TW200528938A

TW200528938A - Exposure device, exposure method and device manufacturing method

Info

Publication number: TW200528938A
Application number: TW094104797A
Authority: TW
Inventors: Hiroto Horikawa
Original assignee: Nikon Corp
Priority date: 2004-02-19
Filing date: 2005-02-18
Publication date: 2005-09-01
Also published as: SG132679A1; KR20060129387A; JPWO2005081293A1; HK1100791A1; CN1922715A; EP1717845A1; CN100524616C; JP2011082573A; JP5273163B2; EP1717845A4; JP4720743B2; WO2005081293A1

Description

2005¾¾& 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明涉及一種經由液體來對基板進行曝光的曝光裝置和曝光方法，本發明另涉及元件製造方法。本申請案對2004年2月19日所申請的特願 2004-42933號主張優先權，此處引用其内容。【先前技術】半導體元件或液晶顯示元件中使光罩上所形成的圖樣 ® (pattern)轉移至感光性基板上，藉由所謂微影術的方法來製造元件。該微影術過程中所使用的曝光裝置具有支持光罩用的光罩台以及支持基板用的基板台，光罩台和基板台逐次移動，使光罩的圖樣藉由投影光學系統而轉移至基板上。近年，為了對應至較元件的圖樣更高的高積體化，則期望投景々光學系統能有更高的解像度。投影光學系統的解像度使所使用的曝光波長變短且使投影光學系統的開口數變大。因此，曝光裝置中所使用的曝光波長每年都變短， • 投影光學系統的開口數亦增大。然後，現在主流的曝光波長雖然是KrF準分子(excimer)雷射的248 nm，但更短波長的ArF準分子(excimer)雷射的193 nm亦正在進行實用化。又，進行曝光時，焦點深度(D0F)與解像度同樣亦很重要。解像度R以及焦點深度分別以下式來表示。 R二ki · λ/ΝΑ ⑴ δ二土k2 · λ/ΝΑ2 …（2) 此處，λ是曝光波長，ΝΑ是投影光學系統的開口數， 7 20052^^ ki、k2是程序係數。藉由⑴式、（2)式，為了使解像度R提高，則曝光波長λ須變短，若開口數NA變大，則=然玎知焦點深度δ變成較狹窄。 '' 若焦點深度δ變成太狹窄，則對投影光學系統的像面而言要與基板表面相一致時較困難，曝光動作匹配會不足。因此，例如以下的專利文獻”所揭示的、液浸法中提出-種實際上使曝光波長變短且使焦點深度擴大的 • #法。該液浸法是在投影光學系統的下面和基板表面之間以水或有機溶媒的液體來填滿，以形成液浸區域。利用該 =中的曝光光束的波長成為空氣中的1/n(n是液體的折射率’通常在1.2至1.6之間）而使解像度向上，同時使焦擴大成大約n倍。本國際申請所指定的指定國(或所 =擇的選擇國）的_法令所許可的限制中，採用下記小冊中所揭示者以作為本說明書的一部份。【專利文獻1】國際公開第99/49504號【發明内容】

8 20〇52§» 法即使適用於雙台型曝光裝置時亦可良好地進行計測處理。為了達成上述的目的，本發明採用各實施形式所示的圖1至圖7中所對應的以下的構成。本發明的曝光裝置(Ε X)是一種經由液體(L q )來對基板 (ρ)進行曝光的曝光裝置，其其特徵為具備：可移動的^少 2個基板台(PST卜PST2) ’其保持著該基板(ρ); 一曝光站 (STE) ’其藉由光學系統(pl)和液體(LQ)來對該保持在其 -個基板台（PST1)上的基板(P)進行曝光；以及一計 (STA)’其對另-個基板台(PST2)或該基板台附2)上所保持著的基板(p)進行計測，該計測站(STA)中的夷板台(PST2)上或基板(P)上配置著液體⑽_ Η 行。疋裝置本發_元件Μ造方法之特徵是使用上述的曝光依據本發明，該曝光站中Η名 (濕狀態)下進彳博光處理，液翻液浸狀態使在配置著液體的祕態巾撕理2測處理，即處理時幾乎相同的條件下進行因此，可抑制計測誤差的發生而精度良好地進行曝光處理。 …卞脱果為基準本發明的曝光方法是一錄彡―丄進行曝光的曝光方法，其特彳^由液體⑽來對基板(ρ) 基板台(PST)上或基板(1>)上"置二’ έ亥計測站(STA)中在其 )配置者液體(LQ)的狀態下，對 9 20052¾ 該=台=τ)或該基板台（PST)上所保持著的 =十測’在與該計測站(STA)不同的曝光站(ste)中經學系統(PL)和液體(LQ)來對基板進行曝光。又’本發明的元件製造方法之特徵是使用上述的曝光方法。 ^依據本發明，該計卿巾騎制處理時，在成為配置著液體的濕狀態下’可在與該曝光站中進行曝光處理時 # 《乎相同的條件下進行該計測站中的計測處理。因此，可抑制計測誤差的發生，以其計測結果為基準而精度良好地進行曝光處理。又，本發明中不同形式的曝光裝置(Εχ)是一種經由液體(LQ)來對基板(ρ)進行曝光的曝光裝置，#具備：可移動的至少2個基板台(PST卜pST2)，其保持著該基板(ρ); 一曝光站(STE)，其藉由光學系統(pL)和液體(LQ)來對該保持在其中一個基板台（PST1)上的基板(P)進行曝光；一計測站 (STA)，其對另一個基板台(pST2)或該基板台(pST2)上所保鲁持著的基板(P)進行計測；第j液體供給裝置(1〇)，其供給液體至定位於該曝光站（STE)上的基板台（pST1)所保持著的基板(P)上；以及第2液體供給裝置(3〇)，其供給液體(Lq) 至定位於該計測站（STA)上的基板台（PST2)或至該基板台 (PST2)上所保持著的基板(p)上。發明的效果依據本發明，曝光站中可在濕狀態下進行曝光，由於可在與該曝光時幾乎同樣的濕狀態下在計測站中進行計

2005WM /則則以。玄什測結果為基準可精度良好地進行曝光處理。 +為毒本發明之上述和其他目的、特徵和優點能更明顯易憧，下文特舉較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。【實施方式】以下將參照圖面來說明本發明的曝光裝置。圖1係繪示本發明的曝光裝置的一實施形式的概略構成圖。圖1中，曝光裝置EX是一種可移動之2個搭載著基板台的雙台型曝光裝置，其將各基板p保持著，其共用的基部BP上具備各自可獨立移動的第1基板台psti和第2 基板台PST2。又，該雙台型曝光裝置Εχ具備：曝光站 STE’其藉由投影光學系統PL和液體Lq來對第1基板台 PST1(或第2基板台PST2)上所保持的基板p進行曝光；以及計測站STA，其對第2基板台PST2(或第1基板台PST1) 或該基板台PST2(PST1)上所保持的基板p進行計測。藉由第1基板台PST1和第2基板台PST2的移動，則 # 在曝光站STE和計測站STA之間可交換第1基板台psT1 和第2基板台PST2。又，在該計測站STA中對該基板台 PST1 (PST2)進行基板P的搬入(l〇ad)和搬出（uni〇ad)。即，計測站STA中可進行基板P的交換。然後，在對該曝光站 STE上所配置的一個基板台PST1 (PST2)上的基板p進行曝光時，對該計測站STA上所配置的另一個基板台psT2 (PST1)或該基板台上的基板P進行計測。然後，保持著該什測站STA上已完成计測處理的基板p的該基板台psT2 52雛 (PST1)移動至該曝光站STE。然後，在該曝光站STE中對該基板台PST2 (PST1)上的基板P進行曝光。另一方面，保持著該曝光站STE上已完成曝光處理的基板p的該基板

台PST1 (PST2)移動至該計測站STA。已移動至計測站STA 中的已完成曝光處理之基板P由基板台pST1 (pST2)所卸載(unload)。然後，新的基板(未曝光基板)p載入(1〇ad)至基

板d PST1 (PST2)上以進行計測。又，包含該曝光站sTE 和計測站STA之曝光裝置Εχ全體的動作是藉由控制裝置 =〇ΝΤ來作整體控制。因此，該控制裝置c〇NT在構造上是連接至曝光裝置EX的各種測定裝置(例如，χγ干涉計 51 Ζ干涉计58，焦點·位準檢出系統7〇，載重感測器 64Α〜64C)或驅動系統(例如，光罩台驅動裝置，基板台ς 動裝置，Ζ傾斜台52)等，可在這些裝置之間傳送各種測定結果或各種驅動指令。在曝光站STE中設有：光罩台MST，其支 M;照明光學系統IL，其以曝光光束EL對該光單台MST 上所支持的光罩Μ進行照明；以及投影光學系統(pL)，其所照明的光罩M的圖樣的像投影至基板台 PST1 (PST2)上所支持的基板？上且進行曝光。本實施形式的曝光裝置EX使曝光波長實質上變短而使解像度提高，同時為了使焦點深度實質上可擴^本；置EX亦為一種適用於液浸法中的液浸曝先裝置。在曝光站STE中設有：» 1液體供給機構10，宜供給液體叫至基板p;以及第1;夜 =回 12 20052娜收基板P上的液體Lq。該曝光裝置Εχ在使至少該光罩Μ 的圖樣的像轉移至基板P上時，藉由第1液體供給機構10 所供給的液體LQ使(局部的)液浸區域AR2形投影光學系統此的投影區域AR1的基板p上的一= i二1體山：Y曝光裝㈣採用該投影光學系紐的像面側―而柏光學元件2和其像面側上所配置的基板p表面之間已填滿液體LQ時的局部液浸方置EX藉由投影亦學条紐me 交曝尤衣抑旦二级和基板？之間的液體LQ以及

“又衫光予糸統PL且藉由使光罩M EL照射至基板P上，佶氺罢w h 尤尤束進行曝光。使先η的圖樣投影至基板P上且立構站STA中亦設有：第2液體供給機構30，收:二ϊ二液體供給機構10相同;以及第2液體回 /、冓成大致與第1液體回收機構20相同。本貫㈣式中是以使用一種掃描型曝作為曝光裝置EX為例來作說明、光二基板P在掃描方向中互相不同之方向(反方向 =在以^ 鮮M上已形成的關在基板p上曝 17 ’ 彡光學系統pL的光軸AX二 Γ和方向，垂直於以方向的平面内以光罩 (掃描方向)作為X軸，以垂直上及Γ Γ轉(傾斜)方向分職方向。又’此處所稱的，，基板，，是指半導體晶圓 2005^9^ 基板上投;::3性材料之光阻之物件’，，光罩，，則含有照明/風系1“勺兀件圖樣形成後的標線(reticule)。

