JP5051869B2 - 発光素子および発光素子の製造方法 - Google Patents

発光素子および発光素子の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は、有機発光層を含む発光素子の製造方法、および有機発光層を含む発光素子の製造装置に関する。
近年、従来用いられてきたＣＲＴ（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）に換わって、薄型にすることが可能な平面型表示装置の実用化が進んでおり、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は自発光、高速応答などの特徴を有するために、次世代の表示装置として着目されている。また、有機ＥＬ素子は、表示装置のほかに、面発光素子としても用いられる場合がある。
有機ＥＬ素子は、陽電極（正電極）と陰電極（負電極）の間に有機ＥＬ層（発光層）を含む有機層が狭持された構造となっており、当該発光層に正極から正孔を、負極から電子を注入してそれらの再結合をさせることによって、当該発光層を発光させる構造になっている。
また、前記有機層には、必要に応じて陽極と発光層の間、または陰極と発光層の間に、例えば正孔輸送層、または電子輸送層など発光効率を良好とするための層を付加することも可能である。
上記の発光素子を形成する方法の一例としては、以下の方法を取ることが一般的であった。まず、ＩＴＯよりなる陽電極がパターニングされた基板上に、前記有機層を蒸着法により形成する。蒸着法とは、例えば蒸発あるいは昇華された蒸着原料を、被処理基板上に蒸着させることで薄膜を形成する方法である。次に、当該有機層上に、陰電極となるＡｌ（アルミニウム）を、蒸着法などにより形成する。
例えばこのようにして、陽電極と陰電極の間に有機層が形成されてなる、発光素子が形成される（例えば特許文献１参照）。
図１は、従来の発光素子の製造装置の一部を構成する蒸着装置を模式的に示した図である。
図１を参照するに、本図に示す蒸着装置１０は、内部に内部空間１１Ａが画成される処理容器１１を有し、当該内部空間１１Ａには、蒸着源１２と、該蒸着源１２に対向する基板保持台１５が設置された構造を有している。前記内部空間１１Ａは、排気ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続された排気ライン１４より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
前記蒸着源１２にはヒータ１３が設置され、該ヒータ１３によって内部に保持された原料１２Ａを加熱し、蒸発または昇華させて気体原料とすることが可能に構成されている。当該気体原料は、前記基板保持台１５に保持された被処理基板Ｓに蒸着される。
上記の成膜装置１０を用いて、例えば発光素子の有機層（発光層）や、有機層上の電極などを成膜することができる。
特開２００４−２２５０５８号公報
しかし、従来の発光素子の製造装置では、例えば蒸着法を用いて成膜を行う場合、処理容器内の蒸着源から蒸発または昇華する原料を被処理基板に成膜させるため、被処理基板の成膜面を下に向けた、いわゆるフェースダウンの成膜方法により行う必要があった。このため、被処理基板が大きくなった場合には被処理基板の扱いが困難となって、発光素子の生産性が低下してしまう問題が生じていた。
特に、近年のフラットパネルディスプレイは大型化が進んでおり、発光素子（有機ＥＬ素子）を用いた表示装置は大型化する傾向にある。このため、発光素子が形成される被処理基板もこれに伴い大型化する傾向にあり、被処理基板の搬送やセッティングなどの扱いが益々困難となってきている。
また、複数の基板処理工程を経て製造される発光素子において、基板処理の工程でフェースダウンとフェースアップの処理が混在していると、被処理基板の搬送やセッティングの工程が複雑となり、発光素子の生産性が低下して製造コストが増大してしまう問題が生じてしまう。
さらに、被処理基板の破損の発生確率が増大し、被処理基板の反り量の管理が困難となって、生産性が低下する問題が生じる懸念があった。
そこで、本発明では、上記の問題を解決した、新規で有用な発光素子の製造装置と、発光素子の製造方法を提供することを統括的目的としている。
本発明の具体的な課題は、良好な生産性で、有機層を含む複数の層を有する発光素子を製造することが可能な発光素子の製造装置と、良好な生産性で、有機層を含む複数の層を有する発光素子を製造することが可能な発光素子の製造方法を提供することである。
本発明は、上記の課題を、
請求項１に記載したように、 被処理基板上に有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための基板処理が行われる、複数の処理室を有し、
前記複数の処理室は、それぞれ、前記被処理基板の前記発光素子が形成される素子形成面が、重力方向に対面するようにして前記被処理基板の基板処理が行われるように構成されており、
前記複数の処理室の一つは、同一の処理容器内に複数の成膜原料ガスを前記被処理基板の素子形成面に向けて重力方向に供給する複数の成膜原料ガス供給部を含み、
前記複数の成膜原料ガス供給部は、前記被処理基板の移動方向に沿って配列され、前記配列された複数の成膜原料ガス供給部のうち、最初の成膜原料ガス供給部と最後の成膜原料ガス供給部との間の間隔は、前記被処理基板の長さより短いことを特徴とする発光素子の製造装置により、また、
請求項２に記載したように、
前記複数の処理室が接続されるとともに、該複数の処理室に前記被処理基板を搬送する搬送室を有し、前記搬送室では、前記被処理基板の前記素子形成面が重力方向に対面するように保持されて該被処理基板が搬送されることを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項３に記載したように、
前記搬送室を複数有することを特徴とする請求項２記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項４に記載したように、
前記複数の処理室は、
前記有機層を成膜するための有機層成膜室と、
前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜室と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項５に記載したように、
前記有機層成膜室は、電圧が印加されることで発光する発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により、連続的に成膜されるように構成されていることを特徴とする請求項４記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項６に記載したように、
前記有機層成膜室には、
前記被処理基板を保持する保持台と
蒸着のための複数の成膜原料ガスを前記被処理基板上に供給するための複数の成膜原料ガス供給部が設置されていることを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項７に記載したように、
