200823010 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於修整盤上之活性磨粒數的測量方法。 .【先前技術】 .利用鑽石等當作磨粒之修整盤被使用在CMP步驟， 用以維持聚氨酯等所構成的研磨墊之粗度。該等盤片為了 提，品質及性能之可靠性而被標準化，由幾家公司生產、 .販買一般而言，鑽石修整盤尤其是根據存在盤片表面上 的鑽石磨粒總數、及使用過—定期間或環境實驗後所剩下 的鑽石磨粒數而被評價。但是，鐵石修整盤之性能不是取 決於存在盤片表面的磨粒總數，而是取決於實際上有助於 研削之活性磨粒數。 活性磨粒係在CMP步驟期間，實質上接觸cmp塾的 表面以進行研磨之磨粒。在鑽石修整盤表面之位於形貌上 更為突出的區域上之鑽石磨粒，及鑽石磨粒一起集中在盤 片表面上的區域中、比其他磨粒更為突出於盤片表面的鑽 石磨粒，從簡單的幾何學見解來看，對用於接觸在cmp 塾表面最有用。在被賦予的條件下之活性磨粒數係取決於 鑽石修整盤上的鑽石磨粒總數、該等之羣體化、包含形貌 之鑽石修整盤的表面特性、及施加在鑽石修整盤之負載。 為了測量鑽石修整盤表面上之鑽石磨粒的大略總數，一向 是在鑽石修整盤的局部區域進行根據簡單的顯微鏡實驗、 以及初期磨粒配置及表面積幾何學圖案所進行之評價，但 至今尚未有用於測量活性磨粒數之簡單、有可靠性之成本 319549 5 200823010 效率佳的方法。 若能容易地測量鑽石修整盤表面上之活性磨粒數，吾 人認為製造者可藉此在CMP步驟期間，針對CMP墊之研 磨’藉由該等之實際存在的有效性來控制盤片之品質，進 而可良好地予以維持。鑽石修整盤表面並非完全平面，鑽 石磨粒亦可根據生產方法及修整具基板表面之特異形貌而 被羣體化。再者，鑽石磨粒亦可在同一個盤片上藉由不同 的步驟而被固定，亦可在不同的盤片上以不同的羣體而被 固定。即使修整盤上的鑽石磨粒總數相同，根據上述之开3 貌及鑽石磨粒羣體化’有關活性磨粒數及研削結果如何、纖 化、該等鑽石修整盤如何可研磨CMP墊之表面，在般片 間可能有很大的不同。 活性磨粒的有效計算方法至今未被揭露，製造者及使 用者對於存在修整盤表面上的鑽石磨粒總數之評價， 依存於幾乎無效的方法。 ^ 例如，美國專利第7,011，566號係揭示用以決定如。 有效地進行CMP墊之修整的方法。但是，根摅 何 ”豕：>66專利 所揭示的方法，鑽石修整具基板上的活性磨粒數亦 力、非表示 鑽石磨粒總數。（參照專利文獻1) 同樣地，在可從 http://abrasive-tech. com/pdf/effectsdiamond.pdf 取得的 Bubnick 等之
Ilects
Diamonds Size and Shape on Polyurethane Pad
Conditioning”、Abrasive Technologies、2004 中，指 _ 狗7R鑽石 磨粒的大小及形狀與鑽石修整具的有效壽命具有 ίΐκ] 319549 6 200823010 連，但並未測量且未考量鑽石磨粒總數及活性磨粒數。（參 '照非專利文獻1) 而且，在可從 http://abrasive-tech. com/pdf/tcmptungsten.pdf 取得的 Bubnick 等之 “Optimizng Diamond Conditioning Disks for the Tungsten CMP Process”、Abrasive Technologies、2002 中，揭示與其他的 鑽石磨粒特性一起，對“鑽石磨粒密度”之控制有助於鑽石 修整具上之鑽石磨粒的壽命延長，但一般針對鑽石磨粒之 " 密度、或尤其是活性磨粒之密度如何測量，未見揭示。（參 照非專利文獻2) 再者 ’ Goers 等之 “Measurement and Analysis of Diamond Retention in CMP Diamond Pad Conditioners95 2000中，係以一般所使用的顯微鏡等級來觀察鑽石修整盤 表面上之鑽石磨粒總數，並提及鑽石磨粒之特異排列及配 置。但是，活性磨粒數無法僅從鑽石磨粒總數算出或推定。 i 因為相對於全表面鑽石磨粒數，活性磨粒數至少少了 2至 3位數。Goers等未提供活性磨粒之記述、該等的重要性之 檢討、或針對存在有多大數量之活性磨粒之測量手段。（參 照非專利文獻3)
