SU484891A1 - Способ термообработки кристаллических образцов - Google Patents

Description

1

Изобретение относитс  к способам термообработки кристаллических образцов и может найти применение в полупроводниковой технике.

Известен способ удалени  дефектов, например пор, путем многократного нагрева кристалла до температуры

(O,8-O,9) Т К и последующего охлаждени  до температуры Т г (0,4 ггт, камере под давлением 10 С Л«1

-1О ат.

Известный способ не обеспечивает э4 фективного удалени  примесей, так как дл  этого необходима специальные режимы охлаждени .

С целью понижени  остаточного содержани  примесей с положительной энергией св зи с ваканси ми, после термообработки образцов процесс охлаждени  ве-2+2

дут со скоростью 10 - 10 град/сек.

Возникшую приповерхностную сегрегацию примесей периодически удал ют, например , химическим растворением.

Пример 1. Поликристаллы кадми  размером 0,6x5x3О мм с величиной зерна 1 мм подвергают дес тикратЛч

ному нагреву и охлаждению- от Т « 2О С

О

. с в вертикальной вакуумной

}

1печи с разрежением торр со ско ростьюч1 град/сек (посредством перемещени  образцов в печи). При Т образцы выдерживают 15 мин.

После каждого цикла нагрев - охлаждение провод т химическое; растворение Iприповерхностного сло  толщиной 1б мкм :в бидистилл те азотной кислоты. Содержимое примесей в исходном кадмии составл ет . вес.%: РЬ Zn 2 . После обработки кадми  по предлагае- ому способу содержание этих примесей а пределами химико-спектрального анализа . вес.%: РЬ 4 2 ZncL Ю. Пример 2. Поликристаллы алюми-

3 ии  размером 0,6х5хЗО мм с величиной

зерна 1 мм подвергают дес тикратному нагреву от до Т и

охлажаению со скоростью 5 град/сек в воздушной атмосфере. При Т образцы выдержи ваюпг 15 мин. После каждого цикла Hfirpesa - охлаждени  раствор ют припОверхнсютный слой толщиной 1О мкм fe кип щем бидистн л те азотной кислоты.

Исходный алюминий содержит примеси,

вес.%: Sll.e . ,0 бо З.ОЛО tFe7 1-10 ZK 2Д-|6-1

После термоциклировани  содержание магни , железа, молибдена уменьшилось

в рпэа, а содержание остальных примесей в пределах погрешности спектрального анализа осталось без изменени .

Предмет изобретени 

CnocoiS термообработки кристаллических образцов путем многократного нагрева до Т, (0,8-0,9) Т °К   охлажден   1пл

до ,4-О,7) Т °К, о т л и ч а ю .ПЛ

ш и с   тем, что, с целью понижени  остаточного содержани  првмесей с положительной энертей св зи с ваканси ми, лроаесс охлажденн  ведут со скоростью .-2 . 4-2

Ю--- 10

град/сек.