蒸着の原料を蒸発または昇華させて前記成膜原料ガスを生成する成膜原料ガス生成部と、該成膜原料ガス生成部から前記成膜原料ガス供給部に前記成膜原料ガスを輸送する輸送路を有することを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項８に記載したように、
複数の前記成膜原料ガス供給部に対応する、複数の前記成膜原料ガス生成部と複数の前記輸送路をそれぞれ有することを特徴とする請求項７記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項９に記載したように、
前記保持台は、成膜に対応して、前記複数の成膜原料ガス供給部の配列に沿って移動されるように構成されていることを特徴とする請求項８記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項１０に記載したように、
前記電極成膜室では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されるよう構成されていることを特徴とする請求項４乃至９のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項１１に記載したように、
前記複数の処理室は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング室を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項１２に記載したように、
被処理基板の素子形成面に、有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成する発光素子の製造方法であって、
複数の処理室でそれぞれ実施される複数の基板処理工程を有し、
前記複数の処理室では、前記素子形成面が、重力方向に対面するようにして前記被処理基板の基板処理が行われ、
前記複数の処理室の一つでは、同一の処理容器内において複数の成膜原料ガスが前記被処理基板の素子形成面に向けて同時に重力方向に供給されて多層構造を形成することを特徴とする発光素子の製造方法により、また、
請求項１３に記載したように、
前記被処理基板は、前記複数の処理室が接続されるとともに、該複数の処理室に前記被処理基板を搬送する搬送室で、前記素子形成面が重力方向に対面するように保持されて搬送されることを特徴とする請求項１２記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１４に記載したように、
前記被処理基板は、複数の前記搬送室を介して複数の前記処理室に搬送されることを特徴とする請求項１３記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１５に記載したように、
前記複数の基板処理工程は、
前記有機層を成膜するための有機層成膜工程と、
前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜工程と、を含むことを特徴とする請求項１２乃至１４のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１６に記載したように、
前記有機層成膜工程では、電圧が印加されることで発光する発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により連続的に成膜されることを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項１７に記載したように、
前記有機層成膜工程では、
前記被処理基板を保持する保持台と
蒸着のための複数の成膜原料ガスを前記被処理基板上に供給するための複数の成膜原料ガス供給部と、を有する成膜処理室により、前記有機層の成膜が行われることを特徴とする請求項１６記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１８に記載したように、
前記複数の成膜原料ガス供給部には、蒸着の原料を蒸発または昇華させて前記成膜原料ガスを生成する成膜原料ガス生成部から、当該成膜原料ガスを輸送する輸送路を介して前記成膜原料ガスが供給されることを特徴とすると請求項１７記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項１９に記載したように、
複数の前記成膜原料ガス供給部には、対応する複数の前記成膜原料ガス生成部から、複数の前記輸送路を介して、複数の前記成膜原料ガスがそれぞれ供給されることを特徴とする請求項１８記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項２０に記載したように、
前記保持台は、成膜に対応して、前記複数の成膜原料ガス供給部の配列に沿って移動されることを特徴とする請求項１９記載の発光素子の製造方法により、また、
請求項２１に記載したように、
前記電極成膜工程では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されることを特徴とする請求項１５乃至２０のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置により、また、
請求項２２に記載したように、
前記複数の基板処理工程は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１２乃至２１のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造方法により、解決する。
本発明によれば、良好な生産性で、有機層を含む複数の層を有する発光素子を製造することが可能な発光素子の製造装置と、良好な生産性で、有機層を含む複数の層を有する発光素子を製造することが可能な発光素子の製造方法を提供することが可能となる。
本発明に係る発光素子の製造装置は、被処理基板上に有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための基板処理が行われる、複数の処理室を有し、前記複数の処理室は、それぞれ、前記被処理基板の前記発光素子が形成される素子形成面が、重力方向に対面するようにして前記被処理基板の基板処理が行われるように構成されていることを特徴としている。
このため、本発明による発光素子の製造装置では、複数の処理室において、被処理基板を、いわゆるフェースアップで処理して発光素子を形成することが可能となる。したがって、上記の発光素子の製造装置では、特に大型の被処理基板への対応が容易となる効果を奏する。
上記の発光素子の製造装置では、大型の被処理基板をフェースダウンで保持する必要が無いため、ＥＳＣ（静電保持機構）などの、重力に逆らって被処理基板を保持する機構が不要となる。また、フェースダウンの処理とフェースアップの処理が混在することが無いため、被処理基板を裏返して保持するなどの動作が不要となり、大型の被処理基板の破損の確率が減少する。さらに、大型の被処理基板の反り量の管理が容易となり、大型の被処理基板を用いた発光素子の生産性が良好となる効果を奏する。
