SA519401656B1 - أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لطاقات مرتفعة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع طاقات شعاع قابلة للضبط - Google Patents
أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لطاقات مرتفعة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع طاقات شعاع قابلة للضبط Download PDFInfo
- Publication number
- SA519401656B1 SA519401656B1 SA519401656A SA519401656A SA519401656B1 SA 519401656 B1 SA519401656 B1 SA 519401656B1 SA 519401656 A SA519401656 A SA 519401656A SA 519401656 A SA519401656 A SA 519401656A SA 519401656 B1 SA519401656 B1 SA 519401656B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- configuration
- plasma
- field
- neutral
- inverted
- Prior art date
Links
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 title claims abstract description 111
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims abstract description 34
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 142
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 88
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 88
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 53
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 48
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 238000013461 design Methods 0.000 claims description 13
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 claims description 13
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 claims description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 13
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 11
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 8
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 7
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 6
- 230000004224 protection Effects 0.000 claims description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 4
- 238000005247 gettering Methods 0.000 claims description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 2
- 241001136792 Alle Species 0.000 claims 1
- 241001093575 Alma Species 0.000 claims 1
- 241000219498 Alnus glutinosa Species 0.000 claims 1
- 241000428352 Amma Species 0.000 claims 1
- 241000534000 Berula erecta Species 0.000 claims 1
- 101100065700 Caenorhabditis elegans etc-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100022230 Caenorhabditis elegans mak-2 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100491335 Caenorhabditis elegans mat-2 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100423891 Caenorhabditis elegans qars-1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100510617 Caenorhabditis elegans sel-8 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100533230 Caenorhabditis elegans ser-2 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100366058 Caenorhabditis elegans sms-3 gene Proteins 0.000 claims 1
- 101100310926 Caenorhabditis elegans sra-3 gene Proteins 0.000 claims 1
- 241000511343 Chondrostoma nasus Species 0.000 claims 1
- 241001492658 Cyanea koolauensis Species 0.000 claims 1
- 235000008247 Echinochloa frumentacea Nutrition 0.000 claims 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 claims 1
- 101100501444 Escherichia phage P1 17 gene Proteins 0.000 claims 1
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 claims 1
- 241000976416 Isatis tinctoria subsp. canescens Species 0.000 claims 1
- DEFJQIDDEAULHB-IMJSIDKUSA-N L-alanyl-L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(=O)N[C@@H](C)C(O)=O DEFJQIDDEAULHB-IMJSIDKUSA-N 0.000 claims 1
- 108700028516 Lan-7 Proteins 0.000 claims 1
- 241001181114 Neta Species 0.000 claims 1
- 208000033383 Neuroendocrine tumor of pancreas Diseases 0.000 claims 1
- 241001282736 Oriens Species 0.000 claims 1
- 102100040853 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Human genes 0.000 claims 1
- 101710162991 PRKC apoptosis WT1 regulator protein Proteins 0.000 claims 1
- 240000004072 Panicum sumatrense Species 0.000 claims 1
- 206010034016 Paronychia Diseases 0.000 claims 1
- 102000011842 Serrate-Jagged Proteins Human genes 0.000 claims 1
- 108010036039 Serrate-Jagged Proteins Proteins 0.000 claims 1
- 241000168254 Siro Species 0.000 claims 1
- 241000130764 Tinea Species 0.000 claims 1
- 208000002474 Tinea Diseases 0.000 claims 1
- 108010056243 alanylalanine Proteins 0.000 claims 1
- 238000001210 attenuated total reflectance infrared spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 claims 1
- 210000004556 brain Anatomy 0.000 claims 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 claims 1
- 235000013601 eggs Nutrition 0.000 claims 1
- 235000021384 green leafy vegetables Nutrition 0.000 claims 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 claims 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 claims 1
- 101150006217 lex1 gene Proteins 0.000 claims 1
- 230000036651 mood Effects 0.000 claims 1
- 235000020030 perry Nutrition 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 208000029340 primitive neuroectodermal tumor Diseases 0.000 claims 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- ACWBQPMHZXGDFX-QFIPXVFZSA-N valsartan Chemical class C1=CC(CN(C(=O)CCCC)[C@@H](C(C)C)C(O)=O)=CC=C1C1=CC=CC=C1C1=NN=NN1 ACWBQPMHZXGDFX-QFIPXVFZSA-N 0.000 claims 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 75
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 description 282
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 49
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 46
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 29
- 230000006870 function Effects 0.000 description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 20
- 238000010885 neutral beam injection Methods 0.000 description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 15
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 12
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 12
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 12
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 9
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 9
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 7
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 7
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 6
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 6
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 6
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 5
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 235000015076 Shorea robusta Nutrition 0.000 description 3
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 3
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 3
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 2
- 230000005405 multipole Effects 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 239000013612 plasmid Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N Deuterium Chemical compound [2H] YZCKVEUIGOORGS-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- 241000948258 Gila Species 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MPIZVHPMGFWKMJ-AKGZTFGVSA-N L-alpha-(methylidenecyclopropyl)glycine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)C1CC1=C MPIZVHPMGFWKMJ-AKGZTFGVSA-N 0.000 description 1
- 101100513046 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) eth-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 244000166071 Shorea robusta Species 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005495 cold plasma Effects 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 238000007596 consolidation process Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 1
- 238000001739 density measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229910052805 deuterium Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000037265 diseases, disorders, signs and symptoms Diseases 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 208000016139 endolymphatic sac tumor Diseases 0.000 description 1
- KEUKAQNPUBYCIC-UHFFFAOYSA-N ethaneperoxoic acid;hydrogen peroxide Chemical compound OO.CC(=O)OO KEUKAQNPUBYCIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003958 fumigation Methods 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 125000003010 ionic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000012886 linear function Methods 0.000 description 1
- SWAIALBIBWIKKQ-UHFFFAOYSA-N lithium titanium Chemical compound [Li].[Ti] SWAIALBIBWIKKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011022 opal Substances 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000007500 overflow downdraw method Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012771 pancakes Nutrition 0.000 description 1
- 230000037361 pathway Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000008855 peristalsis Effects 0.000 description 1
- 230000002572 peristaltic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002085 persistent effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 235000008001 rakum palm Nutrition 0.000 description 1
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 235000002020 sage Nutrition 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 230000011664 signaling Effects 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010561 standard procedure Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 208000024891 symptom Diseases 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 238000001926 trapping method Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010407 vacuum cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/06—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means
- F04B37/08—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for evacuating by thermal means by condensing or freezing, e.g. cryogenic pumps
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B37/00—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00
- F04B37/10—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use
- F04B37/14—Pumps having pertinent characteristics not provided for in, or of interest apart from, groups F04B25/00 - F04B35/00 for special use to obtain high vacuum
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/05—Thermonuclear fusion reactors with magnetic or electric plasma confinement
- G21B1/052—Thermonuclear fusion reactors with magnetic or electric plasma confinement reversed field configuration
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/15—Particle injectors for producing thermonuclear fusion reactions, e.g. pellet injectors
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/17—Vacuum chambers; Vacuum systems
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21B—FUSION REACTORS
- G21B1/00—Thermonuclear fusion reactors
- G21B1/11—Details
- G21B1/19—Targets for producing thermonuclear fusion reactions, e.g. pellets for irradiation by laser or charged particle beams
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/04—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using magnetic fields substantially generated by the discharge in the plasma
- H05H1/08—Theta pinch devices, e.g. SCYLLA
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/10—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball
- H05H1/14—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied magnetic fields only, e.g. Q-machines, Yin-Yang, base-ball wherein the containment vessel is straight and has magnetic mirrors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/02—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma
- H05H1/16—Arrangements for confining plasma by electric or magnetic fields; Arrangements for heating plasma using externally-applied electric and magnetic fields
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B41/00—Pumping installations or systems specially adapted for elastic fluids
- F04B41/06—Combinations of two or more pumps
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E30/00—Energy generation of nuclear origin
- Y02E30/10—Nuclear fusion reactors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Radiation-Therapy Devices (AREA)
- Particle Accelerators (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Prostheses (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
يتعلق الاختراع الحالي بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس field reversed configuration (FRCs) مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز جسيم، طاقة وتدفق و، بشكل أكثر تحديدا، أنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع طاقات نظام مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل neutral beam injectors مع قدرات طاقة شعاع قابلة للضبط tunable beam energy. شكل1
Description
أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لطاقات مرتفعة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع طاقات شعاع قابلة للضبط SYSTEMS AND METHODS FOR IMPROVED SUSTAINMENT OF A HIGH- PERFORMANCE FIELD REVERSED CONFIGURATION ELEVATED ENERGIES UTILIZING NEUTRAL BEAM INJECTORS WITH TUNABLE BEAM ENERGIES الوصف الكامل خلفية الاختراع يتعلق الموضوع الحالي بشكل عام بأنظمة احتجاز بلازما مغناطيسية magnetic plasma تتضمن تهيئة مجال معكوس (FRC) field reversed configuration و؛ بشكل أكثر تحديداء تتعلق بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز جسيم؛ طاقة وتدفق و؛ بشكل أكثر تحديدا؛ بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع طاقات نظام مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام وسائل حقن injectors شعاع متعادل neutral beam مع قدرات طاقة شماع beam energy قابلة للضبط -tunable تنتمي تهيئة المجال المعكوس إلى فئة احتجاز بلازما مغناطيسية معروفة بكونها حلقات مضغوطة (CT) compact toroids وهي تبدي مجالات مغناطيسية magnetic fields دوارة بشكل أساسي 0 وتتضمن مجالات حلقية toroidal fields صغيرة أو صفرية ذاتية التوليد (انظر M.
Tuszewski, (Nucl.
Fusion 28, 2033 )1988( وتتمثل مزايا هذه التهيئة في الشكل البسيط في حالة التكوين والصيانة والمحول dell divertor غير المقيد لتسهيل استخلاص الطاقة وإزالة الرمادء fy عالي جدا f) عبارة عن نسبة بلازما الضغط average plasma pressure إلى متوسط مجال مغناطيسي الضغط average magnetic field pressure داخل تهيئة مجال معكوس)ء أي ؛» شدة عالية القدرة high power density 5 م الطبيعية العالية مفيدة Jax Gall الاقتصادي ولاستخدام أنواع الوقود اللانيوتروني ancutronic fuels المتقدمة Jie 1-1163 و!0-31. تقوم الطريقة التقليدية لتكوين تهيئة مجال معكوس باستخدام تقنية ضاغط 8- امماميع technology المجال العكسي 860:©»©+-2610؛ التي تنتج بلازما ساخنة عالية الكثافة (انظر AL. dd. (Hoffman and J.
T.
Slough, Nucl.
Fusion 33, 27 (1993) صورة مختلفة على ذلك هو طريقة احتجاز التحويل rranslation-trapping method حيث يتم إخراج البلازما المكونة في
'مصدر" ضاغط ثيتا theta-pinch مباشرة بشكل أكبر أو أقل من أحد الأطراف في غرفة الاحتجاز confinement chamber يتم احتجاز بلازمويد plasmoid التحويل بالتالي بين اثنين من العواكس القوية عند أطراف الغرفة (انظرء H.
Himura, 5. Okada, S.
Sugimoto, and S.
Goto, «ie Plasmas 2, 191 (1995) .1:95ط). بمجرد التواجد في غرفة الاحتجازء يمكن تطيق العديد من طرق التسخين Jolly الحالية Jie حقن شعاع beam injection (متعادلة أو محايدة)؛ المجالات المغناطيسية الدوارة؛ التردد اللاسلكي (RF) radio-frequency أو التسخين الأومي ohmic دده إلخ . تعمل وظائف فصل المصدر والاحتجاز بتقديم مزايا أساسية من أجل مفاعلات الدمج fusion reactors المحتملة. وقد أثبتت تهيئة مجال معكوس أنها قوية clas ومقاومة للتكوين الديناميكي «dynamic formation الانتقال» وحالات الإمساك العنيفة. علاوة على ذلك؛ تبدي ميل 0 إلى افتراض dls البلازما المفضلة kil) مثا Hoffman, K.
E.
Miller, and مآ Y.
Guo, A. .11 ٠ (L.
C.
Steinhauer, Phys.
Rev.
Lett. 92, 245001 (2004) تم إجراء تقدم Lala في Al عقد طرق تكوين dig مجال معكوس الأخرى: merging spheromaks with oppositely-directed helicities (see e.g.
Y.
Ono, M.
Inomoto, Y.
Ueda, 1. Matsuyama, and 1. Okazaki, Nucl. Fusion 39, 2001 (1999)) and by driving current with rotating magnetic fields (RMF) (see (e.g.
I R.
Jones, Phys.
Plasmas 6, 1950 (1999) 5 والتي تعطي أيضا ثبات إضافي. حالياء تم تطوير تقنية الدمج التصادمية ccollision-merging technique المقترحة منذ زمن (انظر مثلا )1966( 1010 ,9 Wells, Phys.
Fluids .8 .0) أكثر: يقوم اثنين من ضواغط ثيتا عند أطراف متقابلة لغرفة احتجاز بتوليد اثنين من بلازمويدات وتسريع البلازمويدات تجاه بعضها البعض عند سرعة عالية؛ والتي تتصادم بالتالي عند مركز غرفة الاحتجاز وتندمج لتكوين تهيئة مجال معكوس 0 مركب. في عملية البناء والتشفغيل الناجحة لواحد من أكبر اختبارات تهيئة مجال معكوس حتى الآنء أبدت طريقة الدمج بالتصادم التقليدية أنها تقوم بإنتاج تهيئة مجال معكوس مستقرة عالية الحرارة وعالية التدفق وطويلة العمر التدفق (انظر مثا M.
Binderbauer, H.Y.
Guo, M. .(Tuszewski er al., Phys.
Rev.
Lett. 105, 045003 (2010) تتكون تهيئة مجال معكوس من طارة ذات خطوط مجال مغلقة داخل فاصل separatrix ولطبقة 5 حافة حلقية على خطوط المجال المفتوح خارج الفاصل. تندمج طبقة الحافة في الوحدات النفاثة وراء طول تهيئة مجال معكوس؛ء lly تقوم بتوفير محول طبيعي. تتلاقى توبولوجيا تهيئة مجال معكوس مع تلك الخاصة ببلازما مجال بلازما مرايا معكوسة -Field-Reversed-Mirror plasma
مع ذلك؛ سيكون الفرق الملحوظ هو أن بلازما تهيئة مجال معكوس تتضمن / بمقدار حوالي 10. يقدم المجال المغناطيسي الداخلي المنخفض الكامن مجموعة جسيم حركية kinetic particle population داخلية؛ أي جسيمات ذات أقطار لارمور clarmor مقارنة بقطر تهيئة المجال المعكوس الأدنى. وهذه الآثار الحركية القوية التي تظهر لتساهم Wise على الأقل في الثبات الزائد لتهيئة مجال معكوس السابق والحالي؛ مثل تلك التي تم إنتاجها في اختبار الدمج بالتصادم .collision-merging experiment تم التحكم في اختبارات تهيئة مجال معكوس الماضية المثالية بواسطة فقد الحمل الحراري مع طاقة احتجاز محددة بشكل كبير بواسطة نقل جسيم. تندمج الجسيمات بشكل أساسي قطري خارج حجم الفاصل؛ وهي بالتالي مفقودة محوريا في طبقة الحافة. بالتالي؛ يعتمد احتجاز تهيئة مجال معكوس 0 على خواص ك من مناطق خطوط المجال المفتوحة والمغلقة. يتم قياس وقت انتشار الجسيم خارج الفاصل عند :> - a ~ 1/4) a¥/Di حيث 1p عبارة عن قطر الفاصل Ble Diy «(Sal عن انتشار تهيئة مجال معكوس المميز؛ مثل .0 - 12.5 :م» حيث pie يمثل القطر الهندسي الأيوني gyroradius 100 المقيم عند مجال مغناطيسي منفذ خارجيا. وقت احتجاز جسيم طبقة الحافة (+ أساسا هو وقت الانتقال المحوري ١ axial transit time لأساسي في اختبارات تهيئة مجال معكوس 5 الماضية. في الحالة الثابتة؛ يؤدي التوازن بين قيم فقد الجسيم القطري والمحوري إلى طول تدريج كثافة فاصل (Don? - 6. قياسات وقت احتجاز confinement time جسيم تهيئة مجال معكوس (rum)! Jie لتهيئة مجال معكوس السابق الذي يتضمن كثافة أساسية عند الفاصل (انظر مثلا (M.
TUSZEWSKI, “Field Reversed Configurations,” Nucl.
Fusion 28, 2033 (1988) . هناك عيب آخر لتصاميم نظام تهيئة مجال معكوس سابق وهو الحاجة إلى استخدام أقطاب متعددة multipoles 0 خارجية للتحكم في حالات عدم الثبات الدورانية مثل حالات عدم الثبات المتبادلة interchange instabilities سريعة النمو 2=n بهذه الطريقة قامت المجالات de ly القطب quadrupole fields المستخدمة بشكل مثالي خارجي بتوفيرر ضغط استعادة المغنطة المطلوية لتخميد نمو هذه الأوضاع غير المستقرة. بينما كانت هذه التقنية غير مناسبة للتحكم في الثبات للبلازما الكتلية الحرارية (Ay «thermal bulk plasma تقوم برض مشكلة sala لتهيئة مجال 5 معكوس الأكثر حركية أو تهيئة المجال المعكوس الهجين المتقدمة؛ حيث يتم دمج مجموعة جسيم ذو مسار حركي كبير مع البلازما الحرارية thermal plasma غير المعتادة. في هذه الأنظمة؛
عمليات التشتيت الخاصة بالتناسق مع محور المجال المغناطيسي axisymmetric magnetic field
بسبب هذه المجالات متعددة الأقطاب Ally multipole fields تؤدي إلى فقد في الجسيم السريع
عبر انتشار التسلسل العشوائي stochastic diffusion غير المتصادم؛ متوالية من فقد حفظ العزم
الزاوي القانوني angular momentum 080001601. وهو حل جديد لتوفير التحكم في الثبات بدون تحسين انتشار أي من الجسيمات؛ بالتالي» من المهم الاستفادة من القدرة عالية الأداء لمفاهيم تهيئة
مجال معكوس المحسنة المكتشفة سلفا.
في ضوءٍ ما سبقء بالتالي؛ سيكون مطلويا تحسين استدامة تهيئة مجال معكوس لاستخدام تهيئة
مجال معكوس في الحالة الثابتة مع الأنظمة عالية الطاقة كمسار إلى لب المفاعل لدمج الأنوية
العالية Tight nuclei للتوليد المستقبلي للطاقة.
0 تتعلق براءة الاختراع الدولية 504809211 1 بنظم احتجاز بلازما مغناطيسية magnetic plasma confinement systems وبتحديد أكثر ؛ plat وطرق تيسر تكوين والحفاظ على تهييئات مجال معكوسة Field Reversed Configurations وثبات فائق إلى جاتب احتجاز جسيمات؛ طاقة وتدفق. تتعلق براءة الاختراع اليابانية 101103285200 بجهاز صهر fusion device يزود إمدادات قدرة
5 تشسارع acceleration power supply لحاقن شعاع متعادل neutral beam injector لتسخين بلازما جسم انصهار body plasma 8100د. (فن سابق) تستخدم أجهزة الصهر أجهزة تسخين إضافية لتحقق ظروف حرجة؛ أحدها هو جهاز حقن الجسيمات المتعادلة neutral particle injection .(NBI) ff1 !device تتعلق براءة الاختراع ١ لأمريكية j 5 بمضخة تبريد cryopump يتم فيها تكثيف وامتزاز
0 جزثيات الغاز» ذوات نقطة الغليان الأعلى من درجة حرارة ألواح التبريد cryopanel المبردة إلى درجات حرارة شديدة البرودة؛ على سطح لوح التبريد؛ وبذلك تنفث كمية كبيرة من الغاز بسرعة Ade تتعلق براءة الاختراع العالمية 201607012611 عموما بنظم احتجاز بلازما مغناطيسية؛ وبتحديد أكثرء بنظم وطرق تيسر تكوين والحفاظ على تهييئات مجال معكوسة بثبات فائق فضلا عن
5 احتجاز الجسيمات؛ الطاقة والتدفق. الوصف العام للاختراع
تتعلق النماذج الحالية المقدمة هنا بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز جسيم؛ طاقة وتدفق و؛ بشكل أكثر تحديداء؛ بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع طاقات نظام مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل (NBI) neutral beam injectors مع قدرات طاقة شعاع قابلة للضبط .tunable beam energy 5 وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي» تتضمن طريقة لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس تكوين تهيئة مجال معكوس حول بلازما في غرفة احتجازء وحقن مجموعة من آشضعة متعادلة في بلازما تهيئة مجال معكوس أثناء ضبط طاقات الشعاع لمجموعة آشعة متعادلة بين طاقة شعاع أولى وطاقة شعاع ثانية؛ حيث تختلف طاقة الشعاع الثانية من طاقة الشعاع الأولى. 0 وفقا لأحد نماذج Jal ca SS تقوم مجموعة الآشضعة المتعادلة بالمبادلة بين طاقات gall الأولى والثانية أثناء sae إطلاق الحقنة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن الطريقة تعديل طاقات الشعاع لمجموعة آشعة متعادلة لتعديل سمات ترسيب قدرة الشعاع القطري لتعديل قيمة تدريج الضغط. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا الحفاظ على تهيئة مجال معكوس عند أو حوالي قيمة ثابتة بدون تحلل ورفع درجة حرارة البلازما إلى أعلى من حوالي 1.0 كيلو إلكترون فولط بواسطة حقن dail لذرات سريعة متعادلة fast neutral atoms من وسائل حقن شعاع متعادل في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا حقن بلازما حلقية مضغوطة من وسائل حقن حلقية مضغوطة أولى وثانية في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى المتوسط 0 لغرفة Glass حيث وسائل حقن حلقية مضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكخف الحالي؛ نظام لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس يتضمن: غرفة احتجاز؛ أجزاء تكوين تهيئة مجال معكوس أولى وثانية متقابلة تماما المقترنة بالمحولات divertors الداخلية الأولى والثانية المتقابلة تماما؛ المحولات الأولى والثانية 5 المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ واحد أو أكثر من مجموعة من مدافع البلازما plasma guns واحد أو أكثر من إلكترودات استقطاب biasing electrodes وسدادات عاكسة أولى وثانية؛
حيث تتضمن مجموعة مدافع البلازما مدافع البلازما المحوربة الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز؛ حيث واحد أو أكثر من إلكترودات الاستقطاب متموضعة داخل واحد أو أكثر من غرفة الاحتجاز؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الخارجية الأولى والثانية؛ وحيث السدادات العاكسة الأولى والثانية متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الأولى والثانية؛ نظام امتصاص الشوائب gettering system المقترنة بغرفة الاحتجاز والمحولات الأولى والثانية؛ مجموعة من وسائل حقن شعاع ذري متعادل neutral atom beam مقترنة بغرفة الاحتجاز وموجه بزاوية تجاه مستوى متوسط لغرفة الاحتجاز» حيث واحد أو JST من مجموعة وسائل حقن شعاع ذري متعادل قابلة للضبط بين طاقة شعاع أولى وطاقة شعاع (ail حيث تختلف طاقة الشعاع الثانية من طاقة الشعاع الأولى؛ ونظام 0 مغناطيسي يتضمن مجموعة من أشباه-ملفات do متموضعة حول غرفة الاحتجاز؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الأولى والثانية؛ ومجموعة أولى وثانية من أشباه-ملفات de عاكسة متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا وسائل الحقن الحلقية المضغوطة الأولى والثانية المقترنة بغرفة الاحتجاز عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة lata) حيث وسائل 5 عقن حلقية مضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. سوف تتضح الأنظمة؛ الطرق؛ الخواص والمزايا الخاصة بالنماذج المثالية للخبير في المجال عند فحص الأشكال التالية والوصف التفصيلي. يعتقد أن كل الطرق؛ الخواص والمزايا الإضافية ليتم تضمينها داخل هذا الوصف»؛ وتتم حمايتها بواسطة عناصر الحماية المصاحبة. يقصد بعناصر 0 الحماية أن يتم تقييدها بتفاصيل النماذج المثالية. شرح مختصر للرسومات تقوم الأشكال المصاحبة؛ التي تم تضمينها كجزء من الوصف الحالي؛ وتشرح النماذج المثالية الحالية؛ وبالإضافة إلى الوصف العام المحدد أعلاه والوصف التفصيلي للنماذج المثالية المحددة cola وتعمل على شرح وتعليمات الاختراع الحالي. 5 يشرح الشكل 1 جسيم احتجاز في نظام تهيئة مجال معكوس Mall تحت نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء (HPF) high performance field reversed configuration regime في مقابل
تحت نظام تهيئة مجال معكوس تفليدي conventional field reversed configuration regime (CR) وفي مقابل اختبارات تهيئة مجال معكوس تقليدية أخرى. يشرح الشكل 2 مكونات نظام تهيئة مجال معكوس الحالي والتوبولوجيا المغناطيسية magnetic topology لتهيئة مجال معكوس القابلة للإنتاج في نظام تهيئة مجال معكوس الحالي.
يشرح الشكل 3 الطبقة الأساسية لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي كما هو مبين من الأعلى؛ شاملة التجهيز المفضل لوعاء الاحتجاز المركزي» قطاع التكوين» المحولات» أشضعة متعادلة؛ إلكترودات celectrodes مدافع البلازماء السدادات العاكسة ووسيلة حقن كريات -pellet injector يشرح الشكل 3ب وعاء الاحتجاز المركزي كما هو مبين من الأعلى Gang الآضعة المتعادلة المجهزة عند زاوية طبيعية بالنسبة للمحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي central
.confinement vessel 0 يشرح الشكل 3ج وعاء الاحتجاز المركزي كما هو مبين من الأعلى وببين الآشعة المتعادلة المجهزة عند زاوية أقل من طبيعي بالنسبة للمحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي وموجه
لحقن جسيمات تجاه المستوى المتوسط لوعاء الاحتجاز المركزي.
تشرح الأشكال 3د و3ه مناظر علوية ومنظورية؛ على التوالي؛ للطبقة الأساسية وفقا لنموذج بديل لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي؛ شاملة التجهيز المفضل لوعاء الاحتجاز المركزي» قطاع
التكوين» المحولات الداخلية والخارجية؛ daa] متعادلة مجهزة عند زاوية أقل من طبيعي بالنسبة
للمحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي؛ إلكترودات؛ مدافع البلازما والسدادات
العاكسة.
الشكل 4 يشرح تخطيط مكونات نظام قدرة نبضي pulsed power system لأجزاء التكوين. 0 الشكل 5 يشرح منظر متساوي القياس لمزلق تكوين قدرة نبضي فردي .
الشكل 6 يشرح منظر متساوي القياس لتجميعة أنبوب تكوين.
الشكل 7 يشرح منظر مقطعي جزئي متساوي القياس لنظام شعاع متعادل ومكونات أساسية.
الشكل 8 يشرح منظر متساوي القياس لتجهيزة الشعاع المتعادلة على غرفة الاحتجاز.
الشكل 9 يشرح منظر مقطعي جزئي متساوي القياس لتجهيزة مفضلة لأنظمة امتصاص الشوائب systems 5 عمتدهااعع التيتانيوم (Ti) titanium والليقيوم lithium (نآ).
الشكل 10 يشرح منظر مقطعي جزئي متساوي القياس لمدفع بلازما تم تنصيبه في غرفة المحول.
تم أيضا توضيح السدادة العاكسة المغناطيسية ذات الصلة وتجميعة إلكترود محول divertor
.electrode assembly
الشكل 11 يشرح التصميم المفضل لإلكترود ميل حلقي annular bias electrode عند الطرف
المحوري لغرفة الاحتجاز.
الشكل 12 يشرح تطوير قطر التدفق المستبعد في نظام تهيئة مجال معكوس الذي تم الحصول
عليه من سلسلة من حلقات ضعيفة النفاذية المغناطيسية خارجية عند المجالين المعكوسين لأجزاء
تكوين ضاغط ثيتا ومسابير مغناطيسية magnetic probes مدمجة داخل غرفة احتجاز المعدن
المركزية. يتم قياس الزمن من Ala المجال Sell المتزامن في مصادر التكوين؛ ويتم تحديد 0 المسافة 2 نسبة إلى المستوى الأوسط المحوري للماكينة.
الأشكال 113 13ب؛ 13ج و13د تشرح البيانات من نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء غير
تمثيلي؛ تفريغ غير مستديم على نظام تهيئة مجال معكوس الحالي. تم توضيح دوال الزمن (الشكل
3) عبارة عن قطر التدفق المستبعد عند المستوى الأوسط (الشكل 13ب) 6 أسلاك ذات كثافة
خطية مدمجة من مقياس تداخل interferometer المستوى الأوسط 02 (الشكل 13ج) Glew 5 قطرية لشدة محولة Abel-inverted density Abel من بيانات مقياس تداخل 002؛ و(الشكل 13د)
درجة حرارة البلازما الكلية من توازن الضغط.
JS 14 يشرح السماح المحورية للتدفق المستبعد عند أوقات مختارة لنفس شحنة نظام تهيئة
مجال معكوس الحالي المبين في الشكل 13 13[ب»؛ 13ج و13د.
الشكل 15 يشرح منظر متساوي القياس لملفات الارتكاز saddle coils التي تم تركيبها خارج لغرفة 0 الاحتجاز.
الأشكال 16( 216« 16ج و16د تشرح عمر علاقات تهيئة مجال معكوس والطول النبضي
للآشعة المتعادلة المحقونة. كما هو مبين؛ تنتج نبضات الآشعة الأطول بإنتاج تهيئة مجال معكوس
أطول عمرا.
الأشكال 17أ 17ب» 17ج و17د الآثار الفردية والمدمجة لمكونات مختلفة لنظام تهيئة مجال 5 معكوس على أداء تهيئة مجال معكوس وتنفيذ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء.
الأشكال 118 18« 18ج و18د تشرح البيانات من نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي؛ تفريغ غير مستديم على نظام تهيئة مجال معكوس الحالي. تم توضيح دوال الزمن بأنها عبارة عن (الشكل 118( قطر التدفق المستبعد عند المستوى الأوسط (الشكل 18ب) 6 أسلاك ذات كثافة خطية مدمجة من مقياس تداخل المستوى الأوسط «CO2 (الشكل 18ج) سمات قطرية لشدة محولة Abel من بيانات مقياس تداخل 002؛ و(الشكل 18د) درجة حرارة البلازما الكلية من توازن الضغط. الشكل 19 يشرح احتجاز التدفق كدالة لدرجة حرارة الالكترون +(Te) electron temperature وهي تبين تمثيل مصور لنظام قياس متفورق محدد حديثا لتفريغات نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء . 0 الشكل 20 يشرح عمر تهيئة مجال معكوس يناظر الطول النبضي لموجه غير زاوي وموجه بزاوية الآشعة المتعادلة المحقونة. الأشكال 21« 21ب» 21ج؛ 21د و21ه تشرح الطول النبضي لشعاع متعادل محقون موجه بزاوية وعمر متغيرات بلازما تهيئة مجال معكوس لقطر البلازماء sad البلازماء درجة حرارة البلازماء وتدفق مغناطيسي يناظر الطول النبضي لموجه بزاوية الآشعة المتعادلة المحقونة. 5 الأشكال 722 و22ب تشرح الطبقة الأساسية لوسيلة حقن حلقية مضغوطة compact toroid .injector الأشكال 23 و23ب تشرح وعاء الاحتجاز المركزي تبين وسيلة حقن حلقية مضغوطة التي تم تركيبها عليها. الأشكال 24 و24ب تشرح الطبقة الأساسية وفقا لنموذج بديل لوسيلة حقن حلقية مضغوطة 0 تتضمن أنبوب إزاحة مقترن به. الشكل 25 يشرح منظر مقطعي متساوي القياس لنظام شعاع متعادل ومكونات أساسية لخرج طاقة شعاع قابلة للضبط. الشكل 26 عبارة عن تخطيط يشرح نظام الشعاع المتعادل مع خرج طاقة شعاع قابلة للضبط. الشكل 27 عبارة عن تخطيط يشرح آلية التحكم في موضع محوري لبلازما تهيئة مجال معكوس 5 داخل وعاء احتجاز .(CV) confining vessel الشكل 28 عبارة عن مخطط تدفق لمخطط تحكم في الوضع المنزلق الشامل.
