SU1515294A1 - Преобразователь переменного напр жени в посто нное - Google Patents
Преобразователь переменного напр жени в посто нное Download PDFInfo
- Publication number
- SU1515294A1 SU1515294A1 SU874258093A SU4258093A SU1515294A1 SU 1515294 A1 SU1515294 A1 SU 1515294A1 SU 874258093 A SU874258093 A SU 874258093A SU 4258093 A SU4258093 A SU 4258093A SU 1515294 A1 SU1515294 A1 SU 1515294A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- channel
- capacitor
- induced
- mos transistor
- transistor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл питани низковольтных интегральных схем, например устройств инжекционной логики. Цель изобретени - повышение КПД и обеспечение работоспособности при малых входных напр жени х. В преобразователе при положительной полуволне входного напр жени конденсатор 8 зар жаетс через МДП-транзистор 1 с индуцированным P-каналом, форсированно открытый отрицательным напр жением на конденсаторе 7. При отрицательной полуволне входного напр жени конденсатор 7 зар жаетс через МДП-транзистор 2 с индуцированным N-каналом, форсированно открытый положительным напр жением на конденсаторе 8. Выходное напр жение преобразовател вл етс суммой напр жений на двух конденсаторах 7 и 8, каждое из которых даже при малых величинах практически равно входному напр жению. 1 ил.
Description
СП
сд to
со
4
31
Изобретение относитс к электротехнике и может быть использовано дл питани низковольтных интегральных схем, например устройств инжек- ционной логики.
Цель изобретени - повьппение КПД и обеспечение работоспособности при малых входных напр жени х
На чертеже представлена электрическа схема преобразовател переменного напр жени в посто нное.
Преобразователь состоит из МДП- транзистора 1 с индуцированным р-ка- налом, исток которого подключен к истоку МДП-транзистора 2 с индуцированны п-каналом и затвором МДП-транзистора 3 с индуцированным п-каналом и МДП- транзистора А с индуцированным р-ка- налом. Затвор МДП-транзистора 2 и сток МДП-транзистора 4 соединены и подключены к катоду диода 5, анод которого подключен к катоду диода 6 и вторым обкладкам конденсаторов 7 и 8, а также ко второму входному выводу 9. Перва обкладка конденсатора 7 соединена с затвором МДП-транзистора 1, стоком МД1-транзистора 3 и вторым выходным вьшодом 10. Перва обкладка конденсатора 8 соединена с подложкой и истоком МДП-транзистора 4, -стоком и подложкой МДП-транзистора 1 и первым выходным вьшодом 11„ Первый входной вывод 12 подключаетс к истоку МДП-транзистора 1. Нагрузочный резистор 13 подключаетс к выходным выводам 10 и 11.
Устройство работает следующим образом.
При положительной полуволне входного напр жени и g, через открытый МДП-транзистор 1 зар жаетс конденсатор 8, при отрицательной полуволне II g через открытый МДП-транзистор 2 зар жаетс конденсатор 7„ При положительной полуволне U открып
ваетс МДП-транзистор 3. и отрицательное напр жение с конденсатора 7 поступает на затвор МДП-транзистора 1, форсиру его открывание. Поскольку в этом случае сопротивление канала МДП-транзистора 1 становитс чрезвычайно малым, конденсатор 8 зар жаетс практически до величины U g (потери цепи зар да минимальны). При отрицательной полуволне U , открываетс МДП-транзистор 4 и положительное напр жение с конденсатора 8 поступает на затвор МДП-транзистора 2,
44
форсиру его открьшание„ Поскольку в этом случае сопротивление канала МДП-транзистора 2 становитс чрезвычайно малым, конденсатор 7 зар жаетс практически до величиныи, (потери цепи зар да минимальны). Нагрузочный резистор 13 включен таким образом , что на него воздействует суммарное напр жение на конденсаторах 7 и 8, т.е„ выходное напр жение и 5ьи 2 и вх Диоды 5 и 6 включены дл запшты затвором МДП-транэисторов 2 и 1 от перенапр жений
В устройстве конденсаторы 7 и В выполн ют двойную функцию: во-первых , форсируют выходное напр жение и, во-вторых, обеспечивают форсированный зар д друг друга с минимальными потер ми. Так, напр жение на конденсаторе 7 способствует уменьшению сопротивлени потерь в МДП-тран- зисторе 1 при зар де конденсатора 8, а напр жение на конденсаторе 8 способствует уменьшению сопротивлени потерь в МДП-транзисторе 2 при зар де конденсатора 7. Така положитель - на св зь приводит к достижению поставленной в изобретении цели Выходное напр жение оказываетс рав-ным 2 и 5д даже при малом входном напр жении . Устройство имеет повышенный КПД при работе на малых напр жени х Дл эффективной работы преобразовател желательно использовать МДП
транзисторы с малыми пороговыми напр жени ми . Помимо конденсаторов 7 и 8 устройство просто реализуетс в виде монолитной интегральной схемы.
