CN1922715A - 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种曝光装置，其即使在将液浸法应用于双台型曝光装置时，亦可良好地进行计测处理且可精度良好地进行曝光处理。该曝光装置(EX)具备：至少2个基板台(PST1、PST2)，其各自可保持并移动各基板(P)；曝光站(STE)，其藉由投影光学***(PL)和液体(LQ)来对该保持在其中一个基板台(PST1)上的基板(P)进行曝光；以及计测站(STA)，其对另一个基板台(PST2)或该基板台(PST2)上所保持着的基板(P)进行计测。该计测站(STA)中的计测是在基板台(PST2)上或基板(P)上配置着液体(LQ)时的状态下进行。

Description

曝光装置、曝光方法以及元件制造方法
技术领域
本发明涉及一种经由液体来对基板进行曝光的曝光装置、曝光方法，以及元件制造方法。
本申请案对2004年2月19日所申请的日本专利特愿2004-42933号主张优先权，此处引用其内容。
背景技术
半导体元件或液晶显示元件是藉由所谓光刻(photolithography)技术的方法来制造的，光刻技术使光罩上所形成的图样(pattern)转移至感光性基板上。该光刻技术过程中所使用的曝光装置具有支持光罩用的光罩台以及支持基板用的基板台，光罩台和基板台逐次移动，使光罩的图样藉由投影光学***而转移至基板上。近年，为了对应至更高的元件的图样积体化，则期望投影光学***能有更高的解像度。使用的曝光波长变短且使投影光学***的开口数变大，使投影光学***的解像度更高。因此，曝光装置中所使用的曝光波长逐年都变短，投影光学***的开口数亦增大。然后，现在主流的曝光波长虽然是KrF准分子(excimer)雷射的248nm，但更短波长的ArF准分子(excimer)雷射的193nm亦正在进行实用化。
又，进行曝光时，焦点深度(DOF)与解像度同样亦很重要。解像度R以及焦点深度分别以下式来表示。
R＝k1.λ/NA        …(1)
δ＝±k2.λ/NA2    …(2)
此处，λ是曝光波长，NA是投影光学***的开口数，k1、k2是程序系数。藉由式(1)、式(2)，为了使解像度R提高，则曝光波长λ须变短，若开口数NA变大，则显然可知焦点深度δ变成较狭窄。
若焦点深度δ变成太狭窄，则使基板表面与投影光学***的像面相一致时较困难，且曝光动作时的焦点匹配会不足。因此，例如PCT国际公开WO99/49504号小册(专利文献1)中所揭示的液浸法中提出一种实际上使曝光波长变短且使焦点深度扩大的方法。该液浸法是在投影光学***的下面和基板表面之间以水或有机溶媒的液体来填满，以形成液浸区域。利用该液体中的曝光光束的波长成为空气中的1/n(n是液体的折射率，通常在1.2至1.6之间)而使解像度向上，同时使焦点深度扩大成大约n倍。本国际申请所指定的指定国(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，采用该小册(专利文献1)中所揭示者以作为本说明书的一部份。
发明内容
然而，近年来搭载2个基板保持用的基板台的双(twin)台型曝光装置已应用在市场上。该双台型曝光装置以进行计测处理的方式来进行曝光准备，例如在一个基板台上进行曝光动作时，则在另一个基板台上进行下一个基板的排列或聚焦计测等的计测处理。即使将液浸法应用于双台型曝光装置时亦可良好地进行计测处理，这是重要的。
本发明鉴于上述的情况而提供一种曝光装置和曝光方法以及元件制造方法，即使将液浸法应用于双台型曝光装置时亦可良好地进行计测处理并可精度良好地进行曝光处理。
为了达成上述的目的，本发明采用各实施形式所示的图1至图7中所对应的以下的构成。
本发明的曝光装置(EX)是一种经由液体(LQ)来对基板(P)进行曝光的曝光装置，包括：至少2个基板台(PST1、PST2)，其各自可保持并移动该基板(P)；一曝光站(STE)，其藉由光学***(PL)和液体(LQ)来对保持在其中一个基板台(PST1)上的基板(P)进行曝光；以及一计测站(STA)，其对另一个基板台(PST2)或该基板台(PST2)上所保持着的基板(P)进行计测，该计测站(STA)中的计测是在基板台(PST2)上或基板(P)上配置着液体(LQ)时的状态下进行。
又，本发明的元件制造方法的特征是使用上述的曝光装置(EX)。
依据本发明，该曝光站中是在配置着液体的液浸状态(湿状态)下进行曝光处理，即使当在计测站中进行计测处理时，由于在配置着液体的湿状态中进行计测处理时亦可在与曝光处理时几乎相同的条件下进行该计测处理。因此，可抑制计测误差的发生，以其计测结果为基准而精度良好地进行曝光处理。
本发明的曝光方法是一种经由液体(LQ)来对基板(P)进行曝光的曝光方法，包括下列步骤：该计测站(STA)在其基板台(PST)上或基板(P)上配置着液体(LQ)的状态下，对该基板台(PST)或该基板台(PST)上所保持着的基板(P)进行计测，经由光学***(PL)和液体(LQ)来对在与该计测站(STA)不同的曝光站(STE)上的基板(P)进行曝光。
又，本发明的元件制造方法的特征是使用上述的曝光方法。
依据本发明，该计测站中进行计测处理时，在成为配置着液体的湿状态下，可在与该曝光站中进行曝光处理时几乎相同的条件下进行该计测站中的计测处理。因此，可抑制计测误差的发生，以其计测结果为基准而精度良好地进行曝光处理。
又，本发明中不同形式的曝光装置(EX)是一种经由液体(LQ)来对基板(P)进行曝光的曝光装置，其具备：至少2个基板台(PST1、PST2)，其各自可保持并移动该基板(P)；一曝光站(STE)，其藉由光学***(PL)和液体(LQ)来对该保持在其中一个基板台(PST1)上的基板(P)进行曝光；一计测站(STA)，其对另一个基板台(PST2)或该基板台(PST2)上所保持着的基板(P)进行计测；第1液体供给装置(10)，其供给液体至定位于该曝光站(STE)上的基板台(PST1)所保持着的基板(P)上；以及第2液体供给装置(30)，其供给液体(LQ)至定位于该计测站(STA)上的基板台(PST2)或至该基板台(PST2)上所保持着的基板(P)上。
依据以上技术方案，本发明至少具有以下优点和效果：曝光站中可在湿状态下进行曝光，由于可在与该曝光时几乎同样的湿状态下在计测站中进行计测，则以该计测结果为基准可精度良好地进行曝光处理。
为让本发明的上述和其他目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。
附图说明
图1是绘示本发明的曝光装置的一实施形式的概略构成图；
图2是基板台的断面图；
图3是由基板台上方所看到的平面图；
图4是本发明的曝光方法的一实施形式的流程图；
图5是对应于基板上所配置的液体量来说明基板的表面状态变化的情况时所用的模式图；
图6是对应于液浸区域的位置来说明基板的表面状态变化的情况时所用的模式图；以及
图7是半导体元件的制造过程的一例的流程图。
1：对准标记
2：光学元件
2A：液体接触面
10：第1液体供给机构
20：第1液体回收机构
30：第2液体供给机构
40：第2液体回收机构
82：基板对准***(第1标记检出***)
83：光学构件(虚拟构件)
83A：液体接触面
84：光罩对准***(第2标记检出***)
64(64A～64C)：载重感测器(计测器)
70：焦点位准检出***(面检出***)
AR1：投影区域
AR2、AR2’：液浸区域
EX：曝光装置
LQ：液体
MFM：基准标记
P：基板
PFM：基准标记
PL：投影光学***
PST(PST1、PST2)：基板台
S1～S24：照射区域
STA：计测站
STE：曝光站
具体实施方式
以下将参照图面来说明本发明的曝光装置。图1是绘示本发明的曝光装置的一实施形式的概略构成图。
图1中，曝光装置EX是一种搭载着2个基板台的双台型曝光装置，其具备：在共用的基部BP上可独立移动的第1基板台PST1和第2基板台PST2，其各自可保持并移动基板P。又，该双台型曝光装置EX具备：曝光站STE，其藉由投影光学***PL和液体LQ来对第1基板台PST1(或第2基板台PST2)上所保持的基板P进行曝光；以及计测站STA，其对第2基板台PST2(或第1基板台PST1)或该基板台PST2(PST1)上所保持的基板P进行计测。
藉由第1基板台PST1和第2基板台PST2的移动，则在曝光站STE和计测站STA之间可交换第1基板台PST1和第2基板台PST2。又，在该计测站STA中对该基板台PST1(PST2)进行基板P的搬入(load)和搬出(unload)。即，计测站STA中可进行基板P的交换。然后，在对该曝光站STE上所配置的一个基板台PST1(PST2)上的基板P进行曝光时，对该计测站STA上所配置的另一个基板台PST2(PST1)或该基板台上的基板P进行计测。然后，保持着该计测站STA上已完成计测处理的基板P的该基板台PST2(PST1)移动至该曝光站STE。然后，在该曝光站STE中对该基板台PST2(PST1)上的基板P进行曝光。另一方面，保持着该曝光站STE上已完成曝光处理的基板P的该基板台PST1(PST2)移动至该计测站STA。已移动至计测站STA中的已完成曝光处理的基板P由基板台PST1(PST2)所卸载(unload)。然后，新的基板(未曝光基板)P载入(load)至基板台PST1(PST2)上以进行计测。又，包括该曝光站STE和计测站STA的曝光装置EX全体的动作是藉由控制装置CONT来作整体控制。因此，该控制装置CONT在构造上是连接至曝光装置EX的各种测定装置(例如，XY干涉计51，Z干涉计58，焦点位准检出***70，载重感测器64A～64C)或驱动***(例如，光罩台驱动装置、基板台驱动装置、Z倾斜台52)等，可在这些装置之间传送各种测定结果或各种驱动指令。
在曝光站STE中设有：光罩台MST，其支持着光罩M；照明光学***IL，其以曝光光束EL对该光罩台MST上所支持的光罩M进行照明；以及投影光学***(PL)，其使曝光光束EL所照明的光罩M的图样的像投影至基板台PST1(PST2)上所支持的基板P上且进行曝光。
