TW200404329A

TW200404329A - Light emitting device and method of manufacturing the same

Info

Publication number: TW200404329A
Application number: TW092106658A
Authority: TW
Inventors: Masakazu Murakami; Tesshi Seo; Shunpei Yamazaki
Original assignee: Semiconductor Energy Lab
Priority date: 2002-03-26
Filing date: 2003-03-25
Publication date: 2004-03-16
Also published as: US7629018B2; KR20030077430A; TWI362128B; US20070160746A1; CN1449229A; CN101673756B; TW200803008A; TWI289870B; KR100941129B1; US20030184217A1; US7190335B2; CN101673756A; CN100525560C

Description

200404329 (1) 玖、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明相關於帶有發光元件的發光裝置，該發光元件藉由施加電場至夾置有一有機化合物層之一對電極，而發出螢光或磷光以及製造該發光裝置之方法。本說明書中，術語發光裝置包括影像顯示裝置、發光裝置和光源（包括照明裝置）。並且，下面的模組包括在發光裝置的定義中 :藉由將諸如FPC (撓性印刷電路；端點部分）、TAB ( 帶自動的接合（tape automated bonding))帶、或 TCP (帶運載包（tape carrier package))的連接器接連到發光元件而得到的模組；以及將1C (積體電路）藉由COG (玻璃上晶片）系統直接安裝到發光元件上的模組。【先前技術】發光元件預計要發展成應用至下一代平板顯示器，其採用有機化合物作爲發光元件，特徵在於其薄和質輕、快速回應和直流低電壓驅動。在顯示裝置中，由於寬的視角和極好的可視性，具有被安排以形成矩陣形狀的發光元件的顯示裝置被認爲是特別優於習知液晶顯示裝置。發光元件藉由下面的機制而發光：電壓施加在夾置含一有機化合物的層的一對電極之間，從陰極注入的電子和從陽極注入的電洞在含有機化合物的層的發光中心上重新組合以形成分子激子，分子激子回到基態，同時釋放能量以使發光元件發光。被稱爲激發態的是單重激發和三重激 -6 - (2) (2)200404329 發’人們認爲發光可以藉由這些激發態中的任何一個進行〇具有被安排以形成矩陣的發光元件的這類發光裝置可以採用被動式矩陣驅動（簡單矩陣式發光裝置）、主動式矩陣驅動（主動式矩陣發光裝置）、或其他驅動方法。然而’如果像素密度增加，因爲可以用低壓驅動，每個像素 (或每個點）有一個開關的主動式矩陣發光裝置被認爲是有優勢的。形成含有機化合物的層（嚴格地說，發光層）之有機化合物被分類爲低分子量材料和聚合（聚合物）材料，其是發光元件的中心。兩類材料都正在硏究，但是聚合材料是吸引注意力的一種，因爲它們更容易處理並有比低分子量材料高的耐熱性。將這些有機化合物形成爲膜的已知的方法是，例如，蒸發法、旋塗法、和噴墨法。旋塗和噴墨作爲允許發光裝置用聚合材料顯示全色影像的方法是特別衆所周知的。然而，當旋塗法被使用時，有機化合物形成於整個膜形成表面的整個膜之上，因而，很難有選擇地形成膜，其中有機化合物只形成在想要形成膜的部分，且膜不形成在不必要形成膜的部分。另外’主動式矩陣發光元件裝置具有從外部電源輸入電信號到形成於基底上的驅動器電路中的佈線，以及作爲電連接外電源以及包括有陰極、陽極及含有由形成於像素部分的有機化合物形成的有機化合物的層的發光元件的佈 (3) (3)200404329 線’因而，當有機化合物形成在連接到外電源的佈線部分 (端點部分）時，就有了一個問題，即不能與外電源實現歐姆接觸。尤其是，當含有機化合物的層藉由旋塗法形成時’很難引出形成於含有機化合物的層上的電極（陰極或陽極）到端點部分。因而，本發明提供一種方法，用於選擇地形成含有機化合物的聚合層；和連接結構，用於將提供在含有機化合物的層上的電極（陰極或陽極）電連接到從端點部分延伸的佈線。噴墨方法，作爲選擇地形成聚合有機化合物膜的已知方法，其優點在於分別發三色（R、G、B )光的不同有機化合物可以每次分開施加。然而，該方法的缺點在於其較差的膜形成準確度，因而，很難控制膜的形成以便於得到膜的均勻性。這樣，所得到的膜就很可能不均勻。噴墨法中這種不均勻的原因是，例如，噴嘴間距的不均勻、由於以彎曲方式噴出的墨引起的不均勻、低的台匹配準確度、墨流出和台運動之間的時間延遲等。例如，該噴墨法在這些執行條件中有問題，諸如由於將有機化合物溶解在溶劑中製造的墨水內部粘性阻力引起阻塞用於噴墨的噴嘴、從噴嘴噴出沒有到達所需位置的墨水；以及實際使用的問題，諸如由於具有高精度台或自動對準機構的專用設備、墨頭等的必要性引起的成本增加。並且，因爲墨水在到達之後散開，餘量被需要到一定的程度作爲相鄰像素之間的空間。結果是，提供更高的淸晰度變得困難。 (4) (4)200404329 因而，在使用聚合有機化合物的主動式矩陣發光裝置中，本發明目的之一在於提供用於選擇地形成聚合材料層的方法，其比使用噴墨法的情形更簡單；本發明的另一個目的在於容易形成一種結構，其中含有機化合物的層並不形成在與外電源連接的佈線的連接處。發光裝置習知上有一個問題，在於入射到非發光像素上的外部光（發光裝置外部的光）被陰極的底面（與發光層接觸側上的面）反射，導致陰極底面作爲鏡面。結果是，外部的景色（1 a n d s c a p e )不利地被反射到觀察面（面對觀察者一側的表面）上。爲了避免這個問題，發明了圓形偏振膜附連到發光裝置的觀察面上，使得外部景色不被反射到觀察面上。然而，由於圓形偏振膜非常貴，這就大大增加了製造成本。【發明內容】本發明中，聚合材料製成的膜藉由塗敷形成於下電極 (第一電極）的整個表面上，上電極（第二電極）用蒸汽澱積掩模藉由蒸汽澱積形成。然後，用上電極作爲掩模藉由電漿蝕刻以自對準方式蝕刻由聚合材料製成的膜，使得聚合材料的選擇性形成被允許。另外，輔助電極（第三電極）被形成使得上電極連接到延伸到端點電極的佈線上。而且，只要上電極對電漿鈾刻過程有抵抗力，上電極的厚度就可以減少。該情形中，形成於其上的輔助電極可以減小電阻。作爲輔助電極，可 -9- (5) (5)200404329 以使用金屬製成的金屬佈線，或者可以使用含導電漿（納米漿、混合漿、納米金屬墨水等）或導電細顆粒的黏接劑〇本說明書中關於本發明的結構係相關於，如圖1 A和 1B，或圖22A和22B的實例所示，發光裝置，包括：在有絕緣表面的第一基底和有半透明性的第二基底之間包括多個發光元件、驅動電路和端子部分的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；包含提供在第一電極上以便與之接觸的有機化合物的層；和提供在含有機化合物的層上以便與之接觸的第二電極，其中端子部分置於第一基底上以便被定位在第二基底外面；和第一基底和第二基底藉由其中有不同直徑的多種導電細顆粒混合的黏接劑彼此接合，而第二電極和來自端點部分的佈線彼此電連接。另外，本發明的另一種結構相關於，如圖1 A和1B 的實例所示，發光裝置，包括：在有絕緣表面的第一基底和有半透明性的第二基底之間包括多個發光元件、驅動電路和端點部分的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；包含提供在第一電極上以便與之接觸的有機化合物的層；和提供在含有機化合物的層上以便與之接觸的第二電極，其中端點部分置於第一基底上以便被定位在第二基底外面；以及 -10- (6) (6)200404329 第一基底和第二基底藉由其中無機材料製成的細顆粒和有著比上述細顆粒更大直徑的導電細顆粒混合的黏接劑彼此接合，而第二電極和來自端點部分的佈線彼此電連接〇另外，本發明的另一種結構相關於，如圖2 A和2B，或圖3 A和3 B的實例所示，發光裝置，包括：包括多個發光元件的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；含提供在第一電極上以便與之接觸的有機化合物的層；和提供於含有機化合物的層上以便與之接觸的第二電極；以及端點部分，其中含有機化合物的層的末端面與第二電極的末端面是緊接的（flush);並且在端點部分和像素部分之間有一個部分，其中從端點部分延伸的佈線和第二電極藉由含導電細顆粒的黏接劑電連接。另外，本發明的另一種結構相關於，如圖5 A和5 B 的實例所示，發光裝置，包括：包括多個發光元件的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；含提供在第一電極上以便與之接觸的有機化合物的層；和提供於含有機化合物的層上以便與之接觸的第二電極；以及端點部分，其中含有機化合物的層的末端面與第二電極的末端面 -11 - (7) (7)200404329 是緊接的（flush );並且在端點部分和像素部分之間有一個部分，其中從端點部分延伸的佈線和第二電極藉由覆蓋第二電極的第三電極連接。根據本發明的上述結構，發光裝置的特徵在於第三電極由金屬製成。另外，根據上述結構，第二電極和第三電極是發光兀件的陰極和陽極中的一^個。另外，在本發明的上述結構的每一個中，第二電極有與含有機化合物的層一樣的圖樣形式。另外，在本發明的上述結構的每一個中，發光裝置的特徵在於含有機化合物的層由聚合材料製成。另外，在上述結構的每一個中，含有機化合物的層是由聚合材料製成的層和由單體材料製成的層組成的疊加層。另外，在本發明上述結構的每一個中，第一電極的末端用絕緣體覆蓋，絕緣體的上端包括有第一曲率半徑的彎曲表面，而絕緣體的下端包括有第二曲率半徑的彎曲表面，第一和第二曲率半徑是〇.2-3μιη。另外’在本發明的上述結構的每一個中，第一電極由有半透明性的材料製成，並且是發光元件的陰極和陽極之 -- 〇另外，在本發明的上述結構的每一個中，含有機化合物的層由發白光的材料製成，並與濾色器組合。