TW200527355A - A method of making an electroluminescent device including a color filter - Google Patents

Description

200527355 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 一般而言，本案係關於場致發光裝置。特定言之，本案 係關於形成包含一場致發光元件與至少一個彩色濾波器之 場致發光裝置之方法。 【先前技術】 發光裝置（例如有機或無機場致發光裝置）可用於各種顯 示器、照明以及其他應用。一般而言，該等發光裝置包含 一或多個裝置層，該等裝置層包含置放在二個電極（陽極與鲁 陰極）之間的至少一個發光層。將電壓下降或電流提供在二 個電極之間，從而引起發光層中的發光材料（其可以為有機 或無機材料）發光。通常而言，該等電極之一或兩者係透明 的，以便可以透過電極將光傳送至觀察者或另一光接收器。 可以將場致發光裝置構造成其為頂部發光裝置或底部發 光裝置。在頂部發光場致發光裝置中，將該（或該等）發光層 定位在基板與觀察者之間。在底部發光場致發光裝置中， _ 將透明基板或半透明基板定位在該（或該等）發光層與觀察 者之間。 在典型彩色場致發光顯示器中，一或多個場致發光裝置 可加以形成在單一基板上並且配置成群組或陣列。存在用 以產生彩色場致發光顯示器之數個方法。例如，一種方法 包含具有放置成彼此鄰近的紅色、綠色及藍色場致發光裝 置子像素之陣列。另一方法（例如）利用結合紅色、綠色及藍 色彩色濾波器之白色像素化顯示器。 97648.doc 200527355 【發明内容】 本案提供製造包含與場致發光元件光學相關聯的彩色渡 波器之場致發光裝置之方法。特定言之，本案提供包含用 於場致發光裝置的彩色濾波器之選擇性熱轉移（例如雷射

I 感應熱成像（LITI))之技術。 已證明難以圖案化用於全彩裝置的紅色、綠色及藍色發 光主要有機發光二極體（OLED)材料。已說明用於此類圖案 化的許多技術，包含雷射熱圖案化、喷墨圖案化、陰影遮 罩圖案化及光微影圖案化。 提供全彩顯示器而不圖案化發光材料之替代技術包含如 本文所說明的彩色渡波器之使用。然而，將該等替代技術 用於傳統底部發光場致發光裝置結構受到實體因素及光學 因素的限制。為了實務原因起見，必須在獨立的玻璃片或 基板上圖案化彩色濾波器。在此情況下，發光層與彩色濾 波器之間的距離之效應會導致視差問題。換言之，自場致 發光裝置的蘭伯特（Lambertian)發光使光可達到對應的彩 色濾波器以及許多鄰近的彩色濾波器。結果，可以減小場 致發光顯不|§之色彩飽和位準。 另一方面，頂部發光場致發光裝置可提供更複雜的像素 控制電路以及在選擇半導體及基板方面的更大靈活性。在 典型的頂部發光裝置中，場致發光裝置層可沈積至基板 ， 上，隨後形成薄透明金屬電極及保護層。 ^ 在某些具體實施例中，本案提供用於形成包含彩色濾波 器之頂部發光場致發光裝置的選擇性熱轉移（例如LITI)技 97648.doc 200527355 術，該等彩色濾波器係形成於場致發光元件之頂部電極 上’或形成於已形成在場致發光元件上之保護層上。直接 七、心色渡波裔於頂部電極或保護層上可有助於消除對準 困難。本案還提供用於形成包含彩色濾波器之底部發光場 致發光裝置的選擇性熱轉移（例如LITI)技術，該等彩色濾波 器係形成在與場致發光元件相對的基板表面上。 此外，選擇性熱轉移圖案化（例如LITI圖案化，其係乾式 數位方法）可與用於有機場致發光裝置的材料更加相容。因 為其係乾式技術’所以選擇性熱轉移還提供單一基板上的 多層之圖案化，而不用擔心各層的相對溶解性。 此外’彩色濾波器之選擇性熱轉移圖案化可以提供更容 易可逆的技術。例如，若彩色濾波器的圖案未通過品質控 制檢驗’則濾波器可以被沖洗掉並再次形成，而不會對場 致發光元件造成不應有的損害。 一方面，本案提供製造一場致發光裝置之方法。該方法 包含形成場致發光元件於基板上。該方法進一步包含選擇 性地熱轉移複數個彩色濾波器至場致發光元件。 另一方面，本案提供製造場致發光裝置之方法。該方法 包S形成％致發光元件於基板之第一主要表面上。該方法 進一步包含選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至基板之第 二主要表面上。 另一方面，本案提供製造場致發光裝置之方法。該方法 包含形成場致發光元件於基板上。該方法進一步包含形成 一保護層於場致發光元件之至少一部分上，並且選擇性地 97648.doc 200527355 熱轉移複數個彩色濾波器至該保護層。 另-方面’本案提供製造包含至少_個場致發光裝置之 場致發光彩色顯示器之方法。該方法包含^〇一_ 致發光裝置於基板上。形成至少一個場致發光裝置包含形 成場致發光元件於基板上，並且選擇性地熱轉移複數個彩 色濾波器至場致發光元件。 如本文所用，「一（a、 多個」可替換地使用。 an)」、「該」、「 至少一個」及 一或 本發明之以上概述並非要說明本發明之每個揭示具體實 施例或每個實施方案。以下的圖式及詳細說明㈣例示各 說明性具體實施例。 【實施方式】 在解說性具體實施例之以下詳細說明中參考附圖，其形 成本發明之一部分並且在該等圖式中藉由解說而顯示可實 施本發明之特定具體實施例。應瞭解可利用其他具體實施 例並可進行結構改變而不脫離本發明之範齊。 咸k本案可應用於製造場致發光裝置之方法。場致發光 裝置可包含有機發光器或無機發光器或兩種類型的發光器 之組合。有機場致發光（OEL)顯示器或裝置係指包含至少一 種有機發射材料的場致發光顯示器或裝置，該發射材料為 小分子（SM)發射器（例如非聚合物發射器）、SM摻雜聚合 物、SM混合聚合物、發光聚合物（LEP)、摻雜LEp、混合 LEP，或另一有機發射材料，其係單獨提供或與任何其他在 OEL顯示器或裝置中為功能性或非功能性之有機材料或無 97648.doc 200527355 機材料組合。無機發光材料包含磷光體、半導體奈米晶體 等。 曰曰 一般而§，場致發光裝置具有一或多個裝置層，該等裝 置層包含置放在二個電極（一陽極與一陰極）之間的至少一 個發光層。電壓下降或電流係提供在二個電極之間，從而 引起發光器發光。 場致發光裝置還可包含薄膜場致發光顯示器或裝置。薄 膜場致發光裝置包含夾在透明介電層與列電極及行電極之 矩陣之間的發射材料。此類薄膜場致發光顯示器可包含所 說明的顯示器，例如美國專利第4,897,319號（Sun)及 5,652,600號（Khormaei 等人）。 圖1為場致發光裝置10之一項具體實施例之示意圖。