本实施形式的曝光装置EX是一种适用于液浸法中的液浸曝光装置，以使曝光波长实质上变短而使解像度提高，同时使焦点深度实质上扩大。在曝光站STE中设有：第1液体供给机构10，其供给液体LQ至基板P；以及第1液体回收机构20，其回收基板P上的液体LQ。该曝光装置EX在使至少该光罩M的图样的像转移至基板P上时，藉由第1液体供给机构10所供给的液体LQ使(局部的)液浸区域AR2形成在含有该投影光学***PL的投影区域AR1的基板P上的一部份上。具体而言，曝光装置EX采用在该投影光学***PL的像面侧前端部的光学元件2和投影光学***PL的像面侧上所配置的基板P表面之间填满液体LQ的局部液浸方式。然后，曝光装置EX藉由投影光学***PL以及投影光学***PL和基板P之间的液体LQ，且藉由使通过光罩M的曝光光束EL照射至基板P上，使光罩M的图样投影至基板P上且进行曝光。
又，在计测站STA中亦设有：第2液体供给机构30，其构成大致与第1液体供给机构10相同；以及第2液体回收机构40，其构成大致与第1液体回收机构20相同。
本实施形式中是以使用一种扫描型曝光装置(所谓扫描步骤)作为曝光装置EX为例来作说明，其一方面使光罩M和基板P在扫描方向中互相不同的方向(反方向)中同步移动，且另一方面使光罩M上已形成的图样在基板P上曝光。在以下的说明中，与投影光学***PL的光轴AX一致的方向作为Z轴方向，垂直于Z轴方向的平面内以光罩M和基板P的同步移动方向(扫描方向)作为X轴，以垂直于Z轴和X轴方向的方向(非扫描方向)作为Y轴方向。又，X轴、Y轴以及Z轴旋转的回转(倾斜)方向分别作为θX、θY以及θZ方向。又，此处所称的”基板”是指半导体晶圆上含有已涂布着感光性材料的光阻的物件，”光罩”则含有基板上投影已缩小的元件图样形成后的标线(reticule)。
照明光学***IL以曝光光束EL用来对该光罩台MST上所支持的光罩M进行照明。该照明光学***IL包括曝光用光源、光学积分器、聚光透镜、中继(relay)透镜***、可变视野光圈等等构件。光学积分器使由曝光用光源所射出的光束的照度均一化。聚光透镜对由光学整合器而来的曝光光束EL进行聚光。可变视野光圈将由曝光光束EL所照射的光罩M上的照明区域设定成狭鏠状。光罩M上所设定的照明区域藉由该照明光学***IL而以照度分布已均一化的曝光光束EL来进行照明。例如，可使用由水银灯所射出的紫外线的辉度线(g线、h线、i线)以及KrF准分子雷射光(波长248nm)等的远紫外光(DUV光)或ArF准分子雷射光(波长193nm)以及F2雷射光(波长157nm)等的真空紫外光(VUV光)作为由照明光学***IL所射出的曝光光束EL。本实施形式中使用ArF准分子雷射光。
光罩台MST是一种支持光罩M用的物件，其可在垂直于投影光学***PL的光轴AX的平面内(即，XY平面内)作2维(dimension)或2次元移动以及可在θZ方向中作微小的回转。光罩台MST藉由例如是线性马达的光罩台驱动装置来驱动。光罩台驱动装置由控制装置CONT来控制。光罩台MST上设有移动镜50。又，XY干涉计51包括设置于与该移动镜50相面对的位置上的雷射干涉计。光罩台MST上的光罩M的2维方向的位置以及回转角是藉由XY干涉计51以即时(real time)方式来计测。计测结果输出至该控制装置CONT。该控制装置CONT连接至XY干涉计51和光罩台驱动装置，依据XY干涉计51的计测结果来决定光罩台驱动装置受驱动时支持在该光罩台MST上的光罩M的位置。
投影光学***PL是一种使光罩M的图样以所定的倍率β投影至基板P上且进行曝光的***，其以多个光学元件构成，这些光学元件包括基板P侧(投影光学***PL的像面侧)的终端部上所设置的光学元件(透镜)2且支持在镜筒PK上。本实施形式中，投影光学***PL是一种投影倍率β例如缩小1/4或1/5的***。又，投影光学***PL亦可为等倍率***或扩大***中的任一种。又，本实施形式的投影光学***PL的前端部的光学元件(透镜)2设计成可从镜筒PK上拆卸(更换)，光学元件2中可接触液浸区域AR2的液体LQ。
本实施形式中，液体LQ中是使用纯水。纯水不只可透过ArF准分子雷射光，例如亦可透过由水银灯所射出的紫外区的辉度线(g线、h线、i线)以及KrF准分子雷射光(波长248nm)等的远紫外光(DUV光)。
又，本实施形式中，适合使用液浸曝光用的纯水的投影光学***的开口数设定成1以上(1.0～1.2程度)。
光学元件2以萤石形成。因为萤石表面或付有MgF2、Al2O3、SiO2等的表面与水的亲和性较高，则光学元件2的液体接触面2A的几乎整面上都可密布着液体LQ。即，本实施形式中，由于可供给与光学元件2的液体接触面2A的亲和性较高的液体(水)LQ，则光学元件2的液体接触面2A和液体LQ的密合性较高，光学元件2和基板P之间的光路可确实地填满液体LQ。又，光学元件亦可为与水的亲合性较高的石英。又，光学元件2的液体接触面2A上亦可施加亲水(亲液)性处理，使与液体LQ的亲和性更高。
以下，就可保持并移动基板P的基板台PST(PST1、PST2)来说明。此处，由于第1基板台PST1和第2基板台PST2具有相同的构成，则较适合将第1基板台PST1和第2基板台PST2总称为”基板台PST”来作说明。
基板台PST可保持并移动基板P，其具备：Z倾斜台52，其藉由基板支件PH而保持着基板P；以及XY台53，其支持着Z倾斜台52。XY台53(基板台PST)可在基部BP上移动，且至少可在该曝光站STE和该计测站STA之间移动。
基板台PST藉由例如是线性马达等的基板台驱动装置来驱动。基板台驱动装置由控制装置CONT来控制。藉由Z倾斜台52的驱动，则可控制Z倾斜台52上所保持着的基板P的Z轴方向中的位置(焦点位置)以及θX、θY方向中的位置。又，藉由驱动XY台53，则可控制基板P的XY方向中的位置(与投影光学***PL的像面实质上相平行的方向的位置)以及θZ方向中的位置。即，Z倾斜台52控制基板P的焦点位置以及倾斜角，以自动聚焦的方式和自动测位准的方式使基板P的表面可与投影光学***PL的像面相一致，XY台53进行基板P的XY平面内的定位(X、Y、θZ方向)。又，Z倾斜台52和XY台53当然亦可设计成一体。
基板台PST(Z倾斜台52)上设有XY移动镜55。又，XY干涉计56包括设置在XY移动镜55相面对的位置上的雷射干射计。基板台PST(进一步而言是指基板P)的2次元方向的位置以及回转角(与X、Y及θZ方向有关的位置资讯)藉由XY干涉计56以即时方式来计测，该计测结果输出至控制装置CONT。该控制装置CONT连接至XY干涉计56和基板台驱动装置。依据XY干涉计56的计测结果，藉由驱动基板台驱动装置以决定该保持着基板P的基板台PST的位置。
可计测基板台PST的XY方向的位置以及回转角的XY干涉计56分别设在曝光站STE和该计测站STA。因此，曝光站STE中所设的XY干涉计56可进行该曝光站STE中所配置的基板台PST1(PST2)的位置计测，计测站STA中所设的XY干涉计56可进行该计测站STA中所配置的基板台PST2(PST1)的位置计测。
又，基板台PST1的Z倾斜台52的侧面上设有Z移动镜57。与Z移动镜57相面对的位置上设有Z干涉计58。Z干涉计58分别设在曝光站STE和该计测站STA中。Z干涉计58可计测基板台PST的位置，具体而言是计测Z倾斜台52的Z轴方向的位置。
曝光站STE和计测站STA分别设有作为面检出***用的焦点位准检出***70，其用来检出基板台PST上所保持着的基板P的表面的位置资讯。焦点位准检出***70具备：投光部70A，其使由倾斜方向而来的检出光照射至基板P上；以及受光部70B，其接收由基板P所反射的检出光(反射光)。又，例如，可使用日本未审定专利申请特开平8-37149号公报中已揭示的构成作为焦点位准检出***70的构成。焦点位准检出***70的检出结果输出至该控制装置CONT中。该控制装置CONT依据焦点位准检出***70的检出结果可检出基板P的Z轴方向的位置资讯以及基板P的θX和θY方向的倾斜资讯。该控制装置CONT连接至焦点位准检出***70和Z倾斜台52，依据焦点位准检出***70的检出结果来驱动Z倾斜台52，并藉由调整Z倾斜台52上所保持着的基板P的Z轴方向中的位置(焦点位置)以及倾斜角，使用自动聚焦***和自动测位准***使基板P和由投影光学***PL及液体LQ所形成的像面相一致。
图2是基板台PST(PST1、PST2)的扩大的断面图。基板台PST的Z倾斜台52上设有凹部60，基板支件PH配置在凹部60上。然后，Z倾斜台52中凹部60以外的上面61成为与基板支件PH上所保持着的基板P的表面大约相同高度(同一面)的平坦面(平坦部)。基板P的周围由于设有与基板P表面大约成同一面的上面61，则基板P的边缘区域E即使在进行液浸曝光时，投影光学***PL的像面侧仍可保持着液体LQ，以良好地形成该液浸区域AR2。又，基板P的边缘部和该基板P的周围所设的上面61之间虽然存在着0.1～2mm程度的间隙，但藉由液体LQ的表面张力可使其间几乎不会有液体LQ流入。即使在基板P的周缘近旁进行曝光时，藉由上面61仍可使投影光学***PL的下方保持着液体LQ。
又，藉由对该上面61进行防液性处理，以抑制液体LQ向液浸曝光中的基板P外侧(上面61外侧)流出。又，即使在液浸曝光之后，液体LQ仍可圆滑地回收，可防止液体LQ残留在上面61上等等。又，例如可涂布聚四氟化乙烯等的氟素是树脂材料或丙烯是树脂材料等的防液性材料或贴付着由该防液性材料所构成的薄膜，以作为上面61进行防液性时的防液处理。又，可使用对液体LQ为非溶解性的材料以作为进行防液性时用的防液性材料。
基板支件PH的下面和Z倾斜台52中该凹部60的底面62之间设有多个载重感测器64(64A～64C)。本实施形式中，载重感测器64设有3个，其例如以以负载单元构成。载重感测器64A～64C藉由基板支件PH来计测基板P上所施加的力。载重感测器64的计测结果输出至控制装置CONT。该控制装置CONT连接至载重感测器64A～64C。依据载重感测器64A～64C的输出可求得基板P上所施加的力和该力的分布。又，载重感测器亦可设在Z倾斜台52的下方，以计测该Z倾斜台52上所施加的力。藉由上述方式，则可以载重感测器来计测例如Z倾斜台52的上面61上所施加的力。又，载重感测器64A～64C未设在基板支件PH的下面时亦可只设在Z倾斜台52的下方。