また、本文中の「フェースアップ処理」とは、被処理基板の発光素子が形成される素子形成面が、重力方向に対面するようにして処理が行われる基板処理のことを意味している。すなわち、成膜、エッチング、表面処理など、基板処理が行われる場合に、被処理基板の処理面が、重力方向に対面する（処理室内で上向きになる）ようになっていることをフェースアップ（基板がフェースアップである）と呼んでいる。
上記の発光素子の製造装置では、例えば、蒸着に係る処理室（成膜室）では、成膜のための原料を蒸発または昇華させて気体よりなる成膜原料を生成し、当該成膜原料を輸送して被処理基板上に供給することで、フェースアップ処理（フェースアップ成膜）が可能になっている。このような製造装置の構成例については後述する。
次に、上記の製造装置による発光素子の製造方法の一例について、図面に基づき手順を追って説明する。
本発明の実施例１による発光素子の製造方法の一例について、図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ｄ）〜（Ｅ）、および図４（Ｆ）〜（Ｇ）に基づき、手順を追って説明する。ただし以下の図中では、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する場合がある。
まず、図２（Ａ）に示す工程において、例えばガラスなどよりなる透明な基板２０１の素子形成面２０１Ａ上に、ＩＴＯなどの透明な材料よりなる陽電極２０２と、後の工程で形成される陰電極の引き出し線２０３とが形成されてなる、いわゆる電極つきの基板を用意する。この場合、前記陽電極２０２（前記引き出し線２０３）は、例えばスパッタリング法などにより形成される。
また、前記基板２０１には、前記素子形成面２０１Ａ側に、例えばＴＦＴなどの発光素子の発光を制御する制御素子が組み込まれていても良い。例えば、本実施例により形成される発光素子を表示装置に用いる場合には、画素ごとに、例えばＴＦＴなどの制御用の素子が組み込まれる場合が多い。
この場合、ＴＦＴのソース電極と上記の陽電極２０２が接続され、さらにＴＦＴのゲート電極とドレイン電極は、格子状に形成されたゲート線とドレイン線に接続され、画素ごとの表示の制御が行われる。この場合、前記引き出し線２０３は、所定の制御回路（図示せず）に接続される。このような表示装置の駆動回路は、アクティブマトリクス駆動回路と呼ばれている。なお、本図では、このようなアクティブマトリクス駆動回路の図示は省略している。
次に、図２（Ｂ）に示す工程において、前記陽電極２０２、前記引き出し線２０３、および前記基板２０１の上に、該陽電極２０２、該引き出し線２０３、および該基板２０１の素子形成面２０１Ａの露出部を覆うように、発光層（有機ＥＬ層）を含む有機層２０４を、蒸着法により形成する。この場合、蒸着にあたってマスクは用いず、実質的に基板の全面に前記有機層２０４を形成する。
本工程においては、フェースアップ成膜によって前記有機層２０４が形成される。フェースアップによる蒸着を行うため、本実施例による発光素子の製造装置は、気体よりなる成膜原料ガスが、まず基板２０１上まで輸送され、基板２０１上から当該成膜原料ガスが供給されるように構成されている。このような製造装置の構成については、図５以下で後述する。
次に、図２（Ｃ）に示す工程において、前記有機層２０４上に、例えばＡｇよりなる陰電極２０５を、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、所定の形状にパターニングして形成する。また、前記陰電極２０５のパターニングは、前記陰電極２０５を全面に形成した後、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング法により行ってもよい。また、前記電極２０５は、Ａｇよりなる層とＡｌよりなる層の多層構造としてもよい。本工程においても、フェースアップ成膜により前記陰電極２０５が形成される。
次に、図３（Ｄ）に示す工程において、図２（Ｃ）に示した工程において形成された、パターニングされた前記陰電極２０５をマスクにして、例えばプラズマエッチングにより、前記有機層２０４のエッチングを行って、当該有機層２０４のパターニングを行う。この工程において、前記有機層２０４の剥離が必要な領域（例えば前記引き出し線２０３上や、その他発光層が不要な領域）がエッチングにより除去され、該有機層２０４のパターニングが行われる。本工程においては、フェースアップによるエッチング（例えばＲＩＥ、またはＩＣＰによるエッチングなど）により、前記有機層２０４のパターニングが行われる。
次に、図３（Ｅ）に示す工程において、前記陽電極２０２の一部と、前記有機層２０４、および前記陰電極２０５を覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の保護膜２０６を、パターンマスクを用いたＣＶＤ法により、前記基板２０１上に形成する。また、当該保護膜２０６は、前記陰電極２０５の一部が露出する開口部を有するように形成される。本工程においては、フェースアップ成膜により、前記保護膜２０６が形成される。
次に、図４（Ｆ）に示す工程において、前記陰電極２０５と前記引きだし線２０３を、当該開口部を介して電気的に接続する接続線２０５ａを、例えばパターンマスクを用いたスパッタリングにより、パターニングして形成する。本工程では、図２（Ｃ）に示した工程と同様にして、フェースアップ成膜により前記接続線２０５ａが形成される。
さらに、図４（Ｇ）に示す工程において、当該接続線２０５ａと、前記引き出し線２０３の一部を覆うように、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）よりなる絶縁性の保護膜２０６ａを、パターンマスクを用いたＣＶＤ法により、前記基板２０１上に形成する。本工程においては、図３（Ｅ）の工程と同様にして、フェースアップ成膜により、前記保護膜２０６ａが形成される。
このようにして、前記基板２０１上に、前記陽電極２０２と前記陰電極２０５の間に前記有機層２０４が形成されてなる、発光素子２００を形成することができる。上記の発光素子２００は、有機ＥＬ素子と呼ばれる場合がある。
前記発光素子２００は、前記陽電極２０２と前記陰電極２０５の間に電圧が印加されることで、前記有機層２０４に含まれる発光層に、前記陽電極２０２から正孔が、前記陰電極２０５から電子が注入されてそれらが再結合され、発光する構造になっている。
当該発光層は、例えば、多環芳香族炭化水素、ヘテロ芳香族化合物、有機金属錯体化合物等の材料を用いて形成することが可能であり、上記の材料は例えば蒸着法により、形成することが可能である。
また、前記発光層での発光効率が良好となるように、前記有機層２０４には、当該発光層と前記陽電極２０２との間に、例えば、正孔輸送層，正孔注入層などが形成されていてもよい。また、当該正孔輸送層，正孔注入層は、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