場致 發光裝置10包含一基板12、一形成於基板丨2之主要表面14 上的場致發光元件20、及形成於場致發光元件2〇上的彩色 濾波器30a、30b與30c(此後共同稱為彩色濾波器3〇)。場致 發光元件20包含一第一電極22、一第二電極％及定位在第 一電極22與第二電極26之間的一或多個裝置層24。 場致發光裝置10之基板12可以為任何適合於場致發光裝 置或顯示器應用之基板。例如，基板丨2可以由玻璃、清晰 塑膠或其他實質上對於可見光而言係透明的（各）合適材料 製成。基板12也可以對可見光而言係不透明的，例如不銹 鋼、矽晶體、多晶矽或類似材料。在某些實例中，場致發 光元件20之第一電極22可以為基板12。因為用於至少某些 場致發光裝置的材料可以因曝露於氧氣或水令而尤其易遭 97648.doc -10 - 200527355 損壞’所以可選擇合適的基板來提供充分的環境阻障，或 供應可提供充分的環境阻障之一或多個層、塗層或疊層。 基板12還可包含任何數量的適合於場致發光裝置及顯示 器之裝置或組件，例如電晶體陣列及其他電子裝置；彩色 濾波器、偏光器、波形板、擴散器與其他光學裝置；絕緣 體、阻障肋、黑色矩陣、遮罩件與其他此類組件；以及類 似組件。基板12還可以包含複數個可獨立定址的主動裝 置，例如歐洲專利申請案第1，220，191號（Kwon)所說明。 場致發光裝置10還包含形成於基板丨2之主要表面丨4上的 場致發光元件20。雖然圖1說明形成於基板12之主要表面14 上並與之接觸的％致發光元件20’但是一或多個層或裝置 可包含在場致發光元件20與基板12之主要表面14之間。場 致發光元件20包含一第一電極22、一第二電極26及定位在 第一電極22與第二電極26之間的一或多個裝置層24。第一 電極22可以為陽極而第二電極26可以為陰極，或者第一電 極22可以為陰極而第二電極26可以為陽極。 第一電極22及第二電極26係通常採用導電材料形成，例 如金屬、合金、金屬化合物、金屬氧化物、導電陶瓷、導 電为政物及導電聚合物。合適的材料之範例包含（例如）金、 鉑、鈀、鋁、鈣、鈦、氮化鈦、氧化銦錫（IT〇)、氧化氟錫 (FTO)及聚苯胺。第一電極22及第二電極26可以為導電材料 之單一層或其可以包含多層。例如，第一電極22及第二電 極26之一或兩者可以包含一鋁層及一金層、一詞層及一紹 層、一鋁層及一氟化鋰層、或一金屬層及一導電有機層。 97648.doc -11 · 200527355 或夕個1置層24係形成在第一電極22與第二電極26之 間。一或多個裝置層24包含一發光層。一或多個裝置層24 σ視而要而匕$或多個額外層，例如一或多個電洞傳輸 層、-或多個電子傳輸層、—或多個電洞喷射層、一或多 個電子噴射層、一或多個電洞阻塞層、一或多個電子阻塞 層、一或多個緩衝層或其任一組合。 發光層包含發光材料。任一合適的發光材料均可用於發 光層。可以使用各種發光材料，包含lEP發光器與81^發光 益。發光器包含（例如）螢光材料及磷光材料。合適的LEp材 料類別之範例包含聚（苯基乙烯）(ppv)、聚對位苯基（ppp)、 聚氟（PF)、其他現在習知或以後開發的lEP材料及其共聚物 或混合物。還可以分子摻雜、採用螢光染料或其他材料分 散、採用活性或非活性材料混合、採用活性或非活性材料 及類似材料分散合適的LEP。合適的LEP材料之範例係如下 5尤明· Kraft等人、Angew· Chem· Int· Ed.，37，402-428(1998 年），美國專利第5,621，131號（Kreuder等人）；第5,7〇8，13〇 號（Woo 等人）；第 5,728,801 號（Wii等人）；第 5,84〇,217號（Lupo 等人）；第 5,869,350號（Heeger 等人）；第 5,900,327號（Pei 等 人）；第 5,929，194號（界〇〇等人）；第6，132,641號（1^{2等人）； 以及第6,169,163號（Woo等人）；與PCT專利申請公開案第 99/40655號（Kreuder等人）。 SM材料一般為非聚合有機分子材料或有機金屬分子材 料，其可用於OEL顯示器及裝置作為發射器材料、電荷傳 輸材料，作為發射器層（例如用以控制發射的顏色）或電荷傳 97648.doc -12- 200527355 輸層及類似層中的摻雜物。共同使用的SM材料包含金屬螯 合化合物，例如三（8-羥基喹啉）鋁（A1Q)及N，N’-二（3-甲基苯 基）-N，N’-二苯基聯苯胺（TPD)。其他SM材料係揭示於（例 如）：C.H· Chen等人，「Macromol· Symp.」，125: 1(1997 年）； 曰本待審專利申請案第2000-195673號（Fujii);美國專利第 6,030,715 號（Thompson 等人）；第 6，150,043 號（Thompson 等 人）；以及第6,242，115號（Thomson等人）；與PCT專利申請公 開案第WO 00/18851號（Shipley等人）（二價鑭係無素金屬複 合物）；第WO 00/70655號（Foirest等人）（環金屬化銥化合物 及其他化合物）；以及第WO 98/55561號（Chdstou)。 一或多個裝置層24還可包含一電洞傳輸層。電洞傳輸層 便於電洞從陽極注入場致發光元件20中及其朝重組區域的 移動。電洞傳輸層可進一步作為用以將電子傳遞給陽極的 阻障。任一或任何合適的材料均可用於電洞傳輸層，例如 以下所說明的材料·· Nalwa等人所著「發光、顯示材料與裝 置之手冊」，加州Stevens Ranch，美國科學出版社2003年出 版，第132至195頁；Chen等人所著「分子有機場致發光材 料之最新發展」，Macromol· Symp.，1 ·· 125(1997年）；以及 Shinar，Joseph ed·，「有機發光裝置」，Berlin，Springer Verlag 2003年出版，第43至69頁。 一或多個裝置層24還可包含電子傳輸層。電子傳輸層便 於電子的喷射及其朝重組區域的移動。若需要則電子傳輸 層可進一步作為用於將電洞傳遞給陰極的阻障。任一或任 何合適的材料均可用於電子傳輸層，例如以下所說明的材 97648.doc -13- 200527355 料：Nalwa等人所著「發光、顯示器材料與裝置之手冊」， 加州Stevens Ranch美國科學出版社2003年出版，第132至 195頁；Chen等人所著「分子有機場致發光材料之最新發 展」，Macromol. Symp·，1 : 125(1997年）；以及 Shinar，Joseph ed·’「有機發光裝置」，Berlin，Springer Verlag 2003年出版， 第43至69頁。 較佳的係場致發光元件20能夠發白光。熟習此項技術者 應瞭解’可以選擇用於場致發光元件2〇之發光層的材料以 便場致發光元件20能夠發白光，該等材料如歐洲專利申請 案第1，187,235號（Hatwar)中所說明的材料。 