SE522909C2 - Anordning för skydd av integrerad högfrekvenskrets innefattande en halvledarvaristor - Google Patents
Anordning för skydd av integrerad högfrekvenskrets innefattande en halvledarvaristorInfo
- Publication number
- SE522909C2 SE522909C2 SE0102960A SE0102960A SE522909C2 SE 522909 C2 SE522909 C2 SE 522909C2 SE 0102960 A SE0102960 A SE 0102960A SE 0102960 A SE0102960 A SE 0102960A SE 522909 C2 SE522909 C2 SE 522909C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- varistor
- connection point
- toad
- resistance
- varistom
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 5
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008479 TiSi2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N bis($l^{2}-silanylidene)titanium Chemical compound [Si]=[Ti]=[Si] DFJQEGUNXWZVAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/0203—Particular design considerations for integrated circuits
- H01L27/0248—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection
- H01L27/0251—Particular design considerations for integrated circuits for electrical or thermal protection, e.g. electrostatic discharge [ESD] protection for MOS devices
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H9/00—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection
- H02H9/04—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage
- H02H9/042—Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage comprising means to limit the absorbed power or indicate damaged over-voltage protection device
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
20 25 5221 90.9 2 Detta ernås enligt uppfinningen medelst en anordning för att skydda en integrerad högfrekvenskrets mot högre spänningar än normala driftspänningar på en till en bondpadd ansluten in/utgångsklämma genom att anordningen innefattar en halv- ledarvaristor som är utformad mellan bondpadden och kretsens in/utgångsklämma i en och samma process och på en och samma bricka och som har låg, huvudsakligen konstant resistans för nämnda normala driftspänningar och högre resistans för nämnda högre spänningar.
FIGURBESKRIVNING Uppñnningen beskrivs närmare nedan under hänvisning till bifogade ritning på vilken fig. 1 visar en utföringsforrn av en anordning enligt uppfinningen för att ESD-skydda en ingångsförstärkare hos en integrerad krets medelst en varistor, fig. 2 är ett resistans-spänningsdiagram for varistorn i fig. 1, fig. 3 visar en första utföringsforrn av en varistor för användning i fig. 1 och fig. 4 visar en andra utföringsforrn av en varistor för användning i fig. l.
BESKRIVNING AV UPPFINNINGEN I enlighet med uppfinningen används en i kisel integrerad varistor som strömbe- gränsande komponent i en anordning för ESD-skydd av en i kisel integrerad krets för högfrekvenstillämpningar.
Det bör framhållas att varistorer kan designas på ett antal olika sätt för detta ändamål, där olika fysikaliska fenomen kan utnyttjas. Det enklaste sättet att uppnå den önskade effekten är att utnyttja faktumet att elektriska bärares, d.v.s. elektroners och håls, hastighet mättas med ökande styrka hos ett elektriskt fält. Härav följ er att strömmen genom varistom mättas även om spänningen över varistorn fortsätter att stiga. 10 15 20 25 30 522 '909 3 o c n ø oo v v r ø ø n no Fig. l visar en utföringsform av en anordning enligt uppfinningen för att skydda en ingångsförstärkare 1 i en integrerad krets (inte visad f.ö.) mot ESD som uppträder på en till en bondpadd 2 ansluten ingångsklämma hos förstärkaren 1.
I enlighet med uppfinningen är en varistor 3 integrerad mellan förstärkarens 1 ingångsklämma och bondpadden 2 för att begränsa varje uppträdande ESD-ström.
På i och för sig känt sätt i samband med ESD-strömbegränsande högresistansmot- stånd är hopkopplingspunkten mellan varistom 3 och bondpadden 2 ansluten till en s.k. primär strömshuntningsanordning.
Vid den i fig. 1 visade utföringsforrnen består den primära strömshuntningsanord- ningen av dels en diod 4 som är ansluten med sin anod till hopkopplingspunkten mellan varistom 3 och bondpadden 2 och med sin katod till en positiv spänning VA och dels en diod 5 som är ansluten med sin katod till hopkopplingspunkten mellan varistom 3 och bondpadden 2 och med sin anod till jord GND.
