TW200905338A - Liquid crystal device, method of manufacturing liquid crystal device, and electronic apparatus - Google Patents

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200905338 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於液晶裝置，特別是關於在所謂的邊緣場 開關（以下稱爲FFS( Fringe Field Switching))模式之 液晶裝置爲代表的元件基板，妥適地被適用於具備畫素電 極與共通電極雙方之液晶裝置之技術。此外，係關於該液 晶裝置之製造方法，及適用液晶裝置之電子機器。 【先前技術】 各種液晶裝置之中，FF S模式之液晶裝置，係於元件 基板與對象基板之中，在元件基板層積畫素電極、電極間 絕緣膜、被形成間隙部的共通電極，藉由對畫素電極與共 通電極施加的電場而驅動液晶（參照專利文獻1 )。 [專利文獻1]日本專利特開200 1 — 23 5 763號公報 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 於這樣的F F S模式之液晶裝置，作爲畫素開關元件， 使用採非晶矽膜之底閘極構造的薄膜電晶體’在此薄膜電 晶體之汲極電極直接以重疊的方式形成晝素電極時’因爲 畫素電極被形成爲與資料線相同的層間，所以有必要使畫 素電極離開資料線，會有畫素電極的形成區域很窄的問 題。 在此，本案發明人提出了 ’如圖7(a)所示’以覆蓋作 200905338 爲畫素開關元件之薄膜電晶體3 0的方式形成層間絕緣膜 6，透過此層間絕緣膜6的接觸孔6 a以及汲極電極5 b， 使畫素電極7a導電連接於薄膜電晶體30的汲極區域 1 d。圖7 ( a )所示之例，係爲了與本案發明進行對比而由本 案發明人所提案者，於畫素電極7a的上層，依序被形成 電極間絕緣膜8、被形成爲狹縫狀的間隙部6b之共通電 極9a、以及配向膜16。畫素電極7a以及共通電極9a， 均爲藉由膜厚lOOnm〜200nm之相同厚度的ΐτ〇( Indium Tin Oxide，銦錫氧化物）膜所構成。根據如此之構成， 可以使畫素電極7 a形成至接近於資料線5 a的位置，具有 可以增廣畫素電極7a的形成區域的優點。 使用這樣的構成之元件基板1 〇製造液晶裝置時，如 圖7(b)所示，於共通電極9a的表面側形成由聚醯亞胺樹 脂等所構成的配向膜16之後，使用摩擦輥40等擦過配向 膜1 6的表面進行摩擦處理，控制未施加電場的狀態之液 晶分子的配向。要使這樣的磨擦處理在配向膜1 6的表面 全體均勻地進行’配向膜1 6的表面最好爲平坦的，所以 針對層間絕緣膜6最好使用有機平坦化膜。 然而，在圖7(a)、圖7(b)所示的構成進行摩擦處理 時，於共通電極9 a的間隙部9 b的內側’對共通電極9 a 在摩擦輥的進行方向側，會有起因於共通電極9a的厚度 之大的階差爲原因而導致不良情形會跨廣範圍地發生之問 題點，這樣的磨擦不良1 6 a，成爲對比的降低等使顯示影 像的品質降低的原因。這樣說來，若使共通電極9以及畫 -5- 200905338 素電極7a的膜厚更薄的話，共通電極9a的電阻增大，相 關的電阻增大，會成爲在影像內發生亮度不均等的原因。 除了即述摩擦不良以外，共通電極9a的厚度太大 時’起因於階差自身會產生配向不良，或者起因於畫素內 之共通電極9a被形成的區域，與狹縫狀間隙部gb之液晶 層的厚度變化而有使顯示的對比降低之虞。 