RU2060935C1 - Способ очистки карбида кремния - Google Patents

Способ очистки карбида кремния Download PDF

Info

Publication number
RU2060935C1
RU2060935C1 SU5029275A RU2060935C1 RU 2060935 C1 RU2060935 C1 RU 2060935C1 SU 5029275 A SU5029275 A SU 5029275A RU 2060935 C1 RU2060935 C1 RU 2060935C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
powder
mixture
annealing
silicon carbide
acids
Prior art date
Application number
Other languages
English (en)
Inventor
В.П. Исаков
К.С. Юдина
Ю.А. Филиппов
Original Assignee
Научно-исследовательский институт Научно-производственного объединения "Луч"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт Научно-производственного объединения "Луч" filed Critical Научно-исследовательский институт Научно-производственного объединения "Луч"
Priority to SU5029275 priority Critical patent/RU2060935C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2060935C1 publication Critical patent/RU2060935C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

Использование: получение особо чистых веществ. Сущность изобретения: порошок карбида кремния загружают во второпластовый реактор, заливают смесью 7,5 - 12,5 М азотной и 2,0 - 3,0 плавиковой кислот в объемном соотношении 1: (3-5) соответственно, нагревают и кипятят 2,5 - 3 ч, промывают дистиллированной водой и отжигают на воздухе при 800 - 850oС 1,5 - 2 ч. Содержание металлических примесей 0,3 • 10-4 - 10-3 %, Si O2, свободного кремния и углерода не превышает 0,05 • 10-4%. 1 табл.

Description

Изобретение относится к получению особо чистых веществ и может быть в частности, использовано для очистки от примесей порошка карбида кремния, применяемого в качестве материала для труб диффузионных печей, используемых при производстве полупроводников.
Известен способ очистки карбида кремния минеральной кислотой [1]
Недостаток этого способа его нетехнологичность.
Наиболее близким к изобретению является способ очистки карбида кремния, заключающийся в его обработке в безокислительной атмосфере при 1500-2000оС с последующей обработкой неорганическими кислотами (соляной, азотной, плавиковой или смесью соляной и азотной) [2]
Недостатком данного способа является сложность технологического процесса, связанная с проведением высокотемпературного отжига в безкислородной атмосфере.
Задача изобретения создание способа получения высокочистого порошка SiC более технологичным методом.
Для этого порошок карбида кремния на первой стадии процесса обрабатывают кипящей смесью 7,5-12,5М HNO3 и 2,0-3,0M HF кислот при соотношении 1:(3-5), а на второй стадии отжигают на воздухе при 800-850оС; причем время обработки на первой стадии 2,5-3 ч, на второй 1,5-2 ч.
Отличия способа заключаются в том, что порошок сначала обрабатывают кислотой, а затем отжигают, причем отжиг проводят на воздухе при 800-850оС. Кроме того, отличие предлагаемого способа состоит в том, что используется смесь азотной и плавиковой кислот в соотношении 1:(3-5).
Оптимальные значения параметров, отжига и кислотной обработки подбирались экспериментальным путем. Критерием качества служило содержание в карбиде кремния металлических примесей, SiO2, свободных кремния и углерода. Предлагаемая последовательность операций и режимы их проведения значительно упрощают технологический цикл очистки порошка карбида кремния. При этом содержание примесей в готовом продукте не превышает величины 5 ·10-4% что соответствует требованиям к аналогичным материалам, производимыми за рубежом.
Использование смеси плавиковой и азотной кислот позволяет перевести большую часть примесей, находящихся в карбиде кремния, в раствор, и это, в первую очередь, металлические примеси, кремний и его оксид.
Последующий отжиг на воздухе способствует удалению свободного углерода, вместе с которым улетучивается часть примесей, содержащихся в сажистых компонентах.
Способ опробовался на партиях порошка карбида кремния массой около 300 г каждая крупностью от 5 до 200 мкм. При этом все порошки обрабатывались кипящей смесью кислот, а затем подвергались термообработке на воздухе при различных температурах. Критерием качества во всех случаях являлось содержание металлических примесей, свободных кремния и углерода, а также оксида кремния.
В таблице представлен качественный состав SiC в зависимости от изменения параметров процесса.
П р и м е р 1. Партия порошка карбида кремния крупностью 40 мкм и массой около 300 г загружалась во фторопластовый реактор, туда же заливалась смесь кислот 150 мл 10,0 М HNO3 и 450 мл 3МHF (соотношение 1:3). Раствор доводился до кипения. В этих условиях порошок обрабатывался в течение 2,5 ч. Затем порошок промывался дистиллированной водой для удаления примесей, перешедших в раствор, и ацетоном для удаления влаги. После этого порошок отжигался на воздухе при 850оС в течение 2 ч для газификации сажистых примесей. Качественные характеристики порошка представлены в таблице (опыт 8).
П р и м е р 2. Партия порошка крупностью 60 мкм массой около 300 г заливалась смесью кислот 100 мл 12,5М HNO3 и 500 мл 3М HF (соотношение 1:5). Порошок SiC обрабатывался кипящей смесью 3 ч. Промывался водой, ацетоном и прокаливался на воздухе при 850оС в течение 2 ч. Качественные характеристики порошка представлены в таблице (опыт 4).
Использование в качестве компоненты смеси кислот 1,0 М HF (опыты 1 и 10) приводит к повышенному содержанию металлических примесей и SiO2 в порошке карбида кремния. Поскольку происходит недостаточно полное растворение оксидной пленки на поверхности частиц SiC. Более концентрированная плавиковая кислота не приводит к качественному улучшению примесного состава порошка (опыт 11). Кроме того, дополнительными исследованиями установлено, что значительно увеличивается (в 3-4 раза) содержание кремния в отработанной рабочей смеси кислот. Это, естественно, приводит к снижению выхода в годное.
При использовании 7М HNO3 (опыт 6) отмечено повышенное содержание металлических примесей в порошке SiC. Это вызвано тем, что часть примесей, образует нерастворимые фториды, а не нитратные комплексы. Эти фториды не удается удалить на последующих технологических стадиях: отмывка водой, отжиг на воздухе. Использование более крепкой, чем 12,5М, HNO3 нецелесообразно, поскольку последняя, являясь сильным окислителем, может вызвать окисление карбида кремния.
Обработка порошков менее 2,5 ч (опыт 20) не позволяет полностью перевести примеси в раствор, о чем свидетельствует их повышенное содержание в карбиде кремния. Увеличение времени кислотной обработки (опыт 23) не повышает качественные характеристики SiC, поэтому проводить обработку более 3 ч нетехнологично.
Соотношение кислот рабочей смеси менее 1:3 (опыт 24) не обеспечивает полного удаления оксидной пленки с поверхности частиц SiC, что приводит к повышенному содержанию металлических примесей и SiO2 в готовых порошках карбида кремния. Увеличение соотношения более 1:5 (опыт 5) также ведет к повышенному содержанию металлических примесей из-за недостаточного количества нитратного иона, необходимого для комплексообразования.
Отжиг, проводимый при температуре менее 800оС (опыт 12), не позволяет полностью газифицировать свободный углерод и сажистые примеси, образовавшиеся при пиролизе ацетона. Увеличение температуры отжига до 900оС (опыт 15) ведет к образованию оксидных пленок на частицах порошка карбида кремния, о чем свидетельствует повышенное содержание SiO2 в готовом продукте.
При отжиге в течение 1 ч (опыт 16) отмечено повышенное содержание свободного углерода.
Более длительный отжиг (опыт 23) не дает качественного улучшения примесного состава SiC.
Исходя из полученных данных очистка карбида кремния проводится двустадийно: первая кипящей смесью 7,5-12,5 М HNO3 и 2,0-3,0 М HF в соотношении 1: (3-5) в течение 2,5-3 ч, вторая отжиг на воздухе при 800-850оС в течение 1,5-2,0 ч.
Указанный способ очистки порошка карбида кремния опробован в укрупненно-лабораторном масштабе.
В 1991 году наработано более 700 кг порошка, пошедшего на изготовление труб диффузионных печей.