上所支持4罩M 來^該光罩台MST 種可變視野先園耸，、、該知、明光學系統IL具有一光透鏡，中繼/ 1、 “將該曝光用光源，光學整合器，聚 Μ上的昭明區:二透f系統，曝光光束EL所造成的光罩而來的曝光光束rt狹聚光透鏡對由光學整合器 I ^ 進仃+光，光學整合器使由曝光用光域藉由該照明光化。光罩河上所設定的照明區 ^ , ρτ + ^ —子系、、先IL而以照度分佈已均一化的曝光進行照明。例如，可使用由水銀燈所射出的紫 Μ" ^線線、h線、丨線)以及KrF準分子雷射光(波 2 麵)等的遂紫外光(DUV光)或ArF準分子雷射光(波、193醜)以及F2雷射光(波長157 nm)等的真空紫外光 (νγν光)作為由照明光學i統il所射出的曝絲束仙。本實施形式中使用ArF準分子雷射光。光罩台MST是一種支持光罩μ用的物件，其可在垂直於投影光學系統PL的光軸Αχ的平面内（即，χγ平面内）作2維(dimension)或2次元移動以及可在θζ方向中作 tH'M# MST #由線性馬達的鮮台驅動裝置來驅動。光罩台驅動裝置由控制裝置c〇NT來控制。光罩台MST上設有移動鏡5〇。又，與該移動鏡5〇相面對的位置上設有由雷射干涉計所構成的XY干涉計51。光罩台 MST上的光罩Μ的2維方向的位置以及回轉角是藉由χγ 14 2005 二计51卩即時㈣time)方式來計測。計測結果輸出至 ^工制裝置CONT。該控制褒置c〇NT連接至χγ干涉計 =光罩台鶴裝置，依據灯干料51的計測結果來

疋光罩台驅動裝置受驅動時支持在該光罩台MST上的光罩Μ的位置。 J 查絲系統凡是―種使光__樣以所定的倍 ;'技〜至基板p上且進行曝光的系統，其以多個光學元 ^構成，這些光學元件包含基板P側(投影光學系統PL的，=則)的終端部上所設置的光學元件(透鏡)2且支持在鏡同上。本貫施形式中，投影光學系統PI^是一種投影件 2 縮小1/4 · 1/5的系統。又，投影光學系統PL ‘ 可為專倍率系統或擴大系統中的任一種。又，本實施形式的投影光學系統孔的前端部的光學元件(透鏡)2對該鏡筒 PK而言設計成可拆卸（更換），光學元件2中可接觸液浸區域AR2的液體Lq。九本只知开V式中，液體LQ中係使用純水。純水不只可透過ArF準刀子雷射光，例如亦可透過由水銀燈所射出的紫外區的輝度線(g線、h線、i線)以及KrF準分子雷射光(波長248 nm)等的遠紫外光(DUV光）。又:本貫施形式中’適合使用液浸曝光用的純水的投影光學系統的開口數設定成i以上(1〇〜12程度）。光子元件2以螢石形成。螢石表面或付有、 A12〇3、Si〇2等的表面由於與水的親和性較高，則光學元件 2的液體接觸面2A的幾乎整面上都可密佈著液體lq。 15 2005^§^〇即，本貫施形式中，由於可供給一種與光學元件2的液體接觸面2A的親和性較高的液體(水)Lq，則光學元件2的液體接觸面2A和液體Lq的密合性較高，光學元件2和基板、P之間的光路可確實地填滿液體LQ。又，光學元件亦可為一種與水的親合性較高的石英。又，光學元件2的液體接觸面2A上亦可施加親水(親液)性處理，使與液體 LQ的親和性更高。以下’就保持著基板p且可移動的基板台pST (pST卜 PST2)來說明。此處，由於第1基板台pST1和第2基板台 PST2具有相同的構成，則較適合將第i基板台和第 2基板台PST2總稱為，，基板台psT，，來作說明。基板〇 PST可保持著基板p而移動且具備：z傾斜台 52,其藉由基板支件PH而保持著基板P;以及XY台53，其支持著Ζ傾斜台52〇XY台53(基板台PST)可在基部Βρ 上移動，且至少可在該曝光站STE和該計測站sta之間移動。基板台PST藉由線性馬達等的基板台驅動裝置來驅動。基板台驅動裝置由控制裝置C0NT來控制。藉由z傾斜台52的驅動，則可控似傾斜台52上所保持^的基板 p的z軸方向中的位置（焦點位置）以及θχ、θγ方向中的位置。又，藉由驅動ΧΥ台53，則可控制基板ρ的χγ方向中的位置(與投影光學系統PL的像面實質上相平行的方向的位置）以及θζ：^向中的位置。,ζ傾斜台52控制基板 Ρ的焦點位置以及傾斜角，以自動聚焦的方式和自動測位 16 2005柳簋準的方式使基板P的表面可與投影光學系統PL的像面相一致，XY台53進行基板p的χγ平面内的位置決定(χ、 Υ、ΘΖ方向）。又，Ζ傾斜台52和ΧΥ台53當然亦設計成一體。基板台PST(Z傾斜台52)上設有ΧΥ移動鏡55。又， XY移動鏡55相面對的位置上設有由雷射干射計所構成的 XY干涉計56。基板台PST(進一步而言是指基板？)的2次元方向的位置以及回轉角（與X、Y及ΘΖ方向有關的位置資§ίΙ)藉由ΧΥ干涉計56以即時方式來計測，該計測结果輸出至控制裝置CONT。該控制裝置C0Nt連接至χγ°干涉計56和基板台驅動裝置。依據χγ干涉計％的計測結果，藉由驅動基板台驅動裝置以決定該保持著基板ρ的基板台PST的位置。 & 可計測基板台PST的XY方向的位置以及回轉角的 XY干涉計56分別設在曝光站STE和該計測站STA。因此，曝光站STE中所設的XY干涉計56可進行該曝光站 • STE中所配置的基板台PST1 (PST2)的位置計測ϋ測站 STA中所設的ΧΥ干涉計56可進行該計測站sta中所配置的基板台PST2(PST1)的位置計測。又’基板台PST 1的Z傾斜台52的側面上設有z移動鏡57。與Z移動鏡57相面對的位置上設有z干涉計％。 Z干涉計58分別設在曝光站STE和該計測站STA中。z 干涉計58可計測基板台PST的位置，具體而言是計測z 傾斜台52的Z軸方向的位置。 17 20052雜 c 曝光站STE和計測站δΤΑ分別設有作為面檢出系統用的焦點·位準檢出系統70，其用來檢出基板台PST上所保持著的基板P的表面的位置資訊。焦點·位準檢出系統 7〇具備：投光部70A，其使由傾斜方向而來的檢出光照射至基板P上；以及受光部70B，其接收由基板p所反射的檢出光(反射光）。又，例如，可使用特開平8_37149號公

報中已揭示的構成作為焦點·位準檢出系統7〇的構成。焦點·位準檢出系統70的檢出結果輸出至該控制裝置c〇NT 中。該控制裝置CONT依據焦點·位準檢出系統7〇的檢出結果可檢出基板P的Z軸方向的位置資訊以及基板p的 θχ和θυ方向的傾斜資訊。該控制裝置c〇NT連接至焦點二位準檢出系統70和z傾斜台52，依據焦點·位準檢出系統70的檢出結果來驅動z傾斜台52，藉由z傾斜台 52上所保持著的基板P的z軸方向中的位置（焦點位置）以及俑斜角，以自動聚焦之方式和自動測位準的方式使基板 p和由投影絲系統PL及液體LQ所形成的像面相一致。么圖2係基板台PST(PST卜pST2)的擴大之斷面圖。基板口 PST之Z傾斜台52上設有凹部60，基板支件PH配置在凹部60上。然後，Z傾斜台52中凹部60以外的上面 =成為:種與基板支件PH上所保持著的基板p的表面大 j相同回度（同一面）的平坦面（平坦部）。基板p的周圍由於有y與基板ρ表面大約成同一面的上面6卜則基板卩的你、彖區域E即使在進行液浸曝光時，投影光學系統的面側仍可保持著液體Lq，以良好地形成該液浸區域 20052&9¾ AR2。又’基板p的邊緣部 61之間雖然存在著Q1 W的周圍所,又的上面 LQ的表面張力可使其的間隙’但藉由液體美板p的1成千不會有液體LQ流入。即使在土板的周、、彖近方進行曝光光學系統PL的下方保持著液體^上面61仍可使純後’液體⑽可圓::二二乙烯等的61上等等。又’例如可塗佈聚四氟化料^二ί脂材料或丙烯系樹脂材料等的防液性材 ^或占付者由該防液性材料所構成的薄膜，以作為上面61 =1Γ時的防液處理。χ，可使用—種對液體⑷為 /合午的材料以作為進行防液性時用的防液性材料。心=支件PH：f〇Z傾斜台52中該凹部60的底面62之夕，感測器64 (64A〜64C)。本實施形式中， .1測益64設有3個，其例如以以負載單元構成。載重感測裔64A〜64C藉由基板支件pH來計測基板p上所施加的力。載重感測$ 64的計測結果輸出至控制裝置 CONT。該控制裝置C0NT連接至載重感測器 64A 〜64C。依據載重感測ϋ 64A〜64C的輪出可求得基板p上所施加的力和該力的分佈。又’載重感測器亦可設在z傾斜台W 的下方，以計測該Z傾斜台52上所施加的力。藉由上述方式，則可以載重感測器來計測例如z傾斜台52的上面 61上所施加的力。又，載重感測器64A〜64c未設在基板 20052^mc 支件PH的下面時亦可只設在z傾斜台52的下方。回到圖1，第1液體供給機構10將液體LQ供給至投影光學系統PL和基板P之間且具備：液體供給裝置n，其具有加壓泵和收容液體lq用的槽(Tank)等等；以及供給管13，其一端部連接至該液體供給裝置u，另一端部連接至一供給喷嘴14。該供給喷嘴Μ具有一種靠近基板p 而配置的供給口 12，以便由基板p的上方供給液體乙卩。鲁由液體供給裝置11所送出的經由供給管13和供給喷嘴的供給口 12而供給至基板P上的液體LQ填滿該投影光學系統PL的前端部的光學元件2和基板p之間的空間以形成液浸區域AR2。第1液體回收機構20可回收基板p上的液體lq且具備··液體回收裝置21，其包含真空泵等的真空系統，氣液分離器以及收容該已回收的液體LQ用的槽等等；以及回收管23 ’其一端部連接至液體回收裝置21，另一端部連接至回收喷嘴24。該回收喷嘴24具有一種靠近基板p而配 • 置的回收口 22,以便回收基板P上的液體LQ。藉由驅動該液體回收裝置21的真空系統，則基板p上的液體以^可經由回收噴嘴24的回收口 22和回收管23而被吸引回收至該液體回收裝置21中。在基板P上形成液體LQ的液浸區域AR2時，該控制裝置CONT驅動第1液體供給機構10的第丨液體供給裝置11，經由供給管13和供給噴嘴14的供給口 12每單位時間對基板P供給一定量的液體lq，同時驅動第丨液體 2005¾^ 回收機構20的第i液體回收裝置21，經由回收管^和收喷嘴24的回收口 22每單位時間由基板p上回收一定旦的液體LQ。因此，投影光學系統PL的前端部的光學元^ 和基板P之_空間中配置著液體LQ而形成液浸區域某板對準系統82，其用來檢出基板P㈣準敎或z簡纟52 ±所設的基準