الشكل 29 عبارة عن مخطط مركب للأمثلة على حث التحكم في موضع محوري لوضع الانزلاق. الشكل 30 عبارة عن مخطط مركب للأمثلة على حث التحكم في موضع محوري لوضع الانزلاق. يجب ملاحظة أن الأشكال ليست على مقياس رسم بالضرورة وأن العناصر ذات البنيات أو الوظائف المشابهة قد تم تمثيلها بشكل عام بواسطة الأرقام المرجعية لأغراض التوضيحية في الأشكال. تمت أيضا ملاحظة أن الأشكال يقصد بها تسهيل وصف النماذج المتعددة الموضحة هنا. لا تقوم الأشكال بالضرورة بوصف كل جانب من التعليمات المكشوف عنها ولا تقوم بتقييد منظور عناصر الحماية. تتعلق النماذج الحالية المقدمة هنا بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس 0 مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز جسيم؛ طاقة وتدفق. تتعلق بعض النماذج الحالية بأنظمة وطرق تسهل تكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس مع طاقات نظام مرتفعة واستدامة محسنة باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع قدرات طاقة شعاع قابلة للضبط. تتعلق بعض النماذج الحالية بأنظمة وطرق تسهل ثبات بلازما تهيئة مجال معكوس في كل من الإتجاهات المحورية والقطرية والتحكم في موضع محوري لبلازما تهيئة مجال معكوس على طول محور التناظر لغرفة 5 احتجاز بلازما تهيئة مجال معكوس مستقلة عن خواص الثبات المحوري لمعايرة بلازما تهيئة مجال معكوس. سوف يتم الآن وصف الأمثلة التمثيلية للنماذج الموضحة هناء والتي تعطي أمثلة على استخدام العديد من هذه الخواص الإضافية والتعليمات؛ بالمزيد من التفاصيل بالإشارة إلى الأشكال الملحقة. يقصد بهذا الوصف التفصيلي أن يعطي تفاصيل إلى الخبير في المجال لتنفيذ الجوانب المفاضلة 0 للتعليمات الحالية ولا يقصد بها تقييد منظور الاختراع. بالتالي؛ يمكن ألا يتم الكف عن توليفات الخواص والخطوات المكشوف عنها في الوصف التفصيلي التالي بالضرورة لممارسة الاختراع في أوسع نطاق؛ ولن يتم إعطاء تعليمات تحديدا بوصف الأمثلة التمثيلية للتعليمات الحالية. علاوة على ذلك؛ يمكن دمج الخواص المتعددة للأمثلة التمثيلية وعناصر الحماية الاعتمادية بطرق غير محددة ومرقمة بشكل صريبح لتوفير النماذج المفيدة على التعليمات الحالية. علاوة على ذلك؛ 5 تمت صراحة ملاحظة أن كل الخواص المكشوف عنها في الوصف و/أو عناصر الحماية يقصد بها أن يتم الكشف عنها بشكل منفصل وبشكل مستقل من بعضها البعض لأغراض الكشضف
«Jal بالإضافة إلى أغراض تقييد موضوع الوثيقة المطلوب Wiles والخاص بتركيبات الخواص في النماذج و/أو عناصر الحماية. وقد تمت أيضا ملاحظة أن قيم النطاق أو إشارات مجموعات الكيانات تقوم بالكشف عن كل القيم الوسيطة أو الكيانات الوسيطة لأغراض الكشضف الأصلي؛ بالإضافة إلى غرض تقييد الموضوع المطلوب حمايته.
قبل العودة إلى الأنظمة والطرق التي تسهل ثبات بلازما تهيئة مجال معكوس في كل من الإتجاهات المحورية والقطرية والتحكم في موضع محوري لبلازما تهيئة مجال معكوس على طول محور التناظر لغرفة احتجاز بلازما تهيئة مجال معكوس» تم توفير مناقشة أنظمة وطرق لتكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس le الأداء مع ثبات متفوق بالإضافة إلى احتجاز الجسيم الفائق؛ طاقة وتدفق في مقابل تهيئة مجال معكوس تقليدي. تقوم تهيئة مجال معكوس عالي الأداء هذا بتوفير
مسار إلى تشكيلة كاملة من التطبيقات شاملة مصادر نيوترون مضغوطة (لإنتاج نمط إسوي طبي dallas cmedical isotope المخلفات النووية waste 0001607» بحث الموادء المخطط الإنعاعي neutron radiography والتوموجرافي للنيوترون (tomography مصادر الفوتون المضغوطة compact photon sources (للإنتاج والمعالجة الكيماوية)» الفصسل الكتلي وأنظمة التخغصيبء وألباب المفاعلات z= reactor cores أنوية الضوء Tight nuclei للتوليد المستقبلي للطاقة.
5 هناك العديد من الأنظمة المساعدة وأوضاع التشغيل التي تم اكتشافها لتقييم ما إذا كان هناك نظام احتجاز متفوق في تهيئة مجال معكوس. أدت هذه الجهود إلى اختراق اكتشضافات وعمليات تطوير تهيئة مجال معكوس عالي الأداء الموضح هنا. وفقا لهذا المثال الجديد؛ تقوم الأنظمة والطرق الجديدة بدمج عائل للأفكار الجديدة ووسيلة لتحسين احتجاز تهيئة مجال معكوس بشكل كبير كما هو مبين في الشكل 1 بالإضافة إلى توفير التحكم في الثبات بدون SEY الجانبية السلبية. كما هو
0 مذكور بالمزيد من التفاصيل أدناه؛ تبين الشكل 1 جسيم احتجاز في نظام تهيئة مجال معكوس 10 xa sal أدناه (انظر الأشكال 2 و3)؛ تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء لتكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس في مقابل تشغيل وفقا لنظام تهيئة مجال معكوس تقليدي لتكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس» وفي مقابل جسيم احتجاز وفقا لأنظمة تقليدية لتكوين والحفاظ على تهيئة مجال معكوس المستخدم في اختبارات أخرى. سوف يقوم الكشف الحالي بوصف
5 وتفصيل المكونات الفردية الابتكارية لنظام تهيئة مجال معكوس 10 وطرق بالإضافة إلى آثارها. نظام تهيئة مجال معكوس
نظام تفريغ تصور الأشكال 2 و3 تخطيط لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10. يتضمن نظام تهيئة مجال معكوس 10 وعاء احتجاز مركزي 100 محاط باثنين من أجزاء تكوين ضاغط مجال ثيتا معكوسة متقابلة تماما 200 وء وراء أجزاء التكوين 200؛ اثنين من غرف محول 300 للتحكم في كثافة غرفة وتلويث بشوائب. تم تكوين نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 لملائمة التفريغ الفائق وتعمل عند قيم ضغط أساسية مثالية بمقدار 10 * تور. تتطلب قيم ضغط التفريغ هذه استخدام الشفاة المتلاقية مزدوجة الضخ بين المكونات (AR حلقات O معدنية emetal O-rings جدران داخلية عالية celal) بالإضافة إلى التهيئة السطحية الأولية المفيدة لكل أجزاء التجميعة؛ Jie التنظيف المادي والكيماوي المتبوع بخبز تحت تفريغ لمدة 24 ساعة 250 "م وتنظيف تفريغ لمعان 0 الهيدروجين. كانت أجزاء تكوين Jaz Lia مجال ثيتا معكوسة 200 عبارة عن ثيتا ضواغط معكوسة-معيارية المجال ¢(FRTPs) field-reversed-theta-pinches على الرغم من نظام تكوين القدرة النبصية pulsed power المتقدم المذكور بالمزيد من التفاصيل أدناه (انظر الأشكال 4 خلال 6). يتم صنع كل قطاع تكوين 200 من أنابيب كوارتز quartz بدرجة صناعية معتمة والتي تبدي بطانة داخلية 5 سمك 2 ملم من الكوراتز فائق النقاء. يتم صنع غرفة الاحتجاز 100 من الصلب المقاوم للصداً stainless steel للسماح بالعديد من الفتحات القطرية والتماسية؛ وهي تعمل أيضا كوسيلة حفظ تدفق flux conserver على المقياس الزمني للاختبارات الموضح أدناه وتقوم بتقييد الانتقالات المغناطيسية magnetic transients السريعة. يتم تكوين عمليات التفريغ والحفاظ عليها Jabs نظام تهيئة مجال معكوس 10 مع مجموعة من مضخات التخشين باللفائف الجافة dry scroll roughing #وصم؛ مضخات جزيئية توربينية turbo molecular pumps ومضخات .Cryo pumps i النظام المغناطيسي تم شرح النظام مغناطيسي 400 في الأشكال 2 و3. الشكل 2؛ بين الخواص الأخرى ؛ يشرح تهيئة مجال معكوس تدفق مغناطيسي ومحيطات كثافة (كدوال على الاحداثيات القطرية والمحورية) التي تساهم في تهيئة مجال معكوس 450 القابلة للإنتاج بواسطة نظام dings مجال معكوس 10. تم 5 الحصول على هذه المحيطات بواسطة المحاكاة الرقمية ل 11011-ام اتش دي MHD المقاوم ثنائي الأبعاد باستخدام الكود المطور لمحاكاة أنظمة وطرق تناظر نظام تهيئة مجال معكوس 10؛
وتتوافق جيدا مع البيانات الاختبارية المقاسة. كما هو مبين في الشكل 2 يتكون تهيئة مجال معكوس 450 من طارة خطوط المجال Glad) عند الجزء الداخلي 453 لتهيئة مجال معكوس 450 داخل فاصل ]45 ولطبقة حافة حلقية 456 على خطوط المجال المفتوح 452 خارج الفاصسل 1. تلتقي طبقة الحافة 456 في الوحدات BL 454 وراء طول تهيئة مجال معكوس؛ والتي تقوم بتوفير محول طبيعي. يتضمن النظام المغناطيسي الأساسي 410 سلسلة من أشباه-ملفات de 412؛ 414؛ و416 التي تمت ملائمنها عند مواضع محورية معينة على طول المكونات» og على طول غرفة الاحتجاز 100« أجزاء التكوين 200 والمحولات 300 لنظام تهيئة مجال معكوس 10. تتم تغذية أشضباه- ملفات de 412 414 و416 بواسطة خطوط التزويد بقدرة تبديل أشضباه-ل وتنتج مجالات ميل 0 مغناطيسية أساسية بمقدار حوالي 0.1 تسلا في غرفة الاحتجاز 100( أجزاء التكوين 200 والمحولات 300. بالإضافة إلى أشباه-ملفات de 412 414 و416؛ يتضمن النظام المغناطيسي الأساسي 410 أشباه-ملفات عل عاكسة 420 (المغذاة بواسطة خطوط التبديل) بين أي من أطراف غرفة الاحتجاز 100 وأجزاء التكوين المتجاورة 200. تقوم أشباه-ملفات de عاكسة 420 بتوفير نسب عاكسة مغناطيسية تصل إلى 5 ويمكن تزويدها بالطاقة بشكل مستقل من أجل التحكم في 5 التشكيل المعاير. علاوة على ذلك؛ يتم تموضع السدادات العاكسة 440؛ بين كل من أجزاء التكوين 0 والمحولات 300. تتضمن السدادات العاكسة 440 أشباه-ملفات عل عاكسة مضغوطة 430 وملفات سدادية عاكسة 444. تتضمن أشباه-ملفات عل عاكسة 430 ثلاثة ملفات 432 434 و436 (المغذاة بواسطة خطوط التبديل) التي تنتج مجالات توجيه إضافية لتركيز تمرير أسطح التدفق المغناطيسية 455 تجاه مسار القطر الصغير 442 خلال الملفات السدادية العاكسة 444. 0 الملفات السدادية العاكسة 444؛ التي تلتف حول مسار القطر الصغير 442 وتتم تغذيتها بواسطة دارة قدرة نبضية pulsed power circuitry ال سي (LC تنتج مجالات مغناطيسية عاكسة قوية تصل إلى 4 تسلا. الغرض من التجهيزة الكاملة Chall هي تجميع وتوجيه أسطح التدفق المغناطيسية 455 بشكل محكم ووحدات نفث بلازما plasma jets ذات تيار طرفي 454 في الغرف البعيدة 310 للمحولات 300. أخيراء يتم وضع مجموعة من "هوائيات" الملفات المرتكزة saddle- coil “antennas” 5 460 (انظر Jal 15( خارج غرفة الاحتجاز 100؛ اثنين على كل جانب للمستوى المتوسط: وتتم تغذيتها بواسطة إمدادات قدرة ع0. يمكن تهيئة هوائيات الملفات المرتكزة
0 لتوفير قطب ثنائي مغناطيسي شبه استاتيكي أو مجال oly القطب بمقدار حوالي 0.01 تسلا للتحكم في قيم عدم الثبات المنطقي و/أو التحكم في تيار الإلكترون. يمكن أن تقوم هوائيات الملفات المرتكزة 460 بشكل مرن بتوفير مجالات مغناطيسية إما متناظرة أو غير متناظرة حول المستوى الأوسط للماكينة؛ بشكل معتمد على إتجاه التيارات المسلطة. أنظمة تكوين قدرة نبضية تعمل أنظمة تكوين القدرة النبضية 210 على fase ضاغط ثيتا المعدل .modified theta-pinch هناك اثنين من الأنظمة التي تقوم كل منها بتزويد القدرة إلى واحد من أجزاء التكوين 200. تشرح الأشكال 4 إلى 6 عن كتل البناء الأساسية وتجهيز أنظمة التكوين 210. نظام التكوين 210 مكون من تجهيزة قدرة نبضية نموذجية modular pulsed power تتكون من الوحدات الفردية (lal) 0 220 والتي تقوم كلها بتوفير الطاقة إلى مجموعة ثانوية من الملفات 232 الخاصة بتجميعة شريطية 230 (-شرائط) التي تلتف حول أنابيب تكوين من الكوارتز 240. كل مزلق 220 مكون من مكثفات capacitors 221 محثات inductors 223 مفاتيح تيار عالية سريعة 225 ووسيلة trigger sll ذات الصلة 222 ودارة تفريغ dump circuitry 224. إجمالاء يقوم كل نظام تكوين 0 بتخزين ما بين 400-350 كيلو جول من طاقة التكثيف؛ Ally تقوم بتوفير ما يصل إلى 35 5 جيجا واط من القدرة لتكوين وتسريع تهيئة مجال معكوس. يتم تحقيق Jur Gall المتناسق لهذه المكونات عبر وسيلة بدء ونظام التحكم 222 و224 الخاص بالمجال الذي يسمح بالتوقيت المتزامن بين أنظمة التكوين 210 على كل قطاع تكوين 200 aging بتقليل تبديل وسيلة الإرسال إلى عشرات النانو ثانية. ووتمثل مزايا هذا التصميم النموذجي في التشغيل المرن: يمكن تكوين تهيئة مجال معكوس في الموقع وبالتالي يتم تسريعها وحقنها (-التكوين الاستاتيكي static (formation 0 أو الذي تم تكوينه وتسريعه في الوقت ذاته (-تكوين ديناميكي). وسائل حقن شعاع متعادل يتم نشر الآشضعة الذرية المتعادلة 600 على نظام تهيئة مجال معكوس 10 لتوفير التسخين والتشغيل الحالي بالإضافة إلى تطوير جسيم سريع الضغط fast particle pressure كما هو مبين في الأشكال 3 3ب و8؛ تتضمن خطوط الشعاع الفردية أنظمة حقن شعاع ذري متعادل 610 5 و640 موضوعة حول غرفة الاحتجاز المركزية 100 وتقوم بحقن الجسيمات السريعة بشكل مماسي لبلازما تهيئة مجال معكوس (و عمودي أو عند زاوية طبيعية بالنسبة للمحور الأساسي للتناظر في
وعاء الاحتجاز المركزي 100) مع متغير أثر مثل بحيث تقع منطقة احتجاز الهدف target rapping zone داخل الفاصل 451 (انظر الشكل 2). كل نظام حاقن 610 و640 قادر على حقن ما يصل إلى 1 ميجاواط من قدرة الشعاع المتعادل في بلازما تهيئة مجال معكوس مع جسيم طاقات بين 20 و40 كيلو إلكترون فولط. تقوم الأنظمة 610 و640 على أساس مصادر استخلاص متعددة الفتحة إيجابية الأيون 0 وتقوم باستخدام التركيز الهندسي geometric focusing التبريد الخامل لشبكات الاستخلاص ١ لأيوني ion extraction والضخ التمايزي differential pumping بعيدا عن استخدام مصادر البلازما المختلفة؛ يتم تمايز الأنظمة 610 و640 بشكل أساسي بواسطة التصميم المادي لها لتلبية مواضع التركيب المناظرة؛ والذي يؤدي إلى قدرات حقن جانبية وعلوية. تم شرح هذه المكونات المثالية لوسائل حقن شعاع متعادل هذه بشكل
0 محدد في الشكل 7 لأنظمة الحقن الجانبية 610. كما هو مبين في الشكل 7؛ يتضمن كل نظام شعاع متعادل 610 فردي مصدر بلازما التردد اللاسلكي 612 عند طرف إدخال Jig) استبدال هذا بمصدر قوس في الأنظمة 0) مع شاشة مغناطيسية magnetic screen 614 تقوم بتغطية الطرف ٠ يتم إقران مصدر أيون بصري jon optical source وشبكات تسارع acceleration grids 6 بمصدر البلازما 612 ويتم وضع صمام بوابي gate valve 620 بين مصدر الأيون البصري
5 وشبكات التسارع 616 ووسللة معادلة neutralizer 622. يتم وضع مغناطيس الاتحراف deflection magnet 624 ومخزن الأيون jon dump 628 بين وسيلة المعادلة 622 وجهاز استهداف 630 عند طرف المخرج. يتضمن نظام تبريد اثنين من مبردات cryo-refrigerators 4 اثنين من الواح تبريد cryopanels 636 وستار shroud ال ان 2 1102 638. يسمح هذا التصميم المرن بالعمل في مقابل نطاق واسع لمتغيرات تهيئة مجال معكوس.
شة تهيئة بديلة لوسائل حقن الشعاع الذري المتعادل 600 هي تلك الخاصة بحقن الجسيمات السريعة بشكل مماسي لبلازما تهيئة مجال معكوس؛ ولكن مع زاوية م أقل من 290 نسبة إلى المحور الأساسي للتناظر في وعاء الاحتجاز المركزي 100. تم توضيح هذه الأنواع من توجيه وسائل حقن الشعاع 615 في الشكل 3ج. علاوة على ذلك؛ يمكن توجيه وسائل حقن الشعاع 615 بحيث تقوم وسائل حقن الشعاع 615 على أي من جانبي المستوى المتوسط لوعاء الاحتجاز
5 المركزي 100 بحقن جسيماتها تجاه المستوى المتوسط. chal الموضع المحوري لأنظمة الشعاع 0 هذه بشكل أقرب للمستوى المتوسط. تقوم نماذج الحقن المشابهة بتسهيل عملية التزويد بالوقود
المركزية؛ Ally تقوم بتوفير إقران أفضل للآشعة واحتجاز of فعالية للجسيمات السريعة المحقونة. علاوة على ذلك؛ بشكل معتمد على الزاوية والموضع المحوري؛ يسمح تجهيز وسائل حقن الشعاع بالمزيد من التحكم المباشر والمستقل للإطالة المحورية وغيرها من خواص تهيئة مجال معكوس 450. Ole حقن الآشعة عند زاوية A ضحلة نسبة إلى المحور الأساسي للوعاء للتناظر 5 وهو ما يقوم بتكوين بلازما تهيئة مجال معكوس مع تمديد محوري أطول وتقليل درجة حرارة مع dul عمودية STA تؤدي إلى بلازما أقصر ولكنها أسخن بشكل محوري. بهذه الطريقة يمكن تحسين زاوية الحقن A وموضع وسائل حقن الشعاع 615 من أجل الأغراض المختلفة. علاوة على ذلك» يمكن أن تسمح عملية تحديد الزاوية هذه وتموضع وسائل حقن الشعاع 615 للآشعة ذات الطاقة الأعلى (والتي تكون أفضل بشكل عام لتحديد المزيد من القدرة مع تحويل أقل للشعاع) ليتم 0 عحقنها في مجالات مغناطيسية أقل مما قد يكون ضروريا لاحتجاز هذه الآشعة. وسوف يكون هذا ناتجا عن حقيقة أنه هو المكون السمتي للطاقة lly تقوم بتحديد مقياس مسار الأيون السريع fast ion orbit (والتي يمكن أن تكون أصغر بشكل متقدم حيث يتم تقليل زاوية الحقن injection angle نسبة إلى المحور أ لأساسي للوعاء للتناظر عند طاقة شعاع ثابتة «(constant beam energy علاوة على ذلك»؛ يقوم الحقن الموجه بزاوية تجاه المستوى المتوسط ومع مواضع آشعة محورية قريبة من 5 المستوى المتوسط بتحسين إقران شعاع-بلازما cbeam-plasma coupling حتى تنكمش بلازما تهيئة مجال معكوس أو تنكمش محوريا أثناء فترة الحقن. بالعودة إلى الأشكال 3د و3ه؛ تتضمن تهيئة بديلة أخرى لنظام تهيئة مجال معكوس 10 المحولات الداخلية 302 بالإضافة إلى وسائل حقن الشعاع الموجهة بزاوية 615. يتم تموضع المحولات الداخلية 302 بين أجزاء التكوين 200 وغرفة الاحتجاز 100« وتتم تهيئتها وتعمل أساسا بشكل 0 مشابه للمحولات الخارجية 300. سوف تكون المحولات الداخلية 302؛ التي تتضمن ملفات التبديل المغناطيسي switching magnetic coils السريع (La غير نشطة أثناء عملية التكوين للسماح لتهيئة مجال معكوس للتكوينات لتمر خلال المحولات الداخلية 302 حتى تمر تهيئة مجال معكوس للتكوينات تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز 100. بمجرد مرور تهيئة مجال معكوس للتكوينات خلال المحولات الداخلية 302 في غرفة الاحتجاز 100( يتم تتشيط المحولات الداخلية 5 تلتعمل أساسا بشكل مشابه للمحولات الخارجية وتعزل غرفة الاحتجاز 100 من أجزاء التكوين 200.
وسيلة حقن كريات لتوفير وسيلة حقن جسيمات جديدة وجسيم تهيئة مجال معكوس ذات تحكم أفضل؛ يتم استخدام وسيلة حقن كريات ذات 12 برميل 700 (انظر I.
Vinyar et al., “Pellet Injectors Mia Developed at PELIN for JET, TAE, and HL-2A,” Proceedings of the 26" Fusion Science (and Technology Symposium, 09/27 to 10/01 (2010) 5 على نظام تهيئة مجال معكوس 10 يشرح الشكل 3 تصميم وسيلة حقن الكريات 700 على نظام تهيئة مجال معكوس 10. يتم حقن الكريات الاسطوانية Locale 1 - D) - 1 - 2 ملم) في تهيئة مجال معكوس مع سرعة في نطاق 0 - 250 كيلو متر/ثانية. (gins كل كرية فردية على حوالي 5» 107 ذرات هيدروجين Ally chydrogen تقارن ببيان جسيم تهيئة مجال معكوس. 0 أنظمة امتصاص الشوائب سوف يكون معروفا أن غاز هالو متعادل عبارة عن مشكلة حرجة في كل أنظمة الاحتجاز. يمكن أن تتضمن عمليات تبديل الشحنة وإعادة التدوير (إطلاق مادة الشوائب الباردة من الجدار) أثر مدمر على طاقة وجسيم احتجاز. علاوة على ذلك سوف تؤدي أي كثافة ملحوظة للغاز المتعادل neutral gas عند أو بالقرب من الحافة إلى الفقد المحتمل ل أو على الأقل جسيمات المسار الكبيرة المحقونة المقطوعة بشكل حاد (عالية الطاقة) (يشير المسار الكبير إلى جسيمات تتضمن مسارات على مقياس توبولوجيا تهيئة مجال معكوس أو على الأقل أقطار مسار ولكنها أكبر من مقياس طول تدريج المجال المغناطيسي المميز) -حقيقة أنها ضارة لكل تطبيقات البلازما الخاصة بالطاقة؛ شاملة انتشار عبر تسخين الشعاع الإضافي. التهيئة السطحية عبارة عن وسيلة بواسطتها يمكن التحكم في أو تقليل الأثر الضار للغاز المتعادل 0 والشوائب في نظام الاحتجاز. يقوم هذا النظام تهيئة مجال معكوس 10 الطرفي المقدم هنا باستخدام أنظمة ترسيب تيتانيوم وليثيوم 810 و820 التي تغطي الأسطح المقابلة للبلازما لغرفة الاحتجاز (أو وعاء) 100 والمحولات 300 و302 مع أغشية (بسمك عشرات الميكرومتر) من التيتانيوم و/أو الليثيوم. يتم تحقيق الطلاءات عبر تقنيات ترسيب البخار. يتم تبخير و/أو تصجيد الليثيوم و/أو التيتانيوم الصلب وترذيذها على الأسطح القريبة لتكوين الطلاءات. المصادر عبارة عن أفران ذرية 5 ذات فوهات توجيه (في حالة الليثيوم) 822 أو كريات مسخنة من المادة الصلبة مع ستائر توجيه guide shrouding (في حالة التيتانيوم) 2. تعمل أنظمة تبخير evaporator systems الليثيوم
بشكل مثالي في وضع مستمر بينما يتم تشغيل وسائل تصعيد sublimators التيتانيوم بشكل مثالي بشكل متقطع بين عمليات البلازما. درجات حرارة التشغيل لهذه الأنظمة أكبر من 600 *م للحصول على معدلات cull السريع. لتحقيق التغطية الجدارية الجيدة؛ هناك العديد من أنظمة التبخير/التصعيد الموضوعة بشكل استراتيجي ضرورية. يقوم الشكل 9 بتوضيح تجهيزة مفضلة ل أنظمة ترسيب لامتصاص الشوائب 810 و820 في نظام تهيئة مجال معكوس 10. تعمل الطلاءات كأسطح امتصاص الشوائب ويفاعلية لأنواع ضخ ذرية atomic وهيدروجينية جزيئية «(Dy H) molecular hydrogenic تقوم الطلاءات أيضا بتقليل الشوائب المثالية الأخرى Jie مستويات الكربون Carbon والأوكسيجين Oxygen غير الملحوظة. السدادات العاكسة 0 كما هو مذكور أعلاه؛ يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 باستخدام مجموعات من الملفات العاكسة 0 430؛ و444 كما هو مبين في JY 2 و3. يتم وضع مجموعة أولى من الملفات العاكسة 420 عند اثنين من الأطراف المحورية لغرفة الاحتجاز 100 وبتم تزويدها بالطاقة بشكل مستقل من ملفات محول وتكوين احتجاز دي سي DC 412؛ 414 و416 من النظام المغناطيسي الأساسي 410. تساعد المجموعة الأولى من الملفات العاكسة 420 بشكل أساسي في توجيه 5 واحتواء تهيئة مجال معكوس 450 محوريا أثناء الدمج وتقوم بتوفير التحكم في تشكيل المعايرة أثناء الاستدامة. تقوم مجموعة الملف العاكسة الأولى 420 بإنتاج مجالات مغناطيسية أعلى اسميا (حوالي 0.4 إلى 0.5 تسلا) من مجال الاحتجاز المركزي الناتج بواسطة ملفات الاحتجاز المركزي 2. يتم وضع المجموعة الثانية من الملفات العاكسة 430؛ التي تضمن ثلاثة أشباه-ملفات عل عاكسة مضغوطة 432 4365434« بين أجزاء التكوين 200 والمحولات 300 وبتم تشغيلها 0 بواسطة التبديل الشائع لمصدر القدرة مصدر قدرة. الملفات العاكسة 432 5434 436 بالإضافة إلى أن ملفات سدادية عاكسة نبضية مضغوطة 444 (المغذاة بواسطة مصدر قدرة سعوية) erally المادي الضيق 442 تشكل السدادات العاكسة 440 التي تقوم بتوفير مسار توصيل غاز منخفض ضيق له مجالات مغناطيسية عالية جدا (بين 2 إلى 4 تسلا مع زيادة الأوقات بمقدار حوالي 10 إلى 20 مل ثانية). تتمتع الملفات العاكسة النبضية العكسية 444 بأبعاد قطرية مضغوطة؛ ثقب 5 بمقدار 20 سم وطول مشابه؛ مقارنة fly قياس زائد jie وتصميم على شكل فطيرة لملفات الاحتجاز 412 414 و416. تتم مضاعفة غرض السدادات العاكسة 440: (1) تقوم الملفات
432 434 436 و444 بشكل محكم بتجميع وتوجيه أسطح التدفق المغناطيسية 452 ووحدات نفث بلازما ذات تيار طرفي 454 في غرف المحول البعيدة 300. وهذا ما يضمن أن جسيمات العادم تصل إلى المحولات 300 بشكل مناسب والتي تكون عبارة عن أسطح التدفق 455 المستمرة التي تمتد من منطقة خط المجال المفتوح 452 لتهيئة مجال معكوس المركزي 450 على طول الطريق إلى المحولات 300. (2) الأجزاء المادية الضيقة 442 في نظام تهيئة مجال معكوس 0. خلال هذه الملفات 432 434 436 و444 تسمح بمرور أسطح التدفق المغناطيسية 452 وبلازما الوحدات النفاثة 454؛ وتعطي معاوقة لمعادلة تدفق الغاز من مدافع البلازما 350 المتمركزة في المحولات 300. في نفس السياق؛ تقوم الأجزاء الضيقة 442 بمنع تيار الغاز العائد من أجزاء التكوين 200 إلى المحولات 300 ويالتالي تقليل عدد الجبسيمات المتعادلة التي يتم 0 إدخالها في نظام تهيئة مجال معكوس الكامل 10 عند توصيل بدء تهيئة مجال معكوس. (3) تقوم العواكس المحورية القوية الناتجة بواسطة الملفات 432 434؛ 5436 444 بتقليل قيم الفقد في الجسيم المحوري وبالتالي تقليل انتشار الجسيم الموازي على خطوط المجال المفتوح. في التهيئة البديلة المبينة في الأفكال 3د و3ه؛ مجموعة من سمات ملفات متداخلة necking coils منخفضة 421 عبارة عن مواضع بين المحولات الداخلية 302 وقطاعات التكوين 200. 5 مدافع البلازما المحورية يقصد بتيارات البلازما من المدافع 350 التي تم تركيبها في غرف المحول 310 للمحولات 300 تطوير ثبات وأداء الشعاع. يتم تركيب المدافع 350 على محور داخل الغرفة 310 للمحولات 300 كما هو مبين في الأشكال 3 و10 وتقوم بإنتاج البلازما المتدفقة على طول خطوط التدفق المفتوح 2 في المحول 300 وتجاه مركز غرفة الاحتجاز 100. تعمل المدافع 350 عند تفريغ غاز 0 عالي الكثافة في قناة مجمعة بوردة ومصممة لتوليد العديد من الكيلو أمبير kiloampere من البلازما كاملة التأين لمدة 5 إلى 10 مل ثانية. تتضمن المدافع 350 ملفات مغناطيسية نبضية Ally تتوافق مع خرج تيار البلازما مع الحجم المطلوب للبلازما في غرفة الاحتجاز 100. تتسم المتغيرات التقنية للمدافع 350 بقناة تتضمن قطر خارجي 5 إلى 13 سم وما يصل إلى حوالي 10 سم قطر داخلي وتعطي تيار تفريغ بمقدار 15-10 كيلو أمبير عند 600-400 فولط مع مجال 5 مغناطيسي داخلي للمدفع بمقدار بين 0.5 إلى 2.3 تسلا.
