TW200819919A - Antireflective coating compositions comprising siloxane polymer - Google Patents

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alkyl
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Ru-Zhi Zhang
Mark O Neisser
Woo-Kyu Kim
David J Abdallah
Francis Houlihan
Ping-Hung Lu
Hong Zhuang
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Az Electronic Materials Usa
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Description

200819919 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種包含矽氧烷聚合物之吸收性抗反射塗 層、、且a物以及種使用该抗反射塗層組合物形成圖像之方 法。該方法尤其可用於使用在深及超紫外（uv)區域之輻射 使光阻劑成像。本發明進一步係關於吸收性矽氧烷聚合 物0
【先前技術】 光阻組合物可在微影蝕刻製程中用以製造（例如）電腦晶 片及積體電路構造中之微型化電子組件。通常，在該等^ 程中’首先將光阻組合物膜薄塗層施於一基材材料，例 如’用於製造龍電路'⑽烘烤該經塗覆之基 材，以蒸發該光阻組合物中之所有溶劑並將該塗層固定ς 該基材上。_使㈣於該基材上之光阻賴受逐步成像 該輕射曝光會使該經塗佈表面之曝絲域中發生化 化。可見光、紫外（uv)光、電子束及χ·射線輻射能皆係當 前微影飯刻製程中常用之輻射類型。經該逐步成像曝光 後’卜顯影液處理該經塗佈基材，以溶解並去除該光阻 劑之經輕射曝光區域（正性光阻劑）或未經曝光之區域（負性 彼等曝露於 影液而彼等 因而，用顯 田正性光阻劑逐步成像地曝露於輻射下時， 該輻射下之光阻組合物區域變得更易溶於該顯 未經曝光之區域仍保持相對不溶於該顯影液。 121778.doc 200819919 影劑處理經曝光之正性光阻劑可 石际、、工曝先之塗層區域 二:阻塗層上形成一正圖像。同樣可露出底層表面之期 當負性光阻劑逐步成像地曝露於輕射下時，彼等暴露於 =射下之光阻組合物區域變得更不易溶於該_液而彼 荨未經曝先之區域仍保持相對易溶於該顯影液。因而 I影劑處理未經曝光之諸綠财去除該塗層之未經曝 光區域並在該光阻塗層上形成負影像。同樣可露出底層表
面之期望部分。 C 光阻解析度定義為於曝光及顯影後該光阻組合物能以高 圖像邊緣清晰度自該光罩轉移至該基材之最小特徵。當今 在許多主導邊緣製造應用中’需要大約小於1〇〇奈米之光 阻解析度。另外’通常最期望的是經顯影光阻壁曲線相對 於基材接近豎直。光阻塗層之經顯影與未經顯影區域間之 此等劃分之結果係遮罩圖像之精確圖案轉移至基材上。當 不斷發展之小型化降栖駐罢u 1 λ 孓化丨牛低裝置上之主要尺寸時，此變得更為 重要。 半導體裝置之小型化趨勢已使得使用在愈來愈短之韓射 波長下敏感的新穎光阻劑，並且亦已使得使用複雜之多層 ;、、例士抗反射塗層’以克服與此小型也相關聯 難。 在需要亞半微米幾何結構之情況下通常使用對在約ι〇〇 丁米”、勺300不米間之短波長敏感之光阻劑。特別佳者係 在⑽奈米以下（例如193奈米及157奈米）敏感之深㈣光阻 121778.doc 200819919 視情況溶解抑制 劑’其包含非芳族聚合物、光酸產生劑 劑及溶劑。
在光微影術中使用高吸收性抗反射塗層係有用方法，可 消除由來自高反射性基材之背部反射造成之問題。於該基 材上塗加该底部抗反射塗層，然後於該抗反射塗層之頂部 j施加#層光阻劑。逐步成像地曝光該光阻劑並加以顯 衫。通常使用各種蝕刻氣體乾蝕刻經曝光區域中之抗反射 塗層’/阻圖案由此轉移至基材。在光阻劑不提供足夠高 之抗乾餘刻性之情況下，首選具有高敍刻抗性之光阻劑底 層或抗反射塗層並且—方法已於該等底層中納人♦。石夕在 土材又到#刻之製程中具有高抗餘刻#，因此亦吸收曝光 輻射之該等含矽抗反射塗層極為合乎需要。 本《月提[種用於光阻劑之新穎抗反射塗層組合物， 其中該組合物包含具有高吸收性的切新穎梦氧院聚合 物，並且遠聚合物亦含有能在酸存在下使該聚合物自交聯 之基團。本發明亦提供一種使用該新穎組合物的用於使用 該抗反射性塗層形成圖像的方法。除用作抗反射塗層組合 物外’該_組合物亦可用作硬料來保護基材不受儀刻 氣體之影響或可用作似介電材料。本發明進—步係關於 -種新穎矽氧烷聚合物’其具有高吸收性並且亦含有能在 酸存在下使該聚合物自交聯之基團。該新賴組合物用於使 塗佈於該新穎抗反射塗層組合物上之光_成像並且亦用 於钱刻該基材。該新穎組合物能夠使清晰圖像自該光阻劑 轉移至該基材，並且亦具有高吸收特性來防止光阻劑中之 121778.doc 200819919 反射性凹陷及線寬變化或駐波。另外，該抗反射塗層與該 光阻膜間實質上無混雜。該抗反射塗層亦具有高溶解穩定 性並且形成具有高塗佈品質之薄膜，後者尤其有利於微影 術。 【發明内容】 於光阻劑之新穎抗反射塗層組合 本發明係關於一種用 ’其中該矽氧烷 結構（1)之自交聯 物，其包含酸產生劑及新穎矽氧烷聚合物
聚合物包含至少一吸收性發色團及至少一 官能基，
其中m為〇或！^，獨立為價鍵或連接基團，將該淨 連接至該聚合物切並且L係選自氫、％，及W，或
連接基團’將該環驗連接至該聚：物 色團可選自未經取代之芳族::;物=丙炫’並且該 經取代之雜芳族部分及經 ”戈之方族部分、 合物可至少包含具有以下心的^部分，夕氧燒 (R’(R")Si〇x)(“)， 其中R1獨立為包含交聯基團 a 基團之部分，RiR，，獨立選自ri:，2獨立為包含發色 本發明亦係關於-種使二1— 成像之方法’其包括以- 121778.doc 10 200819919 步驟· a)於基材上自該新穎抗反射塗層組合物形成一抗反 射塗層，b)於該抗反射塗層上形成一光阻劑塗層；c)使用 曝光裝置逐步成像曝光該光阻劑；及d)使用水性鹼顯影劑 顯景> 遠塗層。隨後可儀刻該抗反射塗層。 本發明進一步係關於一種矽氧烷聚合物，其包含至少一 吸收性發色團及至少一結構⑴之交聯官能&
0) 其中m為0或〗’ w&w，獨立為價鍵或連接基團，將該環醚 連接至e亥聚合物之石夕並且1係選自氫、、或[與1•合 起來構成脂環族連接基團，將該環醚連接至該聚合物之 石夕m貌聚合物亦可包含至少—結構（R5si〇x)之單 元’其中R5為包含交聯基團及吸收性發色團之部分，並且 x=l/2、1 或3/2 〇 【實施方式】 本發明係關於用於形成光阻劑底層之新穎抗反射塗層組 口物其包31產生劑及新穎矽氧烷聚合物，其中該矽氧 烷聚合物包含至少—哄价M &么蘭 及收〖生务色團及至少一結構（丨）之交聯 基團，
m (1) I21778.doc 200819919 其中m為0或！’W及W|獨立為價鍵或連接基團，將該環鱗 連接至該聚合物之石夕並且以選自氫、或❻心 起來構成一脂環族連接基團，將該環轉連接至該聚合物I 矽。結構（1)之官能基能夠與其他類似基團自交聯，以形成 交聯聚合物。本發明亦係關於使塗佈於該新穎抗反射塗声 組合物上之光阻劑成像之方法並提供較佳微影結果。本發 明進-步係關於一種新穎石夕氧院聚合物，其中該石夕氧燒聚 合物包=至少-吸收性發色團及至少—結構⑴之交聯官能 基，该父聯官能基能與其他類似基團自交聯以形成交聯聚 ^物。在-實施例中，該石夕氧烧聚合物之自交聯官能基為 衣醚例如私氧化物或環氧丙烷。該矽氧烷聚合物中之該 ，色團可係芳族官能基。該新賴吸收性聚合物在酸存在下 月匕夠自父聯。該抗反射塗層組合物用於使對介於約奈 米至約⑽奈米間(例如193奈米及157奈米)之輻射波長敏感 之光阻劑成像。 本發明之抗反射塗層組合物包含石夕氧烧聚合物及酸產生 j。δ亥石夕乳烧聚合物包含吸收性發色團及結構⑴之交聯官 此基。該⑦氧院聚合物包含能在酸存在下自交聯之結構⑴ 之官能基’因而不需要外部交聯化合物；實際上，諸如交 聯劑及染料等小分子化合物(吸附性發色團)能在處理步驟 ^間揮發’留下殘餘物或擴散至相鄰層並且因此不太合 ::在-實施例中’該新穎組合物不含交聯劑及/或染 ::矽氧烷或有機矽氧烷聚合物於聚合物結構内含有_ 早兀’其中該等SiO單元可位於該聚合物骨架内及/或位於 121778.doc -12- 200819919 该聚合物骨架之一側。可使用業内習知的秒氧炫聚合物。 多種矽氧烷聚合物業内習知並且例示於以下以引用方式倂 入本文中之參照文獻中：WO 2004/113斗17、美國專利第 6,069,259號、美國專利第6,420,088號、美國專利第 6,5 1 5，073號、美國專利第2005277058號及日本專利第 2005-221534號。石夕氧烧聚合物之實例為（但不限於）直鏈聚 合物及梯形或網狀（倍半矽氧烷）類型的聚合物或包含直鏈 及網狀嵌段之混合物之聚合物。矽氧烷之多面體結構亦習 知並且係本發明的一部分。 在一實施例中，本發明之矽氧烷聚合物包含由⑴及（ii) 闡述之單元， (R^SiOw)及（R2Si〇3/2)⑴， (R，（R")Si〇x) (ii)， 其中Rl獨立為包含交聯基團之部分，R2獨立為包含發色團 基團之部分，R，及R，’獨立選自R〗&R2,及χ=1/2或卜通常r2 為叙色團基團，諸如芳族或芳基部分。在另一實施例中， 違矽氧烷聚合物包含由（iH)及（iv)闡述之直鏈聚合單元， -(Al(Rl)Si〇l· (iii)，及 -((A2)R2Si〇)_ (iv)， 其中，R1及R2係如上所述，Αι及A2獨立為羥基、r1&r2、 鹵化物（例如氟化物及氯化物）、烷基、〇R、〇c(〇)R、烷 基酮肟、未經取代之芳基及經取代之芳基、烷基芳基、烷 氧基、醯基及醯氧基，並且R係選自烷基、未經取代之芳 基及、、&取代之芳基。在再—實施例中，該秒氧烧聚合物含 121778.doc -13- 200819919 有、罔狀及直鏈單几(即包含⑴及/或⑻之網狀單元及包含 (_及/或㈣之直鏈單元）之混合物。通常，主要包含倍半 矽氧烷或網狀類型之單亓沾枣a私 凡的3k a物車父^土，此乃因其提供極 佳的乾蝕刻抗性，但亦可使用混合物。 該抗反射塗層組合物之聚合物可進-步包含-或多個其 他含矽單元，例如 ’ (〇3/2) (V) ’其中r3獨立為羥基、氫、鹵化物（例