另外，含有機化合物的層由發單色光的材料製成，並與顔色轉變層和色彩層之一組合。 -12- (8) (8)200404329 用於實現本發明上述結構的本發明的結構相關於，如圖4A-4C的實例所示，製造包括發光元件的發光裝置的方法’該發光元件有··陽極；與陽極接觸的含有機化合物的層；和與含有機化合物的層接觸的陰極，該方法包括·· 藉由在有半透明性的第一電極上塗敷，形成由聚合材料製成的含有機化合物的層；藉由加熱蒸汽澱積材料的蒸汽澱積在含有機化合物的膜上選擇地形成由金屬製成的第二電極；用第二電極作掩模藉由電漿蝕刻以自對準方式蝕刻含有機化合物的層；以及選擇地形成由金屬製成的第三電極以便覆蓋第二電極〇另外，在關於製造方法的本發明的結構中，第二電極和第三電極是陽極和陰極之一的每一個。而且，根據關於製造方法的上述結構，第三電極用蒸汽澱積和濺射中任何一個形成。另外，關於製造方法的本發明的另一種結構相關於製造包括發光元件的發光裝置的方法，該發光元件包括：陽極；與陽極接觸的含有機化合物的層；和與含有機化合物的層接觸的陰極，該方法包括·· 藉由在有半透明性的第一電極上塗敷，形成由聚合材料製成的含有機化合物的層；藉由加熱蒸汽澱積材料的蒸汽澱積在含有機化合物的膜上選擇地形成由金屬製成的第二電極； -13- 200404329 Ο) 用第二電極作掩模藉由電漿蝕刻以自對準方式鈾刻含有機化合物的層；以及藉由含導電顆粒的黏接劑彼此連接從端點部分延伸的佈線和第二電極。另外，關於製造方法的本發明的另一種結構相關於製造包括發光元件的發光裝置的方法，該方法元件有：陽極 ;與陽極接觸的含有機化合物的層；和與含有機化合物的層接觸的陰極，該方法包括：在第一基底上形成薄膜電晶體；形成要連接到薄膜電晶體的第一電極；藉由在第一電極上塗敷，形成聚合材料製成的含有機化合物層；藉由加熱蒸汽澱積材料的蒸汽澱積在含有機化合物的膜上選擇地形成由金屬製成的第二電極；用第二電極作掩模藉由電漿鈾刻以自對準方式蝕刻含有機化合物的層；以及藉由含導電顆粒的黏接劑彼此連接從端點部分延伸的佈線和第二電極，同時彼此接合第一基底和第二基底。另外，在關於製造方法的上述結構的每一個中，製造方法的特徵在於電漿藉由激發選自包括Ar、Η、F和〇的組中的一種或多種氣體産生。另外，在關於製造方法的上述結構的每一個中，第一電極是電連接到TFT的發光元件的陽極和陰極之一。注意，發光元件（EL元件）有一層，其包含當電場 -14- (10) (10)200404329 被施加時提供發光（電致發光）的有機化合物（下文中稱作EL層），和陽極及陰極。儘管得自有機化合物的發光被分類爲從單重激發回到基態的光發射（螢光），以及從三重激發回到基態的光發射（磷光），在使用任一類型的光發射時應用根據本發明製造的發光裝置是可行的。另外，在本發明的發光裝置中，螢幕顯示的驅動方法不受具體地限制’速可以用諸如點序驅動法、線序驅動法、面序驅動法等的其他方法。典型地，採用線序驅動法。那麽，典型的線序驅動法、分時等級驅動法或面積等級驅動法可以適當使用。另外，輸入到發光裝置源線的影像信號可以是類比信號或數位信號。與影像信號組合，驅動電路等可以作適當設計。另外，導電漿可以用作各種塗層方法（刷面板法、旋塗法、浸塗法等）。它們之中，納米金屬墨水可以用噴墨法形成。【實施方式】下文中，本發明的實施例將參考圖式說明。 (實施例樣式1 ) 圖1 A是示出主動式矩陣發光裝置的俯視圖，圖i B 是沿圖1 A中點畫線X - X 5切割出的橫截面圖。實施例樣式 i中’具有由發白光的聚合材料製成的疊層結構的發光元件23作爲實例說明。 -15- (11) (11)200404329 圖1 A和1B中，像素部分1 2和驅動電路（閘側驅動電路1 4和1 5及源極側驅動電路1 3 )形成於有絕緣表面的基底上。像素部分1 2和驅動電路1 3 - 1 5的每一*個包括多個TFT (沒有不出）。形成於像素部分中的每個TFT 是用於控制流到含發光的有機化合物的層1 0中的電流的元件。第一電極1 9或電源線1 6連接像素部分1 2中的 TFT 〇像素部分12中，放置多個發光元件23 ;發光元件23 的每一個包括第一電極19、第二電極11和插在其中的含有機化合物的層1 〇。而且，連接到每個發光元件23的第一電極1 9規則地置於像素部分1 2中。第一電極1 9是有機發光元件的陽極（或陰極），而第二電極11是有機發光元件的陰極（或陽極）。當有半透明性的導電材料用作第二電極11且金屬用作第一電極19時，發自發光元件 2 3的光可以藉由密封材料透射以便得到。另一方面，當有半透明性的導電材料用作第一電極1 9且金屬用作第二電極11時，光可以在相反的方向得到。在圖1 A和1B所示的結構中，光可以在任何一個方向得到。在發自發光元件23的光藉由密封材料透射以便被得到的情形中，密封材料2 0和有導電性的黏接劑2 2有著不可缺少的半透明性〇含有機化合物的層1 0有疊層結構。典型地，疊層結構包括：電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層，其形成於陽極上’可以作爲實例被引用。由於這種結構有非常高的發光 -16- (12) (12)200404329 效率，目前正硏究和發展的大多數發光裝置應用這種結構。另外，包括：電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層的疊層結構，或包括：電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/ 電子傳輸層/電子注入層的疊層結構也可以被使用。而且，發光層可以摻雜螢光染料等。所有這些層可以用單體材料或用聚合材料形成。貫穿該說明書，提供在陰極和陽極之間的所有層集中起來稱作含有機化合物的層（電致發光 (EL )層）。因而，上述電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、和電子注入層都落在EL層的類別中。含有機化合物的層（EL層）可以含諸如矽的無機材料〇第一電極1 9的末端和第一電極1 9末端之間的部分覆蓋有有機絕緣體1 8 (也稱作阻擋物或圍堤）。另外，有機絕緣體1 8可以覆蓋有有機絕緣膜。端點電極形成於端點部分，其有從端點電極延伸的連接佈線1 7。連接佈線1 7藉由有導電性的黏接劑2 2電連接到第二電極1 1。由於含有機化合物的層用第二電極1 1 作爲掩模以自對準方式被蝕刻，第二電極1 1的末端面和含有機化合物的層1 〇的末端面彼此緊接。有電導性的黏接劑22被提供以便與末端面接觸。導電黏接劑22含諸如銀顆粒或銅顆粒的導電細顆粒22b以及隔離物22a。另外，密封材料粘附於其上以便於密封發光元件23。熱硬化的樹脂或者紫外線老化樹脂可以用作有導電性的黏接劑 2 2。在熱硬化的樹脂用作有導電性的黏接劑22的情形中 (13) (13)200404329 ’有必要適當地選擇有不使含有機化合物的層1 0退化的培燒溫度的材料。在紫外線老化樹脂被使用的情形中，有必要使用有半透明性的材料作爲密封材料。隔離物22a可以用有不同顆粒直徑的無機絕緣材料、有機絕緣材料或其組合製成。如果覆蓋有諸如金膜的低阻金屬膜的有機絕緣膜（例如，藉由對有均勻顆粒直徑的塑膠細顆粒表面均勻地鍍金得到的導電細顆粒）被用作隔離物22a ’可以說隔離物22a作爲導電細顆粒起作用。圖1B示出導電細顆粒22b的直徑大於隔離物22a的實例。另外，塗覆有金屬膜的有彈性的有機材料被用於有較大顆粒直徑的顆粒，而無機材料被用於有較小直徑的顆粒。一旦密封材料2 0的接觸接合，有較大直徑的顆粒變形以便於實現面接觸。圖22A和22B示出導電細顆粒 1 0 2 2 b的直徑小於隔離物1 0 2 2 a的直徑的實例。圖2 2 A和 2 2B中，導電細顆粒1 022b存在於第二電極1 1和用於電連接的連接佈線1 7之間的交叉處就足夠了。因而，沒有必要在有導電性的黏接劑1 022中均勻地分佈導電顆粒 1 022b;導電顆粒1 022b由於重力以高密度存在於第二電極1 1或連接佈線1 7附近就足夠了。有導電性的黏接劑2 2的使用藉由粘附密封材料2 0和連接佈線1 7與第二電極1 1之間的電連接同時允許對發光元件2 3的密封，從而提高産量。儘管圖1 A和1 B示出有導電性的黏接劑2 2整個形成於像素部分之上的實例，黏接劑22的形成不限於此。黏 -18- (14) (14)200404329 接劑22還可以以部分的方式形成。並且，黏接劑22可以是含諸如銀漿、銅漿、金漿或鈀（P d )漿的導電細顆粒的材料層和含隔離物或塡充物的黏接劑的疊層。在黏接劑 2 2有這種疊層結構的情形中，連接佈線1 7和第二電極1 1 藉由形成含導電細顆粒的材料層首先彼此電連接。之後，密封·材料20用含隔離物或塡充物的黏接劑粘附以密封發光元件23。密' 封材料20用隔離物或塡充物接合以便於保持大約 2 - 3 G(m的距離。用這種方式，所有的發光元件被緊密地密封。雖然圖中沒有示出，藉由噴砂等在密封材料20中形成凹面部分。乾燥劑放置在凹面部分。較佳的是在密封材料20的粘結之前立即藉由真空退火實施脫氣。而且，較佳的是在含惰性氣體（稀有氣體或氮氣）的氣體環境下接合密封材料2 0。有導電性的黏接劑2 2的電阻率相對高的情形中，電極事先形成於密封材料20上。然後，一旦接合，電極就電連接到有導電性的黏接劑22上以便於降低電阻。該情形中’較佳的是使用塗覆有諸如金的低阻金屬膜的無機絕緣材料作爲隔離物22a。這樣，有可能保持密封材料2〇和第一電極1 1之間有隔離物Μ a的顆粒直徑的距離，並且允§午第二電極1 1和密封材料2 〇上的電極之間的電連接以及連接佈線1 7和密封材料2〇上的電極之間的電連接。在使用有不同直徑的多種顆粒的情形中，有彈性的有機材料被用於有較大直徑的顆粒，而無機材料被用於有較小直 -19- (15) (15)200404329 徑的顆粒。一旦密封材料2 〇接觸接合，有較大直徑的顆粒變形以便於與密封材料2 0上的電極實現面接觸。 (實施例樣式2 ) 圖2 A和2 B不出不同於圖1 a和1 B所示的結構的實例，其中有導電性的黏接劑形成於大面積上。爲了簡化的目的’與圖1A和1B中一樣的元件在圖2A和2B中用一樣的參考編號表示。由於直到圖2A和2B中的第二電極 1 1的元件與圖1 A和1 b中的一樣，其詳細的說明在此省略。實施例樣式2中，示出一個實例，其中導電材料3 2 部分地形成，密封物3 1分開形成。