SE519027C2 - Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur - Google Patents
Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperaturInfo
- Publication number
- SE519027C2 SE519027C2 SE0001846A SE0001846A SE519027C2 SE 519027 C2 SE519027 C2 SE 519027C2 SE 0001846 A SE0001846 A SE 0001846A SE 0001846 A SE0001846 A SE 0001846A SE 519027 C2 SE519027 C2 SE 519027C2
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- elements
- water content
- heating elements
- less
- atmosphere
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B3/00—Ohmic-resistance heating
- H05B3/10—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor
- H05B3/12—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material
- H05B3/14—Heater elements characterised by the composition or nature of the materials or by the arrangement of the conductor characterised by the composition or nature of the conductive material the material being non-metallic
- H05B3/148—Silicon, e.g. silicon carbide, magnesium silicide, heating transistors or diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B2203/00—Aspects relating to Ohmic resistive heating covered by group H05B3/00
- H05B2203/018—Heaters using heating elements comprising mosi2
Description
75 20 25 30 519 027 legeringar av dessa grundmaterial, när elementen opereras vid en låg temperatur, såsom i intervallet ungefär 400 - 800 °C, vilka element saknar ett skikt av kiseldioxid och utmärkes av, att den atmosfär som omger elementen när dessa opereras bringas att ha en halt av vatten som understiger omkring 0.5 vol%.
Föreliggande uppfinning bygger på den överraskande insikten att oxidprodukterna MoO3 och SiO2 bildas i betydligt mindre omfattning om vattenhalten i den gas som omger elementen hålls på en låg nivå, trots att syrehalten i gasen är mycket hög.
Nedan beskrives uppfinningen närmare, delvis i samband med bifogade ritning, där - figur 1 är ett diagram över oxidtjocklek som funktion av tid för olika omgivande gaser - figur 2 visar viktökning orsakad av oxidering som funktion av vattenhalt i omgivande gas.
Föreliggande uppfinning avser ett förfarande för att öka livslängden för värmeelement väsentligen bestående av molyb- densilicid och molydbdenwolframdisilicid samt olika legering- ar av dessa grundmaterial, när elementen opereras vid en låg temperatur, såsom i intervallet ungefär 400 - 800 °C. Det är vid detta temperaturintervall elementen får s.k. pest. Den temperatur elementen opereras vid varierar dels med den pro- dels elementens material- cess vid vilken elementen används, sammansättning.
Pest är att MoSi2 och 02 bildar MoO3 och SiO2. Denna oxid- blandning är relativt porös, varför den inte utgör något skydd mot fortsatt oxidation.
K:\Patent\00O063seßlutföreläggandejrxl..doc, 2002-10-24 10 75 20 25 30 519 027 Enligt uppfinningen bringas den atmosfär som omger elementen när dessa opereras att ha en halt av vattenånga som understi- ger omkring l vol%. Härvid avtar tillväxten av pest högst på- tagligt.
I figur 1 visas oxidtjocklek av MOO3 och SiO2 vid olika atmo- sfärer vid 450 °C. Med torr luft (Dry Air) i figur l menas (02) motsvarande torr. Med 02 + 10% H20 menas syrgas med 10 vol% luft med ett vatteninnehåll av 0.0005 vol%. Syrgasen var vatten.
Som framgår av figur l har oxidtillväxten blivit mycket be- gränsad, och väsentligen lika, för torr luft och torr syrgas, medan den är mer än 10 gånger snabbare när 10 vol% vatten finns närvarande.
I figur 2 visas viktökningen av ett material, på grund av bildandet av nämnda oxider, som funktion av vattenhalten i vol% i den atmosfär som omger elementen vid en elementtempe- ratur av 450 °C.
Som framgår ökar oxidationen, d.v.s. bildandet av pest, lin- järt med vattenhalten.
Det har konstaterats att olika strukturer av oxiderna bildas vid olika vatteninnehåll i atmosfären.