前述課題，不限於在電極間絕緣膜8上形成共通電極 9a的場合’在電極間絕緣膜8上形成畫素電極的場合 也同樣產生。 有鑑於以上之問題點，本發明之課題在於提供不增大 電極層之電阻，而可以抑制電極間絕緣膜8上形成的電極 的厚度所導致之顯示不良的發生之液晶裝置。 [供解決課題之手段] 爲了解決前述課題，相關於本發明之液晶裝置，係具 備複數之畫素而構成，對應於各前述畫素設有開關元件而 成之液晶裝置，其特徵爲具備：前述開關元件被形成而構 成之元件基板、被形成於前述開關元件之上的層間絕緣 膜、被形成於前述層間絕緣膜上的第1電極層、及被形成 於前述元件基板，介由電極間絕緣膜而與前述第1電極平 面重疊的第2電極層；各前述畫素，包含前述第1電極層 與前述第2電極層平面重疊的第1區域、及前述第1電極 層與前述第2電極層之中僅前述第1電極層被形成的第2 區域’前述第2電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還 -6- 200905338 要薄。 接著，以前述元件基板被施以配向處理爲特徵。作爲 配向處理之一例，於第2電極層上形成由聚醯亞胺樹脂等 所構成的配向膜之後，使用摩擦輥擦過配向膜之表面進行 摩擦處理。根據本發明，於第1區域與第2區域之邊界在 前述配向膜被形成階差，但因使第2電極層之膜厚設定爲 比第1電極層更薄，所以起因於第2電極層的厚度之階差 很低，可以防止摩擦不良的產生，即使產生摩擦不良的場 合，其區域也極爲狹窄。因此，可以防止起因於摩擦不良 的對比降低。 本發明之效果，於進行前述之摩擦處理的場合最爲顯 著，但於其他配向處理方法，例如，使光線對感光性高分 子膜從斜方向照射的方法，或根據斜方向蒸鍍膜之配向處 理方法等，也藉由使被形成於元件基板上的階差抑制爲很 低，而可以減低液晶之配向不良。 本發明，係使第1電極層與第2電極層之膜厚平衡最 佳化者，不僅僅是使第1電極層與第2電極層之雙方的膜 厚變薄者’所以不會增加第1電極層及第2電極層合起來 之全體的電阻。亦即，於影像內不會發生亮度不均等等。 因而，根據本發明，可以顯示品質高的影像。 於本發明’可以採用弟1電極層及第2電極層之任一 方係被接續於前述開關元件的畫素電極，另一方係跨前述 複數畫素而被形成的共通電極之構成。特別是，第1電極 層爲前述共通電極，而第2電極層爲畫素電極者較佳。因 200905338 爲使共通電極的膜厚增厚，電阻的增大作爲亮度不均等 容易顯著化的共通電極的電阻可以降低，所以影像內不 發生亮度不均。 於本發明，特徵爲第2區域係由被設於前述第2電 層的開口或者狹縫所構成。 於本發明，特徵爲層間絕緣膜係包含有機物質之平 化膜。如此構成，因爲配向膜的表面變成平坦，所以可 摩擦處理全面均勻地進行。 於本發明，特徵爲構成第1電極層及第2電極層的 料之比電阻率大致相等。在本發明，使第2電極層變薄 而使第1電極層之膜厚增厚，所以減低起因於第2電極 厚度之階差，同時防止作爲電極層全體之電阻的增大。 即’在第1電極層的比電阻率與第2電極層之比電阻率 似的場合’本發明之效果變得顯著。最佳者爲，第丨電 層與第2電極層一起以相同的材料形成。於第1電極層 第2電極層以不同的材料形成的場合，只要第1電極層 比電阻率與第2電極層之比電阻率之差在5χ1〇ε-4Ω. 以下的話’根據本發明的構成之電極膜厚與電阻的調整 有效。作爲第1電極層或第2電極層之具體的組合，例 可以考慮 ITO、ίζο、ΖηΟ、Ιη2〇3-ΖηΟ 等。 