SU1725336A1 - Преобразователь посто нного напр жени - Google Patents
Преобразователь посто нного напр жени Download PDFInfo
- Publication number
- SU1725336A1 SU1725336A1 SU904814638A SU4814638A SU1725336A1 SU 1725336 A1 SU1725336 A1 SU 1725336A1 SU 904814638 A SU904814638 A SU 904814638A SU 4814638 A SU4814638 A SU 4814638A SU 1725336 A1 SU1725336 A1 SU 1725336A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- channel
- diode
- anode
- substrate
- cathode
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл преобра- зовани посто нных напр жений, например дл питани интегральных схем. Цель изобретени - повышение надежности . Отрицательное выходное напр жение устройства через делитель напр жени , образованный резисторами 12 и 13,поступает на подложку силового МДП-транзистора 10 с n-каналом. В результате бипол рна структура в МДП-транзисторе оказываетс надежно запертой отрицательным напр жением на подложке (базе), что делает невозможным развитие вторичного пробо . 1 ил.
Description
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл преобра- зовани посто нных напр жений, например, дл питани интегральных схем.
Известен преобразователь посто нного напр жени с разделительным трансфор- матором и внешним возбуждением, содержащий задающий генератор, подключенный между источником входного напр жени и общей шиной, бипол рный транзистор, база которого подключена к выходу задающего генератора, а эмиттер - к общей шине, трансформатор, первична обмотка которого подключена между источником входного напр жени и коллектором транзистора, и выпр митель, подключенный к вторичной обмотке трансформатора.
Недостатки такого преобразовател (например, относительно небольшой КПД) во многом определ ютс использованием бипол рного транзистора. Заменой бипол рного транзистора на МДП-транзистор удаетс повысить КПД и частоту преобразовани , улучшить массогабаритные показатели . Однако в МДП-транзисторе сохран етс возможность возникновени вторичного пробо , что может привести к выходу МДП-транзистора с n-каналом из стро . Относительно невысока надежность и вл етс основным недостатком такого преобразовател .
Наиболее близким техническим решением вл етс преобразователь посто нного напр жени , содержащий два МДП-транзистора, один из которых имеет р-, а другой n-канал, два диода, два стабилитрона , три конденсатора и два резистора, вл ющиес нагрузками устройства, первые выводы которых подключены к истоку с подложкой МДП-транзистора с п-каналом, аноду первого стабилитрона, катоду второго стабилитрона, первым обкладкам второго и третьего конденсаторов и минусовой клемме источника входного напр жени , плюсова клемма которого подключена к истоку с подложкой МДП- транзистора с р-каналом, сток которого подключен к стоку МДП-транзистора с n-каналом и первой обкладке первого конденсатора, втора обкладка которого подключена к катоду, второго диода и аноду первого диода, катод которого подключен к катоду первого стабилитрона второй обкладке второго конденсатора и второму выводу первого резистора, а второй вывод второго резистора подключен к анодам второго диода и второго стабилитрона и второй обкладке третьего конденсатора . Такой преобразователь создает два выходных посто нных напр жени (одно положительное и одно отрицательное) без
использовани трансформатора и катушки индуктивности.
Недостатком известного устройства вл етс возможность возникновени вторичного пробо в силовом МДП-транзисторе с n-каналом, что снижает его надежность.
Цель изобретени - повышение надежности за счет устранени возможностей возникновени вторичного пробо в силовом
0 МДП-транзисторе с п-каналом.