يمكن أن تقوم تيارات مدفع البلازما باختراق المجالات المغناطيسية للسدادات العاكسة 440 وتتدفق في قطاع التكوين 200 وغرفة الاحتجاز 100. تزيد فعالية نقل البلازما خلال السدادة العاكسة 0 مع تقليل المسافة بين المدفع 350 والسدادة 440 وبواسطة جعل السدادة 440 أوسع وأقصر. في الظروف المنطقية؛ يمكن أن تقوم المدافع 350 بتوصيل تقريبا تقريبا 107 فوتون/ثانية خلال السدادات العاكسة 440 بقوة 2 إلى 4 تسلا مع درجات حرارة الكترونات عالية الأيون بمقدار حوالي 0 إلى 300 إلكترون فولط وحوالي 40 إلى 50 إلكترون فولط» على التوالي. تقدم المدافع 350 إعادة التزويد بالوقود القوية لطبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456؛ وجسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس الكلي المحسن. لزيادة شدة البلازماء يمكن استخدام صندوق gle لنفخ الغاز الإضافي في تيار البلازما من المدافع 0 350. تسمح هذه التقنية بزيادة بمقدار عدة أضعاف في شدة البلازما المحقونة. في نظام تهيئة مجال معكوس 10؛ يقوم صندوق غازي تم تركيبه على جانب المحول 300 من السدادات العاكسة 0 بتحسين إعادة التزويد بالوقود لطبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456؛ تكوين تهيئة مجال معكوس 450 وخط ربط البلازما. باعتبار كل متغيرات التعديل المذكورة أعلاه وأيضا باعتبار أن العملية التي تتضمن واحد فقط أو 5 كل من المدافع ممكنة؛ من الواضح أن هناك طيف واسع من أوضاع التشغيل التي يمكن تحقيقها. إلكترودات استقطاب Biasing Electrodes يمكن أن تقوم الإمالة الكهربية لأمسطح التدفق المفتوحة بتوفير قدرات قطرية والتي تعطي حركة 83 سمتية azimuthal والتي تعطي آلية تحكم»؛ مناظرة لحركة لف مقبض؛ للتحكم في دوران خط بلازما المجال المفتوح بالإضافة إلى لب تهيئة مجال معكوس الفعلي 450 عبر القص السريع velocity shear 0 لتحقيق التحكم؛ يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 باستخدام العديد من إلكترودات موضوعة استراتيجيا في العديد من أجزاء الماكينة. يصور الشكل 3 إلكترودات استقطاب متموضعة عند مواضع مفضلة داخل نظام تهيئة مجال معكوس 10. من حيث المبداً؛ هناك 4 فئات إلكترود: (1) إلكترودات نقطية 905 في غرفة الاحتجاز 100 تتلامس مع خطوط المجال المفتوح 452 معينة في حافة تهيئة مجال معكوس 450 لتوفير الشحن 5 الموضعي؛ (2) إلكترودات حلقية 900 بين غرفة الاحتجاز 100 وأجزاء التكوين 200 لشضحن طبقات تدفق بعيدة عن الحافة far-edge flux layers 456 بطريقة متناظرة السمت؛ )3( طبقات
من إلكترودات 910 مشتركة المركز في المحولات 300 لشحن العديد من طبقات التدفق مشتركة المركز 455 (بالتالي يكون اختيار الطبقات قابل للتحكم فيه بواسطة تعديل الملفات 416 لتعديل المحول مجال مغناطيسي لإنهاء طبقات التدفق 456 المطلوية على الإلكترودات 910 المناسبة)؛ وأخيرا (4) الآنودات 920 (انظر الشكل 10) من مدافع البلازما 350 نفسها (والتي تتقاطع مع أسطح التدفق الداخلية المفتوحة 455 القريبة من فاصل تهيئة مجال معكوس 450). تبين الأشكال 0 و11 بعض التصاميم المثالية لها. في كل الحالات يتم تشغيل هذه الإلكترودات بواسطة المصادر النبضية أو مصادر قدرة عل عند قيم فولطية تصل إلى حوالي 800 فولط. بشكل معتمد على حجم الإلكترود وأي أسطح التدفق cdl all يمكن سحب التيارات في نطاق كيلو أمبير. 0 التشغيل غير المستديم لنظام تهيئة مجال معكوس - النظام التقليدي يقوم تكوين البلازما المعيارية على نظام تهيئة مجال معكوس 10 بإتباع تقنية ضاغط ثيتا معكوس المجال المطورة جيدا. وهي عملية مثالية لبدء تهيئة مجال معكوس dads Tan lly تشغيل أشباه-ملفات de 412 414 416 420 432 434 و436 للتشغيل في الحالة الثابتة. تقوم دارات القدرة النبضية ثيتا-ضواغط -معكوسة-معيارية المجال لأنظمة تكوين القدرة النبضية 210 5 بالتالي بتشغيل ملفات Jae المغناطيس العكسي السريع النبضي 232 لتكوين ميل عكسي مؤقت بمقدار حوالي -0.05 تسلا في أجزاء التكوين 200. عند هذه النقطة يتم حقن مقدار محدد سففا من الغاز المتعادل عند 20-9 رطل/بوصة مربعة في اثنين من أحجام التكوين المحددة بواسطة غرف أنبوب الكوارتز 240 لأجزاء التكوين 200 (الشمالية والجنوبية) عبر مجموعة من صمامات النفخ الموجهة سمتيا عند شفاه موضوعة على الأطراف الخارجية لأجزاء التكوين 200. بعد ذلك 0 .يتم توليد مجال تردد لاسلكي صغير (- مئات الكيلو هرتز) من مجموعة من هوائيات على سطح أنابيب الكوارتز 240 لتكوين التأين المسبق في صورة مناطق تأين بذرة موضعية داخل أعمدة الغاز المتعادل. وهذا متبوع بواسطة تنفيذ تضمين حلقات ثيتا على التفغيل الحالي لملفات مجال المغناطيس العكسي السريع النبضي 232 والذي يؤدي إلى المزيد من التأين العالمي المسبق لأعمدة الغاز. opal يتم تشغيل بنوك القدرة النبضية الأساسية لأنظمة تكوين القدرة النبضية 210 5 تلتشغيل ملفات مجال مغناطيس معكوس نبضي سريع 232 لتكوين مجال موجه للأمام يصل إلى 4 تسلا. يمكن أن تكون هذه الخطوة عبارة عن متوالية زمنية بحيث يتم توليد المجال الموجه
للأمام بشكل متجانس على طول أنابيب التكوين 240 (التكوين الاستاتيكي) أو بحيث يتم تحقيق تضمين التمعجي التتابعي peristaltic field modulation على طول محور أنابيب التكوين 240 (تكوين ديناميكي). في عملية التكوين كاملة؛ يتم عكس المجال الفعلي في البلازما بسرعة؛ في حوالي 5 ميكرو ثانية. تقوم القدرة النبضية بقدرة عدة جيجا واط multi-gigawatt التي تم توصيلها لتكوين بلازما بإنتاج تهيئة مجال معكوس ساخنة والتي يتم إخراجها بالتالي من أجزاء التكوين 200 عبر تطبيق إما التضمين المتسلسل Gols للمجال المغناطيسي الأمامي (التمعج المغناطيسي magnetic (peristalsis أو التيارات الزائدة بشكل مؤقت في AT ملفات من مجموعات الملفات 232 بالقرب من الأطراف الخارجية المحورية لأنابيب التكوين 210 (تكوين تدريج مجال مغناطيسي محوري 0 والذي يشير محوريا تجاه غرفة الاحتجاز 100). يمتد اثنين من (الشمالية والجنوبية) تكوينات تهيئة مجال معكوس المكونة والمسرعة وبالتالي تمتد في غرفة الاحتجاز ذات القطر الأكبر 100؛ حيث تقوم أضباه-ملفات de 412 بإنتاج مجال موجه للأمام للتحكم في التمدد القطري وتقوم بتوفير التدفق المغناطيسي magnetic flux الخارجي للمعايرة. بمجرد وصول تكوبنات تهيئة مجال معكوس الشمالية والجنوبية بالقرب من المستوى الأوسط لغرفة 5 الاحتجاز 100؛ تتصادم تهيئة مجال معكوس. أثناء التصادم يتم علاج طاقات الحركية المحورية لتكوينات تهيئة مجال معكوس الشمالية والجنوبية حراريا حيث تندمج تهيئة مجال معكوس بشكل مطلق في تهيئة مجال معكوس 450 فردية. هناك مجموعة كبيرة من تشخيصات البلازما متاحة في غرفة الاحتجاز 100 لدراسة توازن تهيئة مجال معكوس 450. تقوم ظروف التشغيل المثالية في نظام تهيئة مجال معكوس 10 بإنتاج مركبات تهيئة مجال معكوس مع أقطار ald بمقدار 0 حوالي 0.4 متر وحوالي 3 متر امتداد محوري. هناك خواص أخرى عبارة عن مجالات مغناطيسية خارجية بمقدار حوالي 0.1 تسلاء قيم شدة البلازما حوالي 1075 متر 3 ودرجة ha البلازما الكلية تصل إلى 1 كيلو إلكترون فولط. بدون أي استدامة؛ أي؛ لم يقم التسخين و/أو التشغيل الحالي عبر حقن شعاع متعادل أو وسيلة إضافية أخرى؛ تم تقييد عمر تهيئة مجال معكوس هذه بحوالي 1 مل ثانية؛ وقت تهيئة التحلل المميزة الداخلية. 5 البيانات الاختبارية للتشغيل غير المستديم - النظام التقليدي
Gay الشكل 12 نشوءٍ الزمن المثالي لقطر التدفق المستبعد؛ crap والذي يقترب من قطر الفاصل؛ ary لشرح الخواص الديناميكية لعملية دمج ضاغط ثيتا لتهيئة مجال معكوس 450. يتم إنتاج اثنين من (الشمالية والجنوبية) البلازمويدات الفردية Ll وبالتالي تسريع أجزاء التكوين 200 المناظرة عند سرعة فوق صوتية؛ vz ~ 250 كيلو متر/ثانية؛ وتتصادم بالقرب من المستوى الأوسط عند 7 = 0. أثناء التصادم تنضغط البلازمويدات محوريا؛ متبوعا بالتمدد القطري والمحوري السربع؛ قبل الاندماج الأخير لتكوين تهيئة مجال معكوس 450. كل من الخواص الديناميكية القطرية والمحورية لتهيئة مجال معكوس 450 المدمجة عبارة عن A تقوم عليها قياسات الكثافة المفصلة وتوموجرافيا
قائمة على أساس مقياس الإشعاع -bolometer تم توضيح البيانات من تفريغ تمثيلي غير مستديم لنظام تهيئة مجال معكوس 10 لدوال الزمن في
0 الأشكال 113 13ب» 13ج و13د. تم بدء تهيئة مجال معكوس عند زمن = 0. تم توضيح قطر التدفق المستبعد عند المستوى المتوسط المحوري للماكينة في الشكل 13أ. يتم الحصول على هذه البيانات من مصفوفة من مسابير مغناطيسية؛ موضوع فقط داخل جدار الصلب المقاوم للصداً لغرفة الاحتجاز؛ والذي يقيس المجال المغناطيسي المحوري. الجدار الصلب عبارة عن وسيلة حفظ تدفق جيدة على المقاييس الزمنية لهذا التفريغ.
5 تتم توضيح قيم الشدة المدمجة خطيا في الشكل 13ب؛ من مقياس تداخل ع166-00/11 ذو ست أسلاك موضوع عند 2 = 0. باعتبار إزاحة (y) تهيئة مجال معكوس عمودية؛ المقاس بواسطة توموجرافيا قياس الإضتعاع bolometric tomography تقوم نواتج تحويل Abel بإعطاء محيطات كثافة وفقا للأشكال 13ج. بعد بعض الخض sloshing المحوري والقطري أثناء أول 0.1 مل ثانية؛ يستقر تهيئة مجال معكوس مع سمات منخفضة الكثافة. هذه السمات مسطحة بشكل انسيابي؛ مع
0 كثافة أساسية على محورء كما هو مطلوب بواسطة معايرة تهيئة مجال معكوس مثالية ثنائية الأبعاد. تم توضيح درجة حرارة البلازما الكلية في الشكل 13د؛ المشتقة من توازن الضغط وتتكون كليا بواسطة تشتيت Thomson والقياسات الطيفية. يشير تحليل مصفوفة التدفق المستبعد كليا إلى أن شكل تهيئة مجال معكوس فاصل all)
5 بواسطة السماح المحورية للتدفق المستبعد) يتطور تدريجيا من مسار إلى شكل بيضاوي. هذا النشوء؛ المبين في الشكل 14 متوافق مع sale) التوصيل المغناطيسي التدريجي من تهيئة مجال
معكوس (SUE إلى فردي. بالفعل» تشير التقديرات الصلبة إلى أنه في هذه الحالة المعينة حوالي 0 من اثنين من التدفقات المغناطيسية تهيئة مجال معكوس الأولية تقوم بإعادة الاتصال أثناء التصادم . ينكمش طول تهيئة مجال معكوس بشكل ثابت من 3 إلى حوالي 1 متر أثناء عمر تهيئة مجال معكوس. يشير هذا (ELST المرئي في الشكل 14 إلى أن فقد طاقة الحمل بشكل أكثر احتجاز تهيئة مجال معكوس. حيث تقل بلازما الضغط داخل الفاصل بشكل أسرع من الضغط المغناطيسي الخارجي؛ يقوم شد خط المجال المغناطيسي في المناطق الطرفية بضغط تهيئة مجال معكوس محورياء باستعادة المعايرة المحورية والقطرية. بالنسبة للتفريغ المذكور في الأشكال 13 و14 يقل تدفق تهيئة مجال معكوس مغناطيسي؛ بيان جسيم» والطاقة الحرارية thermal energy (حوالي 10 cmWb 0 1097 جسيمات؛ و7 كيلو doa على التوالي) بواسطة حجم في المللي ثانية الأولى؛ عندما تكون هناك معايرة تهيئة مجال معكوس للانخساف. عملية مستديمة - نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تقوم الأمثلة في الأشكال 12 إلى 14 بتمييز تحليل تهيئة مجال معكوس بدون أي استدامة. مع cells يتم استخدام تقنيات متعددة على نظام تهيئة مجال معكوس 10 لتحسين احتجاز تهيئة مجال 5 معكوس بشكل أكبر (لب داخلي وطبقة حافة) إلى نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء واستدامة الآشعة المتعادلة Yl يتم حقن الذرات المتعادلة السريعة (11) بشكل عمودي على AB, آشعة من SWE وسائل حقن شعاع متعادل 600. يتم حقن آشعة الذرات المتعادلة السريعة من لحظة دمج تكوينات تهيئة 0 مجال معكوس الشضمالية والجنوبية في غرفة الاحتجاز 100 في تهيئة مجال معكوس 450 واحد. تتضمن الأيونات السريعة؛ المكونة بشكل أساسي بواسطة استبدال الشحنة؛ مسارات بيتاترون 0 (مع أقطار أساسية على مقياس توبولوجيا تهيئة مجال معكوس أو على الأقل ولكنها أكبر من مقياس طول تدريج المجال المغناطيسي المميز) التي تضيف إلى التيار السمتي azimuthal current لتهيئة مجال معكوس 450. بعد edn من التفريغ (بعد 0.5 إلى 0.8 مل ثانية 5 في الطلقة)؛ تقوم مجموعة أيونية سريعة كبيرة بشكل ملحوظ بتحسين ثبات تهيئة مجال معكوس الداخلي وخواص الاحتجاز (انظر مثا M.W.
Binderbauer and N.
Rostoker, Plasma Phys.
part 3, 451 (1996) 56). علاوة على ذلك؛ من منظور الاستدامة؛ الأضعة من وسائل حقن الشعاع المتعادل 600 هي أيضا الوسيلة الأساسية لتشغيل التيار وتسخين بلازما تهيئة مجال معكوس. في نظام البلازما لنظام تهيئة مجال معكوس 10« تقوم الأيونات السريعة أساسا بالإبطاء على إلكترونات البلازما. أثناء gall المبكر للتفريغ؛ هناك أيونات سريعة لإبطاء متوسط الدوران المثالي بمقدار 0.3 - 0.5 مل ثانية؛ والتي تؤدي إلى تسخين تهيئة مجال معكوس ملحوظ؛ بشكل أساسية بسبب الإلكترونات. تقوم الأيونات السريعة بعمل ضوضاء قطرية كبيرة خارج الفاصل بسبب مجال تهيئة مجال معكوس مغناطيسي داخلي منخفض بشكل كامن (حوالي 0.03 تسلا على متوسط مجال محوري خارجي بمقدار 0.1 تسلا). قد تكون الأيونات السريعة عرضة لشحن فقد التبادل؛ إذا 0 كانت كتثافة الغاز المتعادل عالية جدا خارج الفاصل. بالتالي؛ امتصاص شوائب الجدار وغير من التقنيات Jie) مدفع البلازما 350 والسدادات العاكسة 440 التي تساهم؛ من بين أشياء أخرى؛ في التحكم في الغاز) المستخدم على نظام تهيئة مجال معكوس 10 يميل إلى تقليل الذرات المتعادلة الطرفية وتتيح التراكم المطلوب لتيار الأيون السريع. حقن الكرية 5 عند تراكم مجموعة الأيون السريعة الملحوظة داخل تهيئة مجال معكوس 450؛ مع إلكترونات أعلى في الحرارة وعمر تهيئة مجال معكوس أطول؛ يتم حقن كريات H أو 0 المجمدة في تهيئة مجال معكوس 450 من وسيلة حقن الكريات 700 لاستدامة بيان جسيم تهيئة مجال معكوس لتهيئة مجال معكوس 450. المقاييس الزمنية لنزع المتوقع قصيرة بشكل مناسب لتوفير مصدر جسيم تهيئة مجال معكوس ملحوظ. يمكن زيادة هذا المعدل بواسطة تكبير مساحة سطح القطعة المحقونة 0 بواسطة تكسير الكرية الفردية في شظايا أصغر بينما في البراميل أو أنابيب حقن وسيلة حقن الكريات 700 وقبل دخول غرفة الاحتجاز 100« يمكن تحقيق خطوة بواسطة زيادة الاحتكاك بين الكرية والجدران لأنبوب الحقن بواسطة تضييق قطر الثنية للجزءِ الأخير لأنبوب الحقن قبل الدخول في غرفة الاحتجاز 100. بواسطة تغيير متوالية الإطلاق ومعدل 12 برميل (أنابيب الحقن) بالإضافة إلى التشظي؛ من الممكن ضبط نظام حقن الكرية 700 لتوفير المستوى المطلوب فقط 5 .من بيان استدامة الجسيم. بدوره؛ يقوم هذا بالمساعدة في الضغط الداخلي الحركي في تهيئة مجال معكوس 450 وعملية مستديمة وعمر تهيئة مجال معكوس 450.
بمجرد قيام الذرات المنزوعة بمواجهة البلازما الملحوظة في تهيئة مجال معكوس 450 سوف تكون متأينة كليا. يتم تسخين مكون البلازما البارد الناتج بالتالي بشكل تصادمي بواسطة بلازما تهيئة مجال معكوس الداخلي. يتم توفير الطاقة الضرورية اللازمة للحفاظ على درجة حرارة تهيئة مجال معكوس اللازمة بشكل مثالي بواسطة وسائل حقن الشعاع 600. في هذا المنطق وسائل حقن الكرية 700 بالإضافة إلى نظام تكوين وسائل حقن الشعاع المتعادل 600 silly يقوم بالحفاظ على حالة ثابتة وتقوم باستدامة تهيئة مجال معكوس 450. وسيلة حقن حلقية مضغوطة كبديل لوسيلة حقن الكريات؛ يتم توفير وسيلة حقن حلقية مضغوطة؛ بشكل أساسي لإعادة تغذية الوقود إلى بلازما مجال-تهيئة معكوسة (نهيئة مجال معكوس). تتضمن وسيلة حقن حلقية 0 مضغوطة 720 مدفع بلازما ASH Se المحور ممغنطة magnetized coaxial plasma-gun ((MCPG) والتي؛ كما هو مبين في الأشكال 22 و22ب؛ إلكترودات داخلية وخارجية اسطوانية مشتركة المحور 722 3 724 ملف ميل متموضع داخل الإلكترود الداخلي 726 وفاصل كهربي electrical break 728 على التفريغ الطرفي المقابل لوسيلة حقن حلقية مضغوطة 720. يتم إدخال الغاز خلال فتحة حقن الغاز Gas 730 في فراغ بين الإلكترودات الداخلية والخارجية 722 و724 5 وتبتم توليد بلازما شبيهة ب Spheromak منها بواسطة التفريغ والاتدفاع من المدفع بواسطة قوة Lorentz كما هو مبين في الأشكال 23 و23ب؛ يتم إقران زوج من وسائل حقن حلقية مضغوطة 0 بوعاء الاحتجاز 100 بالقرب من وعلى جوانب متقابلة من المستوى المتوسط للوعاء 100 لحقن حلقية مضغوطة في بلازما تهيئة مجال معكوس المركزي داخل وعاء الاحتجاز 100. يتم توجيه طرف التفريغ لوسائل حقن حلقية مضغوطة 720 تجاه المستوى المتوسط لوعاء الاحتجاز 0 100 عند زاوية إلى المحور الطولي لوعاء الاحتجاز 100 بشكل مشابه لوسائل حقن الشعاع المتعادل 615. في نموذج hi تتضمن وسيلة حقن حلقية مضغوطة 720( كما هو مبين في الأشكال R24 24« أنبوب drift tube dal) 740 يتضمن أنبوب اسطواني مطول مقترن بطرف التفريغ لوسيلة حقن حلقية مضغوطة 720. كما هو مبين» يتضمن أنبوب الإزاحة 740 أنبوب إزاحة ملفات 742 5 متموضع حول ومفرغ محوريا على طول الأنبوب. تم تصوير مجموعة من الفتحات التشخيصية 4 على طول الأنبوب.
مزايا وسيلة حقن حلقية مضغوطة 720 هي: (1) التحكم في وقابلية تعديل بيان جسيم لكل حلقية مضغوطة تم حقنه؛ (2) يتم ترسيب البلازما الدافئة (بدلا من الكريات المبردة)؛ (3) يمكن تشغيل النظام في وضع معدل تكاثر بحيث تسمح بإعادة تغذية الوقود المستمرة؛ (4) يمكن أن يقوم النظام باستعادة بعض التدفق المغناطيسي حيث يقوم حلقية مضغوطة المحقون بحمل مجال مغناطيسي مدمج. في أحد النماذج للاستخدام الاختباري؛ يبلغ القطر الداخلي لإلكترود خارجي 83.1 ملم والقطر الخارجي لإلكترود داخلي 54.0 ملم. يتم طلاء سطح الإلكترود الداخلي 722 بشكل مفضل مغلفة بالتنجستن tungsten لتقليل الشوائب القادمة من الإلكترود 722. كما هو مبين؛ يتم تركيب ملف الميل 726 داخل الإلكترود الداخلي 722. في الاختبارات الحالية تم تحقيق سرعة تحويل حلقية مضغوطة فوق صوتية تصل إلى -100 كيلو 0 متر/ثانية . هناك متغيرات بلازما مثالية أخرى كما هو مبين: BUS الالكترون electron density -1021«*5 م-3؛ درجة حرارة الالكترون -50-30 إلكترون فولطء وييان جسيم -0.5- 0 . يسمح الضغط الحركي all لحلقية مضغوطة بالبلازما المحقونة لاختراق بعمق في تهيئة مجال معكوس وتقوم بترسيب جسيمات داخل الفاصل. في اختبارات حالية أدت sale] تغذية الوقود لجسيم تهيئة مجال معكوس إلى -720-10 بيان جسيم تهيئة مجال معكوس الذي يقوم 5 بتوفير وسائل حقن حلقية مضغوطة التي تبدي بشكل ناجح إعادة تغذية الوقود ليتم حمله بدون إعاقة بلازما تهيئة مجال معكوس. ملفات الارتكاز لتحقيق حالة ثابتة التشفغيل الحالي والحفاظ على تيار الأيون المطلوبة لمنع أو تقليل دوران الالكترون بسبب قوة الاحتكاك غير الالكترونية الأيونية electron-ion frictional force (والتي تنتج 0 من تقل عزم الكترون الأيون التصادمي (ion electron momentum يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 باستخدام تقنية ابتكارية لتوفير تكسير إلكترون عبر قطب ثنائي مغناطيسي استاتيكي مستخددم خارجيا أو مجال رباعي القطب. يتم تحقيق ذلك عبر ملفات الارتكاز الخارجية 460 المبينة في الشكل 15. تقوم المجال المغناطيسي القطري المستعرض المستخدم من ملفات الارتكاز 0 بحث مجال محوري كهربي في بلازما تهيئة مجال معكوس الدوار. يتفاعل تيار الإلكترون 5 المحوري الناتج مع المجال المغناطيسي القطري لإنتاج قوة تكسير سمتية على الإلكترونات؛ Fo=- Lo Vepd| BiH بالنسبة للظروف LG في نظام تهيئة مجال معكوس 10؛ يحتاج القطب ثنائي
المغناطيسي magnetic dipole المستخدم المطلوب (أو قطب رباعي (quadrupole مجال داخل البلازما ليكون بمقدار 0.001 تسلا لتوفير تكسير إلكترون المناسب. المجال الخارجي المناظر بمقدار حوالي 0.015 تسلا صغير بما يكفي لعدم التسبب في فقد ملحوظ في الجسيم السريع أو احتجاز الأثر السلبي. في الواقع؛ يساهم مجال القطب الثنائي المغناطيسي المستخدم (أو قطب رباعي) في قمع حالات عدم الثبات. في توليفة مع حقن شضعاع متعادل متماس وحقن بلازما محورية»؛ تقوم ملفات الارتكاز 460 بتوفير مستوى إضافي من التحكم بشكل متعلق بالحفاظ على وثبات التيار. السدادات العاكسة يسمح تصميم الملفات النبضية 444 داخل السدادات العاكسة 440 بالتوليد الموضعي لمجالات 0 مغناطيسية عالية (2 إلى 4 تسلا) مع طاقة التكثيف طفيفة (حوالي 100 كيلو جول). لتكوين مجالات مغناطيسية مثالية من التشغيل الحالي لنظام تهيئة مجال معكوس 10؛ كل خطوط المجال داخل aaa التكوين عبارة عن تمرير خلال الأجزاء الضيقة 442 عند السدادات العاكسة 440؛ كما هو مقترح بواسطة خطوط المجال المغناطيسي في الشكل 2 ولا يتم تلامس جدار البلازما. علاوة على ذلك؛ يمكن تعديل السدادات العاكسة 440 بالترادف مع أشباه محول مغناطيسي de 416 5 بحيث يتم توجيه خطوط المجال على محولات الإلكترود 910؛ أو خطوط تألق المجال في تهيئة cusp طرفية (غير مبينة). يقوم الأخير بتوفير الثبات وقمع التوصيل المتوازي للإلكترون الحراري .thermal conduction تساهم السدادات العاكسة 440 أيضا بنفسها في التحكم في الغاز المتعادل. تسمح السدادات العاكسة 440 باستخدام أفضل لغاز الديوتيريوم المنتفخ في تكوين أنابيب الكوارتز أثناء تكوين تهيئة 0 مجال معكوس, مع تقليل تيار عودة غاز في المحولات 300 بشكل ملحوظ بواسطة توصيل الغاز الصغير للسدادات (مجموعة ضعيفة 500 لتر (As يتم تأين أغلب الغاز المتبقي المنتفخ داخل أنابيب التكوين 210 بشضكل سريع. علاوة على ذلك؛ تقوم البلازما عالية الكثافة المتدفقة خلال السدادات العاكسة 440 بتوفير التأين المتعادل المناسب وبالتالي حاجز غازي فعال. كنتيجة؛ أغلب الذرات المتعادلة المعاد تدويرها في المحولات 300 من طبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456 لا 5 تعود إلى غرفة الاحتجاز 100. علاوة على ذلك سوف يتم احتجاز الذرات المتعادلة المرتبطة بالعملية من مدافع البلازما 350 (كما هو مذكور أدناه) بالمحولات 300.
أخيرا؛ تميل السدادات العاكسة 440 إلى تحسين احتجاز طبقة حافة تهيئة مجال معكوس. مع نسب عاكسة (سدادة/احتجاز مجالات مغناطيسية) في النطاق 20 إلى 40 وبطول 15 متر بين السدادات العاكسة الشمالية والجنوبية 440؛ يزيد وقت احتجاز جسيم طبقة الحافة ,> بواسطة ما يصل إلى درجة حجم. يقوم تحسين © بزيادة جسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس.
بافتراض أن فقد الجسيم المنتشر القطري (D) radial diffusive من حجم الفاصل 453 المتوازن بواسطة الفقد المحوري (Ti) axial loss من طبقة الحافة 456؛ قد يقوم أحدهم بالحصول على (/ه)(5مآ27) = (0(/58)(ما2)» الذي يمكنه die إعادة كتابة طول تدريج كثافة Jalal) بمقدار “!(ر-0 - 56 . بالتالي د مآ وء« عبارة عن قطر الفاصل»؛ طول الفاصل وشدة الفاصل؛ على التوالي. يبلغ وقت جسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس WN = [7 Le<n> [/[(27rsLs)(Dng8)]
0 ?)><( = حيث i= YD مع 4/وحه. بشكل فيزيائي؛ يؤدي تحسين » إلى زيادة 56 (بتقليل تدريج شدة الفاصل ومتغير الإزاحة)؛ و؛ بالتالي؛ تقليل فقد جسيم تهيئة مجال معكوس. سوف يكون التحسين الكلي في جسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس بشكل عام أقل من = بسبب زيادة ng بواسطة 1 يتطلب التطوير الملحوظ في 1 أيضا أن طبقة الحافة 456 والتي تظل مستقرة بشكل كلي (أي؛ n
gael = 5 محززء؛ خرطوم حريق؛ أو عدم ثبات MHD آخر للأنظمة المفتوحة). يقوم استخدام مدافع البلازما 350 بتوفير ثبات الحافة المفضلة. في هذا المنطق؛ تقوم السدادات العاكسة 440 ومدفع البلازما 350 بتكوين نظام تحكم حافة فعالة. مدافع البلازما تقوم مدافع البلازما 350 بتحسين ثبات الوحدات النفاثة لعادم تهيئة مجال معكوس 454 بواسطة
0 ربط خط. يتم توليد مدفع البلازما من مدافع البلازما 350 بدون العزم الزاوي السمتي azimuthal cangular momentum والذي يقوم بتحسين الفائدة في التحكم في تهيئة مجال معكوس قيم عدم الثبات المنطقي. بالتالي المدافع 350 عبارة عن وسيلة فعالة للتحكم في ثبات تهيئة مجال معكوس بدون الحاجة إلى تقنية تثبيت قطب رباعي. كنتيجة؛ تقوم مدافع البلازما 350 بإتاحة الاستفادة من الآثار المفيدة للجسيمات السريعة أو وصول لنظام تهيئة مجال معكوس الحركي الهجين المتقدم كما
5 هو محدد في هذا الكخف. بالتالي» يقوم مدافع البلازما 350 بإتاحة تشفغيل نظام تهيئة مجال
معكوس 10 مع تيارات ملف ارتكاز بشكل مناسب لتكسير إلكترون ولكنها أقل من القيمة الحدية التي تتسبب في عدم الثبات تهيئة مجال معكوس و/أو تؤدي إلى الانتشار السريع الكبير للجسيم. كما هو مذكور في مناقشة السدادة العاكسة أعلاه؛ إذا كان من الممكن تحسين ,© بشكل ملحوظ؛ قد تتم مقارنة مدفع البلازما الذي تم توفيره مقارنة بمعدل فقد جسيم طبقة الحافة (- 10% /ث). يبلغ عمر البلازما الناتجة بالمدفع في نظام تهيئة مجال معكوس 10 في نطاق le ثانية. بالفعل» باعتبار مدفع البلازما مع كثافة ne - 107 سم * ودرجة حرارة أيون بمقدار حوالي 200 إلكترون فولطء محددة بين السدادات العاكسة الطرفية 440. يبلغ طول المحبس .1 ونسبة العاكس R حوالي jie 5 و20؛ على التوالي. المسار all المتوسط للأيون بسبب تصادم Coulomb هو ii ~ 6 سم وء؛ حيث 08/8ل:ن1 > ob يتم احتجاز الأيونات في النظام الديناميكي للغاز. يبلغ وقت 0 احتجاز البلازما في هذا النظام Tea - .81/217 - 2 مل ثانية؛ حيث Vi عبارة عن سرعة صوت الأيون. للمقارنة؛ وقت احتجاز الأيون التقليدي لهذه المتغيرات الخاصة بالبلازما والتي قد تكون عبارة عن (018(07) + 0.56:)0018 - Te - 0.7 مل ثانية. يمكن أن يقوم انتشار المستعرض الذاتي canomalous transverse diffusion من حيث المبداء بتقصير وقت احتجاز البلازما. مع ذلك؛ في نظام تهيئة مجال معكوس 10؛ إذا افترضنا أن معدل انتشار aly (Bohm diffusion rate وقت 5 الاحتجاز المستعرض المقدر لمدفع البلازما .> > 1a - 2 مل ثانية. بالتالي؛ قد يقوم المدافع بتوفير إعادة التزويد بالوقود القوية لطبقة حافة تهيئة مجال معكوس 456؛ وجسيم احتجاز تهيئة مجال معكوس الكلي المحسن. علاوة على ذلك؛ (Say تشغيل مدفع تيارات البلازما في حوالي 150 إلى 200 ميكروتثانية؛ والتي تسمح باستخدام في بدء تهيئة مجال معكوس؛ التحول؛ والدمج في غرفة الاحتجاز 100. عند 0 التشغيل حوالي تسلا - 0 (بدء بنك تهيئة مجال معكوس الساسي)؛ يساعد مدفع البلازما في استدامة تهيئة مجال معكوس 450 الحالية المكونة والمدمج. سوف يكون الجسيم المدمج من تهيئة مجال معكوس للتكوينات ومن المدافع مناسب لإمساك شعاع Jaleo تسخين بلازماء واستدامة طويلة. عند التشغيل عند تسلا في النطاق -1 إلى 0 مل ثانية؛ يمكن أن يقوم مدفع البلازما بلمء أنابيب الكوارتز 210 مع بلازما أو تأين الغاز المنفوخ في أنابيب الكوارتز؛ وبالتالي تسمحبتكوين 5 تهيئة مجال معكوس مع غاز منفضخ صفري أو منخفض. يمكن أن تتطلب الأخيرة بلازما تكوين باردة مناسبة للسماح بالانتشار السريع لالمجال المغناطيسي المائل المعكوس. عند التشغيل عند
زمن > -2 مل ثانية؛ يمكن أن تقوم تيارات البلازما بملء حوالي 1 إلى 3 م حجم خطي للمجال لأنظمة التكوين والاحتجاز لأجزاء التكوين 200 وغرفة احتجاز 100 مع شدة البلازما بمقدار 1013 سم © بشكل مناسب للسماح لتراكم شعاع متعادل قبل وصول تهيئة مجال معكوس. يمكن بالتالي تكوين وتحويل تهيئة مجال معكوس للتكوينات في وعاء احتجاز البلازما الناتجة. بهذه الطريقة تسمح مدافع البلازما 350 بتشكيلة واسعة من ظروف التشغيل والأنظمة المتغيرة. الإمالة الكهربية Electrical Biasing يفيد التحكم في سمات المجال الكهربي القطري في طبقة الحافة 456 في العديد من طرق تثبيت واحتجاز تهيئة مجال معكوس. بواسطة مكونات الإمالة الابتكارية المستخدمة في نظام تهيئة مجال معكوس 10 من الممكن تطبيق تشكيلة من التوزيعات المتعمدة للقدرة الكهربية إلى مجموعة من 0 أسطح التدفق المفتوحة خلال الماكينة من مناطق خارج منطقة الاحتجاز المركزي في غرفة الاحتجاز 100. بهذه الطريقة يمكن توليد المجالات الكهربية القطرية عبر طبقة الحافة 456 خارج تهيئة مجال معكوس 450. وهذه المجالات الكهربية القطرية بالتالي تقوم بتعديل الدوران السمتي لطبقة الحافة 456 ويتمثل تأثيرها في الاحتجاز عبر سرعة قص ExB يمكن إرال أي دوران متمايز بين طبقة الحافة 456 ولب تهيئة مجال معكوس 453 بالتالي إلى داخل بلازما تهيئة مجال 5 معكوس بواسطة القص. كنتيجة؛ يؤثر التحكم في طبقة الحافة 456 مباشرة على لب تهيئة مجال معكوس 453. علاوة على ذلك» حيث الطاقة الحرة في دوران البلازما يمكن أن تكون مسئولة عن حالات عدم الثبات؛ تقوم هذه التقنية بتوفير وسيلة للتحكم في بدء ونمو حالات عدم الثبات. في نظام تهيئة مجال معكوس 10 تقوم إمالة الحافة المناسبة بتوفير التحكم الفعال في نقل ودوران خط المجال المفتوح بالإضافة إلى دوران اللب تهيئة مجال معكوس. يسمح موضع وشكل العديد من 0 الإلكترودات المقدمة 900 905 910 و920 بالتحكم في مجموعات مختلفة من أسطح التدفق 5 وعند احتمالات مختلفة ومنفصلة. بهذه الطريقة يمكن تحقيق تشكيلة واسعة من مجالات التهيئة الكهربية المختلفة (Sang تحقيق القوى؛ وكل منها له أثر مميز مختلف على أداء البلازما. ثمة ميزة أساسية لكل تقنيات الإمالة الابتكارية وهي أنه يمكن التأثير على سلوك بلازما اللب والحافة من خارج بلازما تهيئة مجال معكوس؛ أي لا حاجة إلى جعل أي مكونات تتلامس مع 5 البلازما المركزية الساخنة (والتي قد يكون لها تأير ضار على الطاقة؛ وفقد في التدفق والجسيم).