連接佈線1 7和第二電極1 1藉由導電材料3 2彼此電連接。由於含有機化合物的層1 〇用第二電極1 1作爲掩模以自對準方式被蝕刻，第二電極11的末端面與含有機化合物的層1 〇的末端面緊接。導電材料3 2被提供以便與末端面接觸。在圖2A和2B中，作爲導電材料32，使用以銀漿或銅漿爲代表的導電漿、導電墨水、或納米金屬墨水（獨立分散的超細顆粒分散溶液，其中5-1 Onm顆粒直徑的Ag、 Au或P d以高密度分散而不團聚）。例如，含鍍銀銅粉、苯酸樹脂、二亞甲基乙一醇一甲基醚（dimethylene glycol monomethyl ether)等作爲主要成分並有5xlO-4Qcm或更小的電阻率以及0.8 kg/mm2或更高的粘結強度的導電材料可以用作導電材料3 2。另外，快幹銀型導電劑（含〇 . 5 _ -20- (16) (16)200404329 1 μπι顆粒直徑平面形狀銀粉的修飾的聚烯烴樹脂）也可以用作導電材料3 2。在溶劑用作導電材料3 2的情形中，需要考慮是由於加熱可能産生蒸汽，從而污染含有機化合物的層。爲了處理該問題，本發明中，密封物3 1提供在導電材料3 2和像素部分1 2之間以便於防止含有機化合物的層1 0被污染。因而，較佳的是密封物3 1形成之後形成導電材料3 2以便被粘附到密封材料20上。密封物3 1和導電材料32形成的順序不特殊地限制。代替上述順序，在導電材料3 2的形成之後，密封物31可以被形成以被粘附到密封材料20 〇密封物31含混合於其中的塡充物。塡充物起到接合密封材料20同時保持均勻距離的作用。而且，除了塡充物，隔離物也可以混入其中。密封物3 1還可以被形成以部分地覆蓋閘側驅動電路1 4和1 5，如圖2 Α所示。發自發光元件23的光可以在圖2A和2B所示結構中的任一方向上得到。而且，在發自發光元件23的光透過發光材料以便於被得到的情形中，密封材料20必須有半透明性。實施例樣式2可以與實施例樣式1自由組合。 (實施例樣式3 ) 圖3 A和3B示出不同於圖1 A和1B及圖2A和2B的結構的實例，其中密封材料被接合。爲了簡化的目的，與 -21 - (17) (17)200404329 圖1A和1B中一樣的元件在圖3A和3B中用一樣的參考編號表示。由於直到圖3 A和3 B中第二電極1 1的元件與圖1 A和1 B中的一樣，其詳細的說明在此省略。實施例樣式3中，示出一個實例，其中導電材料42 被部分地形成’密封用保護膜4 1實施。連接佈線1 7和第二電極1 1藉由導電材料42彼此電連接。由於含有機化合物的層1 〇用第二電極1 1作爲掩模以自對準方式被蝕刻，第二電極1 1的末端面與含有機化合物的層1 〇的末端面緊接。導電材料42被提供以便於與末端面接觸。類似於上述實施例樣式2中所述的導電材料3 2，以銀漿或銅漿爲代表的導電漿、或導電墨水被用作圖3 A和 3 B所示的導電材料42。另外，納米金屬墨水（獨立分散的超細顆粒分散溶液，其中有5 - 1 Onm顆粒直徑的Ag、 Au或Pd以高密度分散而不團聚）也可以被用作導電材料 4 2。納米金屬墨水在2 2 0 — 2 5 0。C焙燒。導電材料42的形成之後，保護膜4 1被形成。作爲保護膜41，使用藉由濺射（D C法或RF法）得到的含氮化砂或氧氮化政作爲主要成分的絕緣膜或藉由p C V D法得到的含碳作爲主要成分的薄膜。當膜形成在含氮和氬的氣體環境中用矽靶實施時，氮化矽膜可以被得到。另外，可以用氮化矽靶代替。保護膜41還可以藉由由使用遙控電漿的膜形成設備形成。在所發的光要透過保護膜的情形中，較佳的是保護膜的厚度盡可能的薄。本發明中，含碳作爲主要成分的薄膜的特徵在於是有 -22- (18) 200404329 3 - 50nm厚度的DLC (類金剛石碳）膜。根據短程及宏觀尺度上的非晶結構，DLC膜有SP3鍵作爲碳間的鍵。作爲DLC膜的組成，DLC膜含70-9 5原碳和5-30原子％的氫。DLC膜非常硬，在絕緣性好。而且，這類DLC膜的特徵在於其對蒸汽、氧透氣率。而且，根據微硬度測試儀的測量已知這 15 — 25GPa的硬度。 DLC膜可以用電漿CVD法（典型地，RF電· 法、微波CVD法、電子迴旋共振（ESR) CVD法濺射等形成。用任何一種膜形成方法，DLC都可以有良好的粘附性。當基底被置於陰極上時，DLC膜另外，施加負偏壓，使得細和硬的膜可以利用離子一定程度來形成。作爲用於膜形成的反應氣體，使用氫氣和碳氫 (例如，CH4、C2H2、C6H6等）。反應氣體然後藉放電被離子化。所得到的離子被加速以碰撞負自偏極以便形成DLC膜。結果是，可以得到細和光滑ί 膜。所得到的DLC膜是絕緣膜，其對可見光是透透明。貫穿本說明書，句子“對可見光透明”意思光的透射率是 80-100%，句子“對可見光半透明是可見光的透射率是。在氮化矽膜藉由濺射形成以便與透明導電膜形接觸的情形中，有可能使含在透明導電膜中的雜質 S η、Ζ η等）可以進入氮化矽膜從而混入其中。該有序以原子之子％的質上極等的低種膜有 t CVD 等）、被形成形成。碰撞到型氣體由輝光壓的陰 i勺 DLC 明或半是可見 ”意思成的膜 (In、情形中 -23- (19) (19)200404329 ’藉由在透明導電膜和氮化矽膜之間形成作爲緩衝層起作用的氧化砂膜來防止雜質進入氮化矽膜是可能的。有以上結構的緩衝層的形成防止了雜質進入透明導電膜使得不含雜質的極好的保護膜可以被形成。而且’保護膜的形成之後，可以形成密封物以便被接合到增強的密封性的密封材料上。實施例樣式3可以與實施例樣式1和2的任一個自由組合。 (實施例樣式4 )

這裏，發光元件的形成過程參考圖4A、4B、和4C 在下面簡單地說明。爲了簡化的目的，與圖1A和1B中一樣的元件在圖4 A、4 B和4 C中用一樣的參考編號表示〇首先，在基底上形成TFT (這裏沒有示出）、第一電極1 9、連接佈線1 7和絕緣體1 8之後，藉由利用旋塗的塗敷形成含有機化合物的層1 0。之後，含有機膜的層1 〇藉由在真空下加熱焙燒（圖4A )。在含有機化合物的層 1 〇被形成以具有疊層結構的情形中，可以重複膜的形成和焙燒。其次，金屬製成的第二電極Π用蒸汽澱積掩模50藉由蒸汽澱積被選擇地形成（圖4B )。儘管圖4B示出一個實例，其中蒸汽澱積以金屬掩模和含有機化合物的層1 〇之間的一定距離被實施，當金屬掩模和含有機化合物層的 -24- (20) (20)200404329 層彼此接觸時蒸汽澱積也可以被實施。其次，含有機化合物的層1 〇用第二電極11作爲掩模以自對準方式被蝕刻。該情形中，選擇鈾刻藉由使用激發一種或多種選自包括Ar、Η、F和Ο的組中的氣體産生的電漿實施（圖4C )。這裏，重要的是適當地選擇第二電極1 1的材料或厚度，使得第二電極1 1耐電漿。本發明允許聚合材料層的選擇性形成以便容易形成結構，其中含有機化合物的層不形成在要連接到外電源的佈線的交叉處。圖4C所示的狀態藉由到目前爲止的步驟得到。然而 ’該狀態中，第二電極沒有連接到任何點，因而處於浮動的狀態。這樣，在以後的步驟中，第二電極1 1被電連接到連接佈線1 7。作爲將第二電極1 1電連接到連接佈線1 7 的方法，可以使用上面實施例樣式中所示的有導電性的黏接劑22。另外，可以使用上面實施例樣式2和3中分別說明的導電材料3 2和4 2。實施例樣式4中，低阻金屬製成的第三電極5 1被形成，作爲將第二電極1 1電連接到連接佈線1 7的方法（圖 5 Β )。藉由到目前爲止的步驟製造的結構的俯視圖示於圖 5Α 〇第三電極51可以用濺射、蒸汽澱積或PCVD適當地形成。而且，較佳的是用有著比第二電極1 1的材料更低電阻率的金屬，用於第三電極5 1。作爲第三電極51，例如，可以使用含選自包括多晶矽、W、WSix、Α卜Ti、Mo 、Cu、Ta、Cr和Mo的組中的元素作爲主要成分的膜， -25- (21) (21)200404329 其中用雜質元素摻雜以給出導電類型；含上述元素作爲主要成分的化合物材料或合金材料製成的膜；或其疊層膜。該情形中’包括氮化物層或氟化物層作爲最上面層的疊加層（具體地，TiN、A1和TiN的疊層）製成的電極用作第三電極51。因而，發自發光元件的光可以透過第一電極 1 9從而被得到。而且’與第二電極1 1 一樣的材料可以被用於第三電極5 1。在這類情形中，較佳的是第三電極5 1的厚度被設定得要大於第二電極1 1的厚度，以便於減少電阻。另外，在與第二電極11 一樣的材料用於第三電極51時，第二電極1 1的厚度可以進一步減少。作爲第三電極5 1的形成之後的步驟，發光元件可爲藉由形成保護膜或粘附密封材料到上面來密封。在下文中，圖5B所示有機材料製成的絕緣體丨8的橫截面形狀將被說明，因爲它很重要。在有機化合物膜要藉由塗敷形成於絕緣體1 8上或作爲陰極起作用的金屬膜要藉由蒸汽澱積形成的情形中，如果絕緣體1 8的下端或上端沒有彎曲表面’劣質的膜形成會發生，如圖1 8所示，其中凸面部分形成於絕緣體1 8的上端。因而，在本發明中，絕緣體1 8的上端有具有第〜曲率半徑的彎曲表面，而絕緣體1 8的下端有具有第二曲率半徑的彎曲表面，如圖1 7和5 B所不。較佳的是第一和第二曲率半徑是〇 . 2 _ 3 μηι。用本發明’可以得到有機化合物膜或金屬膜良好的覆盖。而且’ ί冉作收縮的缺陷，即發光面積的減少，可以 -26- (22) (22)200404329 減少。另外，收縮可以藉由在絕緣體1 8上形成氮化砂膜或氧氮化砂膜減少。絕緣體1 8側面上的錐形角度可以被設爲 4 5 ° ± 1 0 °。作爲絕緣體1 8，可以用無機材料（氧化砂、氮化石夕、氧氮化砂等）、光敏或非光敏有機材料（聚醯亞胺、丙烯酸、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、抗蝕劑或苯並環丁烯）、或其疊層。在一個情形中，其中如圖1 7和5B所示，絕緣體1 8理想地包括在其上端有第一曲率半徑的彎曲表面和在其下端有第二曲率半徑的彎曲表面，藉由光敏有機材料的使用而使形成更容易。而且，光敏負型材料，其用光對鈾刻劑是不可溶；或者光敏正型材料，其用光對鈾刻劑是可溶的，可以用作絕緣體18。圖2 1 A和2 1 C示出一個實例，其中氮化矽膜製成的保護膜70形成於絕緣體68上，絕緣體的圖樣不同於氮化矽膜的圖樣。爲簡單起見，圖2 1 A示出一個階段的俯視圖’其中直到含有機組分的層6 0的元件被形成；圖2 1 B 示出沿著圖21A中線A_A’切割的橫截面視圖，·圖21C 示出沿著圖21A中線B-B’切割的橫截面視圖。