TW200533466A - Layered support and method for laminating CMP pads - Google Patents

Description

200533466 九、發明說明： 【發明所屬之技彳軒領城】 發明領域 本發明係有關一種用於製造化學機械平面化(CMp)拋 5光襯墊之方法。特別是，本發明係關於一種層合一黏著劑 層至一 CMP拋光襯墊之方法。 H Hi 發明背景 CMP拋光襯墊（或「CMP襯墊」）係拋光或「平面化」 10表面之CMP系統之組件。在許多半導體及光學組件之製造 中，CMP係其中一個步驟。例如，在電氣裝置之半導體晶 圓加工中CMP係一中間步驟，其被用於在加工步驟之間平 面化該表面。 CMP系統藉由-附接至一壓盤或一 CMp系統之CMp概 15墊的運作以及一移動於一工作件之表面上之化學性磨砂泥 毁來拋光。CMP襯墊可由多種材料之一製得，包括熱塑性 材料或織物，以S)態表面的形式，具溝紋的表面，或毛敦， 且該泥漿典型包含磨砂顆粒於一化學独刻劑中。該CMp概 塾及工作件係以-意圖確保均句抛光的運作相對於彼此而 2〇移動-通常係以-結合旋轉及繞行的複雜運作。此外，均 勻拋光係使該CMP系統放置新的泥聚及自工作件移除該泥 漿而完成。 CMP襯塾個後即可去棄的元件，其可藉由—黏著劑 被黏附至壓盤。典型地，CMP㈣以一壓力敏感黏著劑(pSA) 200533466 著劑被提供至CMP器具使用

具有釋出線之PSA薄膜經由層合器之 器之夹滾輪被饋入。如果 或者一熱固性或熱活化性黏 者。一PSA具有一釋出線於勤 至壓盤之前被移除。執固 該第二黏著劑被加熱活化，則壓著該PSA薄膜之夾滾輪被 10 加熱。 次襯墊」所構 CMP襯墊亦可由一 CMp襯墊材料及一 成，该次襯墊具有諸如不同硬度之不同性質，或具有供磨 砂流體流動的導管。這些多層的CMp襯墊可藉由，在一步 驟中，層合該CMP襯墊材料與一具有一黏著劑於一面及一 15 ΜΑ溥膜及釋出線於其背面之次襯墊而被製得。製造cmp 襯墊之習知方法，係隨著PSA薄膜及釋出線一起直接透過 一層合器之夾滾輪供應CMP襯墊之積層及任何次襯墊材 料。 此一習知層合CMP襯墊之方法有許多問題。首先，襯 20 墊或次襯墊之厚度變化需要層合器之調整，諸如介於夾滾 輪之間的間隙，以確保施用適當之層合壓力。其次，CMP 襯墊與夾滾輪之接觸可損壞或污染該CMP襯墊材料之前表 面，特別是如果是以不相容材料製造時。例如，滾輪可由 於刮損而在由該滾輪之正常磨損所引起的其它不完整點機 200533466 械性地損壞該CMP襯墊之前表面。該工作件之機械及化學 污染在半導體晶圓之製造中係特別重要。第三，如果CMP 襯墊表面在層合期間被掌握，該層合CMP襯墊的人可能損 壞或污染該襯墊。第四，在該經層合的CMP襯墊中之不均 5 勻性，諸如彎曲或捲曲，或者在PSA或次襯墊材料中之泡 泡、皺摺或不平整的層合可因在層合期間壓縮壓之不適當 分布而發生。 其希望能製造一具有一PSA作背面之CMP襯墊，其係 使用一克服習知CMP層合方法之問題的層合方法。特別 10 是’希望有一層合一 CMP概墊的方法，其不會彎曲或者改 變該CMP襯墊形狀，或者污染該CMP襯墊。亦希望有一方 法可容許具有次襯墊之CMP襯墊層合，且其可適用於使用 壓力或熱活化黏著劑而黏附至該CMP襯墊之PSA薄膜。 t發明内容3 15 發明概要 本發明解決了前述習知CMP襯墊層合裝置及方法的問 題，係藉由提供一用於在層合期間支撐CMP襯墊而達成。 本發明提供一用於修整CMP襯墊及次襯墊之厚度的裝置及 方法’以降低或消除調整層合器以修整襯墊厚度變化之需 20 要，並以在層合期間保護CMP襯墊表面。 本發明之一方面提供一種製造一CMP襯墊之方法，其 包含形成一積層，該積層包含一板、一CMP襯墊材料及一 以一具有釋出線之PSA薄膜作背面；壓縮該積層以形成一 CMP襯墊材料及背面之合層；以及自板分開該CMP襯墊及 200533466 釋出線。