屬電鍍。 上基板構造62除上述接著層12與源極電極4〇s外，並包 27 200908339 置於接著層12上之樹脂膜14、由設於該樹脂膜14之通 孔（貫通孔）與填充於該通孔内部之導電性組成物構成的通 孔72、以及配置於與前記樹脂膜之接著層12相反侧之表面 的配線22。 5 源極電極4〇8透過形成於上基板構造62之樹脂膜14的 通孔72與配線22連接。 另一方面’下基板構造64除了上述接著層12與汲極電 極4〇d外’並包含配置於接著層12上（第13圖中為接著層12 下側）之樹脂膜14、由設於該樹脂膜14之通孔（貫通孔)與填 1〇充於通孔内部之導電性組成物構成的通孔72、由通孔（貫通 孔）與配置於其内部之導電性組成物構成的通孔74 、以及配 置於與前記樹脂膜之接著層12相反側之表面的配線24。 沒極電極4〇d透過形成於下基板構造64之樹脂膜14的 通孔72與配線24連接。又’通孔74與形成於基板構造60之 15層間連接用貫通孔15A之通孔70(電鍍貫通孔部）電連接。 半導體裝置300係於樹脂膜1〇形成貫通孔15，且該貫通 孔15之壁面積層形成有金屬層20與絕緣層30，並利用一以 上基板構造62與下基板構造64包夾該絕緣層3〇上已形成有 機半導體部50之基板構造6〇的層間連接構造。結果，可簡 20化半導體裝置之構造’並提高其生產性（即，可以高生産性 形成半導體裝置300)。 又’由於在貫通孔15内形成有機半導體部50，因此可 省略使用習知喷墨時所需之儲料器，而可輕易地進行有機 半導體部50之定位控制。再者，藉以源極電極4〇8、汲極電 28 200908339 極40d與絕緣層30來密封有機半導體部50，可抑制有機半導 體部50與氧氣（或空氣)之接觸，而可抑制或缓和有機半導體 部50因逐漸劣化而造成之移動度降低。 此外，由於貫通孔15内形成了有機半導體部50，因此 5 可避免如第15圖所示之堆積式習知半導體裝置1000所產生 之問題。換言之，有機半導體部50之平坦性問題可藉沿貫 通孔15之壁面形成來消除，且，位置精確度之問題亦可藉 形成於貫通孔15内來解決。 再者，藉貫通孔15内形成了有機半導體部50，可消除 10 對於基板10之彎曲的應力施加方式之不均，換言之，相較 於習知半導體裝置1000，可控制拉伸應力與壓縮應力之不 均。 構成第3實施形態3之有機半導體部50的有機半導體材 料除了有與上述説明重複之内容外，有例如以下内容。（1) 15 由萘、蒽、丁省、戊省、己省及該等之衍生物構成之群中 選擇的並苯分子材料，（2)由酞菁系化合物、偶氮基系化合 物及茈系化合物構成之群中選擇的顏料及其衍生物，（3)由 腙化合物、三苯T烷化合物、二苯甲烷化合物、二苯乙烯 化合物、芳基乙烯基化合物、°比°坐琳化合物、三苯胺化合 20 物及三芳基胺化合物構成之群中選擇的低分子化合物及其 衍生物，（4)由聚一 N —乙烯基叶吐、鹵化聚一 N —乙稀基 咔唑、聚乙烯芘、聚乙烯蔥、芘甲醛樹脂及乙基咔唑曱醛 樹脂構成之群中選擇的高分子化合物。或者，有機半導體 材料亦可為芴酮系、聯對苯醌系、對苯醌系、茚滿酮系、 29 200908339 卟啉系、聚噻吩系及聚亞苯基系化合物。 又，本實施形態之閘極電極20、源極電極他、沒極電 極40d可以例如鉻(Cr)、鈦⑼、銅(Cu)、銘⑽、翻_， 鎢(W)、鎳(Ni)、金(Au)、鉑(Pd)、白金(Pt)、銀(Ag)、錫(Sn)、 5導電性聚苯胺、導電性聚吡咯、導電性聚噻唑基、以及導 電性聚合物與該等之組合構成的群中選擇之材料來構成。 而’源極電極40s、汲極電極4〇d亦可為由Au層與Cr層構成 之二層電極或由Au層與Pt層構成之二層電極。 *第4實施形態 10 第12圖係顯示本案影像顯示裝置（有機EL顯示器裝置 裝置）500之裁切立體圖。影像顯示裝置500具有規則性排列 複數發光元件56之發光層6〇〇、配置有複數用以驅動前述發 光元件（ΟΝ/OFF之控制）之半導體裝置400的驅動電路層 700、透過資料線92與開關線94將電流供給至驅動電路層 15 700之驅動器部800、850。 第13圖係顯示半導體裝置4〇〇之剖面圖。 半導體裝置400具有1個與影像顯示裝置500之1個像素 對應之有機EL元件（發光元件，係一控制該發光元件56 之發光的發光元件控制裝置。以下一面參考第13圖，一面 20 說明半導體裝置400。 半導體裝置400具有2個第1實施形態中包含於半導體 裝置（有機半導體裝置）100之半導體元件（半導體元件 100A、100B)，其等效電路如第14圖所示。 2個半導體元件100A、100B中，1個是開關電晶體 30 200908339 100A，另一個是驅動器電晶體1〇〇B。又，半導體元件i〇〇a、 100B配置於補強膜86(例如PET、PEN等樹脂膜）上。 本實施形悲之半導體元件100A、100B形成於有機EL 元件56下，半導體元件100B與有機EL元件56連接。而，有 5機£[元件56上形成有與有機EL元件56電連接之透明電極 42。此外’其上形成有保護膜（例如pet、pen等樹脂膜)84。 第14圖所示之配線92為資料線，雖未顯示於第13圖， 但與連接於第13圖中半導體元件ιοοΑ之源極電極4〇s的配 線22電連接。半導體配線94為選擇線(開關線），與半導體元 10 件100A之閘極電極電連接。 以驅動器部800、850控制資料線92與開關線94之電 流，藉此以半導體元件100A控制由驅動器電晶體ιοοΒ流向 有機EL元件56及透明電極42之電流，驅動發光元件56之發 光。換言之’半導體元件100A是作為控制有機EL元件(發光 15元件)56之ΟΝ/OFF的開關電晶體。 根據影像顯示裝置500之構成，電晶體等半導體元件不 僅可於各像素設置2個（半導體元件100A與半導體元件100B 各1個）’亦可設置3個以上，而第3個或以上之電晶體亦可 設置本實施形態之半導體裝置100之半導體元件。 20 而，不限於半導體裝置100，本說明書所記載之本發明 所有半導體裝置(例如半導體裝置1〇卜101’、102、103、200、 300)之任一半導體元件亦可作為半導體裝置4〇〇之半導體 元件（開關電晶體100A及驅動器電晶體100B)來使用。 又，亦可將半導體裝置200或300用於驅動電路層700 31 200908339 來代替半導體裝置400。 而，本發明之所有半導體裝置及其半導體元件並未受 限於有機EL顯示器，亦可用於其它影像顯示裝置（例如液= 顯示裝置），且亦可用於電子紙。此外，本發明之所有 5體裝置及其半導體元件亦可適用於目前在印刷電子之適用 中党到檢討之各種用途(例如RF—仍、記憶體、、太陽 電池或感測器等）。 又，影像顯示裂置500除上述有機EL元件外，亦可使用 液晶、電漿發光元件等其它種類之發光元件，藉此作為有 W機EL顯不器裝置以外，例如液晶顯*器裝置、電毁顯示器 裝置等其它種類之影像顯示裝置來使用。 以上，已藉較佳實施形態說明本發明，但上述記載並 非限疋事項，當然可進行各種改變。舉例言之上述實施 形態中之例子，係以對應i個裝置之形態來製作半導體裝置 15 1,⑽’但並未受限於此，亦可執行以對應複數裂置之形態來 製作之方法。該製作方法可使用捲繞（rolltoroll)製法。 又’本實施形態之構成，可藉仙將來開發後可預測之高 移動度有機半導體材料，帶來更顯著之效果，並獲得更大 的技術價值。 