TW200845155A - Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor - Google Patents

Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor Download PDF

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Description

200845155 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上關於與半導體接觸之以碳奈米管為基礎 之接觸件的形成方法’尤其更關於用於電子與光子應用之 5 與半導體接觸之以碳奈米管為基礎之接觸件的製造方法。 ⑩ 【交又參考之相關申請案】 本申請案為申請於2005年4月21曰之名為 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」的美國專利申請案 10 n/11l，582的部分延續案，並基於美國法典35之120而主 張其為優先權母案；美國專利申請案11/111，582為申請於 2004年2月11曰之美國專利申請案1〇/776,573(現為美國 專利6,942,921)的延續案；美國專利申請案10/776,573為申 請於2002年4月23曰之美國專利申請案^/:128,118(現為 _5 美國專利6,706,402)的延續案，在此將上述所有案件之内容 包含於此作為參考。 本申請案亦基於美國法典35之119(e)而主張申請於 2006 年 2 月 21 日之名為「METHOD OF FORMING CARBON NANOTUBE-BASED CONTACT TO SEMICONDUCTOR j 20 的美國臨時專利申請案60/775,461作為優先權母案，在此 將其所有内容包含於此作為參考。 又，本申請案基於美國法典35之120而主張申請於 6 200845155 2003 年 1 月 13 日之名為「CARBON NANOTUBE FILMS LAYERS FABRICS RIBBONS ELEMENTS AND ARTICLES」的美國專利申請案10/341,13〇作為優先權母 案，在此將其所有内容包含於此作為參考。 5 【先前技術】
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III-V族半導體尤其是GaN(Eg〜3 37 eV)被廣泛地使用 於光電及電子裝置。此些材料，相較於以矽為基礎之技術， 具有許多優點。然而，由於缺乏穩定的氧化物，使得m_v 族半導體的高製造成本，妨礙了其取切電子裝置超脫成 為利基裝置及光電裝置(實質市場）。 碳奈米管(CNT)為-晴料，尤其在奈㈣子產業 到了不同的應用。CNT包含—管狀結構，具有直徑範圍自 1至2腿，且具有許多獨特與有價值之雜，如 導體雙重導電性、高機械強度(_約丨 佳^ 光學特性及化學惰性/彈性。 巴仏的熱與 在光電產業中的主要挑戰為，在金屬（或導電 ㈣)薄膜與具有極低導電率之活性卜⑽基板之間
歐姆、低接觸電_能力。該金屬接觸件錢 I 長下亦必須具有高光學穿透率，因 三木乍波 (<50謂)。此些較薄的金屬薄膜可;膜 入等問題導—中。因此，必須主 薄膜厚度與金屬薄膜的絲料率之間達到—個平衡2 7 20 200845155 :的^况下，金屬或導電金屬氧化物薄膜應與P-GaN形 成^姆接觸'^具有小於l(T301ims-cm2的接觸電阻與小於 100 〇hmS/Sq的片電阻，且在期望的波長下具有大於1 5的 $射係數，並具有大於85%的光學穿透率。使得⑽光學 5裝置的發展更複雜的是處理p-GaN相關的許多問題，例如 主動區對光阻、乾㈣與某些溶劑的敏感度。 目岫對於製造與P-GaN裝置接觸之以CNT為基礎之接 .觸件=言，並不存在著可擴充的量產級製程。為了使製程 達到量產級，其必須要能使用業界中所使用的設備與程 ίο 序。在本發明中所敘述的製程不只是符合此類基準，更在 ‘程期間產生GaN表面的封裝(encapsulation)，藉此最大化 產生的界面品質。 利用奈米管來製造與ρ-GaN之接觸的概念已被Lee，K. 專人（「Single wall carbon nanotubes for p-type ohmic 15 contacts to GaN light-emitting diodes」，Nano Letters，4(5)， , (2004)，911-914)所發表，並被 Rinzler，A.G·等人 (「Semiconductor device and method using nanotube contacts」 美國專利申請案US 20050199894(2205))所申請為專利，上 述兩者利用了碳奈米管的厚層來製造與GaN基板之低接觸 20 電阻接觸件，此接觸件能夠傳輸中心波長為434 nm的藍 光。然而，此些參考文獻皆未敘述或意圖施行適合於製造 環境中的製程。更具體而言，在兩篇文獻中奈米管類型與 用以沈積織物的技術，皆無法在適當的製造處理中重現。 Lee等人的公開文件與Rinzler等人的專利，報導了金屬拔 8 200845155 除(lift-off)方法的使用’由於在此方法中 主動區域係暴露至 動區的光阻、驗性顯影液與 物外，更提供製造期望接觸件的技術。u使用奈米管織 【發明内容】 本發明提供了在半導體、碳奈米 形成低接觸電阻界面，翻屬層之間 學穿透率的-種方1 奈米管織物具有高光 、在本發明之-態樣中，提供了—種 基板，並將圖案化之導電執跡設置:該半導體 15 了複i未對準:::包二::織造奈米管織物層’包含 範圍，提供數米管沿著該軌跡的 米管織物層相鄰H'及—金屬層，與該非織造奈 在本發明之另一態樣中，該金屬 A 米管織物層上的―_，且為 非織造奈 仃於該+導體的主要表面。 只貝上十 於該另7態樣中，該導電物品進-步包含設置 於-亥至屬層上方亚與該金屬層作電交流的—金屬電極。 置於該全’該非織造奈米管織物層係設 屬層上’且該金屬層為大致上呈平面延伸且實質 9 20 200845155 上平行於該半導體之主要表面的一薄膜。 在本發明之另一態樣中，該導電物品進一步包含設置 於該非織造奈米管織物層上方並與該非織造奈米管織物層 作電交流的一金屬電極。 5 在本發明之另一態樣中’該導電物品進一步包含交替 設置的複數金屬層及複數非織造奈米織物層。 在本發明之另一態樣中，該金屬層的每一者與該非織 | 造奈米管織物層的每一者，係大致上呈平面延伸且實質上 平行於該半導體之主要表面。 10 根據本發明之另一態樣，該圖案化之導電執跡的至少 一部分包含一主動區，該主動區被建構與設置成在可見光 範圍的至少一部分範圍中實質上呈光學透明。 根據本發明之另一態樣，該金屬層為在實質上垂直於 半導體之主要表面的維度上厚度小於10奈米的薄膜。 J5 根據本發明之另一態樣，該半導體包含相鄰設置且實 質上為平行膜層的p-GaN層與n-GaN層。 根據本發明之另一態樣，該半導體材料基板係選自於 包含III-V、V與II-VI族半導體材料的族群。 根據本發明之另一態樣，該非織造奈米管織物包含單 2〇 壁複奈米管與多壁碳奈米管。 根據本發明之另一態樣，該非織造奈米管織物包含金 屬奈米管與半導電性奈米管，且在該織物中之金屬奈米管 200845155 與半導電性奈米管的相對組成係受到控制。 根據本發明之另一態樣，提供一種發光半導體裝置。 該發光半導體裝置包含一半導體材料基板以及與該半導體 作電交流的一金屬接觸件。該發光半導體裝置亦包含··一 5 界面結構’此界面結構包令---^卩織造奈米管織物層與一金 屬層，俾使該界面結構夾置於該金屬接觸件與該半導體之 間，而令該金屬接觸件與該半導體電耦合；至少一主動區， 其與該金屬接觸件相鄰，且在可見光範圍的至少一部分中 ® 係至少部分光學透明的。 10 在本發明之另一態樣中，該界面結構被建構與設置， 俾以於該半導體與該金屬接觸件之間，提供低電阻之電路 徑。 在本發明之另一態樣中，該界面結構的金屬層係受到 選擇與設置，俾以提供與該非織造奈米管織物的歐姆接 15 觸、以及與該金屬接觸件的歐姆接觸。 ❿ 在本發明之另一態樣中，提供一種於半導體上製造導 電物品的方法。在半導體上製造導電物品的方法包含下列 步驟：提供一半導體；在該半導體上形成一導電軌跡，該 導電軌跡包含一非織造奈米管織物層與一薄金屬層；及在 20 該導電執跡上方沈積一遮罩層。在半導體上製造導電物品 的方法亦包含下列步驟：在該遮罩層中定義一圖案，該圖 案係對應至該物品的形狀；及根據該遮罩層的圖案來移除 部分之該奈米管織物層與部分之該金屬層，俾使剩下的導 電軌跡形成該導電物品，且實質上保留該半導體。 11 200845155 根據本發明之另— 之步驟，包含葬士护一悲樣，形成—非織造奈米管織物層 奈米管。塗與噴塗操作中的至少一者來施加碳 根據本發明之另一能搂 部分之該奈米管根據該遮罩層的圖案來移除 濕式敍刻與乾柄金屬層之步驟，包含 接觸之另―態樣’在該導電軌跡上形成一金屬 =件之㈣中，其中該金騎觸件係與該半導體作電交 10 15
包含之另一態樣，形成-金屬接觸件之步驟， 、、、式細j與反應性離子_操作中的至少一者。 =本發明之另—祕，該導電轨跡之該薄金屬層被 建冓置’俾以提供與該非織造奈米管織物層的低電阻 接觸、以及與該金屬接觸件的低電阻接觸。 - 根據本發明之另一態樣，形成一導電轨跡之步驟 含在該奈米管織物層上設置該薄金屬層。 -根據本發明之另一態樣，形成一導電執跡之步驟，勺 含在該薄金屬層上設置該奈米管織物層。 ^ 根據本發明之另一態樣，形成—導電軌跡之步騍，、 一步包含提供交替設置的複數碳奈米管織物層與二查’♦進 雇Jir。 9 /、设数溥金 12 20 200845155 【實施方式】
P型氮化鎵(P_GaN)為用於例如發光二極 U 料。目前’製造商細錢阻值歐姆電接 觸件（以使“躲發絲置而言為高錢受到 了限制。由於碳奈米管(CNT)結合了金屬與
