TW200523931A - Nonvolatile memory - Google Patents

Description

200523931 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於非揮發性記憶體，特別是有關適用於對 應2種外部供給電壓的快閃記憶體（快閃EEPROM )等之 類的非揮發性記憶體的有效技術。 【先前技術】 根據本發明人檢討的部分來看，關於非發性記憶體可 構思出以下的技術。 例如’以對應2種外部供給電壓的非揮發性記憶體而 言’可列舉出好比記載於專利文獻1中的技術。此專利文 獻1的技術係，構成爲由外部供給5 V與3 V這2種供給 電壓（Vss )，並用3V的內部操作電壓使內部電路動作 。此內部操作電壓係，可用閾値來切換成降壓外部供給電 壓或直接使用，當供給了 5 V時就降壓成3 V，當供給了 3V時就直接使用。又，寫入與刪除所必要的高電壓（Vpp )亦由外部供給。 【專利文獻1】日本特開平5 - 1 2 8 9 0號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 可是’針對諸如前述的非揮發性記憶體的技術，本發 明人檢討後的結果，闡明了以下幾點。 例如’在前述專利文獻]的技術中，爲了用單一閾値 -4- 200523931 (2) 來切換2種的電壓，當用閾値附近的電壓來動作時，有可 能因爲切換動作頻繁使得動作不穩定。亦即，如第1 〇圖 (a ) ， （ b )所示’外部供給電壓（v c c )在閾値4 . 〇 v附 近會變得不穩定’伴隨於此情況，檢測信號也會在外部供 給點壓超過4 · 0 V時變成’’ η ”，4 · 0 V以下則變成” L ”，此 ” Η ”與” L ”反覆出現，使得降壓外部供給電壓以產生內部操 作電壓，或直接將外部供給電壓當作內部操作電壓來使用 之切換變得很不穩定。 又，由於高電壓（V ρ ρ )係由外部供給的，故並未考 量到寫入/刪除的問題。 因此，本發明的目的係，提供對應2種外部供給電壓 ，可令切換此外部供給電壓的閾値電壓附近之動作穩定下 來的非揮發性記憶體。 又’本發明其他目的係，提供可令寫入/刪除時的動 作穩定下來的非揮發性記憶體。 本發明前述以及其他目的的新特徵，將透過本說明書 的記述與附圖來闡明。 若要簡單地說明，本申請案内所開示的發明中代表內 容的槪要，則如下所述。 本發明係’適用於對應2種外部供給電壓的非揮發性 記憶體，內部ί維有磁滯比較器（h y s t e r e s i s c 〇 m p a r a t 〇 r ) ，其具有當外部供給電壓上升時，因爲檢測出第1電壓位 準使內部降壓電路動作，而產生絕對値小於第I電壓位準 的內部操作電壓並予以供給，之後，利用檢測出絕對値小 -5- 200523931 (3) 於第1電壓位準的第2電壓位準的方式，將外部供給電壓 當作內部操作電壓來供給之電源電路。 關於此非揮發性記憶體，其具有以電源電路供給的內 部操作電壓當作基準’產生寫入/刪除/驗證/讀出電壓 之電壓產生電路。又，電壓產生電路係含有多段的電荷泵 (charge pump )電路，並會對應第}外部供給電壓位準 、以及小於第1外部供給電壓位準的第2外部供給電壓位 準以切換電荷泵電路段數。特別是第1外部供給電壓位準 爲3 V系統，第2外部供給電壓位準爲1 . 8 v系統。 又’關於此非揮發性記憶體，其具有由1記憶格中儲 存著多位元資料的多値記憶格構成的記憶體陣列，可適用 於多値非揮發性記憶體。 若要簡單地說明，根據本申請案內所開示的發明中之 代表性發明而獲得的效果，則如下所述。 (1 )由於採用了具有第1與第2電壓位準這2個閾 値的磁滯比較器，因此，可消除切換降壓外部供給電壓， 或直接當作內部操作電壓來供給時的閾値電壓附近的不穩 定動作，使切換外部供給電壓的閎値電壓附近的動作穩定 下來。 (2 )由於以內部操作電壓當作基準產生了寫入/刪 除電壓，因此，關於不外部供給高電壓的單一電源動作之 非揮發性記憶體，特別是因爲寫入/刪除時的內部電壓很 穩定的關係，故可使寫入/刪除時的動作穩定下來。 200523931 (4) 【實施方式】 以下，則根據本發明實施形態的圖形進行詳細的說明 。又’在用來說明實施形態的所有圖形中，關於具有相同 功能的構件，原則上係加上相同的符號，並省略其反覆的 說明。 (實施形態1 ) 首先根據第1圖，說明本發明實施形態I之非揮發性 δ己丨思體的槪略構成的其中一例。第1圖係表示非揮發性記 憶體的槪略構成圖。 本貫施形態1的非揮發性記憶體係，舉例而言，由快 閃記憶體構成，其乃由多工器1、資料輸入緩衝2、控制 信號緩衝3、電源電路4構成的輸出入電路5、以及頁面 位址緩衝6、輸入資料控制器7、行位址計數器（c〇i umn address counter) 8、讀出/寫入/刪除控制器9構成的 邏輯電路1 0、以及記憶體陣列1 1、X解碼器1 2、資料暫 存器1 3、Y閘1 4、Y解碼器1 5、資料輸出緩衝1 6構成的 S己憶體電路1 7、以及讀出/寫入/刪除電壓產生電路18 等構成的。 在輸出入電路5中’多工器1會透過各資料輸出入終 端I / Ο 1〜I / 0 8來輸出入資料，可利用此多工器1來切換 輸出或輸入。通過此多工器1的輸入資料則會通過資料輸 入緩衝2，輸出至邏輯電路1 〇的輸入資料控制器7。各控 制fe號則會通過各控制彳g號輸入終端C E (晶片賦能）、 200523931 (5)

RE (讀出賦能）、WE (寫賦能）、WP (寫保護）、CLE (命令閂賦能）、ALE (位址閂賦能）、PRE (電力開啓 自動寫賦能）、DSE (深待命賦能）來輸出控制信號。又 ’針對這些各個控制信號，CE、RE、WE、WP、DSE、B ’如同圖中在各信號上加上一條橫線一樣，其則爲反向信 號。 在此輸出入電路5中，外部供給電壓會在通過電源終 端Vcc後洪給給電源電路4 ,由此電源電路4產生內部操 作電壓後，再供給給邏輯電路1 0、讀出/寫入/刪除電 壓產生電路]8。又·接地電壓也會在通過接地終端Vss 後供給給輸出入電路5。舉例而言，通過電源終端Vcc而 供給的外部供給電壓，則有3 V系統與1 .8 V系統2種外 部供給電壓位準，不管是面對何種電壓位準，都會在產生 2.2V的內部操作電壓後再輸出。 在邏輯電路10中，控制信號會由多工器1、讀出/ 寫入/刪除控制器9輸入到頁面位址緩衝6，頁面位置的 控制信號則會輸出至記憶體電路1 7的X解碼器1 2。由資 料輸入緩衝2而來的資料、以及讀出/寫入/刪除控制器 9而來的控制信號則會輸入至輸入資料控制器7，輸入資 料的控制信號則會輸出至記憶體電路1 7的Y閘1 4。控制 信號會由讀出/寫入/刪除控制器9輸入至行位址計數器 8，行位址則會輸出至記憶體電路1 7的Y解碼器1 5。控 制信號會由多工器1、控制信號緩3輸入至讀出/寫入/ 刪除控制器9，各控制信號則會輸出至邏輯電路1 〇內的 200523931 (6) 各電路、控制信號緩衝3、記憶體電路1 7內的資料輸出 緩衝1 6、讀出/寫入/刪除電壓產生電路1 8。 在記憶體電路1 7中，1記億格中儲存著多位元資料 的多値記憶格，會在字線與位元線交點上以陣列狀配置於 記億體陣列1 1中。此記憶體陣列1 1內的各記憶格可由X 解碼器1 2、Y閘1 4、Y解碼器1 5中任意地選擇，針對這 被選擇到的記憶格則會進行資料讀出、資料寫入、資料刪 除。