同様に、前記発光層での発光効率が良好となるように、前記有機層２０４には、当該発光層と前記陰電極２０５との間に、例えば、電子輸送層，電子注入層が形成されていてもよい。また、当該電子輸送層，電子注入層は、そのいずれかが、またはその双方が省略される構造であってもよい。
また、前記有機層２０４と前記陰電極２０５との界面には、当該界面の仕事関数を調整するため（発光効率を良好とするため）の物質、例えば、Ｌｉ、ＬｉＦ、ＣｓＣＯ３などが添加された層が形成されていてもよい。
例えば、前記発光層は、例えば、ホスト材料にアルミノキノリノール錯体（Ａｌｑ３）、ドーピング材にはルブレンを用いて形成することができるが、これに限定されず、様々な材料を用いて形成することが可能である。
例えば、前記陽電極２０２の厚さは１００ｎｍ乃至２００ｎｍ、前記有機層２０３の厚さは５０ｎｍ乃至２００ｎｍ、前記陰電極２０４の厚さは５０ｎｍ乃至３００ｎｍに形成される。
また、例えば、前記発光素子２００は、表示装置（有機ＥＬ表示装置）や、面発光素子（照明・光源など）に適用することができるが、これらに限定されるものではなく、様々な電子機器に用いることが可能である。
上記に説明した、本実施例による発光素子の製造方法を用いれば、当該製造装置で行われる実質的にすべての基板処理の工程をフェースアップで行うことが可能となる。また、上記の発光素子の製造装置では、大型の被処理基板をフェースダウンで保持する必要が無いため、ＥＳＣ（静電保持機構）などの、重力に逆らって被処理基板を保持する機構が不要となる。また、フェースダウンの処理とフェースアップの処理が混在することが無いため、被処理基板を裏返して保持するなどの動作が不要となり、大型の被処理基板の破損の確率が減少する。さらに、大型の被処理基板の反り量の管理が容易となり、大型の被処理基板を用いた発光素子の生産性が良好となる効果を奏する。
また、本実施例による発光素子の製造方法では、前記有機層２０４のパターニングをエッチングにより行っていることが特徴である。このため、従来のように有機層の成膜にマスク蒸着法を用いる必要が無くなる。このため、マスク蒸着法に起因する様々な問題を回避することができる。例えば、蒸着時のマスクの温度上昇によるマスク変形に起因する、蒸着膜（有機層２０４）のパターニング精度の低下の問題を回避することができる。また、マスク蒸着に起因するパーティクルの発生を抑制することが可能となり、高品質の発光素子を、歩留まりを良好に製造することが可能となる。
また、前記陽電極２０５をマスクにして前記有機層２０４をエッチングしているため、例えば隣接する陰電極２０５の間の有機層１０４は除去されることになる。しかし、表示のための発光は当該陰電極２０５と前記陽電極２０２に挟まれた領域で生じるため、表示上問題が生じることは無く、表示品質は通常の表示装置と同様に良好である。すなわち、当該陰電極２０５をマスクにしたエッチングは、表示（発光）のための有機層（発光層）が確実に確保（マスク）され、保護されるとともに製造方法が単純であり、好適な方法である。このような有機層のエッチングのための処理室についても、先に説明したようにフェースアップによる処理が可能なように構成されている（図８で後述）。
上記の発光素子の製造方法を実施する製造装置は、例えば、図２（Ａ）〜（Ｃ）、図３（Ｄ）〜（Ｅ）、および図４（Ｆ）〜（Ｇ）のそれぞれの工程に対応した処理室（例えば成膜室など）を有している。次に、これらの処理室の構成の例について説明する。
図５は、発光素子の製造装置に係る処理室（成膜室）ＥＬ１を模式的に示した図である。前記処理室ＥＬ１は、図２（Ｂ）に示した、有機層の蒸着による成膜の工程を実施するための処理室（成膜室）である。
図５を参照するに、前記成膜室ＥＬ１は、内部に被処理基板Ｗ（図２（Ａ）の基板２０１に相当）を保持する保持台３１２を有する処理容器３１１を有している。前記処理容器３１１内は、真空ポンプ（図示せず）が接続された排気ライン３１１Ａにより排気され、減圧状態とされる構造になっている。
前記処理容器３１１の外側には、例えば固体または液体よりなる蒸着の原料３２１を蒸発または昇華させて、成膜原料ガス（気体原料）を生成する成膜原料ガス生成部３２２Ａが設置されている。
前記成膜原料ガス生成部３２２Ａは、原料容器３１９、およびキャリアガス供給ライン３２０を有している。前記原料容器３１９に保持された成膜原料３２１は、図示を省略するヒータなどにより加熱され、その結果成膜原料ガス（気体原料）が生成される。生成された成膜原料ガスは、キャリアガス供給ライン３２０から供給されるキャリアガスとともに、輸送路３１８Ａ内を輸送されて、前記処理容器３１１に設置された成膜原料ガス供給部３１７Ａに供給される構造になっている。前記成膜原料ガス供給部３１７Ａに輸送された成膜原料ガスは、前記処理容器３１１内の前記被処理基板Ｗの近傍へと供給され、被処理基板Ｗ上に成膜（蒸着）が行われる構造になっている。
すなわち、上記の構造では、フェースアップ成膜によって前記有機層２０４が形成可能になっている。例えば、従来の発光素子の製造装置では、例えば蒸着法を用いて成膜を行う場合、処理容器内の蒸着源から蒸発または昇華する原料を被処理基板に成膜させるため、被処理基板の成膜面を下に向けた、いわゆるフェースダウンの成膜方法により行う必要があった。このため、被処理基板が大きくなった場合には被処理基板の扱いが困難となって、発光素子の生産性が低下してしまう問題が生じていた。
一方、上記の処理室では、フェースアップによる成膜が可能に構成されているため、大型の被処理基板への対応が容易となる効果を奏する。このため、発光素子の生産性が良好となり、製造コストが抑制される効果を奏する。
前記成膜原料ガス供給部３１７Ａは、前記輸送路３１８Ａが接続された、例えば円筒状または筐体状の供給部本体３１４を有し、その内部に成膜原料ガスの流れを制御する整流板３１５が設置されている。さらに、前記供給部本体３１４の、被処理基板Ｗに面する側には、例えば多孔質の金属材料（金属フィルタ）よりなるフィルタ板３１６が設置されている。
また、前記処理容器３１１には、前記成膜原料ガス供給部３１７Ａと同様の構造を有する成膜原料ガス供給部３１７Ｂ〜３１７Ｆが、該成膜原料ガス供給部３１７Ａとともに直線上に配列されている。また、前記成膜原料ガス供給部３１７Ｂ〜３１７Ｆは、それぞれ輸送路３１８Ｂ〜３１８Ｆを介して、それぞれ成膜原料ガス生成部３２２Ｂ〜３２２Ｆに接続されている。前記成膜原料ガス生成部３２２Ｂ〜３２２Ｆは、前記成膜原料ガス生成部３２２Ａと同様の構造を有している。
また、前記保持台３１２は、前記成膜原料ガス供給部３１７Ａ〜３１７Ｆからの複数の成膜原料ガスの供給に対応して、移動可能に構成されている。例えば、前記保持台３１２は、前記処理容器３１１の底面に設置された、移動レール３１３上を、成膜原料ガス供給部の配列に沿って平行に移動可能に構成されている。
この場合、前記成膜原料ガス供給部３１７Ａ〜３１７Ｆからの複数の成膜原料ガスの供給に対応して、前記保持台３１２が移動されることによって、前記被処理基板Ｗ上には、多層構造よりなる有機層が、フェースアップ成膜により形成される。