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20 =及CNT _(CNT分散於—表面上)具有高度光學透明 ^ ’因此已顯不了碳奈米管可解決此問題。接觸件系統的 物理結構可被分解為三個部分：a)⑽、b)界面材料歲〇 金屬導體。金屬導體係作為裝置與外部電路的界面。界面 材料的角色在於與GaN及與金屬兩者產生適當的接觸，並 因此使得GaN能夠與外部電路產生充分的電接觸。額外的 製造限制為，GaN表©對各種化學品相當敏感且在製造處 理期間應持續被保護。本發明提供了·咖盘全屬來制 造與GaN之制件，朗時_⑽表面受到保護的= 法。以CNT為基礎的界面膜可具有高光學透明度並同時形 成良好的電接觸件。此特性使得此接觸件於光學應甩中係 有用的。以CNT為基礎之接觸件的另一優點為，二般期望 CNT接觸件在高溫度操作時更有耐受力。 又/玉 本發明的態樣係關於製造技術與p_Ga]s[的整合。由於 p-GaN通常為一種極難整合的材料，因此利用旋塗技術以 提供奈米管並沈積金屬接觸件為一考驗。在相關領域中的 某些熟知技術為不適用的：ρ-GaN無法被暴露至光阻與溶 劑，且主動區的任何RIE(反應性離子蝕刻）處理將會損 置。本發明包含了被發展出來克服此些考驗的技術。、^ 13 200845155 本發明的其他主要態樣係關於所提供之金屬接觸件的 類型。例如，在某些多層實施例中，使用CNT-金屬-CNT_ 金屬之結構，降低了接觸電阻並改善了電流傳輸。在另一 實施例中，一 CNT織物及通常為非導電性的一薄pt層被用 來降低主動接觸區的電阻、改善電流傳輸，並同時維持接 觸件的高穿透率。
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破奈米官溥膜、膜層、織物與物品 碳奈米管薄膜、膜層、織物與物品的成長、沈積、圖 案化與餘刻操作可使用習知的技術，如微影圖案化。在美 國專利6,706,402與6,835,591中詳細地敘述了在各種表面 上形成碳奈米管薄膜、膜層、織物與物品，並接著在碳奈 米管表面上提供其他材料的方法。 έ知的互連線(interconnect)技術具有受到熱損害與4 屬擴散而侵蝕半導體裝置之效能的傾向，尤^是&低; 性。此些現象在目前世代〇.18阿與〇 13卿結構中，隨^ 尺寸降低，由於例如金屬擴散經過超薄閘極氧化層，而·
Si嚴重1相反地’碳奈米管長條並未受到此些問1 =°碳奈米管由於具有已知最高的熱傳導性，且不易邊 ‘鍵=實質上較穩健。此外’由於碳奈米管係完Μ = 原子所建構成，因此不會發生金屬或細 在美國專利嶋搬中詳細敘述了形成中間結構的方 20 200845155 具有二氧化卿夕基板容納了圖 案化的先阻層。例如，光阻層可為旋塗於上之膜層，並接 者被曝光與微影顯影，以獲得空腔(ea吻)與遮蔽圖案。 讀，可將η·摻雜之♦或金屬（如銦、鶴或组)與犧牲層 (如氧化銘）沈積於空腔中。 以开古?!光/且、光阻上的材料與氧化銘(Αΐ2〇3)剝除， 二=有電極與犧牲層的中間結構。將旋 氧化物(F0X)旋塗於該結構上，並利用標準技術 的升h衣程將Si〇2膜層形成於犧牲層上方。 以开使用反應性離子钕刻卿)等_ Si〇2膜層， 以形成具有支撐件的結構。 的方2材料的選擇係受限於將奈米管佈置於基板表面上 15 产於矣不米5係藉由凝塗溶液或奈米管懸浮液於室溫下沈 二^的，下’電極材料的選擇實質上車交廣。在此 :目匹西㈤亚無高溫步驟’且通常與標準CM0S金屬化條件 相匹配的任何金屬都可接受，尤其是域其合金。 ，牲層可由A12o3、金屬氧化物、金屬及其他材料所構 形成支^結構可湘各種材料包含露、⑽2與其他材料 棕而形成。在選擇奈米管的低溫旋塗製程的情況 的= 實質上較廣。此材料可包含如 與主族君、，、:口物i屬（如鎢、鉻、鋁、鉍及其他過渡 矢手之金屬）。亦可使用其他半導體(如鍺)與絕緣體(如 15 20 200845155 氧化物與其他硫屬化合物(姻⑺咖㈣）。 情況下，可考慮使用m 〇將表面上的 體舆聚合物(如聚酿亞胺)=。1切、半導體、絕緣 10 15 20 料f擇過程係受限於與上述之製造處理相匹配Μ Τ ;。热知此項技藝者應瞭解，在選擇特定恭朽# 、k =牲層與讀㈣自料目為、3;·=^料時， ，驟而受到限制。同樣地定;的典型處 與犧牲層的材料會適當地相限;;X”，層，電極 衧料時，電極錢牲層崎_擇會同樣地受m支撐 在支實施例中’奈米管長條可藉由摩擦力而被固定 :件的位置。在其他實施例中，可利用其他方式：： 揮件二：=ί:=:者’將長條固定於支 =或其一;::=二合:學” 導體===蒸鐘或旋塗的材料，如金屬； 加固定強度^㉟、減㈣聚醯亞胺，以增 蚊觸，炭奈錢^越錢贱 在本發明中’可交替地使用「界面材料 與 界面薄 16 200845155 ，本發明包含了在p-GaN頂部上形成低接觸電阻與高光 • 學透明度之碳奈米管薄膜的方法。圖i顯示了習知的簡易 離散型GaN LED結構1000。此簡易結構涉及使用適當的基 板105 ’如藍寶石、SiC、A1N等，且其具有仏型GaN層11〇
5 沈積於其頂部上。N-GaN係與金屬M5電接觸。P-型GaN
120進一步沈積於n_GaN 11〇之頂部上，以產生適合[ED
操作所需的p-n接面。半透明的薄金屬或金屬氧化物薄膜 130沈積於p_GaN 120的頂部上，以提供電流注入p_GaN 主動區用的歐姆低電阻接觸件。通常所使用的金屬為朽、 Pd、TiAu、NiAu、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅等。接著焊墊金 屬140與半透明薄膜13〇接觸，以產生與適當界面電子裝 置(未圖示)接觸的電接觸件。 圖2A顯示了使用碳奈米管作為界面材料之基本接觸 件結構的橫剖面圖2000。基板205可為藍寶石、Sic、ain 15 或可應用於GaN技術的其他材料，且具有半導體材料(如 修 η-GaN)的額外薄膜206。P_GaN 22〇係沈積於基板2〇5之頂
部上。如本領域所熟知者，半導體材料(如n_GaN)的額外薄 膜206與下方p_GaN 220材料形成了 p_n接面。例如在接下 來的圖示中，應瞭解，基板205包含半導體材料2〇6(如 2〇 n-GaN)之上方薄膜。在此實施例中，p_GaN 220係與CNT 織物235及金屬230接觸，其中CNT係***於金屬^3〇與 P-GaN 220之間。由於CNT織物為孔洞狀，因此金屬與CNT 兩者皆可與P-GaN接觸。在此實施例中，金屬23〇^CNT 235包含被稱為界面薄膜250者。界面薄膜的上表面係與金 17 200845155 屬焊墊240接觸。主動區260係與金屬焊墊24〇相鄰。 圖2B顯示了實施例結構2001 ’其類似於結構2〇〇〇， 但界面薄膜可具有CNT 235於金屬230的頂部上，以產生 界面接觸結構250’。在此情況下，金屬係與p_GaN緊密接 5 觸。在此情況下，CNT的主要角色為提供透明導電薄膜， 以增加分散電流，並對於光學透明度產生最小影響。然而， 若金屬230充分地薄，則CNT可協助形成與GaN之接觸。 例如’充分地薄的金屬可為〇·5至3 nm。主動區260,係與 金屬焊墊240相鄰。 ίο 在另一實施例中（圖2C，顯示結構2〇〇2)，界面膜層25〇” 係由CNT 235’與金屬230’的複數膜層所構成。例如，膜層 的順序可為：CNT-金屬-CNT。第二實例為：CNT•金屬_CN^ 金屬。第二實例為：金屬-CNT-金屬。在與金屬焊墊24〇相 鄰的主動區260”中，界面薄膜的金屬部分可被蝕刻移除而 15 主要留下CNT。在單一膜層中用以提供主動區的方法亦可 • 用於多層實施例中。在較佳之多層實施例中，在奈米管織 前敍刻金屬，原因在於，CNT、織物為孔洞狀，因此無 論疋濕式或乾式蝕刻，蝕刻劑將輕易地蝕刻多層金屬膜 層。接著可利用標準〇2RIE來移除CNT織物，以達 20 的結構。 ，上述實施例敘述了在圖2A至2C中標號為250(亦標為 250與25G”)之界面膜層的—變化型。如所述，界面膜層的 主要角色為提供與金屬焊墊的良好接觸、以及與GaN ^良 好接觸’且在大部分的應用中，可在與金屬焊墊相鄰的= 18 200845155 5 動接觸區(亦標為細，與篇，，)中達到高光學透明度。 界面膜層之金屬部分的角色可作為侧停 對於腿侧或濕核刻任—扑以㈣圖= 金屬焊塾24〇。金屬_外角色可保護cnt不受裝产 或潛在有害處理步驟的影響。 兄
10 15
20 在界面膜層處之CNT的主要作用為提供與⑽的較佳 接觸，及/或協料面縣的傳料，並_高絲透明产。 圖3A至3H顯示了藉著制CNT織物作為界面膜層來形成 與GaN接觸之高穿透率與低電阻翻件的方法。形成此類 結構的步驟係如下列所示。參考圖3A，類似基板2〇5的基 板3〇5包含：半導體材料(如n_GaN)之額外上方薄膜鳩， 在306上沈積了 p_GaN薄膜32〇。例如在接下來之圖示中， 應瞭解’基板305包含半導體材料的額外上方薄膜306。使 用半體材料306形成p-n接面為本領域中的習知方法，在 接下來的各種實施例中將不再顯示。 步驟1 ·處理開始點係顯示於圖3A中（結構3000)，其 顯示了類似於圖2A至2C中所示之基板2〇5的基板3〇5。 在沈積CNT前可利用酸處理(例如HF)來清理p_GaN表面， 以移除任何保護性之氧化物或其他薄膜。 步驟2 ·圖3B(結構3001)顯示了沈積有界面結構之第 部分一CNT織物335的基板305與p-GaN薄膜32(ΧΝΤ 可藉由本領域中為人所熟知的旋塗或喷塗技術來沈積。 步驟3:圖3C(結構3002)顯示了施加界面結構350之 19 200845155 額外部分-金屬薄膜33〇。接著，金屬接觸件/焊歸料34〇 被沈積於界面結構350的頂部上。 步驟4: ® 3D(結構3003)顯示了形成主動區。在焊塾 金屬層340上圖案化光阻37〇。接著，u濕式侧處理或反 5 應性離子似彳(RIE)處理的其巾-者’將光阻圖案轉移至焊 塾金屬340。此圖案定義了 GaNLED結構之電性主動接觸 區。 ⑩ 步驟5 :濕式蝕刻或乾式蝕刻金屬330，並接著乾式蝕
刻CNT織物335,以將結構3003的圖案轉移至界面層350, 1〇 形成圖3E中所示的結構3004。申請於2001年7月25曰之 美國專利申請案09/915093名為「ELECTROMECHANICAL MEMORY ARRAY USING NANOTUBE RIBBONS AND METHOD FOR MAKING SAME」（現為美國專利 6919592);
