JPH0238558A - 耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法 - Google Patents
耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法Info
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- JPH0238558A JPH0238558A JP18837388A JP18837388A JPH0238558A JP H0238558 A JPH0238558 A JP H0238558A JP 18837388 A JP18837388 A JP 18837388A JP 18837388 A JP18837388 A JP 18837388A JP H0238558 A JPH0238558 A JP H0238558A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
この発明は、低炭素鋼板やステンレス鋼板など表面にセ
ラミック被膜等を有する装飾鋼板の製造方法に関し、と
くに該装飾鋼板の耐食性の有利な向上を図ろうとするも
のである。
ラミック被膜等を有する装飾鋼板の製造方法に関し、と
くに該装飾鋼板の耐食性の有利な向上を図ろうとするも
のである。
(従来の技f$i )
近年、プラズマを利用したコーティング技術が著しく進
歩し、各方面でその利用が広まりつつある。かかるコー
ティング技術を利用したものとしては、たとえば磁気記
録薄膜の形成や各種耐摩耗性、耐食性コーティング、さ
らには装飾用コーティングなどが挙げられる。
歩し、各方面でその利用が広まりつつある。かかるコー
ティング技術を利用したものとしては、たとえば磁気記
録薄膜の形成や各種耐摩耗性、耐食性コーティング、さ
らには装飾用コーティングなどが挙げられる。
通常、プラズマを利用すると、金属および半金属等の蒸
発物質をイオン化又は活性化し、かつ高い運動エネルギ
ーを付与することができるため、蒸着被膜と基板との間
の密着性や膜質の良好なものが得られる。
発物質をイオン化又は活性化し、かつ高い運動エネルギ
ーを付与することができるため、蒸着被膜と基板との間
の密着性や膜質の良好なものが得られる。
ここに、プラズマ・コーティング法としては、マグネト
ロンスパッタ法、E B (lE]ectron Be
am)+ RE (Radio Frequency)
法およびプラズマCVD法などのほか、最近では真
空アークを利用したマルティ・アーク法やホローカソー
ド(tlollow Cathode Dischar
ge、 : llCD )法によるイオンプレーティ
ングが知られている。
ロンスパッタ法、E B (lE]ectron Be
am)+ RE (Radio Frequency)
法およびプラズマCVD法などのほか、最近では真
空アークを利用したマルティ・アーク法やホローカソー
ド(tlollow Cathode Dischar
ge、 : llCD )法によるイオンプレーティ
ングが知られている。
かかるプラズマコーティングの中でもとくにボローカソ
ード法は比較的イオン化率が高く、成膜速度が大きいの
で装飾品や工具類等の小物を対象としたセラミックコー
ティングに利用されていた。
ード法は比較的イオン化率が高く、成膜速度が大きいの
で装飾品や工具類等の小物を対象としたセラミックコー
ティングに利用されていた。
(発明が解決しようとする課B)
これらの手法を利用して例えば大面積を有する鋼板表面
上に密着性、均一性および耐食性などの緒特性に優れた
セラミック被膜を被成するには、イオンプレーティング
やイオンインプランテーション処理の際、イオン化率を
向上させること、鋼板への印加電圧を高くすることおよ
び鋼板の温度を、上げることが有効であり、このような
処理を施して得たコーティング被膜は膜質、密着性およ
び耐食性が大幅に改善されるとはいうちのの、それでも