該板及該CMP襯墊材料具有相似的材料組合。在 一實施例中，一第二板被提供在釋出線處。 本發明之另一方面提供一製造一CMP襯墊之方法，其 包含有形成一積層，該積層包括一第一板、一CMP襯墊材 5 料及一具次襯墊及具一釋出線之黏著劑的背面，以及一第 二板；壓縮該積層以層合該CMP襯墊及次襯墊；以及自該 板移除該經層合之CMP襯墊及釋出線。該板及該CMP襯墊 材料具有相似的材料組合。 本發明之又一方面提供一製造一CMP襯墊之方法，其 10在该CMP襯墊之一或二面使用板。在一實施例中，每一板 之該平面大小係各相等於或者大於該CMP襯墊材料之平面 大小，較佳地係大至少10%。在另一實施例中，各個板具 有一自約1/16”至約1/4’’之厚度，容許一少於約3/1〇〇”之厚度 奋叉度。在又另一實施例中，該第一板在一面上具有一用 15於接收该CMI^a墊材料之凹處，其具有一該CMP襯墊材料 厚度之大約50%至大約90%的深度。 本务明之一方面提供一種製造一Cmp襯墊之方法，其 藉由使用一壓力敏感或經熱活化之黏著劑來層合該襯墊。 本發明之又另一方面提供一種裝置以支持一CMP襯墊 2〇之層合。該裝置包含一板，該板具有一相似於該CMP襯墊 材料之組合且具有相等於或大於該CMP襯墊材料的平面大 小之平面大小。 延些特徵，以及對於熟習此藝者而言從以下的詳細說 明將顯得明顯的各種輔助的規範及特徵，係藉由本發明之 200533466 CMP層合裝置及方法而賴，其較佳實施例僅關示之方 式參考所附圖式顯示。 圖式簡單說明 5 第1圖係一CMP拋光襯墊之側視圖，其由一CMP襯墊材 料及一 PSA薄膜所形成； 第2圖係一CMP拋光襯墊之側視圖，其由一cmp襯墊材 料、一CMP次襯墊及一PSA薄膜所形成； 第3A圖係一CMP次襯墊及黏著劑層之側視圖，其包括 10 一具有一釋出線及一用於黏附至一CMP襯墊材料之黏著劑 層的PSA ; 第3B圖係一CMP襯墊材料之側視圖； 第3C圖係一積層的側視圖，該積層包含第3A圖之CMP 次襯墊及黏著劑層、該第3B圖之CMP襯墊材料、一頂板及 15 一具一凹處之底板； 第3D圖係該第3C圖之積層在層合期間的截面圖； 第3 E圖係一其頂及底板被分開之層合c Μ P襯墊的側視 圖； 第4圖係一第3C圖之4-4截面頂視圖，顯示CMP襯墊及 20 一板之範圍； 第5圖係一第3C圖之5_5截面圖，顯示用於層合之CMP 襯墊及一頂及底支撐板； 第6Α圖係一 PSA之側視圖，其具有一釋出線及一用於 黏附至一 CMP襯墊材料之黏著劑層； 200533466 弟6B S 4系CMP襯墊材料之側視圖； 第6C圖係—積層之側視圖，其由第6A圖之PSA及釋出 線及黏者制層、細圖墊材料及—底板所構成； 第6D圖係第6C圖之積層在層合期間的一截面側視 5 圖；及 第6E圖係經層合之CMp襯墊與頂及底板分開的一側視 圖。 在圖式中使用參考符號以指示其中所示之特定元件、 層面或特色’於多個圖式中共用的參考符號係指其中所示 10同樣的元件、層面或特色。 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 一般而言，本發明提供一用於產生一層合cMP拋光襯 墊之裝置及方法，該襯墊係由一CMp襯墊材料及一背面所 15形成，该背面可為一PSA薄膜或一具有一 PSA薄膜之CMP -人襯墊。本發明在層合期間，於一一般的層合器中，使用 由類似於該CMP襯墊成分之材料所形成的板，提供該cmp 襯墊元件一面或二面支撐體。 本發明係有關CMP概墊之層合。一例示的CMP拋光概 20 墊200顯示於第2圖中，其具有一CMP襯墊材料201、一黏著 劑203、一CMP次襯墊205及一PSA薄膜207，該PSA薄膜具 有一第一黏著劑層217及一第二黏著劑層219，CMP拋光襯 墊200係一CMP襯墊之範例，雖然本發明非為所述有關此一 特殊襯墊的實施例所限制，但該CMP襯塾可使用本發明裝 10 200533466 置及方法被製造。