一或多個裝置層24可以藉由各種技術形成在第一電極22 與弟《 —電極2 6之間，§亥寻技術如塗佈（例如旋塗）、印刷（例 如絲網印刷或喷墨印刷）、實體或化學汽相沈積、光微影及 熱轉移方法（例如美國專利第6，114,088號（界〇11<:等人）所說 明的方法）。可按順序形成一或多個裝置層24 ,或者可同時 置放二或多個層。在形成一或多個裝置層24或同時沈積裝 置層24之後，將第二電極26形成或另外置放於一或多個裝 置層24上。或者，可採用LITI技術形成場致發光元件2〇， 該兀件包含多層施體薄片，例如美國專利第6，114,〇88號 (Wolk等人）所說明。 %致發光元件20還可包含一或多個保護層（圖中未顯 不）’其係形成於場致發光元件2〇上，如本文所進一步說明。 場致發光裝置10還包含形成於場致發光元件2〇上的彩色 ;慮波器30。一、二或多個彩色濾波器3〇可形成於場致發光 97648.doc -14- 200527355 7L件20上，以便從場致發光元件2〇所發射的光之至少一部 分係入射在一或多個彩色濾波器3〇上。換言之，彩色濾波 器30係與場致發光元件20光學相關聯。彩色濾波器3〇衰減 特定波長或頻率，同時傳遞其他波長或頻率，而波長方面 相對沒有變化。例如彩色濾波器3〇a可傳遞紅光，彩色濾波 器30b可傳遞綠光，而彩色濾波器3〇c可傳遞藍光。如本文 所使用，術語「紅光」係指具有主要在可見頻譜之上部分 中的頻譜之光。如本文所進一步使用，術語「綠光」係指 具有主要在可見頻譜之中間部分中的頻譜之光。而「藍光」 係指具有主要在可見頻譜之下部分中的頻譜之光。 彩色濾波裔3 0可包含任一或任何合適的材料。例如彩色 濾波器30可包含任一或任何合適的著色劑，例如彩色染 料、彩色顏料或任何其他材料，若其可選擇性地衰減輕射 之特疋波長或頻率。遠寺材料可分散於可固化黏結劑中， 例如單體黏結劑、單聚黏結劑或聚合黏結劑。 彩色濾波器30可以採用任一合適的技術形成於場致發光 元件20上，該技術如塗佈（例如旋塗）、印刷（例如絲網印刷 或噴墨印刷）、實體或化學汽相沈積、光微影及熱轉移方法 (例如美國專利第6，114,088號（Wolk等人）所說明的方法）。較 佳的係採用本文所進一步說明的LITI技術而將彩色渡波器 3〇形成於場致發光元件20上。 在本案之程序中，包含發光聚合體（LEP)或其他材料、顏 色轉換元素及彩色濾波器之發射材料，可以選擇性地從施 體薄片之轉移層轉移至受體基板，該轉移係藉由放置鄰近 97648.doc -15- 200527355 於受體（例如場致發光元件20)的施體元件之轉移層，並選擇 性地對施體元件進行加熱。對於顏色轉換元素之選擇性轉 移之範例，可以參見（例如）共同待審的美國專利申請案第 ____號（律師檔案號碼59012US007,其名稱為「製造包含顏 色轉換元素之場致發光裝置之方法」並因此於同日申請）。 就解說而言，藉由採用成像輻射而照射施體元件，可對施 體元件進行選擇性加熱，可由置放於施體中的光至熱轉換 器（LTHC)材料（通常以獨立的LTHC層之形式）吸收成像輻 射，並且將成像輻射轉換為熱。或者，LTHC可出現在施體 元件及/或受體基板中的任何一或多個層中。在該等情況 下，可透過施體基板、受體或兩者而將施體曝露給成像輻 射。輻射可包含一或多個波長，其包含（例如）自雷射、燈或 其他此類輻射源之可見光、紅外線輻射或紫外線輻射。也 可使用其他選擇性加熱技術，例如使用熱印刷頭或使用熱 壓印器（例如圖案化熱壓印器，例如具有可用以選擇性地敲 擊施體的釋放圖案之加熱♦壓印器）。以此方式可將自熱轉 移層的材料選擇性地轉移至受體，以成像式形成轉移材料 之圖案於受體上。在許多實例巾 T夕I例肀，使用（例如）自燈、雷射的 光來圖案化曝露施體之埶韓蒋闵兔 …捋移因為可通常達到的精確性及 準確度而有利。藉由（例如）選擇 电 · 伴尤釆之大小、光束之曝露圖 木、所引導的光束與施體薄片 寻片接觸的持續時間或施體薄片 之材料’可以控制轉移的圖荦 ^ ㈡术之大小及形狀（例如直線形、 圓形、正方形或其他形狀）。 .. j糟由透過遮罩照射施體元 件而控制轉移的圖案。 97648.doc 200527355 如本文所提及，熱印刷頭或其他加熱元件（圖案化或盆他 元件）也可用以選擇性地對施體元件直接進行加熱，從:圖 案化轉移層之轉移部分。在此類情況下，施體薄片或受體 中的光至熱轉換器材料為可選材料。熱印刷頭或其他加教 70件可尤其適合於製造材料之較低解析度圖案，或適合於 無需精確地控制其放置的圖案化元件。 轉移層還可以從施體薄片加以整體轉移。例如，轉移層 可形成於知體基板上，該基板作為臨時概裏，其可在轉移 層與受體基板接觸之後通常採用熱或壓力之施加而釋放。 稱為層壓轉移之此類方、土 、/可用以轉移整個轉移層戋其一大 部分至受體。 …、 熱轉移之模式可以改變，取決於所用的選擇性加熱之類 型’將照射«用以揭露施體、材料之類型及可選[麗層 =特性、轉移層中的材料之類型、施體之總體結構、受體 :板：類型及類似項。在不希望受任何原理約束的情況 移期間強調或不強調;=制而出現，可以在選擇性轉 、.ff 〇 ^亥寻機制之一或多個，取決於成像狀 :構寻。熱轉移之—機制包含熱溶化黏附轉移， ILi轉移!與施體元件的其餘部分之間的介面上進行 施姊-=y又體的附著比與施體的附著強，以便當移除 之另-;#移層之選擇的部分保持在受體上。熱轉移 上包含燒飾轉移，因而可將局部加熱用以燒钮施 熱轉移之另-機制將6祕材料引向受體。 匕3什華’從而可藉由施體元件中產生 97648.doc 200527355 的熱而將材料分散於轉移層中。昇華的材料之—部 在文體上冷凝。本發明預期包含該等或其他機制之户 個的/轉移模式，因而可將施體薄片之選擇性加熱用以弓丨： 材料從轉移層轉移至受體表面。 各種韓射發射源均可用以對施體薄片進行加熱。對於， 比技術(例如透過遮罩之曝光)而言，高功率光源(例如氣： 閃光燈與雷射）有用。對於數位成像技術而言，紅外線、可 見及紫外線雷射尤其有用。合適的雷射包含（例如）高功率 ㈣OmW)單一模式雷射二極體、光纖耦合雷射二極體以及 二極體幫浦固態雷射（例如Nd: YAG與Nd:犯卜雷射曝 :停留時間可以廣泛地改變，例如從百分之幾微秒：數： Μ心或更夕，雷射影響可以在從（例如）約〇 〇 1至約5 "咖2 或更=的範时。另外根據施體元件結構、轉移層材料、 熱大量轉移之模式及其他此類因素，其他輕射源及照射狀 況可以係合適的。 當較大基板區域上需要高點放置精確性時（例如當圖案 化70件用於高資訊内容顯示器及其他此類應用時），尤其可 將雷射用作輻射源。