JP2023100784A - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023100784A JP2023100784A JP2023074333A JP2023074333A JP2023100784A JP 2023100784 A JP2023100784 A JP 2023100784A JP 2023074333 A JP2023074333 A JP 2023074333A JP 2023074333 A JP2023074333 A JP 2023074333A JP 2023100784 A JP2023100784 A JP 2023100784A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- susceptor
- chamber
- substrate processing
- fixing surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 62
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 54
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 8
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 8
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910020286 SiOxNy Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32816—Pressure
- H01J37/32834—Exhausting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/308—Oxynitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4581—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber characterised by material of construction or surface finish of the means for supporting the substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/505—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges
- C23C16/507—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using radio frequency discharges using external electrodes, e.g. in tunnel type reactors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32715—Workpiece holder
- H01J37/32724—Temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02321—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer
- H01L21/02329—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen
- H01L21/02332—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment introduction of substances into an already existing insulating layer introduction of nitrogen into an oxide layer, e.g. changing SiO to SiON
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67103—Apparatus for thermal treatment mainly by conduction
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
- H01L21/0214—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being a silicon oxynitride, e.g. SiON or SiON:H
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】基板の表面全体の工程の均一性を向上させる基板処理方法を提供する。【解決手段】工程空間を提供するチャンバーと,工程空間に設置されるサセプタ(ヒーター32,ヒーターカバー42,46)と,サセプタの上部におけるチャンバーの外側に設置されて工程空間に供給されたソースガスからプラズマを生成するアンテナを用いて基板Sを処理する方法であり,サセプタの上部面は,基板Sが置かれる定着面42aと,定着面42aの周囲で定着面42aより低い制御面42bを有し,定着面42aと制御面42bの高さ差(X)を第1変数とし,アンテナの下端と定着面42aの距離(Y)を第2変数とし,第1変数及び第2変数を組み合わせて、プラズマを用いた基板処理工程の均一性を測定し,該均一性が最低となる第1変数及び第2変数の値に設定する。【選択図】図2
Description
本発明は,基板処理方法に関するもので,より詳細には,基板の工程の均一性を向上させることができる基板処理方法に関するものである。