なお充分な耐食性が得られているとはいいがたく、より
一層の改善が要望されていた。
上に密着性、均一性および耐食性などの緒特性に優れた
セラミック被膜を被成するには、イオンプレーティング
やイオンインプランテーション処理の際、イオン化率を
向上させること、鋼板への印加電圧を高くすることおよ
び鋼板の温度を、上げることが有効であり、このような
処理を施して得たコーティング被膜は膜質、密着性およ
び耐食性が大幅に改善されるとはいうちのの、それでも
なお充分な耐食性が得られているとはいいがたく、より
一層の改善が要望されていた。
とくにホローカソード法によるイオンプレーティング処
理は、建築材等に用い、る大表面積の鋼板についても耐
食性や装飾性あるいは耐摩耗性の改善が期待できること
からその利用が試みられているが、現状では実用化まで
には至っていない。
理は、建築材等に用い、る大表面積の鋼板についても耐
食性や装飾性あるいは耐摩耗性の改善が期待できること
からその利用が試みられているが、現状では実用化まで
には至っていない。
というのはこのような鋼板には、
1) 1iil板とセラミック被膜との密着性が良好
であること、 2) 大表面積に均一にセラミック被膜をコーティング
できること、 3) セラミック被膜の膜質が良好であること、4)
耐食性に優れていること、 5) 大表面積の鋼板上に高速成膜ができかつ、良好な
プラズマ雰囲気下でコーティングが行えること、 などが要求されるが、従来のホローカソード法では上記
のような条件を十分に満足することはできなかったから
である。
であること、 2) 大表面積に均一にセラミック被膜をコーティング
できること、 3) セラミック被膜の膜質が良好であること、4)
耐食性に優れていること、 5) 大表面積の鋼板上に高速成膜ができかつ、良好な
プラズマ雰囲気下でコーティングが行えること、 などが要求されるが、従来のホローカソード法では上記
のような条件を十分に満足することはできなかったから
である。
これとは別に、最近アーク放電法を用いたイオンプレー
ティング法による表面処理鋼板についてその物性に関す
る検討が行われ、銅板との界面に異種金属をドライブレ
ーティングして二層被膜とすると単層被膜に比較して著
しい耐食性の改善が認められたことが報告されている。
ティング法による表面処理鋼板についてその物性に関す
る検討が行われ、銅板との界面に異種金属をドライブレ
ーティングして二層被膜とすると単層被膜に比較して著
しい耐食性の改善が認められたことが報告されている。
〔影近博、木部洋、安谷屋武志、苗村博、原富啓:鉄と
鋼、72(1986)、 S 1309参照〕。一方特
開昭62−9’9458号公報には、1.OXl0−5
Torr 以下の高真空雰囲気中でイオンプレーティ
ングを施して第1Nのめっき層を形成させる工程とその
被膜上に第1層とは異なる材質のめっき層を形成させる
方法が開示されている。このイオンプレーティング法は
真空中の雰囲気圧力を1.0X10−5Torr′以下
とする高真空を必要とするため、実際の工程に採用す名
には問題があった。
鋼、72(1986)、 S 1309参照〕。一方特
開昭62−9’9458号公報には、1.OXl0−5
Torr 以下の高真空雰囲気中でイオンプレーティ
ングを施して第1Nのめっき層を形成させる工程とその
被膜上に第1層とは異なる材質のめっき層を形成させる
方法が開示されている。このイオンプレーティング法は
真空中の雰囲気圧力を1.0X10−5Torr′以下
とする高真空を必要とするため、実際の工程に採用す名
には問題があった。
またごく最近ではステンレス鋼板を硝酸電解処理したの
ちプラズマCVD法によりSiO2あるいは5i3Nn
コーティングを施すことによって耐食性が向上するこ
とが明らかにされた(橋本ら: CAMP−ISIJ、
Vol、1 (198B)、 P、426、特開昭6
3−62860号公報参照)。しかしながら、上記手法
はドライブレーティング処理の前に通常イオンボンバー
ド処理を施すため銅板表面上における電解処理の効果が