Dyer 和 Schlueter 之 “Characterizing CMP pad conditoning using diamond abrasives” 中，係將鑽石修整盤 表面上的鑽石磨粒進行顯微鏡檢查，並提及“鑽石磨粒損 失”之測量。除了在鑽石修整具表面上已預先測量的格子 (Grid)上個別地配置之鑽石磨粒以外，亦從排列成1至9 7 319549 200823010 ’ 組（Cluster)的鑽石磨粒推定鑽石磨粒總數，但關於活性磨 -粒數之存在或測量完全未提及。（參照非專利文獻4) 可從 http://www.diamonex.com/diabond key—_ factors.htm取得之 Zimmer 和 Stubbmann 之“Key factors influencing performance consistency of CMP conditioners” 中，已議論「作業磨粒密度」之概念，當作接觸在根據修 整具總面積所區分之墊的磨粒之總數。作者係揭示：精密 地檢查使用後的修整具，藉由與被賦予的區域内之磨粒粒 子的總數相比較，計算顯示物理性磨耗之磨粒粒子數，而 可測量作業磨粒密度。兩密度之比係於其後當作對修整具 品質之評價而使用。（參照非專利文獻5) 同樣地，可從 http://morganadvancedceramics.com/articles/cmp optimizat ion.htm”取得之 Thear 和 Kimock 之 “Improving productivity through optimization of the CMP conditioning process” 中， 與被賦予的區域内之磨粒粒子的總數相比較，將作業磨粒 密度定義為顯示物理性磨耗之磨粒粒子數。此種計算可在 使用後藉由精密檢查修整具而獲得，並用以顯示修整具之 品質。但是，根據該等參照文獻所揭示之使用後可視的精 密檢查手續，僅可有效地用於磨耗後之盤片，不提供對多 樣壽命段階之活性磨粒數之直接資訊。再者，難以區別因 研削過墊而磨耗的鑽石磨粒、和接觸墊而有磨耗但未研削 的磨粒。（參照非專利文獻6) 鑽石修整盤的使用者必須確認經常地藉由一貫檢查， 8 319549 200823010 _而有效率地從鑽石修整盤製造者購進同一種品質之製品。 •而且，使用者必須根據實驗決定自己所需要之製品規格。 且使用者必須理解在特定操作條件下盤片將發揮何種功 能，若有正確地測量鑽石修整盤上之活性磨粒數的方法， 使用者可從此種觀點獲得有用的資訊。最後，從研究及開 發的觀點來看，若有此種實驗方法，鑽石修整具之製造者 在能夠理解如何可改善鑽石修整盤之存在的製造方法後， 針對新的CMP開發及關連步驟，可獲得更有用之資訊。 f [專利文獻1]美國專利第7,〇11，566號 [非專利文獻1]可從 http://www.abrasive_tech.eom/p df7effectsdiamond.pdf 取得 之 Bubnick 等之 “Effects of Diamonds Size and Shape on Polyurethane Pad Conditioning”、Abrasive Technologies、 2004 [非專利文獻2]可從 / http://www.abr as ive-tech.com/pdf/temptun gsten.pdf 取得之 Bubnick 等之 “Optimizing Diamond Conditioning Disks for the Tungsten CMP Process”、Abrasive Technologies、2002 [非專利文獻 3] Goers 等之“Measurement and Analysis of Diamond Retention in CMP Diamond Pad