在圖21B 所示的橫截面視圖中，絕緣體6 8不存在於相鄰第一電極 69之間。在圖21 A中，絕緣體68有條形圖樣。作爲保護膜7 0起作用的氮化矽膜有網格圖樣，如點畫線所示，其只覆蓋每一個第一電極69的的末端。用有條形圖樣的絕緣體6S ’有可能在第一電極69表面的濕法淸洗中比用有網格圖樣的絕緣體更容易除去顆粒或雜質。在圖2〗A — - 27- (23) (23)200404329 2 1 c中，像素部分62的一部分，其不用保護膜70覆蓋，起發光區的作用。代替使用氮化砂膜，氧氮化砂膜或以a 1N X 0 y表示的膜可以用作保護膜70。以AINxOy表示的膜可以在從氣體引入系統中引入氧、氮或稀有氣體時藉由使用 A1N或A1 製成的靶濺射形成。對於以AINxOy表示的層包含幾個原子％或更高、較佳的，2.5原子47.5原子％氮和47.5 原子％或更低、較佳的，0.01-少於2〇原子％氧就足夠了〇藉由在絕緣體6 8上形成保護膜70，有可能提高含有機化合物的層60的膜厚度中的均勻度。因而，可以限制由發光造成的電場集中引起的熱生成。結果是，以收縮爲代表的發光元件的退化，即，發光面積的減少，可以被防止。實施例樣式4可以與實施例樣式1 - 3的任何一個自由組合。有上述結構的本發明將用下面說明的實施例更詳細地說明。 (實施例）【實施例1】本實施例中，一種結構將在下面說明，其中發自el 元件的光透過元件基底以便於被反射到觀察者的眼中。該情形中，觀察者可以從元件基底側識別影像。 -28- (24) (24)200404329 首先，將說明像素結構，其中對每個像素放置三個 TFT。圖6A示出俯視圖的實例，其詳細地示出像素。在SE S驅動實施的情形中，圖6 A所示的結構包括用於抹除的TFT 606。TFT 606的閘電極和用於輸入抹除信號的第二閘信號線6 03彼此連接。源電極和電源線604彼此連接。漏電極連接到用於開關的TFT 60 5的漏電極和用於驅動的TFT 607的閘電極。在三電晶體的情形中，兩個TFT，即用於開關的TFT 60 5和用於抹除的TFT 606以線性方式水平放置在第一閘信號線602和第二閘信號線603之間。用於開關的TFT 6 〇 5的汲極區和用於抹除的TF T 6 0 6的汲極區可以彼此重疊。這時，用於開關的TFT 605的源極區存在的點、其汲極區存在的點、用於抹除的TFT 606的源極區存在的點、和其汲極區存在的點被放置以便於被安排在單條直線上。用上述安排，孔徑比可以提高以便於提供簡單形狀的開口。圖6B示出沿著圖6 A中線a-a’切割的橫截面。半導體層614可以象用於驅動的TFT 6〇7那樣縱向彎曲。用這種形狀的半導體層614，有可能提高用於驅動的TFT 6〇7 的通道長度L而不降低孔徑比。爲了降低關電流値’用於驅動的TFT 607可以是有多個通道的TFT。較佳的是用於驅動的TFT 607的通道長度L是ΙΟΟμηι或更多。在通道長度L增加的情形中，氧化物膜電容Cox對應地增加。因而，有可能用電容的一部分作爲有機發光元件的儲存電 -29- (25) (25)200404329 容器。習知上’爲了爲每個像素形成儲存電容器，另外需要用於形成儲存電容器的空間。另外，提供電容器線、電容器電極等。然而，用本發明的像素結構，電容器線或電容器電極的形成可以省略。而且，在儲存電容器用氧化物膜電容Cox形成的情形中，儲存電容器由用閘絕緣膜作爲電介質的閘電極和藉由閘絕緣膜與閘電極重疊的半導體（通道形成區）形成。因而，即使TFT的通道長度增加，只要將連接到像素電極608的用於驅動的TFT 607的半導體層放置在電源線604或作爲閘電極上的上層放置的源信號線6 0 1下面，就可以設計像素而不降低孔徑比。更具體地’用圖6 A和6B所示的像素結構，即使用於形成電容器電極或電容器線路的空間省略了，也可以提供足夠的儲存電容器，從而進一步提高孔徑比。另外，在通道長度L 增加的情形中，即使變化發生在諸如鐳射照射條件中的 TFT製造過程中，TFT間電學性能的變化也可以減少。圖8A和8B示出主動式矩陣發光裝置的外觀。圖8A 是示出主動式矩陣發光裝置的俯視圖，圖8B是沿著圖8A 中線A-A’切割的橫截面視圖。主動式矩陣發光裝置包括源極側驅動電路901、像素部分9〇2、閘側驅動電路903 ，每個以點畫線表示。參考編號9 0 4表示密封基底，參考編號9〇5表示密封劑。由密封劑90 5包圍的內部形成空間 907 〇佈線9 0 8用來傳輸要輸入到源極側驅動電路9 〇 i和閘側驅動電路9 03的信號，並接收來自用作外部輸入端點的 -30- (26) (26)200404329 撓性印刷電路（F P C ;端點部分）9 0 9的視頻信號或時脈信號。儘管只表示出FPC (端點部分），印刷線路板（ PWB )可以附連到FPC (端點部分）上。本說明書中發光裝置不僅包括發光裝置的主體，而且包括FPC (端點部分 )或附連到上面的PWB。其次，將參考圖8B說明橫截面結構。儘管驅動電路和像素部分形成於基底9 1 0上，作爲驅動電路的源極側驅動電路901和像素部分902被示出。作爲源極側驅動電路901，形成CMOS電路，其中n 通道TFT 923和ρ通道TFT 924彼此組合。形成驅動電路的每個 TFT可以用已知的 CMOS電路、PMOS電路或 NMOS電路形成。儘管驅動器集成型的發光裝置示於本實施例中，其中驅動電路形成於基底上，但該結構不是必需的。另外，驅動電路可以形成在外部，不是在基底上。像素部分902由多個像素形成，每個包括用於開關的 TFT 91 1、用於電流控制的TFT 912、和電連接到用於電流控制的TF T 9 1 2的漏上的第一電極（陽極）9 1 3。絕緣體9 1 4形成於第一電極（陽極）9 1 3的兩端上。在第一電極（陽極）913上，形成含有機化合物的層915 。在含有機化合物的層915上，形成第二電極（陰極） 9 1 6，具有與含有機化合物的層9 1 5 —樣的圖樣形狀，並具有與層9 1 5的末端緊接的末端。結果是，由第一電極（陽極）9 1 3、含有機化合物的層9 1 5、和第二電極（陰極 )9 1 6組成的發光元件9 1 8被形成。由於本實例中發光元 -31 - (27) (27)200404329 件9 1 8發白光’由色彩層和bm組成的濾色器（爲簡單起見沒有示出）提供在基底9丨〇上。爲了第二電極9 1 6和佈線9 〇 8之間的電連接，實施例樣式4中所示的第三電極9丨7在本實施實例中形成。第三電極9 1 7作爲所有像素的共同佈線起作用，其與第二電極 9 1 6和佈線9 0 8接觸。第三電極9 1 7藉由佈線9 0 8電連接到FPC (端點部分）909上。爲了密封形成於基底9 1 0上的發光元件9 1 8，密封基底9 04附連到密封劑90 5上。爲了保持密封基底904和發光元件9 1 8之間的距離，還可以提供樹脂膜製成的隔離物。密封劑905內部的空間907用諸如氮的惰性氣體塡充。較佳的使用環氧型樹脂作爲密封劑9 0 5。而且，理想的是密封劑90 5盡可能不允許濕氣或氧氣透過。另外，空間 9 0 7的內部可以含有吸氧或水的作用的物質。本實施例中，除了玻璃基底或石英基底，FRP (玻璃纖維增強塑膠）、PVF (聚氟乙烯）、邁拉、聚酯、丙烯酸等製成的塑膠基底也可以用作構成密封基底9 0 4的材料。而且，用密封劑905接合密封基底9〇4之後，有可能用密封劑密封以便於覆蓋其側面（暴露的面）。藉由以上述方式密封發光元件在空間907中，發光元件可以完全地與外界阻塞（b 1 0 c k )。因而，可以防止諸如濕氣或氧氣這樣加速含有機組分的層的退化的物質從外面進入。因此，可以得到高度可靠的發光裝置。上述結構的製造過程的實例示於圖7 A - 7 C。. -32- (28) (28)200404329 圖7 A是在一個階段的橫截面視圖’其中有機化合物膜（含PEDOT的疊加層）藉由塗敷形成之後，用蒸汽澱積掩模選擇地形成第二電極（Li-A1製成的陰極）。爲簡單起見，製造透明導電膜製成的陽極或TFT的方法在這裏省略。其次，圖7B是在一個階段的橫截面視圖，其中有機化合物膜（含PEDOT的疊加層）用第二電極作爲掩模用電漿以自對準的方式被蝕刻。其次，圖7C是在一個階段的橫截面視圖，其中要連接到連接佈線的第三電極被選擇地形成。第二電極和第三電極可以由同樣的材料形成，或第三電極的材料可以比第二電極有更低的電阻率。該實施例示出一種方法的實例，其有白光發光元件和濾色器（下文中，該方法稱作濾色器方法）的組合。下文中’形成白光發光元件以便得到全色顯示的方法將參考圖 1 〇 A說明。根據濾色器方法，包括發白光的有機化合物膜的發光兀件被形成’使得所發的白光透過濾色器以便得到紅、綠和藍光的發射。儘管有各種得到白光發射的方法，可以藉由塗敷形成的使用聚合材料製成的發光層的情形將在此說明。該情形中’向作爲發光層的聚合材料中的染料摻雜可以藉由調節 /合液來進彳了。與實施共澱積用於摻雜多種染料的蒸汽澱積法相比’白光的發射可以非常容易地得到。 -33- (29) (29)200404329 具體地，藉由塗敷含聚乙烯二氧噻吩（P E D Ο T )的膜的形成和在有著大功函數的金屬（Ρ t、C r、W、Ν i、Ζ η、 Sn、In )製成的陽極的整個表面上作爲電洞注入層的聚乙烯一氧噻吩/聚苯乙烯擴酸（P E D Ο T / P S S )溶液的培燒之後，作爲摻雜有聚乙烯嘮唑（PVK )的發光層的發光中心染料（1，1，4,4-四苯基-1,3 - 丁二烯（TPB) 、4-二氰基亞甲基一2—曱基一6(p —二甲胺一苯乙烯基）—4H —吡喃 (DCM1) 、Nile紅、香豆素6等）塗敷在整個表面上，然後焙燒。之後，形成由含具有小功函數金屬（Li、Mg 或C s )的薄膜組成的疊層製成的陰極；和澱積於其上的透明導電膜（ITO (氧化銦和氧化錫的合金）、氧化銦和風化鲜的合金（In2〇3— ZnO)、氧化鲜（ZnO)等）。 PEDOT/PSS用水作溶劑，不溶於有機溶劑。因而，即使 PVK塗敷在上面，沒有可能使PEDOT/PSS可能再次溶解於其中。而且，由於PEDOT/PSS和PVK分別用不同的溶劑，較佳的是不使用同樣的形成室。儘管含有機化合物的層作爲疊加層構成的實例如圖 9 B所示給予說明，但含有機化合物的層也可以作爲圖9 a 所示的單層構成。例如，由電子傳輸能力的1，3，4 -惡二唑衍生物（PBD )可以分散在有電洞傳輸能力的聚乙烯口弄唑（PVK)中。