雷射源也與較大的剛性基板(例如^ mxi mxi.i mm玻璃）及連續式或薄片式膜基板（例如⑽陣 厚聚醯亞胺薄片）相容。 在成像期間，可使施體薄片與受體密切接觸（此通常可能 為用於熱熔化黏附轉移機制之情況），或者施體薄片可與受 體隔開某距離（此可以為用於燒蝕機制或材料昇華轉移機 制之情況）。在至少某些實例中，壓力或真空可用以保持施 97648.doc -18 - 200527355 體薄片與受體密切接觸。在某些實例中，遮罩可放置於施 體薄片與受體之間。此類遮罩係可移除或可以在轉移之後 保持在受體上。若光至熱轉換器材料存在於施體中，則可 將輻射源用以採用成像方式（例如以數位方式或藉由透過 遮罩進行類比曝光）對LTHC層（或包括輻射吸收體之其他 (各）層）進行加熱，以執行轉移層從施體薄片至受體之成像 轉移或圖案化。 通常而言，將轉移層之選擇部分轉移至受體，而無需轉 矛夕施體薄片之其他層的重要部分，例如可選中間層或Lthc 層，如本文所進一步說明。可選中間層的存在可以消除或 減少從LTHC層或其他接近層（例如其他中間層）至受體的材 料之轉移，或減小轉移層之已轉移部分的變形。較佳的係 在成像狀況下，可選中間層與LTHC層的黏性大於中間層與 轉移層的黏性。中間層對於成像輻射可以為透射性、反射 性或吸收性，並且可用以衰減或另外控制透過施體所透射 的成像輻射之位準，或用以管理施體中的溫度，例如以在 成像期間減小對轉移層之熱或以輻射為基礎的損壞。可以 存在多個中間層。 可以使用較大的施體薄片，包含具有一米或更多的長度 及I度尺寸之施體薄片。在操作中，一雷射可以光柵化或 另外k跨較大施體薄片而移動，該雷射可選擇性地操作以 依據所需圖案而照明施體薄片之部分。或者，雷射可以係 定位的，並且可以在雷射下面移動施體薄片或受體基板。 在某些實例中，可能有必要、需要或方便按順序使用二 97648.doc -19- 200527355 或多個不同施體薄片來形成電子裝置於受體上。例如，藉 由從不同施體薄片轉移獨立層或獨立堆疊層，可以形成多 層衣置。還可伙單一施體元件將多層堆疊轉移為單一轉移 單元，如（例如）美國專利第6,丨14,088號（w〇lk等人）所述。例 女可以彳之單一細體共同轉移電洞傳輸層及1^卩層。如另— 貝例可以彳疋單施體共同轉移半導體聚合物及發射層。 還可將多層施體薄片用以形成獨立的組件於受體上的相同 層中。例如，可以藉由町方式圖案化場致發光元件（例如 場致發光元件20):電性活性有機材料（定向或非定向）之選 擇性熱轉移’隨後藉由一或多個像素或子像素元件之選擇 性熱轉移圖案化’該等像素或子像素元件如彩色遽波器（例 如彩色渡波器30)、發射層、電荷傳輸層、電極層以及類似 層。 可將材料自獨立施體薄片轉移至受體上鄰近的其他材 X以形成鄰近裝置、鄰近裝置之部分或相同裝置之不同 P刀或者，材料可自獨立施體薄片直接轉移至其他層或 =之頂部或部分與之重疊配準，該等其他層或材料係先 月J藉由熱轉移或某另一方法（例如光微影、透過陰影遮罩所 進行的沈積等)而圖案化至受體上。可將二或多個施體薄片 之各種其他組合用以形成一裝置，將各施體薄片用以形成 該裝置之-或多個部分。應瞭解藉由任一合適的程序，包 含光微影程序、噴墨程序’以及傳統所用或新近開發之各 種^也印刷或以遮罩為基礎的程序，可以整體或部分形成 -亥等波置之其他部分或受體上的其他裝置。 97648.doc 200527355 施體基板可以為聚合物膜。一合適的類型之聚合物膜為 聚酯膜，例如聚乙烯對苯二酸鹽（PET)膜或聚乙烯 naphthalate(PEN)膜。然而可以使用其他具有充分的光學特 性（包含特定波長情況下的高度透射光）或充分的機械及熱 穩定性特性之膜，取決於特定應用。在至少某些實例中， 施體基板係平的以便可在其上形成均勻塗層。施體基板亦 係通常選自不管對施體之一或多個層進行加熱而保持穩定 的材料。然而如本文所說明，基板與LTHC層之間的底層之 内含物可用以在成像期間將基板與產生在LTHC層中熱絕 緣。可以使用典型厚度範圍從0.025至0.15 mm，較佳從0.05 至0.1 mm的施體基板，雖然可以使用更厚或更薄的施體基 板。 可以選擇用以形成施體基板的材料及可選鄰近底層，以 改進施體基板與底層之間的黏性、控制基板與底層之間的 熱傳輸、控制至LTHC層的成像輻射傳輸，並減少成像缺陷 與類似缺陷。可選初層可用以在將後續層塗佈至基板上期 間增加均勻度，並且還增加施體基板與鄰近層之間的焊接 強度。 可選底層可加以塗佈或另外置放在施體基板與LTHC層 之間’例如以在成像期間控制基板與LTHC層之間的熱流， 或提供機械穩定性給施體元件以進行儲存、處理、施體處 理或成像。合適的底層之範例及提供底層之技術係揭示在 美國專利第6,284,425號（Staral等人）中。 底層可包含給予所需機械特性或熱特性於施體元件的材 97648.doc -21 - 200527355 料。例如，底層可包含展現出相對於施體基板的低比熱x 始度或低導熱性之材料。此類底層可用以增加熱流給轉移 層’例如以改進施體之成像敏感度。 底層還可包含用於其機械特性或用於基板與LTHC之間 的黏著之材料。採用改進基板與LThc層之間的黏性之底層 可導致已轉移影像之較小變形。舉例而言，在某些情況下 可以使用底層，其減小或消除LTHC層之分層或分離，例如 其另外可出現在施體媒體之成像期間。此可以減小由轉移 層之已轉移部分所展現的實體變形量。然而在其他情況 下’可能需要使用底層，在成像期間提升各層之間或當中 之至少某程度的分離，例如以在成像期間產生各層之間可 提供熱絕緣功能的氣隙。成像期間的分離還提供用於可能 會在成像期間由LTHC層之加熱所產生的氣體之釋放的通 道。提供此類通道可能會導致較少的成像缺陷。 底層在成像波長情況下可以為實質上透明，或也可以至 >部分吸收或反射成像輻射。藉由底層衰減或反射的成像 幸虽射可在成像期間用以控制熱的產生。 LTHC層可包含於本案之施體薄片中，以將照射能量與施 體薄片耦合。LTHC層較佳包含輻射吸收體，其吸收入射輻 射（例如雷射光），並將入射輻射之至少一部分轉換為熱，以 致動轉移層從施體薄片至受體的轉移。 一般而言，LTHC層中的（各）輻射吸收體會吸收場致發光 頻4之紅外線、可見或紫外線區域中的光，並將吸收的輻 射轉換為熱。（各）輻射吸收體通常可高度吸收選擇的成像輻 97648.doc -22· 200527355 射’從而提供具有光學密度為約〇·2至3或更高之範圍中的 成像輕射之波長的LTHC層。一層的光學密度為透過該層所 透射的光之強度與入射在該層上的光之強度之比率的對數 (基數10)之絕對值。 輻射吸收體材料可置放在整個LTIic層上或可加以非均 勻地分配。例如，如美國專利第6,228,555號（Hoffend、Jr. 