Conditioners” 2000 [非專利文獻 4] Dyer 和 Schlueter 之“Characterizing CMP pad conditioning using diamond abrasives” [导一專矛!J 文獻 5]可從http://www.diamonex.com/diabond key 9 319549 200823010 factors.htm取得之 Zimmer 和 Stubbmann 之 “Key factors influencing performance consistency of CMP pad conditioners” [非專利文獻 6]可從 http:"www. morganadvancedcerami cs.com/articles/cmp optimization.htm 取得之 Thear 和 Kimock 之“Improvingproductivity through optimization of the CMP conditioning process” 【發明内容】 ;[發明所欲解決的課題] 本發明係提供修整盤上之活性磨粒數的正確且一貫之 測量方法者。本發明之效果可從此處所提供之發明記述而 明瞭。 [解決課題的手段] 本發明係提供一種修整盤上之活性磨粒數的測量方 法。該方法係具備：（a)以使修整盤的磨粒含有面與檢查體 v的硬質面相對向之方式，使修整盤接觸於硬質面之步驟； (b)以令存在於修整盤的前述磨粒含有面上之任意活性磨 粒留下對應各活性磨粒的痕跡之方式，在朝向前述硬質面 施加負載於修整盤的狀態下使前述修整盤沿著前述硬質面 移動之步驟；以及（c)計數形成在前述硬質面之痕跡，而測 量前述修整盤上的活性磨粒數之步驟。 本發明之較佳態樣之方法中，前述檢查體的硬質面包 含對比物質層，當修整盤橫切硬質面而移動時，修整盤係 從一端到另一端通過對比物質層上，活性磨粒係刮過對比 319549 10 200823010 物質層及硬質面，而形成清楚的痕跡。 [發明之功效j 藉由冲數形成在所述硬質面的痕跡，可正確地測量修 整盤上之活性磨粒數。 > 【實施方式】 申請人開發出正確且一貫地測量修整盤表面上之活性 磨粒數的方法。本方法中’以使修整盤之磨粒含有面對向 於檢查體的硬質面且與該硬質面接觸、並使修整盤的一端 到另-端完全地通過檢查體的硬質面之方式移動修整盤。 在檢查體的硬質面亦可設置由對比物質所構成的對比物質 f °對比物質層亦可安裝在檢查體的硬質面，亦可在檢杳 =質面施以色彩化、染色、或著色而予以形成。對： ㈣由光學或其他手段提供可與硬㈣片區別的 藉由在轴方向施加負載（例如，一定負載亦可） 查體的硬質面使鑽石修整盤移動，盤片上的活性 =便會通過硬質面及/或對比物質層（若存在的話）而形 =跡或條痕。藉由以光學顯賴或其他適當手段計數所 又侍之痕跡（條痕），即可測量活性磨粒數。 坦的，（i)在對水平及垂直動作具有適當規制的平 ^ 上，放置大小約8英吋（約20.32cm)X約10 3!32 ^ 2,38 ^ 薄日’，’⑻以與Μ述薄片的長轴垂直之方式橫切前述 4至广：上’使用不會消失的深色氈尖標記筆，形成長度 央时（1〇.16咖至12.7cm)之一定寬度的狹窄帶狀声， 319549 11 200823010 :⑴)將：石修整盤放置成外周緣位於帶狀層之起點上 起點附。（lv)在鑽石修整盤上 為 約25磅（約n.325k 貝戰便、，心負载成為 (咖丽w晝出的帶狀I上^^盤/表面通賴尖筆 平行地以約…英二相對於薄片的長轴 _ . _ (、’、勺 2.54 至 5.08cm/秒）左右的一 式拉動鑽石修整盤，並在鑽石修整盤： 光學顯微鏡計^切曹^盤筆片Γ出止=’（vi)最後，藉由以 式’可用容易且具再現性的方方 數。此外，太π明、，4 J里/、貝戟中的活性磨教 數此外本發明亚未限定於對鑽石修整盤之適用 用於使肖CBN等其他種類磨粒之修整盤。 、鑽石磨粒數亦可藉由其他非光學手:來進 :透削”輪廓儀(Profilometer)測量條痕數的方式：行； :對1(^楚=制Γ尖標記筆物成帶狀層而造成光學 丨生對比“楚化)。上述兩手段在適當條件下可分開使用。干 被計數的活性磨粒數在實驗期間，係依 的排列而變化。可藉由此種變化來理解用以測 是否為活性之因子的性質。但是，相對於料 2
