SU810086A3 - Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА - Google Patents

Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА Download PDF

Info

Publication number
SU810086A3
SU810086A3 SU2667252A SU2667252A SU810086A3 SU 810086 A3 SU810086 A3 SU 810086A3 SU 2667252 A SU2667252 A SU 2667252A SU 2667252 A SU2667252 A SU 2667252A SU 810086 A3 SU810086 A3 SU 810086A3
Authority
SU
USSR - Soviet Union
Prior art keywords
tube
reaction
quartz
temperature
bell
Prior art date
Application number
SU2667252A
Other languages
English (en)
Inventor
Руха Ульрих
Баровски Герхард
Original Assignee
Сименс Аг (Фирма)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сименс Аг (Фирма) filed Critical Сименс Аг (Фирма)
Application granted granted Critical
Publication of SU810086A3 publication Critical patent/SU810086A3/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • C30B25/16Controlling or regulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Description

(54) УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО

Claims (3)

1
МАТЕРИАЛА
2 ством контрол  процесса осаждени , расположенным снаружи камеры. Кроме того, средство дл  контрол  процессом осаждени  выполнено в виде регулируемого поворотгного зеркала, соединенного с пирометром дл  измерени  температуры полупрюводникового материала. Тубус, преимущественно, выполнен из кварца, керамики или специальной инструментальной стали, а контрольное окно вьшолвено из кварца и в виде плоскопараллельного диска герметично вплавлено в тубус. Технологический процесс состоит главным образом в том, что посредством проникновени  тубуса внутрь реакционного пространства . прекращено образование силана (кремневодорода ) на смотровом окошке. Силаны, ползчающиес  в виде побочного продукта (масла и т д.),  вл ютс  остатошыми продуктами из примен емых соединений кремни  например SiHCIa или SiCU, которые выпадают в осадок жидкими, т.е. не осаждаютс  на кремниевом стрежне и не удал ютс  в ви де газообразных отходов. Они возникают пред почтительно в местах, температура которых дл  реакции слишком холодна, например при близительно при 200° С. В стальных реакторах например, они в значительных количествах пр ход т вниз к стальной стенке и существенным образом затрудн ют наблюдение за кремниеэым стержнем. Летучие вещества так же, как реакционный свежий газ, газообразные отходы реакции и летучие промежуточные продукты , оттенены смотровым окном, так как оно расположено во внутренней части тубуса , целесообразнее, если вплавлено. Температура с помощью устройства может быть изме рена с относительно высокой точностью около +, 5°С и зто при температурах осаждени , которые при использовании кремни  лежат между .900° С и 1300°С, предпочтительно между 1020° С и 1200°С, в течение всего про цесса. Способ  вл етс  особенно эффективным при толстых стержн х от трех дюймов и бол ше, так как здесь это имеет значение. Однако уже дл  двухдюймовых стержней работа должна проводитьс  при более низких, т.е. критических температурах дл  того, чтобы по давить грубокристаллические структуры. На фиг. 1 представлено устройство, общий вид; на фиг. 2 - контрольное окно и окру жающие его части реакционной камеры. Предлагаемое устройство включает реакционную камеру 1, выполненную из кварца в виде колокола. Камера 1 установлена в резервуаре 2 высокого давлени  на основани 3, выполненном из серебр ной пласпшы, котора  лежит на опорной плите 4. Камера 1 в нижней части имеет фланец 5. Дл  улучшени  герметизации камеры 1 в основании 3 предусмотрено уплотнительное кольцо 6. Внутри камеры размешены держатели 7 дл  креплени  носител  8, которые  вл ютс  одног. временно электродами дл  подвода электрического тока. В центре опорной плиты 4 имеютс  две коаксиально установленные трубки 9 и 10 дл  подвода и отвода газов соответственно . В опорной плите 4 вьшолнено также отверстие , в которое с помощью уплотнени  11 установлен тубус 12 с контрольным окном 13. Под тубусом установлено регулируемое поворотное зеркало 14, которое св зано со средством 15 наблюдени  или контрол  температуры . При известных услови х фланец 5 также может быть упразднен и в соответствии с этим толщина стенки колокола 1 также у своего нижнего кра  должна совпадать с толщиной стенок в остальных част х колокола или даже быть суженной. Колокол 1 в своей верхней части закруглен и образует свод, вследствие чего посредством сжатого газа задана усиленна  несуща  способность. Сжатый газ находитс  в окружающем колокол 1 резервуаре 2 высокого давлешг , который может, например быть стальным. Этот резервуар 2 высокого давлени  оснащен местом впуска 16 дл  инертного газа, в частности азота. Манометр 17 позвол ет контролировать давление газа в резервуаре 2 высокого давлени , которое известным образом установлено на высокое значение т.