Hopkopplingspunkten mellan varistom 3 och förstärkarens 1 ingângsklämma kan vara ansluten till en s.k. sekundär strömshuntningsanordning som emellertid också kan utelämnas.
Vid den i fig. 1 visade utföringsformen består den sekundära strömshuntningsanord- ningen av dels en diod 6 som är ansluten med sin anod till hopkopplingspunkten mellan varistom 3 och förstärkaren 1 och med sin katod till den positiva spänningen VA och dels en diod 7 som är ansluten med sin katod till hopkopplingspunkten mellan varistom 3 och förstärkaren 1 och med sin anod till jord GND.
De primära och sekundära strömshutningsanordningarna shuntar varje uppträdande ESD-ström till VA eller jord GND.
I c o o u' 10 15 20 25 ø o o n nu 522 909 4 Det är underförstått att andra strömbegränsningsanordningar kan användas såsom exempelvis tyristordioder.
I enlighet med uppfinningen är varistom 3 designad till att ha låg, huvudsakligen konstant resistans inom ett normalt driftspänningsornråde för förstärkaren 1 och högre resistans for högre spänningar än de normala driftspänningarna.
Ett exempel på ett diagram över resistansen R som funktion av spänningen V för varistom 3 visas i fig. 2. Såsom visas i diagrammet i fig. 2 antas varistoms resistans R var låg och huvudsakligen konstant för driftspänningar mellan V0 och V1.
Fig. 3 visar en första utföringsform av varistom 3 i fig. 1 som kan användas för ESD-skydd enligt uppfinningen.
Utföringsforrnen av varistom i fig. 3 har framställts i ett (P-)-substrat 8, exempelvis innefattande bor, i vilket en (N-)-brunn 9, exempelvis innefattande fosfor, diffunderats från substratets 8 ovansida. Två (NH-områden 10, 11 har implanterats i (NJ-brunnen 9 från substratets 8 ovansida. (N+)-områdena 10, 11 är åtskilda medelst en isolator 12 som sträcker sig in i (N-)-brunnen 9. Isolatorer 13, 14 som också sträcker sig in i (NJ-brunnen 9 förefinns på den andra sidan av respektive (N+)-område 10 och 11. Isolatorema 12, 13 och 14 utgörs exempelvis av fältoxid eller grund dikesisolering.
För att ansluta varistom i fig. 3 till förstärkaren 1 och bondpadden 2 enligt fig. 1 förefinns kontakter 15, 16 ovanpå respektive (NH-område 10 och 11. Kontaktema 15, 16 består exempelvis av TiSiZ eller CoSiz. Substratets 8 undersida är normalt jordad. o ~ u a u ou 10 15 20 25 30 o O o ø av 522 '909 5 För normala driftspänningar V0-V1 för förstärkaren 1 i fig. 1 är resistansen låg och huvudsakligen konstant mellan kontakterna 15 och 16 hos varistorn i fig. 3 såsom framgår av diagrammet i fig. 2. Ström kommer att flyta från (N+)-området 10 via (Ng-Området 9 fi11 (Nfi-omådef 11.
När potentialskillnaden mellan kontakterna 15 och 16 hos varistorn i fig. 3 överstiger de normala driftspänningarna for förstärkaren 1 i fig. 1 såsom exempelvis när en ESD uppträder, d.v.s. när det elektriska fältet mellan (N+)-områdena 10 och 11 överstiger det normala elektriska fältet mellan (N+)-ornrådena 10 och 11, mättas de elektriska bäramas, i detta fall elektronernas, hastighet mellan (Nfi-ornrådena 10 och 11. Strömmen genom varistom i fig. 3 kommer således att mättas även om det elektriska fältet fortsätter att öka. Resistansen kommer med andra ord att öka med ökande spänning över varistom i fig. 3, d.v.s. spänningar > V1, såsom illustreras medelst diagrammet i fig. 2.