20產業上之利用可能性 藉本發明，可使用利用了層間接続構造之簡便構造來 提供積體密度優異之半導體裝置。 【圏式簡單說^明】 第1圖係概略顯示本發明第丨實施形態之半導體裝置 32 200908339 100構成的剖面圖。 第2圖係顯示與本發明第i實施形態之丨導體裝置⑽ 對應的電路要件之圖。 第3圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 5 101構成的剖面圖。 第4圖係概略顯示本發明第丨實施形態之半導體裝置 101’構成的剖面圖。 第5圖係概略顯示本發明第丨實施形態之半導體裝置 102構成的剖面圖。 10 第6圖係概略顯示本發明第1實施形態之半導體裝置 103構成的剖面圖。 第7 (a)〜（c)圖係概略顯示本發明第丨實施形態之 半導體裝置100的製造方法之剖面圖。 第8 (a)〜（b)圖係概略顯示本發明第】實施形態之 15半導體裝置的製造方法之剖面圖。 第9 (a)〜（e)圖係概略顯示本發明第2實施形態之 半導體裝置200的製造方法之剖面圖。 第10 (a)〜（f)圖係概略顯示本發明第2實施形態之 半導體裝置200的另一製造方法之剖面圖。 "〇 第11圖係概略顯示本發明第3實施形態之半導體裝置 30〇構成的剖面圖。 第12圖係概略顯示本發明第4實施形態之影像顯示裝 置500構成的立體圖。 第13圖係概略顯示本發明第4實施形態之半導體裝置 33 200908339 400構成的剖面圖。 第14圖係顯示半導體裝置400之等效電路之圖。 第15圖係概略顯示習知半導體裝置1000構成之剖面 圖。 5 【主要元件符號說明】 50、50,、50”、50，，，···有機半導體部 52.. .填充材料（絕緣材料） 56…有機EL元件 60…基板構造 62.. .上基板構造 64…下基板構造 70、72、74..·通孔 86.. .補強膜 92、94…配線 100、101、101’、102、103、200、 300、400…半導體裝置 IOOA. ..開關電晶體 IOOB. ..驅動器電晶體 500.. .影像顯示裝置 10…樹脂膜 10a____L 面 10b...下面 12…接著層 14".樹脂膜 15、15A··.貫通孔 17.. .壁面 20.. ..閘極電極 22…配線 24···配線 25…配線圖案 30.··絕緣層 40s、40s’、40s”..·源極電極 40d、40d’、40d”...沒極電極 42.. .透明電極 34

Claims (1)

1. 200908339 十、申請專利範圍： 1. 一種半導體裝置，包含有： 樹脂膜，係具有貫通孔者；及 半導體元件，係具有配置於前述貫通孔内壁之閘極電 5 極、在前述貫通孔内部覆蓋前述閘極電極之絕緣層、在前 述貫通孔内部配置於前述絕緣層上之有機半導體、及與該 有機半導體電連接之源極電極與汲極電極者。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體裝置，其中前述源極電極 與前述有機半導體之其中一端部全面接觸。 10 3.如申請專利範圍第1或2項之半導體裝置，其中前述汲極 電極與前述有機半導體之另一端部全面接觸。 4.如申請專利範圍第1〜3項中任一項之半導體裝置，其中 前述有機半導體藉前述源極電極、前述汲極電極與前述絕 緣層而密封。 15 5.如申請專利範圍第1〜4項中任一項之半導體裝置，其中 前述有機半導體具有中空部。 6. 如申請專利範圍第5項之半導體裝置，其中前述有機半導 體之前述中空部填充有絕緣材料。 7. 