本發明之液晶裝置之製造方法，係製造具備複數之 素而構成’對應於各前述畫素設有開關元件而成之液晶 置之製造方法’其特徵爲具備：於前述元件基板形成前 開關元件之步驟、於前述開關元件上形成層間絕緣膜之 等 會 極 坦 使 材 ， 的 亦 近 極 與 的 cm 爲 如 畫 裝 述 步 -8 - 200905338 驟、於前述層間絕緣膜上形成第1電極層之步驟、及 述元件基板，形成介由電極間絕緣膜而與前述第1電 面重疊的第2電極層之步驟；於形成前述第2電極層 驟’以在前述第2電極層形成開口或狹縫，同時前述 電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還要薄的方式 前述第2電極層。 於BII述之液晶裝置之製造方法，最好是進而包含 述第2電極上形成配向膜的步驟，及摩擦處理前述配 的步驟。 適用本發明之液晶裝置，作爲行動電話或可攜電 電子機器之顯示部而使用。 【實施方式】 以下，說明本發明之實施型態。又，在以下的說 爲了使與圖7 5所示的構成之對應關係容易理解，具 通功能的部分賦予同一符號進行說明。此外，於在以 說明所參照的各圖，爲了使各層或各構件在圖面上標 可辨識的大小，所以使各層或各構件的比例尺不同 外，彩色濾光片等之圖不被省略。 〔實施型態1〕 (全體構成） 圖1(a)、圖1 (b)之各個，係適用本發明之液晶裝 被形成於其上的各構成要素一起由對向基板之側所見 於前 極平 之步 第2 形成 於前 向膜 腦等 明， 有共 下的 示爲 。此 置與 的平 -9- 200905338 面圖，以及其Η - Η ’剖面圖。 於圖1 (a )、圖1 (b)，本型態之液晶裝置1 〇〇，係透 過型之主動矩陣型液晶裝置，於元件基板1 0上，密封材 107以沿著對向基板20之邊緣的方式被設置。於元件基 板1 0，於密封材1 0 7之外側的區域，資料線驅動電路1 〇 1 與實裝端子1 〇 2沿著元件基板1 0的一邊被設置，沿著鄰 接於實裝端子1 0 2被配列的邊之2邊，被形成掃描線驅動 電路1 04。進而，亦有利用框緣1 0 8之下等，設置預充電 電路或檢查電路等周邊電路。對向基板20，具備與密封 材107幾乎相同的輪廓，藉由此密封材107對向基板20 被固接於元件基板10。接著在元件基板1〇與對向基板20 之間保持液晶5 0。 詳如後述，於元件基板1 〇，畫素電極7a被形成爲矩 陣狀。對此，於對向基板2 0，在密封材1 〇 7內側區域被 形成由遮光材‘料所構成的框緣1 0 8，其內側成爲影像顯示 區域10a。在對向基板20，在與元件基板之畫素電極 7a的縱橫之邊界區域對向的區域亦有被形成稱爲黑矩 陣’或者黑條紋等之遮光膜23。 本型態之液晶裝置100，使液晶50以FFS模式驅 動。因此，於元件基板10上，除了畫素電極7a以外’也 被形成後述之共通電極（於圖1(b)未圖示），於對向基板 20未被形成對向電極。 (液晶裝置100之詳細構成） -10- 200905338 參照圖2’說明適用本發明之液晶裝置1〇〇以及使用 於其之元件基板的構成。圖2係顯示使用於適用本發明之 液晶裝置1 〇 0的兀件基板1 〇的影像顯示區域丨〇 a之電氣 構成之等價電路圖。 如圖2所示’於液晶裝置丨〇〇的影像顯示區域1 〇a， 複數畫素l〇〇a被形成爲矩陣狀。於複數之畫素1〇〇a的各 個，被形成畫素電極7a、及供控制畫素電極7a之用的畫 素開關用薄膜電晶體3 0 ’將資料訊號（影像訊號）依照 線順序供給的資料線5a被導電連接於薄膜電晶體30之源 極。於薄膜電晶體3 0之閘極有掃描線3 a被導電連接，以 特定的計時，對掃描線3 a將掃描訊號以線依序地施加而 構成。