這些讀出、寫入 '刪除的資料會暫時儲存於資料暫存 器1 3中，又，讀出資料則會暫時地儲存於資料輸出緩衝 1 6內再輸出。 接下來根據第2圖，針對本實施形態1的非揮發性記 憶體，說明電源系統槪略構成的一個例子。第2圖係表示 電源系統的槪略構成圖。 其電源系統係，外部供給電壓乃通過電源終端Vcc來 供給，由此外部供給電壓通過電源電路4而產生內部操作 電壓，此內部操作電壓則供給至邏輯電路1 〇、與讀出/ 寫入/刪除電壓產生電路18。在此讀出/寫入/刪除電 壓產生電路1 8中，則利用昇壓電路昇壓內部操作電壓， 又利用降壓電路降壓內部操作電壓，產生讀出電壓、寫入 電壓、刪除電壓、驗證電壓等各種操作電壓供給至記憶體 電路1 7。在此記憶體電路1 7中，產生的各電壓則被用於 讀出動作、寫入動作、刪除動作等用途上。舉例而言，內 部操作電壓係2.2V、讀出電壓爲最大5V、寫入電壓爲最 大15V、刪除電壓爲最大d 8V。又，昇壓電路中則內藏著 -9- 200523931 (7) ，好比將於後述的實施形態2中說明的電荷泵（ 外部供給電壓Vcc成爲內部操作電壓）。 接著根據第3圖，針對本實施型態1的非揮 體，說明多値記憶格之閾値電壓分布的一個例子 係多値記憶格之閾値電壓分布的說明圖，（a ) 例子的2値記憶格，（b )表示4値記憶格。 多値（4値）記憶格係，可於1記憶格內儲 (2位元）的資料，相對於第3圖（a )所示之 値電壓（Vth )分布係” 1 ”與”〇”）的記憶格，如第 )所示，其可由閾値電壓（Vth )分布較小的這 儲存” 0 0 ”、” 0 1 ”、” 1 0 ”、” 1 1 ”之分布的4値資料。 關於寫入動作，例如” 0 0 ”分布係分別設定爲 電壓爲 VWE1、下緣判定電壓爲 VWV1，同樣地 "10”分布係分別設定爲上緣判定電壓爲 VWE2、 下緣判定電壓爲 V W V 2、V W V 3，又’’ 1 1 ”分布係 緣判定電壓爲 VWV4。又，關於讀出動作，好 分布與"0 1 ’’分布間設定了讀出電壓Vr 1、在 與”10”分布間設定了讀出電壓Vr2、在"1〇”分布 布間設定了讀出電壓Vr3。 接著根據第4圖，針對本實施形態！的非揮 體，說明電源電路構成的一個例子◊第4圖係表 路的電路圖。 電源電路4係由初始電路2 1、電壓檢測電g 電壓電路23、切換電路24等構成，尤其是其構 弟9圖， 發性記憶 。弟3圖 表示比較 存多位元 2値（閾 3圖（b 邊開始， 上緣判定 ，”01，，、 VWE3 , 設定成下 比分別在 ”分布 與’’ 1 1 ”分 發性記憶 示電源電 各22、定 成开彡式爲 -10- 200523931 (8) 內部具有磁滯比較器，當外部供給電壓上升時，因爲檢測 出第1電壓位準的關係，使定電壓電路2 3等構成的內部 降壓電路開始動作，而產生絕對値小於第1電壓位準的內 部操作電壓並予以供給，之後，由於檢測出絕對値小於第 1電壓位準的第2電壓位準的關係，即將外部供給電壓當 作內部操作電壓來供給。舉例而言，設定第1電壓位準爲 2.2V、第2電壓位準爲2.IV、內部操作電壓爲2.2V。 初始電路2 1係當電源投入時，初始化內部電路的電 路，其被連結至外部供給電壓的電源線，又，輸出線則連 結至電壓檢測電路2 2、定電壓電路2 3的Μ 0 S電晶體T 3 、Τ 1 6的閘，並被當作閘控制信號來使用。 電壓檢測電路22係檢測外部供給電壓的電壓位準之 電路，由於其磁滯特性，當外部供給電壓的位準升高時會 以高位準來檢測，當下降時會以低位準來檢測。此電壓檢 測電路2 2係構成了，由連結至外部供給電壓的電源線與 接地線之間的7個MOS電晶體Τ1〜Τ7組成的磁滯比較器 ，其輸出線則連結至切換電路24的反向器IV 1。