回到图1，第1液体供给机构10将液体LQ供给至投影光学***PL和基板P之间，且具备：液体供给装置11，其具有加压泵和收容液体LQ用的槽(Tank)等等；以及供给管13，其一端部连接至该液体供给装置11，另一端部连接至一供给喷嘴14。该供给喷嘴14具有靠近基板P而配置的供给口12，以便由基板P的上方供给液体LQ。由液体供给装置11所送出的经由供给管13和供给喷嘴14的供给口12而供给至基板P上的液体LQ填满该投影光学***PL的前端部的光学元件2和基板P之间的空间以形成液浸区域AR2。
第1液体回收机构20可回收基板P上的液体LQ，且具备：液体回收装置21，其包括真空泵等的真空***，气液分离器以及收容该已回收的液体LQ用的槽等等；以及回收管23，其一端部连接至液体回收装置21，另一端部连接至回收喷嘴24。该回收喷嘴24具有靠近基板P而配置的回收口22，以便回收基板P上的液体LQ。藉由驱动该液体回收装置21的真空***，则基板P上的液体LQ可经由回收喷嘴24的回收口22和回收管23而被吸引回收至该液体回收装置21中。
在基板P上形成液体LQ的液浸区域AR2时，该控制装置CONT驱动第1液体供给机构10的第1液体供给装置11，经由供给管13和供给喷嘴14的供给口12每单位时间对基板P供给一定量的液体LQ，同时驱动第1液体回收机构20的第1液体回收装置21，经由回收管23和回收喷嘴24的回收口22每单位时间由基板P上回收一定量的液体LQ。因此，投影光学***PL的前端部的光学元件和基板P之间的空间中配置着液体LQ而形成液浸区域AR2。
在计测站STA中设有基板对准***82，其用来检出基板P的对准标记或Z倾斜台52上所设的基准标记PFM(后述)。又，曝光站STE的光罩台MST的近旁设有光罩对准***84，其可藉由光罩M和投影光学***PL来检出Z倾斜台52上的基准标记MFM(后述)。又，例如亦可使用日本未审定专利申请特开平4-65603号公报中已揭示的构成以作为基板对准***82的构成，亦可使用日本未审定专利申请特开平7-176468号公报及其所对应的美国专利5,646,413号中已记载的构成以作为光罩对准***84的构成。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报或美国专利中已揭示者作为本说明书的一部份。
在该计测站STA中设有一种光学构件83，其具有与该投影光学***PL的前端部的光学元件2的液体接触面2A几乎相同的液体接触面83A。本实施形式中，光学构件83构成基板对准***82的光学***的一部份且设置成面对该基板台PST上的基板P。
又，在该计测站STA中设有：第2液体供给机构30，其将液体LQ供给至光学构件83和基板P之间；以及第2液体回收机构40，其回收基板P上的液体LQ。如上所述，第2液体供给机构30和第2液体回收机构40具有与该曝光站STE中所设置的第1液体供给机构10和第1液体回收机构20几乎相同的构成。即，第2液体供给机构30具有：液体供给装置31，其具有加压泵和收容液体LQ所用的槽(Tank)等等；以及供给管33，其一端部连接至该液体供给装置31，另一端部连接至一供给喷嘴34。该供给喷嘴34具有靠近基板P而配置的供给口32，以便由基板P的上方供给液体LQ。由液体供给装置11所送出的经由供给管33和供给喷嘴34的供给口32而供给至基板P上的液体LQ填满该光学构件83和基板P之间的空间以形成液浸区域AR2’。
第2液体回收机构40可回收基板P上的液体LQ，且具备：液体回收装置41，其包括真空泵等的真空***，气液分离器以及收容该已回收的液体LQ用的槽等等；以及回收管43，其一端部连接至液体回收装置41，另一端部连接至回收喷嘴44。该回收喷嘴44具有靠近基板P而配置的回收口42，以便回收基板P上的液体LQ。藉由驱动该液体回收装置41的真空***，则基板P上的液体LQ可经由回收喷嘴44的回收口42和回收管43而被吸引回收至该液体回收装置41中。
光学构件83(液体接触面83A)的大小和形状设计成与投影光学***PL的光学元件(液体接触面2A)大约相同。又，液体接触面83A的表面状态和液体接触面2A的表面状态亦设计成大约相同。具体而言，液体接触面83A对液体LQ的亲和性(接触角)大约与液体接触面2A对液体LQ的亲和性(接触角)相同。又，基板台PST上的基板P表面(或上面61)和液体接触面2A的距离设计成大约与基板台PST上的基板P表面(或上面61)和液体接触面83A的距离相同。
因此，该控制装置CONT可在曝光站STE中所形成的液浸区域AR2以及计测占STA中所形成的液浸区域AR2’大约相同的状态下形成。因此，曝光站STE中将液体LQ带至基板P(或基板台PST)上的力大约与计测站STA中将液体LQ带至基板P(或基板台PST)上的力相同。
此处，将液体LQ带至基板P上的力例如可为液体LQ的自重，液体LQ的压力，基板P与液体接触面2A、83A之间在液体LQ填满时的状态下基板P移动时该液体LQ施加至基板P上的剪力等等。
又，本实施形式中，虽然光学构件83构成基板对准***82的一部份，但亦可独立于基板对准***82而设置，此时只有光学构件83以所定的支持构件来支持着。又，光学构件83亦可不具备光透过性。总之，该计测站STA亦可设有与投影光学***PL的前端部的光学元件2的液体接触面2A相同的液体接触面的所定的构件。此时，光学构件83和该所定的构件具有与曝光站STE中的投影光学***PL的光学元件(液体接触面2A)相同的液体接触面，该计测站STA中所形成的液浸区域AR2’形成与该曝光站STE中所形成的液浸区域AR2大约相同的状态，藉以使光学构件83和该所定的构件等等作为在计测站STA创造出与该曝光站STE同一环境用的虚拟(dummy)构件。另一方面，使用该液体LQ保持用的光学构件83以作为基板对准***82的光学***的一部份时，则可在形成液浸区域AR2’的状态下进行对准用的计测。
又，双台型曝光装置的具体的构成例如已记载在日本未审定专利申请特开平10-163099号公报、日本未审定专利申请特开平10-214783号公报以及相对应的美国专利6,400,441号、以及PCT国际申请和相对应的美国专利5,969,441号与美国专利6,262,796号的公开日文翻译特开2000-505958号公报。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报或美国专利中已揭示者作为本说明书的一部份。
图3是由基板台PST(PST1、PST2)上方所看到的平面图。图3中，移动镜55配置在平面矩形状的基板台PST的互相垂直的2个边缘部上。
又，基板台PST上有一基准构件300配置在基板P的外侧的所定位置上。该基准构件300中藉由基板对准***82所检出的基准标记PFM以及藉由光罩对准***84所检出的基准标记MFM以所定的位置关系而设置着。该基准构件300的上面301A大致成为平坦面且设计成与基板台PST上所保持的基板P表面以及基板台PST的上面61大约相同的高度(同一面)。该基准构件300的上面301A亦可达成作为焦点位准检出***70的基准面的功能。
又，基板对准***82可检出基板P上所形成的对准标记1。如图3所示，基板P上形成多个照射区域S1～S24(shot region)，对准标记1对应于多个照射区域S1～S24而在基板P上设置复数个。又，图3中虽然各照射区域如图所示互相邻接着，但实际上互相隔开。对准标记1设在该离间区域所在的刻线(scribe line)上。
又，基板台PST上在基板P的外侧的所在位置上例如配置着日本未审定专利申请特开昭57-117238号公报以及对应的美国专利4,465,368号中已揭示的照度不均感测器400以作为计测用感测器。该照度不均感测器400具备平面矩形状的上板401。上板401的上面401A大约成为平坦面、且设计成大约与基板台PST上所保持的基板P表面以及基板台PST的上面61成相同的高度(同一面)。上板401的上面401A设有可通过光线的销孔部470。上面401A中除了销孔部470以外都以铬等的遮光性材料来覆盖。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报或美国专利中已揭示者作为本说明书的一部份。
又，基板台PST上在基板P的外侧的所在位置上例如配置着日本未审定专利申请特开2002-14005号公报以及对应的美国专利公开公报2002/0041377号中已揭示的空间像计测感测器500以作为计测用感测器。该空间像计测感测器500具备平面矩形状的上板501。上板501的上面501A大约成为平坦面且设计成大约与基板台PST上所保持的基板P表面以及基板台PST的上面61成相同的高度(同一面)。上板501的上面501A设有可通过光线的狭缝部570。上面501A中除了狭缝部570以外都以铬等的遮光性材料来覆盖。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报中已揭示者作为本说明书的一部份。
又，虽然未图示，但基板台PST上例如亦可设有日本公開专利申请特开平11-16816号公报以及对应的美国公開公报2002/0061469号中已揭示的照射量感测器(照度感测器)，该照射量感测器的上板的上面设计成大约与基板台PST上所保持的基板P表面或基板台PST的上面61成相同的高度(同一面)。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报中已揭示者作为本说明书的一部份。
然后，基准构件300以及上板401、501等对该基板台PST而言成为可拆卸。在基准构件300或上板401、501的防液性劣化时，可更换新的基准构件300，上板401、501。
其次，就使用上述的曝光装置EX使光罩M的图样在基板P上曝光时的顺序，参照图4的流程图来说明。