等人）所說明，可將非均勻LTHC層用以控制施體元件中的 溫度輪廓。此可引起具有改進的轉移特性（例如預計轉移圖 案與實際轉移圖案之間的較佳保真度）之施體薄片。 合適的輻射吸收材料可包含（例如）染料（例如可見染料、 紫外線染料、紅外線染料、螢光染料及輻射偏光染料）、顏 料、金屬、金屬化合物、金屬膜、黑體吸收體及其他合適 的吸收材料。適合的輻射吸收體之範例包含碳黑、金屬氧 化物及金屬硫化物。合適的LTHC層之一個範例可包含例如 碳黑之顏料以及例如有機聚合物之黏結劑。另一合適的 LTHC層包含形成為薄膜的金屬氧化物或金屬/金屬氧化 物，例如黑鋁（即具有黑色視覺外觀的部分氧化鋁）。藉由例 如喷濺及蒸發沈積之技術，可以形成金屬性化合物膜及金 屬化合物膜。採用黏結劑與任一合適的乾式或濕式塗佈技 術，可以形成微粒塗層。藉由組合包括類似或不同材料之 二或多個LTHC層，也可形成LTHC層。例如，藉由汽相沈 積黑鋁薄層於包括沈積在黏結劑中的碳黑之塗層上，可以 形成LTHC層。 適合用作LTHC層中的輻射吸收體之染料可以微粒形式 97648.doc •23- 200527355 存在^刀解在黏結劑材料中或至少部分分散在黏結劑材料 中田使用分散的微粒輻射吸收體時，至少在某些實例中 粒子大小可以為約1〇 μηι或更小，並且可以為約i pm或更 小。合適的染料包含吸收在頻譜之以區域中的染料。可根 據以下因素選擇特定染料：例如特定黏結劑或塗層溶劑中 的溶解性及與之的相容性，與吸收的波長範圍。 也可將顏料材料用在LTHC層中作為輻射吸收體。合適的 顏料之範例包含碳黑及石墨，與苯二甲藍染料、鎳·二硫醇 烯及美國專利第5，166,024號（8叫1^1*等人）及第5,351，617號 (Williams等人）所說明的其他顏料。另外，可以使用基於（例 如）吡唑酚黃、聯茴香胺紅及鎳偶氮黃之銅或鉻複合物的黑 偶氮顏料。也可以使用無機顏料，其包含（例如）金屬之氧化 物及硫化物’該等金屬例如鋁、絲、錫、銦、鋅、鈦、鉻、 鉬、鎢、鈷、銥、鎳、鈀、鉑、銅、銀、金、锆、鐵、鉛 及碌。也可以使用金屬硼化物、碳化物、氮化物、碳氮化 物、青銅結構氧化物及結構上與青銅族（例如w〇2 9)有關的 氧化物。 可以使用金屬輻射吸收體，其係以粒子的形式，如（例如） 美國專利第4,252,671號（Smith)所說明；或以膜的形式，如 美國專利第5,256,506號（Ellis等人）所揭示。適合的金屬包 括（例如）鋁、鉍、錫、銦、碲及鋅。 用於LTHC層之合適的黏結劑包含膜形成聚合物，例如酚 樹脂（例如酚醛樹脂及可溶酚醛樹脂）、聚乙烯醇縮丁盤樹 脂、聚乙烯醋酸鹽、聚乙烯乙縮醛、聚偏二乙烯氣化物、 97648.doc -24- 200527355 聚丙烯酸酯、纖維素醚與酯 的黏結劑包含單體、低聚物 確化纖維與聚碳酸酯。合適

結劑之交聯。在某些具體實施例中， 加劑，以便於LTHC黏 主要採用可交聯單體 或具有可選聚合物的低聚物之塗層而形成黏結劑。 在至少某些實例中，熱塑樹脂（例如聚合物）之内含物可 以改進LTHC層之性能（例如轉移特性或可塗佈性）。應考量 到熱塑樹脂可改進LTHC層與施體基板的黏性。在一項具體 實施例中，黏結劑包含25至50 wt.%(當計算百分比時排除溶 劑）的熱塑樹脂，並且較佳包含30至45wt%的熱塑樹脂，雖 然可以使用較低數量的熱塑樹脂（例如1至15 wt%)。通常選 擇熱塑樹脂為與黏結劑之其他材料相容（即形成單相組 合）。在至少某些具體實施例中，選擇具有在9至 13(cal/cm3)1/2，較佳在 9.5至12((^1/〇1113)1/2 之範圍内的溶解 性參數之熱塑樹脂作為黏結劑。合適的熱塑樹脂之範例包 含聚丙烯酸、苯乙烯丙烯酸聚合物及樹脂與聚乙烯醇縮丁 可以添加例如表面活性劑及分散劑之傳統塗佈輔助劑以 便於塗佈程序。採用此項技術中習知的各種塗佈方法，可 以將LTHC層塗佈至施體基板上。在至少某些實例中，可以 塗佈聚合LTHC層或有機LTHC層為〇.〇5 μπι至20 μχη，較佳 為0·5 μιη至10 μιη，並且更佳為1 μπι至7 μηι之厚度。在至少 某些實例中，可以塗佈無機LTHC層為在0.0005 μιη至10 μπι，並且較佳為〇·〇〇1 μχη至1 μιη之範圍内的厚度。 97648.doc -25- 200527355 可將至少一個可選中間層放置在LTHC層與轉移層之 間一可以使用中間層（例如）以最小化轉移層之已轉移部分的 損壞與污染，並還可、、成da ， 減】、轉和層之已轉移部分的變形或機

械損壞。中間層還可寻彡塑J轰赵1 M 曰疋』&響轉移層與施體薄片之其餘部分的 黏性。通常而言，中間層具有高耐熱性。較佳地，在成像 狀況下中間層不變形或作塾八洛 交A次化子/刀解，尤其係達到致使轉移影 像失去功能的程度。在鳇兹p Ba t "在轉移耘序期間中間層通常保持與 LTHC層接觸，並且實質上不隨轉移層而轉移。 合適的中間層包含（例如）聚合物媒、金屬層（例如汽相沈 積金屬層）、無機層（例如溶膠-凝膠沈積層與無機氧化物（例 夕鈦及，、他金屬氧化物）之汽相沈積層）以及有機/無機 複合層。適合作為中間層材料的有機材料包含熱固材料及 熱塑材料。合適的熱固材料包含可藉由熱、輻射或化學處 理而交聯的樹脂’該處理包含但不限於交聯或不交聯聚丙 婦酸醋、聚甲基丙烯酸醋、聚醋、環氧樹脂與聚亞胺醋。 可將熱固材料塗佈至LTHC層上，作為（例如）熱塑先驅並隨 後加以交聯以形成交聯申間層。 適合的熱塑材料包括(例如)聚丙烯酸醋、聚甲基丙烯酸 醋、聚苯乙烯、聚亞胺醋、聚碾、聚醋與聚醯亞胺。可經 由傳統塗佈技術（例如溶劑塗佈、噴塗或擠塗）而施加該等熱 塑有機材料。通常而言’適合用於中間層的熱塑材料之玻 璃轉化溫度⑹為饥或更高，較佳為抓或更高。在某此 具體實施例中，中間層包含熱塑材料，其具有大於在成像 期間於轉移層中獲得的任何溫度之Tg。中間層在成像輻射 97648.doc -26· 200527355 波長情況下可以為透射性、吸收性、反射性或其某組合。 適合用為中間層的無機材料包含（例如）金屬、金屬氧化 物、金屬硫化物與無機碳塗層，其包含在成像光波長情況 下為高度透射或反射性之材料。可經由傳統技術(例如真空 喷錢、真空条發或電漿喷射沈積）而將該等材料施加於光至 熱轉換層。 中間層可以提供許多利益。中間層可以為阻障，其阻止 材料從光至熱轉換層轉移。中間層也可作為阻障，其可以 防止任何材料或污染交換為與之接近的各層或從各層中交 換出來。其也可調變在轉移層中獲得的溫度，以便可轉移 熱不穩定材料。例如，中間層可以作為熱擴散體以相對於 在LTHC層中所獲得的溫度而控制中間層與轉移層之間之 介面上的溫度。此可改進已轉移層的品質（即表面粗糖度、 邊緣粗縫度等）。中間層的存在還可改進該已轉移材料中的 塑性記憶。 