TW200816319A - Apparatus and method for processing a substrate - Google Patents

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200816319 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於在利用燈進行加熱的狀況下，施行基板處 -理的基板處理裝置及基板處理方法。 • 【先前技術】 近年’隨構成半導體裝置的元件圖案細微化，便必需在 不致降低產能的情況下，均勻且安定地形成薄閘絕緣膜與 淺雜質擴散區域等。因而，在半導體裝置的製造步驟中， (便有使用依單片式執行短時間熱處理的RTP(rapid thermal process)式基板處理裝置。此種基板處理裝置已 有開發出在利用基板加熱用燈所放射出能量，對半導體基 板進行加熱之狀態下，施行基板處理的燈式RTp裝置，並 已一般普及化。 牡圖5所示係上述燈式RTp裝置1〇〇(以下稱「基板處理 策置100」）的剖視圖。該基板處理裝置1〇〇係在執行基 G板處理的圓筒狀處理室3上端隔著視窗組件（wind〇w assembly)4，設置著配設有複數鹵鎢燈的燈單元2。 在處理室3側壁連通供將製程氣體（pr〇cess gas)導入 於處理室3内的氣體導入路u，並在氣體導入路^相對 ，位置的側壁上，連通於供將處理室3内的氣體排出用之 氣體導出路12。例如當為能在基板13上形成氧化膜或氮 化膜等特定材料臈’而上升溫度並施行成膜處理的情況， 便從氣體導入路11將符合該材料膜的材料氣體導入。此 外’當對經離子植入而植入雜質之基板13施行活性化退 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 6 200816319 火處理的情況，便從氣體 等非活性氣體。 導入路11導入n2 氣體或Ar氣體 在处里i 3内部於水平面内配置著具有内徑 處理對象的基板13直徑， 工几’、於 支撐環9。支撐學9传二广化彻熱材料構成的 又访％ 9係由從處理室3下面朝斜 的圓筒狀轉筒10所支撐著， 、口 方大出 板13的邊緣部。此外’轉筒1〇係經由可在水平基 ί 旋轉的軸承(未圖示)，支撐於處理室3底Ϊ 便係在使基板13進行旋轉的情況下實施。 係例如開關自如地設置於處 、，， 土板13 板出入口進行搬出/搬入 侧壁，亚從未圖示的基 "在處理室3底面，於轉冑1()内側區域中，朝基板13半 徑方向隔開適當間隔配置，且由光纖探針構成的複數輕射 溫度感測器14 一戚將雨山^ r ,L , 鳊將路出。該光纖探針的另一端將連接 於未圖示的高溫計等溫度測量器，並利用從基板13下面 C/ 射出的光（幸田射熱）’就基板處理中的基板面溫度，從 基板中心部橫跨至外周部進行測量。根據該測量結果，利 f，度控制手段15，依使從基板13中心部起橫跨至外周 P呈μ度均勻狀悲的方式，控制著燈單元2的各燈輸出。 再者，視窗組件4係具有在上石英板6與下石英板7之 ]複數配置光導管5的構造。光導管5係分別對位於燈 單元2的各燈之狀悲，固定於上石英板6與下石英板7之 間。光導官5便將從各個燈所放射出的光，在不致擴散的 f月况下傳送給處理室3。此外，在上石英板6與下石英板 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 7 200816319 7的視窗組件4内部侧’形成將各光導管5間進行連通的 微小溝槽（或凹部）。所以，藉由通過光導管5所連通 的排氣管8進行排氣，便可將所有的光導管5内部進行 、 壓。 . 依照以上的構造，當執行基板處理之際，便可將視窗组 件4的内部壓力減壓至與處理室3内部壓力的同等或以下 的壓力。