首先，曝光处理前的基板P搬入至计测站STA中。该计测站STA中配置着第2基板台PST2。该控制装置CONT使用未图示的搬送***将该曝光处理前的基板P搬入(load)至计测站STA的第2基板台PST2。已搬入的基板P保持在第2基板台PST2上的基板支件PH上。另一方面，曝光站STE中配置着第1基板台PST1，其保持着计测站STA中已完成计测处理的基板P。
[湿状态中的Z位置的检出(计测站)]
控制装置CONT在该计测站STA中使保持着基板P的第2基板台PST2中有相关的计测处理开始进行。首先，该控制装置CONT移动该基板台PST使光学构件83和基准构件300相面对。然后，该控制装置CONT使用该计测站STA的第2液体供给机构30和第2液体回收机构40，以进行液体LQ的供给和回收。计测站STA上所配置的基板台PST上的基准构件300与光学构件83之间配置着液体LQ以形成液浸区域AR2’。然后，该控制装置CONT一方面调整Z倾斜台52的位置(Z方向的位置)及姿势(倾斜θX、θY)，且另一方面使用该焦点位准检出***70，藉由液体LQ来检出第2基板台PST2上的基准构件300的表面(上面)301A的Z轴方向中有相关的位置资讯(步骤SA1)。
与此同时，该控制装置CONT使用Z干涉计58以检出与Z倾斜台52的Z轴方向有关的位置资讯。因此，由Z干涉计58所规定的座标***内的基准构件300的表面(基准面)301A的位置资讯藉由Z干涉计58来计测，具体而言，基准构件300的表面(基准面)301A的位置与焦点位准检出***70的聚焦位置相一致时，此时与第2基板台PST2(Z倾斜台52)的Z轴方向有关的位置Z0藉由Z干涉计58来计测。与位置Z0有关的资讯记忆在该控制装置CONT中。
其次，控制装置CONT在该计测站STA中使第2基板台PST2上所保持着的基板P与光学构件83相面对，藉由第2液体供给机构30和第2液体回收机构40以进行液体LQ的供给和回收，且在基板P上形成液体LQ的液浸区域AR2’。然后，该控制装置CONT使用该计测站STA中所设置的焦点位准检出***70，藉由液体LQ以检出第2基板台PST2上所保持的基板P表面的多个检出点的Z轴方向中有相关的位置资讯(步骤SA2)。
例如，该控制装置CONT一方面监视XY干涉计56的输出且一方面移动第2基板台PST2的XY台53，使用该焦点位准检出***70藉由液体LQ以检出基板P表面的面内(XY平面内)的多个点的与Z方向有关的位置资讯。具体而言，由该焦点位准检出***70的投光部70A所射出的检出光一方面移动第2基板台PST2的XY台53，使基板P表面的多个位置受到照射，另一方面驱动Z倾斜台52，以调整该Z倾斜台52的位置(Z方向的位置)及姿势(倾斜θX、θY)，且检出基板P表面的多个点的Z位置资讯。由焦点位准检出***70而来的位置资讯检出结果对应于基板P(第2基板台PST2)的XY平面内的位置而记忆在该控制装置CONT中。又，由该焦点位准检出***70而来的位置资讯的检出亦可在基板P上的全部的照射区域S1～S24的每一个区域之中进行，亦可只对应于一部份的照射区域来进行。
此处，该控制装置CONT使用该焦点位准检出***70藉由液体LQ以检出基板P表面的多个检出点的位置资讯时，使用Z干涉计58来计测Z倾斜台52的Z位置资讯。因此可导出Z倾斜台52(进一步而言是位置Z0)与基板P表面的位置关系。换言之，藉由Z干涉计58来计测所规定的座标***内的基板P表面的位置资讯。
其次，该控制装置CONT依据上述已检出的基板P表面的多个检出点的位置资讯来作成对应资料。以该对应资料为基准而求得基板P表面的近似平面(近似表面)。因此，该控制装置CONT可求得Z倾斜台52(位置Z0)作为基准的基板P表面的近似平面(步骤SA3)。
[湿状态中的XY位置的检出(计测站)]
其次，控制装置CONT移动该基板台PST，以便在基准构件300上决定基板对准***82的检出区域的位置。具体而言，该控制装置CONT移动该基板台PST，使基板对准***82的光学构件83与基准构件300相面对。然后，该控制装置CONT藉由第2液体供给机构30和第2液体回收机构40以进行液体LQ的供给和回收，且在基准构件300上形成液体LQ的液浸区域AR2’。在光学构件83的液体接触面83A及基准构件300的表面301A都与液体LQ相接触时的状态下，该控制装置CONT使用基板对准***82藉由该液体LQ来计测基准构件300上的基准标记PFM。基板对准***82对该基准标记PFM进行计测时的基板台PST的位置是藉由XY干涉计56来计测而得。因此，控制装置CONT可藉由XY干涉计56来求得所规定的座标***内的基准标记PFM的位置资讯(步骤SA4)。
其次，该控制装置CONT使用该计测站STA的第2液体供给机构30和第2液体回收机构40以进行液体LQ的供给和回收，使液体LQ配置在计测站STA上所配置的基板P上或基板台PST上而形成液浸区域AR2’。然后，该控制装置CONT在XY方向中移动该基板台PST，付随该基板P上的多个照射区域S1～S24而设置的多个对准标记1依次配置在基板对准***82的检出区域上。该控制装置CONT在将液体LQ配置在基板P上以形成液浸区域AR2’的状态下，藉由基板对准***82利用液体LQ而依序对基板P上的多个对准标记1进行计测。此时该液浸区域AR2’的液体LQ亦可接触该基板对准***82的光学构件83的液体接触面83A，该基板对准***82在使该光学构件83的液体接触面83A与液体LQ相接触的状态下对该对准标记1进行计测。基板对准***82在计测该对准标记1时的基板台PST的位置是藉由XY干涉计56来监视。结果，控制装置CONT可藉由XY干涉计56来求得所规定的座标***内的各对准标记1的位置资讯(步骤SA5)。
又，基板对准***82在由XY干涉计56所规定的座标***内具有检出基准位置，该对准标记1的位置资讯被检出以作为其与检出基准位置之间的偏差。
又，本实施形式的基板对准***82中，采用FIA(场影像对准)***，使基板台PST静止，由卤素灯而来的白色光等的照明光照射至标记上，藉由摄影元件形成在所定的摄影视野内对所得到的标记的图像，并进行图像处理来计测该标记的位置。
因此，本实施形式中例如藉由日本未审定专利申请特开昭61-44429号公报中所揭示的所谓EGA(Enhanced Global Alignment)***来求得照射区域S1～S24的位置资讯。因此，该控制装置CONT在基板P上所形成的多个照射区域S1～S24中指定至少三个区域(EGA照射区域)，使用基板对准***82来检出各照射区域中所付随的对准标记1。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报中已揭示者作为本说明书的一部份。又，基板对准***82亦可检出基板P上的全部的对准标记1。
该控制装置CONT依据对准标记1的位置资讯的检出结果，藉由演算处理(EGA处理)来求得基板P上的多个照射区域S1～S24的各别的位置资讯(步骤SA6)。
EGA***中，使用基板对准***82以检出EGA照射区域中所付随的对准标记1的位置资讯(座标位置)之后，以该检出值和设计值为基准，藉由最小二乘法等来进行统计演算以决定与基板P上的照射区域S1～S24的配列特性(位置资讯)有关的误差参数(偏移，尺度，回转，直交度)。然后，以已决定的参数的值为基准，对该基板P上的全部的照射区域S1～S24修正其设计上的座标值。藉此来决定该基板对准***82和基板台PST上所载置的基板P上的各照射区域之间的位置关系。即，该控制装置CONT可由雷射干涉计56的输出来得知基板P上的各照射区域对该基板对准***82的检出基准位置是定位在哪一个位置上。
此处，如图1所示，计测站STA的基板对准***82的检出区域和焦点位准检出***70的检出区域设计成大约相同或相接近。然后，液浸区域AR2’中可由基板对准***82的检出光和焦点位准检出***70的检出光此二种检出光来同时照射。总之，计测站STA的基板对准***82的检出区域和焦点位准检出***70的检出区域此二者都设在液浸区域AR2’的内侧。因此，控制装置CONT大约可同时进行基板对准***82中的计测和焦点位准检出***70中的计测。具体而言，可同时进行上述的步骤SA1和步骤SA4。或亦可同时进行上述的步骤SA2和步骤SA5。因此，计测处理时间可缩短。
又，进行多个对准标记1的位置资讯的检出(步骤SA5)之后，亦可进行基板P的面资讯的检出(步骤SA2)，或基板P的面资讯的检出和对准标记1的位置资讯的检出亦可交互地进行。或亦可在进行该标记的XY位置的检出(步骤SA4、SA5)之后，进行Z位置的检出(步骤SA1、SA2)。即，上述各步骤的顺序可任意地变更。
然后，藉由步骤SA4中所计测的基准标记PFM的位置资讯和步骤SA5中所计测的基板P上的多个对准标记1的位置资讯，则该控制装置CONT可求得该基准标记PFM和基板P上的对准标记1的位置关系。又，藉由步骤SA6的EGA处理，以求得多个对准标记1和照射区域S1～S24的位置关系。因此，控制装置CONT以所求得的基准标记PFM和基板P上的多个对准标记1的位置关系为基准，可各别地求得基准标记PFM和基板P上的多个照射区域S1～S24的位置关系。又，如上所述，由于已知该基准标记PFM和基准标记MFM是以所定的位置关系来设计，则该控制装置CONT可分别决定XY平面内的基准标记MFM和基板P上的多个照射区域S1～S24的位置关系。
如上所述的计测站STA中的计测处理(步骤SA1～步骤SA6)终了时的第2基板台PST2移动至曝光站STE。又，基板台PST由计测站STA移动至曝光站STE之前，该控制装置CONT使用第2液体回收机构40以回收基板P上或基板台PST上的液体LQ。另一方面，该曝光站STE上所配置的第1基板台PST1移动至计测站STA中。此处，在曝光站STE中，对该计测站STA中的第2基板台PST2的计测处理是与对第1基板台PST1上所保持的基板P的曝光处理一起进行。
然后，保持着曝光处理结束时的基板P所用的第1基板台PST1移动至计测站STA中。已移动至计测站STA中的第1基板台PST1上的基板P被搬出(unload)。然后，应进行新的曝光处理的基板P搬入(load)至计测站STA的第1基板台PST1，以进行上述的计测处理。