MOS電 晶體Τ3係藉由初始電路2 1而來的輸出信號來進行閘控制 ，又，MOS電晶體Τ5係藉由切換電路24而來的信號來 進行閘控制。 定電壓電路23係用來決定降壓位準之產生定電壓的 電路，其乃由連結至外部供給電壓之電源線與接地線間的 6個MOS電晶體Τ11〜Τ16構成的，在這些MOS電晶體 ΤΠ〜Τ]6之中，MOS電晶體丁]6係透過初始電路21的輸 -11 - 200523931 (9) 出信號來進行閘控制。 切換電路24係切換降壓外部供給電壓，或直接當作 內部操作電壓輸出的電路’其乃由2段的反向器IV：!、 IV2與2個MOS電晶體T2I ' 丁22構成，由電壓檢測電路 22而來的輸出信號則輸入至前段的反向器IV]，由後段的 反向器IV2連結至電壓檢測電路22的MOS電晶體T5的 閘。又，後段反向器IV2的輸出線則連結至MOS電晶體 T21的閘，用作閘控制信號。又，MOS電晶體T22的閘則 連結至，定電壓電路2 3的Μ 0 S電晶體T 1 1與Μ Ο S電晶 體Τ 1 2的連結節點，受到了閘控制。 接著根據第5圖與第6圖，說明電源電路動作的一個 例子。第5圖表示電源電路內電壓檢測電路的動作波形圖 。第6圖係電源電路的動作波形圖，（a )表示降壓外部 供給電壓的情況，（b )表示不降壓外部供給電壓的情況 〇 如第5圖所示，以外部供給電壓而言，由電源投入時 開始，伴隨著時間經過電壓位準會上昇，在規定時間內供 給一定的電壓時，電壓檢測電路22的內部節點B相對於 外部供給電壓，表示出定電壓特性，因此，當超過檢測電 壓時，電壓檢測電路22之輸出C會由”L”往”Η ”來變化。 亦即，電壓檢測電路2 2的內部節點Β的動作波形，比起 外部供給電壓其上昇角度較小，並會在更快的時間內變爲 〜定。又，檢測電壓係’內部節點Β之動作波形與反向電 壓（節點Β輸入反向器）交叉的電壓。 -12- 200523931 (10) 在第6圖中’以外部供給電壓而言供給了 3 · 3 V，降 壓此電壓時，則如第6圖（a )所示，外部供給電壓從電 源投入時開始即隨著時間經過而上昇，其動作波形係在 3 .3 V時會變爲一定。在此外部供給電壓的供給狀態下， 初始電路2 1之輸出A係，從電源投入時開始經過規定時 間後，會由” L ”朝” Η ”來變化，之後則變成跟外部供給電壓 相同的動作波形。又，根據這些外部供給電壓、初始電路 2 1的輸出A，電壓檢測電路2 2的輸出C在到達檢測電壓 時，會由”L”朝”H”來變化，之後則變成跟初始電路21的 輸出A相同的動作波形。因此，電源電路4輸出的內部 操作電壓係，當外部供給電壓超過檢測電壓時，則會降壓 外部供給電壓以當作內部操作電壓來輸出。 又，以外部供給電壓而言供給了 1 . 8 V，當不降壓此 電壓時，則如第6圖（b )所示，外部供給電壓由電源投 入時開始，隨著時間經過將會上昇，在1 · 8 V時變爲一定 的動作波形。在此外部供給電壓的供給狀態下，初始電路 2 1之輸出A係，從電源投入時開始經過規定時間後，會 由” L”朝”H”來變化’之後則變成跟外部供給電壓相同的動 作波形。又，根據這些外部供給電壓、初始電路2 1的輸 出A，電壓檢測電路2 2的輸出C則不會到達檢測電壓， 而維持著”L”的狀態。因此，電源電路4輸出的內部操作 電壓係，由於外部供給電壓不會超過檢測電壓，因此外部 供給電壓則直接當作內部供給電壓來輸出。 接著根據第7圖，針對電源電路中，切換外部供給電 -13- 200523931 (11) 壓的動作穩定性進行說明。第7圖係切換外部供給w壓g 動作安全性的說明圖，（a )表示電壓波形與檢測信號白勺 關係，（b )表示對應檢測信號等級之內部操作電壓的^ 生。 