及最小之計數差係為更小於修整盤上的鑽石磨粒取大 為數十萬）之位數。因而，即使因方向而略有變動可 ::本發明之方法所獲得之其“範圍，，之値，野修整盤C 再者，申請人發現’可藉由將修整盤僅在約 _)左右之短距離推壓，並將獲得 、丁 分烁痕原點予以 319549 12 200823010 夺示S己’而同時可、隹a、 圖化。本發明之方：’舌性磨粒之计數及活性磨粒位置之地 可藉由從背後昭：:此種實施態樣係不需對比物質層， 祭條痕，而容易地以目視計數條痕。，，，、暗的月景視 —本毛月之方法之結果係容易再呈現且可靠。再老，每 行發明之方法的費用（尤其是藉由光風 貝 最終觀測中，物質b μ ' 所進行之 發明之方法係=:片時)物 存在或被㈣亦可㈣用為了此種目的而令 一 x、寸疋i置特別是以在產業環境中可作賴、 題ΐ具有再現性的方式收容本步驟者的最小的 衣置或衣造而容易地進行。
咏=ι明中，檢查體的硬質面係由如塑膠、金屬、玻璃 等任思之硬質平滑材料所構成。硬質面係以由具有約65 至約75Mpa之降伏強度之物質所形成者為佳，具有約 7〇Mpa左右之降伏強度之物質更佳。較佳為前述硬質物質 為塑聲，亦可用具有適當降伏強度之任意硬質塑膠。前述 塑膠係以聚碳酸酯、丙烯酸酯、纖維素等較佳，以聚碳酸 醋更佳。較佳為在丙烯酸聚合物中含有聚甲基丙烯酸酯及 聚曱基丙稀酸曱酯。 構成檢查體的硬質面之物質的顏色、透明性或外觀， 在本發明中並未特別限定。亦可使用與檢查體的顏色明顯 不同之任意對比色於對比物質層，此時係以黑色及深藍色 較佳。除了在用於以物體輪廓測量方法（Profilometry)測量 條痕數的情形以外，使用透明或半透明物質、或具有任意 13 319549 200823010 程度之顏色或透明性或任意外觀之物質，則容易測量。但 是，用於以光學方法計數條痕時，較佳之物質為合理程度 之透明或半透明，且為横切過已形成有條痕之層或薄的對 比附著物時可視覺上予以充分地區別者。CMp墊所使用之 固體聚氨酯非常地適用在本發明的檢查體之硬質面，但使 用此種非透明之物質時，以物體輪廓測量方法為測量方法 車又it。但是’亦不排除條痕測量之光學方法。 硬質物質的形態亦可以是任意之適當形態。桌子或平 面作業台上的平坦面或固定在該平坦面之薄片皆可。本發 明中，尤以薄片為佳。薄片係便宜，且藉由可裝部地安裝 在桌子或作業台上，可於每次實驗容易地進行替換。不使 =薄片時，為了從硬質面表面去除條痕，就必須採取某些 二的硬質面尺寸並未被限定’只要為可充分地 體地通過被染色之帶狀層或其他測量區域而進行 私動即可，較佳為長度約9英 盆…从， 犬22』6cm)及寬度約5 央f (約12.7cm)以内。而且薄片 所選擇的任-測量手段（业型上不會A至難以藉由 觀測或i出姑t σ /、上為光學顯微鏡）進行條痕之 、戈k成妨域之程度為佳。 央f W 20.32cm)為佳、約9英对（約22 86^χ約η英 448_之大小更佳、約8英时(約㈣ 25.4cm)之尺寸進而更佳。 νιυ央才（約 薄片的厚度未特別被限定庫且 須具有某種程度之可挽性。薄片^専片士應具有剛性，且必 動之際，薄片會被拉伸而變^："缚時’在鑽石修整擊移 又形或歪曲，造成條痕數不正確。 319549 14 200823010 以處理’尤其在光學透明性或半透明性對於 .予，、i里為重要時、或使用物體輪廓測量 測量之精確度降低。而且了將&成 曲而追循放置有薄片的平挺作而在負载下稍微彎 中的表面時，會因為薄片製程 影響。 之偏差’使測量結果的正綠度受到相當的 上述尺寸係依據鑽石修整盤實際大小為直徑* :二.16 Cm)的情形者。在鑽石修整盤的大小改變時亦可適者 地调整薄片及檢查體的尺寸。 田 對比物質層之形態及物質並未 典型地是適用在以来風古'土 4如 钉比物貝層 之薄2 條絲时形。對比物質 成，而較佳為在檢查體或薄片之 =:嶋。