所以，當在將處理室3内部施行減壓的狀態下施 行基板處理時，便可防止當視窗組件4内的壓力較高於處 理至3内的壓力時，下石英板7被吸入處理室3中而遭受 皮損的清况叙生。另外，當視窗組件4内的壓力較低於處 理室3的情況，因為複數配置的光導管5將支撐著下石英 板7，因而將不會發生石英板7被吸入視窗組件4内而遭 受破損的狀況。 再者，依照以上的構造，便可將處理室3上壁面現實密 封的下石英板7變為非常的薄。結果，便可在抑制通過下 石英板7時的光減衰狀態下，使從燈所照射的光到達基板 13。 使用如上述的裝置構造進行閘氧化膜或保護氧化膜的 形成技術’有如在將氧化性氣體導入於處理室3内的狀態 下’施行燈加熱的 RT0(rapid thermal oxidation)，或 在將氧化性氣體與氫氣導入於處理室3内的狀態下，施行 燈加熱的 ISSG(in situ steam generation)氧化（例如參 照專利文獻1等）。特別係因為ISSG氧化將可形成良質的 閘氧化膜，因而多被採用。 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 8 200816319 ISSG氧化係在將處理室3内保持低壓（例如 的狀怨下，將氧化性氣體與氫氣經由氣體導入路11導入 於處理至3内。在该狀態下，利用燈加熱對基板u施行 加熱。此日t，在基板i 3表面處，氧化性氣體與氯氣將直 •接產生反應，而在基板13表面產生氧自由基與H2〇。因該 等情形便將使基板13表面遭受氧化。 然而，當利用燈加熱而連續施行基板處理時，將發生第 1片處理的基板氧化膜厚、與第2片以後所處理的基板氧 $膜厚不同的問題。此現象係因為對帛i片基板施行處理 時的處理室3内溫度分佈、與對第2片以後的基板施行處 理時的處理室3内溫度分佈呈現不同分佈所引起。其對策 有提案經預先對處理室3内部施行加熱後，才開始施行氧 化處理的手法（例如參照專利文獻2等）。 [專利文獻1]曰本專利特表2001-527279號公報 [專利文獻2]日本專利特開2005-1 751 92號公報 #、【發明内容】

U (發明所欲解決之問題） 藉由採用如上述在開始施行氧化處理前便預先將處理 室内部施行加熱的技術，將可減輕第丨片與第2片以後的 膜厚差異。然而，即便使用該技術的情況，當對例如25 片等較多片數基板13施行連續處理時，第丨片所處理的 基板氧化膜厚、與苐2 5片所處理的基板氧化膜厚僅有些 微差異（例如〇· 2nm程度）。雖僅有少許的膜厚差，但是特 別當形成極薄閘氧化膜的情況，該些微的膜厚差便將使半 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-11/96127253 9 200816319 導體1置的電氣特性出現大幅變動。 就如以上隨基板處理次數的增加，所發生的 !係告：：：見象進仃绊細檢討。結果發現，該現象的原 下r、/田w &下施行燈加熱時，將較在大氣壓（丽〇rr) 下細仃燈加熱時，構成處理室3的構件(特別係下方石英) 將更難散熱。在低壓（直^iJ f卜万石央） y八1 A (真工）下將較在大氣壓下更難發生利 ==刀子的對流產生散熱，形成由透過氣體分子進行的 ' ;U:己。因而，在低壓下將較在大氣壓下的散熱效率 踩：ΪΪ之，處理室3構成構件的散熱效率將降低，隨處 卢的增加而逐漸積存熱的處理室3構成構件，便將使 處理室3内部的環谤、、西# μ | ^ ^ 片數的增加而逐漸增ΓΓ 錢速率將隨處理 :寺別係如圖5所示，具備有視窗組件4的基板處理裝置 100’視窗組件4内部將持續減壓，而將内部壓力維持於 '以下的壓力。戶斤以，經燈單元2加熱的下石英 反表面’將較在大氣墨下更難發生利用氣體分子對流產 ^政熱U，導致熱將積存。此外，在處理室3内部流通 :氧化性氣體的狀態下，依每個基板處理使燈上升達既定 溫度的連續處理中’即便利用經燈加熱過的處理室3内構 成構件（主要為基板13與支撐環9)之輕射熱，在下石英 板7中仍將積存著熱。