如氟化物及氣化物）、烷基、〇c(〇)R、烷基酮肟、芳基、 烷基芳基、烷氧基、醯基及醯氧基，並且R係選自烷基、 未經取代之芳基及經取代之芳基， _(Si〇4/2)_ (vi)， ((Al)A2Si〇X) (vii)，其中-=1/2或 1，A〗及 A2 獨立為羥 基、氫、鹵化物（例如氟化物及氯化物）、烷基、〇R、 〇C(0)R、烷基酮肟、芳基、烷氧基、烷基芳基、醯基及 醯氧基；及該等單元之混合物。 在一貫施例中，該聚合物包含任一數量之單元⑴至 (vii) ’但須有吸收性基團及結合至石夕氧烧聚合物之結構（工） 之交聯基團。在另一實施例中，該聚合物包含單元⑴及 (v) 〇 該聚合物之一實施例可包含以下結構， (R1Si03/2)a(R2Si〇3/2)b(R3Si〇3/2)c(Si04/2)d 其中’ R1獨立為包含結構1之交聯基團的部分，R2獨立為 包含發色團基團之部分，R3獨立選自羥基、氫、鹵化物 (例如氟化物及氯化物）、烷基、OR、〇C(0)R、院基酮 121778.doc -14- 200819919 肪、芳基、烧基芳基、燒氧基、醯基及醯氧基；其中㈣ 選***基、未經取代之芳基及經取代之芳基；〇<a<1 ; l<b<l Kc<l ;叱d<1。在該聚合物之一實施例中，單體 早70之濃度界定為0.1<a<() 9、G G5<b<G 75、Q ^及 d<0.8 〇 〆 本I明之新顆砍氧烧聚合物包含交聯基團r1，尤其在於 (。尤其強酸）存在下能與另外的環喊團交聯H、㈣ 可由結構（1)例示：
⑴ 其中m為0或1，w&w，獨立 i拿接$ #取人仏 勹1貝埏忒遷接基團，將該環醚 連：至以合物之石夕並且L係選自氯、w，及w，或㈣合 1構成脂環料接基團，㈣環料接至該聚I物之 矽。環醚能夠自交聯而形 ° Λ 士 风又聯聚合物。該環醚基圈在 :::稱為環氧化物’而在m=1時稱為環氧丙燒。在一實 接連接至為環氧化物。該環氧化物或環氧丙烧可直 或多個連：i5物之砍。或者’該結構⑴之環喊可經由-== 及料接至财氧㈣合物。—之 未、 代之（C丨-c20)脂環族基團、直鏈 取代或未峰代之細_ C、=心)經 C2〇)烷基羧基，十 ^ (Ci-C2G)烷基醚、（c]_ 5起來包含經取代或未經取代之(C1_ 12] 778.doc 15 200819919 c20)脂環族其團’及其;昆合物 之組合連接至該聚合物之矽，g ^衣醚可由各種連接基團 伸烧基幾基與腊環族基團、# =燒基趟與脂環族基團、 伸炫基基團與芳基伸貌基二元基:，基基團'芳基 側鏈環鱗交聯基團例示 ή至該聚合物之石夕之 醚交聯基團作為至少。在—實施例中，該環 ,+人 經取代或未經取代之雔浐其® 結合至該石夕氧烧聚合物，其中該产，取代之雙月曰基團 脂軸)，即該環驗與該脂環族:::成一-共用鍵(稱為 經連接以包含環狀基團，較“81有—共㈣（Ww' 較佳為環氧化物（稱為月旨環族環氧曰)’其中該環驗 脂環族環氧化物基團可直接或0圖1中所不。該 上所旬結合至該聚合物之連接基_。 =其=代或未經取代之單環基團或經取代或未經取代之多 hi例如環己基、環庚基、環辛基m基等。 切氧烷聚合物亦包含發色團基團r2，其為吸收性基 圍’可吸收用於曝光該光阻劑之輻射，並且此等發色團基 團可由芳族官能基或雜芳族官能基例示。發色團之另外實 例係（但不限於）經取代或未經取代之苯基、經取代或未經 取代之蒽基、經取代或未經取代之菲基、經取代或未經取 代之萘基、基於颯之化合物、基於二苯甲酮之化合物、經 取代或未經取代之含有選自氧、氮、硫之雜原子之雜環芳 私j衣，及其混合物。具體而言，該發色團官能基可係基於 雙苯基砜之化合物、基於萘或蒽之化合物，具有至少一選 自羥基、羧基、羥烷基、烷基、伸烷基等之側基。該發色 121778.doc • 16- 200819919 團部分之實例亦於美國專利第2005/0058929號中給出。更 具體而言，該發色團可係苯基、节基、羥基苯基/4•曱氧 基苯基、4-乙醯氧基苯基、第三丁氧基苯基、第三丁基苯 土燒基本基、氯甲基本基、溴甲基苯基、蒽亞甲基、 9-蒽伸乙基、9、蒽亞曱基及其等效物。在一實施例中，使 用經取代或未經取代之苯基。 在一實施例中，該交聯環醚基團及該發色團可在一個結 口至3矽氧烷聚合物骨架之部分内，其中該矽氧烷聚合物 已於上文闡述。此部分可由結構（R5Si〇x)闡述，其中， 為包含結構（1)之自交聯環醚基團及吸收性發色團之部分， x=l/2、1或3/2。在該聚合物中，該芳族發色團基團可係結 構（1)之側鏈環醚基團之先前闡述之發色團基團。舉例而 言，該侧基可係脂環族環氧化物或縮水甘油基環氧化物。 圖3顯示此等基團之實例。亦可存在諸如由結構⑴至卜⑴ 等闡述之其他矽單元。 本發明之聚合物經聚合獲得重量平均分子量為自約 1，000至約500,000、較佳約2,〇〇〇至約5〇,〇〇〇、更佳約3〇〇〇 至約30,〇〇〇之聚合物。 該矽氧烷聚合物具有大於15重量％、較佳大於2〇重量％ 並且更佳在於30重量％之石夕含量。 在以上定義及整個本發明說明書中，除非另有說明，否 則所用術語係定義於下文。 烧基意指具有合意碳原子數及化合價之直鏈或具支鏈烧 基。該烷基基團通常係脂肪族且可為環狀（脂環族）或無環 121778.doc 17 200819919 (即，非環狀）。適宜非環狀基團可係曱基、乙基、正-或 異-丙基、正-、異-或第三-丁基、直鏈或具支鏈戊基、己 基、庚基、辛基、癸基、十二烷基、十四烷基基及十六烷 基。除非另有說明，否則烷基係指H0碳原子部分。該等 環狀烧基（脂環族）基團可為單環或多環。單環烷基基團之 適宜實例包括未經取代或經取代環戊基、環己基及環庚基 基團。該等取代基可為任何本文所述之無環烷基基團。適 宜一環烷基包括經取代二環[2.2· 1]庚烷、二環[2·2·2]辛 烷、二環[3.2.1]辛烷、二環[322]壬烷及二環[33.2]癸烷 及諸如此類。三環烷基之實例包括三環[54〇〇·2,9]十一 烷、三環[4·2·1·2.7,9]十一烷、三環[5·3·2〇·4,9]十二烷及三 锿[5.2.1.〇.2’6]癸烷。如上所述，該等環狀烷基基團可具有 任何無環烷基基團作為取代基。 伸烧基基團係衍生自任何上述烷基基團之二價烷基基 團。當提及伸烷基時，該等包括在該伸烷基主碳鏈中經 (C^C^o)烷基取代之伸烷基鏈。實質上，伸烷基係一作為 主鏈之二價烴基團。因此，二價非環狀基團可係亞甲基、 1，1-或1，2-伸乙基、…；!，2•或伸丙基、2,5_二甲基· 2,5-己烯、2,5-二曱基_2,5_己-3 一炔等。同樣，二價環烷基 基團可為1，2-或1，3-伸環戊基、L2-、i，3·、或κ伸環己 基及諸如此類。二價三環烷基基團可為任何上述提及之三 %烷基基團。在本發明中尤其有用之三環烷基基團係4，心 雙（亞甲基三環[5·2·1·〇·2,6 ]癸烷。 方基或芳族基團包含6至24個碳原子，其包括苯基、甲 12I778.doc -18» 200819919 本基、二甲苯基、蔡基、蒽基、聯苯基、雙苯基、三苯基 及諸如此類。δ亥等方基基團可進一步經任何適宜取代基 (例如上文提及之院基、烧氧基、喊或芳基）取代。同 樣，若合意，適宜多價芳基基團可用於本發明中。二價芳 基基團之代表性㈣包括伸苯基、伸二ψ苯基、伸蔡基、 伸聯苯基、及諸如此類。