申請於2004年5月20曰之美國專利申請案10/850100名為 15 「ELECTROMECHANICAL MEMORY ARRAY USING • NANOTUBE RIBBONS AND METHOD FOR MAKING SAME」（現為美國專利7056758);申請於2004年5月25 曰之美國專利申請案 10/852880 名為 「ELECTROMECHANICAL MEMORY ARRAY USING 20 NANOTUBE RIBBONS AND METHOD FOR MAKING SAME」；申請於2001年7月25曰之美國專利申請案 09/915173 名為「ELECTROMECHANICAL MEMORY HAVING CELL SELECTION CIRCUITRY CONSTRUCTED WITH NANOTUBE TECHNOLOGY」（現為美國專利 200845155 6643165);申請於2003年10月24日之美國專利申請案 10/693241 名為「DEVICE SELECTION CIRCUITRY CONSTRUCTED WITH NANOTUBE TECHNOLOGY」(現為 美國專利7120047);申請於2001年7月25曰之美國專利 5 申請案 09/915095 名為「HYBRID CIRCUIT HAVING NANOTUBE ELECTROMECHANICAL MEMORY」（現為美 國專利6574130);申請於2003年3月5曰之美國專利申請 案 10/379973 名為「HYBRID CIRCUIT HAVING 私 NANOTUBE ELECTROMECHANICAL MEMORY」（現為美 ίο 國專利6836424);申請於2004年10月13日之美國專利申 請案 10/964150 名為「HYBRID CIRCUIT HAVING NANOTUBE ELECTROMECHANICAL MEMORY」；申請於 2002年4月23曰之美國專利申請案10/128118名為 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」（現為美國專利 is 6706402);申請於2004年2月9曰之美國專利申請案 10/774682 名為「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」；申 l· 請於2004年2月11日之美國專利申請案10/776573名為 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」（現為美國專利 6942921);申請於2005年4月21日之美國專利申請案 2〇 11/1H582 名為「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」，早 已敘述了 CNT織物335的乾钱刻處理。較佳地，在rie步 驟前移除光阻，但光阻亦可在圖案化結構35〇後移除。部 分GaN膜320可能會因為此步驟而被移除或被損害（未圖 示），但此僅發生於非主動區，且並不會影響最終結構的效 21 25 200845155 步驟6·圖3F(3〇〇5)顯示了利用在金屬谭墊34〇上被圖 案化之光阻370’的第二圖案化步驟。此光阻圖案係用以定 義將與適當之電互連線(未圖示)接觸的金屬焊墊。 步驟7 ·在圖3G(3006)中，藉由濕式蝕刻或RIE，將光 5阻圖案37〇,轉移至金屬焊墊340。若界面膜層350之最上層 膜330為夠厚的金屬，則應僅使用以正，以保護cNT 電漿損害。 ^ 步驟8 ·圖3H顯示了具有較佳實施例之選擇性步驟的 取終結構3007，其中界面膜層35〇的金屬33〇可被濕式餘 1〇刻，而僅在與金屬焊塾34〇相鄰的區域中留下CNT織物 335。可施行此步驟以最大化與焊墊相鄰之主動區中的透明 度。 金屬330的主要目的為於焊墊金屬34〇與(：；]^1織物335 之間提供低電阻接觸件。大部分的金屬會與CNT形成蕭特 15 基(Sch〇ttky)能障接觸，但某些金屬（如Ti與Pd)會與CNT > 織物形成本發明之理想的近歐姆接觸。因此，金屬33〇的 主要目的為提供與CNT織物335的低電阻接觸，並提供與 金屬焊墊340的額外歐姆接觸。理想情況下，應自CNt^ 物335上方的主動區（圖3H的36〇與36〇，)移除金屬薄膜 20 330。若不移除金屬330，則應使用超薄膜(小於10nm)的金 屬330,以避免降低光學穿透率。在某些實施例中，通常為 非導電性的此類薄膜(例如Pt)，可被用以改善CNT織物 電阻。 、 圖4A與46顯示了利用上述處理流程所製造完成之 22 200845155 4A顯不了在主動CNT區（方形） 4B顯不了銘焊塾之邊緣及與复
GaN裳置的fesem圖。圖 上的鋁焊墊(暗色碟形）。圖 相鄰之CNT的高倍率圖像 5 實例1 : 、生，，二置係利用自^咖公司所獲得之GaN晶圓所製 ί氢1:=係由Sic基板上之p-GaN/n_GaN異質接面與保 1^所構成。晶圓的晶背塗有Shipley 1805光阻，以 10 15 化物的期間保護晶圓的晶背。接著，晶圓被浸泡 / ’氣化㈣劑中’以剝除氧化物而裸露出潔淨的卜⑽ 表面。 曰接著CNT被重覆地旋塗於晶圓上，直到四點探 1測到的電阻約為⑽歐姆。接著在·。㈢真空中 晶圓進行退火30分鐘’以增進CNT織物之附著，並移除 殘餘的溶劑。 μ 接著，藉由電子束蒸錢將4 nm的Ti與⑼nm的αι 金屬雙層膜沈積於CNT織物的頂部上。在此情況下，cnt 與4麵的Ή包含圖3中所述之界面膜層350，但150 nm 的A1包含接觸焊墊層340。 接著，將Shipiey腕正光阻旋塗於A1膜上。接著在 Μ腦Chem MF-321顯影液㈣基氣氧化録溶液）巾進行曝 光與顯影。TMAH顯影㈣:欠要優點為，其_ ai，因此 顯影液亦可侧！呂’而在相同的步驟中將光阻圖案轉移至 23 20 200845155 鋁。在DI水中沖洗晶圓並乾燥。 在溫度80 °C的Shipley 1165(1_甲基_2_吡咯烷酮或 NMP)中剝除光阻。接著在異丙醇中沖洗晶圓並乾燥，以中 和並移除殘餘的NMP。 5 接著，在200 w之氧電漿下，以RIE蝕刻晶圓2分鐘。 在蝕刻處理後，在四點探針設備中量測晶圓，得到無限大 的電阻，並顯示出接觸件之間的區域為電無效(electrically φ nullified) 〇 接著以Shipley 1805光阻旋塗晶圓，並利用上述之曝光 1〇與顯影圖案化。此處理係與圖3 F相匹配。類似地，在MF - 3 21 顯影液中顯影光阻，並允許蝕刻鋁，而得到圖3G中所示之 結構。在DI水中沖洗晶圓並乾燥。 在不剝除光阻的情況下，接著在以HC1為基礎的Ti蝕 刻劑中，、浸泡晶目25秒，以移除與焊塾相鄰之主動區⑽ •5 3H中的360與360，）中的4 Ti。在m水中沖洗晶圓並乾 燥。 最後在NMP中剝除光阻’在IpA中沖洗並乾燥。圖 4A-B顯示了最終結構的FESEM顯微圖。 對此結構進行電性測試，得到圖5中所示的電流-電壓 20 (Ι-V)曲線。裝置的銘焊塾係與銘金屬線打線接合。亦與其 上具有金線輪廓的基板底部接觸，藉此與接面的換 接觸。在焊塾與基板間施加電偏壓，以產生此曲線。在二 極體約3V之⑽電流起减’觀㈣可見紐射。在操^ 24 200845155 期間裝置的俯視光學圖係顯示於圖 :與:财接觸之方形主動區發出。在中二=光係 墊。亦可注意，銘焊接線連接至焊塾右方的陰^點為轉 在本發明之另一實施例中，僅使 一 塾金屬，圖7中的結構 δ ’知塾金屬740與CNT織物735 月况而 =至外部電連線(未圖示)。以其他實二來= =—72。、界面層75。、主動區76== 實例2 : 下列為利用鋁與CNT焊墊接觸而形成與p_GaN接觸之 CNT的處理程序。本發明之此特定實施例應被視為是例示 性而非限制性。 在此實例中所述之實驗中所用的基板為藍寶石（氧化鋁) 基板上的p_GaN膜，其在晶圓的底侧上具有金接觸件，且 在P-GaN膜層上具有保護性之濺鍍Si〇2層，以保護膜層不 文腐飿、氧化與損害。樣品係由CREE公司所獲得。 進行下列處理步驟： 说利用氟化銨剝除p-GaN上之濺鍍Si02 :各I溫/T， 使用被稱為Timetech⑧（氟化銨）的溶液來溶解厚度為200 nm之濺鍍Si〇2保護膜。 25 200845155 (b) 沈# coty資彩··將晶圓放置在120〇c的熱板上， 將碳奈米管之水性溶液噴塗於基板上，直到CNT透明度到 達約90% ’且CNT電阻達到約woo歐姆/平方。 (c) 龙#5/2㈨之πΛ4/··將樣品裝載至電子束蒸鍍 设備，以進行金屬沈積。沈積8 nm之Ti與200 nm之鋁的 覆蓋層（blanket layer)。Ti係用以改善與基板之附著。 {幻圖案化光阻以定義CNT區域（方形）並利用tmah 濕焱屬U/ ·在A1層上圖案化250 μιη的方形區。用以顯影 光阻的ΤΜΑΗ亦可蝕刻移除裸露區域中的A1膜。Ti於此 日守發揮作用防止TMAH下削(undercut)進入CNT織物。
⑷矜摩规作教綮烈··利用80 〇C下的NMP溶劑剝 除光阻。 4 J iX)RIE飿穿Ti/CNT以達到電失活(Al $硬遮罩）：顧 15 20 反應性離子_㈣來_移除未受A1賴之區域 CNT。所用之參數：6〇瓦 壓力、60秒之時間。5_之〇2流1、2〇阶之 A1 .I圖f化光阻以定義金屬焊塾並利用TMAH濕鈾刻 /’光圖案化-步驟，以在金屬的方形區内的中央 处疋我〇 nm直徑的圓形焊墊。以如前所述 TMAH顯驗可_級並侧斤…式 細射靖貌.利用Ti之化學蝕刻劑，以 私除稞鉻於圓形焊墊區域外的丁丨膜。 W輿騰雜尤座..利用80〇c下的驗溶劑剝除 26 200845155 光阻 最終之結構係顯示於圖8中，其中可 801、方形CNT區802與基板的表面。一旦A1焊墊 構後，用其量測與p _ GaN接觸的電流_電_ ς I此些結 =特性。圖9顯示了來自數個此類裝置之光輪=的光 鏡圖。圖ίο顯示了與CNT接觸之p_Ga 沾•的…頁微 特性。電流路徑係始於碳奈米管接觸件，向^㈤电流電屋 並經由基板的下部接觸件穿出。 接面 10