消失すること、しかもこの場合鋼板表面上に不動態被膜
が形成されるため鋼板とセラミック被膜との間の密着性
に問題が生じる等実際の生産工程で採用するには解決す
べき問題が多く残されていた。
ちプラズマCVD法によりSiO2あるいは5i3Nn
コーティングを施すことによって耐食性が向上するこ
とが明らかにされた(橋本ら: CAMP−ISIJ、
Vol、1 (198B)、 P、426、特開昭6
3−62860号公報参照)。しかしながら、上記手法
はドライブレーティング処理の前に通常イオンボンバー
ド処理を施すため銅板表面上における電解処理の効果が
消失すること、しかもこの場合鋼板表面上に不動態被膜
が形成されるため鋼板とセラミック被膜との間の密着性
に問題が生じる等実際の生産工程で採用するには解決す
べき問題が多く残されていた。
上記の従来問題を解決し、耐食性の極めて優れた装飾鋼
板を得ることができる製造方法を提案することがこの発
明の目的である。
板を得ることができる製造方法を提案することがこの発
明の目的である。
(課題を解決するための手段)
この発明は低炭素鋼板又はステンレス鋼板の表面上にイ
オンプレーティング処理によってセラミック被膜を被成
したのち、その被膜上にりん酸塩とコロイダルシリカを
主成分とする処理液を塗布し、次いで300〜900℃
にて焼付処理を施すことを特徴とする耐食性の極めて優
れた装飾鋼板の製造方法であり、この発明では、セラミ
ック被膜を被成するに先立ち、低炭素鋼板又はステンレ
ス鋼板の表面上にイオンプレーティング処理によって、
金属および半金属のうちから選んだ少なくとも一種から
なる被膜を被成するのが効果的である。
オンプレーティング処理によってセラミック被膜を被成
したのち、その被膜上にりん酸塩とコロイダルシリカを
主成分とする処理液を塗布し、次いで300〜900℃
にて焼付処理を施すことを特徴とする耐食性の極めて優
れた装飾鋼板の製造方法であり、この発明では、セラミ
ック被膜を被成するに先立ち、低炭素鋼板又はステンレ
ス鋼板の表面上にイオンプレーティング処理によって、
金属および半金属のうちから選んだ少なくとも一種から
なる被膜を被成するのが効果的である。
ここに上記セラミック被膜としては、Ti、 ZrIf
f、 V、 Nb+ Ta、 Cr、 Mo
+ W+ Mr++ Co、 Ni、 八2
゜BおよびSlの窒化物、炭化物又は炭窒化物、並びに
八j2 lZn、 Mn、 Mg+ h およびSi
の酸化物の中から選んだ少なくとも1種から成るもの
が好適であり、このときの膜厚は0.1〜5μm程度と
するのが、また上記金属お+び半金属としては、Ti、
Zr、 Hf+ L Nb+ Ta、 Cr、、 M
o、 W+ Mn、 C。
f、 V、 Nb+ Ta、 Cr、 Mo
+ W+ Mr++ Co、 Ni、 八2
゜BおよびSlの窒化物、炭化物又は炭窒化物、並びに
八j2 lZn、 Mn、 Mg+ h およびSi
の酸化物の中から選んだ少なくとも1種から成るもの
が好適であり、このときの膜厚は0.1〜5μm程度と
するのが、また上記金属お+び半金属としては、Ti、
Zr、 Hf+ L Nb+ Ta、 Cr、、 M
o、 W+ Mn、 C。
Cu、 Zn、 Aj2+ BおよびSi などが有
利に適合する。なおこのときの膜厚は0.1〜5μm程
度が好ましい。
利に適合する。なおこのときの膜厚は0.1〜5μm程
度が好ましい。
以下にこの発明を具体的に説明する。
まずこの発明の基礎となった実験結果について説明する
。
。
C: 0.042 wt%(以下単に%で示す)、Mn
:0.35%、 P : 0.009%およびS :
0.011%を含有する低炭素熱延鋼板(厚み2.2
mm、幅500mm)を、0.3mm厚に冷間圧延し、
ついで750℃で再結晶焼鈍を施した後、鋼板表面を脱
脂し、しがるのち下記■、■、■、■、■、■、■およ
び■に示ず手法により、鋼板表面上にTiN膜を被成し
た。
:0.35%、 P : 0.009%およびS :