また、前記処理容器３１１には、搬送室（後述）に接続される側に、ゲートバルブ３１１ａ、３１１ｂが設けられている。当該ゲートバルブ３１１ａまたは当該ゲートバルブ３１１ｂを開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３１１内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３１１内からの搬出が可能になる。
例えば、従来のクラスター構造の発光素子の製造装置では、多層構造よりなる有機層は、複数のフェースダウン成膜の処理室により成膜されていた。そのため、有機層の成膜のために多くの処理室が必要となる問題があった。また、製造装置が大型化・複雑化するとともに、大型の被処理基板の搬送が困難となる問題を有していた。一方、本実施例では、多層構造よりなる有機層を、１つの処理室において、フェースアップ成膜により連続的に成膜することが可能となっている。このため、製造装置の構造が単純となるとともに、製造装置を小型化することが容易となっている。
また、図６は、発光素子の製造装置に係る処理室（成膜室）ＳＰ１を模式的に示した図である。前記処理室ＳＰ１は、図２（Ｃ）に示した、スパッタリングによる陰電極の成膜の工程を実施するための処理室（成膜室）である。また、上記の処理室ＳＰ１によって、図４（Ｆ）に示した工程を実施することも可能である。
図６を参照するに、前記成膜室ＳＰ１は、内部に被処理基板Ｗを保持する保持台３３２を有する処理容器３３１を有している。前記処理容器３３１内は、真空ポンプが接続された排気ライン（図示せず）により排気され、減圧状態とされる構造になっている。前記保持台３３２は、前記処理容器３３１の底面に設置された、移動レール３３８上を、平行に移動可能に構成されている。
また、前記処理容器３３１の前記保持台３３２に対向する側には、それぞれ電源３３４、３３６に接続された、ターゲット３３３、３３５が設置されている。さらに、前記処理容器３３１内にＡｒなどのスパッタリングのためのガスを供給するガス供給部３３７が、前記処理容器３３１の側面に設置されている。
また、前記処理容器３３１には、搬送室（後述）に接続される側に、ゲートバルブ３３１ａが設けられている。当該ゲートバルブ３３１ａを開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３３１ａ内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３３１内からの搬出が可能になる。
上記の処理室では、例えばターゲット３３３、３３５の材料を様々に選択することによって、様々な材料を成膜することができる。例えば、ＡｇとＡｌを、連続的にスパッタリング法によって成膜することが可能になる。この場合、有機層上にまずＡｇ層が形成され、該Ａｇ層上にＡｌ層が形成される。この場合、Ａｇ層とＡｌ層よりなる陰電極を形成することが可能となる。上記の処理室においても、フェースアップ成膜により陰電極を形成することが可能になっている。
また、上記の処理室を用いて、有機層と陰電極の間に発光効率を良好とするための層を形成することも可能である。例えば、有機層と金属電極を用いた発光素子においては、有機層と電極の間の仕事関数の差によって発光効率が低下してしまう場合がある。このような発光効率の低下を抑制するために、有機層と電極の間（すなわち有機層上）に、例えば所定の金属を含む層（例えば金属層、または金属化合物層など）を形成する場合がある。
このような、発光効率の低下を抑制するための層（仕事関数調整層）としては、例えば、Ｌｉ、ＬｉＦ、ＣｓＣＯ３などよりなる層を用いることができる。
また、例えばボトムエミッションタイプの発光素子を製造する場合、上層に形成される陰電極（トップカソード）を構成する材料は、発光の反射率が良好である材料を用いることが好ましく、例えば、Ａｇを用いることが好ましい。また、陰電極にＡｇを用いた場合には、前記仕事関数調整層としては、Ｌｉ層を用いることが好ましい。
また、例えばスパッタリング法による成膜においては、２つのターゲットを平行に設置することにより、成膜対象（例えば有機層）に与えるダメージを抑制することも可能である。
図７は、上記の処理室ＳＰ１の変形例である、処理室ＳＰ１Ａの構成を模式的に示す図である。ただし図中、先に説明した部分には同一の参照符号を付し、説明を省略する。図５を参照するに、前記処理室ＳＰ１Ａの処理容器３３１内には、それぞれに電圧が印加されるターゲット３４０Ａ，３４０Ｂが互いに対向するように設置されている。
前記基板保持台３３２上に設置された、２つの前記ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂは、それぞれ、前記基板保持台３３２が移動する方向と略直交する方向に延伸した構造を有し、互いに対向するようにして設置されている。
また、前記処理容器３３１内には、前記ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂの間の空間３３１Ａに、例えばＡｒなどのスパッタリングのための処理ガスを供給するガス供給手段３４１が設置されている。当該処理ガスは、当該ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂに電源３４２より電圧が印加されることでプラズマ励起される。
前記処理室ＳＰ１Ａにおいては、前記ターゲット３４０Ａ，３４０Ｂに、それぞれ、電源３４２より電力が印加されることで、当該空間３３１Ａにプラズマが励起され、ターゲットがスパッタリングされることで、前記被処理基板Ｗ上に成膜が行われる。
上記の処理室ＳＰ１Ａにおいては、被処理基板Ｗが、プラズマが励起される空間（空間３３１Ａ）から離間しており、成膜対象が、プラズマ励起に伴う紫外線や、スパッタ粒子の衝突によるダメージの影響を受けにくい特徴がある。このため、上記の処理室ＳＰ１Ａを用いると、成膜対象となる有機層上に与えるダメージを抑制しながら、陰電極（Ａｇ、Ａｌ）や仕事関数調整層（Ｌｉなど）を成膜することが可能となる。
また、図８は、発光素子の製造装置に係る処理室（エッチング処理室）ＥＴ１を模式的に示した図である。前記処理室ＥＴ１は、図３（Ｄ）に示した、有機層のエッチングによるパターニングの工程を実施するための処理室である。
図８を参照するに、前記処理室ＥＴ１は、組み合わせられることで内部に内部空間５００Ａが画成される処理容器５０１、５０２を有し、当該内部空間５００Ａには、アース板５０６と、基板保持台５０５が対向して設置された構造を有している。前記内部空間５００Ａは、排気ポンプなどの排気手段（図示せず）が接続された排気ライン５０９より排気され、所定の減圧状態に保持される構造になっている。
また、前記処理容器５０１は例えば金属より、前記処理容器５０２は誘電体より構成されている。前記処理容器５０２の外側には、高周波電源５０４より高周波電力が印加されるコイル５０３が設置されている。また、前記基板保持台５０５には、高周波電源５１０より高周波電力が印加される構造になっている。
前記内部空間５００Ａには、ガス供給手段５０８より、例えばＮ２／Ａｒなどのエッチングのための処理ガスが供給される。当該処理ガスは、前記コイル５０３に高周波電力が印加されることでプラズマ励起される。このようなプラズマを高密度プラズマ（例えば、ＩＣＰ）と呼ぶ場合がある。高密度プラズマにより解離された処理ガスにより、図３（Ｄ）に示した工程を実施する（前記有機層２０４を、前記陰電極２０５をマスクにしてエッチングする）ことができる。