畫素電極7a，被導電連接於薄膜電晶體3 0之汲 極，藉由使薄膜電晶體3 0僅一定期間成爲打開狀態，而 使從資料線5a供給的資料訊號以特定的計時寫入各畫素 100a。如此進行透過畫素電極7a，被寫入圖1(b)所示之 液晶5 0的特定位準的影像訊號，在與被形成於元件基板 1 〇之共通電極9a之間保持一定期間。此處，畫素電極7a 與共通電極9a之間被形成保持電容60，畫素電極7a之 電壓，例如被保持比源極電壓被施加的時間更長上千倍 (3個數量級）的時間。藉此’電荷的保持特性被改善’ 可以實現可進行高對比的顯示之液晶裝置1 0 0。 在圖2，顯示爲共通電極9a由掃描線驅動電路1〇4 延伸的配線那樣，但被形成於冗件基板1 〇的影像顯不區 域1 0 a之約略全面，被保持於特定的電位。 -11 - 200905338 (各畫素之詳細構成） 圖3(a)、圖3(b)各係適用本發明之液晶裝置100的1 個畫素份之剖面圖’及於元件基板1 〇相鄰接的畫素之平 面圖，圖3 (a)係在相當於圖3 (b)的A - A ’線的位置切斷液 晶裝置1 〇 〇時之剖面圖。此外，在圖3 (b )，畫素電極7 a 顯示爲長的虛線，資料線5 a以及與其同時被形成的薄膜 係以單點虛線顯示’掃描線3 a係以雙點虛線表示，於共 通電極9a部分被除去的部分以實線表示。又，於圖3(a) 針對對向基板20，省略遮光膜23以及彩色濾光片之圖 不。 如圖3(a)、圖3(b)所示，於元件基板10上，複數之 透明的畫素電極7a (以長的虛線包圍的區域）矩陣狀地 被形成於各畫素1 〇〇a，沿著畫素電極7a的縱橫之邊界區 域形成資料線 5 a (單點虛線）及掃描線3 a (二點虛 線）。此外，於元件基板1 0之影像顯示區域1 〇a之約略 全面被形成由ITO膜所構成之共通電極9a。於本型態， 共通電極9a被形成爲覆（貼）滿狀，另一方面，於畫素 電極被形成複數狹縫狀的間隙部7b (以長虛線顯示）， 於間隙部7b共通電極9a重疊於畫素電極7a。於本型 態，複數之間隙部7b，被形成爲斜向於掃描線3 a的延伸 方向，與複數之間隙部7b彼此平行延伸。 圖3(a)所示之元件基板10之基體’係由石英基板或 耐熱性的玻璃基板等透明基板1 〇b所構成’對向基板20 -12- 200905338 之基體，係由石英基板或耐熱性的玻璃基板等 2 0b所構成。在本型態，透明基板1 Ob、20b之 用玻璃基板。在對向基板20，其全面被形成配fi 但與TN模式之液晶裝置不同，未被形成對向電彳 再度於圖3(a)、圖3(b)，於元件基板10, 板l〇b的表面被形成由矽之氧化膜所構成的下 (未圖示），同時於其表面側，在鄰接於各畫5 的位置被形成頂閘極構造之薄膜電晶體30。如 圖3(b)所示，薄膜電晶體30，亦有以對島狀的 la，具備被形成通道形成區域lb、源極區域lc 域1 d的構造，以在通道形成區域1 b的兩側具備 域的LDD ( Lightly Doped Drain )構造的方式被 本型態，半導體膜1 a，在對元件基板1 〇形成非 後，藉由雷射退火或燈退火等而被多結晶化爲多 於半導體膜1 a之上層，被形成矽之氧化膜 化膜、或者是這些之層積膜所構成的閘極絕緣膜 極絕緣膜2之上層，掃描線3 a之一部份與閘 疊。在本型態，半導體膜la折曲爲门字形，具 極於通道方向被形成於2個處所之雙閘極構造。 於閘極電極（掃描線3 a )之上層被形成由 膜、矽之氮化膜、或者這些之層積膜所構成的層 4。於層間絕緣膜4的表面被形成資料線5a， 5 a，透過被形成於層間絕緣膜4的接觸孔4a電 位在最靠資料線5 a側之源極區域。