烷氧基係指具有i至！ 〇個碳原子之直鏈或具支鍵院氧 基，且包括（例如）甲氧基、乙氧基、正-丙氧基、異丙氧 基正-丁氧基、異丁氧基、第三_丁氧基、戊氧基、己氧 基、庚氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、4_甲基己氧基、 2-丙基庚氧基、2-乙基辛氧基及苯氧基。 芳烷基係指具有所連接取代基之芳基基團❶該等取代基 可為任何諸如烷基、烷氧基、醯基等取代 ㈣原子之單價芳錄之實例包括苯基甲基、苯'H2、4 二苯基甲基、1，1-或1,2-二苯基乙基、U…L2…、 或1，3-二苯基丙基及諸如此類。如本文所述具有合意化合 b之經取代芳烷基基團之適宜組合可用作多價芳烷基基 團。 & 此外，本文所用術語「經取代」意欲包括有機化合物之 所有容許取代基。廣義上，該等容許取代基包括有機化合 物之非環狀及環狀、具支鏈及不具支鏈、碳環及雜環、芳 族及非芳族取代基。例示性取代基包括（例如）彼等上文所 闡述者。對於適宜有機化合物而言，該等容許取代基可為 一或多個且可相同或不同。對於本發明目的而言，諸如氮 121778.doc -19- 200819919 ^文所述;J Γ有滿足雜原子化合價要求之氫取代基及/或 …機化合物之任何容許之取代基。本發明並不音 欲以㈣方式_有機化合物之容許取代基。 〜 燒聚合物可按業内所習知合成。通常㈣ ::物猎由以下製備’使含該(等)石夕單元或石夕烧之化合 Ί在水解觸叙存在下反應以形成科㈣聚合物。 街=开少成s亥新穎石夕氧院聚合物之各種類型之經取代及未經 厂矽烷之比率可變化，以提供具有期望結構及性質之聚 物S有e亥發色團單元之石夕烧化合物可在約5莫耳％至 約90莫耳％之間、較佳在約5莫耳％至約75莫耳％之間變 化，含有該交聯單元之石夕烧化合物可在約5莫耳％至約9〇 莫耳％之間、較佳約10莫耳％至約90莫耳％之間變化。該 水解觸媒可係驗或酸’實例為礦物酸、有機叛酸、有機四 ㈣驗。具體觸媒之另外實例係乙酸、丙酸、磷酸、或氫 氧化四甲基叙。该反應可在適宜溫度下加熱一段適宜的時 間，直至反應結束。反應溫度可係介於約25。〇至約 之間。反應時間可為約1G分鐘至約24小時。可添加另外的 有機溶劑以使該石夕烧溶解於水中，此等溶劑係水可混溶溶 劑（例如四氫呋喃及丙二醇單甲醚乙酸酯（pGMEA))及低碳 (CrC5)醇，其進一步由乙醇、異丙醇、2乙氧基乙醇及卜 甲氧基-2-丙醇例示。該有機溶劑可係5重量％至約9〇重量 %。亦可使用其他用於形成該矽氧烷聚合物之方法，舉例 而言，於水溶液中之懸浮液或於水溶液中之乳液。該等矽 烷可於單體中含有該自交聯官能基及該發色團或可藉由使 121778.doc -20- 200819919 其與含有該或該等官能基之一或多種化合物反應而倂入一 已形成之矽氧烷聚合物中。該等矽烷可含有其他基團，例 如鹵化物、羥基、0C(0)R、烷基酮肟、芳基、烷基芳 基、烷氧基、醯基及醯氧基；其中R係選自烷基、未經取 代之芳基及經取代之芳基，該等係該矽烷單體之未經反應 取代基。該新穎聚合物可含有未經反應及/或經水解之來 自石夕烧之反基，即具有諸如經基、氫、鹵化物（例如氯化 φ 物或氟化物）、醯氧基或ORa等端基之矽，其中Ra係選自 (CVCW烧基、C(0)Rb、NRb(RC)及芳基，並且RbiRe獨立 為（C^C^o)或芳基。該等殘基可具有結構（XSi(Y)〇x)，其中 X及Y獨立選自OH、Η、OSi-、〇Ra，其中y係選自（(V C10)烷基、未經取代之芳基、經取代之芳基、c(〇)Rb、 NRb(Re)、鹵化物、醯氧基、醯基、肟及芳基，並且Rb及 RC獨立為（Ci-c〗〇)或芳基，Y亦可係R1及/或R2 (如先前所 述），並且或1。 Φ 含石夕抗反射塗層材料通常自包括（例如）下列的多種;5夕燒 反應劑合成： (a)二曱氧基矽烷、二乙氧基矽烷、二丙氧基矽烷、二 苯氧基矽烷、甲氧基乙氧基矽烷、甲氧基丙氧基矽烷、甲 氧基苯氧基矽烷、乙氧基丙氧基矽烷、乙氧基苯氧基石夕 烧、甲基一甲氧基石夕烧、甲基甲氧基乙氧基石夕烧 '甲基二 乙氧基矽烷、甲基甲氧基丙氧基矽烷、曱基甲氧基苯氧基 石夕烧、乙基二丙氧基石夕烧、乙基甲氧基丙氧基石夕烧、乙基 二苯氧基矽烷、丙基二甲氧基矽烷、丙基甲氧基乙氧基石夕 I2I778.doc 21 200819919 烷、丙基乙氧基丙氧基矽烷、丙基二乙氧基矽烷、丙基 苯氧基石夕烧、丁基二甲氧基石夕烧、丁基甲氧基乙氧基石夕 烷、丁基二乙氧基矽烷、丁基乙氧基丙氧基矽烷、丁基二 丙氧基石夕院、丁基甲基苯氧基石夕燒、二甲基二甲氧基石夕 烧、二甲基甲氧基乙氧基石夕烧、=甲基二乙氧基石夕烧、二 甲基二苯氧基矽烷、二甲基乙氧基丙氧基矽烷、二甲基二 丙氧基矽烷、一乙基一甲氧基矽烷、1乙基甲氧基丙氧基 錢、二乙基二乙氧基料、二乙基乙氧基丙氧基石夕院、 丙基一甲氧基矽烷、二丙基二乙氧基矽烷、二丙基二苯 氧基我、二丁基二甲氧基㈣、二丁基二乙氧基魏、 —丁基二丙氧基矽烷、二丁基甲氧基苯氧基矽烷、甲基乙 基二甲氧基石夕燒、甲基乙基二乙氧基石夕烧、甲基乙基二丙 乳基石夕烧、甲基乙基二苯氧基⑦烧、甲基丙基三甲氧基石夕 烷、曱基丙基二乙氧基矽烷、甲基丁基二甲氧基矽烷、甲 基丁基^一乙氧基砍烧、甲I 丁 ^ 甲基丁基二丙氧基矽烷、甲基乙基 一乙氧基丙氧基石夕烧、乙基丙基二甲氧基石夕烧、乙基丙基甲 虱基乙乳基矽烷、二丙基二甲氧基矽烷、二丙基甲氧基乙 氧基㈣、丙基τ基二甲氧基料、丙基丁基二乙氧基石夕 烷、：丁基甲氧基乙氧基矽烷、二丁基甲氧基丙氧基矽 土乙氧基丙氧基矽烷•甲氧基矽烷、三乙氧基 夕烧-丙乳基石夕燒、三苯氧基石夕烧、二甲氧基單乙氧基 石夕烧：一乙氧基單甲氧基錢、二丙氧基單甲氧基石夕燒、 二丙氧基單乙氧基石々、卜 乳暴秒燒、二苯氧基單甲氧基矽烷、二苯氧 基單乙氧基矽烷、二苯氧基單丙氧基矽烷、甲氧基乙氧基 121778.doc -22· 200819919 丙氧基我、單丙氧基二甲氧基料、單丙氧基二乙氧基 矽焼、單丁氧基二甲氧基石夕院、單苯氧基二乙氧基石夕院、 甲基三甲氧基石夕院 '甲基三乙氧基石夕烧、甲基三丙氧基石夕 烷乙基二甲乳基石夕院、乙基三丙氧基石夕燒、乙基三苯氧 基石夕烧、丙基三甲氧基石夕院、丙基三乙氧基石夕烧、丙基三 ^基錢、τ基三f氧基料、了基三乙氧基㈣'丁 二：：:基石夕烷、丁基三苯氧基矽烷、甲基單甲氧基二乙 ::广乙基單甲氧基二乙氧基石夕烧、丙基單甲氧基二 3基Γ、丁基單甲氧基二乙氧基錢、甲基單甲氧基 一丙乳基矽烷、甲基單甲負其一 美H 土早甲乳基一本乳基石夕燒、乙基單甲氧 土一丙虱基矽烷、乙基單甲氣吴- 本虱基矽烷、丙基單甲 甲ί a烧、丙基單甲氧基二苯氧基石夕燒、丁基單 甲二夕貌、丁基單甲氧基二苯氧基料、甲基 烧、丁\ m基μ '丙基甲氧基乙氧基丙氧基石夕 基單;==基單甲氧基單乙氧基單丁氧基魏、丙 早甲乳基早乙氧基單丁氧基矽烷、 基單丁氧美石夕严 土早甲氣基單乙氧 基錢=丁==氧基我氧基錢、四丙氧 基錢、-曱氧Γ 氧基梦貌、三甲氧基單乙氧 燒、三甲氧美單：;美乙…烧、三乙氧基單甲氧基石夕 T虱暴早丙虱基矽烷、單 ^ :氧基三苯氧基錢、二甲氧基二丙；::广烧、單 早甲氧基矽烷、三甲氧 I基矽烷、三丙氧基 基梦燒…乙氧夷早丁乳基石夕燒、二甲氧基二丁氧 — 早丙氣基石夕炫、二乙氧基二丙氧基石夕 i2I778.doc -23- 200819919 烷、三丁氧基單丙氧基矽烷、二甲氧基單乙氧基單丁氧基 矽烧、二乙氧基單曱氧基單丁氧基矽烷、二乙氧基單丙氧 基單丁氧基石夕烧、二丙氧基單甲氧基單乙氧基石夕燒、二丙 氧基單甲氧基單丁氧基矽烷、二丙氧基單乙氧基單丁氧基 矽烷、二丁氧基單曱氧基單乙氧基矽烷、二丁氧基單乙氧 基單丙氧基矽烷及單曱氧基單乙氧基單丙氧基單丁氧基矽 烷以及其寡聚物。
(b)鹵代石夕烧，包括鼠石夕烧，例如三氣石夕烧、曱基二氯 矽烷、乙基三氯矽烷、苯基三氯矽烷、四氯矽烷、二氯矽 烷、曱基二氯矽烷、二曱基二氯矽烷、氯三乙氧基矽烷、 氯三曱氧基石夕烧、|L曱基三乙氧基石夕&、氯乙基三乙氧基 矽烷、氣苯基三乙氧基矽烷、氯曱基三甲氧基矽烷、氯乙 基二甲氧基矽烷及氯苯基三甲氧基矽烷亦可用作矽烷反應 ^另外可經叉水解及縮合反應之矽烷（例如醯氧基矽 烷或烷基酮肟矽烷)亦可用作矽烷反應劑。 .⑷具有環氧官能基之矽烷，包括2_(3,4_環氧環己基） 乙基·二甲氧基矽烷、2_(3,4_環氧環己基）乙基·三乙氧基矽 、2-(3,4-%氧環己基）乙基_三丙氧基矽烷、2_(3，心環氧 ¥己基）乙基·三苯氧基石夕烧、2·(3,4•環氧環己基）乙基·二 ^氧基甲氧基石夕焼、2·(3,4_環氧環己基）乙基_二甲氧基乙 ，，石夕燒、2.(3,4·環氧環己基）乙基：三氯⑦烧、心環 乳衣己基）乙基_三乙醯氧基錢、（縮水甘油基氧基丙基）_ 二甲氧基石夕燒、(縮水甘油基氧基丙基 、、目7甘油基乳基丙基>三丙氧基石夕烧、(縮水甘油基氧基 121778.doc -24- 200819919 丙基）-三苯氧基㈣、（縮水甘油基氧基丙基）_二乙氧基甲 氧基石夕烧、（縮水甘油基氧基丙基）_二甲氧基乙氧基石夕二、 (縮水甘油基氧基丙基)·三氯矽烷及（縮水甘油基氧基丙 基)〜三乙醯氧基矽烷。 (d\具有發色團官能基之矽烷，包括苯基二甲氧基矽 烷、本基甲氧基乙氧基石夕烧、苯基二乙氧基石夕燒、苯基甲 氧基丙氧基石夕院、苯基甲氧基苯氧基石夕烧、苯基二丙氧基 ^烷"蒽基一甲氧基矽烷、蒽基二乙氧基矽烷、甲基苯基 二甲氧基㈣、甲基苯基二乙氧基錢、甲基苯基二丙氧 基矽烷、甲基苯基二苯氧基矽烷、乙基苯基二甲氧基矽 烷；乙基苯基二乙氧基石夕烧、甲基蒽基二甲氧基石夕烧、乙 基心、基一乙氧基石夕統、丙基葱基二丙氧基石夕院、甲基苯基 乙氧基丙氧基石夕烧、乙基苯基甲氧基乙氧基石夕烧、二苯基 二甲氧基矽烷、二苯基甲氧基乙氧基矽烷、苯基三甲氧基 矽烷、本基二乙氧基矽烷、苯基三丙氧基矽烷、蒽基三甲 ，基石夕烧、蒽基三丙氧基石夕烧、苯基三苯氧基石夕院、苯基 单:氧基二乙氧基石夕燒、葱基單甲氧基二乙氧基石夕院、苯 基早甲乳基二丙氧基傾、苯基單甲氧基二苯氧基石夕院、 ’‘基：曱巩基—丙氧基矽烷、蒽基單甲氧基二苯氧基矽 烧、本基甲氧基乙氧基丙氧基石夕烧、蒽基甲氧基乙氧基丙 氧基矽烷、苯基單甲毫A话，=# 乳基早乙氧基早丁氧基矽烷及蒽基單 甲氧基單乙氧基單丁氧基矽烷及其寡聚物。 該等化合物中之較佳者係三乙氧基石夕院、四乙氧基石夕 烷、甲基三乙氧基矽烷、二甲基二乙氧基矽烷、四甲氧基 121778.doc *25- 200819919 矽烷、甲基二甲氧基矽燒、二 一T虱基矽烷、二甲基二 基矽烷、苯基三乙氧基矽 ^甲乳 - r气莫計 7烷本基二甲氧基矽烷、二笨基 美、乙A -甲气“ T虱基矽烷、2-(3,4-環氧環己 乙基·二甲乳基錢，_環氧環己基 基矽烷、（縮水甘油基氧基 年、 * 乳基丙基 > 二甲氧基矽烷、（縮水甘 油基氧基丙基）-二乙氧基夕燒 ^ 7 . A 4 7烷本基三甲氧基矽烷、苯基 一乙虱基矽烷及苯基三氧 ^ , 虱&矽垸。在另一實施例中，該