وهذا أثر مفيد أساسا على الأداء والتطبيقات المحتملة لمفهوم نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء . البيانات الاختبارية - تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء يلعب حقن الجسيمات السريعة عبر أشعة من مدافع الشعاع المتعادل 600 دورا مهما في نظام نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. تشرح الأشكال 16أ؛ 16ب؛ 16ج و16د هذه الحقيقة. تم توضيح مجموعة من المنحنيات التي تبين كيفية ارتباط عمر تهيئة مجال معكوس بطول نبضات الآشعة. يتم الحفظ على ظروف التشغيل الأخرى ثابتة لكل التفريغات التي تتضمن هذه الدراسة. يتم عمل متوسط البيانات في مقابل العديد من الطلقات و؛ بالتالي؛ Jia سلوكا مثاليا. من الواضح 0 أن مدة الشعاع الأطول تعطي تهيئة مجال معكوس أطول عمرا. باعتبار هذا الدليل بالإضافة إلى التشخيصات الأخرى أثناء هذه الدراسة؛ يتضح أن الآشعة تزيد من الثبات وتقلل الفقد. العلاقة بين الطول النبضي للشعاع وعمر تهيئة مجال معكوس غير مثالية حيث يصبح احتجاز الشعاع غير مناسب أقل من حجم بلازما معين؛ أي؛ حيث ينكمش تهيئة مجال معكوس 450 في الحجم المادي ولا تتم مقاطعة واحتجاز كل الآشعة المحقونة. ينتج انكماش تهيئة مجال معكوس أساسا عن حقيقة 5 أن الفقد الصافي في الطاقة (- 4 ميجاواط بحلول منتصف عملية التفريغ) من بلازما تهيئة مجال معكوس أثناء التفريغ أكبر من القدرة الكلية المغذاة في تهيئة مجال معكوس عبر الآشعة المتعادلة (-2.5 ميجاواط) للضبط الاختباري المحدد. قد يميل تموضع الآشعة عند موضع أقرب إلى المستوى المتوسط للوعاء 100 إلى تقليل الفقد ومد عمر تهيئة مجال معكوس. تشرح الأشكال 17 17ب» 17ج و17د آثار المكونات المختلفة لتحقيق نظام نظام تهيئة مجال 0 معكوس عالي الأداء. وهي تبدي عائلة من المنحنيات المثالية التي تصور عمر تهيئة مجال معكوس 450 كدالة للزمن. في كل الحالات يتم حقن مقدار ثابت طفيف من قدرة الشعاع (حوالي 5 ميجاواط) على طول المدة الكاملة لكل عملية تفريغ. يمثل كل منحنى توليفة مختلفة من المكونات. على سبيل المثال؛ يؤدي تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس 10 بدون أي سدادات عاكسة 440؛ مدافع البلازما 350 أو امتصاص الشوائب من الأنظمة امتصاص الشوائب 800 5 إلى بدء سريع في عدم ثبات الدوران وفقد في توبولوجيا تهيئة مجال معكوس. تقوم إضافة السدادات العاكسة 440 فقط إلى تأجيل بدء حالات عدم الثبات وزيادة الاحتجاز. باستخدام توليفة السدادات
العاكسة 440 ومدفع البلازما 350 أيضا بتقليل حالات عدم الثبات وتزيد من عمر تهيئة مجال معكوس. وأخيرا تقوم إضافة امتصاص الشوائب (التيتانيوم في هذه الحالة) فوق المدفع 350 والسدادات 440 بإعطاء أفضل نتيجة- ويكون تهيئة مجال معكوس الناتج خالي من حالات عدم الثبات ويبدي عمر أطول. من الواضح من هذا الاختبار أن التوليفة الكاملة للمكونات يقوم بإنتاج أفضل أثر وبقوم بتزويد الآشعة بالظروف المستهدفة الأفضل. كما هو مبين في الشكل ل يبدي نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء المكتشف حديثا سلوك نقل محسن بشكل كبير. يشرح الشكل 1 التغير في وقت احتجاز الجسيم في نظام تهيئة مجال معكوس 10 بين النظام التقليدي ونظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. كما هو مبين؛ تم تحسينه بمعامل بمقدار 5 في مقابل نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء. علاوة على ذلك؛ يبين 0 الشكل 1 زمن احتجاز الجسيم في نظام تهيئة مجال معكوس 10 نسبة إلى زمن احتجاز الجسيم في اختبارات تهيئة مجال معكوس تقليدية السابقة. فيما يتعلق بهذه الآليات الأخرى؛ قام نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء لنظام تهيئة مجال معكوس 10 بتحسين الاحتجاز بمعامل بمقدار بين 5 وقريب من 20. أخيرا cage JS dg تختلف طبيعة قياس الاحتجاز لنظام تهيئة مجال معكوس 0 في نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء بشكل كبير عن كل القياسات. قبل تكوين نظام 5 تهيئة مجال معكوس عالي الأداء في نظام تهيئة مجال معكوس 10؛ تم اشتقاق العديد من قوانين القياس التجريبية من البيانات الخاصة بتوقع أزمنة الاحتجاز في اختبارات تهيئة مجال معكوس السابقة. تعتمد قوانين القياس هذه في الأغلب على نسبة :م/82؛ حيث R عبارة عن قطر المجال المغناطيسي المتلاشضي (قياس الفقد في المقياس الفيزيائي للماكينة) وم عبارة عن قطر لارمور للأيون ion larmor radius المقيم في المجال ١ 5 لمستخدم خارجيا (قياس الفقد في منفذ المجال 0 المغناطيسي). من الواضح من الشكل 1 أن الاحتجاز الطويل في تهيئة مجال معكوس تقليدي فقط بشكل محتمل عند حجم ماكينة كبير و/أو مجال مغناطيسي عالي. يميل تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس 10 في نظام تهيئة مجال معكوس تقليدي إلى تتبع هذه القوانين الخاصة بالقياس؛ كما هو مشار إليه في الشكل 1. مع ذلك؛ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء متفوق بشكل واسع sag أن هناك الكثير من الاحتجاز الأفضل القابل للحصول عليه بدون حجم ماكينة كبير أو 5 مجالات مغناطيسية عالية. بشكل أهم؛ قد يكون من الواضح من الشكل 1 أن نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء يؤدي إلى زمن احتجاز محسن مع حجم بلازما منخفض مقارنة بنظام تهيئة
مجال معكوس تقليدي. هناك ميول مشابهة لأزمنة التدفق وطاقة الاحتجازء كما هو موضح أدناه؛ والذي زائد بمعامل 8-3 في نظام تهيئة مجال معكوس 10 أيضا. يقوم الفاصل خلال نظام تهيئة مجال معكوس Mo الأداء؛ بالتالي؛ بإتاحة استخدام قدرة شعاع طفيفة؛ مجالات مغناطيسية أقل وحجم أصغر لاستدامة والحفاظ على توازنات تهيئة مجال معكوس في نظام تهيئة مجال معكوس وآليات طاقة عالية الطاقة. يتزامن مع هذه التحسينات تكاليف تشغيل وبناء أقل بالإضافة إلى للمزيد من المقارنة؛ تبين الأشكال 118( 18ب؛ 18ج و18د البيانات من نظام تفريغ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي في نظام تهيئة مجال معكوس 10 كدالة للزمن. يصور الشكل 8 قطر التدفق المستبعد عند المستوى المتوسط. بالنسبة لهذه المقاييس الزمنية لم يتم تثبيت
0 الجدار الصلب الموصل جيدا بنفس مقدار وسيلة حفظ التدفق والمسابير المغناطيسية داخل الجدار مع مسابير خارج الجدار لاعتبار انتشار التدفق المغناطيسي خلال الصلب steel مقارنة بالأداء المثالي في نظام dings مجال معكوس تقليدي؛ كما هو مبين في الأشكال 113 13ب» 13ج و13د؛ يقوم وضع تشغيل نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء بإبداء عمر أطول بمقدار 7400. تم توضيح سلك تمثيلي لأثر الكثافة الخطلية المدمجة في الشكل 18ب مع مكمل Abel محول؛
5 محيطات الكثافة؛ في الشكل 18ج. مقارنة بنظام تهيئة مجال معكوس لنظام تهيئة مجال معكوس تقليدي؛ كما هو مبين في الأشكال 113 13ب»؛ 13ج و13د؛ البلازما أكثر خمولا في النبضة؛ وهو مايشير إلى التشغيل المستقر جدا. الكثافة القمية أقل بشكل طفيف أيضا في طلقات نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء - وهي نتيجة لدرجة حرارة البلازما الكلية الأسخن (بمعامل يصل إلى 2) كما هو مبين في الشكل 8 1د.
0 بالنسبة للتفريغ المناظر في الأشكال 118( 18ب؛ 18ج و18د؛ تبلغ أوقت تدفق الطاقة؛ واحتجاز الجسيم 0.5 مل ثانية؛ 1 مل ثانية و1 مل ثانية؛ على التوالي. عند وقت مرجعي ل 1 مل ثانية في التفريغ؛ تبلغ طاقة البلازما المخزنة 2 كيلو جول بينما يكون الفقد حوالي 4 ميجاواط وهو ما يجعله هدفا مناسبا جدا للاستدامة الشعاع المتعادل. يقوم الشكل 19 بتلخيث كل مزايا نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء في صورة قياس احتجاز
5 التتدفق نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء الاختباري المحدد. كما هو مبين في الشكل 19؛ بناء على القياسات المأخوذة قبل وبعد زمن = 0.5 مل ثانية؛ أي؛ زمن > 0.5 مل ثانية و < 0.5 مل
ثانية؛ قياسات احتجاز التدفق (و بشكل مشابه؛ جسيم احتجاز وطاقة احتجاز) مع مريع درجة حرارة الالكترون )72( لقطر الفاصل المحدد (). وهذا القياس القوي بالقدرة الإيجابية ل Te (و ليس القدرة السلبية) على العكس LIS مما تم توضيحه بواسطة tokomaks التقليدية؛ حيث يكون الاحتجاز متناسب بشكل مثالي مع بعض قدرة درجة حرارة الالكترون. أعراض متتالية هذا القياس هي حالة نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء ومجموعة أيون المسار الكبير (أي مسارات على مقياس تويولوجيا تهيئة مجال معكوس و/أو على الأقل مقياس طول تدريج المجال المغناطيسي المميز). بشكل أساسي؛ يقوم هذا القياس الجديد بتفضيل درجات حرارة التشغيل العالية وتسمح لمفاعلات ذات حجم خفيف نسبيا. تقدم مزايا نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء؛ استدامة تهيئة مجال معكوس أو حالة ثابتة تم 0 تشغيلها بواسطة آشضعة متعادلة ALG للتحقيق؛ وهو ما يعني متغيرات بلازما عالمية fie بلازما الطاقة الحرارية؛ العدد الكلي للجسيم؛ يستديم قطر وطول البلازما بالإضافة إلى تدفق مغناطيسي عند مستويات منطقية بدون التحلل الأساسي. للمقارنة؛ يبين الشكل 20 البيانات في مخطط A من نظام تفريغ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي في نظام تهيئة مجال معكوس 10 كدالة للزمن وفي مخطط B لنظام تفريغ نظام تهيئة مجال معكوس عالي الأداء تمثيلي بارز في نظام 5 تهيئة مجال معكوس 10 كدالة للزمن حيث يستديم تهيئة مجال معكوس 450 بدون تحلل خلال مدة نبضة الشعاع المتعادل. بالنسبة لمخطط cA تم حقن آشعة متعادلة مع القدرة الكلية في نطاق حوالي 2.9-2.5 ميجاواط في تهيئة مجال معكوس 450 للطول النبضي للشعاع النشط بمقدار حوالي 6 مل ثانية. كان عمر البلازما ضعيفة النفاذية المغناطيسية المصور في المخطط A حوالي 2 مل ثانية. تبين البيانات الحالية عمر بلازما ضعيفة النفاذية المغناطيسية بمقدار حوالي 7.2 0 مل ثانية قابل للإتاحة مع الطول النبضي للشعاع النشط بمقدار حوالي 7 مل ثانية. كما هو مطلوب أعلاه فيما يتعلق بالأشكال 16أ؛ 16ب؛ 16ج و16د.؛ العلاقة بين الطول النبضي للشعاع وعمر تهيئة مجال معكوس غير مثالي حيث يكون احتجاز الشعاع غير مناسب تحت حجم بلازما معين؛ أي؛ حيث ينكمش تهيئة مجال معكوس 450 في حجم فيزيائي وولا تتم مقاطعة واحتجاز الآشعة المحقونة. ينتج انكماش أو تحلل لتهيئة مجال معكوس بشكل أساسي بسبب حقيقة 5 أن فقد الطاقة الصافي (- 4 ميجاواط لحين انتهاء منتصف التفريغ) من بلازما تهيئة مجال معكوس أثناء التفريغ إلى حد ما أكبر من القدرة الكلية المغذاة في تهيئة مجال معكوس عبر
dai) المتعادلة (-2.5 ميجاواط) للوضع الاختباري المحدد. كما هو ملحوظ فيما يتعلق بالشكل 3ج؛ يقوم الحقن الموجه بزاوية الشعاع من مدافع الشعاع المتعادل 600 تجاه المستوى المتوسط بتحسين إقران شعاع-بلازماء حتى مع انكماش بلازما تهيئة مجال معكوس أو الانكماش محوريا أثناء فترة الحقن. علاوة على ذلك؛ تقوم إعادة تغذية الوقود الحبيبي المناسبة بالحفاظ على شدة البلازما الضرورية. مخطط B هو ناتج دورات الحث باستخدام الطول النبضي للشعاع النشط بمقدار حوالي 6 مل ثانية وقدرة الشعاع الكلية من مدافع الشعاع المتعادل 600 أكثر بقليل من حوالي 10 ميجاواط حيث تقوم الآأشضعة المتعادلة بحقن الذرات (Dl) H المتعادلة مع جسيم طاقة بمقدار حوالي 15 كيلو إلكترون فولط. يبلغ التيار المكافئ المحقون بواسطة كل من الآشعة حوالي 110 أمبير. بالنسبة 0 للمخطط © كانت زاوية حقن الشعاع على محور الجهاز حوالي 20 القطر المستهدف 0.19 م. يمكن تغيير زاوية الحقن داخل النطاق 15" - 025 سيتم حقن الآشضعة في إتجاه سمت التيار المشترك . سوف يتم تقليل قوة الجانب الصافية بالإضافة إلى القوة المحورية الصافية من حقن عزم الشعاع المتعادل. مع مخطط (A يتم حقن ذرات (H) السريعة المتعادلة من وسائل حقن الشعاع المتعادل 600 من لحظة دمج تكوينات تهيئة مجال معكوس الشمالية والجنوبية في غرفة الاحتجاز 5 100 في تهيئة مجال معكوس 450 واحد. عمليات الحث حيث المجموعة الخاصة بمخطط B تستخدم وسائل حل Hall- MHD متعددة الأبعاد للبلازما الخلفية والمعايرة» وسائل الحل القائمة على أساس Monte-Carlo الحركية الكلية لمكونات الشعاع الخاصة بالطاقة وكل عمليات التشتيت؛ بالإضافة إلى عائل معادلات النقل المقترنة لكل أنواع بلازما لنمذجة العمليات الخاصة بالفقد التفاعلي. تتم معايرة مكونات النقل بشكل تجريبي ويتم 0 تعليمها بشكل ممتد ضد قاعدة البيانات الاختبارية. كما هو مبين بواسطة مخطط (B سوف تكون الحالة الثابتة ضعيفة النفاذية المغناطيسية عمر تهيئة مجال معكوس 450 هي طول نبضة الشعاع. مع eld من المهم ملاحظة أنالعلاقة الأساسية لمخطط 3 يبين أن عند إطفاء الآشعة تبداً البلازما أو تهيئة مجال معكوس بالتحلل في هذا الوقت؛ ولكن ليس قبل ذلك. سوف يكون التحلل مشضابه للذلك الملحوظ في حالات التفريغ التي تتم 5 مساعدتها بشكل محتمل بمقدار 1 مل ثانية بعد وقت إطفاء الشعاع - وهي بشكل بسيط عبارة عن انعكاس لزمن التحلل المميز للبلازما المفعلة بواسطة عمليات الفقد الكامنة.
العودة إلى الأشكال 121 21« 221 21د و21ه؛ تشير النتائج الاختبارية الموضحة في الأشكال إلى تحقيق استدامة تهيئة مجال معكوس أو حالة ثابتة تم تفعيلها بواسطة موجه بزاوية آشعة متعادلة» «sf متغيرات البلازما العالمية Jie قطر البلازماء شدة البلازماء درجة حرارة البلازما بالإضافة إلى التدفق المغناطيسي قابلة للاستدامة عند مستويات ثابتة بدون تحلل في ارتباط مع مدة نبض NB على سبيل المثال» يتم الحفاظ على متغيرات البلازما ثابتة أساسا ل -5+ مل ثانية. يتضمن أداء البلازما هذاء شاملا خاصية الاستدامة؛ وله ارتباط قوي طوال مدة نبض (NB مع نزع مغناطيسية مستديمة بمقدار عدة Me ثواني بعد إنهاء NB بسبب تراكم الأيونات السريعة. كما هو مبين» يتم تقييد أداء البلازما فقط بواسطة قيود طول النبضة الناشئة من الطاقات المطلقة المخزنة في قيم تزويد القدرة ذات الصلة للعديد من الأنظمة الحرجة؛ Jie وسائل حقن NB بالإضافة إلى مكونات نظام أخرى. آشعة متعادلة طاقات شعاع قابلة للضبط كما هو مطلوب أعلاه فيما يتعلق بالأشكال 3 3قب» 3ج؛ 3د 3ه و8؛ يتم نشر الآشعة الذرية المتعادلة 600 على نظام تهيئة مجال معكوس 10 لتوفير التسخين والتشغيل الحالي بالإضافة إلى تطوير جسيم سريع الضغط. تتضمن خطوط الشعاع الفردية أنظمة حقن شعاع ذري متعادل 600 5 موضوع حول غرفة الاحتجاز المركزية 100 و؛ كما هو مبين في الأشكال 3ج؛ 3د و3ه؛ بشكل مفضل موجه بزاوية لحقن الجسيمات المتعادلة تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز 100. لتحسين استدامة تهيئة مجال معكوس وتوضيع زبادة تهيئة مجال معكوس تصل إلى درجة حرارة البلازما العالية وطاقات النظام المرتفعة؛ يتضمن نظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10 نظام وسيلة حقن شعاع متعادل 600 للقدرة الزائدة والطول النبضي الممتد؛ Olle للأغراض التمثيلية فقطء قدرة 0 بققدار حوالي 20+ ميجاواط مع ما يصل إلى 30 مل ثانية الطول النبضي. يتضمن نظام وسيلة حقن شعاع متعادل 600 مجموعة من وسائل الحقن القائمة على أساس الأيون الإيجابي 615 (انظر الأشكال 3د و3ه) Ally تبدي تصميم نموذجي مرن؛ مع مجموعة ثانوية من وسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615؛ مثلاء أربعة )4( من أصل ثمانية )8( وسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615؛ تتضمن القدرة على ضبط طاقة الشعاع أثناء طلقة من طاقة شعاع أولية أقل 5 إلى طاقة plas مرتفعة؛ Sie من حوالي 15 كيلو إلكترون فولط إلى حوالي 40 كيلو إلكترون فولط عند تيار شعاع ثابت. هذه القدرة الخاصة بوسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615
مطلوية لتحقيق المزيد من التسخين المناسب وضغط لب البلازما 450. (lad تسمح هذه القدرة بتحسين الأداء بشكل مطلوب عند مستوى طاقة التشغيل القمية مقارنة بمستوى الطاقة المنخفضة: على سبيل المثال» (1) بمعامل أعلى بمقدار 2* من قدرة التسخين؛ (2) تقليل قريب من 5 أضعاف في استبدال الشحنة؛ و(3) ما يصل إلى ضعف فعالية التسخين. علاوة على ذلك؛ تقوم طاقة الشعاع القابلة للإنتاج المتغيرة بشكل مستمر بواسطة وسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615 بإتاحة توافق المتغيرات المدارية للأيونات السريعة المحقونة والمحتجزة نسبة إلى سمات الضغط المغناطيسي الآني أثناء عملية الزيادة. أخيراء تقوم معدلات الزيادة السريعة؛ التي تتيح مدة زيادة قدرها 10-0.1 مل ثانية؛ بالإضافة إلى قابلية ضبط سريعة (بمقدار 1 مل ثانية أو أقل) لطاقة الشعاع وقدرة وسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615 بتوفير "وسائل تحكم "control knobs 0 إضافية فعالة؛ oof خواص قابلة للتحكم فيهاء لتشكيل البلازما والتحكم في التغذية الراجعة النشطة للبلازما عبر تضمين طاقة الشعاع والقدرة. هناك حاجة إلى قدرة التسخين المناسبة لاتاحة التسخين وضغط تهيئة مجال معكوس 450؛ وكل منها للاستدامة بالإضافة إلى زيادة درجة حرارة البلازما العالية وطاقات النظام المرتفعة. بافتراض معدل ات الفقد المنخفضة بشكل مناسب؛ كان معدل الزيادة gle عن دالة على مقدار القدرة التي 5 يمكن وضعها في لب تهيئة مجال معكوس 450 بواسطة وسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 5 في أي وقت معين. بالتالي؛ دائما ما تكون هناك حاجة إلى قدرة أعلى للشعاع المتعادل خلال فتحة الحقن. علاوة على ذلك؛ معدل التسخين الفعال بسب وسائل حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615 عبارة عن تفاعل معقد بين خواص الشعاع المحقون وبالتالي السمات الآنية المستديمة لدرجات حرارة كل 0 الأنواع؛ الإلكترون وقيم شدة الأيون؛ التركيز المتعادل؛ بالإضافة إلى المجال المغناطيسي عبر لب تهيئة مجال معكوس 450. يتم تغيير سمات المجال المغناطيسي هذه بشكل مقصود على مقاييس زمنية أقل من مللي ثانية أثناء الزيادة بواسطة نظام التحكم؛ بينما كانت السمات dda pal بالضغط الحركي تتطور عبر التغيرات الكامنة المشضتقة من هذه العمليات ذات التنظيم والاضطراب داخل البلازما بالإضافة إلى الطاقة المرسبة بواسطة عملية الحقن. تقوم قابلة ضبط الآشعة بتوفير وسيلة لتهيئة ظروف التغيير هذه.
Sle تبديل المقطع العرضي للشحنة؛ أي احتمالية إمساك الإلكترون بواسطة أيون سريع لتكوين ذرة متعادلة؛ عبارة عن وظيفة قوية لطاقة الشضعاع. بالنسبة لنطاق 40-15 كيلو إلكترون فولط» يقل معدل استبدال الشحنة الأساسي كدالة لطاقة الشعاع. بالتالي؛ عند أي مستوى محدد من المجال؛ يكون احتجاز الطاقة في البلازما أعلى عند حقن الجسيمات عند الطاقة الأعلى متوافقا مع مستوى هذا المجال (من بين أشياء أخرى؛ وهذا يتطلب أن تؤدي طاقة الجسيمات المحقونة إلى قطر مدار
أيون محتجز والذي يتلائم داخل الجدار الداخلي لنظام الاحتجاز). هناك مثال AT على آثار السمات على فعالية التسخين الكلية والتي يجب أن يتم استخدامها مع ترسيب القدرة. سوف تؤدي طاقة الشعاع الأعلى بشكل مثالي إلى ترسيب طاقة أعلى نسبيا في تهيئة مجال معكوس محيطية في مقابل اللب. سوف يؤدي رفع المجال المغناطيسي؛ مع الحفاظ
0 على طاقة الشعاع الخاص cy إلى مسارات أيون محتجزة وإقران قدرة el بلب تهيئة مجال معكوس بلازما. تتضمن هذه الحقائق بالتالي أثر قوي على احتجاز الطاقة Load - مثلا يتم نقل الطاقة المريسبة محيطيا خارج النظام على طول خط بنية المجال المفتوح؛ بينما تكون الطاقة المرسبة في اللب ناتجة عن أوقات نقل المجال الأقل. بالتالي؛ يقوم التنسيق المحكم لزيادة المجال المغناطيسي والزيادة المناسبة في طاقة الشعاع.
5 يتم تصميم نظام الشعاع 600 لزيادة الفولطية بشكل سريع في نطاق 10-0.1 مل ثانية. ويقوم هذا بتوفير القدرة على زيادة درجة حرارة الأيون والالكترون بمعاملات بمقدار 2 و10 على التوالي؛ وتقوم بذلك على قياسات زمنية أقصر من أوقات نمو عدم الثبات الماكروسكوبية. بالتالي؛ تتم زيادة ثبات البلازما بشكل أساسي؛ كاعتمادية قابلية انتاجية عملية. تقوم زيادة أوقات الفولطية المتغيرة بمقدار 0.05 إلى 1 مل ثانية بتوفير أوقات استجابة سريعة
0 مناسبة بحيث يمكن استخدام da dV) كجزءٍ من نظام تغذية راجعة نشطة. بهذه الطريقة؛ يمكن استخدام تضمين الشعاع للتحكم في ثبات بحجم الماكرو أو الميكرو. مثلا؛ بالإزاحة اللحظية لسمات ترسيب القدرة القطرية بواسطة تغيير طاقة الشعاع (و بالتالي إزاحة مطق ترسيب طاقة القطرية)؛ يمكن أن يقوم التأثير على تدريجات الضغط بعمل موازنة مضادة لأوضاع البلازما غير المستقرة. يقوم نظام تهيئة مجال معكوس 10 المبين في الأشضكال 3د و3ه باستخدام هذه القدرة
5 بالإضافة إلى التغذية الراجعة المغناطيسية السريعة للتحكم في الإمالة الداخلية؛ معدل الدوران وتطوير موجة الإزاحة وغيرها من السيناريوهات التشغيلية.