また、前記処理容器５０１には、搬送室（後述）に接続される側に、ゲートバルブ５００７が設けられている。当該ゲートバルブ５０７を開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器５０１内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器５０１内からの搬出が可能になる。
上記の処理室においては、フェースアップでのエッチングにより、前記有機層２０４のパターニングが可能になっている。
例えば、前記陰電極２０５がＡｇを含む場合には、例えば前記処理ガスとして窒素（Ｎ２）を用いることが好ましい。例えば、窒素は上記の酸素や水素に比べてＡｇなどの金属を腐食させる影響が少なく、また効率的に前記有機層２０４をエッチングすることが可能である。
また、処理ガスを解離する、エッチング装置のプラズマは、窒素を高効率で解離する、いわゆる高密度プラズマを用いることが好ましいが、高密度プラズマはＩＣＰに限定されず、例えばマイクロ波プラズマなどを用いても同様の結果を得ることができる。
また、例えば、平行平板プラズマを用いたエッチング（例えばＲＩＥなど）により、有機層をパターニングしてもよい。
また、図９は、発光素子の製造装置に係る処理室（ＣＶＤ成膜室）ＣＶＤ１を模式的に示した図である。前記処理室ＣＶＤ１は、図３（Ｅ）に示した、保護層の成膜を実施するための処理室である。また、上記の処理室ＣＶＤ１によって、図４（Ｇ）に示した工程を行うことも可能である。
図９を参照するに、前記処理室ＣＶＤ１は、内部に被処理基板Ｗを保持する保持台３０５が設置された処理容器３０１を有している。前記処理容器３０１内は、真空ポンプ（図示せず）が接続された排気ライン３０１Ａにより排気され、減圧状態とされる構造になっている。前記処理容器３０１は、例えば略円筒状の下部容器３０１Ａの一端の開口部に、蓋部３０１Ｂが設置された構造を有している。前記蓋部３０２には、例えば略円盤状のアンテナ３０２が設置され、当該アンテナ３０２には、電源３０３からマイクロ波が印加される構造になっている。
また、前記アンテナ３０２と前記保持台３０５の間には、処理容器内に成膜のための成膜原料ガスを供給するガス供給部３０４が設置されている。前記ガス供給部３０４は、例えば格子状に形成され、当該格子の穴からマイクロ波が通過する構造となっている。
このため、前記ガス供給部３０４から供給された成膜原料ガスは、前記アンテナ３０２から供給されるマイクロ波によってプラズマ励起され、前記保持台３０５上に保持される被処理基板Ｗ上に保護層（ＳｉＮ層）の成膜が行われる。
また、前記処理容器３０１には、搬送室（後述）に接続される側に、ゲートバルブ３００１ａが設けられている。当該ゲートバルブ３０１ａを開放することにより、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３０１ａ内への搬入や、または、前記被処理基板Ｗの前記処理容器３０１ａ内からの搬出が可能になる。
上記の処理室においては、フェースアップでの成膜によって、前記保護層２０６、２０６ａの成膜を行うことが可能になっている。
次に、先に説明した処理室ＥＬ１，ＳＰ１，ＥＴ１，ＣＶＤ１を有する発光素子の製造装置のレイアウトの一例について説明する。
図１０は、実施例１による発光素子の製造装置１のレイアウトを模式的に示す図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある。図１０を参照するに、本実施例による発光素子の製造装置１は、複数の処理室が接続される、複数の搬送室ＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３，ＴＭ４を有している。
上記の搬送室ＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３，ＴＭ４は、内部が減圧状態となるような真空ポンプ（図示せず）が接続されるとともに、内部に搬送アームなどの被処理基板の搬送手段（図示せず）を有している。このため、減圧状態で被処理基板を搬送することが可能に構成されている。この場合、被処理基板は、フェースアップの状態で搬送される。
また、これらの搬送室ＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３，ＴＭ４は、例えば直線上に配列され、被処理基板を処理するための複数の処理室がそれぞれ接続された構成になっている。また、前記搬送室ＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３，ＴＭ４は、平面視した場合に六角形状となっており、六角形の各辺（接続面）に処理室が接続される構造になっている。
前記搬送室ＴＭ１には、被処理基板が投入されるロードロック室Ｌ１と、被処理基板の表面処理（クリーニングなど）を行うクリーニング処理室ＣＬＮ１、ＣＬＮ２が接続されている。さらに、当該搬送室ＴＭ１には、先に図５で説明した、有機層を成膜するための処理室ＥＬ１が接続されている。
また、当該処理室ＥＬ１の、前記搬送室ＴＭ１と接続された側の反対側は、当該搬送室ＴＭ１と隣接する前記搬送室ＴＭ２に接続されている。前記搬送室ＴＭ２の他の接続面には、先に図６で説明した処理室ＳＰ１と、該ＳＰ１と同様の構造を有する処理室ＳＰ２、被処理基板へのマスクの装着・脱着を行うマスク処理室Ｍ１、ロードロック室Ｌ２が接続されている。
また、当該ロードロック室Ｌ２の、前記搬送室ＴＭ２と接続された側の反対側は、当該搬送室ＴＭ２と隣接する前記搬送室ＴＭ３に接続されている。前記搬送室ＴＭ３の他の接続面には、前記処理室ＳＰ１、ＳＰ２と同様の構造を有する処理室ＳＰ３、先に８で説明した処理室ＥＴ１、前記マスク処理室Ｍ１と同様の構造を有するマスク処理室Ｍ２、さらに、前記ロードロック室Ｌ２と同様の構造を有するロードロック室Ｌ２が接続されている。
また、当該ロードロック室Ｌ３の、前記搬送室ＴＭ３と接続された側の反対側は、当該搬送室ＴＭ３と隣接する前記搬送室ＴＭ４に接続されている。前記搬送室ＴＭ４の他の接続面には、前記マスク処理室Ｍ２と同様の構造を有するマスク処理室Ｍ３、Ｍ４、先に図９で説明した処理室ＣＶＤ１、該処理室ＣＶＤ１と同様の構造を有する処理室ＣＶＤ２、さらに、前記ロードロック室Ｌ１と同様の構造を有するロードロック室Ｌ４が接続されている。
上記の発光素子の製造装置では、被処理基板Ｗ（図２（Ａ）に示した基板２０１）は、前記ロードロック室Ｌ１から投入される。そこで、上記の搬送室ＴＭ１〜ＴＭ４の、図示を省略する搬送手段（搬送アームなど）によって、複数の処理室の間を搬送され、当該複数の処理室によって基板処理が行われる。そこで、図２（Ｂ）〜図４（Ｇ）に示した処理が行われ、被処理基板の素子形成面に発光素子が形成される。発光素子が形成された被処理基板は、前記ロードロック室Ｌ４から製造装置の外に排出される。