該熱將使基板13表面的環境溫度 上升，結果亦將導致氧化速率上升。 如圖5所示，習知基板處理裝置1〇〇中，基板13溫度 係根據利用輻射溫度感測器14所測得基板13背面溫度， 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 1〇 200816319 。所以，習知基板處理裝置100將無法對 =執附近所存在的環境溫度進行测 二 q衣兄/亚度控制，亦無法避免因構成處理室 的構件所引發環境溫度上升的情況。 本發明係有鐘於上述習知實情而提案，目的在 =續對魏基㈣行處理時，仍可料基板騎極均^ 地基板處理之基板處理裝置及基板處理方法。 (解決問題之手段） 為解決上述習知問題，本發明將採用以下手段。即， :明的基板處理裝置係具備有内部配置著基板的處理 至。在處理室内配置著基板的相對向位置處，將設置著對 在處理室内所配置基板施行加熱的燈單元。冑理室與燈單 元之間冑D又置有構成處理室的壁面，且使來自燈單元的 =射光穿透過之穿透窗。在穿透窗靠燈單元側，將設有以 穿透窗為壁面的減壓室。減壓室將連接於減壓手段，利用 壓力控制手段對該減壓手段進行控制，便 壓力維持於任意壓力。 依照本構造，便可將減壓室的内部壓力在獨立於處理室 的内部壓力之情況下’維持於任意壓力，將可使穿透窗的 散熱效率變化。所以，將可減輕連續處理中對穿透窗的蓄 熱情形，並可在連續處理的各基板處理中，將各基板表面 的環境溫度形成一定狀態。結果，各基板間便可施行均勻 的基板處理。 再者，上述構造中，減壓室係可採用在上述穿透窗的相 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-11/96127253 11 200816319 對向位置處，設置使來自上述燈單元的放射光穿透過的壁 面’並在該壁面外面設置上述燈單元的構造。或者，減壓 室亦可配置於上述燈單元的内部。另外，當連續施行基板 處理複數次時，上述壓力控制手段最好配合已完成的基板 處理次數’增加上述減壓室的内部壓力。 另一方面，其他的觀點，本發明所提供的較佳基板處理 方法，係通過構成處理室壁面的穿透窗，導入來自在處理 ^至外部所设置燈單元的放射光，連續施行在處理室内所設 〇置基板施行加熱的基板處理複數次。即，本發明的基板處 理方法，首先將設置於穿透窗靠燈單元側，且以上述穿透 窗為壁面的減壓室之内部壓力，形成為配合已完成的基板 處理次數而設定的既定壓力。然後，在該狀態下，對在處 理至内所置基板利用放射光施行加熱，而施行基板處 理。 藉此 ^ 將可減輕在連續處理中對穿透窗的蓄熱情況，於 i連續處理的各基板處理中，可將各基板表面的環境溫度形 成-定。結果，各基板間將可施行均勾的基板處理。 本構造中’基板處理係可在處理室内部呈減壓狀離下實 施。此外，減屢室内部的壓力係可設定為處理室内部㈣ 力以下之壓力。此外’亦可使減壓室的内部壓力 成的基板處理次數而增加。 例如上述基板處理係可為將含有氧化性氣體與氣氣的 =，導入：處理室内，而在基板上形成氧化物的處理。 “況下，處理室内的氧化性氣體分麼與氫氣分遷合叶， 3 UXP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 12 200816319 最好在 ITorr 至 50Tnrr· 0 m rr乾圍内。4寸別佳的情況係上述氧 化性氣體係氧氣，且栋_ 使處理室内部產生水蒸氣與氧自由 基，而施行氧化處理的情況。 (發明效果） 依本發明，因為可將減壓室内部壓力維持於任意壓 1 ’因而將可控制穿透窗的散熱效率。所以，將可減輕連 、貝處理日寸對牙透囪的蓄熱情形，可在連續處理的各基板處 理中’將各基板表面的環境溫度形成—定。結果，各基板 間將可施行均勻的基板處理。 