Указанна цель достигаетс тем, что в преобразователь посто нного напр жени , содержащий входной, два выходных и общий выводы дл подключени соответст5 венно источника посто нного напр жени и двух нагрузок, два стабилитрона, два диода, три конденсатора, МДП-транзистор с п-каналом , исток которого подключен к аноду первого стабилитрона, катоду второго ста0 билитрона, первым обкладкам второго и третьего конденсатора и к общему выводу, а также МДП-транзистор с р-каналом, исток и подложка которого соединены с входным выводом, его сток - со стоком МДП-транзи5 стора с n-каналом и первой обкладкой первого конденсатора, втора обкладка которого соединена с анодом первого и катодом второго диодов, причем катод первого диода соединен с катодом первого
0 стабилитрона, второй обкладкой второго конденсатора и первым входным выводом, а анод второго диода соединен с анодом второго стабилитрона, второй обкладкой третьего конденсатора и вторым выходным
5 выводом, введены два дополнительных резистора , один из которых одним выводом подключен к аноду второго стабилитрона, а другим - к подложке МДП- транзистора с n-каналом и через второй резистор к обще0 My выводу.
Отрицательное выходное напр жение устройства через делитель напр жени , образованный дополнительными резисторами , поступает на подложку силового
5 МДП-транзистора с n-каналом. В результате бипол рна структура в МДП-транзисторе с n-каналом оказываетс надежно запертой отрицательным напр жением на подложке (базе), что делает невозможным
0 развитие вторичного пробо .
На чертеже представлена принципиальна схема преобразовател посто нного напр жени .,
Схема содержит входной, два выходных
5 и общий выводы дл подключени соответственно источника посто нного напр жени и двух нагрузок 1 и 2, два стабилитрона 3 и 4, два диода 5 и б, три конденсатора 7-9, МДП-транзистор с п-каналом 10, МДП-транзистор с р-каналом 11 и два дополнительных резистора 12 и 13. Минусова клемма источника посто нного напр жени подключена к истоку МДП-транзистора 10, аноду стабилитрона 3, катоду стабилитрона 4, первым обкладкам конденсаторов 8 и 9, первым выводам резисторов 1, 2 и 13. Плюсова клемма источника входного напр жени подключена к истоку с подложкой МДП-транзистора 11, сток которого подключен к первой обкладке конденсатора 7 и стоку МДП-транзистора 10. Втора обкладка конденсатора 7 подключена к катоду диода 6 и аноду диода 5, катод которого подключен к катоду стабилитрона 3, второй обкладке конденсатора 8 и второму выводу нагрузки 1. Анод диода 6 подключен к аноду стабилитрона 4, второй обкладке конденсатора 9, второму выводу нагрузки 2 и первому выводу резистора 12. Подложка МДП-транзистора 10 подключена к вторым, выводам резисторов 12 и 13. Сигналы управлени устройством подаютс на затворы силовых МДП-транзисторов 10 и 11.
Устройство работает следующим образом .
При поступлении отпирающего сигнала на затвор МДП-транзистора 11 и запирающего сигнала на затвор МДП-транзистора 10 происходит зар д конденсатора 7 через открытый МДП-транзистор 11, диод 5 и резистор 1. Стабилитрон 3 ограничивает уровень напр жени на нагрузке 1 и определ ет верхнее напр жение на конденсаторе 7. При открывании МДП-транзистора 10 и закрывании МДП-транзистора 11 напр жение зар женного конденсатора 7 открывает диод 6 и стабилитрон 4. При этом энерги конденсатора 7 передаетс в нагрузку 2 и фильтрующий конденсатор 9. Послеочередногооткрывани МДП-транзистора 11 и закрывани МДП- транзистора 10 процессы в схеме повтор ютс . В результате, на нагрузке 1 присутствует положительное, а на нагрузке 2 - отрицательное выходное напр жение.
Отрицательное напр жение с нагрузки 2 через делитель напр жени , выполненный на резисторах 12 и 13, .поступает на подложку МДП-транзистора с п-каналом 10. Отрицательное напр жение на подложке смещает в обратном направлении (запирает ) p-n-переход исток-подложка МДП-транзистора 10. Это обсто тельство определ ет закрытое состо ние паразитной бипол рной n-p-n-структуры в МДП-транзисторе 10,
коллектором которой вл етс область стока , эмиттером - область истока, а базой - подложка.