PFM(後述）。又，曝光站STE的光罩台麟的有^ 其可藉由光罩⑽投影光學系統 :用Si 4 =基/標記MFM(後述)。又’例如亦可 K _示的構成以作為基板對 ίΐίΓ 可使㈣㈣7_176468號公報及其 == 專利5,64_中已記載的構成以峨所選擇的、s摆：構成。在本國際申請中所指定的國家(或内法令所許可的限制中，可使用上述 Α報或關專利中已揭示者作為本說明書的一部份。在該計測站STA中設有一種光學構件83，盆系統PL的前端部的光學元件2的液體接學構件83H其同士的液體接觸面83A。本實施形式中，光 Γ 板對準纽82的光料統的-部份且設置成面對该基板台PST上的基板P。 _1在該計測站STA中設有：第2㈣供給機構％， j液體LQ供給至光學構件83和基板p之間；以液體回收機構40,其回收基板p上的 20052¾¾ 第2液體供給機構30和第2液體回收機構40具有一種與該曝光站STE中所設置的第1液體供給機構10和第1液體回收機構20幾乎相同的構成。即，第2液體供給機構 30具有：液體供給裝置31，其具有加壓泵和收容液體LQ 所用的槽(Tank)等等；以及供給管33，其一端部連接至該液體供給裝置3卜另一端部連接至一供給喷嘴34。該供給喷嘴34具有一種靠近基板P而配置的供給口 32，以便由基板P的上方供給液體LQ。由液體供給裝置11所送出的經由供給管33和供給喷嘴34的供給口 32而供給至基板P 上的液體LQ填滿該光學構件83和基板P之間的空間以形成液浸區域AR2’。第2液體回收機構40可回收基板P上的液體LQ且具備：液體回收裝置41，其包含真空泵等的真空系統，氣液分離器以及收容該已回收的液體LQ用的槽等等；以及回收管43，其一端部連接至液體回收裝置41，另一端部連接至回收喷嘴44。該回收喷嘴44具有一種靠近基板P而配置的回收口 42，以便回收基板P上的液體LQ。藉由驅動該液體回收裝置41的真空系統，則基板P上的液體LQ可經由回收喷嘴44的回收口 42和回收管43而被吸引回收至該液體回收裝置41中。光學構件83(液體接觸面83A)的大小和形狀設計成與投影光學系統PL的光學元件(液體接觸面2A)大約相同。又，液體接觸面83A的表面狀態和液體接觸面2A的表面狀態亦設計成大約相同。具體而言，液體接觸面83A對液 22 20052¾¾ 體LQ的親和性(接觸角）大約與液體接觸面2A對液體LQ 的親和性(接觸角）相同。又，基板台PST上的基板p表面（或上面61)和液體接觸面2A的距離（走路距離，waiking distance)設計成大約與基板台PST上的基板p表面（或上面 61)和液體接觸面83A的距離相同。因此，該控制裝置CONT可在曝光站STE中所形成的液浸區域AR2以及計測佔STA中所形成的液浸區*AR2, 大約相同的狀態下形成。因此，曝光站STE中將液體^(^ 帶至基板P(或基板台PST)上的力大約與計測站STA中將液體LQ帶至基板p(或基板台PST)上的力相同。此處’將液體LQ帶至基板p上的力例如可為液體Lq 的自重，液體LQ的壓力，基板p與液體接觸面2a、83a 之間在液體LQ填滿時的狀態下基板p移動時該液體施加至基板P上的剪力等等。又，本實施形式中，雖然光學構件83構成基板對準系統82的-部份’但亦可獨立於基韻準純82而設置， • 此時只有光學構件83以所定的支持構件來支持著。又，光學構件83村不具備光透過性。總之，具有一種與投影光學系統PL的前端部的光學元件2的液體接觸面2a相同的液體接觸面的所定的構件若設在該計測站s τ A中亦可。此時，光學構件83和該所定的構件具有一種與曝光站§τΕ 中的投影光學系統PL的光學元件(液體接觸面2a)相同的液體接觸面，騎_ STA帽形朗液浸輯ar 成-種與該曝光站STE巾所形成㈣浸區域趟大 23 20052¾¾¾. 同的狀態’以作為創造出同一環境用的虛構件。另一方面，使用該液體LQ保持用的光學構件83以作板對準系統82的光學系統的一部份時，則可在形成液度區域AR2’的狀態下進行一種對準用的計測。、，又，雙台型曝光裝置的具體的構成例如已記載在特開平UM63〇99號公報，特開平製14783號公報以及相對應的美國專利6, 400, 441號和美國專利6, 262, 7%號中。在本國際申請中所指定的國家(或所選擇的選擇國）的國内法令所許可的限制中，可使用上述公報或美國專利中已揭示者作為本說明書的一部份。圖3是由基板台PST(PST卜PST2)上方所看到的平面圖。圖3中，移動鏡55配置在平面矩形狀的基板台丁的互相垂直的2個邊緣部上。又，基板台PST上有一基準構件3⑻配置在基板p的外側的所定位置上。該基準構件·中藉由基板對準系統 82所檢出的基準標記PFM以及藉由光罩對準系統84所檢 •出的基準標記MFM以所定的位置關係而設置著。該基準構件3GG的上面3G1A大致成為平坦面且設計成與基板台 pst上所保持的基板p表面以及基板台psT的上面大約相同的高度（同-面）。該基準構件3〇〇的上面3〇ia亦可達成-種作為焦點·位準檢出系統7()的基準面的功能。又’基板對準系統82可檢出基板p上所形成的對準標記1。如圖3所示，基板p上形成多個短路區域si〜s24, 對準標記1對應於多個短路區域S1〜S24而在基板p上設 24 20052雛置複數個。又，圖3中雖然各短路區域如圖所示互相鄰接著，但實際上互相隔開。對準標記1設在該離間區域所在的刻線(scribe line)上。

又，基板台PST上在基板P的外側的所在位置上例如配置著特開昭57-117238號公報以及對應的美國專利4, 465, 368號中已揭示的照度不均感測器4〇〇以作為計測用感測器。該照度不均感測器400具備平面矩形狀的上板 401。上板401的上面401A大約成為一種平坦面且設計成大約與基板台PST上所保持的基板p表面以及基板台psT 的上面61成相同的高度（同一面）。上板4〇1的上面4〇ia 設有可通過光線的銷孔部470。上面401A中除了銷孔部 470以外都以鉻等的遮光性材料來覆蓋。在本國際申請中所指定的國家(或所選擇的選擇國）的國内法令所許可的限制中’可錢上14公報或制專利巾6揭示者作為本書的一部份。 t极口 W上在基0❸卜側的所在位置上例如配置著特開雇_测5號公報以及對應的美國專利j 1377號中已揭示的空間像計測感測器漏以作為計測用感測器。該空間像計測感狀 =广上板501的上面如a大約成為== a又计成大約與基板台PST上一面且台PST的上面61成相同的高=的，表面以及基板 501A設有可通過光線的狹縫^ 面)。上板5〇1的上面縫部470以外都以鉻等的遮光性材料來覆面蓋= 25

2005WM

半η-…然未圖但基板台PST上例如亦可設有特開 16唬公報以及對應的美國公報2002/0061469號 =的照射域測^(照度感·)，該照射量感測器上面設計成A約與基板台PST上所觸的基板P

國Ί:ϊ台!s:的上面61成相同的高度(同-面)。在本 :%所指定的國家(或所選擇的選擇國）的國内法令查^可的限制中’可使用上述公報中已揭示者作為本說明 #的一部份。 …、基準構件300以及上板4(Π、501等對該基板台而言成為可拆卸。在基準構件3〇〇或上板4〇1、5〇1 的防^劣化時，可更換新的基準構件·，上板4()卜501。其次，就使用上述的曝光裝置EX使光罩Μ的圖樣在土板Ρ上曝光時的順序，參照圖4的流程圖來說明。二首先，曝光處理前的基板ρ搬入至計測站STA中。該十貝]站STA中配置著第2基板台pST2。該控制裝置c〇NT 使用未圖示的搬送系統將該曝光處理前的基板p搬入(l〇ad) 至计測站STA的第2基板台PST2。已搬入的基板p保持在第2基板台PST2上的基板支件pH上。另一方面，曝光站STE中配置著第！基板台pST1，其保持著計測站