Efter 72 respektive 210 timmar vid 450 °C i torr syrgas hade en oxid bestående av MoO3 - kristaller inbäddade i amorf SiO2 bildats. Mängdförhållandet mellan dessa två oxider föreföll vara konstant.
K:\Patent\000063seßlutförelåggande.inl..doc, 2002-10-24 10 75 20 25 30 519 027 Efter 72 respektive 210 timmar i syrgas med 10 vol% vatten bildades betydligt större MoO3 - kristaller. Vidare föreföll andelen SiO2 i förhållande till andelen MoO3 minska med tiden.
Halten vatten i atmosfären har alltså en inverkan på struktu- ren och mängdförhållandet hos de bildade oxiderna. Strukturen och mängdförhållandet hos bildade oxider är sannolikt förkla- ringen till de stora ovan visade skillnaderna i oxidtillväxt beroende på vattenhalt i omgivande gas.
Det kan också konstateras att halten syre i atmosfären uppen- barligen inte påverkar oxidtillväxten i någon nämnvärd grad.
Som inledningsvis nämndes används föreliggande element vid nämnda temperaturer för vissa industriella processer.
Enligt uppfinningen bringas, som ovan nämnts, vattenhalten att understiga ungefär l vol%. Av figur 2 framgår att oxid- tillväxten därvid är endast något större än vid helt torr atmosfär.
Emellertid är det föredraget att vattenhalten bringas att understiga omkring 0.5 vol%.
Enligt en föredragen utföringsform består atmosfären som om- ger elementen av luft med nyssnämnda vattenhalt. För att upp- nå dylik torr luft finns kommersiellt tillgängliga aggregat och anordningar. Vidare finns torr luft att tillgå på flaska.
Enligt en annan föredragen utföringsform består atmosfären av syrgas med nyssnämnda vattenhalt. För detta ändamål kan torr syrgas på flaska användas.
K:\Patent\000063seßlutföreläggande.in]..doc, 2002-10-24 10 519 027 Vilken atmosfär som väljs kan bero av den process i vilken elementen används. Även andra atmosfärer än luft och syrgas torde ge ett motsva- rande resultat vad avser oxidbildningen förutsatt att vatten- halten bringas att vara enligt uppfinningen. Exempelvis torde kvävgas eller en inert gas kunna användas.
Föreliggande uppfinning skall därför inte anses begränsad till de ovan nämnda elementen omgivande atmosfärerna.
K:\Palent\000063seßlutfiírelâggande.in1..doc, 2002-10-24
Claims (4)
1. Förfarande för att öka livslängden för värmeelement vä- sentligen bestående av molybdensilicid och molydbdenwolfram- disilicid samt olika legeringar av dessa grundmaterial, när elementen opereras vid en låg temperatur, såsom i intervallet ungefär 400 - 800 °C, vilka element saknar ett skikt av ki- seldioxid, k ä n n e t e c k n a t a v, att den atmosfär som omger elementen när dessa opereras bringas ha ett halt av vatten som understiger omkring 0.5 vol%.
2. Förfarande enligt krav l, k ä n n e t e c k n a t a v, att atmosfären består av luft med en vattenhalt understigande omkring 1 vol%.