而且’ PBD作爲電子傳輸劑以30wt%分散，適量的四種染料（TPB、香豆素6、DCM1、和Nile紅 )被分散，從而得到白光的發射。有機化合物膜形成於陽極和陰極之間。該結構中，從 -34 - (30) (30)200404329 陽極注入的電洞和從陰極注入的電子在有機化合物膜中彼此再接合，由此可以在有機化合物膜中得到白光發射。另外，有可能適當地選擇發紅光的有機化合物膜、發綠光的有機化合物膜或發藍光的有機化合物膜，以便組合它們用於混合顔色；以該方式，當作爲整體觀察時，可以得到白光的發射。以上述方式形成的有機化合物膜當作爲整體被觀察時允許白光發射以被得到。藉由在有機化合物膜發白光的方向中形成包括吸收除紅光以外的光的色彩層（R )、吸收除綠光以外的光的色彩層（G )和吸收除藍光以外的光的色彩層（B )的濾色器，發自發光元件的白光可以被分成紅光、綠光和藍光。在主動式矩陣發光裝置的情形中，TFT形成於基底和濾色器之間。對於色彩層（R、G、B )，除了最簡單的條狀圖樣，可以用斜小方格安排、三角小方格安排、RGB G四像素安排、或RGBW四像素安排。圖15示出藉由用白光源（D6 5)，每個色彩層的透射率和波長之間關係的實例。構成濾色器的每個色彩層由其中分散了顔料的有機光敏材料製成的顔色阻止劑（ c ο 1 〇 r r e s i s t )形成。圖1 6表示出在白光發射和濾色器組合的情形中顔色可再生性範圍作爲色座標。白光發射的色座標以（x，y) =(0.34,0.35)表示。從圖16可知作爲全色顯示顔色再生性可以充分保證。 -35- (31) (31)200404329 由於所有有機化合物膜被構成以發白光，即使這樣得到的光的顔色在該情形中是不同的，沒有必要對光的對應顔色單獨地給有機化合物膜染顔色。而且，防止鏡面反射的圓偏振片不是特別地需要。其次，CCM (變色介質）法將參考圖10B說明，其藉由將用於發藍光的具有有機化合物膜的藍光發射元件與螢光顔色轉換層組合。根據CCM方法，螢光顔色轉換層由發自藍光發射元件的藍光激發以便用每個顔色轉換層轉換顔色。具體地，紅光、綠光和藍光的發射分別藉由在一個顔色轉換層中將藍光轉換成紅光（B —R )、在一個顔色轉換層中將藍光轉換成綠光（B->G)、在一個顔色轉換層中將藍光轉換成藍光（B )得到（藍光到藍光的轉換可以省略）。還是在 CCM方法的情形中，在主動式矩陣發光裝置中TFT形成於基底和顔色轉換層之間。還是在該情形中，沒有必要單獨地形成有色的有機化合物膜。而且，防止鏡面反射的圓偏振片不是特別需要。在採用 CCM法的情形中，由於顔色轉換層是發螢光的，所以顔色轉換層被外部光激發以不利地降低對比度。這樣，如圖1 OC所示，適當的是藉由在上面附連濾色器等增強對比度。注意，圖1 0C示出一個實例，其中使用白光發射裝置，然而，可以使用單色光發射裝置。另外，如圖9C所示，白光的發射可以藉由疊加由聚合材料製成的層和由單體材料製成的層作爲含有機化合物 -36- (32) (32)200404329 的層得到。在白光發射要用疊加層得到的情形中，藉由塗敷开< 成作爲電洞注入層的聚合材料製成的層之後，共源積可以藉由蒸汽澱積被實施以便於摻雜染料，其從發光區發出不同顔色的光進入電洞傳輸層，從而將染料的顔色與發自發光區的光的顔色混合。藉由適當地調節發光層或電洞傳輸層的材料，當作爲整體觀察時，可以得到白光的發射〇而且，根據本發明，含聚合材料製成的有機化合物的層用電極作爲掩模藉由電漿以自對準方式被蝕刻。本發明不僅對白光發射元件，而且對包括至少一個由聚合材料製成的層作爲含有機化合物的層的彩色光發射元件都是可應用的。圖1 1 A - 1 1 D示出發光元件疊層結構的實例。圖1 1 A所示的疊層結構包括，在陽極7〇 1上，含聚合材料製成的第一有機層702a、單體材料製成的第二有機層7〇2b和陰極緩衝層703組成的有機化合物的層702 °藉由適當地設定插在陰極和陽極之間的這些層的厚度和材料，可以得到紅、綠或藍光發射元件。在紅光發射元件要被得到的情形中，如圖1 1 B所示，聚合材料PEDOT/PSS藉由旋塗塗敷在ITO製成的陽極上 ’然後在真空中焙燒以便於得到含30nm厚度PEDOT的 I大。其次’ 4,4’-雙[N-(l —蔡）—N —本基—胺基]—聯苯 (下文中，稱作έ 一 NPD )膜藉由蒸汽澱積形成以具有 6〇nm的厚度。其次，含DCM的三（8羥基啉）鋁（下 -37- (33) (33)200404329 文中，稱作 Alq3 )藉由蒸汽澱積作爲雜質形成以具有 4〇nm厚度。其次Alq3膜被形成以具有40nm厚度。然後 ’ CaF-2膜藉由蒸汽澱積形成以具有lnm厚度。作爲最終的步驟，A1膜藉由濺射或蒸汽澱積形成以具有200nm厚度以完成紅光發射元件。在綠光發射元件要被得到的情形中，如圖1 1 C所示，聚合材料PEDOT/PSS藉由旋塗塗敷在ITO製成的陽極上，然後在真空中焙燒以便於得到含30nm厚度PEDOT的膜。其次，a— NPD膜藉由蒸汽澱積形成以具有60nm的厚度。其次，含DMQD的Alq3膜藉由蒸汽澱積作爲雜質形成以具有4.0nm厚度。其次Alq3膜被形成以具有40nm 厚度。然後，CaF-2膜藉由蒸汽澱積形成以具有lnm厚度。作爲最終的步驟，A1膜藉由濺射或蒸汽澱積形成以具有20 Onm厚度以完成綠光發射元件。在藍光發射元件要被得到的情形中，如圖1 1 D所示 ’聚合材料PEDOT/PSS藉由旋塗塗敷在ITO製成的陽極上，然後在真空中焙燒以便於得到含3 Onm厚度。其次， a — NPD膜藉由蒸汽澱積形成以具有60nm的厚度。其次 ’ baS〇Cuproine (下文中稱作BCP )膜作爲雜質形成以具有10nm厚度。其次Alq3膜被形成以具有40nm厚度。然後，CaF-2膜藉由蒸汽澱積形成以具有lnm厚度。作爲最終的步驟，A1膜藉由濺射或蒸汽澱積形成以具有200nm 厚度以完成藍光發射元件。在上述彩色發光元件（R、G、B )被形成的情形中， -38- (34) (34) 200404329 提供濾色器不是必需的。然而，濾色器可以附加地提供以提尚色純度。而且’實施例Ϊ可以與實施例樣式1 一 4的任何一個組合。【實施例2】貫施例2中’多室系統製造設備示於圖12中，其中從發光元件的形成到密封的製造製程是自動化的。圖12中’製造設備包括：門100a— l〇〇k和i〇〇m和 100w;充氣室1〇1;取出室U9;運送室i〇2、1〇4a、ι〇8 、114和118;分送室1〇5、1〇7和ηι;膜形成室i〇6R、 106B、 106G、 1〇6Η、 106E、 106X、 109、 110、 112、和 1 1 3 ;預處理室1 〇 3 ;密封基底裝載室丨i 7 ;分配室1 1 5 ; 密封室116;盒子室12(^和120b;托盤附連台121;和電漿蝕刻室122。首先’多個TFT、澱積於其上的透明導電膜（it 〇 ( 氧化銦和氧化錫的合金）、氧化銦和氧化鋅的合金（ Ιη203-Ζη0 )、氧化鋅（Zn〇 )等）製成的陽極、和覆蓋陽極末端的絕緣體預先提供在基底上。然後，作爲電洞注入層的聚乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸（PEDOT/PSS )溶液形成於基底的整個表面上。然後，加熱過程在真空中進行以便於蒸發水。如果有必要淸洗或抛光陽極的表面，該淸洗或抛光過程可以在含PEDOT的膜的形成之前實施。下文中，將在下面說明一種用於將上面預先提供了陽 -39- (35) (35)200404329 極、覆蓋陽極末端的絕緣體、和電洞注入層（含PED ΟT 的膜）的基底運送到圖1 2所示製造設備中以便於形成圖 9Β所示疊層結構的方法。首先，基底置於盒子室l2〇a和120b的任何一個中。在基底是大尺寸（例如，3 〇〇 m m X 3 6 0 m m )的情形中，基底放在盒子室I2 〇b中。另一方面，在基底是正常基底（例如，127mm X 127mm)的情形中，基底被運送到託盤附連台121上，其中多個基底放置在一個託盤上（例如 300mm X 360mm 尺寸）。其次，基底從盒子室120b運送到裝配有基底運送機構的運送室1 1 8。其次，基底運送到膜形成室1 1 2，其中作爲發光層的含聚合物製成的有機化合物的層形成於提供在基底整個表面上的電洞注入層（含PEDOT的膜）的整個表面上。膜形成室112是用於形成含聚合物製成的有機化合物的層。該實施例中，將示出一個實例，其中摻雜有作爲發光層的染料（1，1，4,4-四苯基-1，3 — 丁二烯（TPB) 、4 -二氰基亞甲基一2—甲基—6(p —二甲胺一苯乙烯基 )一 4H—吡喃（DCM1 ) 、Nile紅、香豆素6等）的聚乙烯嘮唑（PVK )溶液形成於整個表面上。在膜形成室112 中含有機化合物的層藉由旋塗形成的情形中，上面形成膜的基底的表面設定爲在大氣壓下朝上取向。而且，用水或有機溶液作爲溶劑的膜形成之後，較佳的是藉由在真空中實施熱處理蒸發水。爲此，可以提供連接到膜形成室1 1 2 的退火室，其中可以進行真空下的加熱。 -40- (36) 200404329 其次，基底從裝配有基底運送機構的運送室到充氣室1 0 1。充氣室1 0 1連接到抽真空處理室。抽真空之的是引入惰性氣體，使得充氣室1 01在大氣壓下基底運送到連接到充氣室101的運送室102中。空使得水或氧氣盡可能不存在於運送室中以保持運送室1 02連接到用於抽空運送室的抽真空作爲抽真空處理室，磁懸浮型渦輪分子泵、低溫泵被提供。用該抽真空處理室，有可能設定運送真空度在10 — 5 - 10 — 6Pa。另外，有可能控制雜或抽氣系統的反向擴散。爲了防止雜質被引入到部，諸如氮或稀有氣體的惰性氣體被用作要引入作爲要引入設備的氣體’使用在引入到設備之前純化機械提供的高純度的氣體。因而，有必要提化機械使得氣體在氣體純度提高之後被引入到膜中。結果是，由於含在氣體中的氧氣、水或其他預先被除去，可以防止這些雜質引入到設備中。在用水或有機溶液作爲溶劑形成膜之後，較底運送到預處理室1〇3，其中熱處理在高真空中於進一步蒸發水。本實施例中，說明含每個都由聚合材料製成合物的層疊加的實例。在聚合材料製成的層和單成的層組成的疊層結構如圖9 C或1 1 A - 1 1 D所情形中，膜藉由蒸汽澱積在膜形成室1 06R、 1 18運送後，較佳。其次，實施抽真真空。處理室。泵、或幹室最終的質從泵側設備的內的氣體。