STA 中已完成計測處理的基板p。 [濕狀悲中的Z位置的檢出（計測站)] 26 20053驅控制裝置CONT在該計測站STA中使保持的第2基板台PST2中有相關的計測處理開始進行。該控制裝置CONT移動該基板台pST使光學構件们準構件300相面對。然後，該控制裝置c〇NT使用;^ 站STA的第2液體供給機構3〇和第2液體回收機構牝^ 以進行液體LQ的供給和回收。計測站STA上所配板台pst上的基準構件，與光學構件83之間配置ς 體LQ以形成液浸區域ARr。然後，該控制裝置 -方面調整Z傾斜台52的位置(z方向的位置)， ΘΧ、θY)，且另-方面使用該焦點.位準檢出系統7〇，、藉由液體LQ來檢出帛2基板台psT2上的基準構件_ ^ 表面（上面)3〇1A的z幸由方向中有相關的位置資訊(步驟 SA1) 〇與此同時’該控制裝置C0NT使用z干涉計58 出-種與Z傾斜台52的Z軸方向有關的位置資訊。因此，由Z干涉計58所規定的座標系統内的基準構件300的表面(基準面)3〇1A的位置資訊藉由z干涉計％來計測，且體而吕，基準構件300的表面(基準面)3〇1A的位置與隹點.位準檢出系、統70的聚焦位置相一致時，此時盘第基板台PST2(Z傾斜台52)的z軸方向有關的位置z。藉由z 干涉計58來計測。與位置心有關的資訊記憶置CONT中。利表其-人，控制裝置CONT在該計測站STA中使第2基板台PST2上所保持著的基板p與光學構件83相面對，藉 27 2〇〇52^c 因此可導出z傾斜台52(進一步而言是位置z〇)與基板面的位置關係。換言之，藉由z干涉計％來計測所規定的座標糸統内的基板P表面的位置資气。其次，該控制裝置C〇NT依據上述已檢出的基板P表面的多個檢出點的位置資訊來作成對應資料。以該對料為基準而求得基板P表面的近似平面(近似表面因此、，邊控制裝置CONT可求得Z傾斜台52(位置z〇)作為基準的基板P表面的近似平面（步驟SA3)。 [濕狀悲中的XY位置的檢出（計測站)] 其次，控制裝置CONT移動該基板纟PST，以便在芙準構件300上決定基板對準系、統82的檢出區域的位置。^ 體而言，該控制裝置CONT移動該基板台PST，使基板對準系統82的光學構件83與基準構件3〇〇相面對。铁後，該控制裝置CONT藉由第2液體供給機構3〇和第^液體回收機構40以進行液體Lq的供給和回收，且在基準構件 300上形成液體LQ的液浸區域AR2,。在光學構件幻的 • 液體接觸面83A及基準構件300的表面301A都與液體^卩相接觸時的狀態下，該控制裝置c〇NT使用基板對準系統 82藉由該液體LQ來計測基準構件3〇〇上的基準標記 PFM。基板對準系統82對該基準標記PFM進行計測時的基板台PST的位置是藉由χγ干涉計56來計測而得。因此，控制裝置CONT可藉由XY干涉計56來求得所規定的座^系統内的基準標記PFM的位置資訊(步驟sa4)。其次，該控制裝置CONT使用該計測站STA的第2 29 20052893^ 由第2液體供給機構3〇和第2液體回收機構40以進行液體LQ的供給和回收，且在基板p上形成液體lq的液浸區域AR2’。然後，該控制裝置c〇NT使用該計測站STA 中所設置的焦點·位準檢出系統70，藉由液體LQ以檢出第2基板台PST2上所保持的基板P表面的多個檢出點的 Z軸方向中有相關的位置資訊(步驟δΑ2)。例如，該控制裝置CONT —方面監視XY干涉計56 _ 的輸出且一方面移動第2基板台PST2的XY台53，使用該焦點·位準檢出系統70藉由液體Lq以檢出基板p表面的面内（XY平面内）的多個點之與z方向有關的位置資訊。具體而言，由該焦點·位準檢出系統7〇的投光部7〇A 所射出的檢出光一方面移動第2基板台PST2的XY台53, 使基板P表面的多個位置受到照射，另一方面驅動z傾斜台52,以調整該乙傾斜台52的位置(z方向的位置），姿勢 (傾斜ΘΧ、ΘΥ)，且檢出基板p表面的多個點的z位置資訊。由焦點·位準檢出系統7〇而來的位置資訊檢出結果對應於 • 基板Ρ(第2基板台PST2)的ΧΥ平面内的位置而記憶在該，制裝置CONT中。又，由該焦點·位準檢出系統7〇而來的位置資成的檢出亦可在基板Ρ上的全部的短路區域S1 〜S24的每一個區域之中進行，亦可只對應於一路區域來進行。 ^處，空制裝置C0NT使用該焦點·位準檢出系統士，由液體LQ以檢出基板Ρ表面的多個檢出點的位置資汛％’使用Ζ干涉計58來計測Ζ傾斜台52的ζ位置資訊。 28 2005邛· =體供給機構3G和第2液體时機構4G以進行液體LQ 其和回收，使液體Lq配置在計測站STA上所配置的二^ P上或基板台阶上而形成液浸區域AR2,。然後， =制I置CONT在χγ方向中移動該基板台pST，付隨 :土板p上的夕個短路區域S1〜S24而設置的多個對準標 ^ pi人配置在基板對準系、統82的檢出區域上。該控制裝 AR2,的二，將液體LQ配置在基板P上以形成液浸區域祕耸/悲T ’藉由基板對準系統82 液體LQ而依 ‘二Z上的多個對準標記1進行計測。此時該液浸區二83龄LQ亦可接觸該基板對準系統82的光學構構件觸面Μ’該基板對準系統82在使該光學 1針準;)接觸面83A與液體LQ相接觸的狀態下對

St Ϊ行計測。基板對準系統82在計測該對準標圮1日守的基板台PST的位置是藉由χγ干視。 c〇NT可，χγ干涉計56來求二規、又二：、，的各對準標記1的位置資訊(步驟SA5)。 / 土反對準系統82在由ΧΥ干涉計56所翔定的应標系統内具有一種檢出基準位置，哕、' 訊被檢出以料其與檢出基準位置的；^“1的位置資

靜止又二气統82中，使基板台PST 藉由攝影元件在蚊的攝影 ^^射至以上’ 進行攝影，採肖FIA (心旦:對所㈣的標記的圖像處理來計_標記的位置。’7感·對準)方式以藉由圖像 2005¾¾ 因此，本實施形式中例如藉由特開昭6M44 =揭示的所謂EGA (触說ed Gk)bal Alignment)方$ ==區域S1〜S24的位置資訊。因此，該控制裝置一土板p上所形成的多個短路區域S1〜S24中指 =三個區域(EGA短路區域)，使用基板對準系統82來檢 ^紐，域中所付隨的對準標記〗。在本㈣中請中所 :疋的國家(或所選擇的選擇國）_内法令所許可的限 ’ J使用上述公報中已揭示者作為本_㈣一部份。庀1 土板對準系統82亦可檢出基板P上的全部的對準標該=裝置CONT依據對準標記1的位置資訊的檢出异處理(EGA處理)來求得基板p上的多個短路£域S1〜S24的各別的位置資訊(步驟SA6)。 γ^1〇Α方式中’使用基板對準系統82以檢出EGA短路 “所付隨的對準標記j的位置資訊(座標位置)之後，出ΪΪ設計值為基準’藉由最小二乘法等來進行統以、疋一種與基板ρ上的短路區域S1〜S24的配列特性(位置資訊)有關的誤差參數(偏移，尺度，回轉，直交度）。然後’以已決定的參數的值為基準，對該基板p上的 =的短路區域S1〜S24修正其設計上的座標值。藉此來決疋该基板對準系統82和基板台pst上所載置的基板P 上的各短路區域之間的位置關係。即， :由=射干涉計56的輸出來得知基板？上的各短路區域 k基板對準系統82的檢出基準位置是定位在哪一個位 2005獅.§c 置上

人此處，如圖1所示，計測站STA的基板對準系統82 的^出區域和焦點·位準檢出系統7G的檢出區域設計成大、、’勺相同或相接近。然後，液浸區域AR2,中可由基板對準系，82的檢出光和焦點·位準檢出系、统70白勺檢出光此二種同時照射。總之，計測站sta的基板對準系統區域和焦點·位準檢出系統7〇的檢出區域此二者都設在液浸區域AR2,的内側。因此，控制裝置c〇NT ^勺^同4進行基板對準系統82中的計測和焦點·位準檢的計測。具體而言，可同時進行上述的步驟 ςΔ ^ Α4。或亦可同時進行上述的步驟SA2和步驟 SA5。因此，計測處理時間可縮短。之德又^丁/」固對準標記1的位置資訊的檢出(步驟SA5) 板p的面二^基板P的面資訊的檢出（步驟SA2)，或基 = 出和對準標記1的位置資訊 SA4、SA5)H進:在進行該標，ΧΥ位置的檢出(步驟上述各步驟的順序可τ任意=Γ。物SA1、SA2)。即，置資準標記麗的位的位置資訊，多個對準標記1 和基板P上的對準伊、 '求侍该基準標記P F Μ 的EGA處理，以求的位置關係。又，藉由步驟SA6 的位置關係。因此^固對準標記1和短路區域S1〜S24 技制震置CONT以所求得的基準標記 32

20052^¾ 7和基板p上的多個對準標記！的位置關係為基準，可各別地求得基準標記PFM和基板p上的多個短路區域^ pill 係。又’如上所述’由於已知該基準標記即:鱗標記職是叫㈣位朗絲設計，則該 j衣置CQNT可分職定χγ平面㈣基準標記ΜρΜ 和基板p上的多個短路區域S1〜S24的位置關係。如上所述的計測站STA中的計測處理(步驟sai〜步驟SA6)終了時的第2基板台阶2移動至曝光站聊。又，基板台pst由計測站STA移動至曝光站ste之前，該控制裝置CONT使用第2液體回收機構4〇以回收基板p上或基板口 PST上的液體LQ。另一方面，該曝光站STE上所配置的第1基板台PST1移動至計測站sta中。此處，在曝光站STE巾，對該計測站STA中的第2基板台順2 的計測處理是與對第！基板台則上所保持的基板p的曝光處理一起進行。然後，保持著曝光處理結束時的基板p所用的第1基板台PST1移動至計卿STA巾。[移動至制站STA中的第1基板台PST1上的基板P被搬出（unl〇ad)。缺後，麻進行新的曝光處理的基板P搬人(bad)至計測站STA的^ 1基板台psti，以進行上述的計測處理。 [濕狀態中的XY位置的檢出（曝光站)] -方面，對於由計測站STA而移動至曝光站 STE中的第2基板台PST2 言，該控制裝置CqNT使用光罩對準系統84來進行計測處理。該控制装i c〇NT藉由光罩 33