0.011%を含有する低炭素熱延鋼板(厚み2.2
mm、幅500mm)を、0.3mm厚に冷間圧延し、
ついで750℃で再結晶焼鈍を施した後、鋼板表面を脱
脂し、しがるのち下記■、■、■、■、■、■、■およ
び■に示ず手法により、鋼板表面上にTiN膜を被成し
た。
■ ニレトロンビーム走査によりT1を蒸発させ、これ
をRF (Radio Frequency)コイルを
用いてイオン化してTiN膜(1,0μm厚)を被成す
る、いわゆるEB+RF法にて成膜を行った。なお処理
条件は、真空度6 Xl0−’Torr、 E B
(ピアス式)の照射条件は加速電圧:60kV、 電
流5mAで、RFの電力は600Wとした。また予備加
熱温度は400’C1印加電圧は800■とした。
をRF (Radio Frequency)コイルを
用いてイオン化してTiN膜(1,0μm厚)を被成す
る、いわゆるEB+RF法にて成膜を行った。なお処理
条件は、真空度6 Xl0−’Torr、 E B
(ピアス式)の照射条件は加速電圧:60kV、 電
流5mAで、RFの電力は600Wとした。また予備加
熱温度は400’C1印加電圧は800■とした。
■ エレクトロンビーム走査により鋼板表面上にTi膜
(0,5μm厚)を被成させたのち、その上にさらにT
iを蒸発させ、イオン化手段としてRFコイルを用いて
TiNセラミック被膜(0,5μm厚)を被成するEB
+RF法にて成膜を行った。なお第1層のTi膜の処理
条件は真空度2 X 10”’Torr、 E B
(ピアス式)の照射条件は加速電圧:60kV、 電
流:5mAとした。また第2層のTiN膜の被成は同じ
EB条件でN2ガスのイオン化のためにRFの電力は8
00Wを使用した。またこのときのTiN被膜形成の真
空度は7 X 10” ’Torrであり、このときの
予備加熱および印加電圧は■の条件と同様とした。
(0,5μm厚)を被成させたのち、その上にさらにT
iを蒸発させ、イオン化手段としてRFコイルを用いて
TiNセラミック被膜(0,5μm厚)を被成するEB
+RF法にて成膜を行った。なお第1層のTi膜の処理
条件は真空度2 X 10”’Torr、 E B
(ピアス式)の照射条件は加速電圧:60kV、 電
流:5mAとした。また第2層のTiN膜の被成は同じ
EB条件でN2ガスのイオン化のためにRFの電力は8
00Wを使用した。またこのときのTiN被膜形成の真
空度は7 X 10” ’Torrであり、このときの
予備加熱および印加電圧は■の条件と同様とした。
■ 上記■の条件にてTiN膜を被成後、さらにその上
にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする処理液を
塗布し、その後N2中にて800℃11分の焼付処理を
行なった。
にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする処理液を
塗布し、その後N2中にて800℃11分の焼付処理を
行なった。
■ 上記■の条件にてTiN膜を被成後、さらにその上
にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする処理液を
塗布し、その後N2中で800℃11分の焼付処理を行
なった。
にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする処理液を
塗布し、その後N2中で800℃11分の焼付処理を行
なった。
■ llCD方式のイオンプレーティング装置にて、鋼
板表面上に1μm厚のTiN膜を被成した。このときの
処理条件は加速電流: 100OA、 加速電圧SO
V、真空度7 X 10− ’Torr、バイアス電圧
50Vとした。
板表面上に1μm厚のTiN膜を被成した。このときの
処理条件は加速電流: 100OA、 加速電圧SO
V、真空度7 X 10− ’Torr、バイアス電圧
50Vとした。
■ HCD方式のイオンプレーティング装置にて、鋼板
表面上に0.5μI厚のTi膜を被成した後、さらにそ