CMP襯墊材料201具有一前表面211及一 背表面213，且CMP次襯墊205具有一被黏著劑203所覆之表 面及一背表面217。黏著劑203黏附CMP次襯墊205至CMP 襯墊背表面213上。第一黏著劑層217黏附PSA薄膜207至 5 CMP次襯墊背表面213，且第二黏著劑層219黏附CMP襯墊 200至一CMP系統。一釋出線209被提供於層219處，以在黏 附該CMP襯墊至一CMP系統之前保護該層219之黏著劑，並 且被移除以露出該PSA。一般而言，CMP襯墊材料201及 CMP次襯墊205的選擇，如同CMP拋光業界所知者，要依根 10 據CMP襯墊材料之硬度來拋光一工作件的能力，引導磨砂 流體去至及來自一工作件的能力，及有關拋光一工作件之 其它性質。較佳地，CMP襯墊材料201及CMP次襯塾205係 由一熱固性或一熱塑性材料形成。亦為較佳者，但非必要 的，CMP襯塾201及CMP次襯塾205係由不同硬度的材料形 15 成，例如一軟的次襯墊及一相對較硬的CMP襯墊材料。一 例示的CMP襯墊及次襯墊材料係一彈性體類，諸如一模轉 或發泡胺曱酸乙酯。 在製備供用於CMP系統之CMP襯墊200時，釋出線209 被自層219移除，該CMP襯塾被對齊並置於一CMP系統之壓 20盤上，並且施加一力量至CMP拋光襯墊2〇〇以將其貼附至該 壓盤。 第3A及3B圖說明具有釋出線2〇9之CMP襯墊的二個元 件，該釋出線被一第一實施例層合方法所層合。特別地， 第3A圖為層300之一側視圖，其包含有一 CMp次襯塾205、 200533466 黏著劑層203及207以及釋出線209，且第3B圖係一 CMP襯墊 材料201之側視圖。該第一實施例層合的說明將以一層合前 之層300起始，或者以被層合至CMP襯墊材料201之背面。 第3C-3E圖說明層合方法，其中第3C圖係一積層310的 5 側視圖，其係自第3A圖之層300、第3B圖之CMP襯墊材料 201、一頂板303及一具有一顯示於第5圖中之凹處的底板 301所形成’第3D圖係第3C圖之積層在層合期間的截面側 視圖，及第3E圖係該層合CMP襯墊經與頂及底板分開之側 視圖。另外顯示於第4圖者係第3C圖之4-4的一截面頂視 10 圖，顯示該CMP襯墊及一板的範圍，第5圖係第3C圖之5-5 的一截面側視圖，其顯示用於層合之CMP襯墊及一頂及底 支撐板。在另一實施例中，底板301係平面的且不具有一凹 處。 在此一實施例中，PSA被用作所有元件之間的黏著 15 劑，即黏著劑203以及PSA 207為PSA。具有釋出線209之 CMP襯墊200之層合積層310,如第3C及5圖中所描述，進行 所示元件之順序積疊。首先，CMP襯墊材料201被置於板301 之凹處302。然後，層3〇〇被對齊並置於CMP襯墊材料201 之頂面。最後，板303被放置於層300之上，不壓，形成一 20 厚度D之積層。 在形成積層310之後，該積層被饋經一層合器之合適間 隔的夾滾輪320，如第3D圖中所示。特別地，積層310，其 具有一厚度D，如第3C及3D圖中所示，被逐漸地導向夾滾 輪320，該夾滾輪具有一大約該厚度D之70%至95%的間隙 12 200533466 P。夾滾輪320轉動以同時饋入積層31〇，並且制壓及層合該 積層。在通經該層合器之後，經層合之CMP襯墊200被從板 301及303分開’如第3E圖中所示，留下具釋出線209之CMP 抛光概墊200。 5 依據CMP襯墊200之大小及材料性質來選用板3〇1及 303的大小及材料性質。特別地，板301及3〇3之材料較佳具 有一相似於CMP襯墊材料201之組成。較佳地該CMP襯墊材 料201、次襯墊205、板301及303係彈性體或熱塑性物。