此外’於層 透明基板 任一均使 封膜26 ’ 亟。 在透明基 底保護膜 S電極7 a H 3(a) ' 半導體膜 、汲極區 低濃度區 形成。於 晶矽膜之 晶矽膜。 、矽之氮 2，於閘 極電極重 有閘極電 矽之氧化 間絕緣膜 此資料線 氣連接於 間絕緣膜 -13- 200905338 4的表面被形成汲極電極5 b，汲極電極5 b係與資料線5 a 同時形成的導電膜。汲極電極5 b，介由被形成於層間絕 緣膜4的接觸孔4b，被電氣連接於汲極區域Id。 於資料線5 a及汲極電極5 b之上層側，被形成層間絕 緣膜6。於本型態，層間絕緣膜6，係作爲由厚度1 .5 μιη 〜2.Ομιη之厚的感光性樹脂所構成平坦化膜（有機平坦化 膜）而被形成的。 於層間絕緣膜6的表面，跨其全面藉由貼滿的ΙΤΟ膜 形成作爲下層側電極層之共通電極9a。於共通電極97a 的表面，被形成電極間絕緣膜8。於本型態，電極間絕緣 膜8，係由膜厚400nm以下的矽之氧化膜或者矽之氮化膜 所構成。 於電極間絕緣膜8的上層，藉由ITO膜形成作爲上層 側電極層之畫素電極7a，於畫素電極7a的表面側被形成 配向膜1 6。於畫素電極7 a，被形成前述之狹縫狀的間隙 部7b。在如此構成之狀態，共通電極9a與畫素電極7a 係中介著電極間絕緣膜8而對向，形成以電極間絕緣膜8 爲介電質膜的保持電容60。 此處，畫素電極7 a，介由被形成於層間絕緣膜6的 接觸孔6a，被電氣連接於汲極電極6b。因此，於共通電 極9 a，在被形成接觸孔6 a的部分被形成矩形的缺口 9 d。 在如此構成的液晶裝置1，藉由被形成於畫素電極7a 與共通電極9 a之間的橫電場，可以在狹縫狀間隙部7 b以 及其周邊驅動液晶5 0，可以顯示影像。 -14- 200905338 (電極層之構成，及本型態之主要效果） 使用這樣的構成之元件基板1 0製造液晶裝置1時， 如圖4所示，於畫素電極7a的表面側形成由聚醯亞胺樹 脂等所構成的配向膜1 6之後，使用摩擦輥40等擦過配向 膜1 6的表面進行摩擦處理，控制未施加電場的狀態之液 晶分子的配向。要使這樣的磨擦處理在配向膜1 6的表面 全體均勻地進行，配向膜1 6的表面最好爲平坦的，所以 針對層間絕緣膜6使用有機平坦化膜。 此處，作爲下層側電極層之共通電極9a，係由膜厚 50nm〜200nm之ITO膜作爲貼滿之電極層而被形成，作 爲上層側電極層之畫素電極7a，係由膜厚30nm〜100nm 之ITO膜作爲具有狹縫狀的間隙部7b之電極層而被構 成，共通電極9a的膜厚與畫素電極7a的膜厚有以下之關 係：「畫素電極7a (上層側電極層）< 共通電極9a (下 層側電極層）」。亦即，與被形成爲貼滿的共通電極9a 比較，被形成狹縫狀的間隙部7b的畫素電極7a的膜厚較 薄。 亦即，進行摩擦處理時，於畫素電極7a之間隙部7b 的內側’在對畫素電極7a之摩擦輥的行進方向側，有著 由於起因於畫素電極7a的厚度之階差而會在陰影部分產 生摩擦不良1 6a之虞，但在本型態，狹縫狀的間隙部7b 被形成的畫素電極7a的膜厚較薄。因此，即使摩擦不良 16a產生的場合’也僅發生在極爲狹窄的區域。因此，不 -15- 200905338 會產生對比的降低等，可以提高顯示影像的品質。 此外，於本型態，使畫素電極7a的膜厚薄化之部分 可以使共通電極9a之膜厚增厚。因此，畫素電極7a及共 通電極9a之作爲整體的電阻可以被維持於低的程度。特 別是因爲共通電極9a係跨複數個畫素而被形成，所以電 阻容易成爲問題，但在本型態，因爲增厚共通電極9a的 膜厚，所以共通電極9 a的電阻比從前更低。因此，可以 確實防止影像內的亮度不均之產生。 