ί較佳單體係三乙氧基料、四乙氧基料、甲基三乙氧 基石浅m基钱、甲基三甲氧基料、三甲氧基石夕 烧、苯基二乙氧基矽烷、苯美 本暴一曱虱基矽烷、二苯基二乙
氧基矽烷以及二苯基二甲备A 一 一甲氧基矽烷、2-(354·環氧環己基） 乙基-三甲氧基錢、2_(3,4_環氧環己基)乙基_三乙氧基石夕 烷0 X 4穎、、且口物之酸產生劑係能於加熱時產生強酸之熱酸 產^卜本發明中使用之熱酸產生劑（tag)可係任何一種 或夕種在加熱時產生能與環_反應並擴大本發明中該聚合 物之又聯之酸纟’尤佳者係諸如石黃酸等強酸較佳地，該熱 酸產生劑在9(TC以上且更佳在12代以上且甚至更佳在15〇 它以上活化。將該光阻膜加熱足夠長時間以與塗層反應。 熱酸產生劑之實例係例如® 4巾之無金屬之㈣及疏鹽。 TAG之實例係甲苯磺酸硝基苄基酯，例如曱苯磺酸2·硝基 苄基酉曰甲笨石黃酸2,4_二硝基苄基酯、甲苯磺酸2,6-二硝 基苄基自曰、甲苯磺酸4-硝基苄基酯；苯磺酸酯，例如4-氣 苯石只|文2-二氟曱基_6•硝基苄基酯、4_硝基苯磺酸2_三氟曱 121778.doc -26- 200819919 基-6-硝基节基酯；酚類磺酸酯，例如4_甲氧基苯磺酸苯基 酯；有機酸之烷基銨鹽，例如10-樟腦磺酸之三乙基銨 鹽。填鏽鹽較佳且可由以下例示：氟磺酸碘鑌，參（氟磺 醯基）甲基化碘鏽、雙（氟磺醯基）甲基化碘鑌、雙（氟磺醯 基）亞I*峨鎘、四級銨氟磺酸填鐫、四級銨參（氟續醯基） 曱基化碘鑌及四級銨雙（氟磺醯基）醯亞胺碘鑌。各種芳族 (恩、萘或苯衍生物）磺酸胺鹽皆可用作tag，其包括美國 馨 專利第3,474,〇54號、第4,200,729號、第4,25M65號及第 5,1 8 7，019说中所揭不之彼專。較佳地，τ a G在介於17 0_ 2 2 0 C間之溫度下應具有極低揮發性。τ a G之實例係彼等 由King Industries以Nacure及CDX商品名出售者。該等TAG 係 Nacure 5225 及 CDX-2168E，其係由 King industHes， Norwalk，Conn· 06852，USA存於丙二醇甲基醚中以 25-3〇% 活性供應之十二烧基苯磺酸胺鹽。pKa介於約-1至約-16間 之強酸較佳’並且pKa介於約-10至約-16間之強酸更佳。 φ 本發明之抗反射塗層組合物含有1重量％至約丨5重量％之 該矽氧烷聚合物以及較佳4重量％至約1〇重量％之總固體。 該熱酸產生劑可以介於該抗反射塗層總固體的約〇1_約1〇 重量％間、較佳固體的0.3-5重量％且更佳固體的〇.5_2.5重 - 量％納入。 該抗反射塗層組合物之固體組份與可溶解該抗反射塗層 之固體組份之溶劑或溶劑混合物混合。適用於該抗反射塗 層組合物之適宜浴劑包括’舉例而言，乙二醇鱗衍生物， 例如，乙二醇單***、乙二醇單甲醚、丙二醇單曱醚、二 121778.doc -27* 200819919 乙二醇單甲鍵、二乙二醇單***、二丙二 醇一甲鱗、丙二 醇正丙醚或一乙一醇一曱醚；乙二醇驗酷技4· & ’生物’例如， 乙二醇單***乙酸s旨、乙二醇單f醚乙酸_或丙二醇單甲 醚乙酸酯；羧酸酯，例如，乙酸乙酯、Γ酿丁 〇酼正丁酯及乙酸 戊酯；二鹼價酸之羧酸酯，例如，蕈酴-7 & 干敗一乙酯及丙二酸二 乙醋；乙二醇之二缓酸醋’例如，乙二醇二乙酸醋及丙二 醇二乙酸酯；及羥基羧酸酯，例如，乳酸甲酯、乳酸Ζ 酯、乙醇酸乙酯及3-羥基丙酸乙酯；g同酯，例>，丙酮酸 甲酉曰或丙酮S夂乙酉日’烧氧基緣酸醋，例如 ？ J *甲氧暴丙酸 甲酉旨、3-乙氧基丙酸乙@旨、2-經基-2-甲其而缺π f工岙Z甲基丙酸乙酯或乙氧 基丙酸"旨；酮衍生物’例如，甲基乙基_、乙醯丙酮、 環戊酮、環'己酮或2-庚酮；_醚衍生物，例如，二丙酮醇 甲醚」酮醇衍生物’例如’丙酮醇或二丙酉同醇；内酉旨，例 如’丁内醋；醯胺衍生物’例如，二甲基乙醯胺或二甲基 甲醯胺；苯曱醚及其混合物。 土 該新穎組合物可進一步含有光酸產生劑，實例係（但不 限於）鏑鹽、磺酸酯化合物、硝基苄基酯、三嗪等。該等 杈佳光酸產生係羥基醯亞胺之鏽鹽及磺酸酯，尤其係二苯 基碘鏽鹽、三苯基銃蹢、-拧其成办、碰 土％ ^ 一烷基碘鎬鹽、三烷基銃鹽及其 混合物。 抗反射塗層組合物包含該聚合物及本發明之熱酸產生 劑及適宜溶劑或溶劑混合物。可添加其他組份以增強該塗 層之14此’例如單體染料、低級醇、交聯劑、表面平整 劑、黏著促進劑、消泡劑等。 121778.doc -28- 200819919 由於該抗反射膜係塗層於基材之頂部並且進一步經受乾 蝕刻，故可設想該膜具有足夠應的金屬離子水平以及足夠 高的純度，從而不會對半導體裝置之性質產生不良影響。 可使用諸如使聚合物溶液穿過離子交換管柱、過濾及提取 製程等處理來降低金屬離子濃度並減少微粒。
該新穎組合物之吸收參數（k)使用橢偏測量術量測為約 〇·〇5至約1.0,較佳約01至約〇·8。該抗反射塗層之折射率 ⑷亦經優化並且可係U至約20，較佳15至約18。 值可使用橢偏計（例如J· A· woollam WVASE VU_32TM橢偏 4 ) 4异。k及n之最佳範圍之精確值可取決於所有曝光波 長及應用之類型。通常對於193奈米，k之較佳範圍為〇〇5 至〇·75，並且對於248奈米，k之較佳範圍為至。 使用熟習此項技術者習知的技術將抗反射塗層組合物 佈於基材上，例如浸塗、旋塗或喷塗。該抗反射塗層之 厚度為約15奈米至約2〇〇奈米。進一步於熱板或對流爐 加熱該塗層足夠長之時間，以去除任何殘餘溶劑並引發 聯，從而使該抗反射塗層不溶，以防止抗反射塗層間之 雜。較佳溫度範圍係自約卯它至約25〇t。若溫度低於丨 ^，則不能充分去除溶劑或交聯之量不夠，而在高於 =之溫度下，該組合物將變得在化學上不穩定。然後於1 =上層之抗反射塗層之頂部塗佈一光阻膜並加以烘烤以2 質上去除該光阻溶劑。於塗佈步驟後可使用業内習知方〉、 施加邊緣珠粒去除劑，以清潔基材之邊緣。 可於其上形成抗反射塗層之基材可係半導體工業中通$ I2I778.doc -29- 200819919 使用的彼等中的任一種。 你右μ 一 基材包括（但不限於）石夕 二=屬表面之發基材、經銅塗佈之發晶圓、銅、 合物树脂、二氧切、金屬、經換雜之二氧化石夕、氮化 、陶究、銘/銅混合物、砰化鎵及其他此 :化合物。該基#可包含任-數*的自上述材料製 光阻劑可係半㈣工業中所用類型中的任 阻劑及抗反射塗#中的伞、车U 2 Λ 1 一 /貝九 曝光波長。S 物吸㈣於成像製程之 二二：數種主要的深紫外㈣曝光技術已在小型化方 面者的進展’以及該等248奈米、193奈米、157及 二：米之韓射。248奈米之光阻劑通常-直係基於經取 二r基苯乙烯及其共聚物/鑌鹽，例如閣 利弟切W及美國專利第5,350,66()號中之彼等。^ 方面K於200奈米曝光之光阻劑需要非芳族聚合物，乃 ΓΓΓ:合物在此波長處不透明。美國專利第號 南A利弟6,866,984號揭示用於〗93奈米曝光之光阻 二々吊含有月日環族烴之聚合物用於在200奈米以下曝 光之光阻劑。脂環族烴之所以納人該聚合物中係有許多^ 因’主要原因係其具有相對萬夕与a ，，丨祕廿 八百相對同之石厌.虱比，此可提高抗蝕 义处、亦於低波長下提供透明性並且其具有相對高之玻 =轉化溫度。美國專利第5,843，似號提供用於光阻劑之 承:物’被等藉由馬來酸野與不飽和環狀單體之自由基聚 合獲仔。可使用任一已知類型的193奈米光阻劑，例如闡 J21778.doc -30- 200819919 述於以引用方式倂入本文中的美國專利第6,447,980號及美 國專利第6,723,488號中的彼等。 已知兩類主要的在157奈米下敏感並且基於具有側氟醇 基之氟化聚合物的光阻劑在彼波長下透明。一類157奈米 氟醇光阻劑係衍生自含諸如氟化降冰片烯等基團之聚合 物並且使用金屬催化的或自由基聚合均聚合或與其他透 明單體例如四氟乙烯共聚合（美國專利第6,79〇,587號及美
國專利經6,849,377號）。通常，該等材料給出更高吸收 性’但卻具有高抗#靠，此乃因其具有高脂環含量。最 近，闡述-類157奈米狀醇聚合物，纟中該聚合物主鍵係 衍生自不對稱二烯例如^3,3_五氟_4•三氟甲基冰經基-1，6_庚二烯之環聚合（Sh.ichi &