在本實施形態1之中，如前述所述，電源電路4具有· ，好比當作一個例子之擁有以2.3 V與2 · 1 V這2個電壓位 準作爲閾値的磁滯比較器，因此，如第7圖（a )所示， 當外部供給電壓上昇時，由於偵測出2 · 3 V的第]電壓{立 準，故檢測信號變爲’’Η”，定電壓電路23等組成的內部降 壓電路則開始動作，產生2.2 V的內部操作電壓並予以供 給。之後’因爲檢測出2.1 V的弟2電壓位準，檢測信號 變成了 ’’L”，將外部供給電壓直接當作內部操作電壓來供 給。因此，就算外部供給電壓（V c c )在2 · 3 V附近變得不 穩定，檢測信號依然會保持”Η”，當降壓外部供給電壓進 行內部供給時，則就算外部供給電壓下降切換電路24也 不會啓動，因此內部操作電壓則不會有變動。 因此，根據本實施形態1的非揮發性記憶體，藉由採 用具有2種閾値的磁滯比較器，就可消除切換成降壓外部 供給電壓、或直接當作內部操作電壓來供給時之閩値電壓 附近的不穩定動作’故可穩定切換外部供給電壓之閾値電 壓附近的動作。 又，由於內部操作電壓不再變動，故昇壓此內部操作 電壓之寫入/刪除時的內部電壓即很穩定，因此可穩定寫 入/刪除動作。 一 14- 200523931 (12) 又，將如本實施形態1的非揮發性記憶體搭載於記憶 卡等’當作個人電腦與攜帶機器等之外部記憶媒體，考慮 到電池動作時’與基於A C電源的情況相比，由於外部供 給電壓容易變得不穩定，故利用本實施形態的非揮發性記 憶體適用於電池動作的雙電壓製品時，其效果將會特別大 (實施形態2 ) 首先根據第8圖針對本發明實施形態2的非揮發性記 憶體，說明電源系統槪略構成的一個例子。第8圖係表示 電源系統的槪略構成圖。 在本實施形態2的非揮發性記憶體中，不同於前述實 施形態1的部份在於，由外部供給電壓產生的內部操作電 壓僅供給給邏輯電路1 〇，外部供給電壓會直接供給至讀 出/寫入/刪除電壓產生電路18a。其他的構成與各電路 的功能等則同於前述實施形態1。 亦即’關於本實施形態2之非揮發性記憶體的電源系 統係，外部供給電壓乃通過電源Vcc來供給的，由此外部 供給電壓通過電源電路4後產生內部操作電壓，而此內部 操作電壓則供給給邏輯電路I 〇。又，外部供給電壓則會 直接供給至讀出/寫入/刪除電壓產生電路I 8 a，使用昇 壓電路昇壓外部供給電壓，並使用降壓電路降壓外部供給 電壓，以產生讀出電壓、寫入電壓、刪除電壓、驗證電壓 等各種操作電壓，供給給記憶體電路1 7。在此記憶體電 -15- 200523931 (13) 路1 7中，產生的各電壓則被用於讀出動作、寫入動作、 刪除動作。 接著根據第9圖’說明讀出/寫入/刪除電壓產生電 路內之電荷泵電路構成之一個例子。第9圖係表示讀出/ 寫入/刪除電壓產生電路內的電荷泵電路之電路圖。 曰買出局入/刪除電壓產生電路18a中，內藏著升壓 外部供給電壓的電荷泵電路。此電荷泵電路係由複數的電 容元件C1〜C8以及複數的開關電路S0〜S8、S4’構成，並 將對應外部供給電壓來動作，其構成爲，當供給了 3 v時 ’昇壓段數將會以4段（各電容元件c ]〜C4與各開關電 路S 1〜S 3、S 4成對的4段構成）泵的形式來動作，當供 給了 1 . 8 V時，昇壓段數將會以8段（各電容元件c丨〜c 8 與各開關電路S 1〜S 8成對的8段構成）泵的形式來動作。 舉例而言，在3V動作時，則控制成啓動控制信號φ & 、/ (Da、/ φ/，不啓動控制信號d)b、/ φί}，藉由令4 段的開關電路 S1〜S3、S4產生動作，輸出對電容元件 C1〜C4充電的電壓，使其以昇壓段數爲4段泵的形式來動 作。又，在1 .8V動作時，則控制成啓動控制信號φ a、/ Φ a、φ b、/ φ b，不啓動控制信號φ a’，藉由令8段的 開關電路S1〜S8產生動作’輸出封電容元件ci〜eg充電 的電壓，使其以昇壓段數爲8段泵的形式來動作。 