其他實施例： 在本發明之另-實施例中，利用犧牲材料 .制為：氧化銘、Ge或雙層之氧化紹/Ge薄 &不限 織物之主祕。因此，在圖案化薄膜33G與C^^CNT 之後（圖3E)，施行-濕式钕刻以移除薄膜33〇,而勿335 CNT織物335。接著，沈積並圖案化第二薄膜34 : 與CNT織物之電接觸件。 Λ小成 本發明之另-實關為，CNT _層可駿塗 方式所沈積的單層或多層。CNT溶液可為水㈣或溶^ 的。CNT可為單壁式(SWNT)、乡壁式(MWNT)或其捆束。 CNT可藉由下列之方式所製造：化學氣相沈積(cvd)、雷 射剝離技術或電弧爐管。 在本發明之另一實施例中，在半導體材料頂部上之 CNT織物的圖案化電接觸件並不限制為p_GaN。可能受到 27 20 200845155 關注之其他重要的V、III-V或ΙΙ-VI族基板，包含··鑽石、 矽、GaAs、AIN、AlGaN、GaP、Sic、InP 以及可被用來形 成光學發光裝置的材料A卜N、Ga、In、P、As等之任意組 合0 在其他實施例中，可在最終結構上施行退火，以降低 連接焊墊、CNT織物與p-GaN基板之間的接觸電阻。根據 連接焊墊接觸件所用的金屬，此退火可為真空退火、形成 氣體(forming gas)退火(在％中4%的H2)或在各種溫度下的 快速升溫退火。 10 15
20 在更其他的實施例中，較佳地使甩經純化的奈米管。 對於使用經純化的奈米管，利用主要包含了金屬奈米管或 半導電性奈米管的適當大量奈米管製備品，可將奈米管織 物施加至基板。一般可預見，施加單壁、多壁或此類奈米 官的混合物，並接著圖案化與蝕刻來產生所期望的結構。 π二只 4 V久反示求官織物的經控制組成。尤其， 可使用方法以控制奈米織物中金屬奈米管與半導電性奈米 管的相對量’以達_望的特性，並產生與GaN及金^連 接焊整接觸的適當接觸件。在此方式下，可使奈米織物具 有，對於半導電性奈米管而言較高或較低百分比的金屬奈 米管。因A ’奈米織物的其他特性(例如，電阻)將可改變。 又，在某些實施例中’先施加半㈣性奈”以形成鱼G必 接觸之接觸件，並接著雜知八厘Μ ^ "" 接繙之接· U 力至制I成與金屬連接焊墊 ，觸接觸件，可較佳地分隔金屬奈米管與半導電性齐米 管。 不乂、 28 200845155 相關之申請案： 本申請案係與下列參考文件相關，其全部被讓渡予本 申請案之受讓人且全部被包含於此作為參考。 5 申請於2001年7月25曰之美國專利申請案09/915093 「ELECTROMECHANICAL MEMORY ARRAY USING NANOTUBE RIBBONS AND METHOD FOR MAKING > SAME」，現為美國專利6,919,592。
申請於2004年5月20日之美國專利申請案10/850100 10 「ELECTROMECHANICAL MEMORY ARRAY USING NANOTUBE RIBBONS AND METHOD FOR MAKING SAME」，現為美國專利7,056,758。
申請於2001年5月25日之美國專利申請案10/852880 「ELECTROMECHANICAL MEMORY ARRAY USING 15 NANOTUBE RIBBONS AND METHOD FOR MAKING . S AME」。 申請於2001年7月25曰之美國專利申請案09/915173 「ELECTROMECHANICAL MEMORY HAVING CELL SELECTION CIRCUITRY CONSTRUCTED WITH 20 NANOTUBE TECHNOLOGY」，現為美國專利 6,643，165。 申請於2003年10月24日之美國專利申請案10/693241 「DEVICE SELECTION CIRCUITRY CONSTRUCTED WITH NANOTUBE TECHNOLOGY」，現為美國專利 29 200845155 7，120,047。 申請於2001年7月25日之美國專利申請案09/915095
「HYBRID CIRCUIT HAVING NANOTUBE ELECTROMECHANICAL MEMORY」，現為美國專利 5 6574130 〇
申請於2003年3月5日之美國專利申請案10/693241 「HYBRID CIRCUIT HAVING NANOTUBE • ELECTROMECHANICAL MEMORY」，現為美國專利 6836424 。 10 申請於2004年10月13日之美國專利申請案10/964150 「HYBRID CIRCUIT HAVING NANOTUBE ELECTROMECHANIC AL MEMORY」。 申請於2001年12月28日之美國專利申請案10/033323 「ELECTROMECHANICAL THREE-TRACE JUNCTION 15 DEVICES」，現為美國專利6911682。 鲁 申請於2〇〇4年3月17日之美國專利申請案10/802900 「ELECTROMECHANICAL THREE-TRACE JUNCTION DEVICES」。 申請於2001年12月28日之美國專利申請案10/033032
20 「METHODS OF MAKING ELECTROMECHANICAL THREE-TRACE JUNCTION DEVICES」，現為美國專利 6784028 〇 申請於2004年4月15日之美國專利申請案10/824679 200845155
「METHODS OF MAKING ELECTROMECHANICAL THREE-TRACE JUNCTION DEVICES」，現為美國專利 6979590 〇
申請於2005年7月25日之美國專利申請案n/188678 5 「METHODS OF MAKING ELECTROMECHANICAL THREE-TRACE JUNCTION DEVICES」。 申請於2002年4月23曰之美國專利申請案10/128118 春 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」，現為美國專利 6706402 。 10 申請於2004年2月9日之美國專利申請案10/774682 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」。 申請於2004年2月11日之美國專利申請案11/776573 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」，現為美國專利 694292卜 ^5 申請於2005年4月21日之美國專利申請案11/111582 「NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」。 申請於2002年4月23日之美國專利申請案10/128117 「METHODS OF NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」，現 為美國專利6835591。 2〇 申請於2004年12月8日之美國專利申請案11/007752 「METHODS OF NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」。 申請於2004年12月13日之美國專利申請案11/010491 31 200845155 「METHODS OF NANOTUBE FILMS AND ARTICLES」。 申請於2004年2月11日之美國專利申請案10/776590 「METHODS OF USING PRE-FORMED NANOTUBES TO MAKE CARBON NANOTUBE FILMS，LAYERS，FABRICS,
5 RIBBONS, ELEMENTS AND ARTICLES (HORIZONTAL)」，現為美國專利公開案2004/0181630。 申請於2005年7月29日之美國專利申請案11/193795 • 「METHODS OF USING PRE-FORMED NANOTUBES TO MAKE CARBON NANOTUBE FILMS，LAYERS，FABRICS， ίο RIBBONS，ELEMENTS AND ARTICLES (HORIZONTAL)」。 申請於2003年1月13曰之美國專利申請案10/341005 「METHODS OF MAKING CARBON NANOTUBE FILMS， LAYERS，FABRICS，RIBBONS，ELEMENTS AND ARTICLES」。 15 申請於2003年1月13日之美國專利申請案i〇/34n3〇 • 「CARBON NANOTUBE FILMS，LAYERS, FABRICS, RIBBONS，ELEMENTS AND ARTICLES」。 在不脫離本發明之精神或主要特徵的情況下，可以其 他特定形式來實施本發明。因此本文之實施例應被視為是 20 例示性而非限制性。 【圖式簡單說明】 自閱讀附圖與下列敘述，可更全面地瞭解本發明的前 32 200845155 述與其他目的、各種特徵以及發明本身。 圖1為習知GaN LED的圖式，其具有與p_GaN基板接 觸之金屬接觸件。 圖2A至2C顯示了其中使用了 CNT之與半導體接觸之 5 以CNT為基礎之接觸件結構之實施例的橫剖面圖。 圖3A至3H顯示了利用圖案化之CNT織物作為接觸區 域之GaN裝置的建構製程的橫剖面圖。 圖4A顯示了由A1與CNT作為界面膜層所構成之與 ► GaN接觸之已完成接觸件的俯視SEM圖。 1〇 圖4B顯示了由A1與CNT作為界面膜層所構成之與
GaN接觸之已完成接觸件的高倍率SEM圖。 〃 圖5顯示了類似於圖5中所示之裝置的lv曲線，其 表現了已接觸之GaN裝置的二極體行為。 一 圖6為俯視光學圖，顯示了來自圖4中之已裝配梦置 15 的發光。 & 圖7顯示了本發明之僅具有單一金屬接觸件的另一實 > 施例。 圖8顯示了在p-GaNLED裝置中碳奈米管與鋁墊接觸 的本發明實施例。 2〇 圖9顯示了自例如圖8中所示之裝置之光輸出的顯微 圖。 圖10顯示了圖8中與碳奈米管接觸之p_GaN襄置的 Ι-V曲線。 33 200845155 【主要元件符號說明】 105 :基板 110 : n_ 型 GaN 層
120 : p-型 GaN 5 130 :薄金屬或金屬氧化物薄膜 140 :焊墊金屬 145 :金屬 205 ··基板 ⑩ 206 : η-GaN薄膜