Resist Technology and Pr〇cessing χιχ，pr〇ceedings ^ she撕卷，76頁2002 ;美國專利第6,818,25叫或氣二 浠與稀烴之共聚合（w〇 _834·αι)。該等材料給出在 157奈米下之可接受吸收性’但由於其脂環含量與氣_降冰 片烯聚合物相比要低，故其具有較低抗電装蝕刻性。該等 兩類聚合物通常摻混在一起以在該第一類聚合物之高抗餘 刻性與以二類聚合物之157奈米處高透明性間之平衡。 吸收13·5奈米之超紫外輻射(謂)之光阻劑亦有用並且在 業内為人習知。 於該塗佈製程後，使該光阻劑逐步成像地曝光。曝光， 置實施。然後於水性顯影劑中顯影該㈣ 先先阻劑’以去除未經處歡光阻劑。__佳為Μ 121778.doc -31 · 200819919 (例如）氫氧化四甲敍之驗性水溶液。該顯影劑可進_步勺 含表面活性劑。於顯影前及曝光後可於/匕 選加熱步驟。 …倂入—可
塗佈方法及成像光阻劑為熟f此項技術者熟知並且可經 優化用於所用的具體抗#劑類型。然、後可於適宜餘刻室中 使用餘刻氣體或氣體混合物乾餘刻該經圖案化基材，以去 除該抗反射膜之經曝光部分’剩餘之光阻劑起_遮=作 用。業内已知多種用於㈣有機抗反射塗層之餘刻氣體， 例如包含cf4、cf4/〇2、CF4/CHF3或Ci2/〇2的彼等。 比出於本發明之各種㈣，上文提及之各文獻其整體内容 皆以引用的方式倂人本文中。下述具體實例將詳細闊述製 備及使用本發明組合物之方法。然而，該等實例並非意欲 以任何方式限制或約束本發明之範疇，且不應將其理解為 其係用於提供實踐本發明必須且僅能使用之條件、參數或 數值。 實例 以下貫例中抗反射塗層之折射率（n)及吸收率（k)值於J A· Woollam VASE32橢偏計上量測。 δ亥專聚合物之分子量於凝膠滲透層析儀上量測。 實例 實例1. 向裝配有磁力攪拌器、溫度計及冷凝器之三頸5〇〇毫升 圓底燒瓶中加入136.1克2-(3,4-環氧環己基）乙基-三曱氧基 石夕烧（552毫莫耳）、68·〇克苯基三曱氧基矽烷（343毫莫耳） 121778.doc -32- 200819919 及136·0克甲基二曱氧基錢莫耳）。向該燒瓶中添加 克去離子水(DI)水、18 〇克乙酸及127克異丙醇之混合 物。加熱該混合物至问冷 主口机並在该溫度下保持3小時。然 後’使彡亥混合物冷jgp $令、w P至至 >見。於減壓下去除溶劑，得到 • 258.7克無色液體聚合物。使用聚苯乙烯作為參考，藉由 «渗透層析測定重量平均分子量為約？，克/莫耳。 實例2. • 向裝配有磁力攪拌器、溫度計及冷凝器之三頸250毫升 圓底燒瓶中加入35.00克2_(3,4_環氧環己基）乙基_三甲氧基 矽烧（142毫莫耳）、8.50克苯基三甲氧基石夕烧（43毫莫耳）及 4.50克甲基三甲氧基# (33毫莫耳）。向該燒瓶中添加 5.90克DI水、2.00克乙酸及18克異丙醇之混合物。加熱該 混合物至回流並在該溫度下保持3小時。然後’使該混合 物冷卻至室溫。於減壓下去除溶劑，得到41〇克無色液體 聚合物。使用聚苯乙烯作為參考’藉由凝膠滲透層析測定 馨 重量平均分子量為約9,570克/莫耳。 實例3. ; 向裝配有磁力攪拌器、溫度計及冷凝器之三頸2 $ 〇毫升 圓底燒瓶中加入18.40克2-(3,4-環氧環己基）乙基_三曱氧基 矽烷（75毫莫耳）、15.00克苯基三甲氧基矽烷（76毫莫耳）及 46·40克四乙氧基矽烧（223毫莫耳）。向該燒瓶中添加21〇〇 克DI水、4.00克乙酸及82克丙二醇單曱醚乙酸_之混合 物。加熱該混合物至回流並在該溫度下保持3小時。然 後’使該混合物冷卻至室溫。在減低的壓力下去除揮發性 121778.doc -33- 200819919 組份。使用聚苯乙烯作為泉者，益丄b ^ 稭由滅膠滲透層析測定重 量平均分子量為約6,900克/莫耳。 實例4.
物冷卻至室溫。於減壓下去除溶劑 體聚合物。使用聚苯乙烯作為參考， 定重量平均分子量為約4,490克/莫耳 實例5人 向裝配有磁力搜拌器、溫度計及冷凝器之三頸25〇毫升 圓底燒瓶中加入35.0克2_(3,4•環氧環己基）乙基_三甲氧基 石夕烧(142毫莫耳)、8.5克苯基三甲氧基石夕烷(43毫莫耳)及 4.5克三乙氧基卿7毫莫耳）。向該燒瓶中添加5 9克去 離子水（DI)水、2.〇克乙酸及17克異丙醇之混合物。加熱該 混合物至回流並在該溫度下保持3小時。然後，使該混合 得到41·98克無色液 藉由凝膝滲透層析測 向裝配有磁力攪拌器、溫度及冷凝器之三頸100毫升圓 底燒瓶中加入7.56克（3-縮水甘油基氧基丙基）三甲氧基石夕 院(32毫莫耳）&L89克三甲氧基（2_苯基乙基）石夕烧㈣莫 耳）。向該燒瓶中添加1.09克去離子水（DI)水、〇 25克乙酸 及2·50克異丙醇之混合物。加熱該混合物至回流並在該溫 度下保持5小時。然後，使該混合物冷卻至室S。於減壓 下去除溶劑，得到4·21克無色液體聚合物。 實例6a. 九氟丁磺酸N-苯基二乙醇銨之合成 將3.021克胺溶於15毫升（^2(：12中。在冷卻下將此溶液 添加至由溶於10毫升水中之5〇〇克全氣丁烷磺酸組成之溶 121778.doc -34- 200819919 液中。於在室溫下過夜檀拌[於旋轉蒸發器上去除反應 混合物中之溶劑，並於高真空下過夜乾燦以去除水。以: 方式回收了^克略微黃色的油^:^厘尺譜阳丨及以”與期望之 組份—致’離子層析給出唯一的具有4 44分鐘保持時間的 離子性化合物。此物質之差示掃描熱量分析儀（Dsc)分解 溫度為185°C。 實例6b. N，N-二乙基3-銨苯酴九氟丁磺酸酯之合成 將2.753克胺溶於15毫升CH2C12中。在冷卻下將此溶液 添加至由溶於10毫升水中之5·00克全氟丁烷磺酸組成之溶 液中。於在室溫下過夜攪拌後，於旋轉蒸發器上去除反應 混合物中之溶劑，並於高真空下過夜乾燥以去除水。以此 方式回收4.3克發黑的油。NMR譜（Η1及C13)與期望之組份 一致，離子層析給出唯一的具有4.8分鐘保持時間的離子 性化合物。此物質之DSC分解溫度為153.5。(：。 實例7. 將200克於實例1中製備之環氧矽氧烷聚合物及7 〇克全 氟-1 - 丁烧石黃酸二本基埃錢溶於丙二醇單甲基醚乙酸酉旨 (PGMEA)與丙二醇單甲基_ (PGME)之混合物（70/30 PGMEA/PGME)中以達成6.3重量％之總固體並過滤。將此 均質溶液以1200 rpm旋塗於矽晶圓上。於250°c熱板上供 烤該經塗佈晶圓9 0秒’膜厚度係。然後，使用由j. a Woollam公司製造之VA S E摘偏計量測]q及k值。該含秒膜對 於193奈米輻射之光學常數η及k分別為1.668及0.180。 121778.doc -35- 200819919 實例8. 將2.0克於實例2中製備之環氧矽氧烷聚合物及0.04克全 氟-1- 丁烷磺酸二苯基碘鏽溶於丙二醇單曱基醚乙酸酯 (PGMEA)與丙二醇單甲基醚（PGME)之混合物（70/30 PGMEA/PGME)中以達成6.2重量％之總固體並過濾。將此 均質溶液以1200 rpm旋塗於矽晶圓上。於225 °C熱板上烘 烤該塗佈晶圓90秒。然後，使用由J. A· Woollam公司製造 之VASE橢偏計量測η及k值。該含矽膜對於193奈米輻射之 光學常數η及k分別為1.728及0·209。 實例9. 將4.90克於實例2中製備之環氧矽氧烷聚合物及0.10克來 自實例6a之九氟丁磺酸Ν-苯基二乙醇銨溶於丙二醇單甲基 醚乙酸酯（PGMEA)與丙二醇單曱基醚（PGME)之混合物 (70/3 0 PGMEA/PGME)中以達成5.0重量％之總固體。將此 均質溶液以1200 rpm旋塗於矽晶圓上。於250°C熱板上烘 烤該塗佈晶圓90秒。然後，使用由J. A. Woollam公司製造 之VASE橢偏計量測η及k值。該含矽膜對於193奈米輻f射之 光學常數η及k分別為1.721及0.15 5。 實例10· 將2.0克於實例2中製備之環氧聚合物及0.04克全氟-1-丁 烷磺酸二苯基碘鏽溶於丙二醇單曱基醚乙酸酯（PGMEA)與 丙二醇單甲基醚（PGME)之混合物（70/3 0 PGMEA/PGME)中 以達成6.2重量％之總固體並過濾。將此均質溶液以1200 rpm旋塗於矽晶圓上。於225°C熱板上烘烤該經塗佈晶圓90 121778.doc -36- 200819919 秒，得到100奈米之膜厚度。然後旋塗一層AZ® AX2120光 阻劑（得自 AZ® Electronic Materials，70 Meister Avenue， Somerville，NJ)並於100°C下烘烤6〇秒，於該經固化抗反射 層上得到190奈米膜。用Nikon 306D於193奈米下曝光該光 阻劑並於八2@ 3 00]\4卩顯影劑中於23°(：下顯影30秒。在22.5 mJ/cm2曝光能量下使用AZ® AX2120光阻劑之微影評價顯 示較佳並且潔淨的80奈米（1:1)線/空間圖案。 實例11 · 於表I中之條件下蝕刻一塗佈有實例i 〇中之組合物之基 材及另一塗佈有光阻劑AZ1120P(得自AZ Electronic Materials)之基材。蝕刻結果概述於表。本發明含矽底 部抗反射塗層之蝕刻速率顯著低於該光阻劑。
表I
表II
121778.doc *37- 200819919 【圖式簡單說明】 圖1圖解說明結合至該矽單元之脂環族環氧化物實例。 圖2顯示尨合至该矽單元之脂肪族環氧化物實例。 圖3顯示具有發色團及環氧化物之矽單元實例。 • 圖4給出未經取代或經取代全氟烷烴磺酸二芳基碘鐫之 實例。 回、S出未、、二取代或經取代參（全氟烧烴磺醯基）甲基化 ^ 一务基峨鑌之實例。 圖6、、σ出未經取代或經取代雙（全氟烷烴）磺醯基醯亞胺 二芳基礎鐫之實例。 圖7給出氟磺酸四級銨之實例。 圖8、’。出雙（全氟烷烴）磺醯基醯亞胺四級銨之實例。 圖9給出參（全氟烧烴續醯基）甲基化四級兹之實例。 121778.doc -38 -