3. Förfarande enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a t a v, att atmosfären består av syrgas med en vattenhalt understi- gande omkring l vol%. k ä n n e t e C k -
4. Förfarande enligt krav 1, 2 eller 3, n a t a V, att vattenhalten bringas understiga omkring 0.5 vol%. K:\Patent\000063se\Slutfïarelâggandejnl._doc, 2002-10-24
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0001846A SE519027C2 (sv) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur |
US10/275,168 US6707016B2 (en) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | Method of increasing the length of life of heating elements at low temperatures |
AU2001260896A AU2001260896A1 (en) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | A method of increasing the length of life of heating elements at low temperatures |
PCT/SE2001/001081 WO2001089266A1 (en) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | A method of increasing the length of life of heating elements at low temperatures |
JP2001585126A JP3761817B2 (ja) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | 低温での加熱素子の寿命を延ばす方法 |
KR10-2002-7015271A KR100510949B1 (ko) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | 저온에서 가열 요소의 수명을 연장시키는 방법 |
EP01934742A EP1283004A1 (en) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | A method of increasing the length of life of heating elements at low temperatures |
CNB018095739A CN1173600C (zh) | 2000-05-18 | 2001-05-16 | 延长加热元件在低温下的使用寿命的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SE0001846A SE519027C2 (sv) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SE0001846D0 SE0001846D0 (sv) | 2000-05-18 |
SE0001846L SE0001846L (sv) | 2001-11-19 |
SE519027C2 true SE519027C2 (sv) | 2002-12-23 |
Family
ID=20279729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SE0001846A SE519027C2 (sv) | 2000-05-18 | 2000-05-18 | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6707016B2 (sv) |
EP (1) | EP1283004A1 (sv) |
JP (1) | JP3761817B2 (sv) |
KR (1) | KR100510949B1 (sv) |
CN (1) | CN1173600C (sv) |
AU (1) | AU2001260896A1 (sv) |
SE (1) | SE519027C2 (sv) |
WO (1) | WO2001089266A1 (sv) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE520149C2 (sv) * | 2000-09-29 | 2003-06-03 | Sandvik Ab | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement av molybdensilicidtyp vid lägre temperatur |
DE60316133T2 (de) * | 2002-04-05 | 2008-05-29 | Sandvik Intellectual Property Ab | Verfahren zur herstellung eines heizelements vom molybdänsilizid-typ |
SE521796C2 (sv) * | 2002-04-05 | 2003-12-09 | Sandvik Ab | Förfarande för tillverkning av ett värmeelement av molybdensilicidtyp jämte ett värmeelement |
SE521794C2 (sv) * | 2002-04-05 | 2003-12-09 | Sandvik Ab | Tillverkningsförfarande för ett värmeelement av molybdensilicidtyp, jämte ett värmeelement |
DE10357824A1 (de) | 2003-12-09 | 2005-07-14 | Kuka Roboter Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Betreiben zusammenarbeitender unterschiedlicher Geräte |
EP2344428B1 (en) * | 2008-10-22 | 2013-12-11 | Sandvik Intellectual Property Ab | Molybdenum silicide composite material |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH088140B2 (ja) * | 1992-05-08 | 1996-01-29 | 株式会社リケン | 二珪化モリブデンヒータの製造方法 |
WO1996032358A1 (en) * | 1995-04-11 | 1996-10-17 | Micropyretics Heaters International | Ceramic, intermetallic or metal ceramic composites with a reduced susceptibility to pesting |
SE504235C2 (sv) * | 1995-04-11 | 1996-12-09 | Kanthal Ab | Elektriskt motståndselement av molybdensilicidtyp |
JPH10104067A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Fuji Electric Co Ltd | 二珪化モリブデン複合セラミックス赤外線光源もしくは発熱源 |
JPH10324571A (ja) * | 1997-05-23 | 1998-12-08 | Riken Corp | 二珪化モリブデン系セラミックス発熱体及びその製造方法 |
JP3657800B2 (ja) * | 1998-02-20 | 2005-06-08 | 株式会社リケン | 二珪化モリブデン系複合セラミックス発熱体及びその製造方法 |
US6143206A (en) * | 1998-06-24 | 2000-11-07 | Tdk Corporation | Organic positive temperature coefficient thermistor and manufacturing method therefor |