薄いSiO2ゲート(gate)誘電体は,いくつかの問題を持って来る。例えば,ホウ素(boron)ドープされたゲート電極内のホウ素は,薄いSiO2ゲート誘電体を介して下部のシリコン基板に貫通することができる。また,一般的に薄い誘電体は,ゲートによって消費される電力量を増加させるゲート漏れ,すなわちトンネル(tunneling)が増加される。
これを解決する一つの方法は,SiOxNy,ゲート誘電体を形成するように,窒素をSiO2層に含ませるものである。窒素をSiO2層に含ませると,下部のシリコン基板に貫通するホウ素を遮断し,ゲート誘電体の誘電率を増加させることにより,より厚い誘電体層を使用することができる。
アンモニア(NH3)の存在下で,シリコン酸化物層を加熱することはSiO2層をSiOxNy層に変換させるのに使用されてきた。しかし,ファーネス(furnace)でアンモニア(NH3)の存在下において,シリコン酸化物層を加熱する従来の方法は,一般的にファーネスが開放又は閉鎖されるとき,空気の流動により,ファーネスの異なる部分でSiO2層の窒素の不均一な添加をもたらした。付加的に,SiO2層の酸素又は水蒸気汚染物は,SiO2層での窒素添加を遮断することができる。
また,プラズマ窒化処理(DPN,デカップリング(decoupling)されたプラズマ窒化処理)がSiO2層をSiOxNy層に変換させるのに使用されてきた。
本発明の目的は,基板の表面全体の工程の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
本発明の他の目的は,基板のエッジ表面の工程率を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。
本発明のまた他の目的は,以下の詳細な説明と添付した図面からより明確になるだろう。
本発明の一実施例によると,基板処理装置は,内部に形成された工程空間を提供するチャンバー;上部に基板が置かれ,前記工程空間に設置されているサセプタ;前記チャンバーの天井中央部に形成されて,ソースガスを前記工程空間に供給するガス供給ポート;前記チャンバーの側壁に形成され,前記サセプタの外側下部に位置し,前記工程空間を前記サセプタの中央から前記サセプタの端に向かって排気する排気ポート;前記サセプタの上部に位置し,前記チャンバーの外側に設置されて前記ソースガスからプラズマを生成するアンテナを含み,前記サセプタの上部面は,工程のうち前記基板が置かれる定着面;前記定着面の周囲に位置し,前記工程空間と対向されて工程のうち前記プラズマに露出可能であり,前記定着面より低く位置する制御面を有する。
前記定着面は前記基板と対応する形状であり,前記制御面はリング状であることができる。
前記制御面の幅は20~30mmであることができる。
前記定着面と前記制御面の高さの差4.35乃至6.35mmであることができる。
前記アンテナの下端と前記定着面との距離は93乃至113mmであることができる。
前記アンテナは,前記チャンバーの外側周囲に上下方向に沿ってらせん状に設置することができる。
前記チャンバーは,前記サセプタが内部に設置され,上部が開放されて側壁に前記基板が出入りする通路が形成されている下部チャンバー;前記下部チャンバーの開放された上部に連結され,前記アンテナが外側周囲に設置される上部チャンバーを備えるが,前記上部チャンバーの内径は,前記サセプタの外径と対応され,前記上部チャンバーの断面積は,前記下部チャンバーの断面積よりも小さいことができる。
前記基板処理装置は,前記工程空間に設置され,前記サセプタの上部面より低くなるように,前記サセプタの周囲に位置し,前記サセプタの上部面と平行に配置され,複数の排気穴を持つ複数の排気プレートをさらに含むことができる。
前記サセプタは,外部から供給された電力を使用して加熱可能なヒーター;前記ヒーターの上部を覆う,前記定着面と前記制御面を有する上部カバー;前記上部カバーと連結されて前記ヒーターの側部を覆う側部カバーを備えることができる。
本発明の一実施例によれば,基板の表面全体の工程の均一性を向上させることができる。特に,基板のエッジ(edge)表面の工程の効率を向上させることができ,これにより,基板のエッジ部分での窒素濃度を増加させることができる。
以下,本発明の好ましい実施例を添付した図1から図4を参照してより詳細に説明する。本発明の実施例は様々な形態に変形されてもよく,本発明の範囲が以下で説明する実施例に限ると解析されてはならない。本実施例は,該当発明の属する技術分野における通常の知識を有する者に本発明をより詳細に説明するために提供されるものである。よって,図面に示した各要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張されている可能性がある。
図1は,本発明の一実施形態による基板処理装置を概略的に示す図である。図1に示すように,基板処理装置は,チャンバーとサセプタを含んでいる。チャンバーは,内部に形成された工程空間を提供し,工程空間内で基板のプラズマプロセスが行われる。
チャンバーは下部チャンバー22と上部チャンバー10を備え,下部チャンバー22は,一の側壁に形成された通路24と他の側壁に形成された排気ポート52を持って上部が開放された形状である。基板Sは,通路24を介して工程空間に進入し,又,工程空間から引出すことができ,工程空間内のガスは,排気ポート52を介して排出されることができる。
上部チャンバー10は,下部チャンバー22の開放された上部に連結され,ドーム(dome)形状を有する。上部チャンバー10は,天井の中央部に形成されたガス供給ポート12を有し,ソースガスなどは,ガス供給ポート12を介してプロセス空間内に供給することができる。上部チャンバー10と下部チャンバー22の断面は,基板の形状(例えば,円形)と対応する形状を有し,上部チャンバー10の断面積は,下部チャンバー22の断面積よりも大きくすることができる。上部チャンバー10と下部チャンバー22の中心は,後述するサセプタの中心とほぼ一致するように設置され,上部チャンバー10の内径は,サセプタの外径とほぼ一致することができる。