中間層可包括添加劑，其包含（例如）光引發劑、表面活 性劑、顏料、可塑劑及塗佈辅助劑。中間層之厚度可以取 決於以下因素··例如中間層之材料、聰層之材料及特 性、轉移層之材料及特性、成像輻射之波長與施體薄片曝 露於成像輻射的持續時間。對於聚合物令間層而言，中間 層之厚度通常係在0.05叩至1〇 _之範圍内。對於&機甲 :層（例如金屬或金屬化合物尹間層）而言，令間層之厚度通 节係在0.005 μηι至1〇㈣之範圍内。也可以使用多中間層， 例如可以由以無機為基礎的令間層覆蓋以有機為基礎的令 97648.doc -27- 200527355 間層’以在熱轉移程序期間提供額外㈣給轉移層。 將熱轉移層包含在施體薄片中。轉移層可以包含任一或 4何α適的材料’其係單獨地或與其他材料組合而置放於 -或多層上。當將施體元件曝露於可由光至熱轉移器材料 斤吸收並^換為熱的直接力。熱或成像輻射時，能夠藉由任 一合適的轉移機制而將轉移層選擇性地轉移為一單元或部 分地轉移該轉移層。在某些具體實施例中，熱轉移層可以 包含光至熱轉換材料。 可以將熱轉移層用以形成（例如）彩色濾波器、電子電 路、電阻器、電容器、二極體、整流器、場致發光燈、記 隱體元件、场效電晶體、雙極電晶體、單結合電晶體、M〇s 電晶體、金屬絕緣體半導體電晶體、電荷耦合裝置、絕緣 體金屬絕緣體堆疊、有機導體金屬有機導體堆疊、積體電 路、光偵測器、雷射、透鏡、波導、格柵、全息元件、濾 波器（例如添加降落濾波器、增益平整濾波器、定點濾波器 及類似濾波器）、反射鏡、分光器、耦合器、組合器、調變 器、感測器（例如漸消失感測器、相位調變感測器、干涉測 里感測器及類似感測器）、光學空腔、壓電裝置、鐵電裝置、 薄膜電池或其組合，例如作為用於光學顯示器之主動矩陣 陣列的場效電晶體與有機場致發光燈之組合。藉由轉移多 組件轉移單元及/或單一層，可以形成其他項目。 可以將轉移層從施體元件選擇性地轉移至接近定位的受 體基體。右需要’則可以存在一個以上的轉移層，以便採 用單知*體薄片而轉移多層結構。受體基板可以為任一適 97648.doc 200527355 合於特定應用的項目，其包含但不限於玻璃、透明膜、反 射膜、金屬、半導體與塑膠。例如，受體基板可以為任一 類型的基板或顯不器元件，其適合於顯示器應用，例如發 射顯示器、反射顯示器、透射顯示器、微機械顯示器與類 似顯不裔。適合用於例如液晶顯示器或發射顯示器之顯示 器的受體基板包含剛性或柔性基板，其對於可見光實質上 係透射的。合適的剛性受體之範例包含玻璃及剛性塑膠， 其係採用銦錫氧化物所塗佈或圖案化，或者係採用包含有 機電晶體之低溫多晶矽（LTPS)或其他電晶體結構所電路 化° 合適的柔性基板包含實質上清晰且透射的聚合物膜、反 射膜、透反射膜、偏光膜、多層光學膜、金屬膜、金屬薄 片、金屬箔與類似膜。也可採用電極材料或電晶體塗佈或 圖案化柔性基板’該等電晶體例如直接形成於柔性基板上 或在形成於臨時載體基板上之後轉移至柔性基板的電晶體 陣列。適合的聚合物基板包含聚合物鹼基（例如聚乙烯對笨 二酸鹽、聚乙烯naphthalate)、聚碳酸酯樹脂、聚烯烴樹脂、 乙烯聚合物樹脂（例如乙稀聚合氣化物、聚偏二乙烯氣化 物、乙浠聚合物乙縮駿等）、纖維酯鹼基（例如纖維三醋酸、 纖維醋酸鹽）與用作支援物的其他傳統聚合膜。為了將有機 場致發光裝置製造於塑膠基板上，通常需要包含塑膠基板 之一或兩個表面上的阻障膜或塗層，以保護有機發光裝置 及其電極曝露於水、氧氣與類似物之所需位準。 採用電極、電晶體、電容器、絕緣體肋、間隔器、彩色 97648.doc -29- 200527355 遽波器、I色矩陣、電洞傳輸層、電子傳輸層與其他用於 電子顯示器或其他裝置的元件之一或多個元件，可以預圖 案化受體基板。 為了形成彩色濾波器（例如^之彩色遽波器3〇)，可將任 何適合的彩色材料包含於施體薄片之—或多個轉移層+。 可由使用者根據需要從通常或特定用於彩色遽波器之許多 可用顏色令選擇轉移層之㈣，例如，青色、黃色、品紅 色、紅色、藍色、綠色、白色，並且預期頻譜之其他顏色 與色調。染料在轉移至受體基板時可以透射預選的特定波 長。對於許多應用而言，較佳使用高度透射性染料，例如 在該等染料存在於受體基板上時，具有於1G奈米或更小之 窄波長分佈内小於0.5光學密度單位之光學密度的染料。更 佳係使用具有於該等窄波長頻帶内更低吸收特徵的染料。 典型彩色濾、波器之轉移層或包含至少__個有機或無㈣ 色劑或顏料’並可視需要而包含有機聚合物或黏結劑。在 雷射轉移之前或之後可視需要而交聯轉移層材料，以便改 進成像彩色濾波器之性能。彩色濾波器材料之交聯可能會 受到輻射 '熱及/或化學藥品的影響。彩色濾波器之轉移； 也可包括各種添加劑，其包含但不限於染料、可塑劑、uv 穩定劑、膜形成添加劑、用於光交聯或光可交聯彩色濾波 器轉移層的光引發劑與黏著劑。當將染料用作添加劑時， 一般較佳的係染料吸收具有與成像光源相同的頻率之光。 可選黏著劑層還可包括吸收具有與成像雷射或光源相同的 頻率之光的染料。 97648.doc •30- 200527355 對於包含顏料的彩色濾波器之轉移層而言，可以使用任 何適合的顏料’但是較佳顏料可包含在NPIRI原材料資料手 冊第4卷（顏料）中所列舉的顏料，其具有良好的顏色永久性 與透明性。可以使用黏結劑中的顏料之非水分散物或水分 散物。在非水情況下，可以使用以溶劑為基礎的顏料分散 物連同適當的以溶劑為基礎的黏結劑（即可從杜邦公司獲 得的ElvaciteTM丙烯酸樹脂）。然而，較佳係使用黏結劑中 的顏料之水分散物。在此情況下，最佳顏料可以係無黏結 水为散物的形式（即由Heuc〇tech公司供應的A_s Π )’並且最佳黏結劑可以為特定設計用於顏料變濕之黏 結劑（即由Zeneca Resins公司供應的Ne〇cryl bttm丙烯酸樹 月曰）。適當的黏結劑之使用可以在轉移期間提升明顯、良好 疋義的線路之形成。當由高功率光源（例如氙氣閃光燈）感應 和色濾波為之轉移層時，可能有必要包含作為黏結劑的能 里或氣體產生聚合物，例如美國專利第5,3〇8,737號（BiUs 等人）及第5,278,023號（Bills等人）所揭示的聚合物。 顏料/黏結劑比率通常為1:丨，但是範圍可以從〇·25: 1 至4:卜可將Mayer棒用以塗佈著色劑層。通常將料棒用以 塗佈包括接近H) wt.%固體的分散物，以提供約^米的乾 塗層厚度。可將分散物％固體之其他組合與M—棒數量用 、:達j不同的塗層厚度。一般而言，可能會需要〇1至^峨 米之乾塗層厚度。 ，巧叫勿双货尤衣罝而說明製造場致系 置之方法。採用任—合適的技術（例如本文所說明的^ 97648.doc -31 - 200527355 案化)而將裝置10之場致發光元件20形成於基板12之主要 表面14上。