例如’製造經色彩化、染色或著色之声， 點Γ塗布或施加在硬質物質之表面，二 或固著時，對比物質不可;或硬化。乾燥、硬化 層之程度的硬質。、鑽石磨粒不會損傷對比物質 作广2方面由於會無法藉由本發明之方法合理地#得 條痕清晰的圖案或無法予 4 又仔 於軟質。可栋用，普 持，因此對比物質層不可過 種每η Φ 、比物質層之物質並未特別限定。在數 =^中’深色之不會消失的標記筆墨水於形成产杳 =硬質物質係為透明或白色時尤佳。做為= 使：於使用在檢查體之硬質 色、或著色之塑膠〇對屮舲拼& 干丨土心、、工木 貝層亦可在構成基體之第1塑 319549 15 200823010 膠上配置第2塑膠層’再藉由以熱、虔力或硬化來 層塑膠層之技術而形成，或以接合劑黏貼亦可。θ積兩 尤其在使用機械裝置之測量方法或為了測量之 而為必要時，對比物質層亦可嵌入並融合或層積在酉: 比物質層之尺寸所形成之硬質面内的凹部。此時，所獲^ 的表面必鮮滑而具有精確度及可靠性。相着的結^ 了 不可在鑽石修整盤沿著硬質面移動時，產生妨礙句 =有意的形貌變化（凹凸）。再者，關於對比物質層，亦可 藉由任意的適當手段，在對應於對比物質層厚度之深产的 檢查體凹部，填充顏料、染料或其他光學性對比物質^ 成層狀。 / m 藉由對比物質之薄層構成硬質面時，對比物質層的硬 度並未特別限定。-般而言，對比物質層的硬度係:與形 成铋查體的基礎硬質物質的硬度相等、或未達其硬产為 佳。但是，即使比基礎硬質物質更軟質時，若是過於軟質， 則在進行測量之期間難以保持條痕外觀，因此不可過於軟 質，此外，亦不可為經摩擦時不鮮明化、或可簡單地被去 除者。 對比物質層的塗布方法並非特別限定者，層亦可藉由 將檢查體的硬質面予以塗布、鑄塑、硬化、塗刷、喷身j、 擦拭（Wiping)、標記、色彩化、著色、或染色而進行。在 數種實施態樣中，對比物質層係藉由例如以塗布、鑄塑、 塗刷等’在檢查體的硬質面安裝個別的層之方式而製造。 其他實施態樣中，對比物質層係藉由以例如檢查體硬質面 319549 16 200823010 之木色I色*化'或著色’而在檢查體硬質面混入物質的 方式而衣以。使用於乾燥或固體化耗時的層之製造的物 質，在製作條痕前必須職予乾燥所需之充分時間。 對比物質層的尺寸並未特別限定。一般而言，長度必 須在接受實驗之鑽石修整盤的直握以上。而且，一般的厚 度必/頁疋在測里期間，大量活性磨粒貫穿對比物質層而不 會在檢查體表面留下條痕之程度的厚度。但是，對比物質 層為了提供充分之對比以檢測出條痕，必須有充分程度之 厚度對比物貝層較佳為具有約〇 〇〇〇1英忖（〇.觀Μ腿） 至約0.1英对（2.54施）（例如約〇 〇〇1英对OB咖）至約 0·01英吋（0.254 mm))範圍之厚度。 對比物質層㈣於硬質物質表面的位置或配向並未特 別限定。於此係採用修整盤可直線地完全橫切對比物質層 而移動之任意位置或配向。但是，對比物質層較宜係位^ 鑽石修整盤被移動的範圍中間，且其長軸被配置成與 修整盤被移動之方向呈直角。 〃 /舌性磨粒數一般會成為施加在鑽石修整盤之負載的函 數。適用在鑽石修整盤之負載並未特別限定。本發明所^ 用的負載，係以可反映盤片實際使用時的負載條件之方式 而运擇。一般而S，以盤片總重量和施加負載之合計成為 約2磅（908g)至約25磅（ll350g)之負載為佳（例如為約3磅 (1362g)至約15磅（6810g)、或約4磅（1816g)至約1〇石丸 (4540g)) 〇 方 使鑽石修整盤移動的移動手段並非特別限定者，修敕 319549 17 200823010 盤係藉由因此目的所製造的機械 、動，，修整盤亦可橫切硬質面而推二拉：以;:移 以預疋之振幅振動。關於適當 疋轉 整盤以合理速度在薄片上移動=置例如亦可在修 表面；或將盤片吊掛在振子末 =整盤_薄片 鏈、螺桿、齒輪、如，採用活塞、 適合用於本發明之方去❹式驅動之機械類。 圖。該裝置例如;有二 ⑽鮮長度約2:=^^ r4, 70 , 央尺（76.2cm)、及寬度約1 5革吹 大齒輪== 辟在馬達2。之轴安裝有小· 式予以】Γ/二 的固定物而以旋轉自如的方 桿刊輪安褒有沿著殼體10的全長延伸之螺 係於2塊全屬板H.84Cm)至1/2英时（1·27 cm))。