SU1625263A1 - METHOD FOR OBTAINING SILICON EPITAXIAL LAYERS OF CONDUCTIVITY R-TYPE - Google Patents

Abstract

Способ получения кремниевых эпитаксиальных слоев р-типа проводимости, включающий создание узкого зазора между подложкой и пластиной-источником на основе поликристаллического кремния, нагрев системы до температуры эпитаксии, введение в зазор насыщенного при температуре эпитаксии раствора кремния в расплаве алюминия, изотермическую выдержку системы в поле градиента температуры до полной перекристаллизации материала источника на подложку, отличающийся тем, что, с целью снижения удельного сопротивления слоев, в качестве источника используют материал состава Si(BO), где x=90-95 мас.%, ширину зазора устанавливают в пределах 30-60 мкм, эпитаксию ведут в диапазоне температур 1320-1470 K, причем дополнительно изменяют среднюю температуру относительно выбранной температуры эпитаксии на 5-10 K, с частотой 0,06-1 Гц.The method of obtaining silicon epitaxial layers of p-type conductivity, including the creation of a narrow gap between the substrate and the source plate based on polycrystalline silicon, heating the system to an epitaxy temperature, introducing into the gap an aluminum melt saturated at the temperature of epitaxy, isothermal holding the system in a gradient field temperature until complete recrystallization of the source material on the substrate, characterized in that, in order to reduce the resistivity of the layers, as a source of The material of the composition Si (BO), where x = 90-95 wt.%, is set, the width of the gap is set within 30-60 μm, the epitaxy is carried out in the temperature range 1320-1470 K, and the average temperature with respect to the selected epitaxy temperature is additionally changed by 5- 10 K, with a frequency of 0.06-1 Hz.