の上に0.5μm厚のTiN膜を被成した。
表面上に0.5μI厚のTi膜を被成した後、さらにそ
の上に0.5μm厚のTiN膜を被成した。
このときの処理条件は■と同様の条件とした。
■ 上記■の条件にてまず鋼板表面上にTiN膜を被成
した後、さらにその上にりん酸塩とコロイダルシリカを
主成分とする処理液を塗布し、その後N2中で800℃
11分の焼付処理を行なった。
した後、さらにその上にりん酸塩とコロイダルシリカを
主成分とする処理液を塗布し、その後N2中で800℃
11分の焼付処理を行なった。
■ ■の条件で鋼板表面上にTiN膜を被成した後、さ
らにその上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とす
る処理液を塗布し、その後N2中で800℃11分の焼
付処理を行なった。
らにその上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とす
る処理液を塗布し、その後N2中で800℃11分の焼
付処理を行なった。
上述の各条件に従う処理によって得た被膜の耐食性およ
び密着性について調べた結果を各■〜■の条件と対応さ
せて表−1に示す。
び密着性について調べた結果を各■〜■の条件と対応さ
せて表−1に示す。
なお耐食性は塩水噴霧試験(3,5%食塩水、4時間噴
霧・1時間乾燥×10サイクル)を、また密着性は高温
焼鈍後曲げ試験(360°曲げ)を行なった。
霧・1時間乾燥×10サイクル)を、また密着性は高温
焼鈍後曲げ試験(360°曲げ)を行なった。
表−1
* 塩水噴霧試験:3.5層食塩水、35℃14時間噴
霧、1時間乾燥×10サイクル××:きわめてひどい腐
食(面積率10%以上)、X:8食(面積率10〜0.
5△:若干腐食(面積率0.5%以下)、O;腐食なし
く面積率0%)**:高温焼鈍後360°曲げ ×:全面はく離 △:若干はく離 O:はく離なし同
表から明らかなように、鋼板表面上にTiN被膜を被成
し、さらにその上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成
分とするガラス被膜を被成した場合耐食性がきわめて優
れていて、その中でもとくにI(CD法でTiN被膜を
成膜した後ガラス被膜を被成した■、■の条件において
耐食性および密着性が共に優れているのが注目される。
霧、1時間乾燥×10サイクル××:きわめてひどい腐
食(面積率10%以上)、X:8食(面積率10〜0.
5△:若干腐食(面積率0.5%以下)、O;腐食なし
く面積率0%)**:高温焼鈍後360°曲げ ×:全面はく離 △:若干はく離 O:はく離なし同
表から明らかなように、鋼板表面上にTiN被膜を被成
し、さらにその上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成
分とするガラス被膜を被成した場合耐食性がきわめて優
れていて、その中でもとくにI(CD法でTiN被膜を
成膜した後ガラス被膜を被成した■、■の条件において
耐食性および密着性が共に優れているのが注目される。
(作 用)
このようにTiN被膜の上にりん酸塩とコロイダルシリ
カを主成分とする処理液の塗布後、焼付処理することに
よって耐食性が顕著に向上する理由はTiNのようなセ
ラミック被膜のみでは形成した被膜がポーラスであるた
めに鋼板表面が大気と接触し腐食の進行が避られないが
、この表面上にさらにガラス被膜を被成することによっ
てそれを遮断することができるためと考えられる。
カを主成分とする処理液の塗布後、焼付処理することに
よって耐食性が顕著に向上する理由はTiNのようなセ
ラミック被膜のみでは形成した被膜がポーラスであるた
めに鋼板表面が大気と接触し腐食の進行が避られないが
、この表面上にさらにガラス被膜を被成することによっ
てそれを遮断することができるためと考えられる。
ング、アーク放電、あるいはHCD法等種々あるが、そ
の手法によっては形成される被膜の膜質が異なる場合が
ある。この発明においては、イオン化率が高くかつ成膜