藉由氣體供氣體純形成設備雜質可以佳的是基實施以便的有機化體材料製示形成的 1 0 6 G 和 -41 - (37) (37)200404329 1 0 6B中適當地形成，使得含發白光或紅、綠或藍光的有機化合物的層作爲發光元件整體適當地形成。分送室1 〇 5 裝配有用於適當翻轉基底的基底翻轉機構。而且，如果需要，電子傳輸層或電子注入層可以適當地形成於膜形成室1 0 6E，而電洞注入層或電洞傳輸層可以適當地形成於膜形成室1 〇 6H中。在採用蒸汽澱積的情形中，蒸汽澱積在膜形成室中實施，其被抽成 5xl(T3Torr(0.665Pa)或更低，較佳的，10一 4一 10_6Pa 的真空度。在蒸汽澱積中，有機化合物預先藉由電阻加熱蒸發。蒸汽澱積中擋板（沒有示出）打開，使得有機化合物在基底的方向發散。蒸發的有機化合物向上發散以經過藉由金屬掩模（沒有示出）提供的開口（沒有示出）以便於被蒸汽澱積在基底上。蒸汽澱積中，基底溫度（Td藉由加熱基底的方式設定在5 0-200°C，較佳的，65-15CTC。而且，在採用蒸汽澱積的情形中，較佳的是在膜形成室中設置坩鍋，蒸汽澱積材料預先由材料製造商納入其中。一旦設置了 i甘鍋，較佳的是設置財鍋不接觸大氣。而且在從材料製造商分送中’較佳的是將纟甘鍋引入到膜形成室中時是被密封在第二容器中。理想的，有抽真空裝置的室被提供以便於與膜形成室1 06R連接。坩鍋在該室中在真空或惰性氣體氣體環境中從第二容器中取出之後’坩鍋被安裝在膜形成室中。結果是’可以防止坩鍋和納入其中的EL材料被污染。其次，基底從運送室102運送到分送室105 ’然後到 -42- (38) (38)200404329 運送室104a，再到分送室107，以便於不接觸大氣。之後，基底從分送室107運送到運送室108以便於不接觸大氣〇其次，藉由提供在運送室108中的運送機構，.基底運送到膜形成室11 〇，其中採用電阻加熱藉由蒸汽澱積形成金屬膜（諸如MgAg、Mgln、AlLi、CaF2或 CaN的合金製成的膜，或藉由共澱積屬於周期表I族或Π族的元素和鋁形成的膜）形成的陰極（第二電極）。蒸汽澱積時，蒸汽澱積掩模用來選擇地形成陰極。其次，基底藉由設置在運送室108內的運送機構運送到電漿處理室1 22中以便於用第二電極作爲掩模以自對準方式除去含聚合材料製成的有機化合物的層。電漿處理室 122有電漿發生器裝置，用於激發選自包括Ar、H、F、0 的組中的一種或多種氣體以産生用於實施乾法蝕刻的電漿。如果蝕刻藉由使用氧電漿處理實施，還有可能在預處理室103中實施氧電漿處理。其次，基底再運送到膜形成室11〇，其中用電阻加熱藉由蒸汽澱積形成第三電極（對應於陰極的上層）’其由金屬膜（由諸如MgAg、Mgln、AlLi、或CaN的合金製成的膜；或藉由共澱積屬於周期表I族或11族的元素和鋁形成的膜）製成。該情形中，第三電極用不同於用於前面蒸汽澱積的金屬膜製成的蒸汽澱積掩模的掩模形成’用於第二電極和連接佈線的電連接。儘管追裏說明了第一電極和第三電極在同樣的膜形成室11 〇中形成的實例，由於必 -43- (39) (39)200404329 須用另一個掩模替換掩模，效率降低。因而’爲了改善任務，較佳的是爲對應的電極單獨地提供膜形成室。儘管本實施例中說明一個實例’其中第三電極用蒸汽澱積掩模選擇地形成，第三電極還可以在金屬膜藉由濺射的形成之後藉由用光阻的蝕刻圖樣化。作爲上面步驟的結果，形成了有圖9B所示疊層結構的發光元件。其次，發光元件從運送室1〇8運送到膜形成室113而不接觸大氣，其中形成氮化矽膜或氧氮化矽膜製成的保護膜。這裏，包括矽、氧化矽或氮化矽製成的靶的濺射裝置提供在膜形成室1 1 3中。例如，膜形成室中的環境可以藉由用矽製成的靶做成氮氣環境或含氮和氬的環境以便於形成氮化砂膜。其次，上面形成了發光元件的基底從運送室108運送到分送室1 1 1，然後到運送室1 1 4，以便於不接觸大氣。其次，上面形成了發光元件的基底從運送室114運送到密封室1 1 6中。注意，較佳的是在密封室1 1 6中製備上面提供密封材料的密封基底。密封基底從外面放置在密封基底裝載室1 1 7中。較佳的是預先在真空中實施退火，例如在密封基底裝載室u 7 中實施退火，以便於除去諸如水的雜質。然後，在密封材料要形成於密封基底上的情形中，運送室1 1 4設定在大氣壓。之後，密封基底從密封基底裝載室1 1 7運送到分配室 1 1 5 ’其中形成用於與包括提供在上面的發光元件的基底 -44- (40) (40)200404329 附連的密封材料。然後，上面形成密封材料的密封基底運送到密封室1 1 6中。其次’爲了對上面提供了發光元件的基底脫氣，在真空或惰性氣體環境中實施退火。之後，上面提供了密封材料的密封基底和上面形成了發光元件的基底彼此接合。密封的空間用氫或惰性氣體塡充。儘管這裏說明密封材料形成於密封基底上的實例，但密封材料被提供的區域不限於此。密封材料可以形成於上面形成了發光元件的基底上。其次’ 一對接合的基底藉由提供在密封室1]t 6中的紫外線照射機構用UV光照射，以便於固化密封材料。儘管這裏紫外可凝固樹脂被用作密封材料，但密封材料的類型不特別地受到限制，只要密封材料是黏接劑就行。其次’一對接合的基底從密封室1 1 6運送到運送室 1 1 4，然後到取出室1 1 9，其中接合的基底被取出。如上所述，由於圖1 2所示的製造裝置，發光元件不暴露在外面，直到發光元件被完全密封在密封的空間中。因而，有可能製造高度可靠的發光裝置。真空中的氮環境和大氣壓下的氮環境在運送室1 1 4中交換，而理想的是在運送室1〇2、l〇4a和108中總是保持真空。另外，膜形成設備還可以作爲串列式系統設備被構成〇下面將說明一個過程，用於將基底運送到圖1 2所示的製造設備中以便於形成發光元件，其藉由用金屬膜（大功率函數的金屬（Pt、Cr、W、Ni、Zn、Sn、In等））作 -45- (41) 200404329 爲陽極有著與上述疊層結構相反的光發射方向。首先，作爲電洞注入層的聚乙烯二氧噻吩/聚苯磺酸溶液（PEDOT/PSS)形成於上面預先提供了多個、陽極和用於覆蓋陽極末端的絕緣體的基底的整個表。然後，在真空中實施加熱處理以蒸發水。其次，上面提供了 TFT和陽極的基底設置在盒 120a或120b的任何一個中。然後，基底從盒子室120a或120b運送到裝配有運送機構的運送室1 1 8中。其次，基底運送到膜形成室112，其中作爲發光含聚合物製成的有機化合物的層形成於形成在基底整面上的電洞注入層（含PEDOT的膜）的整個表面上形成室1 1 2是用於形成含聚合物製成的有機化合物的該實施例中，將示出一個實例，其中摻雜有作爲發光染料（1，1，4,4-四苯基 _1，3 — 丁二烯（TPB ) 、4-二氰甲基一2 —甲基一6(p —二甲胺一苯乙烯基）一 4H — (DCM1 ) 、Nile紅、香豆素6等）的聚乙烯卩弄唑（ )溶液形成於電洞注入層的整個表面上。在膜形成室中含有機化合物的層藉由旋塗形成的情形中，基底在壓下設置，使得上面要形成膜的面朝上取向。其次，基底從裝配有基底運送機構的運送室118 到充氣室1 〇 1。然後，基底運送到連接到充氣室1 〇 1 送室1 02中。在用水或有機溶液作爲溶劑形成膜之後佳的是基底運送到預處理室1 〇3，其中熱處理在真空乙烯 TFT 面上子室基底層的個表。膜層。層的基亞吡喃 P VK 112 大氣運送的運，較中實 -46- (42) (42)200404329 施以便於蒸發水。其次，基底從運送室102運送到分送室105，然後到運送室l〇4a，再到分送室1〇7，以便於不接觸大氣。之後 ’基底從分送室1〇7運送到運送室1〇8以便於不接觸大氣〇其次，藉由提供在運送室108中的運送機構，基底運送到膜形成室11 0，其中採用電阻加熱藉由蒸汽澱積形成非常薄的金屬膜（諸如MgAg、Mgln、AlLi、或CaN的合金製成的膜，或藉由共澱積屬於周期表I族或II族的元素和鋁形成的膜）形成的陰極（下層）。薄的金屬層製成的陰極（下層）形成之後，基底運送到膜形成室109，其中藉由濺射形成透明導電膜（ITO (氧化銦和氧化錫的合金）、氧化銦和氧化鋅的合金（Ιη203 -Ζη0 )、氧化鋅（ Zn〇)等）製成的陰極（上層）。然後，薄的金屬層和透明導電膜製成的陰極（第二電極）用金屬掩模等適當地形成。其次，基底藉由設置在運送室108內的運送機構運送到電漿處理室1 22中以便於用第二電極作爲掩模以自對準方式除去聚合材料製成的有機化合物膜的疊加層。電漿處理室122有電漿發生器裝置，用於激發選自包括Ar、Η、 F、Ο的組中的一種或多種氣體以産生用於實施乾法蝕刻的電漿。如果蝕刻藉由使用氧電漿處理實施，還有可能在預處理室1 〇 3中實施氧電漿處理。其次，基底再運送到膜形成室1〇9，其中藉由濺射形 -47- (43) 200404329 成透明導電膜製成的第三電極（對應於陰極的上層）情形中，第三電極藉由改變帶有不同於前面形成第二所使用的圖樣的金屬掩模形成，用於第二電極和連接之間的電連接。儘管實施例2中說明了第三電極用掩擇地形成的實例，第三電極也可以藉由用光阻被圖樣藉由上述步驟，形成發光元件，從中得到透過第極的光。而且，由於接下來的步驟與上述具有圖9B所示結構的發光裝置的製造過程一樣，其說明在此省略。儘管本實施例中說明了實施例4所述的用於藉由第三電極使第二電極和連接佈線彼此電連接的方法的，但用於使第二電極和連接佈線彼此電連接的方法不的限制於此。第二電極和連接佈線可以藉由實施例樣 - 3中所述的任何一種方法彼此連接。而且，本實施例可以與實施例1自由地組合。【實施例3】藉由執行本發明，完成所有電子設備，其中構造有機發光元件的模組（主動式矩陣EL模組）。下面可以給出這些電子設備：視頻相機；數位相頭戴式顯示器（護目鏡式顯示器）；汽車導航系統；儀；汽車身歷聲；個人電腦；可攜式資訊終端機（行腦、行動電話、或電子書等）。它們的實例示於圖1 13F 和 14A— 14C。。該電極佈線模選化。二電疊層形成實例特別式1 包括機；投影動電 3 A- -48 - (44) (44)200404329 圖1 3 A是個人電腦，包括：主體200 1 ;影像輸入部分2002 ;顯示部分200 3 ;和鍵盤2004等。圖1 3 B是視頻相機’包括：主體2 1 01 ;顯示部分 2102 ;聲音輸入部分2103 ;操作開關2104 ;電池2105和影像接收部分2106等。圖1 3 C是行動電腦，包括：主體22〇 1 ;相機部分 2202 ;影像接收部分2203 ;操作開關22〇4和顯示部分 2205 等。