2005WM

對準系統84來檢出基準構件300上的基準標記ΜρΜ，即，在XY方向中移動基板纟PST，使投影光學系統pL的前端部的光學元件2和基準構件300相面對。然後，該〆制裝置CONT使用曝光站STE的第1液體供給機構第 1液體回收機構20，以進行液體LQ的供給和回收，使投影光學系統PL的光學元件2和基準構件3〇〇之間填滿^ 體LQ以形成液浸區域AR2。然後，該控制裝置（^〇^1使用光罩對準系統84以藉由光罩μ，投影光學l 以及液體LQ來進行基準標記MFM的檢出（步驟sA7)。即，該控制裝置CONT藉由投影光學系統孔以及液體LQ來檢出光罩Μ上的標記和基準標記MFM的位置關係。因此’藉由投影光學系統PL以及液體LQ，可計測 XY平面内的光罩Μ的位置(即，光罩M的圖樣的投影位置資訊)和基準標記MFM的位置關係。又不貝她形式的光罩對準系統84中，採用VRA (Visua卜Reticule . Alignment)方式，使光照射至桿呓，料攝㈣標記_像㈣進行圖像處理以

然後，以使用該基板對準系統82所計腦和基板P上的各短路區域一的位置關说’使用该光罩對準純84所計測的光罩M ==基狗的位置關係的資訊，以及: 記顧的位置關係的資訊等以上各資訊為基準，= 34 20052^¾ 裝置CONT可使基板P上的各短路區域S1〜S24和介於投影光學系統PL以及液體LQ之間的光罩μ的圖樣的像的投影位置相一致。 [濕狀態中的Ζ位置的檢出（曝光站)] 又，該控制裝置CONT移動基板台pst，使投影光學糸統PL的光學元件2和基板Ρ相面對之後，藉由第1液體供給機構10和第1液體回收機構20以進行液體lq的供給和回收，以便在基板Ρ上形成液體LQ的液浸區域 ’ AR2。然後’该控制裝置CONT使用曝光站STE上所設的焦點·位準檢出系統70藉由液體LQ來檢出第2基板台ρ；§τ2 上的基板Ρ表面的1個檢出點或檢出較該計測站Sta所檢出的檢出點還少的數目的檢出點的Ζ位置資訊(步驟SA8)。又’该控制裝置CONT使用焦點·位準檢出系統7〇以檢出基板P表面的檢出點的位置資訊時，使用Z干涉計 58以計測Z傾斜台52的Z位置資訊。藉由ζ干涉計58 馨以檢出Z傾斜台52的Z軸方向的位置(對位置&的位置）。基板P表面的近似平面由於是在步驟SA3中求得，則該控制裝置CONT在該曝光站STE中藉由基板p表面的1個（或多個）檢出點中的Z位置資訊以及χγ平面内的位置資訊，以該檢出結果為基準’可導出以該曝光站STE中的ζ傾斜台52(位置Z〇)為基準的基板P表面的近似平面。又，该控制瓜置CONT移動第2基板台psT2，在投影光學糸統PL的光學元件2和基準構件扣〇之間填滿液 35 200528931 體lq的狀態下，以焦點·位準檢出系統70來檢出基準構件300的表面（基準面)3〇ia，以計測該藉由投影光學系統 PL和液體LQ所形成的像面和基準構件3〇〇的表面3〇1 a 的關係(步驟SA9)。此處，焦點·位準檢出系統70在等待狀態中可藉由投影光學系統PL來檢出一種經由液體LQ所形成的像面和被檢面的位置關係(偏移）。因此，焦點·位準檢出系統7〇在濕狀態時藉由檢出基準構件300的表面301A，以位置z〇作為基準’可求得一種藉由投影光學系統PL和液體lq所形成的像面和基板P表面的位置關係。又’為了對一種藉由投影光學系統PL和液體Lq所形成的像面進行計測，則亦可使用空間像計測感測器500。此時，該控制裝置CONT使投影光學系統PL的光學元件 2和空間像計測感測器500的上板501的上面（基準面）501A相面對，光學元件2和上面501A之間以液體LQ 填滿以形成液浸區域AR2。在此種狀態下，控制裝置c〇NT 藉由投影光學系統PL和液體LQ使曝光光束EL照射至空間像計測感測器500，另一方面則在Z軸方向中移動Z傾斜台52,使用空間像計測感測器500以檢出最優良的成像面。然後’最優良的成像面檢出時的Z傾斜台52的位置以Z干涉計58來計測，則可求得藉由以位置ZG作為基準的投影光學系統PL和液體LQ所形成的像面的位置。因此’以該像面的位置為基準可求得一種藉由投影光學系統 PL和液體LQ所形成的像面和基板p表面的位置關係。 36 20052^¾^

又，该控制裝置CONT在進行基板p的曝光之前在例如投影光學系統PL的光學元件2和照度不均感測器4〇〇的上板401的上面401A之間填滿液體LQ的狀態下，經由知、明光學糸統IL而射出該曝光光束el，藉由投影光學系統PL和液體LQ，則經由照度不均感測器4〇〇可檢出該投影區域AR1内的曝光光束EL的照度分佈。該控制裝置 CONT在照度不均感測器400的上面401A上形成液體LQ 的液浸區域時的狀態下，在曝光光束EL所照射的照射區域（投影區域）内的多個位置上依序移動照度不均感測哭 400的銷孔部470。該控制裝置C0NT以照度不均感測;； 400的檢出結果為基準，適當地修正該曝光光束EL的照度分佈，使投影光學系統PL的投影區域AR1内的曝光^^ EL的照度分佈成為所期望的狀態。同樣，該控制裝置 CONT使用上述的照射量感測器以計測該曝光光束ei^的照度，且以該計測結果為基準以進行適宜的修正。 [濕狀態中的對準和曝光(曝光站)] 若以上的计測處理結束時，該控制裝置為了名基板p上的各短路區域S1〜S24曝光’則藉由第丨液體名給機構10和第1液體回收機構20 —方面進行液體LQ合供給和回收，且另一方面移動該基板台PST，使投影光与系統PL的下㈣液浸_ AR2向基板p场動。 „曰300的基板台pST的上面61和該基板p的表语於分別是在幾乎相同的高度處，則在液體LQ保持在驾投影光學㈣PL的下树陳態T，可使該基板台ΡδβΊ 37 20052&m 在_XY方向中移動。然後’使壯述計嘴理中所求得的各貝afl ’對基板ρ上的各短路區域S1〜S24 (步驟 SA10)。

、然後，在對各別的短路區域S1〜S24崎描曝光中，，基準標記PFM和各短路區域S1〜S24的位置關係的資訊’以及以使用基準標記MFM所求得的光罩㈣圖樣的像的投影位置資訊為基準，使基板p上的各短路區域^ 〜S24和光罩Μ的位置相一致。又’在對各別的短路區域S1〜S24的掃描曝光中，以計測站STA所求得的以位置z〇為基準的基準構件3〇〇的表面（基準面）301A和基板p表面的位置關係的資訊，以及光站STE所求得的基準構件3〇〇的表面3〇1A和藉由，影光學系統PL以及液體Lq所形成的像面的位置關係的資訊為基準，未使用該曝光站STE的焦點·位準檢出系統， -方面調整(補正)該基板P和藉由投影光學系統p L以及液體LQ所形成的像面之間的位置關係，且另一方面進行曝光。總之，在液浸掃描曝光時，以步驟SA8、SA9中所得到的與基板P表面的近似表面有關的資訊，以及與基準構件300的表面（基準面)3〇iA的z位置有關的資訊為基準來驅動Z傾斜台52，使介於投影光學系統pL以及液體之間的像面和基板P表面（曝光面）成為一致。因此，在基板P的姿勢(Ζ、θχ以及ΘΥ)已適當調整的狀態下，對各二路區域S1〜S24可進行液浸曝光。又，在步驟SA2中對各基板p上的全部的短路區域S1〜S24檢出位置資訊時，每 38 個短路區域都可得到-種與基準構件3GG的表面301A之間的z方向的位置有關的關係。對此而言，步驟SA2中基板^上的-部份的短路區域中只有z方向的位置資訊被檢出時、，若=所得到的近似表面（以X、Y、Z座標來表示) 為基準，藉由演算等以求得各短路區域所對應的ΧΥ平面内的位置中的ζ方向的位置資訊，則這樣亦可行。 /又，掃描曝光中亦可使用曝光站STE的焦點·位準檢 Φ 出系統以檢出基板p表面的面資訊(χγ平面内的ζ位置資讯）’用來確認基板P表面和由液體LQ所形成的像面之間的位置關係的調整結果。又，在上述實施形式中，基板p表面和由液體所形成的像面之間的位置關係的調整雖然是藉由使保持基板 P所用的Z傾斜台52受到驅動來進行，但亦可使構成光罩 Μ或投影光學系統PL所用的多個透鏡的一部份受到驅動，使像面與基板ρ表面相一致。對第2基板台PST2上的基板Ρ之液浸曝光處理結束 φ 之後，該控制裝置CONT使曝光站STE的第2基板台P^r2 移動至該計測站STA。與此同時進行的是使仍^持°著計測站STA中計測處理已結束的基板Ρ的第1基板台psTi移動至曝光站STE。該控制裝置CONT使用未圖示的搬送系統，使移動至計測站STA中的第2基板台PST2上仍保持著的曝光處理已完成的基板P被搬出。

如以上的說明所述，雙台型曝光裝置Εχ的曝光站STE 39 2005^89Mc 液體lq 十測站STA錢行計測處理。在中進行’、“在基板P上或基板台PST上所形成的濕狀態行’可與液浸曝光處理時幾乎相同的條件來進果為美°因此，可抑制計測誤差的發生，以該計測結果為基準可精度良好地進行曝光處理。由訂：液體LQ配置在基板ρ上或基板台pst上時，藉的屋力或自重’將力作用在基板P上或基板時，楊土則5亥基板？或基板台PST都可能稍微變形。此 P(或美板°2置液體LQ的非液浸狀態(乾狀態)中的基板板==:= 面以及濕狀態中進行時的實際基板P的面位置會發生互相不同的情況。 =，藉由液體LQ的折射率，則經由液體㈧來計的面資訊時的檢出光的光路以及未經由液體來相時的檢出光的光路會發生互相不同的情況。在發生兄時’若以乾狀態時的計測結果為基準來調整基板 ’關如要使基板p表面與#由郷光學系統 PL和液體LQ所形成的像面成為相—致時是困難的。 =而’計測站STA中是在濕狀態中進行計測，以其計測、，、。果為基準’對該曝光站STE上該基板ρ在渴狀能中進打曝光時的基板P的面位置作調整(補正)時，可將該叶測 20052^9^ 站STA中的計測結果反映至曝光站STE上的曝光中，基板P的面位置於是可配置在所期望的位置上。