速度が比較的大きく被膜の耐食性や密着性の改善に極め
て有効なHCD法を適用するのが好適である。なおセラ
ミック等の蒸着には、通常連続真空ラインの装置が用い
られるが大容量のハツチタイプの蒸着装置を用いてもよ
い。
の手法によっては形成される被膜の膜質が異なる場合が
ある。この発明においては、イオン化率が高くかつ成膜
速度が比較的大きく被膜の耐食性や密着性の改善に極め
て有効なHCD法を適用するのが好適である。なおセラ
ミック等の蒸着には、通常連続真空ラインの装置が用い
られるが大容量のハツチタイプの蒸着装置を用いてもよ
い。
また、この発明において、セラミック被膜と、金属およ
び半金属の中から選んだ少なくとも1種の被膜との密着
性を確保するためには、その被膜の被成に先立ち鋼板に
対して100〜600℃の温度域で予備加熱を行なうか
、コーティング中に鋼板に10〜200 Vの電圧を印
加するか、あるいはその両方を行うことによって達成し
得る。
び半金属の中から選んだ少なくとも1種の被膜との密着
性を確保するためには、その被膜の被成に先立ち鋼板に
対して100〜600℃の温度域で予備加熱を行なうか
、コーティング中に鋼板に10〜200 Vの電圧を印
加するか、あるいはその両方を行うことによって達成し
得る。
ここにコーティング処理前の予備加熱は通常エレクトロ
ンビームを用いて行うが、その他界外線または通常の抵
抗加熱を用いてもよく、また鋼板に10〜200■の電
圧を印加するに当ってはコーティング前段を50〜20
0Vの高電圧に、後段を10〜50Vの低電圧とするこ
とが被膜密着性向上の観点からは一層有利であるが、イ
オンプレーティング処理を施すに当っては、鋼板表面を
完全に脱脂するかあるいはその表面を機械研磨又は化学
的電気的研磨処理によって鏡面状態に仕上げておくこと
はさらに好適である。処理液の塗布後における焼付処理
は300〜800℃の温度で好ましくは不活性ガス雰囲
気中で行う。
ンビームを用いて行うが、その他界外線または通常の抵
抗加熱を用いてもよく、また鋼板に10〜200■の電
圧を印加するに当ってはコーティング前段を50〜20
0Vの高電圧に、後段を10〜50Vの低電圧とするこ
とが被膜密着性向上の観点からは一層有利であるが、イ
オンプレーティング処理を施すに当っては、鋼板表面を
完全に脱脂するかあるいはその表面を機械研磨又は化学
的電気的研磨処理によって鏡面状態に仕上げておくこと
はさらに好適である。処理液の塗布後における焼付処理
は300〜800℃の温度で好ましくは不活性ガス雰囲
気中で行う。
なお、この発明では通常のボンバード処理を施さなくて
も密着性の優れた被膜を被成することができるが、銅板
に硝酸電解処理を施してその表面に不動態被膜を形成さ
せた後で上述した如き被膜を被成してもよい。
も密着性の優れた被膜を被成することができるが、銅板
に硝酸電解処理を施してその表面に不動態被膜を形成さ
せた後で上述した如き被膜を被成してもよい。
また、鋼板表面上に被成する被膜は、セラミック・被膜
1層の場合と金属および半金属より選んだ少なくとも1
種とセラミック被膜とを重ねた2層の場合について示し
たが、この発明はこれのみに限られるものではなく、耐
食性向上のためには、金属あるいはセラミック被膜を何
層設けることも可能である。
1層の場合と金属および半金属より選んだ少なくとも1
種とセラミック被膜とを重ねた2層の場合について示し
たが、この発明はこれのみに限られるものではなく、耐
食性向上のためには、金属あるいはセラミック被膜を何
層設けることも可能である。
しかしながら、複数層の被膜を被成することば、コスト
アップとなるうれいがあるので経済的な範囲でコーティ
ング処理するのが望ましい。
アップとなるうれいがあるので経済的な範囲でコーティ
ング処理するのが望ましい。
(実施例)
実施炎上
C: 0.035%、 Si : 0.10%、Mn:
1.2% Cr:19.5%およびMo:1.2%を含
有するステンレス鋼の熱延板(2,2mm厚)を、0.