この場合、図２（Ｂ）に示した工程は前記処理室ＥＬ１で、図２（Ｃ）に示した工程は前記処理室ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかで、図３（Ｄ）に示した工程は、前記処理室ＥＴ１で、図２Ｅに示した工程は前記処理室ＣＶＤ１，ＣＶＤ２のいずれかで、図４（Ｆ）に示した工程は前記処理室前記処理室ＳＰ１、ＳＰ２、ＳＰ３のいずれかで、図４（Ｇ）に示した工程は前記処理室ＣＶＤ１、ＣＶＤ２のいずれかで実施される。
また、必要に応じて、図２（Ｂ）に示した工程の前に前記処理室ＣＬＮ１、ＣＬＮ２のいずれかでクリーニング工程を実施してもよい。また、必要に応じて上記の工程の前後で、前記マスク処理室Ｍ１〜Ｍ４において、被処理基板へのマスクの装着、または脱着が行われる。
上記の発光素子の製造装置１の処理室では、いずれもフェースアップによる処理が可能に構成されているため、大型の被処理基板への対応が容易となる効果を奏する。また、本実施例による発光素子の製造装置では、すべての処理室と搬送室において基板の向きがフェースアップに統一されており、被処理基板の搬送やセッティングが容易となっている。
このため、発光素子の製造装置の構造を単純にすることが可能となり、また、発光素子の生産性が良好となって、製造コストが抑制される効果を奏する。
さらに、被処理基板の破損の発生が抑制され、また、被処理基板の反り量の管理が容易となって、生産性が良好となる効果も奏する。
特に、近年のフラットパネルディスプレイは大型化が進んでおり、発光素子（有機ＥＬ素子）用いた表示装置は大型化する傾向にある。このため、発光素子が形成される被処理基板もこれに伴い大型化する傾向にある。本実施例による発光素子の製造装置では、これらの被処理基板の大型化に対応し、大型の被処理基板の搬送やセッティングなどの操作性・信頼性に優れた特徴を有している。
また、本発明による発光素子の製造装置は、上記の構造に限定されず、様々に変形・変更することが可能である。
図１１は、本発明の実施例２による発光素子の製造装置２のレイアウトを模式的に示す図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。図１１を参照するに、本実施例による発光素子の製造装置２では、実施例１の前記搬送室ＴＭ１に相当する搬送室ＴＭ１Ａが、平面視した場合に五角形状となっている。また、当該搬送室ＴＭ１Ａには、前記搬送室ＴＭ１の場合と同様に、前記ロードロック室Ｌ１、クリーニング処理室ＣＬＮ１、ＣＬＮ２、および前記処理室ＥＬ１が接続されている。
また、実施例１の前記搬送室ＴＭ２、ＴＭ３に相当する搬送室ＴＭ２Ａ、ＴＭ３Ａについても、前記搬送室ＴＭ１Ａと同様に平面視した場合に五角形状となっている。また、搬送室に接続される処理室は、実施例１の場合と同様である。すなわち、前記搬送室ＴＭ２Ａには、前記処理室ＥＬ１、ＳＰ１、ＳＰ２、前記マスク処理室Ｍ１、前記ロードロック室Ｌ２が接続されている。また、前記搬送室ＴＭ３Ａには、前記処理室ＥＴ１、ＳＰ３、前記マスク処理室Ｍ２、前記ロードロック室Ｌ２、Ｌ３が接続されている。
本実施例による発光素子の製造装置２においても、実施例１の発光素子の製造装置１の場合と同様にして、発光素子の製造を行うことが可能であり、実施例１の場合と同様の効果を奏する。本実施例の場合、搬送室の形状が異なるため、複数の搬送室（搬送室ＴＭ１Ａ、ＴＭ２Ａ、ＴＭ３Ａ、ＴＭ４）が直線上に配列されていない。このように、複数の搬送室は、必ずしも直線上に配列される場合に限定されず、様々に配置して発光素子の製造装置を構成することが可能である。
図１２は、本発明の実施例３による発光素子の製造装置３のレイアウトを模式的に示す図である。ただし、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する。図１２を参照するに、本実施例による発光素子の製造装置３では、実施例１の前記搬送室ＴＭ１、ＴＭ２、ＴＭ３、ＴＭ４にそれぞれ相当する搬送室ＴＭ５、ＴＭ６、ＴＭ７、ＴＭ８が、平面視した場合に八角形状となっている。それぞれの搬送室ＴＭ６〜ＴＭ８に接続される処理室は、実施例１の搬送室ＴＭ１〜ＴＭ４の場合と同様である。
前記搬送室ＴＭ５には、前記ロードロック室Ｌ１、クリーニング処理室ＣＬＮ１、ＣＬＮ２、および前記処理室ＥＬ１が接続されている。前記搬送室ＴＭ６には、前記処理室ＥＬ１、ＳＰ１、ＳＰ２、前記マスク処理室Ｍ１、前記ロードロック室Ｌ２が接続されている。前記搬送室ＴＭ７には、前記処理室ＥＴ１、ＳＰ３、前記マスク処理室Ｍ２、前記ロードロック室Ｌ２、Ｌ３が接続されている。また、前記搬送室ＴＭ８には、前記処理室ＣＶＤ１、ＣＶＤ２、前記マスク処理室Ｍ３、Ｍ４、前記ロードロック室Ｌ３、Ｌ４がそれぞれ接続されている。
本実施例による発光素子の製造装置３においても、実施例１の発光素子の製造装置１の場合と同様にして、発光素子の製造を行うことが可能であり、実施例１の場合と同様の効果を奏する。
このように、搬送室の形状や、または搬送室の接続面に接続される処理室の位置は、様々に変形・変更することが可能である。また、接続される処理室の個数は、生産性と製造装置に係るコストを鑑みて、様々に変更することが可能である。
以上、本発明を好ましい実施例について説明したが、本発明は上記の特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した要旨内において様々な変形・変更が可能である。
本発明によれば、良好な生産性で、有機層を含む複数の層を有する発光素子を製造することが可能な発光素子の製造装置と、良好な生産性で、有機層を含む複数の層を有する発光素子を製造することが可能な発光素子の製造方法を提供することが可能となる。
従来の発光素子の製造装置の例である。 （Ａ）〜（Ｃ）は、実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その１）である。 （Ｄ）〜（Ｅ）は、実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その２）である。 （Ｆ）〜（Ｇ）は、実施例１による発光素子の製造方法を示す図（その３）である。 実施例１による発光素子の製造装置を示す図（その１）である。 実施例１による発光素子の製造装置を示す図（その２）である。 実施例１による発光素子の製造装置を示す図（その３）である。 実施例１による発光素子の製造装置を示す図（その４）である。 実施例１による発光素子の製造装置を示す図（その５）である。 実施例１による発光素子の製造装置のレイアウトを示す図である。 実施例２による発光素子の製造装置のレイアウトを示す図である。 実施例３による発光素子の製造装置のレイアウトを示す図である。
符号の説明
２００ 発光素子
２０１ 基板
２０１Ａ 素子形成面
２０２ 陽電極
２０３ 引き出し線
２０４ 有機層
２０５ 陰電極
２０５ａ 引き出し線
２０６，２０６ａ 保護層
ＥＬ１，ＳＰ１，ＳＰ２，ＳＰ３，ＥＴ１，ＣＶＤ１，ＣＶＤ２ 処理室
ＣＮＬ１，ＣＬＮ２ クリーニング処理室
Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４ マスク搬送室
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４ ロードロック室