(N-)-brunnens 9 dopningsnivå och isolatoms 12 dimensioner väljs på sådant sätt att de elektriska egenskapema enligt diagrammet i fig. 2 uppfylls. Om valet inte görs noggrant kommer den beskrivna anordningen att uppföra sig som ett motstånd eller att ha egenskaper som är olämpliga för en skyddsanordning.
Fig. 4 visar en andra utföringsforrn av varistorn 3 i fig. 1 som kan användas for ESD-skydd enligt uppfinningen.
Utföringsfonnen av varistorn i fig. 4 har framställts i ett (P-)-substrat 17, exempelvis innefattande bor, i vilket en (N-)-brunn 18, exempelvis innefattande fosfor, diffunderats från substratets 17 ovansida. Tre separata (N+)-omräden 19, 20 och 21 har implanterats i (N-)-brunnen 18 från substratets 17 ovansida mellan två isolatorer 22, 23 som sträcker sig in i (N-)-brunnen 18. Isolatorerna 22, 23 utgörs exempelvis av fåltoxid eller grund dikesisolering. u I ø n un 10 15 20 25 30 522' 909 6 Kontakter 24, 25 och 26 förefinns ovanpå respektive (NH-område 19, 20 och 21.
Kontakterna 24, 25 och 26 består exempelvis av TiSi2 eller CoSiz. Substratets 17 undersida är normalt jordad.
Kontaktema 24 och 26 som är belägna intill isolatorema 22 och 23 hos varistom i fig. 4 är avsedda att anslutas till förstärkaren 1 och bondpadden 2 i fig. 1.
Isolerande skikt 27, 28, exempelvis bestående av SiOz, förefinns mellan kontakterna 24, 25 respektive 25, 26. Styren 29, 30, exempelvis av polykisel, fórefinns ovanpå dessa isolerande skikt 27, 28. Dessa styren 29, 30 är hopkopplade med kontakten 25 ovanpå (N+)-området 20.
För normala driftspänningar för förstärkaren 1 i fig. l är resistansen konstant mellan kontakterna 24 och 26 hos varistom i fig. 4 såsom illustreras medelst diagrammet i fig. 2. Ström kommer att flyta från (N+)-området 19 till (N+)-on1rådet 20 och från (N+)- området 20 till (N+)-området 21.
Om en positiv ESD-spänning uppträder exempelvis på kontakten 24 kommer dess potential att bli högre än potentialen på kontakten 25, d.v.s. på styrena 29 och 30.
Detta medför att (NJ-området under styret 29 blir utarmat på elektroner med början från kontakten 24. Härigenom kommer resistansen mellan (N+)-ornrådena 19 och 20 att öka. I (NJ-området under styret 30 kommer emellertid elektroner att ackumuleras.
Förutom den av utarrrmingen av elektroner under styret 29 förorsakade resistans- ökningen kommer de elektriska bäramas, i detta fall elektronernas, hastighet mellan (NH-områdena i varistom i fig. 4 att mättas när det elektriska fältet mellan (N+)- områdena överstiger det normala elektriska fältet mellan (N+)-områdena. Strömmen genom varistom i fig. 4 kommer således också att mättas även om det elektriska 9 9 ß n 1.- u u ..
I - o o o " " 'H0 nu en ; Û . a . . . I '_ :- ; ø r o . . . ._ li- n» o; s n _ I u o . nn c 4 n n nu n o . f z : ' i ' ' ' II fluo nu o e:vn n ' ' 7 fältet fortsätter att öka. Resistansen kommer med andra ord att öka med ökande spänning över varistorn i fig. 4 såsom illustreras medelst diagrammet i fig. 2.
Det torde vara uppenbart för fackmannen att liknande typer av varistorer såsom varistorer baserade på J FETar eller MESFETar eller kombinationer med dessa, d.v.s. kombinationer med ovan beskrivna varistorer, kan användas for ESD-skydd i enlighet med uppfinningen.