е. на несколько атмосфер . В резервуаре имеетс  смотровое окно 18. Устройство работает следующим образом. Несущие тела 7 носител  8 вставл ют в их оба держател  (в плоскости чертежа расположен держатель 7) и соединйют провод щей перемычкой (не показано). Затем колокол 1 устанавливают, в данном случае при промежуточном монтаже уплотнени  6, на серебр нную пластину 3 и закрывают резервуар 2 высокого давлени . Перед включением потока реакционного газа и подогрева несущих стержней резервуар 2 высокого давлени  наполн ют инертным газом с достаточным дл  уплотнени  избыточным давлением от 0,1 до 2 атм. Вследствие этого колокол 1 крепко прижимаетс  к серебр ной пластине 3 и достигаетс  герметичное сочленение . Потом в реакционный сосуд впускают водород и включают электрический ток, вызьшающий нагрев носителей 8. Как только они нагреваютс  до Температуры осаждени , в реакционный сосуд может быть впущен собственно реакционный газ, например смесь На и ЗШСГз, так как после этого 1;меет место осаждение на гор чую поверхность нагретых носителей 8. Дл  контрол  за режимом работы резерву ар 2 высокого давлени  оснащен устойчивым к воздействию давлени  смотровым окном 18 и манометром IT. Средства, требующиес  дл  контрол  за потоком газа-носител , а та же за нагревом несущих каркасов,  вл ютс  общеупотребительными. Следует отметить, чгго рекомендуетс  впускать свежий реакционный газ в реакщюнное пространство под таким высоким давлением, чтобы имелась возможность дл  образовани  интенсивного потока вплоть до верхней части реакционного пространства . Тубус (фиг. 2) 12 несет контрольное окно 13и с помощью тефлонового уплотнени  11 вакуум плотно установлен в опорную плиту 4. Кварцевый тубус 12 на своем нижнем конце имеет плоскоотщлифованньп фланец 19. Под уплотнением 20 при помощи болтового приспособлени  21 з реплен стальной цилиндр, к которому присоединено грубообразное устройство 22, несущее (показано схематически) регулируемое поворотное зеркало 14. Траектори  лучей проходит из глаза наблюдател  15 через поворотное зеркало 14сквозь стальной тубус 23, кварцевый тубус 12, контрольное okHo 16 к подлежащему контролю полупроводниковому стержню. Дл  контролировани  процесса осаждени  и/или измерени  температуры на продолжении осн тубуса снаружи корпуса реактора расположено регулируемое поворотное зеркало 14, которое установлено с возможностью наблюдени  полупроводникового стержн  при выполненных U-образными носител х, и предпочтительно креАШиевые перемычки, соедин ющие друг с другом оба кремниевых стержн . Если осуществл ют измерение температуры то на место глаза наблюдател  15 помещают известцый (на чертеже не показан) чувствительный злемент температуры, предпочтительно пирометр излучени . Определение численного значени  температуры и установка номинальных значений остальных параметров осаждени  осуществл етс  известным способом. 6 Очевидно, что такое устройство в несколько изменеА|ом внде пригодно также дл  осаждени  других полупроводниковых материалов и дл  нанесени  полупроводниковых слоев на полупроводниковые щайбы. В этом случае на серебр ной пластине находитс  подложка , например сусцептор, который нагревают посредством электромагнитного пол  индуктивной катущки, охватьгаающей снаружи колокол, и. который на своей верхней плоской стороне несет положенные на него полупроводниковые щайбы. При известных услови х носители могут быть также телами по. упроводниковых щайб. Форму л а изобретени  1.Устройство дл  получени  полупроводвикового материала осаждением его из газов (ж фазы на нагретом носителе, включающее реакционную камеру, герметично установленную на (торной плите, размещенные в ней держатели дл  креплени  носител  и средства дл  подвода и отвода газов, о тличающеес  тем, что, с целью обеспечени  контрол  процесса осаждени  и псжышени  его точности, в плите вьшолнено отверстие, в которое установлен тубус с контрольным окном, соединенным со средством контрол  процесса осаждени , расположенным снаружи реакцис шой камеры.
2.Устройство по п. 1, о т л и ч а ющ е е с   тем, что средство дл  контрол  процессом осаждени  выполнено в виде регулнруемснч ) поворотного зеркала, соединенного с пирометром дл  измерени  температуры полупроводникового материала.
3.Устройство по п. 1,отличающ е е с   тем, что тубус выполнен кварца , керамики или специальной, инструментальной стал, а KOHTpojfbHoe окно вьшолнено из кварца и в виде плоскопараллельного диска герметично вплавлено в тубус. Источники информаци , прин тые во внимание при экспертизе 1. Акцептованна  за вка ФРГ № 2324365, кл. В 01 J 17/32, 08.09.77 (прототип).
Фи
SU2667252A 1977-09-29 1978-09-29 Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА SU810086A3 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19772743950 DE2743950A1 (de) 1977-09-29 1977-09-29 Verfahren und vorrichtung zum abscheiden von halbleitermaterial