Claims (1)

  1. 200819919 十、申請專利範圍： 其包含酸產生劑 包含至少一吸收 施基， -種用於光阻劑之抗反射塗層組合物， 及矽氧烷聚合物，纟中該矽氧烷聚合物 性發色團及至少-結構⑴之可自交聯官
    L 其中m為〇或i，w及獨立為 物之矽的連減園曰Tr 將％醚連接至聚合 ”連接基團’且L係選自氫、 合以包含將環醚連接至聚合物之功& ^ 2如& $ 5 , 之矽的脂環族連接基團。 .女％求項1之抗反射塗層組合物 重量％。 ，、甲石夕3 ϊ係大於15 其中該可自交聯官能 其中該發色團係選自 3·如請求項1之抗反射塗層組合物 基係選自環氧化物及環氧丙烷。 4·如請求項1之抗反射塗層組合物 去妳说η、 ，、，从災巴图你選目 未‘取代之芳族部分、經取代 ^ ^ . 方無邛为、未經取代之 雜方無邛分及經取代之雜芳族部分。 5·如請求項丨之抗反射塗層組合物， 經取代或未經取代之苯基、未經取：：：色團係選自 未經取代之菲基、經取代或未經取代或 外人仏 、工取代之萘基、基於颯之 化口物、基於二苯甲酮之化 勿、經取代或未經取代之 5有、自氧、氮、硫之雜原子的 物 』維J衣方無％;及其混合 121778.doc 200819919 6.如請求項丨之抗反射塗層組合物，其中該矽氧烷聚合物 至少包含以下結構之單元⑴及/或（ii)， -(VSiOw)-及-(R2si〇3/2)-⑴， -(R，(R")Si〇x)_ (ϋ)5 其中R1獨立為包含結構（1)之自交聯基團之部分，R2獨立 為包含發色團基團之部分，R，及R，，獨立選自Rl&R2，並 且 X=1/2 或 1。 7 ·如请求項6之抗反射塗層組合物，其中該聚合物進一步 包含一或多個選自以下單元之單元， -(R3Si03/2)- (v)，其中r3獨立為羥基、氫、鹵化物 (例如氟化物及氯化物）、烷基、OR、〇C(〇)r、燒基酮 將、方基、烧基方基、烧氧基、酿基及酿氧基，並且R 係選自烷基、未經取代之芳基及經取代之芳基， -(Si〇4/2)· (Vi)， -((A^A^iOx) (vii)，其中 x=l/2 或 1，A1 及 A2獨立為 經基、氫、鹵化物（例如氟化物及氯化物）、烧基、〇R、 0C(0)R、烧基酮蔣、芳基、烧氧基、烧基芳基、醯基及 酿氧基；及該等單元之混合物。 8 ·如請求項1之抗反射塗層組合物，其中該矽氧烷聚合物 至少包含以下結構之單元（iii)及（iv)， .(A^^iOx)- (iii)，及 -(A2R2SiOx)- (iv)， 其中，R1獨立為包含結構（1)之自交聯基團之部分，R2獨 立為包含發色團基團之部分，X =1/2或1，A〗及A2獨立為 121778.doc 200819919 羥基、R1、R2、鹵化物（例如氟化物及氯化物）、烷基、 OR、0C(0)R、烷基酮肟、未經取代之芳基及經取代之 芳基、烷基芳基、烷氧基、醯基及醯氧基，並且R係選 自烷基、未經取代之芳基及經取代之芳基。 9 ·如請求項1之抗反射塗層組合物，其中該;ε夕氧燒聚人物 包含至少一結構（V)之單元， β (R5Si〇3/2) (V)， _ 其中R為包含結構（1)之自父聯基團及吸收性發色團之部 分。 10 ·如請求項1之抗反射塗層組合物，其中該聚合物包含以 下結構， (R1Si〇3/2)a(R2Si〇3/2)b(R3Si〇3/2)〇(Si〇4/2)d 其中，R1獨立為包含結構（1)之自交聯基團之部分，R2獨 立為包含發色團基團之部分，R3獨立為Η、 基、未經取代之芳基及經取代之芳基， φ 〇<a<l; 0<b<l， 0<c<l; 0<d<l 。 11 ·如請求項1之抗反射塗層組合物，其中該自交聯基團為 脂環族環氧化物。 12.如請求項1之抗反射塗層組合物，其中該酸為熱酸產生 * 劑。 13 ·如睛求項1之抗反射塗層組合物，其中該酸係選自破鑌 (iodonium)鹽、疏鹽及銨鹽。 14 ·如睛求項1之抗反射塗層組合物，其進一步包含溶劑。 1 5 .如睛求項1之抗反射塗層組合物，其不含交聯劑及/或染 121778.doc 200819919 料。 16. ，其包括以下步驟， 之抗反射塗層組合物形成一 一種用於光阻劑成像之方法 a)於基材上自如請求項】 抗反射塗層； b)於該抗反射塗層上形成一光阻劑塗層，· 0用曝光裝置逐步成像地曝光該光阻劑；及 句用水性驗顯影劑來顯影該塗層。
    1 7·如明求項16之方法，其中用於逐步 ώ 风像曝先之輻射係選 自*米、193奈米、157奈米及13·5奈米。 18·如請求項16之方法，其中該顯影劑係氫氧化四甲錄之水 溶液。 19. 一種矽氧烷聚合物， 收性發色團及至少一 其中該矽氧烷聚合物包含至少一吸 結構（1)之自交聯官能基， —w—w—<^h2] m L. Ο) 其中m為〇或丨’貿及贾，獨立為價鍵或將環醚連接至聚合 物之矽的連接基團，且L係選自氫、w,及w，或1與W，結 合以包含將環醚連接至聚合物之石夕的脂環族連接基團。 瓜如請求項19之聚合物，其中該聚合物至少包含以下結構 之單元⑴及/或（ii)， _(RlSl〇3/2l· 及-(R2Si03/2> ⑴， _(R，(R")Si〇x)- (ii)， 121778.doc 200819919 其中Rl獨立為包含結構⑴之自交聯基目之部分，R2獨立 為isl色團基團之部分，R，及R"獨立選自及R2， 且 X=1/2 或 1。 、A 1· 士明求項19之聚合物，其中該石夕氧烧聚合物至少包含以 下結構之單元（iii)及（iv)， -(AWsiOxy (iii)，及 _(A2R2Si〇x)_ (iv)， 隹 其中，尺】獨立為包含結構（1)之自交聯基團之部分，Μ獨 立為包含發色團基團之部分，乂=1/2或1，^及八2獨立為 羥基、R1、R2、鹵化物（例如氟化物及氯化物）、烷基、 OR、〇C(〇)r、烷基酮肟、未經取代之芳基及經取代之 芳基、烷基芳基、烷氧基、醯基及醯氧基，並且R係選 ***基、未經取代之芳基及經取代之芳基。 22.如請求項19之聚合物，其中該矽氧烷聚合物包含至少一 結構（viii)之單元， 鲁 (R Si〇3/2) (viii) 5 其中R5為包含結構（1)之自交聯基團及吸收性發色團之部 分。 121778.doc
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7704670B2 (en) 2006-06-22 2010-04-27 Az Electronic Materials Usa Corp. High silicon-content thin film thermosets
JP4721978B2 (ja) * 2006-08-01 2011-07-13 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
JP4718390B2 (ja) * 2006-08-01 2011-07-06 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料並びにそれを用いたレジスト下層膜基板およびパターン形成方法
US7416834B2 (en) * 2006-09-27 2008-08-26 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating compositions
US7666575B2 (en) * 2006-10-18 2010-02-23 Az Electronic Materials Usa Corp Antireflective coating compositions
US8026040B2 (en) 2007-02-20 2011-09-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Silicone coating composition
WO2008104881A1 (en) * 2007-02-27 2008-09-04 Az Electronic Materials Usa Corp. Silicon-based antifrelective coating compositions
US20090035704A1 (en) * 2007-08-03 2009-02-05 Hong Zhuang Underlayer Coating Composition Based on a Crosslinkable Polymer
WO2009044960A1 (en) * 2007-10-02 2009-04-09 Cheil Industries Inc. Gap-filling composition with excellent shelf life by end-capping
US8039201B2 (en) * 2007-11-21 2011-10-18 Az Electronic Materials Usa Corp. Antireflective coating composition and process thereof