[湿状态中的XY位置的检出(曝光站)]
一方面，该控制装置CONT使用光罩对准***84对由计测站STA而移动至曝光站STE中的第2基板台PST2进行计测处理。该控制装置CONT藉由光罩对准***84来检出基准构件300上的基准标记MFM，即，在XY方向中移动基板台PST，使投影光学***PL的前端部的光学元件2和基准构件300相面对。然后，该控制装置CONT使用曝光站STE的第1液体供给机构10和第1液体回收机构20，以进行液体LQ的供给和回收，使投影光学***PL的光学元件2和基准构件300之间填满液体LQ以形成液浸区域AR2。然后，该控制装置CONT使用光罩对准***84以藉由光罩M、投影光学***PL以及液体LQ来进行基准标记MFM的检出(步骤SA7)。
即，该控制装置CONT藉由投影光学***PL以及液体LQ来检出光罩M上的标记和基准标记MFM的位置关系。因此，藉由投影光学***PL以及液体LQ，可计测XY平面内的光罩M的位置(即，光罩M的图样的像的投影位置资讯)和基准标记MFM的位置关系。
又，本实施形式的光罩对准***84中，采用VRA(Visual ReticuleAlignment)***，使光照射至标记，对由CCD相机等所摄得的标记的图象资料进行图像处理以检出标记位置。
然后，以使用该基板对准***82所计测的基准标记PFM和基板P上的各照射区域S1～S24的位置关系的资讯，使用该光罩对准***84所计测的光罩M的图样的像的投影位置和基准标记MFM的位置关系的资讯，以及以所定的位置关系所设计的已知的基准标记PFM和基准标记MFM的位置关系的资讯等以上各资讯为基准，该控制装置CONT可使基板P上的各照射区域S1～S24和介于投影光学***PL以及液体LQ之间的光罩M的图样的像的投影位置相一致。
[湿状态中的Z位置的检出(曝光站)]
又，该控制装置CONT移动基板台PST，使投影光学***PL的光学元件2和基板P相面对之后，藉由第1液体供给机构10和第1液体回收机构20以进行液体LQ的供给和回收，以便在基板P上形成液体LQ的液浸区域AR2。
然后，该控制装置CONT使用曝光站STE上所设的焦点位准检出***70藉由液体LQ来检出第2基板台PST2上的基板P表面的1个检出点或检出较该计测站STA所检出的检出点还少的数目的检出点的Z位置资讯(步骤SA8)。
又，该控制装置CONT使用焦点位准检出***70以检出基板P表面的检出点的位置资讯时，使用Z干涉计58以计测Z倾斜台52的Z位置资讯。藉由Z干涉计58以检出Z倾斜台52的Z轴方向的位置(对位置Z0的位置)。因为基板P表面的近似平面是在步骤SA3中求得，则该控制装置CONT在该曝光站STE中藉由基板P表面的1个(或多个)检出点中的Z位置资讯以及XY平面内的位置资讯，以该检出结果为基准，可导出以该曝光站STE中的Z倾斜台52(位置Z0)为基准的基板P表面的近似平面。
又，该控制装置CONT移动第2基板台PST2，在投影光学***PL的光学元件2和基准构件300之间填满液体LQ的状态下，以焦点位准检出***70来检出基准构件300的表面(基准面)301A，以计测该藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面和基准构件300的表面301A的关系(步骤SA9)。
此处，焦点位准检出***70在等待状态中可藉由投影光学***PL来检出经由液体LQ所形成的像面和被检面的位置关系(偏移)。因此，焦点位准检出***70在湿状态时藉由检出基准构件300的表面301A，以位置Z0作为基准，可求得藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面和基板P表面的位置关系。
又，为了对藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面进行计测，则亦可使用空间像计测感测器500。此时，该控制装置CONT使投影光学***PL的光学元件2和空间像计测感测器500的上板501的上面(基准面)501A相面对，光学元件2和上面501A之间以液体LQ填满以形成液浸区域AR2。在此种状态下，控制装置CONT藉由投影光学***PL和液体LQ使曝光光束EL照射至空间像计测感测器500，另一方面则在Z轴方向中移动Z倾斜台52，使用空间像计测感测器500以检出最优良的成像面。然后，最优良的成像面检出时的Z倾斜台52的位置以Z干涉计58来计测，则可求得藉由以位置Z0作为基准的投影光学***PL和液体LQ所形成的像面的位置。因此，以该像面的位置为基准可求得藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面和基板P表面的位置关系。
又，该控制装置CONT在进行基板P的曝光之前在例如投影光学***PL的光学元件2和照度不均感测器400的上板401的上面401A之间填满液体LQ的状态下，经由照明光学***IL而射出该曝光光束EL，藉由投影光学***PL和液体LQ，则经由照度不均感测器400可检出该投影区域AR1内的曝光光束EL的照度分布。该控制装置CONT在照度不均感测器400的上面401A上形成液体LQ的液浸区域时的状态下，在曝光光束EL所照射的照射区域(投影区域)内的多个位置上依序移动照度不均感测器400的销孔部470。该控制装置CONT以照度不均感测器400的检出结果为基准，适当地修正该曝光光束EL的照度分布，使投影光学***PL的投影区域AR1内的曝光光束EL的照度分布成为所期望的状态。同样，该控制装置CONT使用上述的照射量感测器以计测该曝光光束EL的照度，且以该计测结果为基准以进行适宜的修正。
[湿状态中的对准和曝光(曝光站)]
若以上的计测处理结束时，该控制装置CONT为了使基板P上的各照射区域S1～S24曝光，则藉由第1液体供给机构10和第1液体回收机构20一方面进行液体LQ的供给和回收，且另一方面移动该基板台PST，使投影光学***PL的下方的液浸区域AR2向基板P上移动。包括该基准构件300的基板台PST的上面61和该基板P的表面由于分别是在几乎相同的高度处，则在液体LQ保持在该投影光学***PL的下方时的状态下，可使该基板台PST在XY方向中移动。然后，使用上述计测处理中所求得的各资讯，对基板P上的各照射区域S1～S24进行扫描曝光(步骤SA10)。
然后，在对各别的照射区域S1～S24的扫描曝光中，以基准标记PFM和各照射区域S1～S24的位置关系的资讯，以及以使用基准标记MFM所求得的光罩M的图样的像的投影位置资讯为基准，使基板P上的各照射区域S1～S24和光罩M的位置相一致。
又，在对各别的照射区域S1～S24的扫描曝光中，以计测站STA所求得的以位置Z0为基准的基准构件300的表面(基准面)301A和基板P表面的位置关系的资讯，以及以曝光站STE所求得的基准构件300的表面301A和藉由投影光学***PL以及液体LQ所形成的像面的位置关系的资讯为基准，未使用该曝光站STE的焦点位准检出***70，一方面调整(补正)该基板P和藉由投影光学***PL以及液体LQ所形成的像面之间的位置关系，且另一方面进行曝光。总之，在液浸扫描曝光时，以步骤SA8、SA9中所得到的与基板P表面的近似表面有关的资讯，以及与基准构件300的表面(基准面)301A的Z位置有关的资讯为基准来驱动Z倾斜台52，使介于投影光学***PL以及液体LQ之间的像面和基板P表面(曝光面)成为一致。因此，在基板P的姿势(Z、θx以及θY)已适当调整的状态下，对各照射区域S1～S24可进行液浸曝光。又，在步骤SA2中对各基板P上的全部的照射区域S1～S24检出位置资讯时，每个照射区域都可得到与基准构件300的表面301A之间的Z方向的位置有关的关系。对此而言，步骤SA2中基板P上的一部份的照射区域中只有Z方向的位置资讯被检出时，若以所得到的近似表面(以X、Y、Z座标来表示)为基准，藉由演算等以求得各照射区域所对应的XY平面内的位置中的Z方向的位置资讯，则这样亦可行。
又，扫描曝光中亦可使用曝光站STE的焦点位准检出***70以检出基板P表面的面资讯(XY平面内的Z位置资讯)，用来确认基板P表面和由液体LQ所形成的像面之间的位置关系的调整结果。
又，在上述实施形式中，基板P表面和由液体LQ所形成的像面之间的位置关系的调整虽然是藉由使保持基板P所用的Z倾斜台52受到驱动来进行，但亦可移动构成光罩M或投影光学***PL所用的多个透镜的一部份等等，使像面与基板P表面相一致。
对第2基板台PST2上的基板P的液浸曝光处理结束之后，该控制装置CONT使曝光站STE的第2基板台PST2移动至该计测站STA。与此同时进行的是使仍保持着计测站STA中计测处理已结束的基板P的第1基板台PST1移动至曝光站STE。
该控制装置CONT使用未图示的搬送***，使移动至计测站STA中的第2基板台PST2上仍保持着的曝光处理已完成的基板P被搬出。
如以上的说明所述，若在双台型曝光装置EX的曝光站STE中使液体LQ配置在基板P上所形成的湿状态中进行曝光(液浸曝光)，亦可以该计测站STA来进行计测处理。在液体LQ配置在基板P上或基板台PST上所形成的湿状态中进行计测时，可与液浸曝光处理时几乎相同的条件来进行计测处理。因此，可抑制计测误差的发生，以该计测结果为基准可精度良好地进行曝光处理。
即，液体LQ配置在基板P上或基板台PST上时，藉由该液体LQ的压力或自重，将力作用在基板P上或基板台PST上，则该基板P或基板台PST都可能稍微变形。此时，例如未配置液体LQ的非液浸状态(干状态)中的基板P(或基板台PST)的表面形状以及配置液体LQ的液浸状态(湿状态)中的基板P(或基板台PST)的表面形状会发生互相不同的情况。于是，例如，干状态中计测时的基板P的面位置资讯的计测结果以及湿状态中进行时的实际基板P的面位置会发生互相不同的情况。
或是，藉由液体LQ的折射率，则经由液体LQ来计测基板P的面资讯时的检出光的光路以及未经由液体LQ来计测时的检出光的光路会发生互相不同的情况。在发生此种情况时，若以干状态时的计测结果为基准来调整基板P的面位置，则例如要使基板P表面与藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面成为相一致时是困难的。