Тот факт, что в предлагаемом устройстве отрицательное напр жение на подложке
Claims (1)
- предотвращает открывание паразитной п- p-n-структуры, а следовательно, и возможность возникновени вторичного пробо в МДП-транзисторе с п-каналом 10 и определ ет повышение надежности преобразовател . МДП-транзисторы с р-каналом развитию вторичного пробо не подвержены , поэтому нет необходимости в подаче запирающего (положительного) напр жени на подложку (относительно истока) в МДП-транзисторе с р-каналом 11. Формула изобретени Преобразователь посто нного напр жени , содержащий входной, два выходныхи общий выводы дл подключени соответственно источника посто нного напр жени и двух нагрузок, два стабилитрона, два диода, три конденсатора, МДП-транзистор с п-каналом, исток которого подключен каноду первого стабилитрона, катоду второго стабилитрона, первым обкладкам второго и третьего конденсаторов и к общему выводу, а также МДП-транзистор с р-каналом , исток и подложка которого соединеныс входным выводом, его сток - со стоком МДП-транзистора с п-каналом и первой обкладкой первого конденсатора, втора обкладка которого соединена с анодом первого и катодом второго диодов, причемкатод первого диода соединен с катодом первого стабилитрона, второй обкладкой второго конденсатора и первым выходным выводом, а анод второго диода соединен с анодом второго стабилитрона, второй обкладкой третьего конденсатора и вторым выходным выводом, отличающийс тем, что, с целью повышени надежности, дополнительно введены два резистора, один из которых одним выводом подключенк аноду второго стабилитрона, а другим - к подложке МДП-транзистора с п-каналом и через второй резистор - к общему выводу.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904814638A SU1725336A1 (ru) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | Преобразователь посто нного напр жени |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU904814638A SU1725336A1 (ru) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | Преобразователь посто нного напр жени |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1725336A1 true SU1725336A1 (ru) | 1992-04-07 |
Family
ID=21508514
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU904814638A SU1725336A1 (ru) | 1990-04-16 | 1990-04-16 | Преобразователь посто нного напр жени |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1725336A1 (ru) |
-
1990
- 1990-04-16 SU SU904814638A patent/SU1725336A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Ромаш Э.М. и др. Высокочастотные транзисторные преобразователи. М.: Радио и св зь, 1988, с. 32, рис. 2.11е. Там же. М.: Радио и св зь, 1988, с. 166, рис.5.24 в. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20200144834A1 (en) | Systems and methods for discharging an ac input capacitor with automatic detection | |
SU1302427A3 (ru) | Высоковольтный твердотельный переключатель | |
CA1210808A (en) | Control circuit for electronic power switches | |
US20240048052A1 (en) | Power ic | |
SU1725336A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
RU2009602C1 (ru) | Преобразователь постоянного напряжения | |
CN113746305B (zh) | 栅极驱动电路和多相智能功率模块 | |
Koch et al. | Optimization of Self-Oscillating Power Converter Based on GaN HEMTs for Wireless Power Transfer | |
SU1515294A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени в посто нное | |
SU1698950A1 (ru) | Усилитель мощности | |
SU1653110A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени в переменное | |
US11791708B2 (en) | Switch control circuit and power converter comprising the same | |
SU1667208A1 (ru) | Однотактный преобразователь посто нного напр жени | |
RU2759119C1 (ru) | Однотактный преобразователь постоянного напряжения | |
RU2009604C1 (ru) | Однотактный преобразователь напряжения | |
SU1582298A1 (ru) | Стабилизированный конвертор | |
SU1624623A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
SU1725352A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени в посто нное | |
SU1720148A1 (ru) | Ключевой генератор | |
SU1725356A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
SU888308A1 (ru) | Двухтактный транзисторный инвертор | |
SU1267552A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
SU1631685A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
SU1580499A1 (ru) | Устройство дл управлени ключом на мощном полевом транзисторе | |
SU1615876A1 (ru) | Ключ переменного тока |