如申請專利範圍第1〜6項中任一項之半導體裝置，其中 20 前述汲極電極與前述源極電極之至少其中一者在前述貫通 孔内部與前述有機半導體接觸。 8. 如申請專利範圍第1〜7項中任一項之半導體裝置，其中 前述樹脂膜具有由第2貫通孔與形成於該第2貫通孔之導電 性組成物所構成的第2通孔，並藉該第2通孔使配置於前述 35 200908339 樹脂膜其中一面之配線與配置於前述樹脂膜另一面之配線 電連接。 9. 如申請專利範圍第1〜8項中任一項之半導體裝置，其更 具有： 5 第2樹脂膜，係其中一面透過第1接著層與前述樹脂膜 之前述源極電極側的表面接觸者；及 第3通孔，係由形成於前述第2樹脂膜之第3貫通孔與形 成於該第3貫通孔之導電性組成物所構成者； 前述源極電極透過前述第3通孔與配置於前述第2樹脂 10 膜另一面之配線電連接。 10. 如申請專利範圍第9項之半導體裝置，其中前述源極電 極已埋設於前述第1接著層。 11. 如申請專利範圍第1〜10項中任一項之半導體裝置，其更 具有： 15 第3樹脂膜，係其中一面透過第2接著層與前述樹脂膜 之前述汲極電極側的表面接觸者；及 第4通孔，係由形成於前述第3樹脂膜之第4貫通孔與形 成於該第4貫通孔之導電性組成物所構成者； 前述汲極電極透過前述第4通孔與配置於前述第3樹脂 20 膜另一面之配線電連接。 12. 如申請專利範圍第11項之半導體裝置，其中前述汲極電 極已埋設於前述第2接著層。 13. 如申請專利範圍第1〜12項中任一項之半導體裝置，其 中前述有機半導體由高分子有機半導體構成。 36 200908339 14. 如申請專利範圍第1〜13項中任一項之半導體裝置，其 中前述有機半導體由低分子有機半導體構成。 15. 如申請專利範圍第1〜14項中任一項之半導體裝置，其 中前述樹脂膜係由聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚對苯二 5 甲酸乙二酯樹脂及醯胺樹脂所構成之群中選出之其中一 者。 16. 如申請專利範圍第1〜15項中任一項之半導體裝置，其 中前述源極電極與前述汲極電極為貴金屬。 17. —種影像顯示裝置，包含有： 10 顯示部，係配列有發光元件者；及 驅動電路層，係驅動用於前述顯示部之前述發光元件 者； 又，前述驅動電路層包含申請專利範圍第1〜16項中任 一項之半導體裝置。 15 18·如申請專利範圍第17項之影像顯示裝置，其係將申請專 利範圍第1〜16項中任一項之半導體裝置作為ΟΝ/OFF之開 關電晶體。 19. 如申請專利範圍第17或18項之影像顯示裝置，其係將申 請專利範圍第1〜16項中任一項之半導體裝置作為驅動前 20 述發光元件之發光的驅動器電晶體。 20. 如申請專利範圍第17〜19項中任一項之影像顯示裝 置，其中前述發光元件為有機電子發光元件。 21. —種半導體裝置之製造方法，包含有以下步驟： 於樹脂膜形成貫通孔； 37 200908339 於前述貫通孔内壁配置閘極電極； 在前述貫通孔内部形成覆蓋前述閘極電極之絕緣層； 在前述貫通孔内部形成配置於前述絕緣層上之有機半 導體；及 5 形成與前述有機半導體電連接之源極電極與汲極電 極。 22. 如申請專利範圍第21項之半導體裝置之製造方法，其更 包含有以下步驟： 於第1另一樹脂膜埋設前述源極電極；及 10 將已埋設前述源極電極之前述第1另一樹脂膜配置於 前述樹脂膜上，藉此將前述源極電極與前述有機半導體電 連接。 23. 如申請專利範圍第21或22項之半導體裝置之製造方 法，其更包含有以下步驟： 15 於第2另一樹脂膜埋設前述汲極電極；及 將已埋設前述汲極電極之前述第2另一樹脂膜配置於 前述樹脂膜上，藉此將前述汲極電極與前述有機半導體電 連接。 38