然而，计测站STA中是在湿状态中进行计测，以其计测结果为基准，对该曝光站STE上该基板P在湿状态中进行曝光时的基板P的面位置作调整(补正)时，可将该计测站STA中的计测结果反映至曝光站STE上的曝光中，基板P的面位置于是可配置在所期望的位置上。
又，本实施形式中，在计测站STA中形成该液浸区域AR2’时，由于使投影光学***PL的光学元件2的液体接触面2A成为几乎与液体接触面83A相同，以接触该液体LQ，则曝光站STE上所形成的液浸区域AR2的状态和计测站STA中所形成的液浸区域AR2’的状态几乎可成为相同。因此，可使计测站STA中的计测精度增加。
又，本实施形式中的曝光装置EX是一种双台型曝光装置，在该计测站STA中藉由预先计测基板P的面位置资讯，则在曝光站STE中以该计测结果为基准可效率良好地进行基板P表面以及介于投影光学***PL和液体LQ之间的像面的位置关系的调整。
然后，在本实施形式中，以该计测站STA中所计测的基板P的面位置资讯为基准，以预先求得基板P的近似平面。以所求得的结果为基准，为了使基板P表面以及介于投影光学***PL和液体LQ之间的像面相一致，则须以前向馈送(feed forward)控制来驱动Z倾斜台52。因此，即使基板P表面有微小的变形成份(高次变形成份)，亦可依据变形成份来追从Z倾斜台52所造成的位置关系的调整动作，使藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面可与基板P表面(曝光面)相一致。例如，以曝光站STE中所设置的焦点位准检出***70的检出结果为基准，为了使藉由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面可与基板P表面相一致，则在以回馈(feedback)控制来驱动Z倾斜台52的构成中，须对应于回馈***的反应频率等，使驱动Z倾斜台52时的反应性(追从性)发生一种极限。然而，以预先求得的基板P的近似平面为基准，以前向馈送(feed forward)控制来驱动Z倾斜台52时，可以高的反应性(追从性)来驱动Z倾斜台52。
又，扫描曝光中使用该曝光站STE的焦点位准检出***70以检出基板P表面的面资讯，扫描曝光中所检出的面资讯更加入至计测站STA中已预先求得的基板P的近似平面中，亦可驱动Z倾斜台52来调整基板P表面和像面的位置关系。总之，亦可并用上述的前向馈送控制和回馈控制。
又，本实施形式中，该计测站STA的基板对准***82虽然是在湿状态中对基板P上的对准标记1和基准构件300的基准标记PFM进行计测，但亦可在干状态中进行标记的计测。亦可藉此来求得基板P和基准标记PFM的位置关系。
然而，在上述的实施形式中，以计测站STA的焦点位准检出***70的计测结果为基准，虽然在曝光站STE上对该基板P曝光时的基板P表面的位置进行补正，但亦可以载重感测器64的计测结果为基准对该曝光站STE上的基板P的面位置进行补正。因此，如上所述，载重感测器64A～64C设在基板P保持用的基板支件PH的下方，可经由该基板支件PH来计测该液体LQ施加至基板P上的力。然后，考虑该载重感测器64的计测结果，藉由对该基板P的面位置进行补正，则该控制装置CONT可更高精度地使投影光学***PL和液体LQ所形成的像面与基板P表面的位置相一致。
总之，在上述的实施形式中，以计测站STA在湿状态中对基板P的面位置进行计测以导出基板P的近似平面，以曝光站STE来检出基板P表面的1个检出点的Z位置资讯，以导出以位置Z0作为基准的基板P表面的近似平面。此时，若该计测站STA中所形成的液浸区域AR2’的液体LQ施加至基板P上的力以及曝光站STE中所形成的液浸区域AR2的液体LQ施加至基板P上的力相等，则可良好地进行该投影光学***PL和液体LQ所形成的像面与基板P表面的位置的一致性。然而，若该计测站STA中所形成的液浸区域AR2’的液体LQ施加至基板P上的力以及曝光站STE中所形成的液浸区域AR2的液体LQ施加至基板P上的力不相等时，则会发生计测上的误差。
例如，起因于液体供给机构或液体回收机构的性能的偏差，此时计测站STA中所形成的液浸区域AR2’的液体LQ的量(重量)以及曝光站STE中所形成的液浸区域AR2的液体LQ的量(重量)可能会发生互相不同的情况。例如，若计测站STA中所形成的液浸区域AR2’的液体LQ的量(重量)是A时，则基板P的表面形状会成为图5的线L1所示的形状。另一方面，若曝光站STE中所形成的液浸区域AR2的液体LQ的量(重量)是A+α时，则基板P的表面形状会成为图5的线L2所示的形状。因此，基板P的表面形状的变量以对应于液体LQ的重量的方式而几乎成比例地变化。
此时，以计测站STA中所求得的基板P的近似平面中的线L1为基准，若对该曝光站STE中的基板P表面的位置进行补正，此时由于曝光站STE中的基板P的实际的表面形状是线L2的形状，则欲使基板P表面成为与由投影光学***PL和液体LQ所形成的像面相一致时会有困难。
因此，该控制装置CONT以载重感测器64的计测结果为基准，以对该曝光站STE中的基板P的面位置进行补正。
具体而言，该控制装置CONT在计测站STA中藉由第2液体供给机构30和第2液体回收机构40使液体LQ配置在基板P上的状态下，使用载重感测器64A～64C以计测该液体LQ施加至基板P上的力。又，该控制装置CONT使用焦点位准检出***70来计测此时的基板P的表面形状。又，该控制装置CONT对应于载重感测器64A～64C所计测的加重资讯(加重分布资讯)以及使用焦点位准检出***70所计测的形状资讯以进行记忆。
其次，该控制装置CONT使保持着计测站STA中已计测的基板P的基板台PST移动至曝光站STE。然后，该控制装置CONT在曝光站STE中藉由第1液体供给机构10和第1液体回收机构20使液体LQ配置在基板P上的状态下，使用载重感测器64A～64C以计测该液体LQ施加至基板P上的力。又，该控制装置CONT使用焦点位准检出***70以计测此时的基板P的1个检出点的Z位置资讯。
计测站STA中使用载重感测器64A～64C所计测的结果是A，使用此时的焦点位准检出***70所计测的基板P的表面形状是线L1且曝光站STE中使用载重感测器64A～64C所计测的结果是A+α时，则该控制装置CONT可推定该曝光站STE中配置着液体LQ后的状态中该基板P的表面形状是线L2的形状。因此，该控制装置CONT以载重感测器64A～64C的计测结果为基准，可对使用焦点位准检出***70所求得的基板P的近似平面进行补正。
然后，该控制装置CONT决定该线L2所在的基板P表面和介于投影光学***PL以及液体LQ之间的像面成为一致时所用的Z倾斜台52的与驱动量有关的补正量。
此处，由曝光站STE中的载重感测器64的计测结果，为了对基板P的近似平面进行补正，则基板P或保持该基板P用的基板支件PH的与刚性有关的资讯等是需要的，与该刚性有关的资讯等例如可藉由实验或模拟而预先求得。例如，由基板支件PH上所保持的基板P上分别配置着不同数量的液体LQ时该载重感测器64的计测结果以及此时的焦点位准检出***70的计测结果(基板的变形量)，即，由液体LQ所作用的力所对应的基板P(基板支件PH)的变形量，则可求得基板P或基板支件PH的刚性。然后，该控制装置CONT记忆着与该刚性有关的资讯，且以曝光站STE中的载重感测器64的计测结果和该计测站STA中所导出的基板P的近似平面为基准，可导出该曝光站STE中的基板P的近似平面。
因此，在该计测站STA中在液体LQ配置在基板P上的状态下，以该焦点位准检出***70的计测结果为基准可以求得基板P的近似平面，同时以载重感测器64来计测此时的液体LQ施加至基板P上的力，以求得与基板P有关的第1面的资讯所在的线L1。其次，在曝光站STE中在液体LQ配置在基板P上的状态下，以载重感测器64来计测该液体LQ施加至基板P上的力，以该计测为基准，可以求出第2面的资讯所在的线L2。然后，以线L1和线L2为基准，以决定该曝光站STE中该基板P的面位置补正时所用的Z倾斜台52的驱动量的补正量。因此，即使在该计测站STA中的液浸区域AR2’的状态(重量)与曝光站STE中的液浸区域AR2的状态(重量)成为互不相同的情况下，该控制装置CONT仍可使由投影光学***PL以及液体LQ所形成的像面与基板P表面相一致。
又，本实施形式中在基板P的一部份上(局部性地)形成液体LQ的液浸区域AR2。即使藉由该液浸区域AR2在基板P上所形成的位置，基板P的表面形状仍会各别地发生不同的状况。总之，图6(a)模式图中，如符号AR2a所示，在液浸区域AR2形成在基板P(或基板台PST)的一X侧上时，如图6(b)的线La所示，例如，基板P的一X侧的区域中可能发生显著的变形。又，线La以模式的方式显示基板P的表面形状(变形量)。又，如图6(a)的符号AR2b、AR2c所示的位置上在形成该液浸区域AR2时，如图6(b)的线Lb、Lc所示，在该液浸区域AR2的位置所对应的基板P的位置上有可能发生显著的变形。
因此，伴随着基板P(或基板台PST)的移动，液体LQ的液浸区域的位置如符号AR2a、AR2b、AR2c所示而移动，对应于基板P的面方向的液浸区域的位置，该基板P或基板台PST的表面形状(变形量)有可能发生变化。此时，由于藉由液浸区域AR2(AR2’)的液体LQ以计测该基板P上的较小的区域的Z位置时所用的构成，则该焦点位准检出***70在计测该基板P全体的广域的(global)变形(广域的表面形状)时会有困难。因此，该控制装置CONT以多个位置中所设置的载重感测器64A～64C的计测结果为基准，可求得基板P全体的广域的(global)变形(表面形状)。载重感测器64A～64C由于设在多个位置(3个位置)，则可计测该液体LQ配置完成后的状态中的基板P的多个位置(3个位置)的各别相关的加重。伴随着液浸区域的位置的移动，则多个载重感测器64A～64C的各别的输出会变化。该控制装置CONT以使用焦点位准检出***70所求出的与近似平面有关的资讯以及载重感测器64A～64C的计测结果为基准，则可进行所定的演算处理以求得包括基板支件PH的基板P的变形量，进而求得基板P全体的广域的(global)变形(表面形状)。此处，以载重感测器64的计测结果为基准在求得基板P的广域的表面形状时，也可将例如基板支件PH或基板P的刚性等并入考虑。