Claims (6)
1. Anordning för att skydda en integrerad högfrekvenskrets (1) mot högre spänningar än norrnala driftspänningar på en till en bondpadd (2) ansluten in/utgångsklämma, kännetecknad av att anordningen innefattar en halvledar- varistor (3) som är integrerad mellan bondpadden (2) och in/utgångsklämman tillsammans med den integrerade kretsen (1) och som har låg resistans för nämnda normala driftspänningar och högre resistans för nämnda högre spänningar.
2. Anordningen enligt kravet l, kännetecknad av att resistansen är huvudsakligen konstant för nämnda normala driftspänningar.
3. Anordningen enligt kravet 1, kännetecknad av att hopkopplingspunkten mellan varistom (3) och bondpadden (2) är ansluten till en primär strömshuntningsanord- ning (4, 5).
4. Anordningen enligt kravet 3, kännetecknad av att den primära strömshuntnings- anordningen innefattar dels en diod (4) som är ansluten med sin anod till hopkopplingspunkten mellan varistorn (3) och bondpadden (2) och med sin katod till en positiv spänning (VA) och dels en diod (5) som är ansluten med sin katod till hopkopplingspunkten mellan varistorn (3) och bondpadden (2) och med sin anod till jord (GND).
5. Anordningen enligt kravet 1, kännetecknad av att hopkopplingspunkten mellan varistorn (3) och den integrerade kretsen (1) är ansluten till en sekundär strömshunt- ningsanordning (6, 7).
6. Anordningen enligt kravet 5, kännetecknad av att den sekundära strömshunt- ningsanordningen innefattar dels en diod (6) som är ansluten med sin anod till hopkopplingspunkten mellan varistom (3) och den integrerade kretsen (1) och med n ~ > ø n nu , ÅIOIII i O? II I O I I GI 0 .:::'.:::-:;;,--»----- :av nu 4: g | ,,, ,, , _" ' "l I u .n n |. . ,, ~ @ o v u: 9 sin katod till en positiv spänning (VA) och dels en diod (7) som är ansluten med sin katod till hopkopplingspunkten mellan varistorn (3) och den integrerade kretsen (1) och med sin anod till jord (GND).
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0102960A SE522909C2 (sv) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | Anordning för skydd av integrerad högfrekvenskrets innefattande en halvledarvaristor |
TW091105743A TW556332B (en) | 2001-09-06 | 2002-03-25 | An arrangement for ESD protection of an integrated circuit |
EP02753324A EP1423898B1 (en) | 2001-09-06 | 2002-08-28 | An arrangement for esd protection of an integrated circuit |
PCT/SE2002/001535 WO2003021737A1 (en) | 2001-09-06 | 2002-08-28 | An arrangement for esd protection of an integrated circuit |
CNA028175565A CN1554141A (zh) | 2001-09-06 | 2002-08-28 | 集成电路的静电放电保护布线 |
US10/791,389 US7019382B2 (en) | 2001-09-06 | 2004-03-02 | Arrangement for ESD protection of an integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0102960A SE522909C2 (sv) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | Anordning för skydd av integrerad högfrekvenskrets innefattande en halvledarvaristor |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE0102960D0 SE0102960D0 (sv) | 2001-09-06 |
SE0102960L SE0102960L (sv) | 2003-03-07 |
SE522909C2 true SE522909C2 (sv) | 2004-03-16 |
Family
ID=20285244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE0102960A SE522909C2 (sv) | 2001-09-06 | 2001-09-06 | Anordning för skydd av integrerad högfrekvenskrets innefattande en halvledarvaristor |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7019382B2 (sv) |
EP (1) | EP1423898B1 (sv) |
CN (1) | CN1554141A (sv) |
SE (1) | SE522909C2 (sv) |
TW (1) | TW556332B (sv) |
WO (1) | WO2003021737A1 (sv) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE0302296D0 (sv) | 2003-08-27 | 2003-08-27 | Infineon Technologies Ag | Device for ESD protection of an integrated circuit |