يبين الشكل 25 شرح وسيلة حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615 لنظام تهيئة مجال معكوس الحالي 10. تم توضيح وسيلة حقن وسيلة حقن شعاع متعادل 615؛ في نموذج مثالي»بحيث يتضمن: مشغل قوسي ¢650 صندوق بلازما plasma box ¢651 نظام أيون بصري ion optical (IOS) system 652؛ يتضمن تجميع صمام ثلاثي triode أو صمام رباعي tetrode للاستخلاص 55 وشبكات التسارع؛ جيمبال gimbal استهداف 653؛ وسيلة معادلة 654؛ تتضمن وسائل تبخير قوسية arc evaporators 655؛ Ola «(Jie وسائل تبخير قوسية التيتانيوم» مضخة باردة 656 تتضمن بنيات سطحية؛ مثل؛ Ole بنيات سطحية مضلعة؛ مهيأة للضخ الزائد على البارد؛ ومغناطيس تحويل 6 لإزالة الأيونات غير المحايدة؛ وفتحة موازاة collimating aperture 658« شاملة مقياس كالوري LE calorimeter للإدخال 659 لوصف الشعاع المتقطع؛ خواص التشخيص
0 وإعادة المعايرة. بالإشارة تحديدا إلى الشكل 26 تنفيذ نظام الشعاع القابل للضبط؛ كما هو مبين؛ بشكل مفضل بناء على نظام أيون بصري من نوع صمام ثلاثي triode 660. الفكرة هي مخطط التسارع- التباطؤ. كما هو مبين في الشكل 26؛ يتم ضبط شبكة أولى GI على فولطية 71؛ بينما يتم ضبط الشبكة الثانية 62 على فولطية V2 ويتم ضبط الشبكة الثالثة G3 على فولطية 73. يتم تسريع الأيونات المستخلصة أولا إلى طاقة El1=e*(V1-V2) أثناء الاستعراض خلال الفجوة بين 61 و62 Lac) تشير إلى الشحنة الكهربية للأيون). aig تباطؤها بالتالي في الفجوة بين G2 و03 بحيث تكون (V3-V2)e*+EI=E2 يتم تعديل قيم الفولطية بشكل مثالي بحيث تكون 71<72>173. بناء على القدرة الفردية المناسبة المزودة (PS3 (PS2 (PST يمكن تعديل قيم الفولطية للشبكة أثناء النبضة بحيث يتم تغيير خرج الأيونات المنبعثة 662. على سبيل المثال؛ لبدء نبضة الشعاع لذرات 0 ميدروجين؛ يمكن تعديل قيم فولطية التشفغيل إلى 15-71 كيلو kl 72--25 كيلو فولط و0-73 فولط. بالتالي يتم تسريع أيونات الشعاع الأولية أولا إلى 40 كيلو إلكترون فولط وبالتالي تظهر من نظام أيون بصري مع طاقة 15 كيلو إلكترون فولط. بعد ذلك في النبضة؛ يمكن تبديل إمدادات القدرة لتوفير 40-671 كيلو 1-=V2 lg كيلو dal 0173 7. سوف يكو تباط الشعاع في الفجوة الثانية بالتالي غائبة بشكل مثالي؛ بما يعطي خرج طاقة شعاع تقريبا 40 كيلو 5 إلكترون فولط. وسوف تكون قدرات إمداد القدرة بشكل فردي قابلة للتحكم فيها بشكل فردي وتعطي تضمين فولطية مناسب. يتم رسم أيونات الشعاع الأولية من عدد من الأقواس المعيارية أو مصدر
البلازما PS القائم على أساس التردد اللاسلكي. بعد الظهور من نظام أيون بصري 660؛ تستعرض أيونات الشعاع 662 عبر وسيلة معادلة 664 حيث تتحول الأيونات السربعة إلى أيونات متعادلة عبر استبدال الشحنة للإلكترونات من الغاز المتعادل البارد الموجود في وسيلة المعادلة 664. يقوم الضخ على البارد المناسب بمنع تسريب الغاز المتعادل من الفتحة البعدية لوسيلة المعادلة 664. عند نهاية وسيلة المعادلة ويالتالي هناك مغناطيس ثني مناسب 666 والذي يقوم بتوفير إزالة أيونات سريعة غير محايدة 663 ومخزن sl) ذو الصلة 668 لامتصاص الأيونات السريعة وطاقته. يمر شعاع الذرة الناشضئ 670 بالتالي خلال فتحة مناسبة 6720 لتقليل انحراف الشعاع ويعطي تيار موازي جيدا لذرات متعادلة تجاه لب المفاعل. في النسخة البديلة؛ يقوم نظام أيون بصري بناء على تصميم صمام رباعي. في هذه الحالة يتكون 0 نظام أيون بصري من أربعة شبكات والتي لها نفس Tae التسارع-التباطؤ كما هو مبين في حالة الصمام الثلاثي. سوف يكون الخبراء في المجال قادرين على معرفة التشابه بين مكونات النظام ومبادئ التشغيل. يقوم إدخال الشبكة الرابعة بتوفير المزيد من الضبط الدقيق ومرونة تشغيل أكثر دقة. تم وصف النماذج المثالية المقدمة هنا في طلب براءة الاختراع المؤقتة الأمريكية رقم 5 4144574/62 وقد تم دمج هذا الطلب بالإشارة إليه كمرجع هنا. ثبات البلازما والتحكم في الموضع المحوري تقدم الحلول التقليدية لحالات عدم ثبات تهيئة مجال معكوس بشكل مثالي ثبات في الإتجاه المحوري على حساب عدم الثبات في slaty) القطري؛ أو ثبات في الإتجاه القطري على حساب عدم الثبات المحوري؛ ولكن عدم الثبات في كل من الإتجاهين في الوقت ذاته. بالترتيب الأول؛ 0 المعايرة حيث يتضمن موضع البلازما مستقر عكسيا أو قطريا الخاصية المطلوية المتناسق مع المحورء على حساب عدم الاستقرار المحوري. في ضوء ما سبق تتعلق النماذج المقدمة هنا بأنظمة وطرق تسهل ثبات بلازما تهيئة مجال معكوس في كل من الإتجاهات المحورية والقطرية والتحكم في موضع محوري لبلازما تهيئة مجال معكوس على طول محور التناظر لغرفة احتجاز بلازما تهيئة مجال معكوس بشكل مستقل عن خواص الثبات المحوري لمعايرة بلازما تهيئة مجال 5 معكوس. يتم التحكم في عدم ثبات الموضع المحوري؛ مع ذلك؛ بشكل نشط باستخدام مجموعة من الملفات الخارجية بشكل متناسق مع المحور والتي تتحكم في الموضع المحوري لبلازما تهيئة مجال
معكوس. تقدم الأنظمة والطرق تحكم في التغذية الراجعة الموضع المحوري لبلازما تهيئة مجال معكوس بشكل مستقل عن خواص ثبات البلازما المعايرة بواسطة التصرف على أساس قيم الفولطية المسلطة على مجموعة من ملفات مشتركة المركز مع البلازما وباستخدام تقنية تحكم غير خطية. تقوم النماذج الممثلة هنا باستغلال توازنات غير مستقرة محوريا لتهيئة مجال معكوس لتفعيل الثبات القطريء بينما يقوم التثبيت أو التحكم في عدم الثبات المحوري. بهذه الطريقة؛ يمكن الحصول على الثبات في كل من الإتجاهات المحورية والقطرية. يتم تصميم طرق التحكم لتعديل المجال المغناطيسي الخارجي أو المعاير لجعل بلازما تهيئة مجال معكوس قطريا أو بشكل مستعرض على حساب عدم الثبات المحوري؛ وبالتالي تعمل على ملف المجال القطري الحالي لاستعادة موضع بلازما تهيئة مجال معكوس تجاه المستوى المتوسط مع تقليل الإطلاق المفرط و/أو التذبذبات حول 0 المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. تتمثل مزايا هذا الحل في أنه يقوم بتقليل تعقيد المحركات المطلوية للتحكم. مقارنة بالحلول التقليدية مع العديد من درجات الحرية؛ تقوم الطريقة وفقا للنموذج المقدم هنا بتقليل تعقيد مشاكل التحكم على طول محور نشوء بلازما تهيئة مجال معكوس تتضمن درجة حرية واحدة. تقوم توليفة الصور الموجية في تيارات الملف؛ sale) تغذية الوقود إلى وقدرة الشعاع المتعادل التي 5 تؤدي إلى إلى بلازما مستقرة محوريا بتحديد سيناريو التحكم في البلازما التي تضع البلازما في موضع غير مستقر محوريا. يمكن برمجة السيناريو أوليا باستخدام المعرفة السابقة لعمليات الحث أو الاختبارات» أو التغذية الراجعة المتحكم فيها للحفاظ على المعايرة غير المستقرة محوريا. يجب التحكم في موضع البلازما أثناء عمليات التفريغ بشكل مستقل عن خواص ثبات المعايرة؛ مثلا يجب أن يعمل مخطط التحكم إما بشكل مستقر محوريا أو غير مستقر قطرياء بما يصل إلى حد 0 معين. تتضمن البلازما غير المستقرة محوربا وقت نمو مقارنة بوقت تقشر الوعاء. بالعودة الآن إلى الأنظمة والطرق التي تسهل ثبات بلازما تهيئة مجال معكوس في كل من الإتجاهات المحورية والقطرية والتحكم في موضع محوري لبلازما تهيئة مجال معكوس على طول محور التناظر لغرفة احتجاز بلازما تهيئة مجال معكوس» يبين الشكل 27 مخطط مبسط لشرح نموذج مثالي على آلية التحكم في موضع محوري 510. تتضمن بلازما تهيئة مجال معكوس 520 5 الدوارة المبينة داخل غرفة احتجاز 100 تيار بلازما plasma current 522 وإتجاه dal) محوري 4. يتم إنتاج مجال معايرة (غير مبين) داخل الغرفة 100 بواسطة مكونات التيار التناظري (Jie
مثلاء أشضباه-ملفات de 412 (انظر Jay) 2 3« 3د و3ه). لا يقوم مجال المعايرة بإعادة إنتاج قوة صافية في إتجاه الإزاحة المحورية 524؛ ولكن يمكن ضبطه لإنتاج إما بلازما مستعرضةاثابتة قطربا أو محوريا. لأغراض النماذج المقدمة هناء يتم ضبط مجال المعايرة لإنتاج بلازما تهيئة مجال معكوس 520 مستقرة بشكل مستعرض/قطري. كما هو مطلوب «del يؤدي هذا إلى عدم الثبات المحوري وء بالتالي؛ الإزاحة المحورية لبلازما تهيئة مجال معكوس 520 في إتجاه الإزاحة المحورية 524. مع تحربك بلازما تهيئة مجال معكوس 520 محوريا سوف تقوم بحث التيار 514 و516 غير المتناظر»ء ol في إتجاهات مقابلة في جدران غرفة الاحتجاز 100 على كل جانب للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز 100. سوف تقوم بلازما تهيئة مجال معكوس 0 بحث هذه الأنواع من مكونات التيار في كل من الوعاء وأيضا في الملفات الخارجية. تقوم 0 مكونات التيار المضادة للتناظر 514 و516 بإنتاج مجال قطري والذي يتفاعل مع تيار البلازما الحلقي toroidal plasma current 522 لإنتاج قوة تعارض حركة بلازما تهيئة مجال معكوس 0 ونتيجة هذه القوة هي أنها تبطئ الإزاحات المحورية للبلازما. تترسب هذه التيارات 514 و516 تدريجيا مع الزمن» بسبب مقاومة غرفة الاحتجاز 100. تقوم ملفات المجال القطري 530 و 531 الموضوعة حول غرفة الاحتجاز 100 على كل Gila 5 للمستوى المتوسط بتوفير مكونات مجال قطري إضافي والذي يكون ناتج عن التيارات 532 و534 المستحث في الإتجاهات المضادة في الملفات 530 و531. يمكن أن يتضمن الملفات المجال القطري 530 و 531 مجموعة متناسق مع ملفات المحور والتي يمكن وضعها داخل أو خارج slog الاحتواء 100. تم توضيح الملفات القطرية 530 و 531 بكونها موضوعة خارج وعاء الاحتواء 0 بشكل مشابه لأشباه-ملفات de 412 (انظرء الأشكال 2 3 3د و3ه). يمكن أن تقوم كل wild ow 0 530 و531؛ أو مجموعات الملفات؛ بحمل تيار مختلف عن الملفات على الجاانب المقابل للمستوى المتوسط» ولكن التيارات غير متناظرة بالنسبة للمستوى المتوسط من وعاء الاحتواء 0 وتنتج بنية مجال مغناطيسي مع .8 # 0< ,12 = 0 على طول المستوى الأوسط. تقوم ملفات المجال القطري 530 و531 بتكوين مجال قطري مكمل يتفاعل مع تيار البلازما الحلقي 522 لإنتاج قوة محورية. تقوم القوة المحورية بدورها بتحريك البلازما sage تجاه المستوى المتوسط لغرفة 5 الاحتجاز 100.
تتضمن آلية التحكم 510 نظام تحكم Liga ليعمل على ملف المجال القطري الحالي لاستعادة موضع البلازما تجاه المستوى المتوسط مع تقليل الإطلاق المفرط و/أو التذبذبات حول مستوى الماكينة المتوسط. يتضمن نظام التحكم معالج مقترن تشغيليا بالملفات المجال القطري 530 و531» أشباه-ملفات de 412؛ إمدادات القدرة المناظرة لهاء وغيرها من المكونات Jie مثلاء المستشعرات المغناطيسية magnetic sensors توفير موضع البلازماء سرعة البلازماء؛ وقياسات تيار الملف النشط. يمكن تهيئة المعالج processor لتنفيذ الحسابات والتحاليل الموضحة في الطلب الحالي ويمكن أن تتضمن أو تقترن بواحد أو أكثر من وحدات الذاكرة شاملة وسط غير انتقالي non-transitory قابل للقراءة بواسطة كومبيوتر computer readable وبمكن أن يتضمن نظام قائم على أساس معالج أو معالج دقيق شاملا أنظمة باستخدام وسائل تحكم دقيق «microcontrollers
0 أجهزة كومبيوتر ذات تعليمات مقيدة ¢(RISC) reduced instruction set computers دارات تطبيق مدمجة محددة application specific integrated circuits (5105ه)؛ دارات منطقية؛ وأي دارة أخرى أو معالج قادر على تنفيذ هذه الوظائف الموضحة هنا. هذه الأمثلة المذكورة أعلاه فقط» وهي بالتالي لا يقصد بها تقييدها بأي طريقة من حيث التعريف و/أو معنى المصطلح 'معالج” أو 'كومبيوتز.'
5 يمكن تنفيذ وظائف المعالج باستخدام أي روتين برمجي أو مكونات جهاز أو توليفة منهما. يمكن تنفيذ مكونات الجهاز باستخدام تشكيلة من التقنيات؛ شاملة؛ على سبيل المثال؛ الدارات المدمجة أو المكونات الالكترونية المميزة. تتضمن وحدة المعالج بشكل مثالي جهاز تخزين ذاكرة قابل للقراءة/الكتابة وبشكل مثالي يتضمن أيضا برنامج و/أو جهاز للكتابة على و/أو قراءة جهاز تخزين الذاكرة.
يمكن أن يتضمن المعالج جهاز حوسبة وجهاز إدخال ووحدة عرض ووسط بيني» على سبيل (JL للوصول إلى الانترنت. يمكن أن يتضمن الكومبيوتر أو المعالج معالج دقيق 0100007. يمكن توصيل المعالج الدقيق بناقل اتصالات .communication bus يمكن أن يتضمن الكومبيوتر أو المعالج أيضا ذاكرة. يمكن أن تتضمن الذاكرة ذاكرة وصول عشوائي (RAM) Random Access Memory وذاكرة قراءة فقط (ROM) Read Only Memory . يمكن أن
يتضمن الكومبيوتر أو المعالج أيضا جهاز تخزين؛ والذي يمكن أن يكون Ble عن مشغل أقراص صلبة أو جهاز تخزين قابل للإزالة Jie قرص مرن floppy disk drive أو قرص بصري optical
disk drive وما شابه.. يمكن أن يكون جهاز التخزين Ble عن وسيلة مشابهة لبرامج تحميل الكومبيوتر أو غيرها من التعليمات في الكومبيوتر أو المعالج. يقوم المعالج بتنفيذ مجموعة من التعليمات التي يتم تخزينها في واحد أو أكثر من عناصر التخزين» لمعالجة بيانات المدخل. يمكن أن تقوم عناصر التخزين بتخزين البيانات أو غيرها من المعلومات المطلوية. يمكن أن يكون عنصر التخزين في صورة مصدر معلومات أو عنصر ذاكرة مادي physical memory element داخل ماكينة معالجة. تم حل مشكلة التحكم في موضع تهيئة مجال معكوس محوريا مستقر أو غير مستقر محوريا باستخدام محركات ملف المجال القطري باستخدام فرع من نظرية التحكم غير الخطية المعروفة بوضع التحكم المنزلق. هناك وظيفة خطية لحالات النظام (السطح المنزلق) تعمل كإشارة tad مع 0 سلوك مطلوب مستقر تناظريا (منزلق). يتم تصميم السطح المنزلق باستخدام نظرية Liapunov لإبداء الثبات التناظري في نطاق واسع لمتغيرات تهيئة مجال معكوس الديناميكية. بالتالي يمكن استخدام مخططات التحكم المقترحة بالتالي لكل من البلازما المستقرة وغير المستقرة محوريا دون الحاجة إلى إعادة ضبط المتغيرات المستخدمة في السطح المنزلق. وهذه الخاصية مفيدة؛ كما هو مذكور سلفاء لأن المعايرة يمكن أن تنتقل بين توازنات مستقرة محوريا وغير مستقرة محوريا على 5 أطوار مختلفة من تفريغ تهيئة مجال معكوس. تم توضيح تهيئة مخطط التحكم 500 في الشكل 28. يقوم مرشح المرور المنخفض بتقييد ترددات التبديل داخل النطاق الموجي المطلوب. سيتم افتراض وجود حلقة التحكم الرقمية التي تتطلب أخذ عينات وإرسال إشارات مع تأجيل due واحدة. إشارة الخطأً (سطح الانزلاق) عبارة عن توليفة خطية من تيار الملف؛ موضع البلازما وسرعة البلازما. يتم الحصول على موضع البلازما وسرعة البلازما من القياسات المغناطيسية الخارجية. يمكن قياس التيارات في أنظمة الملف النشط بواسطة الطرق المعيارية. هناك حاجة إلى تيارات الملف وموضع البلازما لتنفيذ التحكم في الموضع. هناك حاجة إلى سرعة البلازما لتحسين الأداء ولكنه اختياري. هناك وظيفة غير خطية من إشارة الخطأ هذه (قانون التحكم (relay control law Ja yall تقوم بتوليد مستويات مميزة لكل زوج من خطوط التزويد بالقدرة 5 المتصلة بالملفات المتناظرة للمستوى المتوسط. تتم تغذية الملفات المتناظرة للمستوى المتوسط بقيم
فولطية مرحلة من نفس الشدة ولكن علامة مقابلة. ويقوم هذا بتكوين مكون مجال قطري لاستعادة
موضع البلازما تجاه المستوى المتوسط.
لإبداء جدوى مخطط التحكم؛ يتم استخدام نموذج بلازما صلبة لحث الخواص الديناميكية للبلازما.
يقوم النموذج باستخدام الشكل الهندسي للمغناطيس. يناظر توزيع تيار بلازما توازنات غير مستقرة
محوريا مع وقت نمو بمقدار 2 مل ثانية فقط عند اعتبار البلازما والوعاء. يتم (all خطوط
التزويد بالقدرة بأنها تعمل بمستويات فولطية مميزة؛ بشكل مثالي في خطوات بمقدار 800 فولط.
يبين الشكل 29 العديد من عمليات حث البلازما والتي تبرز العلاقة بين قيم الفولطية المسلطة على
الملفات؛ وأوقت ثبات موضع البلازماء على طول التيار القمي للملف المطلوب ومعدلات الزيادة
للعودة إلى بلازما المستوى المتوسط التي تمت إزاحتها محوريا بمقدار 20 سم. يتم تشغيل حث 0 التحكم في الموضع المحوري لوضع الانزلاق عند 0.3 تسلا باستخدام أربعة أزواج من ملفات قطع
خارجية. تم توضيح أريعة حالات تناظر خطوط التزويد بالقدرة مع مستويات فولطية مميزة في
خطوات بمقدار 200 فولط (مريع مصمت)؛ 400 فولط (دائرة مصمتة)؛ 800 فولط (مثلث
مصمت) و1600 فولط gaye) مفرخ). بالنسبة للحالات day) يبلغ عرض نطاق التحكم 16 كيلو
هرتز وتردد أخذ العينات 32 كيلو هرتز. تم توضيح موضع البلازما (الشكل العلوي)؛ الحالي في 5 زوج الملف الخارجي (الأوسط) ومعزل الزيادة لتيار الملف (السفلي). سمحت إزاحة البلازما بالزيادة
غير المستقرة لحين الوصول إلى 20 سم. عند هذه النقطة يتم تطبيق التحكم في التغذية الراجعة.
تشير نتائج الحث إلى أن:
1 ا لإعادة البلازما إلى المستوى المتوسط في 5 مل ثانية (خطوط مريع مصمت)؛ يكفي معدل
زيادة الملف coil ramp-up rate بمقدار 0.5 مل أمبير/ث ؛ أن تحتاج إلى مصدر قدرة200 فولط. 0 2. لإعادة البلازما إلى المستوى المتوسط في 2.3 مل ثانية (خطوط دائرة (Leas يكفي
معدل زيادة الملف بمقدار 1 مل أمبير/ث ؛ أن تحتاج إلى مصدر قدرة400 فولط.
3 ا لإعادة البلازما إلى المستوى المتوسط في 1.3 مل ثانية (خطوط مثلث مصمت)؛ يكفي
معدل زيادة الملف بمقدار 2 مل أمبير/ث ؛ أن تحتاج إلى مصدر قدرة800 فولط.
4 لإعادة البلازما إلى المستوى المتوسط في 1.0 مل ثانية (خطوط مريع مفرغ)؛ يكفي معدل 5 زنادة الملف بمقدار 4 مل أمبير/ث ؛ أن تحتاج إلى مصدر قدرة1600 فولط.
التيارات القمية لكل ملفات القطع للحالة الثالثة المدروسة أعلاه (2 مل أمبير/ث حالة معدل الزيادة) هي المبينة أيضا في الشكل 30 كوظيفة لموضع ملف القص. تم تشغيل حث التحكم في موضع محوري لأمثلة وضع الانزلاق عند 0.3 تسلا باستخدام أربعة أزواج من ملفات القص الخارجية باستخدام مصدر قدرة مع ثلاثة مستويات (+0:78007.:-17800)؛ كانت هناك حاجة إلى عرض نطاق بمقدار 16كيلو هرتز ومعدل سحب عينات 32 كيلو هرتز. لإعادة البلازما إلى المستوى المتوسط في 1.3 مل ثانية؛ كانت هناك حاجة إلى معدل زيادة الملف بمقدار 2 مل أمبير/ث. تطلب التيار القمي المطلوب في كل زوج ملف أقل من 1.5 كيلو أمبير. كان تردد التبديل الفعلي
المطلوب (حوالي 2كيلو هرتز) أقل من عرض نطاق نظام التحكم يمكن أيضا أن يكون نظام التحكم عبارة عن سطح مستهدف والذي هو وظيفة تيار الملف وسرعة
0 البلازما فقطء بدون موضع البلازما. في هذه الحالة يقدم التحكم في حلقة الموضع المحوري تثبيت الخواص الديناميكية المحورية؛ وليس التحكم. وهذا يعني أن البلازما موجودة في موضع قابل للقياس ويمكنها الإزاحة بشكل بطيء على طول محورها. يتم توفير موضع التحكم بالتالي باستخدام حلقة تغذية راجعة إضافية والتي تتحكم في فجوات البلازما بين بلازما فاصل ووعاء؛ وبالتالي تقوم بتنفيذ شكل بلازما والتحكم في الموضع il
5 _ يتم استخدام جهاز احتجاز LPL آخر حيث أنظمة التحكم المشابهة هي tokamak للحفاظ على احتجاز البلازماء يجب الحفاظ على تيار البلازما في tokamak بين حد أدنى وحد أعلى يتناسب مع شدة البلازما والمجال الحلقي؛ على التوالي. للعمل عند تيار البلازما عالي الشدة يجب زيادة البلازما. في الوقت ذاته يجب الحفاظ على المجال الدوار منخفضا قدر الإمكان بحيث يكون معامل الأمان q أعلى من و22. يتم تحقيق ذلك بإطالة البلازما على طول محور إتجاه الماكينة؛ وهو ما
0 يسمح بملائمة تيار بلازما كبير (وبالتالي يتيح بلازما عالية الشدة) بدون زيادة المجال المغناطيسي الحدي فوق قيم الأمان الخاصة به. سوف تكون هذه البلازما المطولة غير مستقرة على طول محور إتجاه الماكينة (المعروفة في jargon tokamak بالإتجاه العمودي)؛ وتتطلب أيضا آليات تثبيت بلازما. سيتم أيضا استعادة التحكم العمودي في موضع البلازما في tokamaks باستخدام مجموعة من ملفات المجال القطري؛ وهي تمثل بقوة مشكلة التحكم في موضع تهيئة مجال
5 معكوس. مع ذلك؛ هناك أسباب لطلب التثبيت في tokamak وتهيئة مجال معكوس. في بلازما tokamak يمثل عدم الثبات العمودي مشكلة يتم حلها للعمل عند تيار بلازما كبير؛ والذي يتطلب
— 9 4 — إطالة البلازما للعمل مع المجال الحلقي العالي. في حالة تهيئة مجال معكوس؛ يتم حل مشكلة عدم ثبات البلازما للحصول على ثبات مستعرض. تتضمن Tokamaks مجال حلقي يقوم بتثبيت (dag بحيث لا تحتاج إلى تثبيت مستعرض. وفقا لأحد نماذج الكخف الحالي» طريقة لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس حول بلازما في غرفة احتجاز؛ وحقن مجموعة من آشعة متعادلة في بلازما تهيئة مجال معكوس أثناء ضبط طاقات الشعاع لمجموعة آشعة متعادلة بين طاقة شعاع أولى وطاقة شعاع ثانية؛ حيث تختلف طاقة الشعاع الثانية من طاقة الشعاع الأولى. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ طاقة الشعاع الثانية ef من طاقة الشعاع الأولى. 0 وفقا لأحد نماذج الكشف dad) تقوم مجموعة الآشعة المتعادلة بالمبادلة بين طاقات الشعاع الأولى والثانية أثناء sae إطلاق الحقنة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ طاقات الشعاع الأولى والثانية في نطاق حوالي 15 إلى 40 كيلو إلكترون فولط. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا التحكم في طاقات الشعاع لمجموعة آشعة 5 متعادلة بواسطة إشارة تغذية راجعة مستلمة من نظام تحكم في بلازما لتغذية راجعة نشطة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا التحكم في طاقات الشعاع لمجموعة آشعة متعادلة بواسطة إشارة تغذية راجعة مستلمة من نظام تحكم في بلازما لتغذية راجعة نشطة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ التحكم في طاقات الشعاع لمجموعة dail متعادلة includes تعديل طاقات الشعاع لمجموعة آشعة متعادلة لتعديل سمات ترسيب قدرة الشعاع القطري لتعديل قيمة تدريج الضغط. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا الحفاظ على تهيئة مجال معكوس عند أو حوالي قيمة ثابتة بدون تحلل ورفع درجة حرارة البلازما إلى أعلى من حوالي 1.0 كيلو إلكترون فولط بواسطة حقن آشعة لذرات سريعة متعادلة من وسائل حقن شعاع متعادل في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز. 5 وفقا لأحد نماذج Jal Ca aS يتضمن رفع درجة حرارة البلازما رفع درجة الحرارة من حوالي 0 كيلو إلكترون فولط إلى حوالي 3.0 كيلو إلكترون فولط.
وفقا لأحد نماذج all chal يتضمن رفع درجة حرارة البلازما رفع درجة الحرارة من حوالي 0 كيلو إلكترون فولط إلى حوالي 3.0 كيلو إلكترون فولط. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توليد مجال مغناطيسي داخل غرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات do ممتدة حول غرفة الاحتجاز ومجال مغناطيسي عاكس داخل الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات de عاكسة ممتدة حول الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توليد مجال مغناطيسي داخل غرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات do ممتدة حول غرفة الاحتجاز ومجال مغناطيسي عاكس داخل الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز مع أشباه ملفات de عاكسة ممتدة حول الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس تكوين تهيئة مجال معكوس 0 تكوين في أجزاء التكوين الأولى والثانية المتقابلة المقترنة بغرفة الاحتجاز وتسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز حيث يندمج اثنين من تهيئة مجال معكوس تكوين لتكوين تهيئة مجال معكوس. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تكوين تهيئة مجال معكوس واحد من تكوين تهيئة مجال معكوس تكوين أثناء تسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة 5 الاحتجاز وتكوين تهيئة مجال معكوس تكوين بالتالي تسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف lal) يتضمن تسريع تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز تمرير تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات الداخلية الأولى والثانية المقترنة بأطراف متقابلة 0 لغرفة الاحتجاز متداخلة مع غرفة الاحتجاز وأجزاء التكوين الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تمرير تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات الداخلية الأولى والثانية والتي تثبط المحولات الداخلية الأولى والثانية حيث يمر تهيئة مجال معكوس للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات الداخلية الأولى والثانية. 5 وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توجيه أسطح التدفق المغناطيسية لتهيئة مجال معكوس في المحولات الداخلية الأولى والثانية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توجيه أسطح التدفق المغناطيسية لتهيئة مجال معكوس في المحولات الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأطراف أجزاء التكوين. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن Load توليد مجال مغناطيسي داخل أجزاء التكوين والمحولات الخارجية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات عل ممتدة حول أجزاء التكوين والمحولات. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن Load توليد مجال مغناطيسي داخل أجزاء التكوين والمحولات الداخلية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات عل ممتدة حول أجزاء التكوين والمحولات. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن Load توليد مجال مغناطيسي عاكس بين shal التكوين الأولى والثانية والمحولات الخارجية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات عل عاكسة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توليد مجال مغناطيسي سدادي عاكس 0 داخل جزء ضيق بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الخارجية الأولى والثانية مع أشباه ملفات عاكسة سدادية de ممتدة حول gall الضيق بين أجزاء التكوين والمحولات. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توليد مجال مغناطيسي عاكس بين غرفة الاحتجاز والمحولات الداخلية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات de عاكسة وتوليد مجال مغناطيسي متداخل بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الداخلية الأولى والثانية مع ملفات متداخلة 5 ذات سمات عل منخفضة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا توليد واحد من مجال مغناطيسي ثنائي القطب ومجال مغناطيسي رباعي القطب داخل الغرفة مع ملفات الارتكاز المقترنة بالغرفة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا تهيئة الأسطح الداخلية للغرفة والأسطح الداخلية لأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ المحولات الأولى والثانية متداخلة مع غرفة الاحتجاز 0 وأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية مع نظام امتصاص الشوائب. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن نظام امتصاص الشوائب واحد من نظام ترسيب تيتانيوم ونظام ترسيب ليثيوم. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا حقن البلازما محوريا في تهيئة مجال 5 معكوس من مدافع البلازما التي تم تركيبها محوريا.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا التحكم في سمات المجال الكهربي القطري في طبقة حافة لتهيئة مجال معكوس.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن التحكم في سمات المجال الكهربي القطري في طبقة حافة لتهيئة مجال معكوس تنفيذ توزيع القدرة الكهربية إلى مجموعة من أسطح التدفق المفتوحة لتهيئة
مجال معكوس مع إلكترودات استقطاب.
وفقا لأحد نماذج الكشتف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا تثبيت بلازما تهيئة مجال معكوس في إتجاه قطري طبيعي بالنسبة لمحور طولي لغرفة الاحتجاز لوضع بلازما تهيئة مجال معكوس بشكل متناسق مع المحور حوللمحور الطولي وفي إتجاه محوري على طوللمحور الطولي لوضع بلازما تهيئة مجال معكوس بشكل متناسق مع المحور حول مستوى متوسط لغرفة الاحتجاز.