ίο 220 · p-GaN 230 :金屬 230’ ：金屬 235 : CNT 織物 235’ ： CNT 織物 15 240 :金屬焊墊 250 :界面薄膜 ⑩ 250’ ：界面接觸結構 250” ：界面接觸結構 260 ·主動區 2〇 260’ ·主動區 260” ：主動區 305 ··基板 306 ·· η-GaN之額外上方薄膜 320 : p-GaN 薄膜 25 330 :金屬薄膜 34 200845155 335 : CNT 織物 340 :金屬接觸件/焊墊材料 350 :界面結構 360 :主動區 5 360’ ：主動區 370 :光阻 370’ ：圖案化光阻 705 ··基板 • 720 : P_GaN 膜 ίο 735 : CNT 織物 740 :焊墊金屬 750 :界面層 760 ·主動區 760’ ：主動區 15 801 : A1 焊墊 802 :方形CNT區 ⑩ 1000 ··習知的簡易離散型GaN LED結構 2000、2002、3000、3001、3002、3003、3004、3005、 3006、3007、7000 ··結構 35

Claims (1)

  1. 200845155 十、申請專利範圍： 1. 一種導電性物品，包含： 一半導體材料基板； 一圖案化之導電執跡，其係設置於該半導體材料 基板上’其中該軌跡包含： 一非織造奈米管織物層，包含了複數未對準 奈米管，該複數未對準奈米管沿著該執跡的範圍 提供了複數導電路徑；及 一金屬層，係與該非織造奈米管織物層相鄰。 2. 如請求項第1項之導電性物品，其中該金屬層為設置 於該非織造奈米管織物層上的一薄膜，其中該金屬層 大致上呈平面延伸且實質上平行於該半導體的主要表 面。 3· 如請求項第2項之導電性物品，進一步包含設置於該 金屬層上方並與該金屬層作電交流的一金屬電極。 4. 如請求項第1項之導電性物品，其中該非織造奈米管 織物層係設置於該金屬層上，其中該金屬層為大致上 呈平面延伸且實質上平行於該半導體之主要表面的一 薄膜。 5. 如請求項第4項之導電性物品，進一步包含設置於該 非織造奈米管織物層上方並與該非織造奈米管織物層 作電交流的一金屬電極。 36 200845155 6· 如請求項第1項之導電性物品，其中該圖案化之導電 軌跡進一步包含交替設置的複數金屬層及複數非織造 奈米織物層。 7. 如請求項第6項之導電性物品，其中該金屬層的每一 者與該非織造奈米管織物層的每一者係大致上呈平面 延伸且實質上平行於該半導體之主要表面。 8. 如請求項第1項之導電性物品，其中該圖案化導電軌 跡的至少一部分包含一主動區，該主動區被建構與設 置成在可見光範圍的至少一部分範圍中實質上呈光學 透明。 9. 如請求項第8項之導電性物品，其中該金屬層為在實 質上垂直於半導體之主要表面的維度上厚度小於10奈 米的一薄膜。 10. 如請求項第1項之導電性物品，其中該半導體包含相 鄰設置且實質上為平行膜層的p-GaN層與n-GaN層。 11. 如請求項第1項之導電性物品，其中該半導體材料基 板係選自於包含III-V、V與II-VI族半導體材料的族 群。 12. 如請求項第1項之導電性物品，其中該非織造奈米管 織物包含單壁碳奈米管與多壁碳奈米管。 13. 如請求項第1項之導電性物品，其中該非織造奈米管 織物包含金屬奈米管與半導電性奈米管，其中該織物 中之金屬奈米管與半導電性奈米管的相對組成係受到 37 200845155 控制。 14. 一種發光半導體裝置，包含： 一半導體材料基板； 一金屬接觸件，與該半導體作電交流； 一界面結構，其包含一非織造奈米管織物層與一 金屬層，其中該界面結構： 係夾置於該金屬接觸件與該半導體之間； 令該金屬接觸件與該半導體電耦合；及 包含至少一主動區，其與該金屬接觸件相鄰且在可見 光範圍的至少一部分範圍中至少部分呈光學透明。 15·如請求項第14項之發光半導體裝置，其中該界面結構 被建構與設置，俾以於該半導體與該金屬接觸件之間 提供低電阻之電路徑。 16·如請求項第14項之發光半導體裝置，其中談半導體包 含相鄰設置且實質上為平行膜層的p-GaN層與n-GaN 層。 17·如請求項第14項之發光半導體裝置，其中該界面結構 的該金屬層係受到選擇與設置，俾以提供與該非織造 奈米管織物之膜層的歐姆接觸、以及與該金屬接觸件 的歐姆接觸。 18· —種於半導體上製造導電物品的方法，包含下列步驟： 38 200845155 提供一半導體； 在4半導體上形成一導電執跡，該带 一非織造奈米管織物層與-薄金屬層；a /、匕含 在該導電轨跡上方沈積一遮罩層； 品的=遮:層中定義一圖案該圖案係對應至該物 層層的圖案來移除部分之該奈米管織物 電物。刀：至屬層’俾使剩下的導電軌跡形成該導 口口，且只質上保留該半導體。 、 19, 20 塗與嘖Hi米官織物層之步驟’包含藉由旋 、主彳木作中的至少一者來施加碳奈米管。 項第18項之|半導體上製造導電物品的方法， 層鱼^該，層的圖案來移除部分之該奈米管織物 二操:中屬:之步驟’包含濕式餘刻與乾式 21 二=第18項之於半導體上製造導電物品的方法， 驟，3在该導電軌跡上形成〆金屬接觸件之步 "/、該金屬接觸件係與該半導體作電交流。 22· 項之於半導體上製造導電物品的方法， ^ 1屬接觸件之步驟，包含濕式蝕刻盥反_ 性離子蝕刻操作中的至少一者。 “、反應 39 200845155 23. 如請求項第21項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中該導電執跡之該薄金屬層被建樣與設置，俾以提 供與該非織造奈米管織物層的低電阻接觸、以及與該 金屬接觸件的低電阻接觸。 24. 如請求項第18項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中該導電執跡的至少一部分被建構與設置為在可見 光範圍的至少一部分範圍中實質上呈光學透明。 φ 25.如請求項第18項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中該半導體包含相鄰設置且為實質上平行膜層的 p-GaN 層與 n-GaN 層。 26. 如請求項第18項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中該半導體係選自於包含III-V、V與II-VI族半導 體材料的族群。 27. 如請求項第24項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中形成一導電軌跡之步驟，包含在該奈米管織物層 ⑩ 上設置該薄金屬層。 28. 如請求項第24項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中形成一導電軌跡之步驟，包含在該薄金屬層上設 置該奈米管織物層。 29·如請求項第24項之於半導體上製造導電物品的方法， 其中形成一導電軌跡之步驟，進一步包含提供交替設 置的複數碳奈米管織物層與複數薄金屬層。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI601454B (zh) * 2016-04-11 2017-10-01 華邦電子股份有限公司 印刷線路、薄膜電晶體及其製造方法
US9867273B2 (en) 2016-04-11 2018-01-09 Winbond Electronics Corp. Printed circuit, thin film transistor and manufacturing method thereof

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7563711B1 (en) 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
WO2009036071A2 (en) 2007-09-10 2009-03-19 University Of Florida Research Foundation, Inc. Nanotube enabled, gate-voltage controlled light emitting diodes
KR100790216B1 (ko) 2006-10-17 2008-01-02 삼성전자주식회사 전도성 분산제를 이용한 ｃｎｔ 투명전극 및 그의 제조방법
KR100883737B1 (ko) * 2007-01-17 2009-02-12 삼성전자주식회사 망상 탄소나노튜브 박막층을 포함하는 탄소나노튜브 투명전극 및 그의 제조방법
US20110163298A1 (en) * 2010-01-04 2011-07-07 Chien-Min Sung Graphene and Hexagonal Boron Nitride Devices
US8507966B2 (en) 2010-03-02 2013-08-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor cells, arrays, devices and systems having a buried conductive line and methods for forming the same
US20110227043A1 (en) 2010-03-19 2011-09-22 International Business Machines Corporation Graphene sensor
KR101072193B1 (ko) * 2010-04-01 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 제조방법, 및 발광소자 패키지
KR20120003775A (ko) * 2010-07-05 2012-01-11 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
US9018734B2 (en) * 2011-04-15 2015-04-28 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Single wall carbon nanotube diodes
CN102760797B (zh) * 2011-04-29 2015-04-01 清华大学 发光二极管