又，本實施形式中，在計測站STA中形成該液浸區域 AR2’時’由於使投影光學系統PL的光學元件2的液體接觸面2A成為幾乎與液體接觸面83A相同，以接觸該液體 LQ，則曝光站STE上所形成的液浸區域AR2的狀態和計測站STA中所形成的液浸區域AR2，的狀態幾乎可^為相同。因此，可使計測站STA中的計測精度增加。人，不κ施形式中的曝光裝置Εχ是一種雙台型曝裝置’在該計測站S Τ Α中藉由預先計測基板ρ的面位置訊’則在曝光站STE巾以該計戦果絲準可效率良好地進行基板P表面以及介於投影光料統pL和液體間的像面的位置關係的調整。乂 < =’在本實削彡式巾，以辑咖st 置資訊為基準，以預先求得基板心二 t ^传的結果為基準，為了使基板p表面以及介= 技影光子糸統PL和液體Lq之間的像面相一致义向饋送(feed forward)控制來驅動z傾 2 /、則 = 成份)，亦可：又例如，以曝光站STE中所执置的焦點.位準檢出系統70的檢出，士果Α其進氣所认由投影光學系統PL和液體LQ所;成的像、可= 200528¾ f，相—致’則在以回饋(feedback)控制方式來驅動z傾斜 zm構成中’須對應於回饋系統的反應頻率等，使驅動箱杏卡〇 U日守的反應性(追從性)發生一種極限。然而，以 f 得的基板p的近似平面為基準，以前向饋送(feed 驅動z傾斜台52時，™應性。叫木[動Z傾斜台52。

又，掃描曝光中使用該曝光站STE的隹 =出基板P表面的面資訊，掃描曝二:= 2更加人至計_ STA巾已預先求得的基板P的近似平位署關ί可驅動z傾斜台5 2來調整基板p表面和像面的。總之’亦可制上述的前向饋送控制和回饋控

制0 I 82雖U貫施形t式中’該計測站似的基板對準系統 …、、疋在濕狀態中對基板P上的對準標記丨和基準構 300的基準標記PFM進行計測，但亦可在乾狀態中進行桿記的計測。亦可藉此來求得基板p和基準標記位置關係。 1仪然而，在上述的實施形式中，以計測站STA的焦點· 位準檢出系統7〇的制絲為基準，軸在曝光站ste 上對該基板P曝光時的基板P表面的位置進行補正，但亦可以載重感心64的制結果為基準賴曝光站ste上的基板P的面位置進行補正。因此，如上所述，載重感測态64A〜64C设在基板P保持用的基板支件pH的下方，可經由該基板支件PH來計测該液體LQ施加至基板p上 42 20052^4§oc ^力。然後’考慮該載重感測器64的計測，P的面位置進行補正’則該控制裝置CONT ί ;===视和液體LQ所形成的像面與二總之，在上述的實施形式中，以計測站STA在渴狀能中對基板P的面位置進行計測以導出基板P的近似平面了以曝光站STE來檢出基板P表面的1個檢出點的Z位置資訊，以導出錄置Zg作為基準的基板近似平面: 此時a，若該計測站STA中所形成的液浸區域AR2,的液體 LQ施加至基板p上的力以及曝光站ste巾所形成的液浸區域AR2的液體LQ施加至基板p上的力相等，則可良好地進订④投影S學系統PL和液體LQ所形成的像面與基板 P表面的位置的一致性。然而，若該計測站STA中所形成的液浸區域AR2,的液體LQ施加至基板p上的力以及曝光站STE中所形成的液浸區域AR2的液體施加至基板p 上的力不相等時，則會發生計測上的誤差。、，例如’起因於液體供給機構或液體回收機構的性能的偏差’此時計測站STA中所形成的液浸區域AR2，的液體 LQ的置（重量）以及曝光站STE中所形成的液浸區域AR2 的液體LQ的量（重量）可能會發生互相不同的情況。例如，若計測站STA中所形成的液浸區域AR2,的液體LQ的量 (重量)是A時，則基板p的表面形狀會成為圖5的線L1 所不的形狀。另一方面，若曝光站STE中所形成的液浸區域AR2的液體LQ的量（重量)是A+(X時，則基板P的表面 43 20052顯。c 形狀會成為圖5的線L2所示的形狀。因此，基板p ::::變量以對應於液體LQ的重量之方式而幾乎成：此T以。十測站sta中所求得的基板p的近似平面中基準1若對該曝光站STE中的基板p表面的位置進订補’此時由於曝光站STE中的基板p的實際面形狀是線L2的形狀，則欲使基板p表面成為與由投影光子糸、、先PL和液體Lq所形成的像面相一致時會有困難。 =’該控制裝置c〇NT以载重感測器64的計測結果為基準’骑該曝光站STE中的基板P的面位置進行補正0 _具體而言’該控制裝置CONT在計測站STA中藉由第2液體供給機構3〇和第2液體回收機構4〇使液體卬配置在基板p上的狀態下’使用載重感測器64a〜⑽以計測該液體LQ施加至基板p上的力。又，該控制裝置 CONT使職點.位準檢出系統％來計測此時的基板p 的表面形狀。又’該控制裝置C0NT對應於載重感測器64a 〜64C所計測的加重資訊(加重分佈資訊)以及使用焦點· 位準檢出系統70所計測的形狀資訊以進行記憶。其-人，忒控制裝置CONT使保持著計測站STA中已計測的基板p的基板台pst移動至曝光站STE。然後，該控制裝置CONT在曝光站STE中藉由第丨液體供給機構 10和第1液體回收機構20使液體LQ配置在基板p上的狀恶下’使用載重感測器64A〜64C以計測該液體Lq施 44 加呈基板p上的力。又，該控制裝置C0NT使用焦點·位準檢出系統70以計測此時的基板p的丨個檢出點的z位置資訊。計測站STA中使用載重感測器64A〜64C所計測的結果是A，使用此時的焦點·位準檢出系統7 〇所計測的基板 P的表面形狀是線L1且曝光站STE中使用載重感測器64a ~64C所汁測的結果是Α+α時，則該控制裝置可推定該曝光站STE中配置著液體Lq後的狀態中該基板？的表面形狀是線L2的形狀。因此，該控制裝置c〇NT以載重感測器64A〜64C的計測結果為基準，可對使用隹點· 位準檢出系統70所求得的基板p的近似平面進行補'正。然後，該控制裝置C0NT決定該線u所在的基板p 表=介於投影光學系統此以及液體⑷之間的像面成為 Ή所用的Z傾斜台52的與驅動量有關的補正量。此處，由曝光站STE中的載重感測器64的計測 ^f=p的近似平面進行補正’職板ρ或保持該基板^用的基板支件ΡΗ的與剛性有關的資訊等是广亥岡^生有關的資訊等例如可藉由實驗或模擬而預先求 ;不二:旦由基板支件町所保持的基板Ρ上分別配置此時二=的液體?時該載重感測器6 4的計測結果以及量）’即，、由檢出系、統70的計測結果(基板的變形接，#4 j J X付基板P或基板支件PH的剛性。然 μ空制裝置CONT記憶著一種與該剛性有關的資訊， 45 20052_l j以曝光站STE中的載重感測器64的計測結果和該計測 STA中所$出的基板p的近似平面為基準，可導出該曝光站STE中的基板P的近似平面。

因此，在該計測站STA中在液體lq酉己置在基板p上的^態下’以該焦點·位準檢出系統7〇的計測結果為基準 2得基板p的近似平面，同時簡錢㈣64來計測，的液體LQ施加至基板Pji的力，以求得—種與基板有關的第1面的資訊所在的線L1。其次，在曝光站STE ，液體LQ配置在基板p上的狀態下，以載重感測器64 “計測該液體LQ施加至基板p上的力，以該計測為基準， :求出第2面的貧訊所在的線u。然後，以線li和線L2 為基準’以決定該曝光站STE中該基板p的面位置補正時，用的Z傾斜台52的驅動量的補正量。因此，即使在該。十測站STA中的液浸區域AR2，的狀態（重量）與曝光站 STE中驗浸區域趣的㈣（重量)成為互糾目同之情況下’該控制裝置CONT仍可使由投影光學系統pL以及液體LQ所形成的像面與基板p表面相一致。、又，本貫施形式中在基板P的一部份上(局部性地)形成液體LQ的液浸區域AR2。即使藉由該液浸區域繼在基板P上所形成的位置，基板p的表面形狀仍會各別地發生不同的狀況。總之，圖6(a)模式圖中，如符號AR2a所不，在液浸區域AR2形成在基板p(或基板台pST)的一 χ 側上時，如圖6(b)的線La所示，例如，基板p的一 χ側的區域中可能發生顯著的變形。又，線La以模式的方式 46 20052難 c 顯示基板P的表面形狀（變形量）。又，如圖6⑻的符號 AR2b、AR2c所示的位置上在形成該液浸區域AR2時，如圖6(b)的線Lb、Lc所示，在該液浸區域AR2的位置所對應的基板P的位置上有可能發生顯著的變形。因此，伴隨著基板P(或基板台PST)的移動，液體Lq 的液浸區域的位置如符號AR2a、AR2b、AR2c所示而移動’對應於基板P的面方向的液浸區域的位置，該基板p • 或基板台PST的表面形狀（變形量）有可能發生變化。此時，由於藉由液浸區域AR2(AR2，)的液體LQ以計測該基板p上的較小的區域的z位置時所用的構成，則該焦點· 位準k出糸統70在計測該基板p全體的廣域的⑻此叫變形(廣域的表面形狀)時會有困難。因此，該控制裝置C〇NT 以多個位置中所設置的載重感測器64A〜64c的計測結果為基準，可求付基板p全體的廣域的(gl〇bai)變形(表面形狀）。載重感測器64A〜64C由於設在多個位置(3個位置），則可計測該液體LQ配置完成後的狀態中的基板p的多個鲁位置(3個位置）的各別相關的加重。伴隨著液浸區域的位置的移動，則多個載重感測器64A〜64C的各別的輸出會變化。該控制裝置CONT以使用焦點·位準檢出系統7〇所求出的與近似平面有關的資訊以及載重感測器64A〜64C 的計測結果為基準，則可進行所定的演算處理以求得一種包含基板支件PH的基板P的變形量，進而求得基板p全體的廣域的(global)變形（表面形狀）。此處，以載重感測器 64的計測結果為基準在求得基板p的廣域的表面形狀時， 47 20052&9s31 例如可考慮基板支件PH或基板p的剛性等以求得。又，本實施形式中，雖然載重感測器64A〜64c設在基板支件PH的下面和z傾斜台52的底面62之間，但載重感測器（計測器）的配置位置不限於此。例如，在一種液次曝光方法中，光學元件2和基板P (基板支件pH)之間亦