JP3001857B1 (ja) * | 1998-07-31 | 2000-01-24 | 株式会社ジャパンエナジー | 耐低温酸化特性に優れた電極部を有するMoSi2を主体とする発熱材料 |
SE520251C2 (sv) * | 1999-05-20 | 2003-06-17 | Sandvik Ab | Motståndselement av molybdensilicidtyp för sintring av metallpulver |
SE9904170L (sv) * | 1999-11-18 | 2000-12-11 | Sandvik Ab | Molybdensilicid-material med hög hållfasthet |
-
2000
- 2000-05-18 SE SE0001846A patent/SE519027C2/sv not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-05-16 WO PCT/SE2001/001081 patent/WO2001089266A1/en not_active Application Discontinuation
- 2001-05-16 EP EP01934742A patent/EP1283004A1/en not_active Withdrawn
- 2001-05-16 JP JP2001585126A patent/JP3761817B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-16 KR KR10-2002-7015271A patent/KR100510949B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2001-05-16 AU AU2001260896A patent/AU2001260896A1/en not_active Abandoned
- 2001-05-16 US US10/275,168 patent/US6707016B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-05-16 CN CNB018095739A patent/CN1173600C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030020279A (ko) | 2003-03-08 |
SE0001846D0 (sv) | 2000-05-18 |
CN1173600C (zh) | 2004-10-27 |
JP2003533858A (ja) | 2003-11-11 |
WO2001089266A1 (en) | 2001-11-22 |
CN1429468A (zh) | 2003-07-09 |
US20030150851A1 (en) | 2003-08-14 |
KR100510949B1 (ko) | 2005-10-10 |
SE0001846L (sv) | 2001-11-19 |
EP1283004A1 (en) | 2003-02-12 |
US6707016B2 (en) | 2004-03-16 |
AU2001260896A1 (en) | 2001-11-26 |
JP3761817B2 (ja) | 2006-03-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2003231971A1 (en) | Mullite bodies and methods of forming mullite bodies | |
EP2259288A3 (en) | Method of fabricating an oxide layer on a silicon carbide layer utilizing an anneal in a hydrogen environment | |
WO2001048076A3 (en) | A method to fabricate thin insulating films | |
SE519027C2 (sv) | Förfarande för att öka livslängden hos värmeelement vid lägre temperatur | |
Mochida et al. | Highly sensitive and selective H2S gas sensor from rf sputtered SnO2 thin film | |
EP0806657A3 (en) | Tin oxide gas sensors | |
EP1251112A3 (en) | Ceramic polycrystal and method of manufacturing the same | |
KR950014028A (ko) | 더미스터용 세라믹 조성물 | |
US6919544B2 (en) | Method to improve the life span of a heating element of a molybdenium disilicide at lower temperatures | |
Berding et al. | Behavior of p-type dopants in HgCdTe | |
ITMI20021769A1 (it) | Struttura per la disinfestazione ecologica mediante camere mobili | |
Courtright et al. | Oxygen Permeability for Selected Ceramic Oxides in the Range 1200 deg C-1700 deg C. Final Report, September 1987-May 1989 | |
Hilfer | Ceramic thermal protection materials: How far can we go? II- A detailed look into the oxidation behavior of Si-containing ceramics | |
Solcia et al. | Evaluation of new materials for room temperature purification | |
Bromley et al. | Bromley et al. Reply | |
Tsepaev | Physico-chemical properties of Cu-S-O melts | |
Dobkowski et al. | Comparative thermal stability and long term performance assessment of polydimethylsiloxane systems | |
Hirashita et al. | Porous titania ceramics prepared by mimicking silicified woods | |
EP1197995A3 (en) | A method for fabricating a III nitride film | |
Hoehn et al. | Carbon Dioxide Scrubbers for Controlling the Gaseous Composition of Spaceflight Plant Growth Chambers- Design Trades and Test Results | |
Kozak et al. | Iron Redox Characteristics and Chemical Oxygen Diffusion in the System Anorthite-Diopside | |
KR920015436A (ko) | 다결정 실리콘 부하저항 제조방법 | |
Moon et al. | Thin Film Thermal Sensor using Amorphous Chalcogenide Semiconductor | |
MY131989A (en) | Organic-containing particulate having elevated auto-ignition temperatures | |
Nakaoa et al. | Erratum to ‘‘Surface characterization of polymer modified by He-ion bombardment’’[J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. 88–91 (1998) 945–949] |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NUG | Patent has lapsed |