JP5587791B2 (ja) 2008-01-08 2014-09-10 東レ・ダウコーニング株式会社 シルセスキオキサン樹脂
EP2238198A4 (en) * 2008-01-15 2011-11-16 Dow Corning RESINS BASED ON SILSESQUIOXANE
JP5581225B2 (ja) * 2008-03-04 2014-08-27 ダウ・コーニング・コーポレイション シルセスキオキサン樹脂
US8241707B2 (en) * 2008-03-05 2012-08-14 Dow Corning Corporation Silsesquioxane resins
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
US20090253081A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 David Abdallah Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step
US20090274974A1 (en) * 2008-04-30 2009-11-05 David Abdallah Spin-on graded k silicon antireflective coating
US20100040838A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Abdallah David J Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image
EP2373722A4 (en) 2008-12-10 2013-01-23 Dow Corning SILSESQUIOXAN RESINS
EP2376584B1 (en) * 2008-12-10 2014-07-16 Dow Corning Corporation Wet-etchable antireflective coatings
US8084186B2 (en) * 2009-02-10 2011-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane
US20100291475A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Chenghong Li Silicone Coating Compositions
US9366964B2 (en) 2011-09-21 2016-06-14 Dow Global Technologies Llc Compositions and antireflective coatings for photolithography
TWI443465B (zh) * 2012-04-23 2014-07-01 Chi Mei Corp 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜及具有保護膜的元件
KR101908163B1 (ko) * 2014-12-03 2018-10-16 삼성에스디아이 주식회사 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치
KR101835866B1 (ko) * 2014-12-17 2018-03-08 삼성에스디아이 주식회사 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치
KR101835867B1 (ko) 2014-12-23 2018-03-08 삼성에스디아이 주식회사 윈도우 필름용 조성물, 이로부터 형성된 플렉시블 윈도우 필름 및 이를 포함하는 플렉시블 디스플레이 장치
US20200105522A1 (en) * 2018-09-27 2020-04-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photoresist composition and method of forming photoresist pattern
US20200133126A1 (en) * 2018-10-31 2020-04-30 Rohm And Haas Electronic Materials Korea Ltd. Coating composition for forming resist underlayer film for euv lithography process
KR20200114438A (ko) 2019-03-28 2020-10-07 삼성전자주식회사 반사방지막 형성용 폴리머 및 조성물과 반사방지막을 이용하는 집적회로 소자의 제조 방법
CN116589921A (zh) * 2023-05-12 2023-08-15 宁波杭州湾新材料研究院 一种富硅抗反射涂层树脂材料及其制备方法

Family Cites Families (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2702013A (en) * 1951-04-20 1955-02-15 Atteberry Clark Burner for incinerating cotton gin waste
US3318844A (en) * 1963-12-23 1967-05-09 Gen Electric Organopolysiloxanes
US3474054A (en) * 1966-09-13 1969-10-21 Permalac Corp The Surface coating compositions containing pyridine salts or aromatic sulfonic acids
US3741932A (en) * 1972-04-10 1973-06-26 Minnesota Mining & Mfg Curable epoxy organopolysiloxanes having pendant chromophoric groups
US4251665A (en) * 1978-05-22 1981-02-17 King Industries, Inc. Aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4200729A (en) * 1978-05-22 1980-04-29 King Industries, Inc Curing amino resins with aromatic sulfonic acid oxa-azacyclopentane adducts
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
US5270116A (en) * 1986-07-10 1993-12-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process for fluorimetric monitoring of functional coatings and compositions and fluorescent agents therefor
US5115095A (en) * 1989-10-10 1992-05-19 International Business Machines Corporation Epoxy functional organosilicon polymer
DE69125634T2 (de) * 1990-01-30 1998-01-02 Wako Pure Chem Ind Ltd Chemisch verstärktes Photolack-Material
US5457003A (en) * 1990-07-06 1995-10-10 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Negative working resist material, method for the production of the same and process of forming resist patterns using the same
JP2751622B2 (ja) * 1990-10-31 1998-05-18 信越化学工業株式会社 オルガノポリシロキサン及びその製造方法
US5187019A (en) * 1991-09-06 1993-02-16 King Industries, Inc. Latent catalysts
US5300608A (en) * 1992-03-31 1994-04-05 Loctite Corporation Process for preparing alkoxy-terminated organosiloxane fluids using organo-lithium reagents