可配置一種可透過玻璃平板等的曝光光束的構件，液體LQ 供給至該玻璃平板和基板p之間以形成液浸區域ar2，該玻璃平板側亦可配置載重感測器之類的計測器。然後，使用該計測器（載重感測器）以計測該基板p上所施加的力。此時，即使在計測站STA巾，基板對準系、統（第1標記檢出系統)和基板P(基板支件PH)之間亦可配置一種與曝光 = 的玻璃平板等效的構件’更可配置載重感測器等的 δ測益。錢，在將較的賴供給至該等效構件(玻璃平板)和基板Ρ之_形成液浸區域AR2的狀態下，使用該 ^測器(載重制昨X求得基板P上所施加的力。又，本式中’即使在液浸狀態時進行曝光處理前的計測處亦可在成為液浸狀態那樣的構成中在與曝光處理時 3=3件下進行計測處理。然、而，藉由基板P上的和保慮基板p的溫度變化的情況時，則基板p 玄基板P所用的基板支件PH存在二該計齡理或曝光處_，由形成液浸件ΡΗ成域―開始且經由駭的時間至基板Μ基板支成，女定之後’亦可進行該計測處理或曝光處理。。十測站STA中的計測對象不限於本實施形式中 48 20052_oc 與基SPST上所配置的基準構件或基板p的位關的貢nfl並無直接關係的資訊亦可内藏在I板台或以可拆卸的方式安裝而成的感測ϋ等來制。例如，亦可對-種與液體LQ的溫度或污染度有_資訊進行計測0 如上所述，本實施形式中的液體LQ由純水所構成。 j、Jc可在半‘體製造工廠巾容^地大量得到，同時具有不二對基板P上的級或光學元件(透鏡)等造成不良影響的 I點。i ’純水對環境不會有不良的影響，同時由於不純星極低’亦可期待基板p的表面和投景多光學系統pl 面上所設的絲元件的表面有被洗淨的作用。又，工场等所供給的純水的純度低時，冑光裝置亦可具純水製造器。然後，純水(水)對波長是193nm大小的曝光光束£1^ =斤射率η大喊144，在使用—準分子雷射光(波長 % 一nm)作為曝光光束EL的光源時，基板p上可得到波長變短成1/n (大約134 nm)的高解像度。而且，焦點深度在與空氣中比較時由於擴大成大約η倍(即，大約L44倍），若亦可確保_種與空氣中使㈣相同程度的焦點深度時，貝J更可使技衫光學系統pL的開口數增加，即使在此點亦可使解像度增高。又’如上所述使用液浸法時，投影光學系統的開口數 ΝΑ成為,0.9〜1.3。這樣在投影光學系統的開口數ΝΑ變大時，先刖作為曝光光束用的散亂(random)偏光光束由於亦 49 2〇〇52^&c $因為偏光效果而使成像性能惡化，則使用—種偏光昭明 =吾人所期望者。此時’進行光罩(標線)的線(line).及. 二間圖樣(space pattern)的一種與線圖樣的長度方向相一致的直線偏光照明，由光罩(標線)的圖樣亦可使沿著 $ (TE偏光成份）’即’沿著線圖樣的長度方向的偏光向成份的繞射紐出量變多。投影光學系統p L和基板p 表面上所塗佈的光阻之間纽液體填滿時，在與投表面上所塗佈的光阻之間在以空氣(氣體) 2時的料減較τ，由树齡對比度向上的s偏光（TE偏光成份）的繞射光的光阻表面上的透過 =貝j即使在投影光學系統的開口數na超過[ο時仍 :到高的成像性能。又’相位偏移光罩或特開平6]咖 :=中所揭示的與線圖樣的長度方向相一致的斜入射照 =(特別是雙極(dipole)照明法)若適當地相組合，則會更二：:在本國際申請中所指定的國家(或所選擇的指：法令所許可的關巾，可❹上述公報巾已揭示者作為本說明書的一部份。 ^例如以A㈣分子雷射光作為曝光光束，使用1/4 縮小倍率的投影光學系統pL，使微細的線.及空 =，如，25〜5〇譲程度的線.及.空間）在基板p 光時’藉由光罩M的構造(例如，圖樣的微一 5 :、旱度）由波導(Wave guide)效果使光罩M作用成〜二在f對比度低下的？偏光成份(TM偏光成份^ ，輅蚪，S偏光成份(TE偏光成份)的繞射光會更多地 50 2〇〇52§m 由光罩M射出。此時，雖然較佳是使用上述的直線偏光照明，但亦可使用散亂的偏光光束來對光罩Μ進行昭明，即使在投影光學系統PL的開口數ΝΑ成為〇·9〜13…時，仍 I得到高的解像性能。又，光罩河上的極微細的線·及. 空間圖樣在基板Ρ上曝光時，藉由線格栅(Wire 效果可使P偏光成份(TM偏光成份)成為較8偏光成份(τΕ偏光成份)還大，然而’例如以ArF準分子雷射光作為曝光光束士使用I/4大小的縮小倍率的投影光學系統PL，使較Μ舰還大的線.及.空間圖樣在基板ρ上曝光時，由於亦可使 s偏光成份(ΤΕ偏光成份)的繞射光較ρ偏光成份)的繞減更多地由光罩Μ射出，則即使在(卿^ 系統PL的開口數ΝΑ成為〇.9〜13日夺，仍可得“ 像性能。又，不只是光罩(標線)的線圖樣的與長度方向相一致的直線偏絲明(s偏光照明），而且如特開平6_5312八報中所揭示者，料_巾,叫_接線()方向;^ 線偏先用的偏錢明㈣及斜人射照縣軌合效果。特別是n罩(縣)的圖樣麵定的 :的==丄:在不同方向中延伸的線圖樣混合 h ’就像制千6·5312〇號公報中所揭示的—# 光軸為中心的圓的接線方向中直線偏光^ 及輪帶照日删㈣，物繼彡林純PL的.數^ 變大^仍可得到高的成像性能。在本，的國家(或所選擇的指定國则内法令所許可疋 51 2005¾^ 可使用巧公報巾已揭示者作為本說明書的一部份。乂本實施形式中，光學元件2安裝在投影光學系統的則端。猎由透鏡可進行該投影光學系統PL的光 =如，像差（球面像差，慧星(coma)像差）等的調整。又，，投影光㈣統PL的光學躲的難㈣光學板投影光學系統PL的_所安裝的光學元件。或亦可可透過該曝光光束EL的平行平面板。

又，藉由液體LQ的流動所生成的位於投影光學 PL的前端的光學元件和基板p之間的壓力變大時，由於該光學7L件不能更換，财可藉_壓力使該絲元件堅地固定不動。又，本實施形式中，雖然投影光學系統PL和基板P 表面之間以填滿液體LQ的方式而構成，但例如亦可在基板p的^面上安裝著由平行平面板所構成的覆蓋(⑽er)玻璃的狀悲下以填滿液體LQ的方式而構成。又，本實施形式的液體雖然是水，但亦可使用水以外的液體，例如，曝光光束EL的光源是5雷射時，由於戎F2雷射光不能透過水，則作為液體乙口用時亦可使用一種可透過F2雷射光的過氟化聚醚(pFpE)或氟素系油等的氟素系流體。此時，與液體LQ接觸的部份中例如以含有氟素的極性的小分子構造的物質來形成薄膜以進行親液化處理。又，作為液體Lq用時亦可使用其它只對曝光光束EL具有透過性的折射率高且對投影光學系統pL或基板 p表面所塗佈的光阻具有安定性的(例如）雪松(cedar)油。在 52 2〇〇52883Sc 此種情況下表面處理可對應於所使用的液體lq的極進行。、又不/、可使用半導體元件製造用的半導體晶圓作為 ^述各貫施形式的基板p，亦可使用顯示元制的玻璃芙，或薄膜磁氣的喊晶圓，或曝光裝置㈣光罩或^ 各的原版(合成石英，石夕晶圓）等。〆除了可使用一種使光罩Μ和基板P同步移動以對該光 Μ的®樣進行掃描曝光所用的步級(step) ·及·掃描方 1的掃彳田型曝光裝置（掃描步驟）以作為曝光裝置Εχ之亦可使用種使光罩Μ和基板p在靜止狀態時使光罩 ^的圖樣-起曝光且使基板ρ依序以步級方式移動所用的 =、’及.及.重複(repeat)方式的投影曝光裝置(步級卜又，、八使基板Ρ上的至少2個圖樣之—部份被重複轉移。光與=ϋ圖樣和基板ρ幾乎在靜止狀態時，使用投影 ’1/8縮小倍料未含妓射元件的折射型 1圖樣的縮小像在基板卩上-起曝光時 2= if 適躲本發明。此時，更在其後在第 ^樣和基板P幾乎在靜錢料， = 第2圖樣的縮小像的—部份* 又〜先予糸統使 -減〃圖樣重疊而在基板P上 ^先：的針跡方式之總體曝光裝置亦適用於本發明。，在上述貫施形式中，雖然投影光學系統p 板之間採用一種局部地填滿液體 ς 著曝光對象的基板的台(S一液 53 20052^Ά 液體槽而該槽中保持著基板和痕光動作而+ 巾所用的液浸曝絲置的構造中=二!j如已揭示在特開平6-_號公報液浸曝光裝置而言=4=該槽中保持著基板的 f 5,S25, 043 ΤΤΕΪ

國)的_法令所許可的限制中’ 部^ 或美國專利中已揭示者作為本說明書的一 #與：二用上述液浸法的曝光裝置的構成雖然是在投影端光學構件的心_光路空間填滿液體(屯水)以對晶圓爾板Ρ)進行曝光，但亦可像國際公開弟2004船128號小冊中所揭示者—樣，使投影光學系統終端找構件的人射·光路”亦填驗體(純水）。在本國際申請中所指定的國家(或所選擇的選擇國）的國内，令所許可的限射，可使用上述小冊中已揭示者作為本說明書的一部份。在適用上述的液浸曝光裝置的情況下，若對應於各別的，成而可在計測站側設定-種與曝光站中的晶圓在曝光狀態時同樣的狀態，則這樣亦可行。曝光裝置ΕΧ的種類不限於使半導體元件圖樣在基板 Ρ上曝光時的半導體元件製造用的曝光裝置。液晶顯示元件製造用或顯示器製造用的曝光裝置或薄膜磁氣頭，攝影 54 20052¾¾ 孤元件(ccd)或標線或光罩等製造用的曝光裝置等亦地適用於本發明。、η廣泛基板台PST或光罩台MST中使用線性馬達(例如，过參照USP5, 623, 853或USP5,528, 1 18)時，使用空々5月的空氣浮上型和使用勞倫斯(Lawrance)力或電抗力^ ，浮上型的任一種型式都可適用於本發明。又，各台PST^ MST亦可為沿著導引件而移動的型式，未設有