0 وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن Load توليد مجال مغناطيسي منفذ داخل الغرفة مع أشباه-ملفات عل ممتدة حول الغرفة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن Lad تثبيت بلازما تهيئة مجال معكوس في الإتجاه القطري ضبط منفذ المجال المغناطيسي لحث الثبات القطري وعدم الثبات المحوري في بلازما تهيئة مجال معكوس.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ يتضمن تثبيت بلازما تهيئة مجال معكوس محوريا تكوين مجالات مغناطيسية قطرية أولى وثانية؛ حيث تتفاعل المجالات المغناطيسية القطرية الأولى والثانية مع تهيئة مجال معكوس لتحريك بلازما تهيئة مجال معكوس محوريا لوضع بلازما تهيئة مجال معكوس بشكل متناسق مع المحور حول المستوى المتوسط. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ الطريقة تتضمن أيضا حقن بلازما حلقية مضغوطة من وسائل
0 حقن حلقية مضغوطة أولى وثانية في بلازما تهيئة مجال معكوس عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز» Cus وسائل حقن حلقية مضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكخف الحالي؛ نظام لتوليد والحفاظ على Jae مغناطيسي مع تهيئة مجال معكوس يتضمن: غرفة احتجاز؛ أجزاء تكوين تهيئة مجال معكوس أولى وثانية متقابلة تماما
5 المقترنة بالمحولات الداخلية الأولى والثانية المتقابلة تماما؛ المحولات الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ واحد أو أكثر من مجموعة من مدافع البلازماء واحد أو أكثر من إلكترودات
استقطاب وسدادات عاكسة أولى وثانية؛ حيث تتضمن مجموعة مدافع البلازما مدافع البلازما المحورية الأولى والثانية المقترنة Lhe بالمحولات الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجازء حيث واحد أو أكثر من إلكترودات الاستقطاب متموضعة داخل واحد أو أكثر من غرفة الاحتجاز؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الخارجية الأولى والثانية؛ وحيث السدادات العاكسة الأولى والثانية متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الأولى والثانية؛ نظام امتصاص الشوائب المقترنة بغرفة الاحتجاز والمحولات الأولى والثانية؛ مجموعة من وسائل حقن شعاع ذري متعادل مقترنة بغرفة الاحتجاز وموجه بزاوية تجاه مستوى متوسط لغرفة الاحتجاز» حيث واحد أو JST من مجموعة وسائل حقن شعاع ذري متعادل قابلة للضبط بين طاقة شعاع أولى وطاقة شعاع (Al حيث تختلف طاقة الشعاع الثانية من طاقة الشعاع الأولى؛ ونظام 0 مغناطيسي يتضمن مجموعة من أشباه-ملفات do متموضعة حول غرفة الاحتجاز؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات الأولى والثانية؛ ومجموعة أولى وثانية من أشباه-ملفات de عاكسة متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات الأولى والثانية. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ طاقة الشعاع الثانية أعلى من طاقة الشعاع الأولى. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتم تهيئة مجموعة الآشعة المتعادلة للتبديل بين طاقات الشعاع 5 الأولى والثانية أثناء مدة إطلاق الحقنة. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ طاقات الشعاع الأولى والثانية في نطاق حوالي 15 إلى 40 كيلو إلكترون فولط. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا نظام تحكم في بلازما لتغذية راجعة نشطة مهياً للتحكم في طاقات الشعاع لمجموعة آشعة متعادلة. 0 وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام مهياً لتوليد تهيئة مجال معكوس والحفاظ على تهيئة مجال معكوس بدون تحلل أثناء حقن الآأضعة المتعادلة في البلازما ورفع درجة حرارة البلازما إلى حوالي 0 كيلو إلكترون فولط إلى 3.0 كيلو إلكترون فولط. وفقا لأحد نماذج الكخف الحالي؛ تتضمن المحولات الأولى والثانية المحولات الداخلية الأولى والثانية متداخلة مع أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز» وتتضمن أيضا المحولات 5 الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية» حيث أجزاء التكوين الأولى والثانية متداخلة مع المحولات الداخلية الأولى والثانية والمحولات الخارجية الأولى والثانية.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا مدافع البلازما المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات الداخلية والخارجية الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا اثنين أو AST من ملفات الارتكاز المقترنة بغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكف الحالي؛ يتضمن قطاع التكوين أنظمة تكوين تم تضمينها لتوليد تهيئة مجال معكوس وتحويلها تجاه مستوى أوسط لغرفة الاحتجاز. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ تتضمن إلكترودات الاستقطاب واحد أو أكثر من واحد أو أكثر من إلكترودات نقطية متموضعة داخل غرفة الاحتواء لملامسة خطوط المجال المفتوح؛ مجموعة 0 من إلكترودات حلقية بين غرفة الاحتجاز وأجزاء التكوين الأولى والثانية الشحن طبقات تدفق بعيدة عن الحافة بطريقة متناظرة السمت؛ مجموعة من إلكترودات متراصفة مشتركة المركز متموضعة في المحولات الأولى والثانية لشحن العديد من طبقات التدفق مشتركة المركز؛ وآنودات من مدافع البلازما لمقابلة التدفق المفتوح. وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا نظام تحكم المقترنة تشغيليا بأشباه-ملفات 5 »ل وملفات المجال المغناطيسي القطرية الأولى والثانية. يتضمن نظام التحكم معالج مقترن بذاكرة غير انتقالية تتضمن مجموعة من التعليمات التي عند التنفيذ تجعل المعالج يقوم بضبط المجال المغناطيسي المولد بواسطة مجموعة أشباه-ملفات de وملفات المجال القطري الأولى والثانية لتثبيت بلازما تهيئة مجال معكوس في إتجاه قطري طبيعي بالنسبة لمحور طولي للغرفة لوضع بلازما تهيئة مجال معكوس بشكل متناسق مع المحور حوللمحور الطولي وفي إتجاه محوري على 0 طوللمحور الطولي لوضع بلازما تهيئة مجال معكوس بشكل متناسق مع المحور حول المستوى المتوسط. وفقا لأحد نماذج الكشف Mal) ¢ النظام مهياً لتوليد تهيئة مجال معكوس والحفاظ على تهيئة مجال معكوس عند أو حوالي قيمة ثابتة بدون تحلل أثناء حقن الآأضعة الذرية المتعادلة في تهيئة مجال معكوس. 5 وققا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ المجالات المغناطيسية القطرية الأولى والثانية غير متناظرة حول المستوى المتوسط.
وفقا لأحد نماذج الكشف الحالي؛ النظام تتضمن أيضا وسائل الحقن الحلقية المضغوطة الأولى والثانية المقترنة بغرفة الاحتجاز عند زاوية تجاه المستوى المتوسط لغرفة lata) حيث وسائل حقن حلقية مضغوطة الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز. يقصد بالنماذج المثالية المقدمة هناء مع ذلك؛ أن تكون للتوضيح فقط ولن يتم بها تقييد الاختراع
بأي طريقة. يقصد بكل (algal العناصر؛ المكونات؛ الوظائف؛ والخطوات الموضحة بالنسبة للنماذج الموضحة أن تكون قابلة للدمج والاستبدال مع تلك الخاصة بأي نموذج. في حالة ما إذا كانت من الخواص؛ العناصر؛ المكونات؛ الوظائف؛ والخطوات قد تم وصفها بالنسبة فقط إلى نموذج واحد؛
0 بالتالي يجب فهم أن هذه الخاصية أو العنصر أو المكون أو الوظيفة أو الخطوة يمكن استخدامها مع كل نموذج AT موضع هنا ما لم يذكر غير ذلك صراحة. تعمل هذه الفقرة بالتالي كأساس كتابي للتقديم لعناصر الحماية؛ في أي وقت حيث تقوم بدمج الخواص؛ العناصر؛ المكونات؛ الوظائف؛ والخطوات من مختلف النماذج؛ أو تقوم باستبدال الخواص؛ العناصر؛ المكونات؛ الوظائف» والخطوات من أي نموذج AL حتى ولو كان الوصف التالي لا يشير صراحة إلى
5 ذلك؛ في حالة معينة؛ بحيث تكون عمليات التوليف والاستبدال ممكنة. يمثل الذكر الصريح لكل عملية توليف واستبدال صعوية؛ خصوصا بعد اعتبار أن كل من هذه العمليات معروفة جيدا للخبير في المجال عن قراءة هذا الوصف. في العديد من الحالات تم توضيح الكيانات بكونها مقترنة بكيانات أخرى. يجب فهم أن المصطلحات 'مقترن" و'متصل" (أو أي صورة منها) يتم استخدامها بالتبادل هنا eg في كل
0 الحالات؛ ستكون شاملة الإقران المباشر لاثنين من الكيانات (بدون أي كيانات غير صغيرة Ole) ملحقة) متداخلة) والإقران غير المباشر لاثنين من الكيانات (مع واحد أو أكثر من الكيانات غير الصغيرة المتداخلة). حيث تم توضيح الكيانات بأنها مقترنة مباشرة معا أو مقترنة بدون وصف أي كيان تمداخل» يجب فهم أن هذه الكيانات مقترنة بشكل غير مباشر معا أيضا ما لم يبين السياق غير ذلك صراحة.
بينما تكون النماذج قابلة للعديد من عمليات التعديل والتغيير؛ هناك أمثلة معينة عليها في الأشكال وقد تم وصفها هنا بالتفاصيل. مع ذلك؛ يجب فهم أن النماذج غير مقيدة بالصورة المكشوف lie
هنا ولا Le aes ولا بالنماذج لتغطية كل التعديلات والمكافئات والبدائل التي تقع داخل منظور الكشف. علاوة على ذلك؛ يمكن ذكر أو إضافة أي من الخواص» الوظائف؛ الخطوات؛ أو العناصر للنماذج في عناصر الحماية؛ بالإضافة إلى القيود السلبية التي تحدد المنظور الابتكاري لعناصر الحماية بواسطة الخواص؛ الوظائف؛ الخطوات؛ أو العناصر غير الموجودة في هذا المنظور.
قائمة التتابع: أ" نظام 211 'ب" HPF اج CR 0 "د" نظام تقليدي في C2 FRCs "4" التقليدي السابق أو" وقت احتجاز الجسيم» (مل ثانية) ".قياس وقت الاحتجاز السابق (مل ثانية) 'ح" | (FRX-B (Los Alamos 5 'ط' (FRX-C (Los Alamos يي" (LSM (Los Alamos لك" | (LSX (U.Washington (FIX (Japan "J (NUCTE (Japan "a 0 ان (C-2(TAE "اس" ميل PI 2 اف" عكسي اساسي "a الى FRC "E25 وسيلة تفريغ شعاع متحايدة )9 مصعد TT
لش" مصعد Ti قابل للانكماش ات" مضخة تفريغ مبردة re الى غرفة التكوين TE الى مركز انبوب التكوين YS الى مركز غرفة الاحتجاز ض” وسيلة تركيب الكترود عازل 7" ميكروثانية phi 1S تدفق مستبعد (متر) "lg مسافة محوربة (متر) 0 1" شدة خطية "la" شدة 'و 1" درجة الحرارة الكلية (الكترون فولط) 1" الزمن (ميكروثانية) Clg (م) 4ل قطر تدفق مستبعد CIE 5 (م) cz موضع محوري ي1" ملفات عاكسة DC ودعامات "1S لا توجد اشعة '1J تم تشغيل الاشعة sad 0.5 مل ثانية "م1 .تم تشغيل الاشعة لمدة 1 مل ثانية ان1" تم تشغيل الاشعة لمدة 2 مل ثانية "س1”_الزمن (مل ثانية) "ع1" قطر بلازما (سم) YT توجد سدادات/مدافع "1a تم تشغيل الاشعة لمدة 3 مل ثانية cla 15 5 lola 1 + مدفع بلازما
"TE سدادات + مدفع + امتصاص شوائب 'ت1" الزمن (مل ثانية) 'اث1"._قطر تدفق مستبعد (سم) "خ1" Lb de "13S 26 (مل ثانية) Ters "1" (الكترون فولطم) 2" قدرة الاشعة [مل [aly 2d قطر بلازما "2g! نبضة اشعة نيوترونية 0 22 اداء dad) - fre زاوية "2.4 اداء fre - اشعة غير زاوية 24 درجة حرارة البلازما 2" التدفق المغناطيسي PS1 "27" ط2' PS2 ي2" PS3 ك2" PS 2J .خط التزويد بالقدرة 24 نظام المجال القطري ان2"_البلازما 20" وظيفة تبديل 'ع2' SH fs "2 LPF "2 ق2 Vz k3 12 +2 [ءاإملف 2" تيار المجال القطري
2 الموضع والسرعة 'ات2" السطح المنزلق 0= 163 +172 k2 +2 1ء1|ملف Lig 2& nel 27 ذ2" Las الحالة الثابتة اقل من +/-5 ملم 2s) 204 An "3 3" 01/0 (امبير/ثانية) ج3١ إثانية) 0 34" شدة بلازما "3a" انهاء NB Separatrix 1 6 طبقة حافة 4 نافثة عادم 5 453 ©2186 داخلي 0 مدادة عاكسة 2 ملف احتجاز DC 5 الكترود نقطة انحياز 6 ملفات محلول DC ssl 3406 0 تكوين كوارتز 0 ملفات عاكسة 610 حاقن شعاع نيوترزني جانبي 640 حاقن شعاع نيوترزني علوي 0 حتقن حبيبات 5 900 الكترود ميل حلقى 232 ملفات سريعة تكوين نبضي
414 ملفات تكوين D-C 0 مدفع بلازما 0 الكترود محلول 0 شرائط تكوين انبوبي 222 توقيت البدء 0 تكوين منزلق مكثفات (ميل عكسي اساسي) مفاتيح لوح تفريغ|شحن 4 لوح شحن مؤقت خطوط امداد القدرة وسائل التحكم في الترحيل 3 اداة حث 4 وسيلة البدء ودارة وسيلة التفريغ 0 225 مفاتيح التيار العالي السريع 1 مكثفات 0 انبوب كوراتز 0 شربط 232 ملف سريع لتكوين ببضي 5 636 الواح مضخة تبريد 0 صمام بوابي 612 مصدر RF LPL 614 شاشة مغناطيسية 6 مصدر ايون وشبكات تسارع 622 وسيلة تحييد 4 مغناطيس انحراف 8 وسيلة تفريغ ايون 4 ثلاجة باردة 630 جهاز توجيه 5 610 حاقن شعاع محايد جانبي 0 غرفة احتجاز
0 حاقن شعاع محايد علوي 2 مصعدات xLi2 310 غرفة محرف 6 ملفات محرفة DC 5 822 _وسيل تبخير تيتانيوم
0 تجميعة سدادة عاكسة مغناطيسية 110 جدار غرفة الاحتجاز 0 ملف ارتكاز علوي 0 فتحة حقن غازي
0 724 الكترود خارجي 8 فاصل كهربائي 6 ملف ميل 2 الكترود داخلي 0 حاقن حلقي مضغوط
615 حاقن شعاعي محايد 4 فتحة تشخيصية 2 ملف انبوب ازاحة 0 انبوب ازاحة ID 668
0 663 662 ايونات ahd 0
Claims (1)
- عناصر الحماية1. طريقة لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي magnetic field مع تهيئة مجال معكوس (FRC) field reversed configuration يتضمن خطوات: تكوين تهيئة مجال معكوس field reversed configuration حول بلازما plasma في غرفة احتجاز «confinement chamber حقن مجموعة من Go dl متعادلة neutral beams في بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration من مجموعة حقن شعاع متعادل neutral beam injectors مقترنة بغرفة احتجاز Gua confinement chamber يكون واحد أو أكثر من مجموعة حقن الأعة المتعادلة neutral beam injectors قابلا للضبط بين طاقة شعاع beam energy أولى وطاقة شماع beam Cua «450 energy تختلف طاقة الشماع beam energy الثانية من طاقة الشماع beam energy 0 الأولى؛ و ضبط طاقة شعاع beam energy الواحد أو أكثر من مجموعة حقن الشعاع المتعادل القابلة للضبط tunable neutral beam injectors بين طاقات الشقعاع beam energies الأولى والثانية بينما يتم حقن واحد أو أكثر من مجموعة da iY) المتعاجلة neutral beams من واحد أو أكثر من مجموعة حقن الشعاع المتعادل القابلة tunable neutral beam injectors Jar call في بلازما plasma تهيئة 5 مجال معكوس field reversed configuration 2 الطريقة وفقا لعنصر الحماية 1؛ حيث تقوم مجموعة الأشضعة المتعادتة neutral beams بالمبادلة بين طاقات الشعاع beam energies الأولى والثانية أثناء مدة إطلاق الحقنة.3. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 1؛ حيث تكون طاقات beam energies gla all الأولى والثانية في نطاق حوالي 15 إلى 40 كيلو إلكترون فولط. 4 الطريقة وفقا لعنصر الحماية 1؛ تتضمن أيضا خطوة التحكم في طاقات الشماع beam energies لمجموعة أشعة متعادلة neutral beams بواسطة إشارة تغذية راجعة feedback signal 5 مستلمة من نظام تحكم في بلازما plasma لتغذية راجعة نشطة feedback ع«تاعة.— 6 3 —5. الطريقة وفقا لعنصر الحماية of تتضمن أيضا خطوة التحكم في طاقات الشعاع beam energies لمجموعة أشعة متعادلة neutral beams بواسطة إشارة تغذية راجعة feedback signal مستلمة من نظام تحكم في بلازما plasma لتغذية راجعة نشطة .active feedback6. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 65 حيث تتضمن خطرة التحكم في طاقات الشماع beam energies لمجموعة أشعة neutral beams alec تعديل طاقات الشعاع beam energies لمجموعة Lil متعادلة neutral beams لتعديل سمات ترسيب قدرة الشعاع القطري radial beam power لتعديل قيمة تدريج الضغط.0 7. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 6؛ حيث تتضمن خطوة التحكم في طاقات الشماع beam energies لمجموعة أشعة neutral beams alec تعديل طاقات الشعاع beam energies لمجموعة Lil متعادلة neutral beams لتعديل سمات ترسيب قدرة الشعاع القطري radial beam power لتعديل قيمة تدريج الضغط.5 8. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 1؛ تتضمن أيضا الحفاظ على تهيئة مجال معكوس field reversed configuration عند أو حوالي قيمة ثابتة بدون تحلل ورفع درجة حرارة البلازما plasma إلى أعلى من حوالي 1.0 كيلو إلكترون فولط بواسطة حقن dail لذرات سريعة متعادلة fast neutral atoms من وسائل حقن injectors شعاع متعادل neutral beam injectors في بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration عند زاوية تجاه المستوى البيني 0 الأوسط لغرفة الاحتجاز .confinement chamber 9 الطريقة وفقا لعنصر الحماية 8؛ حيث تتضمن خطوة رفع درجة حرارة البلازما plasma رفع درجة الحرارة من حوالي 1.0 كيلو إلكترون فولط إلى حوالي 3.0 كيلو إلكترون فولط. 5 10.. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 8؛ تتضمن أيضا خطوة توليد Jae مغناطيسي magnetic 0 داخل غرفة الاحتجاز confinement chamber مع أشضباه ملفات عل ممتدة حول غرفة الاحتجاز confinement chamber ومجال مغناطيسي Sle magnetic field داخل الأطرافالمتقابلة لغرفة الاحتجاز confinement chamber مع أشباه ملفات عل عاكسة ممتدة حول الأطراف المتقابلة لغرفة الاحتجاز .confinement chamber1. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 10؛ حيث تتضمن خطوة تكوين تهيئة مجال معكوس field reversed configuration 5 تكوين تهيثة مجال معكوس field reversed configuration تكوين في أجزاء التكوين الأولى والثانية المتقابلة المقترنة بغرفة الاحتجاز confinement chamber وتسريع تهيئة مجال معكوس field reversed configuration للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز Cus confinement chamber يندمج أثنين من تهيئة مجال معكوس field reversed configuration تكوين لتكوين تهيئة مجال معكوس field reversed.configuration 02. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 11( حيث تتضمن خطوة تكوين تهيئة مجال معكوس field reversed configuration واحد من تكوين تهيثة مجال معكوس field reversed configuration تكوين أثناء تسريع تهيئة مجال معكوس field reversed configuration للتكوين تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز confinement chamber وتكوين تهيثئة مجال معكوس field reversed configuration تكوين بالتالي تسريع تهيئة مجال معكوس field reversed configuration للتكوين تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز .confinement chamber3. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 11( حيث تتضمن خطوة تسريع تهيئة مجال معكوس field reversed configuration 0 للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية تجاه المستوى البيني الأوسط لغرفة الاحتجاز confinement chamber تمرير تهيئة مجال معكوس field reversed configuration للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثقانية خلال المحولات divertors الداخلية لأولى والثانية المقترنة بأطراف متقابلة لغرفة الاحتجاز confinement chamber متداخلة مع غرفة الاحتجاز confinement chamber وأجزاء التكوين الأولى والثانية.4. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 13؛ Cua تتضمن خطوة تمرير تهيئة مجال معكوس field reversed configuration للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والقانية خلال المحولات divertors— 5 6 — الداخلية الأولى والثانية والتي تثبط المحولات divertors الداخلية الأولى والثانية حيث يمر تهيئة مجال معكوس field reversed configuration للتكوين من أجزاء التكوين الأولى والثانية خلال المحولات divertors الداخلية الأولى والثانية.15. الطريقة Wy لعنصر الحماية 13 تتضمن أيضا خطوة توجيه أسطح التدفق المغناطيسية لتهيئة مجال معكوس field reversed configuration في المحولات divertors الداخلية الأولى والثانية.6-. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 12 تتضمن أيضا خطوة توجيه أسطح التدفق المغناطيسية died - 0 مجال معكوس field reversed configuration في المحولات divertors الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأطراف أجزاء التكوين.7. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 16( تتضمن أيضا خطوة توليد Jae مغناطيسي magnetic Jala field أجزاء التكوين والمحولات divertors الخارجية الأولى والثانية مع أشضباه-ملفات de 15 ممتدة حول أجزاء التكوين والمحولات .divertors8. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 15؛ تتضمن أيضا خطوة توليد مجال مغناطيسي magnetic 0 داخل أجزاء التكوين والمحولات divertors الداخلية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات عل ممتدة حول أجزاء التكوين والمحولات .divertors 209. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 17؛ تتضمن أيضا خطوة توليد مجال مغناطيسى عاكس mirror magnetic field بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات divertors الخارجية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات عل عاكسة. 5 20. الطريقة Wy لعنصر الحماية 17؛ تتضمن أيضا خطوة توليد مجال مغناطيسي magnetic field سدادي عاكس gia Jah ضيق بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات divertors الخارجية الأولى والثانية مع أشباه ملفات عاكسة سدادية عل ممتدة حول eal) الضيق بين أجزاء التكوين والمحولات .divertors— 6 6 —1. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 18( تتضمن Load خطوات توليد مجال مغناطيسى عاكس mirror magnetic field بين غرفة الاحتجاز confinement chamber والمحولات divertors الداخلية الأولى والثانية مع أشباه-ملفات de عاكسة وتوليد مجال مغناطيسي متداخل necking magnetic field 5 بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات divertors الداخلية الأولى والثانية مع ملفات متداخلة necking coils ذات سمات عل منخفضة.2. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 8؛ تتضمن أيضا خطوة توليد واحد من مجال مغناطيسى ثنائي القطب magnetic dipole field ومجال مغناطيسي رباعي القطب magnetic quadrupole 0 5611 داخل الغرفة مع ملفات الارتكاز saddle coils المقترنة بالغرفة.3. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 8« تتضمن أيضا خطوة تهيئة الأسطح الداخلية للغرفة والأسطح الداخلية لأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ المحولات divertors الأولى والثانية متداخلة مع غرفة الاحتجاز confinement chamber وأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات divertors 5 الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية مع نظام امتصاص الشوائب.gettering system4. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 23 حيث يتضمن نظام امتصاص الشوائب gettering system واحد من نظام ترسيب deposition system تيتانيوم Titanium ونظام ترسيب deposition system 0 ليقيوم Lithium 5 2 . الطريقة yaaa] lad الحماية 8 تتضمن a خطوة حقن البلازما plasma محوريا في تهيئة مجال معكوس field reversed configuration من مدافع البلازما plasma التي تم تركيبها محوريا.6. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 8 تتضمن أيضا خطوة التحكم في سمات المجال الكهربي القطري radial electric field في طبقة حافة لتهيئة مجال معكوس field reversed configuration7. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 26؛ حيث تتضمن glad التحكم في سمات المجال الكهربي القطري radial electric field في طبقة حافة لتهيئة مجال معكروس field reversed configuration تنفيذ توزيع القدرة الكهربية إلى مجموعة من أسطح التدفق المفتوحة لتهيئة مجال معكوس field reversed configuration مع إلكترودات استقطاب biasing electrodes8. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 1؛ تتضمن أيضا خطوة تثبيت بلازما plasma تهيئة مجال معكوس reversed configuration 11610 في إتجاه قطري طبيعي بالنسبة لمحور طولي لغرفة الاحتجاز confinement chamber لوضع بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration بشكل متناسق مع المحور حول المحور الطولي وفي إتجاه محوري على طول 0 المحور الطولي لوضع بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration بشكل متناسق مع المحور حول مستوى متوسط لغرفة الاحتجاز .confinement chamber9. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 28 تتضمن أيضا خطوة توليد مجال مغناطيسي magnetic 40 منفذ داخل الغرفة مع أشباه ملفات عل ممتدة حول الغرفة.0. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 28 حيث تتضمن خطوة تثبيت بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration في الإتجاه القطري ضبط منفذ المجال المغناطيي magnetic field لحث الثبات القطري radial stability وعدم الثبات المحوري axial instability في بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration1. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 28 حيث تتضمن خطوة تثبيت بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration محوريا تكوين مجالات مغناطيسية قطرية radial magnetic fields أولى وثانية؛ Cua تتفاعل المجالات المغناطيسية القطرية radial magnetic 05 الأولى والثانية مع تهيئة مجال معكوس field reversed configuration لتحريك بلازما plasma 25 تهيئة مجال معكوس field reversed configuration محوريا لوضع بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration بشكل متناسق مع المحور حول المستوى المتوسط.2. الطريقة وفقا لعنصر الحماية 1 تتضمن أيضا حقن بلازما plasma حلقية مضغوطة compact toroid من وسائل حقن injectors حلقية مضغوطة compact toroid أولى وثانية في بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration عند زاوية تجاه المستوىي المتوسط لغرفة الاحتجاز Cus confinement chamber وسائل حقن injectors حلقية مضغوطة compact toroid 5 الأولى والثانية متقابلين تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز .confinement chamber3. نظام لتوليد والحفاظ على مجال مغناطيسي magnetic field مع تهيئة مجال معكوس field reversed configuration يتضمن 10 غرفة احتجاز «confinement chamber أجزاء تكوين تهيئة مجال معكوس field reversed configuration أولى وثانية متقابلة تماما مقترنة بغرفة احتجاز «confinement chamber المحولات divertors الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ واحد أو أكثر من مجموعة من مدافع البلازما plasma guns واحد أو أكثر من إلكترودات استقطاب biasing electrodes وسدادات عاكسة أولى وثانية؛ Cua تتضمن مجموعة مدافع البلازما plasma مدافع البلازما plasma المحورية الأولى والثانية المقترنة تشغيليا بالمحولات الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز confinement chamber حيث واحد أو أكثر من إلكترودات الاستقطاب biasing electrodes متموضعة داخل واحد أو SST من غرفة الاحتجاز confinement chamber أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات divertors الأولى والثانية؛ 0 وحيث السدادات العاكسة الأولى والثانية متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات divertors الأولى والثانية؛ نظام امتصاص الشوائب gettering system المقترنة بغرفة الاحتجاز confinement chamber والمحولات divertors الأولى والثانية؛ مجموعة من وسائل حقن injectors شعاع ذري متعادل neutral atom beam مقترنة بغرفة 5 الاحتجاز confinement chamber وموجه بزاوية تجاه مستوى متوسط لغرفة الاحتجاز Gua confinement chamber واحد أو أكثر من مجموعة وسائل حقن injectors شعاع ذريمتعادل neutral atom beam قابلة للضبط tunable بين طاقة شعاع beam energy أولى وطاقة شعاع beam energy ثانية؛ حيث تختلف طاقة الشماع beam energy الثانية عن طاقة الشعاع beam energy الأولى نظام مغناطيسي magnetic system يتضمن مجموعة من أشباه-ملفات do متموضعة حول غرفة الاحتجاز cconfinement chamber أجزاء التكوين الأولى والثانية؛ والمحولات divertors الأولى والثانية. ومجموعة أولى وثانية من أشباه-ملفات de عاكسة متموضعة بين أجزاء التكوين الأولى والثانية والمحولات divertors الأولى والثانية؛ و نظام تحكم مقترن تشغيليا بالواحد أو أكثر من مدافع البلازماء واحد أو AST من إلكترودات الاستقطاب ومقابس المرايا الأولى والثانية» مجموعة حقن شعاع ذري متعادل ونظام مغناطيسي؛ 0 شتمل نظام التحكم على معالج مقترن بذاكرة لا انتقالية تتضمن مجموعة تعليمات عند تنفيذها تحدث ضبطا لطاقة شعاع الواحد أو SST من مجموعة حقن الشعاع الذري المتعادل القابلة للضبط بين طاقات الشضعاع الأولى والثانية بينما يتم حقن glad ذري متعادل واحد أو أكثر في غرفة الاحتجاز من الواحد أو أو أكثر من مجموعة حقن الشعاع الذري المتعادل القابلة للضبط. 5 34. النظام وفقا الحماية 33» حيث تتم تهيئة مجموعة الأشعة المتعادتلة neutral beams للتبديل بين طاقات الشعاع beam energies الأولى والثانية أثناء sae إطلاق الحقنة.5. النظام وفقا لعنصر الحماية 33 حيث تكون طاقات الشعاع beam energies الأولى والثانية في نطاق حوالي 15 إلى 40 كيلو إلكترون فولط.6. النظام وفقا لعنصر الحماية 33 يتضمن Lad نظام تحكم في بلازما plasma لتغذية راجعة نشطة Lge للتحكم في طاقات الشعاع beam energies لمجموعة dail متعادلة neutral.beams37. _النظام وفقا لعنصر الحماية 33 حيث يكون النظام مهياً لتوليد تهيئة مجال معكوس field reversed configuration والحفاظ على تهيئة مجال معكوس field reversed configuration بدون— 0 7 — تحلل أثناء حقن الأشعة المتعادلة neutral beams في البلازما plasma ورفع درجة حرارة البلازما plasma إلى 1.0 كيلو إلكترون فولط إلى 3.0 كيلو إلكترون فولط.8. النظام وفقا لعنصر الحماية 33 Gua تتضمن المحولات divertors الأولى والثانية المحولات divertors الداخلية الأولى والثانية متداخلة مع أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز confinement chamber وتتضمن أيضا المحولات divertors الخارجية الأولى والثانية المقترنة بأجزاء التكوين الأولى والثانية؛ حيث أجزاء التكوين الأولى والثانية متداخلة مع المحولات divertors الداخلية الأولى والثانية والمحولات divertors الخارجية الأولى والثانية. 