【實施方式】 以下，針對本發明的實施形態，參照圖式進行詳細說 明^以I的實施形態係就利用ISSG氧化而在石夕基板表面 上幵> 成氧化膜的例子，將本發明具體化。 、圖1所不係本發明一實施形態的基板處理裝置構造剖 視圖另外，圖1中，就與圖5所示習知基板處理裝置為 υ相同部位便賦予相同的元件符號，並在下述中省略詳細說 明。 如圖1所不，本實施形態的基板處理裝置1係如同習知 、土板处理衣置1 0 0，在施行基板處理的圓筒狀處理室3 上端，隔著視窗組件4於同一面内設置著配設有複數鹵鎢 燈的燈單元2。 在處理室3側壁將連通著氣體導入路11，並在氣體導 入，11相對向位置的側壁上連通著氣體導出路12。在處 理至3内部於水平面内配置著具有内徑稍微小於處理對 3體/發明說明書(補件)/9Mi/96i27253 ΐ3 200816319 象的基板13直徑，且由碳化石夕等耐熱材料構成的支撐環 9。支樓環^系由圓筒狀轉筒1〇支撐著，並在支撐環9的 内緣4載置著基板13邊緣部。轉筒1()係經由可在水平面 内，行旋轉的轴承(未圖示)，支撐於處理室3底面，而基 板處理便係在使基板13進行旋轉的情況下實施。 在處理室3底面，於鐘铃1Λ #射、、θ β、、，二 、轉同10内側區域中將配置著複數 :13皿车盗14。該等複數輻射溫度感測器14係朝基 。：二開適當間隔配置，且由光纖探針構成。 旦哭、^ f Μ將連接於未圖示的高溫計等溫度測 I:二 =板13下面所放射出的光_)，就 = 度，從基板中心部橫跨至外周部進 仃測1。根據該測量处罢， 你其也由立 、、"果利用、Μ度控制手段15，依使 伙基板中心邛起橫跨至外 制著燈單元2的各燈輸出， 皿度均句狀恶的方式，控 視窗組件4係具有在上$ # 之間，固定箬、*叙 石央板6與下石英板7(穿透窗） ^之門口疋者禝數配置光導管5的構造。光導其卩总八2丨 對位於燈單元2的各燈 ^ h官5係分別 出的井，/而先Vg5便將從各個燈所放射 =板2擴散的情況下傳送給處理室3。此外，在 上石央板6與下石英板7 隹 光導管5間進行連通的微:::且:二内，側，形成將各 作用，利用連接A# θ或凹邛）。藉由該溝槽的 可將所有的先進：r::來下進::氣將： 括各光導管5内部，由上石英板6另卜下述中，將包 件4側壁所包圍的空間 =板7及視窗組 马視由組件4内部（減壓 ^^^wmirnrnmAimwiss 200816319 室）」。 再者’本實施形態的基板處理裝置1係如圖1所示，設 有可將視窗組件4内部壓力維持於任意壓力的壓力控制 手段18。壓力控制手段18係可利用諸如具備有專用運算 包路或處理器、與RAM或ROM等記憶體的硬體，以及儲存 於該記憶體中，並在處理器上產生動作的軟體等實現。 再者，基板處理裝置1係具備有介設於排氣管8中的可 ^變氣導式閥門17，在可變氣導式閥門17與視窗組件4間 的排氣官8中，設置對排氣管8内壓力進行測量的壓力測 量器16。壓力測量器16的輸出將被輸入於壓力控制手段 18中，而壓力控制手段18便根據壓力測量器16的測量 結果，藉由變更可變氣導式閥門17的開口度，而將視窗 組件4内部的壓力調整於如下所詳述的任意壓力。另外， 排氣管8的另一端，當然是連接於未圖示的真空泵。此 外，排氣管8的排氣系統係構成在將處理室3内施行減壓 j的真空糸統之外另設的系統。 單片式裝置’因而本實施形態中， 一致0 ‘圖2所示係具有上述構造的基板處理裝置丨中，連續施 行複數次基板處理時的順序流程圖。另外，如上述，本= 施形態的基板處理裝置丨係屬於將基板13 一片^處理只 ^ /1 /1爽理的 處理次數與處理片數係

内部為 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 15 200816319 同#的壓力（圖2中步驟si)。J： 4 . ^ ；其认，將處理對象的基板 13搬入於處理室3内，並載置於支俨 C9、 , 秋置％叉棕％ 9上（圖2中步驟 。另外’在執行基板13搬出/搬入的基板出入 處，將設有承載處理室，俾可力_ ?田〜π上 处1料在處理t 3處於減壓狀態下 進仃基板13的搬出/搬入。 接著，通過氣體導入瞢彳〗，艘 的制沪^麵省 將3有氧化性氣體與氫氣 =衣㈣心入於處理室3内(圖2中步驟S3)。此時， 处理室3内部將維持於實施基板處理時的既定壓力。本實 施形態中，製程氣體係使用氧氣 、 又⑺孔乱只虱軋的混合氣體，並將 处理室3的内部壓力維持於！T〇rr〜5〇T〇rr程度的壓力。 若處理室3内部的壓力呈安定’便藉由開啟燈單元2的 、登，士而對支撐環9上的基才反13施行加熱（圖2中步驟⑷。 iH13表面將產生氧自由基與H2〇(水蒸氣)。因該 =將使基板13表面遭受氧化。本實施形態中，燈開啟 k間係隨目標氧化膜厚度而異，將設定為1〇秒〜2〇〇秒左

C ^將燈熄滅後’便將處理室3内部湘氬氣等非活性氣 ，施行淨化（卿找）（圖2中步驟S5)，再將已完成處理的 基板13從處理室3中搬出（圖2中步驟⑹。當將已完成 處理的基板U搬出時，料在有下—個處理基板的情 況，便將下一個處理基板搬入於處理室3内， 基板處理（圖2中步驟S7是—步 二、 便將視窗組件4的内部壓力，配合於此時間點已 連績施行處理的次數，增加至既定壓力（圖2中步驟別）。 另外’本實施形態中，壓力控制手段18將記憶著於連續 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 16 200816319 的基板處理中，已實施基板處理次數所對應的視窗組件^ 内部壓力。例如在連續實施的基板處理中，當已實施的基 板處理次數為5次時，壓力控制手段18便將視窗組件土4 的内部壓力設定為已施行處理次數5次所對應的壓力。此 夕^，本實施形態中’壓力控制手@ 18係依照已施行處理 次數的各次數，設定隨基板處理次數的增加，而依一 例上升的壓力。 另:方面，當基板處理完成肖，若未存在有了一個處理 基板時，便完成基板處理（圖2中步驟S7否）。 圖3所示係當施行如丨述的連續基板處理時，各處理中 在^板13上所形成的氧化膜厚與視窗組件4内壓力（壓力 測量器16的輸出值）示意圖。圖3中，橫軸係對應處理片 ，（處理次數）’左縱軸_應在各基板上所形成的氧化膜 ^此外右縱軸係對應各基板處理時的視窗組件4内部 壓力：另外’目3中，將本實施形態的視窗組件4内部壓 力依單點虛線21表示’並將氧化膜厚依實線&表示。此 外，圖3中，將比較例的習知法之視窗組件4内部壓力依 虛線31表示，並將氧化膜厚依點線32表示。 如圖3所不’因為習知基板處理裝置1GG並未施行壓力 :制’因而視窗組件4内的壓力31便在排氣系統所設置 二空泵的能力極限（例如2T〇rr以下）呈大致一定狀態。此 f月況下’如上述’下石英板7的散熱效率較低，在連續處 ，的過，中’將因處理室3内的構成構件（主要為基板13 M支撐環9)輕射熱’使下石英板7隨處理片數（處理次數） 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 17 200816319 的立曰加，而逐漸蓄熱。該埶 上升，結果，在夂Α板上㈣^ 3表面的環境溫度 _ . 口 土板上所形成的氧化膜膜厚32，便將 隨處理片數（處理次數）的增加而增加。 將 j =面’本實施形態中，對各基板施行處理之際，麼 件4 _力21上升二3(處理次數)而使視窗組 b種視固組件4内的壓力調整， 係由壓力控制手段18利用岡]% 一 ή ★ 利用圖1所不遷力測量器16檢測到 、既處理片數進行比較，並依成為最麵 恶，控制著可變痛導+ ^