因此’根據本實施形態2的非揮發性記憶體，即可獲 得跟前述實施形態1 一樣的效果，尤其是邏輯電路1 〇係 由於固疋了操作電壓，故在其穩定動作的同時，可藉由將 -16- 200523931 (14) 外部供給電壓直接輸入至讀出/寫入/刪除電壓產生電路 1 8 a的方式，提高電荷泵電路的效率。 以上，係根據實施形態說具體地說明了本發明人完成 的發明，但本發明係不僅限定於前述實施形態，在不偏離 其要旨的範圍內當然可以進行種種變更。 舉例而言，在前述實施型態中，以非揮發性而言，係 以快閃記憶體當做範例來說明，但EEPROM等之非揮發 性記憶體等亦可適用。 【圖式簡單說明】 第1圖係表示本實施形態1之非揮發性記憶體的槪略 構成圖。 第2圖係表示本實施形態1之非揮發性記憶體中，電 源系統的槪略構成圖。 第3圖（a ) 、 （ b )係表示本實施形態1之非揮發性 記憶體中，多質記憶格之閾値電壓分布的說明圖。 第4圖係表示本實施形態1之非揮發性記憶體中，電 源電路的電路圖。 第5圖係表示本實施形態1之非揮發性記憶體中，電 源電路內之電壓檢測電路動作的波形圖。 第6圖（a ) 、 （ b )係表示本實施形態1之非揮發性 記憶體中，電源電路動作的波形圖。 第7圖（a ) 、 （ b )係表示本實施形態1之非揮發性 記憶體中，切換外部供給電壓之動作的安定性的說明圖。 -17- 200523931 (15) 第8圖係表示本實施形態2之非揮發性記憶體中’電 源系統的槪略構成圖。 第9圖係表示本實施形態2之非揮發性記憶體中’ 出/寫入/刪除電壓產生電路內之電荷泵電路的電路圖。 第1 〇圖（a )、（ b )係表示關於作爲本發明前提所 檢討之比較例子的非揮發性記憶體，其切換外部供給電壓 之動作的不穩定性的說明圖。 【主要元件符號說明】 1:多工器 2 :資料輸入緩衝 3 :控制信號緩衝 4 :電源電路 5 =輸出入電路 6 =頁面位址緩衝 7 :輸入資料控制器 8 :行位址計數器 9 :讀出/寫入/刪除控制器 1 〇 :邏輯電路 ]1 :記憶體陣列 1 2 : X解碼器 1 3 :資料暫存器 14 : Y 閘 1 5 : Y解碼器 -18- 200523931 (16) 1 6 :資料輸出緩衝 1 7 :記憶體電路 1 8、1 8a :讀出/寫入/刪除電壓產生電路 2 1 :初始電路 2 2 :電壓檢測電路 2 3 :定電壓電路 2 4 :切換電路

-19-

Claims (1)

1. 200523931 (1) 十、申請專利範圍 1 . 一種非揮發性記憶體，其特徵爲：內部擁有磁滯比 較器’並具有當外部供給電壓上升時，因爲檢測出第1電 壓位準使內部降壓電路動作，而產生絕對値小於第1電壓 位準的內部操作電壓並予以供給，之後，利用檢測出絕對 値小於第1電壓位準的第2電壓位準的方式，將外部供給 電壓當作內部操作電壓來供給之電源電路。

   2 ·如申請專利範圍第1項所記載之非揮發性記憶體 ，其中’具有以前述電源電路供給的前述內部操作電壓當 作基準’產生寫入/刪除/驗證/讀出電壓之電壓產生電 路。 3 ·如申請專利範圍第2項所記載之非揮發性記憶體 ，其中’前述電壓產生電路係含有多段的電荷泵電路，並 會對應第1外部供給電壓位準、以及小於第1外部供給電 壓位準的第2外部供給電壓位準以切換電荷泵電路段數。

   4 ·如申請專利範圍第3項所記載之非揮發性記憶體 ，其中，前述第1外部供給電壓位準爲3 V系統，前述第 2外部供給電壓位準爲1 . 8 V系統。 5 ·如申請專利範圍第1項所記載之非揮發性記憶體 ，其中，具有由i記憶格中儲存著多位元資料的多値記億 格構成的記憶體陣列。 -20-