將彩色濾波器3〇選擇性地熱轉移至場致發光元 件20 ,亦如本文所說明。可將彩色濾波器3〇轉移至場致發 光元件20以便彩色濾波器30係在第二電極26上。或者， 可將办色濾波器30轉移至保護層（圖中未顯示），其係形成於 場致發光元件20之至少一部分上，如本文所進一步說明。 在某些具體實施例中’可將黑色矩陣形成於場致發光元件 20上，並且接著將彩色濾波器3〇轉移至黑色矩陣之孔徑 中，如本文所進一步說明。 圖2為場致發光裝置1〇〇之另一具體實施例之示意圖。場 致發光裝置100在許多方面類似於圖丨之場致發光裝置。 在圖2所示的具體實施例中，場致發光裝置1〇〇包含一基板 112、一形成於基板112之主要表面114上的場致發光元件 120、及形成於保護層14〇上的彩色濾波器u〇a、u〇b與 13〇C(以下共同稱為彩色濾波器130)。場致發光元件120包含 一第一電極122、一第二電極126及一或多個定位在第一電 極122與第一電極126之間的裝置層124。本文針對圖j解說 的具體實施例之基板12、場致發光元件2〇與彩色濾波器3〇 所說明的所有設計考量及可能性，可同等應用於圖2解說的 具體實施例之基板112、場致發光元件12〇與彩色渡波器 130 〇 場致發光裝置1〇〇還包含形成於場致發光元件12〇之至少 4刀上的保護層140。保護層140可形成於場致發光元件 120上並與之接觸。或者，可將一可選層或各可選層包含在 97648.doc -32- 200527355 場致發光元件120與保護層140之間。 保護層140可以為保護場致發光元件12〇之任一或任何適 合的類型層，例如阻障層、膠囊層等。可以採用任一或任 何合適的材料而形成保護層14〇，該等材料例如美國專利申 請案第2004/0195967號（Padiyath等人）及美國專利第 6,522,067號（Graff等人）所說明。 將彩色濾波器130轉移至保護層140之主要表面142。如本 文針對圖1之場致發光裝置1〇之彩色濾波器3〇所說明，可以 採用任一適合的技術而形成場致發光裝置1〇〇之彩色濾波 器13 0 ’该技術例如塗佈（例如旋塗）、印刷（例如絲網印刷或 喷墨印刷）、實體或化學汽相沈積、光微影與熱轉移方法（例 如美國專利第6，1 14,088號（\^〇11^等人）所說明）。較佳的係採 用本文說明的LITI技術將彩色濾波器13〇轉移至保護層 140 〇 也可將例如黑色矩陣等之其他元件形成於場致發光元件 或保護層上。例如圖3為場致發光裝置200之另一具體實施 例之示意圖。場致發光裝置200在許多方面類似於圖1之場 致發樂裝置10與圖2之場致發光裝置1〇〇。場致發光裝置200 包含一基板212、一形成於基板212之主要表面214上的場致 發光元件220、及形成於場致發光元件22〇上的彩色濾波器 23 0a、230b與230c(以下稱為彩色濾波器230)。場致發光元 件220包含一第一電極222、一第二電極226及一或多個定位 在第一電極222與第二電極226之間的裝置層224。本文針對 圖1解說的具體實施例之基板12、場致發光元件2〇與彩色濾 97648.doc -33- 200527355 波益30所說明的所有設計考量及可能性，可同等應用於圖3 解說的具體實施例之基板212、場致發光元件220與彩色濾 波器230。 场致發光裝置200進一步包含形成於場致發光元件220上 的可選黑色矩陣260。黑色矩陣260包含複數個孔徑262a、 262b與262c(以下共同稱為孔徑262)。雖然圖3解說的具體實 施例僅包含三個孔徑262，但是黑色矩陣26〇可包含任何合 適數$的孔徑。各孔徑262可採取任一合適的形狀，例如卵 形、矩形、多邊形等 一般而言，在許多顯示器應用中使用黑色矩陣塗層來吸 收環境光、改進對比以及保護TFT。將黑色矩陣26〇(通常包 合吸收或非反射金屬、金屬氧化物、金屬硫化物、染料或 顏料）形成於顯示器之個別像素、彩色轉換元件或彩色濾波 器周圍。在許多顯示器中，黑色矩陣26〇為顯示器基板上黑 色鉻氧化物之0.1至0·2 μπι塗層。樹脂黑色矩陣（樹脂矩陣中 的顏料）為黑色鉻矩陣之替代具體實施例。樹脂黑色矩陣可 採用光微影加以塗佈至顯示器基板或場致發光裝置上，並 接著加以圖案化。為了達到薄樹脂黑色矩陣塗層中的高光 學岔度，通常有必要採用相當高的顏料負載，其難以採用 光微影而圖案化。或者，可採用熱轉移方法將黑色矩陣26〇 從施體薄片轉移至裝置，該方法例如美國專利第"“Μ 號（Pokorny等人）所說明。 在某些具體實施例中，可將彩色濾波器23〇轉移至場致發 光元件220以便採用本文所說明之任一適合的技術將各彩 97648.doc -34- 200527355 色濾波器230轉移至可選黑色矩陣260之孔徑262中。例如， 可以將彩色濾波器230a轉移至黑色矩陣260之孔徑262a中。 在某些具體實施例中，一或多個基板212、一或多個褒置 層224與彩色濾波器230可配置成提供偏極化光，如（例如） 美國專利第6,485,884號（Wolk等人）及第5,693,446號（Staral 等人）所進一步說明。 如本文所說明，場致發光裝置可以為頂部發射式（例如圖 1之場致發光裝置10)或底部發射式。圖4解說底部發光裝置 之一此類具體實施例，該圖為場致發光裝置300之另一具體 實施例之示意圖。場致發光裝置300在許多方面類似於圖1 之場致發光裝置10。場致發光裝置3 00包含一基板312及一 形成於基板312之第一主要表面314上的場致發光元件 320。場致發光元件320包含一第一電極322、一第二電極 3 26、及定位在第一電極322與第二電極326之間的一或多個 裝置層324。 場致發光裝置300與圖1之場致發光裝置1〇之間的一個差 異在於裝置300為底部發光場致發光裝置。在此具體實施例 中’將彩色濾波器330a、330b、330c(以下共同稱為彩色遽 波器330)形成於基板312之第二主要表面316上，以便彩用 濾波器330係與場致發光元件320光學相關聯。換言之，由 場致發光元件320所發射的光之至少一部分穿過基板312並 且入射在至少一個彩色濾波器3 3 0上。雖然僅解說三個彩色 慮波器330 ’但疋場致發光裳置3〇〇可包含任一適合數量的 彩色濾波器，例如紅色與綠色、紅色、綠色、藍色等。此 97648.doc -35- 200527355 外，場致發光裝置300可包含形成於基板312之第二主要表 面3 16上的黑色矩陣，如本文所進一步說明。 本文針對圖1之基板12、場致發光元件2〇與彩色濾波器3〇 所說明的所有設計考量及可能性，可同等應用於圖4解說的 具體實施例之類似元件。 已說明本發明之解說性具體實施例，並且已參考本發明 之範疇内的可能變化。