US9827696B2 (en) 2011-06-17 2017-11-28 Fiberweb, Llc Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article
US10369769B2 (en) 2011-06-23 2019-08-06 Fiberweb, Inc. Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article
WO2012177996A2 (en) 2011-06-23 2012-12-27 Fiberweb, Inc. Vapor permeable, substantially water impermeable multilayer article
US9765459B2 (en) 2011-06-24 2017-09-19 Fiberweb, Llc Vapor-permeable, substantially water-impermeable multilayer article
CN103367554B (zh) * 2012-03-28 2016-03-30 清华大学 发光二极管的制备方法
KR102084288B1 (ko) 2012-11-05 2020-03-03 유니버시티 오브 플로리다 리서치 파운데이션, 아이엔씨. 디스플레이의 휘도 보상
US10485476B2 (en) * 2016-12-30 2019-11-26 Palo Alto Research Center Incorporated Chromatography-aided substance sensing in absorbent hygiene and medical products
US10349834B2 (en) * 2016-12-30 2019-07-16 Palo Alto Research Center Incorporated Sensing health using fluid sensors in feminine hygiene products
US10985164B1 (en) * 2019-09-27 2021-04-20 Nanya Technology Corporation Semiconductor device with nanowire contact and method for fabricating the same

Family Cites Families (101)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH670914A5 (zh) 1986-09-10 1989-07-14 Landis & Gyr Ag
US6100109A (en) * 1994-11-02 2000-08-08 Siemens Aktiengesellschaft Method for producing a memory device
US6445006B1 (en) * 1995-12-20 2002-09-03 Advanced Technology Materials, Inc. Microelectronic and microelectromechanical devices comprising carbon nanotube components, and methods of making same
US6057637A (en) * 1996-09-13 2000-05-02 The Regents Of The University Of California Field emission electron source
US6809462B2 (en) 2000-04-05 2004-10-26 Sri International Electroactive polymer sensors
EP1015384B1 (en) 1997-03-07 2005-07-13 William Marsh Rice University Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes
WO1998042030A1 (fr) * 1997-03-19 1998-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha Element emetteur de lumiere semi-conducteur
US20040232429A1 (en) * 1997-05-08 2004-11-25 Showa Denko K.K. Electrode for light-emitting semiconductor devices and method of producing the electrode
US6409567B1 (en) 1997-12-15 2002-06-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Past-deposited carbon electron emitters
JP3902883B2 (ja) * 1998-03-27 2007-04-11 キヤノン株式会社 ナノ構造体及びその製造方法
JP2002518280A (ja) 1998-06-19 2002-06-25 ザ・リサーチ・ファウンデーション・オブ・ステイト・ユニバーシティ・オブ・ニューヨーク 整列した自立炭素ナノチューブおよびその合成
US6346189B1 (en) * 1998-08-14 2002-02-12 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Carbon nanotube structures made using catalyst islands
US6630772B1 (en) * 1998-09-21 2003-10-07 Agere Systems Inc. Device comprising carbon nanotube field emitter structure and process for forming device
JP3943272B2 (ja) 1999-01-18 2007-07-11 双葉電子工業株式会社 カーボンナノチューブのフイルム化方法
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
WO2000048195A1 (en) 1999-02-12 2000-08-17 Board Of Trustees Operating Michigan State University Nanocapsules containing charged particles, their uses and methods of forming the same
US6128214A (en) * 1999-03-29 2000-10-03 Hewlett-Packard Molecular wire crossbar memory
US6314019B1 (en) * 1999-03-29 2001-11-06 Hewlett-Packard Company Molecular-wire crossbar interconnect (MWCI) for signal routing and communications
US6256767B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-03 Hewlett-Packard Company Demultiplexer for a molecular wire crossbar network (MWCN DEMUX)
AUPP976499A0 (en) * 1999-04-16 1999-05-06 Commonwealth Scientific And Industrial Research Organisation Multilayer carbon nanotube films
EP2224508B1 (en) 1999-07-02 2016-01-06 President and Fellows of Harvard College Method of separating metallic and semiconducting nanoscopic wires
US6504292B1 (en) * 1999-07-15 2003-01-07 Agere Systems Inc. Field emitting device comprising metallized nanostructures and method for making the same
JP4063451B2 (ja) 1999-07-26 2008-03-19 双葉電子工業株式会社 カーボンナノチューブのパターン形成方法
US6277318B1 (en) * 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films
KR20010055501A (ko) * 1999-12-10 2001-07-04 김순택 전계 방출 표시 소자의 음극 형성 방법
KR20010056153A (ko) * 1999-12-14 2001-07-04 구자홍 카본나노 튜브막을 갖는 전계방출형 디스플레이 소자 및그의 제조방법
US6495116B1 (en) * 2000-04-10 2002-12-17 Lockheed Martin Corporation Net shape manufacturing using carbon nanotubes
KR100756211B1 (ko) * 2000-05-04 2007-09-06 비티지 인터내셔널 리미티드 나노구조물
US6443901B1 (en) 2000-06-15 2002-09-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Capacitive micromachined ultrasonic transducers
