SE458929B - Foerfarande foer selektiv avkolning av ett jaernbaserat material - Google Patents
Foerfarande foer selektiv avkolning av ett jaernbaserat materialInfo
- Publication number
- SE458929B SE458929B SE8701197A SE8701197A SE458929B SE 458929 B SE458929 B SE 458929B SE 8701197 A SE8701197 A SE 8701197A SE 8701197 A SE8701197 A SE 8701197A SE 458929 B SE458929 B SE 458929B
- Authority
- SE
- Sweden
- Prior art keywords
- substrate
- iron
- titanium nitride
- based material
- pvd
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 20
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N iron silicon Chemical compound [Si].[Fe] XWHPIFXRKKHEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N [N].[Ar] Chemical compound [N].[Ar] PWKWDCOTNGQLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims 4
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910000734 martensite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005261 decarburization Methods 0.000 description 2
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D3/00—Diffusion processes for extraction of non-metals; Furnaces therefor
- C21D3/02—Extraction of non-metals
- C21D3/04—Decarburising
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C21—METALLURGY OF IRON
- C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
- C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
- C21D1/68—Temporary coatings or embedding materials applied before or during heat treatment
- C21D1/72—Temporary coatings or embedding materials applied before or during heat treatment during chemical change of surfaces
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
458 929
Uppfinningen, som definieras i bifogade krav, beskrivs i detalj nedan med
referens till ritningarna, av vilka:-
Figur 1 visar en mikroskopisk bild av ett tvärsnitt av ett inkolat
Substrat av kiseljärn, och
Figur 2- visar ett tvärsnitt av samma substrat efter det att
titannítridfilmen pålagts sustratet.
Metoden enligt uppfinningen kommer att beskrivas nedan med hänvisning
till ritningarna. Fastän metoden är tillämpbar i ”åtskilliga processer,
där selektiv
avko lning av
järnbaserade material önskas, kommer
beskrivningen nedan att koncentreras på en process för avkolning av ett
kiseljärnsubstrat. Kiseljärn användes i stor utsträckning inom de
elektriska och elektroniska områdena,
exempelvis, i olika slags
omvandlare, kärnor och transformatorer. Kolinnehâllet âverkar i vissa
P
tillämpningar den magnetiska karaktäristiken hos kiseljärn negativt.
Processen enligt föreliggande uppfinning undanröjer denna nackdel. Genom
föreliggande process extraheras kolet
i kiseljärnsubstratet genom
pålägg-ning av ett titannitridlager på dess yta. Figure 1 visar ett
tvärsnitt av ett inkolat substrat av kiseljärn. Inkolningen har utförts
för att bättre visa avkolningseffekten. Figur l visar inträngningen av
kol in i ett substrat l av kiseljärn vid en inkolningsprocess. Därefter
har sustratet utsatts för värmebehandling so att ett lager 2 av
martensitisk struktur har bildats. Figur 2 visar en genomskärning av samma
substrate efter det att ett titannitridlager 3 har pålagts substratet.
'3 ' 458 929
Metalurgisk undersökning av tvärsnittet har visat, att den martensitiska
strukturen har fullständigt upplösts och att substratstrukturen är helt
ferritisk, dvs, kolet har extraherats från lagret 2.
Martensitiskt kiseljärn har låg permeabilitet och ferritiskt, i synnerhet
det helt kolfria kiseljärnet, har en mycket hög permeabilitet.
En utföringsform av uppfinningen kommer att beskrivas nedan. A tunnt
substrat av kiseljärn inkolas och värmebehandlas på konventionellt sätt
för att ge substratet en martensitisk struktur. Därefter maskeras ytan
med ett kopparlager, som elektropläteras på konventionellt sätt på ytan,
så att ett förutbestämt, önskat mönster av kiseljärnet lämnas oskyddat.
Substratet föres sedan in i en vakuumkammare, som innehåller en
kväve-argon-gas vid ca 5 mtorr och substratet utsättes för
plasma-sputtering från en titankälla vid ca 420 V och med en ström av ca
4 A i ca 60 minuter. Processen utföres vid en temperatur av 20 till 600
grader C, företrädesvis vid en temperatur av 20 till 100 grader C.