Claims (1)
- Формула изобретениПреобразователь переменного напр жени в посто нное, содержащий основной МДП-транзистор с индуцированным р-каналом, исток которого подключен к истоку первого МДП-транзистора с индуцированным п-каналом, затвору второго МДП-транзистора с индуцированным п-каналом, и первому входному вьгооду, сток основного МДП- транзистора соединен с первым выходным вьшодом, а затвор подключен к стоку второго МДП-транзистора с индуцированным п-каналом, причем исток и подложка второго МДП-транзистора с индуцированным п-каналом соединены со стоком и подложкой первого МДП-транзистора и первой обкладкой основного конденсатора, о т л и 515152946чающийс тем, что, с цельюМДП-транэистора с индуцированнымповьппени КПД и обеспечени работе-п-каналом и катоду первого введенноспособности при малых входных напр -го диода, анод которого подключен кжени х, введены конденсатор, два второму входному выводу, вторым обдиода и дополнительный МДП-транзис-кладкам обоих указанных конденсатотор с индуцированным р-каналом, ис-ров и катоду второго введенного диоток и подложка которого соединеныда, анод которого соединен с эатвосо стоком основного МДП-транзистораром основного МДП-транзистора с ин- с индуцированным р-каналом и первой jg дуцированным р-каналом, причем исобкладКой введенного конденсатора,ток второго МДП-транзистора с индузатвор подключен к первому входномуцированньи п-каналом подключен квьшоду, а сток - к затвору первоговторому выходному выводу
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874258093A SU1515294A1 (ru) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | Преобразователь переменного напр жени в посто нное |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874258093A SU1515294A1 (ru) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | Преобразователь переменного напр жени в посто нное |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1515294A1 true SU1515294A1 (ru) | 1989-10-15 |
Family
ID=21309347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874258093A SU1515294A1 (ru) | 1987-06-08 | 1987-06-08 | Преобразователь переменного напр жени в посто нное |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1515294A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2584240C1 (ru) * | 2013-12-02 | 2016-05-20 | Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. | Пятиуровневый выпрямитель |
-
1987
- 1987-06-08 SU SU874258093A patent/SU1515294A1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 1460762, кл. Н 02 М 7/25, 09.03.87„ Авторское свидетельство СССР 1363406, кл. Н 02 М 7/217 ( 4053515), 1986. * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2584240C1 (ru) * | 2013-12-02 | 2016-05-20 | Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. | Пятиуровневый выпрямитель |
RU2584240C9 (ru) * | 2013-12-02 | 2016-08-10 | Делта Электроникс (Шанхай) Ко., Лтд. | Пятиуровневый выпрямитель |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5672992A (en) | Charge pump circuit for high side switch | |
EP0112119B1 (en) | Bridge rectifier circuit | |
US4321661A (en) | Apparatus for charging a capacitor | |
Seidel et al. | A fully integrated three-level 11.6 nC gate driver supporting GaN gate injection transistors | |
EP0651499A2 (en) | AC/DC converter using a non-latch type switching device | |
US20080309307A1 (en) | High Voltage Power Switches Using Low Voltage Transistors | |
US11652407B2 (en) | Switching capacitor converter and driving circuit | |
US20140177308A1 (en) | Electrical power conversion device | |
US6531895B1 (en) | Isolated gate drive circuit having a switched input capacitor | |
SU1515294A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени в посто нное | |
JPH0812990B2 (ja) | 高速制御回路 | |
US5047675A (en) | Circuit device, made up of a reduced number of components, for simultaneously turning on a plurality of power transistors | |
US4677325A (en) | High voltage MOSFET switch | |
US11646733B2 (en) | Digital output driver circuit and method | |
GB2339638A (en) | A high-side driver charge pump with a supply cutoff transistor | |
US7911809B2 (en) | Switching power supply circuit | |
SU1624623A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
SU1363406A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени в посто нное | |
SU1415378A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени в посто нное | |
CN212367240U (zh) | 阻挡mos管的寄生二极管导通的电路及电荷泵 | |
SU1520635A1 (ru) | Преобразователь посто нного напр жени | |
CN113746305B (zh) | 栅极驱动电路和多相智能功率模块 | |
RU2009605C1 (ru) | Преобразователь напряжения | |
CN112152446B (zh) | 电荷泵升压电路 | |
SU1480065A1 (ru) | Преобразователь переменного напр жени в посто нное |