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SU810086A3 true SU810086A3 (ru) 1981-02-28

Family

ID=6020264

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU2667252A SU810086A3 (ru) 1977-09-29 1978-09-29 Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5458350A (ru)
BR (1) BR7806432A (ru)
DE (1) DE2743950A1 (ru)
IN (1) IN149401B (ru)
IT (1) IT1099206B (ru)
PL (1) PL115365B1 (ru)
SU (1) SU810086A3 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3107421C2 (de) * 1981-02-27 1985-02-14 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Glocke aus Quarzgut für die Abscheidung von Poly-Silizium
JPH0239525A (ja) * 1988-07-29 1990-02-08 Hitachi Ltd 半導体熱処理装置
US9656782B2 (en) 2010-03-18 2017-05-23 Jong Soo Park Structure for detachable coupling of containers
US8613358B2 (en) 2010-03-18 2013-12-24 Jong Soo Park Structure for detachable coupling of containers

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1221612B (de) * 1962-09-15 1966-07-28 Siemens Ag Vorrichtung zum Konstanthalten der Temperatur eines bei einer pyrolitischen Zersetzung einer Halbleiterverbindung benutzten Traegers
GB1209580A (en) * 1969-03-17 1970-10-21 Hamco Mach & Elect Co Automatic control for crystal growing apparatus
DE2518853C3 (de) * 1975-04-28 1979-03-22 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Vorrichtung zum Abscheiden von elementarem Silicium aus einem Reaktionsgas

Also Published As

Publication number Publication date
BR7806432A (pt) 1979-05-08
DE2743950A1 (de) 1979-04-12
IN149401B (ru) 1981-11-28
JPS5458350A (en) 1979-05-11
IT1099206B (it) 1985-09-18
JPS5639048B2 (ru) 1981-09-10
DE2743950C2 (ru) 1987-02-12
PL209746A1 (pl) 1979-06-04
PL115365B1 (en) 1981-03-31
IT7828167A0 (it) 1978-09-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4404172A (en) Method and apparatus for forming and growing a single crystal of a semiconductor compound
US3751539A (en) Use of vapor deposition to form a hollow tubular body closed on one end
SU810086A3 (ru) Устройство дл получени полупроводниковогоМАТЕРиАлА
US5232509A (en) Apparatus for producing low resistivity tungsten thin film comprising reaction temperature measuring thermocouples
US4410504A (en) Method of producing high density carbon
JPS594374B2 (ja) 元素状シリコンを析出するための反応容器
EP1022362B1 (en) Process for producing crystal article
US4424193A (en) Constituent members of a semiconductor element-manufacturing apparatus and a reaction furnace for making said constituent members
KR101455061B1 (ko) 단결정 성장을 위한 고온화학기상증착 장치용 도가니 및 이를 이용한 단결정 성장용 고온화학기상증착 장치
JPS59112611A (ja) 気相成長装置
US4255463A (en) Method of deposition of silicon in fine crystalline form
US3243174A (en) Dissociation-deposition apparatus for the production of metals
US4065533A (en) Process for the continuous production of silicon rods or tubes by gaseous deposition into a flexible wound band
US5240685A (en) Apparatus for growing a GaAs single crystal by pulling from GaAs melt
EP4259863A1 (en) Method and device for producing a sic solid material
US3950479A (en) Method of producing hollow semiconductor bodies
US4609424A (en) Plasma enhanced deposition of semiconductors
US5747096A (en) Method for measuring the depositions, densification of etching rate of an electrically conductive body
KR20190074149A (ko) 적어도 가열부와 챔버가 상호 분리가능하게 구성되는 결정 성장 장치
JPS59150417A (ja) 気相成長方法およびその装置
JPS6343357B2 (ru)
SU817092A1 (ru) Способ нанесени покрытий изНиОби HA НАгРЕТую пОдлОжКу
JP3241040B2 (ja) 加熱処理装置
Ursu et al. Growth of large ultratransparent KCl single crystals
JPH04362083A (ja) Ii−vi族化合物半導体多結晶の合成方法