螺桿40 以鬆嵌方式右 穩定地被支擇。螺桿4〇係 4英时、厚絲孔的硬質金屬棒6G(長度約 動時，硬‘寬度約3/4英忖）。螺桿40轉 貝二屬棒60會非常順暢且容易地朝前後移動。因 在馬達20通電時，藉由螺紋牙朝殼 =2〇的方向之旋轉，硬質金屬棒60即進行移動。、實及二 =:。_旨心 片'^大1=2_中所記述’以橫跨聚碳酸酉旨薄 致王見之方式，在薄片70之長度方向的大約中 319549 18 200823010 -ft置’没有例如以數尖標記筆所作成的帶狀層80(對比 .物質層）。將鑽石修整盤9G置放在聚碳酸g旨薄片川上，並 :鑽t磨粒面置放在下方(即’與殼體的上面相對向置 猎由徒‘螺梓40使硬質金屬棒6〇移動至使帶狀層 之後端緣對應於鑽石修整盤之前端緣。馬達Μ係卡人 :使鑽：修整具90以箭頭所示之方向橫切帶狀層⑽而： 動。硬貝金屬棒6〇及修整盤9G的速度係藉由可變電阻哭 ,2調整，該可變電阻器係連接在用以供給電流到以實施例 所不之速度運轉之馬達2〇的電境。鑽石修整盤卯之後 端緣係繼續移動至到達帶狀層8〇之前端緣為止。 …使修整盤9G移動的同時，亦可使檢查體7()的硬質面 沿=修整盤9G之表面移動。若非f注意地控制，則亦可採 =、曲之路控。此時’可以考慮特定目的(例如少量條痕檢 4。但一，而言，修整盤9〇的移動較佳為直線。移動速 ^ 疋為佺，但亦可在中途加速或減速。橫切硬質物 「質7G表面（有存在時，為對比物質層或其他 叫的鑽石修整盤90之速度，並非被限定者 佳 〇上英对= (6.35職/秒）至約4英时糾(例 、、勺0.5英时/秒G.27cm/秒）至約3英时/秒（7,62^秒》。 速度更佳為約1至約2英对/秒（2·54至5.08cm/秒）。速度 ，小時’根據物質有時無法有效地製作條痕，但速度過大 才7有基礎物質朝移動方向歪曲，而降 計 的正確性及精確度之虞。 條痕的長度係根據鑽石修整盤9G行進的距離而決 319549 19 200823010 定。較佳為橫切對比物質層80整體時之充分長度。但、 i卞痕的長度亦可以是對光學觀測、顯微鏡光學觀測、物體 輪廓測量方法觀測、或本發明所使用的任意形態之 適當任意値。 ^ ^ 條痕的觀測手段並非特別被限定者。原則上，亦 多樣之裝置使用於在條痕和關的平滑表面之間觀測對 比。但是，II由對比物質層80提供光學對比的情形中 佳為利用光學顯微鏡進行觀測。，亦可使用輪㈣ (Promometer)或其他形貌測量技％。此日夺，特別適於 對比物質層或非使用使條痕產生對比之其他視覺手段的情 —做為較佳實施態樣之變形’係亦可取代硬質物質而使 用貝際的CMP墊’來作為摩擦鑽石修整盤的對象。但是， 於該情形下，CMP塾必彡歧固體材料。於該情形下，較佳 為利用物體輪廓測量方法或類似形貌測量技術來測量处 果。 、口 [實施例1] 以下呪明本發明之實施例，但該等實施例當然不是限 定本發明之範圍者。 實施例係說明根據本發明，測量鑽石修整盤上之活性 磨粒數的方法。 # 將/、有8奂忖（20.32(：111)\1〇英忖（25.4<：111)之厚度3/32 ，寸（2.3 8 mm)尺寸之聚碳酸酯薄片（ge 公司製 XL10 LeXan」（商品名）），置於具有平坦且清潔之表面之 319549 20 200823010 厚度3/8 *时（9.525 mm)的玻璃板上，並在玻 .束裝置’用以防止前述薄片之水平及垂直動作。 係由具有一個以上直線邊緣之'^ 及金屬尺所椹屮今比 長方形鋁塊、 冓成，該專之任一種皆以雙面膠帶安 板。使用不會消失的黑色亶毛尖筆在聚石发酸醋薄片m 一連串之，續線。帶係相對於薄片之長度方向之軸線^ 角地，在薄片之長度方向的大致中央以標記筆描 ，度為約1/8英吋（3.175mm)。 /、租 準備在研削面上具有大約202,000個粒度2〇〇之讚石 磨粒、且已使用過之直徑4.25英叶之三菱材料株式會社事 「Tdple ring dot(MMC TRD)鑽石修整盤」（商品名）。