EP1170799A3 (de) * 2000-07-04 2009-04-01 Infineon Technologies AG Elektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines elektronischen Bauelements
GB2364933B (en) 2000-07-18 2002-12-31 Lg Electronics Inc Method of horizontally growing carbon nanotubes
KR100376768B1 (ko) * 2000-08-23 2003-03-19 한국과학기술연구원 전자, 스핀 및 광소자 응용을 위한 탄소나노튜브의 선택적 수평성장 방법
US6495258B1 (en) * 2000-09-20 2002-12-17 Auburn University Structures with high number density of carbon nanotubes and 3-dimensional distribution
US6975189B1 (en) * 2000-11-02 2005-12-13 Telasic Communications, Inc. On-chip multilayer metal shielded transmission line
US6495905B2 (en) 2000-11-09 2002-12-17 Texas Instruments Incorporated Nanomechanical switches and circuits
JP3737696B2 (ja) * 2000-11-17 2006-01-18 株式会社東芝 横型の電界放出型冷陰極装置の製造方法
KR20030059291A (ko) 2000-11-29 2003-07-07 닛본 덴끼 가부시끼가이샤 카본 나노튜브의 패턴 형성 방법 및 전계 방출형 냉음극과그 제조 방법
KR20030055346A (ko) 2000-12-11 2003-07-02 프레지던트 앤드 펠로우즈 오브 하버드 칼리지 나노센서
US6423583B1 (en) 2001-01-03 2002-07-23 International Business Machines Corporation Methodology for electrically induced selective breakdown of nanotubes
CN1543399B (zh) * 2001-03-26 2011-02-23 艾考斯公司 含碳纳米管的涂层
WO2002080360A1 (en) * 2001-03-30 2002-10-10 California Institute Of Technology Pattern-aligned carbon nanotube growth and tunable resonator apparatus
US20020160111A1 (en) * 2001-04-25 2002-10-31 Yi Sun Method for fabrication of field emission devices using carbon nanotube film as a cathode
WO2002095097A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-28 Trustees Of Boston College, The Varied morphology carbon nanotubes and methods for their manufacture
JP4207398B2 (ja) * 2001-05-21 2009-01-14 富士ゼロックス株式会社 カーボンナノチューブ構造体の配線の製造方法、並びに、カーボンナノチューブ構造体の配線およびそれを用いたカーボンナノチューブデバイス
US6426687B1 (en) 2001-05-22 2002-07-30 The Aerospace Corporation RF MEMS switch
US20040023253A1 (en) * 2001-06-11 2004-02-05 Sandeep Kunwar Device structure for closely spaced electrodes
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6574130B2 (en) 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US7563711B1 (en) 2001-07-25 2009-07-21 Nantero, Inc. Method of forming a carbon nanotube-based contact to semiconductor
US6924538B2 (en) * 2001-07-25 2005-08-02 Nantero, Inc. Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6911682B2 (en) 2001-12-28 2005-06-28 Nantero, Inc. Electromechanical three-trace junction devices
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US7566478B2 (en) 2001-07-25 2009-07-28 Nantero, Inc. Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles
US6919592B2 (en) * 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US7259410B2 (en) 2001-07-25 2007-08-21 Nantero, Inc. Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same
US6706402B2 (en) * 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US7118693B2 (en) * 2001-07-27 2006-10-10 Eikos, Inc. Conformal coatings comprising carbon nanotubes
CN1325372C (zh) * 2001-07-27 2007-07-11 萨里大学 碳纳米管的制备
KR100455284B1 (ko) 2001-08-14 2004-11-12 삼성전자주식회사 탄소나노튜브를 이용한 고용량의 바이오분자 검출센서
JP4306990B2 (ja) 2001-10-18 2009-08-05 独立行政法人産業技術総合研究所 非線形光学素子
US6645628B2 (en) * 2001-11-13 2003-11-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Carbon nanotube coated anode
US7176505B2 (en) 2001-12-28 2007-02-13 Nantero, Inc. Electromechanical three-trace junction devices
US6784028B2 (en) 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
US6894359B2 (en) * 2002-09-04 2005-05-17 Nanomix, Inc. Sensitivity control for nanotube sensors
US7073157B2 (en) * 2002-01-18 2006-07-04 California Institute Of Technology Array-based architecture for molecular electronics
JP2003243316A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体素子用基板およびその製造方法
US6889216B2 (en) * 2002-03-12 2005-05-03 Knowm Tech, Llc Physical neural network design incorporating nanotechnology
US6858197B1 (en) * 2002-03-13 2005-02-22 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Controlled patterning and growth of single wall and multi-wall carbon nanotubes
US7049625B2 (en) 2002-03-18 2006-05-23 Max-Planck-Gesellschaft Zur Fonderung Der Wissenschaften E.V. Field effect transistor memory cell, memory device and method for manufacturing a field effect transistor memory cell
US6919730B2 (en) * 2002-03-18 2005-07-19 Honeywell International, Inc. Carbon nanotube sensor