アンテナ14は,上部チャンバー10の外側周囲に上下方向に沿ってらせん状に設置され(ICPタイプ),外部から供給されたソースガスからプラズマを生成することができる。アンテナ14は,後述するサセプタの上部に位置する上部チャンバー10に設置され,プラズマは,上部チャンバー10の内部で生成され,下部チャンバー22に移動した後,基板Sと反応することができる。
図2は,図1に示したサセプタを示す図である。サセプタ(susceptor)は,下部チャンバー22の内部に設置され,基板Sが上部面に置かれた状態で工程が進行される。サセプタはヒーター32とヒーターカバー42,46を備え,ヒーターカバー42,46は,ヒーターの上部と側部を包み込むように設置される。
具体的には,ヒーター32は,外部から供給された電力を使用して加熱され,基板などを処理可能な温度に加熱することができ,円形のディスク形状であり,中央に連結された支持軸54を介して支持された状態で,下部チャンバー22の内部に配置される。本実施例とは異なり,ヒーター32は,冷媒などを介して冷却可能な冷却プレートに置き換えることができる。ヒーターカバー42,46は,ヒーター32の上部を覆う円板状である上部カバー42とヒーター32の側部を覆う側部カバー46を備え,上部カバー42と側部カバー46は,相互に連結される。
上部カバー42の上部面は,定着面42aと制御面42bを備える。基板Sは,定着面42aに置かれた状態で,プラズマにさらされて工程が行われ,定着面42aは,基板Sよりも大きい直径を有する。例えば,基板Sの直径が300mmである場合には,定着面42aの直径Lは,305~310mmであることができる。定着面42aは,概ね水平状態に配置される。制御面42bは,定着面42aよりも低く位置して定着面42aの外側と制御面42bの上部にリング状の流動空間(図2に点線で表示)が形成され,定着面42aの周囲に配置されたリング状であり,幅Wは,20~30mmである。制御面42bは,工程空間と直接対向されて基板Sの工程進行時のプラズマにさらされており,定着面42aと平行することができる。しかし,本実施例とは異なり,内外側傾斜することができる。
再び図1を見ると,複数の排気プレート25,26がサセプタの周囲に上下に配置され,サセプタの上部面よりも低い高さに設置される。排気プレート25,26は,複数の排気穴を有し,概ね水平に配置される。排気プレート25,26は,別の支持機構28を介して支持することができる。例えば,排気ポンプ(図示しない)が排気ポート52に連結されて強制的に排気を開始すると,排気圧力は排気プレート25,26を介してプロセス空間内に概ね均一に分布され,(排気ポートの位置に関係なく),図1及び図2に示すように,プラズマの流れは,基板Sの中央から基板Sの表面に沿って基板Sの端に向かって均一に形成されるのみならず,プラズマプロセスを通じた反応副産物などはこのような方向に沿って均一に排気することができる。
図3及び図4は,本発明の一実施形態に係る工程の均一性を示す図である。前述したように,基板SにSiO2層が約20~30Å蒸着された後に,基板SがプラズマにさらされることによってSiOxNyゲート誘電体を形成することができる(プラズマ窒化処理(PN))。窒素源は,窒素(N2),NH3,又はそれらの組み合わせ物であり,プラズマはヘリウム,アルゴン,又はこれらの組み合わせ物のような不活性ガスをさらに含むことができる。基板Sがプラズマにさらされる中(50~100秒,好ましくは約50秒)の圧力は,約15mTorrであり,温度は約150℃であることができる(圧力は15~200mTorr,温度は常温から150℃以内で調節することができる)。オプションで,基板Sは,プラズマ暴露後O2が供給される状態でアニール(annealing)され,約800℃の温度で約15秒間のアニーリングすることができる。
一方,SiOxNyゲート誘電体を形成するように,プラズマ窒化処理(DPN,デカップリング(decoupling)されたプラズマ窒化処理)を使用してきたが,窒化処理後の基板の表面に窒素濃度が不均一に分布しており,特に基板Sの端(エッジ)部分で窒素濃度が大幅に低下した。
これを改善するための方策として,サセプタの定着面とアンテナの下部の離隔距離(図1のD)を調節したが,その効果が限定的であった。図1を見ると,サセプタは支持軸(54)によって支持され,支持軸(54)は,別の昇降機構を介して昇降可能なので,サセプタとアンテナ14の距離昇降機構を介してサセプタの移動に調節することができる。
サセプタの移動距離(Chuck [mm])を20~50mmに調節した結果,サセプタとアンテナの距離(D)は,下記の表1のとおりであり,以下の表2に記載したように,工程の均一性が1.30~1.90まで変化することが分かるが,最小値が1.30であった(Ref.HPCに対応)。
したがって,これをさらに改善するために,追加の方案を模索しており,サセプタ(又はヒーターカバー)の上部面に定着面42aよりも低い制御面42bを設置した(制御面と定着面の高さの差6.35mm)。その結果,表2に記載したように,工程の均一性が0.96~2.20まで変化することが分かるが,最小値が0.96であった(Edge Low HPCに対応)。特に,サセプタの定着面42aとアンテナ14の下部の離隔距離が103mmである場合には,改善前後工程の均一性が1.69で0.96と大幅に改善されたことを確認できた。
工程の均一性が改善された理由を多様に研究してみた結果,基板Sのエッジ部分でのプラズマシース(plasma sheath)の形成を抑制することにより,プラズマシールド(plasma shielding)を最小限に抑えることができ,これにより,基板Sのエッジ部分で窒素濃度が低下することを防止することができる。具体的には,前述した制御面42bが定着面42aよりも低い場合には,基板Sのエッジ部分で活性種(Nラジカルとイオン)が消費されるよりも,プラズマ窒化に関与する割合が大きいが,制御面42bが定着面42aと同一の高さで並列あるいは高い場合には,基板Sのエッジ部分での活性種のプラズマ窒化に関与するよりも消費される割合が大きくなるので,制御面42bを定着面42aよりも低く配置する場合の工程均一性を向上させることができると考られる。