圖13 D是護目鏡式顯示器，包括：主體23 0 1 ;顯示部分23 02 ;和臂部分2 3 0 3等。圖13E是使用其中記錄了節目的記錄媒體（下文中稱作記錄媒體）的播放機，包括主體240 1 ;顯示部分2402 :揚聲器部分2403 ;記錄媒體2404 ;操作開關2405等。該設備用DVD (數位多功能碟片）、CD等作記錄媒體，能進行音樂欣賞、電影欣賞、遊戲和用於互聯網。圖13F是數位相機，包括：主體25 0 1 ;顯示部分 2 5 0 2 ;取景器2 5 0 3 ;操作開關2 5 0 4 ;和影像接收部分（圖中沒有示出）等。圖14A是行動電話，包括主體2901;聲音輸出部分 2 9 0 2 ;聲音輸入部分 2 9 0 3 ;顯示部分 2 9 〇 4 ;操作開關 2905 ;天線2906 ;和影像輸入部分（CCD、影像感測器等）2907等。圖14B是可攜式圖書（電子書），包括：主體3〇〇1 ;顯示部分 3 002和 3 003 ;記錄媒體 3〇〇4 ;操作開關 (45) (45)200404329 3 0 0 5和天線3 0 0 6等。圖14C是顯示器，包括：主體3 101 ;支撐部分3 102 :顯示部分3103等。此外，圖14C所示的顯示器有小尺寸和中等尺寸或大尺寸螢幕，例如5-20英寸的大小。另外，較佳的是藉由用1 m X 1 m大小的基底完成多個圖樣以形成這種大小的顯示部分成批量生産。如上所述，本發明的應用範圍非常廣，本發明可以應用於各種領域的電子設備。注意，本實施例的電子設備可以藉由利用實施例樣式1 - 4和實施例1和2中組成的任何組合來實現。【實施例4】儘管有第一和第二曲率半徑的絕緣體的實例在實施例樣式4中說明，但只有絕緣體的上末端有曲率半徑的實例在本實施例中示於圖19A— 19C中。儘管本實施例中，除絕緣體之外的結構與實施例樣式 4的一樣，但是此結構不特別地限制於此。代替實施例樣式1 - 3中所示的絕緣體，可以應用本實施例所示的絕緣體。圖1QA - 19C中，發光裝置包括含有機化合物的層8〇、第二電極8 i、連接佈線8 7、絕緣體8 8、第一電極8 9、第三電極9 1和發光裝置93。作爲絕緣體88，較佳的是用負型有機材料，其對藉由光的蝕刻劑是不溶的；或者用正 -50- (46) (46)200404329 型有機材料，其對藉由光的蝕刻劑是可溶的。本實施例中，絕緣體8 8由正型光阻形成。圖1 9 A所示的絕緣體8 8藉由調節曝光條件或蝕刻劑條件形成。絕緣體88只在其上端有0.2-3 μηι的曲率半徑。絕緣體88可對含有機化合物的層8 0或由金屬膜製成的第二電極8 1提供良好的覆蓋。這時，可以減少稱作收縮的缺陷，即發光面積的減小。與圖1 9 Α所示絕緣體同樣的形狀藉由用正型丙烯酸樹脂形成於玻璃基底上。藉由觀察丙烯酸樹脂得到的橫截面的照片示於圖20中。絕緣體88的側面上錐形的角度可以是45° 士 10° 。而且，圖1 9B示出一個實例，其中作爲光敏有機材料的光阻製成的上層9 8 b和作爲非光敏有機材料的丙烯酸製成的下層9 8 a組成的疊加層用作絕緣體。絕緣體的上層 98b只在其上端有〇.2-3μηι的曲率半徑。代替使用非光敏材料，可以用無機材料（氧化矽、氮化矽、氧氮化矽等）作爲絕緣體的下層9 8 a。圖19C表示出一個實例，其中氮化矽膜94藉由RF 濺射形成於絕緣體8 8上。代替使用氮化矽膜94，氧氮化矽膜或以AINxOy表示的膜可以被使用。以AINxOy表示的膜可以用A1N或A1製成的靶在從氣體引入系統中引入氧、氮或稀有氣體時藉由濺射形成。對於以AINxOy表示的膜，含幾個原子％或更多，較佳的，2.5原子％ -4 7.5原子％的氮和4 7.5原子％或更少，較佳的，0 . 〇 1 -少於2 0原子％的氧就足夠了。諸如氮化矽膜的保護膜形成於絕緣體 -51 - (47) (47)200404329 8 8上，從而可以減少稱作收縮的缺陷，即發光面積的減少〇而且，本實施例可以與實施例樣式1 - 4和實施例1 一 3中任何一個組合。根據本發明，含有機化合物的層可以被選擇地形成。結果是，可以容易地形成一種結構，其中含有機化合物的層不形成在連接到外電源的佈線的交叉處。而且，根據本發明，提供濾色器以消除圓偏振片的必要，從而減少成本。同時’由於有濾色器，沒有必要單獨分開地使發光元件有顔色，從而可以實現産量以及淸晰度的提高。【圖式簡單說明】在圖式中：圖1 A和1 B分別是示出實施例樣式1的俯視圖和橫截面視圖；圖2 A和2 B分別是不出實施例樣式2的俯視圖和橫截面視圖；圖3 A和3 B分別是示出實施例樣式3的俯視圖和橫截面視圖；圖4 A - 4 C是示出實施例樣式4的蝕刻步驟的橫截面視圖；圖5 A和5 B分別是示出實施例樣式4的俯視圖和橫截面視圖； -52- (48) (48)200404329 圖6A和6B分別是示出實施例1的像素的俯視圖和橫截面視圖；圖7 A— 7C是示出實施例1的製造步驟的視圖；圖8 A和8 B是貫施例1的主動顯不裝置的俯視圖和橫截面視圖；圖9 A — 9 C是視圖，每個不出實施例1中發光元件的疊層結構；圖1 0 A — 1 0 C是用實施例1的白光發射實現全色顯示的情形中的示意圖；圖1 1 A - 1 1 D是用實施例1中的單體材料和聚合材料組成的疊加層實現全色顯示的情形中的示意圖；圖12是示出製造實施例2中製造設備的製圖；圖13A — 13F，每個不出實施例3中電子應用的實例圖MA — MC，每個示出實施例3中電子應用的實例 j 圖1 5是示出實施例1中每個色彩層的透射率的曲線圖；圖1 6是示出實施例1的色度座標的曲線圖；圖1 7是示出實施例樣式4的絕緣體週邊的橫截面的照片視圖；圖1 8是示出比較實例的絕緣體週邊的橫截面的照片視圖；圖1 9 A — 1 9 C是實施例4的橫截面視圖； -53- (49) (49)200404329 圖2 0是示出絕緣體週邊的橫截面的照片視圖；圖2 1 A — 2 1 C是示出實施例樣式4的俯視圖和橫截面視圖；和圖2 2 A和2 2 B是示出實施例樣式1的俯視圖和橫截面視圖。【主要元件對照表】 23 發光元件 12 像素部分 13 源極側驅動電路 14、1 5 閘側驅動電路 10 含有機化合物的層 11 第二電極 16 電源線 19 第一電極 20 密封材料 22 黏接劑 17 佈線 22a 隔離物 22b 導電細顆粒 18 有機絕緣體 1 022a 隔離物 1 022b _電細顆粒 1022 黏接齊u -54- (50) 200404329 3 1 密封物 32 導電材料 41 保護膜 42 導電材料 50 蒸氣澱積掩模 51 第三電極 60 含有機化合物的層 68 絕緣體 70 保護膜 69 第一電極 62 像素部分 602 第一閘信號線 603 第二閘信號線 604 電源線 605、 606、607 TFT 614 半導體層 608 像素電極 901 源極側驅動電路 902 像素部分 903 閘側驅動電路 904 密封基底 905 密封劑 909 撓性印刷電路 910 基底 (51) 200404329

923 ii 通道 TFT

924 p 通道 TFT 911、 912 TFT 913 第一電極（陽極） 914 絕緣體 915 有機化合物的層 916 第二電極

917 第三電極 918 發光元件 908 佈線 7 01 陽極 702 含有機化合物的層 702a 第一有機層 702b 第二有機層

703 陰極緩衝層 100a〜100k、100 m〜100w 門 101 充氣室 109 取出室 102、104a、108、1 14、1 18 運送室 105 、 107 、 111 分送室 106R、 106B、 106G、 106H、 106E、 106X、 109、 110、 112 、11 3 膜形成室 103 預處理室 117 密封基底裝載室 -56- (52)200404329 115 分配室 1 16 密封室 120a > 120b 盒子室 121 托盤附連台 122 電漿蝕刻室 200 1 主體 2002 影像輸入部分 2003 顯示部分 2004 鍵盤 2101 主髀 _1 Γ3 ..m» 2102 顯示部分 2103 聲音輸入部分 2104 操作開關 2105 電池 2106 影像接收部分 220 1 主體 2202 相機部分 2203 影像接收部分 2204 操作開關 2205 顯示部分 2301 主體 2302 顯示部分 2303 臂部分 240 1 主體 (53)200404329 2402 顯示部分 2403 揚聲器部分 2404 記錄媒體 2405 操作開關 250 1 _1__· Π-ΐζ. 2502 顯示部分 2503 取景器 2504 操作開關 290 1 主髀 1.1- · 2902 聲音輸出部分 2903 聲音輸入部分 2904 顯示部分 2905 操作開關 2906 天線 300 1 主體 3002、 3 00 3 顯示部 3004 記錄媒體 3005 操作開關 3006 天線 80 含有機化合物的 81 第二電極 87 連接佈線 88 絕緣體 89 第一電極

-58- 200404329 (54) 91 第三電極 93 發光裝置 98a 下層 98b 上層 94 氮化矽膜

-59-

Claims