US6899945B2 (en) * 2002-03-19 2005-05-31 William Marsh Rice University Entangled single-wall carbon nanotube solid material and methods for making same
US6891227B2 (en) * 2002-03-20 2005-05-10 International Business Machines Corporation Self-aligned nanotube field effect transistor and method of fabricating same
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
US6946410B2 (en) * 2002-04-05 2005-09-20 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for providing nano-structures of uniform length
CN100341629C (zh) * 2002-05-21 2007-10-10 艾考斯公司 使碳纳米管涂层形成图案的方法和碳纳米管布线
US20040007528A1 (en) * 2002-07-03 2004-01-15 The Regents Of The University Of California Intertwined, free-standing carbon nanotube mesh for use as separation, concentration, and/or filtration medium
JP4547852B2 (ja) * 2002-09-04 2010-09-22 富士ゼロックス株式会社 電気部品の製造方法
US7051945B2 (en) 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US7052588B2 (en) * 2002-11-27 2006-05-30 Molecular Nanosystems, Inc. Nanotube chemical sensor based on work function of electrodes
EP1583715A2 (en) * 2002-12-06 2005-10-12 Eikos, Inc. Optically transparent nanostructured electrical conductors
US6919740B2 (en) * 2003-01-31 2005-07-19 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Molecular-junction-nanowire-crossbar-based inverter, latch, and flip-flop circuits, and more complex circuits composed, in part, from molecular-junction-nanowire-crossbar-based inverter, latch, and flip-flop circuits
US6918284B2 (en) * 2003-03-24 2005-07-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Interconnected networks of single-walled carbon nanotubes
US7537803B2 (en) * 2003-04-08 2009-05-26 New Jersey Institute Of Technology Polymer coating/encapsulation of nanoparticles using a supercritical antisolvent process
CA2526946A1 (en) * 2003-05-14 2005-04-07 Nantero, Inc. Sensor platform using a non-horizontally oriented nanotube element
US20040238907A1 (en) 2003-06-02 2004-12-02 Pinkerton Joseph F. Nanoelectromechanical transistors and switch systems
US6882256B1 (en) 2003-06-20 2005-04-19 Northrop Grumman Corporation Anchorless electrostatically activated micro electromechanical system switch
US7354877B2 (en) * 2003-10-29 2008-04-08 Lockheed Martin Corporation Carbon nanotube fabrics
US8168965B2 (en) 2004-02-20 2012-05-01 University Of Florida Research Foundation, Inc. Semiconductor device and method using nanotube contacts
US6969651B1 (en) 2004-03-26 2005-11-29 Lsi Logic Corporation Layout design and process to form nanotube cell for nanotube memory applications
US7300860B2 (en) * 2004-03-30 2007-11-27 Intel Corporation Integrated circuit with metal layer having carbon nanotubes and methods of making same
TWI228833B (en) * 2004-05-04 2005-03-01 Ind Tech Res Inst Method for enhancing the electrical characteristics of organic electronic devices
US20050230763A1 (en) * 2004-04-15 2005-10-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method of manufacturing a microelectronic device with electrode perturbing sill
TWI244159B (en) * 2004-04-16 2005-11-21 Ind Tech Res Inst Metal nanoline process and its application on aligned growth of carbon nanotube or silicon nanowire
US20050233263A1 (en) * 2004-04-20 2005-10-20 Applied Materials, Inc. Growth of carbon nanotubes at low temperature
JP2005342937A (ja) * 2004-06-01 2005-12-15 National Printing Bureau 印刷機用ローラ及びその製造方法
US6955937B1 (en) 2004-08-12 2005-10-18 Lsi Logic Corporation Carbon nanotube memory cell for integrated circuit structure with removable side spacers to permit access to memory cell and process for forming such memory cell
JP2006080170A (ja) * 2004-09-08 2006-03-23 Hitachi Cable Ltd Ｃｎｔ入り配線材の製造方法およびスパッタリング用ターゲット材
JP4517865B2 (ja) * 2005-01-26 2010-08-04 Ｊｆｅエンジニアリング株式会社 カーボンナノチューブ電極の製造方法
US20060237799A1 (en) * 2005-04-21 2006-10-26 Lsi Logic Corporation Carbon nanotube memory cells having flat bottom electrode contact surface
US7402770B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-22 Lsi Logic Corporation Nano structure electrode design
US7538040B2 (en) * 2005-06-30 2009-05-26 Nantero, Inc. Techniques for precision pattern transfer of carbon nanotubes from photo mask to wafers

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI601454B (zh) * 2016-04-11 2017-10-01 華邦電子股份有限公司 印刷線路、薄膜電晶體及其製造方法
US9867273B2 (en) 2016-04-11 2018-01-09 Winbond Electronics Corp. Printed circuit, thin film transistor and manufacturing method thereof

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