0 39. النظام وفقا لعنصر الحماية 38 يتضمن أيضا مدافع البلازما plasma المحورية الأولى والثانية المقترنة تشضغيليا بالمحولات divertors الداخلية والخارجية الأولى والثانية؛ أجزاء التكوين الأولى والثانية وغرفة الاحتجاز .confinement chamber0. النظام وفقا لعنصر الحماية 39؛ يتضمن أيضا اثنين أو أكثر من ملفات الارتكاز saddle coils 5 المقترنة بغرفة الاحتجاز .confinement chamber1. ._النظام وفقا لعنصر الحماية 33( حيث يتضمن كل من قطاع التكوين الأول والثاني أنظمة تكوين تم تضمينها لتوليد تهيئة مجال معكوس field reversed configuration وتحويلها تجاه مستوى أوسط لغرفة الاحتجاز .confinement chamber2. النظام وفقا لعنصر الحماية 33 حيث تتضمن إلكترودات الاستقطاب biasing electrodes واحد أو أكثر من واحد أو أكثر من إلكترودات نقطية point electrodes متموضعة داخل غرفة الاحتواء containment chamber لملامسة خطوط المجال المفتوح؛ مجموعة من إلكترودات حلقية annular electrodes بين غرفة الاحتجاز confinement chamber وأجزاء التكوين الأولى والثانية 5 لشحن طبقات تدفق بعيدة عن الحافة far-edge flux layers بطريقة متناظرة السمت»؛ مجموعة من إلكترودات electrodes متراصفة مشتركة المركز متموضعة في المحولات divertors الأولى والثانية— 1 7 — لحن العديد من طبقات التدفق مشتركة المركز»؛ وآنودات anodes من مدافع البلازما plasma لمقابلة التدفق المفتوح.3. النظام وفقا لعنصر الحماية 33( حيث نظام التحكم مقترن تشغيليا بأشضباه-ملفات de 5 وملفات مجال مغناطيسي قطري radial magnetic field أولى Gua (dilly يتضمن ذاكرة غير انتقالية non-transitory memory تتضمن مجموعة تعليمات التي عند التنفيذ تجعل المعالج aks processor بضبط المجال المغناطيسي magnetic field المولد بواسطة مجموعة أشباه-ملفات de وملفات المجال القطري radial field coils الأولى والثانية لتثبيت بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration في إتجاه قطري طبيعي بالنسبة لمحور طولي للغرفة 0 لوضع بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration بشكل متناسق مع المحور حول المحور الطولي وفي إتجاه محوري على طول المحور الطولي لوضع بلازما plasma تهيئة مجال معكوس field reversed configuration بشكل متناسق مع المحور حول المستوى المتوسط.44. _النظام وفقا لعنصر الحماية 43؛ حيث يكون النظام مهياً لتوليد تهيئة مجال معكوس field reversed configuration والحفاظ على تهيئة المجال المعكوس field reversed configuration عند أو حوالي قيمة ثابتة بدون تحلل أثناء حقن الأشفعة الذرية المتعادلة neutral atom beams تهيئة المجال المعكوس field reversed configuration النظام وفقا لعنصر الحماية 43 حيث تكون المجالات المغناطيسية القطرية radial magnetic fields الأولى والثانية غير متناظرة حول المستوى المتوسط. 46 النظام وفقا لعنصر الحماية 33 يتضمن أيضا وسائل حقن injectors حلقية مضغوطة compact toroid أولى وثانية مقترنة بغرفة الاحتجاز confinement chamber عند زاوية تجاه 5 المستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز confinement chamber حيث تكون وسائل الحقن injectors الحلقية المضغوطة compact toroid الأولى والثانية متقابلة تماما على الجوانب المتقابلة للمستوى المتوسط لغرفة الاحتجاز .confinement chamber— 7 2 — ااا 3 ا ne °° \ خخ ؟ DD) woo x Tae rr ———— . : Nie i a ض i vo 0 0 4 | = 4: اط اوم إ تو يا ِْ "و Nah ِ | » i J إٍْ م Yak 0 Po ٍ EE TIT, i» : » : ماب إٍْ boot { دبي i 3 ج & A lin 1 . بي + المي & 2 ااي ْ } الم م ل wn gL Teg i ع 0 م حجر 4 ٠ % «, ¥ x ky ¥. § *. 8 A 3 ١لكش— 7 3 — و 1 4# ١ £8 يجيت و . £¥e / Sey£4 % \ ال / aa £44 Too* as \ i FRR gaa 7 1 1 م)] 8 | : RNA LT rete Yoo oo واا لد تسل سكل Ahyeg NW en ly, B10 DUNE Lerma nT NI tame dd سان اط Sed Smee RE ل اي ل ل لي Sv ل الاي أن وا i er vse eee RR i i TT te I 0 EIR ee er ERR Td Voie = ". EEE pS uy Lol fy Bt TY \ ug Waa م ا NN ES 1 1 8 Try i ese ¥YY لمتحتSe ) § & } : مك اف 17 :0 ؛ ١! 3 Wea | PRE EN ؟ LE في ص _ إيواءة tae yo ERY أ bos نر 44 2*0 wv & § \ 1 6 سل للب_سست ايها ا تت 74 x 3 £ + $ شكل ؟— 7 4 — Ya es = rd EAA ااا قد Yea ا ليبا rd 8 ¥ * 0 r as \ | 0 ; ~~ X x Tew N, 0 rd £ { FR الي اي من كيبا ً : 8 ل 8 # _ § أ alle ال aha” لا v8 g J Ties SE ولك ص eg : HES Thonn @ ee ل NS مم 0# 7 TER prepreg BE اللكة ا 1 § 8: 8# Bid ae iss a § 3% 8 أ 1 1 إْ ل ْ ل اج نا لال ; لودج د £38 F r ¥ 4 \ \ Cra £Y « ¥ 4 * 1 jy شكل—_ 7 5 —_ yas ١ \ x 6٠ @¥ شكل ١ Tye Ta \ با Lo TTT A TT 7 مسح لك 7/8 ا Twe شكل "جما لأ م باق $Y / 5 ™ t RE | Fo 74 4 ا 7 7 لخ PE ¥ [a % ¥ ٠ ا hs 8 2: ”م ¥ Fa \ SOV hy ats, ) VON 0 متي | py ho i A سلسم 1 باتع X 5 م cede 8 wm ai i { EY WE Tiley 0 rig مه « Eggs ki i £ تلم fre neta Fn od لسك هاا تمس تبات Sy ow) مهوي هت وار الم ع ٍ الاي يهاي وص i ’ [7 ANU ee of Uren OT Be we oF) BR 1 3 ’ 3 STO TTT oo I) FEN ASN Pe JT يلا JorHa. \ 44 Nur. | SL 7# 4 فى | ٍْ iv, / } Ye, حك / J 5 1 3 0 3 4ع ax $s ١ PAR 4 *ا 01 a J أ x» 1 $ 4 > ¥ > % 0 & شكل ل¥ ب + ا لق م N x 4 SE Gel Sr 1 الا بج A £4 بابق صن ال ال ال الح ا ا eA “4 : A ل at م :م.اج SA يي a A poe 3 8:1 م" + حل ا : ary RE Sue dae SMS 3 i 5 0 تت ا ا SN > Cw بي ال احا حي 5 Ned = Ea Mong hi Fe : : >< م ا 2 TERE IN ANN NE Saige | Se MY EE a SRE Ra Bria ala SN » تك ارا مخ Re San a SIA ب الم *.Y Noel Sah URN Ae TERR a NE Sd RET SRI !سر اا ال ل 0ن Sea ed FE LIE SNe > EX OR 3 a DI ¥ aa Nl RRR ا ا RANA ie 0 1 TA 1 ل HES 3 saa Ey 1 » > ل ل م الما ا SEF Sk aX Ld { bx ال LTENR ا ا SE ا الا اما ال راي ا RBI ا وم 8 os 8 / i FREER SW SRN a SH So BE Sed 3 ا / 3 ٠ ل 3 HER RY YAR LN ان الا ا re a,gp. TYG oF او ا ا ا مي ا SR Sree + Wan i Shae ES outa ra a SRR الح NE NAN Bo SF 3 POLE Es NRE RR i SY ERR IES Sn RN a AN 5 الا اكاب J ie Ha ay ad yd tn RENE . RX Foo A Sel p FEY ا ا م ا “ie oe FU AAS ey NRE لوا ا الدج ا Php PRE TREE THANE sed Fu 1 تيا المي ا ً fas SEER URE Fen د الخ 1 جحي ل Rt Sra 3 wy oat TNR <> ام لح ya ا ال م i ARIE x aw % xX % مي Bg any Sid [pe HX امت Ae SE شكل ' ب— 8 7- ES, » » حت و ٍ : Pood سي ١ :ْ 8 ;TY. أ ١ 7 /ty. _— oo] ٍ 1 سي مسي مسي ست بو ين : ِ: ow : ٍ 7م لاقف : سماالي من > تم Sx أي Ra a [FO vy اتات تتلا ديد تيج 5 1 2 ا i YY, TYE LT LaF a it i Fa با i جر" i Snag § fares, o $ ; اي م i i i, { NN ve. > م 0 الك ب | “ا i {ARERR 3 i i ERY No OR, wn Be) Xe * 70 م i ii ers oni ; Lif Fes Shel 2 pm { S$ الما ال لأسي ا ا : ب i eh SURES TEE ; ان نه i Hl SE BOR TIE Dita ARS RA 3 i idee or ARERR Rede See RAS i HE QE Bode fo od Bo + ال و اج ال ا i a i HERIN 8 8 PR SRR ae RA سأي 3 i م 8 2 4 NS : إ A موا BOW odd BF ا a LEN i : ag HE 08 الحا oa i XN pa lit vi 1 A ال eal ا ل إٍْ ٍْ الح لي NE ال i RR ا ا 7 SONNE =< ee اللا Rg eid RY = ) شكل 3EA a 5 يجا الحم كالما ا Fe الس حي ااا مد ا ا م الحا محم و ات ور را ا ال 1 اح ا i RHR Nr PETER Fe Fig iF AEE FI, SNARES Ae TT Hol SHER بسك | الل ل ا oT, ممم أ الب ا ل ا ERE IRN pc المي Hae RR RR SEEING حت SER EA EE ا تأ ا Fs ا pu ا ا مي ل ا ا لالت ram <2. WT ا ما << حي SEEING RN « » BR ¥ i? Seiten THEE A OE SE bi ا 3 5 1 1 AR BIRR A IRE REA SRY FEN 2 1 > حا ا ا STR ل مال Tee ey 3 NER Te SRE 5 ل ty Fr Ra E الج يا ee الت Somes © اتج ™ ىن ا 8 اي يو لا ا الم ال لم را ب SiR ot NER Ta 5 - PRE TR SoH i iH Hi io § 8 ِ 1 لا ا ا ا “لح ااا il - Po Yar “EU A aN i 3 §F od —_— ORE اماد SURE <١ & : RIE & So SREY لمجا جا ١ i & id PR ما 1 ا ات الا لمك لوي و { i <> SER ب د الح اللي ساد i oF » م i 3 ا + 8 . Ne i of + ب ْ = SRT TT & { ETN HEN oh برأ كال اه 1 اا ‘ 4 : . > TE» R SN “Ne Ne “ شكلwr ب oA 1 3M PUT LR Loomis % EET ¥3 ال 5 NIT RTE ER HN اماي وى 1010 cE ONY ا فى لخ :1 ا ا Dei 48 NE iY . ES The coi, ATR Drie - TY a : ال ان Sh TT ا ا ا ل عي ا re HE MEY HE 1“ ال ا PERI الال ال 1 ااا ل 1 DV AREER EL boa SON * oer IES RRR ER RE — fra i SEN eld | ERNST Be a Bale See a > أ RR iY BI RSRSS RSI pd oN y The ب ال جا ا الا Fr AL من Srl NRE aR لجح جع عجعج عع عع ا 3 HE NRE : LEI Bolla UR ا ود ا الأ التي Pog I SER & 3 ~ ل fn, EETir. STN eR ee ال ل ianET اح الت 1 | SNE RG i الا EYE ان ed i UY Aw a SEINE 3 B الا 7 1 afi LI : SUN EEN VY LT SOIREE a i ETRE RG NSE TERE Ny oe 11% مه حا الى ال لي STEERER SE 1 م سا ANE, ا ل BO er SUT لي ا a pA PNET i fail, La VERT 7 UN § 1 { ا ا RY الس ل ُ ry = ات يا التصليد : الست 5 Id aa We BREE ERE 3 ee Sg EIR a EL Sap ledeBEE eT 0 1¥¢ #وي اح ابي IRE الى J ا ممعم ee La الا i EA LAREN a ب ل ل ا 0 تل SEER م si 1 اميه الو x » aa FE i ay J EET ha (at ETT ٠ ين تي n= Son | URN التي | EE تتح رض oe San Ls = لمي eS كي SENATE ET ee مول هياب مي رح EERE اا ١ ال SALE en 1 ا ل ا الاك ne er” * ¥ A ايخ الحا eR ا ا سن الي تمي Li BER re لل م اا اي Hy لمي Te oa حي ا dd PET een ee حل المي 0 a مقي fe i اليد شكل ٠The Ny Nee م I - ض boo 2 Ln = i Pos 7 4 ed iB 3 : bas og SAL ¥ © ow 8 6 ملام 8 و Ne i ب ل ب 0 3 ل J 8 oR A DERN SOS 8 “I st 1 اا ا لمج ل الل IND “Pde 38 J a & Sk : Ee SORE SRN Th, : Pore “Fe Tel» CIR ees 8 : ora TUN, RR Sed RL 8 ححا 5 ees STAY Nw FRC Re b Ney ry EA od 5 Neer » Jogi RS SLT FER see CRIN ey ee 3 jor 8 5 5 " ARR =A 1 ال Se ee 5 اين الا 0 ا ب SRT 5 gam ا 1 ٍ ETT NS I ض = ا ا ل ل يي 6 تل 8 SY SIN i Bw SRL EE ; BAY XN Sm ا 4 Re i & Rg : ا 7 ْ 3 “0 3 ا اا | 8 1 = 3 ) SX = Bey 0 ا ا ا ا ماي | الخال x ome 0% i AES 8 eta? 5 0 و ا ا ا 1 الال ا 4 لح § 31 SE ENE FP = peo vod 3 EEE SRG 0 اك را ا ص » | Ee ا 3 SY i SE 3 3 Re 0 امم أ لصي TR EEE EVAL © LE is pe = LI k 0 L م JHE ل so ee 0 م اث 7 ل ب ال الا ص ع Sahl i : Wd SERRATE = 0 > =e § 8 4 ال 0 ا اميه تنيت — > ل + شكل— 8 3 — م VEN Ww am FLY f * 0 : Ww EY KONE won fo / / / , § i AYY ? 3 } : 25خ AY كم ’ 5 ary ALYY SA «5 ل Loh fy A {lh pred? ][( شال اال ممه © TT مسح 0 Nis + til © FOE © - bey TER NALS ب الس أ WT PHL Tk i J EA 2 0 جيم اج ل a "i i | ل 1 i Fe A 1 TE 588 19) (ftom Ue 7 xg SH ; i 6 4" 0 أ ال Meal SLL i ATY 4 \ , 0» x ©» Yr J J \ Xo wr, شكل ؟—_ 8 4 —_ EAR \ 0 Kw 27 AY NCTA ال = - OST) ra. SNE TRS 0 SES الي 2 : ايا ريس الج اا ‘ w كس 5 SR > كت “بي NE GRRE fa ا 1 BN VU 3 ft ia > 0 § 0 ل \ 3 3 cme I ETSY Sh 1 1 i 1 ji ا "0 1 | مس | 1 hay) IAS ceil Tile LE ل ترق 3 hed 8 REY Ske i i HL = i مد : 3 = 4 - الما 0 | UTE Td X Ge AT FUN AH J RIT ارا ال بن ا ا 8 سسا = 1 رار موصي من 4 ال الل جح ار ام “et مل 4 F | AE J AT AE ا بط 0 EAT الاry. ٠١ شكل£5 ge TT ا بي 3 0 Ry 1 ¥ 3 A i= 3 3 § Nd 3 0 سس ا ل ص ل Po | ألم dil i i { 1 ْ 1 إْ ! 3 i SRR 3 { 3 i ee p : 3 i g i يي |] O Nd t : i i ...تت ؟ ع : 3 3 0 | N 3 { i 5 Big: 3 BE قا ; ؟ i T i : Pp } 1 : t : 3 A, 3 A ا« i» a 3 1 QA Syed 3 3 + JS RR ’ Tia Le Lo eh ٍْ 1 op مج ارات ال و2 : & oo BLIP 34 بح i & { ” اا 3 pr 4 إٍ ألا > od ! ¥ . ah ل J مسسسسسسسية “ اجا ١ Js ا+ A د 83 5 ل i “ 1 « © 5 y «UY . 8 لطي مص ا مخ ١ . na Hon Yo + يي . ‘ «SIT : i = td OER 3 oy 33 Ne ry 8 8 ا yi g Cel Red ee PRE ve - ma ِ ٠ hoa Seo ea T : obo ccd op ا ا 01 8 AR “yin vy . I. ~4 لأا « ١ ب Vat تا . TT <n ب <<. Rae NA ent ا الما امات سس أ أ أ WR eee ١ الي اا Rae YT ب 8 1 احا اذ y § ® x v4 ااه اس ع ايه مأك 2 ay A ال < ee CR HR سكا لأ أ ل الا وي ate REI Daan . سي ٠٠٠٠٠: ل ااا 00 © ححا اا اا ذل بن كت "لت ل ا ا SLEREL ا اد STs CN, BR ., ¥ = & NU : + لأسا اا ا لس ا اساسا En EE nbn] و 1 - 1 7 0" wy I 18 ss 8 اا با سن ب ا eg لا 8 A 1 : . 5 % 0 اا اليا 1 Ld Rid Te HI ل x ¥ £ 1 4 % o> 2 ب VY شكل IEا ا ل ا ل ا ا ل لا لا i 4 ; : Ld ا : oP te ik : : ل Tie 1 ل * أ ا TT { ا الما ااا ناي 1 4 : : i eee ll NR | :0 eux vA OT GA to.AY أن اا دان الا الا الا اها “x RN «0 v i y i : 1 Ld ال يل : بز pe ee fe ence ال لات لاو في : ا 5 i § : i i : Lo شكل ¥ 3 يبب ليسا مستا ons مرا ىن + ا ل لها ممما جما a LY iF rb enn hm لشت ا د اد أل د ل الل و يك v3 vA #خ + aX ا يا لوحي ERY ey i oad ب ما > وا pn pase BY 2 1110 1 لالت انا Sa? HR > NH TISAI شب ل HR RE TR RRR 1 11 يإ ات أل : NE Rea BY ++ بلا B « ( د سيق شكل VY & NANG a, RR RRR Ree A ~ 82 2 م A os ry ان % > لآرة ا« اللا ا ل لي oa LT ET اط تتام وجا wr te i i t : : : 1 Po 3 Ff andmmag nde den d BIR oo ? : م ا 0 3[ % اا Te po ااا ار 7 ty !ملتست ؟ لاا يت و اا اا ا كم جك AA حمر ارد حرق لجيه fy AM زا4 ا h Lo wy Is syd af J Sy) or يي or A Ye Ya A > > + + a مشا الالح يع ماع YF =" yl 7 33 : RTT ل م مز 1° FET as ا تتم ا الصا ال ب ا و Te fa . 1 7 5 « \ سييست > سسحتت حت ا دا ~ : ١ : ب (ARRAN, * § | Tet [a eo eens محم ب Xs Sx x § ¥ v i at ل rw 7 ; . Ya ir ٠ t ¥ > ib ay jr ان للحا ا ا : yl Ad i تميس i 7 بن Ya 7 x * ” w ل A A A A AN AA AA AAA AAA Se امام iin . 0» iT : Td Se Rr ب 7 te ‘ 1 ¥ * mw » th ١ شكل— 8 9 — (HE 0 بكر # ا ا Ph { 8 SER 2 ل لا م 2 “er id ب : {TRAE SE ا / م © © Tue ناد ; ٍ: م ا ١ | | gd TB & OAT on +S 1 Pio LA Qe 50 امح الح ور ا RE 13 4 ا ; pt a eo 53 +8 N LL UN eR sR AIR : it 0 i . Q a ا 0 7 ; يدث ا الإ : و “د الح لي نا نا لزنا ee مرا SL TRAGER De ا حصي اا اسار لت eS أ ; لح م Fes. - 4 HE THEY TY Ey IN . 0 8 : را | 1 م | & TR of i Megs % SS ' 1 8 | = WE al را 7 م SRY EAE :’ . AY § 3 8 31 8 : bs 1 ; £7 « . : | HLS 1 : ل اللا SLE 07 LAN7 4. أ S$ 2 ١١ شكلاح ب i + mp < شكل ١١أ Xs i Y رذ ١ ٍ راغ سس - ب Hy JT 1 . 0 - : ١ ' نكر لبا ض ١١ dd LT إ "م دج تم 1 . ع باتو Ys < شكل بي i 3 و Be Feed arf RE Rn [RTE :© * شكل ١٠د ال ve الل سييست ّ 7س 3 4— 9 1 — صن ال :و spat . £ af محا » ne hy شكل vd sy LW > PET Ya i ; ho ’ Me «9 1. هذ Yo. ف2. تي “y A”[. ; be إب Vv شكل ES ve 1 & ¥, ١ + ا د «8 Yoo ها La ¥.e = I Se” 0 “رك ال لاي وخر 3 2 ١ bs : ج١١ شكل © < of 3 " No Fb ed « » 0 4 55 م7 .ل ات 1 ١ إٍْ 1 . ص fF ”من & ; 3 i IVY يي شكل © : ب i 1s ha > م 1 م x. ؟اال اال TTT الل حك اا HTT i : { i 8 * ام ب شيع ا حاف يها الست Ne شتات اتا و« > i} A te لاطا ويا ةا ا ال شكل I 0 i Tt 3 كد اج و4 Yi ; | | 1 TNR i i ا اساي سل مه زات a bode Fi § ا م Ya ان AL Ye YL XS ملم er Ny fend ee « cmp renee eee resid ا evar edn ات لامج اج ونه 0 ; : ا : i ٍ 1 3 صصص ا ب ف t ب a ا شكل أ tt i i Lo i ل ل ٠ ام ل أ Crm in wd ل ا on ERR امسا سات ات 4 fit 5 Seep fe pa ey beh had لد انا ١ لد Seid ove هم مت مغ مك مز اه ال ON . ey . Nn 4 Bn Te He hn ren Std ‘ :م TA مهم i ; ل تله orien 0 © ~ FOOTER TEE be : z VA JL Xo. = 8 NY لأ ل ل ا ا ا ة 4 8 ا ا 0 OB # مي ب ahead وه تو ا ا ml, ا ve SBIR TT linn Ye Nz Tove لمكا rove Ye San i BE wg IY : TET ec d ss bdi ded وا on i ا A . J 3 ev ag 3 3 Ea bd aia ate ’ redo TTR Sa ae i. ve x.Xs vive as “ 2 ل أ 5— 9 3 —2-7. رد A ٍ Ngee a \ A A “yy i £ - a A sot aw E&Y 4 ٍْ الى 8# ; Y do * & Ye .ء؟ و2 Xo +5١. Yo £0 3 oo V4 JsEE أن ب“ 0 ¥ a ae Y i i . = ” «& 8 ا لا ا Sd Se : “yn ا له WN ne a1 . ا ol So Non i ملم Ne on el للم لم SANT on حم الماح يانم مام Pn SII a ® ب a “a ال te EN Tai ا ا ا Ng ا 80 Te ام بوم x : الم Yo 3 م 0 ol To TILL ا ا 5 3 & % ا ا اا لا ا ا ا ا ا ا ات ا ا ان لا تق a Ld » Ngee I + نب x ¥ ~ > ا ا ا TT Ne ا ات ا ني ا t ¥ = TT LT Repl a ed ار ال تا NE الا ايا ا را ال ا ا ا ا ا اا بح > ا هه ل Th A RRR i 1 ٠ x £ & “% 3 <ro. ¢ ١ ¥ Ys » ¥ TY og AY ايبيلل LL Re x | اليه داع اعم عه AR UR الاك AAT EE RRA A LL = LAA LR A TA A AR AR حي A LLU AAA تاك i yn oR 0 53 8 i i 3 م ب x i + ات ا د LE Fey TE كر جم 3 i ¥ 3% Jad ad i : 8 8 5 5 مجية العو CRE TRE 3 13 . . ل ا اله ااا و2 w nowt { : BR desing i, ME TE NE Eo . 3 ا 8 Yoo iy : J i TTT NE بحبح ياتتحبحبتححبحباتححييبحتحةحبحبحفحعمتحعيدححةحةحةحعةحةحتبجع متحبةتفحيتح عيمح 8 2 UO: pS x جاتحت تتا ال YRS SE Ts - i اا aA be حا dnl LED ا J ل LAY : oe . TUN RN Tn NN 1 ا en nr ; i Egg CE ed CT TTI wry JB ab i 0 : A 5 Se TORT ET ly : Noo md i TN x 1 ا ا 2 . ; 2 3 ty كر ?9 Hy, * Ya oe bassin 8 8 To 3 = nt 8 Nl : ee TTT ا ان الا oer اد SE ا ا ا ا on Eo “EE we er on nA Corr ks ms TT wn ey El "gy Re ١ i Tn i i i 1 ا ااا ااا المح اااي : { i { Sak ol ¥ & i 0" Fo : i 58 ات ب Ee 3 ايت لسلس اات(اسال الللللسس errr rr reer 8 ¥ ال ا ل ل ل ل ل ل ا i = i 2 2 1 اا ا wd oS cn i LL = : بج اك wd ON NM * a : ا RR I : 3 11د ER ET TT EE e N eee eee eee eee ee eee eee ee EE ee Eee een E الات يسم .© «IT 8 1 oN 3 ol 0: i + ©« a Re oy 5 7 ا اال CAAA تي م uN NA 2 i i اتا ات ااا ا تم ا اتا ا زا شكل % ¥ al x Tey INN i : بي كرد ول 1 x Te my any TITY i ا شاي ا الع ااا يتا ا ااا ال أ ا ا قا ا اط ااا لأ Se ESR 7 en IA ILL i 8 3 4 مسمس vt Lianarranaisrnarararsarararsarsaiannararassararassaiivaaarassararass assassin at Raa a aaa a ER IR Yo « ١ Y ¥ 8 2 5 7 A yo 2: ©“ tadالا ب 3 3 : :0 : م i: Toa :م ؟ 5 3 pod 3 Tee 8 ~ J ted Hand 3 Fy I 3 © — EE اح 5 pv pay مسحت لا 5 ب TTY : FRE امس $d i Pond يج 1 اح k NCEE ل 5 د if N BLS الال مسا 3 3 حب = : Fe hsm Rated Wi i 5 hare 3 3 : B® 8 3 3 1 i i 3 RE i - Po 1 : ] i i ب 1 NE 1 ُ i : HRS 3 1 أ ا ا ا و ا ال لاا if}: ® للا 3 8254 NE § ane MARE ين a ane aaa § i i SN x ل (nimi ا i 3 i Voy 1 IE i FI bE 5 3 } 3 3 % i 3 8 } 3 I Lendl it أ ا حا اح لاا أ i i B12 3 3 ا 3 i EE RE LEER E aac م i i Eh المي جوج i i SOS SS لج Aa : 9 333 1 © WV 4 FT ETE fh pssst assesses 1H § i RA 3 5 ! 5 : oi Poy : PEE ] i 8 1 > ؟: 2 + 2 i اي“ : ةج Pd ; 3 Sn my i لمر ات ا لأسا 3 8 “الو : 1 3 : ; ل 7 Pan? x I mend الست ا ES ! EE الةة لا i n الخ > Revers Sordid § ¥ 5 3 eva LE | PR ل ووب مس : 1 v + Fad Ly 0: Pods id EE : Pd 13 id ood i 3 ; : 0: fond ¥YA LL Eg i 3 i 3 3 ! 2 MY ب 4 ,~ YY 5 ا ا 8 اي Ss BN يال يض 1 ان 3 1 ان ا ا > اليد Sa RR اموي الا يم wow اا لح ل الال بحام خا 1 TERE ال رد 8 NR الاي 1 EY ا 1 تخ 0 5[ لح ال NEE Sd ْ ا 1 إل 0 SEAS: SEE ا ؟ الج FLA 1 VEE !8 للا الح اوتا : ادا ا اا م الحا الا ب dd ال ا سنا 1 NY لجسي نالحد تت با ل 1 اا ل مد ا ا الس ae ل الك i لي TED mma TT.Ra PTET fy ُ PERRY TEL 0 و اله J P11 SN ce 0 [OE اخ . - الم yi NE SRE 3 § + الا XY YD ا 53 EE ae eS 018 9 0 © الك 3d NAN yas Ana [A TEE ا 9 & حك 5 4 ؟؛ كي FELON LI A NR 9 Rad, الا ا لالت Sa Noman لا قر Eine NRT, FF Nod Savane. 0 SN SIRO RR : لي 1 1 ل ل FF AEN: Svs 5 ag A ل FF eet ا ا ا ا ا امح ا Sl اا ل yew ثم وذ ال لجاع A ا الاح ا ل ا لحلا تا ححا 0 AN لمحا الع ل NRA Re, SVR ah Ny 3 y : ؟: لي ائ_ا الم Baie الحم الل اح ميحد جد 9 FIRE oF ior LF ae NN RA ارح Re sa SRR TINEA مع : ي؟ TORS Ten ا اميه ا LF ean ETRE FLY 5 SEN naa, a, SNM, REN 1 ا 1 ل م ل سن ارج RAN الي ححا 0 FOF ONS SENSOR RRR FATT 0 الزن اانا ال ل م الث ة 1 3 1 $ ال 3 ع للم : « ¥ ¥ ب دج 8 4 5 ا ET م * olde nnd dF 5 . - Soa RY wy 8 5 : bed ل مت ا Pt + # لمح اياي لاسا 979 و السو ليق Had أ ET {aad م LN {od 2 i: EE {i NEE ا م Ra Youd i 8 4 ; VEYA Li *3 5 15 ow م مي تت % 1 a 0 1 0 Sma ow | ف لم Smt 3 NE ال SAY ديه 0 > FW 5 8 الل es ATEN Ye Fhe Re & ا i 5 ال RS SRN Re a, Sel 00 3 ال peg ا ا > اج i so Ye Poy ال ا ير اا لاسي لاج 5 ا Sx ARS 0 الح ng ONES Xo 0 2 oe BETES Cp TTR a لبي & “8 § wT “mR 8 ست sg) SE Re I Nem L 8 Sess ¥ oo. Waid <> WY Se NR FY ER S50 § wi Sty Nm Tal ل i ME NAS Sh i 8 ES ss ren Sd) 5 الاي + 8 ER: 5 الي 7 ORR + 3 اما ا لغ« الا ا ا سي وان #* | * ل wih Le 8 الال ب أ تج TRY pay SER BBE ERS 1 : ا الى ا و >< SR SFR Bd ERB الت عم ot SR RE ا“ الحا ل مجنت جم Xx ا aN 5 & ب ابيا اي Be rc TER 58 3 1 ARR Ye wd i FS SN RAR “الو 3 wo ال الا ا ا ا ال RBS Lo : LRT R 0 § of ةا RRR b: I B® + FF sew 2 خم جا ا 8 8 اليا 8 الا الا > 2 SoH الى EE ااي Te i صا SRE م 8 A AR owe ا RE نحط يد بو i i RE IB امح 3 er Rs TR Ape a RE, =) a il a HRY le ¥. 35 oi RR A SY N i RO { { i 1 33 ¥ +: : = 3 3 1 Sow Lon RR Ld SNRs ا سس Ww oa 1 ifEa . vy. Ya 0 K ; 1 2 #8 A : oi, 3; aI ب ا ا on Eo a 3 يجا 5 _ firs Caled Fa 8 ا SN ; اا ا ا {) ny J 7 TN {#7 Loud OWE ead WH اح 2 3 hs SS WL IRR ENE oe 7 need 3 & SEH 1 N 3 > I ha SN ha A Ress 38 3 i 3 RIS EE NBN ل حي Poo ا Sa ¥ Lr SER RNR LR 5 1 اج JA » § rede WRIT RR : LR Nigh 8 en OE 7 7 ال ل RE RR 3% الموج << . ا 1 3 8 8 1 ER 3 HRY % JiR YE 2X Sa 1 ا ا ا 3 IRS a PR RAN aE LAR ا NES Mp FREE مه di NA & 3 v a : ا ل 8 و ل الهف يا ال يي روصو وح BN م لي و ال 8 DSR NRE 1%: RRR BN Sel 8 Ra EEN اللي ومسي “iia an TE Ny oven 5 J Roose Ral o oN a ee BY Se Pe £3 جع REALS RR ل مااي و ا feng dn 0 #7 الوا i Noah dR 1 0 88 RR nn Yous ’ ¢ d 8 & vd . bts 1 ¥ 3 1 ال هلي Yoo oy i : - S$ 3 ; Hn 3 1 3 ٍ 9 wd | افيد i a ب Sa coats * 1 الم تفخ WE ee 8 x fd ¥ ; بن »ف Via ا viv ض a ih - }3 Bo NU ™ od SY 0 7 . لا 8 2 + 8 5 8 SB a : ; ا الل ب 0 8 0 TEE Th : ] i ESS IR i. WY 0 4 4 1 ل i fel ل اللو وجا : 2 حي 0 0 ER ا "0 ; منج ES LEE PSS ii SSI hey re TE i ds Ra 1 ل SY لمم ال المت ل حا RTT oN SMS pg 3 8 اسح امس ’ . : ad o ا a i} Fo) Ha SER Fa TR LL 3 3 = = IL NA Su : ٍ 0 ® Ww LER : ض ال i i 0 Y¥Yy. & شكل ؛ ؟أ FE Yin ¥i¥ v 2 Oy 'ً ا ’ عي ERD | £3 ل الخ ald] SL $a AAT Ww 0 OF الت الى Hadi, 0 ES : لمق لا 3 لض 8 nn She : : ُْ ا EWE ال لاي كمي ا We HA POR ٍ re ب eb BR RI RESON SEY SENET ا م مج ’ اح 10 TE oy 1 Ryo SOR il مسا ١ : مسي 7 ا 5 Ly oy hd HE a SRLS SIs 77 Sd Seb wn Ho = Sal * الا wy Ted Sd HH wo a pi Fa SUSI HE NA A 8 ا BEE Ee ATI Av Beg حي S200 = : ; ey لاا Oy WE ER £ ا لل RN! Co SET « Ln Se Lo SEY ray So ب EVE SEE wey oo 3 ا ٍ a fie مب SSR AA i & ب BE ا & 5 “ ب لصوا م ٍ 1 oe اصن ا وض ا ا ا ا وي ا ار ال "ss § 3 ae Ts ST ع ا اخ F : جتحا جحت :1 ل EE § fo NL ا تن rat i pe Lo ET SEAT WANA om 3 0 hy fH URN EST A cen, S08 i NL SRR OTR i CER Satay, ل ] A $58 a SLR RN WL اي 8 RIT: fr A AOR rd 7 8 8 ب ميا 3 3 Treg” Suit il LR Pe) i Nas a ب Lira LEME Frye! م 8 للخ iY م ام Bi Sra Ru LE x Hy oak i 08 اال ا ل & 3 4 TRY EE LE Wo dd 11 ال 31 ١ ا Cai Mende pd ig i 11 Th Ea VOR 8 جع" i SI 0 0 ا ا 3 3 سح ال لي ا 0 ازا ا 4 ا $i 1H Jib 1 5 ا م آل ص لزي حا iE Se Aad Prosi faked LEA HE HE 3 i Cada SA SE es SEE ات ا 3 1 ل وروا E ال ا ل ل الا ا م الأ | Bh 0 ART \ SS ed ا Eh Al RE din § 1 \ ho A | EEE i SH TEE fi SB | ESE 3 3 75 {oad FEEL JE8 EET amma 0 0 ام i 7 ا ا ا oF J ا 1 1 Noa Pi EAE SA LE ew J ME 7 pe ا ارو اللا لا oy NN i HY 1 > 7 SEE IDS iE fed “ri Ehren 8 أ 4 of ; SN ~ SALT IE SE WE scsi J [1 االو SAE Wa ار Lat Sod oe i NE WEES ري ra اسح ا ا سات ha] Ro Hr rd Ta ed BL bose AE SA iF ] SR 5 LL > Sey - = كح 0 of 18. ££ شكل ه ؟« YE ve Fa 7 7 محا 2 ا" X 2! 2 C . ١ © « ooo 0 سسهة ا بق | & ® 9 o & سكي ; 1 : سق Cee وه >] [0 [ 0 a | ¥ wo “eo € قد | هه ; ‘ ٌ للا \ | LY ١ 7 wp gn i \ 0 v FCCC RAC مكحي سنن 1 ا ¥ 3 5 % A “زاك ريت “rg” hoe ww YT شكلSY i ص حب ' 7 i Yaa / avg oy | ST احص 3Y¢ Fe / Td 1 ا REE i SiR اتا ا أ Jn eed ONE EE EE ON Lo se CUTTY EC Ge \ Taw < الت ce ee NY 0 ادك ا EERE SRE {rss هل لم ساد ا ل اب خا : § Ea ل a NN aaa = > ل ال الا الله ارك م لا 8 ov ف الصا ovr UR SR WY, . 0 4 aryات( سس اوجح 2 ) احير ا «© »! cfs oa od “vr? BEY of “Teo ® | N B % LEX 1 se 3 § 3 hee > 0 “y 3, ا oy gt { سن “va” i 1 وي ? 3 3 5 ل مسمس “yy 1 1 YA JSااا ا pa لانت اا ااا اد ره لاز ٠٠. الل مس ا إٍْ Hpi? . عر La > “on & — CM Seed ِ ل «١ : Le a Sl : ل الي 0 ا 3 : \ “yp oo rat i y % 7 1 > “8. wae Mg Ea woh BR 3 en ® ees tp so RET an : ةا 3 X : 5 3 م" . x * Ww AE 0 “ne ee H “a CE = : +b Niven Boro greens Brossman gon! ال يشيع ديع مون دوأ مو دوع عع ميا شيا لأ ييلع ديعا ةل LEE re rr re bP wp i م i vg i 4 \ م aah 8 4s : ا ا i : للبت .تعيب يا ال a ىا Ne & ? 3 : A Rep in BR : & 0 : 8 i 3 NR IR, t Cd ey 8 ‘ . 8 4 ل : vals 7 Fg @ A i : م 7 13 & CAE 5 ا : وخر ا i oi \ N Ao Ne A Rd Sa TL AAA vfs NS Ne TRS SINR RR Ren 8 NNER FR PSH ا اليا الاي yf 2 ; seni VAY VY VY YY ل ا hed Bd BS انبا a PL ted ded bed ed bE ا DIRT ER CLR وغ bi REN BER tel 4 i اج رج الال FETTER سيا الوه ٍ م we Tio when EERE EE CHER RTI RR TO AE Tubs ! STENT GEA HE eile) ERE TRA يا EA IE HE LE ما Yo combed {LEE HE ]01 50 1 ا ةا 1 1 Fate RU LE LE LY Le Lo هنا نا fale Loa” Lm Bp اللي م يي مه أيه مجه يا مجم ممم لأ م ممم عع عع Denar ees جعي ميا ع معي لأ ل أ ال مي ا ا نح DIRE! LICR ve EY» اوNe v4 Jd\ ا i 5 } RE \ 4i. A بدا .5 ٍ ب Yoo wh i 5, i S i 3 0 1 اها i SN - a < IRR خخخ خخخ حخل خخ خخ خخخ خخ خخخ خخخ حي خخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخ خخخ خخخ خخ تح خخخ خخخ خخ خخخ خخخ خخخ خخخ خخ خخخ خخخ خخخ rs ® ¥ Eh ERLE : At : 5 ل np برام ® ape Yona AN vi : SENN wd رج جع ل“ ا 48 : : 8 : uni. FN Eo Aoivy mpeg a 5, > : 1 1 ال 2 : a0 ON aan لي a ال الال 5 5 ب ,ا A :3 ENA OLN IGNITE, LN NS اضيا لايك a aL AR & \ : ARRON الس AN 5 AS LNAI RR BAAS AS CR بر يل RATE A رمن : RIERA SERA NANAK فوا إن : YT : : . 8 : 0 ا كج ا لني ا لين ل اا لجرت لحن لجر ا اجن الي لا : Een أ ا الوا ned pen الم ل مدير ال مجه i . Po rE ER . . HL Ye shy sd i iW 8 8 i 8 hi wm 3 i¥ Ne i i 3 iy 3 3 Ai 0 3 ¥ 0 HE 8 set 1: 1:13:22: EV AV HI IRIN IY HEIRS rE 4 1:85 ig in a any : +Yi. [ER PISEREAU IN SR Ab IRIN IN HIRST SR HRI IN IN ue yy لاد( 1و3 1:5 11a iat ERVIN EY 1 10:13:33: PEN IY i Ry : z 108 PIPREREIR 000105433: INR IY 1 NM BREE ig ae : ELIE 8 :00213 051820 ]]]! أنه الا iv HERR IR EEE EIR I En a i ap ٌ ALi RULED IMIR EER EEE EE II I NE Ign py 40م 238 Te ERE Pe EREAN EY RV 5018:33:18 BIER I py Hi LAH SEER ns a SHEE : HLURB ARERR] AXEL ا ل foi BERLE LN BEY ERO ; Toi HL ESLER EN, Re REY HRS BERR Re HS {SHEE IRR) ERR RL RRA :rr. i Nl : 1 1 : i 1 a Xd ete ev XY جا جلي ss ¥ av ¥Y 4 wp» z شكل "٠١الحاضهة الهيلة السعودية الملضية الفكرية Swed Authority for intallentual Property pW RE .¥ + \ ا 0 § ام 5 + < Ne ge ”بن اج > عي كي الج دا لي ايام TEE ببح ةا Nase eg + Ed - 2 - 3 .++ .* وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها of سقوطها لمخالفتها ع لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف ع النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية. »> صادرة عن + ب ب ٠. ب الهيئة السعودية للملكية الفكرية > > > ”+ ص ب 101١ .| لريا 1*١ uo ؛ المملكة | لعربية | لسعودية [email protected]