3mm厚に冷間圧延した後、焼鈍処理を施してから、5
00mm x5oo mmの大きさに切出して基板とし
、この基板の表面を脱脂後、その表面に、IIcD法に
よるイオンプレーティング処理によって表2に示す物質
よりなる金属・半金属の被膜を0.5μml”J−に、
ついでその上に重ねてセラミック被膜を合計膜厚1.0
μmに被成した。なお3層被成する際には、1層当り
0.3μm、4層被成する際には1層当り0.2μ「被
成した。
1.2% Cr:19.5%およびMo:1.2%を含
有するステンレス鋼の熱延板(2,2mm厚)を、0.
3mm厚に冷間圧延した後、焼鈍処理を施してから、5
00mm x5oo mmの大きさに切出して基板とし
、この基板の表面を脱脂後、その表面に、IIcD法に
よるイオンプレーティング処理によって表2に示す物質
よりなる金属・半金属の被膜を0.5μml”J−に、
ついでその上に重ねてセラミック被膜を合計膜厚1.0
μmに被成した。なお3層被成する際には、1層当り
0.3μm、4層被成する際には1層当り0.2μ「被
成した。
さらにこれらのセラミンク被膜上に、りん酸塩とコロイ
ダルシリカを主成分する処理液の塗布後、800℃で1
分間の焼付処理を行なった。
ダルシリカを主成分する処理液の塗布後、800℃で1
分間の焼付処理を行なった。
その後得られた製品における被膜の密着性および耐食性
について調査した。その結果を表−2に併せて示す。
について調査した。その結果を表−2に併せて示す。
なおイオンプレーティング処理条件は、加速電流: l
000A、加速電圧ニアov、真空度7X10−’To
rr、バイアス電圧:80Vおよび予備加熱温度500
℃とした。
000A、加速電圧ニアov、真空度7X10−’To
rr、バイアス電圧:80Vおよび予備加熱温度500
℃とした。
・・ Oはく離なし
表
次新I津影
C: 0.046 %、 Si : 0.04%、
Mn : 0.30%、 P :0.009%およ
びS:0.012%の組成になる低炭素冷延鋼板(2,
2mm厚の熱延板を冷間圧延により0、7mm厚とした
)に、680℃で10時間の再結晶焼鈍を施したのち、
鋼板表面を電解研磨により中心線平均粗さRaで0,2
μmに研磨後、表3に示す物質よりなる金属・半金属
の被膜(0,7μm厚)およびセラミック被膜(0,7
〜0.8 μm厚)を、HCD法を適用し、加速電圧:
80V、加速電流=1000A、真空度: 8 Xl0
−’Torr、バイアス電圧70Vおよび予備加熱温度
:450℃の条件下に被成した。その後これらのセラミ
ック被膜上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とす
る処理液を塗布した後(約1μm厚) 、700 ’C
で1分間の焼付処理を行った。
Mn : 0.30%、 P :0.009%およ
びS:0.012%の組成になる低炭素冷延鋼板(2,
2mm厚の熱延板を冷間圧延により0、7mm厚とした
)に、680℃で10時間の再結晶焼鈍を施したのち、
鋼板表面を電解研磨により中心線平均粗さRaで0,2
μmに研磨後、表3に示す物質よりなる金属・半金属
の被膜(0,7μm厚)およびセラミック被膜(0,7
〜0.8 μm厚)を、HCD法を適用し、加速電圧:
80V、加速電流=1000A、真空度: 8 Xl0
−’Torr、バイアス電圧70Vおよび予備加熱温度
:450℃の条件下に被成した。その後これらのセラミ
ック被膜上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分とす
る処理液を塗布した後(約1μm厚) 、700 ’C
で1分間の焼付処理を行った。
得られた製品の密着性、均一性および耐食性について調
べた結果を表−3に示す。
べた結果を表−3に示す。
実新l飢I
C: 0.019 %、 Si : 0.15%、
Mn : 1.0 %、Cr:21.3%およびMo
:1.1%を含有するステンレス鋼の熱延板(2,0m
n+厚)を、0 、25mm厚に冷間圧延した後、焼鈍
処理してから、Air−to−へir方式のイオンプレ
ーティング装置を用いて鋼板表面上に厚み1.5 tt
mになるセラミック被膜(TiN、 TiC+T+(
CN)、CrN、ZrN+ CrC+ ZrC+
HftJ+ 八12 t(h。
Mn : 1.0 %、Cr:21.3%およびMo
:1.1%を含有するステンレス鋼の熱延板(2,0m