Kopparlagret borttages därefter medelst en konventionell etsningsprocess.
Genom den beskrivna metoden har ett tunnt kiseljärnsubstat erhållits, som
har ett önskat mönster av områden med hög permeabilitet.
Medan uppfinningen har blivit speciellt beskriven i anslutning till ett
speciellt järnbaserat material, kiseljärn, är det uppenbart för
genomsnittsfackmannen, att olika ändringar kan göras utan att avlägsna
sig från uppfinningens anda eller område.
Claims (6)
1. Metod för selektiv avkolning av ett järnbaserat substrat, företrädesvis, ett kiseljärnsubstrat, kärmetecknad av att kolet, som finns i det järnbaserade substratet (1) extraheras genom selektiv beläggning medelst en fysikalisk ángavsättningsprocess '(PVD) med en titannitrídfilm (3) pâ-sustratets yta vid en temperatur av 20 till 600 grader C.
2. Metod enligt kravet 1, kännetecknad av att titannitridfilmen avsättas medelst plasmasputte ring.
3. Metod enligt kravet l elle 2, kännetecknad av att PVD utföres i en vakuumkanunare innehållande en titankälla och till vilken en argon-kväve-gas tillföres.
4. Metod enligt något av kraven 1 - 3, kännetecknad av att PVD utföres vid en spänning av 420 V och vid en ström av 4 A under en tid av 600 min.
5. Metod enligt något av kraven l - 4, kännetecknad av att argon-kväve-gasen tillföres vid ett tryck av S mtorr.
6. Metod enligt något av kraven l - 5, kännetecknad av att filmen av titannitrid avsättas vid en temperatur av 20 till 100 grader C.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8701197A SE458929B (sv) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | Foerfarande foer selektiv avkolning av ett jaernbaserat material |
| JP63008608A JPS63238214A (ja) | 1987-03-23 | 1988-01-20 | 鉄を主成分とする材料の脱炭方法 |
| EP88101093A EP0288661B1 (en) | 1987-03-23 | 1988-01-26 | Method for the selective decarborization of ferrous alloys |
| DE8888101093T DE3864887D1 (de) | 1987-03-23 | 1988-01-26 | Verfahren zur selektiven entkohlung von eisenlegierungen. |
| US07/162,719 US4885043A (en) | 1987-03-23 | 1988-03-01 | Method for selective decarburization of iron based material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| SE8701197A SE458929B (sv) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | Foerfarande foer selektiv avkolning av ett jaernbaserat material |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SE8701197D0 SE8701197D0 (sv) | 1987-03-23 |
| SE8701197L SE8701197L (sv) | 1988-09-24 |
| SE458929B true SE458929B (sv) | 1989-05-22 |
Family
ID=20367944
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SE8701197A SE458929B (sv) | 1987-03-23 | 1987-03-23 | Foerfarande foer selektiv avkolning av ett jaernbaserat material |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4885043A (sv) |
| EP (1) | EP0288661B1 (sv) |
| JP (1) | JPS63238214A (sv) |
| DE (1) | DE3864887D1 (sv) |
| SE (1) | SE458929B (sv) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7795792B2 (en) * | 2006-02-08 | 2010-09-14 | Varian Medical Systems, Inc. | Cathode structures for X-ray tubes |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB675769A (en) * | 1949-07-19 | 1952-07-16 | English Electric Co Ltd | Improvements in and relating to the decarburization of silicon containing ferrous sheet or strip |
| BE572684A (sv) * | 1957-11-15 | |||
| DE2705225C2 (de) * | 1976-06-07 | 1983-03-24 | Nobuo Tokyo Nishida | Ornamentteil für Uhren usw. |