US5843624A (en) * 1996-03-08 1998-12-01 Lucent Technologies Inc. Energy-sensitive resist material and a process for device fabrication using an energy-sensitive resist material
US6808859B1 (en) * 1996-12-31 2004-10-26 Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. ArF photoresist copolymers
US6069259A (en) * 1998-02-06 2000-05-30 Rensselaer Polytechnic Institute Multifunctional polymerizible alkoxy siloxane oligomers
US6391999B1 (en) * 1998-02-06 2002-05-21 Rensselaer Polytechnic Institute Epoxy alkoxy siloxane oligomers
US6849377B2 (en) * 1998-09-23 2005-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoresists, polymers and processes for microlithography
JP4096138B2 (ja) * 1999-04-12 2008-06-04 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜用組成物の製造方法
US6790587B1 (en) * 1999-05-04 2004-09-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Fluorinated polymers, photoresists and processes for microlithography
WO2000077575A1 (en) * 1999-06-10 2000-12-21 Alliedsignal Inc. Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography
US6890448B2 (en) * 1999-06-11 2005-05-10 Shipley Company, L.L.C. Antireflective hard mask compositions
JP3795333B2 (ja) * 2000-03-30 2006-07-12 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物
WO2001098834A1 (fr) * 2000-06-21 2001-12-27 Asahi Glass Company, Limited Composition de reserve
US6420088B1 (en) * 2000-06-23 2002-07-16 International Business Machines Corporation Antireflective silicon-containing compositions as hardmask layer
US6447980B1 (en) * 2000-07-19 2002-09-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Photoresist composition for deep UV and process thereof
CN1221861C (zh) * 2001-02-09 2005-10-05 旭硝子株式会社 光致抗蚀剂组合物
US6723488B2 (en) * 2001-11-07 2004-04-20 Clariant Finance (Bvi) Ltd Photoresist composition for deep UV radiation containing an additive
WO2003044600A1 (en) * 2001-11-15 2003-05-30 Honeywell International Inc. Spin-on anti-reflective coatings for photolithography
US6730454B2 (en) * 2002-04-16 2004-05-04 International Business Machines Corporation Antireflective SiO-containing compositions for hardmask layer
US20040076465A1 (en) * 2002-07-11 2004-04-22 Hellermann Tyton Corporation Stud weldable mount and method
JP4369203B2 (ja) * 2003-03-24 2009-11-18 信越化学工業株式会社 反射防止膜材料、反射防止膜を有する基板及びパターン形成方法
KR100882409B1 (ko) * 2003-06-03 2009-02-05 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 반사 방지용 실리콘 수지, 반사 방지막 재료, 이것을 이용한 반사 방지막 및 패턴 형성 방법
US7202013B2 (en) * 2003-06-03 2007-04-10 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Antireflective film material, and antireflective film and pattern formation method using the same
US7223517B2 (en) * 2003-08-05 2007-05-29 International Business Machines Corporation Lithographic antireflective hardmask compositions and uses thereof
US7115532B2 (en) * 2003-09-05 2006-10-03 Micron Technolgoy, Inc. Methods of forming patterned photoresist layers over semiconductor substrates
US20050118541A1 (en) * 2003-11-28 2005-06-02 Applied Materials, Inc. Maintenance of photoresist adhesion and activity on the surface of dielectric ARCS for 90 nm feature sizes
JP4491283B2 (ja) * 2004-06-10 2010-06-30 信越化学工業株式会社 反射防止膜形成用組成物を用いたパターン形成方法
JP4602842B2 (ja) * 2005-06-07 2010-12-22 東京応化工業株式会社 反射防止膜形成用組成物、それを用いた反射防止膜
EP1762895B1 (en) * 2005-08-29 2016-02-24 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Antireflective Hard Mask Compositions
JP4597844B2 (ja) * 2005-11-21 2010-12-15 信越化学工業株式会社 フォトレジスト膜のリワーク方法
DE602007000498D1 (de) * 2006-04-11 2009-03-12 Shinetsu Chemical Co Siliziumhaltige, folienbildende Zusammensetzung, siliziumhaltige Folie, siliziumhaltiges, folientragendes Substrat und Strukturierungsverfahren
US7855043B2 (en) * 2006-06-16 2010-12-21 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Silicon-containing film-forming composition, silicon-containing film, silicon-containing film-bearing substrate, and patterning method

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