n+厚)を、0 、25mm厚に冷間圧延した後、焼鈍
処理してから、Air−to−へir方式のイオンプレ
ーティング装置を用いて鋼板表面上に厚み1.5 tt
mになるセラミック被膜(TiN、 TiC+T+(
CN)、CrN、ZrN+ CrC+ ZrC+
HftJ+ 八12 t(h。
5i(h )を被成した。
その後りん酸塩とコロイダルシリカを主成分とする処理
液(約1.5μm厚)の塗布後、600℃で1時間焼付
処理を行なった。
液(約1.5μm厚)の塗布後、600℃で1時間焼付
処理を行なった。
そのときの製品の耐食性、密着性の調査結果を表−4に
示す。
示す。
塩水噴霧試験
**高温焼鈍後360°曲げ
Δ:若干はく離 O:はく離なし
(発明の効果)
かくしてこの発明によれば、低炭素鋼又はステンレス鋼
板の表面にセラミック被膜あるいはセラミンク被膜およ
び金属・半金属の被膜を備えた装飾鋼板のとくに耐食性
を有利に改善できる。
板の表面にセラミック被膜あるいはセラミンク被膜およ
び金属・半金属の被膜を備えた装飾鋼板のとくに耐食性
を有利に改善できる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、低炭素鋼板又はステンレス鋼板の表面上にイオンプ
レーティング処理によってセラミック被膜を被成したの
ち、その被膜上にりん酸塩とコロイダルシリカを主成分
とする処理液を塗布し、次いで300〜900℃にて焼
付処理を施すことを特徴とする耐食性の極めて優れた装
飾鋼板の製造方法。 2、セラミック被膜を被成するに先立ち、低炭素鋼板又
はステンレス鋼板の表面上にイオンプレーティング処理
によって、金属および半金属のうちから選んだ少なくと
も一種からなる被膜を被成する請求項1記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18837388A JPH0238558A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18837388A JPH0238558A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0238558A true JPH0238558A (ja) | 1990-02-07 |
JPH0572467B2 JPH0572467B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=16222483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18837388A Granted JPH0238558A (ja) | 1988-07-29 | 1988-07-29 | 耐食性の極めて優れた装飾鋼板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0238558A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5371428A (en) * | 1992-10-27 | 1994-12-06 | Tdk Corporation | Piezoelectric transducer |
US5889873A (en) * | 1996-03-11 | 1999-03-30 | Tdk Corporation | Piezoelectric acoustic transducer |
-
1988
- 1988-07-29 JP JP18837388A patent/JPH0238558A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5371428A (en) * | 1992-10-27 | 1994-12-06 | Tdk Corporation | Piezoelectric transducer |
US5889873A (en) * | 1996-03-11 | 1999-03-30 | Tdk Corporation | Piezoelectric acoustic transducer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0572467B2 (ja) | 1993-10-12 |
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