Mnu 式閥門17的_程度。藉此，當連 腺ϋΗτ η 4 + 拯升下石央板7的散熱效率， 、了防止因為來自處理室3内的槿&接 的構成構件（主要為基板13 ”支“ _射熱，所造成的英板 由係藉由使視窗組件4内的壓六卜其π ^ ( 理 ^^ 于4円的壓力上升，因氣體分子的對流 ，成的散熱效果便將逐漸提高，便可減少對處理室3内 ϋ =構成構件之蓄熱情形。結果，將抑制處理室3内的環 境溫度上升’在各基板上所形成的氧化膜膜厚Μ，將可 無關於處理片數（處理次數），均保持於穩定值。 依如上述所形成的氧化膜，即便膜厚為卜50mn左右， 仍可將連續處理的各基㈣之膜厚差異明顯地縮小。所 以’將極有效地使用做為閘絕緣膜與ST t (Sha丨丨⑽Μ— Isolation)元件隔離的側壁保護氧化膜等。 卜々圖3所示’視曲組件4内的麼力2i最好依每 次基板施行處理，而具有任意斜率的上升。挪氧化在 連續處理中’到底具何種程度的斜率使視窗組件4内的壓 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 18 200816319 力21文化，雖將依所形成的氧化膜目標膜显 該斜率係可依照預借每 、 -、’但疋 、貝備只1¾而求付。另外，視窗 部壓力調整並盔必I饮—老 視囱組件4的内 … #、、、要依母-人基板處理均實施，例如可备？ -人荨複數次基板處理，才 整。 才施仃視自組件4的内部壓力調 能=限牛4内的壓力最好在排氣管8所連接泵的 室3内J力起至’實施基板處理時的處理 i力（例如1〜50T〇rr)間進行變化。理由 升壓力的上限超過處理室3 ’、 二下：：板7吸入處理室3内’導致有遭受破損的顧慮。 (減〉二：Γ說明’根據本實施形態，因為可將視窗組件 咨的\至埶2壓力維持於任意塵力，因而可在獨立於穿透 齒的政熱效率之情況下進行變化。所以 理中對穿透窗的蓄熱情形，傀可/、㈣南 咸幸工連、、只處 中，k ' 項翅理的各基板處理

U 中將。基板表面的環境溫度維持一定狀態。結果，各美 板間便可施行均勻的基板處理。 土 另外，本發明並不僅侷限於以上所說明的各實施形離， 在能達本發明效果的料内，將可進行各種變化與應用。 例如上途中’視窗組件4内部的壓力係配合連續處理中的 已騎處理次數，而調整為既定壓力，但是只要能就經導 入來自燈早π放射光的處理室3内’可對該處理室壁面 (穿透窗）的處理室外邊之壓力進行調整的話，仍可達本發 明的效果。 例如當未設置視窗組件4的情況，便可採用如圖4所示 312ΧΡ/發明說明書(補件)/96-11/96127253 19 200816319 構造。圖4中，在燈單元2内部的燈、與將來自該燈的放 穿透窗47之間，設置以穿透 即，減壓室48係内建於燈單 射光導入於處理室3内部的穿透窗 窗47為壁面的減壓室48。即，減 元2中在減壓至4 8中，將如同圖1所例示的基板處理 • i置1，複數光導管5將依對位於燈單元2中所配置的燈 之狀態進行固定。在穿透窗47接觸到光導管5的一面上 形成有微小溝槽’並經由連通於丨個光導管5的排氣管8, 形成可將所有光導管5内部進行減壓的狀態。其他的構造 (均如同圖1所例示的基板處理裝置1。 該裝置中，利用壓力調整手段18配合連續處理中之已 施行處理次數，針對減壓室48内部的壓力施行上述的壓 力調整，便可減輕連續處理中對穿透窗的蓄熱情形，俾能 在連續處理的各基板處理中，將各基板表面的環境溫度形 成一定狀態。結果，各基板間便可施行均勻的基板處理。 另外，本發明亚不僅侷限於施行氧化處理的基板處理裝 置，舉凡在利用文登的放射光對基板施行加熱的狀態下，施 行基板處理的任何基板處理裝置均可適用。藉由使用本發 明，便可在連續處理的各基板間實施均勻的基板處理。 (產業上之可利用性） 本發明係當連續性施行基板處理時，可防止隨基板處理 ’而因穿透冑中所積存熱造成環境溫度上升的 次數的增加，

312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 20 200816319 圖1為本發明一實施形態的基板處理裝置概略剖視圖。 圖2為本發明一實施形態的基板處理流程圖。 圖3為本發明一實施形態的氧化膜厚與視窗組件内壓 力’對處理片數間之關係示意圖。 圖4為本發明一實施形態的基板處理裝置變化例概略 剖視圖。