ＴＭ１，ＴＭ２，ＴＭ３，ＴＭ４，ＴＭ５，ＴＭ６，ＴＭ７，ＴＭ８，ＴＭ１Ａ，ＴＭ２Ａ，ＴＭ３Ａ 搬送室

Claims (22)

  1. 被処理基板上に有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成するための基板処理が行われる、複数の処理室を有し、
    前記複数の処理室は、それぞれ、前記被処理基板の前記発光素子が形成される素子形成面が、重力方向に対面するようにして前記被処理基板の基板処理が行われるように構成されており、
    前記複数の処理室の一つは、同一の処理容器内に複数の成膜原料ガスを前記被処理基板の素子形成面に向けて重力方向に供給する複数の成膜原料ガス供給部を含み、
    前記複数の成膜原料ガス供給部は、前記被処理基板の移動方向に沿って配列され、前記配列された複数の成膜原料ガス供給部のうち、最初の成膜原料ガス供給部と最後の成膜原料ガス供給部との間の間隔は、前記被処理基板の長さより短いことを特徴とする発光素子の製造装置。
  2. 前記複数の処理室が接続されるとともに、該複数の処理室に前記被処理基板を搬送する搬送室を有し、前記搬送室では、前記被処理基板の前記素子形成面が重力方向に対面するように保持されて該被処理基板が搬送されることを特徴とする請求項１記載の発光素子の製造装置。
  3. 前記搬送室を複数有することを特徴とする請求項２記載の発光素子の製造装置。
  4. 前記複数の処理室は、
    前記有機層を成膜するための有機層成膜室と、
    前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜室と、を含むことを特徴とする請求項１乃至３のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置。
  5. 前記有機層成膜室は、電圧が印加されることで発光する発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により、連続的に成膜されるように構成されていることを特徴とする請求項４記載の発光素子の製造装置。
  6. 前記有機層成膜室には、
    前記被処理基板を保持する保持台と
    蒸着のための複数の成膜原料ガスを前記被処理基板上に供給するための複数の成膜原料ガス供給部が設置されていることを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造装置。
  7. 蒸着の原料を蒸発または昇華させて前記成膜原料ガスを生成する成膜原料ガス生成部と、該成膜原料ガス生成部から前記成膜原料ガス供給部に前記成膜原料ガスを輸送する輸送路を有することを特徴とする請求項６記載の発光素子の製造装置。
  8. 複数の前記成膜原料ガス供給部に対応する、複数の前記成膜原料ガス生成部と複数の前記輸送路をそれぞれ有することを特徴とする請求項７記載の発光素子の製造装置。
  9. 前記保持台は、成膜に対応して、前記複数の成膜原料ガス供給部の配列に沿って移動されるように構成されていることを特徴とする請求項８記載の発光素子の製造装置。
  10. 前記電極成膜室では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されるよう構成されていることを特徴とする請求項４乃至９のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置。
  11. 前記複数の処理室は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング室を含むことを特徴とする請求項１乃至１０のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置。
  12. 被処理基板の素子形成面に、有機層を含む複数の層を有する発光素子を形成する発光素子の製造方法であって、
    複数の処理室でそれぞれ実施される複数の基板処理工程を有し、
    前記複数の処理室では、前記素子形成面が、重力方向に対面するようにして前記被処理基板の基板処理が行われ、
    前記複数の処理室の一つでは、同一の処理容器内において複数の成膜原料ガスが前記被処理基板の素子形成面に向けて同時に重力方向に供給されて多層構造を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。
  13. 前記被処理基板は、前記複数の処理室が接続されるとともに、該複数の処理室に前記被処理基板を搬送する搬送室で、前記素子形成面が重力方向に対面するように保持されて搬送されることを特徴とする請求項１２記載の発光素子の製造方法。
  14. 前記被処理基板は、複数の前記搬送室を介して複数の前記処理室に搬送されることを特徴とする請求項１３記載の発光素子の製造方法。
  15. 前記複数の基板処理工程は、
    前記有機層を成膜するための有機層成膜工程と、
    前記有機層に電圧を印加するための電極を成膜するための電極成膜工程と、を含むことを特徴とする請求項１２乃至１４のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造方法。
  16. 前記有機層成膜工程では、電圧が印加されることで発光する発光層を含む多層構造を有する前記有機層が、蒸着法により連続的に成膜されることを特徴とする請求項１５記載の発光素子の製造装置。
  17. 前記有機層成膜工程では、
    前記被処理基板を保持する保持台と
    蒸着のための複数の成膜原料ガスを前記被処理基板上に供給するための複数の成膜原料ガス供給部と、を有する成膜処理室により、前記有機層の成膜が行われることを特徴とする請求項１６記載の発光素子の製造方法。
  18. 前記複数の成膜原料ガス供給部には、蒸着の原料を蒸発または昇華させて前記成膜原料ガスを生成する成膜原料ガス生成部から、当該成膜原料ガスを輸送する輸送路を介して前記成膜原料ガスが供給されることを特徴とすると請求項１７記載の発光素子の製造方法。
  19. 複数の前記成膜原料ガス供給部には、対応する複数の前記成膜原料ガス生成部から、複数の前記輸送路を介して、複数の前記成膜原料ガスがそれぞれ供給されることを特徴とする請求項１８記載の発光素子の製造方法。
  20. 前記保持台は、成膜に対応して、前記複数の成膜原料ガス供給部の配列に沿って移動されることを特徴とする請求項１９記載の発光素子の製造方法。
  21. 前記電極成膜工程では、互いに対向する２つのターゲットを用いたスパッタリング法により前記電極が成膜されることを特徴とする請求項１５乃至２０のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造装置。
  22. 前記複数の基板処理工程は、前記有機層をエッチングしてパターニングするためのエッチング工程を含むことを特徴とする請求項１２乃至２１のうち、いずれか１項記載の発光素子の製造方法。
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