又，本实施形式中，虽然载重感测器64A～64C设在基板支件PH的下面和Z倾斜台52的底面62之间，但载重感测器(计测器)的配置位置不限于此。例如，在一种液浸曝光方法中，光学元件2和基板P(基板支件PH)之间亦可配置使曝光光束透过的例如是玻璃平板等的构件，液体LQ供给至该玻璃平板和基板P之间以形成液浸区域AR2，该玻璃平板侧亦可配置载重感测器之类的计测器。然后，使用该计测器(载重感测器)以计测该基板P上所施加的力。此时，即使在计测站STA中，基板对准***(第1标记检出***)和基板P(基板支件PH)之间亦可配置与曝光站STE的玻璃平板等效的构件，更可配置载重感测器等的计测器。然后，在将所定的液体供给至该等效构件(玻璃平板)和基板P之间以形成液浸区域AR2的状态下，使用该计测器(载重感测器)以求得基板P上所施加的力。又，本实施形式中，即使在液浸状态时进行曝光处理前的计测处理中，亦可在成为液浸状态那样的构成中在与曝光处理时几乎相同的条件下进行计测处理。然而，藉由基板P上的液体的有无来考虑基板P的温度变化的情况时，则基板P和保持该基板P所用的基板支件PH存在着变形的可能性。因此，在进行该计测处理或曝光处理时，由形成液浸区域AR2、AR2’开始且经由所定的时间至基板P或基板支件PH成为热安定之后，亦可进行该计测处理或曝光处理。
又，计测站STA中的计测对象不限于本实施形式中者。与基板台PST上所配置的基准构件300或基板P的位置有关的资讯并无直接关系的资讯亦可内藏在基板台PST中或以可拆卸的方式安装而成的感测器等来计测。例如，亦可对一种与液体LQ的温度或污染度等有关的资讯进行计测。
如上所述，本实施形式中的液体LQ由纯水所构成。纯水可在半导体制造工厂中容易地大量得到，同时具有不会对基板P上的光阻或光学元件(透镜)等造成不良影响的优点。又，纯水对环境不会有不良的影响，同时由于不纯物的含量极低，亦可期待基板P的表面和投影光学***PL的前端面上所设的光学元件的表面有被洗净的作用。又，由工场等所供给的纯水的纯度低时，曝光装置亦可具有超纯水制造器。
然后，纯水(水)对波长是193nm大小的曝光光束EL的折射率n大约是1.44，在使用ArF准分子雷射光(波长193nm)作为曝光光束EL的光源时，基板P上可得到波长变短成1/n(大约134nm)的高解像度。而且，焦点深度在与空气中比较时由于扩大成大约n倍(即，大约1.44倍)，若亦可确保一种与空气中使用时相同程度的焦点深度时，则更可使投影光学***PL的开口数增加，即使在此点亦可使解像度增高。
又，如上所述使用液浸法时，投影光学***的开口数NA成为0.9～1.3。这样在投影光学***的开口数NA变大时，先前作为曝光光束用的散乱(random)偏光光束由于亦会因为偏光效果而使成像性能恶化，则使用一种偏光照明是吾人所期望者。此时，进行光罩(标线)的线(Lines)-与-间隙图样(space pattern)的一种与线图样的长度方向相一致的直线偏光照明，由光罩(标线)的图样亦可使沿着S偏光成份(TE偏光成份)，即，沿着线图样的长度方向的偏光方向成份的绕射光射出量变多。投影光学***PL和基板P表面上所涂布的光阻之间在以液体填满时，在与投影光学***PL和基板P表面上所涂布的光阻之间在以空气(气体)填满时的情况相比较下，由于有助于对比度向上的S偏光成份(TE偏光成份)的绕射光的光阻表面上的透过率变高，则即使在投影光学***的开口数NA超过1.0时仍可得到高的成像性能。又，相位偏移光罩或日本未审定专利申请特开平6-188169号公报中所揭示的与线图样的长度方向相一致的斜入射照明法(特别是双极(dipole)照明法)若适当地相组合，则会更有效果。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的指定国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报中已揭示者作为本说明书的一部份。
又，例如以ArF准分子雷射光作为曝光光束，使用1/4大小的缩小倍率的投影光学***PL，使微细的线-与-间隙图样(例如，25～50nm程度的线-与-间隙)在基板P上进行曝光时，藉由光罩M的构造(例如，图样的微细度或铬的厚度)由波导(Wave guide)效果使光罩M作用成一种偏光板，在与对比度低下的P偏光成份(TM偏光成份)的绕射光比较时，S偏光成份(TE偏光成份)的绕射光会更多地由光罩M射出。此时，虽然较佳是使用上述的直线偏光照明，但亦可使用散乱的偏光光束来对光罩M进行照明，即使在投影光学***PL的开口数NA成为0.9-1.3时，仍可得到高的解像性能。又，光罩M上的极微细的线-与-间隙图样在基板P上曝光时，藉由线格栅(Wire Grid)效果可使P偏光成份(TM偏光成份)成为较S偏光成份(TE偏光成份)还大，然而，例如以ArF准分子雷射光作为曝光光束且使用1/4大小的缩小倍率的投影光学***PL，使较25nm还大的线-与-间隙图样在基板P上曝光时，由于亦可使S偏光成份(TE偏光成份)的绕射光较P偏光成份(TM偏光成份)的绕射光更多地由光罩M射出，则即使在投影光学***PL的开口数NA成为0.9～1.3时，仍可得到高的解像性能。
又，不只是光罩(标线)的线图样的与长度方向相一致的直线偏光照明(S偏光照明)，而且如日本未审定专利申请特开平6-53120号公报中所揭示者，以光轴为中心的圆的接线(周围)方向中直线偏光用的偏光照明法以及斜入射照明法的组合亦可得到效果。特别是不只光罩(标线)的图样在所定的一方向中延伸的线图样，而且多个在不同方向中延伸的线图样混合时，就像日本未审定专利申请特开平6-53120号公报中所揭示的一样，藉由以光轴为中心的圆的接线方向中直线偏光用的偏光照明法以及轮带照明法并用，则即使投影光学***PL的开口数NA变大时，仍可得到高的成像性能。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的指定国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报中已揭示者作为本说明书的一部份。
本实施形式中，光学元件2安装在投影光学***PL的前端。藉由透镜可进行该投影光学***PL的光学特性，例如，像差(球面像差，慧星(coma)像差)等的调整。又，投影光学***PL的光学特性的调整用的光学板亦可用作投影光学***PL的前端所安装的光学元件。或亦可使用可透过该曝光光束EL的平行平面板。
又，藉由液体LQ的流动所生成的位于投影光学***PL的前端的光学元件和基板P之间的压力变大时，由于该光学元件不能更换，则亦可藉由该压力使该光学元件坚固地固定不动。
又，本实施形式中，虽然投影光学***PL和基板P表面之间以填满液体LQ的方式而构成，但例如亦可在基板P的表面上安装着由平行平面板所构成的覆盖(cover)玻璃的状态下以填满液体LQ的方式而构成。
又，本实施形式的液体LQ虽然是水，但亦可使用水以外的液体，例如，曝光光束EL的光源是F2雷射时，由于该F2雷射光不能透过水，则作为液体LQ用时亦可使用一种可透过F2雷射光的过氟化聚醚(PFPE)或氟素系油等的氟素系流体。此时，与液体LQ接触的部份中例如以含有氟素的极性的小分子构造的物质来形成薄膜以进行亲液化处理。又，作为液体LQ用时亦可使用其它只对曝光光束EL具有透过性的折射率高且对投影光学***PL或基板P表面所涂布的光阻具有安定性的(例如)雪松(cedar)油。在此种情况下表面处理可对应于所使用的液体LQ的极性来进行。
又，不只可使用半导体元件制造用的半导体晶圆作为上述各实施形式的基板P，亦可使用显示元件用的玻璃基板或薄膜磁气头用的陶瓷晶圆，或曝光装置用的光罩或标线的原版(合成石英，硅晶圆)等。
除了可使用一种使光罩M和基板P同步移动以对该光罩M的图样进行扫描曝光所用的步进-与-扫瞄(step-and-scan)***的扫描型曝光装置(扫描步进机)以作为曝光装置EX之外，亦可使用一种使光罩M和基板P在静止状态时使光罩M的图样一起曝光且使基板P依序以步进方式移动所用的步进-与-重复(step-and-repeat)***的投影曝光装置(步进机)。又，本发明中亦可使用一种步进-与-针迹(step-and-stitch)***的曝光装置，其使基板P上的至少2个图样的一部份被重复转移。
又，第1图样和基板P几乎在静止状态时，使用投影光学***(例如，1/8缩小倍率时未含有反射元件的折射型投影光学***)使第1图样的缩小像在基板P上一起曝光时的方式的曝光装置亦适用于本发明。此时，更在其后在第2图样和基板P几乎在静止状态时，使用投影光学***使第2图样的缩小像的一部份与第1图样重迭而在基板P上一起曝光时的针迹方式的总体曝光装置亦适用于本发明。
又，在上述实施形式中，虽然投影光学***PL和基板P之间采用一种局部地填满液体的曝光装置，但使保持着曝光对象的基板的台(stage)移动至液槽中所用的液浸曝光装置或台上形成所定深度的液体槽而该槽中保持着基板的液浸曝光装置亦适用于本发明。就使保持着曝光对象的基板的台(stage)移动至液槽中所用的液浸曝光装置的构造和曝光动作而言，例如已揭示在日本未审定专利申请特开平6-124873号公报中。就台上形成所定深度的液体槽而该槽中保持着基板的液浸曝光装置而言，例如已揭示在日本未审定专利申请特开平10-303114号公报或美国专利第5,825,043号中。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报或美国专利中已揭示者作为本说明书的一部份。
又，适用上述液浸法的曝光装置的构成虽然是在投影光学***PL的终端光学构件的射出侧的光路空间填满液体(纯水)以对晶圆W(基板P)进行曝光，但亦可像PCT国际公开WO2004/019128号小册中所揭示者一样，使投影光学***的终端光学构件的入射侧的光路空间亦填满液体(纯水)。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述小册中已揭示者作为本说明书的一部份。