將該 盤片之鑽石磨粒面朝下，以盤片前端侧的邊緣接觸在以不 會消失賴尖筆（Felt_tip pen)所描㈣帶之近側側緣之方 式’且以盤片之-端接觸在左側的薄片拘束裝置之方式， 來配置盤片。將金屬錘载置在盤片上，俾使其與鑽石修整 盤的重$合計成為7.37碎（3346g)。藉由長方形之三聚氰 胺（melamine)塊從後方推壓修整盤及金屬錘，直到盤片的 前端緣橫切數尖標號筆帶狀層之遠方側緣的位置為止，使 其以每秒約1英叶的速度，朝向相對於帶狀層最長的尺寸 呈直角的方向移動。然後，去除盤片及金屬錘並取下薄片， 使用光學顯微鏡（Nikkon製「SMA_1〇」（商品名）1〇倍率）， 進行條痕數之測量。薄片係在從上側照明之狀態下進行觀 察。 第2圖係顯不藉由以上述方法移動鑽石修整盤的方式 21 319549 200823010 所形成的帶狀層上之條痕的照#。對應於343餘性磨教 之合計343個之條痕，係使用Nikk〇n製「sma_i〇」光風 顯微鏡以倍率1〇χ計數過。 予 [實施例2] 粒數之本方法的 說明用以測量鑽石修整盤上之活性磨 其他實施例。 以和實施例！同樣的方法，以7.371bf(3346g)反覆進行 2次實驗。在鑽石修整盤周緣上標記記號，並藉由使該吃 號與附加在聚碳酸酉旨薄片上的記號一致，而在各實驗^對 合盤片相對於滑動方向之方向。薄片係配置在離左侧的拘 束裝置達修整盤-半直徑的位置。第！次實驗中，觀測到 合計393±21個條痕。帛2次實驗中為327。㈣於實施例 1，2次實驗所得之値為分別偏差了 14.5%及4.7%。 [實施例3] 本只細例中，5兄明使用物體輪廓測量方》測量鑽石修 整盤上之活性磨粒數之其他方法。 " 使用具有半徑3/zm的探針片、2 778 "m的水平步階 (_P)及0.26//m的垂直分解能之掃描觸針輪廓儀d⑶ 司衣Dektak V200 S1」（商品名）），掃描實施例2中第工 次實驗所得之聚碳酸醋薄片表面。掃描線長度為1〇〇丽， 從緊接著色對比帶狀層上方的位置開始測量。獲得資料 後’沿著薄片表面計算1G G G點的移動平均，將該移動平均 ^從原始資料以減去，藉此以數學方式去除聚礙酸醋薄 之頃斜及因非平面性所造成的表面高度之變化。第3圖 319549 22 200823010 ’係顯示如此獲得的掃插、物 ‘ 鈇縣，剎田古在 物卻叫里圖之曲線圖〇 …、後利用市售的軟體， 酸醋薄片表面之干擾位Mi'T .則出具有鉸過未損傷的碳 欠伹旱(N〇lse !eveI)的表 條痕，自動地計數條痕數 j *㈣凸，交化之 ^ ^ ^ ^ Λ ( 也進仃物體輪廓測量方、、参播ρ 手動貫馭，確認計數所得之 '田 廓測量方法係發現到” 201二：為正確。利用物體輪 法，利用物#广 條痕。相較於光學觀測方 法利用物體輪摩測量方法之條痕數 有些條痕是不連續的而未橫切掃描線、此外二;== 地超過薄片表面之干擾位準之故。 又未充刀 [實施例4] 本貝知例中，况明使用使盤片移動的機械裝置，測量 鑽石修整盤上之活性磨粒數用的方法。 以和實施例！之實驗方法相同的條件，使用使修整般 及金，動的機械裝置’以負載7 371bf(3346gf)進行實 驗。雨述裝置係具備：具有減速齒輪之電氣馬達；及與由 此電氣馬達所驅動的螺桿相連結之金屬棒；並以金屬棒推 壓修整盤。滑動速度係每秒大約！英吋（2 54cm)。觀測者 一個人使用光學顯微鏡，在對比帶上計數到合計333±ι〇 的條痕。 [實施例5] 本實施例係說明藉由本發明，用以測量鑽石修整盤上 之活性磨粒數的方法。 使用與實施例1相同的鑽石修整盤，縮短滑動距離且 不使用對比物質層，以負載7.371bf(3346gf)進行實驗，來 319549 23 200823010 測量條痕數。聚碳酸酯薄片係置放在左侧之側面及底部上 ^具有拘束裝置之厚度3/8英忖（9.525 mm)的玻璃板上。在薄 片上’從左側的拘束裝置離開達修整盤直徑之1/2的距 離，係描繪排列記號。修整盤及錘係以令盤片的一個邊緣 接觸在薄片左側的拘束裝置之方式，且以令修整盤邊緣上 的記號與薄片上的排列記號一致之方式，放置於聚碳酸酯 薄片上。由長方形鋁塊所構成的拘束裝置其後係以雙面膠 π沿著修整具及錘右側面而被安裝在聚碳酸酯薄片。 