Claims (1)

  1. Способ очистки карбида кремния, включающий термическую и кислотную обработку его порошка, отличающийся тем, что в качестве кислоты используют смесь 7,5 12,5 М азотной и 2,0 3,0 М плавиковой кислот в объемном соотношении 1 (3 5) соответственно и кислотную обработку ведут перед термической обработкой при кипении указанной смеси 2,5 3 ч, а термообработку проводят на воздухе при 800 850oС в течение 1,5 2 ч.
SU5029275 1992-02-25 1992-02-25 Способ очистки карбида кремния RU2060935C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5029275 RU2060935C1 (ru) 1992-02-25 1992-02-25 Способ очистки карбида кремния

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU5029275 RU2060935C1 (ru) 1992-02-25 1992-02-25 Способ очистки карбида кремния

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2060935C1 true RU2060935C1 (ru) 1996-05-27

Family

ID=21597855

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU5029275 RU2060935C1 (ru) 1992-02-25 1992-02-25 Способ очистки карбида кремния

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2060935C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534388C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ очистки карбид-кремниевой трубы
RU2641045C2 (ru) * 2012-04-13 2018-01-15 Геракл Способ обработки нитей из карбида кремния

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Заявка WO 91/01270, кл. C 01B 31/36, 1991. 2. Заявка Японии N 63-23042, кл. C 01B 31/36, 1990. *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2641045C2 (ru) * 2012-04-13 2018-01-15 Геракл Способ обработки нитей из карбида кремния
RU2534388C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ очистки карбид-кремниевой трубы

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Smith et al. Preparation and Characterization of Alkoxy‐Derived SrZrO3 and SrTiO3
CA1133681A (en) Process for purifying silicon, and the silicon so produced
KR101530939B1 (ko) 지르코니아계 물질의 암모늄 비플루오라이드로의 처리
US1088909A (en) Metallurgical method.
RU2060935C1 (ru) Способ очистки карбида кремния
US3389005A (en) Process for the decomposition of zircon sand
RU2386713C1 (ru) Способ переработки цирконийсодержащего сырья
JP2747916B2 (ja) チタン酸カリウム長繊維およびこれを用いるチタニア繊維の製造方法
JPS61132509A (ja) 炭化珪素の製造方法
JPS6217005A (ja) 高純度ムライト粉末の製造方法
JPS5884108A (ja) 高純度α型窒化珪素の製法
JPH0632616A (ja) Bi5O7(NO3)の製造法
KR900004489B1 (ko) 질화알루미늄 분말의 제조방법
JP2003511330A (ja) 単一同位体ケイ素Si28の製造方法
US3427131A (en) Method of preparing tetraboronsilicide (b4si)
US2768873A (en) Method of purifying uranium
FR2512801A1 (fr) Procede pour preparer une poudre frittable de bioxyde d'uranium
JPH03213142A (ja) 粉粒体の精製方法
JPS6310576B2 (ru)
JPS638042B2 (ru)
JPH0621040B2 (ja) 高純度ジルコニア粉末の製造方法
JPS6338541A (ja) インジウムの精製方法
RU1770276C (ru) Способ получени бора
JPS6278112A (ja) ジルコニア微粉末の製造方法
US3099532A (en) Method of making high purity, substantially spherical discrete particles of beryllium hydroxide or oxide