在本實施型態，爲了防止起因於使畫素電極7a薄化 之影像的亮度不均，而使共通電極的厚度增加，使畫素電 極7a與共通電極9a之合計電阻不要增大。於本實施型 態，畫素電極 7a、共通電極9a都使用ITO膜，但除了 ITO膜以外，也可以把IZO等透明導電膜作爲畫素電極 7a、共通電極9a來使用。此外，畫素電極7a、共通電極 9a也可以使用種種不同的材料所構成的導電膜。在此場 合，藉由選擇在畫素電極7a及共通電極9a所分別使用的 材料的比電阻率之差的絕對値在 5χ1 0Ε-4Ω· cm以下的材 料，可以把電阻之合計値調成理想値，而且實現「畫素電 極7a的膜厚 < 共通電極9a」之構成。 〔第2實施型態〕 圖5(a)、圖5(b)各係本發明之實施型態2的液晶裝置 1 〇 〇的1個畫素份之剖面圖，及於元件基板1 〇相鄰接的 畫素之平面圖，圖5(a)係在相當於圖3(b)的B-B’線的位 -16- 200905338 置切斷液晶裝置1 〇 〇時之剖面圖。又，本型態之基本構 成，與第1實施型態同樣，所以共通部分賦予同一符號而 省略其說明。 如圖5 (b)所示，於元件基板1 0上，複數之透明的畫 素電極7a (以長的虛線包圍的區域）矩陣狀地被形成於 各畫素100a，沿著畫素電極7a的縱橫之邊界區域形成資 料線5 a (單點虛線）及掃描線3 a (二點虛線）。此外， 於元件基板1 0之影像顯示區域1 0 a之約略全面被形成由 IT 0膜所構成之共通電極9 a。於本型態，畫素電極被形成 爲貼滿，另一方面於共通電極9a，狹縫狀的間隙部9b， 被形成爲斜向於掃描線3 a的延伸方向，與複數之狹縫狀 的間隙部9 b彼此平行延伸。 如圖5(a)、圖5(b)所示，在元件基板10元件基板5 上’以由有機平坦化膜所構成的層間絕緣膜6覆蓋薄膜電 晶體3 0之上層側，於層間絕緣膜6之表面，有作爲下層 側電極層之畫素電極7a藉由ITO膜被形成爲貼滿。此 外，於畫素電極7a的表面，被形成電極間絕緣膜8。 於電極間絕緣膜8的上層，藉由ITO膜形成作爲上層 側電極層之共通電極9a，於共通電極9a，被形成前述之 狹縫狀間隙部9 b。於狹縫狀之間隙部9 b，畫素電極7 a不 重疊於共通電極9a。於畫素內，狹縫狀的間隙部9b所佔 的比率爲20%〜60%。 使用這樣的構成之元件基板1 0製造液晶裝置1時， 與參照圖4所說明的構成約略相同，於共通電極9a的表 -17- 200905338 面側形成由聚醯亞胺樹脂等所構成的配向膜1 6之 用摩擦輥40等擦過配向膜16的表面進行摩擦處理 未施加電場的狀態之液晶分子的配向。要使這樣的 理在配向膜16的表面全體均勻地進行，配向膜16 最好爲平坦的，所以針對層間絕緣膜6使用有機 膜。 此處，作爲下層側電極層之畫素電極 7 a，係 50nm〜200nm之ITO膜作爲覆滿之電極層而被形 爲上層側電極層之共通電極9a，係由膜厚30 nm〜 之ITO膜作爲具有狹縫狀的間隙部7b之電極層 成，共通電極9a的膜厚與畫素電極7a的膜厚有以 係：「共通電極9 a (上層側電極層）< 畫素電極 層側電極層）」。亦即，與被形成爲貼滿的畫素調 比較，被形成狹縫狀的間隙部9 b的共通電極9 a的 薄。 亦即，進行摩擦處理時，於共通電極9a之狹 間隙部9b的內側，在對共通電極9a之摩擦輥40 方向側，有著由於起因於共通電極9 a的厚度之階 產生摩擦不良16a之虞，但在本型態，狹縫狀的 9b被形成的共通電極9a的膜厚較薄。因此，即使 良16a產生的場合，也僅發生在極爲狹窄的區域。 不會產生對比的降低等，可以提高顯示影像的品質 此外，於本型態，使共通電極9 a的膜厚薄化 可以使畫素電極7a之膜厚增厚。