図3を参照すると,従来サセプタによるプラズマ工程が行われた場合には,基板Sのエッジ部分での窒素濃度が格段に低下することを確認することができ,グラフが「M」字型を呈する。一方,図4を見ると,制御面42bを利用したサセプタによるプラズマ工程が行われた場合には,基板Sのエッジ部分での窒素濃度が十分に改善されたことを確認することができ,グラフが「V」字型を呈する。
表3および表4は,サセプタ/アンテナの距離と制御面/定着面の高さの差に応じた工程の均一性の改善の程度を示す表である。一方,制御面の幅は,プラズマプロセスに影響を与えないように,20~30mmであることが好ましく,以下の内容は,25mmを基準とする。
表3および表4を見ると,サセプタとアンテナ14の距離に応じて最適な制御面42bと定着面42aの高さの差は異なって表示される。例えば,移動距離が30mmである場合(距離D=103mm)工程の均一性が最低の最適な高さの差4.35mm(工程均一度0.83)であることを知ることができ,移動距離が20mmである場合(距離D=113mm)工程均一度が最低である最適の高さの差4.35mm(工程均一度1.14)であることを知ることができる。しかし,移動距離が40mmである場合(距離D=93mm)工程の均一性が最低の最適な高さの差2.35mm(工程均一度1.22)であることを知ることができる。
本発明を好ましい実施例を介して詳細に説明したが,これとは異なる形態の実施例も可能である。よって,以下に記載の請求項の技術的思想と範囲は好ましい実施例に限らない。
本発明は,多様な形態の半導体の製造設備及び製造方法に応用されることができる。
Claims (6)
- 内部に形成された工程空間を提供するチャンバーと,上部に基板が置かれ前記工程空間に設置されているサセプタと,前記サセプタの上部に位置し前記チャンバーの外側に設置されて前記工程空間に供給されたソースガスからプラズマを生成するアンテナを用いて基板を処理する方法であって,
前記サセプタの上部面は,工程のうち前記基板が置かれる定着面と,前記定着面の周囲に位置し前記工程空間と対向されて工程のうち前記プラズマに露出可能であり前記定着面より低く位置する制御面を有し,
前記定着面と前記制御面の高さ差(X)を第1変数とし,前記アンテナの下端と前記定着面の距離(Y)を第2変数とし,前記第1及び第2変数を組み合わせて前記プラズマを用いた基板処理工程の均一性を測定し,前記均一性が最低となる前記第1及び第2変数の値に設定する,基板処理方法。 - 前記定着面は前記基板と対応する形状であり,
前記制御面はリング状である請求項1記載の基板処理方法。 - 前記制御面の幅は20~30mmである請求項2記載の基板処理方法。
- 前記アンテナは,前記チャンバーの外側周囲に上下方向に沿ってらせん状に設置されている請求項1記載の基板処理方法。
- 前記チャンバーは,
前記サセプタが内部に設置され,上部が開放されて側壁に前記基板が出入りする通路が形成されている下部チャンバー;と
前記下部チャンバーの開放された上部に連結され,前記アンテナが外側周囲に設置される上部チャンバーを備えるが,
前記上部チャンバーの内径は,前記サセプタの外径と対応され,前記上部チャンバーの断面積は,前記下部チャンバーの断面積よりも小さい請求項4記載の基板処理方法。 - 前記サセプタは,
外部から供給された電力を使用して加熱可能なヒーター;
前記ヒーターの上部を覆う,前記定着面と前記制御面を有する上部カバー;と
前記上部カバーと連結されて前記ヒーターの側部を覆う側部カバーを備える請求項1記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0006953 | 2019-01-18 | ||
KR1020190006953A KR102253808B1 (ko) | 2019-01-18 | 2019-01-18 | 기판 처리 장치 |
JP2021541545A JP2022522998A (ja) | 2019-01-18 | 2020-01-20 | 基板処理装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021541545A Division JP2022522998A (ja) | 2019-01-18 | 2020-01-20 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023100784A true JP2023100784A (ja) | 2023-07-19 |
JP7468946B2 JP7468946B2 (ja) | 2024-04-16 |
Family
ID=71613137
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021541545A Pending JP2022522998A (ja) | 2019-01-18 | 2020-01-20 | 基板処理装置 |
JP2023074333A Active JP7468946B2 (ja) | 2019-01-18 | 2023-04-28 | 基板処理方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021541545A Pending JP2022522998A (ja) | 2019-01-18 | 2020-01-20 | 基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20220093445A1 (ja) |
JP (2) | JP2022522998A (ja) |
KR (1) | KR102253808B1 (ja) |
CN (1) | CN113396474A (ja) |
WO (1) | WO2020149721A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN116368269A (zh) * | 2020-10-13 | 2023-06-30 | 周星工程股份有限公司 | 基板处理设备 |