圖5為習知基板處理裝置概略剖視圖。 【主要元件符號說明】 1、100 基板處理裝置 2 燈單元 3 處理室 4 視窗組件（減壓室） 5 光導管 6 上石英板 7 下石英板（穿透窗） 8 排氣管 9 支撐環 10 轉筒 11 氣體導入路 12 氣體導出路 13 基板 14 輻射溫度感測器 15 溫度控制手段 16 壓力測量器 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 21 200816319 17 可變氣導式閥門 18 壓力控制手段 2卜31 視窗組件的内部壓力 22、32 氧化膜厚 47 穿透窗 48 減壓室 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 22

Claims (1)

1. 200816319 十、申請專利範圍·· 1一種基板處縣置，其特徵在於具備有·· 處理室，其係内部配置著基板； 垃單元，其係設置在上述處理室内配詈t其+ A 位，，對上述基板施行加熱；内配置之基板的相對向 成：^ ¥其係設置於上述處理室與上述燈單元之間，構 =處理室的壁面’且使來自上述燈單元的放射光穿透 上，其係設置於上述穿透窗之上述燈單域，且以 上述牙透窗為壁面； 將上述減壓室内部予以減壓的手段，·以及 壓力控制手段’其係控制上述減壓手段，將上述減壓室 内部的壓力維持於任意壓力。 2. 如申請專利範圍# !項之基板處理裝置，1中，上述 減壓室係在上述穿透窗的相對向位置處，具備使來自上述 U 燈單元的放射光穿透過的壁面，並在該壁面之外面 述燈單元。 3. 如申請專利範圍第！項之基板處理裝置，其中，上述 減壓室係設置於上述燈單元的内部。 4‘如申請專利_第1 i 3項中任-項之基板處理裝 置’其中，當連續施行基板處理複數次時，上述壓力控制 手段係配合已完成的基板處理次數’增加上述減壓室的内 部壓力。 5.-種基板處理方法，其係將通過構成處理錢面的穿 312XP/發明說明書(補件)/96-11/96127253 23 200816319 透窗而導入來自在處理室外部所設置之燈單元的放射 光’藉此對在處理室内所設置之基板施行加熱的基板處 理，連續性施行複數次者，其特徵在於包括.· 將設置於上述穿透窗之燈單⑽、且以上述穿透窗為壁 面的減壓室之内部壓力，形成為配合已完成的基板處理次 數而設定之既定壓力的步驟；以及 利用上述放射光，對上述處理室内所設置之基板施行加 熱而施行基板處理的步驟。 6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，上述 基板處理係在上述處理室内部呈減壓狀態下實施。 7. 如申請專利範圍第6項之基板處理方法，其中，上述 減壓室的内部壓力係上述處理室的内部壓力以下之壓力。 &如申請專利範圍第7項中任—項之基板處理方 法’其中’上述減壓室的内料力係隨已完成的基板處理 次數而增加。 9. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，上述 基板，理係將含有氧化性氣體與氫氣的氣體導人於上述 處理至内，而在基板上形成氧化物的處理。 10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，上 述處理室内的上述氧化性氣體之讀與氫氣之分壓的合 计’係在ITorr至50Torr之範圍内。 1^1·如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其令，上 述氧化性氣體係氧氣，使上述處理室内部產生 自由基。 礼 312XP/發明說明書(補件)/96·11/96127253 24