因此，畫素電極. 後，使 ，控制 磨擦處 的表面 平坦化 由膜厚 成，作 1 OOnm 而被構 下之關 7a (下 【極 7 a 膜厚較 縫狀的 的行進 差而會 間隙部 摩擦不 因此， 〇 之部分 7a及共 -18- 200905338 通電極9a之作爲整體的電阻可以被維持於低的程度。 在本實施型態，爲了防止起因於使畫素電極7a薄化 之影像的亮度不均，而使共通電極的厚度增加，使畫素電 極7a與共通電極9a之合計電阻不要增大。於本實施型 態，畫素電極7a、共通電極9a都使用ITO膜，但除了 ITO膜以外，也可以把IZO等透明導電膜作爲畫素電極 7a、共通電極9a來使用。此外，畫素電極7a、共通電極 9a也可以使用種種不同的材料所構成的導電膜。在此場 合，藉由選擇在畫素電極7a及共通電極9a所分別使用的 材料的比電阻率之差在 5 X 1 0 E - 4 Ω · c m以下的材料，可以 把電阻之合計値調成理想値，而且實現「畫素電極7 a的 膜厚 < 共通電極9a」之構成。 〔其他實施型態〕 又，在實施型態1、實施型態2，於形成間隙部時， 係形成狹縫狀的開口部，但在使畫素電極成爲梳齒形狀， 或魚骨形狀而設置間隙部的液晶裝置也可以適用本發明。 此外，在實施型態1、實施型態2，係作爲半導體膜 使用多晶矽膜之例，但亦可於使用非晶矽膜或單晶矽層的 元件基板1 〇適用本發明。此外，亦可將本發明適用於作 爲畫素開關元件使用薄膜二極體元件（非線性元件）之液 晶裝置。 (對電子機器之搭載例） -19- 200905338 其次，說明適用相關於前述實施型態之液晶裝 的電子機器。圖6(a)係顯示具備液晶裝置100之可 人電腦的構成。個人電腦2000，具備作爲顯示單 晶裝置1〇〇與本體部2010。於本體部2010，設有 關200 1及鍵盤2002。圖6(b)係顯示具備液晶裝置 行動電話的構成。行動電話機3000，具備複數操 3001以及捲動按鈕3002、以及作爲顯示單元之液 1 0 0。藉由操作捲動按鈕3 0 0 2，可以使顯示於液 100的畫面捲動。圖6(C)係顯示適用液晶裝置1〇〇 資訊終端（PDA: Personal Digital Assistants)的 可攜資訊終端4000，具備複數操作按鍵4〇(n以及 關4 002、以及作爲顯示單元之液晶裝置100。操作 關4002時’通訊錄或行程表等各種資訊被顯示於 置 1 0 0。 又，作爲液晶裝置1 0 0被適用之電子機器，除 所示者以外’還可以舉出數位相機、液晶電視、 型、螢幕直視型之攝影機、汽車導航裝置、呼叫器 手冊、計算機、文書處理機、工作站、電視電話' 端、具備觸控面板的機器等。接著，作爲這些各種 器之顯示部，前述之液晶裝置100可以適用。 【圖式簡單說明】 圖1 (a)、（b)分別係適用本發明之液晶裝置與 於其上的各構成要素一起由對向基板之側所見的平 置 100 攜型個 元之液 電源開 100之 作按鍵 晶裝置 晶裝置 之可攜 構成。 電源開 電源開 液晶裝 了圖6 觀景窗 、電子 POS終 電子機 被形成 面圖， -20- 200905338 以及其Η - Η ’剖面圖。 圖2係顯示使用於適用本發明之液晶裝置的元件基板 的影像顯示區域之電氣構成之等價電路圖。 圖3 (a)、（b)分別係相關於本發明之實施型態1之液 晶裝置的1畫素份之平面圖，及於元件基板相鄰接的畫素 之平面圖。 圖4係顯示製造適用本發明之液晶裝置時之摩擦處理 的樣子之說明圖。 圖5(a)、（b)分別係相關於本發明之實施型態2之液 晶裝置的1畫素份之平面圖，及於元件基板相鄰接的畫素 之平面圖。 