在适用上述的液浸曝光装置的情况下，若对应于各别的构成而可在计测站侧设定一种与曝光站中的晶圆在曝光状态时同样的状态，则这样亦可行。
曝光装置EX的种类不限于使半导体元件图样在基板P上曝光时的半导体元件制造用的曝光装置。液晶显示元件制造用或显示器制造用的曝光装置或薄膜磁气头，摄影元件(CCD)或标线或光罩等制造用的曝光装置等亦可广泛地适用于本发明。
基板台PST或光罩台MST中使用线性马达(例如，请参照美国专利5,623,853或美国专利5,528,118)时，使用空气轴承的空气浮上型和使用劳伦斯(Lawrance)力或电抗力的磁气浮上型的任一种型式都可适用于本发明。又，各台PST、MST亦可为沿着导引件而移动的型式，未设有导引件的无导引的型式亦适用。
亦可使用各台PST、MST驱动用的平面马达以作为各台PST、MST的驱动机构，其是使磁石配置成二维(dimension)的磁石单元和使线圈配置成二维的电机子单元成为互相面对时藉由电磁力来进行驱动。此时，若磁石单元和电机子单元中的任一个连接至各台PST、MST，磁石单元和电机子单元的另一个设在各台PST、MST的移动面侧，则这样亦可行。
藉由基板台PST的移动所产生的反力亦可像日本未审定专利申请特开平8-166475号公报及其相对应的美国专利5,528,118号中所记载的一样，使用框架构件以机械方式使该反力传送至大地而不是传送至投影光学***PL。
藉由光罩(标线)台MST的移动所产生的反应力亦可像日本未审定专利申请特开平8-330224号公报及其相对应的美国专利5,874,820号中所记载的一样，使用框架构件以机械方式使该反应力传送至大地而不是传送至投影光学***PL。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述公报或美国专利中已揭示者作为本说明书的记载的一部份。
在上述的实施形式中，虽然使用一种光透过性的基板上已形成所定的遮光图样(或相位图样，或减光图样)的光透过型光罩，或使用一种光反射性的基板上所定的反射图样光反射型光罩，但亦可不限于这些光罩。例如，亦可使用一种以应曝光图样的电子资料为基准的透过图样或反射图样，或发光图样等形成时所用的电子光罩(光学***的一种)以取代上述的光罩。上述的电子光罩例如已揭示在美国专利第6,778,257号公报中。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述美国专利中已揭示者作为本说明书的记载的一部份。又，上述所谓电子光罩在概念上包括非发光型图像显示元件和自发光型图像显示元件的双方。
又，本发明亦可适用在一种曝光装置中，该曝光称为2光束干涉曝光，由多个光束的干涉所生成的干涉条纹在基板上进行曝光。此种曝光方法和曝光装置例如已揭示在PCT国际公开WO01/35168号小册中。在本国际申请中所指定的国家(或所选择的选择国)的国内法令所许可的限制中，可使用上述小册中已揭示者作为本说明书的记载的一部份。
如上所述，本实施形式的曝光装置EX以组合方式来制造本案申请专利范围中所列举的包括各构成元件的次(sub)***，以保持所定的机械精度，电性精度以及光学精度。为了确保这些精度，在该组合的前后须在各种光学***中进行光学的精度达成时所需的调整，在各种机械***中进行机械的精度达成时所需的调整，在各种电气***中进行电性的精度达成时所需的调整。由各种次***至成为曝光装置的组合过程包括各种次***相互的连接，机械的连接，电路的配线连接以及气压回路的配管连接。由各种次***至成为曝光装置的组合过程之前，亦可进行各次***各别的组合过程。若各种次***组合成曝光装置的过程已结束，则进行总合调整，以确保各曝光装置全体的各种精度。又，曝光装置的制造较佳是在温度和洁净度等受到管理的无尘室中进行。
如图7所示，如半导体元件等的微元件的制造方法包括下列步骤：经由进行微元件的机能，性能设计所用的步骤201；以该设计步骤为基准来制作光罩(标线)所用的步骤202；制造该元件的基材所在的基板的步骤203；藉由上述实施形式的曝光装置EX使光罩的图样在基板上曝光所用的基板处理步骤204；元件组合步骤205(包括切割过程，连结过程，封装过程)；检查步骤206等。
虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (20)

1.一种曝光装置，其经由液体来对基板进行曝光，其特征为包括：
至少2个基板台，其各自可保持并移动基板；
曝光站，其藉由光学***和液体来对其中一个基板台上所保持的基板进行曝光；以及
计测站，其对另一个基板台或该基板台上所保持的基板进行计测；
其中，该计测站的计测是在该基板台上或该基板上配置着液体的状态下进行。
2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于在该曝光站中的曝光过程中进行该计测站中的计测。
3.根据权利要求1或2所述的曝光装置，其特征在于，
该计测站中所计测的基板台上的基板在该曝光站中曝光；
该计测站包括面检出***，该面检出***经由液体来对该基板台上所保持的基板的面资讯进行计测；以及
以该计测站的计测结果为基准，对该曝光站的基板的面位置进行补正。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的曝光装置，其特征在于该曝光站包括第1液体供给机构，其使液体供给至该光学***和基板之间；以及
该计测站包括：虚拟构件，其具有一种大约与光学***的液体接触面相等的液体接触面；以及第2液体供给机构，其使液体供给至该虚拟构件和基板之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的曝光装置，其特征在于更包括计测器，其用来对该液体施加至基板上的力或保持该基板所用的基板台上的力进行计测。
6.根据权利要求5所述的曝光装置，其特征在于以该计测器的计测结果为基准来对该曝光站中的基板的面位置进行补正。
7.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，该计测器包括控制装置，其对已配置液体时的状态的该基板的多个位置分别计算这些位置上的力，并以该计测结果为基准以求出该基板的面资讯。
8.根据权利要求6所述的曝光装置，其特征在于，
在该计测站中，在基板上配置着液体的状态下以计测器来进行计测，以求得与基板有关的第1面资讯；
在该曝光站中，在基板上配置着液体的状态下以计测器来进行计测，以求得与基板有关的第2面资讯；以及
以第1面资讯和第2面资讯为基准，以决定该曝光站中该基板的面位置补正时所需的补正量。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的曝光装置，其特征在于，
在基板上的一部份上形成液体的液浸区域；以及
求得与该基板的面方向中的液浸区域的位置相对应的基板的面资讯。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的曝光装置，其特征在于该计测站包括第1标记检出***，其藉由液体来对该基板台上所保持的基板上的对准标记进行计测，也藉由液体来对该基板台上所设置的基准标记进行计测。
11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于第1标记检出***包括光学构件，该光学构件包括与该光学***的液体接触面大约相等的液体接触面；以及
第1标记检出***在使液体与该光学构件的液体接触面相接触的状态下进行计测。
12.根据权利要求10或11所述的曝光装置，其特征在于第1标记检出***和计测该基板的面资讯所用的面检出***可大约同时进行计测。
13.根据权利要求10至12中任一项所述的曝光装置，其特征在于该曝光站包括第2标记检出***，其藉由光学***和液体来对基板台上所设置的基准标记进行计测；以及
以该第1标记检出***和第2标记检出***的计测结果为基准，使该基板上的照射区域和介于该光学***和液体之间的图样的像的位置在位置上相一致。
14.一种元件制造方法，其特征为使用申请专利范围第1至13中任一项所述的曝光装置。
15.一种曝光方法，其藉由液体来对基板进行曝光，其特征为包括下列步骤：
在该基板台上或基板上已配置液体的状态下，在计测站中对该基板台或该基板台上所保持的基板进行计测；以及
在与该计测站不同的曝光站中藉由光学***和液体来对该基板进行曝光。
16.根据权利要求15所述的曝光方法，其特征在于包括下列步骤：
在该计测站中对该基板的面资讯进行计测；以及
以该计测结果为基准，对该曝光站中的基板的面位置一方面进行补正且另一方面进行曝光。
17.根据权利要求15或16所述的曝光方法，其特征在于包括下列步骤：
在该计测站中经由液体来对基板台上所保持的基板上的对准标记进行计测，并经由液体来对基板台上所设置的基准标记进行计测之后，在该曝光站中经由光学***和液体来对基板台上所设置的基准标记进行计测；以及
以该计测结果为基准，使该基板上的照射区域和介于该光学***和液体之间的图样的像的位置在位置上相一致。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的曝光方法，其特征在于在该曝光站的曝光过程中进行该计测站中的计测。
19.一种元件制造方法，其特征为使用申请专利范围第15至18中任一项所述的曝光方法。
20.一种曝光装置，其经由液体来对基板进行曝光，其特征为包括：
至少2个基板台，其各自可保持并移动各基板；
曝光站，其藉由光学***和液体来对其中一个基板台上所保持的基板进行曝光；
计测站，其对另一个基板台或该基板台上所保持的基板进行计测；
第1液体供给装置，其供给液体至定位在该曝光站上的该基板台所保持的基板上；以及
第2液体供给装置，其供给液体至定位在该计测站上的该基板台或至该基板台所保持的基板上。
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