(1) (1)200404329 拾、申請專利範圍 1· 一種發光裝置，包括：在有絕緣表面的第一基底和有半透明性的第二基底之間包括多個發光元件、驅動電路和端點部分的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；第一電極上的含有機化合物的層；以及含有機化合物的層上的第二電極，其中端點部分放置在第一基底上以便於定位在第二基底外面；以及其中第一基底和第二基底藉由其中有不同直徑的導電細顆粒混合的黏接劑彼此接合，而第二電極與來自端點部分的佈線彼此電連接。 2 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中第二電極是發光兀件之一的陰極和陽極的每一個。 3 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中第二電極與含有機化合物的層有同樣的圖樣形式。 4 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中有機化合物由聚合材料製成。 5 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中含有機化合物的層包括聚合材料製成的層和單體材料製成的層〇 6 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中第一電極的末端覆蓋有絕緣體，絕緣體的上端包括有第一曲率半徑的彎曲表面，而絕緣體的下端包括有第二曲率半徑的彎曲表面’第一曲率半徑和第二曲率半徑爲〇.2-3|Llm。 -60- (2) (2)200404329 7 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中第一電極由具有半透明性的材料製成，並且是發光元件之一的陰極和陽極中的一個。 8 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中發光元件發白光，並與濾色器組合。 9 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中發光兀件發單色光，並與顔色轉換層或色彩層組合。 1 〇 ·根據申請專利範圍第1項的發光裝置，其中發光裝置是視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的任何一個。 1 1 · 一種發光裝置，包括：在有絕緣表面的第一基底和有半透明性的第二基底之間包括多個發光元件、驅動電路和端點部分的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；第一電極上的含有機化合物的層；以及含有機化合物的層上的第二電極，其中端點部分放置在第一基底上以便於定位在第二基底外面；以及其中弟基底和弟一基底藉由其中由無機材料製成的細顆粒和有著比該細顆粒大的直徑的導電細顆粒混合的黏接劑彼此接合，而第二電極和來自端點部分的佈線彼此電連接。 1 2 ·根據申請專利範圍第1 1項的發光裝置，其中第二電極是發光元件之一的陰極和陽極的每一個。 1 3 ·根據申請專利範圍第U項的發光裝置，其中第 -61 - (3) (3)200404329 一電極與含有機化合物的層有同樣的圖樣形式。 1 4 ·根據申請專利範圍第i i項的發光裝置，其中有機化合物由聚合材料製成。 15 ·根據申請專利範圍第1 1項的發光裝置，其中含有機化合物的層包括聚合材料製成的層和單體材料製成的〇 1 6 ·根據申請專利範圍第1 1項的發光裝置，其中第一電極的末端覆蓋有絕緣體，絕緣體的上端包括有第一曲率半徑的彎曲表面，而絕緣體的下端包括有第二曲率半徑的彎曲表面’第一曲率半徑和第二曲率半徑爲〇.2-3μιη。 1 7 ·根據申請專利範圍第η項的發光裝置，其中第一電極由具有半透明性的材料製成，並且是發光元件之一的陰極和陽極中的一個。 1 8 ·根據申請專利範圍第U項的發光裝置，其中發光元件發白光，並與濾色器組合。 1 9 ·根據申請專利範圍第u項的發光裝置，其中發光元件發單色光，並與顔色轉換層或色彩層組合。 20 ·根據申請專利範圍第1 1項的發光裝置，其中發光裝置是視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的任何一個。 21· —種發光裝置，包括：包括多個發光元件的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；第一電極上的含有機化合物的層；和含有機化合物的層上的第二電極；以及 -62- (4) (4)200404329 端點部分，其中含有機化合物的層的末端面與第二電極的末端面緊接，以及其中端點部分和像素部分之間有一個部分，其中第二電極和從端點部分延伸的佈線藉由含導電細顆粒的黏接劑電連接。 22 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中第二電極是發光元件之一的陰極和陽極中的一個。 23 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中有機化合物由聚合材料製成。 24 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中含有機化合物的層包括聚合材料製成的層和單體材料製成的層。 2 5 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中第一電極的末端覆蓋有絕緣體，絕緣體的上端包括有第一曲率半徑的彎曲表面，而絕緣體的下端包括有第二曲率半徑的彎曲表面，第一曲率半徑和第二曲率半徑爲〇·2-3μπι。 2 6 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中第一電極由具有半透明性的材料製成，並且是發光元件之一的陰極和陽極中的一個。 2 7 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中發光元件發白光，並與濾色器組合。 2 8 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中發光元件發單色光，並與顔色轉換層或色彩層組合。 -63- (5) (5)200404329 29 ·根據申請專利範圍第2 1項的發光裝置，其中發光裝置是視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的任何一個。 3 0 · —種發光裝置，包括：包括多個發光元件的像素部分，每個發光元件包括：第一電極；第一電極上的含有機化合物的層；和含有機化合物的層上的第二電極；以及端點部分，其中含有機化合物的層的末端面與第二電極的末端面緊接，和其中端點部分和像素部分之間有一個部分，其中第二電極和從端點部分延伸的佈線藉由覆蓋第二電極的第三電極連接。 3 1 ·根據申請專利範圍第3 0項的發光裝置，其中第三電極由金屬製成。 3 2 ·根據申請專利範圍第3 0項的發光裝置，其中第二電極和第三電極是發光元件之一的陰極和陽極中的每一個。 3 3 ·根據申請專利範圍第3 0項的發光裝置，其中有機化合物由聚合材料製成。 3 4 ·根據申請專利範圍第3 0項的發光裝置，其中含有機化合物的層包括聚合材料製成的層和單體材料製成的層。 3 5 ·根據申請專利範圍第3 〇項的發光裝置，其中第 -64- (6) (6)200404329 一電極的末端覆蓋有絕緣體，絕緣體的上端包括有第一曲率半徑的彎曲表面，而絕緣體的下端包括有第二曲率半徑的彎曲表面，第一曲率半徑和第二曲率半徑爲〇 2-3μιη。 3 6 ·根據申請專利範圍第3 〇項的發光裝置，其中第一電極由具有半透明性的材料製成，並且是發光元件之一的陰極和陽極中的一個。 3 7 ·根據申請專利範圍第3 〇項的發光裝置，其中發光元件發白光，並與濾色器組合。 3 8 ·根據申請專利範圍第3 〇項的發光裝置，其中發光元件發單色光，並與顔色轉換層或色彩層組合。 3 9 ·根據申請專利範圍第3 0項的發光裝置，其中發光裝置是視頻相機、數位相機、護目鏡式顯示器、汽車導航系統、個人電腦和可攜式資訊終端機的任何一個。 40 · —種製造包括發光元件的發光裝置的方法，所述發光元件有：陽極；陽極上的含有機化合物的層；含有機化合物的層上的陰極，所述方法包括：形成具有半透明性的第一電極；藉由在第一電極上塗敷形成含有機化合物的層；藉由加熱蒸汽澱積材料的蒸汽澱積在含有機化合物的層上選擇地形成由金屬製成的第二電極；用第二電極作爲掩模藉由電漿蝕刻以自對準方式蝕刻含有機化合物的層；以及選擇地形成由金屬製成的第三電極以便於覆蓋第二_ 極。 -65- (7) (7)200404329 4 1 ·根據申請專利範圍第4 0項製造發光裝置的方法，其中第二電極和第三電極是發光元件的陰極和陽極的任一個。 42 ·根據申請專利範圍第40項製造發光裝置的方法，其中第三電極藉由蒸汽澱積和濺射中的任何一個形成。 43 ·根據申請專利範圍第40項製造發光裝置的方法，其中電漿藉由激發選自包括Ar、Η、F和Ο的組中的一種或多種氣體産生。 44 ·根據申請專利範圍第40項製造發光裝置的方法，其中第一電極是電連接到TFT的發光元件的陰極和陽極中的一個。 4 5 · —種製造包括發光元件的發光裝置的方法，所述發光元件有：陽極；陽極上的含有機化合物的層；含有機化合物的層上的陰極，所述方法包括：形成具有半透明性的第一電極；藉由在第一電極上塗敷形成含有機化合物的層；藉由加熱蒸汽澱積材料的蒸汽澱積在含有機化合物的層上選擇地形成由金屬製成的第二電極；用第二電極作爲掩模藉由電漿蝕刻以自對準方式蝕刻含有機化合物的層；以及藉由含導電顆粒的黏接劑使第二電極和從端點部分延伸的佈線彼此連接。 46 ·根據申請專利範圍第45項製造發光裝置的方法，其中第二電極是發光元件的陰極和陽極的任一個。 -66- (8) (8)200404329 4 7 ·根據申請專利範圍第4 5項製造發光裝置的方法，其中電發藉由激發3¾自包括Ar、Η、F和〇的組中的一. 種或多種氣體座生。 4 8 ·根據申請專利範圍第4 5項製造發光裝置的方法，其中第一電極是電連接到TFT的發光元件的陰極和陽極中的一個。 49 · 一種製造包括發光元件的發光裝置的方法，所述發光元件有：陽極；陽極上的含有機化合物的層；含有機化合物的層上的陰極，該方法包括：在第一基底上形成薄膜電晶體；形成要連接到薄膜電晶體的第一電極；藉由在第一電極上塗敷形成由聚合材料製成的含有機化合物的層；藉由加熱蒸汽澱積材料的蒸汽澱積在含有機化合物的層上選擇地形成由金屬製成的第二電極；用第二電極作爲掩模藉由電漿蝕刻以自對準方式蝕刻含有機化合物的層；以及藉由含導電顆粒的黏接劑使第二電極和從端點部分延伸的佈線彼此連接，同時使第一基底和第二基底彼此接合〇 50 ·根據申請專利範圍第49項製造發光裝置的方法，其中第二電極是發光元件的陰極和陽極的每一個。 5 1 ·根據申請專利範圍第49項製造發光裝置的方法，其中電漿藉由激發選自包括Ar、Η、F和Ο的組中的一 -67- (9) 200404329 種或多種氣體産生。 52 ·根據申請專利範圍第49項製造發光裝置的方法，其中第一電極是電連接到TFT的發光元件的陰極和陽極中的一個。 -68 -