對 CMP襯塾材料201具共同材料，因此板3〇1及303包括胺甲酸 10 乙酯，諸如模鑄胺曱酸乙酯及發泡胺甲酸乙酯。板301及303 之典型硬度對熱塑性物而言係自45 Shore A至75 Shore D， 例如模鑄胺甲酸乙酯係25-75 Shore D及發泡胺甲酸乙醋 45-95 Shore A 〇 層300及CMP襯墊材料201在平面大小上具有一範圍， 15 如第5圖之A所指。板301及303之範圍較佳係相同於或稍大 於要被層合的部分，例如第5圖之大小A。在第3、4及5圖之 實施例中，板301及303延伸超過CMP槻墊之邊緣，如第3C 圖之侧視圖中所示。在另一實施例中板301及303係較該 CMP襯墊之範圍大1〇%或更長。亦即，較佳地，板301及303 2〇 具有一自1/16至1/4吋之厚度，平面性容受度大約等於或優 於CMP觀墊材料201，典型地大於3/100σ寸。 第5圖描述之CMP襯墊材料亦具有一深度C及一在板 301中具有一深度Β之凹處302,以及一等於或稍大於Α之平 面延伸。較特別地，凹處302具有一等於或稍大於A之延伸， 13 200533466 因此該CMP襯墊材料可密合於凹處302中。較佳地A的範圍 係C之大約50%至大約90%。 板301及303之使用支撐了 CMP襯墊200之元件、保護 CMP襯墊表面免於夾滾輪320之污染及損傷，並且配散壓縮 5 遍布整個的CMP襯墊，藉此消除任何彎曲（捲曲）、泡泡、皺 摺或不平的層合。 另一例示的CMP拋光襯墊100被顯示於第1圖中，具有 一CMP襯墊材料1〇1。CMP拋光襯墊100具有一CMP襯墊材 料101及一PSA薄膜103，該薄膜具有一第一黏著劑層111及 10 —第二黏著劑層113。CMP襯墊材料101具有一前表面107 及一背表面111。黏著劑層111將PSA薄膜103貼附至CMP襯 墊背表面111上，且黏著劑層113將CMP襯墊100貼附至一 CMP系統。釋出線^^被設置在PSA薄膜103處以在將該 CMP襯墊貼附至CMP系統之前保護該PSA。一般而言，CMP 15 襯墊材料201係以依據該CMP襯墊材料的硬度可拋光一工 作件之能力、引導諸到及自一工作件之磨砂性流體的能力 及其它有關拋光一工作件之性質而被選擇。 在製備用於一CMP系統中之CMP襯墊100時，釋出線 105自PSA薄膜103被移除，其被對齊並置於一 CMP系統之 20 壓盤上’且施用一力至CMP拋光襯墊1〇〇以將其貼附至該壓 盤。 本發明之另一實施例將在此參考第6圖說明用以產生 具有第1圖之釋出線105之CMP拋光襯墊100的層合作用，其 中黏著劑115係一熱固性黏著劑。第6A圖係一背面或層600 14 200533466 之側視圖，該層包含有一具有一熱固性黏著劑115及一壓力 活化黏著劑113之PSA薄膜103，以及釋出線1〇5，且第6B圖 係一CMP襯墊材料101之側視圖。一般而言，CMP襯墊材料 101係一熱塑性或熱固性材料。一包含但不限於模鑄或發泡 5 胺甲酸乙酯之彈性體係一種較佳之材料。如隨後所述者， 拋光襯墊100及釋出線105藉由結合PSA薄膜1〇3至CMP襯 墊材料101之黏著劑層115而形成。 如上所述，黏著劑115係一熱固性黏著劑，且因此CMP 拋光概墊100之層合作用需包括黏著劑層之加熱。如隨後將 10 述及的，黏著劑115之加熱係藉由加熱CMP拋光襯墊1〇〇之 部分及最接近熱固性黏著劑之釋出線10 5而發生——亦即 藉由加熱釋出線105。為了加速該黏著劑的加熱，較佳者一 板不被置放於釋出線105之上。 第6C-6E圖顯示本發明層合方法之一另一實施例，其中 15 第6C圖係一積層610之側視圖，其係由第6A圖之層600、第 6B圖之CMP襯墊材料101及一板601所形成，第6D圖係在層 合期間第6C圖之積層之截面側視圖，且第6E圖係與該板分 開之層合CMP襯墊之側視圖。 