JP7308330B2 (ja) * | 2021-05-10 | 2023-07-13 | ピコサン オーワイ | 基板処理装置及び方法 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3254069B2 (ja) * | 1993-01-12 | 2002-02-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ装置 |
JP2000096239A (ja) * | 1998-09-21 | 2000-04-04 | Tokuyama Corp | 誘導結合型プラズマcvd方法及びそのための誘導結合型プラズマcvd装置 |
JP3496560B2 (ja) | 1999-03-12 | 2004-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
KR20010062209A (ko) * | 1999-12-10 | 2001-07-07 | 히가시 데쓰로 | 고내식성 막이 내부에 형성된 챔버를 구비하는 처리 장치 |
JP2001267304A (ja) * | 2000-03-22 | 2001-09-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
US6682603B2 (en) * | 2002-05-07 | 2004-01-27 | Applied Materials Inc. | Substrate support with extended radio frequency electrode upper surface |
JP2005302848A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-10-27 | Toshiba Corp | 半導体製造装置および半導体製造方法 |
JP2006196139A (ja) | 2004-12-15 | 2006-07-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ディスク駆動装置 |
JP2006294422A (ja) | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびスロットアンテナおよびプラズマ処理方法 |
US20070283884A1 (en) * | 2006-05-30 | 2007-12-13 | Applied Materials, Inc. | Ring assembly for substrate processing chamber |
KR101257985B1 (ko) * | 2007-07-11 | 2013-04-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 |
KR100963297B1 (ko) * | 2007-09-04 | 2010-06-11 | 주식회사 유진테크 | 샤워헤드 및 이를 포함하는 기판처리장치, 샤워헤드를이용하여 플라스마를 공급하는 방법 |
US8409355B2 (en) * | 2008-04-24 | 2013-04-02 | Applied Materials, Inc. | Low profile process kit |
KR101312592B1 (ko) * | 2012-04-10 | 2013-09-30 | 주식회사 유진테크 | 히터 승강형 기판 처리 장치 |
KR101383291B1 (ko) * | 2012-06-20 | 2014-04-10 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
JP6165452B2 (ja) | 2013-02-01 | 2017-07-19 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
US11158526B2 (en) * | 2014-02-07 | 2021-10-26 | Applied Materials, Inc. | Temperature controlled substrate support assembly |
KR101583767B1 (ko) * | 2014-05-09 | 2016-01-08 | 코리아세미텍(주) | 히터가 장착된 캡형 정전척 및 그 제조방법 |
KR101965992B1 (ko) * | 2014-12-25 | 2019-04-04 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 반도체 장치의 제조 방법, 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
WO2017183401A1 (ja) * | 2016-04-20 | 2017-10-26 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
JP6700118B2 (ja) * | 2016-06-24 | 2020-05-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ成膜装置および基板載置台 |
JP6309598B2 (ja) * | 2016-11-24 | 2018-04-11 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置 |
-
2019
- 2019-01-18 KR KR1020190006953A patent/KR102253808B1/ko active IP Right Grant
-
2020
- 2020-01-20 CN CN202080009863.9A patent/CN113396474A/zh active Pending