US7164185B1 (en) * | 2004-02-02 | 2007-01-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor component and method of manufacture |
KR20050089219A (ko) * | 2004-03-04 | 2005-09-08 | 주식회사 팬택앤큐리텔 | 정전기 보호 및 잡음 차단이 가능한 일렉트리트 콘덴서마이크로폰 |
EP1603162A1 (en) * | 2004-05-28 | 2005-12-07 | Infineon Technologies AG | Device for esd protection of an integrated circuit |
DE102005014176B4 (de) * | 2005-03-29 | 2009-08-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Erstellen einer Schutzanordnung zum Schutz eines Elektronikbausteins vor elektrostatischen Entladungen und entsprechend ausgebildeter Elektronikbaustein |
WO2010087184A1 (ja) * | 2009-01-29 | 2010-08-05 | パナソニック株式会社 | 差動伝送回路及びそれを備えた電子機器 |
US8619397B2 (en) * | 2011-01-31 | 2013-12-31 | Fairchild Semiconductor Corporation | Non-linear power management device for input power protection |
CN103378088B (zh) * | 2012-04-28 | 2015-10-14 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 一种多晶硅二极管静电保护结构 |
US9172239B2 (en) | 2013-03-15 | 2015-10-27 | Fairchild Semiconductor Corporation | Methods and apparatus related to a precision input power protection device |
US9696736B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-07-04 | Fairchild Semiconductor Corporation | Two-terminal current limiter and apparatus thereof |
US9679890B2 (en) | 2013-08-09 | 2017-06-13 | Fairchild Semiconductor Corporation | Junction-less insulated gate current limiter device |
US9735147B2 (en) | 2014-09-15 | 2017-08-15 | Fairchild Semiconductor Corporation | Fast and stable ultra low drop-out (LDO) voltage clamp device |
US9653913B2 (en) * | 2015-02-17 | 2017-05-16 | Littelfuse, Inc. | Resistance change device providing overcurrent protection |
CN111128496B (zh) * | 2019-12-26 | 2021-09-07 | 亨斯迈(杭州)电力技术有限公司 | 一种大功率分压器件及制作方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5928370A (ja) | 1982-08-09 | 1984-02-15 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JPS6144454A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US4806999A (en) | 1985-09-30 | 1989-02-21 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Area efficient input protection |
GB8621839D0 (en) | 1986-09-10 | 1986-10-15 | British Aerospace | Electrostatic discharge protection circuit |
JPH01199403A (ja) * | 1987-10-23 | 1989-08-10 | Mitsubishi Electric Corp | バリスタ |
US5196913A (en) | 1988-07-11 | 1993-03-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Input protection device for improving of delay time on input stage in semi-conductor devices |
EP0371663B1 (en) | 1988-11-22 | 1994-06-15 | AT&T Corp. | Integrated circuit output buffer having improved ESD protection |
US5124578A (en) * | 1990-10-01 | 1992-06-23 | Rockwell International Corporation | Receiver designed with large output drive and having unique input protection circuit |
JP2989406B2 (ja) * | 1993-01-29 | 1999-12-13 | シャープ株式会社 | 半導体装置用プリプレーテッドフレーム及びその製造方法 |
KR970009101B1 (ko) * | 1993-08-18 | 1997-06-05 | 엘지반도체 주식회사 | 정전기(esd) 보호회로의 제조 방법 |
US5615073A (en) | 1995-06-22 | 1997-03-25 | National Semiconductor Corporation | Electrostatic discharge protection apparatus |
US5751507A (en) * | 1995-08-15 | 1998-05-12 | Cypress Semiconductor Corporation | KSD protection apparatus having floating EDS bus and semiconductor structure |
US5803343A (en) | 1995-10-30 | 1998-09-08 | Delco Electronics Corp. | Solder process for enhancing reliability of multilayer hybrid circuits |
US5808343A (en) * | 1996-09-20 | 1998-09-15 | Integrated Device Technology, Inc. | Input structure for digital integrated circuits |