板601被設置以改良CMP襯墊100之層合，使其具有一 20 與CMP襯墊100之大小及材料相類似的大小及材料。各部份 被層合，特別地層600及CMP襯墊材料101被置於板6〇1之頂 面，CMP襯墊材料601及板601在平面尺寸上係同一大小。 較佳地，板601具有一自1/16至1/4吋之厚度，具有一大約等 於或優於CMP襯墊材料101之平整性耐受度，典型係低於 15 200533466 3/100 吋。 板601係平整的，在一預定的平整财受度内，且支樓 CMP襯墊材料ιοί之前表面1〇7。或者板6〇1突出於CMp襯墊 材料101的邊緣之外高達CMP襯墊材料之範圍的大約 5 10%。板601之材料具有一相似於CMP襯墊材料1〇1之組 成，例如板601可為一熱塑性或熱固性材料，如前述有關板 301及303之選用。 準備CMP襯墊1〇〇之層合時，積層61〇係藉由將CMP襯 墊材料101置於板601上而形成，然後層600被平放於CMP 10 襯墊材料之頂面。然後如第6D圖所示在層合期間介於夾滾 輪621及623間之積層的側視圖，層合且製備積層61〇，及在 第3E圖中之與板601分開之經層合CMP襯墊100的側視圖。 然後，積層610，其具有一 X之厚度，在夾滚輪621及623之 間被逐漸引導，其具有一大約是該厚度X之70%至95%之間 I5 隙Y。夾滾輪621為一經加熱的滾輪，其在層合期間加熱黏 著劑115，使用此領域習知之技術。夾滾輪621及623轉動以 同時饋入積層610，加熱並因此活化黏著劑115、壓抵及層 合該積層。經層合之後，板601被移除，留下CMP拋光襯墊 100及釋出線105。 20 藉由在層合期間使用一支撐板於一CMP襯墊之一或雙 側，其中該板具有與CMP襯墊相似的材料性質，CMP襯墊 可以許多方式保護。由於不造成CMP拋光襯墊拋光表面與 層合滾輪之直接接觸，因此表面損壞及表面污染之風險被 最小化。並且，支撐板幫助分散在層合期間CMP襯墊上的 16 200533466 壓力，降低該襯墊之彎曲或捲曲，並在層合元件間提供一 較好的黏著劑接觸。特別地，板的使用補償了在厚度上或 者捲曲的不一致性，並在層合期間提供一更均勾的壓力分 佈。在層合期間一更均勻的壓力分佈會得到較佳的黏合、 5較少氣泡及皺摺，較平坦的層合及在減少在PSA及次襯墊 材料中其它的物理性損傷。

本發明因此提供一種用於層合CMP拋光襯墊之方法及 I置。上述貫施例係為例示本發明，並且非為限制本發明 之範圍至所述特定實施例。據此，本發明之一或多個實施 例已為說明及述敘，應可瞭解到其中可作出各種變化而不 脫離其精神及必要特徵。例如，該等板可彼此或者與〇^1> 襯墊材料或CMP次襯墊具有相同或不同的硬度，一頂及底 板可具有不同的大小，CMP襯墊可具有一不同於本文所述 之例示性實施例中所提供的結構。據此，本文之揭露内容 及說明對於本發明之範圍而言，係為例示性，但不為限制 性，該範圍記述於以下申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第1圖係一 CMP拋光襯墊之側視圖，其由一 cMP襯墊材 料及一 PSA薄膜所形成； 第2圖係一 CMP拋光襯墊之側視圖，其由_ cMp襯墊材 料、一CMP次襯墊及一PSA薄膜所形成； 第3A圖係一 CMP次襯墊及黏著劑層之側視圖，其包括 具有一釋出線及一用於黏附至一 CMP襯墊材料之黏著劑 層的PSA ; 17 200533466 第3B圖係一 CMP襯墊材料之側視圖； 第3C圖係一積層的側視圖，該積層包含第3A圖之CMP 次襯墊及黏著劑層、該第3B圖之CMP襯墊材料、一頂板及 一具一凹處之底板； 5 第3D圖係該第3C圖之積層在層合期間的截面圖； 第3 E圖係一其頂及底板被分開之層合c μ P襯墊的側視 圖； 第4圖係一第3C圖之4-4截面頂視圖，顯示CMP襯墊及 一板之範圍；