導引的型式亦適用。件的無亦可使用各台PST、MST驅動用的平面馬達以作為各台PST、MST的驅動機構，其是使磁石配置成二維 (dimension)的磁石單元和使線圈配置成二維的電機子單元成為互相面對時藉由電磁力來進行驅動。此時，若磁石單 =和電機子單元中的任一個連接至各台PST、MST，磁石單凡和電機子單元的另一個設在各台PST、MST的側，則這樣亦可行。藉由基板台PST的移動所產生的反力亦可像特開平 1166475號公報及其相對應的美國專利5, 528, U8號中所 6己載的一樣，使用框架構件以機械方式使該反力傳送至大地而不是傳送至投影光學系統PL·。藉由光罩(標線）台MST的移動所產生的反力亦可像特開平8-330224號公報及其相對應的美國專利5, 874, 820 7虎中所記載的一樣，使用框架構件以機械方式使該反力傳送至大地而不是傳送至投影光學系統PL。在本國際申請中所指定的國家（或所選擇的選擇國）的國内法令所許可的限 55

52,觀 c =記報或美國專利中已揭示者作為本說明過型光罩，或❹—種相f圖樣.減光圖樣)的光透光反射型光罩，但亦可基板上較的反射圖樣 -種以庫眠㈣這些光罩。例如，亦可使用樣r祕為鲜㈣㈣«反射圖時所用的電子光罩(光學系統的一種） r=5=述的電子光罩例如已揭示在美國專利弟，778, 257號公報中。在本國際巾請 (或所選擇的選擇_國内法令所許可的限制中日，可使用上述吴國專财已揭示者作為本說明書的記載的一部份。 m:謂電子光罩在概念上包含非發光型圖像顯示元件和自發光型圖像顯示元件的雙方。又，例如，就像稱為2光束干涉曝光一樣，由多個光束的干涉所生成的干涉條紋亦可適用在一種在基板上進行曝光的曝光裝置中。此種曝光方法和曝光裝置例如已揭示在國際公開第01/35168號小冊中。在本國際申請中所指^ 的國豕（或所遥擇的選擇國）的國内法令所許可的限制中，可使用上述小冊中已揭示者作為本說明書的記載的一部份0 如上所述，本實施形式的曝光裝置Εχ以組合方式來製造本案申請專利範圍中所列舉的包含各構成元件^次 (sub)系統，以保持所定的機械精度，電性精度以及光學精 56 20052i§93Sc == 肅達成時所需二二各種;=: 組合過程包含各種次系統相互的連接，機械的 =配線連接以及氣麼回路的配管連接。由各種 :=成為曝光裝置的組合過程之前，亦可進行各次系 ίί φ組合過程。若各種次系統組合成曝光裝置的過程騎仃總合難，以確保各曝光裝置全體的各 =二曝光裝置的製造較佳是在溫度和潔淨度等受到 Β理的無塵室中進行。的播ί圖Ιΐ不’半導體元件等的微元件經由進行微元件來設計所用的步驟201 ’以該設計步驟為基準 =作先罩(標線)所用的步驟202’製造該元件的基材所在 ^板之步驟203 ’藉由上述實施形式的曝光裝置Εχ使，罩的圖樣在基板上曝光所用的基板處理步驟2〇4，元件 ^合步驟（包含切割過程’連結過程，封裝過程)205，檢杳 V驟206等製造而成。一 ^雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以疋本lx明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 =範圍内，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護鞑圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。【圖式簡單說明】圖1係繪示本發明的曝光裝置的一實施形式的概略構 57 20052娜 Sc 成圖。圖2係基板台的斷面圖。圖3係由基板台上方所看到的平面圖。圖4係本發明的曝光方法的一實施形式的流程圖。圖5係對應於基板上所配置的液體量來說明基板的表面狀態變化的情況時所用的模式圖。圖6係對應於液浸區域的位置來說明基板的表面狀態變化的情況時所用的模式圖。圖7係半導體元件的製造過程的一例的流程圖。【主要元件符號說明】 1 對準標記 2 光學元件 2A 液體接觸面 10 第1液體供給機構 20 第1液體回收機構 30 第2液體供給機構 40 第2液體回收機構 82 基板對準系統（第1標記檢出系統) 83 光學構件(虛擬構件） 83A 液體接觸面 84 光罩對準系統（第2標記檢出系統) 64(64A- i64C)載重感測器（計測器） 70 焦點·位準檢出系統（面檢出系統) AR1 投影區域 58 20052^3^ AR2、AR2’ 液浸區域 EX 曝光裝置 LQ 液體 MFM 基準標記 P 基板 PFM 基準標記 PL 投影光學系統

PST (PST1、PST2)基板台 S1〜S24 短路區域 STA 計測站 STE 曝光站

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Claims

20052i893^8>c 十、申請專利範圍： 1·一種曝光裝置，其經由液體來對基板進行曝光，其特徵為包括：、至少2個可移動的基板台，其保持著各基板，曝光站，其藉由光學系統和液體來對其中一個基板么上所保持的基板進行曝光，計測站，其對另一個基板台或該基板台上所保持的美板進行計測，以及土該計測站的計収在縣板纟上·或該基板上配置菩液體的狀態下進行。有 2.如申請專概㈣丨項所述曝光站的曝光中進行該計測站中的計測。 -中在3亥祕3山如申請專利範圍第1項所述之曝絲置，其中且備 =一測站上所計測的基板台上的基板在該: 資訊;=經$體來對該基板台上所保持的基板的面面位的計測結果為基準，對該曝光站的基板的和基板之間，以及〜4構’其使液體供給至該光學系統 4#測站具備··虛彳統的液體接觸面相等、、、雕，、/、有一種大約與光學系、的液體接觸面；以及第2液體供給機 20052§m 構，其使液體供給至該虛擬構件和基板之間。 5·如中請專利範㈣丨項所述之曝光裝置，1中該曝 t =:器，其用來對該液體施加至基板上的力或保持祕板所用的基板台上的力進行計測。十二tVf專利範圍*5項所述之曝光裝置，其中以該 t則杰的計測結果為基準來_曝光財的基板的面位置進行補正。

7.如申料利範圍第6項所叙曝光裝置，其中該計二-對已配置液體時的狀態的該基板的多個位置分別計算 =些位置上的力’該計測器具備—種控制裝置，其以該計测結果絲準以求㈣基㈣面資訊。 …8.如申請翻範圍第6項所述之曝絲置，其中在該、十測站中在基板上配置著液體的狀態下以計測器來進行計測，以求得一種與基板有關的第1面資訊， π在該曝光站中，在基板上配置著液體的狀態下以計測為來進行计測，以求得一種與基板有關的第2面資訊，以及以第1面資訊和第2面資訊為基準，以決定該曝光站中該基板的面位置補正時所需的補正量。 9·如申請專利範圍第1項所述之曝光裝置，其中在基板上的一部份上形成液體的液浸區域，以及求得一種與該基板的面方向中的液浸區域的位置相對應的基板的面資訊。 10·如申請專利範圍第丨項所述之曝光裝置，其中該計 2005^m 測站藉由液體來對該基板台上所保持的基板上的對準標記進行計測，同時該計測站具備第1標記檢出系統，其藉由液體來對該基板台上所設置的基準標記進行計測。 H·如申請專利範圍第10項所述之曝光裝置，其中第票記檢出系統具有光學構件，該光學構件具有一種與該光學系統的液體接觸面大約相等的液體接觸面，以及第1標記檢出系統在使液體與該光學構件的液體接觸 _ 面相接觸的狀態下進行計測。 12·如申請專利範圍第1〇項所述之曝光裝置，其中第 1標記檢出系統和計測該基板的面資訊所用的面檢出系統可大約同時進行計測。 13·如申請專利範圍第1〇項所述之曝光裝置，其中該曝光站具有第2標記檢出系統，其藉由光學系統和液體來對基板台上所設置的基準標記進行計測，以及以該第1標記檢出系統和第2標記檢出系統的計測結果為基準，使該基板上的短路區域和介於該光學系統和液 Φ 體之間的圖樣的像的位置在位置上相一致。 14·種元件製造方法，其特徵為使用申請專利範圍第 1至13項中任一項所述之曝光裝置。 15·—種曝光方法，其藉由液體來對基板進行曝並特徵為：、汁’則站中在6亥基板台上或基板上已配置液體的狀態下對該基板台或該基板台上所保持的基板進行計測，以^ 在與該計測站不同的曝光站中藉由光學系統和液體來 62 2005^m 對該基板進行曝光。在哕=、明專利觀圍第15項所述之曝光方法，其中：板:面資訊進行計測，以及 -方面進行、者:、準’對雜光站中的基板的面位置丁補正且另一方面進行曝光。該計專觀财15獅述之曝衫法，其中在標記進:二基板台上所保持的基板调^ 標記進行相，5㈣由㈣⑽基心上所設置的基準置的巧=::=統和嶋對紐上所設該光則結果為基準’使該基板上的短路區域和介於致。予’、、、、和液體之間的圖樣的像的位置在位置上相一 ⑽1 丄8.如申請專利範圍第15項所述之曝光方法，其中在该曝光站㈣光触巾物該制財的制。 15 担種士兀件製造方法，其特徵為使用申請專利範圍第 18項中任一項所述之曝光方法。处μ 2〇· 一種曝光裝置，其經由液體來對基板進行曝光，豆特徵為包括： /、至^ 2個可移動喊板纟，其鋪著各基板，曝光站，其藉由光學系統和液體來對其中上所保持的基板進行曝光， I板口計測站，其對另一個基板台或該基板台上所保持的基 63 2005WM 板進行計測，第1液體供給裝置，其供給液體至定位在該曝光站上的該基板台所保持的基板上，以及第2液體供給裝置，其供給液體至定位在該計測站上的該基板台或至該基板台所保持的基板上。

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