熟習此項技術者應明白該等及其他 變化與修改，而不脫離本發明之範疇，並且應瞭解本發明 不限於本文所提出的解說性具體實施例。因此本發明僅受 以下提供的申請專利範圍限制。 【圖式簡單說明】 圖1為包含形成於場致發光元件上的彩色濾波器之頂部 發光場致發光裝置的一項具體實施例之示意圖。 圖2為包含形成於保護層上的彩色濾波器之頂部發光場 致發光裝置的另一具體實施例之示意圖。 圖3為包含形成於黑色矩陣之孔徑中的場致發光元件上 之彩色濾波器之頂部發光場致發光裝置的另一具體實施例 之示意圖。 圖4為包含形成於基板上的彩色濾波器之底部發光場致 發光裝置的一具體實施例之示意圖。 【主要元件符號說明】 10 場致發光裝置 12 基板 97648.doc -36- 200527355 14 主要表面 20 場致發光元件 22 第一電極 24 裝置層 26 第二電極 30 彩色渡波器 30a 彩色遽波裔 30b 彩色濾波器 30c 彩色濾波器 110 場致發光裝置 112 基板 114 主要表面 122 第一電極 124 裝置層 126 第二電極 130 彩色濾波器 130a 彩色遽波β 130b 彩色濾波器 130c 彩色濾波器 140 保護層 142 主要表面 97648.doc -37- 200527355 200 場致發光裝置 212 基板 214 主要表面 220 場致發光元件 222 第一電極 224 裝置層 226 第二電極 230 彩色滤波 230a 彩色遽波裔 230b 彩色濾波器 230c 彩色濾波器 260 黑色矩陣 262 孔徑 262a 孔徑 262b 孔徑 262c 孔徑 300 場致發光裝置 312 基板 314 第一主要表面 316 第二主要表面 320 場致發光元件 97648.doc -38- 200527355 322 324 326 Tg 第一電極 裝置層 第二電極 溫度 97648.doc -39-

Claims (1)

1. 200527355 十、申請專利範圍： 1 · 一種製造一場致發光裝置之方法，該方法包括： 形成一場致發光元件於一基板上；以及 選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至該場致發光元件。 2·如請求項丨之方法，其中選擇性地熱轉移該等複數個彩色 遽波器包括： 提供一施體薄片，其包括一基礎層、一光至熱轉換層 、與一轉移層； 定位該施體薄片，以便該轉移層係接近於該場致發光 元件；以及 選擇性地照射該施體薄片之部分，以將該轉移層之部 分從該施體薄片熱轉移至該場致發光元件。 3·如請求項2之方法，其中該轉移層包括至少一種著色劑。 4.如咕求項1之方法，其進一步包括形成一黑色矩陣於該場 致發光元件上。 5·如請求項4之方法，其中形成該黑色矩陣包括選擇性地熱 轉移該黑色矩陣至該場致發光元件。 6.如印求項4之方法，其中該黑色矩陣包括複數個孔徑。 7·如叫求項6之方法，其中選擇性地熱轉移複數個彩色濾波 器包括選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至該場致發光 疋件，以便將該等複數個彩色濾波器之各彩色濾波器轉 移至該黑色矩陣之該等複數個孔徑之一孔徑中。 8·如請求項1之方法，其中該基板包括複數個可獨立定址的 主動裝置。 97648.doc 200527355 9 如言青求jg ι . /貝1之方法，其中該場致發光元件包括一有機發射 材料。 10 ·如請求0 +七、1 β 1 % y之方法，其中該有機發射材料包括一發光聚合 物。 月长項1之方法，其中該場致發光元件能夠發白光。 12·如請求们之方法’其中該等複數個彩色渡波器之各彩色 濾波器獨立地包括一顏料或一染料。 13·如請求項丨之方法，其中該等複數個彩色濾波器之至少一 個彩色濾波器能夠傳遞紅光，其中該等複數個彩色濾波 器之至少一個彩色濾波器能夠傳遞綠光，並且此外其中 該等複數個彩色濾波器之至少一個彩色濾波器能夠傳遞 藍光。 14. 一種製造一場致發光裝置之方法，該方法包括： 形成一場致發光元件於基板之一第一主要表面上；以 及 選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至該基板之一第二 主要表面。 15·如請求項14之方法，其中選擇性地熱轉移複數個彩色濾 波器包括： 提供一施體薄片，其包括一基礎層、一光至熱轉換層 、與一轉移層； 定位該施體薄片’以便該轉移層係接近於該基板之該 第二主要表面；以及 選擇性地照射該施體薄片之部分，以將該轉移層之部 97648.doc 200527355 16. 17. 18. 19. 20. 21. 22. 23. 24. 25. 26. 刀攸忒施體薄片熱轉移至該基板之該第二主要表面。 如明求項15之方法，其中該轉移層包括至少_種著色劑。 如明求項14之方法，其進一步包括形成一黑色矩陣於該 基板之該第二主要表面上。 月长項17之方法，其中形成該黑色矩陣包括選擇性地 熱轉移該黑色矩陣至該場致發光元件。 如凊求項17之方法，其中該黑色矩陣包括複數個孔徑。 如喷求項19之方法，其中選擇性地熱轉移複數個彩色濾 波器包括選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至該基板之 該第一主要表面，以便將該等複數個彩色濾波器之各彩 色濾波器轉移至該黑色矩陣之該等複數個孔徑之一孔徑 中。 "" 女明求項14之方法，其中該基板包括複數個獨立可定址 的主動裝置。 如睛求項14之方法，其中該場致發光元件包括一有機發 射材料。 如請求項22之方法，其中該有機發射材料包括一發光聚 合物。 如晴求項14之方法，其中該場致發光元件能夠發白光。 如請求項14之方法，其中該等複數個彩色濾波器之各彩 色渡波器獨立地包括一顏料或一染料。 如請求項14之方法，其中該等複數個彩色濾波器之至少 一個彩色濾波器能夠傳遞紅光，其中該等複數個彩色遽 波器之至少一個彩色濾波器能夠傳遞綠光，並且此外其 97648.doc 200527355 中該等複數個彩色濾波器之至少一個彩色遽波器能夠傳 遞藍光。 2 7 · —種製造一場致發光裝置之方法，該方法包括： 形成一場致發光元件於一基板上； 形成一保護層於該場致發光元件之至少一部分上；以及 選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至該保護層。 28. —種製造包括至少一個場致發光裝置之一場致發光彩色 顯示器之方法，該方法包括： 形成該至少一個場致發光裝置於一基板上，其中形成 該至少一個場致發光裝置包括： 形成一場致發光元件於該基板上；以及 選擇性地熱轉移複數個彩色濾波器至該場致發光元件。 97648.doc -4-