10 第5圖係一第3C圖之5-5截面圖，顯示用於層合之CMP 襯墊及一頂及底支撐板； 第6Α圖係一 PSA之側視圖，其具有一釋出線及一用於 黏附至一 CMP襯墊材料之黏著劑層； 第6Β圖係一CMP襯墊材料之側視圖； 15 第6C圖係一積層之側視圖，其由第6Α圖之PSA及釋出 線及黏著劑層、第6B圖之CMP襯墊材料及一底板所構成； 第6D圖係第6C圖之積層在層合期間的一截面側視 圖；及 第6E圖係經層合之CMP襯墊與頂及底板分開的一側視 20 圖。 【主要元件符號說明】 100 CMP抛光概塾 105 釋出線 101 CMP襯墊材料 107 前表面 103 PSA薄膜 111 背表面 18 200533466 113 黏著劑 300 層 115 黏著劑 301 板 200 CMP拋光襯墊 302 凹處 201 CMP襯墊材料 303 板 203 黏著劑 310 積層 205 CMP次襯墊 320 失滾輪 207 PSA薄膜 600 層 209 釋出線 601 板 211 前表面 610 積層 213 背表面 621 夾滾輪 217 第一黏著劑層 623 失滾輪 219 第二黏著劑層

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Claims (1)

1. 200533466 十、申請專利範圍： 1· 一種製造一CMP襯墊的方法，其包含有： 形成一積層，該積層包含有一板、一CMP襯墊材料 鄰接該板，及一背面，該背面在一鄰接該CMP襯墊材料 5 之一側的至少一部分具有一第一黏著劑以及在該CMP 襯墊材料之相反一側之至少一部分具有一包括一壓力 敏感黏著劑(PSA)及一釋出線之第二黏著劑，其中該板 及该CMP概墊之材料具有相似的組成物；以及 壓迫該積層以黏著該背面至該CMP襯墊材料及形 10 成一層合物，該層合物具有一包括該CMP襯墊材料之頂 側及一包括該PSA及釋出線之底側；以及 自5亥層合物分開該板。 2·如申請專利範圍第丨項之方法，其中該壓迫包括將該積 層饋入通過夾滾輪 15 3·如中請專利範圍第2項之方法，其中該夾滾輪具有一該 積層厚度之大約70%至大約95%的間隙。 4·如申請專利範圍第!項之方法，其中該板之材料及該 CMP襯墊材料係熱塑性物。 5·如申#專利範圍第4項之方法，其中該板之材料及該 20 CMP襯墊材料係彈性體。 6.如申請專利範圍第5項之方法，其中該體係模禱胺 曱酸乙酯。 申月專Μ範圍第5項之方法’ S中該彈性體係發泡胺 曱酸乙酯。 20 200533466 8·如申請專利範圍第1項之方法，其中該板之平面大小係 同等於或大於該CMP襯墊材料之平面大小。 9 ·如申明專利範圍第5項之方法’其中該板之平面大小係 大於δ亥CMP概塾材料之平面大小至少1 〇%。 5 10·如申請專利範圍第1項之方法，其中該板具有一約1716，， 至約1/4”之厚度且一低於約3/100”之厚度耐受度。 11 ·如申请專利範圍第1項之方法，其中該板具有一凹處於 10 其一面上，該凹處具有一同等或大於該CMP襯墊材料之 平面形狀之平面形狀，且具一該CMP襯墊材料 約50%至大約90%的深度。

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   12·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第〜 熱固性黏著劑，且其中條件包括加熱該背兩 化該第一黏著劑之溫度。 13·如申请專利範圍第12項之方法，其中該墨 積層饋入通過夾滾輪，其中該等夾滾輪之〜 月面側且被加熱。 14·如申請專利範圍第1項之方法，其中該第 PSA。 黏箸劑係一 至〜足以活 返包括將該 壓迫該第— 黏著劑係一 20 15·如申請專利範圍第14項之方法，其中該 月兩包括 CMP次襯墊在該第一黏著劑及該第二黏著劑 16·如申請專利範圍第14項之方法，其中該板係_〜 其中該積層更包含有一第二板鄰接該釋出緩， 更包含有自該層合物分開該第二板。 