圖6係使用相關於本發明之液晶裝置的電子機器之說 明圖。 圖7係顯示從前之液晶裝置之1個畫素份的剖面圖， 及製造此液晶裝置時之摩擦處理的樣子之說明圖。 【主要元件符號說明】 1 a :半導體膜 3 a .掃描線 4 :層間絕緣膜 6 :作爲有機平坦化膜之層間絕緣膜 6a :接觸孔 5a :資料線 5 b :汲極電極 -21 - 200905338 7 a :畫素電極 7b :畫素電極之狹縫狀的間隙部 8 :電極間絕緣膜 9a :共通電極 9b :狹縫狀的間隙部 1 〇 :元件基板 2 0 :對向基板 3 0 :作爲畫素開關元件之薄膜電晶體 5 〇 :液晶 6 0 :保持電容 1 〇 〇 :液晶裝置 1 〇〇a :畫素 -22-

Claims (1)

1. 200905338 十、申請專利範圍 1. 一種液晶裝置，係具備複數之畫素而構成，對應 於各前述畫素設有開關元件而成之液晶裝置，其特徵爲具 備： 前述開關元件被形成而構成之元件基板、 被形成於前述開關元件之上的層間絕緣膜、 被形成於前述層間絕緣膜上的第1電極層、及 被形成於前述元件基板，介由電極間絕緣膜而與前述 第1電極平面重疊的第2電極層； 各前述畫素，包含前述第1電極層與前述第2電極層 平面重疊的第1區域、及前述第1電極層與前述第2電極 層之中僅前述第1電極層被形成的第2區域， 前述第2電極層之膜厚比前述第1電極層之膜厚還要 薄。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 前述元件基板被配向處理。 3. 如申請專利範圍第2項之液晶裝置，其中 於前述第2電極層上被形成配向膜，於前述第1區域 與前述第2區域之邊界在前述配向膜形成階差。 4. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 前述第1電極層及前述第2電極層之任一方係被接續 於前述開關元件的畫素電極，另一方係跨前述複數畫素而 被形成的共通電極。 5. 如申請專利範圍第4項之液晶裝置，其中 -23- 200905338 前述第1電極層，係前述共通電極，前述第2電極層 係前述畫素電極。 6. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 前述第2區域，係由被設於前述第2電極層的開口或 者狹縫所構成。 7. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 前述層間絕緣膜係包含有機物質之平坦化膜。 8. 如申請專利範圍第1項之液晶裝置，其中 構成前述第1電極層及前述第2電極層的材料的比電 阻率之差在5xlOE-4Q_cm以下。 9. 一種液晶裝置之製造方法，係製造具備複數之畫 素而構成，對應於各前述畫素設有開關元件而成之液晶裝 置之製造方法，其特徵爲具備： 於前述元件基板形成前述開關元件之步驟、 於前述開關元件上形成層間絕緣膜之步驟、 於前述層間絕緣膜上形成第1電極層之步驟、及 於前述元件基板，形成介由電極間絕緣膜而與前述第 1電極平面重疊的第2電極層之步驟； 於形成前述第2電極層之步驟，以在前述第2電極層 形成開口或狹縫，同時前述第2電極層之膜厚比前述第1 電極層之膜厚還要薄的方式形成前述第2電極層。 1 0 .如申請專利範圍第9項之液晶裝置之製造方法， 其中 進而包含於前述第2電極上形成配向膜的步驟，及摩 -24- 200905338 擦處理前述配向膜的步驟。 11. 一種電子機器，其特徵爲具備申請範圍第1項之 液晶裝置。