使用前端細的氈尖筆，畫出鑽石修整盤的初期位置之 輪廓。以二聚氰胺塊從後方推壓修整盤及錘，使其移動達 1/4英吋（6.35 mm)之距離。去除修整盤、錘、及聚碳酸酯薄 片不使用顯微鏡，而使用使條痕最亮的逆光照明以可視 的方式檢查聚碳酸酯薄片。以前端細的氈尖筆標記各條痕 原點。確誌合計327個條痕。第4圖係顯示經標記條痕原 點之位置（彳文上朝下滑動）。修整盤上被顯示為“丨，，的記號係 、在貝％如被放置在聚碳酸酯薄片上的排列記號上。第5圖 係在三菱材料株式會社製「TRD修整盤」（商標名）的作業 面上’重疊條痕原點（灰色點）位置之圖式。 [貫施例6 ] 本實施例係說明用以測量鑽石修整盤上之活性磨粒數 之本發明方法的其他實施例。 石 從鑽石修整盤之周方向各等間隔（45。）之7個初期位 以和實施例5同樣的方法，以7 3謝進行追加實驗。 母-人進仃實驗，將修整盤從原來的位置朝反時針方向旋轉 319549 24 200823010 45 ，進行7次實驗。各位置之條痕數彙總在表工 ^ [表 1] ΛΛ£)\ 0 45 90 計數 327 328 ~342~ [實施例7] 本實施例係說明在測量鑽石修整盤上之活性磨 時，改變負載時的效果差異。 敦 藉由與實施例5相同的方法，將負载改變成 3.mf(14〇7gf)、5.21bf(2361gf)、及 9 51bf(43i袖 ^ 驗。每次進行實驗，將修整盤旋轉45。且改變負载，進二 下-實驗。活性磨粒之總數係當作總負载之函數，描^ 第6圖。圖之圖表中，回歸線不通過原點，心： 即使數個鑽石磨粒是非常輕的負載，仍須支撐盤片' 馬 [實施例8] 本實施例係說明相較於已使用的修整盤，使用新的盤 片吋在鑽石修整盤上之活性磨粒數之測量結果。 藉由與實施例1同樣的方法，將粒度2°00之日本三其 材料（Mitsubishi materials)株式會社製「^〇修敕般一ς 標名）在新品狀態下使用，測量活性磨粒數。以Γ種V載測 量新的修整盤之活性磨粒。帛7圖係針對同—個修整 已使用狀態和新品狀態下比較活性磨粒數之比較表， 其結果得知修整具磨耗時，活性磨粒之測量數增大。'1豕 319549 25 200823010 以上，已列舉具體例說明树明，但本發明並非 於該等例者，將熟知該技術者所知之技術追加在前述各構 成亦可，將前述各構成置換成習知㈣亦τ，當然也 刪^前述構成中對本發明而言非必要之構成。而且，亦可 將前述各形態之各構成彼此取捨選擇而加以組合。 [產業上的可利用性] 根據本發明之修整盤上之活性磨粒數的測量方法，可 正確地測量以往測量困難之活性磨粒數，而可有助 盤之評估。 ^ 【圖式簡單說明】 弟1圖係橫切檢查體之硬質面且使鑽石修整盤移動 用的機械裝置之俯視圖。 第2圖係顯示在粒度2〇〇之三菱材米斗株式會社製「丁仙 ，正^（商標名），施加負載7.371bf(32.78176N)進行實 驗藉由/舌性磨粒所產生之痕跡之對比物質層的一部分照 片。 …、 厂弟3圖係顯示掃描在粒度200之三菱材料株式會社製 所册心1盤」（商標名）之活性鑽石磨粒所製造的對比物 貝之讀層所㈣到的條痕，所得狀物體輪靡測量圖 (Profil〇metry pl〇t)結果之曲線圖。 「第4目係顯示藉由粒纟之三菱材料株式會社製 :RD修整盤」（商標名)所產生之使用前端尖細的氈尖筆 所顯示之條痕起點的照片。 第5圖係在二菱材料株式會社製「TRD修整盤」（商 319549 26 200823010 標名）之研削面，投影第4圖所示夕 ^ <條痕開始點的照片。 弟6圖係將粒度2 0 0之三著：hl· μ 曼材枓株式會社製「TRD修 整盤」（商標名）的活性鑽石磨粒之 .^ ^ s饵之挪夏數和總負載，予以 曲線化之曲線圖。 修敕ί 7圖係針對粒度2GG之三菱材料株式會社製「動 妒现」（商才不名）’ $ 了比較已使用的整修盤和新的整修 1’而將活性鑽石磨粒數和總負載予以曲線化之曲線圖。 L主要元件符號說明】 10 殼體 30 齒輪箱 50 金屬板 70 薄板 90 修整盤 2〇 馬達 40 螺桿 6〇 硬質金屬棒 80 帶狀層（對比物質層） 319549 27