板， 法 17· 一種製造一CMP襯墊的方法，其包含有： 21 200533466 形成一積層，該積層包含有一第一板、一CMP襯墊 材料鄰接該板、一背面，該背面在一鄰接該CMP襯墊材 料之一側的至少一部分具有一包括一壓力敏感黏著劑 (PSA)之第一黏著劑以及在該CMP襯墊材料之相反一側 5 之至少一部分具有一包括一壓力敏感黏著劑（PSA)及一 釋出線之第二黏著劑，及一鄰接該釋出線之第二板，其 中該第一板之材料、該第二板之材料及該CMP襯墊之材 料具有相似的組成物，以及 壓迫該積層以黏著該背面至該CMP襯墊材料及形 10 成一層合物，該層合物具有一包括該CMP襯墊材料之頂 側及一包括該PSA及釋出線之底側；以及 自該層合物分開該第一板及第二板。 18 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中該壓迫包括將該 積層饋入通過夾滾輪。 15 19 ·如申請專利範圍第17項之方法，其中該夾滾輪具有— 該積層厚度之大約70%至大約95%的間隙。 20·如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一板之材料、 该弟一板之材料及該CMP概塾材料係為胺甲酸乙g旨。 21·如申請專利範圍第20項之方法，其中該胺曱酸乙g旨係 20 模鑄胺甲酸乙酯。 22.如申請專利範圍第20項之方法，其中該胺曱酸乙酿係 發泡胺甲酸乙S旨。 23·如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一板及第二 板之平面大小各同等於或大於該CMP襯墊材料之平面 22 200533466 大小。 24·如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一板及該第 二板之平面大小各係大於該CMP襯墊材料之平面大小 至少10%。 5 25·如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一板及該第 二板各具有一約1/16”至約1/4”之厚度且一低於約3/100，， 之厚度财受度。 H 26·如申請專利範圍第17項之方法，其中該第一板具有一 凹處於其一面上，該凹處具有一同等或大於該CMP襯墊 材料之平面形狀之平面形狀，且具一該CMP襯墊材料之 厚度大約50%至大約90%的深度。 27·如申請專利範圍第17項之方法，其中該背面包括一 CMP次襯墊在該第一黏著劑及該第二黏著劑之間。 28.如申請專利範圍第17項之方法，其中該板係一第一板， 其中該積層更包含有一第二板鄰接該釋出線，且該方法 • 更包含有自該層合物分開該第二板。 29 •一種支撐一層合物的裝置，該層合物包含一具有平面 ， 大]、之CMP概塾材料的(ϋΜΡ概塾，該裝置包含有： -^ 一板，其具有一相似於CMP襯墊材料之組成物且具 有同等於或大於該CMP襯墊材料平面大小的平面大小。 〇·如申請專利範圍第29項之裝置，其中該板及該CMP襯 塾材料係為胺甲酸乙酯。 L如申請專利範圍第30項之裝置，其中該板及該CMP襯 塾材料係為模鑄胺甲酸乙酯。 23 200533466 32. 如申請專利範圍第30項之裝置，其中該板及該CMP襯 墊材料係為發泡胺曱酸乙S旨。 33. 如申請專利範圍第29項之裝置，其中該板之平面大小 係大於該C Μ P襯墊材料之平面大小至少10 %。 5 34.如申請專利範圍第29項之裝置，其中該板具有一約 1/16"至約1/4"之厚度且一低於約3/100’’之厚度耐受度。 35.如申請專利範圍第29項之裝置，其中該板具有一凹處 於其一面上，該凹處具有一同等或大於該CMP襯墊材料 之平面形狀之平面形狀，且具一該CMP襯墊材料之厚度 10 大約50%至大約90%的深度。 24