| JPS5822375A (ja) * | 1981-07-29 | 1983-02-09 | Nippon Denso Co Ltd | 超硬被膜金属材料とその製造方法 |
| JPS5932528B2 (ja) * | 1981-09-26 | 1984-08-09 | 川崎製鉄株式会社 | 磁気特性のすぐれた一方向性けい素鋼板の製造方法 |
| US4411960A (en) * | 1981-12-21 | 1983-10-25 | Gte Products Corporation | Articles coated with wear-resistant titanium compounds |
| US4414043A (en) * | 1982-01-22 | 1983-11-08 | United States Steel Corporation | Continuous decarburization annealing with recycle to convert carbon monoxide |
| JPS59212164A (ja) * | 1983-05-18 | 1984-12-01 | Meichiyuu Seiki Kk | アルミ溶湯濾過網 |
| JPS6085248A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-14 | Diesel Kiki Co Ltd | 燃料噴射弁 |
| JPS60251274A (ja) * | 1984-05-28 | 1985-12-11 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 窒化物被覆方法 |
| US4713123A (en) * | 1985-02-22 | 1987-12-15 | Kawasaki Steel Corporation | Method of producing extra-low iron loss grain oriented silicon steel sheets |
| JPS61201732A (ja) * | 1985-03-05 | 1986-09-06 | Kawasaki Steel Corp | 熱安定性、超低鉄損一方向性珪素鋼板の製造方法 |
-
1987
- 1987-03-23 SE SE8701197A patent/SE458929B/sv not_active IP Right Cessation
-
1988
- 1988-01-20 JP JP63008608A patent/JPS63238214A/ja active Pending
- 1988-01-26 EP EP88101093A patent/EP0288661B1/en not_active Expired
- 1988-01-26 DE DE8888101093T patent/DE3864887D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1988-03-01 US US07/162,719 patent/US4885043A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63238214A (ja) | 1988-10-04 |
| EP0288661A1 (en) | 1988-11-02 |
| SE8701197L (sv) | 1988-09-24 |
| US4885043A (en) | 1989-12-05 |
| DE3864887D1 (de) | 1991-10-24 |
| EP0288661B1 (en) | 1991-09-18 |
| SE8701197D0 (sv) | 1987-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5108571A (en) | Process for coating a dielectric substrate with copper | |
| TWI347232B (en) | Improved method for micro-roughening treatment of copper and mixed-metal circuitry | |
| DE69736969D1 (de) | Verfahren zur Behandlung der Oberfläche von halbleitenden Substraten | |
| KR970003431A (ko) | 개선된 질화 티타늄 함유 방지층을 형성하기 위한 연속적인 방법 | |
| KR970030381A (ko) | 알루미늄 접촉 형성을 위한 개선된 방법 | |
| US5217589A (en) | Method of adherent metal coating for aluminum nitride surfaces | |
| SE458929B (sv) | Foerfarande foer selektiv avkolning av ett jaernbaserat material | |
| JPS6244576A (ja) | 多電極放電反応処理装置 | |
| JPH02228035A (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS59173265A (ja) | スパツタ装置 | |
| JPS634062A (ja) | バイアススパツタ装置 | |
| JPH06280000A (ja) | プラズマ表面処理方法および装置 | |
| JPH07188902A (ja) | 金属物品の被覆方法および装置とそれによって得られる製品 | |
| JPS6362862A (ja) | Ｔｉ及びＴｉ合金のＴｉＮ被覆品の製造方法 | |
| SU1030418A1 (ru) | Способ получени диффузионных покрытий на стал х и чугуне | |
| JPS5716195A (en) | Plating method | |
| JPS61204367A (ja) | ＴｉＮ被覆ステンレス鋼物品の製法 | |
| JPS62243765A (ja) | 薄膜形成時における残留応力緩和方法 | |
| SU1650773A1 (ru) | Способ химико-термической обработки стальных деталей | |
| JPS6450501A (en) | Manufacture of thin film thermistor | |
| JPH03111554A (ja) | 耐摩耗性の優れたセラミック被膜をそなえる鋼板の製造方法 | |
| GB2108533A (en) | Ion plating | |
| JPH0232590A (ja) | 銅・有機絶縁膜配線板の製造方法 | |
| SU912773A1 (ru) | Способ получени алюмохромотитановых покрытий на стальных издели х | |
| JPH0238558A (ja) | 耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| NUG | Patent has lapsed |
Ref document number: 8701197-9 Effective date: 19931008 Format of ref document f/p: F |