US6037636A (en) | 1998-05-19 | 2000-03-14 | National Semiconductor Corporation | Electrostatic discharge protection circuit and method |
US6292046B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-09-18 | Conexant Systems, Inc. | CMOS electrostatic discharge protection circuit with minimal loading for high speed circuit applications |
DE19942023A1 (de) * | 1999-09-03 | 2001-03-08 | Moeller Gmbh | Schaltungsanordnung für den Überspannungsschutz eines Leistungstransistors zur Steuerung einer induktiven Last |
US6432282B1 (en) * | 2000-03-02 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for supplying electricity uniformly to a workpiece |
US6331726B1 (en) | 2000-03-21 | 2001-12-18 | International Business Machines Corporation | SOI voltage dependent negative-saturation-resistance resistor ballasting element for ESD protection of receivers and driver circuitry |
TW449842B (en) | 2000-07-13 | 2001-08-11 | United Microelectronics Corp | SOI electrostatic discharge protection circuit |
US6455919B1 (en) * | 2001-03-19 | 2002-09-24 | International Business Machines Corporation | Internally ballasted silicon germanium transistor |
-
2001
- 2001-09-06 SE SE0102960A patent/SE522909C2/sv unknown
-
2002
- 2002-03-25 TW TW091105743A patent/TW556332B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-08-28 CN CNA028175565A patent/CN1554141A/zh active Pending
- 2002-08-28 WO PCT/SE2002/001535 patent/WO2003021737A1/en not_active Application Discontinuation
- 2002-08-28 EP EP02753324A patent/EP1423898B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-02 US US10/791,389 patent/US7019382B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1423898A1 (en) | 2004-06-02 |
US20040164355A1 (en) | 2004-08-26 |
SE0102960D0 (sv) | 2001-09-06 |
TW556332B (en) | 2003-10-01 |
EP1423898B1 (en) | 2012-02-22 |
WO2003021737A1 (en) | 2003-03-13 |
SE0102960L (sv) | 2003-03-07 |
US7019382B2 (en) | 2006-03-28 |
CN1554141A (zh) | 2004-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8637899B2 (en) | Method and apparatus for protection and high voltage isolation of low voltage communication interface terminals | |
SE522909C2 (sv) | Anordning för skydd av integrerad högfrekvenskrets innefattande en halvledarvaristor | |
EP2248172B1 (en) | Resistor triggered electrostatic discharge protection | |
US7186594B2 (en) | High voltage ESD-protection structure | |
CN100459130C (zh) | 半导体结构及其应用、尤其是限制过电压的应用 | |
US9093272B2 (en) | Methods of forming electronic elements with ESD protection | |
WO1993012544A1 (en) | Scr protection structure and circuit with reduced trigger voltage | |
US20200027873A1 (en) | Transient voltage suppression device with improved electrostatic discharge (esd) robustness | |
KR910003834B1 (ko) | Mos트랜지스터회로 | |
US10074642B2 (en) | Crowbar device for voltage transient circuit protection | |
US9536869B2 (en) | Electrostatic discharge protection apparatus and method therefor | |
EP0472592B1 (en) | Low trigger voltage scr protection device and structure | |
TW202044540A (zh) | 具有二極體及矽控整流器的半導體元件 | |
EP0202646B1 (en) | Input protection device | |
CN213042916U (zh) | 一种电子装置、一种静电放电保护装置和一种半导体装置 | |
KR101699616B1 (ko) | 정전기 방전 보호소자 | |
CN103247616A (zh) | 静电放电保护装置 | |
Du et al. | A robust dual directional SCR without current saturation effect for ESD applications | |
KR20180085580A (ko) | 정전기 방전 보호소자 | |
KR102463902B1 (ko) | 다이오드를 내장한 mos 구조의 사이리스터 소자 | |
CN113964115A (zh) | 静电放电保护半导体结构及其制造方法 | |
US4207584A (en) | Safety device for protecting semiconductor components against excessive voltage rise rates | |
JPS61225875A (ja) | サ−ジ吸収用半導体装置 |