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201662414574P | 2016-10-28 | 2016-10-28 | |
| PCT/US2017/059067 WO2018081724A1 (en) | 2016-10-28 | 2017-10-30 | Systems and methods for improved sustainment of a high performance frc elevated energies utilizing neutral beam injectors with tunable beam energies |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| SA519401656B1 true SA519401656B1 (ar) | 2022-10-25 |
Family
ID=62025545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| SA519401656A SA519401656B1 (ar) | 2016-10-28 | 2019-04-25 | أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لطاقات مرتفعة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع طاقات شعاع قابلة للضبط |
Country Status (20)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11195627B2 (ar) |
| EP (1) | EP3533068B1 (ar) |
| JP (2) | JP7075101B2 (ar) |
| KR (1) | KR102606549B1 (ar) |
| CN (1) | CN110140182A (ar) |
| AU (2) | AU2017347877B2 (ar) |
| BR (1) | BR112019008478B1 (ar) |
| CA (1) | CA3041826A1 (ar) |
| CL (1) | CL2019001095A1 (ar) |
| EA (1) | EA201991063A1 (ar) |
| IL (2) | IL307610A (ar) |
| MX (1) | MX2019004956A (ar) |
| MY (1) | MY194606A (ar) |
| PE (1) | PE20190677A1 (ar) |
| PH (1) | PH12019500922A1 (ar) |
| SA (1) | SA519401656B1 (ar) |
| SG (1) | SG11201903545VA (ar) |
| UA (1) | UA128079C2 (ar) |
| WO (1) | WO2018081724A1 (ar) |
| ZA (1) | ZA201902652B (ar) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| UA121318C2 (uk) * | 2014-10-13 | 2020-05-12 | ТАЄ Текнолоджіс, Інк. | Системи і способи злиття і стискування компактних тороїдів |
| US11515050B1 (en) * | 2019-11-22 | 2022-11-29 | X Development Llc | Mitigating plasma instability |
| CN113687589B (zh) * | 2021-09-03 | 2022-08-16 | 中国科学院国家授时中心 | 一种应用于空间站的锶原子光钟物理*** |
| WO2023245064A1 (en) * | 2022-06-15 | 2023-12-21 | Fuse Energy Technologies Corp. | Plasma generation system and method with magnetic field stabilization |
Family Cites Families (149)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3120470A (en) | 1954-04-13 | 1964-02-04 | Donald H Imhoff | Method of producing neutrons |
| US3170841A (en) | 1954-07-14 | 1965-02-23 | Richard F Post | Pyrotron thermonuclear reactor and process |
| US3071525A (en) | 1958-08-19 | 1963-01-01 | Nicholas C Christofilos | Method and apparatus for producing thermonuclear reactions |
| US3036963A (en) | 1960-01-25 | 1962-05-29 | Nicholas C Christofilos | Method and apparatus for injecting and trapping electrons in a magnetic field |
| BE627008A (ar) | 1960-02-26 | |||
| US3182213A (en) | 1961-06-01 | 1965-05-04 | Avco Corp | Magnetohydrodynamic generator |
| US3132996A (en) | 1962-12-10 | 1964-05-12 | William R Baker | Contra-rotating plasma system |
| US3386883A (en) | 1966-05-13 | 1968-06-04 | Itt | Method and apparatus for producing nuclear-fusion reactions |
| US3530036A (en) | 1967-12-15 | 1970-09-22 | Itt | Apparatus for generating fusion reactions |
| US3530497A (en) | 1968-04-24 | 1970-09-22 | Itt | Apparatus for generating fusion reactions |
| US3527977A (en) | 1968-06-03 | 1970-09-08 | Atomic Energy Commission | Moving electrons as an aid to initiating reactions in thermonuclear devices |
| US3577317A (en) | 1969-05-01 | 1971-05-04 | Atomic Energy Commission | Controlled fusion reactor |
| US3621310A (en) | 1969-05-30 | 1971-11-16 | Hitachi Ltd | Duct for magnetohydrodynamic thermal to electrical energy conversion apparatus |
| US3664921A (en) | 1969-10-16 | 1972-05-23 | Atomic Energy Commission | Proton e-layer astron for producing controlled fusion reactions |
| AT340010B (de) | 1970-05-21 | 1977-11-25 | Nowak Karl Ing | Einrichtung zur erzielung einer nuklearen reaktion mittels kunstlichem plasma vorzugsweise zur kontrollierten atomkernfusion |
| US3668065A (en) | 1970-09-15 | 1972-06-06 | Atomic Energy Commission | Apparatus for the conversion of high temperature plasma energy into electrical energy |
| US3663362A (en) | 1970-12-22 | 1972-05-16 | Atomic Energy Commission | Controlled fusion reactor |
| LU65432A1 (ar) | 1972-05-29 | 1972-08-24 | ||
| US4233537A (en) | 1972-09-18 | 1980-11-11 | Rudolf Limpaecher | Multicusp plasma containment apparatus |
| US4182650A (en) | 1973-05-17 | 1980-01-08 | Fischer Albert G | Pulsed nuclear fusion reactor |
| US5015432A (en) | 1973-10-24 | 1991-05-14 | Koloc Paul M | Method and apparatus for generating and utilizing a compound plasma configuration |
| US5041760A (en) | 1973-10-24 | 1991-08-20 | Koloc Paul M | Method and apparatus for generating and utilizing a compound plasma configuration |
| US4010396A (en) | 1973-11-26 | 1977-03-01 | Kreidl Chemico Physical K.G. | Direct acting plasma accelerator |
| FR2270733A1 (en) | 1974-02-08 | 1975-12-05 | Thomson Csf | Magnetic field vehicle detector unit - receiver detects changes produced in an emitted magnetic field |
| US4098643A (en) | 1974-07-09 | 1978-07-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Dual-function magnetic structure for toroidal plasma devices |
| US4057462A (en) * | 1975-02-26 | 1977-11-08 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Radio frequency sustained ion energy |
| US4054846A (en) | 1975-04-02 | 1977-10-18 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Transverse-excitation laser with preionization |
| US4065351A (en) | 1976-03-25 | 1977-12-27 | The United States Of America As Represented By The United States Energy Research And Development Administration | Particle beam injection system |
| US4125431A (en) * | 1977-06-16 | 1978-11-14 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Tandem mirror plasma confinement apparatus |
| US4166760A (en) | 1977-10-04 | 1979-09-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Plasma confinement apparatus using solenoidal and mirror coils |
| US4347621A (en) | 1977-10-25 | 1982-08-31 | Environmental Institute Of Michigan | Trochoidal nuclear fusion reactor |
| US4303467A (en) | 1977-11-11 | 1981-12-01 | Branson International Plasma Corporation | Process and gas for treatment of semiconductor devices |
| US4274919A (en) | 1977-11-14 | 1981-06-23 | General Atomic Company | Systems for merging of toroidal plasmas |
| US4202725A (en) | 1978-03-08 | 1980-05-13 | Jarnagin William S | Converging beam fusion system |
| US4189346A (en) | 1978-03-16 | 1980-02-19 | Jarnagin William S | Operationally confined nuclear fusion system |
| US4246067A (en) | 1978-08-30 | 1981-01-20 | Linlor William I | Thermonuclear fusion system |
| US4267488A (en) | 1979-01-05 | 1981-05-12 | Trisops, Inc. | Containment of plasmas at thermonuclear temperatures |
| US4397810A (en) | 1979-03-16 | 1983-08-09 | Energy Profiles, Inc. | Compressed beam directed particle nuclear energy generator |
| US4314879A (en) * | 1979-03-22 | 1982-02-09 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Production of field-reversed mirror plasma with a coaxial plasma gun |
| US4416845A (en) | 1979-08-02 | 1983-11-22 | Energy Profiles, Inc. | Control for orbiting charged particles |
| JPS5829568B2 (ja) | 1979-12-07 | 1983-06-23 | 岩崎通信機株式会社 | ２ビ−ム１電子銃陰極線管 |
| US4548782A (en) | 1980-03-27 | 1985-10-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Tokamak plasma heating with intense, pulsed ion beams |
| US4390494A (en) | 1980-04-07 | 1983-06-28 | Energy Profiles, Inc. | Directed beam fusion reaction with ion spin alignment |
| US4350927A (en) | 1980-05-23 | 1982-09-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Means for the focusing and acceleration of parallel beams of charged particles |
| US4317057A (en) | 1980-06-16 | 1982-02-23 | Bazarov Georgy P | Channel of series-type magnetohydrodynamic generator |
| US4434130A (en) | 1980-11-03 | 1984-02-28 | Energy Profiles, Inc. | Electron space charge channeling for focusing ion beams |
| US4584160A (en) | 1981-09-30 | 1986-04-22 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Plasma devices |
| US4543231A (en) | 1981-12-14 | 1985-09-24 | Ga Technologies Inc. | Multiple pinch method and apparatus for producing average magnetic well in plasma confinement |
| US4560528A (en) | 1982-04-12 | 1985-12-24 | Ga Technologies Inc. | Method and apparatus for producing average magnetic well in a reversed field pinch |
| JPH06105597B2 (ja) | 1982-08-30 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ源 |
| JPS5960899A (ja) | 1982-09-29 | 1984-04-06 | 株式会社東芝 | イオン・エネルギ−回収装置 |
| US4618470A (en) | 1982-12-01 | 1986-10-21 | Austin N. Stanton | Magnetic confinement nuclear energy generator |
| US4483737A (en) | 1983-01-31 | 1984-11-20 | University Of Cincinnati | Method and apparatus for plasma etching a substrate |
| US4601871A (en) | 1983-05-17 | 1986-07-22 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Steady state compact toroidal plasma production |
| USH235H (en) * | 1983-09-26 | 1987-03-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | In-situ determination of energy species yields of intense particle beams |
| US4650631A (en) | 1984-05-14 | 1987-03-17 | The University Of Iowa Research Foundation | Injection, containment and heating device for fusion plasmas |
| US4639348A (en) | 1984-11-13 | 1987-01-27 | Jarnagin William S | Recyclotron III, a recirculating plasma fusion system |
| US4615755A (en) | 1985-08-07 | 1986-10-07 | The Perkin-Elmer Corporation | Wafer cooling and temperature control for a plasma etching system |
| US4826646A (en) | 1985-10-29 | 1989-05-02 | Energy/Matter Conversion Corporation, Inc. | Method and apparatus for controlling charged particles |
| US4630939A (en) | 1985-11-15 | 1986-12-23 | The Dow Chemical Company | Temperature measuring apparatus |
| SE450060B (sv) | 1985-11-27 | 1987-06-01 | Rolf Lennart Stenbacka | Forfarande for att astadkomma fusionsreaktioner, samt anordning for fusionsreaktor |
| US4687616A (en) | 1986-01-15 | 1987-08-18 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method and apparatus for preventing cyclotron breakdown in partially evacuated waveguide |
| US4894199A (en) * | 1986-06-11 | 1990-01-16 | Norman Rostoker | Beam fusion device and method |
| DK556887D0 (da) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | Risoe Forskningscenter | Fremgangsmaade til fremstilling af en pille og injektor til injektion af saadan pille |
| DE69026923T2 (de) | 1990-01-22 | 1996-11-14 | Werner K Steudtner | Kernfusionsreaktor |
| US5160695A (en) | 1990-02-08 | 1992-11-03 | Qed, Inc. | Method and apparatus for creating and controlling nuclear fusion reactions |
| JP2509729B2 (ja) * | 1990-04-02 | 1996-06-26 | 株式会社東芝 | 核融合装置のビ―ムエネルギ―制御装置 |
| US5311028A (en) | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
| US5122662A (en) | 1990-10-16 | 1992-06-16 | Schlumberger Technology Corporation | Circular induction accelerator for borehole logging |
| US5206516A (en) | 1991-04-29 | 1993-04-27 | International Business Machines Corporation | Low energy, steered ion beam deposition system having high current at low pressure |
| US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
| US5207760A (en) | 1991-07-23 | 1993-05-04 | Trw Inc. | Multi-megawatt pulsed inductive thruster |
| US5323442A (en) | 1992-02-28 | 1994-06-21 | Ruxam, Inc. | Microwave X-ray source and methods of use |
| US5502354A (en) | 1992-07-31 | 1996-03-26 | Correa; Paulo N. | Direct current energized pulse generator utilizing autogenous cyclical pulsed abnormal glow discharges |
| RU2056649C1 (ru) | 1992-10-29 | 1996-03-20 | Сергей Николаевич Столбов | Способ управляемого термоядерного синтеза и управляемый термоядерный реактор для его осуществления |
| US5339336A (en) | 1993-02-17 | 1994-08-16 | Cornell Research Foundation, Inc. | High current ion ring accelerator |
| FR2705584B1 (fr) | 1993-05-26 | 1995-06-30 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de séparation isotopique par résonance cyclotronique ionique. |
| US5473165A (en) | 1993-11-16 | 1995-12-05 | Stinnett; Regan W. | Method and apparatus for altering material |
| US5557172A (en) | 1993-12-21 | 1996-09-17 | Sumitomo Heavy Industries, Ltd. | Plasma beam generating method and apparatus which can generate a high-power plasma beam |
| US5537005A (en) | 1994-05-13 | 1996-07-16 | Hughes Aircraft | High-current, low-pressure plasma-cathode electron gun |
| US5420425A (en) | 1994-05-27 | 1995-05-30 | Finnigan Corporation | Ion trap mass spectrometer system and method |
| US5656519A (en) | 1995-02-14 | 1997-08-12 | Nec Corporation | Method for manufacturing salicide semiconductor device |
| US5653811A (en) | 1995-07-19 | 1997-08-05 | Chan; Chung | System for the plasma treatment of large area substrates |
| US20040213368A1 (en) | 1995-09-11 | 2004-10-28 | Norman Rostoker | Fusion reactor that produces net power from the p-b11 reaction |
| AU7374896A (en) | 1995-09-25 | 1997-04-17 | Paul M. Koloc | A compound plasma configuration, and method and apparatus for generating a compound plasma configuration |
| JP3385327B2 (ja) | 1995-12-13 | 2003-03-10 | 株式会社日立製作所 | 三次元四重極質量分析装置 |
| US5764715A (en) | 1996-02-20 | 1998-06-09 | Sandia Corporation | Method and apparatus for transmutation of atomic nuclei |
| KR100275597B1 (ko) | 1996-02-23 | 2000-12-15 | 나카네 히사시 | 플리즈마처리장치 |
| US6000360A (en) | 1996-07-03 | 1999-12-14 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US5811201A (en) | 1996-08-16 | 1998-09-22 | Southern California Edison Company | Power generation system utilizing turbine and fuel cell |
| US5923716A (en) | 1996-11-07 | 1999-07-13 | Meacham; G. B. Kirby | Plasma extrusion dynamo and methods related thereto |
| JP3582287B2 (ja) | 1997-03-26 | 2004-10-27 | 株式会社日立製作所 | エッチング装置 |
| JPH10335096A (ja) | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6894446B2 (en) | 1997-10-17 | 2005-05-17 | The Regents Of The University Of California | Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion |
| US6628740B2 (en) | 1997-10-17 | 2003-09-30 | The Regents Of The University Of California | Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion |
| US6271529B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-08-07 | Ebara Corporation | Ion implantation with charge neutralization |
| US6390019B1 (en) | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
| FR2780499B1 (fr) | 1998-06-25 | 2000-08-18 | Schlumberger Services Petrol | Dispositifs de caracterisation de l'ecoulement d'un fluide polyphasique |
| DE19929278A1 (de) | 1998-06-26 | 2000-02-17 | Nissin Electric Co Ltd | Verfahren zum Implantieren negativer Wasserstoffionen und Implantierungseinrichtung |
| US6255648B1 (en) | 1998-10-16 | 2001-07-03 | Applied Automation, Inc. | Programmed electron flux |
| US6248251B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-06-19 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for electrostatically shielding an inductively coupled RF plasma source and facilitating ignition of a plasma |
| US6755086B2 (en) | 1999-06-17 | 2004-06-29 | Schlumberger Technology Corporation | Flow meter for multi-phase mixtures |
| US6322706B1 (en) | 1999-07-14 | 2001-11-27 | Archimedes Technology Group, Inc. | Radial plasma mass filter |
| US6452168B1 (en) | 1999-09-15 | 2002-09-17 | Ut-Battelle, Llc | Apparatus and methods for continuous beam fourier transform mass spectrometry |
| DE10060002B4 (de) | 1999-12-07 | 2016-01-28 | Komatsu Ltd. | Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung |
| US6593539B1 (en) | 2000-02-25 | 2003-07-15 | George Miley | Apparatus and methods for controlling charged particles |
| US6408052B1 (en) | 2000-04-06 | 2002-06-18 | Mcgeoch Malcolm W. | Z-pinch plasma X-ray source using surface discharge preionization |
| US6593570B2 (en) | 2000-05-24 | 2003-07-15 | Agilent Technologies, Inc. | Ion optic components for mass spectrometers |
| US6664740B2 (en) | 2001-02-01 | 2003-12-16 | The Regents Of The University Of California | Formation of a field reversed configuration for magnetic and electrostatic confinement of plasma |
| US6611106B2 (en) | 2001-03-19 | 2003-08-26 | The Regents Of The University Of California | Controlled fusion in a field reversed configuration and direct energy conversion |
| GB0131097D0 (en) | 2001-12-31 | 2002-02-13 | Applied Materials Inc | Ion sources |
| US6911649B2 (en) * | 2002-06-21 | 2005-06-28 | Battelle Memorial Institute | Particle generator |
| US6922649B2 (en) | 2003-11-25 | 2005-07-26 | International Business Machines Corporation | Multiple on-chip test runs and repairs for memories |
| EA018812B1 (ru) | 2005-03-07 | 2013-10-30 | Дзе Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Калифорниа | Система для выработки электроэнергии из плазмы |
| US8031824B2 (en) | 2005-03-07 | 2011-10-04 | Regents Of The University Of California | Inductive plasma source for plasma electric generation system |
| CN101189684B (zh) | 2005-03-07 | 2013-04-24 | 加州大学评议会 | 等离子体发电*** |
| US7115887B1 (en) | 2005-03-15 | 2006-10-03 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Method for generating extreme ultraviolet with mather-type plasma accelerators for use in Extreme Ultraviolet Lithography |
| US20080226011A1 (en) | 2005-10-04 | 2008-09-18 | Barnes Daniel C | Plasma Centrifuge Heat Engine Beam Fusion Reactor |
| CN101320599A (zh) | 2007-06-06 | 2008-12-10 | 高晓达 | 通过极限环螺旋扇形注入区的束流连续注入方法 |
| US8368636B2 (en) | 2007-09-21 | 2013-02-05 | Point Somee Limited Liability Company | Regulation of wavelength shift and perceived color of solid state lighting with intensity variation |
| CA2734757C (en) | 2008-09-18 | 2015-05-05 | E Craftsmen Corporation | Configurable led driver/dimmer for solid state lighting applications |
| CN102301832B (zh) | 2009-02-04 | 2014-07-23 | 全面熔合有限公司 | 用于压缩等离子体的***和方法 |
| US8569956B2 (en) | 2009-06-04 | 2013-10-29 | Point Somee Limited Liability Company | Apparatus, method and system for providing AC line power to lighting devices |
| US8193738B2 (en) | 2009-08-07 | 2012-06-05 | Phihong Technology Co., Ltd. | Dimmable LED device with low ripple current and driving circuit thereof |
| US8760078B2 (en) | 2010-10-04 | 2014-06-24 | Earl W. McCune, Jr. | Power conversion and control systems and methods for solid-state lighting |
| US8587215B2 (en) | 2011-05-05 | 2013-11-19 | General Electric Company | Self-dimming OLED lighting system and control method |
| SG11201402259YA (en) * | 2011-11-14 | 2014-06-27 | Univ California | Systems and methods for forming and maintaining a high performance frc |
| US9078327B2 (en) | 2012-03-05 | 2015-07-07 | Luxera, Inc. | Apparatus and method for dimming signal generation for a distributed solid state lighting system |
| US20130249431A1 (en) | 2012-03-05 | 2013-09-26 | Luxera, Inc. | Dimmable Hybrid Adapter for a Solid State Lighting System, Apparatus and Method |
| WO2013191779A2 (en) * | 2012-03-23 | 2013-12-27 | Princeton Satellite Systems, Inc. | Method, apparatus, and system to reduce neutron production in small clean fusion reactors |
| CN104768285B (zh) | 2012-05-17 | 2017-06-13 | 昂宝电子（上海）有限公司 | 用于利用***控制器进行调光控制的***和方法 |
| JP6258951B2 (ja) | 2012-11-06 | 2018-01-10 | フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ | 回路装置及び回路装置を備えるｌｅｄランプ |
| CN103024994B (zh) | 2012-11-12 | 2016-06-01 | 昂宝电子（上海）有限公司 | 使用triac调光器的调光控制***和方法 |
| US9192002B2 (en) | 2012-11-20 | 2015-11-17 | Isine, Inc. | AC/DC conversion bypass power delivery |
| WO2014114986A1 (en) | 2013-01-25 | 2014-07-31 | L Ferreira Jr Moacir | Multiphase nuclear fusion reactor |
| JP6829937B2 (ja) | 2013-02-11 | 2021-02-17 | ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア | 分数巻数コイル巻線 |
| US9591740B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Tri Alpha Energy, Inc. | Negative ion-based neutral beam injector |
| US9754686B2 (en) * | 2013-08-20 | 2017-09-05 | University Of Washington Through Its Center For Commercialization | Plasma confinement system and methods for use |
| SG11201602160UA (en) * | 2013-09-24 | 2016-04-28 | Tri Alpha Energy Inc | Systems and methods for forming and maintaining a high performance frc |
| CN104066254B (zh) | 2014-07-08 | 2017-01-04 | 昂宝电子（上海）有限公司 | 使用triac调光器进行智能调光控制的***和方法 |
| KR20160014379A (ko) | 2014-07-29 | 2016-02-11 | 주식회사 실리콘웍스 | 조명 장치 |
| BR112017003327B1 (pt) * | 2014-08-19 | 2021-01-19 | General Fusion Inc. | sistema e método para controlar campo magnético de plasma |
| US20170294238A1 (en) * | 2014-10-01 | 2017-10-12 | Xian-Jun Zheng | Neutron source based on a counter-balancing plasma beam configuration |
| KR102257718B1 (ko) | 2014-10-01 | 2021-05-28 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 발광 다이오드 구동 회로 및 이를 포함하는 발광 다이오드 조명 장치 |
| PT3213608T (pt) | 2014-10-30 | 2019-09-23 | Tae Tech Inc | Sistemas e processos de formação e manutenção de um plasma numa frc de elevado desempenho |
| TWI629916B (zh) | 2014-12-10 | 2018-07-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光裝置與發光二極體電路 |
| US20180047461A1 (en) * | 2015-02-24 | 2018-02-15 | The Trustees Of Princeton University | System and method for small, clean, steady-state fusion reactors |
| CN108352199B (zh) | 2015-11-13 | 2022-09-09 | 阿尔法能源技术公司 | 用于frc等离子***置稳定性的***和方法 |
| US10326370B2 (en) | 2016-06-02 | 2019-06-18 | Semiconductor Components Industries, Llc | Controlling output voltage for power converter |
-
2017
- 2017-10-30 BR BR112019008478-9A patent/BR112019008478B1/pt active IP Right Grant
- 2017-10-30 MY MYPI2019002351A patent/MY194606A/en unknown
- 2017-10-30 KR KR1020197015206A patent/KR102606549B1/ko active IP Right Grant
- 2017-10-30 CN CN201780081502.3A patent/CN110140182A/zh active Pending
- 2017-10-30 CA CA3041826A patent/CA3041826A1/en active Pending
- 2017-10-30 PE PE2019000888A patent/PE20190677A1/es unknown
- 2017-10-30 IL IL307610A patent/IL307610A/en unknown
- 2017-10-30 UA UAA201905699A patent/UA128079C2/uk unknown
- 2017-10-30 MX MX2019004956A patent/MX2019004956A/es unknown
- 2017-10-30 EP EP17866196.3A patent/EP3533068B1/en active Active
- 2017-10-30 WO PCT/US2017/059067 patent/WO2018081724A1/en unknown
- 2017-10-30 EA EA201991063A patent/EA201991063A1/ru unknown
- 2017-10-30 JP JP2019522255A patent/JP7075101B2/ja active Active
- 2017-10-30 SG SG11201903545VA patent/SG11201903545VA/en unknown
- 2017-10-30 AU AU2017347877A patent/AU2017347877B2/en active Active
- 2017-10-30 IL IL266075A patent/IL266075B2/en unknown
-
2019
- 2019-04-22 CL CL2019001095A patent/CL2019001095A1/es unknown
- 2019-04-24 PH PH12019500922A patent/PH12019500922A1/en unknown
- 2019-04-25 SA SA519401656A patent/SA519401656B1/ar unknown
- 2019-04-26 ZA ZA2019/02652A patent/ZA201902652B/en unknown
- 2019-04-26 US US16/395,405 patent/US11195627B2/en active Active
-
2021
- 2021-11-04 US US17/519,089 patent/US20220093280A1/en not_active Abandoned
- 2021-12-27 JP JP2021212122A patent/JP7432576B2/ja active Active
-
2023
- 2023-02-23 AU AU2023201071A patent/AU2023201071A1/en active Pending
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| SA519401656B1 (ar) | أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لطاقات مرتفعة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء باستخدام وسائل حقن شعاع متعادل مع طاقات شعاع قابلة للضبط | |
| US10743398B2 (en) | Systems and methods for forming and maintaining a high performance FRC | |
| AU2021221522B2 (en) | Systems and methods for forming and maintaining a high performance frc | |
| AU2022202266B2 (en) | Systems and methods for frc plasma position stability | |
| Angal-Kalinin et al. | PERLE. Powerful energy recovery linac for experiments. Conceptual design report | |
| US11929182B2 (en) | Systems and methods for improved sustainment of a high performance FRC and high harmonic fast wave electron heating in a high performance FRC | |
| Inestrosa-Izurieta et al. | Morphological and structural effects on tungsten targets produced by fusion plasma pulses from a table top plasma focus | |
| SA519401705B1 (ar) | أنظمة وطرق لاستدامة محسنة لتهيئة مجال معكوس عالي الأداء مع ضخ بالتفريغ من نوع إمساك متعدد القياس | |
| Saitoh et al. | Efficient injection of an intense positron beam into a dipole magnetic field | |
| Zhu et al. | Distribution uniformity of laser-accelerated proton beams | |
| US20240120115A1 (en) | System and methods for forming and maintaining high energy and temperature frc plasma via neutral beam injection | |
| US20220400546A1 (en) | System and methods for forming and maintaining high energy and temperature frc plasma via spheromak merging and neutral beam injection | |
| Chen et al. | One Neutron Halo in a 12 B Excited State | |
| BR112019009744B1 (pt) | Sistema e método para gerar e manter um campo magnético com uma configuração de campo reverso (frc) | |
| Peterson et al. | Evaluation of instability growth mitigation and stabilization techniques in magnetized liner inertial fusion targets. |