- 2020-01-20 US US17/423,687 patent/US20220093445A1/en not_active Abandoned
- 2020-01-20 JP JP2021541545A patent/JP2022522998A/ja active Pending
- 2020-01-20 WO PCT/KR2020/000957 patent/WO2020149721A1/ko active Application Filing
-
2023
- 2023-04-28 JP JP2023074333A patent/JP7468946B2/ja active Active
- 2023-08-28 US US18/456,589 patent/US20230411203A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220093445A1 (en) | 2022-03-24 |
JP2022522998A (ja) | 2022-04-21 |
KR102253808B1 (ko) | 2021-05-20 |
WO2020149721A1 (ko) | 2020-07-23 |
CN113396474A (zh) | 2021-09-14 |
US20230411203A1 (en) | 2023-12-21 |
KR20200089979A (ko) | 2020-07-28 |
JP7468946B2 (ja) | 2024-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7468946B2 (ja) | 基板処理方法 | |
US6753506B2 (en) | System and method of fast ambient switching for rapid thermal processing | |
CN101937844B (zh) | 绝缘膜形成方法 | |
JP5586651B2 (ja) | プラズマ窒化ゲート誘電層における窒素プロフィルを改善する方法 | |
KR101991574B1 (ko) | 성막 장치, 및 그것에 이용하는 가스 토출 부재 | |
US8247331B2 (en) | Method for forming insulating film and method for manufacturing semiconductor device | |
US9062376B1 (en) | Substrate processing apparatus, method of manufacturing semiconductor device and non-transitory computer readable recording medium | |
JP2003504883A (ja) | 半導体ウエハ上に窒化珪素層を形成するための方法 | |
US5567152A (en) | Heat processing apparatus | |
US20120220116A1 (en) | Dry Chemical Cleaning For Semiconductor Processing | |
KR20010014782A (ko) | 반도체 처리 시스템의 매엽식 처리 장치 | |
KR20090094009A (ko) | 절연막의 형성 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2007005696A (ja) | プラズマ窒化処理方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2004349546A (ja) | 酸化膜形成方法、酸化膜形成装置および電子デバイス材料 | |
TWI401760B (zh) | 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法 | |
US20220157628A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate suppport and method of manufacturing semiconductor device | |
JPWO2004073073A1 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JPH10223538A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
JP2005259902A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2000216095A (ja) | 枚葉式熱処理装置 | |
JP3980663B2 (ja) | 熱処理方法 | |
KR20210103596A (ko) | 실리콘 구조물 표면 러프니스 개선 방법 및 기판 처리 장치 | |
JPH08335575A (ja) | 熱処理装置および方法 | |
JP2010135812A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH02185973A (ja) | 金属シリサイド膜の形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20230522 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240305 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240328 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7468946 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |